通信行業碳化硅專題之襯底篇：占據價值高地國產崛起機遇已至（37頁）.pdf

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1、 碳化硅專題之襯底篇：占據價值高地，碳化硅專題之襯底篇：占據價值高地，國產崛起機遇已至國產崛起機遇已至 證券研究報告證券研究報告 （優于大市，維持）（優于大市，維持）余偉民（通信行業首席分析師）余偉民（通信行業首席分析師）SAC號碼：號碼：S0850517090006 聯系人：夏凡聯系人：夏凡 2022年年12月月31日日 投資要點投資要點 碳化硅性能優異，先進生產力代表。碳化硅性能優異，先進生產力代表。第三代半導體材料是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高

2、的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。產業鏈價值高地，產能釋放最關鍵環節。產業鏈價值高地，產能釋放最關鍵環節。襯底是碳化硅產業鏈的核心，在碳化硅器件的成本占比當中：襯底、外延、前段分別占比47%、23%、19%。我們認為，襯底環節是產業鏈的價值高地，而襯底行業的發展也是未來碳化硅產業降本、大規模產業化的主要驅動力。產能迭代升級，需求起量在即，國產廠商正崛起。產能迭代升級，需求起量在即，國產廠商正崛起。目前碳化硅襯底市場以海外廠商為主導，國內企業市場份額較小。國內尺寸迭代較海外廠商略慢一籌，但近年來發展提速明顯。山西爍科為首家宣布可制備8英寸SiC襯底。2021年8月，山西

3、爍科研制出8英寸碳化硅晶體。2022年1月，公司實現8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產。截至2022年11月，晶盛機電、天岳先進、天科合達分別宣布掌握8英寸碳化硅襯底制備技術。我們認為，隨著國內襯底產品日益成熟、擴產進度逐漸加速，中國襯底廠商有望重塑行業格局，未來在碳化硅襯底環節占領一席之地。投資建議：投資建議：關注天岳先進、晶盛機電、北方華創、高測股份。風險提示：風險提示：產能擴張不及預期，行業景氣度不及預期風險；技術研發風險。請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 2 RYnUsQtRUUlWrVZWvX9PaObRsQqQnPpMlOpPnMeRoOm

4、P8OqQvMuOoPoRvPsRtP概要概要 1.材料特征：第三代半導體，性能優異材料特征：第三代半導體，性能優異 2.產業鏈：占據價值高地，產業鏈：占據價值高地，3.行業格局：國產崛起機遇已至行業格局：國產崛起機遇已至 4.重點公司分析重點公司分析 5.投資建議投資建議 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 3 材料特征：第三代半導體正當時材料特征：第三代半導體正當時 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：北京通美招股書，第三代半導體聯合創新孵化中心，海通證券研究所資料來源：北京通美招股書，第三代半導

5、體聯合創新孵化中心，海通證券研究所 常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導體及砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等化合物半導體材料。從被研究和規?；瘧玫臅r間先后順序來看，上述半導體材料被業內通俗地劃分為三代。碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優勢，可大幅降低產品功耗、提高能量轉換效率并減小產品體積。4 資料來源：資料來源：彭燕，陳秀芳，謝雪健等彭燕，陳秀芳，謝雪健等.半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展，邢根源，邢根源.SiC單晶生長設備

6、熱場設計及仿真分析單晶生長設備熱場設計及仿真分析，楊，楊祥龍，祥龍，陳秀芳，謝雪健等陳秀芳，謝雪健等.8英寸導電型英寸導電型4H-SiC單晶的生長單晶的生長，海通證券研究所，海通證券研究所 發展歷程：歷久彌新，現已步入快車道發展歷程：歷久彌新，現已步入快車道 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 碳化硅的發展主要可以分為三大階段。第一個階段是結構基本性質和生長技術 的探索階段,時間跨度從 1824 年發現 SiC 結構至 1955 年 Lely 法的提出。第二階段是物理基本性質研究 和英寸級別單晶生長的技術積累階段。在此階段物理氣相傳輸(physical

7、 vapor transport,縮寫為 PVT)生長 方法基本確定、摻雜半絕緣技術被提出,至 1994 年 Cree 推出了商用的 2 英寸(50.8 mm)SiC 襯底材料。從 1994 年以后,隨著國際上半導體照明及 2 英寸 SiC 單晶襯底的突破性進展,掀起了全球 SiC 器件及相關技術的研究熱潮。表：碳化硅表：碳化硅單晶發展歷史單晶發展歷史 圖：中國圖：中國碳化硅研發之路碳化硅研發之路 時間 主要研發內容 節點時間 突破點 1824-1955 技術探索：結構基本原理性質和生長技術 1824 發現SiC結構 1885 Acheson法 1955 Lely法 1956-1994 技術積

8、累：物理基本性質研究和英寸級別單晶生長 1978 Modified Lely法 1992 摻V半絕緣技術 1994 商用2英寸4H-SiC襯底 1994-至今 研究技術和產業發展：尺寸擴大，缺陷降低和電學可控 2004 高純半絕緣技術 2009 4英寸零微管密度襯底 2015 8英寸襯底研發 60年代中國科學院制得的直徑3-4mm 6H-SiC晶片 2011年上海硅鹽酸研究所制得的76.2mm 4H-SiC晶片 2022年山東大學制得的8 英寸 4H-SiC 襯底，4H 晶型面積比例達到了 100%5 碳化硅襯底主要有2大類型：半絕緣型和導電型。在半絕緣型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為4

9、 英寸。在導電型碳化硅市場，目前主流的襯底產品規格為 6 英寸。由于下游應用在射頻領域，半絕緣型半絕緣型SiC襯底、外延材料均受到美國商務部出口管制。襯底、外延材料均受到美國商務部出口管制。材料分類：半絕緣型材料分類：半絕緣型/導電型導電型 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 表：碳化硅類型及特征表：碳化硅類型及特征 資料來源：資料來源：工業和信息化部原材料工業司，工業和信息化部原材料工業司，BIS，天岳先進招股書，海通證券研究所，天岳先進招股書，海通證券研究所 美國商務部出口管制清單美國商務部出口管制清單 產品種類 圖示 產品用途 電阻率(Ohm-c

10、m)常見 厚度 半絕緣型 通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成HEMT等微波射頻器件，應用于信息通訊、無線電探測等領域。108 500m 導電型 通過在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層，制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、IGBT 等功率器件，應用在新能源汽車，軌道交通以及大功率輸電變電等領域。0.0150.025 350m ECCN 3C005：包括溫度為：包括溫度為20時，電阻率時，電阻率不低于不低于10000 cm的高電阻碳化硅等材料的高電阻碳化硅等材料 ECCN 3C006：3C001中未指定、由中未指定、由3C

11、005指定的襯底和至少一層碳化硅、指定的襯底和至少一層碳化硅、GaN、氮化、氮化鋁或氮化鋁鎵的外延層組成的材料鋁或氮化鋁鎵的外延層組成的材料 ECCN 3E001：包括高電阻碳化硅及外延材：包括高電阻碳化硅及外延材料等制備技術料等制備技術 6 材料分類：材料分類：半絕緣型半絕緣型/導電型導電型 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：資料來源：Wolfspeed官網官網，天岳先進招股書，天科合達官網，山西爍科官網，同光晶體官網，：，天岳先進招股書，天科合達官網，山西爍科官網，同光晶體官網，：彭燕，陳秀芳，謝雪健等彭燕，陳秀芳，謝雪健等.半絕緣碳化

12、半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展硅單晶襯底的研究進展，海通證券研究所，海通證券研究所 4寸半絕緣型寸半絕緣型 項目 Wolfspeed 天岳先進 天科合達 山西爍科 同光晶體 電阻率 1E6cm 1E6cm 1E10cm 1E9cm 1E7cm 直徑 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 100 mm+0.0/-0.5mm 厚度 500 m 25m 未披露 500 m 15m（Z級）500 m 25m（P級）500 m 25m 500 m 25m 350 m 25m 彎曲度（絕對值）未披露

13、25m 15m 15m 25m 翹曲度 35m 40m 30m 20m 30m 總厚度變化 10m 15m 5m 5m 10m 多型 5%0 0 0 無披露 微管密度 未披露 1/cm2 1/cm2（Z級）5/cm2（P級）1/cm2 1/cm2（Z級）5/cm2（P級）表面粗糙度 未披露 Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.3nm 基平面位錯 BPD 未披露 未披露 未披露 未披露 未披露 螺位錯 TSD 未披露 未披露 500/cm-2 未披露 未披露 半絕緣 SiC 作為襯底是GaN異質外延的優選材料,在微波領域具有重要的應用前景。相比藍寶石14%、Si 16.9%的

14、晶格失配,SiC 與 GaN 材料僅有 3.4%的晶格失配,加上 SiC 超高的熱導率,使其制備的高能效 LED 和 GaN 高頻大功率微波器件在雷達、高功率微波設備和 5G 通信系統等方面均有極大的優勢。半絕緣 SiC 襯底研發工作一直是 SiC 單晶襯底研發的重點。生長半絕緣 SiC 材料主要有2個難點：1）降低晶體中由石墨坩堝、保溫吸附和粉料中摻雜引入的 N 施主雜質；2）在保證晶體質量和電學性質的同時,引入深能級中心補償殘存的具有電學活性的淺能級雜質。目前國內具備半絕緣型SiC生產能力的廠商主要為天岳先進、天科合達、山西爍科及同光晶體。7 材料分類：半絕緣型材料分類：半絕緣型/導電型導

15、電型 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：資料來源：Wolfspeed官網官網，天岳先進招股書，天科合達官網，山西爍科官網，同光晶體官網，三安光電官網，世紀金光官網，天岳先進招股書，天科合達官網，山西爍科官網，同光晶體官網，三安光電官網，世紀金光官網，海通證券研究所海通證券研究所 6寸導電型寸導電型 項目 Wolfspeed 天岳先進 天科合達 山西爍科 同光晶體 三安光電 世紀金光 電阻率 0.015-0.028cm 0.015-0.025cm 0.015-0.024cm 0.015-0.025cm 0.015-0.028cm 0.015-

16、0.028cm 0.015-0.025cm 直徑 150 mm 0.25 mm 150 mm 0.2 mm 150 mm+0.0/-0.5 mm 150 mm 0.2 mm 150 mm 0.25 mm 150 mm 0.25 mm 150 mm 0.2 mm 厚度 350 m 25m 未披露 350 m 15m（Z級）350 m 25m（P級）350 m 25m 500 m 25m 350 m 25m 350 m 25m 350 m 25m 彎曲度（絕對值）未披露 25m 25m 25m 40m 15m（Z級）；20m（P級）翹曲度 40m 40m 35m 35m 60m 40m 25m（Z

17、級）；40m（P級）總厚度變化 10m 10m 6m 5m 15m 未披露 7m（Z級）；10m（P級）多型 5%0 0 0 0 0 0 微管密度 1/cm2 0.5/cm2 0.2/cm2（Z級）2/cm2（P級）1/cm2 1/cm2（Z級）5/cm2（P級）1/cm2 0.5/cm2（Z級）1/cm2（P級）表面粗糙度 未披露 Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.2nm Ra0.3nm Ra0.2nm Ra0.5nm 基平面位錯 BPD 未披露 未披露 未披露 2000/cm2 未披露 5000/cm2 1500/cm2 螺位錯 TSD 未披露 未披露 500/cm2 500/cm2

18、 未披露 500/cm2 12500/cm2 導電型SiC晶體通過向生長氣氛中通人氮氣實現。導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件，碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢，將大幅提高現有使用硅基功率器件的能源轉換效率，對高效能源轉換領域產生重大而深遠的影響，主要應用領域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網等。由于導電型產品下游主要為電動車、光伏等領域的功率器件中，應用前景空間更加廣闊，生產廠商也更加眾多。8 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 碳化硅晶型：碳化硅晶型：4H晶型最優晶型最優 碳化硅的典型結構可分為兩

19、類，一類是閃鋅礦結構的立方碳化硅晶型，稱為 3C-SiC 或-SiC，另一類是六角型或菱形結構的大周期結構其中典型的 有 6H-SiC、4H-SiC、15R-SiC 等，統稱為-SiC。3C-SiC 制造器件方面具有高電阻率的優勢。然而，Si和SiC晶格常數和熱膨脹系數的高度不匹配會導致 3C-SiC 外延層中產生大量缺陷。4H-SiC在制造 MOSFET 方面非常有潛力，因為其晶體生長和外延層生長的工藝表現更為優異，電子遷移率方面，4H-SiC 高于 3C-SiC 和 6H-SiC，為 4H-SiC MOSFET 提供了更好的微波特性。圖：圖：SiC晶型參數對比晶型參數對比 圖：圖：SiC晶

20、型差異晶型差異 9 資料來源：資料來源：Matsunami H.Fundamental research on semiconductor SiC and its applications to power electronics.Proc Jpn Acad Ser B Phys Biol Sci.2020;96(7):235-254.doi:10.2183/pjab.96.018，Codreanu C,Avram M,Carbunescu E,et al.Comparison of 3CSiC,6HSiC and 4HSiC MESFETs performancesJ.Materials S

21、cience in Semiconductor Processing,2000,3(1-2):137-142.，Jihoon Choi.SiC Nanowires:from growth to related devices.Other.Universit e GrenobleAlpes,2013.English.，海通證券研究所，海通證券研究所 圖：圖：SiC同質異構體平衡態分布同質異構體平衡態分布 概要概要 1.材料特征：第三代半導體，性能優異材料特征：第三代半導體，性能優異 2.產業鏈：占據價值高地產業鏈：占據價值高地 3.行業格局：產能供不應求，國產崛起機遇已至行業格局：產能供不應求，

22、國產崛起機遇已至 4.重點公司分析重點公司分析 5.投資建議投資建議 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 10 材料制備流程材料制備流程 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：天岳先進招股書，海通證券研究所資料來源：天岳先進招股書，海通證券研究所 圖：碳化硅襯底制備過程圖：碳化硅襯底制備過程 碳化硅材料的制備主要是以高純碳粉、高純硅粉為原料合成碳化硅粉，在特殊溫場下，生長不同尺寸的碳化硅晶錠，經過多道加工工序產出碳化硅襯底。碳化硅粉 高純碳粉 高純硅粉 原料合成 碳化硅晶錠 晶體生長 碳化硅襯底 加工、

23、切割、研磨、拋光、清洗、檢測等 感應式長晶爐 電阻式長晶爐 切割機 研磨機 拋光機 檢測設備等 破碎、篩分、清洗 PVT法 HTCVD法 液相法 11 在碳化硅器件的成本占比當中：襯底、外延、前段分別占比47%、23%、19%。我們認為，襯底是碳化硅產業鏈的核心環節，襯底行業的發展也是未來碳化硅產業降本、大規模產業化的主要驅動力。圖：圖：碳化硅器件各環節成本占比（碳化硅器件各環節成本占比（%）圖：圖：SiC襯底產業鏈襯底產業鏈 資料來源：中資料來源：中商情報網，天科合達招股書，三菱電機、富士電機、商情報網，天科合達招股書，三菱電機、富士電機、II-VI、安森美、意法半導體、英飛凌、瞻芯電子官網

24、，新材料研習社微信公、安森美、意法半導體、英飛凌、瞻芯電子官網，新材料研習社微信公眾號，海通證券研究所眾號，海通證券研究所 碳化硅產業鏈：襯底為核心，降本為關鍵碳化硅產業鏈：襯底為核心，降本為關鍵 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 襯底襯底 研發研發費用費用 外延外延 總和總和 前段前段 襯底、襯底、外延、外延、前段前段 其他其他 Wolfspeed、II-IV、羅姆等、羅姆等 襯底廠商襯底廠商 長晶爐長晶爐 天岳先進、天科合達、爍科晶體、同光晶體、晶盛機電、三安光天岳先進、天科合達、爍科晶體、同光晶體、晶盛機電、三安光電、世紀金光、南砂晶圓、中電化

25、合物、露笑科技、東尼電子、電、世紀金光、南砂晶圓、中電化合物、露笑科技、東尼電子、中科鋼研等中科鋼研等 Wolfspeed、Aymont、Aixtron、LHT 天科合達、中科天科合達、中科院硅酸鹽所、中院硅酸鹽所、中國電科四十六所、國電科四十六所、北方華創、晶盛北方華創、晶盛機電機電 多線切割多線切割 日本高鳥、日本高鳥、Meryer Burger、NTC 高測股份、中國高測股份、中國電科四十五所、電科四十五所、湖南宇晶、蘇州湖南宇晶、蘇州郝瑞特郝瑞特 研磨拋光研磨拋光 日本不二越、韓日本不二越、韓國國NTS、美國斯、美國斯德堡德堡 中電科四十五所、中電科四十五所、湖南宇晶、蘇州湖南宇晶、蘇

26、州赫瑞特赫瑞特 12 作為半導體材料生產企業，原材料和生產設備是襯底廠商的重要生產資料。公司生產所需的原材料主要包括碳粉和硅粉等主料和石墨件、石墨氈、拋光液、金剛石粉等輔料。生產設備主要包括長晶爐、切割研磨設備等。據天岳先進招股書，公司主營業務成本構成中，2018-2021H1直接材料和設備折舊的占比分別為 73.10%、67.77%、63.22%和 69.45%，為生產成本的重要組成部分，原材料和生產設備的價格波動會直接影響公司的經營成本。目前原材料、設備仍存在部分依賴外資供應商的情況。目前原材料、設備仍存在部分依賴外資供應商的情況。據天岳先進招股書，公司原材料向外資供應商采購金額占主要原材

27、料采購總額的比例約為77%。截至 2021 年 6 月 30 日，公司現有加工檢測設備中無國產替代的進口設備原值為6321.93 萬元、已有國產替代的進口設備原值為 903.34 萬元，設備國產化率僅占12.5%。圖：圖：碳化硅襯底成本占比（天岳先碳化硅襯底成本占比（天岳先進）進）資料來源：天岳先進招股書資料來源：天岳先進招股書，海通證券研究所，海通證券研究所 碳化硅產業鏈成本分析碳化硅產業鏈成本分析 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2018201920202021H1碳粉 硅粉 石

28、墨件 石墨氈 其他 切割鋼絲 金剛石粉 拋光液 拋光墊 圖：圖：原材料外資供應占比（天岳先原材料外資供應占比（天岳先進）進）64.32%76.85%75.97%76.52%50%55%60%65%70%75%80%85%90%95%100%2018201920202021H113 材料制備：材料制備：原料合成原料合成/長晶長晶/切磨拋切磨拋 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：漢虹精密官網，晶升裝備官網，馬康夫，王英民，李斌等資料來源：漢虹精密官網，晶升裝備官網，馬康夫，王英民，李斌等.生長單晶用生長單晶用SiC粉料合成工藝研究進展粉料合成工

29、藝研究進展，海通證券研究所，海通證券研究所 圖：感應式圖：感應式/電阻式碳化硅原料合成爐電阻式碳化硅原料合成爐 原料合成過程是將高純硅粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合，在 2000以上的高溫條件下，于反應腔室內通過特定反應工藝，去除反應環境中殘余的、反應微粉表面吸附的痕量雜質，使硅粉和碳粉按照既定化學計量比反應合成特定晶型和顆粒度的碳化硅顆粒。再經過破碎、篩分、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅粉原料。固相法：固相法：碳熱還原法碳熱還原法 自蔓延高溫合成法自蔓延高溫合成法 機械粉碎法機械粉碎法 優點優點 較為經濟，原料來源廣泛且價格較低，易于工較為經濟，原料來源廣泛且價格較低，易于工

30、業化生產。業化生產。缺點缺點 雜質含量高，質量較低。雜質含量高，質量較低。液相法：液相法：是溶膠是溶膠凝膠法凝膠法 聚合物熱分解法聚合物熱分解法 優點優點 硅粉體純度高且為納米級的微粉。硅粉體純度高且為納米級的微粉。缺點缺點 工序較為復雜，且易產生對工序較為復雜，且易產生對 人體有害的物質。人體有害的物質。氣相法：氣相法：化學氣相沉積法化學氣相沉積法 等離子體法等離子體法 激光誘導法激光誘導法 優點優點 粉體純度較高，顆粒尺寸小。粉體純度較高，顆粒尺寸小。缺點缺點 成本高且產量較低，不適合批量化的生產。成本高且產量較低，不適合批量化的生產。表：表：高純碳化硅粉體原料制備方法高純碳化硅粉體原料制

31、備方法 14 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 目前碳化硅單晶生長的方法主要有：物理氣相傳輸法（目前碳化硅單晶生長的方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）；高溫化學氣相沉積法（）；高溫化學氣相沉積法（HT-CVD）；頂部籽晶溶液）；頂部籽晶溶液生長法（生長法（TSSG）；。）；。表：表：碳化硅晶體制備方法差異碳化硅晶體制備方法差異 資料來源：資料來源：半導體前沿微信公眾號，劉軍林半導體前沿微信公眾號，劉軍林.SiC單晶生長設備熱場設計及仿真分析單晶生長設備熱場設計及仿真分析，海通證券研究所，海通證券研究所 15 PVT 優點優點 設備成本低，結構簡單；

32、技術成熟，目前主流的晶體生長方法；耗材成本低。設備成本低，結構簡單；技術成熟，目前主流的晶體生長方法；耗材成本低。缺點缺點 生長速率慢；缺陷較難控制；長晶過程中可監控生長參數少。生長速率慢；缺陷較難控制；長晶過程中可監控生長參數少。HTCVD 優點優點 缺陷少；純度高；摻雜方便。缺陷少；純度高；摻雜方便。缺點缺點 設備昂貴；反應緩慢；耗材成本高；原料成本高；生長過程中進氣口、排氣口易堵塞，設備設備昂貴；反應緩慢；耗材成本高；原料成本高；生長過程中進氣口、排氣口易堵塞，設備穩定性低；可監控生長參數少。穩定性低；可監控生長參數少。TSSG 優點優點 生長成本低；缺陷密度低；比較適合生長成本低；缺陷

33、密度低；比較適合P型晶體生長。型晶體生長。缺點缺點 生長緩慢；對材料要求高；金屬雜質難以控制；生長晶體尺寸小，目前主要應用在實驗研究。生長緩慢；對材料要求高；金屬雜質難以控制；生長晶體尺寸小，目前主要應用在實驗研究。材料制備：原料合成材料制備：原料合成/長晶長晶/切磨拋切磨拋 圖：圖：PVT法制備原理法制備原理 圖：圖：HTCVD法制備原理法制備原理 圖：圖：液相法法制備原理液相法法制備原理 材料制備：原料合成材料制備：原料合成/長晶長晶/切磨拋切磨拋 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：漢虹精密官網，資料來源：漢虹精密官網，Wolfspee

34、d官網，海通證券研究所官網，海通證券研究所 圖：感應式圖：感應式SiC長晶爐爐長晶爐爐 目前主流普遍采用 PVT 法制備碳化硅單晶。PVT法需要在密閉生長腔室內在 2300C 以上高溫、接近真空的低壓下加熱碳化硅粉料，使其升華產生包含Si、Si2C、SiC2等不同氣相組分的反應氣體，通過固-氣反應產生碳化硅單晶反應源；由于固相升華反應形成的 Si、C 成分的氣相分壓不同，Si/C 化學計量比隨熱場分布存在差異，需要使氣相組分按照設計的熱場和溫梯進行分布和傳輸，使組分輸運至生長腔室既定的結晶位臵；為了避免無序的氣相結晶形成多晶態碳化硅，在生長腔室頂部設臵碳化硅籽晶在生長腔室頂部設臵碳化硅籽晶（種

35、子種子），輸運至籽晶處的氣相組分在氣相組分過飽和度的驅動下在籽晶表面原子沉積，生長為碳化硅單晶。圖：電阻式圖：電阻式SiC長晶爐爐長晶爐爐 圖：圖：SiC籽晶作用示意籽晶作用示意 16 材料制備：原料合成材料制備：原料合成/長晶長晶/切磨拋切磨拋 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：日本高鳥官網，國瑞升科技官網，海通證券研究所資料來源：日本高鳥官網，國瑞升科技官網，海通證券研究所 圖：多線切割設備圖：多線切割設備 切割加工環節中，在考慮后續加工余量的前提下，使用金剛石細線將碳化硅晶棒切割成滿足客戶需求的不同厚度的切割，并使用全自動測試設備進行

36、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）、厚度變化（TTV）等面型檢測。通過自有工藝配方的研磨液將切割片減薄到相應的厚度，并且消除表面的線痕及損傷。使用全自動測試設備及非接觸電阻率測試儀對全部切割片進行面型及電學性能檢測。進行研磨后，通過配比好的拋光液對研磨片進行機械拋光和化學拋光，用來消除表面劃痕、降低表面粗糙度及消除加工應力等，使研磨片表面達到納米級平整度。使用 X 射線衍射儀、原子力顯微鏡、表面平整度測試儀、表面缺陷綜合測試儀等儀器設 備，檢測碳化硅拋光片的各項參數指標，據此判定拋光片的質量等級。目前切磨拋環節設備仍由海外進口為主，國內廠商正處于加速研發中。圖：圖：SiC研磨機研磨機 檢測設

37、備：檢測設備：光學顯微鏡、X 射線衍射儀、原子力顯微鏡、非接觸電阻率測試儀、表面平整度測試儀、表面缺陷綜合測試儀 檢測特征：檢測特征：晶片的微管密度、結晶質量、表面粗糙度、電阻率、翹曲度、彎曲度、厚度變化、表面劃痕等各項參數指標 檢測環節檢測環節 17 材料制備：原料合成材料制備：原料合成/長晶長晶/切磨拋切磨拋 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 資料來源：張璽，王蓉，資料來源：張璽，王蓉，張序清等張序清等.碳化硅單晶襯底加工技術現狀及發展趨勢碳化硅單晶襯底加工技術現狀及發展趨勢，Yole，海通證券研究所，海通證券研究所 圖：激光圖：激光/冷分離技術

38、冷分離技術 相比硅材料，碳化硅具有生長慢、晶圓小、材質硬、切割難度大等特點，對成本和產能都有較大影響。為了更好地提高產能，英飛凌幾年前就加大了對英飛凌幾年前就加大了對“冷切割冷切割”技術的投入技術的投入，能有效提升切割效率。2018年11月12日，英飛凌科技以1.24億歐元收購了位于德累斯頓的初創公司Siltectra。Siltectra研發了冷切割（Cold Split）這一創新技術，可高效處理晶體材料，并最大限度減少材料損耗。據2017年公司披露的文獻數據，與最先進的線鋸工藝相比，冷切割技術已經將同一晶體可切出的晶圓數量增加了冷切割技術已經將同一晶體可切出的晶圓數量增加了 50%以上以上，

39、未來的目標是將該數字提高到 65%以上。國內的激光廠商近年也開始涉足SiC晶錠切割領域。據大族激光22年半年報、2021年報披露，大族半導體SiC晶錠激光切片機、SiC超薄晶圓激光切片機正在客戶處做量產驗證，預計未來材料利用率對比傳統切割可提升至少50%以上。據德龍激光公告，碳化硅晶錠切片技術公司也已完成工藝研發，正在給客戶做測試驗證。圖：激光技術試用公司圖：激光技術試用公司 18 概要概要 1.材料特征：第三代半導體，性能優異材料特征：第三代半導體，性能優異 2.產業鏈：占據價值高地產業鏈：占據價值高地 3.行業格局：國產崛起機遇已至行業格局：國產崛起機遇已至 4.重點公司分析重點公司分析

40、5.投資建議投資建議 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 19 行業格局：產能向大尺寸轉移，國內廠商進展加速行業格局：產能向大尺寸轉移，國內廠商進展加速 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 晶盛機電晶盛機電8寸片寸片 目前，碳化硅產業中襯底仍以4-6英寸為主。若將尺寸由6英寸提高至8英寸，SiC的單片面積將增大77.8%，可利用面積大大提高。大直徑襯底能夠有效降低器件制備成本，以直徑 6英寸襯底為例，使用直徑 6英寸襯底相對直徑 4英寸襯底能夠節省大約 30%的器件制備成本。國內尺寸迭代較海外廠商略慢一籌，但近

41、年來發展提速明顯。山西爍科為首家宣布可制備8英寸SiC襯底。2021年8月，山西爍科研制出8英寸碳化硅晶體。2022年1月，公司實現8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產。截至2022年11月，晶盛機電、天岳先進、天科合達分別宣布掌握8英寸碳化硅襯底制備技術。資料來源：資料來源：Wolfspeed官網，晶盛機電官網，天岳先進官網，天科合達官網，官網，晶盛機電官網，天岳先進官網，天科合達官網，CASA，寬禁帶半導體技術創新聯盟公眾號、天岳先進公眾，寬禁帶半導體技術創新聯盟公眾號、天岳先進公眾號、晶盛機電公眾號、爍科晶體官網，海通證券研究所號、晶盛機電公眾號、爍科晶體官網，海通證券研究所 20 圖：圖：

42、6英寸英寸&8英寸碳化硅襯底對比英寸碳化硅襯底對比 爍科晶體爍科晶體8寸片寸片 時間 企業 概況 量產時間 2015 Wolfspeed 展示了8英寸SiC襯底 2022年初 2015 II-VI 展示8英寸導電型SiC襯底 2024年 2019 II-VI 推出半絕緣8英寸SiC襯底 2024年 2021.8 爍科晶體 成功研制8英寸SiC晶體 2022.8 晶盛機電 展示8英寸SiC襯底 2022.10 天岳先進 展示8英寸SiC襯底 2022.11 天科合達 成功研制8英寸SIC襯底 表：海內外廠商表：海內外廠商8英寸進展英寸進展 核心壁壘：缺陷控制核心壁壘：缺陷控制良率提升良率提升產能

43、擴張產能擴張 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 限制 SiC 材料應用的主要因素是晶體中高密度微管缺陷的存在,因此 SiC 微管研究一直是前期研發的重點。對于微管缺陷，2010 年以前研究工作比較多?，F階段研發和商用的 SiC 襯底微管密度都得到了有效控制。近年來,研究學者將目標轉向降低 SiC 位錯密度的研究。據天岳先進招股書披露，2021 年 H1 公司的晶棒良率達到49.90%，襯底良率達到 75.47%，綜合良率目前大約為37.7%。資料來源：半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展，資料來源：半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展，CASA，天岳先進招股書，

44、海通證券研究所，天岳先進招股書，海通證券研究所 21 圖：微管密度逐年降低圖：微管密度逐年降低 圖：圖：碳化硅工藝精進將驅動位錯密度下降碳化硅工藝精進將驅動位錯密度下降 圖：圖：天岳先進良率天岳先進良率 產業趨勢：規模效應下價格漸低，需求起量在即產業趨勢：規模效應下價格漸低，需求起量在即 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 近年來，半絕緣型及導電型襯底的單價都在逐年遞減，我們預計隨著全球產能擴張逐步落地，未來3年內襯底單價將會繼續下降，從而有助于加速碳化硅的滲透率整體提升。據Wolfspeed預測，碳化硅材料市場將在2024年突破10億美元，在22-2

45、6年間增長2.5倍，從7億美元增長至17億美元。資料來源：資料來源：CASA，Wolfspeed官網，海通證券研究所官網，海通證券研究所 22 圖：碳化硅材料市場空間預測圖：碳化硅材料市場空間預測 圖：圖：SiC 襯底價格（襯底價格（RMB/cm2）發展趨勢）發展趨勢 市場份額：海外廠商仍為主導，國內廠商逐步崛起市場份額：海外廠商仍為主導，國內廠商逐步崛起 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 目前碳化硅襯底市場以海外廠商為主導，國內企業市場份額較小。碳化硅襯底產品的制造涉及設備研制、原料合成、晶體生長、晶體切割、晶片加工、清洗檢測等諸多環節，需要長期的

46、工藝技術積累，存在較高的技術及人才壁壘。根據華經產業研究院援引Yole數據，2020年上半年，碳化硅襯底市場（半絕緣和導電型）Wolfspeed市占率達到45%以上，國內龍頭天科合達和山東天岳的合計市場份額不到10%。山東天岳、爍科晶體（中電科孵化）、河北同光（中科院半導體所孵化）現有主要產品為高純半絕緣襯底，而天科合達（中科院物理所孵化）、世紀金光主要產品為導電型襯底。我們認為，隨著國內襯底產品日益成熟、擴產進度逐漸加速，中國襯底廠商有望重塑行業格局，未來在碳化硅襯底環節占領一席之地。資料來源：華經產業研究院，資料來源：華經產業研究院，CASA，Yole，海通證券研究所，海通證券研究所 23

47、 領域領域 集中度集中度 份額份額 公司公司 SiC 功率半導體 CR5 80%Cree|Wolfspeed 、ROHM、Infineon、Mitsubishi 和 ST GaN 功率半導體 CR4 90%EPC、Transphorm、GaN system、Infineon GaN 射頻 CR3 85%住友、Cree|Wolfspeed 和 Qorvo 圖：圖：2020年年H1碳化硅襯底市場份額占比碳化硅襯底市場份額占比 表：半導體行業集中度情況表：半導體行業集中度情況 CREE 45%Rohm 20%II-VI 13%昭和電工昭和電工 8%天科合達天科合達 5%山東天岳山東天岳 3%其他其他

48、 6%概要概要 1.材料特征：第三代半導體，性能優異材料特征：第三代半導體，性能優異 2.產業鏈：占據價值高地，產業鏈：占據價值高地，3.行業格局：國產崛起機遇已至行業格局：國產崛起機遇已至 4.重點公司分析重點公司分析 5.投資建議投資建議 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 24 天岳先進：中國碳化硅襯底上市第一股天岳先進：中國碳化硅襯底上市第一股 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 天岳先進成立于2010年，經過十余年的技術發展，公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環節的核心

49、技術，自主研發了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。公司于2022年1月12日登錄科創板。截至2021年，公司實現扭虧為盈，綜合毛利率自2019年后逐漸趨穩。2021全年毛利率有所下降主要受可用來制作成莫桑石的晶棒產品降價的影響，目前市場宏觀環境等因素影響飾品類消費市場需求有所下滑，可用來制作成莫桑石的晶棒產品的毛利下滑；此外，公司產能向大尺寸及導電型產品切換，這部分產品短期內生產規模較小導致單位成本較半絕緣產品高，對毛利產生一定影響。公司臨港工廠募投一期項目于2021年開工，預計于2022年三季度實現投產，2026年達到30萬片/年設計產能，主要生產6英寸導電型碳化硅襯底。2022年

50、4月，公司披露通過16949車規認證。風險提示：募投項目進展不及預期；國內疫情影響。資料來源：天岳先進招股書，資料來源：天岳先進招股書，Wind，海通證券研究所，海通證券研究所 25 圖：圖：2018-2021年公司毛利率年公司毛利率 圖：圖：2018-2021公司歸母凈利潤公司歸母凈利潤 圖：公司半絕緣型和導電型襯底布局時間表圖：公司半絕緣型和導電型襯底布局時間表 0%10%20%30%40%50%60%70%2018201920202021綜合毛利率 碳化硅業務毛利 其他業務毛利-0.42-2.01-6.42 0.9-500%-400%-300%-200%-100%0%100%200%-7

51、-6-5-4-3-2-10122018201920202021歸母凈利（億元，左軸）同比（右軸）天科合達：導電型襯底為主，產能高速擴張天科合達：導電型襯底為主，產能高速擴張 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 公司自 2006 年成立以來，一直專注于碳化硅晶體生長和晶片生產領域，先后研制出 2 英寸、3 英寸、4 英寸碳化硅襯底，于 2014 年在國內首次研制出 6 英寸碳化硅晶片，并已形成規?；a能力，工藝技術水平處于國內領先地位。公司已具備成熟的 6 英寸晶片制備技術并實現規?；?，8 英寸產品仍在研發階段。2021年12月，公司披露通過169

52、49車規認證。風險提示：產能擴張不及預期；良率提升不及預期。資料來源：天科合達招股書（申報稿），天科合達官網，海通證券研究所資料來源：天科合達招股書（申報稿），天科合達官網，海通證券研究所 圖：圖：2017-2020Q1公司產能公司產能 26 圖：圖：公司發展歷史公司發展歷史 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 爍科晶體：中電科唯一襯底企業，技術國內領先爍科晶體：中電科唯一襯底企業，技術國內領先 資料來源：爍科晶體官網，海通證券研究所資料來源：爍科晶體官網，海通證券研究所 公司擁有強大的自主供應能力，目前擁有600臺單晶生長設備，已實現4英寸高純半絕緣

53、晶片的產業化，月產能可達8000片。2021年8月，山西爍科晶體有限公司成功研制出8英寸碳化硅晶體，解決大尺寸單晶制備的重要難題。2022年1月，公司再次取得重大突破，實現8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產，向8英寸國產N型碳化硅拋光片的批量化生產邁出了關鍵一步。風險提示：擴產節奏不及預期。圖：圖：公司核心產品公司核心產品 圖：圖：公司研發歷程公司研發歷程 圖：圖：公司合作伙伴公司合作伙伴 27 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 同光晶體：中科院技術一脈相承，進入產能落地期同光晶體：中科院技術一脈相承，進入產能落地期 資料來源：同光晶體官網，海通證券研

54、究所資料來源：同光晶體官網，海通證券研究所 河北同光半導體股份有限公司成立于2012年，主要從事第三代半導體材料碳化硅襯底的研發和生產。公司主要產品包括4英寸和6英寸導電型、半絕緣碳化硅襯底，其中4英寸襯底已達到世界先進水平。公司自建立以來，成立了“院士工作站”、“SiC單晶材料與應用研究聯合實驗室”，設立了“中國科學院半導體研究成果轉化基地。2021年9月5日河北同光產10萬片碳化硅單晶襯底項目投產儀式圓滿落幕?！澳戤a10萬片碳化硅單晶襯底項目”是2020年淶源縣政府與同光晶體正式簽約的第三代半導體產業項目。項目位于淶源經濟開發區，總投資約9.5億元，規劃占地112.9畝，規劃建筑面積860

55、00余平方米。項目采用國際先進的碳化硅單晶襯底生產技術，布局單晶生長爐600臺，建成具有國際先進水平的碳化硅單晶襯底生產線。項目建成滿產后，可實現年產10萬片碳化硅單晶襯底，預計年銷售收入5-10億元。2021年1月，同光晶體宣布完成C輪融資。此輪融資由CPE領投，新資金的注入旨在幫助同光晶體更快更好的完成新一輪產能擴張計劃。風險提示：行業競爭激烈；下游客戶導入不及預期。圖：圖：公司產品矩陣公司產品矩陣 28 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 晶盛機電：致力于生長加工技術自主可控晶盛機電：致力于生長加工技術自主可控 資料來源：晶盛機電資料來源：晶盛機

56、電22年半年報，晶盛機電官網，海通證券研究所年半年報，晶盛機電官網，海通證券研究所 晶盛機電是國內領先的半導體材料裝備和化合物半導體襯底材料制造企業，公司已建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環節的研發實驗線，實驗線產品已通過下游部分客戶驗證。8月12日，公司首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，此次研發成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發上取得的重大突破。不但成功解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，同時還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題。公司布局碳化硅襯底生長環節與外延設備環節，致力于掌握產業鏈核

57、心壁壘。風險提示：行業競爭激烈；下游客戶導入不及預期。圖：圖：公司產品布局公司產品布局 圖：圖：碳化硅襯底產品碳化硅襯底產品 圖：圖：碳化硅外延生長爐碳化硅外延生長爐 29 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 北方華創：設備代工龍頭，受益于碳化硅上游擴產紅利北方華創：設備代工龍頭，受益于碳化硅上游擴產紅利 資料來源：北方華創官網，海通證券研究所資料來源：北方華創官網，海通證券研究所 北方華創以電子專用設備和電子元器件為主要產品。北方華創現已具備大尺寸、導電/高純半絕緣型、粉料合成/晶體生長/晶錠熱處理等多種技術路線的10余種設備機型，助力中國SiC企業

58、實現高速發展。據公司公告披露，2022年公司碳化硅長晶設備訂單飽滿，累計出貨已達千余臺，預計22年全年出貨將超500臺，并已成為國內主流客戶的首選產品。同時，公司8吋碳化硅長晶爐已完成研發，并進入客戶端。在外延裝備方面，北方華創具有10余年外延設備研發的技術積累，在溫場、氣流場以及平臺控制等設計方面優勢顯著，可針對多種半導體外延裝備進行定制開發，涵蓋硅與化合物半導體領域。北方華創的4/6吋SiC外延設備已簽訂單超百臺，批量機臺已在各大主流外延廠實現穩定量產。風險提示：下游擴產節奏不及預期。圖：圖：碳化硅長晶爐碳化硅長晶爐 圖：圖：碳化硅外延生長爐碳化硅外延生長爐 30 請務必閱讀正文之后的信息

59、披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 高測股份：聚焦金剛線切割國產化高測股份：聚焦金剛線切割國產化 資料來源：高測股份官網，資料來源：高測股份官網，高測股份向不特定對象發行可轉換公司債券募集說明書高測股份向不特定對象發行可轉換公司債券募集說明書，海通證券研究所，海通證券研究所 目前，公司主要從事高硬脆材料切割設備和切割耗材的研發、生產和銷售，產品主要應用于光伏行業硅片制造環節。隨著碳化硅金剛線切片機市場需求激發，公司領先行業實現碳化硅金剛線切片機小批量銷售并逐步打開市場空間。2022年6月至9月，公司碳化硅金剛線切片機已簽訂銷售訂單9臺。公司推出的GC-SCDW6500碳化硅金

60、剛線切片專機自去年開始在客戶端試用，該機型屬于國內首款高線速碳化硅金剛線切片機，對比砂漿切割可提升4倍以上產能，采用0.2mm及以下金剛線切割，顯著降低生產成本并提高出片率。我們認為，襯底切割環節正處于國產替代起步階段，未來隨著國產加工設備滲透率提升，加工設備廠商有望在襯底擴產浪潮中收益。風險提示：國產化進程不及預期；龍頭廠商滲透不及預期。圖：圖：公司核心業務布局公司核心業務布局 表：表：金剛線切割已成為高硬脆材料主流加工路徑金剛線切割已成為高硬脆材料主流加工路徑 31 概要概要 1.材料特征：第三代半導體，性能優異材料特征：第三代半導體，性能優異 2.產業鏈：占據價值高地，產業鏈：占據價值高

61、地，3.行業格局：國產崛起機遇已至行業格局：國產崛起機遇已至 4.重點公司分析重點公司分析 5.投資建議投資建議 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 32 觀點總結觀點總結 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 行業趨勢：高速擴張，襯底掌舵行業趨勢：高速擴張，襯底掌舵 1.襯底環節工藝缺陷直接影響器件及應用質量 2.襯底擴徑、放量和降本進度決定行業滲透進程 3.襯底作為產業鏈價值高地，掌握話語權 行業格局：關注產業鏈自主可控，設備國產化將是必然趨勢行業格局：關注產業鏈自主可控，設備國產化將是必然趨勢 1.長晶爐設

62、備：國產化水平較高，已進入碳化硅擴產紅利期 2.加工設備：海外設備廠商占比高，國產替代正處于早期；隨著產能加速擴張，設備自主可控、加工效率迭代將成為必然趨勢，國產加工設備環節有望迎來重要機遇。核心壁壘：晶體制備技術；設備自主可控核心壁壘：晶體制備技術；設備自主可控 投資建議：投資建議：關注天岳先進、晶盛機電、北方華創、高測股份。33 投資建議投資建議 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 34 我們認為，碳化硅襯底行業的核心壁壘主要在于上游的晶體制備技術和產業鏈自主可控兩方面，我們認為，碳化硅襯底行業的核心壁壘主要在于上游的晶體制備技術和產業鏈自主可控兩

63、方面，因此在行業的快速發展中，優質襯底廠商將更加具有競爭力。同時，在上游襯底快速擴產的浪潮因此在行業的快速發展中，優質襯底廠商將更加具有競爭力。同時，在上游襯底快速擴產的浪潮中，國產替代滲透進程將持續加速，設備廠商將有望打開潛在廣闊空間。中，國產替代滲透進程將持續加速，設備廠商將有望打開潛在廣闊空間。建議關注：天岳先進、晶盛機電、北方華創、高測股份。建議關注：天岳先進、晶盛機電、北方華創、高測股份。代碼代碼 公司名稱公司名稱 股價股價 市值市值 EPS（元）（元）PE（倍）（倍）（元）（元）（億元）（億元）2020 2021 2022E 2020 2021 2022E 688234.SH 天岳

64、先進 78.00 335.17 0.23 0.13 0.33 335 589 238 300316.SZ 晶盛機電 63.56 831.82 1.33 2.10 2.84 48 30 22 002371.SZ 北方華創 225.30 1,190.82 2.05 3.82 5.24 110 59 43 688556.SH 高測股份 75.02 170.99 1.07 3.00 4.11 70 25 18 表：重點公司盈利預測表：重點公司盈利預測 時間更新至時間更新至2022年年12月月30日，日，EPS均為均為Wind一致預期一致預期 資料來源：資料來源：Wind，海通證券研究所，海通證券研究所

65、 風險提示風險提示 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 風險提示：風險提示：產能擴張不及預期，行業景氣度不及預期風險；技術研發風險。35 分析師聲明分析師聲明 余偉民余偉民 本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，以勤勉的職業態度，獨立、客觀地出具本報告。本報本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，以勤勉的職業態度，獨立、客觀地出具本報告。本報告所采用的數據和信息均來自市場公開信息，本人不保證該等信息的準確性或完整性。分析邏輯基于作者的職告所采用的數據和信息均來自市場公開信息，本人不保證該等信息的準確性或完整性。分析邏輯基于作者的職

66、業理解，清晰準確地反映了作者的研究觀點，結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。業理解，清晰準確地反映了作者的研究觀點，結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。分析師聲明和研究團隊分析師聲明和研究團隊 通信研究團隊：通信研究團隊：通信行業首席分析師通信行業首席分析師 余偉民余偉民 SAC執業證書編號：執業證書編號：S0850517090006 電電 話：話：010-50949926 Email： 聯系人：夏凡聯系人：夏凡 Email： 36 信息披露和法律聲明信息披露和法律聲明 投資評級說明投資評級說明 法律聲明法律聲明 。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本報告中的

67、信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可能會波動。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。市場有風險，投資需謹慎。本報告所載的信息、材料及結論只提供特定客戶作參考，不構成投資建議，也沒有考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需要?？蛻魬紤]本報告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況。在法律許可的情況下，海通證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進

68、行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服務或其他服務。本報告僅向特定客戶傳送，未經海通證券研究所書面授權，本研究報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。所有本報告中使用的商標、服務標記及標記均為本公司的商標、服務標記及標記。如欲引用或轉載本文內容，務必聯絡海通證券研究所并獲得許可，并需注明出處為海通證券研究所，且不得對本文進行有悖原意的引用和刪改。根據中國證監會核發的經營證券業務許可，海通證券股份有限公司的經營范圍包括證券投資咨詢業務。1.投資評級的比較和評級標準：投資評級的比較和評級標準：以報告發布后的 6

69、 個月內的市場表現為比較標準，報告發布日后 6 個月內的公司股價（或行業指數）的漲跌幅相對同期市場基準指數的漲跌幅；2.市場基準指數的比較標準：市場基準指數的比較標準：A 股市場以海通綜指為基準；香港市場以恒生指數為基準；美國市場以標普 500或納斯達克綜合指數為基準。類類 別別 評評 級級 說說 明明 股票投資評級 優于大市 預期個股相對基準指數漲幅在 10%以上；中性 預期個股相對基準指數漲幅介于-10%與 10%之間；弱于大市 預期個股相對基準指數漲幅低于-10%及以下；無評級 對于個股未來 6 個月市場表現與基準指數相比無明確觀點。行業投資評級行業投資評級 優于大市 預期行業整體回報高于基準指數整體水平 10%以上；中性 預期行業整體回報介于基準指數整體水平-10%與 10%之間；弱于大市 預期行業整體回報低于基準指數整體水平-10%以下。37