公司單片式濕法刻蝕機主要應用于集成電路制造后道先進封裝 Bumping、MEMS、OLED 等領域的刻蝕制程，可對50-300mm 尺寸晶圓中的凸塊下金屬（UBM）及扇出式再分布層（RDL）等圖形進行處理，刻蝕目標材料包括銅、鈦、鎢化鈦、銀、鋁、鉬、氧化銦錫、氧化銦鎵鋅等，具備化學品噴嘴變速掃描、刻蝕液回收循環過濾再使用等功能，刻蝕均勻性優于 3%，側蝕可小于 0.75μm。