半導體設備行業跟蹤報告：半導體制造技術進步原子層沉積（ALD）技術是關鍵-230206（20頁）.pdf

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1、 敬請參閱最后一頁特別聲明-1-證券研究報告 2023 年 2 月 6 日 行業研究行業研究 半導體制造技術進步，原子層沉積（半導體制造技術進步，原子層沉積（ALDALD）技術是關鍵）技術是關鍵 半導體設備行業跟蹤報告 機械行業機械行業 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之一，薄膜的薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之一，薄膜的技術參數直接影響芯片性能。技術參數直接影響芯片性能。半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而 ALDALD 技術憑借沉積技術憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優異的均勻性和三維保形性，在半導體先進制程應用領薄膜厚度

2、的高度可控性、優異的均勻性和三維保形性，在半導體先進制程應用領域彰顯優勢。域彰顯優勢。用于薄膜沉積的技術包括物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）。其中 ALD 技術是一種將物質以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠實現納米量級超薄膜的沉積。目前 ALD 技術可以細分為 TALD、PEALD、SALD 等，制備的薄膜類型包括氧化物、氮（碳）化物、金屬與非金屬單質等，涵蓋介電層、導體和半導體。ALD 反應的自限制性和窗口溫度較寬的特征，使其生長的薄膜具有很好的臺階覆蓋率、大面積均勻、致密無孔洞等優勢，且厚度等沉積參數易于精確控制。ALD 技術特別適合復雜形貌、

3、高深寬比溝槽表面的薄膜沉積，被廣泛應用于 High-K 柵介質層、金屬柵、銅擴散阻擋層等半導體先進制程領域。20202020 年，全球年，全球 ALDALD 設備市場規模約占薄膜沉積設備整體市場的設備市場規模約占薄膜沉積設備整體市場的 11%11%。從晶圓。從晶圓廠設備投資構成來看，薄膜沉積設備投資額占晶圓制造設備總投資額的比重約達廠設備投資構成來看，薄膜沉積設備投資額占晶圓制造設備總投資額的比重約達25%25%。隨著全球和國內晶圓廠的加速建設和擴產，以及半導體器件結構向更細微。隨著全球和國內晶圓廠的加速建設和擴產，以及半導體器件結構向更細微演進，演進，ALDALD 設備市場空間設備市場空間廣

4、闊。廣闊。根據 SEMI，全球晶圓產能 2022 年將增長 8%，2020 年至 2024 年期間，中國大陸和中國臺灣將分別增加 8 家和 11 家 300mm Fab 廠，合計約占全球新增數量的 50%。在 Fab 廠設備投資額構成中，前道晶圓制造設備占比高達 80%，其中薄膜沉積設備投資額約占晶圓制造設備的 25%。Maximize Market Research統計顯示，2017 至 2020 年全球半導體薄膜沉積設備市場規模從 125 億美元增至 172 億美元，CAGR 達 11.2%，預計 2025 年可達 340 億美元。根據 Gartner統計，2020 年 ALD 設備市場規

5、模約占薄膜沉積設備的 11%，SEMI 預測，受益于半導體先進制程產線數量增加，2020 年至 2025 年全球 ALD 設備銷售額 CAGR將達到 26.3%，遠高于 PVD 和 PECVD 設備的增速，市場前景可觀。半導體半導體 ALDALD 設備市場由海外廠商高度壟斷。設備市場由海外廠商高度壟斷。20202020 年，我國薄膜沉積設備國產化年，我國薄膜沉積設備國產化率為率為 8%8%，雖然較，雖然較 20162016 年的年的 5%5%有所提升，但總體水平尤其是中高端設備的國有所提升，但總體水平尤其是中高端設備的國產占比仍然較低。產占比仍然較低。在國際市場，在國際市場，ASMI、TEL、

6、Lam、AMAT 等知名半導體廠商均提供 ALD 設備，其中 ASMI 為全球 ALD 設備市場龍頭企業，公司在 ALD 技術領域持續深耕，通過跨國并購拓展并鞏固了 ALD業務，2020 年ALD設備銷售額市占率高達55%。在國內市場，經營薄膜沉積設備業務的公司主要包括拓荊科技、微導納米、中微公司、盛美上海、北方華創，目前具備半導體 ALD 技術產業化能力的企業仍然較少。建議關注在建議關注在 ALDALD 設備領域取得較大進展的拓荊科技、微導納米。設備領域取得較大進展的拓荊科技、微導納米。拓荊科技：拓荊科技：PEALD 產品在邏輯芯片領域已實現產業化應用，在 3D NAND FLASH、DRA

7、M 領域驗證進展順利，ALD 反應腔通過現有客戶驗收；TALD 設備已取得客戶訂單。微導納米：微導納米：TALD產品在邏輯芯片High-K柵介質層領域已實現產業化應用；TALD和 PEALD 設備在新型存儲芯片的電容介質層、化合物半導體、量子器件的超導材料導電層等領域已與客戶簽署訂單。風險分析：風險分析：下游晶圓廠擴產不及預期、產業化驗證進展不及預期。下游晶圓廠擴產不及預期、產業化驗證進展不及預期。買入（維持）買入（維持）作者作者 分析師：楊紹輝分析師：楊紹輝 執業證書編號：S0930522060001 021-52523860 行業與滬深行業與滬深 300300 指數對比圖指數對比圖 -30

8、%-20%-10%0%10%02/2205/2208/2211/22機械行業滬深300 資料來源：Wind 相關研報相關研報 量測設備空間大格局好，上海精測、中科飛測等國產品牌蓄勢待發半導體量測設備行業跟蹤（2022-11-25）技術主權之爭主導設備需求，半導體設備進口替代是主旋律全球半導體設備與零部件行業2022 年三季報總結（2022-11-06）一“明”一“暗”檢缺陷，相輔相成提良率半導體設備研究系列之明暗場缺陷檢測設備（2022-12-10）要要點點 敬請參閱最后一頁特別聲明-2-證券研究報告 機械行業 目目 錄錄 1 1、ALDALD 技術進行薄膜沉積工藝優勢明顯技術進行薄膜沉積工藝

9、優勢明顯 .5 5 1.1、薄膜沉積：半導體工藝制程三大核心步驟之一.5 1.2、ALD 技術原理：每次反應只沉積一層原子.5 1.3、ALD 反應特征使其成為一種優異的鍍膜技術.6 1.4、ALD 技術在半導體制造關鍵工藝中的主要應用.8 2 2、ALDALD 設備市場規模增速可觀設備市場規模增速可觀 .1010 2.1、半導體設備行業保持增長，國內市場發展勢頭強勁.10 2.2、晶圓廠建設加速推進，薄膜沉積設備需求持續旺盛.11 2.3、先進制程產線發展推動 ALD 設備需求攀升.12 3 3、ALDALD 設備被設備被 ASMIASMI 高度壟斷，國產率低高度壟斷，國產率低 .1313

10、3.1、ASMI：并購拓展與持續研發成就全球 ALD 設備龍頭.13 3.2、薄膜沉積設備尤其是 ALD 設備國產化率較低.14 4 4、重點公司分析重點公司分析 .1515 4.1、拓荊科技：PECVD 設備成熟，PEALD 設備現已實現產業化應用.15 4.2、微導納米：專注 ALD 技術，High-K ALD 設備成功填補國內空白.17 5 5、風險分析風險分析 .1919 WWiZqVgUuXdYvNwObR9R8OmOnNnPpMkPoOnPeRrRqP8OqRrRMYnPnPMYsQrN 敬請參閱最后一頁特別聲明-3-證券研究報告 機械行業 圖圖目錄目錄 圖 1：ALD 技術原理圖

11、（1 個周期）.5 圖 2：典型的 ALD 系統示意圖.6 圖 3：CS-ALD 過程示意圖.7 圖 4：RS-ALD 過程示意圖.7 圖 5：沉積溫度對 ALD 鍍膜速率的影響及 ALD 窗口.8 圖 6：ALD 與其他技術的鍍膜效果比較.8 圖 7：MOSFET 結構及 SiO2與 High-K 柵介電層比較.8 圖 8：具有金屬柵電極的 FET.9 圖 9：采用 ALD 技術在高深寬比基底上沉積的銅擴散阻擋層薄膜.9 圖 10：采用 ALD 技術制備的微型電容器高深寬比三維復合電極結構.10 圖 11：2013-2021 年全球半導體設備銷售額.10 圖 12：2013-2021 年中國

12、大陸半導體設備銷售額.10 圖 13：2020-2021 年全球半導體設備分地區銷售額及占比.11 圖 14：2024 年全球 300mmFab 廠數量及產能（千片/月）預測.11 圖 15：2020 年晶圓廠半導體設備投資額占比情況.12 圖 16：2017-2025 年全球半導體薄膜沉積設備市場規模）及增速.12 圖 17：2020 年全球薄膜沉積設備細分市場規模占比（以銷售額計）.13 圖 18：2005-2023 年全球薄膜沉積設備市場結構變化（以銷售額計）.13 圖 19：2017-2021 年 ASMI 營業收入及增速.14 圖 20：拓荊科技 2018-2022 年前三季度營業收

13、入（億元）.15 圖 21：拓荊科技 2018-2022 年前三季度歸母凈利潤（億元）.15 圖 22：拓荊科技 2022 年 H1 主營業務收入分產品占比.16 圖 23：拓荊科技 ALD 產品系列.16 圖 24：微導納米 2019-2022 年前三季度營業收入（億元）.17 圖 25：微導納米 2019-2022 年前三季度歸母凈利潤（百萬元）.17 圖 26：微導納米 2021 年主營業務收入分產品占比（%）.18 圖 27：微導納米半導體領域 ALD 產品系列.18 圖 28：微導納米半導體領域 ALD 產品系列的鍍膜工藝及應用領域.18 敬請參閱最后一頁特別聲明-4-證券研究報告

14、機械行業 表目錄表目錄 表 1：ALD 的特征、對薄膜沉積的內在影響及其實際應用中的優勢.7 表 2：ASMI 發展歷程.13 表 3：產品線涵蓋 ALD 設備的國際半導體設備制造商.14 敬請參閱最后一頁特別聲明-5-證券研究報告 機械行業 1 1、ALDALD 技術進行薄膜沉積工藝優勢明顯技術進行薄膜沉積工藝優勢明顯 1.11.1、薄膜沉積：半導體工藝制程三大核心步驟之一薄膜沉積：半導體工藝制程三大核心步驟之一 半導體產品制造需要經過數百道工藝，整個制造過程可以分為晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試、封裝八大步驟。其中，薄膜沉積與光刻、刻蝕是半導體制造的三大核心步驟。薄膜沉積

15、的作用在于制造半導體器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬薄膜沉積的作用在于制造半導體器件疊層，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分以形成三（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分以形成三維結構。維結構。此處的“薄膜”是指厚度小于 1 微米、無法通過普通機械加工方法制造出來的“膜”，而將包含所需分子或原子單元的薄膜附著在晶圓表面的過程就是“沉積”。目前可用于沉積過程的技術包括物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）以及原子層沉積（ALD）。隨著半導體產業不斷發展，器件的小型化作為一種趨勢致使 IC 線寬的特征

16、尺寸更加細微。然而，傳統的沉積技術（PVD、CVD）可能已經無法完全適應這一發展趨勢。ALD 技術由于自身沉積參數的高度可控性（厚度、成份和結構）、優異的均勻性和保形性，在半導體領域尤其是先進制程中具有廣泛的應用潛力。1.21.2、ALDALD 技術原理：每次反應只沉積一層原子技術原理：每次反應只沉積一層原子 原子層沉積（原子層沉積（Atomic Layer DAtomic Layer Deposition,ALDeposition,ALD）是一種可以將物質以單原子膜的）是一種可以將物質以單原子膜的形式一層一層鍍在基底表面的方法。形式一層一層鍍在基底表面的方法。在原子層沉積過程中，新一層原子膜

17、的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。ALD是建立在連續的表面反應基礎上的一門新興技術，其本質是一種化學氣相沉積（CVD）技術，但是與傳統 CVD（化學蒸氣不斷地通入真空室內，因此沉積過程是連續的）不同，ALD 是交替脈沖式地將氣相反應前驅體通入到生長室中，使其交替在襯底表面被吸附并發生反應。一個完整的一個完整的 ALDALD 周期可分為周期可分為 4 4 個步驟：個步驟：a）將氣相反應前驅體 A 以脈沖形式通入反應腔，在襯底表面發生化學吸附；b）待表面吸附飽和后，通入惰性氣體將剩余的反應前驅體和副產物帶出反應腔；c）將氣相反應前驅體 B 也以脈沖形式通入反應室

18、，并與第一次化學吸附在襯底表面上的反應前驅體 A 反應；d）待反應完成后，再次通入惰性氣體將多余的反應前驅體和副產物帶出反應腔。通常一通常一個周期需要個周期需要 0.50.5 秒到幾秒，生長的薄膜厚度大約為秒到幾秒，生長的薄膜厚度大約為 0.010.3nm0.010.3nm，不斷重復循環，不斷重復循環這這 4 4 個步驟即可完成整個個步驟即可完成整個 ALDALD 沉積過程。沉積過程。圖圖 1 1：ALDALD 技術技術原理圖（原理圖（1 1 個周期）個周期）資料來源：中國兵器工業第五九研究所表面技術，光大證券研究所 敬請參閱最后一頁特別聲明-6-證券研究報告 機械行業 圖圖 2 2：典型的：

19、典型的 ALDALD 系統示意圖系統示意圖 資料來源：中國物理學會，中國科學院物理研究所物理學報，光大證券研究所 典型的原子層沉積系統通常由前驅體源、氣路系統、電子控制系統和真空系統構成。一種傳統的、被廣泛使用的 ALD 方法是熱處理原子層沉積（Thermal ALD,TALD），即利用加熱法來實現原子層沉積的技術。不過由于常規 TALD 技術存在沉積速率較低、對某些沉積薄膜的沉積溫度要求較高等缺點，其在工業應用中受到限制。隨著原子層沉積在實驗中不斷優化，研究人員將隨著原子層沉積在實驗中不斷優化，研究人員將 ALDALD 技術與其他技技術與其他技術或物質結合，一系列新的術或物質結合，一系列新的

20、 ALDALD 技術得以產生和發展，例如等離子體增強原子技術得以產生和發展，例如等離子體增強原子層沉積（層沉積（Plasma Enhanced ALD,PEALDPlasma Enhanced ALD,PEALD）、空間原子層沉積（）、空間原子層沉積（Spatial ALD,Spatial ALD,SALDSALD）、電化學原子層沉積（）、電化學原子層沉積（Electrochemical ALD,ECALDElectrochemical ALD,ECALD）等等。）等等。1.31.3、ALDALD 反應特征使其成為一種優異的鍍膜技術反應特征使其成為一種優異的鍍膜技術 原子層沉積的表面反應具有自

21、限制性（原子層沉積的表面反應具有自限制性（SelfSelf-limitinglimiting）特征。）特征。這是 ALD 技術的基礎，不斷重復這種自限制的反應就形成所需要的薄膜。根據沉積前驅體和基體材料的不同，原子層沉積的自限制特征分為兩種不同的機制，即化學吸附自限制（CS）和順次反應自限制（RS）?；瘜W吸附自限制沉積（CS-ALD）過程中，第一種反應前驅體輸入到基體材料表面并通過化學吸附保持在表面。當第二種前驅體通入反應器，就會與已吸附于基體材料表面的第一前驅體發生反應。兩個前驅體之間發生置換反應，并產生相應兩個前驅體之間發生置換反應，并產生相應的副產物，直到表面的第一前驅體完全消耗，反應會

22、自動停止，并形成需要的原的副產物，直到表面的第一前驅體完全消耗，反應會自動停止，并形成需要的原子層。子層。而順次反應自限制原子層沉積（RS-ALD）是通過活性前驅體物質與活性基體材料表面發生化學反應來驅動的，即得到的沉積薄膜是由前驅體與基體材料間的化學反應形成的。ALD 就是這兩種自限制過程不斷重復形成薄膜的技術。敬請參閱最后一頁特別聲明-7-證券研究報告 機械行業 圖圖 3 3：CSCS-ALDALD 過程示意圖過程示意圖 圖圖 4 4：RSRS-ALDALD 過程示意圖過程示意圖 資料來源：中國兵器工業第五九研究所表面技術，光大證券研究所 資料來源：中國兵器工業第五九研究所表面技術，光大證

23、券研究所 原子層沉積的另一特征是其溫度窗口較寬。原子層沉積的另一特征是其溫度窗口較寬?；瘜W吸附作為一個熱力學過程會受反應溫度的影響，而原子層沉積速率存在溫度“窗口”，即低于窗口溫度時前驅體會產生物理冷凝吸附，溫度過高時前驅體會受熱分解，甚至已經沉積好的薄膜也會解除吸附。因此，薄膜沉積的過程中需要控制整個基板不同區域的溫度保證處于 ALD 溫度窗口，使沉積速率接近恒定值。而 ALD 的溫度窗口較寬，這意味著ALD 過程反應對生長溫度并不敏感，可以適應不同溫度環境下的薄膜制備。ALDALD 技術的自限制性、溫度窗口寬的特點使其在實際應用中頗具優勢。技術的自限制性、溫度窗口寬的特點使其在實際應用中頗

24、具優勢。相比其他薄膜沉積技術，例如傳統 CVD、PVD、溶膠凝膠（Sol-gel）等，ALD 技術具有優異的三維貼合性（保形性）、大面積成膜的均勻性，且薄膜致密無孔洞、薄膜厚度等沉積參數可精確控制，特別適合復雜表面形貌及高深寬結構的填隙生長，隨著芯片結構復雜度不斷提升，ALD 技術優勢更加明顯。表表 1 1：ALDALD 的特征、對薄膜沉積的內在影響及其實際應用中的優勢的特征、對薄膜沉積的內在影響及其實際應用中的優勢 ALDALD 特征特征 對薄膜沉積的內在影響對薄膜沉積的內在影響 實際應用中的優勢實際應用中的優勢 自限制的表面反應 薄膜厚度只取決于循環次數 精確控制薄膜厚度，形成達到原子層厚

25、度精度的薄膜 前驅物是交替通入反應室 精確控制薄膜成分，避免有害物質的污染 前驅體是飽和化學吸附 很好的臺階覆蓋率及大面積厚度均勻性 連續反應 薄膜無針孔、密度高 窗口溫度較寬 不同材料的沉積條件穩定匹配 可以沉積多組分納米薄層和混合氧化物；薄膜生長可以在低溫（室溫到 400）下進行；可以廣泛適用于各種形狀的襯底。資料來源：中國真空學會真空科學與技術學報，光大證券研究所 敬請參閱最后一頁特別聲明-8-證券研究報告 機械行業 圖圖 5 5：沉積溫度對：沉積溫度對 ALDALD 鍍膜速率的影響及鍍膜速率的影響及 ALDALD 窗口窗口 圖圖 6 6：ALDALD 與其他技術的鍍膜效果比較與其他技術

26、的鍍膜效果比較 資料來源：中國物理學會，中國科學院物理研究所物理學報，光大證券研究所 資料來源：中國物理學會，中國科學院物理研究所物理學報，光大證券研究所 1.41.4、ALDALD 技術在半導體制造關鍵工藝中的主要應用技術在半導體制造關鍵工藝中的主要應用 1 1）晶體管柵極介電層（高介電常數晶體管柵極介電層（高介電常數/High/High-K K）介電常數/K（希臘文 Kappa）這一術語用以描述一種材料保有電荷的能力，有些材料比其他材料能夠更好地存儲電荷，因此擁有更高的 K 值。在晶圓制造進入 65nm 制程及之前，集成電路主要通過沉積 SiO2薄膜形成柵極介質減少漏電，但進入 45nm

27、制程特別是 28nm 之后，傳統的 SiO2-MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）規?？s小到薄膜材料厚度需在 1nm 及以下時，將產生明顯的量子隧穿效應和多晶硅耗盡效應，導致漏電流急劇增加，器件性能急劇惡化，已不能滿足技術發展的要求。相應地，如果使用 High-K 材料，那么在所要求的電容密度下，柵電介質的物理厚度就可以制作得更高，從而可以在降低等效氧化物厚度（EOT）的同時大幅減少漏電流。High-K 柵介電層厚度往往小于 10nm，所需的膜層很?。ㄍǔＴ跀导{米量級內），因此 ALD 是一種較好的可以制備 High-K 電介質材料的技術，目前其沉積的High-K 材料主要包括 Al2

28、O3、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5，稀土元素氧化物以及一些硅酸鹽混合的納米層狀結構材料。圖圖 7 7：MOSFETMOSFET 結構及結構及 SiOSiO2 2與與 HighHigh-K K 柵介電層比較柵介電層比較 資料來源：中國電子科技集團公司第四十九研究所傳感器與微系統，光大證券研究所 敬請參閱最后一頁特別聲明-9-證券研究報告 機械行業 2 2）金屬柵極金屬柵極 High-K 電介質材料中的 Hf 原子會與傳統多晶硅柵極中的 Si 原子發生化學反應形成 Hf-Si 鍵，從而形成缺陷中心，導致無法通過離子摻雜來改變多晶硅的功函數，造成費米能級的釘扎現象。也就是說，High-K

29、 電介質與多晶硅柵極的兼容性不是很好。對此，半導體業界利用金屬代替多晶硅作為器件柵極材料，這可以避免 Hf 原子和多晶硅界面上缺陷中心的產生，同時金屬柵極具有極高的電子密度，可以把偶極性分子的振動屏蔽掉，提高器件通道內的遷移率，有效地解決多晶硅柵極耗盡問題1。因為金屬替代柵極工藝中金屬柵極是沉積在多晶硅溝槽里面，要求沉積工藝具有很好的臺階覆蓋率，另外，ALD（尤其是 PEALD）是一種非常適合生長金屬納米薄膜的技術，所以通常選擇 ALD 技術沉積金屬柵極。圖圖 8 8：具有金屬柵電極的：具有金屬柵電極的 FETFET 資料來源：中國電子科技集團公司第四十九研究所傳感器與微系統，光大證券研究所

30、3 3）銅互連擴散阻擋層銅互連擴散阻擋層 目前應用于互連技術的常見工藝主要有鋁工藝和銅工藝。與鋁相比，銅的導電性更加優良。同時，銅本身具有抗電遷移的能力，且能夠在低溫下進行沉積。由于金屬銅具有這些優勢，所以在 250nm 及以下半導體制程中，更傾向于采用銅互連技術。但銅也存在許多缺點，其中最大的一個不足就是銅的擴散速度很快，容易在電介質內部移動使器件“中毒”，因此在鍍銅之前必須首先沉積一層防擴散的阻擋層。通過 ALD 技術沉積銅擴散阻擋層，在器件內部溝槽深寬比超過 100：1 時薄膜仍具有良好的保形性、均勻性以及防擴散阻擋特性。圖圖 9 9：采用：采用 ALDALD 技術在高深寬比基底上沉積的

31、銅擴散阻擋層薄膜技術在高深寬比基底上沉積的銅擴散阻擋層薄膜 資料來源：中國兵器工業第五九研究所表面技術，光大證券研究所 1 多晶硅柵耗盡問題：當柵與襯底之間存在壓差時，他們之間存在電場，使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發生彎曲并電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區。敬請參閱最后一頁特別聲明-10-證券研究報告 機械行業 4 4）微型電容器微型電容器 ALD 在電容器中應用主要包括 100nm 以下 DRAM（動態隨機存儲器）、嵌入式DRAM（Embedded DRAM,eDRAM）等。隨著 DRAM 存儲器容量不斷增大，其內部的電容器數量隨之劇增，而單個電容器的尺寸將進一步減小，電容器內部溝槽的深

32、寬比也越來越大。深溝槽將需要更高的薄膜表面積，例如在 45nm 制程中，溝槽結構深寬比達到 100：1，所沉積薄膜的有效面積大約是器件本身表面積的 23 倍。這些給沉積技術提出了更高的要求。同樣地，得益于薄膜以單原子層為量級生長所帶來的大面積均勻性、高臺階覆蓋率和對膜厚的精確控制，ALD技術能夠很好地滿足這些要求。圖圖 1010：采用：采用 ALDALD 技術制備的微型電容器高深寬比三維復合電極結構技術制備的微型電容器高深寬比三維復合電極結構 資料來源：中國兵器工業第五九研究所表面技術，光大證券研究所 2 2、ALDALD 設備市場規模增速可觀設備市場規模增速可觀 2.12.1、半導體設備行業

33、保持增長，國內市場發展勢頭強勁半導體設備行業保持增長，國內市場發展勢頭強勁 2013 年以來，半導體設備市場呈增長趨勢。根據 SEMI 統計，全球半導體設備銷售額從 2013 年的 318 億美元增長至 2021 年的 1,026 億美元，年均復合增長率約 15.8%。根據 SEMI 在 2022 年 7 月的預測，原始設備制造商的半導體制造設備全球總銷售額將在 2022 年達到創紀錄的 1,175 億美元，較 2021 年同比增長約 15%，并將在 2023 年增至 1,208 億美元。從國內需求端分析，根據 SEMI 數據，2013 年至 2021 年半導體設備在中國大陸銷售額的年均復合增

34、長率約達 31.1%，遠高于全球同期水平。2021 年，中國大陸半導體設備銷售額達到 296.2 億美元，較 2021 年同比大幅增長 58.2%，占全球半導體設備銷售額的 28.9%。2020 年和 2021 年，中國大陸地區連續兩年成為全球第一大半導體設備市場，領先于韓國和中國臺灣，發展勢頭強勁。圖圖 1111：20132013-20212021 年全球半導體設備銷售額年全球半導體設備銷售額 圖圖 1212：20132013-20212021 年中國大陸半導體設備銷售額年中國大陸半導體設備銷售額 資料來源：SEMI，光大證券研究所 資料來源：SEMI，光大證券研究所 敬請參閱最后一頁特別聲

35、明-11-證券研究報告 機械行業 圖圖 1313：20202020-20212021 年全球半導體設備分地區銷售額年全球半導體設備分地區銷售額（億美元）（億美元）及占比及占比 資料來源：SEMI，光大證券研究所 2.22.2、晶圓廠建設加速推進，薄膜沉積晶圓廠建設加速推進，薄膜沉積設備需求持續旺盛設備需求持續旺盛 受益于全球晶圓廠積極擴產以及中國大陸地區晶圓廠建設加速推進，半導體設備市場需求快速增長。根據 SEMI 統計及預測，繼 2021 年增長 7%之后，全球晶圓產能 2022 年將增長 8%，2020 年至 2024 年期間，全球芯片行業至少將新增38 家 300mmFab 廠，其中中國

36、大陸與中國臺灣地區分別將增加 8 家和 11 家，合計約占新建廠總數的一半。到 2024 年，全球芯片行業將擁有 161 家300mmFab 廠，月產能將達到 700 萬片。根據 ChipInsights，截至 2021 年 Q2，我國投產、在建和規劃的 56 條 12 英寸（300mm）晶圓制造線中已經投產的有27 條，在建未完工、開工建設或簽約項目有 29 條。宣布投產的項目合計裝機月產能約達 118 萬片，在建未完工、開工建設或簽約項目的規劃月產能總計 132萬片。新增的產能布局，尤其是中國晶圓廠的產能擴張，處于自主可控、安全發展的考慮，新增產線將以國產設備為主，這將推動國內半導體設備的

37、國產化加速。圖圖 1414：20242024 年全球年全球 300mmFab300mmFab 廠數量及產能（千片廠數量及產能（千片/月）預測月）預測 資料來源：SEMI，光大證券研究所；預測機構：SEMI 半導體設備主要包括前道工藝設備和后道工藝設備，前道工藝設備為晶圓制造相關設備，具體包括氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕設備、清洗設備、離子注入設備、薄膜沉積設備、化學機械拋光（CMP）設備、量測檢測設備等；后道工藝設備包括封裝設備和測試設備，其他類型設備主要包括硅片生長設備等。而而薄薄 敬請參閱最后一頁特別聲明-12-證券研究報告 機械行業 膜沉積設備作為晶圓制造的三大主設備之一膜沉積設備作為

38、晶圓制造的三大主設備之一（另外兩類為光刻設備和刻蝕設備）（另外兩類為光刻設備和刻蝕設備），未來市場需求將保持旺盛。未來市場需求將保持旺盛。從新建晶圓廠的設備投資構成來看，根據 SEMI 統計，2020 年晶圓制造設備投資額占總體設備投資的比重高達 80%，而薄膜沉積設備的投資規模約占晶圓制造設備投資額的 25%。根據 Maximize Market Research 統計，全球半導體薄膜沉積設備市場規模從2017 年的 125 億美元擴大至 2020 年的 172 億美元，年均復合增長率為 11.2%。據 Maximize Market Research 預測，到 2025 年，薄膜沉積設備市

39、場規?？蛇_340 億美元。圖圖 1515：20202020 年晶圓廠半導體設備投資額占比情況年晶圓廠半導體設備投資額占比情況 圖圖 1616：20172017-20252025 年全球半導體薄膜沉積年全球半導體薄膜沉積設備市場規設備市場規模模及增速及增速 資料來源：SEMI，光大證券研究所 資料來源：Maximize Market Research，光大證券研究所；預測機構：Maximize Market Research 2.32.3、先進制程產線發展推動先進制程產線發展推動 ALDALD 設備需求攀升設備需求攀升 從半導體薄膜沉積設備細分市場結構上來看，根據 Gartner 統計，2020

40、 年濺射PVD 和電鍍 ECD 設備的銷售額分別占整體薄膜沉積設備市場的 19%和 4%；PECVD 設備是薄膜沉積設備中銷售額占比最高的類型，占比為 33%，管式 CVD、非管式 LPCVD 和 MOCVD 設備的銷售額占比分別為 12%、11%和 4%；而而 ALDALD設備銷售額占薄膜沉積設備市場規模的比重約為設備銷售額占薄膜沉積設備市場規模的比重約為 11%11%。在半導體制程進入 28nm 后，由于器件結構不斷縮小且更為 3D 立體化，生產過程中需要實現厚度更薄的膜層并在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，ALD 憑借優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，顯

41、示出較大技術優勢。ALDALD 設備在設備在 highhigh-K K 材料材料、金屬、金屬柵極柵極等工藝中等工藝中的優勢使其的優勢使其被被廣泛應用于廣泛應用于邏輯邏輯芯片、芯片、DRAMDRAM、3D NAND3D NAND 器件器件等半導體制造領域等半導體制造領域，未來其在，未來其在薄膜沉積環節的市場占有率將持續提高。薄膜沉積環節的市場占有率將持續提高。近年來全球 ALD 設備市場規?？焖僭鲩L。根據 SEMI 統計，2020 年至 2025 年，ALD 設備市場規模（以銷售額計）的年均復合增長率將達到 26.3%，遠高于PECVD、PVD 設備的 8.5%和 8.9%。根據 Acumen

42、Research and Consulting預測，受益于半導體先進制程產線數量增加，全球 ALD 設備市場規模將在 2026年達到約 32 億美元。敬請參閱最后一頁特別聲明-13-證券研究報告 機械行業 圖圖 1717：20202020 年全球薄膜沉積設備細分市場規模占比（以銷售額年全球薄膜沉積設備細分市場規模占比（以銷售額計）計）圖圖 1818：20052005-20232023 年全球薄膜沉積設備市場結構變化（以銷售額年全球薄膜沉積設備市場結構變化（以銷售額計）計）資料來源：Gartner，光大證券研究所 資料來源：E.Kessel ALD 2019，微導納米 IPO 路演，光大證券研究

43、所；預測機構：E.Kessel ALD 2019 3 3、ALDALD 設備被設備被 ASMIASMI 高度壟斷，國產率低高度壟斷，國產率低 3.13.1、ASMIASMI：并購拓展與持續研發成就全球：并購拓展與持續研發成就全球 ALDALD 設備龍設備龍頭頭 ASM International（ASMI）于 1968 年成立，總部位于荷蘭，是全球 ALD 設備的龍頭企業，也是全球十大半導體設備供應商之一。目前公司主要業務包括TALD、PEALD、低壓化學氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）以及擴散、外延等半導體工藝設備。表表 2 2：ASMIASMI 發展歷程發展歷

44、程 時間節點時間節點 重要事項重要事項 1968 年 公司創立，以晶圓加工設備起家。1975 年 在中國香港建立 ASM Pacific Technology（ASMPT），拓展后端裝配和包裝業務。1981 年 在美國納斯達克交易所上市。1984 年 和飛利浦合資成立 ASML，后因財務問題于 1988 年退出。1996 年 在阿姆斯特丹 AEX 交易所上市。1999 年 收購芬蘭 Microchemistry 公司拓展 ALD 業務。2004 年 收購韓國 Genitech 集團，進一步鞏固了 ALD 領域地位，但由于 ALD 的研發成本很高且市場應用尚未鋪開，ASMI 在盈利上一直面臨較大

45、壓力。2009 年 英特爾投資ASMI的High-K/ALD技術，同時在先進工藝節點下ALD的技術優勢也得到體現，公司迎來轉折。2013 年 公司恢復盈利。隨后憑借著在 ALD 領域的技術積累，ALD 設備市場份額持續提升，逐步成為 ALD 設備龍頭企業。2020 年 公司 ALD 設備市場份額達到 55%。資料來源：ASMI，立鼎產業研究網，光大證券研究所 ASMIASMI 堅持深耕堅持深耕 ALDALD 工藝技術，研發投入占比高。工藝技術，研發投入占比高。根據 Bloomberg 數據，自 1990年至 2020 年，ASMI 研發支出營收占比基本保持在 10%以上，面臨盈利壓力時也始終堅

46、持研發投入。根據公司年報，2021 年公司研發支出規模達 2.06 億歐元；截至 2021 年 12 月 31 日，公司研發人員達 649 人，專利累計達 2250 項，在ALD 領域積累了深厚的技術優勢。敬請參閱最后一頁特別聲明-14-證券研究報告 機械行業 目前目前 ASMIASMI 在在 ALDALD 領域獨占鰲頭，成為全球最大領域獨占鰲頭，成為全球最大、市占率最高的市占率最高的 ALALD D 設備供應設備供應商。商。VLSI Research 數據顯示，2019 年 ASMI 的單晶圓 ALD 設備銷售額在全球市場中占據 53%的份額。ASMI 年報顯示，2020 年公司 ALD 設

47、備所占市場份額（以銷售額計）達到了 55%。在營收方面，2021 年 ASMI 實現營收 17.30 億歐元，較 2020 年同比增長 30.27%。圖圖 1919：20172017-20212021 年年 ASMIASMI 營業收入及增速營業收入及增速 資料來源：ASMI，光大證券研究所 3.23.2、薄膜沉積設備尤其是薄膜沉積設備尤其是 ALDALD 設備國產化率較低設備國產化率較低 我國半導體設備經過近些年的快速發展，已在部分領域取得一定進步，但是整體國產化率尤其是關鍵工藝步驟設備的國產化率較低。就薄膜沉積設備而言，根據中商產業研究院數據，2016 年和 2020 年半導體薄膜沉積設備的

48、國產化率分別為 5%和 8%，雖然略有提升，但總體占比尤其是中高端產品占比仍然較低。從全球市場來看，從全球市場來看，半導體 ALD 設備基本由國際巨頭壟斷，目前，國際半導體設備領軍廠商先晶半導體（ASMI）、東京電子（TEL）、泛林半導體（Lam）、應用材料（AMAT）等的產品線均涵蓋 ALD 設備。從國內市場來看，從國內市場來看，擁有半導體薄膜沉積設備業務的上市公司主要有拓荊科技、微導納米、北方華創、中微公司、盛美上海。其中，拓荊科技主要經營 PVD、PECVD 產品，ALD 設備已實現出貨，在部分客戶端處于工藝驗證階段；微導納米主營 ALD 設備，其應用于邏輯芯片High-K 柵介質層的

49、TALD 產品目前已實現產業化應用，另有多個 ALD 產品系列處于驗證階段；中微公司主要為半導體客戶提供刻蝕、MOCVD 設備，ALD 設備仍在籌劃開發中；盛美上海已于 2022 年下半年推出立式 ALD 和 PECVD 新產品。表表 3 3：產品線涵蓋：產品線涵蓋 ALDALD 設備的國際半導體設備制設備的國際半導體設備制造商造商 企業名稱企業名稱 總部所在地總部所在地 成立時間成立時間 產品情況產品情況 ASMI 荷蘭 1968 年 產品涵蓋晶圓加工技術的重要方面，包括光刻、薄膜沉積、離子注入和單晶圓外延。近年來，公司將 ALD 和 PEALD技術引入先進制造商的主流生產。TEL 日本 1

50、963 年 日本最大的半導體薄膜沉積、刻蝕設備公司，產品線包含ALD 設備。Lam 美國 1980 年 產品涵蓋半導體薄膜沉積、刻蝕、剝離和清洗等多個設備類型。AMAT 美國 1967 年 產品橫跨 ALD、CVD、PVD、離子注入、刻蝕、CMP、RTP（快速熱處理）、量檢測等除光刻機外的幾乎所有半導體設備。資料來源：SEMI，光大證券研究所 目前國內擁有半導體 ALD 技術產業化能力的企業數量較少，且國內企業的業務規模與海外頭部公司相比還很小。在國產化進程加速的背景下，隨著核心技術的 敬請參閱最后一頁特別聲明-15-證券研究報告 機械行業 不斷突破、不同環節工藝水平的提升、量產的持續推進，國

51、內 ALD 設備企業具有廣闊的發展空間。4 4、重點公司分析重點公司分析 4.14.1、拓荊科技：拓荊科技：PECVDPECVD 設備成熟，設備成熟，PEALDPEALD 設備現已實設備現已實現產業化應用現產業化應用 拓荊科技股份有限公司成立于 2010 年 4 月，為國家級高新技術企業，主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售與技術服務，多次承擔國家重大專項/課題。拓荊科技總部位于沈陽市，在北京、上海、海寧、美國成立四家子公司，公司股票于 2022 年 4 月在科創板上市。公司主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD

52、）設備三個產品系列，擁有自主知識產權，技術指標達到國際同類產品先進水平，現已廣泛應用于國內晶圓廠現已廣泛應用于國內晶圓廠 14nm14nm 及以及以上制程集成電路制造產線，并已展開上制程集成電路制造產線，并已展開 10nm10nm 及以下制程產品驗證測試及以下制程產品驗證測試。除集成電路晶圓制造以外，公司產品還應用于 TSV 封裝、光波導、Micro-LED、OLED顯示等高端技術領域。受益于產品的競爭優勢、下游晶圓廠的產能擴充以及國家政策對國產設備的大力支持，公司營業收入實現大幅增長，2022 年前三季度營業收入為 9.92 億元，同比增長 165.2%；2022 年前三季度歸母凈利潤為 2

53、.37 億元，同比增長 309.7%，公司業績進入快速放量階段。根據公司披露的業績預告，公司預計 2022 年年度實現營業收入 16.517.2 億元，同比增長 117.69%126.92%；實現歸母凈利潤3.34.0 億元，同比增長 381.85%484.06%。圖圖 2020：拓荊科技：拓荊科技 20182018-20222022 年前三季度營業收入（億元）年前三季度營業收入（億元）圖圖 2121：拓荊科技：拓荊科技 20182018-20222022 年前三季度歸母凈利潤（億元）年前三季度歸母凈利潤（億元）資料來源：公司公告，光大證券研究所 資料來源：公司公告，光大證券研究所 公司主營業

54、務收入占比最高的是 PECVD 設備，近年來公司營業收入的快速增長主要是由于 PECVD 產品收入的高速增長。2022 年 H1，公司 ALD 設備銷售收入為 848 萬元，約占主營業務收入的 1.64%，占比相對較低。敬請參閱最后一頁特別聲明-16-證券研究報告 機械行業 圖圖 2222：拓荊科技：拓荊科技 20222022 年年 H1H1 主營業務收入分產品占比主營業務收入分產品占比 資料來源：公司公告，光大證券研究所 拓荊科技的 ALD 系列產品涵蓋 PEALD 設備和 TALD 設備。截至 2022 年 6 月底，公司 PEALDPEALD 系列產品系列產品已在邏輯芯片領域實現產業化應

55、用，可以沉積高溫、低溫、高質量等多種指標要求的SiO2介質材料薄膜。此外PEALD系列產品在3D NAND FLASH、DRAM 存儲芯片制造領域的驗證進展順利，ALD 反應腔通過現有客戶驗收。圖圖 2323：拓荊科技：拓荊科技 ALALD D 產品系列產品系列 資料來源：公司公告，光大證券研究所 在在 TALDTALD 方面，方面，截至 2022 年 6 月底，公司 TALD【PF-300T（雙站式）】設備已完成產品開發并取得客戶訂單，將根據客戶指標要求進行持續優化改進。2022年 H1，公司基于上述設備開發了 TALD【TS-300（多邊形高產能平臺）】設備，在提高產能的同時實現多種薄膜工

56、藝的集成組合，可以沉積 Al2O3、AlN 等多種金屬化合物薄膜材料，目前已取得客戶訂單。風險提示：風險提示：產品驗收周期較長的風險，無法持續引入高端技術人才的風險，市場競爭風險。敬請參閱最后一頁特別聲明-17-證券研究報告 機械行業 4.24.2、微導納米：專注微導納米：專注 ALDALD 技術，技術，HighHigh-K ALDK ALD 設備成功設備成功填補國內空白填補國內空白 江蘇微導納米科技股份有限公司成立于 2015 年 12 月，是一家面向全球的高端設備制造商。公司以原子層沉積（ALD）技術為核心，專注于先進微米級、納米級薄膜沉積設備的研發、生產與應用，業務涵蓋集成電路、光伏、L

57、ED、MEMS等半導體相關領域，以及新能源和柔性電子領域。公司主要產品為應用于邏輯芯片、存儲芯片、硅基微顯示和 3D 封裝等半導體及泛半導體 ALD 設備和技術，以及應用于柔性電子、新一代高效太陽能電池的薄膜設備和量產解決方案。公司創立初期率先孵化光伏業務，隨隨后開發對技術水平后開發對技術水平和工藝要求更高的半導體薄膜沉積設備，是國內首家成功將量產型和工藝要求更高的半導體薄膜沉積設備，是國內首家成功將量產型 HighHigh-K K 原子原子層沉積設備應用于層沉積設備應用于 28nm28nm 節點集成電路制造前道生產線的國產設備公司節點集成電路制造前道生產線的國產設備公司，設備總體表現和工藝關

58、鍵性能參數達到國際同類水平，并已獲得客戶重復訂單認可。近年來公司營業收入持續增長，2021 年營收為 4.28 億元，同比增長 36.91%。2020 年起，公司加大人才引入力度和產品應用領域拓展，使得營業收入呈增長態勢，但期間費用金額的上升也導致公司凈利潤水平有所波動。2022 年前三季度公司出現虧損，主要是由于客戶現場工作受到新冠疫情影響，公司營業收入因而有所下降，加以期間費用大幅增長，最終導致了利潤承壓。根據公司披露的業績預告，公司預計 2022 年年度實現營業收入 6.487.16 億元，同比增長51.33%67.26%；實現歸母凈利潤 0.530.62 億元，同比增長 15%35%。

59、圖圖 2424：微導納米：微導納米 20192019-20222022 年前三季度營業收入（億元）年前三季度營業收入（億元）圖圖 2525：微導納米：微導納米 20192019-20222022 年前三季度歸母凈利潤（百萬元）年前三季度歸母凈利潤（百萬元）資料來源：公司公告，光大證券研究所 資料來源：公司公告，光大證券研究所 敬請參閱最后一頁特別聲明-18-證券研究報告 機械行業 圖圖 2626：微導納米：微導納米 20212021 年主營業務收入分產品占比（年主營業務收入分產品占比（%）資料來源：微導納米招股說明書，光大證券研究所 2021 年，公司半導體領域 ALD 設備銷售收入為 2,5

60、20 萬元，約占主營業務收入的 8.39%，目前不及光伏領域 ALD 及其他薄膜沉積設備的銷售收入，公司在半導體領域業務還有較大發展空間。目前微導納米在半導體領域的ALD產品系列同樣包括TALD設備和PEALD設備。其中 TALD 設備鳳凰（P）系列原子層沉積鍍膜系統可以實現 HfO2的沉積，該設備在邏輯芯片 High-K 柵介質層領域已實現產業化應用。已實現產業化應用。除已實現產業化應用的功能外，公司 ALD 設備沉積的 HfO2、ZrO2、La2O3以及互相摻雜沉積工藝可用于新型存儲器如鐵電存儲（FeRAM）芯片的電容介質層，沉積的 Al2O3、TiN、AlN 可用于化合物半導體、量子器件

61、的超導材料導電層等，截至 2022 年 6 月底，公司在這些領域均已完成客戶的試樣測試并簽署訂單。已完成客戶的試樣測試并簽署訂單。圖圖 2727：微導納米半導體領域：微導納米半導體領域 ALDALD 產品系列產品系列 圖圖 2828：微導納米半導體領域：微導納米半導體領域 ALDALD 產品系列的鍍膜工藝及應用領產品系列的鍍膜工藝及應用領域域 資料來源：微導納米招股說明書，光大證券研究所 資料來源：微導納米招股說明書，光大證券研究所 風險提示：風險提示：技術迭代及新產品開發風險、新產品驗證進度及市場發展不及預期的風險。敬請參閱最后一頁特別聲明-19-證券研究報告 機械行業 5 5、風險分析風險

62、分析 下游晶圓廠擴產不及預期下游晶圓廠擴產不及預期 隨著產線逐漸升級，晶圓廠對薄膜沉積設備數量和性能的需求將繼續隨之提升，國內下游晶圓廠的擴產為設備公司提供銷量增長的良好契機。從下游終端來看，目前 5G 手機等消費電子市場持續低迷，細分市場需求下降將會影響傳統存儲器以及中低端邏輯芯片的需求，進而影響晶圓廠的擴產計劃。此外，先進制程技術進展是否順利、重大的天然災害以及地緣政治對總體經濟的影響等，也會對晶圓代工廠的擴產造成影響。倘若未來晶圓廠擴產進展不及預期，薄膜沉積設備廠商的銷售收入將受到一定影響。產業化驗證進展不及預期產業化驗證進展不及預期 晶圓制造屬于高精密制造領域，對產線上各環節的良率要求

63、極高，任何進入量產線的設備均需經過長時間工藝驗證和產線聯調聯試。并且由于薄膜的技術參數直接影響芯片性能，晶圓廠對薄膜沉積設備進行驗證所需的時間相比其他半導體專用設備可能更長。如果受某些因素影響，薄膜沉積設備公司的產品驗證周期延長，其收入確認將有所延遲，另外還可能存在驗收不通過、收款時間延后等風險，對其財務狀況造成一定影響。敬請參閱最后一頁特別聲明-20-證券研究報告 行業及公司評級體系行業及公司評級體系 評級評級 說明說明 行行 業業 及及 公公 司司 評評 級級 買入 未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 15%以上 增持 未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 5%至

64、 15%；中性 未來 6-12 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%；減持 未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%至 15%；賣出 未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 15%以上；無評級 因無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級?；鶞手笖嫡f明：基準指數說明：A 股主板基準為滬深 300 指數；中小盤基準為中小板指；創業板基準為創業板指；新三板基準為新三板指數；港股基準指數為恒生指數。分析、估值方法的局限性說明分析、估值方法的局限性說明 本報告所包含的分析基于各種假設，不同假設可

65、能導致分析結果出現重大不同。本報告采用的各種估值方法及模型均有其局限性，估值結果不保證所涉及證券能夠在該價格交易。分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格并注冊為證券分析師，以勤勉的職業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，并對本報告的內容和觀點負責。負責準備以及撰寫本報告的所有研究人員在此保證，本研究報告中任何關于發行商或證券所發表的觀點均如實反映研究人員的個人觀點。研究人員獲取報酬的評判因素包括研究的質量和準確性、客戶反饋、競爭性因素以及光大證券股份有限公司的整體收益。所有研究人員保證他們報酬的任何一部分不曾與，不與

66、，也將不會與本報告中具體的推薦意見或觀點有直接或間接的聯系。法律主體聲明法律主體聲明 本報告由光大證券股份有限公司制作，光大證券股份有限公司具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格，負責本報告在中華人民共和國境內（僅為本報告目的，不包括港澳臺）的分銷。本報告署名分析師所持中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格編號已披露在報告首頁。中國光大證券國際有限公司和 Everbright Securities(UK)Company Limited 是光大證券股份有限公司的關聯機構。特別聲明特別聲明 光大證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）創建于 1996 年，系由中國光大（集團）總公司投資控股的全國

67、性綜合類股份制證券公司，是中國證監會批準的首批三家創新試點公司之一。根據中國證監會核發的經營證券期貨業務許可，本公司的經營范圍包括證券投資咨詢業務。本公司經營范圍：證券經紀；證券投資咨詢；與證券交易、證券投資活動有關的財務顧問；證券承銷與保薦；證券自營；為期貨公司提供中間介紹業務；證券投資基金代銷；融資融券業務；中國證監會批準的其他業務。此外，本公司還通過全資或控股子公司開展資產管理、直接投資、期貨、基金管理以及香港證券業務。本報告由光大證券股份有限公司研究所（以下簡稱“光大證券研究所”）編寫，以合法獲得的我們相信為可靠、準確、完整的信息為基礎，但不保證我們所獲得的原始信息以及報告所載信息之準

68、確性和完整性。光大證券研究所可能將不時補充、修訂或更新有關信息，但不保證及時發布該等更新。本報告中的資料、意見、預測均反映報告初次發布時光大證券研究所的判斷，可能需隨時進行調整且不予通知。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議?？蛻魬灾髯鞒鐾顿Y決策并自行承擔投資風險。本報告中的信息或所表述的意見并未考慮到個別投資者的具體投資目的、財務狀況以及特定需求。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。對依據或者使用本報告所造成的一切后果，本公司及作者均不承擔任何法律責任。不同時期，本公司可能會撰寫并發布與本報告所載

69、信息、建議及預測不一致的報告。本公司的銷售人員、交易人員和其他專業人員可能會向客戶提供與本報告中觀點不同的口頭或書面評論或交易策略。本公司的資產管理子公司、自營部門以及其他投資業務板塊可能會獨立做出與本報告的意見或建議不相一致的投資決策。本公司提醒投資者注意并理解投資證券及投資產品存在的風險，在做出投資決策前，建議投資者務必向專業人士咨詢并謹慎抉擇。在法律允許的情況下，本公司及其附屬機構可能持有報告中提及的公司所發行證券的頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或正在爭取提供投資銀行、財務顧問或金融產品等相關服務。投資者應當充分考慮本公司及本公司附屬機構就報告內容可能存在的利益沖突，勿將本報告作為

70、投資決策的唯一信賴依據。本報告根據中華人民共和國法律在中華人民共和國境內分發，僅向特定客戶傳送。本報告的版權僅歸本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式、任何目的進行翻版、復制、轉載、刊登、發表、篡改或引用。如因侵權行為給本公司造成任何直接或間接的損失，本公司保留追究一切法律責任的權利。所有本報告中使用的商標、服務標記及標記均為本公司的商標、服務標記及標記。光大證券股份有限公司版權所有。保留一切權利。光大證券股份有限公司版權所有。保留一切權利。光大證券研究所光大證券研究所 上海上海 北京北京 深圳深圳 靜安區南京西路 1266 號 恒隆廣場 1 期辦公樓 48 層 西城區武定侯街 2 號 泰康國際大廈 7 層 福田區深南大道 6011 號 NEO 綠景紀元大廈 A 座 17 樓 光大證券股份有限公司關聯機構光大證券股份有限公司關聯機構 香港香港 英國英國 中國光大證券國際有限公司中國光大證券國際有限公司 香港銅鑼灣希慎道 33 號利園一期 28 樓 Everbright Securities(UK)Company LimitedEverbright Securities(UK)Company Limited 64 Cannon Street，London，United Kingdom EC4N 6AE