【公司研究】萬業企業-地產老兵轉型半導體核心設備新領域-20200315[28頁].pdf

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1、請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 評級：評級： 市場價格：市場價格：21.34 分析師：分析師：劉翔劉翔 執業證書編號：執業證書編號：S0740519090001 Email： 分析師：張欣分析師：張欣 執業證書編號：執業證書編號：S0740518070001 Email： ? 基本狀況基本狀況 總股本(百萬股) 806.16 流通股本(百萬股) 806.16 市價(元) 21.34 市值(百萬元) 17203 流通市值(百萬元) 17203 股價與股價與行業行業-市場走勢對比市場走勢對比 相相關關報告報告 公司盈利預測及估值公司盈利預測及估值 指標 2017A

2、 2018A 2019E 2020E 2021E 營業收入（百萬元） 2,096 2,679 2,025 2,404 2,431 增長率 yoy% -34.2527.81% -24.40% 18.70% 1.14% 歸母凈利潤（百萬元） 1,699 972 665 679 689 增長率 yoy% 136.48-42.78% -31.56% 2.08% 1.46% 每股收益（元） 2.11 1.21 0.83 0.84 0.85 每股現金流量 0.91 0.70 0.72 0.72 0.90 凈資產收益率 28.93% 15.73% 9.88% 9.42% 8.96% P/E 10.13 17

3、.70 25.86 25.33 24.97 PEG -0.38 -1.63 -9.54 -0.96 -2.30 P/B 2.93 2.78 2.55 2.39 2.24 備注：備注：股價取自股價取自 2020 年年 3 月月 13 日收盤日收盤 ?ble_?y 投資要點投資要點 地產公司收購凱世通，開啟半導體地產公司收購凱世通，開啟半導體設備設備新征程：新征程：公司成立于 1991 年，主 營業務為房地產住宅類項目，2018 年 12 月完成收購離子注入機設備公司 凱世通，凱世通主營泛半導體中離子注入機及配套服務，應用于光伏、集 成電路、AMOLED、IGBT 等全系列，目前公司在光伏離子注入

4、機全球市 占率第一。財務上看，凱世通 2018 年實際凈利潤為 1,208 萬元，超過預 期 972 萬元，且目前實際控制人及第三大股東分別為上海浦東科投有限公 司以及國家集成電路產業基金，為公司進一步布局壯大半導體保駕護航。 離子注入機離子注入機集集中度高中度高，光伏光伏/半導體半導體/面板國內替代面板國內替代空間大空間大。離子注入機主 要用于光伏、IC、面板摻雜工藝，是繼光刻、刻蝕、薄膜沉積第四大關鍵 設備， 我們預計離子注入機國內潛在市場規模約 80 億， 但從格局看離子注 入機主要由美國和日本廠商壟斷，美國應材和 Axcelis 公司分別占據 50%/20%份額，國內起步較晚，目前主要

5、代表性企業僅有凱世通和北京中 科信電子裝備兩家，國產替代空間較大。 凱世通： 專家鑄造研發護城河， 從光伏到凱世通： 專家鑄造研發護城河， 從光伏到 IC 逐步替代逐步替代。 凱世通成立于 2009 年，公司以陳炯博士為首的五位世界一流離子注入設備專家創立，根據萬 業企業發行股份購買資產報告書，陳炯博士作為離子注入設備國際巨頭 AIBT 的創始人之一兼首席技術官， 曾帶領團隊成功開發兩代大束流離子注 入機，并于 2007 年進入當時最先進 32-28 納米臺積電生產線，實現全球 銷售 80 臺套。公司擁有 100 多例專利，是中國第一個將離子注入機應用 于光伏領域如中來等客戶的企業。隨著國產替

6、代趨勢加強，公司有望在光 伏領域以及在半導體低能大束流離子注入機和 IGBT 氫離子注入機等領域 重點布局，目前凱世通在低能和大束流等核心指標上已達到或超過國外同 類產品。公司目前獲上海市科技進步獎 1 項，2019 年國家 02 專項支持， 2019 上海市“科技創新行動計劃”項目。 盈利預測和投資建議：盈利預測和投資建議： 我們根據地產公司的價值和 IC 裝備公司的成長性價 值, 預測公司 2019-2021 年營收分別為 20.25/24.04/24.31 億， 歸母凈利潤 分別為 6.65/6.79/6.89 億，同比增長-32%、2.08%、1.46%，對應 PE 為 2 6、25、

7、25；綜合考慮公司目前雖然以地產為主，但戰略轉型集成電路裝 備平臺打開長期空間，首次覆蓋，給予重點關注。 風險提示：風險提示：收購整合不及預期收購整合不及預期風險風險，政策風險政策風險 證券研究報告證券研究報告/公司公司深度深度 2020年年03月月15日日 萬業企業(600641)/半導體 地產老兵，轉型半導體核心設備新領域地產老兵，轉型半導體核心設備新領域 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 2 - 公司深度公司深度 內容目錄內容目錄 地產公司收購凱世通，開啟半導體設備新征程地產公司收購凱世通，開啟半導體設備新征程 . - 4 - 外延收購凱世通，打造集成

8、電路裝備新平臺 . - 4 - 戰略進入半導體，浦東科投及國家大基金加碼成長 . - 4 - 離子注入機市場廣闊離子注入機市場廣闊，光伏光伏/半導體半導體/面板國內替代空間大面板國內替代空間大. - 7 - 離子注入機主要用于光伏、半導體、面板摻雜工藝 . - 7 - 潛在市場規模約 80 億，集成電路光伏面板 . - 12 - 離子注入機產業集中度高，國產替代空間大 . - 15 - 凱世通：凱世通：專家專家鑄造研發護城河，從光伏到鑄造研發護城河，從光伏到 IC 逐步替代逐步替代 . - 17 - 光伏離子注入機領跑者，綜合實力國內第一 . - 17 - 技術專家起身，志在實現半導體和光伏國

9、產替代 . - 18 - 成長 1：光伏領域全球市占率第一，具備規模和先發優勢 . - 20 - 成長 2：集成電路專利體系健全，走差異化競爭道路 . - 21 - 盈利預測及估值盈利預測及估值 . - 25 - 風險提示風險提示 . - 26 - qRpQpPmQmRsMpNrQrOvMmP9PdN8OnPoOsQpPiNnNmPiNmNrObRpPvMuOqRrQuOoMyQ 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 3 - 公司深度公司深度 圖表目錄圖表目錄 圖表圖表 1：萬業企業最新股權結構圖（截止到：萬業企業最新股權結構圖（截止到 2019H1） . -

10、4 - 圖表圖表 2：凱世通財務數據歷史及公司業績預測：凱世通財務數據歷史及公司業績預測 . - 4 - 圖表圖表 3：公司外延并購戰略歷程一覽：公司外延并購戰略歷程一覽 . - 5 - 圖表圖表 4：浦東科投名下主要對外投資（不完全統計）：浦東科投名下主要對外投資（不完全統計） . - 6 - 圖表圖表 5：摻雜工藝的兩種方法：摻雜工藝的兩種方法 . - 7 - 圖表圖表 6：離子注入示意圖：離子注入示意圖 . - 7 - 圖表圖表 7：離子注入機的構成及工作原理：離子注入機的構成及工作原理 . - 8 - 圖表圖表 8：凱世通離子注入機剖面試樣：凱世通離子注入機剖面試樣 . - 8 - 圖

11、表圖表 9：離子注入在：離子注入在 N 型電池上的應用點概況型電池上的應用點概況 . - 9 - 圖表圖表 10：離子注入在：離子注入在 TOPCon IBC 電池背面電池背面 P-N 區域隔離情況區域隔離情況 . - 9 - 圖表圖表 11：離子注入在集成電路中的應用場景：離子注入在集成電路中的應用場景 . - 11 - 圖表圖表 12：離子注入在：離子注入在 OLED 環節的應用環節的應用 . - 11 - 圖表圖表 13：2007 年到年到 2018 年中國新增光伏裝機全球占比持續提升年中國新增光伏裝機全球占比持續提升 . - 13 - 圖表圖表 14：中國未來幾年晶圓設備投資規劃：中國

12、未來幾年晶圓設備投資規劃 600 多億（多億（70%*70%） . - 14 - 圖表圖表 15：離子注入機半導體用市場規模預測：離子注入機半導體用市場規模預測 . - 14 - 圖表圖表 16：離子注入在：離子注入在 OLED 環節的市場規模預測環節的市場規模預測 . - 15 - 圖表圖表 17：國際離子注入機廠商競爭格局國際離子注入機廠商競爭格局 . - 16 - 圖表圖表 18：公司：公司核心核心產品產品介紹及產品樣圖（以光伏離子注入機為主）介紹及產品樣圖（以光伏離子注入機為主） . - 17 - 圖表圖表 19：凱世通核心技術人員及介紹凱世通核心技術人員及介紹 . - 18 - 圖表

13、圖表 20：凱世通承擔課題一覽表：凱世通承擔課題一覽表 . - 19 - 圖表圖表 21：公司的技術及所處階段公司的技術及所處階段 . - 19 - 圖表圖表 22：公司定制化的離子注入機具備的特點公司定制化的離子注入機具備的特點 . - 20 - 圖表圖表 23：中來光電近兩年投資及銷售合作計劃情況中來光電近兩年投資及銷售合作計劃情況 . - 21 - 圖表圖表 24：凱世通低能大束流離子注入機與國外主流同類產品參數對比凱世通低能大束流離子注入機與國外主流同類產品參數對比 . - 22 - 圖表圖表 25：2016-2022 年國內年國內 IGBT 市場規模預測市場規模預測 . - 23 -

14、 圖表圖表 26：國內：國內 IGBT 布局產業鏈公司一覽布局產業鏈公司一覽 . - 23 - 圖表圖表 27：集成電路制程三大發展趨勢集成電路制程三大發展趨勢 . - 24 - 圖表圖表 28：公司營業收入分業務拆分預測公司營業收入分業務拆分預測 . - 25 - 圖表圖表 29：可比公司估值情況：可比公司估值情況 . - 26 - 圖表圖表 30：盈利預測模型：盈利預測模型 . - 27 - 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 4 - 公司深度公司深度 地產公司地產公司收購凱世通，開啟半導體收購凱世通，開啟半導體設備設備新征程新征程 外延收購凱世通外延收購

15、凱世通，打造集成電路裝備新平臺打造集成電路裝備新平臺 萬業企業公司萬業企業公司簡述簡述。 萬業企業成立于 1991 年， 主營業務為房地產開發與 銷售，主要產品為各類住宅產品，包括高層公寓、多層洋房與別墅等， 商業地產開發以酒店式公寓的開發和運營管理，業務范圍主要集中在上 海、蘇州、無錫等長三角區域。公司第一大股東為上海浦東科技投資有 限公司，2018 年 7 月第二大股東三林萬業向國家集成電路產業基金轉讓 上市公司 7%的股權變成 13.53%，交易后浦科投資持股 28.16%，成為上 市公司控股股東，其中朱旭東、李勇軍、王晴華為萬業企業實際控制人。 現金收購凱世通進入半導體裝備新領域?，F金

16、收購凱世通進入半導體裝備新領域。2018年12月，萬業企業以3.98 億元現金收購凱世通100%股權。公司通過收購凱世通新增光伏離子注入 機設備等相關業務，并儲備了集成電路離子注入機及AMOLED顯示屏離子 注入機生產技術，交易完成后，公司業務正式切入集成電路核心裝備產 -離子注入機領域，公司轉型半導體設備邁出實質性一步。 標的凱世通標的凱世通20182018年業績略超預期，商譽無減值跡象。年業績略超預期，商譽無減值跡象。凱世通最初為新三 板掛牌企業，主營泛半導體等工序中離子注入機及配套服務，應用于光 伏、集成電路以及AMOLED等全系列產品，公司在光伏離子注入機市占率 全球第一，2017年營

17、收為8920萬，同比增加343%，凱世通2018年度預計 凈利潤為972.82萬元，實際凈利潤為1,208.81萬元，凱世通2018年度實 際經營業績好于預期。 戰略進入半導體，戰略進入半導體，浦東科投及國家大基金加碼浦東科投及國家大基金加碼成長成長 圖表圖表1：萬業企業最新股權結構圖（截止到萬業企業最新股權結構圖（截止到2019H1） 圖表圖表2：凱世通財務數據歷史及公司業績預測凱世通財務數據歷史及公司業績預測 來源：公司公告，中泰證券研究所 來源：公司公告（含業績預測） ，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 5 - 公司深度公司深度 三年布

18、局三年布局半導體半導體終成，終成，彰顯彰顯長期長期發展發展決心決心。公司收購凱世通完成將增加 半導體設備業務，未來上市公司將充分發揮凱世通在半導體設備領域的 技術優勢、品牌優勢和渠道優勢，依托具有良好歷史表現的管理與研發 團隊， 打造光伏離子注入機、 集成電路離子注入機和 AMOLED 離子注入機 的全系列產品，成為全球范圍內離子注入機特別是集成電路離子注入機 優秀制造商。其實回顧公司發展，戰略轉型集成電路等新成長業務早有 長遠規劃，公司近年來陸續完成樓盤轉讓以及股權結構的變化彰顯公司 發展決心： 2015 年 11 月 17 日公司擬終止籌劃收購集成電路相關優質公司。 2015 年 12 月

19、 03 日萬業企業股東三林集團把第一大股東轉讓給浦 東科投。 2016 年 3 月轉讓了西甘鐵路 5%股權、2016 年 4 月匯麗集團 14%股 權、2016 年 6 月萬企愛佳 54%股權、2017 年 4 月 29 日轉讓湖南西 沃 100%股權和債權。 2017 年 4 月 29 日，公司以自有資金 10 億元認購上海半導體裝備材 料產業投資基金首期 20%份額，邁出了轉型的第一步。 2018 年 1 月 19 日上海半導體裝備材料產業投資基金正式簽署合伙 人協議，浦東科投是普通合伙人。 2018 年 7 月 16 日，二股東轉讓股份，浦東科投成為實際控制人 2018年8月2日收購上海

20、凱世通公司51%股權， 邁出轉型實質一步。 2018 年 12 月 26 日調整收購上海凱世通半導體公司收購方案。 2019 年 6 月，與中國科學院微電子研究所、芯鑫融資租賃擬設立 集成電路裝備集團有限公司，項目總投資 15 億元。并陸續投資紫 光控股、飛凱材料、精測電子和長川科技等股份。 圖表圖表3：公司外延并購戰略歷程一覽公司外延并購戰略歷程一覽 來源：公司公告整理，中泰證券研究所 浦東科投及國家大基金加碼半導體發展。浦東科投及國家大基金加碼半導體發展。 公司目前實際控制人及第三大股東 為上海浦東科技投資有限公司以及國家大基金，其中浦東科投最早為國企， 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文

21、之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 6 - 公司深度公司深度 2014 年完成混合所有制改革，曾合作設立 21 支基金，包括 11 支美元基金和 10 支人民幣基金以及 50 億半導體產業基金，在集成電路、醫療健康等高科 技產業有著多年的成功投資經驗，如對瀾 起科技、ICON、Alphean 和 LPTH 等方面積累了豐富的資源和深刻的認識， 公司董事長朱旭東曾任浦東新區科 學技術局黨組書記、 浦東新區發展計劃局副局長等。 我們認為公司半導體的 豐富經驗、 長期決心疊加國家大基金的政策和基金支持， 公司未來將以凱世 通離子注入機等打造集成電路裝備平臺型企業。 圖表圖表4：浦東科投名下主要對外投

22、資浦東科投名下主要對外投資（不完全統計）（不完全統計） 被投資公司名稱持股比例主營業務 VERISILICON HOLDINGS CO.,LTD. 4.20% 集成電路的設計、調試、維護，為集成電路 制造和設計廠商提供建模和建庫等服務 翱捷科技（上海）18.79% 移動智能通訊終端、物聯網、導航及其他消 費類電子芯片的平臺研發、方案提供、技術 支持和服務 齊齊哈爾建華醫院10.75% 提供綜合性的醫療服務 Lightpath Technologies 14.90% 新型電子元器件、精密儀器的研發、生產、 銷售和售后服務 IconAircraftInc.16%輕型運動飛機的研發和制造 瀾起科技1

23、7.18% 家庭娛樂和云計算市場提供以芯片為基礎的 解決方案 來源：浦東科投官網，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 7 - 公司深度公司深度 離子注入機市場廣闊離子注入機市場廣闊，光伏光伏/半導體半導體/面板國內替代面板國內替代空間大空間大 離子注入機離子注入機主要用于光伏、半導體、面板摻雜工藝主要用于光伏、半導體、面板摻雜工藝 離子注入機主要用于摻雜工藝。離子注入機主要用于摻雜工藝。目前從摻雜工藝技術上有 2 種方法：1 是高溫熱擴散法是高溫熱擴散法，即將摻雜氣體導入放有硅片的高溫爐，將雜質擴散到 硅片內的一種方法；2 是離子注入法是離子注

24、入法，通過離子注入機的加速和引導， 將要摻雜的離子以離子束形式入射到材料中去，離子束與材料中的原子 或分子發生一系列理化反應，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面 成分、結構和性能發生變化，最后停留在材料中，從而優化材料表面性 能，或使材料獲得某些新的性能。離子注入法相比高溫熱擴散法，具備 摻雜均勻性好，純度好，低溫靈活、可控精度等優點。有些特殊的摻雜 如小劑量淺結摻雜、深濃度峰分布摻雜等擴散無法實現，而離子注入卻 能勝任。目前，結深小于 1um 的平面工藝，基本都采用離子注入技術完 成摻雜。 離子注入機工作原理：離子注入機工作原理：離子注入機時主要由離子源、磁分析器、加速管 或減速管、 聚焦

25、和掃描系統、 工藝腔(靶室和后臺處理系統)五部分組成， 工作原理是從離子源引出的離子經過磁分析器選擇出需要的離子，分析 后的離子經加速或減速以改變離子的能量，再經過兩維偏轉掃描器使離 子束均勻的注入到材料表面，用電荷積分儀可精確的測量注入離子的數 量，調節注入離子的能量可精確的控制離子的注入深度。 1、 離子源：離子源：產生大量的注入正離子部件，常用雜質 BF3/Ash3/PH3. 2、 磁分析器磁分析器: :吸極用于把離子從離子源室中引出，分析器磁鐵呈 90 度 圖表圖表5：摻雜工藝的兩種方法摻雜工藝的兩種方法 圖表圖表6：離子注入示意圖離子注入示意圖 來源 SEMI 半導體產業網，中泰證券

26、研究所 來源：SEMI 半導體產業網，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 8 - 公司深度公司深度 角，不同離子偏轉的角度不同最后分離出所需的雜質離子； 3、 加速管：加速管：加速正離子獲得更高的速度和動能； 4、 聚焦和掃描系統：聚焦和掃描系統： 用于使離子束沿 x、 y 方向在一定面積內進行掃描， 分為中束流的束斑和大束流的束斑。 5、 工藝腔：工藝腔：硅片傳輸系統和計算機控制系統。 圖表圖表7：離子注入機的構成及工作原理：離子注入機的構成及工作原理 來源：公司公告，中泰證券研究所 圖表圖表8：凱世通離子注入機剖面試樣凱世通離子注入機剖面試

27、樣 來源：公司公告，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 9 - 公司深度公司深度 離子注入機主要用于離子注入機主要用于光伏光伏、集成電路和面板中，我們分、集成電路和面板中，我們分三個領域來詳細三個領域來詳細 論述下應用情況以及所在市場規模。論述下應用情況以及所在市場規模。 1、 光伏光伏應用應用領域領域 光伏電池的生產過程一般包括硅片的清洗、 制絨、 摻雜制結、 邊緣刻蝕、 清洗、沉積減反射層、絲網印刷、高溫燒結、電池效率測試分選等多個 環節。 其中擴散制結過程是指采用熱擴散摻雜技術在硅片中制備 P-N 結 的過程， 目前離子注入技術用于光伏電

28、池的摻雜主要包括 P 型晶硅電池 的發射極，N 型 PERT、TOPCon 和 IBC 電池的發射極以及背場。其原 理是以一定的能量將摻雜離子注入到硅片中，通過隨后的退火激活完成 摻雜，摻雜制結過程的質量決定了電池轉換效率、衰減率、良品率等多 個關鍵指標，所以從工藝的優越性還是成本的低廉性上，離子注入技術 都是 N 型高效 TOPCon 電池和 TOPCon IBC 電池的必需技術之一。 N N- -PERTPERT 電池量產上，電池量產上， 離子注入主要用于背場摻雜。 由于離子注入的方向 性和單面性，對比雙面擴散工藝，離子注入技術制作 N-PERT 電池具有 更簡單的工藝步驟，對背場結型和電

29、池漏電有更好的控制。 基于鈍化接觸的基于鈍化接觸的 TOPCon 電池電池，離子注入主要用于多晶硅的高劑量摻 雜和繞鍍多晶硅的選擇性刻蝕。和 N-PERT 電池一樣，用擴散對背面多 晶硅進行摻雜時需要在電池正面制作掩模保護層，使得電池制造工藝變 得復雜。采用離子注入不僅可以對多晶硅進行精確可控的摻雜，并且注 入后形成的非晶硅層可以作為堿刻蝕的阻擋層，通過簡單的堿刻蝕步驟 即可去除繞鍍到正面的多晶硅 以鈍化接觸的以鈍化接觸的TOPCon IBC電池為例：電池為例： 離子注入主要用于TOPCon IBC 電池背面 P 型多晶硅的硼摻雜和 N 型多晶硅的磷摻雜，以及電池正面 的前表面場的摻雜。由于

30、IBC 電池的背面同時具有 P 型區域和 N 型區 域，為了避免電池漏電，P 型區域和 N 區域之間的隔離是必須的，利用 離子注入后形成的非晶硅層可以作為堿刻蝕的阻擋層的特性。 圖表圖表9：離子注入在離子注入在N型電池上的應用點型電池上的應用點概況概況 來源：公司公告，中泰證券研究所 圖表圖表10：離子注入離子注入在在TOPCon IBC電池背面電池背面P-N區域隔離區域隔離情況情況 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 10 - 公司深度公司深度 2、集成電路、集成電路應用應用領域領域 離子注入機四大離子注入機四大 ICIC 設備之一。設備之一。離子注入機與薄

31、膜沉積設備、光刻設備、 刻蝕設備同列為四大集成電路制造關鍵制程設備。其中薄膜沉積屬于增 材，刻蝕屬于減材，光刻屬于圖形化，而離子注入機是對材料進行改性 加工。 離子注入機用于集成電路晶圓加工部分離子注入機用于集成電路晶圓加工部分，由于離子注入具備低溫摻雜、 精確的劑量控制、掩蔽容易、均勻性好這些優點，使得經離子注入摻雜 所制成的集成電路具有速度快、功耗低、穩定性好、成品率高等特點。 對于大規模、超大規模集成電路來說，離子注入更是一種理想的摻雜工 藝，如在真空系統中，用經過加速的、要摻雜的原子的離子注入硅圓表 面，從而在被注入的區域形成特殊的注入層，并改變這些區域的硅的導 電性，經過電場加速后，

32、注入的離子流的速度可以超過 30 萬千米每小 時，如離子注入砷化嫁可制出超高速集成電路,其速度比同樣規模的硅 材料制的電路快幾倍、而且工藝也大大簡化，離子注入 HgCdTe 可制出 衛星照象和遙感用高靈敏度的紅外探測器。當前采用嵌入式存儲器的 CMOS 集成電路的注入工序多達 60 多道。 離子注入的主要功能離子注入的主要功能是通過改變芯片內載流子的分布從而達到所需的 電參數和電性能，具體應用包括：1 1、隔離工序中防止寄生溝道用的溝 道截斷，2、調整閾值電壓用的溝道摻雜/3、CMOS 肼的形成/4、淺結的 制備等。 以離子注入在淺結形成中的應用為例：以離子注入在淺結形成中的應用為例： 為了抑

33、制 CMOS 穿通電流和減小器件的短溝效應,半導體工藝的重要要求是減小 CMOS 源/漏結深。先進 CMOS 工藝 對器件 p-n 結有很高要求,要有高的表面摻雜濃度、極淺的結深、低接觸和薄層電阻以及小的結漏電流等。為了 形成淺結,離子注入是一種可選技術,結深由注入能量和下一步擴散工藝決定。結深由注入能量和下一步擴散工藝決定。注入能量的下限受束流下降限制, 擴散溫度的下限取決于消除注入損傷、激活雜質和避免退火期間的瞬時增強擴散?，F代商業注入機通常不低于 10keV,非常低的能量存在束流穩定和低束流問題。為了制作超淺 p-n 結,現代商業注入機所采用的注入雜質的射 程太大,為獲得小于 60nm

34、的結深,要嚴格控制注入分布,對此還存在于射程偏差、橫向偏差和溝道等有關的問題。 為了形成非晶的表面層,注入一種電不激活物質,如硅或鍺,可以制作 p-n 淺結。 這樣可以消除溝道效應,而且與重 來源：公司公告，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 11 - 公司深度公司深度 損傷注入層相比,完全非晶層退火后有更好的晶體質量。 2、 面板面板 AMOLED 離子注入機離子注入機 AMOLED 全稱是主動矩陣有機發光二極體，被稱為下一代顯示技術，是 OLED 自發光顯示器技術的一種。與傳統 LCD 液晶面板相比，AMOLED 面 板具有更薄更輕、主動發

35、光、高清晰、高亮度、視角廣，響應快速、能 耗低、成本低和可實現柔軟顯示等優勢，未來將取代 LCD 成為主流., 其制備工藝包括：ITO 玻璃清洗光刻再清洗前處理真空蒸鍍有 機層真空蒸鍍背電極真空蒸鍍保護層封裝切割測試模塊 組裝產品檢驗及老化實驗等十幾道工序。 離子注入為 AMOLED 前段背板段工藝環節，背板主要通過成膜，曝光， 蝕刻疊加不同圖形不同材質的膜層以形成 LTPS，技術難點在于微米級 的工藝精細度以及對于電性指標的極高均一度要求， 背板段流程中涉及 的設備有： 光刻機、濕刻機、干刻機、ICP-干刻機、PVD、CVD、TEOSCVD、 HF 清洗機、激光晶化機、離子注入機、快速熱退火

36、機等，離子注入對離子注入對 AMOLEAMOLED D 中硅載流子進行摻雜，從而改變中硅載流子進行摻雜，從而改變 AMOLEDAMOLED 面板的導電特性面板的導電特性，離子 注入為 AMOLED 的必要環節，具體流程見下圖。 圖表圖表11：離子注入在離子注入在集成電路中的應用場景集成電路中的應用場景 來源： 半導體芯片制造技術 ，中泰證券研究所 圖表圖表12：離子注入在離子注入在OLED環節的應用環節的應用 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 12 - 公司深度公司深度 潛在潛在市場規模約市場規模約 80 億，集成電路億，集成電路光伏光伏面板面板 1 1、光

37、伏、光伏光伏光伏：離子注入機離子注入機潛在潛在市場規模約為市場規模約為22.522.5億元億元 政策驅動：政策驅動： 根據國家能源局光伏發展“十三五規劃” ，到 2020 年，我國先 進晶體硅光伏電池產業化轉換效率達到 23%以上，光伏發電電價水 平在 2015 年基礎上下降 50%以上。這對光伏發電的上游光伏裝備以 及條光伏電池工藝路線提出了更高的要求。 2018 年 6 月 1 日， 國家發改委、 財政部、 國家能源局聯合下發的 關 于 2018 年光伏發電有關事項的通知 明確我國光伏行業的發展要提 高發展質量， 加快補貼退坡。 新政鼓勵不需要國家補貼的光伏項目， 光伏平價上網進程加快，這

38、要求光伏制造企業要全線降低光伏產品 的制造成本和提高產品的光伏轉換效率，電池片制造企業將更多采 用高效晶硅電池技術路線，如 PERC、PERT、TOPCon 等，這使得電池 片制造企業要對目前不滿足的技術和設備進行迭代。 技術驅動：技術驅動： N N 型型是主流。是主流?，F有高效晶硅光伏電池技術路線主要有三條：N 型 PERT-TOPCon-TOPCon IBC 技術方案、P 型 PERC 技術方案、HIT 技術 方案，其中 N 型電池具有效率高、衰減低的優點，在定價上也更有 優勢，成為電池廠商追捧的對象，市場對 N 型高效電池的需求會更 加迫切，N 型電池將會逐漸取代傳統低端晶硅電池。離子注

39、入機是 提升 N 型/P 型高效電池轉換效率的關鍵設備。 客戶需求：客戶需求：根據產業調研目前多家光伏電池生產廠商，例如晶科、 晶澳、天合、中來股份等，均在進行鈍化接觸技術的研發，如中來 股份采用凱世通生產的光伏離子注入機生產的 N-PERT 電池， 是行業 內首個將 N-PERT 電池工藝路線實現量產的電池生產廠商， 從產業趨 勢看，高效晶硅電池工藝路線將是光伏技術發展的主要方向。 來源：公司公告，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的請務必閱讀正文之后的重要聲明重要聲明部分部分 - 13 - 公司深度公司深度 國內光伏離子注入機國內光伏離子注入機潛在潛在市場規模約為市場規模約為22.522.

40、5億億元元：根據國家能源局2018年 公布2017年全國新增光伏裝機52.8GW， 其中生產線超過1000條， 未來光伏的 發展趨勢是高效單晶的路線，通過產業鏈交流假如按照30%技術升級的需求 進行估算，國內有近300條生產線需要用離子注入設備來改造為N-PERT電池 產線，市場空間較大。而我們根據凱世通2017年出售給泰州中來數據，其中 泰州中來項目初期產能2.1GW， 擬建設14條N型單晶雙面光伏電池產線， 一期 工程1.05GW于2016啟動建設，2017年開始設備安裝，2017年竣工投產。根據 公司發行股份購買資產書公司從2016年-2018年Q1凱世通共出售離子注入機 在該生產基地的生產線上大約為1+15+3合計19臺約1.05億（14條線） ，對應 每條線約為750萬， 根據前面我們假設未來國內有近300條生產線需要用離子 注入設備來改造為N-PERT電池產線，對應市場需求量大約在22.5億元規模。 圖表圖表13：2007年到年到2018年中國新增光伏裝機全球占比持續提升年中國新增光伏裝機全球占比持續提升 來源：BNEF，中泰證券研究所 2 2、集成電路領域、集成電路領域：20202020年國內年國內離子注入機