圖9半導體設備銷售額(按應用劃分) 其刻蝕深度常在幾十微米以上,刻蝕步驟非常關鍵。TSV 結構多次刻蝕與沉積交替進行:需要刻蝕孔 → 襯底隔離 → 金屬填充,多個刻蝕步驟嵌套進行。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位