《電子行業半導體材料系列報告之二：AI和晶圓廠擴建驅動半導體材料市場回暖高端材料國產化進程加速-250313.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《電子行業半導體材料系列報告之二：AI和晶圓廠擴建驅動半導體材料市場回暖高端材料國產化進程加速-250313.pdf（47頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、證券研究報告證券研究報告 AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場回暖，高端材料國產化進程加速市場回暖，高端材料國產化進程加速 半導體材料系列報告之二 2025年3月13日 作者：作者：劉劉 凱凱 執執業證書編號：業證書編號：S09305S093051711710000200002 于文龍于文龍 執業證書編號：執業證書編號：S0930522100002S0930522100002 黃筱茜黃筱茜 執業證書編號：執業證書編號：S0930524050001S0930524050001 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 2 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅

2、動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日

3、企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 3 1 1、半導體材料、半導體材料分為晶圓制造材料和封裝材料分為晶圓制造材料和封裝材料 半導體材料是制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要材料，是半導體制造工藝的核心基礎。按照工藝的不同，半導體材料可分為晶圓制造材料和封裝材料。以2021年為例，根據SEMI，對前道制造材料成本以及后道封裝材料成本進行拆分，其中成本占比最大的為硅片/其他襯

4、底成本(20.72%)；其余材料成本占比從大至小排序分別為封裝基板(14.88%)、濕電子化學品(8.79%)、光刻膠及配套材料(8.29%)、掩膜版(8.10%)、鍵合絲(5.58%)、引線框架(5.58%)、封裝樹脂(4.84%)、CMP 材料(4.46%)、陶瓷封裝(4.09%)、電子特氣(2.51%)、靶材(1.82%)、芯片粘結材料(1.49%)。資料來源：安集科技公司公告，光大證券研究所 圖圖 1 1：半導體材料：半導體材料 圖圖 2 2：20212021年半導體材料成本拆分年半導體材料成本拆分 資料來源：SEMI，付斌從砂到芯：芯片的一生，未來半導體網，光大證券研究所 請務必參閱

5、正文之后的重要聲明 4 1 1、晶、晶圓制造圓制造材料為半導體材料市場中占比較大的領域材料為半導體材料市場中占比較大的領域 根據Technavio的研究，從市場細分來看，2023年晶圓制造材料（Fab materials）是最大的半導體材料細分市場，占據了61.6%的市場份額，封裝材料（Packaging materials）則占據了 38.4%的市場份額。資料來源：SEMI，頭豹研究院，光大證券研究所 表表 1 1：半導體材料：半導體材料分類分類 材料類型材料類型 主要材料主要材料 主要用途主要用途 晶圓制造材料 硅片 晶圓制造基地材料，貫穿芯片制造和封測環節 電子氣體 起到氧化、還原、除雜

6、等作用，貫穿整個制造環節 掩膜版 光刻工藝中線路圖母版 光刻膠配套試劑 起到增強光刻膠黏性、剝離光刻膠等作用 濕電子化學品 清洗、刻蝕等工藝環節 CMP材料 實現襯底表面平坦化 光刻膠 將掩膜版圖案轉移至襯底材料 靶材 薄膜沉積的元素材料 其他制造材料/封裝材料 封裝基板 保護芯片、物理支撐、連接芯片與電路板、散熱 鍵合絲 連接芯片和引線框架 引線框架 保護芯片、物理支撐、連接芯片與電路板 包封材料 保護、散熱、絕緣、支撐 陶瓷基板 應用于大功率、高溫等場景 芯片粘結材料 應用于芯片封裝固晶工藝 其他封裝材料/圖圖 3 3：20232023年半導體材料市場構成年半導體材料市場構成 資料來源：T

7、echnavio 請務必參閱正文之后的重要聲明 5 1 1、晶圓廠產能擴張帶動半導體材料市場規模增長晶圓廠產能擴張帶動半導體材料市場規模增長 根據SEMI，2023年全球半導體材料市場銷售額從2022年的727億美元同比下降8.2%，至667億美元，主要因為2023年半導體行業處于去庫存過程中，晶圓廠利用率下降，從而材料消耗下降。2023年，晶圓制造材料銷售額下降7%至415億美元，封裝材料銷售額下降10.1%至252億美元。根據SEMI 數據，中國大陸半導體材料市場規?？焖僭鲩L，從2019年為593億元增長至2023年的979億元，估算2024年規模為1011億元。資料來源：集成電路材料研究

8、院，SEMI預測，勢銀研究，立鼎產業研究院，華經產業研究院、ICInsights、QYResearch，光大證券研究所(備注：匯率取 1 美元=7.1963 人民幣)表表 2 2：半導體材料前道市場規模、增長率及國產化率：半導體材料前道市場規模、增長率及國產化率 半導體材料半導體材料 20222022年國內市場年國內市場規模規模 (億元億元)20252025年國內市場年國內市場規模規模預測預測 (億元億元)增長幅度增長幅度 20232023年國產化率年國產化率 硅片 136.73 231.05 68.89%20%-30%電子特氣 221 317 43.44%30%-40%掩膜版 66.65 9

9、4 41.04%5%光刻膠及配套材料 40 52.49 31.23%0%-10%CMP材料（拋光液）18.58 29 56.08%20%-25%CMP材料（拋光墊）15.48 24.16 56.08%30%濕電子化學品 80.2 102.7 28.05%20%-30%靶材 25.3 43 69.96%30%-40%前驅體 46.7 60.08 28.64%低 資料來源：SEMI材料市場數據訂閱(MMDS),2024年5月 圖圖 4 4：20192019-20232023年全球半導體材料市場規模（單位：十億美元）年全球半導體材料市場規模（單位：十億美元）資料來源：SEMI統計及預測，中商產業研究

10、院整理，光大證券研究所 圖圖 5 5：20192019-20242024年中國半導體材料市場規模（單位：億元）年中國半導體材料市場規模（單位：億元）020040060080010001200201920202021202220232024E請務必參閱正文之后的重要聲明 6 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動市場進一步增長市場進一步增長 根據SEMI數據，中國臺灣地區2023年依然為全球最大的半導體材料消費地區，2023年半導體材料銷售額為192億美元，同比下降4.7%。2023年中國大陸半導體銷售額為131億美元，同比增長0.9%，韓國銷售額為106億美元，同比下降18%。資料來

11、源：SEMI，光大證券研究所 圖圖 6 6：20222022-20232023全球全球各國家各國家/地區地區半導體材料銷售額占比半導體材料銷售額占比 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2022年 2023年 歐洲 北美 日本 其他 韓國 中國大陸 中國臺灣 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 7 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：

12、技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請

13、務必參閱正文之后的重要聲明 8 2 2、硅片：制作半導體的重要材料、硅片：制作半導體的重要材料 單晶硅錠經過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等一系列工藝步驟，最終制成半導體硅片。在半導體硅片上可布設晶體管及多層互聯線，從而形成具有特定功能的集成電路或半導體器件。在生產過程中，半導體硅片需盡可能減少晶體缺陷，保持極高的平整度和表面潔凈度，以確保集成電路或半導體器件的可靠性。半導體硅片通常按尺寸和工藝進行分類。尺寸（以直徑計算）主要包括50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）和300mm（12英寸）等規格。在摩

14、爾定律的推動下，半導體硅片正不斷向大尺寸方向發展。為提高生產效率并降低成本，大尺寸化成為半導體硅片制造技術的重要趨勢。硅片尺寸越大，單片硅片上可制造的芯片數量越多，單位芯片成本隨之降低。此外，由于在圓形硅片上制造矩形芯片會導致邊緣區域無法利用，硅片尺寸越大，邊緣損失相對越小，進一步降低了芯片成本。例如，在相同工藝條件下，300mm半導體硅片的可使用面積是200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產芯片數量的指標）約為200mm硅片的2.5倍。資料來源：滬硅產業招股說明書 圖圖 7 7：半導體硅片技術演進史：半導體硅片技術演進史 圖圖 8 8：200mm 200mm 硅片與硅片與 30

15、0mm 300mm 硅片對比硅片對比 資料來源：滬硅產業招股說明書，臺灣聯華電子官網 請務必參閱正文之后的重要聲明 9 2 2、硅片：制作半導體的重要材料、硅片：制作半導體的重要材料 根據制造工藝分類，半導體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以 SOI 硅片 為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經過外延生長形成外延片，拋光片經過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。資料來源：滬硅產業招股說明書，光大證券研究所整理 表表 3 3：按照制造工藝對硅片進行分類：按照制造工藝對硅片進行分類 類型類型 產品簡介產品簡介 技術介紹技術介紹 應用場景應用場景 拋

16、光片 拋光片是經過切割、研磨和拋光處理后的單晶硅片。拋光工藝通過去除表面損傷層，實現硅片平坦化，并減小表面粗糙度，滿足芯片制造對平整度和顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導體器件，廣泛應用于存儲芯片與功率器件，也可作為外延片和SOI硅片的襯底材料。外延片 外延片是通過化學氣相沉積在拋光面上生長的硅單晶層。外延技術通過化學氣相沉積生長硅單晶層，減少缺陷，降低電阻率、厚度和晶格結構的缺陷密度和氧含量。外延片常用于CMOS電路（如處理器芯片）和功率器件（如二極管、IGBT），廣泛應用于工業電子、汽車電子等領域，提升器件可靠性并減少能耗。SOI硅片 SOI硅片即絕緣體上硅，核心特征是在頂層硅和支撐襯

17、底間引入氧化物絕緣層。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子能力強等優點。適合應用于耐高壓、耐惡劣環境、低功耗、集成度高的芯片，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器及星載芯片等。請務必參閱正文之后的重要聲明 10 2 2、1212寸為硅片主流趨勢，寸為硅片主流趨勢，8 8英寸硅片仍具備應用優勢英寸硅片仍具備應用優勢 硅片尺寸向12英寸演進已成為主流趨勢，但8英寸硅片仍具備顯著的應用優勢。根據摩爾定律，半導體硅片尺寸越大，單片硅片上可制造的芯片數量越多，從而有效降低單位芯片成本。12英寸硅片主要應用于邏輯芯片（如CPU、GPU）、存

18、儲芯片、FPGA和ASIC等高端領域，而8英寸硅片則廣泛應用于功率器件、電源管理器、MEMS等領域。資料來源：SEMI，頭豹研究院，光大證券研究所 表表 4 4：硅片對應制程節點及應用領域：硅片對應制程節點及應用領域 尺寸尺寸 制程制程 應用領域應用領域 12英寸先進制程 10nm/7nm/5nm、3nm 高性能智能手機處理器、高性能計算、顯卡 16/14nm 高性能計算（GPU）、智能手機處理器、高性能存儲芯片、FPGA等 20-22nm 存儲芯片、中低端智能手機處理器、移動設備影像處理等 12英寸成熟制程 28-32nm Wi-Fi/藍牙芯片、普通處理器芯片、存儲芯片、ASIC芯片等 45

19、-65nm DSP、嵌入式MCU、車載導航/衛星/GPS/NFC等芯片、存儲芯片等 65-90nm 物聯網MCU芯片、智能家居設備、傳感器芯片、功率管理芯片等 8英寸 90nm-0.13m 汽車MCU芯片、基站通信設備、物聯網MCU芯片、射頻芯片、模擬芯片、功率器件 0.13m-0.15m 指紋識別芯片、影像傳感器、通信MCU、電源管理芯片、功率器件、LED驅動、傳感器芯片 0.18m-0.25m 影像傳感器，嵌入式NVM 6英寸 0.35m-0.5m MOSFET、IGBT等 0.5m-1.2m MOSFET、IGBT、MEMS、分立器件 請務必參閱正文之后的重要聲明 11 2 2、庫存去化

20、接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升、庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 受終端需求疲軟及高庫存影響，2023年全球半導體硅片市場規模及出貨量出現同比下滑。根據SEMI及中商產業研究院，受終端市場需求疲軟影響，2023年全球半導體硅片出貨面積下降至126.02億平方英寸。2024年上半年在AI熱潮帶動下復蘇，估測2024年全年出貨面積將達130億平方英寸。隨著行業庫存去化接近尾聲，疊加終端市場需求驅動，硅片行業有望逐步迎來復蘇。資料來源：SEMI，中商產業研究院統計及預測，光大證券研究所 圖圖 9 9：20192019-20242024年年全球半導體全球半

21、導體硅片出貨面積（單位：億平方英寸）硅片出貨面積（單位：億平方英寸）020406080100120140160201920202021202220232024E請務必參閱正文之后的重要聲明 12 2 2、硅片行業頭部集中度較高，上游供應商整體議價能力強、硅片行業頭部集中度較高，上游供應商整體議價能力強 全球半導體硅片市場集中度較高。滬硅產業為中國大陸規模最大半導體硅片廠商，是中國大陸率先實現300mm半導體硅片規?；a和銷售的企業。半導體硅片市場的競爭格局主要表現為：中國目前半導體硅片企業主要參與低端產品市場競爭，高端產品市場競爭以國外龍頭廠商技術與品牌為主，行業現有競爭者競爭較為激烈。上游

22、國產供應商整體議價能力較強，替代品威脅較小。全球半導體硅片市場主要被日本、德國、韓國、中國臺灣地區的龍頭企業所壟斷。根據中商產業研究院，2019-2023年中國半導體硅片市場規模從77.10億元增至123.30億元，年均復合增長率達12.45%，估算2024年中國半導體硅片市場規模為131億元。資料來源：中商產業研究院，光大證券研究所 圖圖 1010：20232023年年全球半導體硅片市場競爭格局（單位：全球半導體硅片市場競爭格局（單位：%）資料來源：中商產業研究院統計及預測，光大證券研究所 圖圖 1111：20192019-20242024年年中國半導體硅片中國半導體硅片市場規模（單位：億元

23、）市場規模（單位：億元）020406080100120140160201920202021202220232024E請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 13 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫

24、存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 14 3 3、電子特電子特氣貫穿晶圓制造的多個流程氣貫穿晶圓制造的多個流程 電子特種氣體在集成電路領域應用廣泛，種類繁多，覆蓋半導體制程多個環節

25、。盡管其在整體成本中占比僅為56%，但因其重要性，成為衡量半導體技術的核心產品。特種氣體按化學成分可分為硅系、砷系、磷系等七類；按用途則分為摻雜氣體、外延氣體、離子注入氣體等七類。例如，硅烷（SiH4）既屬于硅系氣體，又用于外延和化學氣相沉積（CVD）。這些氣體在集成電路中的精確應用，如摻雜、外延、離子注入等，確保了半導體器件的高性能和高可靠性。資料來源：SEMI，頭豹研究院，光大證券研究所 表表 5 5：電子特種氣體應用及產品：電子特種氣體應用及產品 種類種類 應用應用 主要產品主要產品 電子特種氣體 化學氣相沉積(CVD)氨氣、氧化亞氮、TEOS(正硅酸乙)、TEB(硼酸三乙)，TEPO(

26、磷酸三乙)、磷化氫、三氟化氯、二氯硅烷、氟化氮、硅烷、六氟化鎢、六氟乙烷、四氯化欽、甲烷等 離子注入 氟化砷、三氟化磷、磷化氫、三氟化硼、三氯化硼、四氟化硅六氟化硫、氙氣等 光刻膠印刷 氟氣、氨氣、氮氣、氛氣等 擴散 氫氣、三氯氧磷等 刻蝕 氨氣、四氟化碳、八氟環丁烷、八氟環戊烯、三氟甲烷、二氟甲烷、氯氣、澳化氫、三氯化硼、六氟化硫、一氧化碳等 摻雜 含硼、磷、砷等三族及五族原子之氣體，如三氯化硼、乙硼烷三氟化硼、磷化氫、砷化氫等 請務必參閱正文之后的重要聲明 15 3 3、全球主要電子特氣市場被歐美、日本企業占據，呈現寡頭壟斷格局全球主要電子特氣市場被歐美、日本企業占據，呈現寡頭壟斷格局 全

27、球電子特氣市場呈現出顯著的寡頭壟斷格局，主要由歐美和日本企業主導。2022年，全球市場規模達到50.01億美元，預計到2025年將增長至60.23億美元。在全球和中國市場中，空氣化工、林德、液化空氣和太陽日酸等企業占據主導地位，形成了高度集中的市場份額分布。2021年，全球排名前十的電子特氣市場規模合計達25.37億美元，其中三氟化氮市場規模是占比最高的電氣特氣。國內特種氣體企業通過技術引進與自主創新，已在市場中占據一定份額，但在產品多樣性、純度標準及全球競爭力方面，仍與國際領先企業存在顯著差距。資料來源：Linx Consulting，中船特氣招股說明書，光大證券研究所 表表 6 6：202

28、12021年電子特氣市場規模排名、占比及應用環節年電子特氣市場規模排名、占比及應用環節 序號序號 氣體名稱氣體名稱 市場規模市場規模 (億億美元美元)市場規模市場規模占比占比 應用工藝環節應用工藝環節 1 三氟化氮(NF)8.8 20%清洗、刻蝕 2 六氟化鎢(WF)3.35 8%成膜 3 六氟丁二烯(C4F6)3.11 7%刻蝕 4 氨氣（NH3）1.85 4%成膜 5 氙氣（Xe）1.75 4%離子注入，刻蝕 6 硅烷(SiH4)1.68 4%成膜 7 一氧化二氮(NO)1.39 3%成膜 8 磷烷（PH3）1.20 3%離子注入，成膜 9 激光氣（混合氣）1.15 3%光刻 10 三氟化

29、氯（ClF3）1.09 2%清洗 圖圖 1212：20232023年中國市場年中國市場競爭競爭格局格局 資料來源：撼地產業研究院，光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 16 3 3、我國電子特氣國產化率較低，仍有較大提升空間、我國電子特氣國產化率較低，仍有較大提升空間 根據中商產業研究院，2023年全球電子特氣市場規模56億美元，估算2024年全球電子特氣市場規模為60億美元。中國電子特氣市場規模同樣呈現出穩步增長的趨勢。2023年中國電子特氣市場規模249億元，隨著集成電路和顯示面板等半導體產業的快速發展，電子特氣的需求將持續增長，估算2024年中國電子特氣市場規模將達262.5億元

30、。我國企業所能批量生產的特種氣體仍主要集中在集成電路的清洗、蝕刻、光刻等工藝環節，對摻雜、沉積等工藝的特種氣體僅有少部分品種取得突破，自主供應能力不足。我國電子特氣國產化率較低，2020年電子特氣國產化率僅14%，例如集成電路生產用的電子特氣，我國僅能生產約20%的品種，所占國內市場份額僅為12%。預計2025年我國電子特氣國產化率有望提升至25%。圖圖 1313：20192019-20242024年全球電子特氣市場規模及同比增速年全球電子特氣市場規模及同比增速 圖圖 1414：20192019-20242024年中國電子特氣市場規模及同比增速年中國電子特氣市場規模及同比增速 圖圖 1515：

31、20182018-20252025年中國電子特氣國產化率統計及預測年中國電子特氣國產化率統計及預測 0%5%10%15%20%25%30%35%050100150200250300201920202021202220232024E市場規模（億元，左軸）同比增速（%，右軸）0%5%10%15%20%25%30%2018201920202025E資料來源：中商產業研究院統計及預測，光大證券研究所 資料來源：中商產業研究院統計及預測，光大證券研究所 資料來源：中商產業研究院統計及預測，光大證券研究所 0%5%10%15%20%25%0102030405060702019202020212022202

32、32024E市場規模（億美元，左軸）同比增速（%，右軸）請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 17 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4

33、 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 18 掩膜版是微電子制造過程中的圖形轉移母版，是平板顯示、半導體、觸控、電路板等行業生產制造過程中重要的關鍵材料。掩膜版的作用是將設計者的電路圖形通過曝光的方式轉移到下游行業的基板或晶圓上，從而實現批量化

34、生產。作為光刻復制圖形的基準和藍本，掩膜版是連接工業設計和工藝制造的關鍵，掩膜版的精度和質量水平會直接影響最終下游制品的優品率。圖圖 1717：掩膜版在半導體生產中的應用掩膜版在半導體生產中的應用 資料來源：清溢光電招股說明書 4 4、掩、掩膜版：微電子制造的圖形轉移母板膜版：微電子制造的圖形轉移母板 圖圖 1616：掩膜版工作原理掩膜版工作原理 資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）請務必參閱正文之后的重要聲明 19 掩膜版廣泛應用于半導體、平板顯示、電路板、觸控屏等領域。TFT-LCD制造過程中，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，將設計好的TFT陣列和彩色濾光片圖形按照薄膜晶體管的膜層結構順序，依

35、次曝光轉移至玻璃基板，最終形成多個膜層所疊加的顯示器件。晶圓制造過程中，其制造過程需要經過多次曝光工藝，利用掩膜版的曝光掩蔽作用，在半導體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。半導體掩膜版在最小線寬、CD 精度、位置精度等重要參數方面的要求，均顯著高于平板顯示、PCB 等領域掩膜版產品。資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿），光大證券研究所 4 4、掩、掩膜版：半導體和平板顯示為兩大主要應用領域膜版：半導體和平板顯示為兩大主要應用領域 表表 7 7：各類掩膜版及下游應用占比：各類掩膜版及下游應用占比 產品類型產品類型 產品應用領域產品應用領域 下游應用下游應用市場占比市場占比 下游

36、應用代表廠商下游應用代表廠商 半導體掩膜版 邏輯電路制造、模擬電路制造、功率器件制造、MEMS傳感器制造、IC封裝等 60%臺積電、英特爾、中芯國際、華虹半導體、華潤微、中芯集成、士蘭微、積塔半導體、比亞迪半導體、立昂微、燕東微、高德紅外、長電科技等 平板顯示掩膜版 LCD 顯示屏制造、OLED顯示屏制造等 28%京東方、天馬微電子、華星光電、中電熊貓、惠科等 其他 電路板（PCB、FPC）制造、觸控屏（TP）制造、光學器件制造等 12%藍思科技、紫翔電子等 關鍵參數關鍵參數 關鍵參數說明關鍵參數說明 半導體掩膜版半導體掩膜版 平板顯示掩膜版平板顯示掩膜版 PCB PCB 掩膜版掩膜版 掩膜版

37、最小線寬 掩膜版線寬越小，制作難度越高，對應下游產品線寬越小 0.5m 1.2m 10m CD 精度 數值越小，說明精度越高 0.02m 0.10m 0.50m CD 精度均值偏差 數值越小，說明精度穩定性越高 0.02m 0.12m 1m 位置精度 數值越小，掩膜版實際圖形位置坐標與設計值的偏差越小，精度越高 0.02m 0.28m 套刻層數 下游生產時使用的掩膜版的層數，層數越多對套刻精度要求越高 成套芯片用掩膜版包含的張數較多，通常十幾張到數十張不等 成套的平板顯示用掩膜版一般數量相對較少，即使是AMOLED一般也僅需十數張 通常張數為個位數 表表 8 8：各類掩膜版參數：各類掩膜版參數

38、 注：此處掩膜版最小線寬指掩膜版產品本身的最小線寬。由于半導體光刻時使用投影式光刻，掩膜版上曝光的圖案按照4：1 的比例投影至晶圓上，因此0.5m的掩膜版自身最小線寬對應下游半導體線寬約為130nm。顯示面板、PCB 在曝光時通常采用接近式光刻，掩膜版上的圖案按照1：1 的比例曝光。資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿），光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 20 SEMI數據顯示，2018-2022年，全球半導體掩膜版市場規模由40.41億美元增長至49億美元，復合年均增長率達4.9%，估算2023年半導體掩膜版市場規模將繼續增長至50.98億美元。根據中商產業研究院，2022年我國

39、半導體掩膜版市場規模約達112.74億元，同比增長9.0%，2023年約為128.83億元，估算2024年我國半導體掩膜版市場規模為134.26億元。圖圖 1919：20182018-20232023年全球半導體掩膜版市場年全球半導體掩膜版市場規模及同比增速規模及同比增速 圖圖 1818：20222022年半導體制造材料市場結構年半導體制造材料市場結構 圖圖 2020：20192019-20242024年年中國半導體掩膜版市場中國半導體掩膜版市場規模及同比增速規模及同比增速 35%13%10%10%10%10%12%硅片 電子特種氣體 光刻膠 濕電子化學品 拋光材料 靶材 光掩膜版 40.41

40、 41.02 44.04 46.47 49 50.98 0%1%2%3%4%5%6%7%8%0102030405060201820192020202120222023E市場規模（億美元，左軸）同比增速（%，右軸）資料來源：中商產業研究院統計及預測，光大證券研究所 資料來源：SEMI，光大證券研究所 資料來源：SEMI統計及預測，光大證券研究所 4 4、半導體掩膜版：半導體材料中占比較大的市場、半導體掩膜版：半導體材料中占比較大的市場 75.64 85.21 103.47 112.74 128.83 134.26 0%5%10%15%20%25%0204060801001201401602019

41、20202021202220232024E市場規模（億元，左軸）同比增速（%，右軸）請務必參閱正文之后的重要聲明 21 半導體掩膜版生產廠商可以分為晶圓廠自建配套工廠和獨立第三方掩膜廠商兩大類。由于28nm及以下的先進制程晶圓制造工藝復雜且難度大，各家用于芯片制造的掩膜版涉及晶圓制造廠的重要工藝機密且制造難度較大，因此先進制程晶圓制造廠商所用的掩膜版大部分由自己的專業工廠內部生產，如英特爾、三星、臺積電、中芯國際等公司的掩膜版均主要由自制掩膜版部門提供。對于28nm以上等較為成熟的制程所用的掩膜版，芯片制造廠商為了降低成本，在滿足技術要求下，更傾向于向獨立第三方掩膜版廠商進行采購。獨立第三方掩

42、膜版市場主要被美國Photronics、日本Toppan 和日本DNP 三家公司所控制，三者共占八成以上的市場規模，市場集中度較高。由于半導體掩膜版具有較高的進入門檻，國內半導體掩膜版主要生產商僅包括中芯國際光罩廠、迪思微、中微掩膜、龍圖光罩、清溢光電、路維光電、中國臺灣光罩等。圖圖 2222：20222022年全球獨立第三方半導體掩膜版廠商市場格局年全球獨立第三方半導體掩膜版廠商市場格局 圖圖 2121：20222022年全球半導體掩膜版廠商市場格局年全球半導體掩膜版廠商市場格局 資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）65%11%10%8%2%2%2%晶

43、圓廠/IDM廠 ToppanPhotronicsDNP中國臺灣光罩 HOYA其他 28.60%31.40%22.90%5.70%5.70%5.70%PhotronicsToppanDNP中國臺灣光罩 HOYA其他 4 4、獨立第三方半導體掩膜版市場中，海外公司占比較高、獨立第三方半導體掩膜版市場中，海外公司占比較高 請務必參閱正文之后的重要聲明 22 半導體掩膜版行業具有顯著的資本投入大、技術壁壘高、高度依賴專有技術的特點。晶圓制造廠商自行配套掩膜工廠，主要是出于制作能力的考量，但隨著制程工藝逐漸成熟及第三方掩膜版廠商的制作水平的不斷提升，自建掩膜版工廠的諸多弊端逐漸體現，如設備、人工投入巨大

44、，生產環節過于復雜，成本過于昂貴等。第三方半導體掩膜版廠商能充分發揮技術專業化、規?；瘍瀯?，具有顯著的規模經濟效應。在技術水平、產品性能指標符合要求前提下，獨立第三方掩膜版廠商對晶圓制造廠商的吸引力不斷增加。由于掩膜版承載著芯片設計方案和圖形信息，涉及到芯片設計公司的重要知識產權，第三方半導體掩膜版廠商作為芯片設計與芯片制造的中間橋梁，能夠更好地發揮信息隔離功能，芯片設計公司更傾向于將芯片設計版圖交給第三方掩膜廠進行掩膜生產以保證自身的信息安全。隨著技術水平不斷提高，第三方獨立掩膜版廠商競爭優勢將不斷體現，市場份額將持續增加。表表 9 9：半導體掩膜版行業具有較強抗周期行業特性，需求穩定性較高

45、半導體掩膜版行業具有較強抗周期行業特性，需求穩定性較高 資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）特征特征 介紹介紹 半導體產品不斷迭代創新 隨著我國半導體芯片行業的國產替代推進，技術水平、工藝能力不斷進步，芯片設計公司將會不斷推出新的產品，對于掩膜版的產品需求不斷增加。半導體掩膜版具有部分逆產業周期特性 當半導體行業處于下行周期，晶圓制造廠商的產能利用率不足時，為了提升產能利用率，晶圓制造廠商會向眾多的中小芯片設計公司提供晶圓代工服務，從而生產的半導體產品類型亦會增多，相應增加掩膜版的需求量；同時當下游需求低迷時，芯片設計公司將通過設計新產品刺激市場，提升銷量，新產品也會帶來對掩膜版的增量需求。

46、半導體產品種類繁多，應用廣泛 與產品種類較為集中的平板顯示行業相比，半導體行業的產品種類繁多、工藝多樣、應用廣泛，不同類型的產品應用于不同的終端場景，如消費電子、人工智能、汽車電子、新能源、工業制造、無線通信、物聯網等，掩膜版的需求此消彼長，不容易因某單一行業波動而產生較大的需求影響。4 4、半導體掩膜版行業需求穩定性較高，獨立第三方廠商市場份額增大半導體掩膜版行業需求穩定性較高，獨立第三方廠商市場份額增大 請務必參閱正文之后的重要聲明 23 半導體生產工藝通常采用投影式光刻方法，在投影式光刻中，激光透過掩膜版后，經過投影物鏡成像到晶圓的光刻膠表面，通過掩膜版對光線的遮擋或透過功能，實現掩膜圖

47、案向晶圓線路圖的圖形轉移。半導體掩膜版的技術演進的過程，是不斷解決極限情況下光的干涉與衍射現象、克服物理極限的過程。隨著掩膜版的線寬和線縫越來越小，當尺寸逐漸接近光刻機的波長時，曝光過程中就會出現嚴重的衍射現象。光的衍射現象是指光在傳播過程中，遇到尺寸與波長大小相近的障礙物時，光會傳到障礙物的陰影區并形成明暗變化的光強分布情況。這種情況在投影式光刻中尤為明顯，激光通過掩膜版的透光區和投影物鏡后會出現顯著的夫瑯禾費衍射現象，導致曝光圖形邊緣的分辨率降低，圖案邊緣失真嚴重，CD 精度大幅下降。因此，為了提高光刻環節曝光圖形的CD 精度，必須要對掩膜圖案進行光學鄰近效應修正（OPC）。圖圖 2424

48、：由于光的衍射造成的圖像失真及由于光的衍射造成的圖像失真及OPC OPC 效果對比效果對比 圖圖 2323：投影式光刻原理圖投影式光刻原理圖 資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）4 4、半導體掩膜版技術難度較大，我國廠商逐步突破、半導體掩膜版技術難度較大，我國廠商逐步突破 請務必參閱正文之后的重要聲明 24 隨著掩膜版圖形越來越復雜、線路密度越來越大，掩膜版的透光區間距離便越來越短，此時曝光過程中就會出現顯著的干涉現象。光的干涉是指兩束相干光相遇而引起光的強度重新分布的現象。當掩膜版的透光區間位置趨于接近時，從相鄰兩個透光區射出的光線頻率相同、振動方向相

49、近、相位差恒定，形成了相干光。兩列或多列相干光在空間相遇時相互疊加，光強在某些區域始終加強，在另一些區域則始終削弱，出現了穩定的強弱分布現象。上述現象會造成晶圓感光時遮光區域仍有曝光、透光區域光強不足的情況，導致整體的對比度降低，CD 精度大幅下降，從而嚴重影響了晶圓的電路圖形質量。當半導體的最小線寬小于130nm 后，傳統的二元掩膜版（Binary Mask）會由于光的干涉現象而無法對晶圓進行有效曝光，需要采用相移掩膜版（Phase Shift Mask，PSM）來消除曝光光束中的干涉現象，提升CD 精度水平。隨著半導體功能的不斷進步，制程能力的不斷提升，半導體器件與集成電路的細微電路圖也越

50、發復雜，晶圓表面需要光刻的圖案由傳統的二維電路圖像發展成含有多層結構的三維電路圖像，這也導致半導體掩膜版的層數不斷增加，對掩膜版的套刻精度也提出了更高的要求。圖圖 2626：光刻圖案發展成含有多層結構的三維電路圖像光刻圖案發展成含有多層結構的三維電路圖像 圖圖 2525：二元掩膜版和二元掩膜版和PSM PSM 掩膜版的原理掩膜版的原理 資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）資料來源：龍圖光罩招股說明書（注冊稿）4 4、半導體掩膜版技術難度較大，我國廠商逐步突破、半導體掩膜版技術難度較大，我國廠商逐步突破 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 25 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴

51、建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐

52、美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 26 5 5、光刻膠、光刻膠是光刻工藝中的核心耗材，其性能決定著光刻質量是光刻工藝中的核心耗材，其性能決定著光刻質量 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體，是光刻工藝中的核心耗材，其性能決定著光刻質量。光刻膠的應用領域主要為半導體產業、面板產業和PCB產業。其中，半導體光刻膠主要應用于晶圓制造；面板光刻膠主要應用于制備彩色濾光片、微細圖形

53、加工等；PCB光刻膠應用于微細圖形加工。光刻膠是對光敏感的混合液體，主要是由樹脂、光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、溶劑、單體等組成，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩(掩膜版)轉移到待加工基片上。從成本結構來看，光刻膠樹脂成本占比接近50%，其次添加劑（單體）成本占比約為35%，光引發劑及其他助劑成本占比15%。半導體光刻膠在光刻膠中技術指標要求最高，可分為g線/i線/KrF/ArF/ArFi和EUV光刻膠。光刻膠作為精密制造的核心材料，隨著微電子制程對線寬的要求極為嚴格，光刻膠主要技術參數為分辨率、對比度、敏感度等。資料來源：智研咨詢，光大證券研究所 圖圖 2727：202

54、22022年年光刻膠原料成本占比光刻膠原料成本占比 圖圖 2828：20222022年年全球光刻膠細分市場格局全球光刻膠細分市場格局 資料來源：智研咨詢，光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 27 5 5、中國、中國G/IG/I線光刻膠部分國產替代，線光刻膠部分國產替代，KrFKrF/ArFArF/EUV/EUV光刻膠主要依賴光刻膠主要依賴進口進口 全球光刻膠產能高度集中于日本和美國，海外廠商已實現從g/i線到EUV光刻膠的全品類覆蓋，具備較強的技術領先優勢。相比之下，我國光刻膠行業起步較晚，目前生產能力主要聚焦于中低端產品。本土企業如晶瑞電材（蘇州瑞紅）、彤程新材（北京科華）和華懋科

55、技（徐州康博）等，已在G/I線、KrF和ArF光刻膠領域取得一定進展，但EUV光刻膠技術仍處于空白狀態。資料來源：頭豹研究院，光大證券研究所 表表 1010：半導體光刻膠產品類型概況半導體光刻膠產品類型概況 資料來源：前瞻產業研究院，光大證券研究所 圖圖 2929：光刻膠主要技術參數光刻膠主要技術參數 產品類型產品類型 曝光波長曝光波長 應用制程應用制程 主要用途主要用途 半導體光刻膠 g線 436nm 0.5m以上 6英寸 i線 365nm 0.5m-0.35m 6英寸 KrF 248nm 250nm-130nm 8英寸 ArF 193nm 130nm-65nm 12英寸 ArFi 193n

56、m 65nm-14nm，配合雙重及多重顯影技術可達7nm 12英寸 EUV 13.5nm 7nm以下 12英寸 資料來源：智研咨詢2023年估算，光大證券研究所 表表 1111：20232023年我國半導體光刻膠產品國產化率年我國半導體光刻膠產品國產化率 主要品種主要品種 國產化率國產化率 g線 30%i線 30%KrF 10%ArF 2%ArFi 2%EUV 研發階段 資料來源：華經產業研究院，光大證券研究所 圖圖 3030：20212021年中國半導體光刻膠市占率情況年中國半導體光刻膠市占率情況 27%17%13%13%11%8%12%東京應化 杜邦 JSR住友化學 DONGJIM富士膠片

57、 其他 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 28 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發

58、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 29 6 6、濕、濕化學電子品技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快化學電子品技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 濕電子化學品，又稱超凈高純試劑或工藝化學品，是指主體成分純度大于99.99%，雜質離子和微粒數符合嚴格要求的化學試劑。主要以硫酸、鹽酸

59、、氫氟酸、氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀、丙酮、乙醇、異丙醇等為原料，經過預處理、過濾、提純等工藝生產得到的高純度產品。按照組成成分和應用工藝不同，濕電子化學品分為通用濕電子化學品和功能濕電子化學品兩大類。通用濕電子化學品一般為單組份、單功能、被大量使用的超凈高純試劑，常用于濕法工藝中的清洗、顯影等工序，主要包括酸類、堿類、有機溶劑類、及其他類產品。功能濕電子化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復配類化學品，即在單一的超凈高純試劑（或多種超凈高純試劑配合）基礎上，加入水、有機溶劑、螯合劑、表面活性劑等中的一種或多種化合物，然后混合而成的化學品。濕電子化學品可分為通用化學品和功能

60、性化學品兩類。2021年通用化學品市場規模占比為88.2%，功能性化學品市場規模占比為11.8%。表表 1212：濕電子化學品按用途分類濕電子化學品按用途分類 資料來源：中國電子材料行業協會統計及預測，頭豹產業研究院，光大證券研究所 圖圖 3131：20202020-20252025年全球濕電子化學品需求量（單位：萬噸）年全球濕電子化學品需求量（單位：萬噸）172 209 239 266 291 313 144.7 167.2 169.7 194.9 228.6 244 61.6 82.1 108.2 116.5 126.7 140.2 0100200300400500600700800202

61、0202120222023E2024E2025E集成電路 顯示面板 光伏及其他 資料來源：華經產業研究院，光大證券研究所 類別類別 種類種類 具體產品具體產品 通用通用濕電濕電子化子化學品學品 酸類 氟酸、硫酸、鹽酸、硝酸、乙酸、磷酸 堿類 氨水、氫氧化鈉、氫氧化銨、四甲基氫氧化銨 有機溶劑 醇類 甲醇、乙醇、異丙醇 酮類 丙酮、丁酮、甲基異丁基酮、N-甲基吡咯烷酮 酯類 乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、丙二醇單甲醚酯羧酯 醚類 丙二醇單甲醚 烴類 甲苯、二甲苯、環己烷 鹵代烴類 三氯乙烯、三氯乙烯、氯甲烷、四氯化碳 其它 雙氧水 功能功能濕電濕電子化子化學品學品 蝕刻液 金屬蝕刻液、BOE蝕

62、刻液、IOTO蝕刻液 清洗液 稀釋液 光刻膠配套試劑 正/負膠顯影液 剝離液 正/負膠剝離液、剝離清洗液 請務必參閱正文之后的重要聲明 30 6 6、全球、全球及中國主要的濕電子化學品供應商及中國主要的濕電子化學品供應商 資料來源：芯語，光大證券研究所 表表 1313：全球及中國主要的濕電子化學品供應商全球及中國主要的濕電子化學品供應商 地區地區 企業企業 企業情況企業情況 歐美 BASF 德國BASF為半導體產業和顯示面板行業生產提供電子化學品產品，是電子化學品行業的領先供應商 霍尼韋爾 美國霍尼韋爾能夠提供氫氟酸、氫氧化銨、過氧化氫和鹽酸等高純度濕電子化學品 默克 德國默克能夠為晶圓加工領

63、域提供高純濕電子化學品解決方案 英特格 美國英特格是半導體和其他高科技行業的先進材料和工藝解決方案的供應商 日本 關東化學 日本關東化學主要從事半導體用酸堿類超凈高純試劑的生產、研發 三菱化學 日本三菱化學主要生產高純濕電子化學品，如硫酸、硝酸、鹽酸、草酸、雙氧水、氨水 住友化學 日本住友化學主要從事半導體、顯示面板等領域超凈高純試劑的生產、研發 Stella 日本Stella主要從事半導體及顯示面板用高純氫氟酸生產 中國臺灣地區 東應化 臺灣東應化主要生產半導體、TFT-LCD用剝離液、顯影液等產品 聯仕 臺灣聯仕擁有3-4萬噸濕電子化學品年產能，在我國半導體應用領域中有一定市場份額 韓國

64、東友 韓國東友、韓國東進兩廠家主要生產顯示面板加工用的濕電子化學品，在我國有一定規模的市場份額 東進 Soul-brain 韓國Soul-brain是大型氫氟酸生產廠商 中國大陸 江化微 江化微主營業務為超凈高純試劑、光刻膠配套試劑等濕電子化學品的研發、生產和銷售。主要產品為氫氟酸、剝離液等 中巨芯 中巨芯是國內領先的電子化學品供應商，產品廣泛應用于集成電路、顯示面板以及光伏等領域的清洗、刻蝕、成膜等制造工藝環節 晶瑞電材 晶瑞電材生產的主要品種包括氫氟酸、雙氧水、氨水、鹽酸、硫酸、硝酸等 格林達 格林達是一家專業從事高純電子化學品研發、生產和服務的高新技術企業，是全球主要的顯影液TMAH生產

65、商之一 上海新陽 上海新陽主要從事電子電鍍與電子清洗系列功能性化學材料的研發、生產、銷售 飛凱材料 飛凱材料從光通信領域紫外固化材料的自主研發和生產開始，目前已將核心業務范圍逐步拓展至集成電路制造、屏幕顯示等領域 新宙邦 新宙邦是領先的電子化學品和功能材料企業，產品主要有鋰電池化學品、電容器化學品、有機氟化學品、半導體化學品以及LED封裝材料等 湖北興福 湖北興福產品種類由最初的電子級磷酸拓展到電子級硫酸、電子級硝酸、電子級鹽酸、電子級雙氧水、電子級氨水等 江陰潤瑪 江陰潤瑪主要從事超凈高純試劑的研發、生產和銷售，主要產品有氫氟酸、硝酸、蝕刻液等 請務必參閱正文之后的重要聲明 31 6 6、晶

66、圓廠產能的增加帶動上游濕電子化學品需求的增長、晶圓廠產能的增加帶動上游濕電子化學品需求的增長 超凈高純試劑和配套材料是電子工業中的關鍵性基礎化工材料，其質量好壞直接影響到電子產品的成品率、電性能及可靠性，也對微電子制造技術的產業化有重大影響。因此，電子工業的發展要求超凈高純試劑和配套材料與之同步發展，不斷地更新換代，以適應其在技術方面不斷推陳出新的需要。晶圓廠產能的增加帶動上游濕電子化學品需求的增長。資料來源：SEMI，光大證券研究所 圖圖 3232：前道及后道工藝用濕電子化學品市場規模（單位：十億元）前道及后道工藝用濕電子化學品市場規模（單位：十億元）中國半導體前道用濕電子化學品中，需求量最

67、大的是硫酸和雙氧水，各占總需求的25%左右；其次是光刻膠配套試劑（包括顯影液、稀釋液、剝離液等，未考慮鋁制程或銅制程使用的剝離清洗劑產品），約占半導體前道工藝用濕電子化學品需求的20%。目前國內6英寸及以下晶圓加工所用的濕電子化學品的國產化率已經超過80%。8英寸晶圓產品加工所用的濕電子化學品國產化率正在不斷提升，而12英寸晶圓產品所用的濕電子化學品國產化率非常低。根據思瀚產業研究院，在半導體加工產業鏈中，12 英寸晶圓加工主導著半導體用濕電子化學品的需求，其制造過程中耗用的濕電子化學品達 239.82 噸/萬片，是8 英寸晶圓消耗量的 4.6 倍，6 英寸晶圓消耗量的 7.9 倍。全球晶圓產

68、能的提升及晶圓尺寸的增大、先進制程工藝的發展，都將帶來濕電子化學品需求量的上升。請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 32 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片

69、行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 33 7 7、拋光拋光液與拋光墊為液與拋光墊為CMPCMP工藝核心耗材工藝核心耗材 化學機械平坦化化學機械平坦化，（Chemical mechanical polishing，簡稱

70、CMP），也稱化學機械拋光，化學機械研磨，是一種高度精確的拋光工藝。通過納米級粒子的物理研磨作用與拋光液的化學腐蝕作用的有機結合，以獲得優異的平面度。其過程可描述為：拋光過程部分是機械的，部分是化學的。由于摩擦和腐蝕之間的協同作用，CMP 被認為是一種摩擦化學過程。該過程的機械元件施加向下的壓力，而發生的化學反應提高了材料去除率。該過程是根據被處理材料的類型量身定制的。當目的是去除表面材料時，它被稱為化學機械拋光。當目的是使表面變平時，它被稱為化學機械平面化。資料來源：安集科技年報 圖圖 3333：CMP CMP 工藝原理圖工藝原理圖 請務必參閱正文之后的重要聲明 34 7 7、前、前道加工和

71、后道封裝中均需要多次使用道加工和后道封裝中均需要多次使用CMPCMP技術技術 化學機械拋光（CMP）已成為制造集成電路的核心技術。CMP系統能夠在單個裸片或最大直徑為300毫米的晶圓上實現納米級材料去除，適用于當前設備制造工藝中使用的各種晶圓/基板材料。在IC制造過程中，無論是氧化擴散、化學氣相沉積、濺鍍還是保護層沉積，CMP技術均需多次使用。與IC制造技術節點相對應，各種工藝制程的能力由CMP設備及其耗材決定。CMP工藝中的主要設備是CMP拋光機，主要耗材包括拋光液、拋光墊、清洗劑和調節器等。其中，拋光液和拋光墊占據CMP耗材細分市場的80%以上，是CMP工藝的核心消耗品。產品產品 用途描述

72、用途描述 拋光墊 拋光墊是CMP過程中的核心耗材，在CMP工藝中，拋光墊粘附在拋光臺上，與工作件接觸，對硅片提供一定的壓力并對其表面進行機械摩擦。拋光液 拋光液的主要作用是為拋光對象提供研磨及腐蝕溶解，其性能直接影響拋光后表面的質量。清洗液 在拋光工藝過程中，磨料和被拋光對象都會造成硅片的沾污，清洗的主要目的就是為了清除這些沾污物質，使硅片的質量不受到影響。修整盤 修整盤是將金剛石顆粒鑲嵌在金屬胎體上，在拋光過程中對拋光墊進行修正，以保證拋光工藝的穩定性和重復性。金剛石顆粒的尺寸、形狀和排列方式對修正的效果都可能造成影響。保持環 用于在硅片磨平時承載硅片并固定其位置，可產生低研磨速度，并生成具

73、有嚴格平整度公差的均勻表面拋光。表表 1414：CMPCMP材料分類材料分類 資料來源：公眾號【集成電路材料創新聯合體】，光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 35 7 7、前、前道加工和后道封裝中均需要多次使用道加工和后道封裝中均需要多次使用CMPCMP技術技術 在前道加工領域，CMP工藝的主要作用是對晶圓表面進行平坦化處理。晶圓制造前道加工環節包含7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光和金屬化，其中CMP主要用于銜接不同的薄膜工藝。隨著先進制程的推進，拋光需求持續增長。晶圓制造技術的升級使得CMP工藝步驟大幅增加，CMP拋光墊在晶圓制造過程中的消

74、耗量也隨之上升。根據Cabot微電子的數據，14納米及以下邏輯芯片工藝中，關鍵CMP工藝步驟將達到20步以上；而在7納米及以下邏輯芯片工藝中，CMP拋光步驟甚至可能達到30步。此外，存儲芯片從2D NAND向3D NAND技術的變革，也會使CMP拋光步驟數近乎翻倍。在后道封裝領域，CMP工藝也逐漸被應用于先進封裝環節的拋光，例如硅通孔（TSV）技術、扇出（Fan-Out）技術、2.5D轉接板（interposer）和3D IC等封裝技術。由于這些技術對引線尺寸的要求更小更精細，因此會引入刻蝕、光刻等工藝，而CMP作為每道工藝間的拋光工序，得以在先進封裝中廣泛應用。在2.5D封裝和3D封裝等先進

75、封裝技術中，TSV技術需要使用CMP工藝進行通孔大馬士革銅工藝淀積后的正面拋光，以實現平坦化并隔開另一面沉積的導體薄膜，便于金屬布線。同時，CMP也會用于晶圓背面金屬化和平坦化的減薄拋光。因此，CMP拋光墊將在先進封裝工藝中開拓新的市場空間。0510152025303540圖圖 3434：不同芯片制程對應：不同芯片制程對應CMP CMP 拋光次數拋光次數 資料來源：公眾號【集成電路材料創新聯合體】，光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 36 7 7、半導體產業發展推動、半導體產業發展推動CMPCMP拋光墊市場持續增長拋光墊市場持續增長 隨著全球半導體產能的快速提升，CMP拋光材料市場規

76、模持續擴大。根據TECHCET的數據，2021年全球CMP材料市場規模達到30億美元，其中CMP拋光墊市場規模為11.3億美元。中國CMP材料市場得益于晶圓制造行業的蓬勃發展，根據TECHCET的數據，2021年中國CMP拋光墊市場規模增長至13億元。隨著本土晶圓廠的崛起和產能擴張，國內CMP材料市場規模有望進一步增長。圖圖 3535：20162016-20212021年全球年全球CMPCMP拋光墊市場規模及同比增速拋光墊市場規模及同比增速 資料來源：公眾號【集成電路材料創新聯合體】，TECHCET，光大證券研究所-10%0%10%20%30%40%50%0246810122016201720

77、18201920202021市場規模（億美元，左軸）同比增速（%，右軸）圖圖 3636：20162016-20212021年中國年中國CMPCMP拋光墊市場規模及同比增速拋光墊市場規模及同比增速 資料來源：公眾號【集成電路材料創新聯合體】，TECHCET，光大證券研究所 0%5%10%15%20%25%30%02468101214201620172018201920202021市場規模（億元，左軸）同比增速（%，右軸）請務必參閱正文之后的重要聲明 37 7 7、CMPCMP拋光墊市場競爭格局高度集中拋光墊市場競爭格局高度集中 圖圖 3737：20212021年年CMPCMP拋光墊市場格局拋光墊

78、市場格局 CMP拋光墊市場競爭格局高度集中，美國陶氏杜邦公司占據了拋光片市場絕大部分的份額，其他公司包括美國Cabot、日本Fujibo、美國TWI公司等。在產品種類上，幾家國際大公司各有專攻。其中，陶氏公司可以提供全系列的可定制拋光墊產品，產品系列包括IC1000、Ikonic、Optivision、Optivision PRO、Politex、Suba和Visionpad。Cabot公司主要提供聚氨酯類拋光墊，可定制精確的硬度、孔徑、可壓縮性和凹槽圖案，以滿足各種應用的要求，產品系列包括NexPlanar、MEDEA、Epic和Epic Power。日本Fujibo可以提供聚氨酯及無紡布類

79、拋光墊及背墊，主要產品系列包括FP series、FX seires、FXA series、Suede series。美國TWI公司也可提供不同硬度拋光墊產品，主要系列包括PuRa和WestPad。資料來源：公眾號【集成電路材料創新聯合體】，光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 38 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更

80、新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 3

81、9 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 圖圖 3838：半導體芯片常用金屬靶材圖示半導體芯片常用金屬靶材圖示 超高純濺射靶材主要用于晶圓制造環節，其為通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系，在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。半導體領域靶材具有多品種、高門檻、定制化的特點，其對于濺射靶材的技術要求高，對金屬材料純度、內部微觀結構等均有嚴苛的標準。近年來半導體芯片的集成度越來越高，半導體芯片尺寸不斷縮小，對超高純濺射靶材提出了新的技術挑戰。半導體芯片行業用的金屬濺射靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純濺射

82、靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的濺射靶材。金屬靶材一般要求超高純度，雜質占比不能超過0.01%。資料來源：張衛剛等半導體芯片行業用金屬濺射靶材市場分析 請務必參閱正文之后的重要聲明 40 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 超高純鋁及其合金、超高純鈦、超高純鉭以及超高純銅及銅錳、銅鋁合金是目前半導體芯片制造中廣泛使用的薄膜材料。在超大規模集成電路芯片領域，這些材料對純度和性能要求極高。其中，超高純鋁及其合金主要用于配線薄膜，純度要求達到99.9995%（5N5）以上；超高純鈦及其靶材、環件則應用于130-5nm工藝中，作為阻擋層薄膜材料，

83、以實現更高的集成度；超高純鉭及其靶材、環件是90-3nm先進制程中必需的阻擋層薄膜材料，用于最尖端的芯片制造。此外，超高純銅及銅錳、銅鋁合金作為導電層薄膜材料，在90-3nm技術節點的先端芯片中廣泛應用，其純度要求達到99.9999%（6N）以上。相比之下，平板顯示器和太陽能電池領域對這些材料的純度要求略低，鋁靶和銅靶的純度分別要求達到99.999%（5N）和99.995%（4N5）以上。資料來源：張衛剛等半導體芯片行業用金屬濺射靶材市場分析，光大證券研究所 材料材料 性質性質 應用說明應用說明 備注備注 銅靶 導電層 高純銅材料因其電阻很低，對芯片集成度的提高非常有效，因此在110nm以下技

84、術節中被大量用作布線材料 銅靶和鉭靶通常配合起來使用。晶圓制造技術，目前正在朝著更小的制程方向發展，銅導線工藝的應用量在逐步增大，因此銅和鉭靶材的需求將有望持續增長。鉭靶 阻擋層 高純鉭靶主要用在12英寸晶圓片90nm以下的高端半導體芯片上 鋁靶 導電層 高純鋁箔在制作半導體芯片導電層方面應用甚廣，但因其響應速度方面的原因，而在110nm以下技術節點中很少應用 鋁靶和鈦靶通常配合起來使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術節點來保證其穩定性與抗干擾性的領域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。鈦靶 阻擋層 高純鈦靶主要用在8英寸晶圓片130和180nm技術節點上 鎳鉑合金靶 接觸層 可與芯片表面

85、的硅層生成一層薄膜，起到接觸作用/鈷靶 接觸層 可與芯片表面的硅層生成一層薄膜，起到接觸作用/鎢鈦合金靶 接觸層 鎢鈦合金，由于其電子遷移率低等優點，可作為接觸層材料用在芯片的門電路中/鎢靶/主要用于半導體芯片存儲器領域/表表 1515：半導體芯片行業用主要金屬濺射靶材簡介半導體芯片行業用主要金屬濺射靶材簡介 請務必參閱正文之后的重要聲明 41 8 8、靶材：靶材：先進制程以銅靶與鉭靶的配套為主先進制程以銅靶與鉭靶的配套為主 圖圖 3939：20222022年先進制程（銅鉭）與成熟制程（鋁鈦）晶圓占比年先進制程（銅鉭）與成熟制程（鋁鈦）晶圓占比 鋁靶早已被用來作為集成電路互連和觸點。鋁的問題是

86、電遷移和電阻高。由于半導體領域的進步，大規模集成電路向超大規模集成電路轉移，信號處理速度加快，要求傳遞信號的配線更細，這就要求更低電阻電容的靶材，因此用導電性好的金屬銅代替鋁為普遍做法。一般認為“絲”徑（寬度）小于0.25m 就必須使用銅靶。但是銅與硅有很高的化學活性和很快的擴散速度，在低溫下就可以形成銅硅合金（Cu-Si）通過氧化硅的電遷移，使得銅在硅中形成深的空穴，影響設備性能，針對這一問題，一般使用銅靶與鉭靶配套的方法進行處理。金屬鉭和鉭的化合物有高導電性、高熱穩定性和對外來原子的阻擋作用。鉭和氮化鉭對銅的惰性，Cu和Ta、以及Cu和N之間也不形成化合物，因此鉭和鉭基膜常用來作為防止銅擴

87、散的阻擋層。隨著制程工藝的慢慢提高，銅作為導電層、鉭作為阻擋層的搭配將越來越普遍。導電用銅、阻擋用鉭基本上以物理濺射沉積的方式在晶圓片上制膜，因此銅靶與鉭靶的使用量將會慢慢提升。目前市場上成熟制程（28nm及以上）的晶圓片所使用的靶材以鋁靶和鈦靶的配套為主，而在先進制程（28nm以下）的晶圓片中，金屬靶材的選擇則以銅靶與鉭靶的配套為主。資料來源：IC Insights預測，世展網，光大證券研究所 先進制程（銅鉭）39%成熟制程（鋁鈦）61%圖圖 4040：20252025年先進制程（銅鉭）與成熟制程晶圓（鋁鈦）占比年先進制程（銅鉭）與成熟制程晶圓（鋁鈦）占比 先進制程（銅鉭）52%成熟制程（鋁

88、鈦）48%資料來源：IC Insights測算，世展網，光大證券研究所 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 42 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望

89、逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 43 8 8、投資建議、投資建議 AI和晶圓廠擴建驅動半導體材料市場回暖，高端材料國產化進程加速。建議關注半導體材料領域公司：雅克科技、南大光電、彤程新材、安集科技、鼎龍股份、上海新陽、江

90、豐電子、有研新材、菲利華、清溢光電、路維光電、華特氣體、德邦科技。證券代碼證券代碼 證券簡稱證券簡稱 總市值（億元）總市值（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PEPE 23A23A 24E/A24E/A 25E25E 26E26E 23A23A 24E24E 25E25E 26E26E 002409.SZ 雅克科技 294.12 5.79 9.44 12.72 16.35 51 31 23 18 300346.SZ 南大光電 217.83 2.11 3.36 4.17 4.92 103 65 52 44 603650.SH 彤程新材 204.38 4.07 5.40 6.35 7.52

91、 50 38 32 27 688019.SH 安集科技 203.25 4.03 5.38 7.08 8.79 50 38 29 23 300054.SZ 鼎龍股份 263.19 2.22 5.05 6.88 9.26 119 52 38 28 300236.SZ 上海新陽 115.73 1.67 1.96 2.54 3.22 69 59 46 36 300666.SZ 江豐電子 197.15 2.55 4.01 4.83 6.33 77 49 41 31 600206.SH 有研新材 165.50 2.26 N/A N/A N/A 73 N/A N/A N/A 300395.SZ 菲利華 24

92、4.06 5.38 3.95 6.87 9.15 45 62 36 27 688138.SH 清溢光電 74.97 1.34 1.72 2.32 3.08 56 44 32 24 688401.SH 路維光電 63.28 1.49 1.92 2.46 3.12 43 33 26 20 688268.SH 華特氣體 59.00 1.71 1.81 2.52 3.27 34 33 23 18 688035.SH 德邦科技 62.73 1.03 0.97 1.50 2.12 61 65 42 30 表表 1616：半導體半導體產業鏈重點公司產業鏈重點公司20232023-20262026年歸母凈利潤

93、及年歸母凈利潤及PEPE估值估值 資料來源：Wind，光大證券研究所；注：1）安集科技、清溢光電、路維光電、華特氣體、江豐電子、德邦科技24年歸母凈利潤為業績快報數據，25-26年歸母凈利潤為wind一致預期；其余公司24-26年歸母凈利潤為wind一致預期，有研新材無24-26年wind一致預期；2）股價時間：2025年3月12日 請務必參閱正文之后的重要聲明 目目 錄錄 44 1 1、AIAI和晶圓廠擴建驅動和晶圓廠擴建驅動半導體材料半導體材料市場市場回暖回暖 7 7、CMPCMP材料：材料：CMPCMP環節仍存在較大國產化空間環節仍存在較大國產化空間 5 5、光刻膠：逐步推進國產化進程光

94、刻膠：逐步推進國產化進程 6 6、濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快濕電子化學品：技術門檻高、資金投入大、產品更新換代快 2 2、硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升硅片：庫存去化接近尾聲疊加終端需求驅動，硅片行業有望逐步景氣回升 4 4、掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發掩膜版：國產替代空間廣闊，龍頭企業蓄勢待發 3 3、電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據電子特氣：貫穿晶圓制造的多個流程，全球市場被歐美日企業占據 9 9、投資建議投資建議 1010、風險分析風險分析 8 8、靶材：半導體制造對靶材：半導體制造對濺射

95、靶材金屬純度的要求高濺射靶材金屬純度的要求高 請務必參閱正文之后的重要聲明 45 半導體需求不及預期風險。半導體需求不及預期風險。半導體可能存在需求不足等問題，后續應用產品需求可能不及預期。宏觀經濟不如預期風險。宏觀經濟不如預期風險。在全球貿易爭端頻發、國際環境復雜多變的宏觀背景下，半導體相關領域的發展可能會受到負面影響，從而影響相關業務領域的市場需求。行業競爭加劇風險。行業競爭加劇風險。半導體技術難度高、研發時間長，企業的技術創新能力、資金實力和人才素質等都是競爭的核心要素。相關企業若不能抓住行業發展機遇，不能及時根據市場變化加快技術升級，提高產品及服務質量，可能面臨新產品和前沿技術的替代風

96、險。行業競爭加劇對相關領域公司產生不利影響。9 9、風險分析、風險分析 通信電子研究團隊 劉凱劉凱 執業證書編號：S0930517100002 電話：021-52523849 郵件： 于文龍于文龍 執業證書編號：S0930522100002 電話：021-52523587 郵件： 何昊何昊 執業證書編號：S0930522090002 電話：021-52523869 郵件： 林仕霄林仕霄 執業證書編號：S0930522090003 電話：021-52523818 郵件： 朱宇澍朱宇澍 執業證書編號：S0930522050001 電話：021-52523805 郵件： 王之含王之含 執業證書編號：

97、S0930524070008 電話：021-52523818 郵件： 孫嘯孫嘯 執業證書編號：S0930524030002 電話：021-52523587 郵件： 黃筱茜黃筱茜 執業證書編號：S0930524050001 電話：021-52523813 郵件： 基金分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格并注冊為證券分析師，以勤勉的職業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，并對本報告的內容和觀點負責。負責準備以及撰寫本報告的所有研究人員在此保證，本研究報告中任何關于發行商或證券所發表的觀點均如實反映研究人員的個人觀點。研

98、究人員獲取報酬的評判因素包括研究的質量和準確性、客戶反饋、競爭性因素以及光大證券股份有限公司的整體收益。所有研究人員保證他們報酬的任何一部分不曾與，不與，也將不會與本報告中具體的推薦意見或觀點有直接或間接的聯系。行業及公司評級體系行業及公司評級體系 買入未來6-12個月的投資收益率領先市場基準指數15%以上；增持未來6-12個月的投資收益率領先市場基準指數5%至15%；中性未來6-12個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至5%；減持未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數5%至15%；賣出未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數15%以上；無評級因無法獲取必要的資料，或者

99、公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級?；鶞手笖嫡f明：A股市場基準為滬深300指數；香港市場基準為恒生指數；美國市場基準為納斯達克綜合指數或標普500指數。特別聲明特別聲明 光大證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）成立于1996年，是中國證監會批準的首批三家創新試點證券公司之一，也是世界500強企業中國光大集團股份公司的核心金融服務平臺之一。根據中國證監會核發的經營證券期貨業務許可，本公司的經營范圍包括證券投資咨詢業務。本公司經營范圍：證券經紀；證券投資咨詢；與證券交易、證券投資活動有關的財務顧問；證券承銷與保薦；證券自營；為期貨公司提供中間介紹業務

100、；證券投資基金代銷；融資融券業務；中國證監會批準的其他業務。此外，本公司還通過全資或控股子公司開展資產管理、直接投資、期貨、基金管理以及香港證券業務。本報告由光大證券股份有限公司研究所（以下簡稱“光大證券研究所”）編寫，以合法獲得的我們相信為可靠、準確、完整的信息為基礎，但不保證我們所獲得的原始信息以及報告所載信息之準確性和完整性。光大證券研究所可能將不時補充、修訂或更新有關信息，但不保證及時發布該等更新。本報告中的資料、意見、預測均反映報告初次發布時光大證券研究所的判斷，可能需隨時進行調整且不予通知。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議?？蛻魬灾髯鞒鐾顿Y決策

101、并自行承擔投資風險。本報告中的信息或所表述的意見并未考慮到個別投資者的具體投資目的、財務狀況以及特定需求。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。對依據或者使用本報告所造成的一切后果，本公司及作者均不承擔任何法律責任。不同時期，本公司可能會撰寫并發布與本報告所載信息、建議及預測不一致的報告。本公司的銷售人員、交易人員和其他專業人員可能會向客戶提供與本報告中觀點不同的口頭或書面評論或交易策略。本公司的資產管理子公司、自營部門以及其他投資業務板塊可能會獨立做出與本報告的意見或建議不相一致的投資決策。本公司提醒投資者注意并理解投資證券及投資產

102、品存在的風險，在做出投資決策前，建議投資者務必向專業人士咨詢并謹慎抉擇。在法律允許的情況下，本公司及其附屬機構可能持有報告中提及的公司所發行證券的頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或正在爭取提供投資銀行、財務顧問或金融產品等相關服務。投資者應當充分考慮本公司及本公司附屬機構就報告內容可能存在的利益沖突，勿將本報告作為投資決策的唯一信賴依據。本報告根據中華人民共和國法律在中華人民共和國境內分發，僅向特定客戶傳送。本報告的版權僅歸本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式、任何目的進行翻版、復制、轉載、刊登、發表、篡改或引用。如因侵權行為給本公司造成任何直接或間接的損失，本公司保留追究一切法律責任的權利。所有本報告中使用的商標、服務標記及標記均為本公司的商標、服務標記及標記。光大證券股份有限公司版權所有光大證券股份有限公司版權所有。保留一切權利。保留一切權利。