【研報】電子設備行業專題研究：第三代半導體大有可為-20201009（27頁）.pdf

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1、 電子設備行業專題研究 第三代半導體大有可為 2020 年 10 月 09 日 【投資要點投資要點】 第三代半導體走向舞臺中央。第三代半導體走向舞臺中央。半導體材料作為產業發展的基礎，經歷 了數代的更迭，以碳化硅及氮化鎵為代表的第三代半導體，由于其優 異的性能表現， 逐步受到市場的關注， 成為未來超越摩爾定律的倚賴。 我國為了把握住第三代半導體發展的戰略機遇，持續推出產業支持政 策，在國家層面加大了產業的戰略指導，在財稅政策方面提供各種優 惠扶持政策。國內針對第三代半導體產業的投資金額也日益增長，已 經初步形成了第三代半導體完善的產業鏈布局。 全球第三代半導體市場正蓬勃發展。全球第三代半導體市

2、場正蓬勃發展。SiC 及 GaN 在材料性能上各有優 劣，因此在應用領域上各有側重及互補。GaN 由于其優異的高頻性能， 未來在射頻領域具備良好的發展空間，預計到 2024 年，全球 GaN 市 場規模將達到 20 億美元，復合增長率為 21%；SiC 在高功率領域具備 較好的表現，因此在電動汽車將是主要發展領域，整體市場規模在 2025 年將達到 32 億美元左右，復合增長率將保持在 30%以上。 我國第三代半導體有望在技術發展上我國第三代半導體有望在技術發展上實現追趕實現追趕。在第一代及第二代半 導體材料的發展上，我國起步時間遠遠慢于其他國家，導致在材料上 處處受制于人，但是在第三代半導體

3、材料領域國內廠商起步與國外廠 商相差不多，有希望實現技術上的追趕，完成國產替代。從國內應用 領域來看，消費電子依舊是主要應用市場，占據了 28%的份額，其次 是工業及新能源汽車領域，市場份額分別為 26%和 11%，在電力電子 及微波通訊領域市場規模均保持穩步的增長。 【配置建議】【配置建議】 建議關注華潤微（688396） ，公司是國內領先的功率半導體制造商， 公司瞄準第三代半導體發展機遇，建立了國內首條 6 英寸 SiC 產線， 規劃產能可以達到 1000 片/月。公司還積極拓展碳化硅產業鏈，入股 國內排名第一的硅外延片供應商瀚天天成，完善產業鏈布局。 建議關注三安光電（600703） ，

4、公司設立子公司三安集成，定位于化 合物半導體研發制造公司，先后推出了 GaN 及 SiC 的晶圓代工服務， 主要代工產品包括碳化硅肖特基二極管，氮化鎵場效應晶體管等，未 來隨著技術的研發，還將拓展更多的產品種類。 【風險提示】【風險提示】 國內廠商技術研發不及預期； 國家支持政策力度不及預期； 國外領先廠商市場競爭加劇。 強于大市強于大市（維持） 東方財富證券研究所東方財富證券研究所 證券分析師：危鵬華 證書編號：S1160520070001 聯系人：馬建華 電話：021-23586480 相對指數表現相對指數表現 相關研究相關研究 集成電路板塊再迎政策支持，全產 業鏈或將受益 2020.08

5、.06 解決電量焦慮，快充無線充關注度 提升 2020.07.02 新技術及新應用出現，CIS 市場有 望持續成長 2020.06.22 生物識別技術發展前景廣闊 2020.06.11 潛望式鏡頭，帶你看更遠的風景 2020.05.14 -7.45% 9.42% 26.29% 43.16% 60.03% 76.89% 9/3011/301/313/315/317/31 電子設備滬深300 行 業 研 究 / 電 子 設 備 / 證 券 研 究 報 告 挖掘價值挖掘價值 投資成長投資成長 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 2 電子設備行業專題研究電子設備

6、行業專題研究 正文目錄正文目錄 1.半導體材料是產業發展的基石 . 4 1.1.第一代半導體材料 . 4 1.2.第二代半導體材料 . 5 1.3.第三代半導體材料性能優勢明顯 . 5 1.4.國家持續推出政策支持第三代半導體產業發展 . 7 1.5.國內外第三代半導體產業鏈日益完善 . 10 2.全球第三代半導體市場蓬勃發展 . 12 2.1.SiC 及 GaN 在應用領域上優勢互補 . 12 2.2.GaN 在射頻及快充領域表現亮眼 . 13 2.3.SiC 重點應用于電動汽車領域 . 17 2.4.我國第三代半導體市場趨勢持續向上 . 20 3.重點關注公司 . 22 3.1.華潤微 .

7、 22 3.2.三安光電 . 24 4. 風險提示 . 26 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：絕緣體、半導體以及導體常見電導率范圍 . 4 圖表 2：硅晶圓 . 5 圖表 3：鍺晶圓 . 5 圖表 4：砷化鎵應用領域 . 5 圖表 5：第三代半導體性能比較 . 6 圖表 6：GaN、Si、SiC 性能比較 . 6 圖表 7：第三代半導體應用領域 . 7 圖表 8：第三代半導體國家級支持政策 . 8 圖表 9：第三代半導體地方支持政策 . 8 圖表 10：部分“十三五”重點研發技術 . 9 圖表 11：我國第三代半導體產業投資金額 . 10 圖表 12：第三代半導體產業鏈 . 10 圖表 13：Ga

8、N 產業鏈國內外廠商 . 11 圖表 14：SiC 產業鏈國內外廠商 . 12 圖表 15：SiC 及 GaN 應用優勢領域 . 12 圖表 16：全球 GaN 市場規?？焖僭鲩L . 13 圖表 17：5G 基站潛在市場機會 . 13 圖表 18：GaN 在 5G 射頻系統中優勢明顯 . 14 圖表 19：GaN 制造工藝發展趨勢 . 14 圖表 20：快速充電器發展 . 15 圖表 21：快充功率及重點廠商 . 15 圖表 22：小米 65W GaN 快充 . 16 圖表 23：全球可提供快充 GaN 芯片公司 . 16 圖表 24：市售熱門 GaN 快充價格 . 17 圖表 25：全球 S

9、iC 市場規模增長 . 17 圖表 26：SiC 器件市場規模預測（分應用領域） . 18 pOrOoRmQpRnRrNnQmOoQoRaQcM6MmOoOtRrRjMnMmMjMmMqM7NnNrOxNqNnQMYmRpO 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 3 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 圖表 27：特斯拉 SiC 模塊 . 19 圖表 28：比亞迪高性能碳化硅控制模塊 . 19 圖表 29：2018-2024 年車用 SiC 市場規模增長 . 19 圖表 30：SiC vs GaN vs Si 滲透率情況 . 20 圖表 31：我國第

10、三代半導體下游應用領域（2018 年） . 20 圖表 32：我國第三代半導體在各領域增速 . 21 圖表 33：我國第三代半導體電力電子器件規模預測（單位：億元） . 21 圖表 34：我國第三代半導體微波射頻器件規模預測（單位：億元） . 22 圖表 35：華潤微 SiC 商用產線 . 22 圖表 36：華潤微 SiC 產品列表 . 23 圖表 37：瀚天天成業務范圍 . 23 圖表 38：瀚天天成 3-6 英寸碳化硅晶圓 . 24 圖表 39：三安集成定位 . 24 圖表 40：三安集成 GaN 代工業務 . 25 圖表 41：三安集成 SiC 代工業務 . 25 圖表 42：三安集成第

11、三代半導體代工產品 . 25 圖表 43：重點關注公司估值（2020-09-28） . 26 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 4 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 1.1. 半導體材料半導體材料是產業發展的基石是產業發展的基石 半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，也是整個半導體產 業的基礎，其具備半導體性，導電能力介于導體與絕緣體之間。 圖表圖表 1 1：絕緣體、半導體以及導體常見電導率范圍絕緣體、半導體以及導體常見電導率范圍 資料來源：中國存儲網，東方財富證券研究所 1.1.1.1.第一代半導體第一代半導體材料材料 第一代半導體

12、材料主要是指硅（Si） 、鍺（Ge）半導體材料，興起于二十 世紀五十年代，帶動了以集成電路為核心的微電子產業的快速發展，被廣泛的 應用于消費電子、通信、光伏、軍事以及航空航天等多個領域。在上世紀 90 年代之前，硅材料占據了絕對主導地位，目前大多數的半導體器件及集成電路 產品還是使用硅晶圓來制造， 硅器件占到了全球銷售的半導體產品的 95%以上。 而世界上第一只晶體管是由鍺生產出來的，相對于硅，鍺最外層電子能級 較高，所以具備更好的導電性能，但是相對會產生更多不必要的熱量，此外硅 產品具備更低的價格以及更多的儲量，因此最終硅取代了鍺。 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報

13、告正文后各項聲明 5 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 圖表圖表 2 2：硅晶圓硅晶圓 圖表圖表 3 3：鍺鍺晶圓晶圓 資料來源：搜狐，東方財富證券研究所 資料來源：原晶電子，東方財富證券研究所 1.1.2 2. .第二代半導體材料第二代半導體材料 第二代半導體材料是以砷化鎵（GaAs） 、銻化銦（InSb）為主的化合物半 導體，其主要被用于制作高頻、高速以及大功率電子器件，在衛星通訊、移動 通訊以及光通訊等領域有較為廣泛的應用。砷化鎵和磷化銦半導體激光器成為 光通信系統中的關鍵器件，同時砷化鎵高速器件也開拓了光纖及移動通信的新 產業。 圖表圖表 4 4：砷化鎵應用領域砷化鎵應用領域

14、資料來源：中時新聞網，東方財富證券研究所 1.1.3 3. .第第三三代半導體材料代半導體材料性能優勢明顯性能優勢明顯 第三代半導體材料包括了以碳化硅（SiC） 、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 6 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 帶化合物半導體。第一二代半導體材料工藝已經逐漸接近物理極限，在微電子 領域的摩爾定律開始逐步失效，而第三代半導體是可以超越摩爾定律的。 相比于第一代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在高溫、高耐壓以 及承受大電流等多個方面具備明顯的優勢，因而更適合于制作高溫、高頻、抗 輻射及大功率

15、器件。 圖表圖表 5 5：第三代半導體性能比較第三代半導體性能比較 資料來源：搜狐，東方財富證券研究所 在器件的性能對比上，GaN 材料以及 SiC 材料在通態電阻以及擊穿電壓方 面都具備較大的優勢。 圖表圖表 6 6：GaNGaN、SiSi、SiCSiC 性能比較性能比較 資料來源：中國存儲網，東方財富證券研究所 第三代半導體材料應用可以分為微電子以及光電子領域，具體可以細分為 電力電子器件、微波射頻、可見光通信、太陽能、半導體照明、紫外光存儲、 激光顯示以及紫外探測器等領域， 有望突破傳統半導體技術的瓶頸， 與第一代、 第二代半導體技術互補，對節能減排、產業轉型升級、催生新的經濟增長點將

16、20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 7 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 發揮重要作用。 圖表圖表 7 7：第三代半導體第三代半導體應用領域應用領域 資料來源：GASA，東方財富證券研究所 1.1.4 4. .國家持續推出政策支持國家持續推出政策支持第三代半導體第三代半導體產業發展產業發展 國家對于第三代半導體產業發展提供了持續不斷的政策方面的支持，2016 年，國務院推出了國務院關于印發“十三五”國家科技創新規劃的通知 ， 其中首次提到要加快第三代半導體芯片技術與器件的研發； 2019 年 6 月商務部 及發改委在鼓勵外商投資名單中增加了支持引

17、進 SiC 超細粉體外商企業；2019 年 11 月工信部印發重點新材料首批次應用示范指導目錄 ，其中 GaN 單晶襯 底、功率器件用 GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 單晶襯底等第三代半導體產品 進入目錄；2019 年 12 月國務院在長江三角洲區域體化發展規劃綱要中 明確要求加快培育布局第三代半導體產業，推動制造業高質量發展。 除了行業政策推動， 在財稅政策方面， 第三代半導體同屬于集成電路產業， 同樣享受國家對集成電路企業所得稅優惠政策，先后包括 2019 年 5 月財政部 及稅務總局印發的關于集成電路設計和軟件產業企業所得稅政策的公告 ， 針對依法成立且符合條件的集成電路設計企業

18、和軟件企業， 在 2018 年 12 月 31 日前自獲利年度起計算優惠期，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第 五年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止；并在 2020 年 7 月再次推出 新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策 ， 對于國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業，自 獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法 定稅率減半征收企業所得稅。 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 8 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 圖表圖表 8 8：第三代半導體

19、國家級支持政策第三代半導體國家級支持政策 發布時間發布時間 發布機關發布機關 配套政策配套政策 政策內容政策內容 2020-07 國務院 新時期促進集成電路產業和軟 件產業高質量發展的若干政策 國家鼓勵的集成電路設計、 裝備、 材料、 封裝、測試企業和軟件企業，自獲利年 度起， 第一年至第二年免征企業所得稅， 第三年至第五年按照 25%的法定稅率或 減半征收企業所得稅。 2019-12 國務院 長江三角洲區域一體化發展規 劃綱要 加快培育布局第三代半導體產業，推動 制造業高質量發展。 2019-06 發改委、商務部 鼓勵外商投資產業目錄（2019 年版） 支持引進 SiC 超細粉體，高純超細氧

20、化 鋁微粉， 高純氮化鋁(AlN)粉體等精密高 性能陶瓷原料外資生產企業。 2019-05 財政部、 稅務總局 關于集成電路設計和軟件產業 企業所得稅政策的公告 依法成立且符合條件的集成電路設計企 業和軟件企業， 在 2018 年 12 月 31 日前 自獲利年度起計算優惠期，第一年至第 二年免征企業所得稅，第三年至第五年 按照 25%的法定稅率減半征收企業所得 稅，并享受至期滿為止。 2016-08 國務院 關于印發“十三五”國家科技 創新規劃的通知 發展微電子和光電子技術，重點加強極 低功耗芯片、新型傳感器、第三代半導 體芯片和硅基光電子、混合光電子、微 波光電子等技術與器件的研發。 資料

21、來源：前瞻產業研究院、GASA，東方財富證券研究所 除了國家層面的支持政策外，據 CASA 統計顯示，2019 年我國地方各級政 府共計出臺 32 項政策，進一步支持第三代半導體產業的發展，支持的方面包 括集群培育、科研獎勵、人才培育以及項目招商等，2019 年各地通過政策將實 質性的人、財、物資源注入，推動著各地產業集聚加速。 圖表圖表 9 9：第三代半導體地方支持政策第三代半導體地方支持政策 地區地區 政府機構政府機構 政策政策 主要內容主要內容 北京 中關村科技 園區 關于促進中關村順義 園第三代半導體等前沿 半導體產業創新發展的 若干措施 一是支持第三代半導體等先進半導體企業開展新型器

22、件設計以及襯 底、外延、器件、模組、工藝線等制造環節輔助材料和關鍵核心設 備的研發及成果轉化，進一步提升關鍵環節核心器件、材料和制造 裝備的自主可控能力；二是支持企業投資新建大尺寸半導體工藝、 材料、設備生產線，提高產品良率，降低工藝成本，不斷提升產能。 上海 中國 （上海） 自由貿易試 驗區 中國 （上海） 自由貿易 試驗區臨港新片區促進 產業發展若干政策和集 聚發展集成電路、 人工智 能、 生物醫藥、 航空航天 產業若干措施 對集成電路裝備及材料類企業，年度銷售收入首次突破 5000 萬元、 1 億元、5 億元、10 億元的，經認定后分別給予最高不超過 200 萬 元、800 萬元、120

23、0 萬元、1500 萬元的一次性獎勵，每上一個臺階 獎勵一次、實施晉檔補差。 廣州 廣州市工業 與信息化委 員會 廣州市加快發展集成 電路產業發展的若干措 施 組織實施“強芯”工程，注重內培外引、自主創新、人才集聚、融 合發展，到 2022 年，爭取納入國家集成電路重大生產力布局規劃， 建設國內先進的晶圓生產線，引進一批、培育一批、壯大一批集成 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 9 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 電路設計、封裝、測試、分析以及深耕智能傳感器系統方案的企業， 建成全國集成電路產業集聚區、人才匯聚地、創新示范區。 深圳 深圳市人

24、民 政府 深圳市進一步推動集 成電路產業發展行動計 劃 提升技術水平。制造能力初步具備全球競爭力，設計水平整體進入 全球領軍陣營，第三代半導體技術能力對關鍵應用領域形成有力支 撐。到 2023 年，突破一批關鍵核心技術，實現一批關鍵技術轉化和 批量應用。完善產業鏈條。先進工藝和特色工藝制造生產線完成布 局，裝備、材料、先進封測等上下游環節配套完善，第三代半導體 中試研發和器件生產線建成，帶動襯底、外延等環節加速發展，本 地產業鏈配套和協作能力明顯提升，產業鏈競爭力顯著增強。 濟南 濟南市人民 政府 濟南支持寬禁帶半導 體產業加快發展的若干 政策 支持濟南高新區發展寬禁帶半導體產業。充分發揮濟南

25、高新區在電 子信息、智能制造等方面的綜合創新和產業優勢，聚焦發展金剛石 等寬禁帶半導體材料，加強規劃策劃，加快引進一批寬禁帶半導體 芯片和功率器件等重大項目。 長沙 長沙市人民 政府 長沙市加快新一代半 導體和集成電路產業發 展若干政策 結合長沙產業發展實際，本政策主要支持集成電路設計和設備、第 三代半導體、功率半導體器件及集成電路的行業融合應用；明確產 業專項資金和基金，計劃每年列支 3 億元專項用于產業發展，基金 規?？筛鶕a業需求增至 100 億元； 成都 成都市人民 政府 成都市人民政府辦公 廳關于促進電子信息產 業高質量發展的實施意 見 打造國內領先的化合物半導體產業鏈。構建基于射頻

26、微波、功率等 特色領域的化合物半導體產業鏈。優化 GaAs/GaN 生產工藝制程，培 育一批骨干設計企業，積極引進配套封測企業和設計企業，研發量 產 5G 中高頻芯片、器件，超前布局太赫茲芯片。加快第二、三代半 導體材料生產項目建設。 資料來源：CASA，東方財富證券研究所 在十三五期間，科技部通過“國家重點研發技術”支持了超過 30 項第三 代半導體相關的研發項目，通過對基礎前沿技術的研究，對產業發展起到了持 續助推的作用。 圖表圖表 1010：部分部分“十三五”重點研發技術“十三五”重點研發技術 實施單位實施單位 項目名稱項目名稱 中國科學院電工研究所 高溫車用 SiC 器件及系統的基礎理

27、論與測評方法研究 北京大學 大失配、強極化第三代半導體材料體系外延生長動力學和載流子調控規律 中興通訊 面向下一代移動通信的 GaN 基射頻器件關鍵技術及系統應用 中國科學院半導體研究所 第三代半導體固態紫外光源材料及器件關鍵技術 南京大學 第三代半導體紫外探測材料及器件關鍵技術 蘇州大學 高效大面積 OLED 照明器件制備的關鍵技術及生產示范 西安電子科技大學 GaN 基新型電力電子器件關鍵技術 中車時代 寬禁帶半導體電機控制器開發和產業化 上海電驅 基于 SiC 技術的車用電機驅動系統技術開發 許繼電源 基于新型電力電子器件的高性能充電系統關鍵技術 資料來源：CASA，東方財富證券研究所

28、2019 年針對第三代半導體的產業投資金額逐年提升， 根據 CASA 統計， 2019 年投資金額共計 265.8 億元， 整體相比 2018 年投資金額上升 54.53%， 其中 SiC 項目金額 220.8 億元，占比 83.07%，GaN 項目金額 45 億元。 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 10 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 圖表圖表 1111：我國第三代半導體產業投資金額我國第三代半導體產業投資金額 資料來源：CASA，東方財富證券研究所 1.1.5 5. .國內外第三代半導體產業鏈日益完善國內外第三代半導體產業鏈日益完善 第

29、三代半導體產業鏈與一般半導體產業鏈模式相類似，一般分為襯底、外 延生長、設計、制造以及封裝這五個流程，同樣也存在 IDM 模式，實現了設計 制造的一體化。 圖表圖表 1212：第三代半導體產業鏈第三代半導體產業鏈 資料來源：CASA，東方財富證券研究所 從氮化鎵產業鏈公司來看，國外公司在技術實力以及產能上保持較大的領 先。GaN 龍頭企業以 IDM 模式為主，其中 Qorvo 擁有自身的晶圓代工廠以及封 測廠，在國防以及 5G 射頻芯片領域具備較大優勢，在 2017 年 Qorvo 最早推出 39Ghz 雙通道 GaNFET， 并在 2018 年推出業內最強 GaN-on-SiC 晶體管； I

30、nfineon 則是專注于功率半導體領域，主要產品集中在 6 英寸 GaN 產線上，8 英寸產線 也在準備當中，公司是市場上唯一可以提供氮化鎵等全系列功率產品的公司。 國內廠商包括蘇州能華、華功半導體以及英諾賽科等，其中英諾賽科建成中國 首條 8 英寸硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線，公司產品在氮化鎵快充 0.0 50.0 100.0 150.0 200.0 250.0 201720182019 SiC投資金額（億元）GaN投資金額（億元） 20172017 敬請閱讀本報告正文后各項聲明敬請閱讀本報告正文后各項聲明 11 電子設備行業專題研究電子設備行業專題研究 領域具備國際領先的技術實力

31、。 GaN 襯底市場主要由日本住友電工、三菱化學也以及新越化學主導，其市 場份額占到 90%以上，可以成熟提供 4 英寸以及 6 英寸 GaN 襯底，國內廠商包 括蘇州納維以及東莞中鎵，目前已經實現 2 英寸氮化鎵襯底產品量產，對于 4 英寸氮化鎵仍處于研發及試生產階段，與國際領先廠商技術還存在一定差距。 市場上主流的 GaN 外延片供應商包括日本 NTTAT，其可以提供用于大功率 集成電路及高頻率通信領域的高品質氮化鎵外延片；比利時公司 EpiGaN 可提 供 4、 6 英寸氮化鎵外延晶圓， 廣泛用于 5G 通訊、 高效電力電子、 射頻功率、 傳感器等領域，目前公司已經率先實現了 8 英寸硅

32、基氮化鎵晶圓量產，生產工 藝處于行業先進水平。 國內廠商包括晶湛半導體、 蘇州能華以及華功半導體等， 其中晶湛已經建成了年產 1 萬片 6 英寸氮化鎵外延片生產線，在全球擁有超過 150 家著名半導體客戶，技術實力已經向國際領先水平靠近。 從事 GaN 芯片設計廠商包括 EPC、GaN Sys 以及 Navitas 等公司，其主要 是面向功率器件設計，安譜隆以及 RFHIC 主要面向射頻相關領域，其中安譜隆 在 2018 年被中國資本以 18 億歐元收購，極大提升了我國在 GaN 器件設計領域 的實力。 為設計公司提供晶圓代工的廠商包括穩懋、 TSMC、 富士通、 世界先進、 Cree 等，國內海威華芯、三安集成等新興代工廠也具備 GaN 晶圓代工能力。 圖表圖表 1313：GaNGaN 產業鏈產業鏈國內外廠商國內外廠商 資料來源：材料深一度，東方財富證券研究所 SiC 產業鏈同樣以 IDM 模式為主，主要的市場份額被 Infineon、Cree、羅 姆以及意法半導體占據。 Cree子公司Wolfspeed覆蓋了SiC全產業鏈生產能力， 在市場上占據了主導地位，在 SiC 器件領域市場份額達到了 62%；Infineon 在 SiC領域的功率器件同樣也具備較多的技術積