平面柵IGBT與溝槽柵IGBT導通電阻對比(消除JFET) “JFET效應”區域:當MOSFET導通時,電流需通過兩個P區之間的窄頸區域,產生額外的電阻和電流擁擠效應。溝槽型MOSFET(溝槽柵MOSFET)則在硅片中垂直刻蝕出溝槽,并在溝槽側壁生長柵氧、填充多晶硅作為柵極。這樣,柵極與P體區的接觸從平面改為垂直側壁,溝道電流沿溝槽側壁垂直流動到襯底 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位