半導體行業深度報告：半導體設備需求強勁國產設備加速推進-220907（31頁）.pdf

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1、 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 證券研究報告 半導體設備需求強勁，國產設備加速推進 執業證書號：S0010521090001 Table_IndNameRptType 半導體半導體 行業研究/深度報告 行業評級：增持行業評級：增持 報告日期：2022-09-07 Table_Chart 行業指數與滬深行業指數與滬深 300 走勢比較走勢比較 Table_Author 分析師：胡楊分析師：胡楊 執業證書號：S0010521090001 郵箱： Table_Report 相關報告相關報告 1.半導體材料系列報告（上）：國產替 代 正 當 時，把 握 擴 產 窗 口 期 2022-07-14 2.

2、千億級黃金賽道，中國“芯”蓄勢待發 2022-05-25 主要觀點：主要觀點：Table_Summary 穿越周期，國產替代進入新階段穿越周期，國產替代進入新階段 根據 SEMI 的統計，半導體制造設備全球總銷售額預計將在 2022 年再次突破記錄達到 1175 億美元，比 2021 的 1025 億美元增長 14.7%，連續數年維持高速增長。近二十年間半導體設備的周期性正在減弱，行業成長趨勢加強。得益于各類電子終端的芯片需求，智能化，網聯化，AIOT 的發展，使產業鏈各方重新重視成熟制程的經濟效益和發展前景。同時我國晶圓代工廠和半導體設備企業在成熟制程領域的布局逐漸完善，將受益于成熟制程的發

3、展。國產化率國產化率+產能擴幅產能擴幅+資本開支密度三重增速資本開支密度三重增速 根據我們測算，部分重點的內資晶圓廠（邏輯廠+存儲廠+IDM）12 英寸晶圓產能共計 77 萬片每月，8 英寸晶圓產能共計 93.6 萬片每月，合計折合 8 英寸晶圓產能為 266.9 萬片每月。根據現有規劃統計，到25/26 年，我國內資晶圓廠產能將達到 12 英寸共計 205.5 萬片每月，8 英寸晶圓產能共計 149 萬片每月，合計折合 8 英寸晶圓產能為540.75 萬片每月。中短期 3-4 年的增量累計可達 273.9 萬片 8 英寸約當產能，平均每年對應約為 68.591 萬片左右產能增量。這一增量構成

4、了龐大的晶圓代工的設備市場。預計將占據近幾年全球擴產規模的 40%左右的份額。2021 年整體國產化率僅在 10%左右，國產化率的提升潛力巨大，隨著制程的提升，整體的晶圓廠資本開支強度也同步抬升。先進制程及先進工藝探索持續推進先進制程及先進工藝探索持續推進 大陸代工廠均在朝著更高水平的制程代工的方向努力。中芯國際的14nm，FinFET 工藝，應用的平臺和客戶不斷增加，具備多元化和市場競爭力，在礦機芯片領域具備一定市場份額。根據公司新聞公告，長江存儲的 Xtacking 技術業內領先，其原理是將外圍電路置于存儲單元之上，在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，讓 NAND獲取更高的 I/O

5、接口速度及更多的操作功能，從而實現比傳統 3D NAND 更高的存儲密度?，F已實現了 128 層 NAND FLASH 的量產。根據媒體科創版日報報道，合肥長鑫的產線已有 19 納米（1X 納米）的工藝制程，正推進 17nm 工藝的量產，目前良率正在爬升。我國晶圓代工廠在閃存，DRAM，邏輯等幾大工藝平臺均在產能和制程上同時突破。建議建議關注關注 前道設備及零部件：北方華創，中微公司，拓荊科技，華海清科，芯源微，萬業企業，盛美上海，新萊應材，江豐電子等；后道設備：華峰測控，長川科技等。-48%-34%-21%-7%7%20%9/2112/213/226/229/22半導體滬深300Table_

6、CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 2/31 證券研究報告 風險提示風險提示 等國產化進展不及預期；國產產線擴產不及預期；逆全球化產業鏈供應不順暢等。相關相關公司盈利預測公司盈利預測（數據數據來源于來源于 Wind 一致預期）一致預期）：公公 司司 EPSEPS（元）（元）PEPE 20202222E E 2022023 3E E 2022024 4E E 20202222E E 2022023 3E E 2022024 4E E 北方華創 3.4 4.7 6.3 85.8 61.9 47.1 中微公司 1.8 2.3 2.9 70.2 55.0 4

7、3.7 拓荊科技 1.4 2.2 3.3 219.8 131.2 89.1 華海清科 3.6 5.7 7.4 94.5 60.0 46.4 芯源微 1.6 2.4 3.5 120.3 78.5 54.3 萬業企業 0.5 0.6 0.7 46.7 37.0 31.3 至純科技 1.2 1.7 2.1 32.2 23.4 18.4 精測電子 1.0 1.4 1.8 43.2 32.5 24.8 華峰測控 9.9 13.6 17.8 37.8 27.6 21.1 長川科技 0.8 1.3 1.7 72.3 48.0 36.0 新萊應材 1.5 2.2 2.9 49.9 35.1 26.6 資料來源

8、：wind,華安證券研究所 XZUX1UYZ2UsQtRaQdN7NnPqQmOpNfQnNwPeRnNyR9PmMwPuOrMmQNZnOpOTable_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 3/31 證券研究報告 正文目錄正文目錄 1 1 穿越周期，設備市場擴大，重要性凸顯穿越周期，設備市場擴大，重要性凸顯.5 1.1 半導體設備市場規模連續四年增長，前道設備占比提升.5 1.2 新能源，AIOT推進成熟制程設備發展加速.7 2 2 先進制程發展，工藝流程改進，設備迎來新需求先進制程發展，工藝流程改進，設備迎來新需求.9 2.1 從襯底到芯片：工藝

9、流程決定設備使用需求量變化.9 2.2 三大重點工藝環節重要性持續提升，國產廠商百花齊放.13 3 3 產業鏈上下游國產化同步推進，設備國產化走向新階段產業鏈上下游國產化同步推進，設備國產化走向新階段.19 3.1 主流晶圓廠擴產幅度擴大，設備國產化進入關鍵期.19 3.2 國產設備公司品類擴張，前道全環節多點突破.24 3.3 更深層國產化之路，設備零部件逐步國產替代.26 重點公司重點公司盈利預測：盈利預測：.30 風險提示：風險提示：.30 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 4/31 證券研究報告 圖表目錄圖表目錄 圖表圖表 1

10、1 20222022 年全球半導體設備市場規模年全球半導體設備市場規模.5 圖表圖表 2 2 20222022 年全球半導體設備市場規模（億美元）年全球半導體設備市場規模（億美元）.6 圖表圖表 3 3 20212021 年全球半導體設備市場格局年全球半導體設備市場格局.7 圖表圖表 4 4 全球半導體設備市場規模（億美元）全球半導體設備市場規模（億美元）.8 圖表圖表 5 5 中國半導體設備市場規模（億美元）中國半導體設備市場規模（億美元）.9 圖表圖表 6 6 IMFTIMFT 2525NMNM產線晶圓廠生產產線產線晶圓廠生產產線.10 圖表圖表 7 7 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道

11、工藝的生產制備流程.10 圖表圖表 8 8 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道工藝的生產制備流程(1)(1).11 圖表圖表 9 9 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道工藝的生產制備流程(2)(2).12 圖表圖表 1010 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道工藝的生產制備流程(3)(3).12 圖表圖表 1111 光刻機的工作原理光刻機的工作原理.13 圖表圖表 1212 光刻機分類和介紹光刻機分類和介紹.13 圖表圖表 1313 ASML2021ASML2021 年營收結構年營收結構.14 圖表圖表 1414 半導體設備龍頭大陸地區營收占比（半導體設備龍頭大陸地區營收占比（20212021

12、 財年）財年）.14 圖表圖表 1515 上海微電子光刻機產品介紹上海微電子光刻機產品介紹.15 圖表圖表 1616 半導體刻蝕的分類半導體刻蝕的分類.15 圖表圖表 1717 CCPCCP 與與 ICPICP 的區別的區別.16 圖表圖表 1818 刻蝕設備占設備投資中的比重擴大刻蝕設備占設備投資中的比重擴大.16 圖表圖表 1919 3D3D NANDNAND 產線中刻蝕占比達到了產線中刻蝕占比達到了 50%50%.16 圖表圖表 2020 中微中微 CCPCCP 在部分國內廠商產線市占率在部分國內廠商產線市占率 1 1.17 圖表圖表 2121 中微中微 CCPCCP 在部分廠商產線市占

13、率在部分廠商產線市占率 2 2.17 圖表圖表 2 22 2 邏輯電路中的薄膜邏輯電路中的薄膜.17 圖表圖表 2323 3D3D NANDNAND 中的薄膜中的薄膜.17 圖表圖表 2424 薄膜設備的分類介紹薄膜設備的分類介紹.18 圖表圖表 2525 薄膜沉積設備用量薄膜沉積設備用量(臺臺/每萬片每萬片).19 圖表圖表 2626 各個薄膜設備市場占比各個薄膜設備市場占比.19 圖表圖表 2727 拓荊科技核心技術情況拓荊科技核心技術情況.19 圖表圖表 2828 國內部分重要產線的擴產計劃匯總（萬片國內部分重要產線的擴產計劃匯總（萬片/月）月）.20 圖表圖表 2929 半導體設備行業

14、市場規模（百萬片）半導體設備行業市場規模（百萬片）.22 圖表圖表 3030 不同制程對應代工廠投資額（億美元不同制程對應代工廠投資額（億美元/5/5 萬片）萬片）.22 圖表圖表 3131 國內部分產線擴產節奏預測（萬片國內部分產線擴產節奏預測（萬片/月）月）.23 圖表圖表 3232 設備市場規模設備市場規模(億美元億美元).24 圖表圖表 3333 國產設備公司介紹國產設備公司介紹.24 圖表圖表 3434 20202020 年國產設備采購零部件占比年國產設備采購零部件占比.27 圖表圖表 3535 拓荊科技拓荊科技零部件采購分類及主要元件零部件采購分類及主要元件.27 圖表圖表 363

15、6 華海清科華海清科零部件采購分類及主要元件零部件采購分類及主要元件.28 圖表圖表 3737 部分國產元件國產替代廠商部分國產元件國產替代廠商.28 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 5/31 證券研究報告 1 1 穿越周期，設備市場擴大，重要性凸顯穿越周期，設備市場擴大，重要性凸顯 1.11.1 半導體設備市場規模連續四年增長，前道設備占比提升半導體設備市場規模連續四年增長，前道設備占比提升 全球半導體設備：周期性減弱，連續四年市場規模保持正增長歷史罕見，本輪全球半導體設備：周期性減弱，連續四年市場規模保持正增長歷史罕見，本輪上升周

16、期超預期。上升周期超預期。半導體設備是支撐電子行業發展的基石，也是半導體產業鏈上游環節市場空間最廣闊，戰略價值最重要的一環。從整體來看，中國大陸的半導體設備行業，同全球半導體設備行業一樣，享受著本土晶圓廠擴產，地方規劃重點扶持的政策福利。從國內市場而言，供應鏈結構合理化和地緣政治的需求，帶來了國內設備市場國產替代的動能。因此，國產設備商享有晶圓廠擴產+國產化提速的雙重增速。根據 SEMI 2022 年 7 月中旬發布的報告預測，半導體制造設備全球總銷售額預計將在 2022 年再次突破記錄達到 1175 億美元，比 2021 的 1025 億美元增長 14.7%，并預計在 2023 年增至 12

17、08 億美元。全球半導體設備作為一個具有顯著的周期性特點的行業，將實現罕見的連續四年的快速增長。本輪的半導體設備周期在全球范圍內延續的時長超出預期。以產業鏈應用環節來劃分，設備可分為前道工藝設備（晶圓制造）和后道工藝設備（封裝測試）兩個大類。其中后道工藝設備還可以細分為封裝設備和測試設備。設備中的前道設備占據了整個市場的 80%-85%，其中光刻機，刻蝕機和薄膜設備是價值量最大的三大環節，各自所占的市場規模均達到了前道設備總量的 20%以上。因此，全球半導體設備前十名廠商之中，有多家是平臺型企業，橫跨多個半導體工藝環節。圖表圖表 1 1 20222022 年全球半導體設備市場規模年全球半導體設

18、備市場規模 資料來源：SEMI，華安證券研究所 61.287.5100.99104.273.857.177.767.726.017.838.778.810204060801001201402020202120222023半導體設備市場規模（單位：10億美元）前道制造封裝設備測試設備Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 6/31 證券研究報告 產業鏈龐雜，細分子行業眾多，行業格局百家爭鳴。產業鏈龐雜，細分子行業眾多，行業格局百家爭鳴。半導體產業鏈龐大復雜的特性，使得很難有某一家公司能夠在所有設備領域做到全覆蓋。來自全球各個國家的企業共享整個市

19、場。從 2021 年的全球競爭格局來看，第一梯隊 top5 的收入規模均在百億規模左右或以上，排名前 top10 的公司營收體量也要在 20 億美元以上。對比國內設備龍頭北方華創 2021 年電子裝備業務（包含集成電路業務和泛半導體業務）約為 79.5 億元人民幣的營收，我國半導體裝備行業的營收規模距行業頭部廠商仍存在較大差距，替代空間巨大。圖表圖表 2 2 20222022 年全球半導體設備市場規模年全球半導體設備市場規模（億億美元美元）半導體設備半導體設備 分類分類 占比占比 全球市場規模全球市場規模 晶圓制造前端設備 1010 億美元 光刻機 23%232.3 刻蝕設備 22%222.2

20、 ICP 10.5%111.1 CCP 10.5%111.1 薄膜沉積設備 24%242.4 PECVD 8%79.992 濺射 PVD 5%46.056 管式 CVD 3%29.088 ALD 3%26.664 LPCVD 3%26.664 EPI 1%12.12 MOCVD 1%7.272 ECD 鍍銅 1%7.272 其他 1%7.272 量測設備 10%101 清洗設備 6%60.6 涂膠顯影 4%40.4 熱處理 3%30.3 離子注入 4%35.35 CMP 4%40.4 后端封裝設備 77.6 億美元 貼片機 30.00%23.28 劃片機/檢測設備 28.00%21.728 引

21、線焊接設備 23.00%17.848 塑封/切筋成型設備 18.00%13.968 電鍍設備 1.00%0.776 后端測試設備 87.7 億美元 SoC 測試機 50.00%43.85 存儲測試機 30.00%26.31 射頻測試機 8.00%7.016 模擬測試機 12.11%10.62047 資料來源：SEMI，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 7/31 證券研究報告 按照 2021 財年半導體業務收入排名，全球前五大半導體設備廠商分別為應用材料 242 億美元營收，ASML 約 211 億美元營收，東京電子 17

22、1 億美元營收，泛林半導體 165 億美元應收，柯磊 82 億美元營收。分地區來看，排名前十的廠商中有五家日本公司，四家美國公司，以及一家荷蘭公司。2021 年全球營收排名前五的設備廠商均屬于前道設備的應用廠商，與前道設備占據 80%以上的設備市場相匹配。同時，前五大廠商中有三家是平臺型（應用材料，泛林半導體，東京電子），橫跨刻蝕，薄膜，清洗，離子注入等多個領域，對比來看，國內許多公司也在橫向拓展業務領域以不斷突破天花板,向平臺型轉型。比如，中微公司從刻蝕及化合物半導體外延設備延展到集成電路薄膜設備；萬業企業從離子注入設備延展到其嘉芯半導體子公司，覆蓋除光刻機之外的幾乎全部前道大類；盛美上海從

23、清洗，電鍍等業務逐步覆蓋，爐管，沉積及其他前道品類。1.21.2 新能源，新能源，A AI Iotot 推進成熟制程設備發展加速推進成熟制程設備發展加速 行業波動性成長，產業鏈最下游電子應用終端發生新變化，產生新需求。行業波動性成長，產業鏈最下游電子應用終端發生新變化，產生新需求。圖表圖表 3 3 20212021 年全球半導體設備市場格局年全球半導體設備市場格局 企業企業 20212021 半導體營收（億美元）半導體營收（億美元）排排名名 設備類型設備類型 應用材料 242 1 平臺型 ASML 211 2 光刻機、量測 東京電子 171 3 平臺型 泛林半導體 165 4 平臺型 柯磊 8

24、2 5 量測 TERADYNE 37 6 測試機、AOI 迪恩士 37 7 清洗、涂膠顯影 愛德萬測試 35 8 測試機、分選機 DISCO 21 9 切磨拋 日立 20 10 量測、導體刻蝕 ASM Intl 20 11 ALD、Epi、PECVD 尼康 20 12 光刻機 佳能 19 13 光刻機 ASM pacific 17 14 封裝設備 K&S 17 15 封裝設備 東精精密 11 16 研磨、切割、探針臺 Ebara 9 17 CMP 科休半導體 9 18 測試機、分選機 Besi 9 19 封裝設備 Onto 8 20 量測 資料來源：各公司財報，半導體設備與材料，華安證券研究所

25、 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 8/31 證券研究報告 半導體設備行業呈現波動性上漲的趨勢。近二十年間半導體設備的周期性正在減弱，行業成長趨勢加強。得益于各類電子終端的芯片需求，智能化，網聯化，AIOT的發展，行業規模連續四年出現大幅度的正增長。2022 年仍將維持較高增速，這在半導體設備發展歷史上極為罕見。先進制程（5nm 以下先進制程）的擴產和研發投入變得十分巨大，同時成熟制程的芯片需求量大大提升。根據 ASML 的財報顯示，Arf 光刻機單價在 6000 萬歐元左右，EUV 光刻機單價在 1.5 億歐元左右，而最新一代預告的

26、3nm/2nm 世代光刻機預計的單價將在 3 億歐元以上，先進制成的研發和突破成本以指數曲線的形式上升。在先進制程未來 2nm，1nm 的發展方向愈發接近物理極限的同時，成熟制程經濟效益在不斷提高，車規 MCU,超級結 MOS，光伏 IGBT 等成熟制程芯片大量缺貨，交付期延長，使得行業重新審視成熟制程產線的經濟效益，臺積電也在 2022 年提出在未來三年將成熟制程擴產 50%。我國半導體設備廠商精準卡位 12 英寸成熟制程所對應設備，覆蓋 28nm/14nm 以上節點成熟制程領域并不斷完善。中國中國市場在半導體設備行業中的重要性逐步提升市場在半導體設備行業中的重要性逐步提升。全球半導體設備市

27、場規模 2005 年到 2007 年的 17 年間市場規模復合增速 6.9%，對比來看，中國地區 17 年來復合增速為 20%，中國半導體設備行業過去數年一直維持著較高的成長性。周期性弱于全球。同時，中國市場的占比從 2005 年的 4%提升到2021 年的 28.8%，17 年間高速發展。近幾年，中國半導體設備市場規模擴大繼續提速，近五年行業規模復合增速高達 35%。隨著下游晶圓廠訂單和驗證效率的提升，預計 2022-2025 將是半導體國產設備的放量期，高增速有望延續。內資晶圓廠擴產空間充足內資晶圓廠擴產空間充足 中國市場占比的提升，除了內資晶圓廠的不斷擴產，還包括了外資和中國臺灣廠商的產

28、能，8 英寸的萬國半導體，海辰半導體，12 英寸的 SK 海力士，臺積電南京，Intel，三星西安等等。內資+外資共通構筑國內市場，而內資晶圓廠的擴產訴求和國圖表圖表 4 4 全球半導體設備市場規模全球半導體設備市場規模（億美元億美元）資料來源：日本半導體制造裝置協會，華安證券研究所 328.80 404.70 427.70 295.20 159.20 399.30 435.30 369.30 317.90 375.00 365.30 412.40 566.20 645.30 597.50 711.90 1,026.40 020040060080010001200Table_CompanyRp

29、tType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 9/31 證券研究報告 產替代訴求更加強烈。因此，對于本土產業鏈的國產替代層面來說，設備廠商面對的內資產能存在更大增量空間。2 2 先進制程發展，工藝流程改進，設備迎來新需求先進制程發展，工藝流程改進，設備迎來新需求 2.1 2.1 從襯底到芯片：工藝流程決定設備使用需求量變化從襯底到芯片：工藝流程決定設備使用需求量變化 芯片芯片產線產線的精細化，自動化程度高，的精細化，自動化程度高，芯片芯片/設備對于環境的要求高。設備對于環境的要求高。半導體設備處于產業鏈最上游環節，中游的芯片代工晶圓廠采購芯片加工設備，將制備好的晶圓襯底進行多個

30、步驟數百道上千道工藝的加工，配合相關設備，通過氧化沉積，光刻，刻蝕，沉積，離子注入，退火，電鍍，研磨等步驟完成前道加工，再交由封測廠進行封裝測試，出產芯片成品。芯片的制造在極其微觀的層面，90nm 的晶體管大小與流行感冒病毒大小類似。在制程以納米級別來計量的芯片領域，生產加工流程在自動化高精密的產線上進行，對設備技術的要求極高。無論是設備的制造產線，還是晶圓廠的生產產線，所有芯片的生產加工均在無塵室中完成。任何外部的灰塵都會損壞晶圓，影響良率，因此對于環境和溫度的控制也有一定的要求。在代工廠中，晶圓襯底在自動化產線上在各個設備間傳送生產，歷經全部工藝流程大致所需 2-3 個月的時間，這其中不包

31、括后道封裝所需要的時間。通常來說，晶圓廠中 的設備 90%的時間都在運行，剩余時間用于調整和維護。圖表圖表 5 5 中國半導體設備市場規模中國半導體設備市場規模（億美元）（億美元）資料來源：日本半導體制造裝置協會，華安證券研究所 13.30 23.10 29.20 18.90 9.40 36.80 36.50 25.00 33.70 43.70 49.00 64.60 82.30 131.10 134.50 187.20 296.20 0501001502002503003502005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016

32、 2017 2018 2019 2020 2021Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 10/31 證券研究報告 前道工藝步驟繁雜，工序繁多，前道工藝步驟繁雜，工序繁多，是芯片出產過程中技術難度較大，資金投入最是芯片出產過程中技術難度較大，資金投入最多的環節。多的環節。在芯片代工廠中的芯片的工藝制備流程如下：第一步，氧化，目的是形成絕緣層，隔離電學器件，為下一步的光刻做準備。氧化鍍膜就是將一層二氧化硅沉積到晶圓表面，再沉積一層氮化硅，與鐵生銹過程十分類似。這一步所對應的設備為氧化爐和 LPCVD，分別用于生成氧化層和氮化硅層沉積。圖表圖表

33、6 6 I IMFT MFT 25nm25nm 產線晶圓廠生產產線產線晶圓廠生產產線 資料來源：IMFT，華安證券研究所 圖表圖表 7 7 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道工藝的生產制備流程 資料來源：芯源微招股書，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 11/31 證券研究報告 第二步，勻膠，在晶圓表面滴上光刻膠，利用旋涂技術使光刻膠均勻涂抹。主要目的是為了方便后續通過曝光使可溶的膠體被去除，在晶圓表面上留下掩模版的圖形。第三步，曝光，在晶圓上方放置掩模版，掩模版由透明玻璃與不透明的鉻制成。使用光刻機對準掩模版，進行紫外線

34、曝光。這一步的目的就是通過光刻機將掩模版上的圖形轉移到光刻膠上。掩模版上透光部分使得下面的光刻膠被曝光，不透光部分下面的光刻膠則不會受影響。光刻膠被紫外線曝光的部分變得可溶解。第四步，顯影，被曝光的光刻膠可以通過專用的顯影液去除。顯影將光刻膠下的氮化硅層暴露出來，掩模版上的圖形得以順利轉移。第五步，刻蝕，這一步的目的是進一步將光刻膠上的圖案進一步轉移到氧化層上（SiO2）.使用腐蝕性液體將暴露出來的氮化硅層及二氧化硅層刻蝕下去，或者使用等離子體轟擊晶圓表面的方式，使得未被光刻膠覆蓋的區域被刻蝕。隨后去膠，清洗表面。第六步，沉積，主要目的是制作介質層。再沉積一層二氧化硅使晶體管之間絕緣。隨后沉積

35、出一層多晶硅薄膜用于制作柵極，重復涂膠，光刻，顯影，刻蝕的步驟，暴露出硅晶圓晶格，并保留多晶硅柵極。第七步，研磨，在每一層構筑完成后，用化學腐蝕和機器研磨相結合的方式對晶圓表面進行研磨，使表面平整。第八步，離子注入。將 P 型或者 N 型雜質轟進剛剛刻蝕出來的半導體晶格中，使得晶格中的原子排列發生變化，形成 PN 節。從而可以改變半導體載流子濃度以及圖表圖表 8 8 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道工藝的生產制備流程(1)1)資料來源：SK 海力士，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 12/31 證券研究報告 導電類型。

36、第九步，退火，離子注入后也會產生一些晶格缺陷，退火環節主要是將離子注入后的半導體放在一定溫度下進行加熱，使得注入的粒子擴散，恢復晶體結構，修復缺陷，激活所需要的電學特性。離子注入完成之后，繼續沉積二氧化硅層，然后重復涂膠，光刻，顯影，刻蝕等步驟進入另一個循環，用以挖出連接金屬層（導電層）的通孔，從而使互通互聯得以是現在晶圓中。實現這一功能的是使用物理氣相沉積的方式沉積金屬層。上述步驟在晶圓的生產制造中將重復數次，直到一個完成的集成電路被制作完成。最后，將制備好的晶圓進行減薄，切片，封裝，檢測。完成后到的工藝流程，至此，一顆完整的芯片制作完成。圖表圖表 9 9 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道

37、工藝的生產制備流程(2)2)資料來源：SK 海力士，華安證券研究所 圖表圖表 1010 芯片前道工藝的生產制備流程芯片前道工藝的生產制備流程(3)3)資料來源：SK 海力士，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 13/31 證券研究報告 2.2 2.2 三大重點工藝環節重要性持續提升，國產廠商百花齊放三大重點工藝環節重要性持續提升，國產廠商百花齊放 光刻設備光刻設備 光刻機也叫曝光系統，是制造芯片的核心裝備之一。光刻機用來將掩模版上的電路圖形通過曝光的方式轉移到晶圓上，與相片的沖印有相似之處。光刻曝光的過程可以簡單描述為在晶

38、圓上方放置掩模版（Mask）,使用光刻機對準掩模版，進行紫外線曝光。通過這樣的方式將掩模版上的圖形轉移到晶圓，為后面的刻蝕步驟做準備。光刻機成本極高，先進制程光刻機的單臺價值量在億歐元以上級別，是集成電路制造領域的核心設備。在 7nm 以下先進制程的芯片生產中，需要使用波長為 13.5nm的極紫外光刻機。而此外最先進的 DUV 光刻機，可以達到的最先進制程水平為 28nm。浸沒式 DUV 光刻機通過在水中折射的方式，將波長為 193nm 的光源折射成等效 132nm波長，需要經過多次曝光，并要求有極高的對準精度。目前我國在光刻機層面的國產替代需求較大，國產替代率較低。此外，先進制程代工廠可以選

39、擇采用多重曝光和刻蝕的方式用 DUV 光刻機實現14nm 以下的芯片制程設計，但是所需的工序步驟，時間大幅增加，同時對精度要求極高。為了在條件有限的情況下生產先進制程芯片，需要更多的刻蝕設備和薄膜設備的用量。圖表圖表 1212 光刻機分類和介紹光刻機分類和介紹 光刻機類型光刻機類型 光源光源 波長（波長（nmnm）分辨率分辨率 可實現制程可實現制程 接觸式 g-line 436 230nm 0.5um 接觸式 i-line 365 220nm 0.25um-0.6um 掃描投影式 KrF 248 80nm 130nm-180nm 圖表圖表 1111 光刻機的工作原理光刻機的工作原理 資料來源：

40、芯語，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 14/31 證券研究報告 步進投影式 ArF 193 65nm 65nm-130nm 浸沒式 DUV ArF 浸沒式 等效 132 38nm 14-45nm 極紫外 EUV EUV 光源 13.5 13nm 7nm 資料來源：ASML，半導體工藝制程實用教程，華安證券研究所 受限于瓦森納協議，ASML 的 7nm 制程先進制程光刻機無法出口中國大陸，大陸地區主要以采購成熟制程光刻機為主。對比 AMAT，泛林半導體，東京電子等海外設備龍頭，ASML 的大陸地區營收貢獻占比明顯較低。光

41、刻機產品在前道制程領域的戰略意義較高。圖表圖表 1313 A ASMLSML20212021 年營收結構年營收結構 圖表圖表 1414 半導體設備龍頭大陸地區營收占比（半導體設備龍頭大陸地區營收占比（20212021 財年）財年）資料來源：ASML，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 國產替代方面，中科院光電所研發出 365nm 波長的近紫外光 DUV 光刻機設備。上海微電子已有生產前道90nm制程的光刻機，后道先進封裝光刻機也已經實現出貨。上海微電子的 SSX600 系列步進掃描投影光刻機、可滿足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 關鍵層和非關鍵層的光刻工藝需

42、求，應用于 8 寸線或 12 寸線的大規模工業生產。而后道先進封裝光刻設備方面，2021 年 9 月上海微電子推出了 SSB520先進封裝光刻機，可以滿足 0.8 微米分辨率的光刻工藝需求，且極限分辨率達到了 0.6 微米?？梢酝ㄟ^升級運動、量測和控制系統等將套刻精度提升到 100 納米以下，并保持長期穩定性能。SSB520 光刻機主要可以應用于高密度異構體集成領域，該光刻機的曝光視場還提供了兩種配置：53mm66mm 和 60mm60mm，進而可以更好地應用于異構集成超大尺寸芯片的封裝中。41%40%5%11%3%EUVArFArF dryKrFi-Line31755146180156121

43、1180%20%40%60%80%100%ASMLAMATLAMTEL大陸地區營收其他地區營收Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 15/31 證券研究報告 上海微電子及相關科研院所的光刻機產品以及市面上流通的二手設備一定程度上填補了空缺，國內成熟制程的光刻設備主要依靠向海外采購。成熟制程所用的 28nm DUV 光刻機并未受到制裁影響。因此，在成熟制程芯片用量增加的大背景下，中國大陸晶圓廠擴產的進程仍在加速推進。成熟制程芯片（MCU,模擬類芯片，各類傳感器，功率器件，車載電子芯片等）的火熱需求使代工廠和上游設備持續獲得訂單?？涛g設備刻蝕設

44、備 刻蝕是半導體制造工藝中的重要環節，和光刻環節類似，主要作用也是轉移掩模版上的圖形到晶圓上。是光刻之后用化學或物理方法從晶圓表面去除部分材料的過程?？涛g設備按照刻刻蝕方式可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，但是濕法刻蝕由于刻蝕的精度較低，在制程不斷微縮的情境下，逐漸被干法刻蝕取代，在部分制程要求不太精密的芯片上在使用濕法刻蝕。而按照蝕對象劃分可以分為介質刻蝕和導體刻蝕（導體刻蝕又可以分為金屬刻蝕和硅刻蝕）。這兩類刻蝕對象分別對應了 CCP 和 ICP刻蝕設備。CCP 和 ICP 的市場規模近年來此消彼長。圖表圖表 1515 上海微電子光刻機產品介紹上海微電子光刻機產品介紹 資料來源：上海微電子，華安

45、證券研究所 圖表圖表 1616 半導體刻蝕的分類半導體刻蝕的分類 資料來源：半導體設備與材料公眾號，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 16/31 證券研究報告 此前數年 CCP 的市場規模更大，因為其對應的介質層刻蝕和通孔挖槽的用量更大。近年來，膜的厚度越來越薄，ICP 的能量低的特性使其具有更好的均勻性和可控性，使用 ICP 的場景在增加。此外，為了獲取尺寸更小的芯片，在使用 193nm 的 Arf光源的前提下，理論上可以做出最小到 28nm 制程的芯片，而達到的途徑是采用多重曝光和刻蝕的方式。因此，適用于底層刻蝕的硅

46、刻蝕的用量大幅增加，ICP 市場規模逐漸擴大，接近 CCP 的市場規模。這兩類刻蝕機基本平分了整個刻蝕設備的市場。圖表圖表 1717 C CCPCP 與與 I ICPCP 的區別的區別 刻蝕機類型刻蝕機類型 CCPCCP ICPICP 中文名稱 電容耦合性刻蝕機 電感耦合性刻蝕機 特性 等離子密度較低，能量較高。等離子密度高，能量低，可以獨立控制離子的密度和能量。對應分類 介質刻蝕 導體刻蝕 應用場景 蝕氧化物、氮氧化物等膜，用于挖槽通孔。硅淺溝槽，鍺、多晶硅柵、金屬柵。主要公司 泛林半導體，應用材料 泛林半導體 國產替代 中微公司 中微公司，北方華創 資料來源：半導體工藝制程實用教程，華安證

47、券研究所 而隨著 3D NAND 的發展，堆疊的沉積層數量呈現加速增長態勢，刻蝕設備在 3D NAND 存儲廠的用量也隨之激增。在 3D NAND 存儲廠，刻蝕設備的投入占比達到了全部設備的 50%之多。根據統計，近十年來，晶圓廠采購刻蝕設備的價值量占到全部設備投資的比重在穩步提升，工藝和制程的需求使得刻蝕步驟大幅增加。圖表圖表 1818 刻蝕設備占設備投資中的比重擴大刻蝕設備占設備投資中的比重擴大 圖表圖表 1919 3 3D NANDD NAND 產線中刻蝕占比達到了產線中刻蝕占比達到了 50%50%資料來源：Gartner，華安證券研究所 資料來源：東京電子，華安證券研究所 國產廠商在刻

48、蝕設備領域較早的實現了突破。無論是中微公司，北方華創，嘉芯半導體等在國產線的出貨量逐漸增大。中微公司的 CCP 刻蝕機，在 2020 年，已經做到了部分存儲，邏輯產線的第三大供應商，在部分產線中占有 30%以上的市占率?，F0%20%40%2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018刻蝕光刻薄膜過程控制退火擴散注入清洗/CMP刻蝕,50.00%沉積,25.00%光刻,10.00%清洗,5.00%檢測,1.98%其他,8.02%Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 17/31 證券研究報告 階段，刻蝕

49、設備的整體國產化率達到了 20%，下游晶圓廠仍有持續替代的意愿和空間，我們預計刻蝕設備的終局國產化率可以達到 70%以上，28nm 以上制程工藝覆蓋完備，幾家重點公司進入國內存儲+邏輯大廠產線開始加速放量，目前國產替代正在向高深寬比刻蝕，大馬士革工藝等先進制程適用的刻蝕工藝突破。國產刻蝕設備的工藝水平正在向 28nm 以下，14nm，7nm，5nm 的方向發展。圖表圖表 2020 中微中微 CCPCCP 在部分國內廠商產線市占率在部分國內廠商產線市占率 1 1 圖表圖表 2121 中微中微 CCPCCP 在部分廠商產線市占率在部分廠商產線市占率 2 2 資料來源：中微公司業績說明會，華安證券研

50、究所 資料來源：中微公司業績說明會，華安證券研究所 薄膜設備薄膜設備 薄膜沉積技術用于制造微電子器件上的薄膜，主要是通過物理或化學方法，將適當化學反應源激活，并將由此形成的離子原子等吸附聚集在襯底表面，從而在襯底之上形成一層薄薄的膜，比如二氧化硅薄膜，多晶硅薄膜，金屬薄膜等。這些薄膜輔助構成了制作集成電路的功能材料層。圖表圖表 2222 邏輯電路中的薄膜邏輯電路中的薄膜 圖表圖表 2323 3 3D NANDD NAND 中的薄膜中的薄膜 資料來源：拓荊科技招股書，華安證券研究所 資料來源：拓荊科技招股書，華安證券研究所 薄膜沉積設備目前是半導體前道設備中市場空間最大的細分賽道，而且隨著芯片的

51、結構越來越復雜，3D FLASH 堆疊層數的增加，價值量占比也正在同步提升。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 18/31 證券研究報告 薄膜沉積設備大致可以分為 CVD 化學氣相沉積設備，PVD 物理氣相沉積設備和外延設備三大類。CVD 占據了接近一半的市場份額，CVD 中又可以細分為 APCVD，LPCVD,PECVD，ALD，SACVD，MOCVD 等。常壓（AP）CVD 和低壓（LP）CVD 的制程對應在微米級別。等離子體 CVD（PECVD）和原子層沉積 ALD 是應用比較廣泛的沉積設備，多用于 90nm 以下各種邏輯芯片，存儲

52、芯片的生產。圖表圖表 2424 薄膜設備的分類介紹薄膜設備的分類介紹 薄膜沉積設備薄膜沉積設備 占設備占設備市場規市場規模模 全球市場規模全球市場規模（億美元）（億美元）國產廠商國產廠商 （有出貨或有研發）（有出貨或有研發）技術特點和適用范圍技術特點和適用范圍 PECVD 8%80.0 拓荊科技 等離子體 CVD 技術，多用于 90nm 以下制程，薄膜純度高，密度強 PVD 5%46.1 北方華創 物理方法，用物理氣化或者電離的方式，形成氣態原子沉積在機體表面，多用于金屬薄膜沉積。管式 CVD 3%29.1 北方華創 ALD 3%26.7 拓荊科技，北方華創 生成的膜層薄，制程多用于 45nm

53、 以下 LPCVD 3%26.7 北方華創，盛美上海，中微公司（研發）低壓 CVD 技術，制程較高，薄膜溝槽覆蓋填充能力較好好，均勻性較好 EPI 1%12.1 北方華創，中微公司（研發）外延設備，在硅單晶襯底上生長一層或多層摻硅薄膜。MOCVD 1%7.3 中微公司 金屬有機化學氣相沉積，用于沉積各種化合物半導體，比如發光二極管，激光器等 ECP 鍍銅 1%7.3 盛美上海 主要用于布下互聯用的銅線 其他 1%7.3-資料來源：各公司官網，華安證券研究所 從工藝的角度來看，NAND FLASH 從 2D 轉變為 3D 后，薄膜設備的比重隨之增加。尤其是適用于高深寬比的 ALD 設備，所需用量

54、增幅更大。東京電子數據表明，薄膜設備占比從 2D FLASH 的 18%提升到 3D FLASH 的 26%。同樣，在邏輯芯片的制造中，CVD 用量從 180nm 8 寸線的 9.9 臺提升到 90nm 12 寸線的 42 臺，PVD 的用量從 180nm 8 寸線的 4.8 臺提升到 90nm 12 寸線的 24 臺。薄膜設備的用量占比預計也將進一步提升。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 19/31 證券研究報告 圖表圖表 2525 薄膜沉積設備用量薄膜沉積設備用量(臺臺/每每萬萬片片)圖表圖表 2626 各個薄膜設備市場占比各個薄膜

55、設備市場占比 資料來源：拓荊科技招股書，華安證券研究所 資料來源：SEMI，GARTNER，華安證券研究所 在薄膜設備的國產化進程方面，拓荊科技在 CVD 領域，北方華創在 PVD 領域都已經有了一定的市場份額。中微公司，盛美上海，萬業企業等公司的產品也正在薄膜沉積領域布局，但薄膜設備整體的國產化率依然較低，2021 年在 10%左右，距薄膜設備的終局國產化率遠期仍有數倍的替代空間。隨著長鑫二期，長存二期，中芯京城，中芯集成，晶合集成等幾大晶圓廠的陸續招標擴產，前期驗證導入完成之后，薄膜沉積設備的放量速度會變快。3 3 產業鏈上下游國產化同步推進，設備國產化走產業鏈上下游國產化同步推進，設備國

56、產化走向新階段向新階段 3 3.1.1 主流晶圓廠擴產幅度擴大，設備國產化進入關鍵期主流晶圓廠擴產幅度擴大，設備國產化進入關鍵期 行業空間實質上由晶圓代工廠的擴產需求來決定，而晶圓代工廠的擴產需求又是由下游各個電子終端，各個應用場景的需求來確定。近些年，AIOT，智能化，網聯9.904.8042.0024.000.0010.0020.0030.0040.0050.00CVDPVD中芯國際180nm 8英寸晶圓產線中芯國際90nm 12英寸晶圓產線PECVD33%PVD19%管式CVD12%ALD11%LPCVD11%MOCVD3%ECD鍍銅3%其他3%圖表圖表 2727 拓荊科技核心技術情況拓

57、荊科技核心技術情況 核心技術名稱核心技術名稱 技術水平技術水平 PECVDPECVD ALDALD SACVDSACVD 先進漲膜工藝設備設計技術 國際先進 已量產 已量產 已量產 反應模塊架構市局技術 國際先進 已量產 已量產 已量產 半導體制造系統高產能平臺技術 國際先進 已量產 已量產 已量產 等離子體穩定控制技來 國際先進 已量產 已量產-反應腔腔內關鍵件設計技術 國際先進 已量產 已量產 已量產 半導體沉積設備氣體輸運控制系統 國際先進 已量產 已量產 已量產 氣體高球精換系統設計技術 國際先進 已量產 已量產-反應腔溫度控側技術 國際先進 已量產 已量產 已量產 資料來源：拓荊科技

58、招股書，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 20/31 證券研究報告 化，新能源車的發展極大程度上推動了成熟制程的代工需求。為能夠覆蓋成熟制程晶圓產線的國產設備商創造了良好的市場環境。從產業鏈角度入手，設備的需求反應了電子終端應用的市場情況，下游各終端實則反映了社會科技生活的變化。而最直接的半導體設備市場空間，是晶圓代工廠擴產數據的反應。根據晶圓廠擴產計劃可以計算設備的可延展空間，可以透視未來2-3 年的設備市場需求狀況。另一方面，從長期的維度看的國內設備市場，我們可以對比芯片自給率，芯片缺口等指標。圖表圖表 2828 國

59、內部分重要產線的擴產計劃匯總國內部分重要產線的擴產計劃匯總（萬片萬片/月月）晶圓廠內資晶圓廠內資 尺寸尺寸 產線產線 現有產能現有產能 總規劃產能總規劃產能 中芯國際 12 寸 中芯北方 7 7 12 寸 中芯北京 6.5 7 12 寸 中芯京城 0 10 12 寸 中芯東方 0 10 12 寸 中芯深圳 0 4 12 寸 中芯南方 1.5 1.5 8 寸 中芯上海 11.5 13.5 8 寸 中芯深圳 7 7 8 寸 中芯天津 18 18 8 寸 中芯紹興 7.5 16 8 寸 中芯寧波 1.5 8 華虹半導體 12 寸 ICRD 1 4 12 寸 華虹無錫 6.5 9.5 8 寸 上海 f

60、ab1-3 17.8 17.8 上海華力 12 寸 華力五廠 3.5 3.5 12 寸 華力六廠 4 6 積塔半導體 12 寸 臨港一期 4 4 12 寸 積塔臨港 0 5 8 寸 積塔上海 3.8 9 廣州粵芯 12 寸 粵芯一期 2 2 12 寸 粵芯二期 0 2 12 寸 粵芯三期 0 4 12 寸 粵芯四期 0 4 長江存儲 12 寸 長存一期 10 18 12 寸 長存二期 0 12 合肥長鑫 12 寸 長鑫一期 6 12 12 寸 長鑫二期 0 12 12 寸 長鑫北京 1 3 合肥晶合集成 12 寸 晶合一期 12 12 12 寸 晶合二期 0 10 武漢新芯 12 寸 武漢 3

61、 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 21/31 證券研究報告 晶圓廠內資晶圓廠內資 尺寸尺寸 產線產線 現有產能現有產能 總規劃產能總規劃產能 聞泰 12 寸 上海聞泰 0 3 燕東微電子 12 寸 北京 0 2 12 寸 北京 2 5 廣州增芯 8 寸 廣州 0 6 鼎泰半導體 8 寸 上海 0 3 中車時代電氣 8 寸 中車株洲 1 3 華潤微 8 寸 華潤微無錫 6.4 9 8 寸 華潤為重慶 6.2 7 12 寸 華潤微重慶 0 3 士蘭微 12 寸 士蘭集科 4 8 8 寸 士蘭集昕 6 8 青島芯恩 12 寸 青島 2 6

62、8 寸 青島 3 8 浙江富芯 12 寸 杭州 0 8 福建晉華 12 寸 泉州 1 6 華微電子 8 寸 吉林 0.7 2.2 鵬芯微 12 寸 深圳 0 2 揚杰科技 8 寸 楚微半導體 1 4.5 中科漢天下 8 寸-0 1 比亞迪 8 寸 長沙 2 比亞迪 8 寸 濟南 1.2 3 賽微 8 寸 北京 1 3 共計共計 1212 英寸英寸 7777 205.5205.5 8 8 英寸英寸 93.693.6 149149 折合折合 8 8 寸寸 266.85266.85 540.75540.75 3 3-4 4 年規劃新增量年規劃新增量 273.9273.9 資料來源：各公司官網，集微咨

63、詢，華安證券研究所 根據我們測算，部分重點的內資晶圓廠（邏輯廠+存儲廠+IDM）12 英寸晶圓產能共計 77 萬片每月，8 英寸晶圓產能共計 93.6 萬片每月，合計折合 8 英寸晶圓產能為 266.9 萬片每月。根據現有規劃統計，到 25/26 年，我國內資晶圓廠產能將達到12 英寸共計 205.5 萬片每月，8 英寸晶圓產能共計 149 萬片每月，合計折合 8 英寸晶圓產能為 540.75 萬片每月。中短期 3-4 年的增量累計可達 273.9 萬片 8 英寸約當產能，平均每年對應約為 68.591 萬片左右產能增量。這一增量構成了龐大的晶圓代工的設備市場。實際上，Knometa 在 20

64、22 年發布的代工行業最新的報告上指出，全球 2021 年全球晶圓折合 8 寸產能約為 2160 萬片，2022 年全球晶圓預計產能將提升 8%達到 2332萬片/月。因此，對比相關數據，測算可得出大陸地區的近年的擴產增量將占到全球的 36%-49%。從數量上看，我國是名副其實的全球芯片產能增量的最大市場。同時，晶圓廠產能的擴增也為國內設備公司創造了良好的發展環境。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 22/31 證券研究報告 除了產能的補充，更要注意的一點是新增產能的結構的變化，以及產能結構所帶來的資本開支密度的不同。在邏輯制程中，早期的

65、 12 英寸產線對應許多 90nm 制程的需求，而現階段 60nm-45nm,28nm 等更先進的成熟制程產線大幅擴產，所對應的資本開支強度和設備用量也同步提升。當然，其中會有很多平臺是通用的平臺，90nm-28nm 的需求可以靈活調整更改。但總體而言，大陸代工廠均在朝著更高水平的制程代工的方向努力。比如中芯國際的 14nm，FinFET 工藝，應用的平臺和客戶不斷增加，具備多元化和市場競爭力，在礦機芯片領域具備一定市場份額。根據公司新聞公告，長江存儲的 Xtacking 技術業內領先，其原理是將外圍電路置于存儲單元之上，在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，讓 NAND 獲取更高的 I/

66、O 接口速度及更多的操作功能，從而實現比傳統 3D NAND 更高的存儲密度?，F已實現了 128 層 NAND FLASH 的量產。根據媒體科創版日報報道，合肥長鑫的產線已有 19 納米（1X 納米）的工藝制程，正推進 17nm工藝的量產，目前良率正在爬升。我國晶圓代工廠在閃存，DRAM，邏輯等幾大工藝平臺均在產能和制程上同時突破。圖表圖表 2929 半導體設備行業市場規模半導體設備行業市場規模（百萬百萬片片）資料來源：Knometa，華安證券研究所 圖表圖表 3030 不同制程對應代工廠投資額（不同制程對應代工廠投資額（億美元億美元/5/5 萬片萬片）-1.23%3.05%8.63%10.0

67、0%15.45%16.00%11.06%-2.69%4.00%7.33%5.00%3.00%4.00%6.00%5.00%5.49%6.00%5.00%5.49%7.44%8.00%7.84%7.00%5.54%5.00%-5%0%5%10%15%20%05010015020025030035040002 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27產能(M)%增速14.0024.0037.0046.0060.0089.00100.00125.00020406080100120140130n

68、m90nm65nm45nm28nm20nm14nm7nmTable_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 23/31 證券研究報告 因此，考慮到后續擴產平臺工藝的提升，對設備用量的提升，國內半導體設備市場規模也將相應增加。按照晶圓廠的產能規劃拆分測算，我們統計 22 年-25 年將分別新增約當 8 英寸的月產能 87.5 萬片/月，85 萬片/月，90.75 萬片/月，和 61.5 萬片/月。圖表圖表 3131 國內國內部分部分產線產線擴產擴產節奏節奏預測預測（萬片萬片/月月）晶圓廠內資晶圓廠內資 尺寸尺寸 產線產線 現有產能現有產能 總規劃總規劃產能

69、產能 2121 總產能總產能 2222 新增新增 2323 新增新增 2424 新增新增 2525 新增新增 中芯國際 12 寸 中芯北方 7 10 7 3 0 0 0 12 寸 中芯北京 6.5 6.5 6.5 0 0 0 0 12 寸 中芯京城 0 10 0 2 3 3 2 12 寸 中芯東方 0 10 0 0 1 3 4 12 寸 中芯深圳 0 4 0 1 2 1 0 12 寸 中芯南方 1.5 1.5 1.5 0 0 0 0 8 寸 中芯上海 11.5 13.5 11.5 0 0 2 0 8 寸 中芯深圳 7 7 7 0 0 0 0 8 寸 中芯天津 11.5 15 11.5 3.5

70、0 0 0 8 寸 中芯紹興 7.5 16 7.5 2.5 3 3 0 8 寸 中芯寧波 1.5 8 1.5 2 2 2 0 長江存儲 12 寸 長存一期 10 10 10 0 0 0 0 12 寸 長存三期 0 10 0 0 0 5 5 12 寸 長存二期 0 10 0 5 5 0 0 合肥長鑫 12 寸 長鑫一期 6 10 6 3 0 1 0 12 寸 長鑫二期 0 10 0 0 2 4 4 12 寸 長鑫北京 3 10 3 0 3 4 0 合肥晶合集成 12 寸 晶合一期 12 12 12 0 0 0 0 12 寸 晶合二期 0 25 0 0 2.5 5 6 華虹半導體 12 寸 ICR

71、D 1 4 1 1 1 1 12 寸 華虹無錫 6.5 9.59.5 6.5 3 0 0 0 8 寸 上海 fab1-3 17.8 17.8 17.8 0 0 0 0 其他廠商 12 寸 12 12 8 5 8 寸 12 10 5 3 1212 寸增量寸增量 3030 31.531.5 3535 2626 8 8 寸增量寸增量 2020 1515 1212 3 3 約當約當 8 8 寸寸 87.587.5 85.87585.875 90.7590.75 61.561.5 資料來源：各公司官網，華安證券研究所 同時，資本開支密度的提升，產能的提升，國產化率的提升這三重影響,使國產設備的發揮空間將

72、更加廣闊，國內整體的市場規模會穩定在 300 億美元左右，而國產設備在 2025 年的中期替代空間將達到 100 億美元以上，2022-2025 復合增速可以達到 45%-50%。屆時國內市場也將達到 300 億美元以上的內資真實需求。我們判斷這資料來源：IC Insights，華安證券研究所 Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 24/31 證券研究報告 是一個中期穩態的市場規模，伴隨著半導體設備市場空間波動性向上的發展趨勢，遠期市場空間仍將繼續擴大。而國內設備的整體國產化率將同步提升。資料來源：IC Insights,華安證券研究所整理

73、 3 3.2 2 國產設備公司品類擴張，前道全環節多點突破國產設備公司品類擴張，前道全環節多點突破 目前階段，國產設備廠商可以覆蓋幾乎全部的前道設備環節，過去兩年逐漸實現了許多前道環節的驗證和導入，首次驗證通過后的訂單和采購將會更加快捷，國產設備品類擴張的節奏正在提速。圖表圖表 3333 國產設備公司介紹國產設備公司介紹 證券簡稱證券簡稱 PE2022PE2022 收入收入 20212021（億元）（億元）毛利率毛利率%凈利率凈利率%主營設備主營設備 北方華創 95.02 96.83 39.41 12.32 爐管，LPCVD，ICP 刻蝕，清洗，薄膜沉積等 中微公司 83.79 31.08 4

74、3.36 32.54 刻蝕設備，MOCVD,薄膜設備等 拓荊科技 261.86 7.58 44.01 8.83 PECVD,ALD,SACVD 等 CVD 類薄膜設備 盛美上海 133.95 16.21 42.53 16.43 鍍銅設備，爐管類設備，清洗設備，先進封裝濕法設備 芯原微 149.22 8.29 38.08 9.33 先進封裝濕法設備，涂膠顯影，清洗等 萬業企業 57.54 8.80 56.22 42.84 離子注入,1+N 包括刻蝕，薄膜，清洗等 華海清科 97.41 8.05 44.73 24.63 CMP 設備 精測電子 43.81 24.09 43.34 5.81 量測檢測

75、 至純科技 37.82 20.84 36.19 13.64 清洗 資料來源：wind，華安證券研究所 北方華創：北方華創：北方華創是國內平臺型半導體設備龍頭，同時在泛半導體，光電子領域，光伏及電子元器件領域有產品布局。是綜合屬性最全面的半導體設備龍頭之一。集成電路業務方面，產品出貨量保持高增長。公司 ICP 設備累計出貨量超過 2000腔，碳化硅長晶設備預計今年出貨將超 500 臺，累計出貨超過千余臺。公司先進制程刻蝕機和薄膜沉積設備（14nm）已在客戶端通過多道制程工藝驗證，并實現量產應用；公司的 PECVD、LPCVD、APCVD、ALD 等 CVD 產品廣泛應用于下游集成電路代工、光伏等

76、領域。公司作為平臺型國產設備龍頭，將充分享受國產化趨勢帶來的紅利。圖表圖表 3232 設備市場設備市場規模規模(億美元億美元)20222022 20232023 20242024 20252025 資本開支密度（億美元）12 寸 7.4 8 9.2 12 8 寸 2 2.2 2.2 2.2 新增產能（萬片/月）12 寸 30 31.5 35 26 8 寸 20 15 12 3 國內設備市場規模 262 285 348.4 318.6 國產化率 15%20%30%35%國產設備總包國產設備總包 39.339.3 5757 104.52104.52 111.51111.51 Table_Compa

77、nyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 25/31 證券研究報告 中微公司：中微公司：中微公司是國內刻蝕設備龍頭。在 CCP 設備中國內領先，在 ICP 刻蝕設備保持高增速。2022 年中報顯示，中微 ICP 設備收入 4.13 億元，同比增長 414.08%，CCP設備收入 8.86 億元，同比增長 13.98%。2022 年上半年公司共計新簽訂單 30.57 億元，同比增長 61.83%，訂單方面增速持續。最新業務進展方面，中微刻蝕設備技術水平已經進入 5nm 以下領域，同時是全球主要的 miniled MOCVD 設備供應商，并在下一代刻蝕產品，原子層刻蝕設

78、備，LPCVD等其他薄膜設備加速研發，同時并購業務持續推進。華海清科：華海清科：華海清科是化學機械拋光（CMP）設備龍頭，主營業務為提供半導體 CMP 設備，提供 CMP 配套耗材和服務以及晶圓再生業務。公司是目前國內唯一一家為集成電路制造商提供 12 英寸 CMP 商業機型的高端半導體設備制造商。公司的 300X 機型可以面向 14nm 及 128 層 NAND 等更先進制程的更高平坦度要求，在 2020 年進入長江存儲，華虹等產線驗證，2020 年 9 月已通過工藝驗收實現銷售。晶圓再生業務也通過多家客戶驗證，截至 2021 年末，公司發出商品 7.7 億元，已發出未驗收結算的 CMP設備

79、 69 臺，未發出產品的在手訂單超過 70 臺，已經超過公司過去累計確認收入設備總數 67 臺。拓荊科技：拓荊科技：拓荊科技是國內 CVD 薄膜設備龍頭，主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列，已廣泛應用于國內晶圓廠 14nm 及以上制程集成電路制造產線，并已展開10nm 及以下制程產品驗證測試。公司產品已廣泛用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內主流晶圓廠產線，打破國際廠商對國內市場的壟斷，與國際寡頭直接競爭。報告期內，公司在研產品已發往某國際領先晶圓廠參與其先進制程工

80、藝研發。萬業企業：萬業企業：萬業企業是國內離子注入機龍頭，正在逐步實現從房地產企業到半導體設備平臺型企業的轉型。旗下的凱世通主營離子注入設備，Compart system 主營 MFC 流量控制計，嘉芯半導體主營成熟制程設備，包括刻蝕機、熱處理、薄膜沉積、清洗機等 8 寸和 12 寸半導體新設備。嘉芯半導體項目落成后將實現年產 2450 臺/套半導體新設備和 50 臺/套半導體二手翻新設備的產能。2022 年上半年公司新增集成電路設備訂單超 7.5 億，半導體業務放量迅速。芯源微：芯源微：公司是國內涂膠顯影領域龍頭，并在清洗，后道先進封裝等領域積極布局。公司前道涂膠顯影設備在 28nm 及以上

81、工藝節點的多項關鍵技術方面取得突破，并可以與主流光刻機廠商如 ASML、Cannon、Nikon 等公司的機臺聯機使用。在前道物理清洗Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 26/31 證券研究報告 領域，公司已掌握前道物理清洗機28nm工藝節點的重點技術并且成功實現國產替代，目前公司正在積極布局前道化學清洗領域，進一步打開市場空間。后道領域，涂膠顯影設備和單片式濕法設備作為主流機型已批量應用于臺積電、長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、中芯紹興、中芯寧波等國內一線大廠。盛美上海：盛美上海：盛美上海是國內清洗設備龍頭。公司經過多年持續的研

82、發投入和技術積累，先后開發了單片清洗、槽式清洗以及單片槽式組合清洗等清洗設備，用于芯片制造的前道銅互連電鍍設備、立式爐管設備、后道先進封裝電鍍設備，以及用于先進封裝的濕法刻蝕設備、涂膠設備、顯影設備、去膠設備、無應力拋光設備及立式爐管系列設備等。公司 22 年中報顯示，半年度營收為 10.96 億元，同比增長 75.21%，公司訂單及產能同步增長。公司 2022 年 2 月獲得了 29 臺 Ultra Cwb 槽式濕法清洗設備的批量采購訂單，13 臺 Ultra ECP map 前道銅互連電鍍設備及 8 臺 Ultra ECP ap 后道先進封裝電鍍設備的多個采購訂單。5 月，公司與一家中國領

83、先的先進晶圓級封裝客戶簽訂了 10 臺 Ultra ECP ap 高速電鍍設備的批量采購合同，同時又推出升級版的涂膠設備，該款設備在性能和外觀進行了優化，應用于先進晶圓級封裝。至純科技：純科技：至純科技是國內清洗設備龍頭，提供槽式設備及單片機設備覆蓋目前國內產線成熟工藝及先進工藝涉及的全部濕法工藝。公司提供的濕法設備可以應用在先進工藝上，主要為存儲（DRAM，3D Flash）、先進邏輯產品等。截至 2022 年 6 月，公司新增訂單總額為 23.62 億元，同比增長 37.33%，其中半導體制程設備新增訂單 8.06 億元。半導體訂單中以清洗效果更好的單片濕法設備為主，公司的半導體制程設備產

84、品結構正在優化。精測電子：精測電子：精測電子是國內檢測設備龍頭，在半導體領域，公司實現了前道、后道檢測全領域的布局，子公司武漢精鴻主要負責自動檢測設備（ATE）領域（存儲芯片測試設備）。目前已實現關鍵核心產品技術轉移、國產化研發、制造、核心零部件國產化，老化（Burn-In）產品線在國內一線客戶實現批量重復訂單，CP（Chip Probe，晶片探測）、FT（FinalTest，最終測試，即出廠測試）產品目前已取得相應訂單。3 3.3 3 更深層國產化之路，設備零部件逐步國產替代更深層國產化之路，設備零部件逐步國產替代 設備國產化進程的過程中，供應鏈體系的安全和合理性考量會將設備國產化推入新階段

85、。設備零部件環節實現國產化是未來保證半導體設備行業能夠完全獨立自主的基礎。根據芯謀研究的統計，2020 年本土 8 寸及 12 寸晶圓廠所采購的國產零部件采購量前五大零部件為，石英件 11%，射頻發生器 10%，泵 10%，閥 10%，吸盤 9%。前十大零部件占比約為 70%，半導體設備零部件的整體特點是細分市場多，零部件種類環節多。Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 27/31 證券研究報告 一般按照功能類型來分類，設備零部件可以分為機械類，電氣類，氣動類，液路類，儀器儀表類等等?；诓煌O備，所需的零部件的種類和用量略有不同，但整體所

86、需的通用型的設備種類基本相似。圖表圖表 3535 拓荊科技拓荊科技零部件采購分類及主要元件零部件采購分類及主要元件 類型類型 具體內容具體內容 機械類 陶瓷加工件、加熱盤、腔體、密封件、噴淋頭、配管零件、金屬加工件等 電氣類 射頻電源、射頻匹配器、遠程等離子源、供電系統、電力輸送及通訊系統、IO 輸入輸出模塊 機電一體類 EFEM、機械手、加熱帶等 氣體輸送系統類 供氣系統等 附屬設備 泵、LDS、熱水機等 真空系統類 真空門閥、真空節流閥、氣體管路閥等 儀器儀表類 氣體測量儀器、液體流量控制器、壓力控制器等 二次配設施 電力系統、工藝氣體系統等 氣動系統類 閥門、接頭、氣管等 工藝材料類 硅

87、片、氣源等 其他 耗材、標簽、說明書等 資料來源：拓荊科技招股書，華安證券研究所 圖表圖表 3434 20202020 年國產設備采購零部件占比年國產設備采購零部件占比 資料來源：芯謀研究，華安證券研究所 石英件,11%RF發生器.10%泵,10%閥,9%吸盤，9%反應腔噴淋頭，8%邊緣環,6%Gauge,3%MFC,2%Ceramic.2%O形圈,1%其他,29%Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 28/31 證券研究報告 圖表圖表 3636 華海清科華海清科零部件采購分類及主要元件零部件采購分類及主要元件 類別類別 具體內容具體內容

88、機械標準件 機械手臂、旋轉接頭、模組、傳感器、流量計、導軌、密封件、軸承、螺栓、拋光液供液系統 機械加工件 基座、托盤軸、主軸、拋光盤、承載盤、保持環、安裝板、焊接件、保護罩 液路元件 流量控制器、傳感器、液路閥、液路接頭、溫控器、泵 電氣元件 電機、驅動器、電源類、工控機、連接器、線纜、變壓器、繼電器 氣動元件 電氣比例閥、電磁閥、彎頭、氣缸、氣爪、過濾器、墊片 其他 管類、電線、硅片、拋光液、清洗類、工具類、五金類 資料來源：華海清科招股書，華安證券研究所 數百億美金級別市場，國產替代仍在初期數百億美金級別市場，國產替代仍在初期 根據國內設備上市公司的招股書所披露的統計，半導體設備的成本

89、80%-90%為原材料采購，包括機械類，電氣類，儀表類等零部件。因此，假設設備行業的綜合毛利率 50%，零部件及原材料占成本的 80%，那么按照 1000 億美金的設備市場規模來計算，零部件的市場規模為 1000 億美元 50%80%=400 億美元。假設國內市場未來三年的穩態市場規模在全球設備市場規模的 20%-30%之間，那么國內半導體設備零部件及原材料的市場規模為 80 億-120 億美元。一方面，相關公司積極布局零部件領域，如北方華創，江豐電子，萬業企業，富創精密等在電氣類，機械類，儀器儀表類等多個環節有所布局，另一方面，國產設備廠商也有意提高自身的零部件國產供給率。如中微公司的刻蝕機

90、零部件，拓荊科技的 CVD 產品的零部件，華海清科的 CMP 設備的零部件國產采購比例均較高，近年來零部件國產化的采購速率正在增加。下一階段，零部件+原材料將繼續國產化的放量，同時也將在更加核心的元件和零部件層面突破。上述公司目前部分重要的核心零部件仍需進口，因此國產零部件仍有在結構和體量上繼續突破的空間。圖表圖表 3737 部分國產元件部分國產元件國產替代廠商國產替代廠商 零部件零部件 海外廠商海外廠商 國產廠商國產廠商 O-Ring 密封圈 Dupont、Greene Tweed 深圳暢揚、沸點密封、蘇州復芯 精密軸承(陶瓷)Fala,Kaydon 壓力計 MKS、Inficon 上海振太

91、 ESC 靜電吸盤 Shinko(新光電氣)、TOTO、NGK 君原電子、新納陶瓷、華卓精科、海拓創新 射頻電源 AE、MKS 恒運昌、神州半導體 真空泵 Edwards、Ebara(荏原)、Pfeifer Vacuum(普發)、Kashiyama 漢鐘精機、通嘉宏瑞、中科科儀、上海協微 石英件 Wonik、Ferrotec 凱德石英、上海強華、菲利華、寧波云德 陶瓷件 Kyocera、CoorsTek 蘇州珂瑪、卡貝尼、河南東微電子 殘余氣體分析儀 RGA Inficon、MKS 制冷機 Chiller SMC、ATS 北京京儀自動化 MFC 氣體流量計 Horiba、Brooks 北方華創

92、、萬業企業(Comparts)Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 29/31 證券研究報告 零部件零部件 海外廠商海外廠商 國產廠商國產廠商 Robot 機械手臂 Brooks、MKS 沈陽新松 EFEM 傳輸系統 Brooks、Rorze 果納半導體、銳潔機器人、華卓精科 ShowerHead 氣體噴淋頭 AMSEA、UMS,江豐電子、靖江先鋒 閥件 Fujikin，VAT，MKS，Swagelok，Hamlet 晶盛機電、中科艾爾、靖江佳佳 資料來源：半導體零部件產業現狀及對我國發展的建議，芯謀研究，華安證券研究所 江豐電子：江豐電子

93、：公司積極布局半導體零部件業務，與部分主流國內半導體設備公司建立合作，如北方華創、拓荊科技、芯源微、上海盛美、上海微電子、屹唐科技等，公司的各種半導體精密零部件產品正在加速放量。2021 年公司零部件業務收入 1.8 億元，同增239.96%。公司的各種精密零部件產品已經廣泛用于 PVD、CVD、刻蝕機等半導體設備，在多家芯片制造企業實現國產替代，并為國產設備公司批量交貨。萬業企業：萬業企業：公司通過浙江鐠芯控股 Compart Systems，Compart Systems 是全球領先的流量控制系統領域的零部件及組件的重要供應商，客戶遍及國內外主流半導體設備廠商。Compart System

94、s 產品用于半導體前道工藝中氧化/擴散、蝕刻和沉積等設備所需的精確氣體輸送系統，主要產品包括 BTP（Built To Print）組件、裝配件、密封件、氣棒總成、氣體流量控制器（MFC）、焊接件等。公司積極進入國內設備公司供應鏈，2021 年度營業收入約為 9.2 億元。富創精密：富創精密：富創精密是國內半導體設備精密零部件龍頭，其精密零部件產品可以應用于 7 納米工藝制程半導體設備，技術水平全球領先。公司產品分為半導體設備和泛半導體類，除了應用于集成電路設備外，還有制造顯示面板、光伏產品等領域。2021 年半導體設備業務實現收入 7.3 億元，占總營收比例 88%。Table_Compan

95、yRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 30/31 證券研究報告 相關相關公司盈利預測：公司盈利預測：（數據來源于 wind 一致預期）公公 司司 EPSEPS（元）（元）PEPE 20202222E E 2022023 3E E 2022024 4E E 20202222E E 2022023 3E E 2022024 4E E 北方華創 3.4 4.7 6.3 85.8 61.9 47.1 中微公司 1.8 2.3 2.9 70.2 55.0 43.7 拓荊科技 1.4 2.2 3.3 219.8 131.2 89.1 華海清科 3.6 5.7 7.4 94.5

96、 60.0 46.4 芯源微 1.6 2.4 3.5 120.3 78.5 54.3 萬業企業 0.5 0.6 0.7 46.7 37.0 31.3 至純科技 1.2 1.7 2.1 32.2 23.4 18.4 精測電子 1.0 1.4 1.8 43.2 32.5 24.8 華峰測控 9.9 13.6 17.8 37.8 27.6 21.1 長川科技 0.8 1.3 1.7 72.3 48.0 36.0 新萊應材 1.5 2.2 2.9 49.9 35.1 26.6 資料來源：wind,華安證券研究所 風險提示：風險提示：國產化進展不及預期；國產產線擴產不及預期；逆全球化產業鏈供應不順暢等。

97、Table_CompanyRptType 行業研究行業研究 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 31/31 證券研究報告 Table_Introduction Table_Reputation 重要聲明重要聲明 分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，以勤勉的執業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，本報告所采用的數據和信息均來自市場公開信息，本人對這些信息的準確性或完整性不做任何保證，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。報告中的信息和意見僅供參考。本人過去不曾與、現在不與、未來也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀

98、點而直接或間接收任何形式的補償，分析結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。免責聲明免責聲明 華安證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本報告由華安證券股份有限公司在中華人民共和國（不包括香港、澳門、臺灣）提供。本報告中的信息均來源于合規渠道，華安證券研究所力求準確、可靠，但對這些信息的準確性及完整性均不做任何保證。在任何情況下，本報告中的信息或表述的意見均不構成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司、本公司員工或者關聯機構不承諾投資者一定獲利，不與投資者分享投資收益，也不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。投資者務必注意，其據此

99、做出的任何投資決策與本公司、本公司員工或者關聯機構無關。華安證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服務或其他服務。本報告僅向特定客戶傳送，未經華安證券研究所書面授權，本研究報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。如欲引用或轉載本文內容，務必聯絡華安證券研究所并獲得許可，并需注明出處為華安證券研究所，且不得對本文進行有悖原意的引用和刪改。如未經本公司授權，私自轉載或者轉發本報告，所引起的一切后果及法律責任由私自轉載或轉發者承擔。本公司并保留追究其法律

100、責任的權利。Table_RankIntroduction 投資評級說明投資評級說明 以本報告發布之日起 6 個月內，證券（或行業指數）相對于同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅作為基準，A股以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以恒生指數為基準；美國市場以納斯達克指數或標普 500 指數為基準。定義如下：行業評級體系行業評級體系 增持未來 6 個月的投資收益率領先市場基準指數 5%以上;中性未來 6 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%;減持未來 6 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%以上;公司評級體系公司評級體系 買入未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 15%以上；增持未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 5%至 15%；中性未來 6-12 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%；減持未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%至 15%；賣出未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 15%以上；無評級因無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級。