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1、證券研究報告|行業深度 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 gszqdatemark 電子電子 半導體設備、材料、零部件產業鏈蓄勢乘風起半導體設備、材料、零部件產業鏈蓄勢乘風起 半半導體設備：加速追趕，鋒芒漸展。導體設備：加速追趕，鋒芒漸展。根據 SEMI 數據預計 2025 年全球半導體設備市場將達 1210 億美元，中國大陸擴產動能較強，引領全球半導體設備市場，全球半導體晶圓制造產能預計 2025 年增長 7%，達每月產能 3370 萬片（8 英寸當量），中國大陸保持兩位數產能增長，2025年增至 1010 萬（wpm）。當前國內高端設備仍依賴進口，在國內政策利好及外部制裁刺

2、激下，國產廠商正加速追趕，逐步滲透高端設備領域。選取部分設備行業公司，24Q1-Q3 年營業總收入合計達到 459 億元，同比增長 34%，歸母凈利潤合計達到 82.2 億元，同比增長 25.1%?；仡檱a核心半導體設備公司 2019-2023 年業績發展，2019 年 14 家公司合計營收138.1億元，2023年增長至509.3億元，CAGR達38.6%，國產設備公司不斷完善產品品類，國產化率持續提升。半導體材料：國產廠商平臺化布局，做大做強。半導體材料：國產廠商平臺化布局，做大做強。2023 年全球晶圓制造材料和封裝材料銷售額分別為 415 億美元和 252 億美元，占全球半導體材料銷售

3、額的比重分別約 62%和 38%。受益于先進制程發展對先進材料和工藝步驟增加，2024 年全球半導體材料市場規模探底回升。2025年，伴隨 AI 發展驅動，需求有望實現更強勁增長，根據 TECHCET 數據，預計 2025 年半導體制造材料市場將同比增長近 8%。我們選取 13家半導體材料公司來看，2019-2023 年合計營收 CAGR 達 18.55%。短期維度，下游晶圓廠逐步提升，材料公司營收業績穩健增長，中長期維度，1）晶圓產能持續擴充，材料市場空間高彈性。2）國產供應商料號種類、份額仍有較大完善、提升空間。3）當前國產廠商不斷拓寬電子材料品類布局，打開多個增長曲線。半導體零部件國產化

4、替代持續深化，正快速拓展產品類型、導入新客戶。半導體零部件國產化替代持續深化，正快速拓展產品類型、導入新客戶。自 2020 年起，半導體零部件行業營收和利潤增長顯著提速，毛利率較穩定，規模效應隨營收擴大逐步顯現。海外制裁背景下，為保障供應鏈安全，設備廠商積極導入國產上游零部件。當前國產零部件滲透率仍較低，隨著國產零部件供應商與設備廠及晶圓廠緊密合作，國產零部件廠商各個擊破，我們看好未來零部件國產化率加速提升。投資建議：投資建議：相關標的見尾頁。風險提示：風險提示：地緣政治風險、供應鏈安全風險、市場競爭加劇。增持增持（維持維持）行業走勢行業走勢 作者作者 分析師分析師 鄭震湘鄭震湘 執業證書編號

5、：S0680524120005 郵箱： 分析師分析師 佘凌星佘凌星 執業證書編號：S0680525010004 郵箱： 分析師分析師 劉嘉元劉嘉元 執業證書編號：S0680525010002 郵箱： 相關研究相關研究 1、電子：周觀點：科技自立刻不容緩，重視先進突破及供應鏈優勢 2025-04-05 2、電子：周觀點：從 SEMICON 看半導體深水區國產替代機會 2025-03-29 3、電子：光學黃金大賽道，終端創新拓疆土 2025-03-25 重點標的重點標的 股票股票 股票股票 投資投資 EPS（元）（元）PE 代碼代碼 名稱名稱 評級評級 2023A 2024E 2025E 2026

6、E 2023A 2024E 2025E 2026E 002371.SZ 北方華創 買入 7.30 10.43 14.45 18.50 51.60 42.17 30.45 23.78 688012.SH 中微公司 買入 2.87 2.61 4.10 5.72 69.60 71.42 45.51 32.62 688981.SH 中芯國際 買入 0.60 0.51 0.67 0.86 161.30 174.23 131.64 102.91 資料來源：Wind，國盛證券研究所-20%-4%12%28%44%60%2024-042024-082024-122025-04電子滬深3002025 04 17

7、年 月 日 gszqdatemark P.2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 1 半導體設備：加速追趕，鋒芒漸展.7 1.1 光刻機：海外高度壟斷，國產產業鏈亟待突破.11 1.2 刻蝕設備：多重曝光+存儲三維化驅動需求增長.16 1.3 薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一，國產設備品類逐步完善.21 1.4 量檢測設備：良率提升重要工具，國產明暗場檢測加速突破.25 1.5 離子注入設備：實現精準摻雜，定義芯片電學特性.28 1.6 清洗設備：去除晶圓表面雜質，國產中高端品類完備中.31 1.7 CMP 拋光設備：全局納米級平坦化關鍵，國產設備升級迭代

8、.33 1.8 半導體測試設備：國產高端 SOC、存儲測試即將放量.36 1.9 國產設備廠商進展梳理.39 1.9.1 北方華創：國產半導體裝備脊梁，打造平臺型龍頭.39 1.9.2 中微公司：國產刻蝕+MOCVD 龍頭，加速打造高端裝備平臺.40 1.9.3 拓荊科技：深耕國產薄膜沉積設備領域，產品覆蓋度及出貨量快速提升.41 1.9.4 中科飛測：量檢測設備領軍企業，多品類布局.42 1.9.5 精測電子：前后道半導體檢測設備布局完備.42 1.9.6 芯源微：國產涂膠顯影設備龍頭，浸沒式機臺進展順利.43 1.9.7 華海清科：國內 CMP 設備領導者，內生外延拓寬設備布局.44 1.

9、9.8 華峰測控：立足模擬、數?；旌显O備，數字測試設備進展順利.45 1.9.9 長川科技：后道測試設備平臺化布局，SOC 產品放量.46 1.9.10 芯碁微裝：國產直寫光刻設備龍頭，泛半導體打開增量空間.46 1.9.11 盛美上海：全球清洗設備領先廠商，打造半導體設備平臺.47 1.9.12 矽電股份：國內探針臺設備龍頭，測試環節持續拓寬布局.48 1.9.13 新益昌：深耕顯示固晶機，積極切入半導體領域.49 1.9.14 萬業企業：持續投入研發，離子注入設備逐步放量.49 2、半導體材料：國產廠商平臺化布局，做大做強.51 2.1 硅片：供需逐步改善，國產高端品類持續突破.55 2.

10、2 光刻膠：光刻工藝核心材料，國產材料滲透率較低環節.58 2.3 掩膜版：第三方獨立廠商產品升級迭代，份額逐步提升.62 2.4 濺射靶材：PVD 薄膜制備關鍵材料.67 2.5 前驅體：薄膜沉積工藝核心材料，國產高端品類完善中.73 2.6 濕電子化學品：濕法工藝制程關鍵液體化工材料.76 2.7 電子特氣：電子工業“血液”.81 2.8 CMP 耗材：晶圓表面平坦化關鍵耗材.83 2.9 半導體封裝材料：先進封裝驅動量價齊升.87 2.10 半導體材料國產廠商進展梳理.89 2.10.1 鼎龍股份：國內 CMP 拋光墊龍頭，電子材料平臺布局.89 2.10.2 彤程新材：國產光刻膠龍頭，

11、多業務協同并進.89 2.10.3 安集科技：國產拋光液龍頭，拓寬功能性濕化學品布局.90 2.10.4 江豐電子：國產濺射靶材龍頭，零部件布局日益完備.90 2.10.5 興森科技：FCBGA 封裝基板放量在即.91 2.10.6 雅克科技：三季度業績高增，新材料多品類并駕齊驅.91 2.10.7 滬硅產業：300mm 硅片產能加速擴張，國產替代龍頭蓄勢待發.92 2.10.8 清溢光電：掩模版國產替代中軍，平板顯示+半導體雙輪加速成長.93 2.10.9 路維光電：高精度顯示&半導體掩模版雙輪驅動成長.93 2.10.10 天承科技：打造全球領先綜合性濕電子化學品服務商.93 2.10.1

12、1 德邦科技：高端封裝材料龍頭，進口替代&新興需求打開成長空間.94 2.10.12 金宏氣體：現場制氣&電子大宗業務穩健增長.94 2.10.13 華特氣體：電子特氣國產化龍頭，品類持續擴充.95 2.10.14 興福電子：電子級磷酸市占率國內第一，功能性濕化學品加速放量.95 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3 半導體零部件：設備之基，多點開花.97 4 相關標的.102 5 風險提示.102 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：全球半導體設備市場規模及同比（億美元）.7 圖表 2：分地區半導體設備銷售額（十億美元

13、）.7 圖表 3：全球半導體設備細分.7 圖表 4：2013 年到 2023 年半導體芯片前道設備年均增速.7 圖表 5：全球半導體晶圓產能（等效 8 英寸片，月產能）.8 圖表 6：主要國產半導體設備公司營收.9 圖表 7：主要國產半導體設備公司歸母凈利潤.9 圖表 8：設備廠毛利率情況.10 圖表 9：設備廠商研發費用.10 圖表 10：光刻機整體結構圖.11 圖表 11：光刻機市場規模（億美元）.11 圖表 12：2021-2023 全球光刻機出貨量（臺）.12 圖表 13：2023 年全球光刻機產品銷量結構占比.12 圖表 14：2022 年全球光刻機行業企業競爭格局.13 圖表 15

14、：ASML 各類光刻機出貨量（臺）.13 圖表 16：ASML 各類光刻機營收（百萬歐元）.13 圖表 17：ASML 光刻機分地區營收（百萬歐元）.14 圖表 18：2024 年 ASML 光刻機分地區營收占比.14 圖表 19：上海微電子光刻機產品矩陣.15 圖表 20：刻蝕過程重點：移除不需要材料.16 圖表 21：刻蝕類別.16 圖表 22：按作用機理分各類刻蝕特征.17 圖表 23：按刻蝕材料分各類刻蝕特征.17 圖表 24：2022 年干法刻蝕細分占比（百萬美元）.18 圖表 25：電感耦合等離子體刻蝕反應腔.18 圖表 26：ICP 等離子刻蝕機設備結構示意圖.18 圖表 27：

15、電容性等離子體刻蝕反應腔.19 圖表 28：2022 年全球刻蝕機企業競爭格局.19 圖表 29：不同制程集成電路生產所需刻蝕工序次數.20 圖表 30：10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕.20 圖表 31：存儲器件從 2D 到 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟.20 圖表 32：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意圖.21 圖表 33：薄膜沉積設備分類.22 圖表 34：薄膜沉積設備細分占比.22 圖表 35：工藝升級帶動薄膜沉積工序數提升.23 圖表 36：ALD 在多重曝光中的應用.23 圖表 37：NAND 發展趨勢.23 圖表 38：2023 年薄膜沉積設備

16、細分格局.24 圖表 39：半導體量測與檢測分類.25 圖表 40：檢測缺陷&量測尺寸.25 圖表 41：光學檢測技術、電子束檢測技術和 X 光量測技術特征比較.25 圖表 42：2023 年半導體檢測和量測設備市場各類設備銷售額及占比.27 圖表 43：離子注入機結構.28 圖表 44：2024 年離子注入設備市場格局.29 圖表 45：凱世通離子注入設備.30 圖表 46：北方華創進軍離子注入設備市場.30 圖表 47：半導體清洗設備分類.31 圖表 48：2023 年全球半導體清洗設備市場企業競爭格局.32 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.4 請仔細閱讀本報

17、告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 49：CMP 平坦化效果圖（CMOS 結構剖面圖）.33 圖表 50：晶圓傳輸單元工作原理.33 圖表 51：拋光單元工作原理.34 圖表 52：清洗單元工作原理.34 圖表 53：晶圓材料制造環節示意圖.34 圖表 54：半導體制造環節示意圖.34 圖表 55：先進封裝測試環節示意圖.34 圖表 56：測試環節及所需設備類型.36 圖表 57：2023 年后道測試設備細分占比.36 圖表 58：2022 年全球半導體測試機細分占比.37 圖表 59：2022 年中國半導體測試機細分占比.37 圖表 60：全球半導體測試設備市場規模預測（億美元）.37

18、 圖表 61：中國半導體測試設備市場規模及預測（億元）.37 圖表 62：全球半導體測試細分設備市場規模（億美元）.38 圖表 63：中國半導體測試細分設備市場規模（億元）.38 圖表 64：全球半導體測試機細分市場規模（億美元）.38 圖表 65：中國半導體測試機細分市場規模（億元）.38 圖表 66：2022 年中國半導體測試機市場格局.38 圖表 67：2022 年中國 SOC 測試機市場格局.38 圖表 68：北方華創公司營收情況.39 圖表 69：北方華創公司歸母凈利潤情況.39 圖表 70：中微公司營收及同比增速（億元）.40 圖表 71：中微公司歸母凈利潤及同比增速（億元）.40

19、 圖表 72：中微公司 Preforma Uniflex HW 設備.40 圖表 73：中微公司 Preforma Uniflex AW 設備.40 圖表 74：2018-2024 營業收入及同比增速.41 圖表 75：2018-2024 歸母凈利潤及同比增速.41 圖表 76：明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備.42 圖表 77：暗場納米圖形晶圓缺陷檢測設備.42 圖表 78：DRAM 高速老化測試系統.43 圖表 79：存儲器高速老化測試系統.43 圖表 80：芯源微產品布局情況.44 圖表 81：CMP 機臺 UniversalH300.45 圖表 82：D9000 SoC 測試機.46 圖表

20、 83：WLP 2000 晶圓級封裝直寫光刻機.47 圖表 84：槽式濕法清洗設備.48 圖表 85：公司晶圓探針臺.49 圖表 86：公司晶粒探針臺.49 圖表 87：半導體材料分類.51 圖表 88：半導體產業鏈示意圖.52 圖表 89：晶圓制造前道工藝流程和所需關鍵材料圖例.52 圖表 90：全球半導體材料分地區市場規模（億美元）.53 圖表 91：全球半導體材料市場規模（百萬美元）.53 圖表 92：2022 年半導體材料產品結構.53 圖表 93：半導體材料廠商情況.53 圖表 94：部分材料公司業績（億元）.54 圖表 95：半導體硅片生產流程.55 圖表 96：2019-2024

21、 年全球半導體硅片出貨面積及增速（億平方英寸）.56 圖表 97：2019-2024 年全球半導體硅片市場規模及增速（億美元）.56 圖表 98：半導體硅片技術演進史.56 圖表 99：200mm 硅片與 300mm 硅片對比.56 圖表 100：2023 年全球硅片市場份額.57 圖表 101：光刻膠在光刻材料中的位置.58 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 102：光刻技術及光刻材料的發展.58 圖表 103：正性及負性光刻膠的反應原理.59 圖表 104：光刻膠分類.59 圖表 105：2022 年光

22、刻膠分應用占比.60 圖表 106：2022 年全球半導體光刻膠細分市場.60 圖表 107：中國 2019-2028 年半導體光刻膠市場規模分析（億元）.61 圖表 108：掩膜版工作原理.62 圖表 109：半導體生產工藝-投影式光刻原理.62 圖表 110：掩膜版產業鏈示意圖.62 圖表 111：2022 年中國掩膜版下游應用結構.63 圖表 112：平板顯示掩模版精度發展趨勢.63 圖表 113：平板顯示需求提升比例.64 圖表 114：全球平板顯示掩膜版市場規模.64 圖表 115：全球平板顯示掩膜版分地區市場份額.64 圖表 116：以銷售額計平板顯示掩模版市場份額.65 圖表 1

23、17：2023 年全球不同半導體掩膜版廠商市場占比.65 圖表 118：2023 年全球獨立第三方半導體掩膜版廠商市場格局.66 圖表 119：2016-2025 年全球半導體光掩膜版市場需求（億美元）.66 圖表 120：濺射靶材工作原理.67 圖表 121：濺射靶材產品類別.67 圖表 122：濺射靶材應用領域.67 圖表 123：高純濺射靶材制造過程.68 圖表 124：濺射靶材應用領域具體情況.68 圖表 125：2024 年全球半導體濺射靶材下游市場結構.69 圖表 126：全球濺射靶材市場規模（億美元）.69 圖表 127：中國半導體集成電路用濺射靶材行業市場情況（單位：億元）.7

24、0 圖表 128：平面顯示領域濺射靶材應用環節.70 圖表 129：中國平面顯示用濺射靶材行業市場情況（單位：億元）.71 圖表 130：中國太陽能電池用濺射靶材行業市場情況（單位：億元）.71 圖表 131：國內濺射靶材行業內主要企業情況.72 圖表 132：化學氣相沉積工藝（CVD）示意圖.73 圖表 133：前驅體材料分類.73 圖表 134：不同類型前驅體市場規模變化.74 圖表 135：全球半導體用前驅體按應用細分市場規模.74 圖表 136：全球前驅體市場規模，按產品類型細分.74 圖表 137：全球主要市場前驅體規模.74 圖表 138：2024 年全球半導體用前驅體市場格局.7

25、5 圖表 139：2022 年全球半導體用前驅體市場格局.75 圖表 140：中國 2019-2028 不同前驅體市場規模分析（億元）.75 圖表 141：濕電子化學品主要產品分類.76 圖表 142：不同線寬的 IC 制造對濕電子化學品 SEMI 國際標準等級要求.77 圖表 143：通用濕電子化學品純化工藝（以氨水為例）.77 圖表 144：功能性濕電子化學品拼配工藝（以 BOE 蝕刻液為例）.77 圖表 145：濕電子化學品上下游產業鏈結構示意圖.78 圖表 146：半導體（集成電路）工藝流程及濕電子化學品應用環節.78 圖表 147：2021-2025 全球濕電子化學品各應用領域市場規

26、模.79 圖表 148：2021-2025 中國濕電子化學品各應用領域市場需求量.79 圖表 149：2023 年全球濕電子化學品市場份額.80 圖表 150：電子特氣主要應用類別.81 圖表 151：電子特種氣體所涉及的電子產業環節.81 圖表 152：2019-2025 全球電子特氣市場規模（億美元）.81 圖表 153：2019-2025 中國子特氣市場規模（億元）.81 圖表 154：中國電子特氣行業代表企業經營情況.82 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.6 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 155：CMP 工作原理示意圖.83 圖表

27、 156：2023 年 CMP 材料細分占比.83 圖表 157：2024-2028 年全球 CMP 拋光材料市場規模（億美元）.84 圖表 158：2023 年 CMP 拋光墊市場份額.84 圖表 159：拋光液分類.85 圖表 160：2023 年全球半導體拋光液和專用清洗液供應格局.85 圖表 161：半導體封裝材料分類.87 圖表 162：全球封裝材料細分市場規模.87 圖表 163：中國半導體封裝材料行業相關企業.88 圖表 164：半導體設備零部件產業鏈.97 圖表 165：半導體零部件制造工藝高標準.97 圖表 166：EUV 光刻機空間成像測量系統（AIMS）零部件繁多.98

28、圖表 167：半導體設備零部件分類.98 圖表 168：半導體零部件難點.99 圖表 169：半導體零部件市場需求來源.99 圖表 170：2022 年全球/中國半導體設備精密零部件市場規模（億元）.100 圖表 171：全球半導體零部件市場格局.100 圖表 172：部分半導體設備零部件公司業績（億元）.101 圖表 173：部分半導體設備零部件公司毛利率及歸母凈利率情況.101 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.7 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1 半導體設備：加速追趕，鋒芒漸展半導體設備：加速追趕，鋒芒漸展 增勢強勁，增勢強勁，2025 年

29、全球半導體設備市場規模有望達年全球半導體設備市場規模有望達 1210 億美元。億美元。半導體設備是集成電路和廣泛應用的半導體微觀器件產業的基石，隨著微觀器件的尺寸不斷縮小，結構日益復雜，其重要性愈發凸顯。2023 年全球半導體設備市場出貨金額為 1063 億美金，同比-1.3%，伴隨周期低點過去，終端市場需求回暖及各大晶圓廠擴產動作持續，SEMI 預計 2024 年全球半導體設備市場將達到 1130 億美金新高，同比+6.4%。展望未來，SEMI預計 2025 年全球半導體設備市場規模將達 1210 億美元，同比+7.1%，2026 年市場規模有望延續增長至 1390 億美元。受益于國內晶圓廠

30、持續擴產，中國大陸半導體設備全球份額逐步提升，2020-2023 年份額居全球首位，根據 Wind 數據，2024Q1-Q3 中國大陸半導體設備全球份額達到 45%，銷售額達 376.6 億美元，引領全球半導體設備市場。圖表1：全球半導體設備市場規模及同比（億美元）圖表2：分地區半導體設備銷售額（十億美元）資料來源：Wind，SEMI，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 晶圓制造設備占半導體設備市場約晶圓制造設備占半導體設備市場約 90%。半導體設備分為晶圓制造設備及封裝、測試設備，根據SEMI數據，2023年晶圓制造設備銷售額約占總體半導體設備銷售額的90%，其中薄膜沉積設備

31、、光刻設備、刻蝕設備共同構成芯片制造三大核心設備，合計占比超60%，薄膜沉積設備及刻蝕設備年平均增長速度高于其他種類的設備。圖表3：全球半導體設備細分 圖表4：2013 年到 2023 年半導體芯片前道設備年均增速 資料來源：SEMI，拓荊科技公告，國盛證券研究所 資料來源：Gartner，中微公司公告，國盛證券研究所 -100%-50%0%50%100%150%200%0200400600800100012001400160020052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024E202

32、5E2026E半導體設備市場規模（億美金）yoy0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%020406080100120200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202324Q1-Q3中國大陸中國臺灣北美日本歐洲韓國其他中國大陸占比2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.8 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 晶圓廠擴產拉動設備需求，中國大陸擴產動能較強。晶圓廠擴產拉動設備需求，中國大陸擴產動能較強。根據 SEMI 數據，全球半導體晶圓制

33、造產能預計將在 2024 年增長 6%，并在 2025 年實現 7%的增長，達到每月晶圓產能3370 萬片（8 英寸當量）。分地區來看，中國大陸預計將保持兩位數的產能增長，在 2024年增長 15%至 885 萬（wpm）后，2025 年將增長 14%至 1010 萬（wpm）。預計 2025年中國臺灣地區的產能將以 580 萬（wpm）的位居第二，增長率為 4%，韓國預計 2025年將位居第三，在 2024 年首次突破 500 萬（wpm）的大關后，產能將增長 7%至 540萬（wpm）。圖表5：全球半導體晶圓產能（等效 8 英寸片，月產能）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 全球半導體設備

34、市場呈現多元化競爭格局，但整體被少數幾家頭部企業壟斷。美國在薄膜沉積、離子注入、量測等領域占據壟斷地位，如應用材料在物理氣相沉積（PVD）、化學機械拋光（CMP）、離子注入等方面的全球市場占有率較高，泛林在刻蝕、電鍍設備領域占比較大，科磊在量檢測領域有較高的市占率。日本企業在涂膠顯影、清洗設備方面具有較強優勢，其中，東京電子在涂膠顯影設備市占率達 89%，迪恩士（DNS）的清洗設備市占率為 40%。光刻設備方面，荷蘭的 ASML 是光刻機領域龍頭。當前部分環節設備國產當前部分環節設備國產化化率率仍然仍然較低。較低。根據全球半導體觀察及 SEMI 數據，目前中國大陸設備基本可以覆蓋半導體制造流程

35、的各階段所需（除光刻機外），中國半導體設備的國產化比例從 2021 年的 21%迅速提升至 2023 年的 35%。中國在去膠、清洗、刻蝕設備方面國產化率較高，在 CMP、熱處理、薄膜沉積上近幾年國產化突破明顯，而在量測、涂膠顯影、光刻、離子注入等設備上，仍較為薄弱。國產半導體設備公司國產半導體設備公司營收營收業績高速增長，市場份額逐步業績高速增長，市場份額逐步提升提升。設備行業核心公司（北方華創、中微公司、盛美上海、拓荊科技、華海清科、中科飛測、精測電子、長川科技、芯源微、華峰測控、至純科技、新益昌、芯碁微裝、萬業企業）24Q1-Q3 年營業總收入合計達到 459 億元，同比增長 34%，歸

36、母凈利潤合計達到 82.2 億元，同比增長 25.1%?；仡檱a核心半導體設備公司（同上，如下表所示）2019-2023 年業績發展，2019 年 14家公司合計營收 138.1 億元，2023 年增長至 509.3 億元，CAGR 達 38.6%，中國大陸半導體設備銷售額自 2019 年 134.5 億美元增長至 365.9 億美元，CAGR 為 28.4%，國產廠商復合增速明顯高于市場銷售增速，反映了國產設備供應商產品實現陸續放量，國產替代加速進行，份額持續提升。從歸母凈利潤來看，14 家公司合計歸母凈利潤自 2019年 15.9 億元增長至 2023 年 95.9 億元，CAGR 達 5

37、6.7%，反映國產供應商在營收保持高速增長同時，盈利能力不斷改善，國產供應商大力投入研發以追趕海外龍頭，利潤端承受較大壓力但仍然表現優異，彰顯國產供應商強大韌性及競爭力。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.9 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表6：主要國產半導體設備公司營收 公司名稱公司名稱 營業收入（億元）營業收入（億元）24Q1-Q3 23Q1-Q3 YoY 2023 2022 2021 2020 2019 2019-2023 CAGR 北方華創 203.5 145.9 39.51%220.8 146.9 96.8 60.6 40.6 52.7

38、3%中微公司 55.1 40.4 36.27%62.6 47.4 31.1 22.7 19.5 33.93%拓荊科技 22.8 17.0 33.79%27.0 17.1 7.6 4.4 2.5 81.14%盛美上海 39.8 27.5 44.62%38.9 28.7 16.2 10.1 7.6 50.56%華海清科 24.5 18.4 33.22%25.1 16.5 8.0 3.9 2.1 85.69%長川科技 25.4 12.1 109.72%17.8 25.8 15.1 8.0 4.0 45.25%中科飛測 8.1 5.9 38.21%8.9 5.1 3.6 2.4 0.6 99.73%精

39、測電子 18.3 15.4 18.50%24.3 27.3 24.1 20.8 19.5 5.64%華峰測控 6.2 5.2 19.75%6.9 10.7 8.8 4.0 2.5 28.34%芯源微 11.0 12.1 -8.44%17.2 13.8 8.3 3.3 2.1 68.47%萬業企業 3.1 7.6 -59.63%9.6 11.6 8.8 9.3 18.7 -15.24%至純科技 26.4 22.0 20.04%31.5 30.5 20.8 14.0 9.9 33.69%芯碁微裝 7.2 5.2 37.05%8.3 6.5 4.9 3.1 2.0 42.28%新益昌 7.7 8.2

40、 -6.67%10.4 11.8 12.0 7.0 6.6 12.24%合計合計 459.0 343.0 33.8%509.3 399.7 266.2 173.5 138.1 38.58%中國大陸銷售中國大陸銷售額（億美元）額（億美元）376.6 244.68 53.90%365.9 282.7 296.3 187.3 134.5 28.43%資料來源：Wind，國盛證券研究所 圖表7：主要國產半導體設備公司歸母凈利潤 公司名稱公司名稱 歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）24Q1-Q3 23Q1-Q3 YoY 2023 2022 2021 2020 2019 2019-2023 CAGR 北

41、方華創 44.6 28.8 54.7%39.0 23.5 10.8 5.4 3.1 88.5%中微公司 9.1 11.6 -21.3%17.9 11.7 10.1 4.9 1.9 75.4%拓荊科技 2.7 2.7 0.1%6.6 3.7 0.7 -0.1 -0.2 扭虧 盛美上海 7.6 6.7 12.7%9.1 6.7 2.7 2.0 1.3 61.2%華海清科 7.2 5.6 27.8%7.2 5.0 2.0 1.0 -1.5 扭虧 長川科技 3.6 0.0 大幅改善 0.5 4.6 2.2 0.8 0.1 39.5%中科飛測-0.5 0.8 轉虧 1.4 0.1 0.5 0.4 -1.

42、0 扭虧 精測電子 0.8 -0.1 扭虧 1.5 2.7 1.9 2.4 2.7 -13.6%華峰測控 2.1 2.0 8.1%2.5 5.3 4.4 2.0 1.0 25.3%芯源微 1.1 2.2 -51.1%2.5 2.0 0.8 0.5 0.3 71.1%萬業企業-0.3 1.6 轉虧 1.5 4.2 3.8 3.2 5.7 -28.3%至純科技 1.9 2.0 -1.6%3.8 2.8 2.8 2.6 1.1 36.0%芯碁微裝 1.6 1.2 30.9%1.8 1.4 1.1 0.7 0.5 39.3%新益昌 0.7 0.6 23.7%0.6 2.0 2.3 1.1 0.9 -9

43、.0%合計合計 82.2 65.7 25.1%95.9 75.8 46 26.8 15.9 56.7%資料來源：Wind，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.10 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 設備廠商在手訂單充足，合同負債保持較高增速。設備廠商在手訂單充足，合同負債保持較高增速。截至 2024 年三季度末設備板塊主要公司合同負債合計為 183.9 億元，環比持續增長，相較于 21Q4 的 98.7 億元，合同負債總計實現近乎翻倍增長，彰顯訂單充沛。研發費用研發費用維持維持高位。高位。近兩年國內設備廠商研發費用率維持高位，持續大力投

44、入研發，完善產品品類、進行產品迭代，提升核心競爭力，2019 年 14 家公司合計研發費用為 12.6億元，研發費用率為 10.8%，2023 年研發費用達 72.8 億元，費用率達 14.3%，可見國內廠商高度重視研發以實現產品突破，24Q1-Q3 合計研發費用為 65.9 億元，費用率維持 14.3%。圖表8：設備廠毛利率情況 圖表9：設備廠商研發費用 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 39.0%40.0%41.0%42.0%43.0%44.0%45.0%46.0%47.0%48.0%49.0%綜合毛利率0.0%2.0%4.0%6.0%8.0%10.0

45、%12.0%14.0%16.0%0.010.020.030.040.050.060.070.080.02019202020212022202324Q1-Q3研發費用（億元）研發費用率2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.11 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.1 光刻光刻機機：海外高度壟斷，國產產業鏈亟待突破海外高度壟斷，國產產業鏈亟待突破 光刻機是芯片制造的核心設備。光刻機是芯片制造的核心設備。光刻工藝是芯片制造流程中技術難度最大、成本最高、周期最長的環節，光刻技術水平直接決定了芯片的最小線寬，定義半導體器件的特征尺寸，直接決定芯片的制程水平和性能

46、水平。先進技術節點的芯片制造需要 60-90 步光刻工藝，光刻成本占比約為 30%，耗費時間占比約為 40-50%，光刻機能夠將芯片圖案投影到硅片上，實現微小結構的制造。光刻機是光刻技術的關鍵裝備，其構成主要包括光刻光源、均勻照明系統、投影物鏡系統、機械及控制系統(包括工件臺、掩膜臺、硅片傳輸系統等)。圖表10：光刻機整體結構圖 資料來源：cnbeta，Intel，國盛證券研究所 2024 年全球光刻機設備市場規模預計達年全球光刻機設備市場規模預計達 315 億美元，是億美元，是市場占比最大的細分設備市場占比最大的細分設備。據世界半導體貿易統計協會數據，2024 年全球半導體市場規模為 628

47、0 億美元，同比增長19.1%，ASML 預測 2030 年行業規模將突破萬億美元，伴隨半導體行業的持續上升，設備作為基礎，市場規模隨半導體行業周期上行而持續增長，光刻機設備作為半導體設備核心細分，根據中商產業研究院數據，2024 年全球光刻機市場規模將增至 315 億美元。圖表11：光刻機市場規模（億美元）資料來源：SEMI、中商產業研究院，國盛證券研究所 05010015020025030035020202021202220232024E2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.12 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 全球光刻機出貨量持續提升全球光刻機出

48、貨量持續提升。ASML、Canon、Nikon 三大光刻機供應商出貨量穩步提升，2021 年三者集成電路用光刻機出貨量為 478 臺，2022 年增長到 551 臺，漲幅 15%；2023 年全球半導體 IC 光刻機總出貨量為 681 臺，其中 ASML 處于主導地位。從 EUV、ArFi、ArF 三個高端機型的出貨來看，2021 年共出貨 152 臺；2022 年出貨 157 臺，增長3.3%，其中 ASML 出貨 149 臺，占據 95%市場份額；Nikon 出貨 8 臺，占據剩余 5%的市場份額。圖表12：2021-2023 全球光刻機出貨量（臺）資料來源：QY research，國盛證

49、券研究所 目前，全球光刻機的銷量主要集中在中低端產品（如目前，全球光刻機的銷量主要集中在中低端產品（如 KrF 和和 i-Line）。）。它們的市場份額分別為 37.9%和 33.6%。其次，ArFi、ArFdry 和 EUV 的市場份額分別為 15.4%、5.8%和 7.3%。其中，EUV 光刻機作為全球光刻機發展的重要方向之一，其價格顯著高于其他類型的光刻機。圖表13：2023 年全球光刻機產品銷量結構占比 資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 光刻機市場呈寡頭壟斷格局光刻機市場呈寡頭壟斷格局，由國外企業主導由國外企業主導。全球光刻機市場的主要競爭者包括 ASML、Nikon 和 Cano

50、n，其中 ASML 占據著絕對的主導地位。具體來說，ASML 的市場份額為82.1%，Canon 為 10.2%，而 Nikon 為 7.7%。在超高端光刻機 EUV 領域，ASML 獨占市場，它是全球唯一能夠設計和制造 EUV 光刻機的公司。同時，在高端光刻機的 ArFi 和ArFdry 領域，ASML 也占據主導地位。Canon 則主要集中在 i-line 和 KrF 光刻機領域，而Nikon 則涵蓋了除 EUV 之外的多個領域。00.050.10.150.20.250100200300400500600700800202120222023出貨量（臺）yoy37.9%33.6%15.4%7

51、.3%5.8%KrFi-lineArFiEUVArF dry2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.13 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表14：2022 年全球光刻機行業企業競爭格局 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 ASML 在高端光刻機市場占據主導地位。在高端光刻機市場占據主導地位。根據 ASML2024 年財報數據，各類光刻機收入占比中，EUV 機型貢獻了 39.39%，ArFi 機型占比 45.76%。由于 EUV 和 ArFi 作為高端設備，單價較高，成為 ASML 主要的收入增長來源。從光刻機種類來看，ASML 是全球唯一的 EU

52、V 光刻機供應商，具有絕對的壟斷優勢，2024 年首次交付新設備 EXE（High NA EUV）2 臺，引領光刻機走向新時代。從產品單價來看，EXE 產品 ASP 為 2.33 億歐元，NXE 為 1.87 億歐元，Arfi 產品 ASP 為 0.75 億歐元。圖表15：ASML 各類光刻機出貨量（臺）圖表16：ASML 各類光刻機營收（百萬歐元）資料來源：ASML 公告，國盛證券研究所 資料來源：ASML 公告，國盛證券研究所 中國為半導體設備最大市場中國為半導體設備最大市場，光刻機需求量較大，光刻機需求量較大。中國大陸是最大的半導體設備市場，同時也是 ASML 的最大客戶之一，2024

53、年 ASML 在中國大陸營收為 101.95 億歐元，占比36.1%，2023年中國大陸營收占ASML全部營收比為26.31%，2024年增長至36.07%。82.1%10.2%7.7%ASMLCanonNikon05010015020025030035040045050020202021202220232024i線KRFARFARFIEUVEXE050001000015000200002500020202021202220232024i線KRFARFARFIEUVEXE2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.14 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表1

54、7：ASML 光刻機分地區營收（百萬歐元）圖表18：2024 年 ASML 光刻機分地區營收占比 資料來源：ASML 公告，國盛證券研究所 資料來源：ASML 公告，國盛證券研究所 國產光刻機空間廣闊、任重道遠國產光刻機空間廣闊、任重道遠。光刻機國內供不應求，根據智研產業研究院，2023 年我國光刻機產量為 124 臺，需求量為 727 臺，供需關系嚴重不匹配，本土廠商供給能力有待加強。上海微電子具備 90nm 及以下的芯片制造能力。近年來，在國家政策支持下，國內企業加速研發突破光刻機制造技術，目前國產光刻機在 90nm 及以下工藝節點方面取得了重要進展。例如，上海微電子自主研發的 600 系

55、列光刻機已實現 90nm 工藝的量產，并正在進行 28nm 浸沒式光刻機的研發工作。根據智研咨詢數據，整體來說，目前我國光刻機行業國產化率僅為 2.5%，整機技術仍與海外存在差距較大，2023 年我國進口光刻機數量高達 225 臺，進口金額高達 87.54 億美元，進口金額創下歷史新高。美日荷美日荷加強加強對華先進制程對華先進制程出口限制出口限制，光刻機國產化勢在必行，光刻機國產化勢在必行。2022 年 10 月 7 日，美國升級對中國半導體行業的管控措施，限制 18nm 及以下 DRAM、128 層及以上 NAND 閃存，以及 16nm 或 14nm 及以下邏輯芯片制造設備的出口。2023

56、年 3 月，日本和荷蘭相繼宣布加入美國的對華芯片出口管制行列。荷蘭 2023 年 6 月 30 日發布新半導體設備出口限制規定，自 2023 年 9 月 1 日起，特定類型的先進半導體設備出口需獲得許可，其中包括 ASML 生產的 2000i 及更新型號的浸潤式光刻機。2023 年 3 月，日本宣布自 2023年 7 月起，對 23 種先進半導體制造設備實施出口管制，包括光掩模鍍膜設備、光掩模檢測設備、光刻步進器以及符合氬氟化物（ArF）DUV 性能標準或更高水平的掃描儀設備等。在這樣的背景下，光刻機國產化勢在必行。上海微電子：國內光刻機整機制造廠商。上海微電子：國內光刻機整機制造廠商。上海微

57、電子 2002 年在張江高科技園區正式成立，2009 年 12 月首臺先進封裝光刻機產品 SSB500/10A 交付用戶，2016 年 6 月首臺暨國內首臺前道掃描光刻機交付用戶，2017 年 4 月公司承擔的國家 02 重大科技專項任務“浸沒光刻機關鍵技術預研項目”通過了國家正式驗收，2017 年 10 月公司承擔的 02 重大科技專項“90nm 光刻機樣機研制”任務通過了 02 專項實施管理辦公室組織的專家組現場測試，2018 年 3 月 90nm 光刻機項目通過正式驗收，公司作為國內光刻機整機制造廠商，引領國內光刻機制造發展。公司光刻機產品可用于平板顯示、先進封裝、新型化合物半導體器件、

58、MEMS 和集成電路前道芯片制造環節，其中 SSX600 系列步進掃描投影光刻機采用四倍縮小倍率的投影物鏡、工藝自適應調焦調平技術，以及高速高精的自減振六自由度工件臺掩模臺技術，可滿足可滿足 IC 前道制造前道制造 90nm、110nm、280nm 關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需求，可關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需求，可用于用于 8 寸產線或寸產線或 12 寸產線寸產線。05000100001500020000250003000020202021202220232024美國歐洲、中東、非洲荷蘭亞洲其他地區中國大陸中國臺灣新加坡韓國日本4.09%22.68%1.01%15.41%36.07%0.01

59、%0.06%4.68%16.00%日本韓國新加坡中國臺灣中國大陸亞洲其他地區荷蘭歐洲、中東、非洲美國2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.15 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表19：上海微電子光刻機產品矩陣 資料來源：上海微電子公司官網，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.16 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.2 刻蝕設備：刻蝕設備：多重曝光多重曝光+存儲三維化驅動需求增長存儲三維化驅動需求增長 刻蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機刻蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機為為半導體

60、制造三大核心設備之一半導體制造三大核心設備之一?？涛g通過物理及化學的方法，在晶圓表面襯底及其他材料上，雕刻出集成電路所需的立體微觀結構，將前道掩模上的圖形轉移到晶圓表面。在刻蝕新形成的結構上，可以進行 SiO2、SiN 介質薄膜沉積或金屬 Al，Cu，W 薄膜沉積，也可以進行多重曝光或下一刻蝕步驟，最終在各個層形成正確圖形，并使得不同層級之間適當連通，形成完整的集成電路。圖表20：刻蝕過程重點：移除不需要材料 資料來源：SK hynix，國盛證券研究所 按工藝劃分，刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。按工藝劃分，刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。隨著集成電路制程的升級，及芯片結構尺寸的不斷縮小，

61、濕法刻蝕在線寬控制、刻蝕方向性方面的局限性漸漸顯現，各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，逐步被干法刻蝕取代。目前應用主要以干法刻蝕為主，市場占比 90%以上。濕法刻蝕主要用于工藝尺寸較大的應用及干法刻蝕后殘留物的清洗。圖表21：刻蝕類別 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 根據作用機理，干法刻蝕主要分為等離子刻蝕，離子濺射刻蝕，反應離子刻蝕三種，運用在不同的工藝步驟中；根據被刻蝕的材料類型，干法刻蝕則可分為金屬刻蝕、介質刻2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.17 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 蝕與硅刻蝕。其中，介質刻蝕和硅刻蝕市場

62、規?？傉急瘸?90%，均廣泛應用于邏輯、存儲器等芯片制造中。圖表22：按作用機理分各類刻蝕特征 資料來源：中關村集成電路產業聯盟，國盛證券研究所 圖表23：按刻蝕材料分各類刻蝕特征 資料來源：中關村集成電路產業聯盟，國盛證券研究所 干法刻蝕按照刻蝕原理可以分為物理性刻蝕和化學性刻蝕。干法刻蝕按照刻蝕原理可以分為物理性刻蝕和化學性刻蝕。物理性刻蝕利用輝光放電，將氬氣解離為帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，使其轟擊在刻蝕的物體表面，將原子擊出，完成刻蝕，整個刻蝕過程中只發生了物理碰撞。物理性刻蝕具有各向異性刻蝕的特點，可以獲得接近垂直的刻蝕輪廓，但由于被擊飛的物質并不具有可揮發性，這些物質再次沉

63、積于被刻蝕的物體表面，因此極少用于超大規模集成電路的制造?；瘜W性刻蝕又稱為等離子刻蝕，通過射頻將刻蝕工藝氣體離子化來增強其活性，使刻蝕氣體與待刻蝕部分發生化學反應形成可揮發的副產物，然后將氣態副產物抽離工藝室完成刻蝕制程，根據等離子產生的原理不同，可以分為 ICP 與 CCP 刻蝕設備，根據 Gartner 數據，2022 年 ICP 占干法刻蝕市場 47.9%，CCP 占干法刻蝕市場 47.5%。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.18 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表24：2022 年干法刻蝕細分占比（百萬美元）資料來源：Gartner，中微

64、公司公告，國盛證券研究所 1）電感耦合等離子體電感耦合等離子體（ICP）刻蝕：）刻蝕：射頻電源將射頻電流導入線圈中，射頻電流通過線圈時會產生一個電磁場，引導腔體內部的電子加速運動，加速運動的電子與刻蝕工藝氣體的分子產生碰撞產生等離子體。ICP 主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。圖表25：電感耦合等離子體刻蝕反應腔 圖表26：ICP 等離子刻蝕機設備結構示意圖 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 資料來源：納恩科技，國盛證券研究所 2）電容性等離子體電容性等離子體（CCP）刻蝕刻蝕：射頻電源在兩側裝有電極板的腔室內導入交流電，當交流電壓為正周期時，左電極板為負極

65、，右電極板為正極，反應室內電子會朝右側移動，正電離子朝左側移動；反之，電子向左側移動，正電離子朝右側移動。射頻電源通過高頻的周期變化頻率使兩種相反帶電粒子在兩塊電極板之間高速振蕩。帶電粒子高速振蕩后在腔室內導入工藝氣體，使兩種帶電粒子不停撞擊工藝氣體粒子并激發出等離子體。CCP 主要是以高能離子在較硬的介質材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結構。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.19 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表27：電容性等離子體刻蝕反應腔 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 刻蝕設備市場海外壟斷，國產廠商份額逐步提升?？涛g設備市

66、場海外壟斷，國產廠商份額逐步提升。全球范圍來看，LAM、應用材料、東京電子等企業占據了刻蝕機市場的主導地位，2022 年 LAM RESEARCH 占比達 46.7%。國內北方華創、中微公司等企業在刻蝕機領域具有較強競爭力，成為國內刻蝕機行業的領軍企業，2023 年北方華創刻蝕設備營收近 60 億元，中微公司刻蝕設備營收超 47 億元。圖表28：2022 年全球刻蝕機企業競爭格局 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 7nm集成電路生產所需刻蝕工序為集成電路生產所需刻蝕工序為140次，相較次，相較28nm生產所需的生產所需的40次增加次增加2.5倍。倍。先進芯片制程從 7-5 納米階段向更

67、先進工藝的方向發展，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。根據國際半導體產業協會測算，7nm 集成電路生產所需刻蝕工序為 140 次，相較 28nm 生產所需的 40 次增加 2.5 倍，5nm 芯片生產需刻蝕工序達 160 次。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.20 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表29：不同制程集成電路生產所需刻蝕工序次數 圖表30：10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 資料來源

68、：中微公司公告，國盛證券研究所 3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數?？涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上，加工 40：1 到 60：1 甚至更高的極深孔或極深的溝槽。3D NAND 層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大的需求比例進一步加大。圖表31：存儲器件從 2D 到 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.21 請仔細閱讀本報告末頁聲明請

69、仔細閱讀本報告末頁聲明 1.3 薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一，國產設備品類逐步完善，國產設備品類逐步完善 按工藝原理不同，薄膜沉積設備可分為按工藝原理不同，薄膜沉積設備可分為 PVD、CVD 和和 ALD。薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜，再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行，就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層，而且每一層都具有設計好的線路圖案。沉積薄膜材料包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，按工藝原理不同，可分為 CVD（化學氣相沉積）設備、PVD（物理氣相沉積）設備/電鍍

70、設備和 ALD（原子層沉積）設備。1）PVD：在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體），在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD 鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。PVD 技術生長機理簡單，沉積速率高，但一般只適用于平面的膜層制備；2）CVD：通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在基體表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉

71、積。按照薄膜材料，CVD 分為介質化學氣相沉積（DCVD）和金屬化學氣相沉積（MCVD）兩大類。DCVD 主要包括等離子增強型化學氣相沉積（PECVD）、次常壓化學氣相沉積（SACVD）、介質原子層沉積（DALD）等。MCVD 主要包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）、有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）和金屬原子層沉積（MALD）等。3）ALD：原子層沉積可以將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面。從原理上說，ALD 是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質量上都與傳統的 CVD 不同。相對于傳統的沉積工藝而言，ALD 工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄

72、膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長。ALD 設備沉積的薄膜具有非常精確的膜厚控制和非常優越的臺階覆蓋率，在 28nm 以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應用，其沉積的 Spacer 材料的寬度決定了 Fin 的寬度，是制約邏輯芯片制程先進程度的核心因素之一，除此之外，ALD 設備在高 k 材料、金屬柵、STI、BSI 等工藝中均存在大量應用，廣泛應用于 CMOS 器件、存儲芯片、TSV 封裝等半導體制造領域。圖表32：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意圖 資料來源：拓荊科技招股說明書，國盛證券研究所 2025 04 1

73、7年 月 日 gszqdatemark P.22 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表33：薄膜沉積設備分類 資料來源：微導納米招股說明書，國盛證券研究所 CVD 領域領域 PECVD 設備占比較高，設備占比較高，PVD 領域主要為濺射領域主要為濺射 PVD 設備。設備。常壓化學氣相沉積（APCVD）是最早的 CVD 設備，結構簡單、沉積速率高，廣泛應用于工業生產中。低壓化學氣相沉積（LPCVD）是在 APCVD 的基礎上發展起來的。等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD）在從亞微米發展到 90nm 的 IC 制造技術過程中，扮演了重要的角色，由于等離子體的作用，化學反應溫

74、度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，是當前應用最為廣泛的 CVD 設備，在薄膜沉積設備中占比達 33%。次常壓化學氣相沉積（SACVD）主要應用于溝槽填充工藝。在 PVD 設備中，濺射設備占主要份額。圖表34：薄膜沉積設備細分占比 資料來源：拓荊科技公告，SEMI，國盛證券研究所 芯片制程及工藝升級拉動薄膜設備需求。芯片制程及工藝升級拉動薄膜設備需求。90nmCMOS 芯片工藝中大約需要 40 道薄膜沉積工序，FinFET 工藝產線需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級。且在芯片工藝技術持續進步的趨勢下，

75、當難以通過光刻直接形成先進工藝的情況下，可以結合薄膜沉積設備（主要為ALD 設備）與刻蝕設備相配合，采用自對準多重成像技術，實現更小尺寸的工藝，這將進一步促進 ALD 設備及相關設備的重要性及需求量的提升。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.23 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表35：工藝升級帶動薄膜沉積工序數提升 圖表36：ALD 在多重曝光中的應用 資料來源：拓荊科技公告，國盛證券研究所 資料來源：拓荊科技公告，國盛證券研究所 NAND 垂直化發展，垂直化發展，進一步帶動進一步帶動薄膜沉積設備需求薄膜沉積設備需求提升提升。隨著 3D NAND

76、 芯片的堆疊層數不斷增高，逐步向更多層及更先進工藝發展，堆疊過程中刻蝕及薄膜沉積使用步驟數大幅提升，2024 年 SK 海力士官方公布正式開始量產全球首款 321 層 NAND，2025 年NAND 層數有望達 4xx 層，薄膜沉積及刻蝕設備重要性凸顯。圖表37：NAND 發展趨勢 資料來源：SK hynix，國盛證券研究所 2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計達年全球薄膜沉積設備市場規模預計達 239.6 億美元。億美元。根據 SEMI 數據，2025 年全球半導體設備市場規模預計為 1210 億美元，以晶圓制造設備占比 90%及薄膜沉積設備占比 22%測算，2025 年全球薄膜沉積設備

77、市場規模預計為 239.6 億美元。國內光刻設備受限情況下，引用多重圖形化技術，通過反復的薄膜工藝、刻蝕工藝及化學機械平坦化工藝以使芯片達到相應精度，拉動薄膜設備需求，薄膜沉積設備重要性進一步凸顯，以 34.5%（2023 年中國大陸半導體設備銷售額占全球半導體設備銷售額比例）計，預計預計2025 年國內薄膜沉積設備市場規模超年國內薄膜沉積設備市場規模超 82 億美元億美元。從全球市場份額來看，薄膜沉積設備行業呈現出高度壟斷的競爭局面，行業基本由美國的應用材料（AMAT）和泛林半導體（Lam），日本的東京電子（TEL）等為代表的國際知名企業壟斷。國際巨頭經過幾十年發展，憑借資金、技術、客戶資源

78、、品牌等方面的優勢，占據了薄膜沉積設備市場的大部分份額。在 PVD 市場，AMAT 是龍頭；在 CVD 市場，AMAT、LAM、TEL 三家主導，占據約 70%份額；在 ALD 市場，主要為 TEL 和 ASMI。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.24 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表38：2023 年薄膜沉積設備細分格局 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 國產廠商份額提升空間國產廠商份額提升空間廣闊廣闊。當前國內主要薄膜沉積設備廠商包括北方華創、中微公司、拓荊科技、微導納米等，且不同公司工藝路線有差異。1）北方華創）北方華創：PVD 實現了

79、對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，CVD 布局拓展了 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品，HDPCVD、高介電常數原子層沉積實現穩定量產。2）拓荊科技）拓荊科技：形成了覆蓋全系列 PECVD薄膜材料的設備，PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽填充 CVD 等薄膜設備產品系列均已在客戶端實現產業化應用。3）中微公司）中微公司：CVD 鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現場驗證，滿足金屬互聯鎢制程各項性能指標，并開發 HAR（高深寬比）鎢設備，已通過關鍵存儲客戶端現場驗證。4）微導納米：）微導納米：國內首家成功將量產型 High-k 原子層沉積（ALD）設備應用于集成電路制

80、造前道生產線的國產設備廠商，目前產品已經覆蓋 HfO、AlO3、ZrO、TiO、LaO3、ZnO、SiO、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、無定形碳、SiGe 等多種薄膜材料。從營收端來看，2023 年北方華創薄膜沉積設備營收 60 億元以上，拓荊科技薄膜沉積設備營收 25.7 億元，微導納米半導體領域設備營收 1.2 億元，測算 2023 年中國薄膜沉積設備市場規模達72.8億美元，以7.2匯率計，可測算主要國產廠商本土市占率不足20%，份額提升空間廣闊。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.25 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末

81、頁聲明 1.4 量檢測設備：量檢測設備：良率提升重要工具，國產明暗場檢測加速突破良率提升重要工具，國產明暗場檢測加速突破 前道量前道量/檢測在芯片制程中起著至關重要的作用，是提高芯片良率、降低制造成本、推進檢測在芯片制程中起著至關重要的作用，是提高芯片良率、降低制造成本、推進工藝迭代的重要環節。工藝迭代的重要環節。過程控制設備包括應用于量測和檢測設備，用于芯片生產過程中精度、缺陷等保障，并且協助優化設備運行，提升成品率。1）量測設備量測設備：主要用于精準測量半導體晶圓上的結構尺寸和材料特性，如薄膜的厚度、關鍵尺寸（如線寬）、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數，以確保晶圓制造過程中的工藝步驟符合設計

82、規格，進而保證產品的質量和性能。集成電路結構的日益復雜和工藝節點的縮小，對量測設備的高精度和高重復性提出來要求。2）檢測設備檢測設備：通過掃描晶圓表面，識別和定位可能影響良率的缺陷，檢測晶圓表面或電路結構中的缺陷和異常情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等，以防止缺陷對芯片的工藝性能產生不良影響。圖表39：半導體量測與檢測分類 圖表40：檢測缺陷&量測尺寸 資料來源：中科飛測招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：KLA，國盛證券研究所 根據制造過程中采用的不同材料和結構，工藝檢測設備分別采用包括寬波段光譜（紫外到紅外）、電子束、激光和 X 射線等多種不同技術。性能指標方面，隨著工藝不斷向細微線寬

83、發展，器件形態結構也由二維平面結構向三維結構轉變，因此對檢測設備的靈敏度、可適用性、穩定性及吞吐量等都有更高要求。圖表41：光學檢測技術、電子束檢測技術和 X 光量測技術特征比較 光學檢測技術光學檢測技術 電子束檢測技術電子束檢測技術 X X 光量測技術光量測技術 主要特征 基于光學原理，通過對光信號進行計算分析以獲得檢測結果，具有速度快、精度高，無損傷的特點 通過聚焦電子束掃描樣片表面產生樣品圖像以獲得檢測結果，具有精度高、速度較慢的特點，通常用于部分線下抽樣測量部分關鍵區域 基于 X 光的穿透力強及無損傷特性進行特定場景的測量 先進工藝 應用情況 應用于 28nm 及以下的全部先進制程。光

84、學檢測技術因其特點，目前廣泛應用于晶圓制造環節 應用于 28nm 及以下全部先進制程。電子束檢測技術因其具有精度高但速度慢特點，故基于電子束檢測技術的設備部分應用于研發環節，部分應用在部分關鍵區域抽檢或尺寸量測等生產環節，例如納米級尺度缺陷的復查、部分關鍵區域的表面尺度量測及部分關鍵區域抽檢等 應用于 28nm 及以下的全部先進制程，鑒于 X 光具有穿透性強、無損傷特性，主要應用于特定的場景，如檢測特定金屬成分 未來發展 方向 通過提高光學分辨率提高光學分辨率，并結合圖像信號處理算法，進一步提高檢測精度 提升檢測速度，提高吞吐量，提升檢測速度，提高吞吐量，由單一電子束向多通道電子束技術發展 基

85、于 X 光的穿透性特性，擴擴大應用場景大應用場景范圍 資料來源：中科飛測招股說明書，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.26 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 量測檢測設備是集成電路生產過程中僅次于薄膜沉積設備、刻蝕機、光刻機的核心設備，從趨勢上看，半導體量/檢測設備將往光學檢測技術、多系統組合、采用大數據檢測算法和軟件及提高設備檢測速度和吞吐量發展：1）光學檢測技術分辨率提高：）光學檢測技術分辨率提高：隨著 DUV、EUV 光刻技術的發展，集成電路工藝節點不斷提升，對檢測技術的空間分辨車提出了更高的要求。系統光源波長下限進一步減小和波

86、長范圍進一步拓寬是光學檢測技術發展的重要趨勢之一，應用光學檢測技術的設備可以相對較好的實現有高精度和高速度的均衡，并能夠滿足其他技術所不能實現的功能，如三維形貌測量、光刻套刻測量和多層膜厚測量等應用，因此采用占多數。根據VLSIResearch，2023 年全球半導體檢測和量測設備市場中，檢測設備占比 67.9%，包括納米圖形晶圓缺陷檢測設備、無圖形晶圓缺陷檢測設備、圖形晶圓缺陷檢測設備等；量測設備占比 30.8%，包括關鍵尺寸量測設備、套刻精度量測設備、薄膜膜厚量測設備、三維形貌量測設備等。2）多系統組合發展：多系統組合發展：隨著先進制程持續發展，IC 材料和結構復雜性持續提升，待測缺陷由表

87、面轉為三維分布、幾何結構越來越復雜、尺寸逐步接近原子級。單一缺陷檢測技術越來越難以適應，多系統組合成為檢測技術發展趨勢。3）大數據檢測算法和軟件：）大數據檢測算法和軟件：達到或接近光學系統極限分辨率的情況下，最新的光學檢測技術已不再簡單地依靠解析晶圓的圖像來捕捉其缺陷，而需結合深度的圖像信號處理軟件和算法，在有限的信噪比圖像中尋找微弱的異常信號。4）提高設備檢測速度和吞吐量：）提高設備檢測速度和吞吐量：半導體量/檢測設備是晶圓廠的主要投資支出之一，設備性價比是選購時重要考慮因素。檢測速度和吞吐量更高的檢測和里測設備可幫助下游客戶更好地控制企業成本，提高良品率。根據根據 VLSI Researc

88、h，2023 年全球半導體檢測和量測設備市場規?？傆嬆耆虬雽w檢測和量測設備市場規?？傆?128.3 億美億美金金，其中納米圖形晶圓缺陷檢測設備（25.0 億美元），占比最高、其次為掩模版缺陷檢測設備（18.1 億美元），占比 14.1%，無圖形晶圓缺陷檢測設備（13.2 億美元），占比 10.3%。2023 年全球量檢測設備市場占半導體設備市場年全球量檢測設備市場占半導體設備市場 12.1%。以 2023 年半導體設備市場規模 1063 億美元及半導體量檢測設備市場規模 128.3 億美金計，量檢測設備市場占比12.1%，相較于 2022 年 8.6%（2022 年全球半導體設備市場規模

89、1076 億美元，半導體檢測和量測設備 92.1 億美元）有較大幅度提升，伴隨刻蝕、薄膜沉積步驟增多，量檢測步驟同步增多，假設后續量檢測占比持續小幅提升，以 2025 年 13%計，全球半導體設備 2025 年市場規模有望達 1210 億美元，則預計 2025 年全球量檢測設備市場規模達157.3 億美元。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.27 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表42：2023 年半導體檢測和量測設備市場各類設備銷售額及占比 設備類型設備類型 銷售額（億美金）銷售額（億美金）占比占比 明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備 25.0 19.

90、5%掩膜版缺陷檢測設備 18.1 14.1%無圖形晶圓缺陷檢測設備 13.2 10.3%關鍵尺寸量測設備 11.4 8.9%暗場納米圖形晶圓缺陷檢測設備 10.7 8.4%圖形晶圓缺陷檢測設備 9.8 7.7%套刻精度量測設備 8.6 6.7%電子束關鍵尺寸檢測設備 8.4 6.6%電子束缺陷復查設備 5.5 4.3%晶圓介質薄膜量測設備 5.0 3.9%電子束缺陷檢測設備 4.2 3.3%X 光量測設備 2.9 2.3%掩膜版關鍵尺寸量測設備 1.3 1.1%三維形貌量測設備 0.7 0.6%晶圓金屬薄膜量測設備 0.7 0.6%其他 2.7 2.1%合計合計 128.3128.3 100.

91、0%100.0%資料來源：VLSI，國盛證券研究所 2023 年中國半導體量測檢測設備市場規模占全球增長至年中國半導體量測檢測設備市場規模占全球增長至 31.3%。中國半導體量測檢測設備市場規模逐步提升，2019-2023 年市場規模由 16.9 億美元增長至 40.2 億美元，占全球比重由 27.3%增長至 31.3%，隨著中國大陸在全球半導體設備市場重要性日益凸顯，中國大陸將引領 2024 及 2025 年全球半導體設備市場，半導體量測檢測設備市場全球占比將進一步提升，假設以 33%計，2025 年中國大陸半導體量測檢測設備市場規模年中國大陸半導體量測檢測設備市場規模有望達有望達 51.9

92、 億美元。億美元。全球過程控制市場主要由海外龍頭全球過程控制市場主要由海外龍頭 KLA 主導。主導。全球過程控制主要賽道由海外廠商主導并壟斷，KLA 在大多細分領域具有明顯優勢，此外 AMAT、日立等海外廠商市占率相對較高。國內公司精測電子、中科飛測等，產品覆蓋度拓展，市占率逐步提升。管制收緊下，重視本土量檢測產業鏈發展機遇。管制收緊下，重視本土量檢測產業鏈發展機遇。晶圓檢測設備上游零部件主要可分為運動與控制系統類、光學類、電氣類、機械加工件和機械標準件，先進光學類等零部件主要從海外廠商采購，相關零部件國產化程度相對較低，當前荷蘭新增量檢測設備管制，后續存在對應先進零部件斷供風險，國內量檢測產

93、業鏈需同步推進國產替代，當前國產廠商布局量檢測設備企業主要包括中科飛測、精測電子等。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.28 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.5 離子注入設備離子注入設備：實現精準摻雜，定義芯片電學特性實現精準摻雜，定義芯片電學特性 離子注入是半導體器件和集成電路生產的核心工藝之一。離子注入是半導體器件和集成電路生產的核心工藝之一。芯片制作過程中，為調控材料性能，改變材料電學性質，需摻入不同種類元素，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，以實現原子的替換或添加，離子注入機發揮重要作用，光刻機定義芯片的結

94、構，離子注入機通過離子束注入實現精準摻雜，從而定義芯片的電學特性，是必不可少的裝備。離子注入機由離子源、離子引入和質量分析器、加速管、掃描系統和工藝腔組成離子注入機由離子源、離子引入和質量分析器、加速管、掃描系統和工藝腔組成。離子源可將需注入元素的氣態粒子電離成離子，決定注入離子的種類和束流強度，其直流放電或高頻放電產生的電子為轟擊粒子，當外來電子能量高于原子的電離電位時，通過碰撞使元素發生電離，出現正電子和二次電子。正離子進入質量分析器經過篩選得到需要的離子，再通過加速管獲得較高能量，由四級透鏡聚焦后進入靶室，進行離子注入。圖表43：離子注入機結構 資料來源：中國科學院半導體研究所公眾號，國

95、盛證券研究所 離子注入有助于提高電池效率、制造高效電池。離子注入有助于提高電池效率、制造高效電池。與熱擴散的摻雜技術相比，離子注入技術具有單面準直摻雜、良好的摻雜均勻性和可控性、摻雜元素的單一性等特點，且很容易實現摻雜區域的圖形化。這些特點在晶硅太陽能電池片的制造中具備熱擴散所不具備的優勢：可形成高質量的 PN 結、提高電池的轉換效率，并可大大簡化多種高效電池的制造工序。常規電池的生產可以省掉去磷硅玻璃和邊緣刻蝕工藝，雙面電池的生產則可免去掩膜工序，此外，背接觸電池所必需的分區摻雜可免去對準工序，大幅度降低了此類電池的制造成本。離子注入摻雜調控技術具備顯著優勢。離子注入摻雜調控技術具備顯著優勢

96、。離子注入可選的摻雜源極廣，幾乎可包含元素周期表上的所有元素，并因離子注入機工作時內部處于高真空狀態，可以通過荷質比的不同精確篩選特定的離子，確保預期的摻雜劑有極高的純度；通過離子注入設備內部的加速電壓和磁場精確控制入射束流的能量和角度，及通過控制來自束流的電荷量累積的持續時間，可對注入晶圓內離子的深度以及其濃度分布實現精確控制；晶圓中預期的摻雜濃度不受晶圓材料本身平衡固溶度的限制，因而具有更大的靈活性和更多的可操作性；可對晶圓實現大面積均勻摻雜，且離子注入時晶圓的溫度可控。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.29 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 大

97、束流離子注入大束流離子注入設備占據主要份額設備占據主要份額。根據離子束電流和束流能量范圍，離子機可分為三大類：中低束流離子注入機、低能大束流離子注入機及高能離子注入機。其中，高能離子注入機的能量范圍需高達幾百萬電子伏特，是技術難度最大的機型。離子注入設備市場規模攀升，國產替代空間巨大。離子注入設備市場規模攀升，國產替代空間巨大。國際半導體產業協會（SEMI）數據顯示，2024 年全球離子注入設備市場規模達 276 億元，至 2030 年有望攀升達 307 億元。其中，國內市場空間約 160 億元，國產替代潛力巨大。全球離子注入設備海外主導。全球離子注入設備海外主導。全球離子注入設備主要以 AM

98、AT、Axcelis、Nissin 及 SEN等國外廠商為主導，2024 年 AMAT 占據全球 62.65%的銷量市場份額，主要產品包括大部分市場所需的離子注入機：大束流離子注入機、中束流離子注入機、超高劑量的離子注入機；Axcelis 主要產品為高能離子注入機；日本 Nissin 主要生產中束流離子注入機。國內離子注入機市場也基本被 AMAT、Axcelis、Nissin 壟斷。海關統計數據在線查詢平臺公布的數據顯示，2024 年 13 類主要半導體設備中，離子注入機進口金額增長最快，同比增長 35.9，其中進口額前兩名為美國和日本。圖表44：2024 年離子注入設備市場格局 資料來源：格

99、隆匯，QYresearch 國盛證券研究所 國產廠商主要包括國產廠商主要包括凱世通和中科信凱世通和中科信等，進展順利。等，進展順利。目前，國內主要離子注入設備廠商為凱世通和中科信，已在某些 12 寸晶圓產線上獲得工藝驗證驗證并驗收通過。凱世通在國內 12 英寸低能大束流離子注入機市場占據領先地位，為國內低能大束流離子注入機產業化領跑者。中科信公司自主研制的離子注入機在大束流離子注入機工程化方面取得了顯著成果，已實現國產離子注入機 28 納米工藝全覆蓋，是目前國內唯一的全系列集成電路離子注入機研發、制造、服務一體的供應商。63%21%16%AMATAxcelis其他2025 04 17年 月 日

100、 gszqdatemark P.30 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表45：凱世通離子注入設備 資料來源：凱世通公司官網，國盛證券研究所 北方華創正式進軍離子注入設備市場北方華創正式進軍離子注入設備市場，填補國內高端離子注入設備空白填補國內高端離子注入設備空白。3 月 26 日，北方華創在 SEMICON China 2025 大會上，宣布正式進軍離子注入設備市場，并發布首款離子注入機 Sirius MC 313。北方華創在半導體設備領域多年的技術積累和強大的研發團隊，為其在離子注入設備的研發上提供了堅實的基礎，并表示將以實現離子注入設備全品類布局為目標，推動離子注入設備

101、全面覆蓋邏輯、存儲、特色工藝及化合物半導體等領域。此次突破，不僅填補了國內高端離子注入設備的空白，更是有望打破國際巨頭長期壟斷的市場格局，為中國半導體產業鏈自主可控提供重要支撐。圖表46：北方華創進軍離子注入設備市場 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.31 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.6 清洗設備：去除晶圓表面雜質，國產中高端品類完備中清洗設備：去除晶圓表面雜質，國產中高端品類完備中 半導體制造過程關鍵設備，確保芯片良率與產品性能。半導體制造過程關鍵設備，確保芯片良率與產品性能。半導體清洗設備針對不

102、同的工藝需求，對晶圓表面進行無損傷清洗，去除硅片制造、晶圓制造和封裝測試過程中可能存在的顆粒、自然氧化層、金屬污染、有機物、犧牲層、拋光殘留物等雜質，避免其影響芯片良率和產品性能，為下一步工藝準備良好條件，在半導體制造過程中發揮著至關重要的作用。濕法清洗是目前主流技術路線，占芯片制造清洗步驟數量的濕法清洗是目前主流技術路線，占芯片制造清洗步驟數量的 90%以上。以上。根據清洗介質，半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗。濕法清洗采用特定的化學藥液和去離子水，通過化學反應去除晶圓表面雜質，可同時采用超聲波、加熱、真空等技術手段作為輔助，是目前的主流技術路線，占芯片制造清洗步驟數量的 90%以上

103、。干法清洗不依賴于化學溶劑，主要采用氣態氫氟酸刻蝕不規則分布的有結構的晶圓二氧化硅層，對不同薄膜有高選擇比，但可清洗污染物較為單一，主要應用于 28nm 及以下技術節點的邏輯產品和存儲產品。圖表47：半導體清洗設備分類 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 濕法清洗方法主要包括溶液浸泡法、機械刷洗法、二流體清洗、超聲波清洗、超聲波清濕法清洗方法主要包括溶液浸泡法、機械刷洗法、二流體清洗、超聲波清洗、超聲波清洗和批式旋轉噴淋法等。洗和批式旋轉噴淋法等。溶液浸泡法采用化學藥液作為清洗介質，主要用于槽式清洗設備，將待清洗晶圓放入溶液中浸泡，通過化學反應去除污染物；機械刷洗法以去離子水作為清洗介質

104、，主要配置專用刷洗器，利用刷頭與晶圓表面的摩擦力去除顆粒；二流體清洗以 SC-1 溶液、去離子水等為清洗介質，噴嘴的兩端分別通入液體介質和高純氮氣，以高純氮氣為動力，輔助液體微霧化成極微細的液體粒子噴射至晶圓表面，去除顆粒；超聲波清洗化學溶劑為清洗介質，并在 20-40kHz 超聲波輔助下清洗，利用內部產生的空腔泡消失時將表面的雜質解吸；兆聲波清洗與超聲波清洗類似，利用 1-3MHz 工藝頻率的兆聲波作為輔助；批式旋轉噴淋法以高壓噴淋去離子水或清洗液為清洗介質，清洗室腔配置轉盤，旋轉過程中通過液體噴柱去除表面雜質。干法清洗主要包括等離子清洗、氣相清洗、束流清洗等方法。干法清洗主要包括等離子清洗

105、、氣相清洗、束流清洗等方法。等離子以氧氣等離子體為清洗清洗介質，在強電場的作用下，產生等離子體，迅速使光刻膠氣化為可揮發性氣體狀態物質并被抽走；氣相清洗以化學試劑的氣相等效物為清洗介質，利用液體工藝中對應物質的氣相等效物與圓片表面的玷污物質相互作用；束流清洗以高能束流狀物質為清洗介質，利用高能束流狀物質流與圓片表面雜質發生相互作用實現清洗。濕法工藝與干法工藝仍將并存發展。濕法工藝與干法工藝仍將并存發展。晶圓制造產線上通常以濕法清洗為主，少量特定步驟采用濕法和干法清洗相結合的方式構建清洗方案。未來清洗設備的濕法工藝與干法工2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.32 請仔細

106、閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 藝仍將并存發展，分別向技術節點更先進、功能多樣化、體積小、效率高、能耗低等方向發展，短期內濕法工藝和干法工藝無相互替代。全球半導體清洗設備市場全球半導體清洗設備市場高度集中高度集中，海外廠商占據壟斷地位。，海外廠商占據壟斷地位。根據盛美上海 2024 年年報數據，全球半導體清洗設備市場高度集中，尤其在單片清洗設備領域 DNS、TEL、LAM與 SEMES 四家公司合計市場占有率達到 90%以上，其中 DNS 市場份額最高，市場占有率在 33%以上。本土 12 英寸晶圓廠清洗設備主要來自 DNS、盛美、LAM、TEL。海外廠商憑借可選配腔體數、每小時晶

107、圓產能、制程節點上領先等優勢，占據全球清洗設備市場壟斷地位。2023 年全球半導體清洗設備 DNS、TEL、LAM、SEMES 分別占比 37%、22%、17%、10%，中國廠商起步相對較晚，市占率較低，盛美上海占比 7%，排名第五，國產替代空間仍然廣闊。圖表48：2023 年全球半導體清洗設備市場企業競爭格局 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 制程技術提升，帶動半導體清洗設備廣泛應用。制程技術提升，帶動半導體清洗設備廣泛應用。隨著存儲器技術將從二維轉向三維架構，進入 3D 時代，立體層數增加，堆疊層數也由 32 層、64 層向 128 層發展，半導體器件集成度不斷提升，對晶圓表面污染物的控

108、制要求不斷提高，每一步光刻、刻蝕、沉積等重復性工序后，都需要清洗工序，帶動半導體清洗設備廣泛應用，清洗步驟約占所有芯片制造工序步驟的 30%以上。技術創新驅動智能化、高效能、環?；l展。技術創新驅動智能化、高效能、環?；l展。近年來，清洗設備技術經歷了從傳統濕法到干法清洗的重大轉變，呈現出智能化、高效能和環?；内厔?。SAPS+TEBO+Tahoe等核心技術的出現，顯著提升清洗設備的性能和效率，同時，隨著全球環境保護意識的提高，企業將開發使用更少化學藥品、更低能耗、更易回收處理的清洗技術，減少環境影響。隨著全球半導體技術的不斷進步，清洗設備需要具備更強的處理能力和更高的潔凈度，適應更高級別的潔

109、凈要求和更小的特征尺寸要求。國產替代進程加速，國產化率提升。國產替代進程加速，國產化率提升。目前，全球半導體清洗設備市場海外廠商占據主導地位，市場集中度較高。DNS、TEL、Lam、SEMES 等海外巨頭清洗設備多采用旋轉噴淋技術，國內設備廠商主要采取差異化路線，積極研發兆聲波、二流體等技術，并積極布局先進封裝清洗設備，在全球競爭力得以不斷提升，隨著國內企業核心技術和工藝能力的提升，以及政府的政策支持和資金投入，國產半導體清洗設備有望在未來實現顯著的市場替代，減少對國外技術的依賴。37%22%17%10%14%DNSTELLAMSEMES其他2025 04 17年 月 日 gszqdatema

110、rk P.33 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.7 CMP 拋光設備：全局納米級平坦化關鍵，國產設備升級迭代拋光設備：全局納米級平坦化關鍵，國產設備升級迭代 CMP 設備主要用于晶圓的全局平坦化處理，是半導體制造的關鍵設備之一。設備主要用于晶圓的全局平坦化處理，是半導體制造的關鍵設備之一。CMP 主要通過化學腐蝕與機械研磨相結合的方法，去除晶圓表面多余材料，以實現納米級的全局平坦化效果。在芯片制造過程中，每一層電路都需要通過 CMP 工藝確保表面平整，以保障后續的刻蝕或沉積工藝的順利進行。根據應用端需求，可分為 8 英寸 CMP 設備、12英寸 CMP 設備和 6/8 英

111、寸兼容 CMP 設備。圖表49：CMP 平坦化效果圖（CMOS 結構剖面圖）資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 CMP 設備主要由晶圓傳輸單元、拋光單元和清洗單元三大主要模塊組成。設備主要由晶圓傳輸單元、拋光單元和清洗單元三大主要模塊組成。晶圓傳輸單元主要由前端模組、晶圓傳輸手等部件組成。其中，前端模組負責與晶圓搬運系統對接，將晶圓搬運至機臺內進行加工。晶圓傳輸手負責晶圓在各單元內部及不同加工工位之間的傳輸。拋光單元利用化學腐蝕與機械研磨的協同配合，通過夾持晶圓的研磨頭和研磨墊之間的相對運動來實現晶圓表面平坦化。利用研磨墊和晶圓之間滴入研磨液的化學成分產生的腐蝕作用，及研磨液顆粒產生

112、的機械摩擦力去除晶圓表面的多余材料，實現晶圓全局平坦化。清洗單元一般包含兆聲清洗模組、刷洗模組及干燥模組等，兆聲清洗模組利用兆聲波能量及化學液的腐蝕作用實現大顆粒的去除；刷洗模組利用清洗化學品的腐蝕和機械刷洗雙重作用去除晶圓表面的強附著力顆粒，并用超純水沖洗殘留的沾污；干燥模組通過高速旋轉產生的離心力，異丙醇溶劑產生的馬蘭戈尼效應去除晶圓表面的水漬，實現晶圓干燥。圖表50：晶圓傳輸單元工作原理 資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.34 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表51：拋光單元工作原理 圖表52：

113、清洗單元工作原理 資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 CMP 設備廣泛應用于半導體產業鏈中晶圓材料制造、半導體制造、封裝測試環節。設備廣泛應用于半導體產業鏈中晶圓材料制造、半導體制造、封裝測試環節。半導體產業鏈可分為晶圓材料制造、半導體設計、半導體制造、封裝測試四大環節。其中，晶圓材料制造過程主要可分為拉晶、切割、研磨、拋光、清洗等，在拋光環節需應用 CMP設備得到平整的晶圓材料；半導體制造環節中的 CMP 工藝環節是 CMP 設備最主要的應用場景；在封裝測試環節，CMP 設備主要應用于先進封裝測試環節，其中 TSV 技術、2.5D 轉接

114、板、3D IC 等環節應用到大量 CMP 工藝。圖表53：晶圓材料制造環節示意圖 資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 圖表54：半導體制造環節示意圖 圖表55：先進封裝測試環節示意圖 資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：晶亦精微招股說明書，國盛證券研究所 全球全球 CMP 市場規?？傮w呈增長趨勢。市場規?？傮w呈增長趨勢。根據 SEMI 數據，2017 年、2018 年，全球 CMP設備的市場規模分別為 22.65 億美元及 25.82 億美元，同比增速分別為 29.36%及14.00%，市場規模呈現快速增長趨勢；2019 年及 2020 年，受全球半導體景氣度下滑

115、影響，CMP 設備市場規模有所下降；2021 年，隨著半導體行業景氣度回暖，全球 CMP 設備市場規模迅速回升，根據 research and markets，2024 年達到 32 億美元。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.35 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 全球全球 CMP 設備市場處于高度壟斷狀態。設備市場處于高度壟斷狀態。根據 Gartner 數據，全球 CMP 設備市場主要由美國應用材料和日本荏原占據，全球市場占有率超 90%，尤其在 14nm 以下先進制程工藝產線上使用的 CMP 設備主要由美國應用材料和日本荏原兩家國際巨頭提供。中國

116、大陸2022 年 CMP 設備市場規模達 6.66 億美元，但絕大部分高端 CMP 設備仍然依賴于進口，國產化空間廣闊。芯片集成度提高，芯片集成度提高，CMP 設備重要性凸顯。設備重要性凸顯。隨著多層金屬化技術在半導體制造工藝的應用，各種工藝層被刻蝕成圖形，晶圓表面高低起伏，呈現出不同的反射性質，難以達到良好的分辨率，同時電路電阻值增高，穩定性下降。而化學機械拋光技術具備優秀的全局平坦化能力、廣泛的適用性及低成本特點，逐漸成為半導體制造過程中的主流平坦化技術，在半導體制造中的重要性日益凸顯。晶圓尺寸擴大及芯片制程縮小和內部結構復雜化，推動晶圓尺寸擴大及芯片制程縮小和內部結構復雜化，推動 CMP

117、 設備高精密化、高集成化設備高精密化、高集成化發展。發展。一方面，芯片制程由 1965 年-1995 年的 12m-0.35m，發展到 2005 年-2015年 65nm-28nm，目前已實現 3nm，且仍在向更先進制程發展；另一方面，主流晶圓尺寸已由 4 英寸、6 英寸發展至現階段 8 英寸、12 英寸；此外，芯片內部結構也日趨復雜，存儲芯片領域，堆疊層數層數持續增加。芯片制程的縮減、晶圓尺寸的增長以及芯片內部結構的復雜化，對半導體制造環節中 CMP 設備的平坦化效果、控制精度、系統集成度提出了越來越高的要求，推動 CMP 設備向高精密化與高集成化方向發展。2025 04 17年 月 日 g

118、szqdatemark P.36 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.8 半導體測試設備：國產高端半導體測試設備：國產高端 SOC、存儲測試即將放量、存儲測試即將放量 測試是半導體檢測重要一環，測試是半導體檢測重要一環，應用于上游設計、下游封測環節中，目的是檢查芯片的性能是否符合要求，是一種電性、功能性的檢測，用于檢查芯片是否達到性能要求。后道測試關注的是在所有晶圓工藝完成后芯片的各種電性功能，主要可以分為 CP晶圓測試、FT 芯片成品測試兩個環節。1）CP 晶圓測試：通過探針扎取芯片，將各類信號輸入進芯片，通過抓取芯片的輸出響應，計算、測試晶圓的性能。該環節發生在晶圓完成后

119、、封裝前，主要任務為挑揀出不合格裸片，統計晶圓上的管芯合格率、不合格管芯的確切位置，最終反映出晶圓的制造良率。CP 晶圓測試環節主要使用的設備為探針臺、測試機。晶圓測試環節主要使用的設備為探針臺、測試機。2）FT 芯片成品測試：FT 測試即為終測，由于經歷后道工序電路有損壞風險，因此在封裝后要根據測試規范對電路成品進行全面性能檢測。該環節發生在芯片封裝后，主要任務為挑選出合格的成品電路，根據器件性能的參數指標進行分級，并記錄各級的器件數以及各種參數的統計分布情況。FT 芯片成品測試環節主要使用的設備為分選機、測試芯片成品測試環節主要使用的設備為分選機、測試機。機。圖表56：測試環節及所需設備類

120、型 資料來源：華峰測控招股說明書，國盛證券研究所 測試機價值量占比超測試機價值量占比超 60%。半導體測試設備主要包括測試機、探針臺和分選機。測試機用于檢測芯片功能和性能，探針臺與分選機實現被測晶圓/芯片與測試機功能模塊連接。在半導體晶圓制造和封裝測試中都需使用到測試設備。根據 SEMI 數據，在測試設備中測試機、分選機和探針臺的價值量分別為 63%、17%和 15%。圖表57：2023 年后道測試設備細分占比 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 63%17%15%5%測試機分選機探針臺其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.37 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本

121、報告末頁聲明 根據測試對象的不同，測試機可分為 SoC 測試機、模擬測試機、存儲器測試機、分立器件測試機和射頻測試機。根據 FROST&SULLIVAN 數據，2022 年全球測試機市場中 SoC、存儲、模擬、分立器件、RF測試機市場規模占比分別為 62.5%/17.1%/14.1%/5.3%/1.3%。圖表58：2022 年全球半導體測試機細分占比 圖表59：2022 年中國半導體測試機細分占比 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 2027 年全球半導體測試設備市場規模年全球半導體測試設備市場規模有望達有望達 106

122、.8 億美元億美元。根據 FROST&SULLIVAN數據，半導體測試設備市場以 21.5%的年復合增長率，從 2016 年的 23.5 億美元增長至2022 年的 75.8 億美元。盡管預計將在 2023 年經歷短暫波動，其仍將以 10.7%的整體年復合增長率，從 2023 年的 71.0 億美元增長至 2027 年的 106.8 億美元。圖表60：全球半導體測試設備市場規模預測（億美元）圖表61：中國半導體測試設備市場規模及預測（億元）資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 2027 年全球測試機市場規模有望達年全球測

123、試機市場規模有望達 65.7 億美元，其中億美元，其中 SOC 測試機達測試機達 41 億美元。億美元。受益于下游汽車電子、微處理器、邏輯芯片、通信芯片等領域發展，根據 FROST&SULLIVAN數據，2027 年測試機、分選機、探針臺全球市場規模有望達 65.7/24.6/16.6 億美元，其中中國市場規模達 165.8/56.1/45.5 億元。細分測試機來看，全球 SOC 測試機市場規模預計將從 2023 年的 27.5 億美元增長至 2027 年的 41.0 億美元，CARG 達 10.5%，中國SOC 測試機市場規模預計于 2023 年至 2027 年間以 10.7%的年復合增長率

124、增長，2027年達到 104.3 億元。63%17%14%5%1%SOC測試機存儲測試機模擬測試機分立器件測試機射頻測試機63%16%14%6%1%SOC測試機存儲測試機模擬測試機分立器件測試機射頻測試機-10%0%10%20%30%40%50%020406080100120測試設備YoY-10%0%10%20%30%40%50%020406080100120140160180測試設備YoY2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.38 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表62：全球半導體測試細分設備市場規模（億美元）圖表63：中國半導體測試細分設備市場規

125、模（億元）資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 圖表64：全球半導體測試機細分市場規模（億美元）圖表65：中國半導體測試機細分市場規模（億元）資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 海外巨頭壟斷國內外市場。海外巨頭壟斷國內外市場。從半導體測試設備整體來看，全球半導體設備主要由泰瑞達和愛德萬壟斷。從細分領域來看，測試機市場主要有泰瑞達和愛德萬，探針臺為 TEL 等，分選機領域，主要有科休、愛德萬和長川科技等。從中國大陸市場情況來看，中國半導體測試機市場

126、 2022 年泰瑞達和愛德萬合計占 68%，其中 SOC 測試機市場泰瑞達和愛德萬合計占 78%。圖表66：2022 年中國半導體測試機市場格局 圖表67：2022 年中國 SOC 測試機市場格局 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 資料來源：FROST&SULLIVAN，國盛證券研究所 020406080100120測試機探針機分選機050100150200250300測試機探針機分選機010203040506070SOC測試機存儲測試機模擬測試機分立器件測試機射頻測試機050100150200SOC測試機存儲測試機模擬測試機分立器件測試機射頻測試機50%18%8%6%5

127、%13%愛德萬泰瑞達致茂電子華峰測控長川科技其他60%18%6%16%愛德萬泰瑞達致茂電子其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.39 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.9 國產設備廠商進展梳理國產設備廠商進展梳理 1.9.1 北方華創：北方華創：國產半導體裝備脊梁，打造平臺型龍頭國產半導體裝備脊梁，打造平臺型龍頭 營收高增，營收高增，盈利能力持續優化盈利能力持續優化。北方華創 2024 年 Q1-Q3 實現營業收入 204 億元，同比增長 39.5%，主要系電子工藝裝備收入同比增長 46.96%；實現歸母凈利潤 45 億元，同比增長 54.7%，

128、主要系電子工藝備收入高速增長疊加費用率下降；毛利率達到 44.2%。2019-2023 年，公司營收及歸母凈利潤 CAGR 分別達 52.7%，88.5%，實現業績高速發展。根據公司 2024 年度業績預告，公司預計 2024 年實現營收 276.0-317.8 億元，同比增長 25.0%-43.9%，預計實現歸母凈利潤 51.7-59.5 億元，同比增長 32.6%-52.6%。單季度來看，24Q4 預計實現營收中值為 93.4 億元，同比增長 24.6%，預計實現歸母凈利潤中值 11.0 億元，同比增長 8.1%。圖表68：北方華創公司營收情況 圖表69：北方華創公司歸母凈利潤情況 資料來

129、源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 產品矩陣日益豐富，技術創新引領發展。產品矩陣日益豐富，技術創新引領發展。1）Accura LX 設備：公司推出 12 英寸電容耦合等離子體介質刻蝕機 Accura LX，主要覆蓋邏輯領域多個技術節點中以 AIO（雙大馬士革刻蝕工藝）、Contact（接觸孔）為代表的關鍵介質刻蝕制程，工藝性能已優于當前行業指標，可以用于存儲、CIS、功率半導體等多個領域，應用前景廣闊；2）Cygnus 系列產品：交付 Cygnus 系列 12 英寸 PECVD 設備，采用多站位多步沉積工藝方式可實現高均勻性、高產能，工藝一致性更好、可靠性更高，解

130、決了大翹曲硅片的傳輸和工藝均勻性難題，可適用于 2.5D/3D 三維器件工藝的介質薄膜生長；3）絕緣介質填充工藝技術：公司自主研發的 12 英寸 HDPCVD 設備 OrionProxima 正式進入客戶端驗證，標志著在絕緣介質填充工藝技術上實現了新的突破，通過沉積-刻蝕-沉積的工藝方式可以有效完成對高深寬比溝槽間隔的絕緣介質填充。國產半導體設備龍頭，平臺化布局持續推進。國產半導體設備龍頭，平臺化布局持續推進。公司作為半導體設備龍頭，擁有豐富的產品體系，在高端電子工藝裝備及精密電子元器件兩大主業板塊持續保持國內領先地位。公司深耕 ICP 刻蝕技術二十余年，多晶硅及金屬刻蝕系列 ICP 設備實現

131、規?；瘧?，完成多道核心工藝開發和驗證。同時，著力進行介質刻蝕設備研發，實現了邏輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋。公司為國內 PVD 工藝裝備技術先行者，截至2023 年底，已推出 40 余款 PVD 設備，累計出貨超 3500 腔，并布局拓展 DCVD 和 MCVD兩大系列產品，高端新品頻出。12 英寸高介電常數原子層沉積設備 Scaler HK430 實現穩定量產，高端設備賽道注入新動力。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，研發不及預期。0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%70.0%0.050.0100.0150.0200.025

132、0.0營收（億元）yoy0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0%140.0%0.05.010.015.020.025.030.035.040.045.050.0歸母凈利潤（億元）yoy2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.40 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.9.2 中微公司：中微公司：國產刻蝕國產刻蝕+MOCVD 龍頭，加速打造高端裝備平臺龍頭，加速打造高端裝備平臺 業績高速增長，盈利水平呈上升趨勢。業績高速增長，盈利水平呈上升趨勢。公司 2024 年前三季度營收 55.07 億元，同比上升 36.27%，實現歸母

133、凈利潤 9.13 億元，同比下降 21.28%，毛利率水平自 2019 年的34.93%上升至 2024 前三季度的 42.22%，較 2023 年略有下降，主要系公司顯著加大研發投入；24Q3 實現營收 20.59 億元，同比增長 35.96%，實現歸母凈利潤 3.96 億元，同比增長152.63%，根據公司2024年業績快報，2024年營收約90.65億元，yoy+44.73%，營收增長主要系公司的刻蝕設備及薄膜設備持續獲得眾多客戶的認可，高端產品新增付運量及銷售額顯著提升。全年歸母凈利潤 16.26 億元，yoy-8.93%，主要系大幅加大研發投入，且 2023 年公司出售了持有的部分拓

134、荊科技股份有限公司股票，產生稅后凈收益約 4.06 億元。圖表70：中微公司營收及同比增速（億元）圖表71：中微公司歸母凈利潤及同比增速（億元）資料來源：IFinD，國盛證券研究所 資料來源：IFinD，國盛證券研究所 新品迭出，持續研發保駕護航。新品迭出，持續研發保駕護航。1）Primo UD-RIE：公司針對超高深寬比刻蝕自主開發了具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 Primo UD-RIE，已在生產線驗證出具有刻蝕60:1 深寬比結構量產能力，可適用于 DRAM 和 3D NAND 器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝；2）Primo SD-RIE：公司開發了可調節電極間距的 CCP 刻

135、蝕機 Primo SD-RIE 可通過動態調節電極間距以及多區調溫靜電吸盤對的溫度來達到最優的刻蝕均勻性，有效應對大馬士革刻蝕工藝需求；3）薄膜沉積設備：推出自主研發的 12 英寸高深寬比金屬鎢沉積設備 Preforma Uniflex HW 以及 12 英寸原子層金屬鎢沉積設備 Preforma Uniflex AW，為各類器件芯片中超高深寬比及復雜結構金屬鎢填充提供了高性價比、高性能的解決方案。圖表72：中微公司 Preforma Uniflex HW 設備 圖表73：中微公司 Preforma Uniflex AW 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 資料來源：中微公司官網，國

136、盛證券研究所 深耕半導體設備領域，市場空間廣闊。深耕半導體設備領域，市場空間廣闊。公司深耕半導體設備領域，在半導體設備制造產業擁有多年耕耘積累的專業技術，致力于引領國內半導體設備技術發展。受益于先進芯0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%0.010.020.030.040.050.060.070.02019202020212022202324Q1-Q3營業總收入yoy-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0%140.0%160.0%180.0%0.02.04.06.08.010.012.014.016.018.

137、020.02019202020212022202324Q1-Q3歸母凈利潤yoy2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.41 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 片制程向更先進工藝的方向發展、NAND 垂直化發展，刻蝕設備、薄膜沉積設備等需求比例進一步加大，同時 Mini/Micro LED 和第三代功率器件終端市場滲透提升，MOCVD 需求有望提升。公司的等離子體刻蝕設備已批量應用在國內外一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線，并覆蓋了多種先進工藝芯片加的工制造和封裝環節。同時，公司注重研

138、發創新，開發的 CCP、ICP、薄膜沉積設備、深硅刻蝕機、MOCVD 等五類設備均達到國際先進水平。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產品進展不及預期。1.9.3 拓荊科技：深耕國產薄膜沉積設備領域，產品覆蓋度及出貨量快速提升拓荊科技：深耕國產薄膜沉積設備領域，產品覆蓋度及出貨量快速提升 營收高速增長。營收高速增長。拓荊科技 24Q1-Q3 實現營收 22.8 億元，yoy+33.8%，實現歸母凈利潤2.7 億元，yoy+0.1%，毛利率 43.6%。前三季度公司營收穩步提升，主要系持續高強度研發投入，新產品及新工藝機臺在客戶端驗證取得了突破性進展，且公司多款基于新型設備平臺

139、（PF-300M 和 PF-300T Plus）及新型反應腔（Supra-D）開發的工藝設備實現收入確認。公司 24 年前三季度研發投入達 4.81 億元，yoy+35.73%。圖表74：2018-2024 營業收入及同比增速 圖表75：2018-2024 歸母凈利潤及同比增速 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 加速新品推出，夯實核心競爭力。加速新品推出，夯實核心競爭力。1）超高深寬比溝槽填充 CVD 設備：公司自主研發并推出的超高深寬比溝槽填充 CVD 產品，可在晶圓表面沉積高品質介電薄膜材料，經固化及氧化等處理工藝后，可達到完全填充間隙而不留下孔洞和縫

140、隙的效果，首臺已通過客戶驗證，實現了產業化應用，并獲得客戶重復訂單。2）PECVDBianca 設備：主要應用于集成電路制造過程中對晶圓翹曲的糾正以及晶圓背面保護，可應用于存儲領域及邏輯領域，已通過客戶驗證并實現了產業化應用，截至 2024 年上半年末，累計超過 25 個反應腔獲得訂單，部分反應腔已出貨至客戶端。布局混合鍵合設備，開辟第二成長曲線。布局混合鍵合設備，開辟第二成長曲線。隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）應用的擴展，以及對計算能力、內存帶寬和能源效率的需求持續提升，先進封裝技術在半導體行業的重要性日漸顯現，同時，受 AI、HPC、汽車及 AIPC 等新興應用需求推動，全球先

141、進封裝市場增長迅速。面對新的技術趨勢和市場需求，公司前瞻布局，推出了應用于晶圓級三維集成領域的混合鍵合（Hybrid Bonding）設備產品系列。面向三維集成應用領域，形成了晶圓高速高精度對準技術、混合鍵合實時對準技術。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場開拓不及預期，產品研發不及預期。0.7 2.5 4.4 7.6 17.1 27.0 41.0 0.0%50.0%100.0%150.0%200.0%250.0%300.0%0.05.010.015.020.025.030.035.040.045.02018201920202021202220232024營收（億元）yoy-1.0-0.

142、2-0.1 0.7 3.7 6.6 6.9-800.0%-600.0%-400.0%-200.0%0.0%200.0%400.0%600.0%-2.0-1.00.01.02.03.04.05.06.07.08.02018201920202021202220232024歸母凈利潤（億元）yoy2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.42 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.9.4 中科飛測：量檢測設備領軍企業，多品類布局中科飛測：量檢測設備領軍企業，多品類布局 營業收入持續高增，半導體檢測與量測設備業務顯著增長。營業收入持續高增，半導體檢測與量測設備業務顯

143、著增長。中科飛測 2024 年實現營業收入 13.8 億元，同比增長 54.9%，半導體行業收入 13.2 億元，同比增長 55.1%，其中公司檢測設備實現收入 9.9 億元，同比增長 50.5%，量測設備實現收入 3.61 億元，同比增長 62.9%，營收的增長主要得益于公司在核心技術上的突破和產品種類的豐富，以及國內半導體檢測與量測設備市場的高速發展，客戶群體覆蓋度進一步擴大，客戶訂單量持續增長。歸母凈利潤-0.1 億元，主要系公司進一步加大新產品及現有產品向更前沿工藝的迭代升級等方面的研發投入，研發投入同比增長 118.17%；公司制定并實施了 2024 年限制性股票激勵計劃，股份支付費

144、用增加。半導體行業毛利率達到 49.2%，較上年增長 0.70 個百分點。新產品進展順利，向前沿工藝領域推進。新產品進展順利，向前沿工藝領域推進。1）明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備：已有小批量出貨，出貨客戶覆蓋了國內頭部的邏輯、存儲客戶，客戶端測試反饋進展順利；2）暗場納米圖形晶圓缺陷檢測設備：已實現了設備出貨，收益于在無圖形晶圓缺陷檢測設備領域長期的技術積累和技術領先的優勢，公司出貨設備成熟度較高，未來進展預計比較順利；3）OCD 設備：客戶端驗證結果良好，各項性能指標均滿足客戶要求；4）其他已量產的幾大系列設備都在向更前沿工藝領域推進，公司應用在最前沿工藝的圖形晶圓缺陷檢測設備、薄膜膜厚量測

145、設備以及套刻精度量測設備也都已經實現多臺的出貨。圖表76：明場納米圖形晶圓缺陷檢測設備 圖表77：暗場納米圖形晶圓缺陷檢測設備 資料來源：中科飛測公司官網，國盛證券研究所 資料來源：中科飛測公司官網，國盛證券研究所 專注高端半導體質量控制領域，核心技術達國際領先水平。專注高端半導體質量控制領域，核心技術達國際領先水平。公司作為量檢測設備領軍企業，在多項半導體質量控制設備關鍵核心技術上達到國際領先水平，并形成了一系列提升高端半導體制造良率的軟件產品。九大系列設備面向全部種類集成電路客戶需求，其中六大系列設備已經在國內頭部客戶批量量產應用，技術指標全面滿足國內主流客戶工藝需求，另三大系列設備均已完

146、成樣機研發，并出貨開展產線工藝驗證和應用開發。三大系列智能軟件已全部應用于國內頭部客戶，并不斷提高不同應用領域覆蓋度，結合質量控制設備產品組合，有效地提升半導體制造良率和產品性能。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，客戶導入不及預期。1.9.5 精測電子：前后道半導體檢測設備布局完備精測電子：前后道半導體檢測設備布局完備 營收穩步增長。營收穩步增長。公司 24 年 Q1-Q3 實現營業收入 18.3 億元，同步增長 18.5%，其中第三季度營收 7.1 億元，同比增長 63.4%，其中顯示板塊實現銷售收入 12.7 億元，同比增長20.5%；半導體板塊實現銷售收入 4.1 億元

147、，同比增長 95.3%；新能源板塊實現銷售收2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.43 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 入 1.2 億元，同比減少 51.5%；前三季度實現歸母凈利潤 0.8 億元，同比增長 752.6%，第三季度歸母凈利潤 0.3 億元，同步增長 231.3%。注重研發投入，產品研發持續取得突破。注重研發投入，產品研發持續取得突破。1）Micro-OLED 檢測：Micro-OLED 檢測領域與全球頂尖客戶取得突破性進展，成為國內首屈一指進入 Micro-OLED cell 段檢測方案提供商，在 Micro-OLED 模組檢測端也與全

148、球頂尖客戶達成合作并已完成部分交付；2）Pancake AOI光學系統：與全球頂尖客戶合作Pancake AOI光學系統及算法并成功導入；3）智能和精密光學儀器領域：主力產品色彩分析儀、單點光譜儀、光譜共聚焦儀、成像式閃爍頻率測儀、成像式亮度色度儀、AR/VR 測量儀等核心產品打破國外壟斷，陸續取得研發、產品突破，獲得了國內外核心客戶重復批量訂單，已實現較大規模銷售。半導體檢測設備領域領軍企業，核心產品覆蓋廣泛。半導體檢測設備領域領軍企業，核心產品覆蓋廣泛。公司在顯示測試領域綜合競爭力以及行業地位持續提高，是國內半導體檢測設備領域領軍企業之一，核心產品已覆蓋先進制程，膜厚產品、OCD 設備以及

149、電子束缺陷復查設備已取得先進制程重復性訂單，新能源領域相關產品研發工作取得重要進展，部分產品已通過目標客戶認證并實現大規模銷售，半導體、新能源領域已成為公司經營業績的重要支撐。同時，在新型顯示以及智能和精密光學儀器領域取得明顯進展，并進一步拓展新型顯示領域 AR/VR 產業相關業務的發展。Micro-OLED 成為國內首屈一指進入 Micro-OLED cell 段檢測方案提供商，在 Micro-OLED 模組檢測端與全球頂尖客戶達成合作并已完成部分交付。圖表78：DRAM 高速老化測試系統 圖表79：存儲器高速老化測試系統 資料來源：精測電子公司官網，國盛證券研究所 資料來源：精測電子公司官

150、網，國盛證券研究所 風險提示：風險提示：產品研發不及預期，市場競爭加劇，供應鏈安全。1.9.6 芯源微：國產涂膠顯影設備芯源微：國產涂膠顯影設備龍頭，浸沒式機臺進展順利龍頭，浸沒式機臺進展順利 國產涂膠顯影設備龍頭，營收穩健增長。國產涂膠顯影設備龍頭，營收穩健增長。芯源微產品主要包括光刻工序涂膠顯影設備、單片式濕法設備，目前已形成前道涂膠顯影設備、前道清洗設備、后道先進封裝設備、化合物等小尺寸設備四大業務板塊，產品已完整覆蓋前道晶圓加工、后道先進封裝、化合物半導體等多個領域。根據公司業績快報，2024 年實現營收 17.7 億元，yoy+3.1%，實現歸母凈利潤 2.11 億元，yoy-15.

151、9%，單季來看，24Q4 公司實現營收 6.65 億元，yoy+30.35%，qoq+61.9%，實現歸母凈利潤 1.03 億元，yoy+239.7%，qoq+227.8%。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.44 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表80：芯源微產品布局情況 資料來源：芯源微公司公告，國盛證券研究所 四大業務板塊齊頭并進。四大業務板塊齊頭并進。前道涂膠顯影設備方面，公司作為目前國內唯一可提供量產型前道涂膠顯影機的廠商，目前已完成在前道晶圓加工環節 28nm 及以上工藝節點的全覆蓋，并可持續向更高工藝等級迭。前道清洗設備方面，公司戰略

152、性新產品前道化學清洗機具有高工藝覆蓋性、高穩定性、高潔凈度、高產能等多項核心優勢，可適配高溫 SPM工藝，整體工藝覆蓋率達 80%以上，前道物理清洗設備可廣泛應用于國內 28nm 及以上工藝制程的晶圓制造領域。后道先進封裝設備方面，公司后道涂膠顯影設備主要應用于先進封裝技術 BGA、Flip-Chip、WLCSP、CSP、2.5D、3D 等涂膠顯影工藝，可實現高黏度 PR、PI 涂敷及多種顯影工藝，公司提前布局自主研發的全自動臨時鍵合及解鍵合機，針對 Chiplet 技術解決方案，可應用于 InFO、CoWoS、HBM 等 2.5D、3D 技術路線產品?；衔锏刃〕叽缭O備方面，主要應用于 4-

153、8 寸晶圓工藝，產品包括涂膠顯影機、清洗機、去膠機等濕法類設備及 SiC 劃裂片設備。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，設備迭代進展不及預期。1.9.7 華海清科：國內華海清科：國內 CMP 設備領導者，內生外延拓寬設備布局設備領導者，內生外延拓寬設備布局 公司 2024 年前三季度實現營業收入 24.5 億元，同比增長 33.2%；實現歸母凈利潤 7.2億元，同比增長 27.8%。其中，第三季度實現營業收入 9.6 億元，同比增長 57.6%；歸屬于上市公司股東的凈利潤 2.9 億元，同比增長 51.7%。公司業績增長主要得益于集成電路產業需求拉動，CMP 產品市場占有率提

154、升，以及關鍵耗材與維保服務等業務規模擴大，同時晶圓再生及濕法裝備收入逐步增加，公司營業收入較同期增長。CMP 設備市占率持續提升，持續研發技術創新。設備市占率持續提升，持續研發技術創新。1）全新拋光系統架構 CMP 機臺UniversalH300：已實現小批量出貨，并獲得多家頭部客戶的批量銷售訂單；2）VersatileGP300：12 英寸超精密晶圓減薄機，已于 2024 年第三季度實現首臺驗證；3）VersatileGM300：面向封裝領域的晶圓減薄貼膜一體機，已發往國內頭部封測企業進行驗證，目前驗證順利；4）12 英寸晶圓邊緣切割裝備：滿足集成電路、先進封裝等制造工藝，已發往多家客戶進行

155、驗證；5）清洗裝備：公司自主研發的清洗裝備已批量用于公司晶圓再生生產，應用于 4/6/8 英寸化合物半導體的刷片清洗裝備和 12 英寸單片終端清洗機已實現首臺驗收，清洗產品進展順利。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.45 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表81：CMP 機臺 UniversalH300 資料來源：華海清科公司官網，國盛證券研究所 市場需求提升，核心產品關鍵性凸顯。市場需求提升，核心產品關鍵性凸顯。AI、高性能計算等領域快速發展，對芯片性能和功耗的要求不斷提高，2.5D/3D 封裝、HBM 等先進封裝技術和工藝成為未來發展的重要方向

156、。公司主打產品 CMP 裝備、減薄裝備，及近期推出的劃切裝備、邊緣拋光裝備和濕法裝備均是芯片堆疊技術、先進封裝技術的關鍵核心裝備。隨著先進封裝行業發展，先進封裝產線每萬片對公司產品的需求量較傳統產線將大幅提升，公司產品將會獲得更廣泛的應用。公司密切關注國內技術發展，與頭部客戶開展深度合作，積極把握發展機遇。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，市場開拓不及預期。1.9.8 華峰測控：立足模擬、數?；旌显O備，數字測試設備進展順利華峰測控：立足模擬、數?；旌显O備，數字測試設備進展順利 業績企穩回升，毛利率穩步增長。業績企穩回升，毛利率穩步增長。2024 年公司實現營業收入 9.1 億

157、元，同比增長 31.1%，其中測試系統收入為 8.1 億元，同比增長 37.52%；實現歸母凈利潤 3.34 億元，同比增長 32.69%；半導體器件專用設備制造，毛利率達 73.4%，同比增加 2.08 個百分點。主要系半導體行業呈現溫和復蘇良好態勢，國內經濟逐步企穩，下游市場需求隨之增長，帶動營業收入和利潤同步增長。新品進展順利，積極推進全球化戰略布局。新品進展順利，積極推進全球化戰略布局。1）STS8600：公司全新一代測試系統-STS8600 已經進入了客戶驗證階段，該測試系統擁有更多測試通道數以及更高的測試頻率，進一步完善了公司產品線，拓寬了公司產品可測試范圍。2）全球化戰略布局：日

158、本全資銷售與服務公司正式投入運營，標志著公司在東亞市場的服務能力邁上新臺階；馬來西亞工廠（檳城）正式啟用，進一步鞏固了公司在東南亞的生產與服務基地；美國子公司在美國加州硅谷地區正式開業，為北美市場客戶提供更智能、高效的測試解決方案。產品布局豐富，覆蓋領域廣泛。產品布局豐富，覆蓋領域廣泛。公司主營業務為半導體自動化測試系統的研發、生產和銷售，主要用于模擬、數?；旌?、分立器件和功率模塊等集成電路的測試，實現了模擬及混合信號類半導體自動化測試系統的進口替代，并不斷拓展在氮化鎵、碳化硅以及IGBT 等功率分立器件和功率模塊類半導體測試領域的覆蓋范圍。公司的全新一代測試系統-STS8600 已經進入了客

159、戶驗證階段，進一步完善了公司的產品線，拓寬了公司產品的可測試范圍。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，供應鏈安全。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.46 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.9.9 長川科技：后道測試設備平臺化布局，長川科技：后道測試設備平臺化布局，SOC 產品放量產品放量 市場回暖，營收及利潤水平同步高增。市場回暖，營收及利潤水平同步高增。公司 2024 年 Q1-Q3 實現營業收入 25.4 億元，同比增長 109.7%；實現歸母凈利潤 3.6 億元，同比增長 26858.8%。業績增長主要得益于市場回暖、銷售需

160、求提升，以及公司銷售規模的大幅增長。單季度看，2024 年第三季度，實現營業收入10.1億元，同比增長125.5%；實現歸母凈利潤1.4億元，同比增長844.1%。后道測試設備平臺化布局，產品線日趨完善。后道測試設備平臺化布局，產品線日趨完善。1）測試系統：測試機業務收入占總收入比例較大，包括大功率測試機、模擬測試機、數字測試機等；2）分選機：包括重力式分選機、平移式分選機、測編一體機，產品線豐富，2023 年完成對長奕科技的收購，進一步豐富了塔式分選機產品線，提升了公司在分選機市場的競爭力；3）AOI 光學檢測設備：包括晶圓光學外觀檢測設備、電路封裝光學外觀檢測設備等，技術領先，國際客戶資源

161、豐富。核心性能指標領先，市場競爭力較強。核心性能指標領先，市場競爭力較強。公司主要銷售產品包括測試機、分選機、自動化設備及 AOI 光學檢測設，并重點開拓了探針臺、數字測試機產品、三溫分選機、AOI 光學檢測設備等相關封測設備，產品覆蓋測試機、探針臺和分選機三大塊主要測試設備。公司測試機和分選機在核心性能指標上已達到國內領先、接近國外先進水平，且具備較高的性價比優勢，在市場上具有較強的競爭力。圖表82：D9000 SoC 測試機 資料來源：長川科技公司官網，國盛證券研究所 風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產線導入不及預期。1.9.10 芯芯碁微微裝裝：國產直寫光刻設備龍頭，

162、泛半導體打開增量空間：國產直寫光刻設備龍頭，泛半導體打開增量空間 業績持續增長，盈利能力穩步提升。業績持續增長，盈利能力穩步提升。公司 2024 年 Q1-Q3 實現營業收入 7.2 億元，同比增長 37.1%，主要得益于市場開拓力度加大、產品線豐富及中高端產品布局的推進；歸母凈利潤 1.6 億元，同比增長 30.9%，公司通過精細化管理提升了運營效率，有效控制了成本，促進了凈利潤的增長。單季度來看，2024Q3 實現營業收入 2.7 億元，同比增長30.9%；歸母凈利潤 0.5 億元，同比增長 18.6%。持續新品研發，開拓技術創新。持續新品研發，開拓技術創新。1)先進封裝：晶圓級封裝 WL

163、P2000 設備技術已較成熟，除了 WLP 晶圓級封裝，公司在 PLP 板級封裝也有相應布局，應用面將會更加廣闊；2)鉆孔設備：激光鉆孔系列目前已有陸續出貨，技術進展順利，鉆孔設備市場需求較大，國產化率很低，公司將加大產品市場推廣力度；3)新品鍵合產品：公司鍵合設備可實現熱壓鍵合，目前支持最大晶圓尺寸為 8 英寸，采用半自動化操作，可運用于先進封裝、MEMS等多種場景。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.47 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表83：WLP 2000 晶圓級封裝直寫光刻機 資料來源：芯碁微裝公司官網，國盛證券研究所 國內領先直寫光刻

164、設備廠商，把握行業機遇深化發展。國內領先直寫光刻設備廠商，把握行業機遇深化發展。公司專業從事以微納直寫光刻為技術核心的直接成像設備及直寫光刻設備的研發、制造、銷售以及相應的維保服務，產品功能涵蓋微米到納米的多領域光刻環節。PCB 行業逐步回暖，有望進入新增長周期，同時在人工智能的發展推動下，需求高端化發展，直寫光刻加速替代，公司精準捕捉行業升級和國產替代機遇，加快 PCB 設備產品升級，加大高端阻焊設備擴產，不斷豐富泛半導體產品矩陣，推進直寫光刻技術應用拓展不斷深化。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產品研發不及預期。1.9.11 盛美上海：全球清洗設備領先廠商，打造半導體設

165、備平臺盛美上海：全球清洗設備領先廠商，打造半導體設備平臺 清洗設備收入增長強勁，毛利率水平平穩。清洗設備收入增長強勁，毛利率水平平穩。2024 年全年，公司實現營業收入 56.2 億元，同比增長 44.5%，主要得益于全球半導體市場需求的持續增長，尤其是中國大陸市場的強勁需求；實現歸母凈利潤 11.5 億元，同比增長 26.7%；主營業務毛利率 48.1%，較為平穩。受益于半導體行業景氣以及公司產品結構多元化的發展策略，公司 2024 年半導體清洗設備收入 40.6 億元，同比增長約 55.2%，毛利率 46.2%。推進產品工藝創新，差異化優勢明顯。推進產品工藝創新，差異化優勢明顯。1）Tra

166、ck 設備：在結構設計和核心研發技術與友商相比存在差異化技術優勢，在高產出上展現出明顯優勢，開發了世界首創的無接觸背面清洗模塊，解決了 Track 涂膠后的硅片對光刻機工件臺的污染問題，免除對光刻機工件臺的清洗，提升整個系統的產出率；2）PECVD 設備：采用盛美獨特全球首創的“1 個腔體 3 個卡盤”的設計，可在同一平臺上實現多種 PECVD 工藝，未來 PECVD 設備在更多國內客戶完成驗證后，將快速進入國際市場；3）UltraCbev-p 面板邊緣刻蝕設備：公司推出 UltraCbev-p 面板邊緣刻蝕設備，面板為方形，可解決邊緣的四方片的邊緣清洗，專為銅相關工藝中的邊緣刻蝕和清洗而設計

167、，能夠同時處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕，顯著提升了工藝效率和產品可靠性。全球領先清洗設備廠商，平臺化設備布局。全球領先清洗設備廠商，平臺化設備布局。公司自設立以來，始終致力于為全球集成電路行業提供領先的設備及工藝解決方案，堅持差異化國際競爭和原始創新的發展戰略，形成了平臺化的半導體工藝設備布局，包括清洗設備、半導體電鍍設備、立式爐管系列2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.48 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 設備、前道涂膠顯影 Track 設備、等離子體增強化學氣相沉積 PECVD 設備、無應力拋光設備、后道先進封裝工藝設備以及硅材料襯底制造工藝設

168、備等。圖表84：槽式濕法清洗設備 資料來源：盛美上海公司官網，國盛證券研究所 風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，供應鏈安全風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，供應鏈安全。1.9.12 矽電股份矽電股份：國內探針臺設備龍頭，測試環節持續拓寬布局：國內探針臺設備龍頭，測試環節持續拓寬布局 業務發展態勢良好，盈利水平提升。業務發展態勢良好，盈利水平提升。2024 年度公司營業收入 5.1 億元，較 2023 年度下降 7.1%，公司業務發展態勢良好，受客戶產線投產及驗收計劃的時間影響，加之上一年度同比基數較高，營業收入小幅下滑；歸母凈利潤 0.9 億元，同比增長 4.0%；公司產品及客

169、戶結構變動，毛利率由 2023 年 34.2%上升至 2024 年的 38.3%，整體盈利情況同比有所增長。深耕探針設備領域，產品技術先進。深耕探針設備領域，產品技術先進。1）晶圓探針臺：公司是境內產品覆蓋最廣的晶圓探針臺設備廠商，產品類型從手動探針臺到全自動探針臺，尺寸從 4 英寸到 12 英寸，應用領域包括集成電路及分立器件的晶圓測試，步進精度可達到1.3m；2）晶粒探針臺：公司晶粒探針臺已達到國際同類設備水平。公司晶粒探針臺適用于 4-6 英寸 PD、APD、LED 等光電芯片的自動測試，具有速度快，稼動率高，自動化程度高的性能特點；3）分選機：公司的分選機高精度擺放對小尺寸 Mini/

170、MicroLED 產品具有更好的適應性；4）曝光機：單次可放置多料盒自動上下片，配備 LED 光源，滿足最大 6 英寸半導體晶圓的多次套刻；5）AOI 檢測設備：可實現m 級精度定位，高速啟停穩定性控制，支持明暗場檢測，可識別各類晶圓微小缺陷。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.49 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表85：公司晶圓探針臺 圖表86：公司晶粒探針臺 資料來源：矽電股份公司官網，國盛證券研究所 資料來源：矽電股份公司官網，國盛證券研究所 扎根探針測試技術領域，市場空間廣闊。扎根探針測試技術領域，市場空間廣闊。公司自成立以來長期扎根探針

171、測試技術領域，堅持自主研發探針測試技術，以技術創新驅動業務發展。公司以探針臺設備為主要產品，主要應用于半導體制造過程中的晶圓測試環節，隨著我國半導體產業整體規?？焖僭鲩L，芯片制造企業對探針臺的需求呈持續上升態勢，據 SEMI 公布的數據測算，我國探針臺設備市場規模由2013年的2.73億元上升至2023年的23.05億元，復合增長率達22.28%。公司在中國大陸地區的市場份額由 2021 年 19.98%至 2023 年提升到 25.70%。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，新品進展不及需求。1.9.13 新益昌：深耕顯示固晶新益昌：深耕顯示固晶機機，積極切入半導體領域，積極

172、切入半導體領域 新益昌發布 24 年全年業績快報，實現收入 9.34 億元（yoy-10.2%），歸母凈利潤 4304萬元（yoy-28.6%），主要系受復雜的市場環境等因素的持續影響，公司將繼續聚焦智能制造裝備行業發展主線，積極調整戰略布局，持續加大研發投入，提升生產效能，豐富和優化產品品類及結構，加大海外市場拓展，努力尋求更多新增長點，持續為合作伙伴們提供創新和可衡量的增值服務以應對多變的市場環境并推動業績回升。深耕專注固晶機領域，不斷提升核心技術競爭力。深耕專注固晶機領域，不斷提升核心技術競爭力。公司持續保持核心競爭力的自我迭代，公司緊跟市場需求在 Mini/MicroLED、半導體等領

173、域新產品的研發持續投入為產品的未來市場開發奠定堅實基礎。公司通過自主研發掌握了高速混合信號無線傳輸技術、并行計算技術、MiniLED 缺陷檢測算法、智慧產線等多項核心技術，是率先研發出可用于 MiniLED生產的智能制造裝備的國內企業，相關設備的技術指標處于行業領先水平。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產品研發不及預期。1.9.14 萬業企業：持續投入研發，離子注入設備逐步放量萬業企業：持續投入研發，離子注入設備逐步放量 Q3 單季成功扭虧，半導體設備訂單快速增加。單季成功扭虧，半導體設備訂單快速增加。萬業企業 24 年前三季度實現收入 3.08億元（yoy-59.6%），

174、歸母凈虧損 3168 萬元（yoy-119.4%），主要系公司房產板塊進入收尾階段，房產交付收入較上年同期減少所致，毛利率 59.3%（yoy+6.3 pcts），研發費用 1.22 億元（yoy+3.39%）。單季度來看，24Q3 實現營收 1.07 億元（yoy-71.4%，qoq+4.6%），歸母凈利潤 3913 萬（yoy-13.1%，qoq+172.2%），合同負債 2.69 億元，較 24H1 增加 8700 萬元。高強度研發投入，持續拓寬半導體業務產品矩陣。高強度研發投入，持續拓寬半導體業務產品矩陣。公司圍繞集成電路制造核心工藝拓展業務品類，從領先的離子注入設備擴展至更多品類的半

175、導體前道核心設備產品線，覆蓋2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.50 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等多類主制程設備以及尾氣處理等支撐制程設備的“1+N”產品平臺模式戰略規模效應初顯。在新產品研發方面，凱世通除不斷持續提升低能大束流離子注入機及高能離子注入機的性能和客戶應用，同時研發投入多款面向細分領域的離子注入機，打造全系列的產品矩陣布局，積極推進包括 SOI 氫離子注入機、中束流離子注入機、超高能離子注入機等特色工藝設備，并加快面向特色工藝的 SiC 化合物半導體離子注入機的研發與應用，持續提升離子注入機重大裝備自主可

176、控水平，加速離子注入機在新領域的廣泛應用。訂單加速放量。訂單加速放量。在半導體設備國產化需求進一步提升的當下，公司旗下子公司凱世通作為領先的國產離子注入機，業務飛速拓展。截止 24H1，凱世通及嘉芯半導體共獲得集成電路設備訂單約 2.2 億元，其中凱世通獲得 5 家客戶訂單，包括 3 家國內 12 英寸晶圓廠頭部客戶的批量重復訂單，并新增 2 家新客戶訂單。截止 24H1，凱世通低能大束流離子注入機客戶已突破 10 家以上；超低溫離子注入機客戶突破 7 家；高能離子注入機客戶突破 2 家。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，客戶導入不及預期。2025 04 17年 月 日 gs

177、zqdatemark P.51 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2、半導體材料：國產廠商平臺化布局，做大做強、半導體材料：國產廠商平臺化布局，做大做強 半導體材料是具有半導體特性的電子材料，廣泛應用于集成電路、分立器件、傳感器和半導體材料是具有半導體特性的電子材料，廣泛應用于集成電路、分立器件、傳感器和光電子器件等產品的制造。光電子器件等產品的制造。與普通材料相比，它對精度和純度等方面的要求更為嚴格，因此在工藝制備中，材料的選擇和使用尤為重要。在半導體產業鏈中，半導體材料與半導體設備同樣處于上游環節，構成了半導體制造工藝的基礎。根據應用階段的不同，半導體材料可分為前端的晶圓制

178、造材料和后端的封裝材料。前端晶圓制造材料包括硅片、電子氣體、掩膜版、光刻膠及其配套材料、濕電子化學品、靶材、CMP 拋光材料等；后端封裝材料則包括引線框架、封裝基板、陶瓷材料、鍵合絲、切割材料以及芯片粘貼材料等。圖表87：半導體材料分類 資料來源：華經情報網，國盛證券研究所 從半導體材料產業鏈的角度來看，產業鏈的上游主要包括原材料，如金屬、合金、碳化硅、氮化鎵等。中游則包括基體材料、制造材料和封裝材料?；w材料主要用于制造硅晶圓或化合物半導體；制造材料是將硅晶圓或化合物半導體加工成芯片所需的各種材料；封裝材料則是在芯片包裝和切割過程中使用的材料。下游則涉及集成電路、半導體分立器件、光電子器件以

179、及傳感器等產品的應用。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.52 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表88：半導體產業鏈示意圖 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 圖表89：晶圓制造前道工藝流程和所需關鍵材料圖例 資料來源：恒坤新材招股書，國盛證券研究所 低點已過，全球半導體材料市場規模呈向上趨勢。低點已過，全球半導體材料市場規模呈向上趨勢。根據 SEMI 數據，2023 年受半導體行業環境低迷影響，全球半導體材料市場銷售額下降 8.2%至 667 億美元。從材料大類來看，2023 年全球晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為 415 億美元和 2

180、52 億美元，占全球半導體材料銷售額的比重分別約 62%和 38%。根據 TECHCET 數據，預計 2025年半導體制造材料市場將同比增長近 8%。伴隨半導體的需求持續推動晶圓消耗，整體半導體材料市場在 2023 年至 2028 年間的年均復合增長率（CAGR）將達到 5.6%，并在2028 年突破 840 億美元。其中前道工序材料預計到 2028 年的年均復合增長率也將達到7%，預計 ALD/CVD、光刻材料、CMP 輔助材料在 2025 年將分別實現同比超過 10%的增長。分地區看，分地區看，2023 年年中國大陸是全球唯一實現半導體材料銷售額同比增長中國大陸是全球唯一實現半導體材料銷售

181、額同比增長地區。地區。從地區分布來看，中國臺灣和中國大陸是全球前兩大半導體材料消費地區，2023 年銷售額分別為 192 億美元和 131 億美元，占全球半導體材料銷售額的比重分別約 29%和 20%，其中中國大陸是 2023 年全球唯一實現半導體材料銷售額同比增長的地區。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.53 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表90：全球半導體材料分地區市場規模（億美元）圖表91：全球半導體材料市場規模（百萬美元）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 資料來源：TECHCET，國盛證券研究所 海外廠商主導全球半導體材料市場。海外廠

182、商主導全球半導體材料市場。晶圓制造材料主要分為硅片、氣體、光掩模、光刻膠及輔助材料、CMP 拋光材料、濕電子化學品、濺射靶材等。根據 SEMI 數據，2022 年，CMP 拋光材料在半導體材料市場中的份額為 7%。在全球半導體材料市場中，半導體硅片的占比最高，達到了 33%。此外，氣體材料占 14%，而光刻膠及其相關輔助材料占 13%。從半導體材料細分領域來看，當前光刻膠和電子氣體等仍是國內薄弱及卡脖子環節，國產化率不足 30%，市場空間廣闊。圖表92：2022 年半導體材料產品結構 資料來源：SEMI，華經產業研究院，國盛證券研究所 圖表93：半導體材料廠商情況 產品產品類別類別 國外領先企

183、業國外領先企業 國內領先企業國內領先企業 硅材料 信越化學、SUMCO 滬硅產業、中環股份、立昂微、中晶科技 工藝化學品 霍尼韋爾、住友化學 江化微、格林達 光掩模 各大晶圓廠、Toppan 清溢光電、路維光電、菲利華 光刻膠 JSR、TOK 華懋科技、彤程新材、南大光電、晶璃電材、上海新陽 CMP 拋光材料 DOW、Cabot 鼎龍股份、安集科技 電子氣體 空氣化工、林德集團 華特氣體、金宏氣體、雅克科技 靶材 霍尼韋爾、日礦金屬 江豐電子 資料來源：每日半導體，國盛證券研究所 硅片,33%氣體,14%光掩模,13%光刻膠輔助材料,7%CMP拋光材料,7%光刻膠,6%濕電子化學品,4%濺射靶

184、材,3%其他,13%2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.54 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 平臺化布局平臺化布局，國產國產廠商蓬勃發展。廠商蓬勃發展。當前國內廠商不斷拓展業務布局品類，以鼎龍股份為例，公司由打印耗材業務切入 CMP 耗材、顯示 PI 材料領域，再出發進軍半導體高端光刻膠材料及先進封裝，電子材料業務飛速發展，24Q1-Q3 公司半導體材料業務及集成電路芯片設計和應用業務實現營收 10.86 億元，同比增長 93%，而 2020 年公司半導體材料業務營收僅 0.79 億元。我們選取 13 家半導體材料公司（如下表所示）來看，2019-2

185、023 年國內核心半導體材料公司合計營收 CAGR 達 18.55%，保持持續增長。圖表94：部分材料公司業績（億元）半半導導體體材材料料 公司名稱公司名稱 營業收入營業收入 24Q1-Q3 23Q1-Q3 YoY 2023 2022 2021 2020 2019 2019-2023 CAGR 滬硅產業 24.8 23.9 3.7%31.9 36.0 24.7 18.1 14.9 20.91%雅克科技 50.0 35.4 41.1%47.4 42.6 37.8 22.7 18.3 26.81%立昂微 22.8 20.1 13.1%26.9 29.1 25.4 15.0 11.9 22.57%興

186、森科技 43.5 39.9 9.1%53.6 53.5 50.4 40.3 38.0 8.95%鼎龍股份 24.3 18.7 29.5%26.7 27.2 23.6 18.2 11.5 23.44%彤程新材 24.2 22.0 10.4%29.4 25.0 23.1 20.5 22.1 7.45%南大光電 17.6 12.8 37.7%17.0 15.8 9.8 5.9 3.2 51.73%安集科技 13.1 9.0 46.1%12.4 10.8 6.9 4.2 2.9 44.31%金宏氣體 18.6 17.8 4.4%24.3 19.7 17.4 12.4 11.6 20.26%上海新陽 1

187、0.7 8.7 22.6%12.1 12.0 10.2 6.9 6.4 17.27%晶瑞電材 10.6 9.6 10.6%13.0 17.5 18.3 10.2 7.6 14.51%華特氣體 10.6 11.3 -6.3%15.0 18.0 13.5 10.0 8.4 15.47%天承科技 2.7 2.5 10.5%3.4 3.7 3.8 2.6 1.7 19.22%合計合計 273.5 231.7 18.1%313.1 310.9 264.8 187.2 158.5 18.55%公司名稱公司名稱 歸母凈利潤歸母凈利潤 24Q1-Q3 23Q1-Q3 YoY 2023 2022 2021 20

188、20 2019 2019-2023 CAGR 滬硅產業-5.4 2.1 轉虧 1.9 3.3 1.5 0.9 -0.9 扭虧 雅克科技 7.5 4.8 55.8%5.8 5.2 3.3 4.1 2.9 18.6%立昂微-0.5 1.9 -129.3%0.7 6.9 6.0 2.0 1.3 -15.4%興森科技-0.3 1.9 -116.6%2.1 5.3 6.2 5.2 2.9 -7.8%鼎龍股份 3.8 1.8 113.5%2.2 3.9 2.1 -1.6 0.3 59.7%彤程新材 4.4 3.5 25.3%4.1 3.0 3.3 4.1 3.3 5.3%南大光電 2.7 2.2 23.3

189、%2.1 1.9 1.4 0.9 0.6 40.0%安集科技 3.9 3.2 24.5%4.0 3.0 1.3 1.5 0.7 57.3%金宏氣體 2.1 2.6 -18.7%3.2 2.3 1.7 2.0 1.8 15.5%上海新陽 1.3 1.1 14.0%1.7 0.5 1.0 2.7 2.1 -5.6%晶瑞電材 0.0 0.2 -97.0%0.1 1.6 2.0 0.8 0.3 -17.1%華特氣體 1.3 1.2 9.1%1.7 2.1 1.3 1.1 0.7 23.9%天承科技 0.6 0.4 37.3%0.6 0.5 0.4 0.4 0.2 26.3%合計合計 21.3 26.8

190、 -20.7%30.1 39.5 31.5 24.1 16.0 17.1%資料來源：Wind，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.55 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.1 硅片：硅片：供需逐步改善，國產高端品類持續突破供需逐步改善，國產高端品類持續突破 硅片是集成電路制造的重要載體，不斷朝大尺寸方向發展。硅片是集成電路制造的重要載體，不斷朝大尺寸方向發展。半導體硅片也被稱作硅晶圓片，以多晶硅為原料，借助單晶硅制備工藝制成硅棒，隨后切割成薄片。硅片是芯片制造的重要核心材料，2022 年，在全球半導體材料中，半導體硅片的價值占比高達

191、33%，是占比最大的半導體材料。硅片根據純度等級硅片根據純度等級的的應用領域應用領域可可分為半導體硅片和光伏硅片分為半導體硅片和光伏硅片。在光伏應用領域，同時采用單晶硅和多晶硅材料，純度要求約為 99.9999%（4-6N）。這類硅片主要用于制造太陽能電池片，廣泛應用于集中式光伏電站和分布式屋頂光伏發電系統等場景。半導體領域則專門使用單晶硅材料。隨著半導體制造工藝的持續精進，對硅片純度的要求已提升至99.999999999%（11N）以上。此類超高純硅片是芯片制造的核心材料，廣泛應用于通信設備、消費電子產品、汽車電子及工業控制系統等多個高科技領域。從制造工藝角度劃分，硅片可分為拋光片、外延片和

192、從制造工藝角度劃分，硅片可分為拋光片、外延片和 SOI（絕緣體上硅）片等類型。（絕緣體上硅）片等類型。其中，單晶硅錠經過切割、研磨和拋光等工序處理后得到拋光片。拋光片既可直接用于半導體器件制造，也可作為外延片和 SOI 硅片的基底材料。按尺寸規格分類，硅片主要有12 英寸（300mm）、8 英寸（200mm）和 6 英寸（150mm）三種規格。目前，200mm和 300mm 規格的硅片在工業生產中占據主導地位，應用最為廣泛。圖表95：半導體硅片生產流程 資料來源：觀研天下，國盛證券研究所 全球半導體硅片市場全球半導體硅片市場逐漸逐漸復蘇復蘇。2019-2023 年全球半導體硅片出貨面積由 11

193、8.1 億平方英寸增長至 126 億平方英寸，市場規模從 112 億美元增長至 121 億美元。2023 年，受終端市場需求疲軟的影響，全球半導體硅片出貨面積下降 14.35%，市場規模下降12.32%。2024 年，受益 AI 熱潮帶動、5G 技術普及和物聯網設備增長，全球半導體硅片市場將實現復蘇，預計出貨面積約為 130 億平方英寸，同比增長 3.16%；市場規模約為 130 億美元，同比增長 7.44%。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.56 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表96：2019-2024 年全球半導體硅片出貨面積及增速（億平方

194、英寸）圖表97：2019-2024 年全球半導體硅片市場規模及增速（億美元）資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 硅片向大尺寸發展。硅片向大尺寸發展。在摩爾定律的推動下，半導體硅片正朝著更大尺寸發展。硅片尺寸越大，每片硅片上能夠制造的芯片數量就越多，從而使得單個芯片的生產成本降低。同時，由于在圓形硅片上制造矩形芯片會導致邊緣區域無法充分利用，這會造成一定的材料浪費。因此，隨著硅片尺寸的增加，邊緣浪費相對減少，這有助于進一步降低芯片成本。例如，在相同工藝條件下，300mm 的半導體硅片可用面積是 200mm 硅片的兩倍多，其可使用率（即單位硅片可生產芯片的數

195、量）是 200mm 硅片的 2.5 倍左右。12 英寸硅片的出貨面積占比 2023 年達 73.2%，已成為市場絕對主流。圖表98：半導體硅片技術演進史 圖表99：200mm 硅片與 300mm 硅片對比 資料來源：滬硅產業招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：滬硅產業招股說明書，國盛證券研究所 從硅片數量來看從硅片數量來看，根據 QY Research 數據，2023 年全球半導體硅片總銷量為 2.14 億片，其中 12 英寸硅片銷量為 8400 萬片、8 英寸半導體硅片銷量為 5900 萬片、小尺寸硅片為 7085 萬片，預計 2030 年 12 英寸硅片份額將由 2023 年的 39.2

196、3%增長到 49.86%。生產端來看，日本和北美是兩個重要的生產地區，2023 年分別占有 32.5%和 22%的市場份額，預計未來幾年，中國地區將保持最快增速，預計 2030 年份額將達到 14.63%。市場份額集中海外廠商。市場份額集中海外廠商。從國際市場占有率和排名來看，主要廠商有信越半導體、SUMCO、環球晶圓、Siltronic 世創、SK Siltron 和 Soitec 等，2023 年前六大廠商占據國際市場大約 81%的份額。國內市場方面，中國市場主要廠商有信越半導體、SUMCO、環球晶圓、Siltronic 世創、SK Siltron、滬硅產業、中環領先、立昂微（金瑞泓）、杭

197、州中欣晶圓、上海超硅半導體和北京奕斯偉科技等，2023 年前九大廠商占有超過 80%的市場份額。-20.00%-15.00%-10.00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%020406080100120140160201920202021202220232024E出貨面積yoy-15.00%-10.00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%02040608010012014016020202021202220232024市場規模yoy2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.57 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告

198、末頁聲明 圖表100：2023 年全球硅片市場份額 資料來源：QYResearch，國盛證券研究所 前六大廠商,81%其他,19%2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.58 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.2 光刻膠：光刻工藝核心材料光刻膠：光刻工藝核心材料，國產材料滲透率較低環節，國產材料滲透率較低環節 光刻膠是光刻工藝核心材料。光刻膠是光刻工藝核心材料。光刻材料主要包括 SOC（SpinOnCarbon）、ARC（Anti-reflectiveCoating）、光刻膠、TopCoating、稀釋劑、沖洗液、顯影液等，系光刻工藝中重要材料之一，決

199、定晶圓工藝圖形精密程度與產品良率。光刻膠是一種在紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X 射線等光照或輻射作用下，溶解度發生變化的耐蝕刻薄膜材料，是光刻工藝中的核心材料。經過旋涂、前烘、曝光、后烘和顯影等一系列工藝步驟，光刻膠能夠將光掩模板上的微納圖形轉移到膠膜上，并通過后續工藝實現目標材料的圖案化和陣列化。圖表101：光刻膠在光刻材料中的位置 資料來源：恒坤新材招股書，國盛證券研究所 從光刻膠的發展歷程從光刻膠的發展歷程看，20 世紀 50 年代至今，光刻技術經歷了紫外全譜（300-340nm），G 線（436nm），I 線（365nm），深紫外（Deep Ultraviolet，DUV，248

200、nm 和 193nm），以及目前最引人注目的極紫外（EUV，13.5nm）光刻，電子束光刻等六個階段，隨著光刻技術發展，各曝光波長的光刻膠組分（成膜樹脂、感光劑和添加劑等）也隨之變化。圖表102：光刻技術及光刻材料的發展 資料來源：光刻材料的發展及應用_龐玉蓮，鄒應全，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.59 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 根據反應機理和顯影原理，可以將光刻膠分為正性光刻膠和負性光刻膠。根據感光樹脂的化學結構，光刻膠可分為光聚合型，光分解型和光交聯型。根據應用領域，光刻膠可根據應用領域，光刻膠可以分為以分為 PCB

201、光刻膠、面板光刻膠和半導體光刻膠。光刻膠、面板光刻膠和半導體光刻膠。圖表103：正性及負性光刻膠的反應原理 資料來源：容大感光招股書，國盛證券研究所 圖表104：光刻膠分類 資料來源：恒坤新材招股書，國盛證券研究所 半導體用光刻膠占光刻膠比重達半導體用光刻膠占光刻膠比重達 22%。根據顯影原理的不同，光刻膠可分為負性膠和正性膠。顯影后，正性光刻膠未曝光的部分將被保留下來，負性光刻膠則在顯影后保留下來，即經曝光后形成不可溶物質的是負性膠，對某些溶劑不可溶，經曝光后變成可溶的為正性膠，正性光刻膠為主流。從應用場景來看，根據研精畢智 2022 年數據，光刻膠可分為半導體光刻膠（22%）、面板光刻膠（

202、28%）和 PCB 光刻膠（23%）。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.60 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表105：2022 年光刻膠分應用占比 資料來源：研精畢智，國盛證券研究所 細分來看，半導體用光刻膠市場主要集中在細分來看，半導體用光刻膠市場主要集中在 KrF 及及 ArFi。根據研精畢智數據，2022 年全球半導體光刻膠細分市場中，ArFi 光刻膠和 KrF 光刻膠的市場份額最大，均在 30%以上，分別為 40%和 33%。其次是 G/I 光刻膠，市場份額約為 17%。ArF 市場份額約 10%。其他細分市場（EUV）市場占比約 1%

203、。隨著制程節點的升級，G/I 線光刻膠市場占比將逐步下降，EUV 光刻膠主要用于 7nm 及更小的邏輯制程節點，隨著相關技術的研發升級，EUV 市場增速較快。圖表106：2022 年全球半導體光刻膠細分市場 資料來源：研精畢智，國盛證券研究所 國內光刻行業增量空間大國內光刻行業增量空間大。根據弗若斯特沙利文市場研究，中國半導體光刻膠市場規模從 2019 年 27.8 億元增長至 2023 年 64.2 億元，年復合增長率 23.3%，預計 2028 年境內半導體光刻膠市場規模將達到 150.3 億元，年復合增長率 18.5%，高于全球半導體光刻膠市場規模增速，在細分市場中，i-Line 光刻膠

204、、KrF 光刻膠與 ArF 光刻膠系境內 12英寸集成電路晶圓制造主要應用光刻膠，隨著境內 12 英寸晶圓產能持續提升，先進應用和技術節點持續提升，光刻技術如浸沒式光刻技術和多重曝光技術逐步應用以及光刻膠性能穩步升級，KrF 光刻膠與 ArF 光刻膠對應市場規模從 2019 年 14.7 億元增長至 2023年 36.7 億元，預計 2028 年市場規模將達到 106.9 億元，占境內半導體光刻膠市場份額將達 71.12%。28%22%23%27%面板顯示半導體領域PCB領域其他40%17%33%10%ArF光刻膠g/l光刻膠KrF光刻膠ArFi光刻膠2025 04 17年 月 日 gszqd

205、atemark P.61 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表107：中國 2019-2028 年半導體光刻膠市場規模分析（億元）資料來源：恒坤新材招股說明書，國盛證券研究所 高端光刻膠領域海外高度壟斷。高端光刻膠領域海外高度壟斷。我國光刻膠行業發展起步較晚，半導體光刻膠供應能力較弱，當前國產廠商光刻膠進展主要集中在 KrF、ArF 領域，布局廠商包括晶瑞電材、彤程新材、華懋科技等，目前布局光刻膠的本土企業主要有，已經有 G/I 線、KrF 與 ArF 技術的布局，但 EUV 光刻膠仍處于非常早期的研發階段。全球半導體光刻膠主要由 JSR、東京應化、杜邦、信越化學、住友及富士

206、膠片等公司壟斷，當前國內國產替代率較低，整體高端光刻膠國產化率約 10%。從產品細分來看，半導體端 g/i 線光刻膠國產化率為30%，KrF 光刻膠國產化率為 10%，ArF 光刻膠國產化率為 2%。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.62 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.3 掩膜版：掩膜版：第三方獨立廠商產品升級迭代，份額逐步提升第三方獨立廠商產品升級迭代，份額逐步提升 掩膜版承載圖形設計、工藝技術以及知識產權信息的載體，起著至關重要的作用。掩膜版承載圖形設計、工藝技術以及知識產權信息的載體，起著至關重要的作用。它又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版或

207、掩模版，是在下游產品制造過程中，用于將圖形“底片”轉移的高精密工具，廣泛應用于下游電子元器件的批量生產，是生產流程中銜接的關鍵環節之一，同時也是決定下游產品精度和質量的關鍵因素之一。掩膜版的作用主要體現在通過其上已設計好的圖案，利用透光和非透光的方式將圖像（例如電路圖形）復制到下游產品中，從而實現批量生產。根據基板材料的不同，產品可分為石英掩膜版、蘇打掩膜版和其他（干版、凸版和菲林等）。圖表108：掩膜版工作原理 圖表109：半導體生產工藝-投影式光刻原理 資料來源：清溢光電公司公告，國盛證券研究所 資料來源：龍圖光罩招股書，國盛證券研究所 掩膜版的上游材料掩膜版的上游材料主要包括掩膜基板、光

208、學膜、化學試劑以及包裝盒等輔助材料，下游下游應用領域應用領域為各類電子元器件，其中平板顯示、半導體芯片為兩大核心應用領域。而電子元器件制造商的產品也廣泛應用于消費電子、車載電子、網絡通信、家用電器、LED 照明、物聯網、醫療電子及工控領域等終端行業。圖表110：掩膜版產業鏈示意圖 資料來源：清溢光電招股書，國盛證券研究所 細分下游領域，細分下游領域，根據華經情報網數據，2022 年中國掩模版下游應用結構為半導體（占比60%）、LCD（占比 23%），OLED（占比 5%），PCB（占比 2%）。隨著電子信息行業不斷地轉型升級，下游行業將逐步向更高端、更廣泛的技術應用轉變，高端領域掩模版用量逐步

209、提升。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.63 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表111：2022 年中國掩膜版下游應用結構 資料來源：華經情報網，國盛證券研究所 平板顯示行業掩膜版種類多樣。平板顯示行業掩膜版種類多樣。平板顯示用掩模版包括薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）掩膜版含陣列（Array）掩膜版（a-Si/LTPS 技術）及彩色濾光片（CF）掩膜版、有源矩陣有機發光二極管顯示器（AMOLED）掩膜版、超扭曲向列型液晶顯示器（STN-LCD）掩膜版和 Fine Metal Mask 掩膜版、MicroLED 顯示掩膜版和 Micro O

210、LED 顯示掩膜版等。高精度發展趨勢下，預計高精度發展趨勢下，預計 OLED 掩模版份額有望逐步提升。掩模版份額有望逐步提升。隨著顯示面板和半導體等領域對產品精度和分辨率要求的不斷提高，高精度掩膜版的需求持續增長，銷售額已呈現每年超過 10%的增幅。同時，柔性掩膜版作為市場的新興主流產品，也受到越來越多的關注，尤其是在可穿戴設備和彎曲屏幕等新型產品的推動下，其需求不斷增加，據華經產業研究院，預計未來幾年銷售額將以每年超過 20%的速度增長。OLED 顯示技術因其自發光、高對比度和柔性特點，廣泛應用于智能手機和電視等領域，且其市場出貨量近幾年以每年超過 20%的速度增長，預計未來將繼續保持高速增

211、長。與此同時，柔性電子作為新興領域，隨著智能家居等產品的出現，需求也在不斷增加，預計市場規模將在未來幾年內以每年超過 15%的速度增長。圖表112：平板顯示掩模版精度發展趨勢 資料來源：路維光電招股說明書，國盛證券研究所 全球平板顯示市場穩步增長，中國占主導地位。全球平板顯示市場穩步增長，中國占主導地位。全球平板顯示產品市場銷售額在 2023 年達到了 9598 億元，并預計到 2030 年將達到 9652 億。中國大陸作為全球最大的面板生產制造基地和研發應用中心，其平板顯示產能接近全球產能的 60%，出貨面積約占全球的 63.3%，產業規模約為 900 億美元，占全球的 36.9%。60%2

212、3%5%2%20%ICLCDOLEDPCB其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.64 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表113：平板顯示需求提升比例 資料來源：Omida，國盛證券研究所 面板產能擴充面板產能擴充+顯示技術升級，顯示技術升級，2030 年全球平板顯示光掩膜市場規模年全球平板顯示光掩膜市場規模有望有望達達 13.2 億美億美元元。新型顯示驅動顯示技術發展，LTPS/LTPO 技術在 OLED 上運用，套刻層數增加至少四層，一套平板顯示用掩膜版張數可達二十多張。以 LTPS 背板為例，傳統 LTPS 背板需要 913 層掩膜版，結合

213、IGZO 技術后，LTPO 背板工藝所需掩膜版要增加至少 4 層，至1317 層。隨著 LTPO 等技術的普及和高分辨率需求的增加，掩膜版產品層數隨之增加，疊加高端面板產能持續提升，預計全球平板顯示掩膜版市場在 2024 年至 2030 年間呈現穩定增長趨勢，2030 年全球平板顯示光掩膜市場規模有望達 13.2 億美元，2024-2030年 CAGR 約為 2.6%。隨著全球顯示產業進一步向中國轉移，以及在高世代、高精度市場需求及技術進步的推動下，中國平板顯示掩膜版行業在未來幾年內預計將持續增長，中中國平板顯示掩膜版市場全球占比有望在國平板顯示掩膜版市場全球占比有望在 2025 年年達到達到

214、 58%。圖表114：全球平板顯示掩膜版市場規模 圖表115：全球平板顯示掩膜版分地區市場份額 資料來源：清溢光電公司公告，Omdia，國盛證券研究所 資料來源：清溢光電公司公告，Omdia，國盛證券研究所 平板顯示領域掩模版市場份額集中，高精度產品國產化率仍有較大提升空間。平板顯示領域掩模版市場份額集中，高精度產品國產化率仍有較大提升空間。根據Omdia 數據，2023 年全球平板顯示掩膜版企業銷售金額排名中，前 4 家均為海外企業，分別為福尼克斯、SKE、HOYA、LG-IT，合計占比 70%，第五名為清溢光電，市場份額集中。當前在平板顯示領域掩膜版國產化率仍較低，尤其是高精度產線，202

215、3 年AMOLED/LTPS 等高精度掩膜版的國產化率為 12%，國產替代空間廣闊。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.65 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表116：以銷售額計平板顯示掩模版市場份額 資料來源：清溢光電公司公告，Omdia，國盛證券研究所 半半導體導體掩模版廠商掩模版廠商生產主要分為晶圓廠自建配套工廠和獨立第三方掩模版廠商兩大類。生產主要分為晶圓廠自建配套工廠和獨立第三方掩模版廠商兩大類。針對不同制程，晶圓廠半導體掩模版制造需求存在差異，28nm 及以下的制程，晶圓廠通常自建掩模版工廠以保護工藝機密，28nm 以上的成熟制程，晶圓

216、廠傾向于向獨立第三方掩模版廠商采購以降低成本。根據貝恩咨詢發布的中國半導體白皮書，全球晶圓制造代工收入中 28nm 以上制程的收入占比約為 55.38%。根據 SEMI 數據，2023 年全球半全球半導體掩模版市場中，晶圓廠自建工廠占比導體掩模版市場中，晶圓廠自建工廠占比 63%，獨立第三方廠商占比，獨立第三方廠商占比 37%（由（由 2021年年 35%提升至提升至 37%），獨立第三方掩膜版廠商專注于掩膜版的制作及研發，且擁有大量客戶及訂單資源，有助于掩膜版廠商積累專業知識及提高工藝優勢，形成規模經濟效應，具備成本優勢，晶圓廠通過外購掩膜版降低其資本開支及經營風險，有利于晶圓廠專注晶圓制造

217、主業，預計隨著掩膜版廠商工藝技術的推進，第三方半導體芯片掩膜版的市場占有率有望提升。圖表117：2023 年全球不同半導體掩膜版廠商市場占比 資料來源：清溢光電公司公告，SEMI，國盛證券研究所 獨立第三方掩模版市場份額集中。獨立第三方掩模版市場份額集中。半導體掩模版具有較高進入門檻，市場份額主要由海外廠商占據，根據 SEMI 統計，2023 年 TOPPAN、Photronics 及 DNP 在獨立第三方半導體掩膜版市占率分別約為 38%、32%及 14%，合計達 84%，市場高度集中。國內獨立第三方掩模版主要生產商包括清溢光電、路維光電、龍圖光罩等。63%37%自產第三方2025 04 1

218、7年 月 日 gszqdatemark P.66 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表118：2023 年全球獨立第三方半導體掩膜版廠商市場格局 資料來源：清溢光電公司公告，SEMI，國盛證券研究所 2025 年全球半導體光掩膜版市場規模年全球半導體光掩膜版市場規模預計預計達達 60 億美元，中國大陸市場規模近億美元，中國大陸市場規模近 50 億億元元。半導體領域掩模版需求具備一定抗周期性，行業處于下行期時，晶圓制造廠產能利用率下降，為提升產能利用率，轉向眾多的中小芯片設計公司提供晶圓代工服務，半導體產品生產類型增多，相應增加掩膜版的需求量；其次，掩膜版在半導體生產過程中為光

219、刻模具，可多次曝光、重復利用，其需求增長與下游的產品更迭具有一定關聯，在下游需求低迷時，芯片設計公司傾向于產品創新以提升銷量并提高自身市場競爭力，從而產生了對半導體芯片掩膜版新增需求；最后，由于半導體終端產品應用領域廣泛，豐富的應用場景提供了多樣創新方向及持續下游需求，從而保持較為穩定的市場規模。根據SEMI 數據，2025 年全球半導體光掩膜版市場規模將達到 60 億美元，2016 年至 2025 年CAGR 接近 7%，其中 2025 年中國大陸半導體芯片掩膜版市場規模接近 50 億元。圖表119：2016-2025 年全球半導體光掩膜版市場需求（億美元）資料來源：清溢光電公司公告，SEM

220、I，國盛證券研究所 海外高度壟斷海外高度壟斷，國產化，國產化率亟待提高。率亟待提高。在海外技術封鎖和貿易摩擦等不確定性因素增加的背景下，我國半導體芯片產業加速進口替代，實現半導體芯片產業自主可控已上升到國家戰略高度。目前我國國產芯片制造能力還較為薄弱，掩膜版等關鍵的上游材料亦多依賴進口。國內的第三方掩膜版廠商的技術能力主要集中在芯片封測用掩膜版和 130nm 節點及以上的晶圓制造用掩膜版，與國際領先企業福尼克斯、DNP等有著較為明顯的差距。根據中國電子協會官網數據，目前中國半導體掩膜版的國產化率為目前中國半導體掩膜版的國產化率為 10%左右，高端掩左右，高端掩膜版國產化率僅有膜版國產化率僅有

221、3%，國產化率亟待提高。伴隨中國大陸晶圓廠產能不斷擴大，對掩膜版的需求將持續上升，國產替代空間廣闊。38%32%14%5%3%8%TOPPANPhotronicsDNP中國臺灣光罩HOYA其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.67 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.4 濺射靶材：濺射靶材：PVD 薄膜制備關鍵材料薄膜制備關鍵材料 濺射靶材是濺射靶材是制備電子薄膜的制備電子薄膜的關鍵材料關鍵材料。超大規模集成電路制造過程中要反復用到濺射（Sputtering）工藝，它是一種物理氣相沉積（PVD）技術，利用高能離子束轟擊濺射靶材，使其表面原子濺射并沉

222、積在基底上形成電子薄膜。濺射靶材的純度直接影響所形成的電子薄膜的性能，高純度乃至超高純度的金屬材料是生產高純濺射靶材的基礎。圖表120：濺射靶材工作原理 資料來源：江豐電子招股說明書，國盛證券研究所 濺射靶材種類較多。濺射靶材種類較多。濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構成，其中靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的核心部分。背板主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。產品按不同分類標準可分為多種類別。不同應用領域對濺射靶材所使用的金屬材料的選擇和性能要求也不同。圖表121：濺射靶材產品類別 圖表122：濺射靶材應用領域 資料來源：江豐電子公司公告，國盛證券研究所 資

223、料來源：江豐電子公司公告，國盛證券研究所 濺射靶材濺射靶材的制造過程包括的制造過程包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節。其中，超高純金屬是電子材料的重要組成部分，靶材制造和濺射鍍膜環節是整個濺射靶材產業鏈中的關鍵環節，濺射靶材的產品質量、性能指標直接決定了終端產品的品質和穩定性。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.68 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表123：高純濺射靶材制造過程 資料來源：江豐電子招股說明書，國盛證券研究所 濺射靶材下游應用領域廣泛，濺射靶材下游應用領域廣泛，包括半導體集成

224、電路、平面顯示、太陽能電池和新能源電包括半導體集成電路、平面顯示、太陽能電池和新能源電池等戰略新興產業，以及較為傳統的玻璃鍍膜、裝飾鍍膜、工具鍍膜等產業。池等戰略新興產業，以及較為傳統的玻璃鍍膜、裝飾鍍膜、工具鍍膜等產業。其中半導體集成電路是各下游應用領域中對濺射靶材技術最高的領域，平面顯示是市場規模最大、占比最高的領域。圖表124：濺射靶材應用領域具體情況 資料來源：江豐電子公司公告，國盛證券研究所 半導體集成電路用濺射靶材要求最高。半導體集成電路用濺射靶材要求最高。半導體靶材是晶圓制造的關鍵原材料，主要包括銅靶、鋁靶、鈦靶和鉭靶等，集成電路領域的主要應用包括晶圓制造和先進封裝工藝。2025

225、 04 17年 月 日 gszqdatemark P.69 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 為了滿足高精度、小尺寸芯片的需求，芯片制造對靶材的純度要求極為嚴格，通常要求達到 99.9995%（5N5）或甚至 99.9999%（6N）以上，這也是所有下游應用中對純度要求最高的部分，因此其價格也相對較高。半導體靶材成本占比穩定，市場規模穩定增長。半導體靶材成本占比穩定，市場規模穩定增長。作為制造集成電路的核心材料之一，半導體靶材在晶圓制造與封測環節的成本占比相對固定，市場規模預計將同步增長。根據SEMI 統計，在晶圓制造材料中，濺射靶材約占芯片制造材料市場的 2.6%；在封裝測試

226、材料中，濺射靶材約占封裝測試材料市場的 2.7%。根據觀研報告網，2023 年全球半導體濺射靶材市場為 19.5 億美元，預計到 2030 年將達到 32.6 億美元，預測期內（2024-2030 年）的復合年增長率為 6.82%。圖表125：2024 年全球半導體濺射靶材下游市場結構 資料來源：觀研天下，國盛證券研究所 2023 年年全球濺射靶材市場增長至全球濺射靶材市場增長至 258 億美元，自億美元，自 2016 以來以來 CAGR 為為 12.52%。根據觀研報告網數據，從 2016 年到 2023 年，全球濺射靶材市場規模從 113 億美元增長至258 億美元，年復合增長率為 12.

227、52%。隨著物聯網、大數據、新型顯示技術、太陽能電池和節能玻璃等新型基礎設施和應用領域的快速發展，濺射靶材的終端應用將進一步擴展，預計全球市場規模將繼續保持穩定增長。圖表126：全球濺射靶材市場規模（億美元）資料來源：觀研報告網，國盛證券研究所 中國半導體濺射靶材市場高速增長，國產替代空間較大。中國半導體濺射靶材市場高速增長，國產替代空間較大。半導體集成電路用濺射靶材種類繁多，需求量大。據統計，濺射靶材在全球半導體制造材料和封裝測試材料市場中的占比接近 3%。隨著半導體產業的快速發展，中國半導體集成電路用濺射靶材市場將繼2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.70 請仔細

228、閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 續保持高速增長。從 2017 年到 2023 年，中國市場規模從 14 億元增長至 23 億元，年復合增長率為 8.63%。預計到 2026 年，市場規模將穩定增長，達到 33 億元。圖表127：中國半導體集成電路用濺射靶材行業市場情況（單位：億元）資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 平面顯示用濺射靶材廣泛應用于平面顯示用濺射靶材廣泛應用于 LCD、OLED 制造，提高均勻性與生產效率。制造，提高均勻性與生產效率。平面顯示產業鏈涵蓋上游設備制造與原材料供應、中游顯示面板與觸控屏制造、下游各類顯示終端應用。濺射靶材主要用于顯示面板和觸控屏的生產制造，

229、廣泛應用于 LCD 和 OLED 顯示技術。LCD 主要用于電視、電腦等大尺寸設備，而 OLED 則主要應用于高端智能手機、智能穿戴設備等中小尺寸產品。顯示面板和觸控屏制造中常用濺射靶材純度要求在 4N以上，主要包括銅靶、鋁靶、鉬靶、ITO 靶等，部分廠商根據設備與工藝需求也使用鈦靶、鉭靶、鈮靶、鉻靶、銀靶等材料。圖表128：平面顯示領域濺射靶材應用環節 資料來源：歐萊新材招股說明書，國盛證券研究所 平面顯示用濺射靶材市場前景可期。平面顯示用濺射靶材市場前景可期。近年來，國內平面顯示用濺射靶材市場在全球顯示面板出貨面積增長、平面顯示產業轉移、顯示面板廠商采購國產化替代趨勢等因素的帶動下高速增長

230、。根據中商情報網，2021-2023 年我國平面顯示用濺射靶材行業市場規模分別為 177 億元、209 億元和 246 億元，預計 2026 年將達到 395 億元。141515171821232629330510152025303520172018201920202021202220232024E2025E2026E2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.71 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表129：中國平面顯示用濺射靶材行業市場情況（單位：億元）資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 太陽能電池是光伏產業鏈的核心環節，其中薄膜電池和太陽能電池是光伏

231、產業鏈的核心環節，其中薄膜電池和 HJT 太陽能電池廣泛使用濺射太陽能電池廣泛使用濺射靶材。靶材。薄膜電池主要使用鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶、ITO 靶、AZO 靶等濺射靶材，而 HJT太陽能電池主要依賴 ITO 靶制備透明導電薄膜，純度要求一般在 4N 以上。隨著光伏累計裝機容量的持續增長，中國太陽能電池用濺射靶材市場規模從 2013 年的 3.5 億元增長至 2020 年的 31.7 億元，年復合增長率達到 37%，預計 2026 年將達到 83 億元，行業進入快速增長階段，市場前景廣闊。圖表130：中國太陽能電池用濺射靶材行業市場情況（單位：億元）資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 海外龍

232、頭長期壟斷，國內廠商加速突破。海外龍頭長期壟斷，國內廠商加速突破。憑借專利技術上的先發優勢，美國、日本、歐洲等發達國家或地區的大型濺射靶材廠商占據了全球濺射靶材市場較高的市場份額。以JX 金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯等為代表的大型跨國企業目前合計占據了全球市場的 80%左右。隨著電視、電腦、手機等消費電子產品的普及，以及平面顯示和半導體集成電路產業的迅速崛起，國內濺射靶材行業從規模增長轉向進口替代的結構化增長。以江豐電子、阿石創、有研新材等為代表的本土企業通過技術突破和規模擴張，成功進入國內外知名企業的供應鏈，打破了境外廠商的壟斷局面。因早期受資金和技術制約，國內廠商多從相近難點靶材突破，形

233、成不同領域和靶材類型的側重優勢。9310112115017720924628833739505010015020025030035040045020172018201920202021202220232024E2025E2026E18232732374452617183010203040506070809020172018201920202021202220232024E2025E2026E2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.72 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表131：國內濺射靶材行業內主要企業情況 資料來源：普華有策，國盛證券研究所 提高利用

234、率、優化晶粒晶向控制以及向大尺寸、高純度方向發展是未來趨勢。提高利用率、優化晶粒晶向控制以及向大尺寸、高純度方向發展是未來趨勢。由于濺射離子不規則的作用關系，濺射靶材在濺射過程中容易出現不均勻沖蝕現象，同時當濺射靶材受到高速度能的離子束流轟擊時，會出現大尺寸濺射靶材微粒飛濺現象，這些都會降低濺射靶材的利用率。未來如何控制濺射靶材的晶粒晶向，提高濺射靶材利用率將是研究設計濺射靶材、濺射機臺的主要課題。此外，隨著半導體行業對更大尺寸硅晶圓片的需求增加，濺射靶材也向大尺寸方向發展，同時對純度要求不斷提高，甚至達到99.9999%（6N）以上，以滿足更精細的微米級制造工藝。2025 04 17年 月

235、日 gszqdatemark P.73 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.5 前驅體前驅體：薄膜沉積工藝核心材料，國產高端品類完善中薄膜沉積工藝核心材料，國產高端品類完善中 前驅體材料在集成電路制造領域占據重要位置，系集成電路技術發展的關鍵材料之一。前驅體材料在集成電路制造領域占據重要位置，系集成電路技術發展的關鍵材料之一。前驅體是指在半導體制造工藝中，用于形成薄膜或進行摻雜等操作的一類特殊化學物質。這些化學物質具有高度的純度和特定的化學結構，能夠在特定的工藝條件下，通過化學反應在半導體表面形成所需的薄膜或實現特定的電學性能。主要應用于集成電路晶圓制造前道工藝中的薄膜沉積工

236、藝，在氣相沉積過程中形成符合集成電路制造要求的各類薄膜層。薄膜沉積工藝可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）以及原子層氣相沉積（ALD）等。圖表132：化學氣相沉積工藝（CVD）示意圖 資料來源：恒坤新材招股說明書，國盛證券研究所 前驅體材料根據形成薄膜材料屬性劃分，可以分為硅基前驅體與金屬基前驅體；根據集成電路晶圓制造工序功能劃分，可以分為 High-K 前驅體和 Low-K 前驅體，K 即介電常數，用于衡量一種材料存儲電荷的能力，High-K 前驅體用于 High-K 金屬柵極（HKMG）薄膜沉積工藝的 High-K 介質層；Low-K 前驅體用于集成電路后端布線工序 BEO

237、L 中金屬連線之間的絕緣介質。圖表133：前驅體材料分類 資料來源：恒坤新材招股書，國盛證券研究所 按產品類型細分，High-k前驅體在全球前驅體市場規模中處于主導地位，占據大約36.8%的份額。按應用細分，PVD/CVD/ALD 是最大的下游市場，占有 92.0%份額。分地區來看，中國前驅體市場規模逐步擴大。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.74 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表134：不同類型前驅體市場規模變化 圖表135：全球半導體用前驅體按應用細分市場規模 資料來源：QYResearch，國盛證券研究所 資料來源：QYResearch，

238、國盛證券研究所 圖表136：全球前驅體市場規模，按產品類型細分 圖表137：全球主要市場前驅體規模 資料來源：QYResearch，國盛證券研究所 資料來源：QYResearch，國盛證券研究所 前驅體材料市場前驅體材料市場受益于受益于集成電路晶圓產能擴張集成電路晶圓產能擴張及及工藝制程技術迭代促使單位用量提升工藝制程技術迭代促使單位用量提升。晶圓產能方面，據 SEMI 數據，全球半導體晶圓制造產能預計將在 2024 年增長 6%，并在 2025 年實現 7%的增長，達到每月晶圓產能 3370 萬片（8 英寸當量）。邏輯芯片方面，邏輯芯片以微縮技術節點提升集成度，采用多重曝光等技術，隨著低阻銅

239、替代鋁、金屬柵電路技術應用，以及 FinFET、多重曝光技術發展，對前驅體材料的用量和品種需求不斷增加，且技術越先進，用量與單價越高。存儲芯片方面，DRAM 類似邏輯芯片發展路線，3D NAND 靠增加立體硅層提升性能，隨著堆疊層數逐漸增加，前驅體材料單位用量將翻倍增長。半導體前驅體市場高度集中，全球前三企業市場份額高達半導體前驅體市場高度集中，全球前三企業市場份額高達 70%。據 QY Research，2022年全球半導體用前驅體市場規模達到了 23.7 億美元，預計 2029 年將達到 54.4 億美元，年復合增長率（CAGR）為 10.9%。目前全球主要企業包括默克、液化空氣集團、SK

240、 Materials、UP Chemical（雅克科技）等，2022 年主要 Top10 企業份額占比超過 95%。其中，2022 年默克市場份額為 33.48%，液化空氣集團，市場份額為 29.6%，SK Material市場份額將近7%，位列前三，根據QY research數據，2024年雅克科技取代SK Material，份額位居第三。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.75 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表138：2024 年全球半導體用前驅體市場格局 圖表139：2022 年全球半導體用前驅體市場格局 資料來源：QYResearch，國

241、盛證券研究所 資料來源：QYResearch，國盛證券研究所 中國前驅體中國前驅體市場規模呈現快速增長，市場規模呈現快速增長，2028 年年有望有望達達 179.9 億元億元，硅基前驅體與硅基前驅體與金屬金屬前前驅體是兩大主流產品驅體是兩大主流產品。根據弗若斯特沙利文市場研究，中國前驅體材料從 2019 年 24.2億元增長至 2023 年 54.4 億元，年復合增長率為 22.4%，并將于 2028 年達到 179.9 億元。年復合增長率為 27.0%。其中，硅基前驅體從 2023 年 25.6 億元增長至 2028 年 72.6億元，年復合增長率為 23.2%，金屬基前驅體從 2023 年

242、約 26.9 億元增長至 2028 年約103.4 億元，年復合增長率為 30.9%。隨著集成電路工藝制程持續突破，單位面積集成的電路規模不斷擴大芯片內部立體結構日趨復雜，所需薄膜層數越來越多，對薄膜的材料種類和性能參數均不斷提出新要求，前驅體材料發展為集成電路制造向更先進制程發展提供核心保障。圖表140：中國 2019-2028 不同前驅體市場規模分析（億元）資料來源：恒坤新材招股書，國盛證券研究所 33.48%29.60%7%29.92%默克液化空氣集團SK Material其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.76 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁

243、聲明 2.6 濕電子化學品：濕法工藝制程關鍵液體化工材料濕電子化學品：濕法工藝制程關鍵液體化工材料 濕電子化學品是微電子、光電子濕法工藝制程中的關鍵液體化工材料，廣泛應用電子產濕電子化學品是微電子、光電子濕法工藝制程中的關鍵液體化工材料，廣泛應用電子產品制造。品制造。濕電子化學品是對在微電子和光電子濕法工藝（主要涉及濕法清洗、顯影、蝕刻、電鍍等環節）中使用的各類液體化工材料的統稱，下游應用深度嵌入微電子制造體系，在晶圓加工領域，其純度直接影響半導體器件性能；在顯示面板領域，關乎面板制程良率，在光伏產業領域則作為電池片加工的關鍵耗材。濕電子化學品按組成成分和應用工藝可分為通用濕電子化學品和功能濕

244、電子化學品，分濕電子化學品按組成成分和應用工藝可分為通用濕電子化學品和功能濕電子化學品，分 別用于不同的濕法工藝需求。別用于不同的濕法工藝需求。通用濕電子化學品通常為單組分、單功能的超凈高純試劑，主要應用于濕法工藝中的清洗、顯影等環節，主要包括酸類、堿類、有機溶劑類及其他類別產品。功能濕電子化學品則是復配類化學品，即通過復配技術，在單一或多種超凈高純試劑的基礎上，加入水、有機溶劑、螯合劑、表面活性劑等一種或多種化合物，實現特定功能，滿足制造過程中的特殊工藝需求。圖表141：濕電子化學品主要產品分類 濕電子化學品主要產品分類 類別 種類 具體產品 通用濕電子化學品 酸類 氟酸、硫酸、鹽酸、硝酸、

245、乙酸、磷酸 堿類 氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氟化銨、四甲基氫氧化銨 有機溶劑 醇類 甲醇、乙醇、異丙醇 酮類 丙酮、丁酮、甲基異丁基酮、N-甲基吡咯烷酮 酯類 乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異戊酯、丙二醇單甲醚醋酸酯 醚類 丙二醇單甲醚 烴類 甲苯、二甲苯、環己烷 鹵代烴類 三氯乙烯、三氯乙烷、氯甲烷、四氯化碳 其它 雙氧水 功能濕電子化學品 蝕刻液 金屬蝕刻液、BOE 蝕刻液、ITO 蝕刻液 清洗液 光刻膠配套試劑 稀釋液 顯影液 正/負膠顯影液 剝離液 正/負膠剝離液、剝離清洗液 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 SEMI 標準規定濕電子化學品的金屬雜質含量、顆?？刂屏降荣|量要求標準規

246、定濕電子化學品的金屬雜質含量、顆?？刂屏降荣|量要求,根據國際標準根據國際標準可分為可分為 G1-G5 五個等級；部分品類也采用單獨的五個等級；部分品類也采用單獨的 SEMI 標準。標準。在濕電子化學品領域，以上指標是影響電子信息產品成品率、電性能及可靠性的核心因素，同時也是評估產品質量的重要技術指標。產品技術水平的先進性主要通過國際通用的標準等級進行衡量，并結合產業化應用成果及客戶認可度進行驗證。此外，SEMI 基于濕電子化學品在全球的應用及發展情況，針對不同品種制定了多項指導性標準，例如當前電子級磷酸適用的SEMI 標準為 SEMI C36-1121。2025 04 17年 月 日 gsz

247、qdatemark P.77 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表142：不同線寬的 IC 制造對濕電子化學品 SEMI 國際標準等級要求 SEMI 等級 G1 G2 G3 G4 G5 適應 IC 線寬/m 1.2 0.81.2 0.20.6 0.090.2 0.09 金屬雜質/(g/L)100 10 1.0 0.1 0.01 控制粒徑/m 1.0 0.5 0.5 0.2 需雙方協商 顆粒/(顆/m1)25 25 5 需雙方協商 需雙方協商 應用 分立器件、太陽能光伏 分立器件、顯示面板、LED 顯示面板、LED、集成電路 集成電路 集成電路 資料來源：興福電子招股說明書，國

248、盛證券研究所 通用濕電子化學品主要通過純化工藝制得，功能性濕電子化學品通過拼配工藝制得。通用濕電子化學品主要通過純化工藝制得，功能性濕電子化學品通過拼配工藝制得。純化工藝針對不同類型的單成分濕電子化學品（如氨水、雙氧水、硝酸、氫氧化鈉等），通過多級水洗、高效連續精餾、低壓精餾與吸收、離子交換、膜處理等多種技術，對產品進行分離和提純。拼配工藝則是按照配方要求，將原料在拼配設備中混合均勻，經超細過濾器過濾后，在凈化間內進行超凈包裝，并裝入特殊材料容器，最終獲得拼配產品。圖表143：通用濕電子化學品純化工藝（以氨水為例）圖表144：功能性濕電子化學品拼配工藝（以 BOE 蝕刻液為例）資料來源：華經情

249、報網，國盛證券研究所 資料來源：華經情報網，國盛證券研究所 從產業鏈方面看，濕電子化學品上游主要包括基礎化工原料，下游領域為電子信息行業，從產業鏈方面看，濕電子化學品上游主要包括基礎化工原料，下游領域為電子信息行業，廣泛應用于集成電路、顯示面板及太陽能光伏等廣泛應用于集成電路、顯示面板及太陽能光伏等。其原料供應源自基礎化工產業的大宗商品，終端應用聚焦于集成電路、顯示面板及光伏能源等電子信息行業領域。具體而言，濕電子化學品前端依托通用化工原料進行提純改性，后端則深度嵌入微電子制造體系在晶圓加工領域，其純度直接影響半導體器件性能；在顯示面板領域，關乎面板制程良率；在光伏產業領域則作為電池片加工的關

250、鍵耗材。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.78 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表145：濕電子化學品上下游產業鏈結構示意圖 資料來源：華經情報網，國盛證券研究所 半導體制造領域，濕電子化學品廣泛應用于晶圓制造流程，參與光刻、蝕刻及清洗等關半導體制造領域，濕電子化學品廣泛應用于晶圓制造流程，參與光刻、蝕刻及清洗等關鍵工藝。鍵工藝。半導體制造涵蓋集成電路設計、晶圓加工及封裝檢測三大階段。晶圓加工作為半導體制造的核心環節，需經歷數十次重復的光刻-蝕刻工藝循環，其耗時占據芯片生產總周期的 40%-50%，該過程必須依賴高性能蝕刻液、光刻膠剝離劑及專用清

251、洗試劑等濕電子化學品完成材料處理。在集成電路制造全流程中，涉及晶圓表面清潔處理的工藝步驟占比高達 20%。圖表146：半導體（集成電路）工藝流程及濕電子化學品應用環節 資料來源：華經情報網，國盛證券研究所 2025 年全球濕電子化學品市場規模有望達年全球濕電子化學品市場規模有望達 827.85 億元。億元。隨著全球集成電路、顯示面板等產業的穩步發展，相關配套行業也迎來了持續增長。根據中國電子材料行業協會數據，2023 年全球濕電子化學品市場規模約為 684.02 億元，其中集成電路、顯示面板和太陽能光伏三大應用領域的市場規模分別為 462.00 億元、134.60 億元和 87.42 億元。2

252、025 年，全球濕電子化學品市場規模預計將增至 827.85 億元，其中集成電路領域市場規模將攀升至 544.60 億元，顯示面板領域將增長至 159.00 億元，太陽能光伏領域將增至 124.25 億元，三大應用領域的市場規模均呈現持續增長態勢。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.79 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表147：2021-2025 全球濕電子化學品各應用領域市場規模 資料來源：中國電子材料行業協會，興福電子招股說明書，國盛證券研究所 2025 年，預計國內濕電子化學品市場規模將達到年，預計國內濕電子化學品市場規模將達到 292.7

253、5 億元。億元。隨著經濟的快速發展和居民生活水平的提升，消費升級推動了集成電路、顯示面板等行業的快速發展，為濕電子化學品行業注入了強勁的增長動力。根據中國電子材料行業協會數據，2023 年，我國濕電子化學品市場規模已增長至 225.00 億元，集成電路、顯示面板和太陽能光伏三大領域的濕電子化學品總用量達到 367.29 萬噸，其中集成電路領域用量為 96.25 萬噸，顯示面板領域用量為 86.60 萬噸，太陽能光伏領域用量為 184.44 萬噸。預計到 2025 年，我國濕電子化學品市場規模將增至 292.75 億元，三大應用領域的濕電子化學品總需求量將達到 582.04 萬噸，集成電路領域需

254、求量將增長至 130.64 萬噸，顯示面板領域需求量將增至 110.70 萬噸，太陽能光伏領域需求量將大幅提升至 340.70 萬噸.圖表148：2021-2025 中國濕電子化學品各應用領域市場需求量 資料來源：中國電子材料行業協會，興福電子招股說明書，國盛證券研究所 全球濕電子化學品市場由歐美主導，占據全球濕電子化學品市場由歐美主導，占據 30%市場份額。市場份額。作為電子級化學試劑的最高純度類別，濕電子化學品對技術和資金的要求較高。發達國家（歐美日韓）依托早期集成電路產業積累形成的供應鏈垂直整合能力，把控全球高端市場供應體系。根據中國電子材料行業協會數據，2023 年全球市場份額分布呈現

255、三級梯隊結構歐美企業以 30%占比穩居首位，日本廠商以 27%的市占率緊隨其后；東亞地區形成追趕集群（中國臺灣18%、中國大陸 14%、韓國 10%），剩余 1%市場份額由其他區域企業分割。01002003004005006007008009002021202220232024F2025F太陽能光伏（億元）顯示面板（億元）集成電路（億元）01002003004005006007002021202220232024F2025F太陽能光伏（萬噸）顯示面板（萬噸）集成電路（萬噸）2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.80 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表

256、149：2023 年全球濕電子化學品市場份額 資料來源：思瀚產業研究院，國盛證券研究所 中國濕電子化學品產業面臨市場份額與技術實力的雙重挑戰，國產廠商逐步崛起。中國濕電子化學品產業面臨市場份額與技術實力的雙重挑戰，國產廠商逐步崛起。在通用型產品領域，巴斯夫憑借完整產品矩陣占全球主導地位，韓國東友、比利時索爾維、臺灣聯仕及多家日本企業構成第二梯隊。功能性產品細分市場，美國陶氏杜邦、Entegris、德國巴斯夫等國際巨頭把控高端市場，國內企業僅在電鍍液、硅蝕刻液、28nm 及以上制程清洗劑等中端產品實現量產，在高端蝕刻液、剝膜液等特種化學品領域仍存在明顯技術代差。近年中國境內化學品企業迅速崛起，在

257、生產能力和技術水平方面取得了顯著進展，國產廠商主要包括江化微、格林達、興福電子等。我國集成電路用濕電子化學品我國集成電路用濕電子化學品2023年自主供給率已攀升至年自主供給率已攀升至44%，仍有顯著提升空間。，仍有顯著提升空間。作為國民經濟戰略性支柱產業，電子信息產業呈現強勁發展態勢，我國集成電路產業鏈也在加速完善。產業規模擴張與自主化率提升形成良性循環，其中濕電子化學品作為關鍵基礎材料，其技術突破對產業鏈安全具有戰略價值，特別是在國際貿易環境不確定性加劇的背景下，高端產品的國產替代需求愈發迫切，根據中國電子材料行業協會數據，2021 年集成電路用濕電子化學品自主供給率為 35%，2022 年

258、提升至 38%，2023 年突破 44%。30%27%14%18%10%1%歐美企業日本企業中國大陸企業中國臺灣企業韓國企業其他地區2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.81 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.7 電子特氣：電子工業“血液”電子特氣：電子工業“血液”電子特種氣體，簡稱電子特氣，是指在半導體、顯示面板、光伏、電子特種氣體，簡稱電子特氣，是指在半導體、顯示面板、光伏、LED 等電子產品生產等電子產品生產過程中使用的特種氣體。過程中使用的特種氣體。電子特種氣體廣泛應用于光刻、刻蝕、成膜、清洗、摻雜和沉積等工藝環節，主要包括三氟化氮等清洗氣體

259、、六氟化鎢等金屬氣相沉積氣體等。相較于一般工業氣體，電子特氣對純度、質量穩定性與一致性、包裝容器等要求更高。作為制造過程中的基礎關鍵材料，電子氣體也被譽為電子工業的“血液”。從應用領域來看，集成電路為電子特氣最大應用領域，其次為顯示面板。圖表150：電子特氣主要應用類別 圖表151：電子特種氣體所涉及的電子產業環節 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 全球及中國電子特氣市場規模持續增長，預計全球及中國電子特氣市場規模持續增長，預計 2025 年全球市場規模達到年全球市場規模達到 64 億美元，億美元，中國市場達到中國市場達到 279 億元。億元。近年來

260、，電子特氣市場規模持續擴大。根據中商產業研究院，2023 年全球電子特氣市場規模已達到 56 億美元，預計 2024 年全球電子特氣市場規模將增至 60 億美元，2025 年將達 64 億美元。據思瀚產業研究院數據，亞太地區（中國為主）貢獻超 60%增量。2023 年中國電子特氣市場規模為 249 億元。隨著集成電路和顯示面板等半導體產業的快速發展，電子特氣的需求將持續增長，預計 2024 年中國電子特氣市場規模將達到 262.5 億元，2025 年將達 279 億元。根據前瞻產業研究院，預計2028 年中國電子特種氣體市場規模將超過 520 億元。圖表152：2019-2025 全球電子特氣

261、市場規模（億美元）圖表153：2019-2025 中國子特氣市場規模（億元）資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 資料來源：中商情報網，國盛證券研究所 市場海外主導。市場海外主導。根據智研咨詢數據，全球市場上，主要的競爭者包括美國空氣化工（Air Products）、美國普萊克斯（PRAXAIR）、德國林德集團（Linde）、法國液化空氣（AL）和010203040506070201920202021202220232024E2025E050100150200250300201920202021202220232024E2025E2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.8

262、2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 大陽日酸（現已更名為日本酸素控股）等五大公司，合計占據全球 90%以上的市場份額，通過在全球范圍內建立龐大的生產和供應網絡，形成了強大的市場影響力和競爭力，國內市場，海外幾大氣體巨頭市占率約為 86%。當前，國內部分特氣產品已經實現了自主可控，并在市場上占據了主要份額，例如南大光電的高純磷烷、砷烷產品，以及中船特氣的含氟電子特氣產品等?？傮w來看，我國電子特氣行業的競爭格局仍較為集中，呈現出明顯的寡頭壟斷特征。目前，國內企業正加速追趕，市場份額也在逐漸擴大。中國部分領先企業實現了進口替代，達到國際標準，推動國產化進程并具備了競爭優勢。中國部分

263、領先企業實現了進口替代，達到國際標準，推動國產化進程并具備了競爭優勢。我國電子特氣行業經過 30 年的發展和積累，部分領先企業已經在特定產品上實現了突破，達到國際標準，逐步完成進口替代，特種氣體的國產化具備了客觀條件。例如，華特氣體以高純六氟乙烷為突破口，已實現進口替代，并能夠規?；^ 50 種產品，數量在國內特氣公司中處于領先地位。中船特氣的部分產品品質已達到國際領先水平，并成為國內首個進入 5nm 制程的電子特氣供應商，其六氟化鎢、三氟化氮等產品已實現國產替代。南大光電成功實現了高純砷烷、磷烷等特種電子氣體的產業化，打破了國外技術封鎖和壟斷，同時其氫類電子特氣在技術、品質、產能和銷售

264、方面已躍居全球前列。圖表154：中國電子特氣行業代表企業經營情況 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 電子特氣的國產化率較低，電子特氣的國產化率較低，2025 年有望提升至年有望提升至 25%。盡管國內企業在集成電路的清洗、蝕刻、光刻等工藝環節的特種氣體生產方面已有一定突破，但在摻雜、沉積等工藝的特種氣體領域，仍僅有少數品種實現了突破，自主供應能力依然不足。根據中商情報網數據，我國電子特氣的國產化率較低，2020 年電子特氣的國產化率僅為 14%。集成電路生產用電子特氣方面，我國僅能生產約 20%的品種，在國內市場的占比僅為 12%。預計 2025 年，我國電子特氣的國產化率有望提升至 25%

265、。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.83 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.8 CMP 耗材：晶圓表面平坦化關鍵耗材耗材：晶圓表面平坦化關鍵耗材 化學機械拋光（化學機械拋光（CMP）技術通過原子級平坦化晶圓表面，直接影響芯片質量和成品率，）技術通過原子級平坦化晶圓表面，直接影響芯片質量和成品率，過程涉及氧化膜的形成與去除。過程涉及氧化膜的形成與去除。CMP 技術被認為是當今唯一能夠實現集成電路（IC）制造中晶圓表面全局平坦化的技術，能夠達到原子級的超高平整度，其效果直接影響到芯片的最終質量和成品率。在 CMP 工作過程中，拋光液中的化學試劑會使被

266、拋光的基底材料發生氧化，形成一層較軟的氧化膜；拋光墊則提供機械研磨作用，完成材料的物理去除。通過反復進行氧化成膜和機械去除的過程，最終實現有效的拋光效果。圖表155：CMP 工作原理示意圖 資料來源：粉體圈，國盛證券研究所 CMP 材料在半導體材料市場中的占比較小，其中拋光液占比最大。材料在半導體材料市場中的占比較小，其中拋光液占比最大。根據 SEMI 數據，2023 年全球 CMP 材料成本占比，CMP 拋光液用量最大，達 49%；其次，CMP 拋光液墊達到 33%，兩者合計占比達到 82%；鉆石碟占比達到 9%；清洗液占比達到 5%?？梢?，CMP 拋光液是 CMP 工藝中占比最大的核心耗材

267、。圖表156：2023 年 CMP 材料細分占比 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 2028 年全球年全球 CMP 拋光材料市場規模預計達拋光材料市場規模預計達 44 億美元。億美元。根據 TECHCET，2024 年全球半導體 CMP 拋光材料（包括拋光液和拋光）市場規模將增長 6%至 35.5 億美元。隨著全球晶圓產能的持續增長以及先進技術節點、新材料、新工藝的應用需要更多的 CMP 工49%33%9%5%4%CMP拋光液CMP拋光墊鉆石碟清洗液其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.84 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 藝步驟，TECHCET

268、 預計 2028 年全球半導體 CMP 拋光材料市場規模將達到 44 億美元，2024-2028 年復合增長率為 5.6%。圖表157：2024-2028 年全球 CMP 拋光材料市場規模（億美元）資料來源：安集科技公告，TECHCET，國盛證券研究所 CMP 材料市場呈現出寡頭壟斷的格局，主要由于技術門檻高、行業領導企業的專利優勢材料市場呈現出寡頭壟斷的格局，主要由于技術門檻高、行業領導企業的專利優勢以及其豐富的產品線和強大的客戶粘性。以及其豐富的產品線和強大的客戶粘性。目前，拋光液市場主要由美國和日本的廠商主導，而拋光墊市場則由美國杜邦公司占據主導地位。國內 CMP 拋光材料產業起步較晚，

269、但正在逐步推進國產替代。部分國內企業已經掌握了 CMP 拋光墊全流程的核心研發技術和生產工藝，并成功成為國內的主要供應商。CMP 拋光墊市場份額集中，主要由海外大廠主導，國產廠商主要包括鼎龍股份等。拋光墊市場份額集中，主要由海外大廠主導，國產廠商主要包括鼎龍股份等。根據普華有策數據，2023 年美國杜邦公司占據 CMP 拋光墊市場主要份額（70%），其他供應商包括 Entegris（10.5%）、鼎龍（6.8%）、富士紡（4.7%）等，CR2 超 80%，市場份額集中，且由海外大廠主導，國產廠商主要包括鼎龍股份等。圖表158：2023 年 CMP 拋光墊市場份額 資料來源：普華有策，國盛證券研

270、究所 化學機械拋光液在化學機械拋光液在 CMP 技術中扮演著關鍵角色。技術中扮演著關鍵角色。其在拋光材料中的價值占比超過 50%。隨著晶圓產量和 CMP 平坦化工藝步驟數量的增加，拋光液的消耗量也相應增長。根據研磨顆粒，拋光液可大致分為二氧化硅拋光液、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和納米金剛石拋光液?；瘜W機械拋光液根據應用領域可分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、鈷拋光液、層間介質層拋光液、淺槽隔離層拋光液和 3D 封裝硅通孔拋光液。拋光CAGR=5.6%051015202530354045502024E2028E70.0%10.5%6.8%4.7%8.0%杜邦公司Entegris鼎龍富士

271、紡其他2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.85 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 液種類繁多，即便在相同的技術節點和工藝階段，由于不同的拋光對象以及客戶的工藝技術要求，其配方也會有所不同。圖表159：拋光液分類 資料來源：新型陶瓷公眾號，國盛證券研究所 芯片制造的重要性提升，芯片制造的重要性提升，CMP 工藝及相關拋光液需求持續增長。工藝及相關拋光液需求持續增長。隨著制程節點的不斷進步，多層布線數量和密度的增加，使得 CMP 工藝步驟的數量也隨之增加，CMP 技術的作用變得愈加關鍵，對后續工藝良率的影響愈發顯著。例如，在 14 納米技術節點下，邏輯芯片

272、制造所需的 CMP 工藝步驟數將從 180 納米技術節點的 10 步增至 20 步以上，而在7 納米及以下節點，這一數值甚至可能超過 30 步。此外，隨著邏輯芯片工藝的不斷升級，可能會要求對新的材料進行拋光，這為拋光液市場帶來了更多的增長潛力。同樣，存儲芯片領域也受到影響，隨著 2D NAND 向 3D NAND 的技術轉型，對 CMP 工藝的需求不斷增長，鎢拋光液和其他拋光液的需求也隨之上升。全球化學機械拋光液市場長期由美國和日本的公司主導。全球化學機械拋光液市場長期由美國和日本的公司主導。長期以來，全球 CMP 拋光液市場一直被美日企業壟斷，市場集中度較高，包括美國的 CMC Materi

273、als（已于 2022 年被Entegris 收購）、Versum Materials（已于 2019 年被 Merck 收購）、杜邦，以及日本的富士膠片、日立（已于 2020 年被 SDK 收購，并于 2023 年合并為 Resonac）等。其中，CMC Materials（現 Entegris）曾占據全球市場最高份額，但其占有率從 2000 年的約 80%下降至 2022 年的約 28%。圖表160：2023 年全球半導體拋光液和專用清洗液供應格局 資料來源：安集科技公司公告，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.86 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細

274、閱讀本報告末頁聲明 隨著國內企業的研發突破，安集科技等公司已打破化學機械拋光液壟斷。隨著國內企業的研發突破，安集科技等公司已打破化學機械拋光液壟斷。隨著制程技術的發展，拋光液種類不斷增加，技術難度逐步提升，同時下游客戶的需求也愈加多樣化，使得行業龍頭難以在所有細分市場保持壟斷。隨著國內企業不斷加強研發，像安集科技這樣的公司已經打破了海外廠商在拋光液領域的壟斷，根據 TECHCET 發布的全球半導體拋光液市場數據，近年來安集科技在全球市場的占有率分別為 5%、7%和 8%，并呈現逐年穩步增長的趨勢。目前，我國 CMP 拋光液行業的主要企業包括安集科技、上海新陽、鼎龍股份和萬華化學，其中安集科技和

275、上海新陽在 CMP 拋光液業務方面的布局較為完善，而鼎龍股份和萬華化學則處于起步階段。CMP 拋光液未來需求旺盛，國產化水平不斷提高。拋光液未來需求旺盛，國產化水平不斷提高。隨著 5G、人工智能、物聯網等新興技術的快速發展，以及我國半導體產業鏈的逐步完善，芯片設計公司對晶圓加工服務的需求不斷增加，這推動了我國晶圓加工行業產能的穩步增長。CMP 拋光液作為晶圓制造過程中必不可少的耗材，不僅在前道加工中得到廣泛應用，還涉及后道先進封裝的拋光工序。因此，下游晶圓廠產能的提升將直接推動 CMP 拋光液需求的增加，未來市場需求將保持旺盛。同時，在國家政策的強力支持下，CMP 拋光液的技術水平和生產能力將

276、不斷提升，有助于實現技術自主可控，進而推動國產化進程的加速。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.87 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.9 半導體封裝材料：半導體封裝材料：先進封裝驅動量價齊升先進封裝驅動量價齊升 半導體封裝材料在保護、散熱和電氣連接中發揮關鍵作用。半導體封裝材料在保護、散熱和電氣連接中發揮關鍵作用。半導體封裝材料是用于封裝半導體器件的物質，其作用包括保護、固定、散熱和電氣連接等。主要的封裝材料包括封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板和芯片粘接材料等。在全球封裝材料市場中，封裝基板占比最高，超過 50%，其次是引線框架和鍵

277、合絲，其他產品包括包封材料、底部填充物、芯片粘接材料、WLP 電介質和 WLP 電鍍化學品等。圖表161：半導體封裝材料分類 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 封裝材料市場開啟增長周期，封裝材料市場開啟增長周期，2023-2028 年年 CAGR 達達 5.6%。根據 TECHCET，2023年半導體封裝材料市場同比下滑 15.5%，預計 2024 年將恢復增長，開啟增長周期，到2025 年，全球封裝材料市場規模將超過 260 億美元，并將持續穩步增長至 2028 年。根據SEMI，TECHCET和TechSearch International三方報告，2023-2028年CAGR為

278、5.6%?；逭挤庋b材料較大比重，其中主要為 FC-BGA 基板。圖表162：全球封裝材料細分市場規模 資料來源：SEMI，TECHCET，TechSearch International，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.88 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 半導體封裝材料市場的集中度較高，日本廠商在各類封裝材料領域占據主導地位，部分半導體封裝材料市場的集中度較高，日本廠商在各類封裝材料領域占據主導地位，部分中國大陸廠商已在引線框架和包封材料領域成功占據一定市場份額。中國大陸廠商已在引線框架和包封材料領域成功占據一定市場份額。目前

279、，我國半導體封裝材料相關企業包括上海飛凱材料科技股份有限公司、宏昌電子材料股份有限公司、潮州三環（集團）股份有限公司、寧波康強電子股份有限公司、深圳市興森快捷電路科技股份有限公司等。圖表163：中國半導體封裝材料行業相關企業 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.89 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.10 半導體材料國產廠商進展梳理半導體材料國產廠商進展梳理 2.10.1 鼎龍鼎龍股份：國內股份：國內 CMP 拋光墊龍頭，電子材料平臺布局拋光墊龍頭，電子材料平臺布局 業績持續穩健增長。業績持續穩健增長。根據鼎龍股

280、份 2024 年業績預告，公司 2024 年預計實現營收 33.6億元，yoy+25.98%，實現歸母凈利潤4.9億元至5.3億元，（yoy+120.71%138.73%）。分產品來看，預計半導體材料業務及集成電路芯片設計和應用業務實現營收 15.6 億元，yoy+79%，具體來看，CMP 拋光墊銷售收入約 7.31 億元，同比增長約 75%；CMP 拋光液、清洗液合計銷售收入約 2.16 億元，同比增長約 180%；半導體顯示材料（YPI、PSPI、TFE-INK）：實現銷售收入合計約 4.02 億元，同比增長約 131%；半導體先進封裝材料及KrF/ArF 晶圓光刻膠加速推向市場，實現銷售

281、收入合計約 544 萬元。公司在進口替代類創新材料領域的研發、產業化、體系及客戶服務能力持續提升，產品矩陣進一步完善，規模效應顯著提高，將為后續業績持續提升奠定堅實基礎。傳統打印復印耗材業務方面，公司是產品體系最全，技術跨度最大的龍頭企業，2024 年實現營收 18 億元。半導體材料業務半導體材料業務布局逐步完善布局逐步完善。1）CMP 拋光墊：公司是國內唯一一家全面掌握 CMP 拋光墊全流程核心研發技術和生產工藝的 CMP 拋光墊供應商，集成電路制成用軟拋光墊和大硅片用拋光墊進入穩定訂單供應狀態，以碳化硅為代表的化合物半導體用拋光墊進入送樣測試階段。2）CMP 拋光液、清洗液：部分銅及阻擋層

282、拋光液新品進入量產導入驗證階段。3）半導體 OLED 顯示材料：PI 取向液、無氟光敏聚酷亞胺、黑色光敏聚酷亞胺、薄膜封裝低介電材料等新產品的開發、驗證持續推進。4）晶圓光刻膠及先進封裝材料：KrF/ArF 及半導體先進封裝材料業務的產品開發、驗證評價及市場拓展在快速推進，半導體封裝 PI、臨時鍵合膠共兩類半導體先進封裝材料，分別于 2024 年上半年、2024 年第四季度各自取得了首張批量訂單。布局供應鏈，原材料自制比例不斷提升布局供應鏈，原材料自制比例不斷提升。公司堅持材料技術創新與上游原材料自主化培養同步，持續提升公司產品上游供應鏈的自主化程度。如在半導體材料業務板塊，布局了 CMP 拋

283、光墊上游三大核心原材料預聚體、微球、緩沖墊，CMP 拋光液的核心原材料研磨粒子，以及封裝光刻膠、臨時鍵合膠、晶圓光刻膠等產品的核心原材料均實現了國產供應或自制替代。這有助于保障公司產品生產的自主可控、安全穩定，有助于從原料入手對產品進行定制開發，能在大規模量產階段帶來潛在的材料成本優勢，從而提升公司半導體材料產品的市場競爭力。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產能擴建不及預期。2.10.2 彤程新材：彤程新材：國產光刻膠龍頭國產光刻膠龍頭，多業務協同，多業務協同并進并進 營收利潤雙增長，財務表現亮眼。營收利潤雙增長，財務表現亮眼。彤程新材 2024 年前三季度實現營收 24.

284、25 億元（yoy+10.45%），凈利潤 4.39 億元（yoy+25.31%），毛利率為 25.44%，同比+1.48pcts，凈利率達 18.66%。單季度來看，2024Q3 營收為 8.49 億元（yoy+2.72%，qoq+6.89%），凈利潤 1.25 億元（yoy-1.13%，qoq-25.65%），毛利率 25.31%，凈利率 15.43%。電子材料業務持續高增長。電子材料業務持續高增長。1）半導體用 I 型、KrF 光刻膠持續保持高增長，部分新產品在重點 12 寸客戶驗證通過并快速上量；2）顯示面板用 4-Mask 高感度光刻膠滿足 Array工藝所有 Layer 適用，AM

285、OLED 面板用光刻膠分辨率達到 line1.5m、hole2.0m，已在 B 客戶實現量產銷售，AMOLEDtouch 用低溫光刻膠持續放量；3）高分辨率-AMOLED光刻膠甲酚甲醛樹脂量產，面板高耐熱光刻膠樹脂開發取得技術突破，先進 I-line 光刻膠切割甲酚甲醛樹脂已完成 6 個樹脂中試，金雜控制水平達到 ppb 級別；4）新業務順利推進。子公司彤程電子于 2024 年 5 月與江蘇省金壇華羅庚高新技術產業開發區管委會簽署協議，投資 3 億元建設半導體芯片拋光墊生產基地，預計達產后年產 25 萬片，年銷售約 8 億元。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.90

286、請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 多業務協同，成長空間廣闊。多業務協同，成長空間廣闊。公司深耕汽車輪胎特種材料主業，依托彤程電子打造電子化學品產業化平臺，以光刻膠為基礎，致力于成為國際領先的半導體和顯示材料生產商和解決方案提供商，實現關鍵材料國產化突破，提高電子材料業務收入占比。在汽車輪胎用特種材料領域，公司發揮全球最大輪胎用特種材料供應商優勢，疊加輪胎行業復蘇以及電子行業對高性能材料的需求增長，不斷擴大產能，輪胎用樹脂銷量和銷售額雙增長。在電子材料領域，公司 ArF 光刻膠已進入客戶驗證階段，KrF 光刻膠 2024H1 收入增速超過 60%，I 線光刻膠收入增速超過 500

287、%。在全生物可降解材料領域，公司通過引進巴斯夫授權的 PBAT 聚合技術，已在上?；@區建設完成 10 萬噸/年可生物降解材料項目（一期）（實際建設 6 萬噸），以滿足高端生物可降解制品在購物袋等方面應用。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，新品進展不及預期。2.10.3 安集安集科技：國產拋光液龍頭，拓寬功能性濕化學品布局科技：國產拋光液龍頭，拓寬功能性濕化學品布局 2024 年業績增長顯著，研發創新驅動新產品及客戶拓展。安集科技 2024 年業績快報顯示，公司 2024 年實現營業收入 18.35 億元，yoy+48.24%，歸母凈利潤 5.38 億元，yoy+33.64

288、%，主要系產品研發創新能力持續加強，新產品、新客戶、新應用導入順利；產品結構多元化和生產效率提升帶來毛利率增長，及內部管理和經營效率提升。持續擴產提升供應能力持續擴產提升供應能力，推動產業鏈升級推動產業鏈升級。公司寧波安集化學機械拋光液建設項目預計將于 2026 年 3 月建成，建成后，將新增 1.5 萬噸化學機械拋光液生產能力，可以加強和保障公司化學機械拋光液板塊產品供應能力，更好地應對和滿足下游市場需求，提升公司產品穩定性和綜合競爭力，有助于支持和保障國內集成電路產業鏈供應鏈安全穩定。2025 年 4 月，公司公告發行可轉債擬募集資金 8.3 億元，募集資金擬投向上海安集集成電路材料基地項

289、目、上海安集集成電路材料基地自動化信息化建設項目、寧波安集新增2 萬噸/年集成電路材料生產項目、安集科技上海金橋生產基地研發設備購置項目等。公司通過持續擴產和研發投入，提升產能和市場競爭力。突破技術壁壘，穩步提升拋光液市場份額突破技術壁壘，穩步提升拋光液市場份額。公司始終圍繞液體與固體襯底表面處理和高端化學品配方核心技術并持續專注投入，成功打破了國外廠商對集成電路領域化學機械拋光液和部分功能性濕電子化學品的壟斷，實現了進口替代，成為眾多半導體行業領先客戶的主流供應商。根據 TECHCET 公開的全球半導體拋光液市場規模測算，最近三年公司化學機械拋光液全球市場占有率分別約 5%、7%、8%，逐年

290、穩步提升。公司技術及產品已涵蓋“拋光、清洗、沉積”三大關鍵工藝，隨著研發產品范圍及應用的拓展，產品覆蓋面和客戶數量都將進一步提升，推動營業收入穩健增長。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，原材料供應安全。2.10.4 江豐電子：國產濺射靶材龍頭，零部件布局日益完備江豐電子：國產濺射靶材龍頭，零部件布局日益完備 業績業績高速增長。高速增長。江豐電子 2024 年 Q1-Q3 營業收入 26.3 億元，同比增長 41.8%，主要系公司產銷持續增長所致。2024 年 Q1-Q3 實現歸母凈利潤 2.9 億元，同比增長 48.5%。2019-2023 年，公司營收及歸母凈利潤 CAGR

291、 分別達 33.26%，41.25%，實現業績高速發展。根據公司 2024 年度業績快報，公司 2024 年營收 36.19 億元，同比增長 39.11%，2024Q4 營收 9.94 億元，同比增長 32.6%，環比減少 0.4%。2024 年歸母凈利潤 4.0 億元，同比增長 56.9%，2024Q4 歸母凈利潤 1.1 億元，同比增長 82.9%，環比減少 9.3%。全球領先的半導體濺射靶材制造商。全球領先的半導體濺射靶材制造商。江豐電子的超高純金屬濺射靶材在技術門檻最高的半導體領域已具備了一定國際競爭力，公司產品全方位覆蓋先進制程、成熟制程和特色工藝領域。憑借全面的產品組合、領先的技術

292、優勢、先進的制造能力、穩定的產品質量、強大的核心裝備以及全球化的技術支持、銷售與服務體系，江豐電子現已成為全球領先的半導體濺射靶材制造商，是臺積電、中芯國際、SK 海力士、聯華電子等全球知名芯片2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.91 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 制造企業的核心供應商，根據弗若斯特沙利文報告，2022 年江豐電子已經在全球晶圓制造濺射靶材市場份額排名第二。充分整合資源充分整合資源及技術優勢，推動零部件布局。及技術優勢，推動零部件布局。公司抓住芯片制造產線、裝備國產替代、自主可控的重大發展機遇，充分整合資源、技術、市場等優勢，積極推

293、動半導體精密零部件產品布局，持續投入半導體精密零部件制造工藝的研發，現已建成多個半導體設備精密零部件智能生產基地，全面布局金屬和非金屬類零部件。公司產品已成功進入了半導體產業鏈客戶的核心供應鏈體系，實現多品類精密零部件產品在半導體核心工藝環節的應用。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產能建設不及預期。2.10.5 興森興森科技：科技：FCBGA 封裝基板放量在即封裝基板放量在即 興森科技 2024 年度業績預告，2024 年度歸母凈虧損 1.72.0 億元，主要系 FCBGA 封裝基板業務費用投入，子公司宜興硅谷和廣州興科虧損影響。其中 FCBGA 封裝基板項目費用投入超 7

294、.60 億元，宜興硅谷因產品結構不佳及產能利用率不足導致虧損約 1.33 億元，廣州興科 CSP 封裝基板項目因產能利用率不足導致虧損月 0.70 億元，但 Q4 訂單已逐步回暖。布局布局 FCBGA 與與 AI 賽道，技術升級驅動未來增長。賽道，技術升級驅動未來增長。1）FCBGA 封裝基板項目：作為公司戰略性投資，樣品應用領域包括服務器、AI 芯片、智能駕駛、交換機晶片、網卡、通信產品等。預計此項目 2025 年小批量訂單會逐步上量，公司將持續投入資源提升技術能力、工藝能力和產品良率，同時加大市場拓展力度，持續攻堅海外大客戶，把握海外客戶供應鏈本土化的機會。2）北京興斐業務：2024 年中

295、北京興斐啟動產線升級改造項目，更換關鍵設備，旨在增加 AI 服務器領域產品的產能；光模塊業務景氣度較高，北京興斐已逐步完成國內相關客戶的驗場及打樣工作，預計 2025 年逐步上量，在未來幾年成為重要的增量所在。布局封裝基板，充分受益于先進封裝與國產替代加速。布局封裝基板，充分受益于先進封裝與國產替代加速。公司作為國內 PCB 樣板及快件、批量板細分領域的龍頭企業，業務規模持續擴大。公司積極布局封裝基板賽道，經過多年的持續研發投入，在市場拓展、技術工藝、團隊建設和品質提升等方面取得了顯著突破和積淀。在薄板加工和精細化路線能力方面，公司處于國內領先地位，并與國內外主流芯片廠商和封裝廠商建立了穩定的

296、合作關系。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，稼動率提升不及預期。2.10.6 雅克科技：三季度業績高增，雅克科技：三季度業績高增，新材料新材料多多品類并駕齊驅品類并駕齊驅 公司發布 2024 年度業績預告，2024 年預計實現歸母凈利潤約 8.5-9.3 億元（yoy+47%-60%）。24 年公司全年利潤同比顯著增長，主要原因：1）造船及液化天然氣儲運需求提升，LNG 保溫板材業務增長顯著；2）集成電路行業回暖，下游芯片產能擴張帶動電子材料需求，電子材料板塊營收明顯增長；3）顯示面板材料銷售穩增。雅克科技 2024 年前三季度實現營業收入49.99億元（yoy+41.15%

297、），歸母凈利潤7.49億元（yoy+55.80%），毛利率為 32.88%，同比增長 1.02pcts，主要系 LNG 板塊及電子材料板塊收入的強勁上揚。產品研發成果豐碩，新業務加速推進。產品研發成果豐碩，新業務加速推進。1）前驅體材料方面，江蘇先科國產化項目進展順利，HCDS、TMA、TiCl等產品已通過多家客戶驗證，正式實現供貨。2）光刻膠業務方面，公司積極推進 CMOS 傳感器用 RGB 材料、OLED 用低溫 RGB 材料及先進封裝 RDL層用 I-Line 光刻膠等高端產品的客戶端測試，目前驗證進展順利；同時，OCPS 光刻膠產線已建設完成，產品正在客戶導入測試階段。3）功能性填充材

298、料方面，華飛電子的 CCL及球形氧化鋁產品已實現技術突破，開始向客戶穩定供貨；亞微米級球形二氧化硅產品2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.92 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 開發完成，設備運行平穩，已實現部分銷售并逐步進入市場。4）LNG 保溫絕熱板材方面，RSB、FSB 次屏蔽層關鍵材料已具備小規模批量化生產能力。從整體來看，公司前驅體材料技術性能已達到國際主流客戶工藝標準，半導體材料在制備、純化及充裝等環節工藝先進，產品質量穩定可靠。在 LNG 保溫絕熱板材方面，公司是國內首家具備自主研發及生產技術的企業，擁有完整的知識產權體系、先進工藝與高度

299、智能化生產線。歷經多年發展，公司依托領先的技術實力與穩定的產品性能，已積累大批優質客戶資源，核心客戶涵蓋半導體、顯示面板及 LNG 儲運等重點領域，并在各業務板塊與下游龍頭客戶建立了長期、穩定的合作關系。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，客戶導入不及預期。2.10.7 滬硅產業：滬硅產業：300mm 硅片產能加速擴張，國產替代龍頭蓄勢待發硅片產能加速擴張，國產替代龍頭蓄勢待發 營收穩步回升，虧損幅度收窄。營收穩步回升，虧損幅度收窄。2024 年前三季度，公司實現營業收入 24.79 億元（yoy+3.70%），歸母凈利潤-5.36 億元（yoy-352.40%），毛利率-8.

300、82%，同比-27.64pcts，主要系產品單價承壓和持續高研發投入的影響。單季度來看，24Q3 營收 9.09 億元（yoy+11.37%，qoq+7.64%），歸母凈利潤-1.48 億元（yoy-687.94%，qoq+22.49%），毛利率-5.22%，同比-20.30%。預計隨著市場持續回暖，價格壓力會逐漸好轉，三季度相較上半年，虧損幅度已經收窄，后續呈現向好的趨勢。供應鏈布局深化，供應鏈布局深化，300mm 硅片產能持續突破。硅片產能持續突破。公司近期與鑫華半導體簽訂 10.54 億元電子級多晶硅采購框架合同（2025-2029 年），進一步鞏固上游原材料供應保障。目前上海新昇月產能

301、已達 50 萬片，預計 2024 年底將提升至 60 萬片/月。技術方面，公司已實現 300mm 硅片在邏輯芯片、存儲芯片和圖像傳感器（CIS）等領域的全覆蓋，子公司新傲芯翼建設的 300mm 高端硅基材料試驗線（6 萬片/年）已投入運營，技術領先優勢持續強化。全產業鏈布局優勢顯著，長期成長確定性高。全產業鏈布局優勢顯著，長期成長確定性高。滬硅股份作為國內半導體硅片龍頭企業，已構建從原材料到終端產品的完整產業優勢：1）供應鏈方面，通過 10.54 億元多晶硅長單鎖定上游關鍵材料，保障產能擴張需求；2）產能方面，300mm 硅片月產能 2024 年底將達 60 萬片，規模優勢顯著。風險提示：風險

302、提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產能利用率不及預期。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.93 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.10.8 清溢光電：掩模版國產替代中軍，平板顯示清溢光電：掩模版國產替代中軍，平板顯示+半導體雙輪加速成長半導體雙輪加速成長 業績增長穩健，盈利能力持續優化。業績增長穩健，盈利能力持續優化。公司發布 2024 年度業績預告，清溢光電 2024 年營收 11.12 億元，同比增長 20.35%，歸母凈利潤 1.7 億元，同比增長 28.8%，主要系公司圍繞“平板顯示掩膜版+半導體芯片掩膜版”互促共進的“雙翼”戰略發展目

303、標，持續專注于掩膜版的研發、生產和銷售，產銷規模進一步擴大所致。產品進展順利，技術迭代加速。產品進展順利，技術迭代加速。1）在平板顯示掩模版方面，公司已成功實現 8.6 代高精度 TFT 用掩膜版、6 代中高精度 AMOLED/LTPS 等掩膜版以及中高端半透膜掩膜版(HTM)產品的量產。2）在半導體掩膜版領域，公司已實現 180nm 半導體芯片掩膜版量產，并完成 150nm 客戶測試認證與小規模量產。目前，正全力推進 130nm-65nm 的 PSM 和OPC 工藝的掩膜版開發，以及 28nm 所需掩膜版工藝開發規劃。行業地位穩固，未來潛力行業地位穩固，未來潛力較大較大。清溢光電作為全球前五

304、的平板顯示掩模版制造廠商（以銷售額計），在國內更是成立最早、規模最大的掩膜版生產企業之一。憑借自主創新的技術開發實力和先進的工藝技術，持續保持行業領先地位。作為國家高新技術企業，公司依托強大的研發中心，在產品研發和精密設備研發方面具有顯著優勢，特別是在測量、修補、貼膜等關鍵設備的制造與維護上，通過多年的技術積累，大幅降低了生產成本，形成了獨特的競爭力。公司與平板顯示和半導體芯片產業中的多個知名企業建立了長期穩定的合作關系，積累了大批優質客戶資源。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產品進展不及預期。2.10.9 路維光電：高精度顯示路維光電：高精度顯示&半導體掩模版雙輪驅動成長

305、半導體掩模版雙輪驅動成長 根據公司業績快報，2024 年公司實現營收 8.76 億元，同比增長 30.2%，實現歸母凈利潤 1.92 億元，同比增長 29.2%；實現扣非歸母凈利潤 1.7 億元，同比增長 39.9%，主要系面對旺盛的下游需求，公司堅持技術升級、服務優化與產能擴張，從而更好滿足各大客戶的需求，驅動各項業務平穩發展，帶動營業收入穩步增長，同時公司持續強化資金管理，有效降低期間費用率，盈利水平持續提升。公司連續多年保持營收與利潤的雙重增長，2019-2024 年公司營業收入年均復合增長率達 32%，2020-2024 年公司歸屬于母公司所有者的凈利潤年均復合增長率達到 56%。產品

306、布局全面、矩陣豐富產品布局全面、矩陣豐富。公司產品矩陣完備，可更大范圍配套下游面板以及半導體客戶的需求。在面板領域，公司可覆蓋全面世代產線，是國內唯一一家可覆蓋 G2.5-G11 平板顯示掩膜版的廠商，同時可覆蓋當下所有顯示技術，包括 LCD、LTPS、LTPO、AMOLED、Mini-LED、Micro-LED、硅基 OLED 等，以及 FMM 用光掩膜版。在半導體領域，公司及江蘇路芯布局制程節點在 28nm 以上，在國內第三方掩膜版廠商中的進度較快，江蘇路芯半導體掩膜版項目一期將在 2025 年第一季度開始送樣 90-100nm 制程節點半導體掩膜版，2025 年下半年試產 40nm 制程

307、節點半導體掩膜版產品，一期項目有望在 2025 年貢獻小部分收入，并在 2026 年進一步放量，后續開始推進二期 40-28nm 制程節點的半導體掩膜版項目。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，客戶導入不及預期。2.10.10 天承天承科技：打造全球領先綜合性濕電子化學品服務商科技：打造全球領先綜合性濕電子化學品服務商 營收穩步增長，進口替代優勢進一步凸顯。營收穩步增長，進口替代優勢進一步凸顯。天承科技 2024 年業績快報公告，2024 年實現營業收入 3.81 億元，yoy+12.32%，實現歸母凈利潤 0.77 億元，yoy+31.19%，主要系公司進口替代優勢產品的銷售

308、占比穩步提升，以及精細化的現金管理策略提高了資金使用效率。單季度來看，24Q4 實現營業收入 1.08 億元，yoy+17.39%，qoq+8.00%，實現歸母凈利潤 0.2 億元，yoy+17.65%，環比持平。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.94 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 向下游集成電路產業延展，開拓海外市場。向下游集成電路產業延展，開拓海外市場。公司擬與浦宸基金共同出資 1.12 億元在上海張江設立控股子公司，打造天承科技集成電路事業部，以現有集成電路、先進封裝、玻璃晶圓電鍍液產品為起點，持續研究、開發、應用集成電路領域的關鍵技術、前

309、沿技術及相關的核心材料，為集成電路產業的發展貢獻力量。此外，公司擬投資 1 億元，在泰國建設生產基地，建立產品海外供應能力，開拓海外市場，目前已完成設立登記相關事宜。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，供應鏈安全。2.10.11 德邦科技：德邦科技：高端封裝材料龍頭高端封裝材料龍頭，進口替代進口替代&新興需求新興需求打開成長空間打開成長空間 根據公司業績快報，公司 2024 年實現營收 11.7 億元，同比增長 25.2%，實現歸母凈利潤 0.97 億元，同比下降 5.66%，實現扣非歸母凈利潤 0.83 億元，同比下降 4.9%。收入方面，受益于半導體行業復蘇，下游稼動率回升

310、，且公司產品系列不斷完善豐富，拓展了更多的增長點，同時消費電子行業景氣度全年小幅增長，公司積極拓展新的客戶、新的應用點，新產品不斷突破，高附加值產品持續上量，份額穩步提升；新能源汽車方面，銷量繼續保持增長，全年出貨量上升；高端裝備方面，行業在智能駕駛、智能座艙、汽車輕量化等領域出現新的需求，公司抓住市場機會，聚焦重點客戶和重點項目，發揮協同效應。利潤方面，公司集成電路、智能終端、高端裝備板塊的毛利率穩步提升，新能源板塊毛利率受部分產品降價影響有所降低，同時公司持續加大研發投入，加大新產品開發力度，積極開拓海內外市場，相關費用同比有所增加，凈利小幅降低。專注高端電子封裝材料專注高端電子封裝材料。

311、公司專注于高端電子封裝材料，已在半導體、智能終端、新能源等領域打破海外壟斷，助力我國高端電子封裝材料國產替代，具備參與國際產業分工、參與競爭的全面能力。1）集成電路封裝材料領域，公司在晶圓 UV 膜材料、芯片固晶材料、導熱界面材料等多領域持續批量出貨。2）智能終端封裝材料領域，公司智能終端封裝材料具備多品類、多系列的特點，已經成功躋身于國內外知名品牌的供應鏈，并達成了業務規?；c產能規?；膬瀯?。3）在新能源應用材料領域，公司動力電池用雙組分聚氨酯封裝材料入選國家級制造業單項冠軍，儲能電池材料方面，公司布局儲能市場較早，已經實現行業主要客戶寧德時代和陽光電源儲能等批量供貨。光伏電池材料方面，公

312、司在光伏疊瓦封裝方面擁有領先的技術儲備，已經在通威股份、阿特斯、東方環晟等光伏組件領軍企業中大規模應用并具備強大的競爭優勢，市場份額位居前列。4）高端裝備封裝材料領域，公司在高端裝備行業及 MRO 領域有著 20 多年的經驗和基礎，產品類別涵蓋聚氨酯、環氧、丙烯酸、硅膠以及多元雜化膠等所有化學體系產品。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，新品研發不及預期。2.10.12 金宏氣體金宏氣體：現場制氣現場制氣&電子大宗業務穩健增長電子大宗業務穩健增長 根據金宏氣體 2024 年年報，2024 年實現營收 25.25 億元（yoy+4.03%）實現歸母凈利潤2.01億元（yoy-36

313、.12%），主要系市場競爭加劇導致毛利率承壓及部分商譽減值影響，且公司加大研發投入力度，全年研發費用達 1.01 億元（yoy+16.78%）。單季度來看，24Q4 營業收入 6.67 億元（yoy+3.09%，qoq+6.55%），歸母凈虧損 0.09 億元，主要系研發費用的增加。大宗載氣與現場制氣業務拓展，突破海外市場。大宗載氣與現場制氣業務拓展，突破海外市場。1）大宗載氣業務：2024 年新增武漢長飛、北方集成電路二期等 8 個電子大宗載氣項目，其中廈門天馬光電子電子大宗載氣項目量產供氣；無錫華潤上華項目已實現量產供氣，實現成熟量產晶圓產線電子大宗載氣存量業務的突破。2）現場制氣業務：營

314、口建發單套 7 萬等級空分供氣項目實現有色冶煉行業突破；山東睿霖高分子 3 萬等級空分供氣項目實現煉化/石化行業突破；稷山銘福鋼鐵 3 套空分合作項目正式投產運營；云南呈鋼集團 3 套空分供氣項目以收購轉供氣（de-cap）方式實現鋼鐵行業再突破；獲得泰國現場制氣項目，實現海外區域新突破。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.95 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產能釋放不及預期。2.10.13 華特氣體華特氣體：電子特氣國產化龍頭，品類持續擴充：電子特氣國產化龍頭，品類持續擴充 華特氣體 2024

315、年業績快報公告，公司 2024 年實現營收 13.96 億元（yoy-6.94%），主要系部分原材料價格持續攀升與產品市場價格競爭激烈；實現歸母凈利潤 1.81 億元（yoy+5.91%），主要系公司積極調整銷售策略，同時推進海外銷售模式，優化毛利水平，增強成本競爭力。提升海外市場布局，加強半導體氣體產品產業化。提升海外市場布局，加強半導體氣體產品產業化。1）橫向擴張：設立泰國公司，發展現場制氣業務至延伸發展瓶裝特氣業務；收購新加坡 AIG，在新加坡擁有倉儲、物流、技術服務能力，直接銷售海外終端客戶；設立馬來西亞公司，為海外建生產工廠做儲備，實現東南亞互聯；穩步推進南通、西南、將生產基地建設，

316、豐富大市場容量品類產品。2）縱向擴張：鍺烷產品已實現產業化，得到下游半導體制造客戶應用；自主研發、生產的全產業鏈乙硅烷已初顯成效，產量穩步提升；提前布局研發硅基前驅體產品并實現研發突破，持續賦能先進制成的氣體種類。公司通過橫向和縱向擴張戰略，持續優化產品線和產能布局，推動業務全球化并提升市場競爭力。特種氣體領域技術領先。特種氣體領域技術領先。公司產品范圍較為全面，除三氟化氮、六氟化鎢外，其余類別電子特氣產品基本都有布局，在多個特氣品種打破海外壟斷，居國內特種氣體企業龍頭地位。公司六氟乙烷純度達 6N 級，高純氨純度達 7N 級，基本可與國際巨頭對標；此外，公司光刻氣是國內唯一通過 ASML 和

317、 GIGAPHOTON 兩家巨頭認證產品。2017 年，華特氣體光刻氣在國內市占率達 60%，此后常居國內第一?？蛻舴矫?，公司客戶覆蓋中芯國際、長江存儲、華潤微電子、士蘭微等一眾國內公司。成功實現對國內 8 寸及以上的集成電路制造商中超 90%的客戶覆蓋率。風險提示：風險提示：下游需求不及預期，市場競爭加劇，產能節奏不及預期。2.10.14 興福興福電子：電子級磷酸市占率國內第一，功能性濕化學品加速放量電子：電子級磷酸市占率國內第一，功能性濕化學品加速放量 業績穩健增長，產銷量持續上行。業績穩健增長，產銷量持續上行。興福電子公告 2024 年實現營收 11.37 億元（yoy+29.44%），

318、歸母凈利潤 1.59 億元（yoy+28.61%），毛利率達 29.60%，主要系公司主要產品產銷量穩步增加，新產品、新客戶開發取得積極進展，銷售利潤增加，以及享受集成電路企業增值稅加計抵減政策金額增加所致。此外，公司在濕電子化學品回收和綜合利用業務方面成功實現了扭虧，閉環業務模式的新興業態已初步顯現成效。產能規模與技術水平產能規模與技術水平進一步進一步提升，產業布局不斷優化完善。提升，產業布局不斷優化完善。公司項目陸續完工，產能逐步釋放，1）已完工項目陸續投產：4 萬噸/年電子級硫酸改擴建、2 萬噸/年電子級氨水聯產 1 萬噸/年電子級氨氣、電子級雙氧水改擴建（1 改 3）等項目在年內順利建

319、成投產，公司電子化學品及配套原材料總體產能規模達到 37.4 萬噸/年。2）在建項目有序推進：上海興福 4 萬噸/年超高純電子化學品、5 萬噸/年電子級硫酸回收綜合利用、165 噸/年硅基前驅體等項目啟動建設，建成后將為公司帶來新的利潤增長點。3）儲備項目加快謀劃：35 噸/年超高純電子級磷烷、1.5 萬噸/年電子級磷酸綜合利用擴產等項目已基本完成前期準備工作。4）對外投資穩步開展，與江蘇新化化工有限公司合資成立江蘇興福電子材料有限公司，啟動了 2 萬噸/年電子級異丙醇項目建設，進一步豐富公司產品布局，看好公司產能擴張和新項目投產，帶動業績持續增長。持續深耕半導體材料領域，市場拓展和技術迭代雙

320、輪驅動增長。持續深耕半導體材料領域，市場拓展和技術迭代雙輪驅動增長。公司電子級磷酸、硫酸等產品純度達到國際 SEMI 標準最高等級，成功突破國外技術封鎖并實現進口替代，逐步搶占海外企業壟斷的市場份額。目前，公司在各細分領域占據國內領先地位，2023 年電子級磷酸國內市場占有率達 69.69%，已連續三年居國內第一；電子級硫酸（SEMI G52025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.96 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 等級）市占率 31.22%，處于國內第一梯隊。2024 年，公司整體經營態勢積極，業務規模不斷擴大，營收增速顯著。風險提示：風險提示：下游需

321、求不及預期，市場競爭加劇，供應鏈安全。2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.97 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3 半導體零部件：設備之基半導體零部件：設備之基，多點開花，多點開花 半導體半導體精密精密零部件是半導體設備行業的基石。零部件是半導體設備行業的基石。半導體零部件是指在材料、結構、工藝、品質和精度、可靠性及穩定性等方面達到半導體設備及技術要求的零部件。上游原材料包括鋁合金材料和部分非金屬原材料，下游應用則涵蓋了光刻、刻蝕、清洗、薄膜沉積等半導體設備。鑒于半導體設備廠商往往為輕資產模式運營，其絕大部分關鍵核心技術需要物化在精密零部件上，或以精

322、密零部件作為載體來實現，因此精密零部件對半導體設備的性能至關重要。圖表164：半導體設備零部件產業鏈 資料來源：富創精密招股說明書，國盛證券研究所 半導體設備零部件半導體設備零部件參數高標準，工藝復雜。參數高標準，工藝復雜。由于應用于可靠性要求非常高的半導體設備中，零部件參數往往要兼顧精度、強度、潔凈度、抗腐蝕、電子特性、電磁特性、材料純度等復合功能要求，生產工藝涉及精密機械制造、工程材料、表面處理特種工藝、電子電機整合及工程設計等多個領域和學科，是半導體設備核心技術的直接保障。圖表165：半導體零部件制造工藝高標準 技術技術 介紹介紹 精密機械 制造技術 圍繞精準加工工藝路線和程序開發、材料

323、科學和材料力學與零件結構和加工參數的匹配、制造方式與產業模式匹配，通過機械制造精度和所加工材料精準把控，提升半導體設備整體性能及使用壽命。表面處理 特種工藝技術 可分為干式制程和濕式制程，用于保障精密零部件的高潔凈、超強耐腐蝕、耐擊穿電壓等性能。干式制程包括拋光、噴砂及噴涂等;濕式制程包括化學清洗、陽極氧化、化學鍍鎳及電解拋光等。焊接技術 確保半導體設備精密零部件焊接區域的零氣孔、零裂紋、零瑕疵，保證半導體設備零部件的產品性能及使用壽命，以最終實現真空環境下的半導體設備工藝制程的穩定。資料來源：富創精密招股書，國盛證券研究所 半導體精密零部件種類眾多，市場較為分散。半導體精密零部件種類眾多，市

324、場較為分散。由于半導體設備技術工藝復雜、種類各異，因此精密零部件的種類繁多，主要包括機械類中的金屬工藝件、結構件，電氣類，機電一體類，氣體/液體/真空系統類，儀器儀表類，光學類等等，各個細分市場規模較小，2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.98 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 且不同零部件之間工作原理各異，導致碎片化特征較明顯。蔡司的用于 EUV 光刻機的空間成像測量系統（AIMS）就擁有 134 個供應商，4500 個系統部件，6.4 萬個零部件。圖表166：EUV 光刻機空間成像測量系統（AIMS）零部件繁多 資料來源：SEMI，國盛證券研究所

325、圖表167：半導體設備零部件分類 分類 占 設 備 成本比例 占設備市場比例 零部件具體類別 所應用的主要設備 在設備中發揮的主要作用 機械類 20%-40%12%金屬工藝件金屬工藝件:反應腔、傳輸腔、過渡腔、內襯、勻氣盤等 金屬結構件金屬結構件:托盤、冷卻板、底座、鑄鋼平臺等 非金屬機械件非金屬機械件:石英、陶瓷件、硅部件、靜電卡盤、橡膠密封件等 應用于所有設備 設備中起到構建整體框架、基礎結構、晶圓反應環境和實現零部件特殊功能的作用，保證反應良率，延長設備使用壽命 電氣類 10%-20%6%射頻電源、射頻匹配器、遠程等離子源、供電系統、工控電腦等 應用于所有設備 在設備中起到控制電力、信號

326、、工藝反應制程的作用 機 電 一體類 10%-25%8%EFEM、機械手、加熱帶、腔體模組、閥體模組、雙工機臺、浸液系統、溫控系統等 應用于所有設備，其中雙工機臺和浸液系統僅用于光刻設備 在設備中起到實現晶圓裝載、傳輸、運動控制、溫度控制的作用，部分產品包含機械類產品 氣體/液體/真空系統類 10%-30%9%氣體輸送系統類:氣柜、氣體管路、管路焊接件等 主要用于薄膜沉積設備、刻蝕設備和離子注入設備等干法設備 在設備中起到傳輸和控制特種氣體、液體和保持真空的作用 真空系統類:干泵、分子泵、真空閥門等 主要用于薄膜沉積設備、刻蝕設備和離子注入設備等干法設備 氣動液壓系統類:閥門、接頭、過濾器、液

327、體管路 主要用于化學機械拋光設備、清洗設備等濕法設備 儀 器 儀表類 1%-3%1%氣體流量計、真空壓力計等 應用于所有設備 在設備中起控制和監控流量、壓力、真空度、溫度等數值作用 光學類 5%8%光學元件、光柵、激光源、物鏡等 主要應用于光刻設備、量 測設備等 在光學設備中起到控制和傳輸光源的作用 其他 3%-5%/定制裝置、耗材等 應用于所有設備 實現設備運行的作用 資料來源：富創精密招股說明書，國盛證券研究所 2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.99 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 從主要材料和使用功能的角度，半導體設備零部件的主要類別包括金屬

328、件、硅/碳化硅件、石英件、陶瓷件、真空件和密封件等，不同類型半導體設備零部件加工技術難點有所差異，金屬件主要難點在于在加工精度，分析檢測、焊接及表面處理，陶瓷件難點在 ESC靜電吸盤，石英件純度，加工精度存在難點。圖表168：半導體零部件難點 種類種類 技術難點技術難點 金屬件 難點集中在加工精度，分析檢測、焊接及表面處理 硅/碳化硅件 原物料，加工工藝和精度均存在難點 石英件 純度，加工精度存在難點 雜質含量、原材料匹配性、表面顆粒質量、應力質量、加工精度都是關鍵因素 陶瓷件 難點在 ESC 靜電吸盤 真空件 真空泵：氣體動力學設計、材料、微米級精密加工、表面處理、精密裝配 真空規：測量工藝

329、真空、壓力測量的要求高，型號多樣；高真空壓力計：測量超高真空工藝環境壓力，形制特殊 氣體流量計：要求響應速度快、精確度高、穩定性好、耐腐蝕性好、使用壽命長 真空閥件：材料等級高、耐磨抗腐蝕、不能有顆粒 密封件 材料特殊：需要做成分分析及各種摻雜 耐化性：需要應對各種腐蝕性氣體及化學品、臭氧等離子體等，耐高溫，機械摩擦等 形狀特殊：模具加工難度較大 過濾件 難點在制作耐腐蝕、高溫件的原始輔料 石墨件 石墨基材：參考標準為石墨等級 機械精加工 表面鍍膜/微處理/純化 關鍵工藝參數：表面最大顆粒度 運動部件 機械臂類：難點在通訊 馬達類：品質風險 電控部件 射頻電源、電路板、電磁閥、控制器，種類多、

330、產品雜，涉及功能各不相同：如正向研發需要結合使用功能 塑料件 缺少圖紙、缺少精度數據、表面處理缺乏經驗、多為非標準件、結構復雜 資料來源：先鋒精科招股書，國盛證券研究所 半導體零部件業務主要有兩大需求來源。（半導體零部件業務主要有兩大需求來源。（1）晶圓廠現有設備的零部件更換需求；（）晶圓廠現有設備的零部件更換需求；（2）晶圓廠新購設備生產中零部件的增量需求晶圓廠新購設備生產中零部件的增量需求，設備由零部件組裝而成，晶圓廠需零部件進行替換。圖表169：半導體零部件市場需求來源 資料來源：先鋒精科招股書，國盛證券研究所 在半導體設備的成本構成中，精密零部件的價值占比較高，市場空間廣闊。在半導體設

331、備的成本構成中，精密零部件的價值占比較高，市場空間廣闊。根據弗若斯特沙利文報告，2022 年全球半導體設備精密零部件市場規模為 3861 億元人民幣，其中，中國市場增速高于全球市場，主要得益于供應鏈本土化進程的加速，2022 年中國半導體設備精密零部件市場規模為 1141 億元人民幣。根據國內外半導體設備廠商公開披露信2025 04 17年 月 日 gszqdatemark P.100 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 息，設備成本構成中 90%以上為原材料（即各類不同零部件產品），考慮半導體設備公司毛利率一般在 40%-45%，從而半導體設備零部件的市場規模約為半導體設備市場

332、規模的 50%-55%。以以 SEMI 預計預計 2025 年全球半導體設備市場規模年全球半導體設備市場規模 1210 億美元計，則億美元計，則全球全球半導體零部件市場規模超半導體零部件市場規模超 600 億美元。億美元。根據 SEMI 數據，預計 2024 年全球半導體年全球半導體設備零部件直接材料市場規模約設備零部件直接材料市場規模約 492 億美元，國內半導體設備零部件直接材料市場規億美元，國內半導體設備零部件直接材料市場規模約模約 164 億美元億美元，零部件市場規模隨半導體設備市場規模同步回暖。圖表170：2022 年全球/中國半導體設備精密零部件市場規模（億元）資料來源：江豐電子公

333、司公告，國盛證券研究所 半導體設備零部件行業整體集中度較為分散，半導體設備零部件行業整體集中度較為分散，總體來看總體來看海外廠商海外廠商持續持續領先。領先。半導體設備零部件因其碎片化及不同產品技術差異較大特征，行業整體集中度較為分散，但細分領域呈壟斷格局，目前行業內領先企業主要來自歐洲、美國和日本等地區及國家。根據 QY Research 數據，2023 年全球前五大半導體設備零部件廠商分別為 ZEISS、Entegris、MKS Instrument、Altas Copco、Trumpf，當前國內廠商尚處發展期，部分零部件仍在國產替代初期，后續有望在深耕既有優勢工藝領域同時，通過組裝、測試等環節將公司所產精密零部件、外購件等進行裝配，實現由供應單一零部件向提供具備部分半導體設備核心功能的模組產品及服務的轉變，從而提升自身核心競爭力與客戶黏性。圖表171：全球半導體零部件市場格局 公司公司