2021年功率半導體市場空間與新潔能公司前景分析報告（39頁）.pdf

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1、功率半導體：國產替代空間廣闊，汽車、5G 帶動下游需求持續爆發1、功率半導體是電能處理的核心器件功率半導體為半導體重要組成，是進行電能(功率)處理的核心器件，用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。根據產品形態，功率半導體可分為器件、IC 兩大類。常見功率器件 MOSFET、IGBT，性能不同，使用場景上各有側重。二極管：主要有SBD(肖特基二極管)、FRD(快恢復二極管)等， SBD 適用于小功率場景;FRD 適用于較大功率場景。晶閘管：又稱可控硅，管主要用于高壓領域，如工控、UPS(不間斷電源)、變頻器等。MOSFET：場效應晶體管，常見類型有平面柵MOS、溝槽柵MOS、超結MOS、

2、屏蔽柵MOS 等，主要應用于高頻中低壓領域，主要用于計算機及外設設備、通信、消費電子等，據IHS 數據其占全球功率分立器件市場超 40%份額。IGBT：適用電壓較MOSFET 高。在中低壓領域，IGBT 廣泛應用于新能源車和消費電子。 1700V 以上的高壓領域，廣泛應用于軌道交通、清潔發電和智能電網等重要領域。功率半導體市場空間廣闊，國產替代潛力巨大功率半導體作為電氣社會基礎性零組件，應用十分廣泛。功率半導體作為電路中進行電能處理的核心器件，幾乎在所有電氣、電力及電子設備中均有應用。近年來，新能源汽車、消費電子、工業自動化、家電變頻、5G 通信等領域的發展，帶動了功率半導體產品的升級。從最終

3、下游領域看，功率半導體主要應用于汽車、消費電子、工業(含通信)、電力等四大領域。其中消費電子領域對功率器件工作電壓要求不高，大多在民用的數百伏電壓范圍，市電范圍的開關電源一般工作電壓在 400V-700V，而汽車和通信基站對功率器件要求較高純電動車如寶馬i3，采用 IGBT 模塊，內含的 IGBT 單管功率電壓為 750V、電流高達660A，而據廣東省地方標準智慧燈桿技術規范，5G宏站功率達1000-1500W，運營商對功率器件具有更高功率密度的需求，以節省運營成本。關于下游領域占比，根據電子工程世界的數據，全球范圍內功率半導體下游領域中，汽車需求占比35%、工業為27%、消費電子為13%，三

4、者合計 75%;中國市場則按份額順序依次為汽車(27%)、消費電子(23%)、工業電源(19%)、電力(15%)、通信及其他(16%)。得益于新能源車、工業及消費電子&計算存儲領域需求的增長，全球MOSFET、IGBT及二極管市場規模有望突破130 億美元。據Yole，2017 年全球MOSFET、IGBT 及二極管市場空間在 104 億美元，占比較高的下游領域主要有新能源車(23 億美元)、工業(20億美元)、消費電子(14 億美元)、計算存儲(13.5 億美元)，而到 2023 年這一市場成長至132 億美元，主要增量來自新能源車市場快速增長至37 億美元，工業增長至 25億美元，消費電子及計算存儲則分別成長至 15.2、15.1 億美元。2017-2023 年整體市場CAGR 達 4%。