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化學機械拋光涉及納米尺度的界面上，發生的復雜物理化學過程。拋光過程中，界面在拋光液的化學組分作用下發生“軟化”，在拋光墊與磨料的共同機械作用下被移除。拋光中的副產物會與拋光液中對應的組分結合，避免在拋光過程中累積在拋光墊上，縮短拋光墊使用壽命或者影響晶圓制造過程中片與片之間的均一性?；瘜W機械拋光液的研發門檻高，業內僅有少數幾家企業可以滿足先進制程對于拋光液的嚴苛要求。CMP 拋光液是CMP 過程中的核心耗材，由于化學機械拋光過程涉及到納米尺度上復雜的化學反應與微觀機械作用，因此存在極大的技術難度與挑戰。對微觀反應過程與機理的深刻認知，是研發一款成熟拋光液的基礎?；瘜W機械拋光液的成分與其具體應用有直接關系，研發技術壁壘高。針對不同晶圓制造工藝，拋光液配方中的組分及其濃度需要進行相應的優化與調整。上述兩例專利的公開內容中，每類組分均可包含一種或多種響應化合物與添加劑的復配。每一組分的優化濃度亦需要配合下游應用的需求進行調整。因此，成熟拋光液產品的研發需要建立在理論指導下，長期探索出的經驗基礎上。拋光液的這一特性，決定了其技術壁壘高的特點。
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