半導體行業更新報告：半導體公司全面布局攻堅國產替代-230313（28頁）.pdf

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1、請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 2023.03.13 半導體半導體公司全面布局公司全面布局，攻堅國產替代，攻堅國產替代 半導體行業更新報告半導體行業更新報告 王聰王聰(分析師分析師)舒迪舒迪(分析師分析師)郭航郭航(研究助理研究助理)021-38676820 021-38676666 021-38038432 證書編號 S0880517010002 S0880521070002 S0880121080011 本報告導讀：本報告導讀：半導體企業在產業鏈各環節全面布局和發展，設備、大芯片等國產化薄弱領域的公司半導體企業在產業鏈各環節全面布局和發展，設備、大芯片等國

2、產化薄弱領域的公司22 年業績增速整體良好，已具備產業基礎，后續整線突破為產業發展重點。年業績增速整體良好，已具備產業基礎，后續整線突破為產業發展重點。摘要：摘要：維持行業“增持”評級。維持行業“增持”評級。半導體全面布局，實現自主可控勢在必行。代工、設備、設計等各個低國產化率環節，都急需補足短板，實現整體產業化升級。作為先進制造主要抓手的半導體設備和實現信創、數字經濟需求的大芯片領域尤為重要，相關企業將深度受益，維持行業“增持”評級。集群化集群化+硬科技化，硬科技化，資本市場資本市場助力行業全面發展。助力行業全面發展。22 年科創板新上市集成電路企業 40 家，數量接近前三年上市的 IC 公

3、司數量之和。上市半導體公司覆蓋從上游的 IP/EDA/設備/材料到中游的設計、制造，再到下游的封測和應用。就業績而言，22 年設備、材料、大芯片等公司的平均整體業績增速維持高位。以半導體設備為主的先進制造環節是實現半導體自主可控的主要抓以半導體設備為主的先進制造環節是實現半導體自主可控的主要抓手，國內廠商持續攻堅核心技術領域，加深空白環節覆蓋度，有望手，國內廠商持續攻堅核心技術領域，加深空白環節覆蓋度，有望實現半導體設備的整線突破。實現半導體設備的整線突破。中國半導體設備市場規模增速大于全球，是最大市場之一，但海外廠商幾乎呈現壟斷地位。受益于 SMIC、YMTC、CXMT 等國內產線的發展，國

4、內廠商在半導體前道和后道設備領域均加速突破，進入從 1 到 10 的新階段，逐步縮小國際差距?？涛g：中微已突破 5nm 先進制程；薄膜沉積：拓荊 PECVD 全材料覆蓋，突破 14nm；清洗：國產化率約 31%，發展速度最快。CPU 和和 GPU 分別是分別是實現實現運算控制和高性能計算的核心，運算控制和高性能計算的核心，受益于信受益于信創、數字經濟等自主可控需求驅動，大芯片國產化浪潮加速，持續創、數字經濟等自主可控需求驅動，大芯片國產化浪潮加速，持續推進技術更迭。推進技術更迭。（1）GPU：巨頭享有生態護城河，呈現海外寡頭壟斷格局。國內廠商星火燎原，產品不斷涌現，包括景嘉微、芯動科技、壁仞科

5、技、摩爾線程、沐曦集成電路、天數智芯等。（2）CPU：千億美元市場，生態壁壘明顯，Intel 和 AMD 占據絕對壟斷地位。國內廠商從產品性能和生態環境出發，實現經驗積累，已獲得越來越多的認可，主要企業包括龍芯、海思、飛騰、海光、兆芯等。風險提示。風險提示。本土設備和材料企業技術突破不及預期；本土晶圓制造產線建設不及預期。評級：評級：增持增持 上次評級：增持 細分行業評級 半導體 增持 相關報告 電子元器件微傳動瞳距調節，MR防眩暈標配模組 2023.02.24 電子元器件AIGC與 MR軟硬結合，隨機性與真實性開創無限可能 2023.02.18 電子元器件MR蓄勢待發，引領終端產品創新 20

6、23.02.07 電子元器件MR 核心顯示技術，硅基OLED 加速滲透 2023.01.11 電子元器件折疊機持續創新，供應鏈深度受益 2022.12.27 行業專題研究行業專題研究 股票研究股票研究 證券研究報告證券研究報告 電子元器件電子元器件 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 2 of 28 目目 錄錄 1.科創板助力行業發展，全面布局半導體領域.3 2.設備：整線突破大勢所趨，持續攻堅空白板塊.4 2.1.半導體制造的核心支撐.4 2.2.市場空間加速上升，國產替代仍任重道遠.6 2.3.攻堅核心技術領域，加深空白環節覆蓋度.8

7、 3.大芯片：高算力需求爆發，國產替代進展加速.15 3.1.GPU：高性能計算和人工智能的核心.15 3.2.CPU：計算機運算控制的核心.19 3.3.大芯片國產化浪潮加速，國內廠商有望持續推進技術更迭.23 4.風險提示.26 4.1.本土設備和材料企業技術突破不及預期.26 4.2.本土晶圓制造產線建設不及預期.26 oOpOWWcVeUdXvZdUxUaQ8Q7NnPnNnPtQkPoOoNfQmNrN6MrRzQvPnPmRxNmPnP 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 3 of 28 1.科創板科創板助力行業發展助力行業發

8、展，全面布局半導體領域全面布局半導體領域 自科創板創立以來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。自科創板創立以來，本土半導體廠商迎來歷史性融資窗口期。22 年科創板全年 124 家公司上市，IPO 募資凈額約 2400 億元?？苿摪寮呻娐沸袠I 22 年 IPO 募資“井噴”，新上市集成電路企業達到 40 家，數量接近前三年上市的 IC 公司數量之和，占整個科創板的比例約為 30%左右。集群化集群化+硬科技化，硬科技化，資本市場資本市場助力行業全面發展助力行業全面發展。從上游的 EDA/IP 環節，到下游的設計、制造等環節，再包括制造上游的設備、材料環節，全面布局。尤其是低國產化率但產業環節極

9、其重要的設備和大芯片領域，大芯片主要為 CPU、GPU、FPGA 等領域。1）設備：22 年初新上市拓荊科技，是國內薄膜設備龍頭，擁有PECVD、SACVD、ALD、HDPCVD 等多項設備業務。22 年底上市的富創精密是國內設備零部件龍頭，獲得國際設備大廠應用材料的深度認可。他們與芯源微、盛美上海、中微公司、華海清科等共同助力國內半導體設備國產替代，實現全面突破。2）大芯片：22 年中，兩家國產 CPU 領先企業龍芯中科和海光信息依次上市，打開大芯片 IPO 上市融資的新局面。其中，海光產品包括 CPU和 DCU 處理器，已形成兼容 x86 指令集 CPU 系列產品和 DCU 海光8000

10、系列產品。公司產品已經被廣泛應用于電信、金融、互聯網、教育、交通等重要行業或領域。圖圖 1：半導體產業鏈上下游半導體產業鏈上下游 數據來源：中微公司招股說明書 國內主要設備、材料、大芯片公司的平均業績增速整體維持高位。國內主要設備、材料、大芯片公司的平均業績增速整體維持高位。根據各公司未經會計事務所審計的 22 年業績快報財務數據可知：在營收上，根據 18-22 年的數據，22 年整體營收增速均值維持 62%，其中拓荊和海光增速最高，分別達到 125%和 122%；18-22 年營收 CAGR 均值為110%，其中華海清科和海光信息增速最高，分別為 261%和 374%。行業專題研究行業專題研

11、究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 4 of 28 在利潤上，根據 18-22 年的數據，22 年整體利潤增速均值維持 110%，其中拓荊和芯源微增速最高，分別達到 438%和 155%；18-22 年利潤CAGR 均值為 85%。表表 1:國內主要設備、材料、大芯片公司的平均國內主要設備、材料、大芯片公司的平均營收營收增速維持增速維持 62%左右，左右，18-22 年年 CAGR 為為 110%（單位：（單位：億元）億元）公司公司 22 營收營收 18-22CAGR 22 營收營收 yoy 22 歸母凈利潤歸母凈利潤 18-22CAGR2 22 歸母凈利潤歸

12、母凈利潤 yoy 中芯國際中芯國際 495.16 29%39%121.33 153%13%中微公司中微公司 47.40 42%52%11.70 134%16%芯源微芯源微 13.85 88%67%1.97 86%155%盛美上海盛美上海 28.73 73%77%6.68 93%151%拓荊科技拓荊科技-U 17.06 189%125%3.69 扭虧為盈，大幅增長 438%華海清科華海清科 16.82 261%109%5.15 扭虧為盈，大幅增長 160%華峰測控華峰測控 10.71 70%22%5.25 80%20%正帆科技正帆科技 27.05 43%47%2.58 63%53%富創精密富創精

13、密 15.43 90%83%2.40 227%90%安集科技安集科技 10.77 63%57%3.00 88%140%滬硅產業滬硅產業-U 36.00 53%46%3.25 207%122%海光信息海光信息 51.25 374%122%8.02-286%145%龍芯中科龍芯中科 7.39 56%-38%0.51 86%-79%均值均值 110%62%85%110%數據來源：公司官網，國泰君安證券研究 備注：22 年業績為各公司業績快報，未經會計事務所審計。2.設備：整線突破大勢所趨，持續攻堅空白設備：整線突破大勢所趨，持續攻堅空白板塊板塊 2.1.半導體制造的核心支撐半導體制造的核心支撐 半導

14、體設備可大致分為晶圓制造設備和封裝測試設備，對應于晶圓加工半導體設備可大致分為晶圓制造設備和封裝測試設備，對應于晶圓加工和封測的各個環節，屬于半導體制造的核心支撐領域。和封測的各個環節，屬于半導體制造的核心支撐領域。晶圓加工設備：晶圓加工設備：晶圓加工步驟主要分為擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、拋光等。以晶圓加工中最重要的光刻為例，光刻又可以細分為清洗、涂膠、光刻和顯影，對應的晶圓加工設備為清洗機、涂膠機、光刻機和顯影機。晶圓處理精度高，一般在幾納米至幾微米，對加工設備精度要求極高，其中部分工序需要循環進行多次，需要用到大量的半導體設備。圖圖 2：集成電路前道晶圓加工集成電路前道晶圓加工

15、/芯片制造工藝流程及設備芯片制造工藝流程及設備 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 5 of 28 數據來源：芯源微招股說明書，國泰君安證券研究 封測分為封裝和測試：封測分為封裝和測試：封裝主要用于芯片后道加工，工藝流程在晶圓制造后，分為傳統封裝和先進封裝兩種；測試則涵蓋半導體中游所有環節，從 IC 設計到 IC 封裝，都需要經過測試。傳統封裝設備包括減薄機、劃片機、貼片機、引線鍵合機等；先進封裝設備包括清洗機、濺射設備、光刻機、涂覆設備、回熔焊接設備等；測試設備主要包括測試機、探針臺和分選機。圖圖 3：集成電路后道先進封裝工藝流程及設備

16、集成電路后道先進封裝工藝流程及設備 圖圖 4：集成電路測試工藝流程及設備集成電路測試工藝流程及設備 數據來源：中微公司招股說明書，國泰君安證券研究 數據來源：國泰君安證券研究 在半導體設備投資中，晶圓加工設備資本開支最大，占近在半導體設備投資中，晶圓加工設備資本開支最大，占近 80%。根據Gartner 的數據，在晶圓廠的資本開支中，半導體設備投資占比最大，占70%-80%。在半導體設備投資中，晶圓加工作為集成電路制造過程中最重要和最復雜的環節，其相關設備占比最大，占 78%-80%。封測設備在封測設備在半導體設備中占半導體設備中占 18%-20%，其中測試設備占比最大，占，其中測試設備占比最

17、大，占 55%-60%。圖圖 5：集成電路制造領域典型資本開支結構集成電路制造領域典型資本開支結構 氧化爐氧化爐氧化氧化RTP設備設備熱處理熱處理激光退火設備激光退火設備激光退火激光退火擴散（重復步驟）擴散（重復步驟）清洗機清洗機清洗清洗涂膠機涂膠機涂膠涂膠光刻機光刻機光刻光刻顯影機顯影機顯影顯影CD/SEM測量測量光刻（重復步驟）光刻（重復步驟）干刻干刻/蝕刻機蝕刻機干刻干刻/蝕刻蝕刻清洗機清洗機清洗清洗刻蝕（重復步驟）刻蝕（重復步驟）離子注入機離子注入機離子注入離子注入等離子去膠機等離子去膠機去膠去膠清洗機清洗機清洗清洗離子注入（重復步驟）離子注入（重復步驟）物理氣相沉積物理氣相沉積設備設

18、備物理氣相物理氣相沉積沉積清洗機清洗機清洗清洗RTP設備設備RTP清洗機清洗機清洗清洗薄膜沉積（重復步驟）薄膜沉積（重復步驟）CMP設備設備拋光拋光清洗機清洗機清洗清洗拋光（重復步驟）拋光（重復步驟）檢測設備檢測設備檢測檢測檢測檢測清洗清洗濺射濺射涂膠涂膠曝光曝光清洗機清洗機濺射設備濺射設備涂膠機涂膠機光刻機光刻機顯影顯影電鍍電鍍去膠去膠刻蝕刻蝕顯影機顯影機電鍍設備電鍍設備去膠機去膠機刻蝕機刻蝕機涂覆助焊劑涂覆助焊劑涂覆設備涂覆設備回爐焊接回爐焊接清洗清洗檢測檢測回爐焊接設備回爐焊接設備清洗機清洗機檢測儀器檢測儀器IC設計設計IC制造制造IC封裝封裝封裝前測封裝前測試試封裝后測封裝后測試試終檢

19、（終檢（FT）晶圓允許測試晶圓允許測試（WAT）晶圓測試（晶圓測試（CP）探針臺探針臺+測測試機試機測試機測試機+分分選機選機封裝前測封裝前測試試探針臺探針臺+測測試機試機晶圓允許測試晶圓允許測試（WAT）晶圓測試（晶圓測試（CP）過程控制過程控制測試測試量測設備、量測設備、質譜儀、質譜儀、原子顯微原子顯微鏡、光罩鏡、光罩缺陷檢查缺陷檢查機等機等封裝后測封裝后測試試終檢（終檢（FT）測試機測試機+分分選機選機 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 6 of 28 數據來源：Gartner 下游應用方面，晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體

20、。下游應用方面，晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體。根據 SEMI的數據，2023 年，晶圓加工設備市場將達到 680 億美元，其中Foundry/Logic 占據近一半的市場份額。值得一提的是，2020 年預計增長率最高的用途是 NAND，預計較 2019 年增長 30%。另外，DRAM 在2020 年的同比增長率接近 20%。圖圖 6：晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體晶圓加工設備的最大應用市場在邏輯半導體 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 備注：Wafer Fab 生產設備包括晶圓工藝處理設備、附屬設備、光掩模&光罩生產設備 2.2.市場空間加速上升，國產替代仍任重道遠市場空

21、間加速上升，國產替代仍任重道遠 全球半導體設備市場依舊保持著良好的增長態勢，預計全球半導體設備市場依舊保持著良好的增長態勢，預計 22 年達到年達到 1085億美元。億美元。根據 SEMI 數據，2021 年全球半導體設備市場規模為 1026 億美元，同比增長 44%，預計 2022 年市場規模將有 6%左右的增速，約 1085 億美元。在競爭格局上，海外廠商維持強勁，壟斷格局進一步凸顯。在競爭格局上，海外廠商維持強勁，壟斷格局進一步凸顯。半導體設備市場已形成較為穩定的寡頭壟斷市場格局，頭部效應明顯。半導體設備廠房建設20%30%設備投資7080%設計：2%7%土建設施：30%40%潔凈室分工

22、：50%70%硅片制造：1%3%晶圓加工/芯片制造：78%80%封裝測試：18%20%機電系統：25%35%潔凈室系統：25%35%長晶&切磨拋設備：2%薄膜沉積設備：20%光刻設備：20%刻蝕/去膠設備：20%退火/擴散/注入設備；5%工藝控制設備：11%清洗/CMP設備：8%其他加工設備：8%封裝設備：40%45%CP&FT測試設備：5560%0102030405060708020192020F2021F2022F2023FWafer Fab Equipment Forecast by Segments（十億美元）DRAMNANDFoundry/LogicOther 行業專題研究行業專題研

23、究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 7 of 28 技術壁壘、驗證壁壘以及市場壁壘都較高，多重因素導致主要市場份額集中在少數頭部企業中，并且壟斷格局不斷擴大。根據統計，全球前 5大半導體設備廠商分別為 AMA T、ASML、Lam、TEL 及 KLAC，2021 年行業 CR5 約為 84%，較 2019 年的 65%顯著提高。圖圖 7：半導體設備市場壟斷格局進一步凸顯半導體設備市場壟斷格局進一步凸顯 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 半導體設備和材料是晶圓制造的重要支撐領域，也是美國主要打壓環節，半導體設備和材料是晶圓制造的重要支撐領域，也是美國主要打壓

24、環節，與國際巨頭相比，仍有較大差距，任重道遠。與國際巨頭相比，仍有較大差距，任重道遠。在設備領域，薄膜沉積設備、光刻設備、前道檢測設備、涂膠顯影設備、離子注入設備、后道測試設備等國產化率均不足 10%，甚至光刻和涂膠顯影等領域國產化率僅有 1%左右。在材料領域，硅片、CMP 材料等領域國內公司開始冒頭，但在光刻膠、光掩模板、靶材等環節仍然差距較大，尤其是光刻膠領域，國內公司無人實現 A 膠量產。圖圖 8：中國半導體設備和國外仍有差距中國半導體設備和國外仍有差距 0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%AMATASMLTELLamKLAC2020市場份額2

25、021市場份額2021年市場規模市場競爭格局國內主要公司國產化率薄膜沉積設備190億美元北方華創、拓荊科技、中微公司4.6%光刻設備181億美元上海微電子1.2%刻蝕設備194億美元北方華創、中微公司、屹唐股份22%85%15%AMAT30%21%19%30%AMATLamTEL其他31%29%40%TELPVDCVDALD47%26%17%10%LamTELAMAT其他75%13%6%6%ASMLNikonCanon其他 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 8 of 28 數據來源：SEMI，Yole，拓荊科技招股說明書，芯源微招股說明

26、書，公司公告，國泰君安證券研究 2.3.攻堅核心技術領域，加深空白環節覆蓋度攻堅核心技術領域，加深空白環節覆蓋度 國內廠商在半導體前道和后道設備領域均加速突破，進入從國內廠商在半導體前道和后道設備領域均加速突破，進入從 1 到到 10 的的新階段，逐步縮小國際差距。新階段，逐步縮小國際差距。前道設備領域：前道設備領域：熱處理設備、清洗設備、刻蝕設備、去膠設備、CMP 設備等領域市占率較高，均在 20%左右，甚至更高。例如在 CMP 設備領域，華海清科已經實現12英寸28nm以上邏輯制程、128層以下3D NAND、1X/1Y DRAM全覆蓋，14nm 及以下已經處于驗證之中；在刻蝕設備領域，中

27、微公司已經實現 5nm 制程的 CCP 設備的量產，北方華創的 14nm ICP 設備也已進入中芯國際產線進行驗證。薄膜沉積設備、離子注入設備等領域市占率較低，難度較大，但近年來也有了較大的突破。拓荊科技的 28nm 以上 PECVD 在國內產線獲得了較大的訂單，實現了量產，SACVD和 ALD設備也初步取得了客戶訂單，實現了突破。凱世通的多款離子注入機設備產品獲得了客戶的重復采購和批量訂單。后道設備領域：后道設備領域：就后道測試設備而言，華峰測控、長川科技、華興源創實現了較大的突就后道測試設備而言，華峰測控、長川科技、華興源創實現了較大的突破。破。其中華峰測控在 SoC 測試領域，目前主要

28、100M 的 8300實現量產，預計第二代 400M 以上的 8300 將在年內形成樣機。長川科技的數字測試機D9000，集合 1024 個數字通道、200MHz數字測試速率實現快速放量。表表 2：國內廠商在半導體前道設備領域加速突破國內廠商在半導體前道設備領域加速突破 前道測量/檢測2021年市場規模市場競爭格局國內主要公司國產化率100億美元上海精測、中科飛測2%清洗設備涂膠顯影設備42億美元盛美上海、芯源微、北方華創、至純科技31%CMP設備34億美元24億美元華海清科、爍科精微電子芯源微18%1.1%熱處理設備2021年市場規模市場競爭格局國內主要公司國產化率20億美元屹唐股份、北方華

29、創20%離子注入設備去膠設備22億美元凱世通、中科信1.4%測試設備7億美元90億美元華峰測控、長川科技屹唐股份、芯源微、中電科4510%74%行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 9 of 28 設備類型設備類型 市占率市占率 國國內內公司公司 當前進展當前進展 熱處理設備熱處理設備 20%屹唐股份 主要可用于 90納米到 5納米邏輯芯片、1y 到 2x納米系列 DRAM 芯片以及 32層到 128層 3D 閃存芯片制造中若干關鍵步驟大規模量產，市占率全球第二。北方華創 主要為真空熱處理領域產品，包括真空熱處理設備、氣氛保護熱處理設備、連

30、續式熱處理設備。真空熱處理設備市場拓展順利，應用范圍涵蓋真空電子、半導體材料、高端磁性材料等領域。立式氧化爐工藝達 28nm水平，成為 3D NAND 客戶的 POR機臺。光刻機光刻機 1.2%上海微電子 目前已可量產 90nm 分辨率的 ArF 光刻機，28nm 分辨率的光刻機也有望取得突破。涂膠顯影設備涂膠顯影設備 1.1%芯源微 在 28nm及以上工藝節點的多項關鍵技術方面取得突破 清洗設備清洗設備 31%盛美半導體 18腔 300mm UltraCVI 單晶圓清洗設備已成功投入量產，支持先進邏輯、DRAM 和 3D NAND 制造所需的大多數半導體清洗工藝，產能較12腔設備提升 50%

31、北方華創 前道 Spin Scrubber 清洗機設備目前已達到國際先進水平，成功實現進口替代。芯源微 前道物理清洗機可用于 8/12英寸單晶圓處理，在自動刷壓控制技術上已達到國際先進水平?？涛g設備刻蝕設備 22%中微公司 CCP 設備獲客戶批量訂單，市占率在主要客戶超過 30%，5nm產線生產穩定，5nm以下試生產進展良好，可應用于 64層及以上 NAND 量產，正在開發 200層以上極高深寬比設備。ICP 設備刻蝕線寬均勻性達到 1 0.25納米，獲國際先進 3D NAND 客戶批量訂單，推進5nm以下邏輯芯片、1Xnm DRAM 和 200層以上 3D NAND 存儲芯片的 ICP 設備

32、研發。北方華創 刻蝕機主要為 ICP，覆蓋 8 英寸、12 英寸 55-28nm 制程，已進入中芯國際 14nm產線驗證階段。屹唐股份 干法刻蝕設備可用于 65nm5nm 邏輯芯片。離子注入設備離子注入設備 1.4%凱世通 低能大束流離子注入機 2021年產線驗證順利，2022年上半年取得在手訂單超過 11 億元。高能離子注入機設備已順利通過驗證并完成驗收。新一代光伏離子注入機進入驗證階段，與某光伏公司簽訂試用訂單。中科信 12 英寸 45-22nm 低能大束流離子注入機研發及產業化項目的實施則進入一個全新的自主創新階段。去膠設備去膠設備 74%屹唐股份 干法去膠設備領域市占率全球第一，正研發

33、應用于 3nm及更先進邏輯芯片、先進 10nm系列 DRAM 芯片、176層到 256層 3D 閃存芯片制造的干法去膠設備和工藝。芯源微 已經推出了單片式濕法去膠產品，可用于 8/12英寸單晶圓處理，先進封裝工藝過程中的晶圓去膠制程和金屬剝離制程。中電科 45 研制的雙 8英寸全線自動化濕法整線設備進入國內主流 FAB廠，滿足 8英寸 90nm-130nm工藝節點，適用于 8-12英寸 BCD 芯片工藝中的濕化學制程，可實現全自動濕法去膠。薄膜沉積設備薄膜沉積設備 4.6%北方華創 PVD 優勢明顯，制程制造覆蓋 90nm-14nm，公司在國內產線導入的國產 PVD 設備中占比較高。PVD、A

34、LD、CVD 設備新產品市場導入節奏加快。拓荊科技 國內唯一產業化應用的集成電路 PECVD設備和 SACVD設備廠商，ALD設備國內領先。PECVD 設備應用于 28nm及以上邏輯芯片、3D 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 10 of 28 NAND FLASH、DRAM 存儲芯片制造等領域。SACVD 產品在 12英寸 40/28nm以及 8英寸 90nm以上邏輯芯片廣泛應用，取得現有及新客戶訂單。ALD 設備已完成產品開發并取得客戶訂單，PE-ALD 設備在邏輯芯片領域實現產業化應用。中微公司 LPCVD 的鎢填充 CVD 設備

35、已通過關鍵客戶的工藝驗證，能夠滿足先進邏輯器件接觸孔填充應用，及 64層、128層和 200層以上 3D NAND應用。高端邏輯器件和先進存儲芯片應用的 CVD 和 ALD 設備研發中。EPI 研發進入樣機調試階段。CMP 設備設備 18%華海清科 國內唯一 12英寸 CMP 設備制造商，28-14nm關鍵節點金屬 CMP 已實現產線量產，14nm邏輯芯片用 CMP 研發中，128層以上制成的 3D NAND 與 1X/1Y制成的 DRAM 所用 CMP 設備實現產線量產。北京爍科精微電子 研發制造的 8英寸 CMP 設備已搬入中芯國際產線。數據來源：SEMI，前瞻產業研究院，ASML 公司公

36、告，各公司公告，國泰君安證券研究 表表 3：國內廠商在半導體封裝設備領域加速突破國內廠商在半導體封裝設備領域加速突破 封裝設備封裝設備 國際主要廠商國際主要廠商 中國大陸廠商中國大陸廠商 當前進展當前進展 晶圓減薄機晶圓減薄機 DISCO、東京精密、岡本工機 中電科 全自動晶圓減薄機產業化機型實現了 8-12英寸全自動系列減薄設備國產化替代。蘭新高科 深圳方達 WG1211S 自動晶圓減薄機可兼容 4/5/6/8/12英寸晶圓，最薄可減薄到 100m以下，可對第三代半導體材料進行高速減薄和研磨,平面度可達 1m,厚度公差 1m 劃片機劃片機 DISCO、東京精密 中電科 6-12英寸系列產品，

37、全系列擁有手動、半自動及全自動型，適用于 IC、LED 晶圓、分立器件等晶圓制造行業。沈陽儀器 研制的全自動 12英寸劃片機加工尺寸從 8英寸提高到 12英寸，加工速度從 600mm/s 提高到 1000mm/s，定位精度從5m/210mm提高到 5m/310mm，技術指標全面達到國際先進水平 蘭新高科 匯盛電子 江蘇京創 成功率先實現 12 英寸全自動精密劃片機產業化的國產替代，系列產品已批量適用于各類半導體材料或泛半導體材料的復雜精密劃切 大族激光 離線式晶圓紫外激光切割系統，配備大族自主知識產權的355nm紫外激光器，該切割設備性能穩定，光斑好，適應長期穩定運行 固晶機固晶機 Besi、

38、KS、ASM Pacific 新益昌 在研項目 mini 背光大基板新式固晶機，實現固晶機使用三聯體結構，優化固晶工藝,使一臺機達到常規三臺機的效率 艾科瑞思 東莞普萊信 獨家采用刺晶模式的倒裝 COB固晶工藝以及 Pick&Place固晶工藝，最小支持 50m的芯片尺寸，最快每小時產能可以做到180K，精度達到 15微米 萬福達 WFD8970B單機產能實測高達 75K/H，RGB三臺串聯即WFD8916A 產能實測 200K/H，在業內處于領先水平 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 11 of 28 引線鍵合機引線鍵合機 KS、Sh

39、inkawa、ASM Pacific 中電科 成都宇芯 深圳翠濤 公司焊線機在性能指標上接近或已達到國際先進水平，可提供“固晶機+焊線機”成套半導體封裝核心設備。北京創世杰 F&S5830:楔焊工藝線徑 17.676m 適用金、鋁絲,楔焊工藝角度支持 45,60，超聲具備 60140KHz可選,最大 30w；F&S5832:楔焊工藝線徑 17.676m 金、鋁絲以及3012.525025m 金帶，楔焊工藝角度支持 90 深腔楔焊，超聲具備 60140KHz可選,最大 30w 開玖自動化 主流機型 K940全自動焊線機在光通訊領域（如 2.5G、10G、25G、40G光模塊元器件）和激光顯示領域

40、應用廣泛 凌波微步半導體科技 IC球焊機率先攻破技術壁壘，已經逐步開始量產，能夠滿足國內產能大概 20-30%倒裝焊機倒裝焊機 ASM Pacific、KS、Shinkawa 中電科 大連佳峰 塑封機塑封機 Towa、Besi、Yamada、ASM Pacific 富仕三佳 耐科科技 切筋成型設切筋成型設備備 Besi、ASM Pacific 三佳山田 耐科科技 富仕三佳 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 表表 4:國內廠商在測試設備領域加速突破國內廠商在測試設備領域加速突破 測試設備測試設備 國際主要廠國際主要廠商商 中國大陸中國大陸廠商廠商 當前進展當前進展 分選機分選機 科休、愛德萬

41、 長川科技 分選機持續推出新功能，新增三溫 ATC測試、ART、RTC、2DID 識別、5G測試等功能 探針臺探針臺 東京精密、東京電子、SEMICS 長川科技 國內首臺自主研發的 CP12探針臺，可兼容 8/12英寸晶圓，被廣泛應用于 SoC、邏輯、存儲等晶圓測試領域 深圳矽電 研發出的 PT-920 12英寸高精度全自動探針臺可滿足大規模集成電路對探針臺多 PIN 及多芯的測試要求 森美協爾 研發出的 A12（12/8英寸）量產型全自動晶圓探針臺，通過使探針卡與晶圓 Pad 點之間精準接觸，實現完成晶圓 WAT/CP 測試 測測試試機機 SoC 測試測試機機 愛德萬、泰瑞達、科休 華峰測控

42、 目前主要 100M 的 8300實現量產，預計第二代 400M 以上的 8300將在年內形成樣機 長川科技 數字測試機 D9000，集合 1024 個數字通道、200MHz數字測試速率實現快速放量 華興源創 新一代 T7600 系列 SoC 測試機最高速率可支持 400MHz,Pattern memory 512M、可達到 0.5mV的電壓精度、完整的混合信號板卡、64通道,每通道 1.5A,最高 96A 輸出 模擬模擬/混混合測試機合測試機 愛德萬、泰瑞達 華峰測控 傳統 8200市占率高，向 IPM、三代半過渡。長川科技 新品 8290d 獲得一致好評，處于快速增長階段 行業專題研究行業

43、專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 12 of 28 佛山聯動 QT-8200 系列產品是國內少數能滿足 Wafer level CSP(晶圓 級封裝)芯片量產測試要求的數?；旌闲盘枩y試系統之一 存儲器測存儲器測試機試機 泰瑞達、愛德萬、東京電子、SEMICS 悅芯科技 正在開發驗證的存儲器測試設備 TM8000填補國產高端集成電路自動化測試設備領域的空白 武漢精鴻 在 BI 測試、CP/FT 測試已經基本實現小批量產，短期內可實現規模量產 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究 考慮到市場占比，我們以刻蝕、薄膜沉積、清洗為例，進行詳細分析國考慮到市場占比

44、，我們以刻蝕、薄膜沉積、清洗為例，進行詳細分析國產化進度：產化進度：（1）刻蝕：中微、北方領先，進入）刻蝕：中微、北方領先，進入 5nm 先進制程先進制程 全球刻蝕設備領域中，全球刻蝕設備領域中，Lam、TEL 和和 AMAT分別占分別占 47%、27%和和 17%，三者幾乎壟斷市場三者幾乎壟斷市場。根據 Gartner 數據顯示，2020 年全球刻蝕設備市場規模約為 137 億美元，其中，介質刻蝕設備市場規模約 60 億美元，導體刻蝕設備市場規模約 76 億美元?？涛g設備市場集中度高，Lam、TEL、AMA T 合計占 91%的市場份額，國內廠商中微公司和北方華創實現較大突破，總計占 2%的

45、市場份額。圖圖 9：2023 年全球年全球刻蝕設備市場規?？涛g設備市場規模將達到將達到 174億美元億美元 圖圖 10：全球干法設備市場：全球干法設備市場由由 Lam、TEL 和和 AMAT壟壟斷斷 數據來源：Gartner，Wind，國泰君安證券研究 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 國內廠商技術持續突破，多款產品進入驗證階段。國內廠商技術持續突破，多款產品進入驗證階段。國內主要刻蝕機廠商有中微公司、北方華創以及屹唐股份。中微公司刻蝕設備包含 CCP 與ICP，公司正在開發新型 CCP 刻蝕設備，涵蓋 5nm 以下邏輯芯片及 200層以上 3D NAND 存儲芯片刻蝕需求的更多不同

46、刻蝕應用。正在開發的ICP 設備，涵蓋 7nm 及以下的邏輯芯片、17nm 及以下的 DRAM 芯片和3D NAND 存儲芯片的刻蝕應用，同時優化開發雙臺 ICP 刻蝕設備。其中，介質刻蝕已經進入臺積電 5nm 產線。北方華創刻蝕機主要為 ICP，覆蓋 8 英寸、12 英寸 55-28nm 制程，已進入中芯國際 14nm 產線驗證階段；屹唐股份干法刻蝕設備可用于 65nm5nm 邏輯芯片。表表 5：國內廠商刻蝕設備：國內廠商刻蝕設備技術持續突破技術持續突破 公司公司 刻蝕產品刻蝕產品 進展進展 44607884796676941009502040608010012014016018020020

47、19202020212022E2023E介質刻蝕設備（億美元）導體刻蝕設備（億美元）47%27%17%3%3%1%1%1%1%LamTELAMATHI TACHISEMES中微公司KLA北方華創其他 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 13 of 28 中微公司中微公司 CCP 刻 蝕機、ICP 刻 蝕 機、TSV/MEMS 刻蝕機 CCP：涵蓋 5nm以下邏輯芯片及 200層以上 3D NAND 存儲芯片刻蝕需求的更多不同刻蝕應用。ICP：涵蓋 7nm及以下邏輯芯片、17nm及以下的 DRAM 芯片和 3D NAND 存儲芯片的刻蝕應用

48、，同時優化開發雙臺 ICP 刻蝕設備。介質刻蝕已經進入臺積電 5nm產線。北方華創北方華創 ICP 刻 蝕 機、CCP 介質刻蝕 ICP：覆蓋 8 英寸、12 英寸 55-28nm 制程，已進入中芯國際 14nm產線驗證階段 CCP：目前已在 5 家客戶完成驗證并實現量產。數據來源：各公司官網，國泰君安證券研究 （2）薄膜沉積：產線驗證順利，進入規模放量）薄膜沉積：產線驗證順利，進入規模放量 離子注入市場呈增長態勢，離子注入市場呈增長態勢，AMAT（應用材料）（應用材料）壟斷全球離子注入市場。壟斷全球離子注入市場。根據 SEMI 數據，2021 年全球半導體設備銷售額為 1026 億美元，中國

49、大陸半導體設備銷售額為 296 億美元，以離子注入機在半導體設備中占比 2.1%計算，2021 年全球離子注入機市場規模約為 22 億美元。目前市場上離子注入機主要由美國和日本的廠商壟斷，主要廠商有國外的AMA T、Axcelis、Nissin。其中 AMA T 占據 70%的市場份額，Axcelis 占據約 20%的市場份額。圖圖 11：AMAT（應用材料（應用材料）壟斷全球離子注入機壟斷全球離子注入機市場市場 圖圖 12：2021 年年全球離子注入設備市場規模全球離子注入設備市場規模超超 22 億美億美元元 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 數據來源：SEMI，國泰君安證券研究

50、離子注入機領域，凱世通、中科信引領國產替代。離子注入機領域，凱世通、中科信引領國產替代。2021 年，凱世通自主研發的首臺低能大束流離子注入機率先在國內 12 英寸主流集成電路芯片制造廠完成設備驗證工作。高能離子注入機順利在某 12 英寸集成電路芯片制造廠完成交付，低能大束流重金屬離子注入機、低能大束流超低溫離子注入機都順利通過廠商驗證；中科信產品包括中束流、大束流、高能、特種應用及第三代半導體等離子注入機，12 英寸 45-22nm低能大束流離子注入機研發及產業化項目的實施則進入一個全新的自主創新階段。表表 6：凱世通凱世通、中科信引領離子注入機國產替代中科信引領離子注入機國產替代 公司公司

51、 產品產品 進展進展 凱世通凱世通 低能大束流重金屬離子注入機、低能大束流超低溫離子、高能離子注入機等。低能大束流離子注入機 2021 年產線驗證順利，2022 年初至4 月 8 日，已批量出售多臺 12 英寸離子注入機。2022年上半年取得在手訂單超過 11 億元，并逐步向客戶批70%20%10%應用材料Axcelis其他0510152025302016201720182019202020212022E市場規模（億美元）行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 14 of 28 量交付低能離子注入機。中科信中科信 中束流、大束流、高能、特種應

52、用及第三代半導體等離子注入機。12 英寸 45-22nm 低能大束流離子注入機研發及產業化項目的實施進入一個全新的自主創新階段。數據來源：各公司官網，國泰君安證券研究 （3）清洗：國產化率約）清洗：國產化率約 31%，發展速度最快，發展速度最快 清洗設備市場規模穩步增長，龍頭廠商壟斷格局明顯。清洗設備市場規模穩步增長，龍頭廠商壟斷格局明顯。半導體清洗設備約為半導體設備總規模的5%，2021 年起半導體清洗設備市場增長迅速，市場規模達到 42 億美元，預計 2022 年將達到 47 億美元。全球半導體清洗設備市場高度集中，Screen、TEL、LAM 與 SEMES 四家公司合計市場占有率達到

53、90%以上。其中，Screen 占據了全球半導體清洗設備45.1%的市場份額。值得一提的是，盛美上海在全球清洗設備中占 2.3%的市場份額，在全球單片清洗設備中市場份額達到 4%。圖圖 13：全球清洗設備市場規模：全球清洗設備市場規模穩步增長穩步增長 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 圖圖 14：全球半導體清洗設備市場高度集中全球半導體清洗設備市場高度集中 圖圖 15：全球單片清洗設備：全球單片清洗設備被被 Screen、TEL、LAM和和 SEMES 等壟斷等壟斷 數據來源：Gartner，國泰君安證券研究 數據來源：產業信息網，華經產業研究，國泰君安證券研究 國產替代率較高，部分

54、技術接近國際先進水平。國產替代率較高，部分技術接近國際先進水平。我國半導體清洗領域的重要廠商包括盛美上海、北方華創、芯源微等，清洗設備國產化率約為31%，突破速度最快，國產化率超過了其他大部分設備。盛美上海單片051015202530354020182019202020212022E2023E2024E市場規模（億美元）45.10%25.30%14.80%12.50%2.30%ScreenTELSEMESLam盛美46%20%14%13%4%3%ScreenTELSEMESLAM盛美其他 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 15 of 2

55、8 清洗設備最高可單臺配置 18 腔體，達到國際先進水平，目前正在擬研發的產品包括干法設備拓展領域產品和超臨界 CO2清洗干燥設備；芯源微的前道 Spin Scrubber 清洗機設備目前已達到國際先進水平，成功實現進口替代。表表 7：中國半導體清洗設備廠商：中國半導體清洗設備廠商部分技術接近國際先進水平部分技術接近國際先進水平 企業名企業名稱稱 主要清洗設備產品主要清洗設備產品 已 具備技已 具備技術（術（nm）在 研 技在 研 技術（術（nm）公司進展公司進展 盛美上盛美上海海 單片 SAPS 兆聲波清洗設備、單片 TEBO 兆聲波清洗設備、單片前道刷洗設備、單片槽式組合清洗設備等 14-

56、130 5/7 18 腔 300mm UltraCVI 單晶圓清洗設備已成功投入量產，支持先進邏輯、DRAM 和 3D NAND 制造所需的大多數半導體清洗工藝，產能較 12 腔設備提升 50%北方華北方華創創 單片及槽式清洗機 28-130 14 前道 Spin Scrubber 清洗機設備目前已達到國際先進水平，成功實現進口替代。芯源微芯源微 單片清洗機、全自動SCRUBBER 清洗機、KS-M300 半自動機臺 28-130 14 12 寸單片濕法清洗設備和槽式濕法設備工藝領先。單片濕法設備多工藝已通過驗證并交付。將持續開發多反應腔-18 腔、超臨界清洗等高階工藝設備。數據來源：各公司官

57、網、前瞻產業研究院、國泰君安證券研究 3.大芯片：高算力需求爆發，國產替代進展加速大芯片：高算力需求爆發，國產替代進展加速 3.1.GPU：高性能計算和人工智能的核心高性能計算和人工智能的核心 GPU（Graphic Processing Unit）即圖形處理器，是一種專門進行圖形）即圖形處理器，是一種專門進行圖形和圖像相關運算工作的微處理器，現已成為高性能計算及人工智能領域和圖像相關運算工作的微處理器，現已成為高性能計算及人工智能領域的核心部件。的核心部件。1999 年，NVIDIA 公司推出 GeForce256 產品，首次提出了 GPU 的概念。2006 年，NVIDIA 公司推出第一款

58、采用統一渲染架構的桌面 GPU（G80 系列）和 CUDA 開發環境，開啟了 GPU 計算的新時代，此后 GPU 的性能提升速度遠遠超過 CPU。2011 年專用于加速計算的 TESLA GPU 發布，標志著英偉達的 GPU 正式應用于通用計算領域?，F代的 GPU 不僅具備高性能圖形處理能力，更是高性能計算和人工智能領域的算力核心，廣泛應用于云計算、數據處理、深度學習、智慧醫療、自動駕駛、金融等計算密集型領域。表表 8:GPU 發展歷程發展歷程 時間時間 80 年代年代 80 年代末年代末 90 年代初年代初 90 年代后期年代后期 20042010 2011至今至今 類型類型 圖形顯示 2D

59、 加速 部分 3D 加速 固定管線 統一渲染 通用計算 相關標準相關標準 CGA,VGA GDI,DirectFB OpenGL(1.14.1),DirectX(6.011)CUDA,OpenCL1.22.0 代表產品代表產品 IBM 5150 86C911 Glint300SX GeForce256 G80 TESLA 基本特征基本特征 光柵生成器 2D 圖元加速 硬件 T&L Shader功能固定 多功能 shader 科學計算 數據來源：GPU 的發展歷程、未來趨勢及研制實踐 圖圖 16：GPU 應用領域廣泛應用領域廣泛 圖圖 17：GPU 提速幅度遠超提速幅度遠超 CPU 行業專題研究

60、行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 16 of 28 數據來源：CSDN 數據來源：博客園 GPU 可并行處理大量數據，計算能力出色?？刹⑿刑幚泶罅繑祿?，計算能力出色。CPU 與 GPU 有著完全不同的邏輯架構，CPU 具備完善的控制器、Cache 以及存儲單元，適用于功能復雜的通用計算；GPU 則很大程度上省略了控制器和 Cache，并包含了大量的 ALU（邏輯運算單元），能夠實現同時處理多任務的并行計算，在大量的、繁雜的重復計算領域具備優勢。舉例而言，主流 CPU 的浮點運算能力一般在幾十 GFLOPS，而 Tesla K40 雙精度浮點運算能力

61、可達1.43TFLOPS。在深度學習訓練上，采用 GPU 加速算法，在某些情況下可實現超過人類水平的識別和檢測能力。圖圖 18：CPU 與與 GPU 架構對比示意圖，區別較大架構對比示意圖，區別較大 圖圖 19：CPU 的串行運算與的串行運算與 GPU 的并行運算示意圖的并行運算示意圖 數據來源：半導體產業縱橫 數據來源：GPU 云服務器在人工智能領域的應用 GPU 的發展趨勢主要有兩個方向：一是延續傳統意義的 GPU，隨著視覺和虛擬現實的發展，對圖像顯形計算提出更高要求，以達到更逼真的視覺效果。二是高性能計算（GPGPU），包括通用計算和人工智能計算。GPGPU 作為運算協處理器，能夠提升浮

62、點運算的進度和性能，滿足不同計算場景的需要。GPGPU（General-purpose computing on Graphics Processing Units）是）是一種利用一種利用 GPU來完成原本由來完成原本由 CPU負責計算的密集計算任務的協處理器。負責計算的密集計算任務的協處理器。GPGPU 作為 GPU 的重要分支，具有優異并行計算能力的同時，且通常集成高速的 GDDR 或 HBM 內存系統，能夠提供每秒 TB級別的訪存帶寬，在對大規模數據流并行處理的應用場景上具備明顯優勢。隨著GPGPU 的技術發展和生態完善，其被廣泛應用于商業計算和大數據處 行業專題研究行業專題研究 請務必

63、閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 17 of 28 理、人工智能領域。GPGPU 是人工智能領域最主要的協處理器解決方案，占據了主要的市場份額，在智能工廠、無人駕駛、智慧城市等領域有廣泛的市場空間。表表 9:GPGPU 主要應用領域主要應用領域 類型類型 應用領域應用領域 運算類型運算類型 技術特點技術特點 商業技術和大數據商業技術和大數據處理處理 1、CAE 仿真 2、物理化學 3、石油勘探 4、生命科學 5、氣象環境 1、雙精度浮點 2、單精度浮點 3、32 位整型 1、對芯片計算能力及運算精度要求高 2、科學運算指令集豐富 3、片上集成緩存容量大 4、內存帶寬需

64、求高 5、I/O 帶寬高 6、支持多片一致性互連 7、可靠性高，RAS 功能豐富 人工智能人工智能 1、模型訓練 2、應用推理 1、混合精度浮點 2、半精度浮點 3、16 位整型 4、8 位整型 1、對計算性能要求高，精度需求相對低 2、能效比要求高 3、運算指令集豐富 4、內存帶寬要求大 5、I/O 帶寬高 6、支持多片互連 7、可靠性高、RAS 功能豐富 8、開放的生態環境 數據來源：海光信息招股說明書，國泰君安證券研究 進入大算力時代，全球及中國進入大算力時代，全球及中國 GPU 市場規?？焖僭鲩L。市場規?？焖僭鲩L。GPU 擁有比較強的浮點計算能力，在大量的圖像計算、科學計算、人工智能計

65、算中有廣泛應用。因此，隨著大數據產業的興起，GPU 市場規?？焖僭鲩L。據VMR 數據，2021 年全球 GPU 市場規模達到 334.7 億美元，預計到 2027年將達到 1853.1 億美元，2021-2027 年 CAGR 為 33.0%。就中國市場而言，2020 年中國大陸 GPU 市場規模為 47.39 億美元，約占全球市場的18.7%，預計未來將保持 32.8%的年均復合增速，至 2027 年達到 345.6億美元的市場規模。圖圖 20：全球：全球 GPU 市場規?？焖僭鲩L（億美元）市場規?？焖僭鲩L（億美元）圖圖 21：中國：中國 GPU 市場規?？焖僭鲩L（億美元）市場規?？焖僭鲩L（

66、億美元）數據來源：VMR，華經產業研究院，國泰君安證券研究 數據來源：華經產業研究院，國泰君安證券研究 英特爾在英特爾在 PC CPU 市場上保持領先。市場上保持領先。GPU 分為獨立 GPU 和集成 GPU，行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 18 of 28 其中集成 GPU 內置于計算機主板或 CPU 本身，常見于筆記本電腦。Intel憑借在 CPU市場的主導地位，其核心顯卡在 PC GPU市場上占據了 60%以上的市場份額，AMD 和英偉達基本平分了剩余的 40%市場。在獨立在獨立 GPU 市場，英偉達和市場，英偉達和 AMD 雙

67、寡頭壟斷，且英偉達處于絕對龍雙寡頭壟斷，且英偉達處于絕對龍頭地位。頭地位。據 JPR 數據，截止 22 年 Q2，英偉達占據全球獨立 GPU 市場的 79%，AMD 占有 20%的份額。2022 年，英特爾推出 Xe 架構獨立顯卡，市場份額預計在1%左右。獨立GPU的性能要求一般高于集成GPU，也擁有 AI 計算等更多應用場景。圖圖 22：PC GPU 市場份額中，英特爾占比高市場份額中，英特爾占比高 圖圖 23：獨立：獨立 GPU 市場份額，英偉達占比高市場份額，英偉達占比高 數據來源：Statista，國泰君安證券研究 數據來源：JPR，國泰君安證券研究 英偉達早年推出了英偉達早年推出了

68、CUDA 生態，形成了生態，形成了 GPU 開發生態的護城河。開發生態的護城河。CUDA（Compute Unified Device Architecture）是由英偉達公司于 2007 年推出的通用并行計算架構，它包含 CUDA 指令集架構以及 GPU 內部的并行計算引擎，支持 C/C+/Python 等編程語言。采用統一的 CUDA 開發架構，能夠使 GPU 開發具備廣泛的可移植性，便于開發復雜的計算產品。以開發 AI 芯片為例，它包含數據處理、特征工程、機器學習、模型評估等多個環節，每一個環節都需要大量的數據運算，而 CUDA-X AI 平臺則能夠提供足夠的開發工具，降低開發難度。隨著

69、 CUDA 生態體系的完善，它將吸引更多的 GPU 開發者，形成更加牢固的生態壁壘，如同電腦領域的 Windows 系統、手機領域的安卓系統。圖圖 24：CUDA 生態示意圖生態示意圖 圖圖 25：CUDA-X AI 生態庫覆蓋多個應用領域生態庫覆蓋多個應用領域 數據來源：CSDN 數據來源：Nvidia 官網 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 19 of 28 3.2.CPU：計：計算機運算控制的核心算機運算控制的核心 CPU（Central Processing Unit）是計算機的運算控制核心，是取址、譯）是計算機的運算控制核心，

70、是取址、譯碼、執行的對象。碼、執行的對象。CPU 的本質是超大規模集成電路，主要用于對計算機指令進行譯碼、對軟件中的數據進行運算處理，同時作為計算機的大腦控制、調配計算機的所有軟硬件資源。圖圖 26：CPU 程序執行流程程序執行流程 圖圖 27：CPU 指令執行流程指令執行流程 數據來源：CSDN 數據來源：icode 從從 CPU 工作原理看，通?？梢詣澐譃楣ぷ髟砜?，通?？梢詣澐譃?5 個階段：取指令、指令譯碼、個階段：取指令、指令譯碼、執行指令、訪存取數、結果寫回。執行指令、訪存取數、結果寫回。一般程序是 CPU 從存儲器或高速緩沖存儲器中一條一條取出指令，放入指令寄存器，并對指令進行譯

71、碼，最后執行指令，直到程序執行完畢為止。CPU 的構成包括控制單元、運算單元和存儲單元三部分，由內部總線進的構成包括控制單元、運算單元和存儲單元三部分，由內部總線進行連接。行連接?？刂茊卧刂茊卧–ontrol Unit）：是）：是 CPU 的指揮控制中心，對協調計算機的的指揮控制中心，對協調計算機的有序工作發揮關鍵作用。有序工作發揮關鍵作用?？刂茊卧鶕脩羰孪染幒玫某绦?，依次從存儲單元中獲取可執行的代碼，放在指令寄存器（Instruction Register，IR）中通過指令譯碼將其轉換為可執行的指令。然后通過操作控制器（Operation Controller，OC），按照確定的時

72、序，向相應的部件發出控制信號。圖圖 28：CPU 包含控制、存儲、運算三個單元包含控制、存儲、運算三個單元 圖圖 29：CPU 內部細分結構復雜內部細分結構復雜 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 20 of 28 數據來源：CSDN 數據來源：Elecfans 運算單元（運算單元（Arithmetic&logical Unit）：是）：是 CPU 的執行部件，主要根據的執行部件，主要根據控制單元發出的信號做出相應的運算?？刂茊卧l出的信號做出相應的運算。運算單元基于獲取的指令可以對存儲單元中的數據進行算數運算（包括加減乘除等基本運算及附

73、加運算）或者邏輯運算（包括移位、邏輯測試或兩個值比較等）。存儲單元：暫時存放待處理或已處理的數據，主要指寄存器組和存儲單元：暫時存放待處理或已處理的數據，主要指寄存器組和 CPU片內緩存。片內緩存。寄存器是 CPU 的內部組成單元，是有限存貯容量的高速存貯部件，速度很快，可以用來暫存指令、數據和地址，是 CPU 運算時提取指令和數據的地方。在控制單元中的寄存器包括指令寄存器（IR）和程序計數器（PC），在運算單元中包含的寄存器有累加器（ACC）等。采用寄存器可以減少 CPU 訪問內存的次數，從而提高 CPU 工作的效率。但是，由于芯片面積有限，寄存器的容量不會很大，因此需要 Cache（高速緩

74、沖存儲器）和內存來擴大容量。圖圖 30：計算機存儲體系金字塔：計算機存儲體系金字塔 圖圖 31：Memory 存儲器類別劃分為易失性和非易失性存儲器類別劃分為易失性和非易失性 數據來源：Elecfans 數據來源：宏旺半導體 內存包括隨機存儲器等，是用于暫時存放內存包括隨機存儲器等，是用于暫時存放 CPU 運算數據的單元。運算數據的單元。主內存是 CPU 外接的存儲器，容量可以根據使用需求進行選擇。然而由于內存除了要和 CPU 通信，還需要與其他硬件通信，反饋 CPU 的請求存在不及時的問題；此外，內存和 CPU 的通信還會受到“總線帶寬”的限制，因此CPU訪問內存提取數據的時間相對較長，會影

75、響CPU的工作效率。為了解決由于為了解決由于 CPU 運行速度遠大于主內存，直接從主內存中提取數據運行速度遠大于主內存，直接從主內存中提取數據需要時間等待的問題，需要時間等待的問題，Cache 應運而生。應運而生。Cache（高速緩沖存儲器）保存 CPU 剛用過或需要循環使用的部分數據，當 CPU 需要再次使用該數據時，就可以直接從 Cache 中調用，無需再從內存中提取，因此能夠減少 CPU 等待時間、提高系統效率。Cache 從結構上可以分為 L1、L2 和L3 等，傳輸效率逐次遞減。L1 Cache 集成在 CPU 內部，即前述 CPU 片內緩存，L2 Cache 隨著集成度變高，也更多

76、集成在 CPU 內部。CPU 行業設計技術門檻高、研發周期長，無論是軟件還是硬件都存在較行業設計技術門檻高、研發周期長，無論是軟件還是硬件都存在較高的壁壘。高的壁壘。根據芯片指令架構和操作系統的不同，當前 CPU 行業存在兩大生態體系，分別為由 Intel x86 架構聯合 Window 操作系統的 Wintel 體 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 21 of 28 系，以及 ARM 指令架構和 Android 操作系統形成的 AA 體系。根據海光信息的招股說明書，Wintel 技術聯盟的基本特點是基于 x86 架構優化各類軟件應用，

77、使得 x86 架構具有顯著的產業生態優勢。根據龍芯中科招股說明書，Intel 于上世紀 80 年代自研 X86 指令系統架構，憑借先發優勢迅速擴大市場份額并構建生態優勢，并通過與 Windows 聯盟形成“Wintel”聯盟逐步占領桌面 CPU 市場。ARM 則在蘋果、高通、三星、華為、英偉達等方面的努力下，憑借其指令系統開源、異構運算、可定制化等一系列優勢，立足于低功耗的移動市場。圖圖 32：Wintel 體系生態構成體系生態構成 圖圖 33：AA 體系生態構成體系生態構成 數據來源：傳感器專家網 數據來源：傳感器專家網 圖圖 34：Wintel 生態自上世紀生態自上世紀 80 年代崛起，實

78、現年代崛起，實現 CPU 行業的壟斷行業的壟斷 數據來源：Asymco 2021 年全球年全球 CPU 市場規模有望突破千億美元，行業正在加速成長。市場規模有望突破千億美元，行業正在加速成長。IC Insights 數據顯示，2021 年全球 MPU 出貨量將達到 24.9 億臺，市場規模將首超 1000 億美元，較 2020 年同比增長約 14%。其中，量的規模擴大貢獻了約 8.3%的成長，剩余為 CPU 由于規格、性能提升帶來的價格增加。隨著下游數據中心、服務器等需求日益攀升，CPU 市場將有望迎來量價齊升。圖圖 35：全球全球 MPU 市場規模超過千億美金市場規模超過千億美金 圖圖 36

79、：MPU 出貨量及價格趨勢向上出貨量及價格趨勢向上 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 22 of 28 數據來源：IC Insights，國泰君安證券研究 數據來源：IC Insights，國泰君安證券研究 CPU 行業高度壟斷，行業高度壟斷，Intel 和和 AMD 幾乎占據了全部市場。幾乎占據了全部市場。目前全球 CPU行業基本由 Intel 和 AMD 壟斷，整體來看，Intel 具備先發優勢、是全球X86 CPU 架構的龍頭企業，AMD 緊隨其后。據 Mercury Research 最新數據顯示，AMD 在移動筆記本、臺式機、

80、服務器以及整個 x86 CPU 的市場占有率都在逐季爬升。從整個 x86 市場看，AMD 的市場份額已經達到 31.4%，環比增加 3.7pcts，而 Intel 首次跌破 7 成的市占率，領先AMD 的優勢在逐漸減小。圖圖 37：Intel 和和 AMD 占據幾乎全部的占據幾乎全部的 CPU 市場市場 圖圖 38：AMD 市場占有率逐漸提高市場占有率逐漸提高 數據來源：EE Times China 數據來源：Mercury Research，EE Times China 就技術而言，就技術而言，Intel 和和 AMD 還在不斷實現微架構的迭代更新，持續保持還在不斷實現微架構的迭代更新，持續

81、保持其市場領先的地位，與行業后進入者不斷拉開差距。其市場領先的地位，與行業后進入者不斷拉開差距。早期 AMD 屬于工藝技術追趕者，整體工藝落后 Intel 2-3 年左右。隨著研發投入持續提高，AMD 的 CPU 工藝技術一度反超，不管是芯片制程還是單核性能均實現超越，但在整體多核穩定性上仍有差距。圖圖 39：Intel 和和 AMD 的的 CPU 晶圓工藝迭代晶圓工藝迭代 80178290710371278-5%0%5%10%15%20%25%02004006008001000120014002018201920202021E2022E全球MPU市場規模（億美元）YoY（RHS）22.821

82、.52324.928.9303234363840424446051015202530352018201920202021E2022E全球MPU出貨量（億臺）平均銷售價格（美元/臺，RHS）行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 23 of 28 數據來源：華經產業研究院，國泰君安證券研究 3.3.大芯片國產化浪潮加速，國內廠商有望持續推進技術更迭大芯片國產化浪潮加速，國內廠商有望持續推進技術更迭 （1）GPU 國產國產 GPU 企業、產品不斷涌現。企業、產品不斷涌現。在上市公司中，景嘉微是是國內率先成功研制國產 GPU 芯片并實現大規模工程應

83、用的企業之一，先后成功研制 JM5 系列、JM7 系列、JM9 系列等高性能 GPU 芯片，并向民用市場拓展。海光信息的 DCU 系列產品以 GPGPU 架構為基礎，兼容 ROCm和 CUDA 計算生態，可廣泛應用于大數據處理、人工智能等領域。其他國產廠商還包括芯動科技、壁仞科技、芯瞳半導體、摩爾線程、沐曦集成電路、天數智芯等，成為國產 GPU 的新生力量。表表 10:主要國產主要國產 GPU 公司公司 企業名稱企業名稱 成立時間成立時間 融資情況融資情況 公司介紹公司介紹 主要主要 GPU產品產品 產品介紹產品介紹 景嘉微景嘉微 2006 年 已上市 國內首家成功研制國產GPU芯片并實現大規

84、模工程應用的企業 JM5 系列 JM7 系列 JM9 系列 JM9 系列第二款 GPU 研發成功，可滿足地理信息系統、媒體處理、游戲、虛擬化等高性能顯示需求和人工智能計算需求。芯動科技芯動科技 2007 年 無相關信息 中國一站式IP和芯片定制服務及 GPU 領軍企業，連續十年中國市場份額遙遙領先 風華 1 號 風華 2 號 風華一號是首款國產高性能 4K 級顯卡 GPU 芯片，在渲染能力、圖形 API 支持、低延時等方面創下多個國內第一。海光信息海光信息 2014 年 已上市 專注于高端處理器，主要包括 CPU 和 DCU（協處理器）兩類產品，DCU屬于GPGPU的一種 深算一號 全面兼容

85、ROCm GPU 計算生態，可廣泛應用于大數據處理、人工智能、商業計算等計算密集類應用領域 天數智芯天數智芯 2015 年 2022年7月完成超 10 億元C+及 C+輪融資 中國第一家通用 GPU 云端芯片及超級算力系統提供商 天垓 100 國內第一款 7nm 云端訓練通用GPU 產品，能夠支持國內外主流AI 生態和各種深度學習框架。壁仞科技壁仞科技 2019 年 2021年3月完成 B 輪融資，累計融資額致力于開發原創性的通用計算體系，建立高效的軟硬件平臺，同時在智能計算領域BR100 采用 7nm 工藝，使用 Chiplet 技術，單芯片峰值算力達到PFLOPS級別 行業專題研究行業專題

86、研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 24 of 28 約 47 億元 提供一體化的解決方案 芯瞳半導芯瞳半導體體 2019 年 2022年3月完成數千萬元的 Pre-A 輪融資 專注于自主研發 GPU 芯片，創始團隊專注于 GPU 芯片設計領域 12 年以上 GenBu01 國內第一款統一渲染架構芯片，創下“一次流片、一版封裝、一次調通”等優異記錄。沐曦集成沐曦集成電路電路 2020 年 2022年7月完成 10 億元pre-B 輪融資 致力于研發具有自主知識產權的國產高性能 GPU 芯片及其應用生態 MXN MXC MXG 均采用完全自主研發的高性能GPU

87、 IP，擁有完全自主的指令集和架構，配以兼容主流 GPU 生態的完整軟件棧 摩爾線程摩爾線程 2020 年 2021 年 11 月完成 20 億元A 輪融資 專注于研發設計全功能GPU芯片及相關產品，支持 3D高速圖形渲染、AI 訓練推理加速、超高清視頻編解碼和高性能科學計算等多種組合工作負載“蘇堤”GPU芯片 MTT S60 MTT S2000 MTT S60“蘇堤”芯片基于統一 MUSA 架構研發，是第一款支持 AV1 編解碼的 GPU，支持視頻云、直播、8K 游戲等智能多媒體運用。數據來源：各公司官網，集微網，國泰君安證券研究 在圖形在圖形顯示顯示 GPU 領域，領域，部分廠商產品比肩英

88、偉達部分廠商產品比肩英偉達 GTX 1050（2016 年年推出）水平。推出）水平。芯動科技最新發布的桌面級 GPU“風華 2 號”，集超低功耗、強渲染、4K 高清三屏顯示、4K 視頻解碼及智能 AI 計算于一體，像素填充率 48G Pixel/s，FP32 浮點算力為 1.5TFLOPS，且工作功耗最低僅 4W，能效比優于競品。而摩爾線程推出的 MTT S60，像素填充率高達 192G Pixel/s，FP32 最高達 6TFLOPS，并且是全球率先支持 AV1 格式編碼加速的顯卡。表表 11:國產圖形處理國產圖形處理 GPU 與英偉達與英偉達 GTX1050 性能對照表性能對照表 GPU產

89、品產品 JH920 風華風華 2 號號 Arise-GT-10C0 MTT S60 Geforce GTX 1050 公司名稱公司名稱 景嘉微 芯動科技 格蘭菲 摩爾線程 NVIDIA 像素填充率像素填充率 32G Pixel/s 48G Pixel/s 48G Pixel/s 192G Pixel/s 36.43G Pixel/s FP32 1.5TFLOPS 1.5TFLOPS 1.5TFLOPS 最高 6TFLOPS 1.73TFLOPS 工藝工藝 14nm 未知 28nm 12nm 14nm 功耗功耗 30W 4-15W（實測）45W 低功耗 75W 數據來源：鐵君公眾號，國泰君安證券

90、研究 在通用計算與人工智能在通用計算與人工智能 GPU 領域，國產廠商快速前行。領域，國產廠商快速前行。天數智芯作為國內首家云端 GPGPU 公司，于 2021 年推出了國內首款 7nm 全自研云端訓練 GPGPU“天垓 100”，并于 2022 年發布了 7nm 云端推理 GPGPU“智鎧 100”，能夠為云端 AI 訓練和 HPC 通用計算提供業界領先的高算力和高能效比。其他針對數據中心和 AI 產業的國產 GPU 還包括 BR100（壁仞科技）、MTT S2000（摩爾線程）、MXC 系列（沐曦集成電路）等，國產 GPU 芯片算力近年來得到了快速提升。圖圖 40：BR100 與國際廠商最

91、新旗艦峰值算力對比與國際廠商最新旗艦峰值算力對比 圖圖 41：中國：中國 AI 芯片市場規模及預測（億元）芯片市場規模及預測（億元）行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 25 of 28 數據來源：芯東西，國泰君安證券研究 數據來源：前瞻產業研究院，海光信息招股說明書 （2）CPU 目前，國產目前，國產 CPU 的企業主要為龍芯中科、海思、飛騰信息、海光信息、的企業主要為龍芯中科、海思、飛騰信息、海光信息、上海兆芯等。上海兆芯等。國產國產 CPU 已獲得越來越多的認可。已獲得越來越多的認可。以龍芯中科為例，公司歷經 20 多年的努力打造出多

92、款 CPU，推出自主指令系統 LoongArch 以及基于該自主指令集的產品與解決方案。此外，飛騰信息在高端嵌入式 CPU、高性能服務器 CPU 與高效能桌面 CPU 這三大產品系列，持續填補我國多項空白。2020 年，飛騰 CPU 交付量已經大幅提升至 150 萬片，2021 年有望突破 200 萬片。出貨量的增加一方面反映出國產化趨勢的加速，另一方面，也說明國產化 CPU 正越來越被更多的終端需求所接受。表表 12：國內外主要國內外主要 CPU 的性能參數對比的性能參數對比 Intel AMD 海光海光 兆芯兆芯 海思海思 飛騰飛騰 龍芯龍芯 申威申威 品牌品牌 Xeon 6354 EPY

93、C 7542 海光 7285 開勝 KH-30000 鯤鵬 920-7260 S2500 企業級 3C5000L 申威 1621 指令集指令集 x86 x86 x86 x86 ARM ARM LoongArch SW_64 核心數核心數 18 32 32 8 64 64 16 16 超線程超線程 36 64 64 不支持 不支持 不支持 不支持 不支持 主頻主頻 3.0GHz 2.9GHz 2.0GHz 3.0GHz 2.6GHz 2.2GHz 2.2GHz 2.0GHz 內存類型內存類型 DDR4 DDR4 DDR4 DDR4 DDR4 DDR4 DDR4 DDR3 內存通道數內存通道數 8

94、 8 8 2 8 8 4 8 最高內存頻率最高內存頻率 3200MHz 3200MHz 2666MHz 2666MHz 2933MHz 3200MHz 3200MHz 2133MHz PCIe 通道數通道數 64 128 128 16 40 17 32 16 產品定位產品定位 服務器CPU 服務器CPU 服務器CPU 服務器CPU 服務器CPU 服務器CPU 服務器CPU 服務器CPU 數據來源：海光信息招股說明書，國泰君安證券研究 國產國產 CPU 距離國際大廠仍有一定差距，主要體現有二：距離國際大廠仍有一定差距，主要體現有二：一方面，從一方面，從 CPU 的參數上對比，國產的參數上對比，國

95、產 CPU 部分性能已經可以齊平海外部分性能已經可以齊平海外大廠，但仍有提升空間。大廠，但仍有提升空間。根據各家公司公開披露的產品參數，可以看到，總體上看在核心數、主頻、內存、內存通道等關鍵參數上，國產 CPU 已經可以部分齊平國際廠商。但綜合性能指標亦有提升空間，例如海光 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 26 of 28 7285，雖然核心數、超線程數、內存及通道數均與 AMD、Intel 產品性能接近，但在主頻、內存頻率上稍顯遜色，在一定程度上可能會影響 CPU運算的綜合效率和穩定性。與 Intel 和 AMD 相比，國產 CPU

96、 起步較晚，同時國內先進制程的晶圓加工工藝與國外還存在差距，最終也會導致整體性能表現上還有提升空間。根據前瞻產業研究院統計數據，全球 CPU第一大技術來源地區為中國，專利申請數量占全球總申請量的 58.32%，隨著研發投入的不斷提升，國產 CPU 技術突破指日可待。圖圖 42：全球：全球 CPU 行業技術來源地區分布情況行業技術來源地區分布情況 圖圖 43：中國處理器生態發展示意圖中國處理器生態發展示意圖 數據來源：智慧芽，前瞻產業研究院，國泰君安證券研究 數據來源：對信息技術新體系的思考 另一方面，除了產品自身的性能外，國產另一方面，除了產品自身的性能外，國產 CPU 在生態環境上同樣需要在

97、生態環境上同樣需要時間去實現經驗積累。時間去實現經驗積累。生態壁壘是實現 CPU 突圍的關鍵所在，主要體現在軟硬件的適配，以及操作系統對應用程序的兼容等問題上。如前所述，Wintel 和 AA 兩大生態體系幾乎分別壟斷了 PC 端和移動端，即使是蘋果也花了不少時間才實現些許突破。國產國產 CPU 目前在生態的積累上已經有所成果。目前在生態的積累上已經有所成果。如龍芯中科在 MIPS 基礎上推出 LoongArch 指令集架構、申威在 Alpha 架構上推出 SW_64 等，有望在國內關鍵信息領域逐漸積累經驗，最終在商業化上實現突圍。此外，飛騰 CPU 也一直加快軟件適配，其打造的生態體系已經與

98、百度、搜狗、騰訊等多家終端廠商進行合作。截至 2021 年 12 月，與飛騰平臺完成兼容認證的國產軟件已有 2000 多個。4.風險提示風險提示 4.1.本土設備和材料企業技術突破不及預期本土設備和材料企業技術突破不及預期 半導體設備和材料均為技術密集和資本密集型行業，產品技術形態迭代較快，整體壁壘極高。因本土企業布局較晚，在技術突破上存在一定風險。如產品未能跟進行業發展，可能造成前期研發投入無法收回，企業盈利能力面臨下滑風險。4.2.本土晶圓制造產線建設不及預期本土晶圓制造產線建設不及預期 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 27 of

99、 28 國內半導體設備和材料廠商訂單高度依賴本土晶圓制造產線新增資本開支。如若本土產線受景氣度影響或者美國制裁影響，無法進一步擴充，可能導致相關企業訂單交付延緩甚至下降，新產品也無法得到有效驗證導入，進而影響設備企業收入規模。行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 28 of 28 本公司具有中國證監會核準本公司具有中國證監會核準的證券投資的證券投資咨詢咨詢業務資格業務資格 分析師聲明分析師聲明 作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，保證報告所采用的數據均來自合規渠道，分析邏輯基于作者的職業理解，本報告清晰準確

100、地反映了作者的研究觀點，力求獨立、客觀和公正，結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。免責聲明免責聲明 本報告僅供國泰君安證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本報告僅在相關法律許可的情況下發放，并僅為提供信息而發放，概不構成任何廣告。本報告的信息來源于已公開的資料，本公司對該等信息的準確性、完整性或可靠性不作任何保證。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可升可跌。過往表現不應作為日后的表現依據。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一

101、致的報告。本公司不保證本報告所含信息保持在最新狀態。同時，本公司對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司、本公司員工或者關聯機構不承諾投資者一定獲利，不與投資者分享投資收益，也不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。投資者務必注意，其據此做出的任何投資決策與本公司、本公司員工或者關聯機構無關。本公司利用信息隔離墻控制內部一個或多個領域、部門或關聯機構之間的信息流動。因此，投

102、資者應注意，在法律許可的情況下，本公司及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券或期權并進行證券或期權交易，也可能為這些公司提供或者爭取提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等相關服務。在法律許可的情況下，本公司的員工可能擔任本報告所提到的公司的董事。市場有風險，投資需謹慎。投資者不應將本報告作為作出投資決策的唯一參考因素，亦不應認為本報告可以取代自己的判斷。在決定投資前，如有需要，投資者務必向專業人士咨詢并謹慎決策。本報告版權僅為本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制、發表或引用。如征得本公司同意進行引用、刊發的，需在允許的范圍內使用，并注明出處為“國泰君安

103、證券研究”，且不得對本報告進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。若本公司以外的其他機構（以下簡稱“該機構”）發送本報告，則由該機構獨自為此發送行為負責。通過此途徑獲得本報告的投資者應自行聯系該機構以要求獲悉更詳細信息或進而交易本報告中提及的證券。本報告不構成本公司向該機構之客戶提供的投資建議，本公司、本公司員工或者關聯機構亦不為該機構之客戶因使用本報告或報告所載內容引起的任何損失承擔任何責任。評級說明評級說明 評級評級 說明說明 1.1.投資建議的比較標準投資建議的比較標準 投資評級分為股票評級和行業評級。以報告發布后的 12 個月內的市場表現為比較標準，報告發布日后的 12 個月內的公司股價（

104、或行業指數）的漲跌幅相對同期的滬深 300 指數漲跌幅為基準。股票投資評級股票投資評級 增持 相對滬深 300 指數漲幅 15%以上 謹慎增持 相對滬深 300 指數漲幅介于 5%15%之間 中性 相對滬深 300 指數漲幅介于-5%5%減持 相對滬深 300 指數下跌 5%以上 2.2.投資建議的評級標準投資建議的評級標準 報告發布日后的 12 個月內的公司股價（或行業指數）的漲跌幅相對同期的滬深300 指數的漲跌幅。行業投資評級行業投資評級 增持 明顯強于滬深 300 指數 中性 基本與滬深 300 指數持平 減持 明顯弱于滬深 300 指數 國泰君安證券研究國泰君安證券研究所所 上海上海 深圳深圳 北京北京 地址 上海市靜安區新閘路 669 號博華廣場20 層 深圳市福田區益田路 6003 號榮超商務中心 B 棟 27 層 北京市西城區金融大街甲 9 號 金融街中心南樓 18 層 郵編 200041 518026 100032 電話（021）38676666（0755）23976888（010）83939888 E-mail：