【研報】新材料行業半導體材料系列之七：三大因素驅動CMP國產化黃金時期將至-20200420[24頁].pdf

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1、 證券研究報告 請務必閱讀正文之后的免責條款 三大因素驅動三大因素驅動，CMP 國產化國產化黃金時期將至黃金時期將至 新材料行業半導體材料系列之七2020.4.20 中信證券研究部中信證券研究部 核心觀點核心觀點 袁健聰袁健聰 首席新材料分析師 S1010517080005 王喆王喆 首席化工分析師 S1010513110001 徐濤徐濤 首席電子分析師 S1010517080003 集成電路制造技術進步疊加集成電路制造技術進步疊加我國集成電路產業迅猛發展，我國集成電路產業迅猛發展，上游上游 CMP 材料需求材料需求 快速快速增長。同時國內龍頭企業逐步獲得下游客戶認可，增長。同時國內龍頭企業逐

2、步獲得下游客戶認可，CMP 材料國產化率有望材料國產化率有望 快速提升。我們預計未來幾年快速提升。我們預計未來幾年 CMP 材料將維持高景氣度，建議布局技術積淀材料將維持高景氣度，建議布局技術積淀 深厚、下游客戶優質的龍頭公司深厚、下游客戶優質的龍頭公司。 集成電路制造關鍵材料集成電路制造關鍵材料，美日美日占據占據主導主導，國內國內逐漸逐漸突破突破。CMP 拋光材料是集成 電路制造過程中的關鍵材料，用于實現晶圓全局均勻平坦化。全球 CMP 拋光材 料市場規模約 20.3 億美元，其中拋光墊市場 7.6 億美元，拋光液市場 12.7 億美 元，未來全球增速預計在 8%左右。CMP 拋光材料技術壁

3、壘高，客戶認證時間 長，全球市場主要被美國、日本等企業壟斷，占全球高端市場份額 90%以上。 三大因素推動行業三大因素推動行業迅猛發展迅猛發展，CMP 材料市場規模穩步增長材料市場規模穩步增長。1）技術上，芯片 特征尺寸的減小及堆疊層數的增加，促使拋光次數和 CMP 耗材用量增加。例如 14 納米以下邏輯芯片工藝要求 CMP 工藝達到 20 步以上， 使用的拋光液將從 90 納米的 5-6 種增加到 20 種以上。2）產業上，制造中心逐漸向國內轉移，帶動 材料需求增長。 隨著我國晶圓產線的不斷建設， 我國半導體銷售在全球的占比從 2006 年的 6.38%提升到 2018 年的 16.25%。

4、3）戰略上，保障核心原材料自主 可控至關重要，當前我國電子化學品國產化率普遍不高，CMP 材料作為集成電 路關鍵材料戰略意義重大。 下游客戶逐步認可，國產化率有望快速提升下游客戶逐步認可，國產化率有望快速提升。在政策和資金的支持下，我國集 成電路產業發展迅猛，為產業鏈實現整體突破創造條件。而國內 CMP 材料企業 憑借產品技術的不斷突破和服務上的快速響應， 正逐步取得下游客戶的認可。 根 據我們的測算，未來我國 CMP 材料市場規模增速在 13%左右，高于全球水平， 至 2023 年我國 CMP 材料市場規模將達 53 億元， 國內 CMP 材料龍頭企業將迎 來發展的黃金時期。 風險因素：風險

5、因素：晶圓廠建設不及預期；技術突破不及預期；材料國產化率提升不及預 期；貿易爭端加劇。 投資策略投資策略：在政策和資金的支持下，我國集成電路產業迅猛發展，帶動上游材料 需求增長。同時國內龍頭企業逐步獲得下游客戶認可，CMP 材料國產化率有望 快速提升。我們預計未來幾年 CMP 材料將維持高景氣度，建議布局技術積淀深 厚、下游客戶優質的龍頭公司，建議關注安集科技、鼎龍股份。 重點公司盈利預測、估值及投資評級重點公司盈利預測、估值及投資評級 簡稱簡稱 收盤價收盤價 （元）（元） EPS（元）（元） PE 評級評級 2018 2019E 2020E 2018 2019E 2020E 安集科技 142

6、.08 1.13 1.29 1.69 125.73 110.14 84.07 買入 鼎龍股份 11.84 0.31 0.39 0.45 38.19 30.36 26.31 買入 資料來源：Wind，中信證券研究部預測 注：股價為 2020 年 4 月 14 日收盤價 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 目錄目錄 CMP 拋光材料簡介拋光材料簡介 . 1 IC 制造關鍵材料，用于硅片及金屬布線層拋光 . 1 競爭格局：美日企業絕對主導，國內開始突破. 3 制程更精密制程更精密+堆疊層數更多，堆疊層數更多，CMP 材料耗用量

7、增長材料耗用量增長 . 6 半導體制造中心向國內轉移，帶動半導體制造中心向國內轉移，帶動 CMP 材料需求材料需求 . 8 全球半導體市場擴容，中國競爭力不斷增強 . 8 國內晶圓廠陸續投產，CMP 材料需求增長 . 10 下游認可度逐漸提高，國產化持續推進下游認可度逐漸提高，國產化持續推進 . 14 風險因素風險因素 . 16 投資建議投資建議 . 16 投資邏輯. 16 投資策略. 17 重點公司重點公司 . 18 安集科技：CMP 拋光液龍頭企業，技術領先客戶優質 . 18 鼎龍股份：CMP 拋光墊認證順利，新材料業務未來可期 . 19 nMqPpPnRtOpRnPnMuMmNmPaQb

8、P7NpNmMpNoOkPqQsOeRoMoMaQnNzRNZnQpRMYmPqM 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 插圖目錄插圖目錄 圖 1：CMP 工藝原理 . 1 圖 2：CMP 拋光過程示意圖 . 1 圖 3：CMP 拋光在半導體產業中的應用 . 2 圖 4：CMP 材料產業鏈 . 3 圖 5：拋光材料市場規模 . 3 圖 6：全球拋光墊市場競爭格局 . 4 圖 7：全球拋光液市場競爭格局 . 4 圖 8：CMP 拋光次數隨著邏輯芯片和存儲芯片技術的進步顯著增加 . 6 圖 9：CMP 拋光步驟隨芯片特征尺寸減

9、小而增加 . 7 圖 10：2D NAND 和 3D NAND 的平均 CMP 拋光次數 . 7 圖 11：全球主要半導體晶圓企業芯片工藝發展進程 . 7 圖 12：3D NAND Flash 堆疊主要廠商推進情況 . 8 圖 13：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積 . 9 圖 14：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比 . 9 圖 15：2018 年 12 英寸硅片下游應用占比 . 9 圖 16：2019 年全球芯片制造行業各類半導體產能增速 . 9 圖 17：2018 年 8 寸硅片下游應用需求結構預測 . 10 圖 18：8 寸晶圓下游產品占比變化情況 . 10 圖 19：我國半導體銷售額占

10、全球比例逐年提升 . 10 圖 20：全球半導體材料銷售額. 10 表格目錄表格目錄 表 1：全球拋光液主要生產企業 . 4 表 2：我國 CMP 拋光液主要生產企業 . 5 表 3：我國 CMP 拋光墊主要生產企業 . 5 表 4：3D NAND Flash 堆疊層數演變 . 8 表 5：中國大陸已運行及建設中的 12 寸晶圓廠 . 11 表 6：我國 8 晶圓英寸產線情況 . 12 表 7：我國 6 晶圓英寸產線情況 . 13 表 8：國內外 CMP 生產企業下游客戶 . 15 表 9：安集科技盈利預測與估值 . 18 表 10：鼎龍股份盈利預測與估值 . 19 新材料新材料行業行業半導體

11、材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 1 CMP 拋光拋光材料簡介材料簡介 IC 制造關鍵材料制造關鍵材料，用于硅片及金屬布線層拋光，用于硅片及金屬布線層拋光 CMP 化學機械拋光是集成電路制造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝化學機械拋光是集成電路制造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝。在 CMP 工藝中，首先讓拋光液填充在拋光墊的空隙中，晶圓在研磨頭帶動下高速旋轉，與 拋光墊和拋光液中的分散顆粒發生作用， 同時需要控制研磨頭下壓力等其他參數。 一方面， 利用機械力作用于晶圓表面，另一方面，利用研磨液中的化學物質與晶圓表面材料發生化 學反

12、應，達到增加拋光速率的目的。拋光材料是 CMP 工藝過程中必不可少的耗材，主要 以拋光液和拋光墊為主。 圖 1：CMP 工藝原理 資料來源：FUJIFILM 官網，美國應用材料公司官網，中信證券研究部 CMP 工藝由 IBM 于 1984 年引入集成電路制造工業，它首先用于后道金屬間絕緣介 質層（IMD）的平坦化，之后又用于鎢、淺溝槽隔離（STI）和銅的平坦化，一次 CMP 工 藝只要 30 秒就能完成。 圖 2：CMP 拋光過程示意圖 資料來源：美國應用材料公司公告，中信證券研究部 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分

13、2 CMP 技術主要應用在單晶硅片的鏡面拋光和金屬布線層的拋光中。技術主要應用在單晶硅片的鏡面拋光和金屬布線層的拋光中。集成電路制造需 要在單晶硅片上執行一系列的物理和化學操作，工藝復雜，在單晶硅片制造和前半制程工 藝中會多次用到 CMP 技術。 在單晶硅制造環節，單晶硅片首先通過化學腐蝕減薄，此時粗糙度在 10-20m，在進 行粗拋光、細拋光、精拋光等步驟，可將粗糙度控制在幾十個 nm 以內。一般來說，單晶 硅片需要 2 次以上拋光，表面才可以達到集成電路的要求。 在前半制程工藝中，主要應用在多層金屬布線層的拋光中。由于 IC 元件采用多層立 體布線，需要刻蝕的每一層都有很高的全局平整度，以

14、保證每層全局平坦化。CMP 在此 工藝中使用的環節包括：互聯結構中凹凸不平的絕緣體、導體、層間介質（ILD） 、鑲嵌金 屬（如 Al、Cu） 、淺溝槽隔離（STI） 、硅氧化物、多晶硅（Poly-Si）等。 圖 3：CMP 拋光在半導體產業中的應用 資料來源：新材料在線，中信證券研究部 拋光液按照磨粒的不同，主要分為二氧化硅漿料、氧化鈰漿料和納米金剛石漿料等幾 大類。按 PH 值分類主要分為兩類：酸性拋光漿料和堿性拋光漿料。一般酸性拋光液都包 含氧化劑、助氧化劑、抗蝕劑（成膜劑） 、均蝕劑、PH 調制劑和磨料；而堿性拋光液中一 般包含絡合劑、氧化劑、分散劑、PH 調制劑和磨料。超細固體粒子提供

15、研磨作用，化學 氧化劑提供腐蝕溶解作用。CMP 過程中，拋光液中的化學組分與工件發生反應，在工件 加工表面形成一層很薄、結合力較弱的生成物，而拋光液中的磨粒在壓力和摩擦作用下對 工件表面進行微量去除。 拋光墊是一種具有一定彈性疏松多孔的材料，一般由含有填充材料的聚氨酯組成，主 要作用是存儲和傳輸拋光液，對硅片提供一定的壓力并對其表面進行機械摩擦。一方面， 拋光墊的表面微凸直接與硅片接觸產生摩擦，以機械方式去除拋光層；一方面，在離心力 的作用下，將拋光液均勻地灑到拋光墊地表面，以化學方式去除拋光層并將反應物帶出拋 光墊。拋光墊的使用壽命通常為 45-75 小時。 新材料新材料行業行業半導體材料系

16、列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 3 圖 4：CMP 材料產業鏈 資料來源：新材料在線，中信證券研究部 競爭格局：美日企業絕對主導，國內開始突破競爭格局：美日企業絕對主導，國內開始突破 市場規模市場規模： 2018 年， 全球 CMP 拋光材料市場規模約 20.3 億美元， 同比增長 6.74%， 其中拋光墊市場 7.6 億美元，拋光液市場 12.7 億美元。 圖 5：拋光材料市場規模（億美元） 資料來源：Cabot Microelectronic 公告，中信證券研究部 競爭格局競爭格局：CMP 拋光材料具有技術壁壘高、客戶認證時間長的特點。目前全球

17、 CMP 拋光材料市場主要被美國、 日本等企業壟斷， 占全球高端市場份額 90%以上。 拋光墊方面， 杜邦市占率高達 80.4%，CMC 市占率 6.4%，Nexplanar 和富士分別占比 5.2%和 4.8%。 拋光液方面，CMC 市占率達 38.9%，日立化成市占率 15.1%，杜邦、APCI、富士集團、 富士膠片分別占比 10.3%、9.6%、9.3%和 7.9%。 0 5 10 15 20 25 201020112012201320142015201620172018 拋光液拋光墊 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條

18、款部分 4 圖 6：全球拋光墊市場競爭格局 圖 7：全球拋光液市場競爭格局 資料來源：富士經濟，中信證券研究部 資料來源：富士經濟，中信證券研究部 從產品上來看，Cabot Microelectronics 和富士集團均具備較全的產品系列， 其生產的 拋光液可用于銅、銅阻擋層、鎢、層間介質、淺溝槽隔離、多晶硅的拋光。 表 1：全球拋光液主要生產企業 Cu Cu 阻擋層阻擋層 W ILD STI Poly-Si Cabot Microelectronics 日立化成 陶氏化學 Air Products and Chemicals 富士膠片 富士集團 旭硝子 JSR 昭和電工、TDK、BASF、A

19、TMI(現 Entegris)、SDI、KC Tech、Soulbrain 資料來源：富士經濟，中信證券研究部 拋光液領域，國內起步較晚，與國際先進水平拋光液領域，國內起步較晚，與國際先進水平存在存在差距。差距。2008 年前，我國 90%的拋 光液需要進口，高端拋光液如 8 英寸、12 英寸芯片用拋光液更是 100%的依賴進口。國內 有少數企業采用 3M 技術生產少量中低端產品， 缺乏自主知識產權和品牌。 在中低端領域， 我國 CMP 拋光液已實現國產化，國內企業如天津晶嶺和安陽方圓等，其產品主要用于手 機玻璃蓋板等領域的拋光。而硅片的拋光液具有很高的技術要求，配方處于完全保密的狀 態，我國

20、只有少數企業掌握部分技術，如安集科技、國瑞升、新安納。我國在半導體硅片 等高端領域的 CMP 漿料一直依賴進口， 多數企業仍處在 4 英寸、 6 英寸拋光液生產階段。 而擁有自主知識產權、研發能力，具備生產 8 英寸、12 英寸芯片拋光液能力的國內企業屈 指可數，其中，安集科技率先實現高品質拋光液技術突破打破國外壟斷，產品已接近國際 先進水平， 是國內拋光液龍頭。 2017 年我國拋光液消費量 4.78 萬噸， 而國內總產能僅 1.15 萬噸，產量約 6000 噸。 80.4% 6.4% 5.2% 4.8% 3.2% 陶氏化學（現杜邦）CMCNexplanar富士其他 38.9% 15.1%

21、10.3% 9.6% 9.3% 7.9% 8.9% CMC日立化成陶氏化學（現杜邦）APCI富士集團富士膠片其他 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 5 表 2：我國 CMP 拋光液主要生產企業 生產企業生產企業 產能（噸產能（噸/年）年） 裝置地點裝置地點 浙江新創納電子科技有限公司 4000 浙江嘉興 安集微電子科技（上海）有限公司 2000 上海浦東 海迅天津晶嶺電子材料科技有限公司 2000 天津 湖北海力天恒納米科技有限公司 2000 湖北黃岡 北京國瑞升科技股份有限公司 1000 北京房山 資料來源： 半導體

22、用化學品和材料 （徐京生） ，中信證券研究部 拋光墊領域，大陸國產高端拋光墊高度依賴進口，本土企業仍處于嘗試突破階段。拋光墊領域，大陸國產高端拋光墊高度依賴進口，本土企業仍處于嘗試突破階段。長 期以來，大陸企業沒有能夠生產集成電路的拋光墊，由于海外企業對我國實施技術封鎖， 專利壁壘是實現國產替代的難點所在。經歷多年的自主研發，我國大陸拋光墊終于取得突 破。鼎龍公司 2014 年建立專項實驗室，2015 年 3 月，鼎龍股份斥資 1 億元建設 CMP 拋 光墊產業化項目一期工程。2016 年 5 月，公司再度募集資金投入集成電路芯片（IC）拋 光工藝材料的產業化二期，兩項目達產后將形成產能 50

23、 萬片。2017 年鼎龍股份第一款拋 光墊產品通過了客戶驗證，并進入供應商體系，使中國在拋光墊材料打破壟斷，占有了一 席之地。2018 年 1 月 17 日，鼎龍股份收購時代立夫 69.28%股權。時代立夫承接了“國 家 02 專項計劃”課題任務，CMP 拋光墊下游客戶包括中芯國際、上海華力、中航微電子 等國內主要半導體制造廠商，通過收購時代立夫，鼎龍股份快速建立銷售渠道，將大大加 速國產拋光墊產品在集成電路產業領域的國產替代進程。 2017 年我國 CMP 拋光墊消費量 約 110 萬片，而國內 CMP 拋光墊產能僅 37 萬片/年，產量約 6 萬片。 表 3：我國 CMP 拋光墊主要生產企

24、業 企業企業 產能（萬片產能（萬片/年）年） 湖北鼎龍控股股份有限公司 10 安集微電子科技（上海）有限公司 10 蘇州觀勝半導體科技有限公司 5 成都時代立夫科技有限公司（已被鼎龍股份收購） 5 安陽方圓研磨材料有限公司 2 鄭州龍達磨料磨具有限公司 2 東莞市欣帕锝光電科技有限公司 1 資料來源： 半導體用化學品和材料 （徐京生） ，中信證券研究部 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 6 制程更精密制程更精密+堆疊層數更多堆疊層數更多，CMP 材料耗用量材料耗用量增長增長 技術進步促使技術進步促使 CMP 材料耗用量

25、增長。材料耗用量增長。隨著集成電路制造工藝的不斷進步，要求芯片 具備更小的特征尺寸與更多的堆疊層數， 對CMP拋光材料提出新的要求。 一方面要求CMP 工藝步驟數增加，另一方面要求 CMP 材料的種類增多。 圖 8：CMP 拋光次數隨著邏輯芯片和存儲芯片技術的進步顯著增加 資料來源：美國應用材料公司公告，中信證券研究部 在邏輯芯片方面，更先進的邏輯芯片工藝會要求拋光新的材料，為 CMP 拋光材料帶 來更多的增長機會。14 納米以下邏輯芯片工藝要求 CMP 工藝達到 20 步以上，使用的拋 光液將從 90 納米的 5-6 種增加到 20 種以上，種類和用量迅速增長。7 納米及以下邏輯芯 片工藝中

26、的 CMP 步驟甚至可達 30 步，使用拋光液種類接近 30 種。 在存儲芯片方面，當存儲芯片從 2D NAND 向 3D NAND 技術變革，CMP 拋光步驟次 數幾乎翻倍。在同一技術節點，不同客戶的技術水平和工藝特點不同，對拋光材料的需求 也不同。 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 7 圖 9：CMP 拋光步驟隨芯片特征尺寸減小而增加 圖 10：2D NAND 和 3D NAND 的平均 CMP 拋光次數 資料來源：Cabot Microelectronics 公告，中信證券研究部 資料來源：Cabot Micro

27、electronics 公告，中信證券研究部 2007 年，全球集成電路晶圓制造技術特征尺寸尚在 130 納米，隨著技術的進度，特 征尺寸不斷減小，至 2017 年，全球集成電路晶圓制造特征尺寸已至 10 納米和 7 納米。目 前，臺積電、三星正在預研 5 納米，部署 3 納米，預計進程將在 2020 年之后。 圖 11：全球主要半導體晶圓企業芯片工藝發展進程 資料來源：江蘇省集成電路產業發展研究報告（于夑康），中信證券研究部 在存儲芯片方面，為了獲得更大的存儲容量，芯片的堆疊層數逐漸增加，同時為了保 持小型化，每層的厚度逐漸減小。而堆疊層數的增加意味著拋光次數的增長。三星在提高 64 層產能

28、和技術的基點上，跳過 72 層，直奔 92/96 層；SK 海力士將跳過 64 層，直達 72 層；東芝/西部數據和美光/英特爾均跳過 72 層，直奔 92/96 層。目前，3D NAND Flash 以 64 層為主流產品技術， 預計至 2020 年， 3D 存儲堆疊可達 120 層， 到 2021 年可達 140 層以上。 8 10 11 12 14 17 18 20 21 28 30 0 5 10 15 20 25 30 35 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2D NAND3D NAND 銅非銅 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20

29、 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 8 圖 12：3D NAND Flash 堆疊主要廠商推進情況 資料來源：江蘇省集成電路產業發展研究報告（于夑康），中信證券研究部 表 4：3D NAND Flash 堆疊層數演變 年度年度 層數層數 堆棧厚度（微米）堆棧厚度（微米） 層厚（納米）層厚（納米） 備注備注 2015 年 32/36 層 2.5 70 2016 年 48 層 3.5 62 2017 年 64/72 層 4.5 60 2017 年，SK 海力士量產 72 層 2018 年 90 層 5.5 55 2018 年，東芝/西部數據量產 96 層 2020 年 120 層 7 50 202

30、1 年 140 層 8 45-50 資料來源： 江蘇省集成電路產業發展研究報告 （于夑康） ，中信證券研究部 半導體半導體制造制造中心向國內轉移，中心向國內轉移，帶動帶動 CMP 材料需求材料需求 全球全球半導體半導體市場市場擴容，中國競爭力不斷增強擴容，中國競爭力不斷增強 下游終端需求帶動半導體市場增長。下游終端需求帶動半導體市場增長。從終端需求上來看，2016 至 2018 年，由于人工 智能、 區塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發展，300mm 半導體硅片出貨面積分別為 6817、7261、8005 百萬平方英寸，年均復合增長率為 8.36%。2018 年，300mm 硅片和 200mm

31、 硅片市場份額分別為 63.83%和 26.14%，兩種尺寸硅片合計占比接近 90%。受益 于新興終端市場帶來的高端芯片需求，300mm 半導體硅片的需求預計將保持旺盛。 新材料新材料行業行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 9 圖 13：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積（單位：百萬平方英寸） 圖 14：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比 資料來源：SEMI，硅產業招股說明書（申報稿）（含預測），中信證券研 究部 資料來源：SEMI，硅產業招股說明書（申報稿）（含預測），中信證券研 究部 12 英寸硅片主要生產邏輯、存儲芯片等，英寸硅片主要

32、生產邏輯、存儲芯片等，3N NADN 驅動其下游需求增長驅動其下游需求增長。2018 年 12寸硅片下游應用中， 2D NAND和 3D NAND占比分別為 13%、 20%， 合計占比達到 33%。 在 2019 年全球芯片制造行業各類半導體產能增速中，3D NAND 最高，達到了 25%，3D NAND 預計成為未來驅動 12 寸硅片產能增長的主要因素。 圖 15：2018 年 12 英寸硅片下游應用占比 圖 16：2019 年全球芯片制造行業各類半導體產能增速 資料來源：智研咨詢，中信證券研究部 資料來源：SEMI，中信證券研究部 8 寸硅片預計未來需求保持穩健增長的驅動力：模擬芯片及功

33、率分立器件寸硅片預計未來需求保持穩健增長的驅動力：模擬芯片及功率分立器件。8 寸硅片 具備成熟的特種工藝，主要用于模擬 IC、功率分立器件、邏輯 IC、MCU、顯示驅動 IC、 CIS 影像傳感器等中低端半導體產品的生產。終端應用領域主要為移動通信、汽車電子、 物聯網、工業電子等。近年來，8 寸應用于 memory、邏輯/MPU 的 8 寸晶圓產能占比有 所下滑，是由于部分產能轉移到了 12 寸所致。同時，隨著技術的改善，晶圓廠商為了追 求經濟效益產能由 6 英寸部分轉移至 8 英寸， 8 寸硅片應用在分立器件、 模擬芯片、 MEMS 的比重有所上升。Foundry 上，由于電源管理器、顯示驅

34、動 IC、CMOS、MEMS 等其他領 域的需求，產能占比大幅上升。 0% 20% 40% 60% 80% 100% 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018E 75mm100mm125mm150mm200mm300mm 20% 25% 22% 13% 20% CIS等其他應用邏輯芯片DRAM 2D NAND3D NAND 0%5%10%15%20%25%30% 3D NAND 圖像傳感器 功率器件 半導體器件 MEMS 模擬電路 新材料新材料行業

35、行業半導體材料系列之七半導體材料系列之七2020.4.20 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 10 圖 17：2018 年 8 寸硅片下游應用需求結構預測 圖 18：8 寸晶圓下游產品占比變化情況 資料來源：SEMI，中信證券研究部 資料來源：SEMI，中信證券研究部 長期看全球半導體行業將保持成長，我國市場份額持續提高長期看全球半導體行業將保持成長，我國市場份額持續提高。2018 年，全球半導體 產業銷售額 4663 億美元，同比增長 13.07%。其中，全球半導體材料銷售額 519 億美元， 同比增長 10.66%。晶圓制造材料銷售額 322 億美元，同比增長 15.83%。從區域上看，我

36、 國半導體銷售額占全球比例逐年上升，從 2014 年的 27.32%提升至 2019 年的 35.14%， 體現了我國高于全球的行業增速，產業重心正在向我國發生轉移。 圖 19：我國半導體銷售額占全球比例逐年提升（億美元） 圖 20：全球半導體材料銷售額（億美元） 資料來源：wind，中信證券研究部 資料來源：wind，中信證券研究部 國內晶圓廠陸續投產，國內晶圓廠陸續投產，CMP 材料需求增長材料需求增長 近幾年，我國半導體產業快速擴張，大量的晶圓廠開始興建，帶動了對 CMP 拋光材 料的需求。在 6 英寸、8 英寸的晶圓廠中，我國 CMP 材料的市場占有率仍然不高，下一 階段有望導入更多的下游客戶，擴大市場份額。在 12 英寸的晶圓廠中，我國 CMP 材料需 不斷提升技術，持續研發，開發出新的產品，實現突破。 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 45% 50% 20162018 0% 10% 20% 30% 40% 0 1,000 2,000 3,000 4,000 5,000 201420152016201720182019 美洲日本 歐洲中國 亞太其他地區中國銷售額占比 0 100 200 300 400 500 600 晶圓制造材料封裝材料 新材料新材料