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1、敬請參閱最后一頁特別聲明 1 先進封裝發展充要條件均已具備，先進封裝發展充要條件均已具備，工藝變化使得高端材料成關鍵支撐工藝變化使得高端材料成關鍵支撐。近年來隨著 UCIe 聯盟的成立和多個規?；慨a產品的商用，先進封裝迎來快速發展，根據 Yole 預期，20212027 年先進封裝行業復合增速將達到 9.8%，至 2027年先進封裝市場規模將達到 591 億美元。先進封裝相對傳統封裝的變化主要在于對減薄/拋光要求提高和新增 RDL、Bumping、TSV 環節，考慮到先進封裝材料的難度高、工藝影響大、國產化率低等特點，我們認為先進封裝材料是整個產業發展中重要的投資方向，重點可關注鍵合、RDL

2、、Bumping、TSV 工藝環節涉及的材料。臨時鍵合：先進封裝對減薄要求提高，臨時鍵合材料成為關鍵耗材。臨時鍵合：先進封裝對減薄要求提高，臨時鍵合材料成為關鍵耗材。先進封裝中大尺寸薄化晶圓的柔性和易脆性使其很容易發生翹曲和破損，臨時鍵合與解鍵合技術應運而生，臨時鍵合膠成為關鍵耗材。根據新思界產業研究中心，2022年全球臨時鍵合膠市場約為 2.2 億美元，同比增長 8.6%。主要玩家為美國 3M、中國臺灣達興材料（兩家合計市占率40%）等，中國大陸廠商主要包括鼎龍股份、飛凱材料、深圳化訊、浙江奧首、深圳先進電子材料、華進半導體等。RDLRDL：先進封裝的基礎工藝，對：先進封裝的基礎工藝，對 P

3、SPIPSPI、光刻膠、拋光材料、靶材帶來新增量。、光刻膠、拋光材料、靶材帶來新增量。RDL 是面向 3D/2.5D 封裝集成以及 FOWLP的關鍵技術，是實現多芯片連接的基礎。RDL 涉及到多種先進材料，其中 PSPI 國內市場規模 35 億，主要由東麗工業、美國杜邦等廠商占據，國內鼎龍股份、強力新材、艾森股份等有相應布局；光刻膠全球市場預計在 2030 年達到 46 億美元，以東京應化為代表的日企合計占據全球 80%的市場，國內有布局者包括彤程新材、北京科華、晶瑞電材等；CMP材料，2022 年拋光液、拋光墊材料市場分別達到 18 億美元和 13 億美元，拋光液市場中卡博特(Cabot)、

4、日立(Hitach)等美日龍頭廠商占據全球 CMP 拋光液市場近 80%，拋光墊市場由美國 Dow 占據全球 90%的市場，國內在拋光材料布局較多的是安集科技和鼎龍股份；靶材，預計 2028 年將達到 24 億美元，日本日礦金屬、東曹、美國霍尼韋爾、普萊克斯四家企業占據了全球約 80%的市場份額，國內江豐電子、有研新材有相應布局。BumpingBumping：帶來電鍍液增量，觸發封裝基板升級。：帶來電鍍液增量，觸發封裝基板升級。Bumping 是芯片能夠實現堆疊的關鍵支撐，高品質電鍍液保證了金屬凸點的均勻性和可靠性，據 Techcet 預測，2027 年全球電鍍化學品市場規模有望達 10.47

5、 億美元，目前主要玩家仍以美國陶氏和美國樂思為主，國內有布局的廠商為上海新陽、安集科技、艾森股份、天承科技等；封裝基板在先進封裝中成本占比高，預計至 2026 年全球封裝基板市場空間將達到 214 億美元，海外主要由揖斐電、欣興電子占據主要市場，國內深南電路、興森科技等均有在技術和產能上配合大客戶延伸。TSVTSV：深孔刻蝕帶來氟基氣體需求，高性能：深孔刻蝕帶來氟基氣體需求，高性能 EMCEMC 及填料成為關鍵。及填料成為關鍵。TSV 是立體構裝的關鍵技術，其工藝核心 TSV 深孔制造需要用到 SF6、C4F8 等氟基氣體，SF6 過往集中在索爾維、關東電化等海外少數廠商中，國內企業如雅克科技

6、、昊華科技等；C4F8，美國杜邦、日本大金、昭和電工、日本旭硝、俄羅斯基洛夫工廠等均已實現工業化生產，國內華特氣體、中船特氣等企業有所突破。TSV 帶來的垂直結構使得 EMC 及填料也有相應升級，高端 EMC 全球主要由日本住友、Resonac 占據，國內布局者為華海誠科，高端球硅填料主要由雅都瑪、電氣化學壟斷，國內布局者為聯瑞新材。我們認為與大客戶配合的材料公司更有機會突破，建議關注鼎龍股份、安集科技、彤程新材、艾森股份、深南電路、興森科技、華特氣體、雅克科技、華海誠科、聯瑞新材。下游市場需求不及預期；行業競爭格局加??；技術研發和驗證進度不及預期。行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明

7、2 內容目錄內容目錄 前言：前言：“超越摩爾超越摩爾”大放異彩，先進封裝材料當予以重點關注大放異彩，先進封裝材料當予以重點關注 .5 5 一、先進封裝發展充要條件均已具備，未來復合增長有望達一、先進封裝發展充要條件均已具備，未來復合增長有望達 9.8%9.8%.5 5 1.1、什么是先進封裝：將芯片間通信問題提升至 1 級封裝層級的技術.5 1.2、為什么必須發展先進封裝：傳統封裝和 SoC 已出現瓶頸.6 1.3、先進封裝發展契機已現，六年復合增速將達到 9.8%.9 二、先進封裝帶來工藝流程變化，高端材料成為關鍵支撐二、先進封裝帶來工藝流程變化，高端材料成為關鍵支撐 .1111 2.1、臨

8、時鍵合：先進封裝對減薄要求提高，臨時鍵合材料成為關鍵耗材.12 2.2、RDL：先進封裝的基礎工藝，對 PSPI、光刻膠、拋光材料、靶材帶來新增量.14 2.3、Bumping：帶來電鍍液增量，觸發封裝基板升級.17 2.4、TSV：深孔刻蝕帶來氟基氣體需求，高性能 EMC 及填料成為關鍵.24 三、國產替代正當時，建議關注與大客戶合作的廠商三、國產替代正當時，建議關注與大客戶合作的廠商 .3232 3.1、臨時鍵合膠及拋光材料.33 3.2、光刻膠.33 3.3、靶材.34 3.4、電鍍液及配套.34 3.5、封裝基板.34 3.6、電子特氣.35 3.7、EMC 及配套填料.35 四、風險

9、提示四、風險提示 .3636 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：封裝層級示意圖.5 圖表 2：封裝技術發展示意圖：先進封裝關注點轉變為芯片間通信提升至 1 級封裝完成.6 圖表 3：傳統封裝形式中服務器 CPU 與存儲之間的信號傳輸過程示意圖.7 圖表 4：80mm2裸片在不同制程下的晶體管數量（百萬）.7 圖表 5：蘋果 M1 SoC 芯片迭代升級需要所有單元同步.7 圖表 6：芯片設計成本不斷提高（百萬美元）.8 圖表 7：芯片面積大小會影響良率.8 圖表 8：單位數量晶體管成本對比.8 圖表 9：2.5D 先進封裝架構顯著縮短芯片間通信路徑.9 圖表 10：H200 vs H100 性能對比：

10、僅提升了存儲性能.9 圖表 11：5nm 制程規?；a后 Chiplet 方案（MCM/InFO/2.5D）成本更低.9 eWMBNBhXlWeYuZaQbP7NnPqQsQrNjMoOrQjMpNwP6MnMqQuOrRtMxNqRyR行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 3 圖表 12：UCIe 成員組成.10 圖表 13：我國小芯片互聯連標準的邏輯接口示意圖.10 圖表 14：產業中應用先進封裝的規?；桨?10 圖表 15：各大廠商在 2.5D/3D 技術中的布局.11 圖表 16：全球先進封裝市場規模（十億美元）.11 圖表 17：20212027 年全球先進封裝細分市場復合

11、增速.11 圖表 18：先進封裝相對傳統封裝的工藝流程變化.12 圖表 19：臨時鍵合和激光解鍵合工藝流程示意圖.13 圖表 20：國內外臨時鍵合主要廠商布局情況.13 圖表 21：高端先進封裝方案中 RDL 成為拓展芯片對外通路的關鍵技術.14 圖表 22：聚合物為鈍化層、鍍銅為金屬層的 RDL 制造工藝.14 圖表 23：銅電鍍 RDL 工藝步驟及所需材料.14 圖表 24：銅大馬士革 RDL 工藝流程.15 圖表 25：銅電鍍 RDL 工藝步驟及所需材料.15 圖表 26：全球及國內 PSPI 主要廠商布局情況.15 圖表 27：全球及國內光刻膠主要廠商布局情況.16 圖表 28：全球及

12、國內 CMP 材料主要廠商布局情況.16 圖表 29：全球及國內靶材主要廠商布局情況.17 圖表 30：高端先進封裝方案中多處涉及到 Bumping 工藝.18 圖表 31：先進封裝中 Bumping 工藝流程.19 圖表 32：凸點材料結構示意圖.19 圖表 33：傳統封裝與先進封裝電鍍液的對比.19 圖表 34：先進封裝中常用的電鍍液類型.19 圖表 35：2027 年全球電鍍化學品市場規模有望達 10.47 億美元.20 圖表 36：國內外電鍍液主流廠商布局情況.20 圖表 37：Bumping 工藝對封裝基板提出更高的要求.21 圖表 38：封裝基板在 FCBGA 封裝制造成本中占據

13、50%的比例.22 圖表 39：先進封裝帶動封裝基板成長超越其他 PCB 類型.22 圖表 40：2022 年 FC 類型基板同比增速顯著更高.22 圖表 41：20212026 年封裝基板預期復合增速高于其他.22 圖表 42：預計 2026 年全球封裝基板規模達到 214 億美元.22 圖表 43：半加成法封裝基板市場格局.23 圖表 44：改進型半加成法封裝基板市場格局.23 圖表 45：國內兩大封裝基板廠商市占率合計 3%.23 圖表 46：國內外封裝基板主要廠商布局情況.23 行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 4 圖表 47：TSV 應用分類.24 圖表 48：2.5D 封

14、裝中 TSV 體現在中介層硅通孔.25 圖表 49：存儲芯片用 TSV 3D 封裝能夠使得體積更小.25 圖表 50：先進封裝高端方案中同時運用到 2.5D 中介層 TSV 和 3D 垂直疊構 TSV.25 圖表 51：TSV 制造工藝流程.26 圖表 52：深孔刻蝕的三種方法性能對比.26 圖表 53：硅基器件部分材料等離子體刻蝕常用化學刻蝕劑及輔助氣體.27 圖表 54：國內外電子特氣主要廠商布局情況.27 圖表 55：全球電子氣體市場格局.28 圖表 56：全球電子特氣供給占比.28 圖表 57：國內六氟化硫部分產能統計.28 圖表 58：國內四氟化碳產能統計.28 圖表 59：全球電子

15、氣體市場規模（億美元）.29 圖表 60：國內主要廠商 1922 年復合增長率.29 圖表 61：TSV 垂直疊構對 EMC 性能提出新要求，所用填料也需要改變.29 圖表 62：2024 年 HBM 所用 EMC 和填料市場空間測算.30 圖表 63：2027 年全球 EMC 市場接近 200 億元，先進封裝占比 27%.30 圖表 64：全球 EMC 國內外競爭對手對比.31 圖表 65：EMC 產業鏈決策和供應關系.31 圖表 66：全球 EMC 及填料廠商布局情況.32 圖表 67：關鍵材料市場空間及格局.32 圖表 68：重點公司估值情況（行情數據取自 2024 年 1 月 26 日

16、收盤價）.35 行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 5 “”2023 年宏觀經濟整體承壓的情況下，AI 產業鏈景氣度卻快速攀升，全球 GPU 龍頭廠商英偉達 2023 年前三季度營收同比增長 206%驗證了需求的火爆，GPU 成為了 2023 年炙手可熱的“硬通貨”。從產業鏈關系上來講，將 NVIDA A/H100 GPU 推上“硬通貨”位置的主導因素除了需求以外，供給端限制亦是關鍵所在，其中臺積電 CoWoS 產能受限更是讓市場意識到先進封裝所帶來的“超越摩爾”趨勢正在以超預期的速度打入商用市場，這也使得在先進制程發展多年后，先進封裝技術有望成為半導體行業新一輪的重要布局點。在我國半

17、導體加快布局的當前，先進封裝作為未來半導體技術必不可少的一部分，也成為了我國產業布局的重點，其中先進封裝所需材料因難度高、工藝影響大、國產化率低等因素成為了產業鏈中關注的焦點。本文將視角聚焦于先進封裝材料，以求通過剖析先進封裝相對傳統封裝的變化來說明哪些材料會迎來新增量，同時本文對我國產業當前布局情況進行了梳理，以求為讀者厘清投資脈絡。1 1.1.1、什么是先進封裝：什么是先進封裝：將芯片間通信問題提升至將芯片間通信問題提升至 1 1 級封裝級封裝層級層級的技術的技術 何為先進封裝？要理解這個問題首先要理解何為封裝。封裝技術的定義為，在半導體開發的最后階段，將一小塊材料（硅晶芯片，邏輯和存儲器

18、）包裹在支撐外殼中，以防止物理損壞和腐蝕，并允許芯片連接到電路板的工藝技術1。根據該定義，我們可以提煉出封裝的兩大關鍵作用：1）解決芯片如何與外界連接的問題；2）芯片隔絕保護與支撐。我們認為先進封裝與傳統封裝對于半導體的作用并無二致，兩者的區別在于在解決芯片與外界連接的問題上關注的重點有所不同，具體來看：1)傳統封裝，三個發展階段，即1980年以前以TO/DIP為代表的通孔插裝階段、19801990年以 QFP/SOP 為代表的表面貼裝階段、19902000 年以 WB-BGA 為代表的球柵陣列階段。該階段技術變革的重點集中在封裝主體與 PCB 之間的連接方案，即關注點在 2 級封裝技術的優化

19、，這體現出行業解決思路仍然停留在“芯片間通信需要通過 PCB 走線”的層面。2)先進封裝，兩個發展階段，即 20002010 年以 MCM 為代表的多芯片封裝階段、2010至今以 2.5D/3D 為代表的立體封裝階段。該階段技術變革的重點開始轉向優化芯片主體對外連接方式，即開始關注 1 級封裝技術的優化，最具有代表性的轉變就是芯片傳統對外連接方式 Wire Bonding 變成了 Flip Chip，這一轉變提高了 1 級封裝層面連接方式的靈活性，由此延伸出后續的 2.5D/3D 等高端先進封裝方式?？偨Y來看先進封裝就是把芯片間通信問題提升至 1 級封裝層面的技術。圖表圖表1 1：封裝層級示意

20、圖封裝層級示意圖 來源：Skhynix Newsroom，國金證券研究所 1 周曉陽.先進封裝技術J.集成電路應用,2018,35(6).行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 6 圖表圖表2 2：封裝技術發展示意圖封裝技術發展示意圖：先進封裝關注點轉變：先進封裝關注點轉變為芯片間通信提升至為芯片間通信提升至 1 1 級封裝完成級封裝完成 來源：拓璞產業研究院、上海北芯、深南電路招股說明書，國金證券研究所 1 1.2.2、為什么必須發展先進封裝：為什么必須發展先進封裝：傳統封裝和傳統封裝和 SoSoC C 已出現瓶頸已出現瓶頸 為什么半導體發展過程中必須要發展先進封裝技術？我們前文明確了先

21、進封裝是在 1 級封裝層級解決芯片間通信問題的技術，其發展的充分條件必然來自于 2 級封裝（傳統封裝）和 0 級封裝（芯片級）存在無法解決的問題。傳統封裝中芯片通信走線層級跨度傳統封裝中芯片通信走線層級跨度長長，很容易達到很容易達到效率效率瓶頸瓶頸 傳統封裝中的芯片間通信需要經過“芯片-載體-PCB 板-載體-芯片”一整套完整的流程，其中“載體”可以是 TO/DIP 形式的引線框架，也可以是 BGA 形式的封裝基板，但無論是哪種載體、無論載體的性能如何提升，整個芯片通信過程所涉及的層級太多就無法完全解決通信傳輸信號損失的問題。以傳統主流雙核服務器為例，CPU 與存儲之間、CPU 與 CPU就是

22、典型的傳統封裝的走線模式，以 CPU 與存儲之間的走線示意圖可以看到，CPU 信號需要通過封裝基板（載體）中的線路傳輸到 PCB 板，然后信號通過 PCB 板中的 PCIE 標準走線傳輸到存儲的載板（載體）上，信號通過載板線路傳遞至存儲中處理。根據“兩節點之間的傳輸損耗=傳輸距離*單位距離傳輸損耗”，傳統封裝的架構形式要求信號經過的路徑較長，即使大幅度提升載體的性能，效率瓶頸也會很快就達到。國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國

23、金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究1970s1980s1990s2000s2010s2020sTO第一階段第一階段通孔插裝型第二階段第二階段表面貼裝型第三階段第三階段球

24、柵陣列型第四階段第四階段多芯片組裝（標配FC）第五階段第五階段立體結構型10050010004000I/OI/O數量數量DIPQFPLCCSOPWB BGAQFNDiePCBDiePCBFC BGAWL CSPDie1Die2Die3Die4PCB2.5D InterposerPCBDieFO CSPMemoryLogicPCB2.5D/3D FCPCBFO SIPPCBEmbeded SiPPoP/PiPFO PoP傳統封裝階段，關注的是2級封裝層面，芯片間通信必然通過PCB板DiePCBMemoryLogicPCB先進封裝階段，1級封裝幾乎標配FC，為芯片間通信層級上升提供基礎傳統封裝傳統

25、封裝先進封裝先進封裝行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 7 圖表圖表3 3：傳統封裝形式中服務器傳統封裝形式中服務器 C CPUPU 與存儲之間的信號傳輸過程示意圖與存儲之間的信號傳輸過程示意圖 來源：華為官網，三星半導體，國金證券研究所 SoSoC C 在設計和制造方面都遇到技術和經濟效益的瓶頸在設計和制造方面都遇到技術和經濟效益的瓶頸 縮短芯片間通信距離能夠大幅度提升整個功能系統效率，SoC（Sytem on Chip）的方案將不同芯片功能集成在一顆芯片上，使得芯片間通信在零級封裝就已經完成，通信效率提升到極大水平，因此我們看到過去幾年在摩爾定律的引領下，芯片制程不斷演進，從而使得

26、單芯片上晶體管數量大幅提升。但隨著多年以來摩爾定律的推進，SoC 方案的發展在設計和制造等方面都遇到了相當大的瓶頸：1)設計瓶頸，傳統的 SoC 是將不同類型計算任務的計算單元設計在一塊晶圓上，并且每個計算單元都采用統一的工藝制程，導致 SoC 芯片上各個單元需要同步進行迭代，這樣不僅會使得系統重構風險高，同時也會使得芯片設計成本越來越高，根據行業經驗數據，設計一顆 28nm SoC 芯片成本約為 0.5 億美金，7nm 需要 3 億美金，5nm 需要 5億美金，3nm 則可能達到 15 億美金。2)制造瓶頸，當前芯片工藝制程尺寸已走向極致（3nm 至 1nm），而 1nm 的寬度僅能容納2

27、個硅原子晶格，進一步微縮就將進入量子物理范疇，將面臨量子隧穿效應等問題；同時 SoC 擠進更多功能將導致芯片面積較大，從而導致良率難以提升，從行業經驗數據來看，面積 40*40mm 的良率只有 35.7%，面積 20*20mm 的良率可上升至 75.7%，面積 10*10mm 的良率可提升至 94.2%；除此之外還存在光刻技術難以跟進、單芯片功耗和散熱問題越發突出、存儲帶寬難以跟進等問題，可見 SoC 制造難度正在加速上升。制造難度的提升導致摩爾定律逐步開始失效，根據 IBS 的統計，芯片制程下降所帶來的制造成本下降幅度已經逐步收窄，16nm到10nm每10億顆晶體管的成本可降低31%，而從

28、7nm 到 5nm 僅降低 18%、從 5nm 到 3nm 僅降低 4%。圖表圖表4 4：8080mmmm2 2裸片在不同制程下的晶體管數量（百萬）裸片在不同制程下的晶體管數量（百萬）圖表圖表5 5：蘋果蘋果 M M1 1 S So oC C 芯片芯片迭代升級需要所有單元同步迭代升級需要所有單元同步 來源：IBS，芯原股份招股說明書，國金證券研究所 來源：蘋果官網，國金證券研究所 國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究國金電子研究信號傳輸信號傳輸CPU載

29、板PCB存儲載板PCB02000400060008000100001200014000160001800016nm12nm10nm7nm7nm5nm3nmSoC16-core GPU8x Performance Cores行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 8 圖表圖表6 6：芯片設計成本不斷提高芯片設計成本不斷提高（百萬美元）（百萬美元）圖表圖表7 7：芯片面積大小會影響良率芯片面積大小會影響良率 來源：IBS，芯原股份招股說明書，國金證券研究所 來源：CNBETA，國金證券研究所 圖表圖表8 8：單位數量晶體管成本對比單位數量晶體管成本對比 制程制程 16nm16nm 10nm10

30、nm 7nm7nm 5nm5nm 3nm3nm 芯片面積（mm2）125 87.66 83.27 85 85 晶體管數量（十億個）3.3 4.3 6.9 10.5 14.1 晶?？倲?單片晶圓 478 686 721 707 707 晶粒凈產出/單片晶圓 359.74 512.44 545.65 530.25 509.04 晶圓價格($)5912 8389 9965 12500 15500 晶粒價格($)16.43 16.43 18.26 23.57 30.45 每 10 億個晶體管的成本($)4.98 3.81 2.65 2.25 2.16 來源：IBS，芯智訊，國金證券研究所 Chiple

31、tChiplet 方向下的先進封裝方案可有效彌補傳統封裝和方向下的先進封裝方案可有效彌補傳統封裝和 SoSoC C 的缺點的缺點 在傳統封裝效率不足、SoC 又遭遇設計和制造瓶頸的當下，Chiplet 指導方向下的先進封裝方案的發展成為了必然選擇。Chiplet 俗稱“芯?！?，又稱為“小芯片組”，它是將多個功能單元通過封裝而非晶圓制造的方式連接在一起的一種芯片異構手段，Chiplet 通過先進封裝的方式來實現，其可有效彌補傳統封裝和 SoC 的缺點。具體來看：1)通過 1 級封裝顯著縮短線路傳輸距離，較傳統封裝大幅度提升效率。沿用前文的例子，傳統封裝芯片間的傳輸將經歷“芯片-載體-PCB-載體

32、-芯片”這一較長的過程，而先進封裝通過在 1 級封裝加入中階層等方式縮短了芯片間傳輸距離，并且采用介電性能更好的硅材料，傳輸損耗進一步降低，以當前較常見的 2.5D 先進封裝架構來看，邏輯芯片與存儲之間的通信過程為“芯片-中階層-芯片”，通信路徑大大縮短，通信效率和功耗性能都顯著提升。2)IP 復用性高，能夠降低設計成本，提升迭代靈活度。Chiplet 通過將大規模 SoC 分解為多個小芯粒，則部分芯粒就可以做到模塊化設計，一方面 IP 可以復用、節省設計成本（例如 AMD 在第三代 Ryzen 處理器上復用了第二代 EPYC 處理器的 IOChiplet），另一方面無需整個 Chiplet

33、組合統一升級、只需部分性能升級即可達到整體效能升級的作用，提升了迭代的靈活度，例如英偉達提出的 H200 就只在 H100 的基礎上提高了存儲性能而無需改變 GPU 性能，同樣能夠使得整個芯片方案效率得以提升。3)工藝靈活性提升，可有效降低制造難度和成本。原本 SoC 上所有功能單元需要采用統一制程來制造，但 Chiplet 方案下，不同單元芯?？梢苑謩e采用不同的工藝制程制造，可有利于極大地降低芯片方案的制造成本。010020030040050060065nm40nm28nm22nm16nm10nm7nm5nm行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 9 圖表圖表9 9：2 2.5D.5D

34、先進封裝架構顯著縮短芯片間通信路徑先進封裝架構顯著縮短芯片間通信路徑 圖表圖表1010：H H200 200 vsvs H100H100 性能對比：僅提升了存儲性能性能對比：僅提升了存儲性能 性能指標性能指標 H100 SXMH100 SXM H200 SXMH200 SXM 算力 性能 FP64 34 teraFLOPS 34 TFLOPS FP64 Tensor Core 67 teraFLOPS 67 TFLOPS FP32 67 teraFLOPS 67 TFLOPS TF32 Tensor Core 989 teraFLOPS*989 TFLOPS BFLOAT16 Tensor C

35、ore 1979 teraFLOPS*1,979 TFLOPS FP16 Tensor Core 1979 teraFLOPS*1,979 TFLOPS FP8 Tensor Core 3958 teraFLOPS*3,958 TFLOPS INT8 Tensor Core 3958 TOPS*3,958 TFLOPS 存儲性能 GPU 顯存 80GB 141GB GPU 顯存帶寬 3.35TB/s 4.8TB/s 解碼器 7 NVDEC 7 JPEG 7 NVDEC 7 JPEG 最大熱設計功率(TDP)高達 700 瓦 高達 700 瓦 互連技術 NVLink:900GB/s PCle 5

36、.0:128GB/s NVLink:900GB/s PCle 5.0:128GB/s 來源：速石科技，國金證券研究所 來源：英偉達官網，國金證券研究所 圖表圖表1111：5nm5nm 制程制程規?；a后規?；a后 ChipletChiplet 方案（方案（MCM/IMCM/InFO/2nFO/2.5D.5D）成本更低）成本更低 來源：芯智訊，國金證券研究所 因此，我們認為在傳統封裝和 SoC 方案瓶頸問題日益突出的當下，先進封裝的方案已經成為了必然的發展方向。1 1.3.3、先進封裝發展契機已現，、先進封裝發展契機已現，六年復合增速將達到六年復合增速將達到 9 9.8.8%盡管 Chipl

37、et 優勢明顯，但過去一直受制于產業客觀發展因素，其一是 Chiplet 互聯標準不統一，其二是先進封裝對封裝行業提出了新的技術要求，良率和產能受限是產業規?；l展的關鍵問題。隨著產業的發展，這兩大問題已經逐漸得到解決：1)Chiplet 標準正逐步形成。2022 年 3 月，AMD、英特爾、臺積電、三星、美光、微軟、Meta、Google 等十余家半導體、互聯網公司聯合成立了 Chiplet 標準聯盟，正式推出 Chiplet 高速互聯標準 UCIe，為 Chiplet 開放提供了基礎生態；2022 年 12 月，我HBM DRAM DieHBM DRAM DieHBM DRAM DieHB

38、M DRAM DieLogic DiePHYPHYGPU/CPU/Soc DieInterposerPackage SubstrateTSVMicrobump芯片間通信路徑顯著縮短，硅介質芯片間通信路徑顯著縮短，硅介質介電性能也更優異，通信效率顯著介電性能也更優異，通信效率顯著提升提升行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 10 國推出第一個原生 Chiplet 技術標準小芯片接口總線技術要求，同樣對 Chiplet接口標準化起到推動作用。2)良率和產能問題逐漸得到解決。隨著英偉達、AMD、蘋果、英特爾、賽靈思、華為等全球各領域頂尖芯片設計廠陸續推出 Chiplet 產品方案，先進封裝技術

39、已經蔓延至人工智能、智能駕駛、AR/VR、手機通信等多個領域，已有多個先進封裝方案的產品達到幾十萬到上千萬出貨規模量級（如英偉達 GPU、蘋果 M1、特斯拉 Dojo 等），規?；桨傅某霈F表明產業上良率已經達到產業化水平，并且隨著量級的提升，產業鏈中先進封裝產能也逐步釋放（例如臺積電 CoWoS 產能隨 GPU 相關需求加速擴充），為先進封裝發展奠定基礎。圖表圖表1212：U UCICIe e 成員組成成員組成 圖表圖表1313：我國小芯片互聯連標準的邏輯接口示意圖我國小芯片互聯連標準的邏輯接口示意圖 來源：UCIe 官網，國金證券研究所 來源：小芯片接口總線技術要求，國金證券研究所 圖表圖

40、表1414：產業中應用先進封裝的規?；桨府a業中應用先進封裝的規?；桨?代表產品代表產品 封裝方案封裝方案 出貨量級出貨量級 英偉達 A/H100 CoWoS 百萬級 蘋果 M1 InFO-L 千萬級 行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 11 Tesla Dojo 十萬級 來源：英偉達官網，Semiwiki，36 氪，HKPCA 會議，特斯拉官網，InFO_SoW(System-on-Wafer)for High Performance Computing，國金證券研究所 圖表圖表1515：各大廠商在各大廠商在 2 2.5D/3D.5D/3D 技術中的布局技術中的布局 來源：Yole

41、，國金證券研究所 由此可見，先進封裝已經迎來了快速發展的契機，根據 Yole 預測，先進封裝市場在20212027 年間復合增長率將達到 9.81%，至 2027 年市場規模將達到 591 億美元，其中受益于 AI 相關的高速通信領域的發展，2.5D/3D 封裝將成為成長最快的板塊，復合增長率將達到 13.73%，至 2027 年市場規模將達到 180 億美元。圖表圖表1616：全球先進封裝市場規模（全球先進封裝市場規模（十億十億美元）美元）圖表圖表1717：2 2021021 20272027 年全球先進封裝細分市場復合增速年全球先進封裝細分市場復合增速 來源：Yole，國金證券研究所 來源

42、：Yole，國金證券研究所 先進封裝正迎來快速發展，我們認為應當重點把握先進封裝產業趨勢變化，從而厘清產業2.5D and 3D-stacked packaging*CISHybrid bonding technology used by SonyW-2-WEmbedded Si bridgeLSITSMC:InFO_LSI CoWoS_LEMIBIntel:Sapphire RapidsSi interposerInterposer Die TSVs Microbumps Flip-chip bumpsActiveIntel:FoverosCo-EMIB(EMIB+Active Si Int

43、erposer)Intel:Ponte VecchioNon activeTSMC:CoWoS_S Samsung:H-Cube I-Cube UMC3D-stacked memoryTSVs MicrobumpsHBMSamsung,SK Hynix and Micron:HBM23DSSamsung SK Hynix:3D-stacked DRAMHybrid bonding3D NANDstacksYMTC Xtack3D SoCHybrid bondingTSMC:SoIC Intel:Foveros Direct010203040506070202120222023202420252

44、0262027SiPFCCSPFCBGA2.5D/3DWLCSPFO0%2%4%6%8%10%12%14%16%2.5D/3DFCCSPFOFCBGASiPWLCSPTOTAL行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 12 變化的增量環節。我們認為先進封裝相對傳統封裝的變化主要在于兩個方面：1)FC 新增 Bumping、回流焊、底部填充環節。一般情況下，行業將 FC（Flip Chip，倒轉）作為傳統封裝和廣義先進封裝的臨界點，以結構最相近的 WB BGA 和 FC BGA 作對比，后者所代表的先進封裝相較前者所代表的傳統封裝會多出 Bumping 工序，由此延伸出回流焊、底部填充等新增工

45、序要求。2)立體組裝對減薄/拋光產生更高要求，新增 RDL、Bumping、TSV 環節。立體組裝作為第五代封裝技術，其對封裝技術提出更高的要求，以主流的 2.5D/3D 封裝為例，相對于普通的 FC BGA 來說，立體封裝工序會在晶圓檢測和切片之間存在諸多變化，其中減薄/拋光環節將面臨更高的要求，中間也會新增 RDL、Bumping、TSV 等環節，技術難度大幅提升。圖表圖表1818：先進封裝相對傳統封裝的工藝流程變化先進封裝相對傳統封裝的工藝流程變化 封裝階段封裝階段 代表技術代表技術 工藝流程工藝流程 傳統封裝 WB BGA 先進封裝 普通 FC BGA 先進封裝 高端 2.5D/3D

46、來源：深南電路招股說明書，速石科技，國金證券研究所 先進封裝技術難度提升、新增多個環節，導致工藝過程中出現了新的材料需求，并且材料性能對先進封裝工藝的影響程度大幅提升，可以說先進封裝材料成為了支撐先進封裝產業鏈發展的關鍵?？紤]到先進封裝材料的難度高、工藝影響大、國產化率低等特點，我們認為先進封裝材料是整個產業發展中重要的投資方向。2 2.1.1、臨時鍵合：、臨時鍵合：先進封裝對減薄要求提高，臨時鍵合材料成為關鍵耗材先進封裝對減薄要求提高，臨時鍵合材料成為關鍵耗材 在傳統封裝中，晶圓（正面已布好電路）在后續劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體積，改善芯片的熱

47、擴散效率、電氣性能、機械性能及減小劃片的加工量。在 TSV 工藝中，晶圓表面平坦化后，還需要進行晶圓背面的減薄使 TSV 露出，在晶圓級多層堆疊技術中，需要將多片晶圓進行堆疊鍵合，同時總厚度還必須滿足封裝設備的要求。目前較為先進的多層堆疊使用的芯片厚度均低于 100m。先進封裝中晶圓減薄主要是為了滿足 TSV 制造和多片晶圓堆疊鍵合總厚度受限的需求，有效提高芯片制造的效率和成本效益。大尺寸薄化晶圓的柔性和易脆性使其很容易發生翹曲和破損，為了提高芯片制造的良率、加工精度和封裝精度，需要一種支撐系統來滿足苛刻的背面制程工藝（除了背部研磨減薄外，還包括光刻、刻蝕、鈍化、濺射、電鍍等 RDL工藝等）。

48、在此背景下，臨時鍵合與解鍵合技術應運而生。當前在晶圓薄化趨勢持續攀升背景下，臨時鍵合技術普及率不斷提升，進而帶動臨時鍵合膠需求持續增加。臨時鍵合/解鍵合常見工藝流程：在臨時載板或晶圓上通過壓合、粘貼或旋涂等方法制造一層鍵合粘結劑，然后翻轉晶圓，使其正面與臨時載板對準，將二者轉移至鍵合腔進行鍵合，臨時鍵合完成后，對晶圓進行一系列工藝形成 RDL 等結構。最后采用不同方式的解鍵合工藝將晶圓與臨時載板分離，對二者分別進行清洗后，將晶圓轉移到劃片膜或其他支撐系統中，進行下一步工藝。晶圓檢測減薄/拋光切割貼片固化引線焊接塑封底板植球打標切單測試包裝出貨回流焊DiePCB晶圓檢測減薄/拋光切割Bumpin

49、g倒裝貼合回流焊底部填充底板植球回流焊打標切單測試包裝出貨塑封HBM DRAM DieHBM DRAM DieHBM DRAM DieHBM DRAM DieLogic DiePHYPHYGPU/CPU/Soc DieInterposerPackage SubstrateTSVMicrobump硅中階層RDLTSVBumpingRDLTSVHBM底部填充晶圓檢測減薄/拋光RDLBumpingXPUBumping倒裝貼合回流焊底部填充塑封切割底部植球回流焊打標切單測試包裝出貨行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 13 圖表圖表1919：臨時鍵合和激光解鍵合工藝流程示意圖臨時鍵合和激光解鍵合

50、工藝流程示意圖 來源：臨時鍵合技術在晶圓級封裝領域的研究進展，國金證券研究所 臨時鍵合膠（Temporary Bonding Adhesive，TBA）是把晶圓和臨時載板粘結在一起的中間層材料，熱穩定性、化學穩定性、粘接強度、機械穩定性、均一性等是臨時鍵合膠的關鍵選擇因素。臨時鍵合膠的材料性能主要是由基礎黏料的性質決定的，可用作基礎黏料的高分子聚合物材料包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光刻膠等。根據新思界產業研究中心發布的 2023-2028 年臨時鍵合膠（TBA）行業市場深度調研及投資前景預測分析報告顯示，2022 年全球臨時鍵合膠市場規模約為 2.2 億美元，同比增長 8.6%。全球范圍內，布

51、局臨時鍵合膠市場的企業主要有美國 3M、美國杜邦、美國道康寧、美國 Brewer Science、日本 TOK、英國 Micro Materials 等國際企業以及臺灣達興材料、中國大陸的鼎龍股份、飛凱材料、未上市公司深圳化訊、浙江奧首、深圳先進電子材料、華進半導體等。受技術發展影響，目前全球市場由美國 3M 與臺灣達興材料兩家企業占據主導地位，合計市場占有率已超 40%，行業集中度較高。圖表圖表2020：國內外國內外臨時鍵合主要廠商布局情況臨時鍵合主要廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 3M 美國 公司成立于 1929 年，主營業務包括粘合劑、研磨劑、電子產品

52、、顯示產品以及醫療產品等。半導體方面的應用也十分廣泛，主要有蝕刻和沉積、CMP 和晶圓加工的表面精加工材料、先進的封裝材料、用于芯片傳輸的載帶和用于晶圓摻雜和離子注入的材料。3M 的 LTHC 系列產品為臨時鍵合膠的主流應用。達興材料 中國臺灣 公司成立于 2006 年，結合友達及長興集團資源，投入電子化學材料的開發及生產，成為臺灣 LCD產業主要的上游原材料供應商。鼎龍股份 中國大陸 公司成立于 2000 年，成立之初以打印機耗材業務為主，2012 年左右開始進入半導體材料布局，目前主要產品包括半導體拋光材料、OLED 顯示材料和先進封裝材料。在先進封裝領域，公司布局臨時鍵合膠、PSPI、底

53、部填充膠等材料，與 2022 年下半年開始有樣品陸續送樣。飛凱材料 中國大陸 公司成立于 2002 年，主要產品包括屏幕顯示材料;紫外固化光纖涂覆材料，與半導體相關的業務包括：光刻膠（I 線光刻膠部分客戶量產），濕制程電子化學品（顯影液、蝕刻液、剝離液、電鍍液等）和封裝材料。針對目前半導體制造中臨時鍵合工藝的應用，公司開發出包含鍵合膠、光敏膠、清洗液的整套臨時鍵合解決方案,該方案支持熱拆解、機械拆解以及激光拆解。來源：3M 官網，達興材料官網，鼎龍股份官網，飛凱材料官網，飛凱材料公告，Wind，國金證券研究所 行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 14 2 2.2.2、R RDLDL：先

54、進封裝的基礎工藝，對先進封裝的基礎工藝，對 PSPIPSPI、光刻膠、拋光材料、靶材、光刻膠、拋光材料、靶材帶來新增量帶來新增量 RDL（重新布線層，Redistributed layer）是實現芯片水平方向電氣延伸和互連，面向 3D/2.5D 封裝集成以及 FOWLP 的關鍵技術。它在芯片表面沉積金屬層和相應的介電層，形成金屬導線，并將 IO 端口重新設計到新的、更寬敞的區域，形成表面陣列布局，實現芯片與基板之間的連接。在 3D 封裝中，如果上下是不同類型的芯片進行堆疊，則需要通過 RDL 重布線層將上下層芯片的 IO 進行對準，從而完成電氣互聯。RDL 技術使設計人員能夠以緊湊、高效的方式

55、放置芯片，從而減少器件的整體尺寸。圖表圖表2121：高端先進封裝方案中高端先進封裝方案中 RDLRDL 成為拓展芯片對外通路的關鍵技術成為拓展芯片對外通路的關鍵技術 來源：國金證券研究所 RDL 工藝和前道晶圓制造中后端布線的原理類似。RDL 的制作方式包括電鍍法、大馬士革、金屬蒸鍍+金屬剝除等，由于電鍍法成本低，被封測廠廣泛應用，而利用前道晶圓制造中的大馬士革原理的 RDL 工藝可以滿足低線寬/間距（Line/Space，L/S）的需求。隨著工藝技術的發展，RDL 金屬布線的線寬和線間距越來越小，從而提供更高的互聯密度。圖表圖表2222：聚合物為鈍化層聚合物為鈍化層、鍍銅為金屬層的鍍銅為金屬

56、層的 RDLRDL 制造工制造工藝藝 圖表圖表2323：銅電鍍銅電鍍 RDLRDL 工藝步驟及所需材料工藝步驟及所需材料 工藝工藝 材料材料 聚合物旋涂，固化 PI 或 BCB 材料、聚合物膜 光刻 光刻膠、掩膜版 刻蝕 電子特氣 去除光刻膠 光刻膠剝離液、清洗液 鍍 Ti 和 Cu/濺射鍍 Ti 和 Cu 電鍍液/靶材 重復以上步驟，制作 RDL1/2/3 等-來源：Redistribution layers(RDLs)for 2.5D/3D IC integration，國金證券研究所 來源：Redistribution layers(RDLs)for 2.5D/3D IC integra

57、tion，國金證券研究所 硅中階層RDLTSVBumpingRDLTSVHBM底部填充晶圓檢測減薄/拋光RDLBumpingXPUBumping倒裝貼合回流焊底部填充塑封切割底部植球回流焊打標切單測試包裝出貨XPU I/O RDL封裝基板PCB板XPU邏輯芯片memory stacksinterposer RDL存儲 I/ORDL行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 15 圖表圖表2424：銅大馬士革銅大馬士革 RDLRDL 工藝流程工藝流程 圖表圖表2525：銅電鍍銅電鍍 RDLRDL 工藝步驟及所需材料工藝步驟及所需材料 工藝工藝 材料材料 用 PECVD 沉積 SiO2 前驅體 涂

58、膠，光刻 光刻膠、掩膜版 等離子體介質刻蝕 電子特氣 去除光刻膠 光刻膠剝離液、清洗液 濺射鍍 Ti 和 Cu 靶材 整個晶圓上鍍 Cu 電鍍液 化學機械拋光（CMP）拋光液、拋光墊 重復以上步驟，制作 RDL1/2/3 等-來源：Redistribution layers(RDLs)for 2.5D/3D IC integration，國金證券研究所 來源：Redistribution layers(RDLs)for 2.5D/3D IC integration，國金證券研究所 RDL 生產制造中主要用到 PSPI、光刻膠、拋光材料、靶材以及一些功能性濕化學品（電鍍液、清洗液、光刻膠剝離液等

59、）。其中大部分品類，例如光刻膠、拋光液、拋光墊、靶材等都是在前道晶圓制造過程中常用的材料，先進封裝的出現使得前道材料開始應用到后道封裝中，這一高端材料下沉趨勢為競爭追趕者帶來彎道超車機會。1）感光性聚酰亞胺(PSPI)：RDL 核心材料，PSPI 因具有優異的力學性能、熱學性能、電學性能等，在半導體封裝中被應用為緩沖層材料及再布線層材料，是關鍵的制程材料和永久材料。RDL 和晶圓表面的鈍化層中介質通常需要光敏絕緣材料來制造，傳統聚酰亞胺（Polyimide，PI）需要配合光刻膠使用，采用 PSPI 工藝流程可大幅簡化。隨著國內集成電路、OLED 面板等產業需求的進一步擴大，國內 PSPI 的市

60、場規模也將持續擴增。由于 PSPI 行業技術壁壘較高，目前日本和美國企業仍占據全球PSPI 市場的主導地位。日本東麗工業株式會社（TORAY）、日本日立化學株式會社（Hitachi）、美國杜邦公司（DuPont）、美國 Futurrex 公司等為全球知名的 PSPI 生產商。國內方面，鼎龍股份、強力新材等已陸續實現 PSPI 的國產化突破。圖表圖表2626：全球及國內全球及國內 PSPIPSPI 主要廠商布局情況主要廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 東麗工業 日本 公司成立于 1926 年，是一家多元化的集團，包含紡織、塑料和化工、薄膜和化學產品、信息通信材料

61、等部門。公司是全球正性 PSPI 產品市場化最成功的企業之一，其正性產品被應用在微電子封裝、光電子封裝等多個領域。強力新材 中國大陸 公司成立于 1997 年，公司主要產品為光刻膠專用化學品，分為光刻膠用光引發劑(包括光增感劑、光致產酸劑等)和光刻膠樹脂。公司的產品按照應用領域分類，主要有印制電路板(PCB)光刻膠專用化學品(光引發劑和樹脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發劑、半導體光刻膠光引發劑及其他用途光引發劑。公司研發生產的 PSPI 目前處于下游客戶驗證階段。鼎龍股份 中國大陸 公司成立于 2000 年，成立之初以打印機耗材業務為主，2012 年左右開始進入半導體材料布局，目前主要產

62、品包括半導體拋光材料、OLED 顯示材料和先進封裝材料。在先進封裝領域，公司布局臨時鍵合膠、PSPI、底部填充膠等材料，與 2022 年下半年開始有樣品陸續送樣。公司 PSPI在 OLED 下游廠商中已經開始量產，半導體先進封裝下游驗證進展順利。來源：東麗工業官網，強力新材官網，鼎龍股份官網，Wind，國金證券研究所 2)光刻膠：先進封裝用光刻膠與晶圓制造過程中使用的光刻膠不同，封裝用光刻膠分辨率一般僅要求為微米級的厚膠、紫外光光源、436nm 的 g 線與 365nm 的 i 線。除 RDL外，在封裝基板、中介轉接板（Interposer）、TSV、Bumping 中也有應用。據集邦咨詢，2

63、022 年全球半導體光刻膠市場規模約 26.4 億美元，2023 年預計下滑 6-9%。目前全球高端半導體光刻膠市場主要被日本和美國公司壟斷，日企全球市占率約80%，處于絕對領先地位。目前主流廠商包括日本的東京應化、JSR、富士膠片、信越行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 16 化學、住友化學，以及美國杜邦、歐洲 AZEM 等。國內企業方面，彤程新材 2020 年收購北京科華正式切入半導體光刻膠領域。北京科華是國內稀缺的半導體光刻膠龍頭企業，目前 g/i 線膠、KrF 膠均已實現量產。晶瑞電材子公司蘇州瑞紅,規模生產光刻膠近 30 年,產品主要應用于半導體及平板顯示領域，目前 g/i

64、線膠可實現量產，KrF 膠完成中試，ArF 膠已經啟動研發。其他國產參與者還有華懋科技、南大光電、艾森股份等。圖表圖表2727：全球及國內光刻膠主要廠商布局情況全球及國內光刻膠主要廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 東京應化 日本 公司成立于 1940 年，主營電子功能材料和高純度化學產品。光刻膠領域 2022 年全球市場占有率超過 25%，從亞微米到高端納米的光刻膠均有覆蓋，在先進封裝用光刻膠布局有亞微米級i/gline，電鍍用光阻、FPC 工藝蝕刻光阻等。美國杜邦 日本 公司成立于 1802 年，是全球化工龍頭，涉及粉末涂料、農業、營養、電子、通訊、安全與保

65、護、家居與建筑、交通和服裝等眾多領域。在電子材料領域，公司同樣布局廣泛，2022 年光刻膠全球市占率 18%排名第二。晶瑞電材 中國大陸 公司成立于 2001 年，生產銷售微電子業用超純化學材料和其他精細化工產品，主要包括超凈高純試劑、功能性材料、光刻膠、鋰電池粘結劑、食品級消毒劑過氧乙酸等。子公司蘇州瑞紅規模生產光刻膠近 30 年，產品主要應用于半導體及平板顯示領域，目前 g/i 線膠可實現量產，KrF膠完成中試，ArF 膠已經啟動研發。彤程新材 中國大陸 公司成立于 2008 年，產品主要為橡膠用酚醛樹脂，包括增粘樹脂、補強樹脂、粘合樹脂等，廣泛應用于輪胎及其他橡膠制品制造行業。2020

66、年收購北京科華正式切入半導體光刻膠領域。北京科華是國內稀缺的半導體光刻膠龍頭企業，目前 g/i 線膠、KrF 膠均已實現量產。艾森股份 中國大陸 公司成立于 2010 年，司圍繞電子電鍍、光刻兩個半導體制造及封裝過程中的關鍵工藝環節，形成了電鍍液及配套試劑、光刻膠及配套試劑兩大產品板塊布局，產品廣泛應用于集成電路、新型電子元件及顯示面板等行業。公司在研正負膠產品目前進展良好，在實驗室評估階段與國際產品性能相當。來源：東京應化官網，美國杜邦官網，晶瑞電材官網，彤程新材官網，艾森股份官網，ifind 數據庫，國金證券研究所 3)CMP 材料：先進封裝工藝流程中，化學機械拋光（Chemical Me

67、chanical Polishing，CMP）是 RDL、TSV 工藝中的關鍵流程，用到的主要材料為拋光液和拋光墊。拋光液主要會用到兩大類：銅/阻擋層的拋光液和晶圓背面的拋光液。根據 SEMI 數據，2022 年全球半導體制造材料約 447 億美元，拋光液和拋光墊分別占比 4%、3%來計算，全球半導體用拋光液和拋光墊的市場空間分別為 18 億美元和 13 億美元。拋光液市場中卡博特(Cabot)、Versum Materials、日立(Hitach)、富士美(Fujimi)、陶氏(Dow)等美日龍頭廠商占據全球 CMP 拋光液市場近 80%。我國拋光液龍頭安集科技目前前后道拋光液應用范圍廣、滲

68、透率高，2022 年安集拋光液全球市占率接近 8%。此外鼎龍股份、上海新陽在拋光液上均有布局，2023 年開始小批量放量。拋光墊市場中，美國 Dow 全球占比 90%一家獨大，國內鼎龍股份為拋光墊龍頭，目前與長江存儲、中芯國際等國內一流晶圓廠密切合作，滲透率持續提升。圖表圖表2828：全球及國內全球及國內 CMPCMP 材料主要廠商布局情況材料主要廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 Cabot 美國 卡博特微電子 1999 年成立于美國，是全球最大的 CMP 拋光液供應商，業務以拋光液為主。Cabot產品線豐富，專用化程度高。生產的拋光液產品針對鎢、電介質（硅、

69、氧化物等）、金屬（銅、銅阻層、鋁等）等應用對象，制程覆蓋范圍廣。Dow 陶氏 美國 公司成立于 1947 年，全球化工龍頭，主要研制及生產系列化工產品、塑料及農化產品。公司電子材料事業部產品布局廣泛，下游廣泛滲透至半導體、LED、顯示面板等電子行業。半導體拋光墊領域，公司全球市占率超過 90%，一家獨大。安集科技 中國大陸 公司成立于 2006 年，目前可為客戶提供全品類 CMP 拋光液，同時積極布局功能性濕電子化學品和電鍍液及添加劑等其他產品平臺。公司目前已成為中芯國際、長江存儲等主流供應商，并成為中國臺灣地區臺積電、聯電等全球領先芯片制造商的合格供應商。2022 年全球市占率接近 8%。行

70、業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 17 鼎龍股份 中國大陸 公司成立于 2000 年，成立之初以打印機耗材業務為主，2012 年左右開始進入半導體材料布局，目前主要產品包括半導體拋光材料、OLED 顯示材料和先進封裝材料。作為國內唯一一家全面掌握CMP 拋光墊全流程核心研發和制造技術的國產供應商，公司緊抓國產化機遇，產品深度滲透國內主流晶圓廠，并成為部分客戶的第一供應商。拋光液與清洗液亦獲得了批量訂單。來源：Cabot 官網、Dow 陶氏官網、安集科技官網、鼎龍股份官網，國金證券研究所 4）靶材：先進封裝工藝流程中，靶材主要用于 Bumping 工藝中凸點下金屬層及 TSV 工藝中電鍍

71、種子層的濺射，RDL 的電鍍銅中也會有工藝路線選擇濺射鍍 Cu，從而用到靶材。由于銅和二氧化硅絕緣層兩者之間粘附性較差，一般先沉積擴散阻擋層，采用鈦及鈦合金或鉭及鉭合金材料。根據 SEMI 數據，2022 年全球半導體制造材料約 447 億美元，按靶材占比 3%來計算，全球半導體用靶材市場空間約為 13 億美元。其中日本日礦金屬、東曹、美國霍尼韋爾、普萊克斯四家企業便占據了全球約 80%的市場份額。國內江豐電子在先進制程上可以實現批量供貨，成功打破美、日壟斷，7nm 技術節點用 Al、Ti、Ta、Cu 系列靶材核心技術并實現量產應用，5nm 也實現量產，是臺積電、SK 海力士、中芯國際等全球知

72、名半導體廠商的供應商。此外有研新材核心銅系靶在中芯國際、長江存儲等客戶全面上量，占比持續提升。圖表圖表2929：全球全球及國內靶材主及國內靶材主要廠商布局情況要廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 日礦金屬 日本 公司成立于，涉足與銅、稀有金屬等有色金屬相關的尖端材料的生產和銷售，主要有薄膜材料業務、鉭鈮業務、功能材料業務、金屬再利用業務。日礦金屬在半導體靶材總全球市占率超過 30%。鉭靶、銅靶以及鎢靶全球市占率第一?；裟犴f爾 美國 公司成立于 1985 年，主營特種化學、纖維、塑料、電子和先進材料、以及交通和動力系統及產品等領域。在半導體靶材領域，高純鈦原料的制

73、備能力全球領先，鈦靶全球市占率第一，銅靶全球市占率第二。江豐電子 中國大陸 公司成立于 2005 年，為國內半導體用靶材龍頭，下游以半導體為主，平板顯示和新能源為輔。在先進制程上可以實現批量供貨，成功打破美、日壟斷，7nm 技術節點用 Al、Ti、Ta、Cu 系列靶材核心技術并實現量產應用，5nm 也實現量產，是臺積電、SK 海力士、中芯國際等全球知名半導體廠商的供應商。有研新材 中國大陸 公司成立于 1999 年，主營稀有、稀土、貴金屬、有色金屬及其合金、鍺和化合物單晶及其衍生產品、以及半導體材料、稀土材料、稀有材料、貴金屬材料、光電材料的研發生產。子公司有研億金為半導體用靶材生產企業，主營

74、銅、鎳、鈷等靶材生產。核心銅系靶在中芯國際、長江存儲等客戶全面上量，占比持續提升。來源：日礦金屬官網，霍尼韋爾官網，江豐電子官網，有研新材官網，ifind 數據庫，國金證券研究所 2 2.3 3、BumpingBumping：帶來電鍍液增量，觸發封裝基板升級：帶來電鍍液增量，觸發封裝基板升級 凸點制造（Bumping）是封裝技術中關鍵的一環，是芯片能夠實現堆疊的關鍵支撐。近幾年隨著先進封裝快速發展，從球柵陣列焊球（BGA Ball）到倒裝凸點（FC Bump），再到微凸點（Bump），凸點尺寸也在不斷縮小，技術難度也在不斷升級。從當前主流的高端新進封裝方案中，我們可以看到 HBM、XPU 以及

75、芯片組合整個封裝體對外互連時均需要用到Bumping 工藝，可見 Bumping 在先進封裝工藝中起到關鍵作用。行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 18 圖表圖表3030：高端先進封裝方案中多處涉及到高端先進封裝方案中多處涉及到 BumpingBumping 工藝工藝 來源：國金證券研究所 電鍍液電鍍液：是是 BumpingBumping 中重要耗材中重要耗材，國內多家公司開始搶位國內多家公司開始搶位 Bumping 流程涉及到濺射、RDL 等基礎工藝，凸塊制作主流是電鍍法。Bumping 技術的核心在于創建微小的金屬凸點（bumps），用于在晶圓和封裝間形成關鍵的電連接。凸點間距（p

76、itch）的精準控制在 Bumping 技術中至關重要，因為它直接影響到芯片內部電氣信號的傳輸效率以及整體封裝的密度，是實現高性能和高密度集成電路的關鍵。Bumping 工藝通常包含幾個關鍵步驟：1)濺射（Sputtering）：Bumping 流程的初始步驟，它涉及到使用高速粒子轟擊目標材料（通常是金屬），使其原子被散射并沉積到晶圓表面。這形成了一個薄薄的金屬層，為電鍍過程做準備。2)光刻（Photolithography）：在光刻步驟中，晶圓表面涂上一層光敏化學物質。通過曝光和顯影處理，形成了微型模板，定義了凸點的準確位置。3)電鍍（Electroplating）：在光刻過程后，晶圓被浸入

77、電鍍液中。通過施加電流，電鍍液中的金屬離子被吸引到晶圓的指定區域，逐漸形成凸點。4)去膠和蝕刻（Strip and Etch）：完成電鍍后，去除光刻膠并通過蝕刻技術去除凸點周圍不需要的金屬，以確保凸點的準確形狀和位置。電鍍液在 bumping 流程中起到了關鍵作用。高品質的電鍍液保證了金屬凸點的均勻性和可靠性。特別是在 RDL（重布線層）工藝中，Bumping 技術用于實現芯片與封裝基板間的精確電連接。RDL 技術要求高精度的凸點布局以及優異的電氣性能，這些都離不開高性能的電鍍液。因此，電鍍液不僅決定凸點的形成，也是確保最終產品性能和穩定性的關鍵。硅中階層RDLTSVBumpingRDLTSV

78、HBM底部填充晶圓檢測減薄/拋光RDLBumpingXPUBumping倒裝貼合回流焊底部填充塑封切割底部植球回流焊打標切單測試包裝出貨-Bumps：10-40mBumps/Cu Pillars：40-250m封裝基板PCB板XPU邏輯芯片memory stacks-Bumps：20-80mBGA BALL400800m行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 19 圖表圖表3131：先進封裝先進封裝中中 BumpingBumping 工藝流程工藝流程 圖表圖表3232：凸點材料結構凸點材料結構示意圖示意圖 來源：艾森股份招股說明書，國金證券研究所 來源：艾森股份招股說明書，國金證券研究 隨

79、著半導體封裝技術的發展，電鍍液在傳統封裝到先進封裝的應用中經歷了顯著變化。在傳統封裝中，電鍍液主要用于形成較大的凸點（通常大于 100m），以滿足低互連密度（少于 1000/mm）和單層或少層數的封裝要求，這些應用對電鍍液的要求相對較低。相比之下，先進封裝技術如 3D 封裝和系統級封裝（SiP）引入了更加復雜和細致的設計。這些技術要求電鍍液支持更高的精細度，以形成更?。ㄐ∮?20m）且更密集的金屬凸點（超過5000/mm），以適應更高的互連密度和多層（多于單層）的封裝需求。這些要求不僅提升了電鍍液的技術標準，包括精準的沉積控制和化學穩定性，還增加了電鍍液的整體用量。因此，在半導體行業向更高性能

80、和更小封裝尺寸的追求下，電鍍液的角色在先進封裝領域變得愈發重要。特別是電鍍銅液，在提供所需的細小凸點尺寸和高導電性能的同時，還滿足了更復雜封裝設計中對沉積均勻性和精確度的要求。圖表圖表3333：傳統封裝與先進封裝電鍍液的對比傳統封裝與先進封裝電鍍液的對比 圖表圖表3434：先進封裝中常用的電鍍液類型先進封裝中常用的電鍍液類型 特性特性 傳統封裝傳統封裝 先進封裝先進封裝 電鍍液類型電鍍液類型 應用特點應用特點 凸點尺寸 較大（100m）微?。?0m）電鍍銅液 導電性優異，適用于高密度凸點制作 互連密度 低（5000/mm）電鍍鎳液 增強耐磨性和抗腐蝕性，適用于封裝表面保護 層數 單層或少層數

81、多層 電鍍金液 提高凸點的抗氧化性和焊接性，適用于長期可靠性要求高的應用 用量 相對較少 隨技術復雜性提升 電鍍錫銀液 增強焊點機械強度，適用于承受熱循環和機械應力的場合 來源：IDTechEx，國金證券研究所 來源：Rapid Direct，國金證券研究 電鍍銅液作為先進封裝中的主流選擇，一大原因在于銅的優異導電性和較低成本。在高密度和精密的封裝要求下，電鍍銅液能夠提供所需的細小凸點尺寸和高導電性能。同時，銅的化學穩定性和加工易性也使得它在先進封裝技術中得到了廣泛的應用。受成本、性能和工藝的綜合因素驅動，電鍍銅液在先進封裝技術中占據了主導地位。在先進封裝的用量及性能需求的帶動下，電鍍液市場有

82、望繼續成長。為滿足高性能和高密度的要求，先進封裝技術向更多層次的封裝和互連層發展。這導致了電子器件內部更多的電鍍涂層需求，從而增加了電鍍液的使用。先進封裝通常涉及多層堆疊，包括多個互連層和封裝層。每層都需要電鍍工藝來確保良好的電連接和信號傳輸，增加了電鍍液的用量。同時，先進封裝技術追求更高的互連密度，以實現更小的封裝尺寸和更高的性能。其要求更復雜的電鍍工藝以適應更多的互連通道，進一步增加了電鍍液的需求。Techcet 2023 年8 月預測數據顯示，2023 年全球電鍍化學品市場規模將達 9.92 億美元，2027 年全球電鍍化學品市場規模有望達 10.47 億美元。行業專題研究報告 敬請參閱

83、最后一頁特別聲明 20 圖表圖表3535：2 2027027 年全球電鍍化學品市場規模有望達年全球電鍍化學品市場規模有望達 1 10.470.47 億美元億美元 來源：Techcet，國金證券研究所 目前主要玩家仍以海外為主，國內多家公司開始布局。美國陶氏和美國樂思是美國的兩大電鍍液生產商。陶氏公司主要為半導體制造和高端電子封裝提供硅通孔電鍍液材料。樂思化學市場占有率高達 80%，在全球芯片銅互連電鍍液及添加劑市場中占據主導地位。日本日原成立于 1900 年，電鍍液主要用于錫焊結合的表面處理。目前，部分國產廠商經過長時間技術積累，已成功在部分電鍍液及添加劑上完成了突破。其中，上海新陽在 90-

84、14nm 銅制程技術節點上完成了突破，并提供超高純電鍍液系列產品；安集科技在多種電鍍液添加劑在先進封裝領域已實現量產銷售；艾森股份先進封裝用電鍍銅基液（高純硫酸銅）已在華天科技正式供應、電鍍錫銀添加劑已通過長電科技的認證，尚待終端客戶認證通過、電鍍銅添加劑正處于研發及認證階段。天承科技在電鍍液主要產品包括水平沉銅專用化學品和電鍍添加劑等。圖表圖表3636：國內外電鍍液主流廠商布局情況國內外電鍍液主流廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 美國陶氏 美國 公司成立于 1897 年，從事多元化化學品制造，包括特種化學、高新材料、農業科學和塑料等業務，為全球約 180 個

85、國家和地區的客戶提供種類繁多的產品及服務，應用于包裝、電子產品、水處理、涂料和農業等高速發展的市場。2014 年，陶氏年銷售額超過 580 億美元，在 35 個國家和地區運營 201 家工廠，產品達 6,000 多種。電鍍液方向上，陶氏公司提供多種電鍍液解決方案，包括硅通孔電鍍液材料，主要用于半導體制造和高端電子封裝。美國樂思 美國 成立于 1922 年，公司專注于生產專業化學品材料，產品范圍包括功能性電鍍、裝飾性電鍍、印刷電路板用化學品和微電子材料等。在電鍍液領域，樂思化學提供包括硅通孔電鍍液材料在內的多種電鍍解決方案，服務于全球半導體和電子制造業。公司是全球銅互連電鍍液及添加劑的主要供應商

86、之一，市場占有率高達 80%，是全球芯片銅互連電鍍液及添加劑技術和市場中的主導企業之一。日本日原 日本 石原化學株式會社成立于 1900 年，員工數 264 人，從事金屬表面處理劑和設備、電子材料、汽車化工產品及工業化工產品的開發、制造和銷售的公司。電鍍液方向上，公司的金屬表面處理劑（電鍍液）用于以錫焊結合為目的的表面處理。上海新陽 中國大陸 成立于 2004 年，主要從事半導體行業所需電子化學品的研發、生產和銷售，同時開發配套的專用設備，主要產品包括晶圓制造及先進封裝用電鍍液及添加劑系列產品、晶圓制造用清洗液系列產品、半導體封裝用電子化學材料等，在上海本部、合肥一期和上?；瘜W工業區擁有大規模

87、生產能力。電鍍液方向上，已實現 90-14nm 技術節點的全面覆蓋，提供超高純電鍍液系列產品、氮化硅蝕刻液、干法蝕刻后清洗液等，滿足國內外先進封裝技術的需求。-4%-2%0%2%4%6%8%10%12%14%024681012202220232025E2027ECu InterconnectsCu Adv PkgSnAg/SnNiGrowth Rate行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 21 安集科技 中國大陸 安集微電子科技（上海）股份有限公司成立于 2006 年，是一家集研發、生產、銷售、服務為一體的自主創新型高科技微電子材料企業，主營業務為關鍵半導體材料的研發和產業化。公司產品包

88、括不同系列的化學機械拋光液和光刻膠去除劑，主要應用于集成電路制造和先進封裝領域，在上海金橋、寧波北侖設有生產基地。電鍍液方向上，公司已成功構建了針對集成電路制造及先進封裝應用的產品系列平臺。艾森股份 中國大陸 成立于 2010 年，公司主要從事電子化學品的研發、生產和銷售，包括電鍍液及配套試劑、光刻膠及配套試劑，在昆山千燈鎮設有生產基地。電鍍液方向上，公司自 2016 年起持續改進電鍍液及配套試劑產品，推出了多種優化后的產品，如環保型中性錫電鍍添加劑等，主要應用于集成電路和電子元件制造。天承科技 中國大陸 公司成立于 1997 年，從事功能性濕電子化學品的研發、生產和銷售，產品應用涵蓋普通單雙

89、面板、多層板、高頻高速板、HDI、軟硬結合板、類載板、半導體測試板到載板等高端電路產品。電鍍液方向上，天承科技主要產品包括水平沉銅專用化學品和電鍍添加劑等，公司電鍍專用化學品的產品性能具備與國際巨頭競爭的水平，可滿足高端 PCB 生產要求。來源：美國陶氏官網，美國樂思官網，日本日原官網，上海新陽公告，安集科技公告，天承科技招股說明書，艾森股份招股說明書，國金證券研究所 封裝基板：封裝基板：BumpingBumping 觸發升級，制造難度大致國產化率低觸發升級，制造難度大致國產化率低 Bumping 是廣義先進封裝區別于傳統封裝的顯著特征，該技術方法的推出使得芯片外延引腳數得以大幅提升，鍵合間距

90、也向著更小的方向發展，這也就對作為過渡層的載板的線寬線距提出更高的要求。對比傳統封裝和先進封裝中形態最接近的兩種封裝形式 WB BGA 和FC BGA 可以看到，FC BGA 的線寬線距能夠達到 812um，而 WB GBA 最低僅能夠達到 25um，可見隨著先進封裝市場的鋪開，封裝基板作為關鍵的支撐材料也將迎來升級機會。圖表圖表3737：BumpingBumping 工藝對封裝基板提出更高的要求工藝對封裝基板提出更高的要求 封裝方式封裝方式 線寬線距線寬線距 支持層數支持層數 典型尺寸典型尺寸 載板工藝載板工藝 WB BGA 2540um 26 層 2035mm 減成法 FC BGA 812

91、um 624 層 2085mm 半加成法 來源：HKPCA 會議，國金證券研究所 封裝基板是封裝材料中重要的組成部分，先進封裝帶動快速增長。封裝基板作為 1 級封裝和 2 級封裝之間的連接層，其是整個封裝制造中成本耗用最高的材料，根據 yole 數據，FCBGA 的成本結構中有 50%來自封裝基板，可見該材料的重要性。也正因如此，先進封裝的發展帶動了封裝基板顯著增長，從 2017 年以來封裝基板的成長速度顯著高于其他 PCB板類型，并且代表廣義先進封裝的 FC 類型基板的增速也相較傳統封裝所用的封裝基板要高，預計未來封裝基板市場能夠保持 8%以上的復合增速，至 2026 年全球封裝基板市場空間

92、將達到 214 億美元。PCB板封裝基板DieWB BGAPCB板封裝基板DieFC BGA引腳數更多線寬線距更小Bumping行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 22 圖表圖表3838：封裝基板在封裝基板在 F FCBGACBGA 封裝制造成本中占據封裝制造成本中占據 5 50 0%的比例的比例 來源：Yole，國金證券研究所 圖表圖表3939：先進封裝帶動封裝基板成長超越其他先進封裝帶動封裝基板成長超越其他 P PCBCB 類型類型 圖表圖表4040：2 2022022 年年 FCFC 類型基板同比增速顯著更高類型基板同比增速顯著更高 來源：CPCA 歷年數據，國金證券研究所 來源

93、：CPCA 歷年數據，國金證券研究所 圖表圖表4141：2 2021021 20262026 年封裝基板預期復合增速高于其他年封裝基板預期復合增速高于其他 圖表圖表4242：預計預計 2 2026026 年全球封裝基板規模達到年全球封裝基板規模達到 2 21414 億美元億美元 來源：CPCA 歷年數據，國金證券研究所 來源：CPCA 歷年數據，國金證券研究所 技術難度高導致國產化率低，國產替代正在加速推進。先進封裝對封裝基板的技術要求提高體現在線寬線距持續向 15/15um 以下演進，原用于普通多層 PCB 的減成法工藝將不再適用，當前先進封裝所用的高端封裝基板普遍采用半加成法工藝制造，半加

94、成法這種工藝和封裝基板，50%組裝工藝，25%組裝材料，15%Bumping，10%-20%-10%0%10%20%30%40%50%2010201120122013201420152016201720182019202020212022封裝基板-YoY其他PCB板-YoY2017年開始封裝基板增速開始超越其他PCB板0%5%10%15%20%25%30%35%FC PGA/LGA/BGAFC CSP/FC-DRAMWB PBGA/CSP模塊代表先進封裝的封裝基板品類增速明顯較高0%1%2%3%4%5%6%7%8%9%封裝基板HDI板撓性板多層板單/雙面板2140501001502002502

95、01820192020202120222026E行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 23 傳統減成法最大的不同點就在于，不再通過現成銅箔疊層蝕刻的方式去做出線路，而是通過選擇性化學沉銅/鍍銅形成目標線路。這樣的工藝方式雖然省去蝕刻所帶來的側蝕問題，但對于沉銅/鍍銅工藝的要求卻急劇上升，在制造過程中需要解決的問題包括但不限于銅線路與低粗糙度的樹脂層的結合力問題、鍍銅的均勻性問題、疊孔之前的連通性問題、精細電路閃蝕等問題，技術上的挑戰陡升。在這樣的技術壁壘壓力下，全球封裝基板主要由海外廠商壟斷，特別是技術難度較高的半加成法/改進型半加成法難見國內廠商身影，我們按照 2022 年國內已上市的

96、兩大封裝基板廠商營收數據測算，全球封裝基板市場國產化率僅個位數，可見國產化率低、國產替代空間大。圖表圖表4343：半加成法封裝基板市場格局半加成法封裝基板市場格局 圖表圖表4444：改進型半加成法封裝基板市場格局改進型半加成法封裝基板市場格局 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 全球份額全球份額 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 全球份額全球份額 Ibiden 日本 2025%SEMCO 韓國 2025%Unimicron 中國臺灣 2025%Simmtech 韓國 1015%Shinko 日本 1520%Unimicron 中國臺灣 1015%Nan Ya PCB 中國臺灣 1015%LG

97、 Innotek 韓國 1015%AT&S 奧地利 510%Daeduck Group 韓國 1015%SEMCO 韓國 510%Kinsus 中國臺灣 1015%Kinsus 中國臺灣 510%Others-1015%Kyocera 日本 510%Toppan Printing 日本 5%來源：HKPCA 會議，國金證券研究所 來源：HKPCA 會議，國金證券研究所 圖表圖表4545：國內兩大封裝基板廠商市占率合計國內兩大封裝基板廠商市占率合計 3%3%來源：CPCA 歷年數據，Wind，國金證券研究所 國內廠商積極擴產布局，跟隨下游發力國產替代。先進封裝用高端封裝基板基本上被Ibiden、

98、欣興等海外廠商壟斷，基于技術、資金、客戶等壁壘，國內廠商發展一直較緩慢。但隨著國內下游廠商在 GPU、CPU、ASIC、FPGA 等高端芯片的設計和制造能力的提高，封裝基板產業也有望打破壟斷格局，如深南電路于 2021 年 6 月開啟廣州封裝基板生產基地項目建設、計劃投資額達到 60 億元，興森科技于 2022 年 2 月設立子公司建設廣州 FCBGA封裝基板生產和研發基地、總投資額約 60 億。圖表圖表4646：國內外國內外封裝基板主要廠商布局情況封裝基板主要廠商布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 Ibiden 日本 公司于 1912 年 11 月成立，主要從事封

99、裝基板、SiC-DPF、基板固定墊、特種石墨、高溫絕緣棉等業務，現有日本工廠 15 座、海外工廠 4 座，是全球第十大的 PCB 生產廠商。先進封裝方向上，公司是全球技術最領先的封裝基板廠商，批量供應全球多家知名芯片設計廠商先進封裝發方案，在當前先進封裝所用 SAP 工藝位列全球第一。國內No.1：深南電路2%國內NO.2：興森科技1%97%行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 24 欣興電子 中國臺灣 公司于 1990 年 1 月成立，主要從事硬板 PCB、HDI 板、IC 載板業務，現有中國臺灣工廠 13 座、中國大陸工廠 5 座，是全球第二大 PCB 生產廠商。先進封裝方向上，公司

100、是全球前二的封裝基板廠商，技術全面覆蓋 SAP、mSAP、減成法，是全球先進封裝用封裝基板的主要供應商。深南電路 中國大陸 公司于 1984 年 7 月成立，主要從事高多層 PCB、封裝基板、電子裝聯業務，目前在深圳、無錫、南通、廣州等地設立生產基地，是全球第九大 PCB 生產廠商。先進封裝方向上，公司無錫工廠配備 FCCSP 封裝基板工藝，當前也在加快研發 FCBGA 封裝基板，未來計劃在廣州基地形成 FCBGA量產能力。興森科技 中國大陸 公司于 1999 于 3 月成立，主要從事 PCB 小批量/樣板、封裝基板、半導體測試板業務，目前在深圳、珠海、廣州等地設立生產基地，在全球 PCB 產

101、業中排名第 31 位。先進封裝方向上，公司珠海工廠配備 FCCSP、FCBGA 封裝基板工藝，未來將在廣州基地進一步擴充 FCBGA 技術和生產能力。來源：CPCA 歷年數據，揖斐電官網，欣興電子官網，深南電路官網，興森科技公告，iFind 數據庫，國金證券研究所 2 2.4 4、T TSVSV：深孔刻蝕帶來氟基氣體需求，高性能深孔刻蝕帶來氟基氣體需求，高性能 E EMCMC 及填料成為關鍵及填料成為關鍵 硅通孔技術（Through Silicon Via，TSV）是通過導穿硅晶圓或芯片實現多層垂直互連的技術。目前 TSV 技術主要應用于 3 個方向，即垂直背面連接、2.5D 封裝、3D 封裝

102、，其中垂直背面連接主要應用在 CIS、SiGe 功率放大器，技術難度相對較低；2.5D 中 TSV 的應用體現在中介層（interposer）的硅通孔制作，服務于用作多芯片間（例如 GPU 與存儲之間）水平連接的載體，技術難度較高；3D 封裝中 TSV 技術的應用體現在芯片上直接進行硅通孔制作，目前常見于高帶寬存儲芯片（如 HBM），技術難度高。從當前主流的高端先進封裝方案來看，中介層和芯片內部硅通孔技術都已經得到廣泛的應用，特別是在解決高帶寬存儲（存儲間通信）、存儲與算力芯片間通信的問題上起到關鍵作用。圖表圖表4747：T TSVSV 應用分類應用分類 CategoryCategory Pr

103、oductProduct TSV TSV pitchpitch Wafer Wafer thicknessthickness CompanyCompany 1st year 1st year productproduct -Ground connection SiGe power amp IBM 2007 GaAs power FET Fujitsu Backside bond pad Frontside image sensor 125m 70m Toshiba、ST、Sharp、Omnivision Backside image sensor Samsung、Toshiba MEMS ST

104、 2011 Accelerometer VTI MEMS oscillator SiTime、Discera Pressure sensor Infineon 2.5D interposer FPGA 45 m 100m Xilinx/TSMC 2010 ADC/DSP Semtech/IBM 3D stacked die Image sensor Sony Wide I/O DRAM 50m Samsung、Elpida、Micron 2010、2011、2013 來源：An Overview of Through-silicon-via Technology and Manufacturi

105、ng Challenges，國金證券研究所 行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 25 圖表圖表4848：2 2.5D.5D 封裝中封裝中 TSVTSV 體現在中介層硅通孔體現在中介層硅通孔 圖表圖表4949：存儲芯片用存儲芯片用 T TSV 3DSV 3D 封裝能夠使得體積更小封裝能夠使得體積更小 來源：安靠官網文件TSV-TS107-CN，國金證券研究所 來源：An Overview of Through-silicon-via Technology and Manufacturing Challenges，國金證券研究所 圖表圖表5050：先進封裝高端方案中先進封裝高端方案中同時運

106、用到同時運用到 2 2.5D.5D 中介層中介層 T TSVSV 和和 3 3D D 垂直疊構垂直疊構 TSVTSV 來源：國金證券研究所 電子特氣：電子特氣：T TSVSV 造孔造孔難度難度高，高，深硅刻蝕帶來氟基特氣增量深硅刻蝕帶來氟基特氣增量 TSV 孔制造是核心部分。從工藝流程的角度（以 2.5D interposer 為例），TSV 制造可以分為三大部分，即 TSV 孔制造、正面制程（大馬士革工藝）、背面制程（露銅刻蝕和 RDL 制程），其中正面制程和背面制程可沿用前道和先進封裝已部署的制程工藝，產業能力有一硅中階層RDLTSVBumpingRDLTSVHBM底部填充晶圓檢測減薄/拋

107、光RDLBumpingXPUBumping倒裝貼合回流焊底部填充塑封切割底部植球回流焊打標切單測試包裝出貨3D TSV2.5D interposeer TSV封裝基板PCB板XPU邏輯芯片memory stacks行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 26 定的儲備；但 TSV 造孔因涉及到深孔刻蝕和填充問題，對傳統的工藝提出了新的挑戰，成為了 TSV 制造過程中決定性能的核心部分。圖表圖表5151：T TSVSV 制造工藝流程制造工藝流程 來源：高密度 2.5D TSV 轉接板關鍵技術研究，國金證券研究所 TSV 孔制造主要包括深孔刻蝕及清洗、絕緣層/阻擋層/種子層沉積、深孔填充，其中

108、深孔刻蝕及清洗會涉及到氟基材料，沉積會涉及到 SiO2、SiN、SiNO、Ti、Ta、TiN、TaN 等材料，深孔填充主要涉及到電鍍液材料。氟基材料值得高度重視。TSV 深孔刻蝕工藝可分為激光打孔、濕法刻蝕、干法刻蝕（深反應離子刻蝕，DRIE），其中 DRIE 技術中的 Bosch 刻蝕具有更好的深寬比效果而成為 TSV 中常用的工藝手法。Bosch 刻蝕中關鍵的材料主要在于電子特氣，Bosch 刻蝕中主要采用六氟化硫（SF6）等進行刻蝕，采用四氟化碳（C4F8）等進行側壁覆蓋。圖表圖表5252：深孔刻蝕的三種方法性能對比深孔刻蝕的三種方法性能對比 深孔刻蝕工藝深孔刻蝕工藝 濕法刻蝕濕法刻蝕

109、激光刻蝕激光刻蝕 深反應離子刻蝕深反應離子刻蝕 定位精度 掩模版決定 傳遞裝置決定,約幾微米 掩模決定 深寬比 1:601:1 1:7 1:80 通孔精度 非常好 好 一般 刻蝕的孔徑 大 10m 1m 成孔精度 亞微米 約 10m 亞微米 側壁垂直度 不好 一般 優 刻蝕效率 高 低 高 成本 低 一般 高 來源：碳谷云，國金證券研究所 SF6 是性能優異的電力絕緣氣體及電子刻蝕清洗氣體。六氟化硫由電解產生的氟氣與硫磺在高溫下反應制得，化學性能極不活潑，具有優良的絕緣性能和減弧能力，在工業領域被廣泛應用于輸配電及控制設備行業。高純六氟化硫在激發為等離子體時會形成反應性極強的氟原子和硫氟化物自

110、由基，因此它可作為一種具有很強腐蝕性的工藝氣體，應用于半導體材料的刻蝕清洗。TSV孔制造正面制程背面制程行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 27 CF4 是微電子工業中用量最大的等離子蝕刻氣體。四氟化碳可通過電解產生的氟氣與碳在高溫下反應制得，在正常條件下是完全惰性的氣體，但在等離子體中會形成游離的氟原子和 CF2-、CF3-自由基，具有非常強的刻蝕作用，是目前微電子工業中用量最大的等離子蝕刻氣體，可廣泛用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的刻蝕，在集成電路清洗、電子器件表面清洗、深冷設備制冷、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態等方面也大量使用

111、。C4F8 一種化學性質穩定且用途十分廣泛的氟碳類特種氣體。在集成電路制造的刻蝕工藝和清洗工藝中有著廣泛的應用。隨著電子產業的快速發展，電子工業中，高純八氟環丁烷的需求日益增加，尤其在深硅刻蝕、低介電薄膜刻蝕和原子尺度刻蝕工藝等領域有著巨大的潛在應用前景。例如，在具有高深寬比的深硅刻蝕工藝中，它具有控制精度高、大區域 好、刻蝕垂直特性好、材料損耗低等優點，能夠滿足未來集成電路元器件尺寸小型化、功能性增強、存儲能力增大的發展要求。圖表圖表5353：硅基器件部分材料等離子體刻蝕常用化學刻蝕劑及輔助氣體硅基器件部分材料等離子體刻蝕常用化學刻蝕劑及輔助氣體 刻蝕材料刻蝕材料 刻蝕劑刻蝕劑 輔助氣體輔助

112、氣體 簡注簡注 Si Cl2、HBr、SF6、NF3 O2 對 SiO2 的刻蝕選擇性 SiO2 CF4、C4F8、CHF3、NF3 H2、O2、CO2 對硅的刻蝕選擇性 Si3N4 CF4、NF3、CHF3、SF6 H2、CO2 需調節對硅、SiO2 兩者的選擇性 高分子膜 O2 CF4、C2F6 添加氟化物有利于提高刻蝕速率 Al Cl2 BCl3、SiCl4 需先刻蝕清除 Al2O3 Al(Cu)Cl2 BCl3、SiCl4 離子轟擊有利于清除銅 W CF4、SF6 O2 Cr Cl2、CHCl3 O2 典型 O2 含量近 1:4 Au Cl2 調節溫度與離子能量 TiSi CCl2F2

113、 H2、CO2 需降低 O2 含量 WSi2 CF4、SF6 O2 MoSi2 Cl2、SF6、CF4 O2 來源：硅基集成芯片制造工藝原理，國金證券研究所 電子特氣海外高度壟斷。全球主要氣體公司主要有林德、法液空、空氣產品、日本酸素這四家海外巨頭，根據中船特氣招股書統計，四大海外巨頭在電子氣體市場合計市場份額超過 70%。具體到電子特氣，除了上述四大海外巨頭以外，還有默克、SK Materials、關東電化、昭和電工等海外廠商占據主要市場，根據 BCG 的統計，2021 年中國大陸占全球電子特氣供給的 17%，并且目前用于集成電路生產的電子特氣，我國僅能生產約 20%的品種，可見在電子特氣市

114、場我國企業仍處于追趕的過程。先進封裝為國內廠商提供彎道超車機會。先進封裝關鍵工序 TSV 的刻蝕主要用到 SF6、CF4、C4F8 等氟碳類電子特氣。國內企業憑借持續的研發與成本優勢，在這些氟碳類氣體中逐步取得競爭優勢。SF6 過往集中在索爾維、關東電化等海外少數廠商中，但 16 年國內的全球市場份額已超過 70%，并在逐步突破電子類客戶，代表企業如雅克科技、昊華科技等；CF4 供應商主要集中在日本和中國，如關東電化、昭和電工、雅克科技、昊華科技、華特氣體、南大光電等；C4F8 海外起步較早，日美國杜邦、日本大金、昭和電工、日本旭硝、俄羅斯基洛夫工廠等均已實現工業化生產，近年來華特氣體、中船特

115、氣等企業逐步實現國產化突破。圖表圖表5454：國內外國內外電子特氣電子特氣主要主要廠商廠商布局情況布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地區 布局情況布局情況 林德 德國 主要產品包括氧氣、氮氣、氬氣、稀有氣體、碳氧化物、氦氣、氫氣等。18 年并購普萊克斯，成為全球最大的工業氣體企業。法夜空 法國 主要為冶金、化工、能源等行業客戶供應氧氣、氮氣、氬氣、氫氣、一氧化氮等產品，也為汽車、制造業、食品、醫藥、科技等行業客戶提供工業氣體、制氣設備、安全裝置等。行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 28 空氣產品 美國 主營業務為銷售和服務空分氣體、特種氣體、氣體設備等。主要產品為大宗氣體與稀有

116、氣體。2016 年 10 月，將服務于半導體制程行業的化合物特種氣體業務剝離。日本酸素 日本 在亞洲、歐洲、北美等地設有 30 多家子公司，主營業務覆蓋鋼鐵、化工、電子、汽車、建筑、造船、食品和醫藥等多個領域?？商峁┈F場制備氣體和儲存氣體相關設備業務。昭和電工 日本 主營業務涉及石油、化學、無機、鋁金屬、電子信息等多種領域。產品包括高純四氟甲烷、三氟甲烷、二氟甲烷、六氟乙烷、三氯化硼、氯、溴化氫、六氟化硫、氨等。華特氣體 中國大陸 主營業務以特種氣體的研發、生產及銷售為主；主要產品包括高純六氟乙烷、高純四氟化碳、高純二氧化碳、高純一氧化碳、高純氨、高純一氧化氮等。雅克科技 中國大陸 主營業務包

117、括電子材料、液化天然氣保溫板材和阻燃劑，電子材料包括半導體前驅體材料/旋涂絕緣介質（SOD）、電子特種氣體、半導體材料輸送系統（LDS）、光刻膠和硅微粉等產品。昊華科技 中國大陸 主營業務分為高端氟材料、電子化學品（含電子特種氣體）、航 空化工材料、工程及技術服務四大板塊。在電子特種氣體領域，產品主要為三氟化氮、四氟化碳、六氟化硫等。南大光電 中國大陸 主營業務為先進前驅體材料、電子特氣、光刻膠及配套材料等三大關鍵半導體材料的研發、生產和銷售。在電子特種氣體領域，產品主要包括氫類和含氟電子特氣。金宏氣體 中國大陸 主營業務特種氣體、大宗氣體和天然氣。主要特種氣體產品超純氨、氫氣、氧化亞氮、氦氣

118、、混合氣、醫用氣體、碳氟氣體等。來源：中船特氣招股說明書，國金證券研究所 圖表圖表5555：全球全球電子氣體市場格局電子氣體市場格局 圖表圖表5656：全球電子特氣供給占比全球電子特氣供給占比 來源：億渡數據，林德官網，法夜空官網，空氣產品官網，日本酸素官網，Wind數據庫，國金證券研究所 來源：BCG，國金證券研究所 圖表圖表5757：國內六氟化硫國內六氟化硫部分產能統計部分產能統計 圖表圖表5858：國內四氟化碳產能統計國內四氟化碳產能統計 來源：華經情報網，南大光電官網，國金證券研究所 來源：福建德爾招股書，雅克科技公告，昊華科技官網，華特官網，永晶化工官網，智研咨詢，國金證券研究所 1

119、8%18%7%4%1%53%法液空林德空氣產品日本酸素國內上市公司其他10%28%2%17%30%9%5%美國歐洲日本中國烏克蘭俄羅斯其他0200040006000800010000120001400005001000150020002500行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 29 圖表圖表5959：全球電子氣體市場規模（億美元）全球電子氣體市場規模（億美元）圖表圖表6060：國內主要廠商國內主要廠商 1 19 9 2222 年復合增長率年復合增長率 來源：TECHCET，國金證券研究所 來源：Wind，國金證券研究所 EMCEMC 及填料：及填料：3 3D D T TSVSV 垂直疊

120、構對垂直疊構對 EMCEMC 分散性和散熱性能提出更高要求分散性和散熱性能提出更高要求 當前運用 TSV 技術的場景主要在 2.5D 硅中階層和 3D 垂直疊構，其中 3D TSV 的特點在于通過垂直疊構的方式縮短了芯片間通信距離，相較于傳統水平排布的方式，外圍用于塑封的 EMC 及內部填料料也需要相應的升級，一方面垂直疊構導致塑封的高度顯著高于傳統單芯片的塑封高度，較高的高度要求外圍塑封料要有充分的分散性，則 EMC 就要從傳統注塑餅狀變為撒粉顆粒狀的顆粒狀環氧塑封料（GMC，Granular Molding Compound）和液態塑封料（LMC，Liquid Molding Compou

121、nd），對于 EMC 廠商，這樣的升級需要在配方中同時兼顧分散性和絕緣性，配方難度較大；另一方面采用 TSV 方式連接的芯片需要一起塑封，則單個塑封體中的運算量急劇上升，從而帶來較大的發熱問題，需要大量使用 low 球鋁和球硅來保證快速散熱和控制熱膨脹問題。以 HBM 為例，1 顆 HBM 中將搭載 48 顆甚至更多芯片，封裝高度高且存儲帶寬大，需要用添加 low 球硅/球鋁的 GMC/LMC 來做塑封外殼。圖表圖表6161：TSVTSV 垂直疊構垂直疊構對對 E EMCMC 性能提出新要求，所用填料也需要改變性能提出新要求，所用填料也需要改變 來源：速石科技，國金證券研究所 當前運用 3D

122、TSV 疊構的案例主要就是 HBM，根據集邦咨詢預估，2024 年全球 HBM 市場將達到 89 億美元，其中 HBM 所用 EMC 和填料的市場空間計算，我們將通過“EMC 市場價值/HBM 市場價值”和“填料市場價值/HBM 市場價值”兩個變量進行測算。市場價值市場價值=市場價值封裝市場價值封裝市場價值市場價值 填料市場價值市場價值=填料市場價值市場價值市場價值封裝市場價值封裝市場價值市場價值 其中，由于 HBM 屬于較為細分領域，未有公開數據給出針對 HBM 的相關成本數據，我們參-4%-2%0%2%4%6%8%10%01020304050607080901002017201820192

123、020202120222023E2027E全球電子氣體市場規模（億美元）yoy（%）0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%0102030405060702019202020212022國內主要上市公司特氣收入合計（億元，左軸）yoy（%，右軸）HBM DRAM DieHBM DRAM DieHBM DRAM DieHBM DRAM DieLogic DiePHYPHYGPU/CPU/Soc DieInterposerPackage SubstrateTSVMicrobump封裝高度明顯高于傳統封裝，對EMC分散性提出要求計算量較大，需要填充low 球鋁和球硅提升散熱性能和控制

124、膨脹行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 30 考整體的封裝市場數據，分別借鑒華海誠科和甬矽電子招股說明書披露數據計算得到的“填料采購額/EMC 收入”比例、“EMC 采購額/封裝收入”比例，再參考中國半導體行業協會、美國半導體行業協會披露的中國封測市場和中國半導體銷售市場的數值計算出“封裝市場價值/半導體市場價值”比例，則最終計算出“EMC 市場價值/半導體市場價值”和“填料市場價值/半導體市場價值”比例分別為 0.3%和 0.04%，由于 HBM 中對 EMC 和填料的要求較高、價值量相對普通產品更高，因此我們假設 HBM 中“EMC 市場價值/半導體市場價值”和“填料市場價值/半導

125、體市場價值”比例提升 10 倍和 30 倍至 3%和 1.2%，則根據集邦咨詢預估 2024 年全球 HBM 市場價值為 89 億美金，計算可得 2024 年 HBM 所用 EMC 價值空間為 2.6 億美元、所用填料價值空間為 1.1 億美金，作為材料單品而言是相對較大、利潤較豐厚的市場。圖表圖表6262：20242024 年年 H HBMBM 所用所用 E EMCMC 和填料市場空間測算和填料市場空間測算 來源：36 氪，集邦咨詢，華海誠科招股說明書，甬矽電子招股說明書，Wind，中國半導體行業協會，美國半導體行業協會，國金證券研究所 實際上，除了 TSV 對 EMC 材料提出新的要求外，

126、先進封裝層級提升同樣會帶來 EMC 市場擴大，根據我們前期發布報告先進封裝 EMC 復合增長 11%，國產替代正當時我們預計至2027 年全球 EMC 市場將達到 194 億元，20222027 年五年復合增速達到 4%，其中先進封裝市場將達到 52 億元、復合增速 11%，可見在先進封裝趨勢的帶動下，EMC 及填料市場將迎來快速成長。圖表圖表6363：2 2027027 年全球年全球 E EMCMC 市場接近市場接近 2 20000 億元，先進封裝占比億元，先進封裝占比 2 27 7%序號序號 計算項目計算項目 20212021 20222022 2023E2023E 2024E2024E

127、2025E2025E 2026E2026E 2027E2027E 備注備注 (1)(1)EMCEMC-傳統封裝傳統封裝 億元億元 117 117 126 126 133 133 136 136 138 138 140 140 142 142 （2 2）*（3 3）*（4 4）*（5 5）(2)傳統封裝-市場規模 億元 3,208 3,454 3,646 3,741 3,776 3,844 3,899 假設 1(3)傳統封裝-營業成本/營業收入%73%73%73%73%73%73%73%假設 2(4)傳統封裝-直接材料/營業成本%38%38%38%38%38%38%38%假設 3(5)傳統封裝-

128、EMC/直接材料%13%13%13%13%13%13%13%假設 4(6)(6)EMCEMC-先進封裝先進封裝 億元億元 28 28 31 31 35 35 39 39 43 43 47 47 52 52 （7 7）*（8 8）*（9 9）*（1010）(7)先進封裝-市場規模 億元 2,305 2,497 2,839 3,181 3,461 3,824 4,213 假設 5(8)先進封裝-營業成本/營業收入%76%76%76%76%76%76%76%假設 6(9)先進封裝-直接材料/營業成本%33%33%33%33%33%33%33%假設 7（10）先進封裝-EMC/直接材料%5%5%5%5

129、%5%5%5%假設 8（1111）EMCEMC-全球全球 億元億元 145 145 157 157 168 168 175 175 180 180 187 187 194 194 （1 1）+（6 6）（12）EMC 傳統封裝占比%81%80%79%78%76%75%73%（1）/（11）（13）EMC 先進封裝占比%19%20%21%22%24%25%27%（6）/（11）來源：Semiconductor Engineering，氣派科技招股說明書，甬矽電子招股說明書，國金證券研究所 海外廠商規模大且占據高端市場，先進封裝國產化率幾乎為 0。在全球 EMC 市場競爭中，海外廠商（主要是日系廠

130、商）目前仍然處于主導地位，主要體現在兩個方面：1）日系廠商占據主要產能，全球主要兩大具有壟斷性地位的EMC廠商住友電木和Resonac合計產能超過 10 萬噸，占據全球 EMC 市場主要產能，而國內上規模的 EMC 廠商2僅衡所華威、華海誠科、科化新材料、飛凱材料，可見從規模上海外廠商仍處主導地位；2）海外廠商把持高端市場，從產品結構上來看，全球EMC 龍頭住友電木的產品覆蓋全面，而華海誠科尚未有先進封裝類 EMC 的批量產品供應，目前全球高端 EMC 市場仍然被海 2 原先國內上規模的 EMC 廠商還包括中鵬新材，但近兩年該廠商因經營不善已經關閉產線。數值891%23%0.3%15%0.04

131、%2.61.1填料價值/半導體市場價值作為HBM價值占比的參考HBM用EMC價值空間作為HBM價值占比的參考HBM用填料價值空間作為HBM價值占比的參考封裝市場價值/半導體市場價值參考中國封測市場和半導體銷售額比例EMC/半導體市場價值作為HBM價值占比的參考填料價值/EMC市場價值參考華海誠科指標單位/注釋預估2024年HBM市場價值億美元EMC市場價值/封裝市場價值參考甬矽電子行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 31 外廠商壟斷。綜合來看，全球 EMC 市場競爭中，海外廠商無論是在產能規模（量能）還是在產品結構（價能）上，相較大陸廠商更有競爭優勢，特別是在先進封裝領域，國產化率幾乎

132、為 0，可見國產產品在全球 EMC 市場仍然任重而道遠。圖表圖表6464：全球全球 E EMCMC 國內外競爭對手對比國內外競爭對手對比 E EMCMC 等級等級 應用類型應用類型 封裝技術類型封裝技術類型 國外品牌產品國外品牌產品 國內品牌產品國內品牌產品 基礎類 DO/DIP/SMX/橋塊 傳統封裝 已基本退出 主導地位 TO 傳統封裝 基本相當 基本相當 高性能類 SOT/SOP/SOD 傳統封裝 基本相當 近幾年快速替代 QFN 傳統封裝 主導，在高電壓細分領域較領先 少量銷售 先進類 BGA 先進封裝 壟斷地位 國產化幾乎為 0 MUF/FOWLP 先進封裝 壟斷地位 國產化幾乎為

133、0 來源：華海誠科招股說明書，國金證券研究所 設計廠主導國產替代，國內廠商已有技術突破。雖然當前國內 EMC 廠商在全球的競爭關系中仍處于弱勢，但隨著全球貿易摩擦、國家間供應禁令頻出，我國終端設計廠商逐漸意識到上游關鍵材料國產化勢在必行。從產業鏈的供應關系來看，EMC 供應給封裝廠、封裝廠將芯片用 EMC 封裝好后交給終端設計廠，但如果從決策鏈上來看，終端設計廠通常在高端產品會自主驗證 EMC 型號產品，然后指定封裝廠用特定廠商的 EMC，因此隨著國內終端設計廠主動推進導入國產 EMC 進程，大陸 EMC 廠商有望加速布局先進封裝類產品。圖表圖表6565：E EMCMC 產業鏈決策和供應關系產

134、業鏈決策和供應關系 來源：國金證券研究所 配方型產品需要廠商和終端用戶配合才能不斷精進技術指標和產品一致性，在終端廠商加快大陸廠商導入進程的背景下，國內已有廠商在高端類產品實現了一定的突破，如華海誠科 FC、SiP 以及涉及到高端技術產品的 GMC/LMC 的 FOWLP/FOPLP 封裝都有一定的突破，國際貿易摩擦加劇的趨勢下，當前正是國產 EMC 快速國產替代的好時機。相比國產 EMC 環節，填料環節的高端化發展進度更快，最具代表性的就是聯瑞新材成功在EMC 填料環節進入全球主要 EMC 客戶的核心供應中，公司已同世界級半導體塑封料廠商住友電工、日立化成、松下電工、KCC 集團、華威電子建

135、立了合作關系。除聯瑞新材以外，壹石通目前已完成研發、在向產業化生產線過渡的 Low-射線球形氧化鋁產品，根據公司公告稱，公司能夠滿足下游客戶對 Low-射線控制、納米級形貌、磁性異物控制的更高要求，填補國內空白、打破國外壟斷，推動國內高端芯片封裝材料的產業升級。壹石通已經規劃新建的年產 200 噸高端芯片封裝用 Low-球形氧化鋁項目，目前日韓客戶已陸續送樣驗證。封裝廠終端設計廠供應關系供應關系EMC高端產品低端產品決策關系決策關系行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 32 圖表圖表6666：全球全球 E EMCMC 及填料及填料廠商廠商布局情況布局情況 主要廠商主要廠商 所屬地區所屬地

136、區 布局情況布局情況 住友電木 日本 1932 年電木部門從三共株式會社獨立出來，后于 1955 年與住友化工合并，成立住友電木。公司是全球最大的環氧塑封料廠商，在該領域有悠久的供應歷史，具有傳統的領先地位，分別在日本、中國大陸、中國臺灣等地設立工廠。在先進封裝方向上，公司擁有較大的市場影響力，基本壟斷應用于 FO、SiP、GMC、MUF 等先進封裝領域的塑封料市場。Resonac 日本 起源于 1908 年的 Sobo Marine Products KK，后通過內生和外延方式構建昭和電工株式會社事業群，2020 年收購日立化成后進入環氧塑封料行業，事業群統一更名為 Resonac。前日立化

137、成是全球第二大的環氧塑封料廠商，分別在日本、中國大陸、中國臺灣等地設有工廠。在先進封裝方向上，公司產品涵蓋 BGA、FO、SiP、GMC 等產品，在全球范圍內具有領先地位。華海誠科 中國大陸 公司于 2010 年 12 月成立，是國內第一梯隊的環氧塑封料廠商，產品種類覆蓋 DIP、TO、SOT、SOP、QFN、BGA、FC、SiP，其中 SOT/SOP 產品是內資中少有已經達到外資廠商水平的廠商。先進封裝方面，公司 FC、SiP 等產品已經通過部分客戶驗證，GMC 已通過客戶驗證，LMC 仍在客戶驗證過程中。聯瑞新材 中國大陸 公司于 2002 年 4 月成立，是全球球形硅微粉龍頭廠商，也是國

138、內球硅規模最大的廠商，覆蓋 DIP到 MUF 全系列封裝產品所用球硅，量產產品 cut 點從 135um 到 20um，正在研發亞微米級球硅產品。先進封裝方面，公司依據全球龍頭客戶資源，深度參與先進封裝所用 1220um cut 點產品，同時配合海外客戶研發 low 球硅/球鋁產品，是國內在 EMC 產業布局最完善的填料廠商。來源：住友電木官網，Resonac 官網，iFind 數據庫，國金證券研究所 圖表圖表6767：關鍵材料市場空間及格局關鍵材料市場空間及格局 市場空間市場空間 預期增速預期增速 海外公司市占率海外公司市占率 國內公司市占率國內公司市占率 臨時鍵合膠 2022 年全球市場約

139、 2.2 億美元 2023-2029 年復合增速 9.8%美國 3M，臺灣達興材料合計占比超40%國產鼎龍股份、飛凱材料在驗證導入階段 PSPI 膠 2021 年全球市場 1.3 億美元 2021-2027 年復合增速14.7%東麗工業 TORAY，日本日立Hitachi，美國杜邦，美國 Futurrex 鼎龍股份、強力新材 光刻膠 2022 年市場26.4 億美元 2022-2027 年復合年增長率4.1%東京應化 25.6%，美國杜邦 17.6%，日本 JSR 15.8%，住友化學：10.4%彤程新材、南大光電、華懋股份等均在驗證導入階段 靶材 2022 年全球市場約 13 億美元 202

140、3-2029 年復合增速 4.6%日礦金屬 30%，霍尼韋爾 20%，東曹20%，普萊克斯 10%江豐電子鈦靶全球市占率領先；有研新材國內銅靶進展領先 CMP 材料 2022 年全球拋光液 18 億美元，拋光墊 13億美元 拋光材料2023-2030 年復合增長 6.4%Cabot、陶氏、Fujimi 等 拋光液安集科技 2022 年國內市占率約 40%；拋光墊鼎龍股份國內市占率約 25%-30%電鍍液 2023 年全球電鍍化學品市場規模將達 9.92 億美元，2027 年全球電鍍化學品市場規模有望達10.47 億美元。預計 2024 年增速為 5.6%2022 年美國陶氏、美國樂思、日本石原

141、等海外廠商仍處于領先位置，在細分領域掌握絕大部分市場份額 2022 年上海新陽已實現 90-14nm 技術節點的全面覆蓋，是國內電鍍液領先企業；安集科技已構建針對集成電路制造及先進封裝應用的產品系列平臺，整體市占率偏??；艾森股份雖然在部分領域電鍍液有所突破，但整體份額不足 1%；天承科技在高端 PCB 板所行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 33 需電鍍液有所突破，但整體份額不足 1%封裝基板 2021 年全球市場 144 億美元 20212026 年復合增速 8%半加成法：揖斐電 2025%，欣興2025%，新光電氣 1520%，南亞 PCB 1015%，奧特斯 510%，三星電機5

142、10%，景碩 510%，京瓷 510%改進型半加成法：三星電機 2025%，信泰 1015%，欣興 1015%，LG Innotek 1015%，大德 1015%，景碩1015%深南電路 2%，興森科技 1%電子特氣 全球：68 億美元；國內 196 億元 全球20222027 年復合增速 6.2%工業氣體口徑：林德 18%，法液空18%，空氣產品 7%，日本酸塑 4%電子氣體口徑：中船 8%，華特4%，南大 4%，金宏 3%，昊華 3%，雅克 2%EMC 全球 157 億元 全球20222027 年復合增速 4.4%日本住友和 Resonac 合計占有全球4050%份額 華海誠科 2%來源：

143、TECHCET，中船特氣招股說明書，新思界，集邦咨詢，華經產業研究院，前瞻產業研究院，QYResearch，TechCET，共研產業咨詢，CPCA 歷年數據，Semiconductor Engineering，氣派科技招股說明書，甬矽電子招股說明書，億渡數據，林德官網，法夜空官網，空氣產品官網，日本酸素官網，Techcet，艾森股份 2022 年報，天承科技 2022 年報，HKPCA 會議，Wind 數據庫，國金證券研究所 3 3.1.1、臨時鍵合膠及拋光、臨時鍵合膠及拋光材料材料 鼎龍股份：公司以打印耗材起家，半導體材料主要布局 CMP 拋光材料、OLED 材料和先進封裝材料。公司為半導體

144、 CMP 拋光墊龍頭，半導體先進封裝材料布局封裝光刻膠、臨時鍵合膠、底部填充膠等產品，目前新產品開發、驗證如期推進。按照 2023H1 收入口徑，公司打印機耗材占比 79%，半導體材料占比 20%。半導體下游客戶主要包括長江存儲、合肥長鑫、中芯國際等國內一線晶圓廠。先進封裝材料中，臨時鍵合膠產品在國內某主流集成電路制造客戶端的驗證及量產導入工作基本完成，2023 年獲得首筆訂單。封裝用 PSPI 產品已完成客戶端送樣，驗證工作穩步推進，客戶驗證反饋良好。此外，公司持續根據市場情況和客戶需求拓展臨時鍵合膠和封裝光刻膠的產品型號布局，新增型號完成小試送樣，臨時鍵合膠和封裝光刻膠產業化建設已實施完成

145、，具備量產供貨能力。安集科技：公司是國內 CMP 拋光液龍頭，目前產品包括不同系列的化學機械拋光液、功能性濕電子化學品和電鍍液及添加劑系列產品，主要應用于集成電路制造和先進封裝領域。按照 2023H1 收入口徑，公司 CMP 拋光液收入占比 88%，功能性濕化學品及電鍍液占比 11%。半導體下游客戶主要包括中芯國際、長江存儲、合肥長鑫等國內一線晶圓廠，封裝領域也導入了國內一線封測廠。2022 年公司完成了應用于集成電路制造及先進封裝領域的電鍍液及添加劑產品系列平臺的搭建，研發產品已覆蓋多種電鍍液添加劑，多種電鍍液添加劑在先進封裝領域已進入客戶量產導入階段，進一步助力國內半導體制造用關鍵材料自主

146、可控供應能力的提升。3.23.2、光刻膠光刻膠 彤程新材：公司是國內領先的半導體光刻膠龍頭生產商，I 線光刻膠和 KrF 光刻膠是國內8-12寸集成電路產線主要的本土供應商。23年上半年，新增半導體光刻膠研發立項48項，包括 14 個 KrF 光刻膠項目，26 個 I 線光刻膠項目，8 個新材料項目。新產品銷售收入占比達到半導體光刻膠業務收入總額的 41.36%。公司 KrF 光刻膠量產進度國內領先，多個牌號導入國內晶圓廠，22 年、23 年上半年公司 KrF 光刻膠分別實現 321.9%、52.6%的收入增長。ArF 光刻膠方面，23 年 11 月公司公告宣布已經完成 ArF 光刻膠部分型號

147、的開發，首批 ArF 光刻膠的各項出貨指標能對標國際光刻膠大廠產品，已具備量產能力，在國內處于相對領先水平。公司在上海的工廠主要包括年產 300/400 噸 ArF 及 KrF 光刻膠量產產線、1 萬噸顯示用光刻膠和 2 萬噸高純 EBR 試劑項目，該項目工程階段已竣工，目前已逐步進入試生產階段。晶瑞電材：公司是國內濕電子化學品和半導體光刻膠的龍頭企業，23 年上半年光刻膠收入 0.69 億元，收入占比 11%。公司光刻膠產品由子公司瑞紅蘇州生產，產品技術水平和銷售額處于國內領先地位。瑞紅蘇州于 2018 年完成了國家重大科技項目 02 專項“i 線光行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明

148、 34 刻膠產品開發及產業化”項目后，i 線光刻膠產品規?；蛑行緡H、合肥長鑫、華虹半導體、晶合集成等國內知名半導體企業供貨；KrF 高端光刻膠部分品種已量產；ArF 高端光刻膠研發工作已啟動。近年來，公司建成了具有國際水平的高端光刻膠生產線和測試實驗平臺，同時擁有紫外寬譜、g 線（436nm）、i 線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）全系列光刻機測試實驗平臺。3 3.3.3、靶材靶材 江豐電子：公司主要產品為高純濺射靶材和半導體精密零部件，公司為國產濺射靶材龍頭供應商。按照 2023H1 收入口徑，公司超高純靶材營收占比 65%，精密零部件營收占比 17%，同比+1

149、5%。江豐電子客戶涵蓋國內外知名公司，臺積電、海力士、中芯國際、京東方、華星光電等全球知名半導體及面板廠商供應商等。目前公司超純金屬濺射靶材產品包括鋁、鈦、鉭、銅靶等，已應用于半導體廠商最先端制造工藝，在 7nm 技術節點實現批量供應，并進入先端的 5nm 技術節點，22 年公司定向增發所投入的新增產能將會是靶材主業推動公司營收進一步增長的強勁動力。有研新材：公司主營業務分布在高端金屬靶材、先進稀土材料、紅外光學材料、生物醫用材料等多個領域。公司子公司有研億金為國內靶材生產領先企業，先進封裝用靶材部分產品已實現量產。按照 2023H1 收入口徑，公司高純/超高純金屬材料營收占比 69%，稀土材

150、料占比 28%，紅外/光纖材料占比 3%。核心銅系靶在中芯國際、長江存儲等客戶全面上量，占比持續提升。2023 年公司德州基地集成電路用高純濺射靶材項目投產后，年產能達到 4.3 萬塊，達到世界前三水平，可有效解決高端芯片制造靶材“卡脖子”問題。先進封裝方面，子公司有研億金先進封裝用高純金屬及其合金靶材關鍵技術與產業化榮獲中國有色金屬工業科學技術一等獎 4 項，先進封裝行業用靶材均可提供，部分產品已實現量產。3.3.4 4、電鍍液及配套、電鍍液及配套 艾森股份：公司圍繞電子電鍍和光刻兩個半導體制造及封裝過程中的關鍵工藝環節提供高端電子化學品，包括電鍍液和光刻膠。根據 23H1 營收口徑，公司電

151、鍍液及配套試劑占比48%、電鍍配套材料 28%、光刻膠及配套試劑 18%。公司主要客戶群體包括長電科技、通富微電、華天科技等國內領先的封測廠商和電子元件企業。在先進封裝領域，公司不僅提供先進封裝用的電鍍銅基液（高純硫酸銅），已在華天科技等獲得應用，與國內頂級先進封裝廠商也形成了供應關系，還積極開發電鍍錫銀添加劑等新產品，如電鍍錫銀添加劑（已通過長電科技認證）和電鍍銅添加劑（處于研發及認證階段），并在顯示面板、晶圓制造等領域實現了光刻膠產品的小批量供應。天承科技：公司主要致力于 PCB 專用功能性濕電子化學品，包括水平沉銅專用化學品、電鍍專用化學品、銅面處理專用化學品、垂直沉銅專用化學品、SAP

152、 孔金屬化專用化學品等。根據 2022 年年報營收口徑，公司水平沉銅專用化學品占比 75%、電鍍專用化學品 9%、銅面處理專用化學品占比 6%、垂直沉銅專用化學品占比 4%。公司的主要客戶為各大 PCB 生產企業，包括景旺電子、方正科技、鵬鼎控股是銅面處理專用化學品的主要客戶，天承科技的相關產品已在這些公司實現批量供應，定穎電子和中京電子等企業已經開始使用天承科技的垂直沉銅產品。在先進封裝領域，天承科技正在積極開展對 ABF 載板等高端領域的研發和布局，公司已與中科院北京微電子所合作，研發出適用于封裝載板的產品，預計2024 年載板專用電子化學品銷售額將顯著提升，且已陸續通過客戶認證；除此之外

153、，公司也在配合大客戶研發先進封裝 Bumping、RDL 等環節所用電鍍液，是國內深度參與大客戶電鍍液研發的廠商之一。3 3.5 5、封裝基板封裝基板 深南電路：公司是國內主要的 PCB 制造商，主要從事高多層 PCB、封裝基板、電子裝聯業務，按照 23H1 營收口徑，公司 PCB 業務占比 64%、封裝基板占比 14%、電子裝聯占比 14%，主要服務于通信、服務器、汽車、工控醫療、航空航天等下游領域，客戶覆蓋國內外通信設備、通用服務器設備、汽車 Tier1 知名廠商。先進封裝方向上，公司與國內外存儲、CPU、GPU 等設計廠配套研發，產能方面無錫工廠配備 FCCSP 封裝基板工藝，當前也在加

154、快研發FCBGA 封裝基板，未來計劃在廣州基地形成 FCBGA 量產能力，是國內封裝基板第一梯隊國產替代廠商。興森科技：公司是全球主要的 PCB 樣板/小批量板供應商，主要從事 PCB 小批量/樣板、封裝基板、半導體測試板業務，2023 年 7 月合并北京興斐電子，進軍移動通訊用 HDI 板領域，按照 23H1 營收口徑，PCB 樣板/小批量板業務占比 79%、封裝基板業務占比 18%、半導體測試板占比 7%，主要服務于通信、服務器、安防、工控、醫療等領域。先進封裝方向上，公司與國內外存儲、CPU、GPU 等設計廠配套研發，公司珠海工廠配備 FCCSP、FCBGA行業專題研究報告 敬請參閱最后

155、一頁特別聲明 35 封裝基板工藝，未來將在廣州基地進一步擴充 FCBGA 技術和生產能力，是國內封裝基板第一梯隊國產替代廠商。3.3.6 6、電子特氣電子特氣 華特氣體：公司是國內 IC 領域電子特氣龍頭，22 年特氣收入占比 73%，其中氟碳類收入占比 11%。公司對國內 8 寸晶圓廠覆蓋率超 85%，客戶 CR5 達 32%，是長江存儲和中芯國際等國內晶圓大廠的供應商，同時對三星、海力士、英飛凌等海外客戶實現供貨。晶圓廠對產品認證周期很長，客戶粘性強，公司可依托豐富的產品矩陣和與下游同步更新的氣體品類來持續擴大產品份額。在含氟刻蝕氣體領域，公司布局了四氟化碳、八氟環丁烷、六氟丁二烯、六氟乙

156、烷等品種，部分產品有望在先進封裝中實現應用。雅克科技：公司是國內領先的半導體材料平臺型企業，主要半導體材料包括前驅體、面板光刻膠、電子特氣、硅微粉等，22 年各類產品收入占比分別為 27%、30%、12%、5%。公司的電子特氣包括六氟化硫和四氟化碳兩個產品，均在先進封裝刻蝕領域具備應用前景，其中六氟化硫產能 1.2 萬噸，電子級六氟化硫 09 年開始向林德、昭和電工、關東電化等供應，通過其渠道銷往終端的半導體制造客戶，如臺積電等。四氟化碳產能 0.2 萬噸，16 年已導入臺積電，目前為臺積電、三星電子、Intel、中芯國際、長江存儲、合肥長鑫、海力士以及中電熊貓、京東方批量供應產品。3.3.7

157、 7、E EMCMC 及配套填料及配套填料 華海誠科：公司是國內第一梯隊的環氧塑封料廠商，產品種類覆蓋 DIP、TO、SOT、SOP、QFN、BGA、FC、SiP，按照 23H1 營收口徑來看，公司 93%產品集中在環氧塑封料、5%業務拓展至膠黏劑產品，主要客戶為長電科技、通富微電、華天科技、氣派科技、銀河微電、揚杰科技。先進封裝方面，公司作為國內 EMC 行業唯一獨立上市公司，獲得了包括江蘇新潮、華天科技、深圳哈勃、聚源信誠、南通華達等半導體產業知名投資機構的投資，可見公司在產業中備受青睞，業務方面公司積極配合國內設計廠商先進封裝相關高端產品，公司 FC、SiP 等產品已經通過部分客戶驗證，

158、GMC 已通過客戶驗證，LMC 仍在客戶驗證過程中，公司有望成為國內首先突破先進封裝用 EMC 的廠商之一。聯瑞新材：公司是國內最大的球硅生產廠商，按照 2022 年年報口徑，公司球硅業務占比53%、角硅占比 35%、其他硅微粉占比 11%，其中球硅業務主要用于 EMC 環氧塑封料填料，公司已同世界級半導體塑封料廠商住友電工、日立化成、松下電工、KCC 集團、華威電子建立了合作關系。先進封裝方面，公司依據全球龍頭客戶資源，深度參與先進封裝所用1220um cut 點產品，同時配合海外客戶研發 low 球硅/球鋁產品，是國內在 EMC 產業布局最完善的填料廠商。圖表圖表6868：重點公司估值情況

159、重點公司估值情況（行情數據取自（行情數據取自 2 2024024 年年 1 1 月月 2 26 6 日收盤價）日收盤價）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）P PE E 20222022 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 對應對應 2023E2023E 對應對應 2024E2024E 對應對應 2 2025E025E 鼎龍股份 3.9 3.1 4.7 6.5 58 38 28 安集科技 3.0 4.0 5.1 6.4 33 26 21 彤程新材 3.0 4.3 5.2 6.4 37 31 25 晶瑞電材 1.6 0.6 1.6 2.3 129 50 35 江豐電

160、子 2.7 3.0 4.2 5.5 39 28 22 有研新材 2.7 2.6 4.1 5.5 36 22 17 艾森股份 0.2 0.3 0.5 0.7 110 75 56 天承科技 0.5 0.6 1.0 1.4 45 31 21 深南電路 16.4 14.7 18.4 22.5 20 16 13 興森科技 5.3 2.9 4.9 7.5 69 40 26 華特氣體 2.1 2.0 2.7 3.5 31 23 17 雅克科技 5.2 7.1 10.3 13.9 29 20 15 華海誠科 0.4 0.4 0.6 0.7 151 111 88 聯瑞新材 1.9 2.0 2.6 3.3 39

161、29 23 來源：Wind，國金證券研究所 注：盈利預測取自 wind 一致預期平均值（2024 年 1 月 26 日）。行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 36 下游市場需求不及預期下游市場需求不及預期 先進封裝的下游需求涵蓋手機、服務器、電腦、汽車等終端產品，其中 AI 相關服務器是高端先進封裝規?；a的關鍵應用領域，隨著 AI 資本開支增長和 AI 應用場景的擴展，先進封裝需求保持良好的增長勢頭。但從宏觀經濟角度來講，無論什么應用最終都是由消費者買單，如果消費者消費意愿低迷，則會使得下游需求不及預期，封測行業排產情況將會低于預期，對應相關材料需求就會不及預期。行業競爭格局加劇行

162、業競爭格局加劇 隨著國產替代的趨勢加快，國內多家材料廠商已經配合客戶在研發和產能擴充上做了一定的布局，旨在合力形成國產替代之勢。隨著國產化率逐漸提升，行業競爭格局也存在惡化的風險，如果競爭格局惡化導致公司盈利能力下滑，則會影響相關公司盈利能力。技術研發和驗證進度不及預期技術研發和驗證進度不及預期 當前國產先進封裝材料大部分仍然在研發和驗證階段，尚未進入批量生產階段。對于國產廠商來說，先進封裝材料研發存在較高的技術要求，如若技術研發和驗證進度不及預期，則行業和公司的業績釋放將不及預期。行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 37 行業行業投資評級的說明：投資評級的說明：買入：預期未來 36

163、個月內該行業上漲幅度超過大盤在 15%以上；增持：預期未來 36 個月內該行業上漲幅度超過大盤在 5%15%；中性：預期未來 36 個月內該行業變動幅度相對大盤在-5%5%；減持：預期未來 36 個月內該行業下跌幅度超過大盤在 5%以上。行業專題研究報告 敬請參閱最后一頁特別聲明 38 特別聲明：特別聲明：國金證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本報告版權歸“國金證券股份有限公司”（以下簡稱“國金證券”）所有，未經事先書面授權，任何機構和個人均不得以任何方式對本報告的任何部分制作任何形式的復制、轉發、轉載、引用、修改、仿制、刊發，或以任何侵犯本公司版權的其

164、他方式使用。經過書面授權的引用、刊發，需注明出處為“國金證券股份有限公司”，且不得對本報告進行任何有悖原意的刪節和修改。本報告的產生基于國金證券及其研究人員認為可信的公開資料或實地調研資料，但國金證券及其研究人員對這些信息的準確性和完整性不作任何保證。本報告反映撰寫研究人員的不同設想、見解及分析方法，故本報告所載觀點可能與其他類似研究報告的觀點及市場實際情況不一致，國金證券不對使用本報告所包含的材料產生的任何直接或間接損失或與此有關的其他任何損失承擔任何責任。且本報告中的資料、意見、預測均反映報告初次公開發布時的判斷，在不作事先通知的情況下，可能會隨時調整，亦可因使用不同假設和標準、采用不同觀

165、點和分析方法而與國金證券其它業務部門、單位或附屬機構在制作類似的其他材料時所給出的意見不同或者相反。本報告僅為參考之用，在任何地區均不應被視為買賣任何證券、金融工具的要約或要約邀請。本報告提及的任何證券或金融工具均可能含有重大的風險，可能不易變賣以及不適合所有投資者。本報告所提及的證券或金融工具的價格、價值及收益可能會受匯率影響而波動。過往的業績并不能代表未來的表現?？蛻魬斂紤]到國金證券存在可能影響本報告客觀性的利益沖突，而不應視本報告為作出投資決策的唯一因素。證券研究報告是用于服務具備專業知識的投資者和投資顧問的專業產品，使用時必須經專業人士進行解讀。國金證券建議獲取報告人員應考慮本報告的

166、任何意見或建議是否符合其特定狀況，以及（若有必要）咨詢獨立投資顧問。報告本身、報告中的信息或所表達意見也不構成投資、法律、會計或稅務的最終操作建議，國金證券不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保，在任何時候均不構成對任何人的個人推薦。在法律允許的情況下，國金證券的關聯機構可能會持有報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，并可能為這些公司正在提供或爭取提供多種金融服務。本報告并非意圖發送、發布給在當地法律或監管規則下不允許向其發送、發布該研究報告的人員。國金證券并不因收件人收到本報告而視其為國金證券的客戶。本報告對于收件人而言屬高度機密，只有符合條件的收件人才能使用。根據證券期貨投資者適當性

167、管理辦法，本報告僅供國金證券股份有限公司客戶中風險評級高于 C3 級(含 C3 級）的投資者使用；本報告所包含的觀點及建議并未考慮個別客戶的特殊狀況、目標或需要，不應被視為對特定客戶關于特定證券或金融工具的建議或策略。對于本報告中提及的任何證券或金融工具，本報告的收件人須保持自身的獨立判斷。使用國金證券研究報告進行投資，遭受任何損失，國金證券不承擔相關法律責任。若國金證券以外的任何機構或個人發送本報告，則由該機構或個人為此發送行為承擔全部責任。本報告不構成國金證券向發送本報告機構或個人的收件人提供投資建議，國金證券不為此承擔任何責任。此報告僅限于中國境內使用。國金證券版權所有，保留一切權利。上海上海 北京北京 深圳深圳 電話：021-80234211 郵箱： 郵編：201204 地址：上海浦東新區芳甸路 1088 號 紫竹國際大廈 5 樓 電話：010-85950438 郵箱： 郵編：100005 地址：北京市東城區建內大街 26 號 新聞大廈 8 層南側 電話：0755-83831378 傳真：0755-83830558 郵箱： 郵編：518000 地址：深圳市福田區金田路 2028 號皇崗商務中心 18 樓 1806