新芯股份：武漢新芯集成電路股份有限公司科創板首次公開發行股票招股說明書（申報稿）（更新稿）.pdf

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1、武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 武漢新芯集成電路股份有限公司武漢新芯集成電路股份有限公司 Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.（武漢市東湖新技術開發區高新四路 18 號）首次公開發行股票首次公開發行股票并在科創板上市并在科創板上市 招股說明書招股說明書 （申報稿）（申報稿）聯席聯席保薦機構（主承銷商）保薦機構（主承銷商）中國（上海）自由貿易試驗區商城路 618 號 西寧市南川工業園區創業路 108 號 聯席聯席主承銷商主承銷商 廣東省深圳市福田區中心三路 8 號卓越時代廣場（二期）北座本次股票發行擬在科創板市場上市，該市場

2、具有較高的投資風險?？苿摪骞揪哂醒邪l投入大、經營風險高、業績不穩定、退市風險高等特點，投資者面臨較大的市場風險。投資者應充分了解科創板市場的投資風險及本公司所披露的風險因素，審慎作出投資決定。本公司的發行申請尚需經上海證券交易所和中國證監會履行相應程序。本招股說明書不具有據以發行股票的法律效力，僅供預先披露之用。投資者應當以正式公告的招股說明書作為投資決定的依據。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-1 聲聲 明明 中國證監會、交易所對本次發行所作的任何決定或意見，均不表明其對發行人注冊申請文件及所披露信息的真實性、準確性、完整性作出保證，也不表明其對發行人的盈利能力、投資價值或

3、者對投資者的收益作出實質性判斷或保證。任何與之相反的聲明均屬虛假不實陳述。根據證券法規定，股票依法發行后，發行人經營與收益的變化，由發行人自行負責；投資者自主判斷發行人的投資價值，自主作出投資決策，自行承擔股票依法發行后因發行人經營與收益變化或者股票價格變動引致的投資風險。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-2 致投資者聲明致投資者聲明 一、發行人上市的目的一、發行人上市的目的 公司是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業，聚焦于特色存儲、數?；旌虾腿S集成等業務領域，可提供基于多種技術節點、不同工藝平臺的各類半導體產品晶圓代工。通過本次上市，公司一方面可以進一步拓寬融資渠道，提升

4、核心業務領域產能規模和研發投入，提高在晶圓代工行業的市場地位和核心競爭力，實現可持續發展；另一方面也有利于公司優化治理結構、吸引優秀人才，進一步增強、完善團隊能力建設和公司治理水平，為股東和行業持續創造價值。二、發行人現代企業制度的建立健全情況二、發行人現代企業制度的建立健全情況 公司建立健全了完善的現代企業制度，已按照公司法證券法和公司章程及其他法律法規和規章制度的要求建立了權責明確、運作規范的法人治理結構。公司股東大會、董事會、監事會規范運作，各項規章制度有效執行。著眼于公司的長遠和可持續發展，切實維護股東權益，保持股利分配政策的持續性和穩定性，以及提高股東對公司經營和分配的監督、穩定投資

5、者預期，公司制定了明確、清晰的上市后股東分紅回報規劃。三、發行人本次融資的必要性及募集資金使用規劃三、發行人本次融資的必要性及募集資金使用規劃 公司本次募集資金投資項目包括 12 英寸集成電路制造生產線三期項目和特色技術迭代及研發配套項目，圍繞公司的主營業務展開，符合國家有關產業政策和公司發展戰略。本次募集資金到位及募投項目的順利實施，將有利于公司搶抓三維集成與SOI 產業生態建設關鍵期，實現現有優勢工藝技術的持續升級迭代，拓展客戶產品應用的深度和廣度，同時加大對產業鏈上下游的帶動力度、完善構建產業生態，是公司實現既定戰略規劃和業務發展目標的重要舉措，是公司在晶圓代工領域實現差異化、多元化發展

6、的必由路徑。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-3 四、發行人持續經營能力及未來發展規劃四、發行人持續經營能力及未來發展規劃 報告期內，公司以特色存儲業務為支撐、以三維集成技術為牽引，各項業務平臺深化協同，持續進行技術迭代，提供晶圓代工的產品廣泛應用于汽車電子、工業控制、消費電子、計算機、物聯網等各項領域，與各細分行業頭部廠商形成了穩定、良好的合作關系，營業收入呈總體增長趨勢。未來，隨著所在行業的持續發展，公司將借助產能提升、研發創新以及市場布局、經營性活動現金流的持續優化等，實現業務規模穩定增長，公司具備持續經營能力。作為國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業，著眼于國家對半導體

7、和集成電路行業的戰略性發展規劃，公司明確了“致力于卓越的半導體技術與制造，為民族產業提升科技實力，為股東實現投資回報，為員工贏得美好生活”的重要使命，公司未來愿景定位于“成為三維時代半導體先進制造引領者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導體高端應用”。董事長簽字：YANG SIMON SHI-NING （楊士寧）武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-4 本次發行概況本次發行概況 發行股票類型 人民幣普通股（A 股）發行股數 本次擬發行股份不超過 2,826,335,470 股，占發行后總股本的比例不超過 25%且不低于 10%（行使超額配售選擇權之前，最終以中國證監會同意注冊后的

8、數量為準）。本次發行均為新股，不涉及股東公開發售股份 每股面值 人民幣 1.00 元 每股發行價格 人民幣【】元 預計發行日期【】年【】月【】日 擬上市的交易所和板塊 上海證券交易所科創板 發行后總股本 不超過 11,305,341,882 股（不考慮超額配售選擇權）保薦人（主承銷商）國泰君安證券股份有限公司、華源證券股份有限公司 聯席主承銷商 中信證券股份有限公司 招股說明書簽署日期【】年【】月【】日 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-5 目錄目錄 聲聲 明明.1 致投資者聲明致投資者聲明.2 本次發行概況本次發行概況.4 目錄目錄.5 第一節第一節 釋義釋義.9 一、一般釋

9、義.9 二、專業釋義.12 第二節第二節 概覽概覽.15 一、重大事項提示.15 二、發行人及本次發行的中介機構基本情況.18 三、本次發行概況.19 四、發行人報告期的主要財務數據和財務指標.20 五、發行人主營業務情況.21 六、發行人符合科創板定位的相關情況.22 七、發行人選擇的具體上市標準.22 八、發行人公司治理特殊安排等重要事項.23 九、募集資金用途.23 第三節第三節 風險因素風險因素.24 一、與行業相關的風險.24 二、與發行人相關的風險.24 三、其他風險.27 第四節第四節 發行人基本情況發行人基本情況.28 一、發行人的基本信息.28 二、發行人的設立情況.28 三

10、、發行人報告期內的股本和股東變化情況.31 四、發行人成立以來重要事件.34 五、發行人在其他證券市場上市、掛牌情況.34 六、發行人股權結構.35 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-6 七、發行人控股、參股公司情況.35 八、發行人控股股東、實際控制人及持有發行人 5%以上股份的主要股東基本情況.37 九、發行人特別表決權股份或類似安排情況.41 十、發行人協議控制架構的情況.41 十一、發行人股本情況.41 十二、董事、監事、高級管理人員與核心技術人員.47 十三、發行人已經制定或實施的股權激勵及相關安排.59 十四、發行人員工及其社保情況.63 第五節第五節 業務與技術業

11、務與技術.66 一、發行人主營業務及主要產品情況.66 二、行業基本情況.78 三、發行人銷售情況和主要客戶.97 四、發行人采購情況和主要供應商.99 五、發行人主要固定資產和無形資產.102 六、發行人核心技術及研發情況.106 七、發行人生產經營中涉及的主要環境污染物、主要處理設施及處理能力.115 八、發行人境外生產經營情況.116 第六節第六節 財務會計信息與管理層分析財務會計信息與管理層分析.117 一、財務報表.117 二、審計意見、關鍵審計事項和重要性水平的判斷標準.122 三、財務報表的編制基礎、合并范圍及變化情況.124 四、報告期內采用的主要會計政策和會計估計.125 五

12、、經注冊會計師核驗的非經常性損益表.139 六、主要稅種稅率、享受的主要稅收優惠政策.140 七、主要財務指標.141 八、分部信息.143 九、經營成果分析.143 十、資產質量分析.165 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-7 十一、償債能力分析.183 十二、股利分配分析.189 十三、現金流量分析.189 十四、持續經營能力情況分析.192 十五、資本性支出分析.194 十六、重大資產重組.195 十七、資產負債表日后事項、或有事項其他重要事項以及重大擔保、訴訟等事項.195 十八、盈利預測報告.195 第七節第七節 募集資金運用與未來發展規劃募集資金運用與未來發展規劃

13、.196 一、本次募集資金運用基本情況.196 二、募投項目可行性及與發行人主要業務、核心技術的關系.198 三、未來發展規劃.199 第八節第八節 公司治理與獨立性公司治理與獨立性.201 一、報告期內發行人公司治理存在的缺陷及改進情況.201 二、發行人管理層對內部控制的自我評估意見及注冊會計師的鑒證意見.201 三、發行人報告期內存在的違法違規情況.202 四、發行人報告期內資金占用和對外擔保情況.202 五、發行人直接面向市場獨立持續經營的能力.202 六、同業競爭情況.204 七、關聯方及關聯關系.205 八、關聯交易情況.211 九、報告期內關聯交易程序履行情況和獨立董事的意見.2

14、19 第九節第九節 投資者保護投資者保護.220 一、本次發行完成前滾存利潤的分配安排和已履行的決策程序.220 二、本次發行前后股利分配政策的差異情況及本次發行后的股利分配政策.220 三、特別表決權股份、協議控制架構或類似特殊安排、累計未彌補虧損的情況.225 第十節第十節 其他重要事項其他重要事項.226 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-8 一、重大合同及其對發行人的影響和存在的風險.226 二、對外擔保情況.230 三、重大訴訟或仲裁情況.230 第十一節第十一節 聲明聲明.231 一、發行人及其全體董事、監事、高級管理人員聲明.231 一、發行人及其全體董事、監事、

15、高級管理人員聲明.232 一、發行人及其全體董事、監事、高級管理人員聲明.233 二、發行人控股股東聲明.234 三、保薦人（主承銷商）聲明.235 三、保薦人（主承銷商）聲明.237 四、聯席主承銷商聲明.239 五、發行人律師聲明.240 六、會計師事務所聲明.241 七、資產評估機構聲明.242 八、驗資機構聲明.243 九、驗資復核機構聲明.244 第十二節第十二節 附件附件.245 一、備查文件.245 二、查閱時間和地點.246 附件一：重要承諾.247 附件二：落實投資者關系管理相關規定的安排、股利分配決策程序、股東投票機制建立情況.268 附件三：股東會、董事會、監事會、獨立董

16、事、董事會秘書制度的建立健全及運行情況說明.271 附件四：發行人申報前十二個月新增股東基本情況.273 附件五：董事會專門委員會的設置情況.293 附件六：發行人主要無形資產詳細情況.294 附件七：募集資金具體運用情況.349 附件八：子公司、參股公司簡要情況.352 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-9 第一節第一節 釋義釋義 一、一般釋義一、一般釋義 新芯股份、發行人、公司、股份公司 指 武漢新芯集成電路股份有限公司 新芯有限 指 武漢新芯集成電路制造有限公司，發行人的前身 新芯香港 指 武漢新芯集成電路制造（香港）有限公司 長江先進 指 長江先進存儲產業創新中心有限責

17、任公司 三維創新 指 湖北三維半導體集成創新中心有限責任公司 東湖高新區管委會、高新區管委會 指 武漢東湖新技術開發區管理委員會 武漢市國資委 指 武漢市人民政府國有資產監督管理委員會 湖北省國資委 指 湖北省人民政府國有資產監督管理委員會 長控集團 指 長江存儲科技控股有限責任公司 長江存儲 指 長江存儲科技有限責任公司 光創芯智 指 武漢光創芯智私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）光谷半導體 指 武漢光谷半導體產業投資有限公司 武漢芯盛 指 武漢芯盛私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）武創星輝 指 武漢武創星輝創業投資基金合伙企業（有限合伙）長投基金 指 湖北長江直投一期投資基金合伙企業（

18、有限合伙）長創基金 指 湖北長江基礎創新一期產業投資基金合伙企業（有限合伙）工融基金 指 工融金投（北京）新興產業股權投資基金合伙企業（有限合伙）農銀投資 指 農銀金融資產投資有限公司 陜西千帆 指 陜西千帆企航壹號股權投資基金合伙企業（有限合伙）中銀投資 指 中銀金融資產投資有限公司 中鑫高投 指 中鑫高投光谷同澤（湖北）產業投資基金合伙企業（有限合伙）建信投資 指 建信金融資產投資有限公司 交銀投資 指 交銀金融資產投資有限公司 中網投 指 中國互聯網投資基金（有限合伙）辰途華能 指 廈門辰途華能創業投資基金合伙企業（有限合伙）華恒一號 指 廈門辰途華恒一號創業投資基金合伙企業（有限合伙）

19、武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-10 華恒二號 指 廈門辰途華恒二號創業投資基金合伙企業（有限合伙）中證投資 指 中信證券投資有限公司 炬達二號 指 廈門炬達二號投資合伙企業（有限合伙）盛通順合 指 青島盛通順合創業投資合伙企業（有限合伙）招贏成長 指 招贏成長貳拾壹號私募股權投資基金（深圳）合伙企業（有限合伙）國鑫創投 指 上海國鑫創業投資有限公司 融媒體基金 指 央視融媒體產業投資基金（有限合伙）武漢連芯 指 武漢連芯企業管理中心（有限合伙）武漢能芯 指 武漢能芯企業管理中心（有限合伙）武漢傳芯 指 武漢傳芯企業管理中心（有限合伙）武漢感芯 指 武漢感芯企業管理中心（有限

20、合伙）武漢存芯 指 武漢存芯企業管理中心（有限合伙）武漢算芯 指 武漢算芯企業管理中心（有限合伙）武漢智芯 指 武漢智芯企業管理中心（有限合伙）員工跟投平臺 指 武漢連芯、武漢能芯、武漢傳芯、武漢感芯、武漢存芯、武漢算芯、武漢智芯 新芯管理 指 武漢新芯企業管理有限公司 心芯管理 指 武漢心芯企業管理有限公司 湖北科投 指 湖北省科技投資集團有限公司，曾用名：湖北省科技投資有限公司 光谷金控 指 武漢光谷金融控股集團有限公司 湖北長晟 指 湖北長晟發展有限責任公司 光谷產投 指 武漢光谷產業投資有限公司 光谷基金 指 武漢光谷產業投資基金管理有限公司 芯展投資 指 武漢芯展股權投資基金合伙企業

21、（有限合伙）芯展二號 指 武漢芯展二號股權投資基金合伙企業（有限合伙）芯光科技 指 武漢芯光科技投資有限公司 創芯谷 指 武漢創芯谷科技投資有限公司 芯騰科技 指 武漢芯騰科技投資有限公司 芯飛科技 指 武漢芯飛科技投資有限公司 長江產業集團 指 長江產業投資集團有限公司 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-11 武漢金控 指 武漢金融控股（集團）有限公司 湖北基金 指 湖北集成電路產業投資基金股份有限公司 國芯產投 指 湖北國芯產業投資管理有限責任公司 國芯基金 指 湖北國芯產業投資基金合伙企業（有限合伙）大基金一期 指 國家集成電路產業投資基金股份有限公司 大基金二期 指 國

22、家集成電路產業投資基金二期股份有限公司 恒爍股份 指 恒爍半導體（合肥）股份有限公司 紫光國芯 指 西安紫光國芯半導體股份有限公司 豐藝電子 指 豐藝電子股份有限公司 臺積電 指 臺灣積體電路制造股份有限公司 聯華電子 指 聯華電子股份有限公司 格羅方德 指 Global Foundries Inc.中芯國際 指 中芯國際集成電路制造有限公司 中芯國際（上海）指 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 華虹集團華虹集團 指指 上海華虹（集團）有限公司上海華虹（集團）有限公司 華虹公司 指 華虹半導體有限公司 華力華力微微 指指 上海華力微電子有限公司上海華力微電子有限公司 晶合集成 指 合肥晶合

23、集成電路股份有限公司 芯聯集成 指 芯聯集成電路制造股份有限公司 華邦電子華邦電子 指指 華邦電子股份有限公司華邦電子股份有限公司 旺宏電子旺宏電子 指指 旺宏電子股份有限公司旺宏電子股份有限公司 中試服務 指 湖北江城芯片中試服務有限公司 SST 指 Silicon Storage Technology，硅存儲技術公司 保薦人、保薦機構、聯席保薦人、聯席保薦機構 指 國泰君安證券股份有限公司、華源證券股份有限公司 國泰君安 指 國泰君安證券股份有限公司 華源證券 指 華源證券股份有限公司 中信證券 指 中信證券股份有限公司 發行人律師、國浩 指 國浩律師（上海）事務所 發行人會計師、安永 指

24、 安永華明會計師事務所（特殊普通合伙）武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-12 公司法 指 中華人民共和國公司法 證券法 指 中華人民共和國證券法 注冊辦法 指 首次公開發行股票注冊管理辦法 審核規則 指 上海證券交易所股票發行上市審核規則 科創板上市規則 指 上海證券交易所科創板股票上市規則 公司章程 指 發行人制定及不時修訂的武漢新芯集成電路股份有限公司章程 招股說明書、本招股說明書 指 武漢新芯集成電路股份有限公司首次公開發行股票并在科創板上市招股說明書 中國證監會 指 中國證券監督管理委員會 上交所 指 上海證券交易所 科創板 指 上海證券交易所科創板 A 股股票、A 股

25、 指 在中國境內證券交易所上市的以人民幣認購和進行交易的普通股股票 元、千元、萬元、億元 指 如無特別指明，指人民幣元、人民幣千元、人民幣萬元、人民幣億元 最近三年一期、報告期 指 2021 年度、2022 年度、2023 年度及 2024 年 1-9 9 月 二、專業釋義二、專業釋義 晶圓 指 制造半導體芯片所使用的襯底。是一種圓形晶體材料，按照直徑進行分類，目前主流代工廠使用的晶圓包括 6 英寸、8英寸、12 英寸等規格 集成電路、IC 指“Integrated Circuit”的簡稱，是一種微型電子部件。采用半導體制造工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及它們之間的連接

26、導線全部制作在一小塊半導體芯片如硅片或介質基片上，然后焊接封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的電子器件 光掩模版 指 又被稱掩模、掩模版、光罩，制造半導體芯片時，將電路印制在硅晶圓上所使用的圖形母版，是根據芯片設計公司設計的電路版圖轉換成芯片制造的圖形 封測 指“封裝、測試”的簡稱；“封裝”指為芯片安裝外殼，起到安放、固定、密封、保護芯片等作用；“測試”指檢測封裝前后的芯片電性是否可正常運作與符合設計規格 線寬 指 也稱作特征尺寸，通常為半導體芯片制造過程中，晶體管的最小尺寸 IDM 指 Integrated Device Manufacturer，指垂直整合制造工廠，是集芯片設計、芯片制

27、造、封裝測試及產品銷售于一體的整合元件制造商，屬于半導體行業的一種業務模式 Fabless 指 泛指芯片設計公司，指沒有芯片制造業務、只專注于芯片設計與銷售的一種業務模式。Fabless 公司負責芯片的電路設計與銷售，一般將生產、測試、封裝等環節外包 Foundry 指 泛指晶圓代工模式，專門負責芯片制造，不負責芯片設計，可同時為多家芯片設計公司或 IDM 公司提供代工服務 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-13 邏輯電路 指 傳遞和處理離散信號，以二進制為原理，實現數字信號邏輯運算和操作的電路 射頻 指 高頻交流變化電磁波的信號處理電路 CMOS 指 CMOS（Complem

28、entary Metal-Oxide-Semiconductor），互補金屬氧化物半導體。CMOS 的制造技術是將 NMOS 和 PMOS晶體管集成在同一個 IC 上的技術 良率 指 完成所有工藝步驟后測試合格的芯片的數量與整片晶圓上的有效芯片的比值。晶圓良率越高，同一片晶圓上產出的好芯片數量越多，芯片單位成本越低 非易失性存儲器 指 Non-volatile memory，非易失性存儲器，它涵蓋了所有在掉電后仍能保持其內容的存儲組件 閃存、Flash 指 是一種非易失性存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器 NOR Flash 指 代碼型閃存芯片，非易失性閃存的主要類別之一 ETOX

29、 指 存儲器芯片的一種存儲單元結構，主流閃存芯片工藝之一，由多晶硅柵組成，存儲單元中利用浮柵來存儲電荷，也稱浮柵（FloatingGate）型工藝 SONOS 指 存儲器芯片的一種存儲單元結構，主流閃存芯片工藝之一，以 ONO 堆棧為柵介質，存儲單元中利用俘獲電子或釋放電子之后閾值電壓的變化實現，也稱電荷俘獲（Charge Trap）型工藝 3D NAND 指 非易失性閃存的主要類別之一，擁有特殊的縱向多層結構，可以極大提升存儲密度 嵌入式 指 將 IP 模塊或工藝模塊集成至芯片或基礎工藝的簡稱 MCU 指 Micro controller Unit 的簡稱，指一類嵌入式非易失性存儲器，可提供

30、不同的控制效果，被廣泛應用于電子設備中 ESF3 指 SST 持有的第三代嵌入式 SuperFlash 技術，兼容 CMOS 工藝，可應用于 MCU 等產品生產 CIS 指 CMOS Image Sensor，CMOS 圖像傳感器 FSIFSI 工藝工藝 指指 Back Side IlluminatedBack Side Illuminated，CISCIS 前道工藝，也稱像素（前道工藝，也稱像素（PixelPixel）工藝，主要應用于工藝，主要應用于 CMOSCMOS 圖像傳感器像素晶圓的制造圖像傳感器像素晶圓的制造 BSI 工藝 指 Back Side Illuminated，CIS 后道

31、工藝，主要應用于背照式CMOS 圖像傳感器制造 堆棧式 指 堆棧式將背照式 CIS 中與像素器件處于同一平面的邏輯電路移到下層晶圓，使芯片感光器件、控制電路以及存儲單元等在不同晶圓上分別實現，并通過 TSV 等技術形成功能連接 SOI 指 絕緣體上硅，一種先進的半導體工藝，利用獨特的襯底結構顯著改善芯片中的寄生電容和漏電流，提高芯片性能 RF-SOI 指 射頻絕緣體上硅，一類使用部分耗盡的絕緣體上硅工藝生產的射頻前端芯片 硅通孔、TSV 指 Through Silicon Via，是一種在晶圓和晶圓之間制作垂直導通并實現電氣互聯的技術 混合鍵合 指 Hybrid Bonding，一種將兩片晶圓

32、的介質層與金屬層通過低溫直接鍵合的方式，形成金屬互連通訊的技術 TechInsights 指 半導體行業的信息平臺，提供半導體創新和相關市場情報 Yole 指 Yole Intelligence，是一家具有市場分析、技術發展和供應鏈武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-14 方面的專業知識以及對半導體、光子和電子領域策略的分析機構 集微咨詢 指 集微網，是國內的半導體行業媒體平臺 AspenCore 指 全球電子技術領域媒體機構 nm 指 納米，長度的度量單位，1nm 等于 10 的負 9 次方米 m 指 微米，長度的度量單位，1m 等于 10 的負 6 次方米 本招股說明書中部分

33、合計數與各加數直接相加之和在尾數上存在差異，這些差異是由于四舍五入造成的。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-15 第第二二節節 概覽概覽 本概覽僅對招股說明書全文作扼要提示。投資者作出投資決策前，應認真閱讀招股說明書全文。一、重大事項提示一、重大事項提示（一）（一）風險提示風險提示 公司提醒投資者關注“風險因素”中的下列風險，并認真閱讀本招股說明書“第三節 風險因素”中的全部內容。1、宏觀經濟波動和行業周期性的風險宏觀經濟波動和行業周期性的風險 半導體行業發展受宏觀經濟影響顯著，全球經濟走勢、行業景氣度以及產能周期等因素都對半導體行業產生重要影響，導致行業存在一定周期特征。報告

34、期內，半導體行業出現了整體波動的情況。2020 年以來，隨著全球信息化和數字化的加速發展、下游消費類需求的快速增長，半導體產業呈現出明顯的高投資趨勢，全球制造產能快速擴張，致使市場在 2022 年出現供過于求的情況，消費電子市場總體需求走低，半導體行業景氣度下行。2023 年全球半導體市場規?？s水至 5,591.36 億美元，較 2022 年下降 8.92%。2 2024024 年，隨著汽車電子、物聯網、年，隨著汽車電子、物聯網、云計算等領域的快速發展，半導體行業迎來新一輪增長。云計算等領域的快速發展，半導體行業迎來新一輪增長。在晶圓代工制造環節，下游市場需求的波動和低迷會導致晶圓代工的需求下

35、降，從而影響行業整體價格和利潤率水平。因此，如若發行人未能及時應對上述宏觀經濟環境變化及行業周期性的整體波動，可能會對公司經營業績產生潛在不利影響。2、國際貿易摩擦的風險國際貿易摩擦的風險 目前，半導體晶圓代工行業制造與供應體系整體仍有賴于全球化分工合作。報告期內，公司生產運營所需的主要機器設備及原材料部分采購自境外供應商；此外，公司銷售區域覆蓋中國大陸及中國香港、亞洲其他地區及歐美等境內外區域。20242024 年年 1212 月，美國政府將發行人列入“實體清單”月，美國政府將發行人列入“實體清單”（以下簡稱（以下簡稱“實體清單實體清單事項事項”）。本次實體清單事項可能會對公司獲取受美國出口

36、管制條例管轄）。本次實體清單事項可能會對公司獲取受美國出口管制條例管轄的物項帶來一定限制，但是不會對公司整體業務經營和持續經營能力構成重大的物項帶來一定限制，但是不會對公司整體業務經營和持續經營能力構成重大武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-16 不利影響不利影響。如未來國際間貿易摩擦加劇，相關國家可能調整出口管制政策，導致公司面臨設備、原材料供應受到一定限制或進口成本增加，境外采購及銷售可能因此受到影響，對公司業務及經營造成不利影響。3、工藝平臺技術工藝平臺技術迭代迭代無法滿足市場需求的風險無法滿足市場需求的風險 半導體晶圓代工行業具有工藝技術迭代快、資金投入大、研發周期長等特

37、點，伴隨相關工藝技術的革新及競爭水平的提高，預計未來市場對公司工藝技術迭代更新的速度和成效將提出更高的要求，如若公司在相關領域的進展未能取得良好效果、未能適配市場需求，則可能導致公司難以保持市場競爭地位，進而對經營及財務狀況產生不利影響。4、固定資產建設投資風險、固定資產建設投資風險 晶圓代工行業屬于典型的資本密集型行業，固定資產投資的需求較高。截至20242024 年年 9 9 月月 3 30 0 日日，公司固定資產的賬面價值為 942,334.49942,334.49 萬元萬元，占公司總資產的比例為 47.20%47.20%；公司在建工程的賬面價值為 4 42626,148.41148.4

38、1 萬元萬元，占公司總資產的比例為 21.35%21.35%。公司持續的產能擴充對后續資金投入提出了較高要求，公司的資金籌措能力面臨較大的考驗。同時，半導體行業晶圓制造環節產能擴充呈現周期性變化特征，下游需求變化速度較快而上游產能增減通常需要更長時間。因此，固定資產投資建設周期內可能面臨下游市場需求的快速變化，供應端產能增長與市場需求存在錯配風險。若公司新增固定資產投資無法適應市場需求或在相關技術領域的收入規模增長有限，則可能無法消化大額固定資產投資帶來的新增折舊，導致公司面臨盈利能力下降的風險。5、經營業績及毛利率波動風險、經營業績及毛利率波動風險 報告期各期，公司營業收入分別為 313,8

39、42.37 萬元、350,725.34 萬元、381,453.85萬元和314,616.36314,616.36萬元萬元，歸屬于母公司股東的凈利潤分別為63,875.69萬元、71,660.26 萬元、39,375.60 萬元和 13,812.71 13,812.71 萬元萬元，公司綜合毛利率分別為 32.11%、36.51%、22.69%和 19.63%19.63%，報告期內，公司營業收入呈現增長趨勢，受市場需求、產品結構調整等因素影響，公司毛利率水平存在一定波動。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-17 如未來受到行業周期、市場波動、下游市場需求變化、原材料成本上升、固定資產

40、折舊增加，或者公司技術平臺推廣不及預期、產能利用率下降等影響，且公司未能采取有效措施及時應對上述市場變化，將面臨經營業績及毛利率波動的風險，極端情況下有可能導致公司出現發行上市當年營業利潤同比下滑 50%以上甚至虧損的風險。6 6、募投項目短期影響經營業績或未來無法達到預期收益的風險、募投項目短期影響經營業績或未來無法達到預期收益的風險 公司本次募集資金投資項目實施后，公司固定資產規模預計將大幅增加。公司本次募集資金投資項目實施后，公司固定資產規模預計將大幅增加。一方面，由于募投項目的投資回收期較長，在短期內其新增折舊和攤銷或將對一方面，由于募投項目的投資回收期較長，在短期內其新增折舊和攤銷或

41、將對公司經營業績產生一定不利影響；另一方面，如果市場環境發生重大不利變化，公司經營業績產生一定不利影響；另一方面，如果市場環境發生重大不利變化，公司募集資金投資項目產生的收入及利潤未能達到預計水平，公司亦將面臨無公司募集資金投資項目產生的收入及利潤未能達到預計水平，公司亦將面臨無法達到預期收益的風險。法達到預期收益的風險。（二）（二）本次發行相關主體作出的重要承諾本次發行相關主體作出的重要承諾 發行人控股股東長控集團已作出業績下滑情形的相關承諾，主要如下：“發行人上市當年較上市前一年扣除非經常性損益后歸母凈利潤下滑 50%以上的，延長本企業屆時所持股份鎖定期限 6 個月；發行人上市第二年較上市

42、前一年扣除非經常性損益后歸母凈利潤下滑 50%以上的，在前項基礎上延長本企業屆時所持股份鎖定期限 6 個月；發行人上市第三年較上市前一年扣除非經常性損益后歸母凈利潤下滑 50%以上的，在前兩項基礎上延長本企業屆時所持股份鎖定期限 6 個月?！北竟咎崾就顿Y者閱讀本公司、控股股東及其他主要股東、董事、監事、高級管理人員、核心技術人員以及本次發行證券服務機構等作出的重要承諾、履行情況及未能履行承諾的約束措施等事項。相關具體承諾事項詳見本招股說明書“第十二節 附件”之“附件一：重要承諾”。（三）（三）本次發行本次發行后公司的利潤分配政策后公司的利潤分配政策 為明確公司首次公開發行股票并上市后對新老股

43、東的回報，增強利潤分配決策的透明度和可操作性，便于股東對公司的股利分配進行監督，公司擬訂了武漢新芯集成電路股份有限公司首次公開發行人民幣普通股（A 股）股票并在科創板上市后三年股東分紅回報規劃。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-18 本公司提示投資者關注公司發行上市后的利潤分配政策、上市后三年內利潤分配計劃和長期回報規劃，具體內容參見本招股說明書“第九節投資者保護”之“二、本次發行前后股利分配政策的差異情況及本次發行后的股利分配政策”之“（二）本次發行后的股利分配政策”。二、二、發行人及本次發行的中介機構基本情況發行人及本次發行的中介機構基本情況（一）發行人基本情況（一）發行人

44、基本情況 中文名稱 武漢新芯集成電路股份有限公司 有限公司成立日期 2006 年 4 月 21 日 英文名稱 Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.股份公司成立日期 2024 年 3 月 29 日 注冊資本 847,900.6412 萬元人民幣 法定代表人 孫鵬 注冊地址 武漢市東湖開發區高新四路18 號 主要生產經營地址 武漢市東湖新技術開發區高新四路 18 號 控股股東 長江存儲科技控股有限責任公司 實際控制人 無 行業分類 計算機、通信和其他電子設備制造業（C39）在其他交易所（申請）掛牌或上市的情況 無（二）本次發行的有關中介

45、機構（二）本次發行的有關中介機構 保薦人 國泰君安證券股份有限公司、華源證券股份有限公司 主承銷商 國泰君安證券股份有限公司、華源證券股份有限公司、中信證券股份有限公司 發行人律師 國浩律師（上海）事務所 其他承銷機構 無 審計機構 安永華明會計師事務所（特殊普通合伙）評估機構 北京中企華資產評估有限責任公司 發行人與本次發行有關的保薦人、承銷機構、證券服務機構及其負責人、高級管理人員、經辦人員之間存在的直接或間接的股權關系或其他利益關系 截至本招股說明書簽署日，與國泰君安同受上海國際集團有限公司控制的國鑫創投直接持有發行人 0.37%股份；武漢金控為華源證券間接持股 50%的控股股東，通過國

46、芯基金持有發行人控股股東長控集團 5.98%的股權，通過武漢芯盛持有發行人 3.52%的股份；湖北科投為華源證券間接持股 16.31%的股東，間接持有發行人 5%以上股份；發行人董事程馳光為華源證券董事；中信證券的全資子公司中證投資持有發行人 0.53%的股份。除前述情形及因國泰君安、華源證券、中信證券投資其他機構導致被動少量投資發行人（均在 0.001%以下）的情況外，不存在本次發行的中介機構或其負責人、高級管理人員、經辦人員直接或間接持有發行人股份的情形。（三）本次發行其他有關機構（三）本次發行其他有關機構 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-19 股票登記機構 中國證券登記

47、結算有限公司 收款銀行【】其他與本次發行有關的機構 保薦人（主承銷商）保薦人（主承銷商）律師律師 北京大成（武漢）律北京大成（武漢）律師事務所師事務所 三三、本次發行概況、本次發行概況（一）本次發行的基本情況（一）本次發行的基本情況 股票種類 人民幣普通股（A 股）每股面值 1.00 元 發行股數 不超過 2,826,335,470 股 占發行后總股本比例 不超過 25%其中：發行新股數量 不超過 2,826,335,470 股 占發行后總股本比例 不超過 25%股東公開發售股份數量-占發行后總股本比例-發行后總股本 不超過 11,305,341,882 股（不考慮超額配售選擇權）每股發行價格

48、【】元 發行市盈率【】倍（發行價格除以每股收益，每股收益按發行前一年度經審計的扣除非經常性損益前后孰低的歸屬于母公司所有者的凈利潤除以發行后總股本計算）發行前每股凈資產【】元 發行前每股收益【】元 發行后每股凈資產【】元 發行后每股收益【】元 發行市凈率【】（按每股發行價格除以發行后每股凈資產計算）發行方式 采用網下向配售對象詢價發行和網上資金申購定價發行相結合的方式或采用證券監管部門認可的其他發行方式 發行對象 符合規定資格的詢價對象和在上交所開立賬戶并已開通科創板市場交易賬戶的合格投資者或證券監管部門認可的其他發行對象 承銷方式 余額包銷 募集資金總額【】萬元 募集資金凈額【】萬元 募集資

49、金投資項目 12 英寸集成電路制造生產線三期項目 特色技術迭代及研發配套項目 發行費用概算 本次發行費用總額為【】萬元，包括：承銷及保薦費【】萬元、律師費用【】萬元、審計及驗資費用【】萬元、信息披露費用【】萬元、發行手續費用【】萬元 高級管理人員、員工擬參與戰略配售情況 若公司決定實施高管及員工戰略配售，則在本次公開發行股票注冊后、發行前，履行內部程序審議該事項的具體方案，并依法進行披露 保薦人相關子公司擬參與戰略配售情況 保薦人將安排相關子公司參與本次發行戰略配售，具體按照上交所相關規定執行。保薦人及相關子公司后續將按要求進一步明確參與本次發行戰略配售的具體方案，并按規定向上交所提交相關文件

50、 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-20 擬公開發售股份股東名稱、持股數量及擬公開發售股份數量、發行費用的分攤原則 無（二）本次發行上市的重要日期（二）本次發行上市的重要日期 刊登發行公告日期【】年【】月【】日 開始詢價推介日期【】年【】月【】日 刊登定價公告日期【】年【】月【】日 申購日期和繳款日期【】年【】月【】日 股票上市日期【】年【】月【】日 四四、發行人報告期的主要財務數據和財務指標、發行人報告期的主要財務數據和財務指標 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月/2024/2024 年年 9 9 月月 3030 日日 2023年年12月月31日日/202

51、3 年度年度 2022 年年 12 月月 31日日/2022 年度年度 2021 年年 12 月月 31日日/2021 年度年度 資產總額（萬元）1,996,440.301,996,440.30 1,503,352.18 1,152,439.20 881,739.58 歸屬于母公司所有者權益（萬元）1,233,700.581,233,700.58 719,265.18 717,829.57 565,707.08 資產負債率（母公司）38.20%38.20%52.13%37.66%35.78%營業收入（萬元）314,616.36314,616.36 381,453.85 350,725.34 3

52、13,842.37 凈利潤（萬元）13,812.7113,812.71 39,375.60 71,660.26 63,873.08 歸屬于母公司所有者的凈利潤（萬元）13,812.7113,812.71 39,375.60 71,660.26 63,875.69 扣除非經常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤（萬元）8,543.098,543.09 37,259.71 66,873.33 54,014.16 基本每股收益（元）0.0175 0.0175 0.0681 0.1289 0.1149 稀釋每股收益（元）0.0175 0.0175 0.0681 0.1289 0.1149 加權平均凈資產

53、收益率 1.23%1.23%5.33%11.37%11.81%經營活動產生的現金流量凈額（萬元）84,363.48 84,363.48 170,989.41 227,512.06 135,612.76 現金分紅（萬元）-50,000.00-武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-21 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月/2024/2024 年年 9 9 月月 3030 日日 2023年年12月月31日日/2023 年度年度 2022 年年 12 月月 31日日/2022 年度年度 2021 年年 12 月月 31日日/2021 年度年度 研發投入占營業收入的比例

54、7.88%7.88%6.86%6.65%6.16%注：上述財務指標的計算方法詳見本招股說明書“第六節 財務會計信息與管理層分析”之“七、主要財務指標”的注釋。五五、發行人主營業務情況、發行人主營業務情況 公司是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業，聚焦于特色存儲、數?；旌虾腿S集成等業務領域，可提供基于多種技術節點、不同工藝平臺的各類半導體產品晶圓代工。公司以特色存儲業務為支撐、以三維集成技術為牽引，各項業務平臺深化協同，持續進行技術迭代。未來，公司致力于成為三維時代半導體先進制造引領者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導體高端應用。報告期內，發行人按照工藝平臺分類的主營業務收入構成情況如下

55、：單位：萬元 工藝工藝平臺平臺 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 特色存儲 160,036.55160,036.55 50.89%50.89%257,026.62 67.71%244,965.03 73.47%217,755.45 74.32%數?；旌?103,151.74103,151.74 32.80%32.80%76,898.96 20.26%67,142.22 20.14%57,271.20 19.55%三維集成 34,162.9034

56、,162.90 10.86%10.86%17,225.98 4.54%21,116.78 6.33%15,828.22 5.40%其他 17,098.08 17,098.08 5.44%5.44%28,428.06 7.49%207.64 0.06%2,136.73 0.73%合計合計 314,449.27314,449.27 100.00%100.00%379,579.62 100.00%333,431.66 100.00%292,991.61 100.00%在特色存儲領域，公司是中國大陸規模最大的 NOR Flash 制造廠商，擁有業界領先的代碼型閃存技術。在數?；旌项I域，公司具備 CMO

57、S 圖像傳感器全流程工藝，技術平臺布局完整、技術實力領先，55nm RF-SOI 工藝平臺已經實現量產，器件性能國內領先。在三維集成領域，公司擁有國際領先的硅通孔、混合鍵合等核心技術。發行人生產經營所需的原材料主要包括硅片、化學品、氣體、靶材等，執行統一、規范的供應商管理制度；生產流程上主要包括規劃、準備、生產、入庫等階段，由銷售部門結合客戶需求及自身業務判斷給出后續業務需求預測，生產部門按照業務預測，根據客戶訂單、產能、工藝技術準備情況，制定主生產計劃；武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-22 發行人晶圓代工業務采用直銷模式開展銷售業務，與客戶建立合作關系后，進行直接溝通并形成

58、符合客戶需求的解決方案，推動簽署訂單。有關發行人主營業務情況詳見本招股說明書“第五節 業務與技術”之“一、發行人主營業務及主要產品情況”之“（一）主營業務及主要產品情況”“（二）主要經營模式”等。六六、發行人符合科創板定位的相關情況、發行人符合科創板定位的相關情況（一）發行人符合行業領域要求（一）發行人符合行業領域要求 公司所屬行業領域 新一代信息技術 公司主要從事半導體晶圓代工業務，根據國民經濟行業分類（GB/T4754-2017），公司所處行業為計算機、通信和其他電子設備制造業（C39）。根據上海證券交易所科創板企業發行上市申報及推薦暫行規定，公司所處行業為第五條（一）中所規定的“新一代信

59、息技術領域”之“半導體和集成電路”。根據國家統計局戰略性新興產業分類（2018）（國家統計局令第 23 號），公司所處行業為戰略性新興產業分類中的“新型電子元器件及設備制造”（分類代碼：1.2.1）及“集成電路制造”（分類代碼：1.2.4）。高端裝備 新材料 新能源 節能環保 生物醫藥 符合科創板定位的其他領域（二）發行人符合科創屬性相關指標要求（二）發行人符合科創屬性相關指標要求 科創屬性相關指標科創屬性相關指標 是否符合是否符合 指標情況指標情況 最近三年研發投入占營業收入比例 5%以上，或最近三年研發投入金額累計在 8,000.00 萬元以上 是 否 2021 年、2022 年及 202

60、3 年，公司累計研發投入為 68,816.78 萬元，累計在 8,000萬元以上 研發人員占當年員工總數的比例不低于 10%是 否 截至 2023 年末，公司員工總數為 1,901人，其中研發人員為 313 人，研發人員占比為 16.47%應用于公司主營業務并能夠產業化的發明專利 7 項以上 是 否 截至 2024 年 9 9 月末，公司已取得應用于公司主營業務的發明專利 700700 余項 最近三年營業收入復合增長率達到 25%，或最近一年營業收入金額達到 3 億元 是 否 2023 年，公司營業收入為 38.15 億元 七七、發行人選擇的具體上市標準、發行人選擇的具體上市標準 公司選擇的具

61、體上市標準為科創板上市規則第 2.1.2 條的第四套標準，即，“預計市值不低于人民幣 30 億元，且最近一年營業收入不低于人民幣 3 億元”。發行人 2023 年度實現營業收入 38.15 億元，結合最近一次外部股權融資武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-23 情況，以及可比公司的估值情況，發行人預計將滿足科創板上市規則第 2.1.2條的第四套標準。八八、發行人公司治理特殊安排等重要事項、發行人公司治理特殊安排等重要事項 截至本招股說明書簽署日，發行人不存在公司治理的特殊安排。九九、募集資金用途、募集資金用途 本次發行的募集資金扣除發行費用后的凈額計劃投入以下項目：單位：億元 序

62、序號號 項目名稱項目名稱 擬使用募集資擬使用募集資金金額金金額 擬使用募集資金擬使用募集資金比例比例 1 12 英寸集成電路制造生產線三期項目 43.00 89.58%2 特色技術迭代及研發配套項目 5.00 10.42%合計合計 48.00 100.00%武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-24 第第三三節節 風險因素風險因素 一、與行業相關的風險一、與行業相關的風險（一）（一）宏觀經濟波動和行業周期性的風險宏觀經濟波動和行業周期性的風險 詳見本招股說明書“第二節 概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風險提示”之“1、宏觀經濟波動和行業周期性的風險”。（二）（二）國際貿易摩擦

63、的風險國際貿易摩擦的風險 詳見本招股說明書“第二節 概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風險提示”之“2、國際貿易摩擦的風險”。（三三）工藝平臺技術）工藝平臺技術迭代迭代無法滿足市場需求的風險無法滿足市場需求的風險 詳見本招股說明書“第二節 概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風險提示”之“3、工藝平臺技術迭代無法滿足市場需求的風險”。（四）（四）產業政策變化的風險產業政策變化的風險 半導體產業作為我國戰略支柱產業，得益于國家政策支持，近年來實現了快速有力發展。相關產業政策覆蓋稅收、人才培養和技術創新等各方面，有效提升了行業內企業市場競爭力和可持續發展潛力。然而，產業政策面臨變化的不確定性

64、，如未來國家相關產業政策出現不利變化，將可能一定程度上對公司業務發展、人才引進和生產經營等造成不利影響。二、與發行人相關的風險二、與發行人相關的風險（一）固定資產建設投資風險（一）固定資產建設投資風險 詳見本招股說明書“第二節 概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風險提示”之“4、固定資產建設投資風險”。（二）經營業績及毛利率波動風險（二）經營業績及毛利率波動風險 詳見本招股說明書“第二節 概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風險提示”之“5、經營業績及毛利率波動風險”。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-25（三）無實際控制人的風險（三）無實際控制人的風險 截至本招股說明書

65、簽署日，長控集團直接持有發行人 68.19%的股份，系發行人的控股股東。長控集團的股權結構較為分散，結合長控集團的歷史沿革、公司章程、董事高管提名及任命情況、股東會和董事會對重大事項的表決結果、內部治理結構及日常經營管理決策，長控集團不存在實際控制人，因此發行人不存在實際控制人。公司控股股東較為分散的股權結構可能影響其對于下屬子公司的決策效率，使得發行人存在錯失發展機遇的風險。此外，公司未來若控股股東發生股權變動可能間接導致發行人控制權發生變動，進而給公司經營和業務穩定帶來潛在的風險。（四）存貨跌價風險（四）存貨跌價風險 報告期各期末，公司存貨賬面價值分別為 73,253.49 萬元、135,

66、597.33 萬元、124,796.54 萬元及 159,911.98159,911.98 萬元萬元，占資產總額的比例分別為 8.31%、11.77%、8.30%及 8.01%8.01%。公司通常根據客戶訂單和銷售預測進行生產備貨，但如果下游客戶因其生產銷售計劃原因調整采購需求，暫緩或取消訂單，或者受行業市場競爭加劇的影響，公司的產品市場價格下降，公司存貨將面臨減值的風險，從而對公司經營業績造成一定的不利影響。（五）（五）供應商集中度較高的風險供應商集中度較高的風險 報告期內，公司向前五大原材料供應商合計采購額分別為 32,348.03 萬元、49,477.58 萬元、29,364.57 萬元

67、和 40,302.5240,302.52 萬元萬元，占當期采購總額的比例分別為 41.46%、42.62%、34.46%和 34.64%34.64%，供應商集中度相對較高。盡管目前發行人所需采購的原材料供應相對充足，但若未來由于貿易摩擦或其他不可抗力因素導致原材料供應商延遲交貨、限制供應或提高價格，可能對發行人持續生產經營能力造成不利影響。（六）知識產權的風險（六）知識產權的風險 發行人所處的晶圓代工行業屬于典型的技術密集型行業，包括生產工藝、專利、集成電路布圖設計、商業秘密等在內的知識產權是公司在行業內保持自身競爭力的關鍵。隨著公司業務發展和市場開拓，公司的知識產權在未來可能遭受不武漢新芯集

68、成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-26 同形式的侵犯，中國以及其他國家或地區的知識產權法律提供的保護或這些法律的執行未必有效，公司實施或保護知識產權的能力可能受到限制，且成本可能較高。因此，如果公司的知識產權不能得到充分保護，公司未來業務發展和經營業績可能會受到不利影響。同時，其他競爭者可能指控公司侵犯其知識產權，從而對公司業務發展和經營業績產生不利影響。（七）研發人員不足或流失（七）研發人員不足或流失的風險的風險 半導體行業屬于技術密集型、人才密集型產業，特別是公司所處的晶圓代工領域，生產工藝流程復雜，技術研發涉及多學科交叉，對研發人員的專業程度、經驗水平、綜合素質要求較高，對高水平研

69、發人員的培養周期長、難度大。因此公司存在研發人員不足或流失的風險，如未能保持研發團隊的穩定性并持續擴充、吸引人才，則可能影響技術更新迭代進程，使公司在行業競爭格局中處于不利境地，對生產經營造成不利影響。（八）內部控制風險（八）內部控制風險 公司結合自身經營管理特點建立了較為完善的法人治理結構和風險控制體系。但報告期內，公司生產經營規模不斷擴大，資產規模、員工人數持續增長，隨著募集資金投資項目的實施，公司資產規模和人員規模也將進一步擴大，對公司組織管理制度、經營管理能力、法人治理水平和風險控制體系均提出了更高的要求。若公司內部管理制度不能有效貫徹落實并持續完善，將面臨較大的管理失效風險。（九）安

70、全生產的風險（九）安全生產的風險 公司生產涉及部分機械設備操作且所需的部分原材料存在一定危險性，對于操作人員的技術及操作工藝流程要求較高。若公司在安全生產管理制度上出現漏洞、管理不規范或生產人員在生產過程中未嚴格按照安全生產制度進行生產作業等，則公司存在發生安全生產事故，導致員工傷亡、財產損失、產線停工及受到相關部門行政處罰的風險，將對公司的生產經營產生不利影響。（十）匯率波動風險（十）匯率波動風險 公司交易存在人民幣、美元、日元等多種幣種結算。報告期內，公司匯兌損益分別為-1,372.82 萬元、2,612.86 萬元、-3,208.60 萬元和 4,385.214,385.21 萬元萬元。

71、公司武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-27 在經營過程中重視外幣資產和外幣負債在規模上的匹配，合理控制外匯風險敞口。但未來如果境內外經濟環境、政治形勢、貨幣政策、融資環境等因素發生變化，使得本外幣匯率大幅波動，公司仍將面臨匯兌損失的風險。公司記賬本位幣為美元，因公司披露的財務數據以人民幣列報，需對相關報表進行匯率折算。如果未來人民幣兌美元匯率發生重大變化，將可能對折算后的人民幣財務數據帶來一定偏差，一定程度上放大比較期間財務數據的變化幅度，并影響投資者對財務報表的使用。（十一）環境保護的風險（十一）環境保護的風險 發行人在生產經營中會產生廢水、廢氣和固體廢物，需遵守環境保護方面

72、的相關法律法規。發行人在日常生產經營過程中制定并執行了嚴格的環保制度，但未來如果公司由于環保設施運行故障等原因發生環境污染事件，可能將受到相關部門的行政處罰，并對公司的生產經營產生不利影響。同時，如果國家或地方出臺更為嚴格的環保要求，公司需投入相應資金對現有環保設施進行升級改造。（十二十二）募投項目短期影響經營業績或未來無法達到預期收益的風險）募投項目短期影響經營業績或未來無法達到預期收益的風險 詳見本招股說明書“第二節詳見本招股說明書“第二節 概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風概覽”之“一、重大事項提示”之“（一）風險提示”之“險提示”之“6 6、募投項目短期影響經營業績或未來無法達到

73、預期收益的風募投項目短期影響經營業績或未來無法達到預期收益的風險險”?！?。三、其他風險三、其他風險（一）發行失敗的風險（一）發行失敗的風險 本次發行的結果將受到證券市場整體情況、公司經營業績、投資者對公司價值的判斷等多種因素的影響。公司股票發行價格確定后，若發行人網下投資者申購數量低于網下初始發行量的，應當根據上海證券交易所首次公開發行證券發行與承銷業務實施細則的相關規定中止發行。中止發行后，在中國證監會予以注冊決定的有效期內，且滿足會后事項監管要求的前提下，公司需向上交所備案，方可重新啟動發行。若公司未在中國證監會予以注冊決定的有效期內完成發行，公司將面臨發行失敗的風險。武漢新芯集成電路股份

74、有限公司 招股說明書 1-1-28 第第四四節節 發行人基本情況發行人基本情況 一、發行人的基本信息一、發行人的基本信息 中文名稱：武漢新芯集成電路股份有限公司 英文名稱：Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co.,Ltd.注冊資本：847,900.6412 萬元人民幣 法定代表人：孫鵬 有限公司成立日期：2006 年 4 月 21 日 股份公司成立日期：2024 年 3 月 29 日 住所：武漢市東湖新技術開發區高新四路 18 號 郵政編碼：430205 聯系電話：027-87708900 傳真：027-81738000 互聯網網址： 電子信箱：

75、 信息披露和投資者關系負責部門：董事會辦公室 信息披露和投資者關系負責部門負責人：湯海燕 信息披露和投資者關系負責部門聯系電話：027-87708900 二、二、發行人的設立情況發行人的設立情況（一一）有限公司設立情況有限公司設立情況 發行人前身新芯有限設立于 2006 年 4 月 21 日，系由湖北科投以貨幣認繳出資，設立時注冊資本為 160,000.00 萬元。2006 年 4 月，湖北科投通過董事會決議，確認出資設立新芯有限的事項，武漢市工商行政管理局出具了企業法人營業執照。新芯有限設立時的股權結構如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-29 序號序號 股東名稱股東名稱

76、注冊資本（萬元）注冊資本（萬元）持股比例持股比例 1 湖北科投 160,000.00 100.00%合計合計 160,000.00 100.00%（二）股份有限公司設立情況（二）股份有限公司設立情況 新芯股份系由新芯有限整體變更設立，具體情況如下：2024 年 3 月 15 日，新芯有限通過股東會決議，同意新芯有限整體變更為股份有限公司。2024 年 3 月 18 日，安永出具審計報告（安永華明（2024）專字第70070915_B01 號），確認截至 2024 年 2 月 29 日，新芯有限經審計的凈資產為12,374,222,566.41 元。同日，北京中企華資產評估有限責任公司出具武漢新

77、芯集成電路制造有限公司擬變更為股份有限公司項目資產評估報告（中企華評報字2024第 3298號），確認截至 2024 年 2 月 29 日，新芯有限經評估的凈資產為 16,325,343,964.26元。2024 年 3 月 21 日，東湖高新區管委會出具關于武漢新芯集成電路制造有限公司整體變更為股份公司相關事項的函，確認新芯有限股改方案已按國資監管規則審查無異議。2024 年 3 月 26 日，新芯有限全體股東作為股份公司的發起人共同簽署了 武漢新芯集成電路股份有限公司發起人協議，就共同發起設立股份公司的相關事項進行約定。2024年3月27日，發行人召開創立大會暨第一次股東大會，同意以截至2

78、024年 2 月 29 日新芯有限經審計的賬面凈資產人民幣 12,374,222,566.41 元，按1.4594:1 的比例折合為股份有限公司股份 8,479,006,412 股，其中 8,479,006,412元計入注冊資本，余額 3,895,216,154.41 元計入資本公積，共同發起設立股份有限公司。2024年3月27日，安永對新芯股份設立時的注冊資本實繳情況進行了審驗，出具武漢新芯集成電路股份有限公司（籌）驗資報告（安永華明（2024）驗武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-30 字第 70070915_B02 號），確認截至 2024 年 3 月 27 日，公司已收到

79、全體發起人以新芯有限截至 2024 年 2 月 29 日的凈資產投入的人民幣 12,374,222,566.41 元，其中人民幣 8,479,006,412 元作為注冊資本，剩余部分人民幣 3,895,216,154.41 元計入資本公積。2024 年 3 月 29 日，公司就上述整體變更為股份有限公司事宜完成了工商變更登記手續，并取得武漢市市場監督管理局出具的營業執照。新芯股份設立時的股權結構如下：序號序號 股東名稱股東名稱 持股數（萬股）持股數（萬股）持股比例（持股比例（%）1 長控集團 578,214.47 68.19 2 光創芯智 37,665.97 4.44 3 光谷半導體 37,6

80、65.97 4.44 4 武漢芯盛 29,818.89 3.52 5 武創星輝 22,494.95 2.65 6 長投基金 18,832.98 2.22 7 交銀投資 10,462.77 1.23 8 建信投資 10,462.77 1.23 9 工融基金 10,462.77 1.23 10 中網投 10,462.77 1.23 11 農銀投資 7,847.08 0.93 12 華恒二號 5,231.38 0.62 13 中銀投資 5,231.38 0.62 14 中鑫高投 5,231.38 0.62 15 武漢感芯 5,029.25 0.59 16 武漢能芯 4,610.51 0.54 17

81、中證投資 4,498.99 0.53 18 武漢傳芯 4,388.04 0.52 19 長創基金 4,185.11 0.49 20 炬達二號 4,185.11 0.49 21 武漢連芯 3,989.59 0.47 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-31 序號序號 股東名稱股東名稱 持股數（萬股）持股數（萬股）持股比例（持股比例（%）22 武漢存芯 3,808.33 0.45 23 武漢算芯 3,458.15 0.41 24 盛通順合 3,452.71 0.41 25 招贏成長 3,138.83 0.37 26 國鑫創投 3,138.83 0.37 27 融媒體基金 2,615.

82、69 0.31 28 陜西千帆 2,615.69 0.31 29 辰途華能 1,935.61 0.23 30 武漢智芯 1,456.79 0.17 31 華恒一號 1,307.85 0.15 合計合計 847,900.64 100.00 三、發行人三、發行人報告期內報告期內的股本和股東變化情況的股本和股東變化情況 報告期內，發行人共進行了 2 次增資和 1 次股權轉讓，簡要情況如下：時間時間 事項事項 2023 年 1 月 第一次增資，注冊資本由 555,700.00 萬元增加至 578,214.47 萬元，新增注冊資本由原股東長江存儲認繳 2023 年 5 月 第一次股權轉讓，注冊資本未發生

83、變化，股東由長江存儲變更為長控集團 2024 年 2 月 第二次增資，注冊資本由 578,214.47 萬元增加至 847,900.64 萬元，新增注冊資本由光創芯智等 30 名新股東認繳 2024 年 3 月 整體變更為股份有限公司（一一）發行人發行人報告期報告期初的股權結構初的股權結構 報告期初，新芯有限的注冊資本為 555,700.00 萬元，股權結構如下：序號序號 股東名稱股東名稱 注冊資本注冊資本（萬元）（萬元）持股比例持股比例 1 長江存儲 555,700.00 100.00%合計合計 555,700.00 100.00%（二二）發行人發行人報告期報告期內的股本和股東變化內的股本和

84、股東變化 1、2023 年年 1 月，第一次增資月，第一次增資 2022 年 12 月 30 日，公司股東長江存儲作出決定，同意公司注冊資本由武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-32 555,700.00 萬元增加至 578,214.47 萬元，新增注冊資本由原股東長江存儲繳納。2023 年 1 月 19 日，公司取得武漢市市場監督管理局出具的營業執照。本次增資完成后，公司的股權結構如下：序號序號 股東名稱股東名稱 注冊資本（萬元）注冊資本（萬元）持股比例持股比例 1 長江存儲 578,214.47 100.00%合計合計 578,214.47 100.00%2、2023 年年

85、5 月，第一次股權轉讓月，第一次股權轉讓 2023 年 4 月 28 日，公司股東長江存儲作出決定，同意長江存儲將其持有的新芯有限 100%股權以零元的價格轉讓給長控集團。2023 年 4 月，長控集團與長江存儲簽署關于劃轉武漢新芯集成電路制造有限公司股權之協議，長江存儲同意根據協議將其所持有的新芯有限股權劃轉至長控集團，長控集團同意劃入該等股權并將直接持有新芯有限 100%的股權。2023 年 5 月 17 日，公司取得武漢市市場監督管理局出具的營業執照。本次股權轉讓完成后，公司的股權結構如下：序號序號 股東名稱股東名稱 注冊資本注冊資本（萬元）（萬元）持股比例持股比例 1 長控集團 578

86、,214.47 100.00%合計合計 578,214.47 100.00%3、2024 年年 2 月，第二次增資月，第二次增資 2023 年 9 月 28 日，安永出具了審計報告（安永華明2024專字第61866157_B01 號），截至 2023 年 3 月 31 日，新芯有限經審計的凈資產為683,238.01 萬元。2023 年 9 月 28 日，北京天健興業資產評估有限公司出具了 資產評估報告（天興評報字2023第 1279 號），以 2023 年 3 月 31 日為評估基準日，新芯有限凈資產評估價值為 1,105,280.00 萬元。該資產評估報告已經武漢東湖新技術開發區國有資產監

87、督管理辦公室備案并取得國有資產評估項目備案表（備案編號：003WXGZP2023015）。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-33 2024 年 1 月 12 日，長控集團作出股東決定，通過關于武漢新芯集成電路制造有限公司增資擴股暨引入戰略投資人的議案 關于武漢新芯集成電路制造有限公司實施員工跟投方案的議案，同意新芯有限進行增資擴股及實施員工跟投。2024 年 1 月 19 日，東湖高新區管委會出具了關于武漢新芯集成電路制造有限公司增資擴股相關事項的函，對本次增資擴股方案作出批復。2023 年 11 月至 2024 年 1 月，光創芯智、光谷半導體、武漢芯盛、武創星輝等合計 30

88、 名投資人分批次與新芯有限、長控集團簽署相關協議，就向新芯有限增資事項作出約定。2024 年 2 月 28 日，新芯有限召開股東會，同意公司注冊資本由 578,214.47萬元增至 847,900.64 萬元。本次增資，由新股東以 1.9115 元/注冊資本的價格認繳全部新增 269,686.17 萬元注冊資本。2024年2月29日，新芯有限取得武漢市市場監督管理局出具的 營業執照。本次增資完成后，公司股權結構如下：單位：萬元 序序號號 股東名稱股東名稱 注冊資本注冊資本 持股比例持股比例（%）1 長控集團 578,214.47 68.19 2 光創芯智 37,665.97 4.44 3 光谷

89、半導體 37,665.97 4.44 4 武漢芯盛 29,818.89 3.52 5 武創星輝 22,494.95 2.65 6 長投基金 18,832.98 2.22 7 交銀投資 10,462.77 1.23 8 建信投資 10,462.77 1.23 9 工融基金 10,462.77 1.23 10 中網投 10,462.77 1.23 11 農銀投資 7,847.08 0.93 12 華恒二號 5,231.38 0.62 13 中銀投資 5,231.38 0.62 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-34 序序號號 股東名稱股東名稱 注冊資本注冊資本 持股比例持股比例（%

90、）14 中鑫高投 5,231.38 0.62 15 武漢感芯 5,029.25 0.59 16 武漢能芯 4,610.51 0.54 17 中證投資 4,498.99 0.53 18 武漢傳芯 4,388.04 0.52 19 長創基金 4,185.11 0.49 20 炬達二號 4,185.11 0.49 21 武漢連芯 3,989.59 0.47 22 武漢存芯 3,808.33 0.45 23 武漢算芯 3,458.15 0.41 24 盛通順合 3,452.71 0.41 25 招贏成長 3,138.83 0.37 26 國鑫創投 3,138.83 0.37 27 融媒體基金 2,61

91、5.69 0.31 28 陜西千帆 2,615.69 0.31 29 辰途華能 1,935.61 0.23 30 武漢智芯 1,456.79 0.17 31 華恒一號 1,307.85 0.15 合計合計 847,900.64 100.00 4、2024 年年 3 月，整體變更為股份公司月，整體變更為股份公司 發行人于 2024 年 3 月整體變更為股份公司的具體情況詳見本節之“二、發行人的設立情況”之“（二）股份有限公司設立情況”。上述股權變動后至本招股說明書簽署日，公司股權結構未發生變化。四、發行人成立以來重要事件四、發行人成立以來重要事件 發行人成立以來，未曾發生重大資產重組等重大事件。

92、五、發行人在其他證券市場上市、掛牌情況五、發行人在其他證券市場上市、掛牌情況 截至本招股說明書簽署日，發行人未曾在其他證券市場上市或掛牌。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-35 六六、發行人股權結構、發行人股權結構 截至本招股說明書簽署日，發行人股權結構如下圖所示：七七、發行人控股、參股公司情況、發行人控股、參股公司情況 截至本招股說明書簽署日，發行人擁有 1 家控股子公司、2 家參股子公司，具體情況如下：（一）新芯香港（一）新芯香港 公司名稱 武漢新芯集成電路制造（香港）有限公司 成立時間 2018 年 4 月 23 日 股本總額 50.00 萬美元 注冊地址/主要生產經營地

93、 UNIT 1002,10/F.,PERFECT COMMERCIAL BUILDING,20 AUSTIN AVENUE,TSIM SHA TSUI,KOWLOON,HONG KONG 經營范圍 集成電路產品的設計、研發、銷售；貨物及技術進出口，代理進出口 在發行人業務板塊中定位 發行人于中國香港地區的銷售平臺 股東構成及控制情況 新芯股份持股 100.00%新芯香港最近一年及一期的主要財務數據如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-36 單位：萬元 項目項目 20242024 年年 9 9 月月 3 30 0 日日/20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年

94、年 12 月月 31 日日/2023 年度年度 總資產 5,105.105,105.10 1,285.18 凈資產-120.20120.20 -263.89 營業收入 6,920.526,920.52 5,086.76 凈利潤 143.93143.93 631.60 注：上表數據已經審計。（二二）長江先進）長江先進 公司名稱 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司 成立時間 2018 年 12 月 26 日 注冊資本 38,000.00 萬元 實收資本 38,000.00 萬元 法定代表人 霍宗亮 注冊地址/主要生產經營地 武漢東湖新技術開發區高新大道 999 號未來科技城海外人才大樓 A座 1

95、8 樓 242 室 經營范圍 先進存儲技術及相關產品的研究、開發、設計、檢驗、檢測、制造、銷售；科技企業的孵化、技術咨詢、技術服務、技術轉讓；知識產權研究及服務；企業管理咨詢；先進存儲系統解決方案咨詢、設計；貨物進出口、技術進出口、代理進出口（不含國家禁止或限制進出口的貨物或技術）。（涉及許可經營項目，應取得相關部門許可后方可經營）在發行人業務板塊中定位 新型存儲器相關技術及產品研發，與發行人主營業務無關 股東構成及控制情況 長控集團持有 39.47%股權，發行人持有 19.74%股權，武漢光谷創業投資基金有限公司持有 7.89%股權，武漢精測電子集團股份有限公司持有 5.26%股權，北方華創

96、創新投資（北京）有限公司持有 5.26%股權，北京紫光存儲科技有限公司持有 5.26%股權，以及其他 8 位持股 5%以下股東 長江先進最近一年及一期的主要財務數據如下：單位：萬元 項目項目 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日/20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年年 12 月月 31 日日/2023 年度年度 總資產 167,455.09167,455.09 168,094.79 凈資產 36,098.2836,098.28 36,447.10 營業收入 3,286.623,286.62 3,722.30 凈利潤-348.82348.82 -868.50

97、 注：上表 2023 年度財務數據已經審計。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-37（三三）三維創新）三維創新 公司名稱 湖北三維半導體集成創新中心有限責任公司 成立時間 2019 年 6 月 5 日 注冊資本 11,600.00 萬元 實收資本 11,500.00 萬元 法定代表人 劉天建 注冊地址/主要生產經營地 武漢東湖新技術開發區光谷一路 227 號 3 號樓 6 號（自貿區武漢片區）經營范圍 半導體三維集成器件、芯片及相關產品的研究、開發、設計、檢驗、檢測；科技企業的孵化、技術咨詢、技術服務、技術轉讓；知識產權研究及服務；企業管理咨詢；半導體三維集成系統解決方案咨詢、設

98、計；貨物進出口、技術進出口、代理進出口（不含國家禁止或限制進出口的貨物或技術）。（涉及許可經營項目，應取得相關部門許可后方可經營）在發行人業務板塊中定位 三維集成共性技術研發、產業支持服務，與公司主營業務能夠實現產業鏈上差異化互補與協同發展 股東構成及控制情況 發行人持有 27.59%股權，武漢產業發展基金有限公司持有 8.62%股權，武漢精測電子集團股份有限公司持有 8.62%股權，光谷產投持有 8.62%股權，湖北鼎匯微電子材料有限公司持有 5.17%股權，以及其他 12 位持股 5%以下股東 三維創新最近一年及一期的主要財務數據如下：單位：萬元 項目項目 20242024 年年 9 9

99、月月 3 30 0 日日/20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年年 12 月月 31 日日/2023 年度年度 總資產 29,095.5729,095.57 27,580.79 凈資產 13,633.5413,633.54 14,089.61 營業收入 1,113.101,113.10 1,875.58 凈利潤-456.07456.07 561.36 注：上表 2023 年度財務數據已經審計。八八、發行人控股股東、實際控制人及持有發行人發行人控股股東、實際控制人及持有發行人 5%以上股份的以上股份的主要主要股東基本情況股東基本情況（一一）控股股東、控股股東、實際控制人實際控

100、制人基本情況基本情況 1、控股股東、控股股東 截至本招股說明書簽署日，長控集團直接持有公司 68.19%的股份，為公司控股股東。長控集團的基本情況如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-38 公司名稱公司名稱 長江存儲科技控股有限責任公司 成立時間成立時間 2016 年 12 月 21 日 注冊資本注冊資本 11,181,207.25 萬元人民幣 實收資本實收資本 11,181,207.25 萬元人民幣 注冊地址注冊地址 武漢東湖新技術開發區高新大道 999 號海外人才大樓 A 座 1701 室 主要生產經營地主要生產經營地 武漢東湖新技術開發區未來三路 88 號 法定代表人法

101、定代表人 陳南翔 統一社會信用代碼統一社會信用代碼 91420100MA4KQ9MW0P 企業類型企業類型 其他有限責任公司 經營范圍經營范圍 一般項目：集成電路芯片及產品制造，集成電路設計，集成電路芯片及產品銷售，技術服務、技術開發、技術咨詢、技術交流、技術轉讓、技術推廣，貨物進出口，技術進出口，企業管理。（除許可業務外，可自主依法經營法律法規非禁止或限制的項目）與發行人主營業務與發行人主營業務的關系的關系 長控集團系控股型公司，與發行人主營業務無直接關系 經營期限經營期限 2016 年 12 月 21 日至無固定期限 股東構成股東構成 股東股東 持股比例持股比例 湖北長晟 26.89%芯飛

102、科技 25.69%大基金一期 12.13%大基金二期 11.53%湖北科投 9.38%國芯基金 5.98%長江產業集團 2.56%其他股東 5.84%合計合計 100.00%注 1：上表股權結構尚未辦理完畢工商登記。注 2：2024 年 6 月 28 日，長控集團召開股東會，通過關于與員工持股平臺簽署增資協議并修訂公司章程的議案，持股平臺擬向長控集團增資 21.27 億元（占注冊資本總額的1.295%），該員工持股計劃目前正在籌備過程中。長控集團最近一年及一期的主要財務數據如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-39 單位：萬元 項目項目 20242024 年年 9 9 月月

103、3 30 0 日日/20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年年 12 月月 31 日日/2023 年度年度 總資產 13,478,981.4713,478,981.47 13,269,981.60 凈資產 13,473,639.6613,473,639.66 13,255,060.69 營業收入-凈利潤-8,421.038,421.03 53,108.89 注：上表財務數據為母公司口徑，財務數據未經審計。2、實際控制人、實際控制人 長控集團公司章程規定股東會一般事項由全體股東所持表決權三分之二以上決議通過，董事會一般事項由三分之二以上董事決議通過。由于長控集團股權結構較為分散

104、，不存在可以實際支配其行為的主體，故控股股東長控集團無實際控制人，發行人無實際控制人。（二二）控股股東）控股股東、實際控制人直接或間接持有的公司股份實際控制人直接或間接持有的公司股份是否存在是否存在被質押、被質押、凍結或發生訴訟糾紛凍結或發生訴訟糾紛等等情情形形 截至本招股說明書簽署日，發行人控股股東直接或間接持有發行人的股份不存在被質押、凍結或發生訴訟糾紛等情形。（三三）控股股東）控股股東重大違法違規重大違法違規情況情況 報告期內，公司控股股東不存在貪污、賄賂、侵占財產、挪用財產或者破壞社會主義市場經濟秩序的刑事犯罪，不存在欺詐發行、重大信息披露違法或者其他涉及國家安全、公共安全、生態安全、

105、生產安全、公眾健康安全等領域的重大違法行為。（四）其他持有發行人（四）其他持有發行人 5%以上股份或表決權的主要股東以上股份或表決權的主要股東 截至本招股說明書簽署日，除長控集團外，光創芯智和光谷半導體同受湖北科投控制，二者合計持股占公司總股本的 8.88%。光創芯智和光谷半導體的基本情況如下：1、光創芯智、光創芯智 企業企業名稱名稱 武漢光創芯智私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）成立時間成立時間 2024 年 1 月 16 日 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-40 注冊資本注冊資本 74,300.00 萬元 注冊地址注冊地址/主要生產主要生產經營地經營地 湖北省武漢市東湖

106、新技術開發區高新大道 666 號光谷生物城 C5 棟 3樓 302 室 執行事務合伙人執行事務合伙人 光谷基金 統一社會信用代碼統一社會信用代碼 91420100MAD8PRPJ26 經營范圍經營范圍 一般項目：創業投資（限投資未上市企業）；以私募基金從事股權投資、投資管理、資產管理等活動（須在中國證券投資基金業協會完成登記備案后方可從事經營活動）；以自有資金從事投資活動。（除許可業務外，可自主依法經營法律法規非禁止或限制的項目）與發行人主營業務與發行人主營業務的關系的關系 主營業務為股權投資，與發行人主營業務無關 合伙人合伙人構成構成 合伙人合伙人 出資出資比例比例 湖北省鐵路發展基金有限責

107、任公司 40.38%光谷產投 20.05%武漢奧得信實業有限公司 11.17%湖北長江中信科移動通信技術產業投資基金合伙企業（有限合伙）10.77%湖北省聯想長江科技產業基金合伙企業（有限合伙）6.73%共青城融匯盈芯創業投資基金合伙企業（有限合伙）6.73%武漢顥源企業管理咨詢有限公司 4.04%光谷基金 0.13%合計合計 100.00%2、光谷半導體、光谷半導體 公司公司名稱名稱 武漢光谷半導體產業投資有限公司 成立時間成立時間 2023 年 5 月 25 日 注冊資本注冊資本 100,000.00 萬元 注冊地址注冊地址/主要生產主要生產經營地經營地 湖北省武漢市東湖新技術開發區高新大

108、道 770 號光谷科技大廈 A 座10 樓（自貿區武漢片區）法定代表人法定代表人 楊少丹 統一社會信用代碼統一社會信用代碼 91420100MACHWC861B 經營范圍經營范圍 一般項目：以自有資金從事投資活動；自有資金投資的資產管理服務；創業投資（限投資未上市企業）。（除許可業務外，可自主依法經營法律法規非禁止或限制的項目）與發行人主營業務與發行人主營業務的關系的關系 主營業務為以自有資金從事投資活動，與發行人主營業務無關 股東股東構成構成 股東股東 出資出資比例比例 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-41 武漢光谷金融控股集團有限公司 100.00%合計合計 100.00

109、%九、發行人特別表決權股份或類似安排情況九、發行人特別表決權股份或類似安排情況 截至本招股說明書簽署日，發行人不存在特別表決權股份或類似安排。十、發行人協議控制架構的情況十、發行人協議控制架構的情況 截至本招股說明書簽署日，發行人不存在協議控制架構的情況。十一十一、發行人股本情況、發行人股本情況（一）本次發行前后發行人股本情況（一）本次發行前后發行人股本情況 發行人本次發行前總股本為 8,479,006,412 股，本次公開發行股票數量不超過 2,826,335,470 股，占發行后公司總股本的比例不超過 25%。本次發行股份均為新股，不涉及股東公開發售股份。本次發行可以行使超額配售選擇權，采

110、用超額配售選擇權發行股票數量不超過首次公開發行股票數量的 15%。假設公司本次發行股份數量為 2,826,335,470股，本次發行前后公司的股本結構如下：單位：萬股 序號序號 股東名稱股東名稱 本次發行前本次發行前 本次發行后本次發行后 持股數量持股數量 持股比例持股比例 持股數量持股數量 持股比例持股比例 1 長控集團 578,214.4726 68.19%578,214.4726 51.15%2 光創芯智 37,665.9690 4.44%37,665.9690 3.33%3 光谷半導體 37,665.9690 4.44%37,665.9690 3.33%4 武漢芯盛 29,818.89

111、20 3.52%29,818.8920 2.64%5 武創星輝 22,494.9536 2.65%22,494.9536 1.99%6 長投基金 18,832.9844 2.22%18,832.9844 1.67%7 交銀投資 10,462.7691 1.23%10,462.7691 0.93%8 建信投資 10,462.7691 1.23%10,462.7691 0.93%9 工融基金 10,462.7691 1.23%10,462.7691 0.93%10 中網投 10,462.7691 1.23%10,462.7691 0.93%武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-42 序

112、號序號 股東名稱股東名稱 本次發行前本次發行前 本次發行后本次發行后 持股數量持股數量 持股比例持股比例 持股數量持股數量 持股比例持股比例 11 農銀投資 7,847.0768 0.93%7,847.0768 0.69%12 華恒二號 5,231.3846 0.62%5,231.3846 0.46%13 中銀投資 5,231.3846 0.62%5,231.3846 0.46%14 中鑫高投 5,231.3846 0.62%5,231.3846 0.46%15 武漢感芯 5,029.2501 0.59%5,029.2501 0.44%16 武漢能芯 4,610.5140 0.54%4,610

113、.5140 0.41%17 中證投資 4,498.9907 0.53%4,498.9907 0.40%18 武漢傳芯 4,388.0433 0.52%4,388.0433 0.39%19 長創基金 4,185.1076 0.49%4,185.1076 0.37%20 炬達二號 4,185.1076 0.49%4,185.1076 0.37%21 武漢連芯 3,989.5919 0.47%3,989.5919 0.35%22 武漢存芯 3,808.3311 0.45%3,808.3311 0.34%23 武漢算芯 3,458.1490 0.41%3,458.1490 0.31%24 盛通順合 3

114、,452.7138 0.41%3,452.7138 0.31%25 招贏成長 3,138.8307 0.37%3,138.8307 0.28%26 國鑫創投 3,138.8307 0.37%3,138.8307 0.28%27 融媒體基金 2,615.6923 0.31%2,615.6923 0.23%28 陜西千帆 2,615.6923 0.31%2,615.6923 0.23%29 辰途華能 1,935.6123 0.23%1,935.6123 0.17%30 武漢智芯 1,456.7901 0.17%1,456.7901 0.13%31 華恒一號 1,307.8461 0.15%1,30

115、7.8461 0.12%32 本次公開發行流通股-282,633.5470 25.00%合計合計 847,900.6412 100.00%1,130,534.1882 100.00%（二）發行人（二）發行人前十名前十名股東持股情況股東持股情況 截至本招股說明書簽署日，公司前十名股東持股情況如下：序號序號 股東名稱股東名稱 持股數（萬股）持股數（萬股）持股比例持股比例 1 長控集團 578,214.47 68.19%武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-43 序號序號 股東名稱股東名稱 持股數（萬股）持股數（萬股）持股比例持股比例 2 光創芯智 37,665.97 4.44%3 光谷

116、半導體 37,665.97 4.44%4 武漢芯盛 29,818.89 3.52%5 武創星輝 22,494.95 2.65%6 長投基金 18,832.98 2.22%7 交銀投資 10,462.77 1.23%8 建信投資 10,462.77 1.23%9 工融基金 10,462.77 1.23%10 中網投 10,462.77 1.23%合計合計 766,544.31 90.41%（三）發行人前十名自然人股東及其在發行人處擔任職務的情況（三）發行人前十名自然人股東及其在發行人處擔任職務的情況 截至本招股說明書簽署日，發行人無自然人股東。（四）發行人股本中的國有股份及外資股份情況（四）發行

117、人股本中的國有股份及外資股份情況 1、國有股東、國有股東 截至本招股說明書簽署日，公司有 7 名國有股東，具體情況如下：股東名稱股東名稱 股份性質股份性質 持股數量（持股數量（萬萬股）股）直接持股比例（直接持股比例（%）長控集團 CS 578,214.47 68.19 光谷半導體 SS 37,665.97 4.44 交銀投資 SS 10,462.77 1.23 建信投資 SS 10,462.77 1.23 農銀投資 SS 7,847.08 0.93 中銀投資 SS 5,231.38 0.62 國鑫創投 SS 3,138.83 0.37 合計合計 653,023.27 77.02 2024 年

118、8 月 16 日，東湖高新區管委會出具關于武漢新芯集成電路股份有限公司國有股東標識界定的批復，同意對公司前述 7 名國有股東證券賬戶進行相應標注。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-44 2、外資股東、外資股東 截至本招股說明書簽署日，公司不存在外資股東持股情況。（五五）發行人股東中涉及私募投資基金備案情況發行人股東中涉及私募投資基金備案情況 截至本招股說明書簽署日，公司股東共計 31 名，其中 15 名股東按照私募投資基金監督管理暫行辦法和私募投資基金登記備案辦法的規定履行了私募投資基金備案，具體情況如下：序號序號 名稱名稱 基金備案基金備案編號編號 基金管理人名稱基金管理人名

119、稱 基金管理人基金管理人 登記編號登記編號 1 光創芯智 SAGC36 武漢光谷產業投資基金管理有限公司 P1064746 2 武漢芯盛 SAGF54 武漢芯海產業投資管理有限責任公司 P1065542 3 武創星輝 SAGQ34 武漢東湖創新科技投資有限公司 P1004895 4 長投基金 SAGF04 湖北長江產投私募基金管理有限公司 P1074463 5 中網投 SS8838 中國互聯網投資基金管理有限公司 P1060330 6 工融基金 SXL680 工銀資本管理有限公司 P1069650 7 華恒二號 SAGE60 廣州謝諾辰途股權投資管理有限公司 P1014565 8 中鑫高投 S

120、SM593 湖北產融資本管理有限公司 P1071134 9 長創基金 SAGZ03 長江創業投資基金管理有限公司 P1074184 10 盛通順合 SAHB97 北京恒盛融通投資管理有限公司 P1067379 11 招贏成長 SAGN27 招銀國際資本管理（深圳）有限公司 P1009831 12 陜西千帆 SZD109 農銀資本管理有限公司 P1068893 13 融媒體基金 STW537 海通創意私募基金管理有限公司 PT1900001700 14 辰途華能 SADU04 廣州謝諾辰途股權投資管理有限公司 P1014565 15 華恒一號 SAGC73 廣州謝諾辰途股權投資管理有限公司 P1

121、014565（六六）發行人申報前十二個月新增股東的相關發行人申報前十二個月新增股東的相關情況情況 1、新增股東的基本情況、入股原因、入股價格及定價依據新增股東的基本情況、入股原因、入股價格及定價依據 2024 年 2 月，因看好公司發展，光創芯智等 30 名新增股東通過增資方式取得發行人股權，增資入股價格參考評估值協商確定，為 1.9115 元/注冊資本。具體變動情況詳見本節“三、發行人報告期內的股本和股東變化情況”之“（二）發行人報告期內的股本和股東變化”之“3、2024 年 2 月，第二次增資”。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-45 新增股東的基本情況詳見本招股說明書“附

122、件四：發行人申報前十二個月新增股東基本情況”。2、新增股東與發行人其他股東、董事、監事、高級管理人員是否存在關聯、新增股東與發行人其他股東、董事、監事、高級管理人員是否存在關聯關系關系 新增股東之間、新增股東與其他股東之間的關聯關系詳見本節之“十一、發行人股本情況”之“（七）本次發行前各股東間的一致行動關系、關聯關系”。新增股東武漢感芯、武漢能芯和武漢存芯為發行人員工持股平臺，執行事務合伙人均為新芯管理，新芯管理由孫鵬持股 70%、湯海燕持股 30%。除前述關聯關系外，新增股東與發行人董事、監事、高級管理人員不存在其他關聯關系。3、新增股東與本次發行的中介機構及其負責人、高級管理人員、經辦人員

123、、新增股東與本次發行的中介機構及其負責人、高級管理人員、經辦人員是否存在關聯關系是否存在關聯關系 新增股東國鑫創投與國泰君安同受上海國際集團有限公司控制。新增股東武漢芯盛的執行事務合伙人武漢芯海產業投資管理有限責任公司受武漢金控間接控制，武漢金控同時間接持有華源證券 50%的股份，為華源證券的間接控股股東。新增股東中證投資是中信證券的全資子公司。除前述情形外，新增股東與本次發行的中介機構及其負責人、高級管理人員、經辦人員不存在關聯關系。4、新增股東是否存在股份代持情形、新增股東是否存在股份代持情形 新增股東不存在股份代持的情形。（七七）本次發行前各股東間的）本次發行前各股東間的一致行動關系、一

124、致行動關系、關聯關系關聯關系 本次發行前各股東間的關聯關系及各自持股比例如下表所示：序號序號 股東名稱股東名稱 持股數持股數（萬萬股）股）持股比例（持股比例（%）關聯關系關聯關系/一致行動關系一致行動關系 1 長控集團 578,214.47 68.19 湖北科投直接持有長控集團9.38%的股權，且通過湖北長晟、芯飛科技間接持有長控集團股光創芯智 37,665.97 4.44 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-46 序號序號 股東名稱股東名稱 持股數持股數（萬萬股）股）持股比例（持股比例（%）關聯關系關聯關系/一致行動關系一致行動關系 光谷半導體 37,665.97 4.44 權

125、；湖北科投間接控制光創芯智執行事務合伙人光谷基金 100%股權并間接控制光谷半導體 100%股權；光創芯智與光谷半導體同受湖北科投控制，存在一致行動關系 2 長控集團 578,214.47 68.19 武漢金控通過國芯基金間接持有長控集團 5.98%的股權；武漢金控間接持有武漢芯盛執行事務合伙人武漢芯海產業投資管理有限責任公司100%股權；武漢金控間接控制武創星輝46.51%的有限合伙份額 武漢芯盛 29,818.89 3.52 武創星輝 22,494.95 2.65 3 長控集團 578,214.47 68.19 長江產業集團直接持有長控集團 2.56%的股權；長江產業集團間接持有長投基金

126、100%的合伙份額；長江產業集團直接持有長創基金執行事務合伙人長江創業投資基金管理有限公司 100%股權 長投基金 18,832.98 2.22 長創基金 4,185.11 0.49 4 農銀投資 7,847.08 0.93 農銀投資直接持有陜西千帆執行事務合伙人農銀資本管理有限公司 100%股權，并直接持有陜西千帆 48.50%的有限合伙份額 陜西千帆 2,615.69 0.31 5 中銀投資 5,231.38 0.62 中銀投資直接持有中鑫高投執行事務合伙人中銀資產基金管理有限公司 100%股權，并直接持有中鑫高投59%的有限合伙份額 中鑫高投 5,231.38 0.62 6 武漢感芯 5

127、,029.25 0.59 為員工持股平臺，執行事務合伙人均為新芯管理 武漢能芯 4,610.51 0.54 武漢存芯 3,808.33 0.45 7 武漢傳芯 4,388.04 0.52 為員工持股平臺，執行事務合伙人均為心芯管理 武漢連芯 3,989.59 0.47 武漢算芯 3,458.15 0.41 武漢智芯 1,456.79 0.17 8 華恒二號 5,231.38 0.62 執行事務合伙人均為廣州謝諾辰途股權投資管理有限公司 辰途華能 1,935.61 0.23 華恒一號 1,307.85 0.15 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-47 除上述關聯關系外，本次發行前

128、各股東之間不存在其他關聯關系。（八八）公開發售股份對發行人的控制權、治理結構及生產經營產生的影響）公開發售股份對發行人的控制權、治理結構及生產經營產生的影響 本次發行不存在公司股東公開發售股份的情形。十二十二、董事、董事、監事、監事、高級管理人員與核心技術人員高級管理人員與核心技術人員（一）董事、（一）董事、監事、監事、高級管理人員與核心技術人員簡介高級管理人員與核心技術人員簡介 1、董事、董事 公司董事會現由 8 名董事組成，其中獨立董事 3 名，全體董事均由公司股東大會選舉產生。董事任期屆滿，可連選連任，獨立董事連任時間不得超過 6 年。截至本招股說明書簽署日，公司董事會成員情況如下表所示

129、：姓名姓名 職位職位 任期任期 提名人提名人 YANG SIMON SHI-NING 董事長 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 秦軍 董事 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 孫鵬 董事 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 桂珍若 董事 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 程馳光 董事 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 余明桂 獨立董事 2024 年 6 月 26 日至 2027 年 3 月 26 日 董事會 繆

130、向水繆向水 獨立董事 20242024 年年 1212 月月 3030 日日至 2027 年 3 月 26 日 董事會 武亦文 獨立董事 2024 年 6 月 26 日至 2027 年 3 月 26 日 董事會 公司各位董事的簡歷如下：YANG SIMON SHI-NING（楊士寧）先生，1959 年出生，美國國籍，擁有中國永久居留權，美國倫斯勒理工學院物理學碩士、材料工程學博士。YANG SIMON SHI-NING 先生 1987 年至 2010 年先后任職于英特爾公司、中芯國際、CiWest 公司、特許（格芯）半導體公司；2010 年 2 月至 2011 年 9 月任中芯國際首席營運長官

131、；2013 年 1 月至 2016 年 10 月任新芯有限首席執行官；2016 年 7月至 2022 年 9 月任長江存儲首席執行官；2022 年 12 月至今任長控集團副董事長、發行人董事長。秦軍先生，1972 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，經濟學碩士。秦武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-48 先生 2005 年 2 月至 2007 年 3 月任東湖高新區駐珠三角辦事處主任；2007 年 3月至 2018 年 2 月任湖北省科技投資集團有限公司部長、副總經理、黨委副書記；2018年2月至2021年7月任東湖開發區管理委員會發改局副局長、金融辦主任；2021 年 7 月至

132、 2023 年 7 月歷任湖北省科技投資集團有限公司總經理、黨委副書記、董事長、黨委書記；2023 年 7 月至今歷任長控集團董事、黨委書記。秦先生現任發行人董事。孫鵬先生，1978 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，畢業于上海交通大學材料科學與工程系，并獲得復旦大學信息與通信工程學碩士、微電子與固體電子學博士學位。孫先生 2001 年 7 月至 2012 年 9 月歷任中芯國際（上海）工藝整合部經理、總監；2012 年 9 月至 2022 年 7 月歷任發行人運營中心總監、負責人，首席運營官；2022 年 7 月至今任發行人董事、總經理。桂珍若先生，1967 年出生，中國國籍，無境外永久居

133、留權，武漢大學審計學學士。桂先生 1989 年 7 月至 2023 年 5 月歷任國家審計署駐武漢特派員辦事處科員、副處長、處長和二級巡視員；2023 年 5 月至今任長控集團副總裁、審計部負責人。桂先生現任發行人董事。程馳光先生，1975 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，中南財經大學經濟學學士。程先生 1997 年 7 月至 2018 年 11 月，先后任職于中國人民銀行湖北省分行、武漢分行、武漢分行營業管理部；2018 年 12 月至今歷任武漢金控總經理助理、副總經理。程先生現任長控集團董事、發行人董事?？娤蛩壬?，繆向水先生，19651965 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，華中

134、理工大學年出生，中國國籍，無境外永久居留權，華中理工大學（現華中科技大學）博士研究生?？娤壬ìF華中科技大學）博士研究生?？娤壬?19891989 年年 6 6 月至月至 20072007 年年 3 3 月先后任職月先后任職于華中理工大學（現華中科技大學）、香港城市大學、新加坡國立大學國家數于華中理工大學（現華中科技大學）、香港城市大學、新加坡國立大學國家數據存儲研究院；據存儲研究院；20072007 年年 3 3 月至今歷任華中科技大學集成電路學院博士生導師、月至今歷任華中科技大學集成電路學院博士生導師、教授、教授、院長。院長?？娍娤壬F任發行人獨立董事。先生現任發行人獨立董事。余明桂先生，

135、1974 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，經濟學碩士、華中科技大學管理學博士。余先生 2005 年 5 月至 2007 年 10 月在華中科技大學控制系從事博士后研究工作；2007 年 11 月至 2019 年 5 月歷任武漢大學經濟與管理學院副教授、教授、博士生導師；2019 年 6 月至今任中南財經政法大學金武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-49 融學院院長、教授、博士生導師。余先生現任發行人獨立董事。武亦文先生，1982 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，武漢大學法學博士，武漢大學人文社會科學優秀青年學者。武先生 2011 年 7 月至 2020 年 11月歷任武漢

136、大學法學院講師、副教授、教授；2020 年 11 月至今任武漢大學法學院副院長。武先生現任發行人獨立董事。2、監事監事 公司監事會現由3名監事組成，其中2名股東代表監事和1名職工代表監事，其中職工代表監事由職工代表大會選舉產生，公司股東代表監事由股東大會選舉產生。監事任期 3 年，可連選連任。截至本招股說明書簽署日，本公司監事會成員情況如下表所示：姓名姓名 職位職位 任期任期 提名人提名人 任志安 監事會主席 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 吳丹 監事 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 股東 曹璟 職工代表監事 2024

137、年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 職工代表大會 公司各位監事的簡歷如下：任志安先生，1974 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，北京科技大學管理科學與工程專業碩士。任先生 2000 年 3 月至 2014 年 10 月歷任北京市有色金屬工業總公司投資部、北京工業發展投資管理有限公司投資部項目經理，中國電子信息產業發展研究院 IT 產業所、IT 政策所研究員、副所長、所長，信息產業部電子信息產品司、工業和信息化部電子信息司副處長、調研員；2014 年 10月至 2022 年 2 月歷任大基金一期、大基金二期董監辦主任、投資二部總經理、總監；2022 年 1 月至今任長控集

138、團、發行人監事會主席。吳丹女士，1973 年出生，中國國籍，擁有中國香港永久居留權，華南理工大學工商管理學碩士。吳女士 1994 年 7 月至 2023 年 8 月歷任建設銀行珠海分行營業部對公業務財務經理，中國平安保險（集團）股份有限公司資金室經理，華潤股份有限公司高級資金經理，華潤銀行財務總監，華夏健康股份有限公司、藍鼎國際股份有限公司副總裁，華潤資本國環基金董事總經理，華夏幸福股份有限公司助理總裁；2023 年 9 月至今任長控集團財務負責人。吳女士現任發行人監武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-50 事。曹璟女士，1992 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，武漢大學材料

139、科學與工程學博士。曹女士 2022 年 4 月至今任發行人團委書記。曹女士現任發行人職工代表監事。3、高級管理人員、高級管理人員 本公司現有高級管理人員 4 名，由董事會聘任。本公司高級管理人員情況如下表所示：姓名姓名 職務職務 任期任期 孫鵬 總經理 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 湯海燕 董事會秘書 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 副總經理、財務總監 2024 年 5 月 23 日至 2027 年 3 月 26 日 周俊 副總經理 2024 年 3 月 27 日至 2027 年 3 月 26 日 王寧 副總經理 2024

140、年 5 月 23 日至 2027 年 3 月 26 日 上述高級管理人員中不擔任公司董事、監事的人員的簡歷如下：湯海燕女士，1970 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，大學本科。湯女士1991年7月至2013年3月先后任職于湖北省仙桃市審計局、湖北省審計廳；2013 年 4 月至 2023 年 11 月歷任湖北科投產業投資部長、光谷產投董事長、湖北科投總經理助理；2023 年 11 月至今，歷任公司副總經理、董事會秘書、財務總監。周俊先生，1983 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，武漢大學電子與通信工程碩士、華中科技大學電子與信息博士（在讀）。周先生 2004 年 7 月至2006 年

141、9 月任無錫華潤上華半導體有限公司工藝整合處工程師，2006 年 9 月至2012 年 12 月歷任中芯國際（上海）資深工程師、科長、經理；2012 年 12 月至今歷任發行人研發資深經理、研發總監、副總經理。王寧先生，1980 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，華中科技大學集成電路學碩士。王先生2004年7月至2006年5月任中芯國際北京廠制造部課長；2006 年 5 月至 2008 年 5 月任 SK 海力士半導體（中國）有限公司制造部課長；2008 年 8 月至今歷任發行人企劃處負責人、采購處負責人、副總經理。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-51 4、公司核心技術人員

142、、公司核心技術人員 發行人綜合考慮公司研發體系內核心人員和職務、在核心技術開發中所承擔的角色與貢獻程度、相應人員所負責研發方向對于公司業務開展及未來發展戰略，以及對公司知識產權及核心技術具有突出貢獻等多方面因素，認定以下 4 名核心技術人員，該等人員情況如下表所示：序號序號 姓名姓名 職務職務 1 孫鵬 總經理 2 周俊 副總經理、技術研發中心負責人 3 占瓊 技術研發中心技術研發總監 4 王森 制造中心負責人 其中，不擔任公司董事、監事、高級管理人員的核心技術人員的簡歷如下：占瓊女士，1984 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，華中科技大學納米科學與技術專業碩士。占女士 2007 年 7

143、月至今歷任發行人工程師、工藝整合經理、工藝整合資深經理、研發中心技術研發總監。王森先生，1981 年出生，中國國籍，無境外永久居留權，華中科技大學微電子學碩士。王先生 2003 年 12 月至 2013 年 2 月任中芯國際制造部工程師、經理；2013 年 3 月至今歷任發行人制造部經理、良率提升部經理、良率和系統部經理、制造中心負責人。（二二）董事、）董事、監事、監事、高級管理人員及核心技術人員的兼職情況高級管理人員及核心技術人員的兼職情況 截至本招股說明書簽署日，除在本公司及控股子公司任職外，發行人董事、監事、高級管理人員及核心技術人員在其他單位的兼職情況如下：姓名姓名 公司職務公司職務

144、兼職單位兼職單位 兼職職務兼職職務 兼職單位與發行兼職單位與發行人的人的其他關聯其他關聯關關系系 YANG SIMON SHI-NING 董事長 中國集成電路創新聯盟 理事 無 集成電路材料產業技術創新聯盟 副理事長 無 上海大學 董事 無 上海大學微電子學院 產業技術委員會主任、榮譽教授 無 華芯投資管理有限責任公投資決策委員會無 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-52 姓名姓名 公司職務公司職務 兼職單位兼職單位 兼職職務兼職職務 兼職單位與發行兼職單位與發行人的人的其他關聯其他關聯關關系系 司 獨立委員 長控集團 副董事長 發行人的控股股東 長江存儲 董事 控股股東控制的

145、其他企業 長存（武漢）私募基金管理有限公司 董事 控股股東控制的其他企業 長存資本（武漢）投資管理有限公司 董事 控股股東控制的其他企業 芯盟科技有限公司 董事長 無 海寧長道科技合伙企業（有限合伙）執行事務合伙人 無 海寧長芯科技合伙企業（有限合伙）執行事務合伙人 無 海寧長盟科技合伙企業（有限合伙）執行事務合伙人 無 孫鵬 董事、總經理、核心技術人員 中國半導體協會 常務理事 無 湖北省半導體協會 副會長 無 新型存儲知識產權聯盟 副理事長 無 集成電路材料產業技術創新聯盟 專家咨詢委委員 無 上海交通大學 材料科學與工程學院 校友導師 無 武漢理工大學 碩士生指導教師 無 長江先進 董事

146、 發行人的參股子公司 新芯管理 執行董事 發行人的間接股東 秦軍 董事 長控集團 董事 發行人的控股股東 長江存儲 董事 發行人控股股東控制的其他企業 湖北科投 董事 發行人的間接股東 湖北長晟 董事 發行人的間接股東 桂珍若 董事 長控集團 審計部負責人 發行人的控股股東 武漢長江存儲科技服務有限公司 董事 控股股東控制的其他企業 程馳光 董事 武漢金控 副總經理 發行人的間接股東 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-53 姓名姓名 公司職務公司職務 兼職單位兼職單位 兼職職務兼職職務 兼職單位與發行兼職單位與發行人的人的其他關聯其他關聯關關系系 湖北基金 黨支部書記、董事長

147、發行人的間接股東 大基金一期 董事 發行人的間接股東 長控集團 董事 發行人的控股股東 長江存儲 董事 發行人控股股東控制的其他企業 華源證券股份有限公司 董事 關聯方 湖北金融租賃股份有限公司 董事 關聯方 江城產業投資基金（武漢）有限公司 董事、財務負責人 關聯方 余明桂 獨立董事 中南財經政法大學金融學院 院長、教授、博士生導師 無 深圳市新南山控股（集團）股份有限公司 獨立董事 無 繆向水繆向水 獨立董事獨立董事 華中科技大學集成電路學華中科技大學集成電路學院院 院長、教授、博士院長、教授、博士生導師生導師 無無 武漢東湖新技術開發區光武漢東湖新技術開發區光谷集成電路創新平臺運營谷集成

148、電路創新平臺運營中心中心 法定代表人法定代表人 無無 武亦文 獨立董事 武漢大學法學院 副院長 無 廣州仲裁委員會 仲裁員 無 長沙仲裁委員會 仲裁員 無 鄂州仲裁委員會 仲裁員 無 任志安 監事會主席 長控集團 監事會主席 發行人的控股股東 長江存儲 監事會主席 發行人控股股東控制的其他企業 芯騰科技 監事 發行人的間接股東 芯飛科技 監事 發行人的間接股東 長存資本（武漢）投資管理有限公司 監事 控股股東控制的其他企業 長存（武漢）私募基金管理有限公司 監事 控股股東控制的其他企業 大基金一期 總監 發行人的間接股東 大基金二期 總監、職工監事 發行人的間接股東 吳丹 監事 長控集團 財務

149、負責人 發行人的控股股武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-54 姓名姓名 公司職務公司職務 兼職單位兼職單位 兼職職務兼職職務 兼職單位與發行兼職單位與發行人的人的其他關聯其他關聯關關系系 東 宏茂微電子（上海）有限公司 監事 控股股東控制的其他企業 武漢長江存儲科技服務有限公司 董事 控股股東控制的其他企業 長存創芯（上海）集成電路有限公司 董事、財務負責人 控股股東控制的其他企業 長存創芯（北京）集成電路設計有限公司 董事、財務負責人 控股股東控制的其他企業 湯海燕 副總經理、財務總監、董秘 新芯管理 監事 發行人的間接股東 周俊 副總經理、核心技術人員 湖北大學 產業教授

150、無 湖北江城實驗室 產業科學家 無 王森 核心技術人員 上海夢莊煙貿易有限公司 執行董事 無（三三）董事、）董事、監事、監事、高級管理人員及核心技術人員相互之間的高級管理人員及核心技術人員相互之間的近近親屬關系親屬關系 截至本招股說明書簽署日，本公司董事、監事、高級管理人員及核心技術人員相互之間不存在親屬關系。（四）董事、監事、高級管理人員和核心技術人員最近三年涉及行政處罰、（四）董事、監事、高級管理人員和核心技術人員最近三年涉及行政處罰、監督管理措施、紀律處分或自律監管措施、被司法機關立案偵查、被中國證監監督管理措施、紀律處分或自律監管措施、被司法機關立案偵查、被中國證監會立案調查情況會立案

151、調查情況 公司董事、監事、高級管理人員和核心技術人員最近三年不涉及行政處罰、監督管理措施、紀律處分或自律監管措施、被司法機關立案偵查、被中國證監會立案調查情況。（五五）董事、）董事、監事、監事、高級管理人員及核心技術人員所簽訂的高級管理人員及核心技術人員所簽訂的重要重要協議及其協議及其履行情況履行情況 截至本招股說明書簽署日，從公司領取工資薪酬的董事、監事、高級管理人員及核心技術人員均與公司簽訂了勞動合同和保密合同。自前述協議簽訂以來，公司董事、監事、高級管理人員及核心技術人員均嚴格履行協議約定的義務和職責，遵守相關承諾。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-55（六六）董事、）董

152、事、監事、監事、高級管理人員及核心技術人員最近高級管理人員及核心技術人員最近兩兩年內的變動情況年內的變動情況 1、董事的、董事的變動變動情況情況 最近兩年，公司董事變動情況如下：時間時間 董事人員董事人員 變動情況變動情況 變動原因變動原因 2022-8-19 楊道虹、丁文武、任凱、YANG SIMON SHI-NING、楊魯閩、劉修昆、朱曉寒、孫鵬/2022-9-28 楊道虹、彭紅兵、韋俊、YANG SIMON SHI-NING、楊魯閩、劉修昆、朱曉寒、孫鵬 丁文武、任凱不再擔任公司董事，增補彭紅兵、韋俊為公司董事會繼任董事 間接股東 委派調整 2022-12-16 彭紅兵、韋俊、YANG

153、SIMON SHI-NING、楊魯閩、劉修昆、秦軍、孫鵬 朱曉寒不再擔任公司董事，增補秦軍為董事會繼任董事 間接股東 委派調整 楊道虹不再擔任公司董事 間接股東 委派調整 2024-2-28 YANG SIMON SHI-NING、秦軍、孫鵬、桂珍若 選舉 YANG SIMON SHI-NING、秦軍、孫鵬、桂珍若、程馳光為公司第三屆董事會、新芯股份第一屆董事會董事 增資及股改后改選董事會 2024-3-27 YANG SIMON SHI-NING、秦軍、孫鵬、桂珍若、程馳光 2024-6-25 YANG SIMON SHI-NING、秦軍、孫鵬、桂珍若、程馳光、余明桂、武亦文、鄭婉華 選舉余

154、明桂、武亦文、鄭婉華為新芯股份第一屆董事會獨立董事 增選獨立董事 20242024-1212-3030 YANG SIMON SHIYANG SIMON SHI-NINGNING、秦軍、秦軍、孫鵬、桂珍若、程馳光、余明桂、孫鵬、桂珍若、程馳光、余明桂、武亦文、繆向水武亦文、繆向水 鄭婉華根據其任職單位鄭婉華根據其任職單位最新要求辭任獨立董事，最新要求辭任獨立董事，新芯股份補充選舉繆向新芯股份補充選舉繆向水為第一屆董事會獨立水為第一屆董事會獨立董事董事 補選獨立董事補選獨立董事 2、監事監事的的變動變動情況情況 最近兩年，公司監事變動情況如下：期間期間 監事人員監事人員 變動情況變動情況 變動原

155、因變動原因 2022-8-19 任志安、任奇偉、郭俊杰、蓋松梅、黃威/2022-9-28 任志安、任奇偉、譚柳、蓋松梅、黃威 股東決定郭俊杰不再擔任公司第二屆監事會監事，改派譚柳為第二屆監事會監事。間接股東委派調整 2022-12-16 任志安、譚柳、蓋松梅、黃威 股東決定任奇偉不再擔任公司第二屆監事會監事。間接股東委派調整 2023-5-19 任志安、譚柳、曹璟、張海雯 公司第三屆第六次職工代表大會，選舉曹璟、張海雯接任公司職工監事。職工代表大會選舉及 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-56 期間期間 監事人員監事人員 變動情況變動情況 變動原因變動原因 內部培養 2024-

156、1-12 任志安、曾玉梅、曹璟、張海雯 股東決定譚柳不再擔任公司第二屆監事會監事，委派曾玉梅擔任第二屆監事會監事。間接股東委派調整 2024-2-28 任志安、吳丹、曹璟 公司股東大會決定免去公司第二屆監事會任志安、曾玉梅非職工監事職務，選舉任志安和吳丹為公司第三屆非職工監事。公司第四屆第三次職工代表大會，免去張海雯職工監事職務，投票決定曹璟擔任公司第一屆職工代表監事。增 資 及 股改 階 段 改選監事 3、高級管理人員的、高級管理人員的變動變動情況情況 最近兩年，公司高級管理人員變動情況如下：期間期間 高級管理人員高級管理人員 變動情況變動情況 變動原因變動原因 2022-7-18 總經理

157、孫鵬/副總經理兼財務總監 劉宗華 2024-3-27 總經理 孫鵬 新芯股份董事會批準聘任孫鵬為公司總經理，周俊為公司副總經理，湯海燕為公司董事會秘書 股改后任命高級管理人員，孫鵬未變化，周俊為內部培養，董事會秘書為優化公司治理增設職位 副總經理 周俊 董事會秘書 湯海燕 2024-5-23 總經理 孫鵬 新芯股份董事會批準聘任王寧為公司副總經理，湯海燕為公司副總經理兼財務總監/副總經理、財務總監、董事會秘書 湯海燕 工作調動，原財務總監劉宗華仍在公司財務處任職 副總經理 周俊/副總經理 王寧 內部培養 4、核心技術核心技術人員的人員的變動變動情況情況 最近兩年，公司核心技術人員未發生變動。5

158、、發行人董事、監事及高級管理人員變動對公司生產經營的影響、發行人董事、監事及高級管理人員變動對公司生產經營的影響 最近兩年，發行人董事、監事及高級管理人員變動符合有關法律、法規、規范性文件和公司章程的規定，并已經履行了相應的法律程序。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-57 上述人員變動的主要原因系股東單位提名委派調整、內部培養產生、增資及股改后董事席位調整以及公司為完善法人治理結構增設獨立董事、董事會秘書等。上述董事、監事和高級管理人員變動前后，發行人的主營業務、業務發展方向、經營方針、內部管理體系等均未發生重大不利變化，對公司的正常生產經營不存在不利影響。（七七）董事、）董事

159、、監事、監事、高級管理人員及核心技術人員高級管理人員及核心技術人員與發行人及其業務相關與發行人及其業務相關的的對外投資情況對外投資情況 截至本招股說明書簽署日，發行人董事、監事、高級管理人員及核心技術人員與發行人及其業務相關的對外投資情況如下：單位：萬元 姓名姓名 與本公司關系與本公司關系 投資企業名稱投資企業名稱 注冊資本注冊資本 間接持股間接持股比例比例 YANG SIMON SHI-NING 董事長 芯盟科技有限公司 22,534.2922,534.29 32.34%32.34%發行人董事、監事、高級管理人員及核心技術人員的上述對外投資與發行人不存在利益沖突。（八八）董事、）董事、監事、

160、監事、高級管理人員高級管理人員、核心技術人員核心技術人員及其近親屬及其近親屬持有發行人持有發行人股份情況股份情況 截至本招股說明書簽署日，發行人董事、監事、高級管理人員、核心技術人員及其近親屬均不直接持有發行人股份，前述人員間接持有發行人股份的情況如下：單位：萬元 序號序號 姓名姓名 任職情況任職情況 持股平臺持股平臺 出資額出資額 間接持股比例間接持股比例 1 YANG SIMON SHI-NING 董事長 武漢智芯 1,100.00 0.07%2 孫鵬 董事、總經理、核心技術人員 武漢感芯 2,833.02 0.18%3 湯海燕 副總經理、財務總監、董事會秘書 武漢能芯 499.25 0.

161、03%4 周俊 副總經理、核心技術人員 武漢存芯 1,430.00 0.09%5 王寧 副總經理 武漢能芯 955.10 0.06%6 占瓊 核心技術人員 武漢存芯 1,013.20 0.06%武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-58 序號序號 姓名姓名 任職情況任職情況 持股平臺持股平臺 出資額出資額 間接持股比例間接持股比例 7 王森 核心技術人員 武漢存芯 907.35 0.06%（九九）董事、）董事、監事、監事、高級管理人員及核心技術人員的薪酬情況高級管理人員及核心技術人員的薪酬情況 1、薪酬組成、確定依據、所履行的程序、薪酬組成、確定依據、所履行的程序 公司向獨立董事支

162、付獨立董事津貼。除領取獨立董事津貼外，獨立董事不享受公司其他福利待遇。公司董事 YANG SIMON SHI-NING、秦軍、桂珍若、程馳光，以及監事任志安、吳丹不在公司領取薪酬。公司其他董事、監事、高級管理人員及核心技術人員的薪酬由基本工資、績效考核工資、年度獎金等組成，結合在公司擔任的具體職務并按照公司年度薪酬考核結果確定。公司董事會下設薪酬與考核委員會，負責制定績效評價標準、程序、體系以及獎勵和懲罰的主要方案和制度。公司董事、監事、高級管理人員及核心技術人員的薪酬方案均按照公司章程等公司治理制度履行了相應的內部程序。2、薪酬總額占各期發行人利潤總額的比例、薪酬總額占各期發行人利潤總額的比

163、例 報告期內，公司董事、監事、高級管理人員及核心技術人員的薪酬總額分別占本公司各期利潤總額比重情況如下：單位：萬元 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 薪酬總額 1,123.56 1,123.56 1,120.40 943.38 1,073.95 利潤總額 11,304.5811,304.58 40,826.52 78,896.24 70,488.26 薪酬總額/利潤總額 9.94%9.94%2.74%1.20%1.52%注：公司董事、監事、高級管理人員的薪酬總額按其實際任期內的薪酬進行統計；公司核心技術人員的薪酬

164、總額按其報告期內的薪酬進行統計。3、最近一年從發行人及關聯企業領取薪酬的情況、最近一年從發行人及關聯企業領取薪酬的情況 公司現任董事、監事、高級管理人員及核心技術人員 2023 年度從發行人及其關聯企業領取薪酬的情況如下：單位：萬元 姓名姓名 職位職位 2023 年薪酬年薪酬/津貼津貼 在關聯方領取薪酬情況在關聯方領取薪酬情況 YANG SIMON SHI-NING 董事長-在長控集團處領取薪酬 秦軍 董事-在長控集團處領取薪酬 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-59 姓名姓名 職位職位 2023 年薪酬年薪酬/津貼津貼 在關聯方領取薪酬情況在關聯方領取薪酬情況 孫鵬 董事、總

165、經理、核心技術人員 480.69 否 桂珍若 董事-在長控集團處領取薪酬 程馳光 董事-在武漢金控領取薪酬 余明桂 獨立董事-否 繆向水繆向水 獨立董事-否 武亦文 獨立董事-否 任志安 監事會主席-在長控集團處領取薪酬 吳丹 監事-在長控集團處領取薪酬 曹璟 職工代表監事 46.94 否 湯海燕 副總經理、財務總監、董事會秘書 22.05 否 周俊 副總經理、核心技術人員 250.34 否 王寧 副總經理 198.14 否 占瓊 核心技術人員 171.34 否 王森 核心技術人員 171.83 否 注：公司副總經理、財務總監、董事會秘書湯海燕自 2023 年 11 月起于公司任職，故只統計其

166、 2023 年 11 月至 12 月從公司領取的薪酬。在公司任職領薪的上述董事、監事、高級管理人員及核心技術人員按照勞動合同享受待遇。除勞動合同約定以外，上述人員未在公司享受其他待遇和退休金計劃。十三、十三、發行人已經制定或實施的股權激勵及相關安排發行人已經制定或實施的股權激勵及相關安排 公司已制定并實施武漢新芯集成電路制造有限公司員工跟投方案（以下簡稱“員工跟投方案”），通過員工跟投平臺授予員工股份實施員工持股。（一）員工跟投的批準與實施情況（一）員工跟投的批準與實施情況 為促進公司業務快速發展，激勵公司中長期戰略及規劃的達成，不斷提高人才隊伍的凝聚力和戰斗力，激發活力、增強動能、提升效益，

167、公司員工以跟投的方式實施持股。2024 年 1 月 10 日，公司召開董事會，審議通過了關于武漢新芯實施員工武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-60 跟投方案的議案。2024 年 1 月 12 日，公司股東審議并通過了關于武漢新芯實施員工跟投方案的議案。2024 年 1 月 19 日，東湖高新區管委會出具關于武漢新芯集成電路制造有限公司增資擴股相關事項的函，確認包括員工跟投在內的新芯有限增資擴股方案已審查無異議。2024 年 1 月，新芯有限、員工跟投平臺與各員工跟投對象分別簽訂了武漢新芯制造股份有限公司股權授予協議。2024 年 2 月 29 日，公司完成本次員工跟投的工商變更

168、登記手續，并取得武漢市市場監督管理局出具的營業執照。員工跟投平臺實際出資金額合計51,115.86 萬元，合計持有公司 26,740.67 萬元注冊資本，持股占比為 3.15%。（二）員工跟投的參與人員（二）員工跟投的參與人員情況情況 本次員工跟投對象涵蓋公司的技術骨干和核心管理人員，具體包括核心管理人員、關鍵崗位人員等。監事（含職工代表監事）等明確受法規和監管規定限制的人員不得成為跟投對象。本次員工跟投包括武漢能芯、武漢傳芯、武漢感芯、武漢連芯、武漢存芯、武漢算芯和武漢智芯七個員工跟投平臺，共涉及 251251 人。1、武漢能芯、武漢能芯 武漢能芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發行人申報

169、前十二個月新增股東基本情況”。截至本招股說明書簽署日，武漢能芯的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 1 王寧 高級管理人員 955.10 10.84%2 湯海燕 高級管理人員 499.25 5.66%3 其他 42 名跟投對象 員工 7,358.84 83.50%4 新芯管理 管理平臺 0.35 0.00%合計合計 8,813.53 100.00%2、武漢武漢傳芯傳芯 武漢傳芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發行人申報前十二個月新增武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-61 股東基本情況”。截至本招股說明書簽署日，武漢傳芯

170、的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 1 4141 名跟投對象 員工 8,387.92 100.00%2 心芯管理 管理平臺 0.25 0.00%合計合計 8,388.17 100.00%3、武漢感武漢感芯芯 武漢感芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發行人申報前十二個月新增股東基本情況”。截至本招股說明書簽署日，武漢感芯的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 1 孫鵬 董事、高級管理人員、核心技術人員 2,833.02 29.47%2 其他 41 名跟投對象 員工 6,780.5

171、9 70.53%3 新芯管理 管理平臺 0.35 0.00%合計合計 9,613.96 100.00%4、武漢連武漢連芯芯 武漢連芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發行人申報前十二個月新增股東基本情況”。截至本招股說明書簽署日，武漢連芯的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 1 王森 核心技術人員 907.35 11.90%2 其他 37 名跟投對象 員工 6,718.92 88.10%3 心芯管理 管理平臺 0.25 0.00%合計合計 7,626.51 100.00%5、武漢存武漢存芯芯 武漢存芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發

172、行人申報前十二個月新增股東基本情況”。截至本招股說明書簽署日，武漢存芯的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 1 周俊 高級管理人員、核心技術人員 1,430.00 19.64%2 占瓊 核心技術人員 1,013.20 13.92%武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-62 序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 3 其他 37 名跟投對象 員工 4,836.58 66.44%4 新芯管理 管理平臺 0.30 0.00%合計合計 7,280.08 100.00%6、武漢算武漢算芯芯 武漢

173、算芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發行人申報前十二個月新增股東基本情況”相關內容。截至本招股說明書簽署日，武漢算芯的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例 1 41 名跟投對象 員工 6,610.39 100.00%2 心芯管理 管理平臺 0.25 0.00%合計合計 6,610.64 100.00%7、武漢智武漢智芯芯 武漢智芯基本情況詳見本招股說明書“附件四：發行人申報前十二個月新增股東基本情況”相關內容。截至本招股說明書簽署日，武漢智芯的跟投情況如下：序號序號 合伙人合伙人 性質性質 出資額（萬元）出資額（萬元）出資比例出資比例

174、1 YANG SIMON SHI-NING 董事長 1,100.00 39.50%2 其他 7 名跟投對象 員工 1,684.71 60.49%3 心芯管理 管理平臺 0.25 0.01%合計合計 2,784.96 100.00%（三）員工跟投的定價依據（三）員工跟投的定價依據 本次員工跟投的授予價格為 1.9115 元/注冊資本，系參考北京天健興業資產評估有限公司于 2023 年 9 月 28 日出具的 武漢新芯集成電路制造有限公司股東全部權益價值資產評估報告，以 2023 年 3 月 31 日為評估基準日，公司評估價值為 1,105,280.00 萬元。公司員工跟投的授予價格不低于公司每

175、1 元注冊資本的資產評估價值，與外部投資者一致。（四）員工跟投的鎖定期安排（四）員工跟投的鎖定期安排 根據員工跟投方案，跟投對象取得股權自公司工商登記變更之日起開始鎖定武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-63 3 年。如公司在完成工商登記變更之日起 3 年內向證券交易所提交首次公開發行并上市的申請，則跟投方所持股份需鎖定至公司上市之日起 12 個月，該鎖定期與前述 3 年鎖定期重疊計算，以兩者中孰晚屆滿的時間計算。以上鎖定期安排，法律法規、證券監管機構、交易所相關業務規則另有規定的，按相關規定執行。（五五）對公司經營狀況、財務狀況、控制權變化等方面的影響及上市后對公司經營狀況、財

176、務狀況、控制權變化等方面的影響及上市后的的行權安排行權安排 1、對經營狀況、對經營狀況的影響的影響 公司員工跟投方案系基于公司未來長遠發展考慮，對公司董事、高級管理人員以及對公司經營業績和持續發展有重要作用的管理和技術骨干形成有效激勵，有助于公司長期穩定發展。2、對財務狀況的影響、對財務狀況的影響 公司員工跟投方案與同次外部投資人價格一致。發行人員工跟投計劃不涉及股份支付。3、對控制權變化的影響、對控制權變化的影響 公司上市前已實施的員工跟投方案，員工跟投平臺合計持有公司股權比例為3.15%，單個跟投員工通過跟投計劃持有的發行前后公司股權比例不超過 1%，對公司的股權結構不存在重大影響，員工跟

177、投計劃不影響公司控制權。十四十四、發行人員工及其、發行人員工及其社保社保情況情況（一）公司員工結構（一）公司員工結構 截至報告期各期末，發行人員工人數和變化情況如下：單位：人 項目項目 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日 2023 年年 12 月月 31 日日 2022 年年 12 月月 31 日日 2021 年年 12 月月 31 日日 員工總人數 2,192,197 7 1,901 2,011 1,717 1、員工結構、員工結構（1）員工專業結構 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-64 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，公司員工按

178、職能劃分的具體構成情況如下：職能職能 員工數量（人）員工數量（人）占總人數比例占總人數比例 管理人員 264264 12.02%12.02%研發人員 421421 19.16%19.16%生產人員 1,4431,443 65.68%65.68%銷售人員 6969 3.14%3.14%合計合計 2,1972,197 100.00%（2）員工受教育程度 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，公司員工按學歷劃分的具體構成情況如下：學歷學歷 員工數量（人）員工數量（人）占總人數比例占總人數比例 博士 3737 1.68%1.68%碩士 98985 5 44.844.83 3%本科

179、 714714 32.32.5050%大專及以下 461461 20.920.98 8%合計合計 2,192,197 7 100.00%2、勞務派遣情況勞務派遣情況 報告期內，公司存在聘用勞務派遣人員的情形。公司勞務派遣員工主要為技術含量較低的輔助性、替代性崗位。報告期各期末，發行人及子公司勞務派遣的人數合計分別為 0 人、27 人、28 人、8282 人人。截至本招股說明書簽署日，發行人及其子公司勞務派遣用工人數未超過用工總量 10%。（二）發行人執行（二）發行人執行社會保險社會保險制度、住房公積金制度情況制度、住房公積金制度情況 1、報告期內社會保險的繳納情況、報告期內社會保險的繳納情況

180、報告期內，發行人為員工繳納社會保險的情況如下：項目項目 20242024 年年 9 9 月月 3 30 0 日日 2023 年年 12 月月 31 日日 2022 年年 12 月月 31 日日 2021 年年 12 月月 31 日日 員工總人數（人）2,192,197 7 1,901 2,011 1,717 已繳納人數（人）2,1812,181 1,887 2,003 1,675 已繳納人數占比 99.299.27 7%99.26%99.60%97.55%武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-65 項目項目 20242024 年年 9 9 月月 3 30 0 日日 2023 年年

181、12 月月 31 日日 2022 年年 12 月月 31 日日 2021 年年 12 月月 31 日日 未繳納人數（人）1 16 6 14 8 42 未繳納人數占比 0.70.73 3%0.74%0.40%2.45%報告期內，發行人及其子公司未為全部員工繳納社會保險的原因主要為：（1）當月社會保險扣繳日后存在個別新入職的員工，入職后次月才能繳納社會保險；（2）部分外籍員工未繳納境內社會保險；（3）原工作單位未轉移或封存賬戶。2、報告期內住房公積金的繳納情況、報告期內住房公積金的繳納情況 報告期內，發行人為員工繳納住房公積金的情況如下：項目項目 20242024 年年 9 9 月月 3 30 0

182、 日日 2023 年年 12 月月 31 日日 2022 年年 12 月月 31 日日 2021 年年 12 月月 31 日日 員工總人數（人）2,192,197 7 1,901 2,011 1,717 已繳納人數（人）2,1812,181 1,887 2,003 1,652 已繳納人數占比 99.299.27 7%99.26%99.60%96.21%未繳納人數（人）1 16 6 14 8 65 未繳納人數占比 0.70.73 3%0.74%0.40%3.79%報告期內，發行人及其子公司未為全部員工繳納住房公積金的原因主要為：（1）當月住房公積金扣繳日后存在個別新入職的員工，入職后次月才能繳納

183、住房公積金；（2）部分外籍員工未繳納境內住房公積金。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-66 第五節第五節 業務與技術業務與技術 一、發行人主營業務及主要產品情況一、發行人主營業務及主要產品情況（一）主營業務及主要產品情況（一）主營業務及主要產品情況 1、主營業務、主營業務 公司是國內領先的半導體特色工藝晶圓代工企業，聚焦于特色存儲、數?；旌虾腿S集成等業務領域，可提供基于多種技術節點、不同工藝平臺的各類半導體產品晶圓代工。在特色存儲領域，公司是中國大陸規模最大的 NOR Flash 制造廠商，擁有業界領先的代碼型閃存技術，制造工藝涵蓋浮柵（Floating Gate，又稱 ET

184、OX）型與電荷俘獲（Charge Trap，又稱 SONOS）型兩種主流結構。公司在浮柵工藝上制程節點涵蓋 65nm 到 50nm，其中 50nm 技術平臺具有業內領先的存儲密度；在電荷俘獲工藝方面為客戶一代碼型閃存（產品 A）全球唯一晶圓代工供應商。在數?；旌项I域，公司具備 CMOS 圖像傳感器制造全流程工藝，擁有多年穩定量產的 BSI 工藝和堆棧式工藝，技術平臺布局完整、技術實力領先；公司12 英寸 RF-SOI 工藝平臺已經實現 55nm 產品量產，射頻器件性能國內領先，廣泛應用于智能手機等無線通訊領域。在三維集成領域，公司擁有國際領先的硅通孔、混合鍵合等核心技術，公司雙晶圓堆疊、多晶圓

185、堆疊、芯片-晶圓異構集成以及硅轉接板技術應用不斷拓展。截至 2024 年 9 9 月末，公司共擁有兩座 12 英寸晶圓廠。報告期內，公司先后承擔十余項國家級、省市級重大科研項目，技術研發成果曾榮獲“中國專利優秀獎”、“湖北科技進步一等獎”、“湖北專利獎金獎”等獎項及榮譽。公司入選第一批國家鼓勵的集成電路企業名單，連續多年位列中國半導體行業協會“中國半導體制造十大企業”。報告期內，公司以特色存儲業務為支撐、以三維集成技術為牽引，各項業務平臺深化協同，持續進行技術迭代。目前，公司多項技術及產品已廣泛應用于汽車電子、工業控制、消費電子、計算機等下游領域，與各細分行業頭部廠商形成了穩定、良好的合作關系

186、。未來，公司致力于成為三維時代半導體先進制造引領武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-67 者，助力客戶提升核心競爭力，繁榮中國半導體高端應用。2、主要產品或服務、主要產品或服務 （1）按業務類型分類）按業務類型分類 公司主要向客戶提供 12 英寸特色工藝晶圓代工，根據客戶需求提供特色存儲、數?；旌虾腿S集成等領域多種類別半導體產品的晶圓代工。公司在特色存儲領域亦經營自有品牌 NOR Flash 產品。此外，公司還可為客戶提供研發流片、技術授權、光掩膜版等其他配套業務。報告期內，公司主營業務收入按業務類型構成情況如下：單位：萬元 業務類型業務類型 20242024 年年 1 1-9

187、 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 晶圓代工 220,443.07220,443.07 70.10%70.10%254,631.25 67.08%258,247.24 77.45%185,383.99 63.27%自有品牌業務 51,691.5751,691.57 16.44%16.44%61,475.75 16.20%60,815.51 18.24%98,433.01 33.60%其他配套業務 42,314.6342,314.63 13.46%13.46%63,472.62 1

188、6.72%14,368.92 4.31%9,174.61 3.13%合計合計 314,449.27314,449.27 100.00%100.00%379,579.62 100.00%333,431.66 100.00%292,991.61 100.00%（2）按工藝平臺分類）按工藝平臺分類 報告期內，公司主營業務按工藝平臺可主要分為特色存儲、數?；旌虾腿S集成領域，按工藝平臺劃分的收入構成情況如下：單位：萬元 工藝平臺工藝平臺 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比

189、金額金額 占比占比 特色存儲 160,036.55160,036.55 50.89%50.89%257,026.62 67.71%244,965.03 73.47%217,755.45 74.32%數?；旌?103,151.74103,151.74 32.80%32.80%76,898.96 20.26%67,142.22 20.14%57,271.20 19.55%三維集成 34,162.9034,162.90 10.86%10.86%17,225.98 4.54%21,116.78 6.33%15,828.22 5.40%其他 17,098.0817,098.08 5.44%5.44%28

190、,428.06 7.49%207.64 0.06%2,136.73 0.73%合計合計 314,449.27314,449.27 100.00%100.00%379,579.62 100.00%333,431.66 100.00%292,991.61 100.00%注：“其他”主要為按業務類型分類下其他配套業務中的技術授權收入。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-68 特色存儲特色存儲 報告期內，公司在特色存儲領域主要提供 NOR Flash、MCU 等產品的晶圓代工。除晶圓代工以外，公司亦經營自有品牌 NOR Flash 產品。工藝平臺工藝平臺 技術節點技術節點 主要應用主要應

191、用 特色存儲 ETOX 型（浮柵技術）NOR Flash 制造工藝技術 65nm、50nm NOR Flash SONOS 型（電荷俘獲技術）NOR Flash 制造工藝技術 65nm、45nm ESF3 架構嵌入式閃存（微控制器）制造工藝技術 55nm MCU A.NOR Flash 公司是中國大陸規模最大的NOR Flash制造廠商，近十余年來持續深耕NOR Flash 領域。截至 2024 年 3 月底，公司 12 英寸 NOR Flash 晶圓累計出貨量已經超過 130 萬片。NOR Flash 是一種非易失性存儲芯片，具有讀取速度快、可靠性強、可芯片內執行（XIP）等特點，在中低容量

192、應用以及需要用低功耗完成內部指令執行、系統數據交換等功能的產品上具備性能和成本上的優勢，因此廣泛應用于計算機、消費電子（智能家居、TWS 耳機、穿戴式設備、路由器、機頂盒等）、汽車電子（高級駕駛輔助系統、車窗控制、儀表盤）、工業控制（智能電表、機械控制）、物聯網設備等領域。目前，NOR Flash 主要包括基于浮柵技術的 ETOX 型和基于電荷俘獲技術的SONOS 型兩類主流基礎工藝結構。ETOX 型 NOR Flash 工藝結構方面，公司技術節點涵蓋 65nm 到 50nm，其中自主研發的 50nm 技術平臺具有業內領先的存儲密度。公司“代碼型閃存芯片成套核心技術研發及其產業化”項目曾獲得湖

193、北省科技進步一等獎。報告期內，公司與客戶二、客戶三等行業頭部客戶保持穩定合作關系，為客戶提供各技術節點下各類 ETOX 型 NOR Flash 晶圓代工。公司自有品牌 NOR Flash 產品采用 ETOX 型工藝結構，擦寫速度與耐受性、數據保持等可靠性與特性指標業內領先。報告期內，公司主要以經銷模式銷售NOR Flash 產品，與行業頭部電子元器件分銷商形成了穩定合作關系，主要應用于消費電子、計算機、工業控制等領域。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-69 SONOS 型 NOR Flash 工藝結構方面，公司系客戶一代碼型閃存（產品 A）全球唯一晶圓代工供應商。產品 A 主要

194、應用于汽車電子、工業控制領域。B.MCU 報告期內，公司在特色存儲領域亦提供 MCU 產品的晶圓代工。MCU 又稱單片微型計算機，系將 CPU 的頻率與規格做適當縮減，并將 Flash、ADC、計數器等模塊集成到同一顆芯片，從而為不同的應用場合提供組合控制。公司擁有業內領先的 55nm ESF3 架構1MCU 工藝，其中超低功耗 MCU 平臺已穩定量產、高性能 MCU 平臺已完成研發。報告期內，公司 MCU 領域客戶主要包括恒爍股份等，所代工 MCU 產品應用場景由消費電子逐步推進至工業控制及汽車電子領域。數?；旌蠑的；旌?公司在數?；旌项I域主要提供 CIS、RF-SOI 等產品晶圓代工。工藝

195、平臺工藝平臺 技術節點技術節點 主要應用主要應用 數?；旌?CIS 全流程全套制造工藝（前道 Pixel 工藝,后道 BSI、鍵合工藝）55nm CIS RF-SOI 制造工藝 55nm RF-SOI A.CIS 公司具備 CMOS 圖像傳感器制造全流程工藝，包括以 55nm 邏輯工藝為基礎開發的 CIS 像素（Pixel）工藝以及背照式、堆棧式產品所需的 BSI、鍵合工藝等，可為客戶提供各類 CIS 產品的晶圓代工。CIS 是一種利用光電轉換技術原理所制造的圖像傳感元件，根據消費、車載、工業等不同應用場景的感光能力、動態范圍、圖像分辨率等需求，像素單元尺寸從數微米到 0.5 微米，像素數量從

196、數百萬到億級不等。根據工藝架構不同，CIS主要分為前照式、背照式和堆棧式2三類，其中背照式和堆棧式已成為中高端 CIS產品主流結構。CIS 晶圓代工方面，公司技術平臺布局完整，技術實力領先，擁有覆蓋 0.7 1 第 3 代嵌入式 SuperFlash，由 SST 公司許可使用。2 背照式 CIS 將感光器件置于金屬互連層上方，避免入射光線被連線層遮擋、散射，光線吸收及光電轉換效率高，從而獲得更好的圖像質量；堆棧式 CIS 進一步將原本與像素器件處于同一平面的邏輯電路移到下層晶圓，形成像素層和邏輯電路堆?；ヂ?，可提供更大的像素陣列和感光面積、更豐富的邏輯電路功能。武漢新芯集成電路股份有限公司 招

197、股說明書 1-1-70 微米及以上的像素工藝能力、多年穩定量產的 BSI 工藝和鍵合工藝，量子效率、動態范圍、暗電流、噪聲、白點等工藝相關關鍵性能指標達到國際先進水平。報告期內，公司與客戶四、客戶五等行業頭部客戶保持穩定合作關系，所提供晶圓代工的 CIS 產品已廣泛覆蓋消費、工業、醫療、汽車等各項應用領域。B.RF-SOI 報告期內，公司在數?；旌项I域亦提供 RF-SOI 產品的晶圓代工，擁有 55nm絕緣體上硅工藝完整知識產權。RF-SOI 晶圓代工是公司未來在數?；旌项I域重點發展的方向，亦是公司 12 英寸集成電路制造生產線三期項目的重要建設部分。RF-SOI 是一類使用部分耗盡的絕緣體上

198、硅工藝生產的射頻前端芯片，可集成射頻開關、低噪聲放大器、天線調諧器、功率放大器等器件，具有更低插入損耗、更高增益的性能優勢，支持 5G、毫米波通信。公司自主開發的 55nm RF-SOI 技術國內領先，已實現 55nm RF-SOI 產品量產。同時，公司已經啟動下一代 40nm 工藝技術研發。報告期內，公司已與 RF-SOI領域多家國內頭部設計公司客戶開展合作，提供晶圓代工的 RF-SOI 產品可廣泛應用于智能手機等無線通訊領域。三維集成三維集成 隨著摩爾定律不斷進步，集成電路產品最小線寬已接近極限，通過進一步縮小工藝節點以更好滿足算力、速度、功耗、面積方面的需求越發困難，晶圓級三維集成技術已

199、成為實現“超越摩爾3”的重要途徑。晶圓級三維集成技術系指在垂直方向上將載片或功能晶圓堆疊，或將芯片與晶圓進行堆疊，并在各層之間通過硅通孔、混合鍵合等工藝技術實現直接的電氣互連。通過晶圓級三維集成，可繞開單片晶圓單一制程節點限制，將使用最優制程節點的各功能晶圓進行集成，并有效提高單位面積功能密度。與引線鍵合（Wire Bonding）、倒裝鍵合（Flip Chip）等封裝方式相比，晶圓級三維集成技術提供更高的芯片間互聯密度、更短芯片間互連長度，可以更好降低延時、增加傳輸帶 3 先進邏輯工藝按照摩爾定律，不斷追求工藝節點的縮小，從而滿足對于算力和速度提高的需求；“超越摩爾（More than Mo

200、ore）”指不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是通過聚焦新結構、新材料、新器件的多重技術創新應用，持續優化制造工藝以最大化發揮不同器件的物理特性，綜合提升產品性能及可靠性。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-71 寬，滿足低功耗、小尺寸等要求。圖：傳統二維結構芯片與應用三維集成技術的三維架構芯片對比 公司具有國際領先的晶圓級三維集成技術。報告期內，公司三維集成業務主要系按照工藝架構進行劃分，已成功構建雙晶圓堆疊、多晶圓堆疊、芯片-晶圓異構集成和 2.5D（硅轉接板 Interposer）四大工藝平臺，應用于三維集成領域各類產品的晶圓代工。公司三維集成領域各項細分工藝平臺具體情況如下

201、：（1）雙晶圓堆疊平臺：該平臺將兩片晶圓的介質層與金屬層通過低溫直接鍵合的方式形成金屬互連，在有效減小芯片面積的同時大量增加 I/O 數量，達到增加傳輸帶寬、降低延時及系統功耗的優點，目前支持業界最小的混合鍵合連接孔距（HB pitch）。（2）多晶圓堆疊平臺：該平臺通過無凸點（Bumpless）工藝實現多片晶圓的銅-銅直接、超高密度互連，其互連尺寸遠小于微凸塊封裝等方式，可顯著提升傳輸帶寬，且對散熱更加友好、有利于降低功耗。（3）芯片-晶圓異構集成平臺：該平臺可實現不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圓間直接鍵合，極大提升系統集成的靈活自由度，公司建成了中國大陸首條完全自主可控的三維異構集

202、成工藝產線，正與產業鏈上下游企業深度合作進行產品驗證。（4）2.5D（硅轉接板 Interposer）平臺：該平臺提供具有靈活的多光罩超大尺寸拼接、超高密度深溝槽電容、多層金屬重布線層等技術優勢的硅轉接板，可與 2.5D 封裝工藝相結合，為集成系統提供亞微米級精度銅互連，顯著減小系統武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-72 延遲、插損及功耗等，目前已經規模量產。三維集成領域是公司未來發展的重點方向，也是公司 12 英寸集成電路制造生產線三期項目的主要組成部分。公司致力于成為三維時代半導體先進制造引領者，預計未來三維集成業務占比將逐步提升。（二）主要經營模式（二）主要經營模式 1、

203、盈利模式、盈利模式 公司主要向客戶提供特色存儲、數?；旌虾腿S集成領域特色工藝晶圓代工，同時經營自有品牌 NOR Flash 產品，從而獲取收入和利潤。2、研發模式、研發模式 公司高度重視自主研發與自主創新，致力于建立規范化的技術研發體系，開發具有前瞻性和領先性的工藝技術。市場部門進行市場調研并了解客戶需求后發起項目立項評審，由項目決策委員會進行評審，通過后正式進行項目研發及工藝平臺建設，并在項目研發過程中設置若干決策點來審視研發進度及市場趨勢，視評審情況決定是否繼續推進前期客戶產品導入及產品驗證、工藝平臺完善、結項評估等。公司具體研發流程如下：環節環節 具體內容具體內容 可行性評估和項目立項

204、 分析市場和客戶需求，依據競爭分析和需求分析，定義技術研發目標和范圍，評估設備及材料需求，分析可行性與風險 技術研發階段 建立工藝流程及檢測標準和規格，根據仿真和晶圓器件實驗，開發相關器件及工藝以滿足研發目標 驗證與驗收階段 對工藝可靠性及產品功能、性能、良率、可靠性進行驗證并制定技術轉移計劃 試產和風險量產階段 對先導產品進行試產和風險量產，根據試產和風險量產產線管理要求進行產品和產線管控，持續改善工藝并監控可靠性問題 3、采購模式、采購模式 公司建立了完善的采購管理制度，向供應商采購的項目按類別分為機器設備類、原輔材料類、零配件類、服務類以及廠務設施建設類等。公司針對不同采購項目分別適用詢

205、比價、單一來源采購、公開招標、邀請招標、競爭性談判、競爭性磋商等多種采購方式，執行統一、規范的供應商管理制武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-73 度。采購實施流程上，主要包括需求申請、議價/招標、合同/訂單簽署、收貨及驗收、財務付款等，具體如下：環節環節 具體內容具體內容 采購申請 機器設備類、服務類以及廠務設施建設類由需求部門根據需求計劃，在采購系統提出采購申請單；原輔材料類、零配件類由物料管理部門根據生產需求、交期以及合理的安全庫存需求開立采購申請單。相關部門根據總金額大小和簽核權限的審批規則進行審批并生效，最后生效后的采購申請單交由采購部門執行。議價/招標 采購部門根據需

206、求及采購申請單，向供應商邀請報價并進行比價議價，議價結束后報價格審核委員會審議通過后執行，其中資本類采購和大額支出還需報資產支出審核委員會決定預算的執行。合同/訂單簽署 合同類：采購部門負責組織與需求部門、法務部門以及財務部門（如需）共同進行合同的評審，同時負責與供應商對接，合同定稿后提交線上審批。訂單類：采購部門完成規定的流程后在采購系統提交線上審批簽核。收貨及驗收 原輔材料類、零配件類由倉庫根據送貨單及采購訂單收貨；機器設備類、服務類以及廠務設施建設類由需求部門確認收貨。需求部門結合不同的采購類別，根據需求、技術規格、技術相關文件以及合同、訂單等進行驗收，并在系統上上傳驗收文件作為符合驗收

207、標準的依據。財務付款 財務部門根據收貨、驗收結果、付款條款及發票信息進行比對，確認無誤后按合同或訂單條款進行付款。4、生產模式、生產模式 公司生產流程主要包括規劃階段、準備階段、生產階段、入庫階段，具體如下：環節環節 具體內容具體內容 規劃 銷售部門結合客戶未來的需求及自身業務判斷給出后續業務需求預測，生產計劃部門按照業務預測，根據客戶訂單、產能、工藝技術準備情況，制定主生產計劃。準備 物料規劃部門根據主生產計劃制定原物料需求計劃，并協同供應商按需求供應原物料；銷售部門根據客戶需求提供訂單；最后由生產計劃部門制定投片方案。生產 生產制造部門根據主生產計劃安排和管理生產，生產計劃部門監控實際投片

208、、產出、生產周期等指標，品質管理部門負責產品全生產流程的質量管控。產能產能規劃規劃銷售預測銷售預測主生產計劃主生產計劃投片計劃投片計劃客戶訂單客戶訂單晶圓制造晶圓制造及測試及測試成品入庫成品入庫自自有品牌有品牌封裝測試封裝測試規劃規劃準備準備生產生產入庫入庫原材料原材料采購計劃采購計劃武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-74 環節環節 具體內容具體內容 入庫 完成全部生產流程的產品經過檢驗合格后入庫。5、銷售模式、銷售模式 晶圓代工業務方面，公司采用直銷模式開展銷售業務。公司與客戶建立合作關系后，進行直接溝通并形成符合客戶需求的解決方案，推動簽署訂單。公司綜合考慮市場供需及生產成

209、本、產能等因素，進行晶圓代工產品的定價并與客戶協商確定最終價格。NOR Flash 自有品牌業務方面，公司采用“經銷為主，直銷為輔”的銷售模式，主要通過經銷商實現產品的最終對外銷售。經銷模式下，首先由經銷商向公司進行詢價，公司綜合考慮市場水平、生產成本、品牌定位、經銷商利潤等因素進行報價，達成合作后由經銷商向公司下單。6、公司采用目前經營模式的原因、影響經營模式的關鍵因素以及經營模式、公司采用目前經營模式的原因、影響經營模式的關鍵因素以及經營模式和影響因素在報告期內的變化情況及未來變化趨勢和影響因素在報告期內的變化情況及未來變化趨勢 公司結合中長期發展戰略、市場供需情況、上下游發展狀況、公司主

210、營業務、主要產品、核心技術、自身發展階段等因素，形成了目前的經營模式。報告期內，上述影響公司經營模式的關鍵因素未發生重大變化，預計未來亦不會發生重大變化。（三）公司成立以來主營業務、主要產品或服務、主要經營模式的演變情（三）公司成立以來主營業務、主要產品或服務、主要經營模式的演變情況況 1、主營業務及主要經營模式的變化情況、主營業務及主要經營模式的變化情況 成立至今，公司主營業務均為 12 英寸半導體特色工藝晶圓代工，主要經營模式始終定位為晶圓代工廠商。2017 年起，公司增加自有品牌 NOR Flash 產品業務。報告期內，公司的主營業務、主要經營模式未發生重大變化。2、主要產品或服務的變化

211、情況、主要產品或服務的變化情況 成立以來，公司根據市場需求與技術發展方向，不斷加快產品、服務迭代更新，陸續實現特色存儲、數?；旌?、三維集成等業務領域多項具有市場競爭力的工藝平臺量產。截至本招股說明書簽署日，公司主要工藝平臺的演進情況如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-75 （四）主要業務經營情況和核心技術產業化情況（四）主要業務經營情況和核心技術產業化情況 發行人的核心技術體系已融入并應用于主營業務中，與產業實現了深度融合。報告期內，公司核心技術產生的收入分別為 292,991.61 萬元、333,431.66 萬元、379,579.62 萬元及 314,449.27314

212、,449.27 萬元萬元，占各期營業收入比例分別為 93.36%、95.07%、99.51%及 99.95%99.95%。（五）主要產品或服務的工藝流程圖或服務流程圖（五）主要產品或服務的工藝流程圖或服務流程圖 公司主要從事特色存儲、數?；旌?、三維集成領域的特色工藝晶圓代工，相關工藝流程如下：1、一般性工藝流程、一般性工藝流程 上述工藝流程中相關環節主要內容如下：環節環節 具體內容具體內容 硅片清洗 使用噴淋或沉浸的方式，先用多種化學品對半導體硅片進行清洗，再用超純水對半導體硅片進行二次清洗去除殘留的化學液。清洗工序的目的是去除半導體硅片表面的塵埃顆粒、殘留有機物、表面金屬離子等雜質，提高后續

213、生長熱氧化層的質量，硅片清洗硅片清洗光刻光刻刻蝕刻蝕離子注入離子注入熱擴散熱擴散薄膜沉積薄膜沉積化學機械化學機械研磨研磨多層金屬多層金屬連接連接晶圓測試晶圓測試包裝入庫包裝入庫工藝重復若干次工藝重復若干次武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-76 環節環節 具體內容具體內容 保證后續工藝的穩定性。光刻 光刻主要由涂膠、曝光和顯影三個步驟組成：1）涂膠：將光刻膠均勻地涂布在旋轉的半導體硅片上；2）曝光：利用光刻機，通過特定波長的光線的照射，改變光刻膠的性質，將光掩模版上的電路圖形轉移到光刻膠上；3）顯影：利用顯影液，去除曝光后光刻膠中的可溶解部分，準確地使光刻膠上形成圖形?？涛g 刻蝕

214、是在光刻后或無光刻，有選擇性地去除半導體硅片上特定的材料。常見的刻蝕方法包括濕法刻蝕和干法刻蝕，其中：濕法刻蝕使用液態化學品進行刻蝕，干法刻蝕利用等離子體進行刻蝕。離子注入 在真空、低溫的環境下，將特定種類的雜質離子以高能離子束的形式植入晶圓表面的特定區域，常見的離子元素種類包括硼、磷、砷等。熱擴散 在高溫環境下，使雜質離子在離子濃度有梯度的區域間發生擴散，改變和控制晶圓內雜質的濃度和分布，形成不同電特性的區域，改變晶圓的電特性。薄膜沉積 化學氣相沉積：利用不同分壓的氣態化學原材料在晶圓表面發生化學反應，并在晶圓表面沉積一層固態薄膜。物理氣相沉積：利用濺射鍍膜、真空蒸發、離子體鍍膜等物理方法，

215、轟擊靶材，在晶圓表面沉積一層固態薄膜?；瘜W機械研磨 利用物理摩擦和化學反應對晶圓進行拋光，使晶圓表面平坦化。多層金屬連接 根據不同的設計要求，完成金屬布線連接和電路集成化，形成特定功能的集成電路。晶圓測試 晶圓加工完成后，使用探針等檢測設備對晶圓性能進行測試，驗證其功能是否符合工藝平臺的規格要求。包裝入庫 將檢測合格的晶圓真空包裝后入庫。2、三維集成工藝流程、三維集成工藝流程 公司三維集成領域工藝的典型流程如下（以雙晶圓堆疊平臺為例）：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-77 上述工藝流程中相關環節主要內容如下：環節環節 具體內容具體內容 薄膜沉積 利用不同分壓的氣態化學原材料在

216、晶圓表面發生化學反應，并在晶圓表面沉積一層固態薄膜 光刻 將光掩模版上的電路圖形轉移到光刻膠上 刻蝕、填銅 刻蝕：選擇性的去除半導體硅片上特定區域的材料，常見的刻蝕方法包括濕法刻蝕和干法刻蝕填銅：結合化學電鍍方法沉積金屬銅，達到金屬布線連接目的 晶圓鍵合 將兩片及兩片以上的晶圓通過物理或化學方法進行垂直方向上堆疊連接 晶圓減薄 利用物理機械研磨和化學反應對晶圓鍵合后具有特定功能的晶圓進行厚度減薄和表面處理 硅通孔光刻及蝕刻 根據設計要求，用光刻技術形成圖形后，利用刻蝕選擇性的去除硅片上特定區域的材料，目的是實現不同晶圓間電路連接 硅通孔填充 在晶圓的硅通孔中沉積一層固態金屬薄膜，實現金屬間連接

217、 化學機械研磨 利用物理摩擦和化學反應對晶圓進行拋光，使晶圓表面平坦化 后段鋁 PAD 及Passivision 工藝 利用物理氣相沉積，化學氣相沉積方法配合光刻和刻蝕形成金屬鋁布線和表層絕緣薄膜，目的是為后續的測試和封裝提供連接區域，以及提供保護作用（六）具有代表性的業務指標情況（六）具有代表性的業務指標情況 結合公司所處行業的特點，報告期內，公司具有代表性的業務數據包括產能、光刻光刻刻蝕刻蝕、填、填銅銅晶晶圓鍵合圓鍵合晶晶圓減薄圓減薄硅硅通孔光刻及蝕刻通孔光刻及蝕刻硅硅通孔填充通孔填充光刻光刻刻蝕刻蝕、填、填銅銅Top Top waferwaferBottom Bottom waferwa

218、fer化學化學機械研磨機械研磨后段后段鋁鋁PAD及及Passivision工藝工藝薄膜沉積薄膜沉積薄膜沉積薄膜沉積光刻光刻光刻光刻薄膜沉積薄膜沉積武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-78 產量、銷量、產能利用率及產銷率等，相關業務數據的具體變動情況及原因詳見本招股說明書“第五節 業務與技術”之“三、發行人銷售情況和主要客戶”之“（一）主要產品的銷售情況”。（七）主要產品和業務符合產業政策和國家經濟發展戰略的情況（七）主要產品和業務符合產業政策和國家經濟發展戰略的情況 公司主要從事特色存儲、數?；旌?、三維集成領域的 12 英寸半導體特色工藝晶圓代工。近年來，國家制定了一系列支持、鼓

219、勵公司所屬行業快速發展的產業政策、戰略規劃，相關內容詳見本招股說明書“第五節 業務與技術”之“二、行業基本情況”之“（二）行業主管部門、行業監管體制、行業主要法律法規政策及對發行人經營發展的影響”。公司的主要產品和業務符合產業政策和國家經濟發展戰略的要求。二、行業基本情況二、行業基本情況（一）所屬行業及確定所屬行業的依據（一）所屬行業及確定所屬行業的依據 發行人主要從事半導體特色工藝晶圓代工。根據國民經濟行業分類（GB/T4754-2017），公司所處行業為制造業門類中的計算機、通信和其他電子設備制造業（C39）。根據中國上市公司協會上市公司行業統計分類指引，公司所處行業為制造業門類中的計算機

220、、通信和其他電子設備制造業（C39）。根據國家統計局 戰略性新興產業分類（2018）（國家統計局令第 23 號），公司所處行業戰略性新興產業分類中的“新型電子元器件及設備制造”（分類代碼：1.2.1）及“集成電路制造”（分類代碼：1.2.4）。（二）行業主管部門、行業監管體制、行業主要法律法規政策及對發行人（二）行業主管部門、行業監管體制、行業主要法律法規政策及對發行人經營發展的影響經營發展的影響 1、行業主管部門與監管體制、行業主管部門與監管體制 公司所處行業的主管部門為工信部。工信部的主要職責為研究提出工業發展戰略，擬訂工業行業規劃和產業政策并組織實施；指導工業行業技術法規和行業標準的擬訂

221、；按國務院規定權限，審批、核準國家規劃內和年度計劃規模內工業、通信業和信息化固定資產投資項目等。公司所處行業的自律組織為中國半導體行業協會。協會主要負責貫徹落實政武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-79 府有關的政策、法規，向政府業務主管部門提出本行業發展的經濟、技術和裝備政策的咨詢意見和建議；做好信息咨詢工作；調查、研究、預測本行業產業與市場，匯集企業要求，反映行業發展呼聲；廣泛開展經濟技術交流和學術交流活動；開展國際交流與合作；制（修）訂行業標準、國家標準及推薦標準等任務。2、行業主要法律法規政策及產業政策、行業主要法律法規政策及產業政策 半導體行業是信息技術產業的核心，是支

222、撐經濟社會發展的戰略性、基礎性和先導性產業。近年來，國家相繼出臺各類法規政策，大力扶持半導體行業的發展。相關涉及的主要法律、法規和規范性文件如下：序序號號 發布發布 時間時間 發布機關發布機關 法律法規及政策法律法規及政策 主要內容主要內容 1 2024 年 發改委、工信部、財政部、海關總署、國家稅務總局 關于做好 2024 年享受稅收優惠政策的集成電路企業或項目、軟件企業清單制定工作有關要求的通知（發改高技2024351 號）2024 年享受稅收優惠政策的集成電路企業是指集成電路線寬小于 65nm（含）的邏輯電路、存儲器生產企業，線寬小于0.25 微米（含）的特色工藝集成電路生產企業，集成電

223、路線寬小于 0.5 微米（含）的化合物集成電路生產企業和先進封裝測試企業。2 2023 年 工信部、財政部 電子信息制造業20232024 年穩增長行動方案（工信部聯電子2023132 號）提升產業鏈現代化水平。聚焦集成電路、新型顯示、服務器、光伏等領域，推動短板產業補鏈、優勢產業延鏈、傳統產業升鏈、新興產業建鏈，促進產業鏈上中下游融通創新、貫通發展，全面提升產業鏈供應鏈穩定性。3 2022 年 發改委、工信部、財政部、海關總署、國家稅務總局 關于做好 2022 年享受稅收優惠政策的集成電路企業或項目、軟件企業清單制定工作有關法律法規及政策要求的通知（發改高技（2022）390號）2022 年

224、享受稅收優惠政策的集成電路企業是指集成電路線寬小于 65nm（含）的邏輯電路、存儲器生產企業，線寬小于0.25 微米（含）的特色工藝集成電路生產企業，集成電路線寬小于 0.5 微米（含）的化合物集成電路生產企業和先進封裝測試企業。4 2021 年 中央網絡安全和信息化委員會“十四五”國家信息化規劃 專欄 7：加快集成電路關鍵技術攻關。推動計算芯片、存儲芯片等創新，加快集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發。5 2021 年 國務院 中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和 2035 年遠景目標綱要 在事關國家安全和發展全局的基礎核心領域，制定實施戰略性科學計劃和科學工程。

225、武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-80 序序號號 發布發布 時間時間 發布機關發布機關 法律法規及政策法律法規及政策 主要內容主要內容 瞄準集成電路等前沿領域，實施一批具有前瞻性、戰略性的國家重大科技項目。6 2020 年 國務院 國務院關于印發新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策的通知（國發20208 號）產業發展環境，在財稅、投融資、研究開發、人才、知識產權等方面給予集成電路產業和軟件產業諸多優惠政策。明確在一定時期內，集成電路線寬小于 65nm（含）的邏輯電路、存儲器生產企業，線寬小于0.25 微米（含）的特色工藝集成電路生產企業（含掩模版、8英寸及以上硅片

226、生產企業）進口自用生產性原材料、消耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統和集成電路生產設備零配件，免征進口關稅。相關法律法規和行業政策旨在強調半導體相關產業的戰略地位，明確政策支持目標與支持方向。該等政策法規的發布落實，為半導體行業提供了財政、稅收、技術和人才等多方面的支持，促進了半導體行業的發展，公司有望持續受益于相關政策的鼓勵與支持，進一步拓展業務。（三）所屬行業發展情況與未來發展趨勢（三）所屬行業發展情況與未來發展趨勢 1、半導體行業概況、半導體行業概況（1）半導體行業簡介 半導體產品是利用半導體材料（如硅、鍺、砷化鎵等）制造的各種電子元器件和集成電路。隨著半導體工藝的進步，芯片的計算能力大

227、幅提升，存儲容量不斷擴大，這直接促進了互聯網、物聯網等領域的發展。按照半導體產品的不同功能，可被劃分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器四大類。上述四類產品具有不同的特點和下游應用領域，并共同支撐起當代電子技術的龐大體系。其中，集成電路產品是指，采用專門的制造工藝所形成的微型電子器件或部件，具備復雜電路功能，可再被細分為邏輯芯片、存儲芯片、微元件芯片和模擬芯片。（2）半導體行業未來發展趨勢 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-81 未來 3-5 年，隨著汽車電子、物聯網、云計算等多個應用領域市場改善并出現增量需求，集成電路行業將開始新一輪的增長。根據 TechInsights

228、統計，2024年全球半導體市場規模預計將達到 6,666.65 億美元，同比增長 19.23%，2023-2028年的年均復合增長率達 9.46%。數據來源：202403 TechInsights McClean Report（3）半導體產業鏈簡介 半導體行業屬于資金與技術高度密集行業，在發展過程中逐漸形成專業分工、深度細化的特點。具體而言，半導體行業上游包括材料、設備等；中游為半導體生產，具體可分為設計、制造和封測等環節；下游為各類終端應用場景。其中，半導體生產所涉及的主要環節如下：名稱名稱 簡介簡介 芯片設計 芯片設計是將具體的產品功能、性能等產品要求轉化為物理層面的電路設計版圖的過程。晶

229、圓制造 晶圓制造是根據電路設計版圖，通過光刻、刻蝕、離子注入、化學氣相沉積、化學機械研磨等專業工藝流程，在半導體晶片上生成電路圖形，產出可以實現預期功能的晶圓片的過程。封裝測試 封裝測試包含將芯片封裝在獨立元件中、提供芯片和 PCB 互聯的工序，為晶圓提供物理保護和與外部的鏈接；以及利用專業設備和工具，對最終產品的功能和性能進行測試。根據所選半導體產業的企業經營模式一般可分為垂直整合模式、無晶圓廠模式和晶圓代工模式。5850 6139 5591 6667 8250 8829 8134 8787 02000400060008000100002021202220232024E2025E2026E2

230、027E2028E2021-2028年全球半導體市場規模（億美元）年全球半導體市場規模（億美元）武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-82 商業模式商業模式 介紹介紹 垂直整合模式（IDM）一家企業同時涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試以及后續的產品銷售等環節 無晶圓廠模式（Fabless）專門負責芯片設計和后續的產品銷售，將晶圓制造和封裝測試外包給其他代工廠和封測廠的企業 晶圓代工模式（Foundry）接受其他芯片設計公司委托、專門提供晶圓代工的企業，這類公司并不自行從事產品設計和后端銷售 2、晶圓代工行業概況、晶圓代工行業概況（1）晶圓代工行業簡介 晶圓代工行業，作為半導體產業鏈

231、中重要的生產制造環節，源于半導體產業的專業化和精細化分工。在垂直分工的業務模式下，晶圓代工企業并不直接參與芯片的設計，而是專注于為芯片設計公司提供晶圓代工，利用成熟的制造工藝，將設計轉化為實際的產品。（2）晶圓代工技術路徑及發展趨勢 隨著集成電路生產技術不斷發展，為滿足市場對于產品功能、性能等特性的需求，IDM 廠商與晶圓代工廠商不斷研發、創新晶圓制造工藝技術，并演進出兩種技術發展路徑：一種是延續摩爾定律，向更小線寬挺進，目前全球最先進的是臺積電（TSMC）的 2nm 工藝；另一種是超越摩爾定律，不完全依賴縮小晶體管特征尺寸，而是通過在新結構、新材料、新器件等多方面的技術創新，持續優化制造工藝

232、，最大化發揮不同器件的物理特性，綜合提升產品性能及可靠性，例如，利用三維集成技術將多個成熟工藝下的芯片集成在單一封裝，通過提高三維互聯密度的方式，提高數據帶寬，降低功耗和時延，從而提升系統整體性能。這類制造工藝已被廣泛應用于傳感器等傳統產品；同時，也被應用于三維集成領域的新興高端產品中。（3）全球晶圓代工行業市場規模 根據 TechInsights 統計，2018-2022 年，全球晶圓代工市場規模從 736.05 億美元增長至 1,421.35 億美元，年均復合增長率為 17.88%。2022 年底，全球集成電路行業進入周期性低谷，晶圓代工市場隨之下滑。2023 年，晶圓代工市場規模下降至

233、1,234.15 億美元，同比下滑 13.17%。不過，行業隨后將迎來上行周期，全球晶圓代工市場規模預計將恢復高增長的勢態，2023-2028 年的年均復合增長武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-83 率將達到 12.24%。數據來源：2024 TechInsights McClean Report（4）中國大陸晶圓代工行業市場特征和發展趨勢 中國大陸晶圓代工水平與國際頂尖技術水平仍有一定差距 近年來，中國政府高度重視對集成電路產業的政策支持和研發投入，但由于技術發展水平、人才培養等方面的滯后性，以及企業資金實力不足等諸多原因，中國大陸集成電路產業的研發力量還較為薄弱、自主創新能

234、力仍不足。就集成電路晶圓代工行業而言，在先進工藝線寬這一關鍵指標上，中國大陸企業在生產設備和技術人才等方面與業界龍頭企業還存在一定差距。在集成電路行業面臨全球范圍內充分競爭的背景下，中國大陸企業在與業界龍頭企業競爭的過程中仍會在未來一段時間內處于努力追趕的地位。中國大陸晶圓代工水平不斷提升 中國大陸晶圓代工行業起步相對較晚，但在國家政策的支持下，中國大陸晶圓代工行業實現了快速發展。同時，在國內科學技術水平飛速提高、終端應用市場規模不斷擴大、國際關系日益復雜的背景下，國內芯片設計公司對中國大陸晶圓代工的需求逐年提升。3、下游產品行業概況、下游產品行業概況 報告期內，發行人主要向客戶提供 12 英

235、寸特色工藝晶圓代工，根據客戶需1115 1421 1234 1481 1807 2096 2033 2199 050010001500200025002021202220232024E2025E2026E2027E2028E2021-2028年全球晶圓代工市場規模（億美元）年全球晶圓代工市場規模（億美元）武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-84 求提供特色存儲、數?；旌虾腿S集成領域多種類別半導體產品的晶圓代工。（1）特色存儲產品 存儲芯片行業概況 存儲芯片，又稱半導體存儲器，分為易失性存儲芯片（斷電后易丟失數據）和非易失性存儲芯片（斷電后仍保存數據）兩類。如下圖所示，常見的易失

236、性存儲芯片有 DRAM 和 SRAM。非易失性存儲芯片包括 Flash（閃存）、ROM（只讀存儲器）等。閃存又可細分為 NAND Flash 和 NOR Flash 兩種。NAND Flash 因具備大容量存儲（通常在 1Gb2Tb）的特點，常被應用于服務器、手機存儲、固態硬盤（SSD）等大容量存儲產品中；NOR Flash 系代碼型閃存，適宜中等容量的代碼存儲（通常在 1Mb1Gb），被廣泛應用于計算機、消費電子（智能家居、TWS耳機、穿戴式設備、路由器、機頂盒等）、汽車電子（高級駕駛輔助系統、車窗控制、儀表盤）、工業控制（智能電表、機械控制）、物聯網設備等領域。存儲芯片將成為拉動半導體行業

237、的主要驅動力。根據 TechInsights 預測，存儲芯片市場在經歷了超過一年時間的價格下跌和去庫存周期后，將在 2024 年迎來大幅度反彈，其市場規模預計將達到 1,622.72 億美元，同比增長 69.10%，2023-2028 年的年均復合增長率為 15.41%。NOR Flash 行業概況 NOR Flash 作為閃存的重要類別之一，被廣泛應用于數字產品中，通常用于存儲設備引導程序、操作系統等代碼和數據。NOR Flash 因其高可靠性和可芯片武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-85 內執行的特點，適合于需要快速讀取和執行代碼的場景。隨著半導體技術的進步，NOR Fla

238、sh 的存儲密度和性能也在不斷提升，從而滿足了日益增長的數據存儲需求和更高的性能要求。項目項目 NOR Flash 產品特點 存儲結構 主要采用單層存儲單元排列，存儲單元之間一般采用并聯結構 讀寫速度 讀取速度較快，寫入速度較慢，具有可芯片內執行（XIP）的特點 存儲容量 一般在幾兆字節（1MB）到幾千兆字節（1GB）之間 技術工藝特點 存儲單元使用平面溝道結構，工藝迭代以平面尺寸微縮演進，業界節點目前基本在 90nm45nm 應用領域 適合于需要高度可靠性和穩定性的應用，廣泛應用于計算機、消費電子、汽車電子、工業控制、物聯網設備等 根據 TechInsights 預測，NOR Flash 總

239、體市場規模將在未來 5 年持續增長，2024 年，全球 NOR Flash 市場規模將達到 26.99 億美元，同比增長 19.74%，2023-2028 年的年均復合增長率為 9.17%。數據來源：2024 TechInsights McClean Report NOR Flash 被廣泛應用于計算機、消費電子、汽車電子、工業控制、物聯網設備等領域，其中消費電子、汽車電子和工業控制等主要應用領域未來發展趨勢如下：主要終端應用領域主要終端應用領域 未來發展趨勢未來發展趨勢 消費電子 近幾年來，可穿戴式設備大幅提升了市場對 NOR Flash 的需求量，特別是在無線藍牙耳機產品上出現了爆發式增長

240、。未來，各類智能28.75 29.86 22.54 26.99 34.57 34.92 32.96 34.95 05101520253035402021202220232024E2025E2026E2027E2028E2021-2028年全球年全球NOR Flash市場規模（億美元）市場規模（億美元）武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-86 主要終端應用領域主要終端應用領域 未來發展趨勢未來發展趨勢 化解決方案也將推動大容量（1GB）NOR Flash 需求進一步提升。汽車電子 隨著汽車領域智能化發展的大趨勢，高級駕駛輔助系統（ADAS）對NOR Flash 的需求量將進一步提升

241、。工業控制“工業 4.0”概念提出的自動化概念將進一步推動 NOR Flash 在工業領域的應用。（2）數?；旌袭a品 CMOS 圖像傳感器（CIS）行業概況 CIS 是一種利用光電技術原理所制造的圖像傳感元件，被廣泛應用于智能手機、平板電腦等移動設備的攝像頭中。根據工藝，CIS 可被劃分為前照式（FSI）、背照式（BSI）和堆棧式。前照式是傳統的圖像傳感器結構，光線從光電二極管的電路面入射，經由光電二極管的上方金屬開口到達光電二極管中，技術相對簡單，成本也相對較低。背照式是將感光二極管元件調轉方向，光線從光電二極管的背面入射，從而避免了光電二極管電路面的金屬對光線的阻擋，能夠顯著提升成像質量。

242、堆棧式是在背照式結構的基礎上進一步改良，將像素矩陣和控制電路區域分別置于兩片晶圓上，再通過晶圓間的鍵合技術將兩片晶圓堆疊在一起。堆棧式使得 CMOS 圖像傳感器的像素部分和控制電路可以進行獨立設計并優化，從而進一步提升傳感器的靈敏度和效率。隨著技術的不斷發展，堆棧式結構因其優秀的性能逐漸成為高端 CIS 的主流選擇。全球 CIS 的主要廠商有索尼、三星、豪威科技、意法半導體、格科微等。根據 TechInsights 預測，全球 CIS 市場規模呈現持續穩定增長的態勢，2024年 CIS 市場規模將達到 219.71 億美元，同比增長 7.40%，2023-2028 年的年均復合增長率為 9.0

243、3%。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-87 數據來源：2024 TechInsights McClean Report RF-SOI 行業概況 RF-SOI 是一類使用絕緣體上硅（SOI）工藝生產的射頻前端芯片，已被廣泛應用于移動智能終端中。射頻前端芯片主要負責射頻信號的收發、頻率合成、功率放大等功能，能夠將電信號轉換為無線電波并傳輸，同時也能夠將接收到的無線電波轉換回電信號，是無線通信設備中的核心組件。射頻前端芯片通常由調制器、解調器、放大器、濾波器和天線等器件組成。SOI 是一種先進的半導體工藝，此類工藝利用獨特的襯底結構，顯著改善芯片中的寄生電容和漏電流，因此可以顯著提

244、高芯片在射頻類應用中的性能。相較于傳統射頻前端芯片，使用了 SOI 工藝的 RF-SOI 具有低失真、低損耗和低噪聲等關鍵射頻特點，涉及的可替代產品包括功率放大器（PA）、低噪聲放大器（LNA）、天線調諧器（Antenna Tuner）和射頻開關（Switch）。根據 Yole 報告預測，到2026 年，全球 RF-SOI 市場規模將達到 44.23 億美元。（3）三維集成產品 在數據量倍增和萬物互聯的大時代背景下，一系列高端三維集成產品涌現出來并蓬勃發展，并通過功能集成、異構集成的方式，滿足個人消費和工業設備對高性能、高集成的共同需求。根據 Yole 統計，2023 年，全球高端三維集成制造

245、市場規模大約為 22.49 億美元，預計到 2028 年，全球三維集成技術制造市場規?？傤~約為 98.79 億美元，201 197 205 220 246 281 300 315 0501001502002503003502021202220232024E2025E2026E2027E2028E2021-2028年全球年全球CMOS圖像傳感器市場規模（億美元）圖像傳感器市場規模（億美元）武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-88 2023 至 2028 年的年均復合增長率為 34.45%，市場潛力巨大。4、公司所處行業進入壁壘、公司所處行業進入壁壘（1）資金規模壁壘 晶圓代工企業需

246、要投入大量資金用于廠房建設、購買設備和研發投入。晶圓代工廠的建設研發周期長、固定資產投入大，這包括建設專業化的生產廠房、購置昂貴的生產設備以及配套的研發設施等，新進入者需要足夠的資金支持才能持續發展。（2）技術壁壘 晶圓生產需要掌握先進的半導體制造工藝，包括納米級的光刻技術、材料科學、化學氣相沉積技術等，每一種工藝的優化都需要大量的專業知識和研發投入。企業的技術團隊需要具備深厚的半導體工藝知識和研發能力。新進入者需要通過合法途徑獲取必要的技術專利授權，或者研發新的技術路徑，這極大地提高了行業的準入門檻。（3）高端人才壁壘 隨著半導體產業技術的持續飛躍，對技術人才的專業深度、實戰經驗及綜合管理能

247、力的要求日益提高。同時，培養一名高端人才需要長時間的學習和實踐，這使得行業內的高端人才供給相對稀缺，新進入者較難在短時間內組建專業、優秀的人才團隊。5、公司所處行業在產業鏈中的地位和作用、公司所處行業在產業鏈中的地位和作用 晶圓代工行業是半導體制造領域中的重要組成部分，主要負責生產制造集成電路和微電子器件等。晶圓代工是向集成電路設計公司或電子廠商提供專門的制造服務，有助于提高整個半導體行業的成本效率。這種經營模式使得集成電路設計公司不需要自己承擔造價昂貴的生產線，就能生產、銷售產品。設計公司可以專注于芯片設計和創新，而制造公司則專注于提升生產工藝和良率，通過專業化分工降低整體生產成本。此外，公

248、司涉及的三維集成細分業務是半導體產業中較新的技術領域，位于武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-89 中游的制造和后續的封裝測試環節之間。晶圓級三維集成技術在垂直方向上將載片或功能晶圓堆疊，或將芯片與晶圓進行堆疊，并在各層之間通過硅通孔、混合鍵合等工藝技術實現直接的電氣互連，可繞開單片晶圓單一制程節點限制，將使用最優制程節點的各功能晶圓進行集成，并有效提高單位面積功能密度，提供更高的芯片間互聯密度、更短芯片間互連長度，可以更好降低延時、增加傳輸帶寬，滿足低功耗、小尺寸等要求。6、行業面臨的機遇、行業面臨的機遇（1）國家政策助力未來中國大陸半導體行業快速增長 半導體行業在當前全球科技

249、競爭中扮演著至關重要的角色，國家近幾年出臺了多項政策來支持半導體行業的發展，為半導體企業提供了財政補貼、稅收優惠、研發資助等多方面的支持，大大降低了企業的運營成本，激勵了更多企業進入該領域。中國大陸晶圓代工行業起步較晚，但隨著國內經濟的發展和科學技術水平的提高，同時受益于國家政策支持，中國大陸晶圓代工行業實現了快速的發展。（2）中國大陸半導體產業鏈的完善和自主化 在近年國際貿易摩擦日益嚴重的情況下，隨著中國大陸對自主可控技術日益重視，國內半導體產業鏈逐漸完善。從上游的原材料和設備供應、中游的芯片設計和制造，到下游的應用市場，整體產業鏈的整合使得中國企業在技術上逐步擺脫對國外的依賴，增強了綜合競

250、爭力。晶圓代工行業國產化替代的重要性越發凸顯，國產化替代將成為中國大陸集成電路發展的重要趨勢。（3）市場需求不斷增長 隨著下游物聯網應用的普及，消費電子、通訊設備、工業醫療、汽車電子等領域的不斷發展，可穿戴設備、智能家居、高級駕駛輔助系統等新興應用需求不斷增長，為半導體行業帶來更多增量需求。7、行業面臨的挑戰、行業面臨的挑戰（1）集成電路行業技術迭代較快 晶圓代工行業屬于技術密集型行業，具有工藝技術迭代快、資金投入大、研發周期長等特點。同時，半導體豐富的終端應用場景決定了各細分領域產品的主武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-90 流技術節點與工藝存在差異，相應市場需求變化較快。集

251、成電路行業市場參與者需緊跟市場需求，積極適應行業技術快速迭代的特點。中國大陸半導體企業在與國際龍頭企業的競爭中仍面臨一定的技術差距，在上游設備、關鍵耗材、工藝制程等方面仍存在較大差距，在高端市場競爭中處于相對劣勢。（2）高端技術人才儲備相對不足 晶圓代工行業屬于技術和人才密集型行業。相對于發展成熟的美國、日本、歐洲和中國臺灣等，中國大陸因產業發展起步晚，導致經驗豐富的半導體行業高端人才稀缺。盡管近年來國家對高端專業人才的培養力度逐步加大，但人才匱乏的情況依然存在，一定程度上影響了行業內企業的進一步發展。（3）地緣政治的不確定性 全球經濟波動和地緣政治緊張局勢可能導致供應鏈中斷、市場需求波動以及

252、貿易限制等問題，從而影響公司的運營和發展。8、行業周期性特征、行業周期性特征 公司主要為客戶提供基于多種技術節點、不同工藝平臺的集成電路晶圓代工及配套服務，下游應用領域廣泛，產品及服務覆蓋了包括消費電子、信息通訊、計算機、汽車及工業在內的多個重要經濟領域。因此，集成電路行業的發展與宏觀經濟整體發展亦密切相關。受到全球宏觀經濟的波動、下游市場景氣度等因素影響，集成電路行業存在一定的周期性。如果宏觀經濟波動較大或長期處于低谷，集成電路行業的市場需求也將隨之受到影響；另外下游市場需求的波動和低迷亦會導致集成電路產品的需求下降，進而影響集成電路晶圓代工企業的盈利能力。（四）行業競爭情況（四）行業競爭情

253、況 1、行業內主要企業情況、行業內主要企業情況（1）臺積電（2330.TW）臺積電成立于 1987 年，總部位于中國臺灣，其主營業務包括集成電路及其他半導體芯片的制造、銷售、封裝測試與電腦輔助設計及光罩制造等代工服務。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-91 臺積電為全球客戶提供業務與技術服務，產品被廣泛應用于各類終端市場，包括高性能計算、智能手機、物聯網、汽車電子及消費電子中。根據 TechInsights 統計，臺積電是全球營收排名第一的晶圓代工企業。2023 年，臺積電營業收入為 21,617.36 億新臺幣，凈利潤為 8,377.68 億新臺幣。（2）聯華電子（2303.

254、TW）聯華電子成立于 1980 年，總部位于中國臺灣，其在邏輯芯片、數?；旌闲酒?、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非易失性存儲芯片、RF-SOI 及 BCD 等多個領域擁有完整的制程技術及制造解決方案，可以滿足從消費電子到汽車電子、工業控制等廣泛行業的需求。2023 年，聯華電子營業收入為 2,225.33 億新臺幣，凈利潤為 601.39 億元新臺幣。（3）GlobalFoundries（GFS.O）GlobalFoundries（以下簡稱“格羅方德”）成立于 2009 年，總部位于美國，其代工業務包括 FD-SOI、RF-SOI、FinFET、硅光、硅鍺及 BCD 六大技術平臺。格羅方德擁有先進

255、的技術積累，持續為智能移動設備、汽車、通信基礎設施、物聯網等多個行業提供支持。2023 年，格羅方德營業收入為 73.92 億美元，凈利潤為 10.18 億美元。（4）中芯國際（688981.SH）中芯國際成立于 2000 年，總部位于上海，主營業務為晶圓代工集成電路晶圓代工及配套服務，主要產品包括邏輯、混合信號及射頻、CMOS、高電壓器件、SoC、閃存、EEPROM、CIS、電源管理 IC、MEMS 邏輯電路、電源及模擬、高壓驅動、嵌入式非揮發存儲、非易失性存儲、混合信號及射頻和圖像傳感器等。2023 年，中芯國際營業收入為 452.50 億元人民幣，凈利潤為 63.96 億元人民幣。（5）

256、華虹公司（688347.SH）華虹公司成立于 2005 年，總部位于上海，提供包括嵌入式/獨立式非易失性武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-92 存儲器、功率器件、模擬與電源管理、邏輯與射頻等多元化特色工藝平臺的晶圓代工及配套服務，產品主要應用于手機通訊、消費電子產品、智能卡、物聯網、穿戴電子及汽車等設備產品。2023 年，華虹公司營業收入為 162.32 億元人民幣，凈利潤為 8.47 億元人民幣。（6）晶合集成（688249.SH）晶合集成成立于 2015 年，公司主要從事 12 英寸晶圓代工業務，向客戶提供DDIC 及其他工藝平臺的晶圓代工服務，上述晶圓代工服務的產品應用領

257、域主要為面板顯示驅動芯片領域。2023 年，晶合集成營業收入為 72.44 億元人民幣，凈利潤為 1.19 億元人民幣。（7）芯聯集成（688469.SH）芯聯集成，原名中芯集成，成立于 2018 年，并于 2023 年在科創板上市。公司是國內領先的特色工藝 8 英寸晶圓代工企業，主要從事 MEMS 和功率器件等領域的晶圓代工及封裝測試業務，為客戶提供一站式服務的代工制造方案。2023 年，芯聯集成營業收入為 53.24 億元人民幣，凈利潤為-29.41 億元人民幣。（8 8）華邦電子）華邦電子（2344.TW2344.TW）華邦電子成立于華邦電子成立于 19871987 年，總部位于中國臺灣

258、，是一家專注于存儲器產品研年，總部位于中國臺灣，是一家專注于存儲器產品研發、制造與銷售的發、制造與銷售的 IDMIDM 企業。公司主要提供企業。公司主要提供 DRAMDRAM 和和 FlashFlash 兩大類產品，是全球兩大類產品，是全球NOR FlashNOR Flash 市場的主要提供商之一，其產品被廣泛應用于智能手機、平板電腦、市場的主要提供商之一，其產品被廣泛應用于智能手機、平板電腦、物聯網設備、汽車電子等領域。物聯網設備、汽車電子等領域。20232023 年，年，華邦電子華邦電子營業收入為營業收入為 750.06750.06 億億新臺幣新臺幣，凈利潤，凈利潤為為 0.340.34

259、億億新臺幣新臺幣。（9 9）旺宏電子）旺宏電子（2337.TW2337.TW）旺宏電子成立于旺宏電子成立于 19891989 年，總部位于中國臺灣，是一家專注于非易失性存儲年，總部位于中國臺灣，是一家專注于非易失性存儲芯片研發、制造與銷售的芯片研發、制造與銷售的 IDMIDM 企業。公司的主要產品包含企業。公司的主要產品包含廣泛規格及容量廣泛規格及容量的的 NOR NOR FlashFlash 和和 SLC NAND FlashSLC NAND Flash，是全球，是全球 NOR FlashNOR Flash 市場的主要提供商之一，其產品市場的主要提供商之一，其產品武漢新芯集成電路股份有限公司

260、 招股說明書 1-1-93 被廣泛應用于被廣泛應用于消費電子、通訊、電腦、工業、汽車電子等多個領域消費電子、通訊、電腦、工業、汽車電子等多個領域。20232023 年，年，旺宏電子旺宏電子營業收入為營業收入為 276.24276.24 億億新臺幣新臺幣，凈利潤為，凈利潤為-16.9916.99 億億新臺新臺幣幣。2、同行業可比公司的選取依據、同行業可比公司的選取依據 發行人選取了在行業類別、主營業務上與公司較為相似的知名企業，選取標準客觀，具有可比性。發發行人行人同時從事晶圓代工、自有品牌業務同時從事晶圓代工、自有品牌業務，因此，因此，選取選取了了主要從事晶圓代工業務的臺積電、聯華電子、格羅方

261、德、主要從事晶圓代工業務的臺積電、聯華電子、格羅方德、中芯國際、華虹公司、中芯國際、華虹公司、晶合集成晶合集成和和芯芯聯聯集成集成，以及，以及 NOR FlashNOR Flash 市場的主要市場的主要 IDMIDM 廠商華邦電子和旺宏電廠商華邦電子和旺宏電子。子。3、發行人與同行業可比公司的比較情況、發行人與同行業可比公司的比較情況（1 1）財務數據比較情況）財務數據比較情況 2023 年，發行人與可比公司的財務數據對比如下：單位：億元人民幣 證券代碼證券代碼 公司簡稱公司簡稱 營業收入營業收入 凈利潤凈利潤 毛利率毛利率 2330.TW 臺積電 4910.36 1902.98 54.36%

262、2303.TW 聯華電子 505.48 136.61 34.94%GFS.O 格羅方德 520.89 71.74 28.42%688981.SH 中芯國際 452.50 63.96 21.89%688347.SH 華虹公司 162.32 8.47 27.10%688249.SH 晶合集成 72.44 1.19 21.61%688469.SH 芯聯集成 53.24-29.41-6.81%2344.TW2344.TW 華邦電子華邦電子 170.38170.38 0.080.08 29.86%29.86%2337.TW2337.TW 旺宏電子旺宏電子 62.7562.75 -3.863.86 24.

263、47%24.47%/發行人發行人 38.15 3.94 22.69%注 1：數據來源為 Wind、可比公司定期報告或其招股說明書 注 2：使用 2023 年平均匯率進行換算（2 2）細分市場競爭格局）細分市場競爭格局和和發行人發行人的的市場地位市場地位 NOR FlashNOR Flash 晶圓代工晶圓代工 NOR FlashNOR Flash 產品市場頭部三家廠商為華邦電子、旺宏電子及兆易創新，華邦產品市場頭部三家廠商為華邦電子、旺宏電子及兆易創新，華邦武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-94 電子、旺宏電子采用電子、旺宏電子采用 IDMIDM 模式經營，兆易創新等其他廠商主要

264、采用模式經營，兆易創新等其他廠商主要采用 FablessFabless 模模式經營，與式經營，與其他其他代工廠合作。代工廠合作。發行人、中芯國際、華虹集團等系全球發行人、中芯國際、華虹集團等系全球 NOR NOR FlashFlash 晶圓代工行業主要供應晶圓代工行業主要供應商。近年來，商。近年來，NOR FlashNOR Flash 代工廠商競爭格局基本保持穩定代工廠商競爭格局基本保持穩定。發行人系發行人系 NOR FlashNOR Flash晶圓代工行業全球主要供應商之一，合并考慮自有品牌晶圓代工行業全球主要供應商之一，合并考慮自有品牌 NOR FlashNOR Flash 業務后，系業務

265、后，系中國大陸地區規模最大的中國大陸地區規模最大的 NOR FlashNOR Flash 制造廠商。制造廠商。CISCIS 晶圓代工晶圓代工 根據根據 TechInsightsTechInsights 數據，數據，20242024 年全球年全球 CISCIS 產品市場規模約產品市場規模約 219.71219.71 億美元，億美元，20232023 年至年至 20282028 年的年均復合增長率為年的年均復合增長率為 9.03%9.03%。CISCIS 產品市場全球范圍內主要廠產品市場全球范圍內主要廠商包括索尼、三星電子、豪威科技、意法半導體、格科微等，其中索尼、三星商包括索尼、三星電子、豪威科

266、技、意法半導體、格科微等，其中索尼、三星電子為電子為 IDIDM M 企業，國內的豪威科技、格科微、思特威等廠商則主要采用企業，國內的豪威科技、格科微、思特威等廠商則主要采用 FablessFabless或或 FabFab-litelite 模式，與外部代工企業開展合作。模式，與外部代工企業開展合作。發行人在發行人在 CISCIS 晶圓代工領域主要競爭對手包括臺積電、中芯國際、華虹集晶圓代工領域主要競爭對手包括臺積電、中芯國際、華虹集團、晶合集成等。發行人系團、晶合集成等。發行人系 CISCIS 晶圓代工晶圓代工行業全球主要供應商之一，行業全球主要供應商之一，系中國大系中國大陸地區陸地區 CI

267、SCIS 晶圓代工的重要產能力量。晶圓代工的重要產能力量。RFRF-SOISOI 晶圓代工晶圓代工 根據根據 YoleYole 報告預測，報告預測，20242024 年全球年全球 RFRF-SOISOI 市場規模約市場規模約 41.7341.73 億美元，預計億美元，預計20262026 年將達到年將達到 44.2344.23 億美元。億美元。RFRF-SOISOI 全球范圍內頭部晶圓代工廠為格羅方德、全球范圍內頭部晶圓代工廠為格羅方德、高塔半導體。高塔半導體。RFRF-SOISOI 晶圓代工產能在國內尚屬稀缺資源，主要供應商包括發行晶圓代工產能在國內尚屬稀缺資源，主要供應商包括發行人、中芯國

268、際、華虹公司等。目前，發行人在國內人、中芯國際、華虹公司等。目前，發行人在國內 RFRF-SOISOI 晶圓代工領域處于領晶圓代工領域處于領先地位，較國內競爭對手在現有技術、市場份額以及未來產能規劃方面均具備先地位，較國內競爭對手在現有技術、市場份額以及未來產能規劃方面均具備一定的優勢。一定的優勢。三維集成晶圓代工三維集成晶圓代工 根據根據 YoleYole 統計，統計，20232023 年，全球高端三維集成制造市場規模大約為年，全球高端三維集成制造市場規模大約為 22.4922.49 億億美元，預計到美元，預計到 20282028 年，全球三維集成技術制造市場規?？傤~約為年，全球三維集成技術

269、制造市場規?？傤~約為 98.7998.79 億美元，億美元，20232023 至至 20282028 年的年均復合增長率為年的年均復合增長率為 34.45%34.45%，市場潛力巨大。，市場潛力巨大。目前，發行人在目前，發行人在三維集成晶圓代工三維集成晶圓代工領域已形成相當規模產能，先發優勢顯領域已形成相當規模產能，先發優勢顯武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-95 著，在芯片著，在芯片-異構集成領域亦在積極進行研發和商業化量產應用，且隨著三期項異構集成領域亦在積極進行研發和商業化量產應用，且隨著三期項目建設投產，發行人三維集成晶圓代工產能將大幅提升，進一步鞏固競爭優勢。目建設投

270、產，發行人三維集成晶圓代工產能將大幅提升，進一步鞏固競爭優勢。自有品牌業務自有品牌業務 公司自有品牌業務僅涉及公司自有品牌業務僅涉及 NOR FlashNOR Flash 產品。產品。NOR FlashNOR Flash 產品市場三大廠商分產品市場三大廠商分別為中國臺灣地區的華邦電子、旺宏電子以及中國大陸地區的兆易創新別為中國臺灣地區的華邦電子、旺宏電子以及中國大陸地區的兆易創新。其中，其中，華邦電子、旺宏電子采用華邦電子、旺宏電子采用 IDMIDM 模式經營，兆易創新等其他廠商主要采用模式經營，兆易創新等其他廠商主要采用 FablessFabless模式經營，與外部代工廠合作。模式經營，與外

271、部代工廠合作。發行人在發行人在 NOR FlashNOR Flash 產品市場領域系主要參與者之一，但市場份額相較華產品市場領域系主要參與者之一，但市場份額相較華邦電子、旺宏電子及兆易創新等頭部三家廠商相對較小，主要系報告期內發行邦電子、旺宏電子及兆易創新等頭部三家廠商相對較小，主要系報告期內發行人整體定位于晶圓代工模式所致。人整體定位于晶圓代工模式所致。4、發行人競爭優勢、發行人競爭優勢（1）技術優勢：成熟的技術平臺和出色的研發能力 技術平臺優勢 在特色存儲領域，公司在 NOR Flash 產品代工領域持續深耕超過 16 年，是中國大陸規模最大的 NOR Flash 制造廠商，技術實力位居全

272、球前列。在數?；旌项I域，公司的 RF-SOI 工藝擁有自主可控的完整知識產權，已完成 55nm 技術節點的量產與研發，并涵蓋多種類產品。在三維集成領域，公司成功建成了國際領先的晶圓級三維集成技術平臺，取得了核心技術和關鍵產品的突破。研發團隊優勢 公司通過多年的磨合與沉淀，打造了一支具有自主創新基因、執行力強、有凝聚力的復合型研發團隊。截至 2024 年 9 9 月月 3030 日日，公司共有員工 2,1972,197 人，其中研發人員 421421 人，占比達到 19.16%19.16%。團隊將國際先進半導體制造理念與公司特色相結合，持續推動公司進一步提升技術實力。完善的知識產權體系 公司高度

273、重視核心技術的積累與創新，形成了完善的知識產權體系和自主可控的核心技術。截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，公司擁有已獲授權的發明專利 7 70808 項項、實用新型專利 233233 項項，此外公司還擁有集成電路布圖設計 26 項。武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-96（2）客戶優勢：范圍廣、全球化 公司著眼于全球化布局，與行業頭部客戶有著穩定緊密的合作關系。公司組建了國際化的管理團隊與人才隊伍，建立了輻射全球的服務基地與運營網絡。在NOR Flash、MCU、圖像傳感、射頻前端、三維集成等各產品線上覆蓋國內外一線客戶，擁有豐富的客戶群。（3）產業鏈優

274、勢：良好的合作生態 在日常生產經營中，公司與上游供應商建立了緊密的合作關系，通過國產機臺驗證、聯合開發等形式促進集成電路產業鏈設備、材料等各環節協同發展，提供更多驗證合作機會，共同參與構建集成電路產業生態圈，促進中國集成電路產業集群發展。（4）質量優勢：多年穩定量產 公司是我國大陸地區第二條建設和量產的 12 英寸晶圓制造產線，已穩定量產運行超過 15 年，積累了豐富的工廠管理及運營、技術研發及創新、市場洞察及開拓的經驗，具備產能擴張、技術創新和市場開拓的堅實基礎。公司一直嚴格遵守質量管控和環境、安全、健康管理體系，并已獲得汽車行業質量管理體系 IATF16949、質量管理體系 ISO9001

275、 等認證。5、發行人競爭劣勢、發行人競爭劣勢（1）總體產能有待提高 相較于業內頭部企業，公司的總體產能相對較低，在滿足客戶大規模訂單或應對市場需求波動時存在挑戰。公司與行業巨頭企業在產能方面存在差距，對公司爭奪高端晶圓代工市場、提升規模經濟效應、產品議價能力及市場競爭力造成一定的影響。（2）融資渠道亟待拓展 面對日益激烈的市場競爭與工藝標準的持續優化，公司需要持續投入大量資金到產能擴充、工藝創新、和人才引進上，以確保市場競爭力。晶圓代工行業作為資本密集型行業，公司亟需拓展融資渠道，加大研發投入、擴充建設產能、優化產品矩陣，從而在激烈的市場競爭中占據更有利的位置，進一步提高市場占有武漢新芯集成電

276、路股份有限公司 招股說明書 1-1-97 率。三、發行人銷售情況和主要客戶三、發行人銷售情況和主要客戶（一）主要產品的銷售情況（一）主要產品的銷售情況 1、主要產品或服務的規模、主要產品或服務的規模 報告期內，公司產能、產量及銷量情況如下：項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 產能（萬片）44.4044.40 53.11 47.66 35.76 產能對應的工藝步驟數合計（百萬步）58.6558.65 69.38 62.68 45.78 產量（萬片）30.3330.33 27.51 35.51 33.71 產量對應的工

277、藝步驟數合計（百萬步）52.5452.54 55.08 57.00 45.75 銷量（萬片）29.9129.91 31.23 31.55 33.06 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 產能利用率 89.59%89.59%79.38%90.95%99.93%產銷率 98.62%98.62%113.52%88.85%98.07%注：公司各工藝平臺工藝步驟數存在較大差別，產能利用率按產量、產能對應的工藝步驟數匯總計算。2、主要產品或服務的銷售收入情況、主要產品或服務的銷售收入情況 報告期內，公司主要產品或服務的銷售收入

278、情況相關內容詳見本招股說明書“第五節 業務與技術”之“一、發行人主營業務及主要產品情況”之“（一）主營業務及主要產品情況”之“2、主要產品或服務”。3、主要產品或服務的銷售價格的總體變動情況、主要產品或服務的銷售價格的總體變動情況 報告期內，公司主要產品或服務的銷售價格的總體變動情況相關內容詳見本招股說明書“第六節 財務會計信息與管理層分析”之“九、經營成果分析”之“（二）營業收入分析”之“2、主營業務收入分產品類型分析”。4、主營業務收入的模式構成情況、主營業務收入的模式構成情況 報告期內，公司主營業務收入的模式構成情況相關內容詳見本招股說明書“第六節 財務會計信息與管理層分析”之“九、經營

279、成果分析”之“（二）營武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-98 業收入分析”之“5、營業收入分銷售模式分析”。（二）主要客戶情況（二）主要客戶情況 報告期內，公司向前五大客戶的銷售情況如下：單位：萬元 序序號號 客戶名稱客戶名稱 銷售金額銷售金額 占銷售總額比例占銷售總額比例 主要銷售的產品主要銷售的產品 20242024 年年 1 1-9 9 月月 1 1 客戶四客戶四 43,553.0743,553.07 13.84%13.84%晶圓代工等晶圓代工等 2 2 客戶一客戶一 33,177.833,177.85 5 10.510.55 5%晶圓代工晶圓代工等等 3 3 客戶二客戶

280、二 29,505.5029,505.50 9.39.38 8%晶圓代工等晶圓代工等 4 4 客戶五客戶五 24,673.7224,673.72 7.84%7.84%晶圓代工、自有品晶圓代工、自有品牌牌 N NOR FOR Flashlash 等等 5 5 客戶三客戶三 22,828.1622,828.16 7.27.26 6%晶圓代工晶圓代工等等 合計合計 153,738.30153,738.30 48.87%48.87%/2023 年度年度 1 客戶一 69,396.18 18.19%晶圓代工等 2 客戶二 46,777.69 12.26%晶圓代工等 3 客戶四 46,189.36 12.1

281、1%晶圓代工等 4 客戶三 39,132.47 10.26%晶圓代工等 5 恒爍股份 28,626.89 7.50%晶圓代工等 合計合計 230,122.59 60.33%/2022 年度年度 1 客戶二 50,762.05 14.47%晶圓代工等 2 客戶一 50,728.82 14.46%晶圓代工等 3 客戶三 40,497.43 11.55%晶圓代工等 4 客戶五 37,724.84 10.76%晶圓代工、自有品牌 NOR Flash 等 5 恒爍股份 34,448.48 9.82%晶圓代工等 合計合計 214,161.62 61.06%/2021 年度年度 1 客戶五 55,642.7

282、8 17.73%晶圓代工、自有品牌 NOR Flash 等 2 客戶三 32,954.20 10.50%晶圓代工等 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-99 序序號號 客戶名稱客戶名稱 銷售金額銷售金額 占銷售總額比例占銷售總額比例 主要銷售的產品主要銷售的產品 3 恒爍股份 30,205.37 9.62%晶圓代工等 4 客戶一 27,848.07 8.87%晶圓代工等 5 客戶二 24,386.71 7.77%晶圓代工等 合計合計 171,037.12 54.50%/注：同一控制下主體的銷售金額已合并披露。報告期內，公司向前五大客戶合計銷售額占當期銷售總額的比例分別為54.50

283、%、61.06%、60.33%和 4 48.87%8.87%，不存在向單個客戶銷售比例超過公司當年銷售總額 50%或嚴重依賴少數客戶的情況。截至本招股說明書簽署日，公司的董事、監事、高級管理人員和核心技術人員，主要關聯方或持有公司 5%以上股份的股東在上述客戶中不存在占有權益的情況。四、發行人采購情況和主要供應商四、發行人采購情況和主要供應商（一）主要采購情況（一）主要采購情況 1、主要原材料采購情況、主要原材料采購情況 報告期內，發行人生產經營所需的原材料主要包括硅片、化學品、氣體、靶材等，主要原材料采購情況如下：種類種類 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年

284、度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 硅片 數量（萬片）59.0159.01 38.06 58.03 52.43 金額（萬元）31,091.9031,091.90 28,760.82 39,425.56 26,379.22 單價（元/片）526.88526.88 755.61 679.45 503.15 化學品 數量（噸）7,811.677,811.67 7,353.55 6,308.73 5,283.59 金額（萬元）11,348.1211,348.12 7,669.36 7,989.64 7,021.84 單價（萬元/噸）1.451.45 1.04 1.27 1.33 氣體 數量

285、（噸）197.62197.62 211.11 218.34 138.59 金額（萬元）3,057.043,057.04 3,264.23 4,124.62 3,394.05 單價（萬元/噸）15.4715.47 15.46 18.89 24.49 光阻 數量（噸）1,247.431,247.43 1,204.44 1,322.01 1,089.81 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-100 種類種類 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 金額（萬元）14,459.7614,459.76 10,289.

286、38 12,196.35 8,324.68 單價（萬元/噸）11.5911.59 8.54 9.23 7.64 研磨液 數量（噸）1,772.351,772.35 994.23 1,482.31 1,474.70 金額（萬元）7,326.527,326.52 4,889.62 6,952.35 5,704.31 單價（萬元/噸）4.134.13 4.92 4.69 3.87 研磨墊及研磨盤 數量（個）34,939.0034,939.00 17,134.00 26,890.00 20,160.00 金額（萬元）6,616.476,616.47 3,573.04 5,333.66 3,896.95

287、 單價（萬元/個）0.190.19 0.21 0.20 0.19 靶材 數量（個）926.00926.00 504.00 718.00 545.00 金額（萬元）3,610.413,610.41 1,779.58 3,193.60 2,472.19 單價（萬元/個）3.903.90 3.53 4.45 4.54 備件 數量（個）144,556.00144,556.00 112,065.00 191,158.00 108,501.00 金額（萬元）36,210.1436,210.14 21,998.42 34,705.06 19,541.10 單價（萬元/個）0.250.25 0.20 0.18

288、 0.18 2、主要能源供應情況、主要能源供應情況 報告期內，發行人生產經營所需的能源主要為電和水：種類種類 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 電力 數量（萬度）24,844.6724,844.67 27,443.86 20,640.35 18,808.82 金額（萬元）14,997.9014,997.90 18,004.71 13,292.03 10,055.65 單價（元/度）0.60.60 0 0.66 0.64 0.53 水 數量（萬噸）320.54320.54 354.88 211.92 176.65

289、金額（萬元）1,098.891,098.89 1,216.61 726.52 609.14 單價（元/噸）3.433.43 3.43 3.43 3.45（二）主要供應商情況（二）主要供應商情況 報告期內，發行人前五大原材料供應商情況如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-101 單位：萬元 序號序號 供應商名稱供應商名稱 采購金額采購金額 占采購總額占采購總額的比例的比例 主要采購的產主要采購的產品品 20242024 年年 1 1-9 9 月月 1 供應商一供應商一 11,147.4311,147.43 9.58%9.58%硅片硅片 2 供應商六供應商六 8,198.158,

290、198.15 7.05%7.05%硅片硅片 3 供應商二供應商二 7,723.307,723.30 6.64%6.64%備件備件 4 供應商七供應商七 7,695.807,695.80 6.62%6.62%備件備件 5 供應商四供應商四 5,537.855,537.85 4.76%4.76%硅片硅片 合計合計 40,302.5240,302.52 34.64%34.64%/2023 年年 1 供應商五 11,974.45 14.05%硅片 2 供應商一 7,394.67 8.68%硅片 3 供應商六 3,516.80 4.13%硅片 4 供應商七 3,463.61 4.06%備件 5 供應商三

291、 3,015.03 3.54%研磨液、光阻、研磨墊及研磨盤、化學品等 合計合計 29,364.57 34.46%/2022 年年 1 供應商一 15,220.62 13.11%硅片 2 供應商五 13,814.06 11.90%硅片 3 供應商二 7,784.68 6.71%備件 4 供應商七 6,884.21 5.93%備件 5 供應商三 5,774.00 4.97%研磨液、光阻、研磨墊及研磨盤、化學品等 合計合計 49,477.58 42.62%/2021 年年 1 供應商一 11,134.53 14.27%硅片 2 供應商五 8,887.45 11.39%硅片 3 供應商二 4,806.

292、94 6.16%備件 4 供應商三 4,424.22 5.67%研磨液、光阻、研磨墊及研磨武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-102 序號序號 供應商名稱供應商名稱 采購金額采購金額 占采購總額占采購總額的比例的比例 主要采購的產主要采購的產品品 盤、化學品等 5 供應商七 3,094.88 3.97%備件 合計合計 32,348.03 41.46%/注：同一控制下主體的采購金額已合并披露。報告期內，公司向前五大原材料供應商合計采購額占當期采購總額的比例分別為 41.46%、42.62%、34.46%和 34.64%34.64%，不存在向單個供應商采購比例超過公司當年采購總額 5

293、0%或嚴重依賴少數供應商的情況。截至本招股說明書簽署日，公司的董事、監事、高級管理人員和核心技術人員，主要關聯方或持有公司 5%以上股份的股東在上述供應商中不存在占有權益的情況。五、發行人主要固定資產和無形資產五、發行人主要固定資產和無形資產（一）主要固定資產情況（一）主要固定資產情況 截至本招股說明書簽署日，發行人擁有的固定資產主要包括機器設備、房屋及建筑物、辦公設備等，具體情況如下：1、自有房產、自有房產 截至本招股說明書簽署日，發行人擁有的房產情況如下：序序號號 權利人權利人 坐落坐落 建筑面積建筑面積（）（）產證證號產證證號 用途用途 他項他項 權利權利 1 發行人 東湖開發區高新四路

294、18號新芯生產線廠房及配套設施 119,255.05 房權證湖字第200805490 號 工.交./工.交.倉/其它 無 2 發行人 東湖新技術開發區高新四路17號廠房及 其 配 套 設 施FAB12B 棟廠房/單元 1-3 層/號 44,699.04 鄂（2024）武漢市東開不動產權第 0015515號 工業 無 截至本招股說明書簽署日，發行人擁有的部分房屋正在辦理工程結算或聯合驗收手續，尚待取得產權證書。上述房產具體情況如下：房屋名稱房屋名稱 坐落坐落 用途用途 建筑面積建筑面積（）對應對應土地使用土地使用權證權證 大宗氣站二綜合廠房 23A 東湖新技術廠房 1,655.13 鄂（2024

295、）武武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-103 房屋名稱房屋名稱 坐落坐落 用途用途 建筑面積建筑面積（）對應對應土地使用土地使用權證權證 大宗氣站二分析裝置室 23B 開發區高新四路以北，光谷一路以東（東一產業園內）廠房 52.00 漢市東開不動產權第0015515 號 CW-1 化學品庫一 倉庫 263.44 CW-2 化學品庫二 倉庫 891.25 CW-3 化學品庫三 倉庫 3,473.80 叉車充電間 倉庫 66.56 注：上表面積為規劃面積，實際以屆時辦理的產權證書為準。2、租賃房產、租賃房產 截至本招股說明書簽署日，發行人及其子公司租賃房產情況如下：序序號號 承租人

296、承租人 出租人出租人 租賃地址租賃地址 租賃期限租賃期限 用途用途 面積面積（平方米）（平方米）1 1 發行人發行人 武 漢 天 馬武 漢 天 馬微 電 子 有微 電 子 有限公司限公司 武漢市東湖新技術開發武漢市東湖新技術開發區流芳園橫路以南，流芳區流芳園橫路以南，流芳園中路以西園中路以西 2024.10.12024.10.10 0-2027.102027.10.9.9 臨建臨建用地用地及臨及臨時停時停車場車場 84,692.6984,692.69 2 2 發行人 之 寓 商 業管 理（武漢）有限公司 武漢市東湖新技術開發區中芯一路 18 號新芯花園項目公寓和宿舍 2021.08.01-20

297、25.9.30 宿舍、公寓 39,736.88 3 3 發行人 蘇 州 新 合豐 置 業 有限公司 揚富路 11 號南岸新地一期項目 WO2 號樓商務樓層12 層（物理樓層 11 層）02、03 室號 2024.5.10-2029.5.9 辦公 798.79 4 4 發行人 上 海 馳 宏企 業 管 理有限公司 上海市浦東新區盛夏路666 號、銀冬路 122 號的盛銀大廈第 5 幢（E 幢）第 3 層 01、02 單元 2020.12.1-2026.8.10 辦公 660.27 5 5 發行人 深 圳 市 捷泰 達 電 子科 技 有 限公司 深圳市南山區方大城大廈 2 棟 19 層 09-10

298、 號 2020.7.20-2027.7.31 辦公 235.00 截至本招股說明書簽署日，發行人前述租賃房產中發行人所有租賃房屋均獲得不動產權證。（二）主要無形資產（二）主要無形資產 1、土地使用權、土地使用權 截至本招股說明書簽署日，發行人擁有的與生產經營相關的土地使用權情況如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-104 序序號號 權利人權利人 坐落坐落 取得取得方式方式 土地面積土地面積（）（）產證編號產證編號 用途用途 他項他項權利權利 1 發行人 東湖新技術開東湖新技術開發區東一產業發區東一產業園園 出讓 298,160.59 鄂（鄂（20242024）武漢市）武漢市東

299、開不動產權第東開不動產權第00542900054290 號號 工業用地 無 2、專利、專利 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，發行人及其子公司已獲授權的發明專利共計 7 70808項項（其中包含 7878 項項境外專利、10 項共有專利）、實用新型專利 233233 項項。截至報告期末，前述專利不存在質押或其他權利限制，該等專利的具體情況詳見本招股說明書“附件六：發行人主要無形資產詳細情況”。3、商標、商標 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，發行人及其子公司擁有的境內外注冊商標共計 7 77 7項，其中境內商標 6 65 5 項，境外商標 1

300、2 項。該等商標的具體情況詳見本招股說明書“附件六：發行人主要無形資產詳細情況”。4、集成電路布圖設計專有權、集成電路布圖設計專有權 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，登記在發行人及其控股子公司名下的集成電路布圖設計專有權共計 26 項。該等集成電路布圖設計專有權的具體情況詳見本招股說明書“附件六：發行人主要無形資產詳細情況”。5、被授權使用的主要、被授權使用的主要技術許可及技術許可及 IP 授權授權 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，發行人獲得的技術許可及 IP 授權主要包括 IBM、ARM、SST 等廠商提供的邏輯技術等相關許可以及標準單

301、元庫、存儲器編譯器、嵌入式非易失性存儲等相關 IP 授權。報告期內，發行人與上述技術授權方之間不存在重大技術和知識產權糾紛。6、著作權、著作權 截至 20242024 年年 9 9 月月 3030 日日，發行人及其子公司擁有的著作權共計 2 項，其中作品著作權 1 項，軟件著作權 1 項。該等著作權的具體情況詳見本招股說明書“附件六：發行人主要無形資產詳細情況”。（三）取得的業務許可和經營資質情況（三）取得的業務許可和經營資質情況 截至本招股說明書簽署日，發行人擁有的主要業務許可和資質如下：武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-105 1、高新技術企業證書、高新技術企業證書 序號序

302、號 持證單位持證單位 證書編號證書編號 有效期有效期 發證部門發證部門 1 發行人 GR202342004458 2023 年 12 月 8 日-2026 年 12 月 7 日 湖北省科學技術廳、湖北省財政廳、國家稅務總局湖北省稅務局 2、進出口業務相關登記證書、進出口業務相關登記證書 序號序號 持證單位持證單位 證書名稱證書名稱 證書編號證書編號/備案號備案號 核發核發/備案日期備案日期 1 發行人 中華人民共和國海關報關單位注冊登記證書（進出口貨物收發貨人）4201316008 2016 年 9 月 9 日-長期 3、環境保護類證書、環境保護類證書 序號序號 持證單位持證單位 證書名稱證書

303、名稱 證書編號證書編號 有效期有效期 1 發行人 排污許可證 91420100783194808R001V 2024 年 4 月 25 日-2029 年4 月 24 日 2 發行人 城鎮污水排入排水管網許可證 4201182021字第21078號 2021 年 8 月 6 日-2026 年8 月 5 日 3 發行人 危險化學品登記證 42012200014 2022 年 10 月 17 日-2025年 10 月 16 日 4 發行人 輻射安全許可證 鄂環輻證A0056 至 2028 年 7 月 30 日 4、主要管理體系認證證書、主要管理體系認證證書 序序號號 持證單位持證單位 認證標準認證標

304、準 認證標準名稱認證標準名稱 證書編號證書編號 1 發行人 ISO/IEC 27001:2013 信息安全管理體系認證 CN24/00000020 2 發行人 ISO 9001:2015 質量管理體系認證 CN18/31321 3 發行人 ISO 14001:2015 環境管理體系認證 121712003 4 發行人 ISO 45001:2018 職業健康安全管理體系認證 05131712003 5 發行人 IATF 16949:2016 汽車行業質量管理體系認證 CN14/20304（四）上述資產與公司產品或服務的內在聯系及對公司持續經營的影響（四）上述資產與公司產品或服務的內在聯系及對公司

305、持續經營的影響 公司擁有的固定資產主要為機器設備、房屋及建筑物、辦公設備等，無形資產主要為土地使用權、軟件以及專利及非專利技術等，固定資產和無形資產情況相關內容詳見本招股說明書“第六節 財務會計信息與管理層分析”之“十、資產質量分析”之“（一）資產結構分析”之“3、非流動資產情況”。公司主要固定資產和無形資產均與日常經營直接相關，所擁有的主要商標、武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-106 專利等服務于主營業務，固定資產、無形資產具備充分性和適當性，利用情況良好，對生產經營具有重要性。（五）各要素瑕疵、糾紛情況（五）各要素瑕疵、糾紛情況 截至本招股說明書簽署日，公司主要固定資產、

306、無形資產權屬清晰，不存在瑕疵、糾紛或潛在糾紛，對公司持續經營不存在重大不利影響。（六）擁有的特許經營權情況（六）擁有的特許經營權情況 截至本招股說明書簽署日，發行人不存在相關特許經營權。六、發行人核心技術及研發情況六、發行人核心技術及研發情況（一）核心技術情況（一）核心技術情況 1、主要核心技術與技術來源、主要核心技術與技術來源 截至本招股說明書簽署日，公司的主要核心技術平臺情況如下：序序號號 類別類別 核心技核心技術平臺術平臺 技術工藝特征及先進性表征技術工藝特征及先進性表征 技術技術 來源來源 先進先進性性 1 特色存儲 獨立式非易失性代碼型閃存（NOR Flash）擁有業內領先的代碼型閃

307、存技術，支持 1.83.3V工作電壓，自主研發的 50nm 技術平臺具有業界領先的存儲密度。公司“代碼型閃存芯片成套核心技術研發及其產業化”曾獲 2020 湖北科技進步一等獎。公司全平臺12英寸NOR Flash晶圓累計出貨超百萬片。公司自有品牌 NOR Flash 產品涵蓋 1.2V 到3.3V 輸入電壓，其擦寫速度與耐受性、數據保持等可靠性與特性指標業內領先。所提供晶圓代工及自有品牌的 NOR Flash 產品廣泛應用于計算機、消費電子、汽車電子、工業控制、物聯網設備等各項領域。自主研發 國際領先 2 數?；旌?射頻絕緣體上硅（RF-SOI）自主開發的 55nm RF-SOI 技術，可提供

308、射頻開關、低噪聲放大器、天線調諧器、功率放大器等多樣化的器件集成，具有性能優值好、諧波低、截止頻率高、噪聲系數低、功率高等性能優勢。射頻器件關鍵性能如低噪聲放大器截止頻率、射頻開關性能優值(FoM,Figure of Merit)、天線調諧器工作電壓等達到國內領先水平。已實現 55nm RF-SOI 產品量產。自主研發 國內領先 CMOS圖像傳感器（CIS）具備 55nmCIS 全流程制造工藝，像素尺寸覆蓋0.7um 及以上，擁有成熟量產的 BSI、堆棧式后道工藝，信噪比、動態范圍、暗電流等工藝相關的關鍵性能指標達到國際先進水平。CIS 平臺技術品類豐富，覆蓋消費、車載、醫療等不同應用領域。自

309、主研發 國際先進 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-107 序序號號 類別類別 核心技核心技術平臺術平臺 技術工藝特征及先進性表征技術工藝特征及先進性表征 技術技術 來源來源 先進先進性性 擁有成熟的 CIS 技術配套設備及產線管理能力，穩定量產超過 10 年。中國大陸首家量產 BSI 技術的晶圓代工廠，工藝能力及可靠性與全球領先水平相當。3 三維集成 雙晶圓堆疊 基于大規模生產驗證的熔融鍵合工藝堆疊晶圓，通過銅或鎢金屬填充硅通孔實現垂直互聯，提供多種連接密度以支持多樣化應用需求。自主產權的工藝方案，關鍵技術榮獲中國專利優秀獎。提供業界領先的混合鍵合密度、精度、強度和可靠性，有

310、效增加傳輸帶寬，減少延時及功耗，提高芯片性能。支持不同技術節點、不同制程種類及來源的晶圓預處理，及成熟的背面減薄和背面引線工藝方案，支持多樣化晶圓減薄厚度需求。該技術相較業界同行具有混合鍵合密度高的顯著優點。自主研發 國際領先 多晶圓堆疊 擁有國際領先的多片晶圓堆疊技術，基于硅通孔、混合鍵合、晶圓減薄、重布線層等工藝組合，支持多片晶圓垂直互聯，可顯著提高單位面積內的存儲或功能密度。擁有自主知識產權的多片堆疊應力管理、晶邊處理等成套工藝及模塊化工藝流程，提供行業領先的良率及生產周期。該技術相較業界微凸塊封裝形式具有功耗更低、散熱性能更好的特點。自主研發 國際領先 芯片-晶圓異構集成 擁有自主知識

311、產權的芯片對晶圓垂直互聯工藝，可實現不同尺寸、不同材料、不同功能的芯片-晶圓間無凸點直接鍵合異構集成。擁有中國大陸首條自主可控的三維異構集成工藝產線，支持需求靈活、創新架構設計的高集成度復雜芯片的生產制造。自主研發 國際領先 2.5D（硅轉接板Interposer）擁有國際先進的 2.5D（硅轉接板）技術，包含多光罩超大尺寸拼接、超高密度深溝槽電容及深硅穿孔技術，為集成系統提供具有亞微米級精度銅互連線的封裝基板，顯著減小系統延遲、插損及功耗等。自主研發 國際先進 2、核心技術對應收入情況、核心技術對應收入情況 報告期內，發行人核心技術廣泛應用于發行人各類技術平臺中。發行人應用核心技術產生的收入

312、及其占營業收入比重情況如下：單位：萬元 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 核心技術產生的收入 314,449.27314,449.27 379,579.62 333,431.66 292,991.61 營業收入 314,616.36314,616.36 381,453.85 350,725.34 313,842.37 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-108 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 占營業收入的比重 99.

313、95%99.95%99.51%95.07%93.36%3、核心技術的保護措施、核心技術的保護措施（1）知識產權保護 公司為保護無形資產完整，明確科研成果歸屬，制定了知識產權管理的相關制度，建立了涵蓋專利申請、商標注冊、商業秘密保護等多層次的知識產權管理體系。例如，針對職務發明創造，公司明確規定其專利申請權和專利權歸屬于公司，同時應就獲得授權的專利對職務發明創造的發明人給予獎金；此外，對于不適宜進行公開披露的重要技術發明作為商業秘密進行保護。（2）保密與競業禁止制度 為確保職務作品歸屬，避免員工流動導致的技術秘密外泄，防范與員工之間的知識產權爭議，公司整體制訂了關于員工競業禁止限制方面的規范制度

314、，同時與主要技術人員在勞動合同及相關附件中就保密義務及競業禁止義務進行了詳細約定。例如，要求相關人員在任職期間及離職后對公司機密信息應嚴格保密，以及明確其競業限制/禁止的范圍、期限以及違約責任等。（3）員工跟投計劃 為打造穩定、高效、專業的研發團隊，促進研發人員的科研創新熱情，鎖定高級管理人員及核心員工，發行人亦于報告期內制定了員工跟投計劃，通過員工持股的方式實現對主要技術人員的有效激勵，從而進一步穩固公司研發團隊、保護公司核心技術。4 4、細分領域先進性水平的說明、細分領域先進性水平的說明 （1 1）NOR FlashNOR Flash 晶圓代工晶圓代工 衡量衡量 NOR FlashNOR

315、Flash 晶圓晶圓代工先進性的最重要的關鍵技術指標為各廠商工藝節代工先進性的最重要的關鍵技術指標為各廠商工藝節點情況，工藝節點越小，代表產品芯片的最小制程線寬越小，產品越先進。點情況，工藝節點越小，代表產品芯片的最小制程線寬越小，產品越先進。發行人發行人ETOXETOX型型和和SONOSSONOS型型NOR FlashNOR Flash晶圓晶圓代工量產節點代工量產節點分別分別為為65nm/50nm65nm/50nm、65nm/45nm65nm/45nm。根據公開信息，中芯國際。根據公開信息，中芯國際 NOR FlashNOR Flash 晶圓晶圓代工量產節點為代工量產節點為 65nm/55n

316、m65nm/55nm，華虹公司華虹公司 NOR FlashNOR Flash 晶圓晶圓代工量產節點為代工量產節點為 0.350.35m55nmm55nm 并于并于 20232023 年小批量試年小批量試武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-109 產產 4Xnm4Xnm，華力，華力微微 NOR FlashNOR Flash 晶圓晶圓代工量產節點為代工量產節點為 65nm/55nm/50nm65nm/55nm/50nm。因此因此，發行人，發行人 NOR FlashNOR Flash 晶圓代工技術與中芯國際、華虹集團等居于全球晶圓代工技術與中芯國際、華虹集團等居于全球范圍內第一梯隊，處

317、于國際領先水平。范圍內第一梯隊，處于國際領先水平。（2 2）CISCIS 晶圓代工晶圓代工 衡量衡量 CISCIS 晶圓晶圓代工先進性的指標主要包括制造工藝具備情況（越豐富越好）代工先進性的指標主要包括制造工藝具備情況（越豐富越好）以及工藝節點、像素尺寸（越小越好）等。以及工藝節點、像素尺寸（越小越好）等。發行人與同行業公司相比情況如下：發行人與同行業公司相比情況如下：公司簡稱公司簡稱 工藝節點工藝節點 像素尺寸（像素尺寸（Pixel SizePixel Size）臺積電臺積電 0.5m12nm0.5m12nm 最小達最小達 0.56m0.56m 中芯國際中芯國際 55nm/40nm55nm/

318、40nm 未公開披露未公開披露 晶合集成晶合集成 90nm/55nm90nm/55nm 1.4m1.4m 華虹集團華虹集團 90nm/55nm90nm/55nm 1010mm小于小于 0.90.9m m 發行人發行人 55nm/40nm55nm/40nm 0.7m0.7m 及以上及以上 數據來源：招股說明書、定期報告等上市公司公告及官網資料等，其中臺積電最小像數據來源：招股說明書、定期報告等上市公司公告及官網資料等，其中臺積電最小像素尺寸系根據素尺寸系根據 20222022 年公開市場報道年公開市場報道，華虹集團的像素尺寸主要來自于華力微的公開數據。，華虹集團的像素尺寸主要來自于華力微的公開數

319、據。由上表可見，發行人在由上表可見，發行人在 CISCIS 晶圓晶圓代工領域相較國際晶圓代工巨頭臺積電存代工領域相較國際晶圓代工巨頭臺積電存在一定差距，但與其他代工廠商相比在工藝節點、像素尺寸等方面整體存在一在一定差距，但與其他代工廠商相比在工藝節點、像素尺寸等方面整體存在一定優勢定優勢，發行人，發行人 CISCIS 晶圓代工技術處于國際先進水平。晶圓代工技術處于國際先進水平。（3 3）RFRF-SOISOI 晶圓代工晶圓代工 衡量衡量 RFRF-SOISOI 晶圓晶圓代工先進性的主要指標代工先進性的主要指標包括包括工藝節點工藝節點、射頻開關優值、低射頻開關優值、低噪聲放大器截止頻率峰值等噪聲

320、放大器截止頻率峰值等，但但除工藝節點以外，除工藝節點以外，同行業可比公司大多未公開同行業可比公司大多未公開其他其他的數據的數據。發行人發行人已實現已實現 55nm55nm 制程上的制程上的 RFRF-SOISOI 成熟量產并啟動成熟量產并啟動 40nm40nm 制程制程 RFRF-SOISOI 制制造工藝技術研發，居于國內領先地位，造工藝技術研發，居于國內領先地位，RFRF-SOISOI 國際代工龍頭格羅方德及高塔半國際代工龍頭格羅方德及高塔半導體在導體在 RFRF-SOISOI 晶圓代工上采取的制程主要為晶圓代工上采取的制程主要為 65nm65nm、55nm55nm、45nm45nm、40n

321、m40nm 等。等。因此因此，發行人較，發行人較 RFRF-SOISOI 晶圓晶圓代工領域頭部企業格羅方德、高塔半導體存在代工領域頭部企業格羅方德、高塔半導體存在差距，但相較國內其他代工廠商差距，但相較國內其他代工廠商在在 RFRF-SOISOI 量產制程、技術儲備等方面具備一定量產制程、技術儲備等方面具備一定的優勢的優勢，發行人，發行人 RFRF-SOISOI 晶圓代工技術處于國內領先水平。晶圓代工技術處于國內領先水平。（4 4）三維集成晶圓代工）三維集成晶圓代工 與與 NOR FlashNOR Flash、CISCIS、RFRF-SOISOI 等具體半導體器件的晶圓代工不同，三維集成等具體

322、半導體器件的晶圓代工不同，三維集成武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-110 晶圓代工業務的工藝特征及先進性一般不采用工藝節點衡量晶圓代工業務的工藝特征及先進性一般不采用工藝節點衡量。三維集成晶圓代。三維集成晶圓代工的核心關鍵技術指標主要系硅通孔尺寸（工的核心關鍵技術指標主要系硅通孔尺寸（TSV size,TSV size,越小越先進）、混合鍵合越小越先進）、混合鍵合間距（間距（HB pitchHB pitch，越小越先進）、堆疊層數（多晶圓堆疊領域，越高越先進），越小越先進）、堆疊層數（多晶圓堆疊領域，越高越先進）以及以及 DTCDTC 電容密度、光罩拼接尺寸（電容密度、光罩拼

323、接尺寸（2.5D2.5D 硅轉接板領域，越大越先進）等。硅轉接板領域，越大越先進）等。發行人在三維集成晶圓代工市場直接與全球范圍內晶圓代工龍頭企業開展發行人在三維集成晶圓代工市場直接與全球范圍內晶圓代工龍頭企業開展競爭，前述混合鍵合間距、堆疊層數等競爭，前述混合鍵合間距、堆疊層數等核心關鍵技術指標上均可達到或領先于核心關鍵技術指標上均可達到或領先于業內最先進水平。業內最先進水平。因此因此，發行人三維集成晶圓代工技術整體處于國際領先地位，發行人三維集成晶圓代工技術整體處于國際領先地位。（5 5）自有品牌業務）自有品牌業務 衡量衡量 NOR FlashNOR Flash 產品產品先進性的指標一方面

324、主要系其生產制造所采用的工藝先進性的指標一方面主要系其生產制造所采用的工藝節點，另一方面則為節點，另一方面則為 NOR FlashNOR Flash 產品本身的容量范圍（不同規格，越豐富越好）、產品本身的容量范圍（不同規格，越豐富越好）、工作電壓（不同規格，越豐富越好）、數據保持性與擦寫次數等可靠性指標（越工作電壓（不同規格，越豐富越好）、數據保持性與擦寫次數等可靠性指標（越久、越多越好）、讀取速度（越快越好）等。久、越多越好）、讀取速度（越快越好）等。盡管發行人盡管發行人 NOR FlashNOR Flash 產品在市場份額方面與產品在市場份額方面與華邦電子、旺宏電子、兆易華邦電子、旺宏電子

325、、兆易創新創新存在較大差距存在較大差距，但在衡量先進性的各項技術指標方面與前述，但在衡量先進性的各項技術指標方面與前述全球范圍內頭全球范圍內頭部三家廠商部三家廠商基本處于同一梯隊，處于國際領先地位?；咎幱谕惶蓐?，處于國際領先地位。（二）在研項目情況（二）在研項目情況 公司目前主要在研項目的具體情況如下表所示：序序號號 領域領域 項目名稱項目名稱 研發目標研發目標 在研項目進度在研項目進度 1 特色存儲 自主品牌 NOR Flash 新產品研發 完成 1.2V/1.8V/3V 8Mb2Gb代碼型閃存芯片設計開發 產品持續迭代研發階段 2 特色存儲 車規級微控制器（MCU）研發項目 完成符合車

326、規 AECGrade1 標準的 55nm MCU 工藝平臺開發 驗證與驗收階段 3 數?；旌?40nm RF-SOI 工藝平臺開發項目 完成 40nm 1.2V/1.8V/2.5VRF-SOI 工藝平臺開發 技術研發階段 4 數?；旌?車載圖像傳感器制造工藝研發項目 完成符合車規 AEC Grade1 標準、動態范圍 120db 以上車規圖像傳感器工藝平臺開發 技術研發階段 5 數?；旌?低功耗 40nm 邏輯工藝平臺研發項目 完成 40nm1.1v/2.5v 低功耗工藝平臺開發 技術研發階段 6 數?；旌?三維集成配套邏輯項目 完成40nm及以下邏輯工藝平臺開發 技術研發階段 7 7 三維三

327、維多晶圓堆疊多晶圓堆疊 2.02.0 研發項目研發項目 完成多片晶圓堆疊完成多片晶圓堆疊 2.02.0 技術技術技術研發階段技術研發階段 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-111 序序號號 領域領域 項目名稱項目名稱 研發目標研發目標 在研項目進度在研項目進度 集成集成 平臺平臺開開發發 8 8 三維三維集成集成 40nm40nm 高壓平臺工藝研發項目高壓平臺工藝研發項目 完成完成 40nm40nm 高壓高壓平臺平臺工藝工藝開發開發 技術研發階段技術研發階段 9 9 三維三維集成集成 2.5D Interposer2.5D Interposer2.02.0 技術平技術平臺研發項

328、目臺研發項目 完成完成下一代下一代 2.5D Interposer2.5D Interposer技術平臺研發技術平臺研發 技術研發階段技術研發階段 10 三維集成 深溝槽電容 2.5D Interposer技術平臺研發項目 完成深溝槽電容集成Interposer 平臺開發 試產和風險量產階段 11 三維集成 異構集成技術平臺研發項目 完成三維架構異構集成平臺開發 技術研發階段 12 三維集成 有源 2.5D Interposer 技術平臺研發項目 完成 Active Interposer 集成平臺開發 技術研發階段（三）承擔的重大科研項目情況（三）承擔的重大科研項目情況 公司作為國內領先的半導

329、體特色工藝晶圓代工企業，在相關業務領域具有強大科研實力和工藝創新能力，長期承擔及參與各類重大科研項目。報告期內，公司承擔、參與了十余項國家級和省市級重大科研項目。（四）合作研發情況（四）合作研發情況 截至 2024 年 9 9 月月 3030 日日，公司不存在正在從事的重要合作研發項目。（五）研發投入情況（五）研發投入情況 報告期各期，公司研發投入金額分別為 19,324.48 萬元、23,331.15 萬元、26,161.14 萬元及24,793.3624,793.36 萬元，占營業收入的比例分別為 6.16%、6.65%、6.86%及 7.88%7.88%，具體如下：項目項目 202420

330、24 年年 1 1-9 9 月月 2023 年度年度 2022 年度年度 2021 年度年度 研發投入（萬元）24,793.3624,793.36 26,161.14 23,331.15 19,324.48 營業收入（萬元）314,616.36314,616.36 381,453.85 350,725.34 313,842.37 研發投入占營業收入的比重 7.88%7.88%6.86%6.65%6.16%（六）研發人員（六）研發人員與核心技術人員與核心技術人員情況情況 1、研發人員情況、研發人員情況 報告期各期末，公司研發人員數量及占公司員工總數的比例情況如下：項目項目 20242024 年年

331、 1 1-9 9 月月 2023 年末年末 2022 年末年末 2021 年末年末 員工總數（人）2 2,197,197 1,901 2,011 1,717 武漢新芯集成電路股份有限公司 招股說明書 1-1-112 項目項目 20242024 年年 1 1-9 9 月月 2023 年末年末 2022 年末年末 2021 年末年末 研發人員人數（人）4 42121 313 286 233 研發人員占總員工人數比例 1 19.16%9.16%16.47%14.22%13.57%碩士及以上研發人員人數（人）339339 238 203 164 碩士及以上研發人員占研發人員比例 8 80.52%0.5

332、2%76.04%70.98%70.39%公司的研發人員認定標準為從事研發工作的人員，包括在研發部門及相關業務部門中直接從事研發工作的專業人員、與研發活動密切相關的管理人員及直接服務人員如參與研發活動的技術員等。2、核心技術人員情況、核心技術人員情況 公司核心技術人員共有 4 名，具體情況詳見本招股說明書“第四節 發行人基本情況”之“十二、董事、監事、高級管理人員與核心技術人員”之“（一）董事、監事、高級管理人員與核心技術人員簡介”。上述核心技術人員的學歷背景、專業資質、對公司研發的具體貢獻以及重要科研成果、獲得獎項情況如下：孫鵬先生，畢業于上海交通大學材料科學與工程系，擁有復旦大學信息與通信工

333、程學碩士、微電子與固體電子學博士學位。孫鵬先生先后負責公司代碼型閃存工藝研發、背照式圖像傳感器的疊片工藝開發、堆疊式三維連接工藝和 TSV技術開發、55nm SOI 射頻技術開發等一系列研發工作，協助發行人建立中國大陸首條具備國際競爭力的半導體晶圓三維集成特色工藝產線。孫鵬先生作為發明人參與公司 20 余項已授權發明專利的技術研發工作，參與多項省部級重大科研項目。孫鵬先生還兼任中國半導體協會常務理事，集成電路材料產業技術創新聯盟專家咨詢委委員，新型存儲知識產權聯盟副理事長，第二屆湖北省半導體協會副會長，曾獲國家專利獎優秀獎、湖北省專利金獎、湖北省科技進步一等獎等榮譽。周俊先生，畢業于武漢大學，擁有電子與通信工程專業碩士學位。周俊先生先后參與公司代碼型閃存工藝研發、MCU 技術研發、55nm SOI 射頻技術開發、2.5D 硅轉接板、車載圖像傳感器、40nm 邏輯技術研發等一系列研發工作。周