功率半導體主要應用領域 IGBT 是由 BJT和 MOS組合而成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。近 20年來各個領域對功率器件的電壓和頻率要求越來越嚴格,MOSFET和 IGBT 逐漸成為主流。多個 IGBT可以集成為 IGBT模塊,更適應于于大電流和大電壓的環境。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位