TOPCon設備行業深度報告：TOPCon大規模量產PECVD成為主流工藝-230208（31頁）.pdf

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1、http:/ 年 02 月 08 日行業研究證券研究報告機械機械行業深度分析行業深度分析TOPCon 設備行業深度報告：設備行業深度報告：TOPCon 大規大規模量產，模量產，PECVD 成為主流工藝成為主流工藝投資要點投資要點 行業轉型，行業轉型，TOPCon 電池率先實現大規模量產：電池率先實現大規模量產：隨著 PERC 電池量產效率逐漸接近其理論效率，行業開始轉向 TOPCon/HJT 等 N 型電池。而 TOPCon 電池以其電池效率高、設備投資成本低、與 PERC 產線兼容性高等優點，率先實現大規模量產。據不完全統計，截止目前，TOPCon 已投產 69.75GW，規劃待建產能近 4

2、74GW。TOPCon 存在工藝路線之爭。存在工藝路線之爭。TOPCon 電池與 PERC 電池核心差異在于，新增隧穿氧化層，以及摻雜多晶硅層。以多晶硅層制備方法，TOPCon 工藝路線分為 LPCVD/PECVD/PVD 路線。從工業應用角度看，摻雜多晶硅層制備方法，要求工藝簡單、產能大；隧穿氧化層因其對電池整體性能影響十分關鍵，要求工藝制備的膜層致密度高、均勻性好。從技術角度看，從技術角度看，PECVD 法能實現法能實現 LPCVD 法同等制備效果，且清洗繞鍍簡法同等制備效果，且清洗繞鍍簡單，工藝精簡、良率預期更高。單，工藝精簡、良率預期更高。LPCVD 路線技術最成熟，但有嚴重繞鍍、原位

3、摻雜難等問題。因繞鍍，LPCVD 設備需增加一倍設備；PVD 路線，根據ISFH 研究觀點，PVD 鈍化效果略差。且實際運行中，維護頻率高，開機率低；而 PECVD 路線輕微繞鍍、且清洗容易，可原位摻雜、工藝精簡，爆膜問題可通過電池背面微制絨解決。隧穿氧化層質量對電池效率影響至關重要。文獻數據顯示：從膜層密度角度看，PECVD 制備的氧化層密度（2.2g/cm3）要優于 LPCVD（2.15g/cm3）；從膜層均勻性角度看，PECVD 法制備的氧化層粗糙度 1.38nm，與 LPCVD 制備的氧化層粗糙度 1.36nm 相當。從經濟性角度看，從經濟性角度看，PECVD 路線設備投資成本低、產能

4、大、維護成本低、開機路線設備投資成本低、產能大、維護成本低、開機率高。率高。根據皇氏集團機構調研紀錄表，（1）PE 路線比 LP 路線設備采購成本少；（2）PE 路線工藝時間短，單臺設備產能大，設備機臺數量少，省空間，設備好布局；（3）維護成本對比：LP 路線石英管壽命平均 56 天，石英舟壽命 60 天，石英件消耗 162 萬/臺/年，PE 路線石英管壽命 1-2 年，只有正常的石墨舟消耗，LP 設備的石英件消耗比 PE 設備費用預計多出 3530 萬/年（5GW計）；（4）設備人員配置上，LP 路線估計是 PE 路線的一倍以上，每天在做維護換石英管，且設備利用率較低，更換石英管需要 3-4

5、 小時，期間整臺設備需停機。因此，我們認為工藝穩定后，PECVD 成為 TOPCon 主流工藝，推動 TOPCon大規模量產。建議關注：光伏整線設備龍頭捷佳偉創（公司推出 PE-Poly，即采用 PECVD 路線）、光伏激光設備龍頭帝爾激光。風險提示：風險提示：光伏新增裝機容量不及預期；市場競爭加劇風險；電池技術迭代對設備影響的風險；設備技術研發風險投資評級領先大市-B維持首選股票首選股票評級評級300776.SZ帝爾激光買入-B300724.SZ捷佳偉創買入-B一年行業表現一年行業表現資料來源：聚源升幅%1M3M12M機械相對收益4.7-6.6210.59機械絕對收益7.11.35-1.45

6、光伏設備相對收益-2.65-22.2135.5光伏設備絕對收益-0.26-14.2423.46分析師劉荊SAC 執業證書編號：S報告聯系人何海霞相關報告相關報告光伏設備：關注光伏電池片環節，關注新技術變革帶來設備機會-行業點評 2023.1.6光伏設備：關注光伏電池片環節，關注新技術變革帶來設備機會-行業點評 2023.1.6 行業深度分析http:/ 電池到電池到 TOPCon 電池，道易且近電池，道易且近.4二、二、TOPCon 優勢明顯：電池效率高、溫度系數低、光衰減小等優勢明顯：電池效率高、溫度系數低、光衰減小等.6三、三、從技術角度看，從技術角度看，PECVD 有望從有望從 LP/P

7、E/PVD 路線之爭中勝出路線之爭中勝出.9(一)制備多晶硅層，LPCVD 工藝成熟，PECVD 綜合性能最佳.101.LPCVD 成熟度最高，但有繞鍍、原位摻雜難等難題.112.PECVD 成熟度次之，但輕微繞鍍、原位摻雜等優點突出.153.PVD 為物理反應過程，無繞鍍，但設備 Uptime 略低.17(二)LPCVD/PECVD 法制備隧穿層 SiO2膜，膜層致密度相當.18(三)總結：TOPCon 的工藝路線，PECVD 有望成為主流.19(四)TOPCon 各環節競爭格局及價值量拆分.22四、四、TOPCon 路線設備布局廠商，產能統計路線設備布局廠商，產能統計.25五、五、投資建議

8、投資建議.27（一）捷佳偉創.27（二）帝爾激光.28六、六、風險提示風險提示.29圖表目錄圖表目錄圖 1：TOPCon 電池結構圖.4圖 2：PERC 電池結構圖.4圖 3：TOPCon 電池膜層示意圖.4圖 4：PERC 電池膜層示意圖.4圖 5：TOPCon 電池隧穿層能阻擋空穴通過，而允許電子通過.5圖 6：根據 ISFH 計算，單面 TOPCon 電池理論極限效率為 27.1%.6圖 7：目前，TOPCon 實驗室最高轉換效率已達到 26.40%.7圖 8：晶科 N 型 TOPCon 組件雙面率達 85%.7圖 9：30 年，N 型 TOPCon 組件效率不低于出廠效率 87.4%.

9、7圖 10：溫度系數越高，功率損失越多.8圖 11：N 型組件實時工作溫度較 P 型組件低.8圖 12：N 型組件弱光效應更好.8圖 13：TOPCon 工藝與 PERC 工藝兼容性較高（TOPCon 以離子注入工藝路線為例）.9圖 14：TOPCon 產業化面臨的主要技術問題.10圖 15：制備多晶硅摻雜膜，LPCVD/PECVD/PVD 工藝對比.10圖 16：對于多晶硅膜沉積，LPCVD/PECVD/PVD 三條路線對比.11圖 17：LPCVD 法可實現制備氧化層、本征多晶硅層“二合一”.11圖 18：LPCVD 設備示意圖.11圖 19：LPCVD 繞鍍現象（左側為本征摻雜，右側為非

10、本征摻雜）.12圖 20：濕法單面清洗示意圖.13圖 21：清洗繞鍍的原理是基于刻蝕劑對各膜層刻蝕速度不同.13圖 22：LPCVD 原位摻雜中，摻雜濃度與沉積速度成反向關系.14圖 23：LPCVD 非原位摻雜，磷擴散的過程.14圖 24：離子注入法及后續晶化示意圖.14圖 25：PECVD 設備示意圖.15 nXiXtVoYnXeXbU8VqVdUbR9RbRoMmMtRnOiNqQnPjMoPoNaQpPuNxNrRsPxNrMoO行業深度分析http:/ 26：PECVD 法制備，也可能出現輕微繞鍍.16圖 27：當硅片槽與硅片尺寸完美匹配時，繞鍍問題基本消除.16圖 28：金字塔絨面

11、硅片，表面足夠粗糙時，沒有爆膜問題.16圖 29：PVD 沉積膜原理簡圖.17圖 30：酸刻蝕速度對比：PECVDLPCVDPELPALD.18圖 32：SiO2膜層均勻性對比，PECVD/LPCVD 相當，ALD 與熱氧法最佳.19圖 33：TOPCon 電池結構中，各類膜主流制備方法.20圖 34：TOPCon 主要工藝路線流程（LPCVD/PECVD/PVD）.21圖 35：LPCVD、PECVD、PVD 三條工藝路線對比.22圖 36：TOPCon 路線各設備主要供應商.23圖 37：各家設備商技術路線.24圖 38：TOPCon 在建產能已超過 470GW.26 行業深度分析http

12、:/ 電池到 TOPCon 電池，道易且近TOPCon 電池技術，是 2014 年由德國 Fraunhofer 太陽能研究所提出的一種新型鈍化接觸太陽能電池。德國 Fraunhofer 研究中心在電池背面利用化學方法制備一層超薄氧化硅(15nm)，然后再沉積一層摻雜多晶硅，二者共同形成了鈍化接觸結構，這種技術被稱為隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術。圖 1：TOPCon 電池結構圖圖 2：PERC 電池結構圖資料來源：中來股份，華金證券研究所資料來源：摩爾光伏，華金證券研究所圖 3：TOPCon 電池膜層示意圖圖 4：PERC 電池膜層示意圖資料來源：晶科能源，華金證券研究所（加框注釋：與

13、PERC結構差異）資料來源：晶科能源，華金證券研究所從電池結構正面看，PERC 電池從外及里，依次為 SiNx 膜、N 型發射極（n+）、P 型硅片基底；對比，TOPCon 電池由外到里，依次為 SiNx 膜、Al2O3膜、P 型發射極（p+）、N 型硅片基底。區別在于新增區別在于新增 Al2O3膜，以及改成膜，以及改成 P+發射極、發射極、N 型硅片基底型硅片基底。從電池結構背面看，PERC 電池由外及里，依次為 SiNx 膜、Al2O3膜；對比，TOPCon 電池由外至里，依次為 SiNx 膜、N 型多晶硅薄膜、SiO2膜。區別在于，去除區別在于，去除 Al2O3膜、新增膜、新增 N型多晶

14、硅薄膜、型多晶硅薄膜、SiO2膜。膜。行業深度分析http:/ SiNx 薄膜（約 75nm）：由于 SiNX富含氫原子，可以在熱處理過程中對表面和體內的缺陷進行化學鈍化，從而降低表面電子的復合。同時由于 SiNX的光學特性，還可以實現電池正面和背面減反效果；2.背面 SiNx 薄膜：為了避免后續金屬化燒結過程漿料對膜層的破壞，SiNX依靠其化學穩定性，主要用于背部膜層的保護；同時實現減反效果；3.Al2O3（5nm）由于具備較高的負電荷密度，可以對 P 型半導體如 PERC 電池背面和 TOPCon 電池的正面提供良好的場效應鈍化，即在近表面處增加一層具有高度穩定電荷的介質膜在表面附近造一個

15、梯度電場，減少表面電子濃度從而降低表面電子空穴的復合速率。4.超薄隧穿層 SiO2（2.0 nm）及 N 型多晶硅薄膜（100200nm）：兩者共同形成鈍化接觸結構作為電池背面鈍化層，高摻雜的多晶硅（Poly-Si）層與 N 型硅基體之間功函數差異引起的界面處能帶彎曲，使電子隧穿后有足夠的能級可以占據，更易于隧穿；而空穴占據的價帶邊緣處于 Poly-Si 的禁帶，不易隧穿，因此超薄氧化層可允許多子電子隧穿而阻擋少子空穴透過，從而使電子和空穴分離，減少了復合，在其上沉積一層金屬作為電極就實現了無需開孔的鈍化接觸結構。圖 5：TOPCon 電池隧穿層能阻擋空穴通過，而允許電子通過資料來源：In s

16、itu phosphorus-doped polycrystalline silicon films by low pressure chemical vapor deposition for contactpassivation of silicon solar cells（Meric Firat，et al.,2021），華金證券研究所因此，因此，TOPCon 太陽電池的主要優點包括太陽電池的主要優點包括：（1）優良的界面鈍化性能;（2）全面積收集載流子有利于提高 FF;（3）結構簡單無需光刻開孔;（4）可兼容現有產線工藝，適用于企業化生產。行業深度分析http:/ 優勢明顯：電池效率高、

17、溫度系數低、光衰減小等N 型型 TOPCon 雙面電池效率可達到雙面電池效率可達到 28.7%，提供了廣闊發展空間。，提供了廣闊發展空間。根據 ISFH 計算，PERC 電池理論效率為 24.5%，P 型 TOPCon 電池理論效率為 24.9%；P 型晶硅電池轉為 N 型晶硅電池，電池效率有明顯提升。其中，N 型單面 TOPCon 電池理論效率為 27.1%，HJT 電池理論效率為 28.5%，N 型雙面 TOPCon 電池理論效率則達到 28.7%。圖 6：根據 ISFH 計算，單面 TOPCon 電池理論極限效率為 27.1%資料來源：On the limiting efficiency

18、 for silicon heterojunction solar cells（Wei Long,et al.,2021），華金證券研究所實驗室效率方面，晶科實驗室效率方面，晶科 182N 型型 TOPCon 實現實現 26.4%轉換效率轉換效率；而天合光能 210N 型TOPCon 電池轉換效率達 25.5%；此外，隆基實現 P 型 TOPCon 電池轉換效率達 25.19%；而國外實驗室 Frauhofer ISE 在面積僅 4cm2的電池片上實現電池轉換效率 25.8%。量產效率方面，規模投產企業量產效率已達到量產效率方面，規模投產企業量產效率已達到 25%。根據各公司公告，一道新能浙江

19、衢州約 6GW TOPCon 產能，量產效率突破 25.2%；晶科浙江海寧 8GW、合肥一期 8GW 產線，電池量產效率達到 25%以上；中來股份山西太原一期 4GW 項目投產，電池量產效率可達到24.8%；行業深度分析http:/ 7：目前，TOPCon 實驗室最高轉換效率已達到 26.40%資料來源：各公司公告，中國知網，基于隧穿氧化物鈍化接觸的高效晶體硅太陽電池的研究現狀與展望（任程超等，2021），華金證券研究所高效率之外，高效率之外，TOPCon 電池相比于電池相比于 PERC 電池，具有雙面率高、衰減低、溫度系數低、弱電池，具有雙面率高、衰減低、溫度系數低、弱光效應好等優勢。光效應

20、好等優勢。根據晶科能源產品手冊，P 型電池雙面率僅 70%，而 N 型電池雙面率能達到85%。N 型高雙面率能帶來發電增益約 2.03%；N 型組件功率質?？蛇_ 30 年，首年衰減小于1%，保證 30 年后輸出功率不低于原始輸出功率的 87.40%。而 P 型電池 30 年輸出功率不低于原始輸出功率的 84.8%，兩者差距 2.6pct；電池發電量受溫度系數影響，溫度系數越高，發電量越低。根據實驗數據，相同環境下，N 型電池的溫度更低，意味著光的轉換效率更高、發電量損失更低。N 型電池弱光效應更好，因為 N 型電池，更高的內阻，更長的少子壽命，天然具有更優的弱光響應，即相比于 PERC 電池，

21、N 型電池在弱光環境下即可開始實現光電轉換，早晚發電市場延長 1 小時左右。圖 8：晶科 N 型 TOPCon 組件雙面率達 85%圖 9：30 年，N 型 TOPCon 組件效率不低于出廠效率 87.4%資料來源：晶科能源產品手冊，華金證券研究所資料來源：晶科能源產品手冊，華金證券研究所 行業深度分析http:/ 10：溫度系數越高，功率損失越多圖 11：N 型組件實時工作溫度較 P 型組件低資料來源：晶科能源產品手冊，華金證券研究所資料來源：晶科能源產品手冊，華金證券研究所圖 12：N 型組件弱光效應更好資料來源：晶科能源產品手冊，華金證券研究所從產能投資角度看，因結構相似，從產能投資角度

22、看，因結構相似，TOPCon 電池工藝路線與電池工藝路線與 PERC 電池有很高的兼容性，電池有很高的兼容性，大部分工序相同、產線可實現升級轉換。主要區別集中在：大部分工序相同、產線可實現升級轉換。主要區別集中在：PN 結處的磷擴散改為硼擴散、結處的磷擴散改為硼擴散、SiO2薄膜及多晶硅薄膜的制備。薄膜及多晶硅薄膜的制備。從工藝路線看，PERC SE 電池工藝步驟共 9 步，TOPCon 電池工藝步驟共 11 步，新增的步驟集中在 SiO2薄膜及多晶硅薄膜的制備。從投資額角度看，根據 CPIA 21 年數據，PERC 電池單 GW 投資額為 1.94 億元，TOPCon 電池單 GW 投資額為

23、2.2 億元。行業深度分析http:/ 13：TOPCon 工藝與 PERC 工藝兼容性較高（TOPCon 以離子注入工藝路線為例）資料來源：Continuously Evolving Tech，拉普拉斯，華金證券研究所(藍底表示：技術、設備相同)三、從技術角度看，PECVD 有望從 LP/PE/PVD 路線之爭中勝出TOPCon 電池工藝一般為：先正面制絨、硼擴，再進行背面隧穿層、摻雜多晶硅層制備，之后再正面 Al2O3膜層制備、正反面 SiNx 膜制備，最后金屬化。與 PERC 時代時工藝路線之爭相似，TOPCon 工藝路線同樣存在諸多爭議與分歧。整 體 看，整 體 看，TOPCon 工

24、藝 的 核 心 爭 議 在 摻 雜 多 晶 硅 層 的 制 備 方 法 上，分工 藝 的 核 心 爭 議 在 摻 雜 多 晶 硅 層 的 制 備 方 法 上，分 為為LPCVD/PECVD/PVD 路線。路線。隧穿層 SiO2膜的制備方法可以是 LPCVD、PECVD、ALD 等方式；多晶硅層制備，從工序角度可分為原位摻雜、非原位摻雜。原位摻雜，即在同一工步完成多晶硅層沉積、多晶硅層磷摻雜；非原位摻雜，即在多晶硅層沉積后，通過擴散爐或者離子注入的方法進行磷摻雜。從制備方法上，多晶硅層制備可分為，LPCVD/PECVD/PVD/APCVD 等；行業深度分析http:/ 14：TOPCon 產業化

25、面臨的主要技術問題資料來源：Siliconbased passivating contacts The TOPCon route（GLUNZ,et al.,2021），華金證券研究所(一)制備多晶硅層，LPCVD 工藝成熟，PECVD 綜合性能最佳對于摻雜硅層,一般有三種制備方法.其中有兩種屬于化學氣相沉積(chemical vapordeposition,CVD)方法：低壓化學氣相沉積(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)法和 PECVD 法.還有一種濺射法是屬于物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)方

26、法。1）LPCVD 法：主要應用硅烷（SiH4）的熱分解來完成，反應溫度約 600；2）PECVD 法：硅烷 SiH4 在電離下，分解生產 Si。反應溫度較低，400以下，壓力僅100Pa；3）PVD 法：物理過程，反應溫度在室溫到 500之間。圖 15：制備多晶硅摻雜膜，LPCVD/PECVD/PVD 工藝對比資料來源：基于隧穿氧化物鈍化接觸的高效晶體硅太陽電池的研究現狀與展望（任程超等，2021），華金證券研究所LPCVD 技術最成熟，技術最成熟，PECVD 技術綜合性能最強。技術綜合性能最強。從工業技術成熟度看，LPCVD 技術最成熟，無論是量產設備成熟度，還是實驗室驗證程度上看，LPC

27、VD 技術相比其他兩條路線更為成熟；而 PECVD 技術僅次于其后；從單面沉積角度看，LPCVD 沉積技術是無方向性的，導致嚴重繞鍍，而 PVD 技術可實現單面沉積，無繞鍍現象；從原位摻雜角度看，PECVD 最適合原位摻雜，而 LPCVD、PVD 技術原位摻雜能力較弱，即摻雜難度大、或者摻雜后濃度不達標；行業深度分析http:/ 16：對于多晶硅膜沉積，LPCVD/PECVD/PVD 三條路線對比資料來源：TOPCon-Technology Options for cost efficiency industrial manufacturing（Bishal Kafle et al.,2021

28、），華金證券研究所1.LPCVD 成熟度最高，但有繞鍍、原位摻雜難等難題LPCVD 能同時實現氧化層、本征非晶硅層，工業應用技術非常成熟。能同時實現氧化層、本征非晶硅層，工業應用技術非常成熟。LPCVD 法均適用于氧化層 SiO2、本征非晶硅層的制備，且兩者反應溫度相近，均在 600左右。以 LPCVD 法制備氧化層 SiO2，以及本征非晶硅層 a-Si 工藝為例，實踐中僅需要在兩者反應中間，加入 N2清洗、撿漏、抽真空等操作，即可在同一工步完成 SiO2/本征非晶硅膜的制備。圖 17：LPCVD 法可實現制備氧化層、本征多晶硅層“二合一”圖 18：LPCVD 設備示意圖資料來源：TOPCon

29、生產用LPCVD尾排設計（王楊陽，2021），華金證券研究所資 料來 源：Analysis of Multicomponent LPCVD Processes（Karl F.Roenigk et al.,1985），華金證券研究所LPCVD 沉積膜不具備方向性，因電池片立于石英舟之上，氧化層及本征多晶硅層也同樣沉積膜不具備方向性，因電池片立于石英舟之上，氧化層及本征多晶硅層也同樣會附著在電池片的側面及正面，形成包裹，即會附著在電池片的側面及正面，形成包裹，即“繞鍍繞鍍”現象?，F象。多余的隧穿層、摻雜多晶硅層必須被去除，因此后續需要引入“去繞鍍”工藝，但 LPCVD 繞鍍成為痛點的根本原因在于去

30、繞繞鍍成為痛點的根本原因在于去繞鍍較難控制，影響電池良率。鍍較難控制，影響電池良率。行業深度分析http:/ 19：LPCVD 繞鍍現象（左側為本征摻雜，右側為非本征摻雜）資料來源：Atmospheric Pressure Dry Etching of Polysilicon Layers for Highly Reverse BiasStable TOPCon（BishalKafle et al.,2021），華金證券研究所LPCVD 問題之一：清洗繞鍍，可能導致去除不完全、或者摻雜多晶硅層遭刻蝕，影響電問題之一：清洗繞鍍，可能導致去除不完全、或者摻雜多晶硅層遭刻蝕，影響電池效率；池效率；L

31、PCVD 法制備隧穿氧化層及摻雜多晶硅層，一般在磷摻雜后，再進行清洗繞鍍。LPCVD 去繞鍍的典型工藝流程：1)HF 酸單面清洗，去除繞鍍區域內的磷硅玻璃 PSG（即正面、側面）;2)KOH 堿液雙面清洗，去除繞鍍區域內的摻雜多晶硅（即正面、側面）。背面 PSG 層起到保護隧穿氧化層及摻雜多晶硅層作用；3)HF 酸雙面清洗，去除繞鍍區域內的 SiO2（即正面、側面）、背面 PSG；去繞鍍去繞鍍“難難”的根本原因：的根本原因：在第 2 步中，KOH 雙面清洗，去除繞鍍區域多晶硅。因 KOH堿液刻蝕摻雜多晶硅速度 604nm/min，大于刻蝕磷硅玻璃 PSG 的速度，后者為 210nm/min。背

32、面磷硅玻璃 PSG 能保護背面摻雜多晶硅層。但兩者反應時間差很難有效控制，實際生產中但兩者反應時間差很難有效控制，實際生產中可能導致：摻雜多晶硅層去除不完全，或背面起保護作用的磷硅玻璃被去除，導致背面摻雜多可能導致：摻雜多晶硅層去除不完全，或背面起保護作用的磷硅玻璃被去除，導致背面摻雜多晶硅層被侵蝕，影響電池效率。晶硅層被侵蝕，影響電池效率。行業深度分析http:/ 20：濕法單面清洗示意圖圖 21：清洗繞鍍的原理是基于刻蝕劑對各膜層刻蝕速度不同資料來源：Integration of inline single-side wet emitter etch in PERC cellmanufac

33、turing（E.Cornagliotti et al.,2012），華金證券研究所資 料 來 源：Study on the cleaning process of n+-poly-Si wraparoundremoval of TOPCon solar cells（Qinqin Wang et al.,2020），華金證券研究所LPCVD 問題之二：問題之二：LPCVD 原位摻雜較難原位摻雜較難，主要問題在于：1）難以實現大于 1020cm-3高活性的摻雜濃度（ND，act）;2）摻雜層沉積速度慢，產量低；3）膜厚度不夠，且均勻性差；LPCVD 原位摻雜中，摻雜濃度與膜的沉積速度是相制約的關

34、系。原位摻雜中，摻雜濃度與膜的沉積速度是相制約的關系。根據 Kamins 研究，多晶硅層中磷的活性摻雜濃度需達到 1020cm-3，才能實現較低的復合電流密度 J0、及較低的接觸電阻c。而磷的活性摻雜濃度 ND,act與沉積速度成反向關系，即隨著反應溫度升高，膜的沉積速度增大，而磷的活性摻雜濃度降低。根本原因在于，根本原因在于，當反應溫度越高時，硅烷 SiH4分解速度越快，而 PH3從膜表面的解析速度越快，兩者共同作用下，則生成的摻雜層中，磷的活性摻雜濃度 ND,act越低。LPCVD 本征摻雜多晶硅工藝，膜均勻性差。本征摻雜多晶硅工藝，膜均勻性差。根據 Waqar Ahmed 研究，LPCV

35、D 制備摻雜多晶硅層均勻性在+/-40%，遠不及制備本征非晶硅層的均勻性。LPCVD 制備摻雜多晶硅層時，制備摻雜多晶硅層時，沉積過程不受晶片表面上化學反應動力學的限制，而是受反應物向表面傳輸的限制時，導致膜層均勻性大大下降。硅片表面的反應物濃度差異，導致膜層均勻性問題。根據 Waqar Ahmed，可以通過定制硅片的反應艙室去制備摻雜多晶硅層，但該定制化方法完全不能適用于量產。行業深度分析http:/ 22：LPCVD 原位摻雜中，摻雜濃度與沉積速度成反向關系圖 23：LPCVD 非原位摻雜，磷擴散的過程資料來源：In situ phosphorus-doped polycrystallin

36、e silicon films by lowpressure chemical vapor deposition for contact passivation of silicon solarcells（Meric Firat et al.,2022），華金證券研究所資料來源：Development of ultra-thin doped poly-Si via LPCVD and ex-situtube diffusion for passivated contact solar cell applications（Xia Yan et al.,2020），華金證券研究所因此，因此，LPC

37、VD 一般采用先沉積本征多晶硅層，再通過磷擴散或者離子注入的方式，進行一般采用先沉積本征多晶硅層，再通過磷擴散或者離子注入的方式，進行多晶硅層的磷摻雜。多晶硅層的磷摻雜。磷擴散的方法是以 POCl3為氣源，在 700-850溫度下實現分解、形成PSG，再在 850-900、N2環境下中，保持 30 分鐘，完成磷原子擴散。多晶硅層在高溫擴散爐中，能同步實現多晶硅的晶化處理，形成原子的規則排列，不需要后續退火工步。離子注入技術指真空中一束離子束射向一塊固體材料，受到固體材料的抵抗離子注入技術指真空中一束離子束射向一塊固體材料，受到固體材料的抵抗 而速度慢慢減而速度慢慢減低，并最終停留在固體材料中的

38、現象低，并最終停留在固體材料中的現象。實際運用中，采用等離子輔助法，以 PH3為氣源，經過電離，實現 P 原子注入多晶硅層。需要加入退火的工藝，進行多晶硅的晶化處理。圖 24：離子注入法及后續晶化示意圖資料來源：Ion-implantation and photovoltaics efficiency:A review（Mandeep Kaur et al.,2022），華金證券研究所LPCVD 問題之三：問題之三：LPCVD 石英管出現炸裂，需要每石英管出現炸裂，需要每 15 天清洗維護一次；天清洗維護一次；在淀積過程中石英管和石英舟都會淀積上一層薄膜。隨著工藝生產的增多，這些薄膜越來越厚，

39、當其達到一定厚度時，便會出現硅裂現象，從而導致淀積薄膜中出現顆粒物淀積薄膜中出現顆粒物，或使石英管某端出現一定程度的下沉，造成淀積的膜厚出現不均勻現象淀積的膜厚出現不均勻現象。因此，必須定期清洗石英管。通常用兩套石英管和石英舟輪換使用，以縮短維護時間。LPCVD 石英管清洗方法：石英管清洗方法：把反應管從設備上卸下來，采用 HF 酸或 HF 酸加 HNO3腐蝕，還要用大量去離子水沖洗，然后烘干，過程負雜。并且反應管較長，一般都長達 1.5-2.5 米，在清洗或裝卸過程中稍不注意，就易損壞。根據拉普拉斯數根據拉普拉斯數 行業深度分析http:/ 15 天，且石英管壽命天，且石英管壽命 4-12

40、個月，現階段需要每年更換爐管個月，現階段需要每年更換爐管 2-3 次，石次，石英件成本在英件成本在 200 萬萬/GW。2.PECVD 成熟度次之，但輕微繞鍍、原位摻雜等優點突出PECVD 設備的工作原理設備的工作原理，等離子增強化學氣相沉積（PECVD）利用射頻頻率為13.56MHz 的輝光放電裝置中產生的熱電子、正離子的能量使高純 SiH4氣體分解，生成硅原子、氫原子或原子團。如果是原位摻雜的情景下，則需加入磷烷 PH3，同時反應。圖 25：PECVD 設備示意圖資料來源：PECVD法制備SiO2膜均勻性研究（龍長林等，2021），華金證券研究所PECVD 鍍膜，也會產生輕微繞鍍問題，但清

41、洗繞鍍容易：鍍膜，也會產生輕微繞鍍問題，但清洗繞鍍容易：根據 PECVD 沉積膜原理，硅片置于基片臺上，側邊也暴露在反應氣體內，因此 PECVD 法制備多晶硅薄膜也會出現輕微繞鍍現象，但僅在側邊及硅片正面邊緣處。根據 Fraunhofer 研究所 Stefan W.Glunz 研究，當采用凹槽設計基片臺，且凹槽尺寸與硅片尺寸完美匹配時，繞鍍現象即可消除。實際生產中，側邊及正面繞鍍的輕微摻雜多晶硅可用實際生產中，側邊及正面繞鍍的輕微摻雜多晶硅可用 KOH 堿液去除。因為堿液去除。因為 KOH 堿液對摻堿液對摻雜多晶硅層的刻蝕速度約雜多晶硅層的刻蝕速度約 604nm/min，遠大于對，遠大于對 B

42、SG 硼硅玻璃的刻蝕速度，后者硼硅玻璃的刻蝕速度，后者約約11.4nm/min。因此，采用。因此，采用 KOH 堿液單面清洗去除摻雜多晶硅層時，堿液單面清洗去除摻雜多晶硅層時，KOH 堿液對堿液對 BSG 的刻蝕的刻蝕可以忽略，可以忽略，BSG 硼硅玻璃可對硼硅玻璃可對 p+發射極起保護作用。剩余的發射極起保護作用。剩余的 BSG 硼硅玻璃及繞鍍的硼硅玻璃及繞鍍的 SiO2層，層，可用可用 HF 酸雙面清洗去除。酸雙面清洗去除。行業深度分析http:/ 26：PECVD 法制備，也可能出現輕微繞鍍圖 27：當硅片槽與硅片尺寸完美匹配時，繞鍍問題基本消除資 料 來 源：Silicon-based

43、 passivating contacts:The TOPCon route（GLUNZ,et al.,2021），華金證券研究所資 料 來 源：Silicon-based passivating contacts:The TOPCon route（GLUNZ,et al.,2021），華金證券研究所PECVD 爆膜問題，可以通過背面微制絨效果解決。爆膜問題，可以通過背面微制絨效果解決。PECVD 鍍膜溫度約 200，鍍膜后需高溫退火，退火溫度在 600850。高溫退火過程中，多晶硅層富含 H 原子，濃度達到10201022cm-3。高溫退火會出現“H 原子滲出”，富集在多晶硅層與 SiO2界

44、面處，即爆膜現象。爆膜可能導致膜層不均勻、橫向傳輸通道增加、甚至膜層脫落，嚴重影響電池效率。根據Sungjin Choi 研究，爆膜現象與硅片表面粗糙度直接相關。粗糙度越大，表面黏附力越大，爆膜概率越低。當采用光滑硅片、堿刻蝕后的硅片、金字塔絨面的硅片實驗時，相同條件下，堿相同條件下，堿刻蝕的硅片爆膜現象明顯改善，而金字塔絨面的硅片則完全沒有爆膜問題。因此，實際生產中，刻蝕的硅片爆膜現象明顯改善，而金字塔絨面的硅片則完全沒有爆膜問題。因此，實際生產中，可以在硅片正面制絨的同時，將電池背面進行微制絨，實現不增加工藝步驟，而解決可以在硅片正面制絨的同時，將電池背面進行微制絨，實現不增加工藝步驟，而

45、解決 PECVD的爆膜問題。的爆膜問題。圖 28：金字塔絨面硅片，表面足夠粗糙時，沒有爆膜問題資料來源：Formation and suppression of hydrogen blisters in tunnelling oxide passivating contact for crystalline silicon solar 行業深度分析http:/ et al.,2020），華金證券研究所3.PVD 為物理反應過程，無繞鍍，但設備 Uptime 略低PVD 原理：原理：磁控濺射為外加電場和磁場同時作用，電場產生的電場力給電子加速、同時磁場的洛倫茲力對其有束縛，使電子由單一電場作用的

46、直線運動變成復合場的擺線運動，可以大幅提高氬原子的電離效果。電子與氬原子發生碰撞后生成 Ar+和二次電子,Ar+獲得電子的大部分能量后，且在電場作用下獲得更高速度，轟擊靶材表面，使靶材表面原子或分子脫離原晶格濺射出靶材表面而沉積到基片上。圖 29：PVD 沉積膜原理簡圖資料來源：a-Si_H_c-Si異質結太陽電池ITO薄膜研究-屈慶源（屈慶源，2021），華金證券研究所PVD 技術的優點明顯：技術的優點明顯：1）沒有繞鍍問題，因為硅片置于硅片槽內，側面不接觸反應氣體；）沒有繞鍍問題，因為硅片置于硅片槽內，側面不接觸反應氣體；2）原材料硅基靶材便宜；）原材料硅基靶材便宜；3）不使用危險氣體，如

47、硅烷）不使用危險氣體，如硅烷 SiH4、磷烷、磷烷 PH3等；等；4）反應溫度更低，）反應溫度更低，甚至在室溫下反應；甚至在室溫下反應；5）可有效控制沉積膜層內）可有效控制沉積膜層內 H2含量；含量；PVD 技術目前的缺點：技術目前的缺點：1）投資成本大；）投資成本大；2）占地面積大；）占地面積大；3）板式）板式 PVD 設備設備 uptime 低，低，根據拉普拉斯數據，板式根據拉普拉斯數據，板式 PVD 設備保養周期設備保養周期 30 天，保養時間天，保養時間 2 天，換靶材需要天，換靶材需要 3 天。天。行業深度分析http:/ 法制備隧穿層 SiO2膜，膜層致密度相當光伏領域，最主要的隧

48、穿層制備方法：1）LPCVD 也屬于熱氧法，其反應原理、反應條件不同：也屬于熱氧法，其反應原理、反應條件不同：高溫熱氧法，是指 900環境下，Si 直接被氧化成 SiO2。而 LPCVD 法是指：硅烷 SiH4與氧氣 O2，約 450-600 高溫高溫下，反應生下，反應生成 SiO2。2）等離子體輔助等離子體輔助 N2O 氧化法（氧化法（PECVD）：在 PECVD 中等離子體電子的能量驅動下,N2O（笑氣）會發生電離或分解作用,進而產生的游離 O 作用在硅片表面,發生氧化反應；3）ALD 法也被用來制備 SiO2，反應機理：氯化硅 Si2Cl6在 O3/O2的環境下，反應生成SiO2。圖 3

49、0：酸刻蝕速度對比：PECVDLPCVDPELPALD資料來源：Ozone based high-temperature atomic layer deposition of SiO2thin films（Su Min Hwang et al 2020 Jpn.J.Appl.Phys.），華金證券研究所資料來源：Ozone based high-temperature atomic layer deposition of SiO2thin films（Su Min Hwang et al 2020 Jpn.J.Appl.Phys.），華金證券研究所SiO2 膜層制備更看重膜層質量，工藝精度要求

50、高。膜層制備更看重膜層質量，工藝精度要求高。摻雜多晶硅膜厚更高（100-200nm），在電池中起到彎曲能帶作用；而 SiO2 層膜層厚度約 2nm，且要起到隧穿作用，阻隔空穴、通過電子。因此，摻雜多晶硅層制備對工藝精度要求不高，更看重工藝精簡、工藝產能大、維護成本低。而 SiO2的致密性直接影響隧穿效果，影響電池效率，因此更看重 SiO2膜層質量。當SiO2膜層致密性較差時，即膜層孔隙較大，阻擋空穴通過的能力低，隧穿效果大大降低。LPCVD/PECVD/ALD 路 線 制 備 的路 線 制 備 的 SiO2膜 層 質 量 對 比：從 膜 層 致 密 度 角 度 看，膜 層 質 量 對 比：從

51、膜 層 致 密 度 角 度 看，PECVDLPCVDALD；根據 Su Min Hwang 的實驗結果，相同實驗條件下，PECVD 制備的SiO2 膜層密度為 2.2 g/cm3，LPCVD 制備的 SiO2膜層密度為 2.15g/cm3，不及 PECVD。ALD制備的 SiO2膜層密度與溫度影響大，在 600時，制備的 SiO2 膜層密度為 2.15g/cm3，與LPCVD 相當。與之相對應，從酸刻蝕速度看，LPCVDPECVD熱氧化法。從膜層均勻性角度看，從膜層均勻性角度看，ALDPECVDLPCVD;從膜層均勻性角度看，ALD 法屬原子沉積法，膜層由原子沉積一層一層生長的，因此 ALD

52、制備的 SiO2膜層均勻性最好，膜層粗糙度僅0.120.18nm。而 LPCVD/PECVD 制備的 SiO2 膜層粗糙度分別為 1.36nm、1.38nm。行業深度分析http:/ 32：SiO2膜層均勻性對比，PECVD/LPCVD 相當，ALD 與熱氧法最佳資料來源：中國知網，Ozone based high-temperature atomic layer deposition of SiO2 thin films（Su Min Hwang et al 2020 Jpn.J.Appl.Phys.），華金證券研究所(三)總結：TOPCon 的工藝路線，PECVD 有望成為主流綜上，TOP

53、Con 電池各膜層制備方法：對于正面 Al2O3膜層，主要的制備方法為 PECVD、ALD。實際生產中，ALD 制備 Al2O3，膜層致密性、均勻性最好，為最佳制備方法，代表企業是江蘇微導、理想、松煜。正反面 SiNx 膜的制備方法，工藝成熟，實際生產中主要是用PECVD 法，代表企業捷佳偉創、北方華創、紅太陽等。對于 TOPCon 背面，SiO2膜層，LPCVD、PECVD、ALD 均可實現。而摻雜多晶硅層的制備方法，PECVD 可以容易實現原位摻雜，繞鍍、爆膜等問題有有效解決途徑，并且維護成本低。而 LPCVD 法雖然工業應用成熟，但清洗繞鍍可能導致電池損傷、非原位摻雜工藝流程不符合“精益

54、”生產要求，石英管炸裂等導致維護成本較高。行業深度分析http:/ 33：TOPCon 電池結構中，各類膜主流制備方法資料來源：江蘇微導招股書，TOPCon生產用LPCVD尾排設計（王楊陽，2021），華金證券研究所相對應，相對應，TOPCon 主要工藝路線有主要工藝路線有 4 條，以多晶硅制備方法，分為條，以多晶硅制備方法，分為 LPCVD/PECVD/PVD。LPCVD 路線中，主要采取非原位摻雜的方法。其中磷摻雜方式，包括磷擴、離子注入；PECVD 路線中，SiO2、摻雜多晶硅層均由 PECVD 設備完成；在 PVD 路線中，SiO2層由PECVD 完成，摻雜多晶硅層由 PVD 完成。L

55、PCVD+離子注入路線、PECVD、PVD 路線均需采用退火，完成晶化處理。除了主流的三大工藝路線外，江蘇微導提出除了主流的三大工藝路線外，江蘇微導提出 PEALD 設備用于制備隧穿層設備用于制備隧穿層 SiO2和摻雜多晶和摻雜多晶硅層。硅層。公司開發的 PEALD 二合一平臺，集成了 PEALD 和 PECVD 兩種工藝，分別用于制備隧穿層 SiO2和多晶硅層，能夠彌補 LPCVD 技術存在的不足。行業深度分析http:/ 34：TOPCon 主要工藝路線流程（LPCVD/PECVD/PVD）資料來源：Topcon與HJT電池的量產前景分析（王文靜），一道新能，華金證券研究所LPCVD/PE

56、CVD/PVD 各路線對比：LPCVD 工藝最成熟，應用最快，且膜層質量較高。但工藝最成熟，應用最快，且膜層質量較高。但它不足之處體現在：它不足之處體現在：1）原位摻雜難，需分兩步走，即先沉積本征多晶硅層，再進行磷擴或離子注入法進行摻雜；2）繞鍍嚴重，LPCVD 繞鍍是在電池正面、側面全部鍍上 SiO2膜跟摻雜多晶硅膜，有效產能減半、且清洗可能導致電池損壞；3）石英管維護問題，LPCVD 內石英管上全部沉積上所鍍的膜層，需要定期停機替換、清洗，帶來石英管替換成本、以及機床維護費用；PECVD 工藝成熟度僅次于工藝成熟度僅次于 LPCVD 路線，其優點明顯路線，其優點明顯：1）可以加入磷烷 PH

57、3，進行原位摻雜；2）輕微繞鍍，清洗容易。PECVD 繞鍍出現在電池側面及正面邊緣，清洗時正面 BSG對堿液起保護作用，清洗過程簡單可控；3）沉膜速度快，原位摻雜時，沉膜速度在 10nm/min之上；PECVD 路線缺點，主要是爆膜問題，但根據研究，通過背面微制絨，可有效解決爆膜問題。PVD 工藝成熟度最低，工藝成熟度最低，但其優點體現在：1）可原位摻雜；2）無繞鍍；3）不使用危險氣體，如硅烷、磷烷等；4）原材料硅基靶材成本低。但 PVD 路線缺點主要體現在：1）設備成本高；2）占地面積大；3）根據 ISFH 觀點，PVD 方法可能有鈍化效果差、接觸電阻高等劣勢方法可能有鈍化效果差、接觸電阻高

58、等劣勢。行業深度分析http:/ 35：LPCVD、PECVD、PVD 三條工藝路線對比資料來源：拉普拉斯官微，華金證券研究所(四)TOPCon 各環節競爭格局及價值量拆分TOPCon 工藝各環節中，傳統工藝環節（絲網印刷除外）競爭較為激烈，隧穿層及摻工藝各環節中，傳統工藝環節（絲網印刷除外）競爭較為激烈，隧穿層及摻雜多晶硅層制備環節競爭相對放緩。雜多晶硅層制備環節競爭相對放緩。TOPCon 工藝環節包括制絨、擴散制結、刻蝕、隧穿層及多晶硅層沉積、清洗、正反面鈍化層、金屬化。根據邁為招股書資料，在制絨、擴散制結、刻蝕、濕法刻蝕清洗、PECVD 鍍 SiNx 膜等環節均呈現廠家相對較多、競爭相對

59、激烈的特點。TOPCon 在隧穿層、摻雜多晶硅層制備環節競爭相對放緩。按多晶硅制備工藝路線分為LPCVD、PECVD、PVD。LPCVD 廠商主要包括：拉普拉斯、紅太陽、賽瑞達、北方華創等；PECVD 廠商主要包括：捷佳偉創、紅太陽、金辰股份、北方華創等。PVD 路線廠商主要是江蘇杰太；另外，江蘇微導提出 PEALD 二合一設備，可用于制備隧穿層及摻雜多晶硅層。行業深度分析http:/ 36：TOPCon 路線各設備主要供應商資料來源：捷佳偉創招股書、邁為招股書、Taiyang News、PVInfolink，華金證券研究所 行業深度分析http:/ 37：各家設備商技術路線資料來源：PVin

60、folink，華金證券研究所從經濟性角度看，從經濟性角度看，PECVD 路線設備投資成本低、產能大、維護成本低、開機率高。路線設備投資成本低、產能大、維護成本低、開機率高。根據皇氏集團機構調研紀錄表：（1）PE 路線比 LP 路線設備采購成本少；（2）PE 路線工藝時間短，單臺設備產能大，設備機臺數量少，省空間，設備好布局；（3）維護成本對比：LP 路線石英管壽命平均 56 天，石英舟壽命 60 天，石英件消耗 162萬/臺/年，PE 路線石英管壽命 1-2 年，只有正常的石墨舟消耗，LP 設備的石英件消耗比 PE 設備費用預計多出 3530 萬/年（5GW 計）；（4）設備人員配置上，LP

61、路線估計是 PE 路線的一倍以上，每天在做維護換石英管，且設備利用率較低，更換石英管需要 3-4 小時，期間整臺設備需停機。行業深度分析http:/ 路線設備布局廠商，產能統計從已建成產能看，根據不完全統計，當前從已建成產能看，根據不完全統計，當前 TOPCon 已建產能約已建產能約 69.75GW。其中，晶科目前已投產產能 24GW，為 TOPCon 產能最大的企業。其次，中來股份目前共建成產能 7.6GW，分為江蘇泰州 3.6GW 產能，山西太原 4GW。江蘇泰州 3.6GW 中，最先建成的 2.1GWTOPCon 產能，公司采用 LPCVD 路線。后續建成的所有產能均采用 PVD 路線。

62、此外，天合光能、鈞達已投產產能達到 8GW，一道新能已投產產能達到 6.25GW。從遠期規劃產能看，據不完全統計，目前從遠期規劃產能看，據不完全統計，目前 TOPCon 規劃代建總產能超規劃代建總產能超 470GW。其中，包括晶澳 27.3GW，晶科待建 11GW，天合光能待建 33GW，鈞達規劃 23GW，一道新能待建14GW 產能，協鑫規劃 30GW?？缃?TOPCon 玩家包括沐邦高科、皇氏集團、仕凈科技等。行業深度分析http:/ 38：TOPCon 在建產能已超過 470GW資料來源：各公司公告，華金證券研究所（備注：標藍底為跨界TOPCon廠家）行業深度分析http:/ 規模量產，

63、下游設備商將大為受益規模量產，下游設備商將大為受益。據不完全統計，目前 TOPCon 規劃及在建產能達 474GW。TOPCon 新增產能巨大，下游設備商將大為受益。（一）捷佳偉創公司是國內電池片設備龍頭公司是國內電池片設備龍頭，主要產品包括清洗設備、制絨設備、擴散爐、刻蝕設備、PECVD 設備和自動化設備等晶體硅太陽能電池生產設備。并且在 TOPCon、HJT、IBC、鈣鈦礦等新技術路線上進行了全面布局。在在 TOPCon 技術路線上公司已具備整線設備交付能力，技術路線上公司已具備整線設備交付能力，PE-Poly 設備已累計獲得設備已累計獲得超超50GW 訂單訂單。公司核心設備 PE-Pol

64、y 和硼擴散設備已成功交付客戶量產運行。PE-Poly，即采，即采用用 PECVD 技術，實現了隧穿層、技術，實現了隧穿層、Poly 層、原位摻雜層的層、原位摻雜層的“三合一三合一”制備制備，不僅解決了傳統TOPCon 電池生產過程中繞鍍、能耗高、石英件高損耗的固有難點，而且大大縮短了原位摻雜工藝時間，提高了生產效率，有效提升 TOPCon 的轉換效率和良率，進一步加快 TOPCon 電池的大規模產業化。同時，公司是行業內為數不多能提供 TOPCon SE 設備的廠商，助力客戶進一步提升 TOPCon 量產效率。HJT 路線也完成路線也完成 GW 級產線設備出貨。級產線設備出貨。在 HJT 技

65、術路線上，公司為滿足新設備、新材料、新工藝的驗證，打造高效 HJT 技術全流程交鑰匙解決方案，在下屬子公司常州捷佳創建立了HJT 中試線，并于 2021 年 7 月 HJT 中試線高效電池首片下線。伴隨著首片下線，HJT 制絨、非晶硅鍍膜、TCO、絲網印刷等四道工序的主機及自動化全線貫通，該項目所有工藝設備及自動化設備由公司自主研發，具有完全知識產權，標志著公司 HJT 電池技術和設備研發再上新臺階。公司創新性的管式 PECVD 已進入工藝匹配和量產化定型；公司自主研發的 PAR 持續優化，穩定性能，助力異質結再創新高，其轉換效率的顯著優勢已在客戶端得到了充分的驗證。在鈣鈦礦電池技術路線上，公

66、司在鈣鈦礦電池技術路線上，公司 RPD 設備取得了鈣鈦礦中試線的訂單設備取得了鈣鈦礦中試線的訂單，同時鈣鈦礦的整線設備也進入了研發階段。行業深度分析http:/ PERC 時代，公司 PERC消融、PERC SE 產品市占率持續保持 80%左右。目前，公司全面布局各電池路線的激光應用，包括 TOPCon SE 設備、HJT LIA 修復設備、IBC 激光開槽等，并拓展顯示面板新領域的激光設備，未來有望受益于研發技術持續落地。TOPCon SE 具有廣闊發展空間具有廣闊發展空間。根據上海交通大學教授沈文忠 2022 年 1 月在 SCI 發表文章觀點，TOPCon 光伏電池的 SE 技術成熟后，

67、在大規模生產中可以提升 1%的電池轉換效率。TOPCon 激光 SE 成熟后可提高 1%電池效率，或將成為行業標配，公司有望率先受益：帝爾激光作為光伏激光 SE 設備龍頭，與客戶有深入合作交流，客戶在新建設 TOPCon 產線時選擇預留激光的接口。激光轉印節省激光轉印節省 33%漿料，有望全面替代細柵的絲網印刷漿料，有望全面替代細柵的絲網印刷：PTP 技術由 Utilight Ltd 公司（帝爾以色列）開發，已成為公司的全球專利。帝爾激光轉印在 PERC 產線上已完成論證：激光轉印的柵線更細，可達到 18 微米以下，實現節省漿料 30%；印刷一致性高，誤差在 2 微米，同時適用于低溫銀漿；激光

68、轉印為非接觸式印刷，可以避免擠壓式印刷存在的隱裂、破片、污染、劃傷等問題，更符合未來硅片薄片化趨勢。并且，激光轉印技術適用于 TOPCon、HJT、IBC 電池路線。激光轉印大幅降低銀漿消耗量、有效避免隱裂問題，將極大助力電池片廠商降本增效，目前樣機已經交付給頭部客戶做量產測試。未來激光轉印有望全面替代細柵的絲網印刷，公司有望憑激光轉印實現再次騰飛。行業深度分析http:/ TOPCon 路線，TOPCon 設備市場空間隨即擴大?？赡芤胄碌脑O備商進入市場，導致市場競爭可能進一步加劇，設備商的市場份額、利潤空間遭受擠壓。3.電池技術迭代對設備影響的風險當前節點，TOPCon、HJT、IBC、鈣

69、鈦礦電池熱度均極高，TOPCon 路線之外，HJT 電池效率高、工序少，也有眾多廠商選擇，規劃產能可觀。IBC 電池路線上，隆基、愛旭都有大產能布局，且 IBC 電池在分布式場景應用上潛力巨大，前景向好；鈣鈦礦電池擔負著電池效率超 30%的希望，是未來高效電池發展的必然方向。如其中任一路線進展超預期，將對 TOPCon 路線設備商產生一定的不利影響。4.設備技術研發風險TOPCon 路線上，以隧穿層及摻雜多晶硅層制備為例，其工藝有多種，如LPCVD/PECVD/PVD/PEALD 等，如果其他路線進展順序，比如 LPCVD 繞鍍、維護等問題，行業內突破，有很好解決途徑，可能極大削弱 PECVD

70、 的競爭力，可能造成對PECVD、PVD 等路線的設備商不利影響。行業深度分析http:/ 6 個月的投資收益率領先滬深 300 指數 10%以上；同步大市未來 6 個月的投資收益率與滬深 300 指數的變動幅度相差-10%至 10%；落后大市未來 6 個月的投資收益率落后滬深 300 指數 10%以上；風險評級：A 正常風險，未來 6 個月投資收益率的波動小于等于滬深 300 指數波動；B 較高風險，未來 6 個月投資收益率的波動大于滬深 300 指數波動；分析師聲明分析師聲明劉荊聲明，本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，勤勉盡責、誠實守信。本人對本報告的內容和觀點負責，保證信息來源合法合規、研究方法專業審慎、研究觀點獨立公正、分析結論具有合理依據，特此聲明。行業深度分析http:/ 759 號（陸家嘴世紀金融廣場）31 層電話：021-20655588網址：