ALD“慢工出細活”，在超薄膜層如魚得水。ALD的短板在于沉積速率慢，在 PERC電池時期未成為主流工藝，但在 TOPCon電池規劃與投產中獲得一席之地。TOPCon電池需在絨面上沉積厚度約為 10nm 的氧化鋁，使用 ALD 沉積的鈍化效果優于 PECVD，助力轉化效率提升。TOPCon電池的隧穿氧化層厚度僅為 1-2nm，CVD的沉積速率優勢不顯著，ALD的致密與均勻性優勢凸顯，因此能順利導入 TOPCon產線。對于較厚膜層（如厚約 150nm的多晶硅層），廠商可能選擇 CVD技術；但對于超薄膜層（如隧穿氧化層與鈍化層），ALD盡顯優勢。隨著電池由 P型轉向 N型，ALD技術滲透率有望隨之提升。