【公司研究】2020年三安光電企業延伸布局射頻產業鏈深度研究報告(55頁).pdf

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【公司研究】2020年三安光電企業延伸布局射頻產業鏈深度研究報告(55頁).pdf

1、mNpQmMoQnMqMqRmOrMrOtO6McMaQtRoOoMmMjMqRoPfQoNpP8OmNsOvPtOpMxNmPpP 2020 年 11 月 28 日 P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 一、化合物半導體龍頭廠商,產業鏈垂直整合布局 . 7 1.1、LED 龍頭廠商布局化合物半導體,大幅打開遠期市場空間 . 7 1.2、LED 主業逐漸企穩,公司收入增速有所回暖 . 8 二、化合物半導體搶先卡位,垂直產業深度布局 . 11 2.1、化合物半導體在高頻、高壓領域具有性能優勢 . 11 2.2、三安光電深度布局化合物半導體,搶先卡位優質賽道

2、. 15 三、氮化鎵:高頻率、高功率,射頻領域需求快速增長 . 16 3.1、GaN 適用于高頻、高功率,技術升級有望帶來成本下降 . 16 3.2、射頻領域:5G 基站是 GaN 重要成長驅動因素 . 20 3.3、電力電子:消費級快充應用快速增長,汽車電子潛在空間大 . 26 四、砷化鎵:扎根消費電子射頻領域,VCSEL 增量空間大 . 32 4.1 射頻領域:通訊技術升級帶動終端射頻 GaAs PA 量價齊升 . 34 4.2 VCSEL:從光通訊向 3D Sensing,應用場景快速增加 . 37 五、碳化硅:高壓、大功率器件核心材料,受益于新能源汽車 . 40 六、延伸布局射頻產業鏈

3、,卡位 SAW 濾波器賽道 . 47 6.1、濾波器賽道受益 5G,迎來需求爆發 . 48 6.2、濾波器業務多年布局、蓄勢待發 . 49 七、LED 行業逐漸觸底,Mini/Micro 推動新成長 . 49 7.1、LED 應用場景廣泛,行業逐漸觸底 . 49 7.2、Mini/Micro LED 新型顯示技術打開長期成長空間 . 51 7.3、迎接行業結構性創新機會,定增加碼布局高端 LED 產品 . 53 八、盈利預測與投資建議. 54 九、風險提示 . 56 圖表目錄圖表目錄 圖表 1:公司產業鏈垂直整合布局 . 7 圖表 2:三安光電股權結構 . 8 圖表 3:三安光電營業收入 .

4、9 圖表 4:三安光電歸母凈利潤 . 9 圖表 5:三安光電利潤率 . 9 圖表 6:三安光電研發費用 . 9 圖表 7:LED 板塊標的存貨(億元) . 10 圖表 8:LED 板塊標的 2020Q3 收入增速 . 10 圖表 9:LED 板塊標的毛利率表現 . 10 圖表 10:不同化合物半導體應用領域 . 11 圖表 11:化合物半導體材料性能更為優異 . 12 圖表 12:半導體材料演進圖 . 12 圖表 13:不同化合物半導體的優勢領域 . 12 圖表 14:2017 年我國 SiC、GaN 電力電子及射頻產業產值(億元) . 13 圖表 15:2018 年我國 SiC、GaN 電力

5、電子及射頻產業產值(億元) . 13 圖表 16:我國 SiC、GaN 電力電子器件應用市場規模預估(億元) . 14 圖表 17:2018 年我國 SiC、GaN 電力電子器件應用市場分布 . 14 圖表 18:公司產業布局示意圖 . 15 2020 年 11 月 28 日 P.4 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 . 15 圖表 20:氮化鎵性能對比 . 16 圖表 21:氮化鎵器件結構示意圖 . 16 圖表 22:氮化鎵的下游應用 . 17 圖表 23:GaN 不同襯底的比較 . 17 圖表 24:硅基 GaN 市場快速增長 . 18 圖表 25:RF GaN 新增專利數

6、量(個) ,硅基 GaN 技術專利更為活躍 . 18 圖表26:GaN不同襯底路徑布局概覽圖 . 19 圖表27:GaN產業鏈整合 . 19 圖表 28:6 寸 GaN 單片成本下降趨勢 . 20 圖表 29:GaN 功率器件功率密度(W/in) . 20 圖表 30:不同 GaN 器件的應用范圍 . 20 圖表 31:RF GaN 市場規模預期 . 21 圖表 32:氮化鎵射頻器件市場結構(百萬美元,2019 至 2023 年為 Yole 預測值) . 21 圖表 33:我國 GaN 射頻器件應用市場規模預估(億元) . 22 圖表 34:2018 年我國 GaN 射頻器件應用市場分布 .

7、22 圖表 35:GaN 較 GaAs 大幅減少體積 . 23 圖表 36:GaN 在基站側的應用 . 23 圖表 37:基站 GaN、GaAs、LDMOS 的比重 . 24 圖表 38:國際上已經商業化的 RF GaN 工作頻率范圍 . 24 圖表 39:全球 GaN 市場份額 . 25 圖表 40:海外 RF GaN 廠商布局 . 25 圖表 41:國內 GaN 廠商布局 . 26 圖表 42:2018 年全球 GaN 功率器件市場快速增長 . 26 圖表 43:2018 年全球 GaN 功率器件市場劃分 . 27 圖表 44:快充行業功率芯片公司 . 27 圖表 45:納微產品列表 .

8、28 圖表 46:anker 采用了 PI 的 SC1933 氮化鎵功率產品 . 28 圖表 47:anker 另一款產品采用納微的 GaN 功率芯片和驅動 . 28 圖表 48:主流氮化鎵快充芯片方案 . 29 圖表 49:國內功率 GaN 器件布局 . 30 圖表 50:GaN 芯片封裝形式發展趨勢 . 31 圖表 51:國內功率 GaN 器件布局 . 31 圖表 52:GaAs 和 Si 材料比較 . 32 圖表 53:GaAs 襯底出貨量 . 32 圖表 54:GaAs 外延片出貨量 . 32 圖表 55:中國砷化鎵元件市場規模(億元) . 33 圖表 56:全球砷化鎵外延片市場競爭格

9、局 . 33 圖表 57:全球砷化鎵晶圓制造市場競爭格局 . 33 圖表 58:目前 PA 產品市場占比 . 34 圖表 59:PA 產品代工廠營收占比情況 . 34 圖表 60:GaAs 在射頻器件中的應用 . 34 圖表 61:GaAs 在各下游領域占比情況 . 35 圖表 62:消費電子終端 GaAs 材質 PA 滲透率逐步提升 . 35 圖表 63:全球射頻前端市場規模預測(億美元) . 35 圖表 64:全球射頻開關銷售收入(億美元) . 36 圖表 65:PA 價值量明顯受益 4G 發展趨勢(美元) . 36 2020 年 11 月 28 日 P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細

10、閱讀本報告末頁聲明 :氮化鎵射頻器件工藝制程 . 36 圖表 67:GaAs 晶圓和外延片的主要應用 . 37 圖表 68:用于光電子領域的砷化鎵出貨量預計 . 37 圖表 69:Vcsel 工作原理示意圖 . 38 圖表 70:三星 Galaxy Note 10+ ToF 結構中的 VCSEL . 38 圖表 71:采用氮化鋁(AIN)腔體封裝的 Finisar 大功率 VCSEL . 38 圖表 72:3D Image 和 Sensing 收入按市場類別劃分(百萬美元) . 39 圖表 73:2019 至 2025 各領域 3D 感知市場占比(內 2019,外 2025) . 39 圖表

11、74:2017 至 2027 年 GaAs 產業演進過程:從手機到汽車 . 39 圖表 75:SiC 特性和優勢 . 40 圖表 76:SiC 應用領域 . 40 圖表 77:SiC 下游應用比例 . 40 圖表 78:碳化硅市場空間(百萬美元) . 41 圖表 79:SiC 較 Si 基產品能夠大幅減少 Die Size . 42 圖表 80:目前的主流 SiC 和 Si 基 IGBT 產品 . 42 圖表 81:硅基 IGBT 與碳化硅基 MOSFET wafer cost 對比 . 42 圖表 82:SiC 襯底尺寸發展趨勢 . 43 圖表 83:SiC 襯底價格(元/cm2). 43 圖表 84:SiC 外延片成本結構 . 43 圖表 85:SiC 外延片價格(元/cm2) .

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