在主要三代化合物半導體材料中，SiC 最適合用于新能源汽車領域，而 GaN更適用于射頻領域。SiC 與 GaN 相比，具有更高的熱導率和崩潰電壓，因此在高溫和高壓領域應用更具優勢，適用于新能源汽車、快充充電樁、光伏和電網等 600V甚至 1200V 以上的電力領域。在新能源汽車領域，SiC 功率器件將主要用于逆變器、OBC 和 DC/DC 轉換。