MMIC 芯片工藝改進（GaAs-SiGe-CMOS）推動車載毫米波雷達系統成本持續下行至初代工藝對應成本的 30%。（1）GaAs工藝時代（1990-2007）：早期 PCBA 上大部分的器件都可以使用硅來制造，只有射頻部分沒有辦法使用，主流都是采用砷化鎵（GaAs）的工藝來制造；由于砷化鎵工藝所需要的材料比較稀缺，不管是材料成本和制造成本都比較高，對于生產線的要求也很高。因此在 2009 年之前，毫米波雷達中的前端射頻芯片最初也是使用的 GaAs 工藝，而且集成度很低，一個毫米波雷達只需要 7-8 顆 MMICs、3-4 顆BBICs，所以前端射頻芯片成本非常高占毫米波雷達整體成本大約 40%左右。（2）SiGe工藝時代（2007-2017）：SiGe（鍺硅）擁有硅工藝的集成度、良率和成本優勢，從 2009年開始 SiGe 工藝逐漸代替 GaAs 工藝，毫米波雷達前端射頻芯片的集成度大幅提升，一個毫米波雷達只需要 2-5 顆 MMICs、1-2 顆 BBICs，毫米波雷達整個系統成本降低 50%，其中前端射頻芯片 MMIC 占總成本比重從 40%下降至 36%。（3）CMOS工藝時代（2017年至今）：最初 CMOS 工藝沒法用在毫米波雷達芯片，是因為不能工作在高頻中，以 180nm為例，SiGe 可以工作在 180GHz 以上，而 CMOS 工作頻率只能達到 40GHz；直到 2010年工藝進步到 40nm，才使得 CMOS 用于 77GHz 毫米波雷達成為可能。由于 CMOS 晶圓價格非常便宜（SiGe 是 8 英寸晶圓，CMOS 是 12 英寸晶圓，1 個 12 英寸晶圓比 8 英寸晶圓產出的芯片數量要多很多，SiGe 單顆芯片成本比 CMOS 高約 20%）而且集成度非常高（可以把 MMIC 和數字處理芯片同時集成到一起），一個毫米波雷達只需要 1 顆 MMIC芯片、1 顆 BBIC 芯片；CMOS 工藝與上一代 SiGe 相比，毫米波雷達整體系統成本進一步下降了 40%，其中 MMIC 占系統總成本比重從 36%下降至 18%。（4）SoC時代（2019年至今）：還會帶來 30%的成本降低，而 CMOS AiP（封裝天線）將會讓成本進一步下降。（資料來源：加特蘭微電子，見圖 5）