【研報】電子行業：長鑫引領大陸DRAM自制浪潮產業鏈有望充分受益-20200220[32頁].pdf

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1、 證券研究報告 1 報告摘要報告摘要： 長鑫進展喜人，大陸長鑫進展喜人，大陸DRAMDRAM巨艦已起航巨艦已起航 長鑫是國家戰略級 DRAM 項目，是大陸首家 DRAM IDM 廠商，從 2017 年建廠 到 2019 年 9 月正式投產，僅花費了短短三年時間。從研發實力看，長鑫已招攬 了來自多個全球頂級大廠的相關人才，構建自身研發團隊，并已收獲奇夢達 （Qimonda）大量內存專利，融入自身研發體系，進一步助力 DRAM 關鍵技術 開發。從技術路徑看，長鑫采用與三星等大廠相同的主流堆電容 DRAM 技術， 將有利于未來技術升級。從廠區規劃看，長鑫計劃建設三個工廠，一期工廠總設 計產能為 12

2、 萬片/月，是目前已經量產的廠區，計劃于 2020 年擴產到 4 萬片/月 產能，二期工廠預計將于 2020 年開始規劃建設。 長鑫量產打破壟斷，大陸長鑫量產打破壟斷，大陸DRAMDRAM迎來自制曙光迎來自制曙光 DRAM 是存儲最大細分市場，占存儲市場規模的比例高達 58%，大陸是全球 DRAM 最大市場，占全球 DRAM 市場的比例為 43%，但自給率幾乎為零。大陸 DRAM 市場呈現“大市場+低自給率”的特征，國產替化勢在必行，長鑫量產帶 來大陸 DRAM 自制曙光。 長鑫定位利基型動態隨機存取內存 （Specialty DRAM） ， 下游應用主要包括 TV、低端手機、網絡設備、ADS

3、L 和 PC 周邊產品，占全球 DRAM 市場規模的 10%左右，其中中國占 20-30%。該市場長期被臺灣、韓國和 美國壟斷，臺灣南亞科技、臺灣華邦電子、美國美光、韓國三星全球市占率依次 為 39%、18%、14%、13%，位列前四名，合計占有 84%的市場規模，長鑫打破 壟斷，將首先保障國內需求。按照規劃，長鑫將于 2019 年年末、2020、2021、 2022 年分別達到 2 萬片/月、4 萬片/月、8 萬片/月、12 萬片/月產能，按此估算， 占全球 DRAM 產能的比例將分別達到 2%、3%、6%和 8%，在 2020-2021 年將 有望滿足國內 Specialty DRAM 需

4、求。 在先進制程上， 長鑫目前量產產品為 19nm， 屬于先進 1Xnm 階段， 同時已跳過 18nm 加緊研發 17nm 制程， 有望于 2020-2021 年推出，逐漸縮短與三大原廠差距。 產業鏈充分受益，看好大陸龍頭企業發展產業鏈充分受益，看好大陸龍頭企業發展 長鑫大規模投產將拉動包括設備、封測、材料、設計各環節發展，國內產業鏈優 質公司將有望迎來發展良機。 1）設備先行。從成本構成看，光刻、檢測、干法刻蝕是成本最高的三個工藝， 占比分別為 26%、16%、8%。光刻和檢測設備均被國外廠商壟斷，大陸中微和 北創在刻蝕設備領域占有一席之地。 2）封測環節。長鑫主要聚焦設計和制造環節，封測外

5、包，將有效拉動封測廠商 發展。存儲器封測廠商包括臺灣力成、華東、南茂科技、新加坡 UTAC、韓國 Hana Micro 等，大陸廠商包括深科技、太極實業、通富微電。 3）材料環節。硅片、電子氣體、光掩模市場規模最大，占半導體材料的比例依 次為 37%、13%和 12%，其他材料包括拋光材料、光刻膠、靶材等，國外廠商占 據絕大部分市場份額，大陸優質公司如特殊氣體公司華特氣體、IC 載板公司深 南電路和興森科技、江豐電子（靶材） 、硅產業（硅片，擬科創板上市）等。 推薦推薦 維持評級 Table_QuotePic 行業與滬深行業與滬深 300300 走勢比較走勢比較 資料來源：Wind，民生證券研

6、究院 分析師：王芳分析師：王芳 執業證號： S0100519090004 電話： 021-60876730 郵箱： 相關研究相關研究 1. 【民生電子】 云服務復蘇， 存儲和 PCB 有望受益 2.【民生電子】行業動態報告：生產延 遲不改行業景氣持續 -10% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 電子 滬深300 電子電子 行業研究/深度報告 長鑫引領大陸長鑫引領大陸 DRAMDRAM 自制浪潮，產業鏈自制浪潮，產業鏈有望有望充分受益充分受益 深度研究報告深度研究報告/電子電子 2020 年年 02 月月 20 日日 證券研究報告 2 Tab

7、le_Page 深度研究深度研究/電子電子 4）設計環節。長鑫作為大陸唯一具備DRAM制造的廠商，將為DRAM設計廠商提 供產能保障，相互拉動成長。以大陸存儲器設計龍頭兆易創新為例，兆易和長鑫的 產品定位不同的領域，兆易主要針對消費電子、工控和汽車，長鑫主要是手機、電 腦和服務器的大客戶，兆易負責設計，長鑫負責代工，長鑫的產品也可通過兆易的 渠道進行銷售。 投資建議投資建議 長鑫大規模投產勢必將拉動包括設備、封測、材料、設計等環節發展。我們推薦各 環節領先企業， 包括設計商兆易創新、 封測商通富微電， 建議關注設備商北方華創、 中微公司，設計商瀾起科技、北京君正，封測商深科技、太極實業、華天科

8、技，材 料商深南電路（IC載板） 、華特氣體（特殊氣體）和江豐電子（靶材）等。 風險提示風險提示 技術和下游需求不及預期、中美貿易摩擦加劇、專利等帶來的長鑫擴產進度不及預 期的風險。 盈盈利預測與財務指標利預測與財務指標 代碼代碼 重點公司重點公司 現價現價 EPS PEPE 評級評級 2 2 月月 1919 日日 2019E 2020E 2021E 2019E 2020E 2021E 603986 兆易創新 341.13 2.02 2.94 3.79 169 116 90 推薦 688008 瀾起科技 112.88 0.88 1.11 1.43 88 102 79 未評級 300233 北京

9、君正 125.31 1.05 1.94 2.49 148 118 92 未評級 002156 通富微電 29.50 0.01 0.40 0.71 2002 73 42 推薦 000021 深科技 19.94 0.00 0.00 0.00 0 0 0 未評級 600667 太極實業 12.49 0.32 0.39 0.45 26 32 28 未評級 002185 華天科技 11.88 0.11 0.24 0.30 61 50 40 未評級 002916 深南電路 216.90 3.52 4.78 6.03 42 45 36 未評級 688268 華特氣體 80.38 0.76 1.01 1.26

10、 52 80 64 未評級 300666 江豐電子 59.57 0.19 0.26 0.36 221 232 167 未評級 002371 北方華創 155.16 0.70 1.11 1.57 122 140 99 未評級 688012 中微公司 203.07 0.35 0.52 0.72 283 394 282 未評級 資料來源：wind，民生證券研究院 注：“未評級”公司來自 wind 一致預期、 mNoRoOmQqNoQsQqRqPwPsNbRaO8OsQrRpNoOjMmMoMeRmOnQaQrRuMxNrNpOvPnNmO 證券研究報告 3 Table_Page 深度研究深度研究/電

11、子電子 目目 錄錄 一、長鑫進展喜人，大陸一、長鑫進展喜人，大陸 DRAM 巨艦已起航巨艦已起航 . 4 二、長鑫量產打破國外壟斷，大陸二、長鑫量產打破國外壟斷，大陸 DRAM 迎來自制曙光迎來自制曙光 . 7 2.1 存儲最大細分市場，先進技術持續進階 . 7 2.2 下游需求回暖，量價齊升打開新一輪成長周期. 13 2.3 最大市場+低自給率，DRAM 國產替代勢在必行 . 18 三、產業鏈充分受益，看好大陸龍頭企業發展三、產業鏈充分受益，看好大陸龍頭企業發展. 22 四、投資建議四、投資建議 . 26 五、風險提示五、風險提示 . 26 附錄附錄 . 27 插圖目錄插圖目錄 . 29 表

12、格目錄表格目錄 . 30 證券研究報告 4 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 一、一、長鑫進展喜人，大陸長鑫進展喜人，大陸 DRAM 巨艦已起航巨艦已起航 合肥長鑫合肥長鑫成功成功投產投產，大陸大陸首家首家 DRAM 廠商廠商順利順利上線上線。合肥長鑫（縮寫“CXMT” ，又 名“Innotron” ） ，是大陸首家 DRAM IDM 生產商，于 2016 年由合肥市產業投資（控股） 集團有限公司（ “合肥產投” ）和合肥產投新興戰略產業發展合伙企業（有限合伙）共同出 資設立。2017-2019 年，短短三年時間，長鑫從建廠到投產，進展喜人。2017 年，合肥產 投與兆易創新合

13、作，投資 72 億美元，用于建設 12 英寸 DRAM 晶圓廠，其中一期設計產 能 12.5 萬片/月，長鑫為建設主體；2018 年 1 月，一期廠房建設完成；2018 年 7 月，長鑫 自主研發的 8Gb LPDDR4 宣布正式投片；2019 年 9 月，長鑫宣布正式投產 19nm 工藝的 8Gb DDR4， 標志國產 DRAM 技術已和世界主流產品同步。 長鑫不斷縮短和世界領先水平 的距離，將有望引領國產 DRAM 崛起。 圖圖 1：合肥長鑫進展喜人，有望帶領國產：合肥長鑫進展喜人，有望帶領國產 DRAM 突破國外壟斷突破國外壟斷 資料來源：長鑫官網，民生證券研究院 研發實力雄厚，研發實力

14、雄厚，收獲奇夢達（收獲奇夢達（Qimonda）大量內存專利，融入自身研發體系，進一步助）大量內存專利，融入自身研發體系，進一步助 力力 DRAM 關鍵技術開發。關鍵技術開發。長鑫大力投入研發，招攬了來自多個全球頂級 DRAM 大廠的相關 人才，構建自身存儲器研發團隊。從成立初期，長鑫積極與全球產業鏈頂級廠商包括 ASML、 科磊半導體、Lam、TEL、AMAT 等開展研發合作。在專利技術方面，長鑫于 2019 年 5 月宣 布與 Polaris 達成有關專利許可和采購協議，將從 Polaris 獲得奇夢達的 DRAM 技術專利的 實施許可。截至 2019 年 5 月，包括研發投入在內的資本開支

15、已超 25 億美金。 奇夢達的前身是西門子 （Siemens） 半導體部門， 1999 年成為英飛凌全資子公司， 2006 年 5 月英飛凌科技公司分拆成立奇夢達，為全球第二大的 DRAM 公司，是 PC 及服務器 DRAM 產品市場最大的供應商之一。2008 年，因韓國廠商大幅擴產、經濟危機等原因，DRAM 產業 嚴重供過于求，進入下行周期，當年 9 月，DRAM 現貨價格跌破現金成本，奇夢達面臨巨大 壓力。在其母公司英飛凌和德國政府拒絕資助情況下，奇夢達于 2009 年 1 月 23 日宣布破產。 2015 年 6 月，Polaris 成功從英飛凌處購得奇夢達專利組合。 證券研究報告 5

16、Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 2：合肥長鑫：合肥長鑫與全球產業鏈頂級與全球產業鏈頂級廠商廠商展開合作展開合作 資料來源：DeepTech，民生證券研究院 長鑫采用長鑫采用主流主流堆電容堆電容 DRAM （Stack capacitor DRAM） 技術） 技術， 利于未來技術升級， 利于未來技術升級。 DRAM 可分為堆電容和溝電容（stretch capacitor）技術，堆電容是三星等大廠采用的技術。堆結構的 電容存在于不同的多晶硅中間， 而溝結構的電容深入硅下面， 堆電容結構可以更好地利用芯片 的面積。 圖圖 3：DRAM 存儲器結構演進存儲器結構演進 圖圖 4

17、：堆電容存儲器結構示意圖堆電容存儲器結構示意圖 資料來源：Invention of Stacked Capacitor DRAM Cell，民生證券研究院 資料來源：搜狐，民生證券研究院 證券研究報告 6 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 5：堆電容堆電容 DRAM 技術演進技術演進 資料來源：DeepTech，民生證券研究院 三大工廠規劃宏偉三大工廠規劃宏偉，持續推進，持續推進先進工藝先進工藝。一期工廠總設計產能為 12 萬片/月，于 2019 年 9 月已大規模量產，2019 年年末已擴產到 2 萬片/月，并計劃 2020 年擴產至 4 萬片/月?，F階 段已量產的 8

18、Gb DDR4 產品，采用 19nm 工藝打造。按照規劃，長鑫未來將新增兩個工廠，以 滿足不斷擴充的產能需求，二期工廠預計將于 2020 年開始規劃建設。在先進工藝制程上，由 于研發第三代技術進程順利，長鑫計劃跳過 18nm 工藝，直接采用 17nm 工藝發展 DDR4、 LPDDR4X、DDR5 以及 LPDDR5 產品，有望于 2020 年推出。 圖圖 6：合肥長鑫合肥長鑫 DRAM 技術發展路線規劃技術發展路線規劃 圖圖 7：合肥長鑫合肥長鑫規劃規劃廠房鳥瞰圖廠房鳥瞰圖 資料來源：ICCapital，民生證券研究院 資料來源：長鑫官網，民生證券研究院 證券研究報告 7 Table_Pag

19、e 深度研究深度研究/電子電子 二、二、長鑫量產打破國外壟斷，長鑫量產打破國外壟斷，大陸大陸 DRAM 迎來自制曙光迎來自制曙光 2.1 存儲最大細分市場存儲最大細分市場，先進技術先進技術持續進階持續進階 DRAM 占占存儲器市場存儲器市場規模的比例高達規模的比例高達 58%，為第一大細分市場，為第一大細分市場。2018 年，全球半導體市 場規模 4780 億美元，存儲器市場規模為 1650 億美元，DRAM 市場規模為 957 億美元，存儲 器占全球半導體市場規模的比例為 35%，DRAM 占全球存儲器市場的比例為 58%，是存儲器 分支中市場規模最大的產品。 圖圖 8：存儲器是全球最大的半

20、導體細分市場存儲器是全球最大的半導體細分市場 圖圖 9：DRAM 是存儲器最大的細分市場是存儲器最大的細分市場 資料來源：WSTS，民生證券研究院 資料來源：IC Insights，民生證券研究院 DRAM 屬于半導體存儲器，是屬于半導體存儲器，是易失性存儲器易失性存儲器的一種，主要用于電子設備的內存的一種，主要用于電子設備的內存。半導體 存儲器分為非易失性存儲器和易失性存儲器， 非易失性存儲器在斷電時仍然可以保存數據， 包 括 NAND Flash、NOR Flash 等，易失性存儲器在斷電狀態下數據會丟失，包括動態隨機存儲 器（DRAM）和靜態隨機存儲器（SRAM）。在易失性存儲器中，DR

21、AM 和 SRAM 的應用場 景各有不同。SRAM 的讀寫速度在所有的存儲器中最快，但同時制造成本高，常用于對容量 要求較小的高速緩沖存儲器，如 CPU 的一級、二級緩存等。DRAM 利用電容儲存電荷的多少 存儲數據，需要定時刷新電路克服電容的漏電問題，讀寫速度比 SRAM 慢，但快于所有的只 讀存儲器（ROM），且集成度高、功耗低、體積小，制造成本低，常用于容量較大的主存儲 器，如計算機、智能手機、服務器的內存等。除半導體存儲器外，按照存儲介質的不同，存儲 器還包括光學存儲器和磁性存儲器。 光學存儲器根據激光等特性進行數據存儲， 常見的有 DVD、 CD 等，磁性存儲器利用磁性特征進行數據存

22、儲，常見的有磁盤、軟盤等。 35% 23% 14% 12% 16% 存儲IC 邏輯IC MCU 模擬IC 其他 58% 40% 1% 1% DRAM NAND Flash Nor Flash 其他 證券研究報告 8 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 10：DRAM 屬于臨時存儲區域屬于臨時存儲區域 圖圖 11：DRAM 與與 CPU、SSD 的傳輸關系的傳輸關系 資料來源： 存儲系統 ，民生證券研究院 資料來源：三星官網，民生證券研究院 圖圖 12：DRAM 所處位置示意圖（以三星所處位置示意圖（以三星 4GB HBM2 為例）為例） 資料來源：三星官網，民生證券研究院

23、證券研究報告 9 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 13：DRAM 是易失性存儲器的一種是易失性存儲器的一種 資料來源：中國產業信息，民生證券研究院 表表 1：SRAM 和和 DRAM 的性能比較的性能比較 存儲信息存儲信息 破壞性讀出破壞性讀出 需要刷新需要刷新 送行列地址送行列地址 運行速度運行速度 集成度集成度 發熱量發熱量 存儲成本存儲成本 SRAM 觸發器 否 否 同時 快 低 大 高 DRAM 電容 是 是 分兩次 慢 高 小 低 資料來源：CSDN，民生證券研究院 DRAM 工藝工藝技術技術歷經歷經多次進步多次進步，即將即將邁入邁入 1Znm 階段階段。DR

24、AM 技術進步的難點在于減少 線寬，40nm 的 DRAM 工藝需要將線寬減少到 5-10nm，20nm 工藝進一步減少到 2-3nm，隨著 工藝進步線寬的減少變得越來越困難。2015 年之前，DRAM 的制造工藝與 CPU 相差不大，達 到 20nm 節點后開始落后于 CPU 的工藝發展。DRAM 工藝技術在 2016-2017 年推進到 1Xnm （16nm-19nm），2018-2019 年發展到 1Ynm（14nm-16nm），預計 2020-2021 年將步入 1Znm （12-14nm）時代。在 1Znm 之后，三大原廠又拓展了三代 DRAM，分別被稱為 1anm、1bnm、 1c

25、nm，其中三星有望于 2020 年年末或 2021 年年初推出 1anm。 證券研究報告 10 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 14：DRAM 技術進步情況技術進步情況 資料來源：ASML 官網，民生證券研究院 圖圖 15：長鑫緊跟全球先進工藝技術長鑫緊跟全球先進工藝技術 資料來源：搜狐、以上各公司官網等，民生證券研究院 圖圖 16：2020 年年 DRAM 將進入將進入 1Znm 圖圖 17：工藝制程進步帶來制造成本的降低工藝制程進步帶來制造成本的降低 資料來源：三星官網 ，民生證券研究院 資料來源：三星官網，民生證券研究院 證券研究報告 11 Table_Page

26、深度研究深度研究/電子電子 圖圖 18：未來未來 DRAM 的技術的技術 圖圖 19：先進工藝帶來芯片面積的減小先進工藝帶來芯片面積的減小 資料來源：三星官網 ，民生證券研究院 資料來源：三星官網，民生證券研究院 DDR5 技術升級趨于成型技術升級趨于成型， 迭代浪潮加速逼近迭代浪潮加速逼近。 DRAM 技術規格眾多， 可分為 DDR （Double Data Rate） 系列、 GPDDR （Graphics Double Data Rate） 系列和 LPDDR （Low Power Double Data Rate）系列。DDR 是內存模塊中使輸出增加一倍的技術，已經成為目前主流的內存規

27、范，受 到各大芯片組廠商主流產品的支持。GPDDR 搭載在高性能顯卡上使用，適用于具有高帶寬需 求的計算領域，LPDDR 憑借低功耗的特性，主要應用于便攜設備，目前市場上主流的 DRAM 技術規范為 DDR4 和 LPDDR4。隨著云計算、大數據的興起，服務器的數據容量和處理速度 也在不斷提高，間接推動了 DDR 技術的升級迭代，DRAM 即將迎來 DDR5 規范的技術升級。 圖圖 20：目前主流應用為目前主流應用為 DDR4 資料來源：statista，民生證券研究院 相比 DDR4，DDR5 主要在功耗、容量和傳輸速率上進行了改進，順應電子設備大容量、 省電、低延時的發展趨勢：1）功耗方面

28、，從 DDR4 支持的 1.2V 降低到 1.1V，進一步降低了 功耗；2）容量方面，DDR5 內存將從 8GB 起步，單個內存條最高可達 32GB，是 DDR4 存儲 證券研究報告 12 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 容量的 2 倍；3）傳輸速率方面，DDR5 可以輕松實現 4800MT/s 的高運行速率，最高運行速 率可達 6400MT/s，是 DDR4 的 2 倍。此外，DDR5 的帶寬從 25.6GB/s 提升到 32GB/s，預取位 數從 8 位增加到 16 位，大幅提升了數據傳輸性能。目前 DDR4 已經處于成熟期，DDR5 引進 了一系列可以增強內存模組 RA

29、S（可靠性、可用性和可維護性）的新功能，預計未來幾年將 逐步取代 DDR4。 表表 2：DDR5 相比相比 DDR4 的性能優勢的性能優勢 功能 DDR4 DDR5 DDR5 的優勢 運行速率 1600-3200 MT/S 3200-6400 MT/S 提高性能和帶寬 VDD/VDDQ/VPP 1.2/1.2/2.5 1.1/1.1/1.8 降低功率 內部參考電壓 VREF VREFDQ VREFDQ，VREFCA，VREFCS 提高電壓裕度 預取 8 位 16 位 使內部內核時鐘保持低電平 占空比調整（DCA） 沒有 DQS 和 DQ 改善發送的 DQS/DQ 引腳上的信令 內部 DQS 延

30、遲監控 沒有 DQS 間隔振蕩器 增強抵抗環境變化的能力 片上錯誤校正碼（ECC） 沒有 128b+8b SEC，錯誤檢查和清理 增強片上 RAS（可靠性、可用性和可維 護性） 循環冗余校驗（CRC） 寫 讀/寫 通過保護讀取的數據來增強系統 RAS 銀行組（Bank Groups） 4 BG4 組 2 BG4 組 8 BG 2 個存儲區 4 BG 2 個存儲區 8 BG 4 個存儲區 4 BG 4 個存儲區 提高帶寬和性能 模式寄存器 7 17 位 多達 256 8 位（LPDDR 類型讀/寫） 提供擴展空間 設備密度 2Gb-16Gb 8Gb-64Gb 支持更大的單片器件 資料來源：CSD

31、N，民生證券研究院 主流廠商積極布局主流廠商積極布局 DDR5， 相關產品面世可期。， 相關產品面世可期。 預計 2020-2021 年 DDR5/LPDDR5 產品將 實現大規模應用。雖然 JEDEC（全球微電子產業的領導標準機構）還未正式公布 DDR5 的最 終規范文件，但全球各大廠商均已透露出積極研發 DDR5 相關產品的消息。2018 年 5 月，美 光聯合全球頂尖 EDA 廠商 Cadence 推出首個 DDR5 內存和內存控制器樣品，內存控制器芯片 采用臺積電 7nm 工藝制造，搭配美光的 DDR5 4400 8Gb 內存顆粒。2018 年 7 月，三星公開展 示首個面向移動設備的

32、 LPDDR5 內存顆粒。2018 年 11 月，SK 海力士推出 DDR5 內存樣品， 2019年2月展示旗下DDR5 6400芯片的相關情況， DDR5 6400制造工藝為1Ynm （14nm-16nm） ， 容量為 16Gb，接口傳輸速率達到 6400MT/s，工作電壓為 1.1V。2020 年 1 月，在 CES（國際 電子消費展）2020 上，SK 海力士展示了一款支持 ECC（錯誤校正碼）功能的 64GB DDR5 RDIMM 內存模組，標稱數據傳輸速率為 4800MT/s。此外，全球主要的芯片設計廠商 Intel、 AMD 和高通也將陸續推出支持 DDR5 標準的應用平臺， 據

33、AnandTech 消息， 第一批支持 DDR5 標準的平臺之一為 Intel 的 Xeon Snapphire Rapids，投放時間可能為 2021 年。 證券研究報告 13 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 21：全球主要全球主要 DRAM 廠商在廠商在 DDR5 產品上的研發進展產品上的研發進展 資料來源：集邦咨詢，民生證券研究院 2.2 下游需求回暖，量價齊升打開新一輪成長周期下游需求回暖，量價齊升打開新一輪成長周期 DRAM 行業由供需關系驅動行業由供需關系驅動。 宏觀經濟和產品的生命周期影響 IT 設備的出貨量從而影響 DRAM 需求，需求通過企業的生產循環

34、影響 DRAM 的出貨量，通過銷售循環影響 DRAM 的 單價，而 DRAM 的單價與出貨量又會反作用于 DRAM 的需求。 圖圖 22：DRAM 產業循環動態模型產業循環動態模型 資料來源：MIT、民生證券研究院 DRAM 行業行業在不同階段由不同動力驅動成長，現已進入在不同階段由不同動力驅動成長，現已進入由智能手機、云推動增長階段。由智能手機、云推動增長階段。 上世紀 70 年代至本世紀初期，以美國為主的發達國家對于 PC 需求的日益增長刺激了 DRAM 出貨量的快速提升。從 1990 年初開始，發達國家的電話需求也開始貢獻增長。20 世紀初，在 發達國家，筆記本電腦的需求接替增長，新興國

35、家 PC、電話也開始發展，成為新興推動力。 從 2010 年開始，智能手機成為 DRAM 市場最大推動力，2020 年 5G 和云將成為最大動力?，F 階段，手機內存是最大市場，服務器未來有望增長最快。根據 iSupply 的數據，2018 年手機、 服務器和電腦內存分別占 DRAM 下游應用市場的比例分別為 37%、25%和 22%左右。 證券研究報告 14 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 23：DRAM 產業歷經變遷：現已進入由智能手機、云推動增長階段產業歷經變遷：現已進入由智能手機、云推動增長階段 資料來源：WSTS，民生證券研究院 圖圖 24：DRAM 終端應用市

36、場占比終端應用市場占比 資料來源：iSupply，Gartner，民生證券研究院 需求需求端端有望回暖。有望回暖。智能手機現階段處于 5G 過渡期，短期出貨增長速度放緩，之后有望迎 來快速增長，從而拉動 DRAM 的搭載量持續增加，預計 2020 智能手機出貨 14 億部，同比增 長 0.7%，2021 年出貨 15 億部，同比增長 7.1%。疊加單機容量增加，智能手機仍將是最大推 動力。受人工智能、物聯網和云計算等應用需求拉動，全球云廠商資本支出逐漸回暖，全球服 務器出貨量開始回升，成為 DRAM 應用的高成長領域，預計 2020 年服務器出貨 1190 萬臺， 0% 10% 20% 30%

37、 40% 50% 60% 70% 80% 2007200820092010201120122013201420152016201720182019E PC端占比 服務器占比 移動端占比 其他占比 證券研究報告 15 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 同比增長 8.2%，2021 年出貨 1300 萬臺，同比增長 9.2%。相比之下，全球 PC 電腦需求增長 平穩，2020-2023 年出貨量 CAGR 為 2.5%。 圖圖 25：2020-2023 年全球年全球 PC 電腦出貨量電腦出貨量將有望平穩增長將有望平穩增長 圖圖 26：全球智能手機出貨量將恢復增長全球智能手機出貨量將

38、恢復增長 資料來源：IDC，民生證券研究院 資料來源：IDC，民生證券研究院 圖圖 27：2020 年年全球全球服務器出貨量將有望開始回升服務器出貨量將有望開始回升 資料來源：前瞻產業研究院，民生證券研究院 2019 年年供給供給端端大幅度大幅度縮減資本開支?？s減資本開支。2018 年上半年受內存市場缺貨的影響，DRAM 價格 大漲，各大廠商隨之積極擴產導致 DRAM 產能過剩，2018 年年底價格下跌，各大廠商隨即大 幅度縮減資本開支。 201 209 201.1 178.4 174.4 162.6 156.8 161.6 162.3 166 155.3 161.1 165 171 0 50

39、 100 150 200 250 全球PC電腦出貨量（百萬臺） 2020-2023年 CAGR = 2.5% 14.37 14.71 14.62 14.049 13.9 14 15 15.2 15.4 -6% -4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 13.0 13.5 14.0 14.5 15.0 15.5 16.0 20152016201720182019E 2020E 2021E 2022E 2023E 智能手機出貨量(億臺） YOY 2020-2023年 CAGR = 2.4% 720 841 874 877 907 934 982 963 1,034 1,193 1,100 1,

40、190 1,300 -10% -5% 0% 5% 10% 15% 20% 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 全球服務器出貨量（萬臺） YOY 證券研究報告 16 Table_Page 深度研究深度研究/電子電子 圖圖 28：2018Q3 開始開始大廠縮減資本開支（以美光為例，大廠縮減資本開支（以美光為例，2020 財年第一季度的營收占比為財年第一季度的營收占比為 DRAM67%+NAND28%） 資料來源：美光官網，民生證券研究院 圖圖 29：大廠毛利率已降至低點大廠毛利率已降至低點（以美光為例，（以美光為例，2020 財年第一季度的營收占比為財年第一季度的營收

41、占比為 DRAM67%+NAND28%） 資料來源：美光官網，wind，民生證券研究院 DRAM 單價單價已已逐步企穩回升，逐步企穩回升，市場規模觸底反彈，市場規模觸底反彈，行業此輪去庫存周期已逐步完成行業此輪去庫存周期已逐步完成，存存 儲產業有望儲產業有望迎來迎來全面回溫全面回溫。2019 年年底，DRAM 價格降至低點，下游大規模囤貨導致庫存水 平開始降低，DRAM 單價逐步趨穩，DRAM 市場規模增速已于 19Q3 見底。2020 年，受 5G 帶來移動終端的需求激增及服務器需求量增加，DRAM 相關產業鏈有望迎來全面回溫，開啟 新一輪上漲周期。預計 DRAM 價格在 2020H1 將出現上漲趨勢， 大廠有望于 2020H2 開始增加 資本開支。 -60% -40% -20% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 120% 140% 0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 資本開支：百萬美元 yoy -40.00 -30.00 -2