芯源微-公司研究報告-涂膠顯影突破壟斷盡享充裕市場空間-230606（31頁）.pdf

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1、 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 涂膠顯影突破壟斷，盡享充裕市場空間 芯源微(688037)主要觀點主要觀點:芯源微 2022 年營收增長 67.12%，三年復合增長率約為 87.3%，我們認為公司作為國內涂膠顯影設備和單片式濕法設備頭部企業，將在半導體設備國產化的趨勢下快速發展。涂膠顯影設備國內廠商獨家，突破日系廠商壟斷涂膠顯影設備國內廠商獨家，突破日系廠商壟斷 根據中商產業研究院，當前中國大陸涂膠顯影市場日本廠商TEL、DNS 占據了超過 95%市場，芯源微是國內唯一上榜的企業。根據公司年報，2022 年公司前道涂膠顯影機簽單實現了快速放量，其中 offline、I-line、KrF

2、 機臺均實現批量銷售，完成晶圓加工環節 28nm 及以上工藝節點全覆蓋。隨著公司產品的不斷成熟，同時疊加國際貿易的不確定性增強，國內越來越多的晶圓廠正在加速公司前道涂膠顯影機的導入進程。我們認為芯源微在涂膠顯影技術處于國內領先，并不斷升級精進，涂膠顯影設備一般與光刻機緊密配合，積累的技術經驗也是芯源微重要的競爭壁壘。面對廣闊的市場空間，涂膠顯影設備國內市場份額有望實現快速提升。前道物理清洗行業領先，化學清洗持續研發前道物理清洗行業領先，化學清洗持續研發 芯源微前道單片式物理清洗設備可用于 28 nm 及以上工藝節點，憑借其高產能、高顆粒去除能力、高性價比等優勢受到下游客戶的廣泛認可，并確立了市

3、場領先優勢。目前在清洗領域化學清洗占主流。芯源微嘗試拓展產品線，在化學清洗品類尋求突破，研發在 28nm 以下工藝節點的應用。我們認為芯源微在鞏固物理清洗的基礎下，積極探索更廣闊的化學清洗市場，打開了未來成長空間。在手訂單充足，擴產有望與需求同時放量在手訂單充足，擴產有望與需求同時放量 據公司公告，2022 年底，芯源微已有約 5.84 億元合同負債，在公司產能近乎維持滿產情況下，合同負債大幅增加表明公司在手訂單量充足。根據公司公告，2022 年芯源微新簽訂單 22 億元，我們認為，下游廠商持續擴產有利于芯源微獲得持續批量訂單。根據公司官網顯示，上海臨港廠區將于 2023 年第四季度竣工。我們

4、認為，屆時公司產能將大幅提高，外加下游廠商設備需求量旺盛，在手訂單及新簽訂單將實現快速放量，營業收入有望同步放量增長。投資建議投資建議:評級及分析師信息 Table_Rank 評級：評級：增持 上次評級：首次覆蓋 目標價格：目標價格：最新收盤價：289.4 Table_Basedata 股票代碼：股票代碼：688037 52 周最高價/最低價：337.01/129.46 總市值總市值(億億)268.77 自由流通市值(億)268.77 自由流通股數(百萬)92.87 Table_Pic 分析師：劉奕司分析師：劉奕司 郵箱： SAC NO：S1120521070001 聯系電話：-16%7%29

5、%52%75%98%2022/062022/092022/122023/03相對股價%芯源微滬深300Table_Date 2023 年 06 月 06 日 僅供機構投資者使用 證券研究報告|公司深度研究報告 170939 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 2 我們認為涂膠顯影和清洗設備將為芯源微未來主要的營收增長點。公司在涂膠顯影市場擁有強大的競爭力，當前國內市場被日系廠商占據絕大部分市場，未來芯源微有充分替代空間。清洗設備進軍更廣闊的化學清洗市場，有望實現放量增長。1.涂膠顯影設備 根據公司年報，2019-2022 年公司光刻工序涂膠顯影設備營收復合增長

6、高達 89%，我們認為芯源微本身具備國內領先的涂膠顯影技術水平并不斷提升，國內擁有大量的替代空間，看好營收持續快速增長。2.清洗設備 根據公司年報，2019-2022 年公司單片式濕法設備營收復合增長高達 79%，其中清洗設備為重要的一部分。我們認為芯源微在單片式物理清洗設備已經取得一定成績，在拓展化學清洗市場后，有望實現更快的增長。預計公司 2023 年-2025 年分別實現收入為 18.99 億元、28.14 億元和 38.81 億元，分別實現歸母凈利潤為 2.68 億元、3.94 億元和 5.23 億元，對應 EPS 分別為 2.88 元、4.24 元和 5.63 元，對應 2023 年

7、 6 月 05 日收盤價 289.40 元/股，2023 年-2025 年 PE分別為 100 倍、68 倍、51 倍，首次覆蓋，給予公司“增持”評級。風險提示風險提示 國際貿易摩擦加??；下游需求不及預期；公司技術研發與新產品推廣不及預期；行業競爭加??；半導體行業周期性波動風險。盈利預測與估值盈利預測與估值 Table_profit 財務摘要 2021A2021A 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 營業收入(百萬元)829 1,385 1,899 2,814 3,881 YoY（%）152.0%67.1%37.1%48.2%37.9%歸母凈

8、利潤(百萬元)77 200 268 394 523 YoY（%）58.4%158.8%33.8%47.2%32.6%毛利率（%）38.1%38.4%38.2%38.7%38.6%每股收益（元）0.92 2.27 2.88 4.24 5.63 ROE 8.6%9.5%11.3%14.2%15.9%市盈率 314.57 127.49 100.37 68.20 51.41 DZdUoWoWxUhZhUmQtObRcM6MnPnNtRmPkPmMtNjMqQoR6MpPzQNZsOqMwMoOzR 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 3 正文目錄 1.前道 Track

9、突圍者，芯源微高速發展.4 1.1.持續投入研發，核心零部件加速國產化.6 1.2.日本出口管制政策落地，芯源微有望重點獲益.9 1.3.在手訂單充足，產能與需求疊加增長.10 2.涂膠顯影引領增長，單片濕法設備穩步上升.13 2.1.涂膠顯影國內唯一，持續迭代突破壟斷.17 2.2.單片式濕法設備.21 2.2.1.物理清洗行業領先，化學清洗尋求突破.22 2.2.2.去膠機.25 2.2.3.濕法刻蝕機.26 3.投資建議.27 4.風險提示.28 圖表目錄 圖 1 芯源微發展歷程.4 圖 2 芯源微主要產品及下游客戶.5 圖 3 公司近三年營收保持高速增長（萬元）.5 圖 4 公司 20

10、22年歸母凈利潤大幅增長（萬元）.5 圖 5 2022 年研發人員研究生學歷人數占比 47.5%.6 圖 6 2022年研發人員 40 歲以下占比達到 94%.6 圖 7 2022 年中國大陸涂膠顯影設備市場占比.9 圖 8 芯源微近三年合同負債持續增加（萬元）.10 圖 9 芯源微上海臨港新廠區.12 圖 10 公司產品覆蓋領域主要工序.13 圖 11 晶圓制造設備及封裝設備全球銷售額預測（億美元）.14 圖 12 2022 年全球半導體設備市場中國大陸占約 26.3%的份額.15 圖 13 半導體設備國產化率持續快速提升.16 圖 14 光刻工藝流程示意圖.17 圖 15 涂膠工藝單元的工

11、作示意圖.18 圖 16 2016-2023年中國涂膠顯影設備行業市場規模情況.20 圖 17 清洗原理示意圖.22 圖 18 2022 年全球清洗設備市場份額占比情況.23 圖 19 2017-2022年中國半導體清洗設備市場規模.23 圖 20 2020-2023年全球前道物理清洗及單片式清洗設備市場空間（億美元）.24 圖 21 去膠原理示意圖.25 圖 22 刻蝕原理示意圖.26 表 1 芯源微多項關鍵技術取得突破.7 表 2 芯源微研發投入（元）.8 表 3 芯源微涂膠顯影設備.19 表 4 芯源微單片式濕法設備.21 表 5 公司收入結構.27 表 6 可比公司估值表.28 證券研

12、究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 4 1.1.前道前道 TrackTrack 突圍者，芯源微高速發展突圍者，芯源微高速發展 沈陽芯源微電子設備股份有限公司（證券簡稱“芯源微”）成立于 2002 年，是由中科院沈陽自動化研究所發起創建的國家高新技術企業，專業從事半導體生產設備的研發、生產、銷售與服務，致力于為客戶提供半導體裝備與工藝整體解決方案。圖 1 芯源微發展歷程 上市三年芯源微增長迅速。上市三年芯源微增長迅速。根據芯源微 2022 年年報，公司從 2019 年上市時的年收入 2.1 億元，成長到 2022 年的 13.8 億元，年復合增長率達到了 87.3%。

13、2022 年，公司實現營業收入 13.85 億元，同比增長 67.12%；歸屬于上市公司股東的凈利潤 2億元，同比增長 158.77%，經營性凈現金流 1.93 億元，同比大幅由負轉正。2022 年公司營業收入繼續保持高速增長，同時盈利能力持續提升，現金流回款情況良好。公司全年新簽訂單約 22 億元，再創歷史新高，其中前道產品實現了快速放量。200220052007200820112012201320162018201920202021公司前身沈陽芯源先進半導體技術有限公司設立。開辟8英寸凸點封裝新領域，Track產品銷售到國內最大封裝廠江陰長電。國內首臺先進封裝領域用12英寸Track產品銷

14、售應用，實現了國產IC裝備在晶片尺寸和新工藝上的重大突破。獲批承擔國家02重大科技專項“凸點封裝涂膠顯影、單片濕法刻蝕設備的開發與產業化”項目。芯源公司抓住LED產業大發展的機遇，產品成功占領國內LED市場。獲批承擔國家02重大專項“300mm晶圓勻膠顯影設備研發”項目。芯源公司產品銷售實現重大突破，先進封裝領域用噴膠設備批量出口到臺灣市場。芯源公司主持制定的行業標準噴霧式涂覆設備通用規范正式頒布實施。公司開發的國內首臺高產能前道Track設備“奉天一號”出廠進行工藝驗證。2019年12月16日，芯源微在上交所科創板上市，成為遼寧省“科創板第一股”2020年7月27日，芯源公司高端晶圓處理設備

15、產業化項目開工芯源公司第1000臺設備銷售出廠 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 5 圖 2 芯源微主要產品及下游客戶 芯源微持續保持營收的高速增長，近三年營收增速均超芯源微持續保持營收的高速增長，近三年營收增速均超 5 50%0%，我們認為基于公司，我們認為基于公司產品不斷迭代更新，營收有望保持高速增長態勢。產品不斷迭代更新，營收有望保持高速增長態勢。根據公司年報，2022 年營業收入同比增長 67.12%，主要原因是半導體行業景氣度持續向好，同時公司產品競爭力不斷增強，新簽訂單同比大幅增長，收入規模持續增長。隨著公司前道涂膠顯影機ArFi 機臺的推出，標

16、志著公司前道涂膠顯影設備已完成在晶圓加工環節 28nm 及以上工藝節點全覆蓋，并可持續向更高工藝等級迭代。前道涂膠顯影機已陸續開始放量，將迎來批量訂單的增長拐點。公司生產的前道物理清洗機設備較為成熟，已成為國內晶圓廠 baseline 產品，在高產能清洗架構、顆粒去除能力等指標上實現了進一步的提升，產品競爭力不斷增強，國內市占率穩步提升。公司在集成電路制造后道先進封裝、化合物等小尺寸領域深耕多年，憑借持續的技術創新、高性價的產品及優質的售后服務，持續鞏固國內領先地位。新產品化學清洗機的研發測試正在進行中，屆時化學清洗機將成為芯源微新的增長點。圖 3 公司近三年營收保持高速增長（萬元）圖 4 公

17、司 2022 年歸母凈利潤大幅增長（萬元）138,48654.3%152.0%67.1%020406080100120140160020,00040,00060,00080,000100,000120,000140,000160,0002016201720182019202020212022營業總收入(萬元)同比(%)20,01666.8%58.4%158.8%-2002040608010012014016018005,00010,00015,00020,00025,0002016201720182019202020212022歸屬母公司股東的凈利潤(萬元)同比(%)證券研究報告|公司深度研究

18、報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 6 研發投入持續增加，研發人員大幅擴充，技術優勢進一步加強。研發投入持續增加，研發人員大幅擴充，技術優勢進一步加強。公司持續加大自主研發力度，不斷對產品進行技術完善和革新，實現了在整機產品、核心單元技術、核心零部件等多方面的實質性突破，公司全年研發支出 15,213.56 萬元，同比增長64.47%，其中研發人員薪酬合計 6274.66 萬元，同比增長 52.5%。截至 2022 年底，公司研發人員數量達到 295 人，較 2021 年底增加了 78 人，其中碩士及以上學歷人數占比達到 47.5%；同時 40 歲以下研發人員 278 人，占比達到 9

19、4%。研發團隊實力進一步加強，為公司持續加強研發投入提供了高質量人才保障。圖 5 2022 年研發人員研究生學歷人數占比 47.5%圖 6 2022 年研發人員 40 歲以下占比達到 94%1.1.1.1.持續投入研發，核心零部件加速國產化持續投入研發，核心零部件加速國產化 芯源微高度重視新技術、新產品和新工藝的研發工作。芯源微高度重視新技術、新產品和新工藝的研發工作。根據公司年報顯示，2022 年公司研發支出 15,213.56 萬元，占營業收入的 10.99%。通過多年的技術積累以及承擔國家 02 重大專項，公司已經成功掌握包括涂膠顯影設備、單片式濕法設備等產品多項核心技術，并形成了完善的

20、自主知識產權。截至 2022 年 12 月 31 日，公司共獲得專利授權 245 項，其中發明專利 171 項（中國大陸地區發明專利 153 項，中國臺灣地區發明專利 16 項，美國發明專利 2 項），實用新型專利 45 項，外觀設計專利 29 項；擁有軟件著作權 60 項。博士研究生,3人碩士研究生,137人本科,150人?？?5人30歲以下,166人30-40歲,112人40歲以上,17人 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 7 表 1 芯源微多項關鍵技術取得突破 類別類別 核心技術名稱核心技術名稱 技術來源技術來源 具體表征具體表征 光刻光刻工序工序涂膠

21、涂膠顯影顯影設備設備 光刻工藝膠膜光刻工藝膠膜均勻涂敷技術均勻涂敷技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：集成電路前道晶圓加工領域：28nm28nm 及以上技術節點，達到國際先進水平；在及以上技術節點，達到國際先進水平；在 I I-lineline 和和KrfKrf 設備設備工藝上，實現規?；慨a；在工藝上，實現規?；慨a；在ArFiArFi 設備工藝上，已顯著減少與國際知名企業差距，通過客戶工設備工藝上，已顯著減少與國際知名企業差距，通過客戶工藝、良率驗證，達到量產運用能力；集成電路后道先進藝、良率驗證，達到量產運用能力；集成電路后道先進封裝領域：部分達到國際先進水平，如封裝領域：

22、部分達到國際先進水平，如厚膠膜涂覆均勻性方面；翹曲厚膠膜涂覆均勻性方面；翹曲waferwafer 傳送穩定性方面部分不低于國際知名企業，如超厚膠膜涂傳送穩定性方面部分不低于國際知名企業，如超厚膠膜涂覆均勻性方面；化合物、覆均勻性方面；化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：達到國際先進水平。芯片制造等領域：達到國際先進水平。不規則晶圓表不規則晶圓表面噴涂技術面噴涂技術 自主研發自主研發 集成電路后道先進封裝領域：部分不低于國際知名企業，如溝槽拐角膜厚與平面目標膜厚比集成電路后道先進封裝領域：部分不低于國際知名企業，如溝槽拐角膜厚與平面目標膜厚比等；部分達到國際先進水平，如產能、

23、噴涂固化溫度均勻性、厚膜平面噴涂均勻性等；部分等；部分達到國際先進水平，如產能、噴涂固化溫度均勻性、厚膜平面噴涂均勻性等；部分弱于國際知名企業，如薄膜平面噴涂均勻性等。弱于國際知名企業，如薄膜平面噴涂均勻性等。精細化顯影技精細化顯影技術術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工集成電路前道晶圓加工領域：領域：28nm28nm 及以上技術節點，已達到國際先進水平及以上技術節點，已達到國際先進水平,在在 I I-lineline 和和KrfKrf 設設備工藝上，實現規?；慨a；在備工藝上，實現規?；慨a；在 ArFiArFi 設備工藝上，已顯著減少與國際知名企業差距，通過客戶工設備工藝上，已顯著減

24、少與國際知名企業差距，通過客戶工藝、良率驗證，達到量產運用能力；化合物、藝、良率驗證，達到量產運用能力；化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：達到國際先進水平。芯片制造等領域：達到國際先進水平。高產能設備架高產能設備架構及機械手優構及機械手優化調度技術化調度技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：第三代高產能架構已達到國際先進水平集成電路后道先進封裝領集成電路前道晶圓加工領域：第三代高產能架構已達到國際先進水平集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水平；化合物、域：達到國際先進水平；化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：達到國際先進水平。芯片制造等

25、領域：達到國際先進水平。內部微環境精內部微環境精確控制技術確控制技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：集成電路前道晶圓加工領域：28nm28nm 及以上技術節點，公司顆?？刂浦笜诉_到國際先進水平；設備及以上技術節點，公司顆?？刂浦笜诉_到國際先進水平；設備內部環境溫、濕度控制精度技術能力也全面提升；已達到量產運用的階段。集成電路后道先進封內部環境溫、濕度控制精度技術能力也全面提升；已達到量產運用的階段。集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水平；化合物、裝領域：達到國際先進水平；化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：達到國際先進水平。芯片制造等領域：達到國際先進水平

26、。光刻機聯機調光刻機聯機調度技術度技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：可實現前道涂膠顯影機與多種主流光刻機集成電路前道晶圓加工領域：可實現前道涂膠顯影機與多種主流光刻機 InlineInline 聯機作業能力和遠聯機作業能力和遠程無人化操作化合物、程無人化操作化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：已實現與光刻機芯片制造等領域：已實現與光刻機 InlineInline 聯機作業能力和遠程聯機作業能力和遠程無人化操作。無人化操作。超高溫度與超超高溫度與超高精度烘烤固高精度烘烤固化技術化技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：集成電路前道晶圓加工領域：28n

27、m28nm 及以上技術節點，達到國際先進水平及以上技術節點，達到國際先進水平,通過客戶工藝驗證，達通過客戶工藝驗證，達到量產運用能力到量產運用能力 自動光學缺陷自動光學缺陷檢測技術檢測技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：集成電路前道晶圓加工領域：28nm28nm 及以上技術節點，通過客戶工藝驗證，達到量產運用能力及以上技術節點，通過客戶工藝驗證，達到量產運用能力 單片單片式濕式濕法設法設備備 工藝單元參數工藝單元參數精確控制技術精確控制技術 自主研發自主研發 集成電路后道先進封裝及前道晶圓加工領域，化合物、集成電路后道先進封裝及前道晶圓加工領域，化合物、MEMSMEMS、LEDL

28、ED 芯片制造等領域：部分達到國芯片制造等領域：部分達到國際先進水平：如工藝單元參數控制精度、工藝單際先進水平：如工藝單元參數控制精度、工藝單 元控制穩定性。元控制穩定性。高產能設備架高產能設備架構及機械手優構及機械手優化調度技術化調度技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：設備工藝產能達到國際先進集成電路前道晶圓加工領域：設備工藝產能達到國際先進 水平；集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水平；化合物、水平；集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水平；化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：芯片制造等領域：同種工藝條件下，達到國際先進水平。同種工藝條件下，達到國際

29、先進水平。晶圓正反面顆晶圓正反面顆粒清洗技術粒清洗技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：集成電路前道晶圓加工領域：40nm40nm 及以上，顆粒去除率達到國際先進水平。晶圓刷洗壓力精確控及以上，顆粒去除率達到國際先進水平。晶圓刷洗壓力精確控制、晶圓防損傷技術達到國際先進水平。制、晶圓防損傷技術達到國際先進水平?；瘜W藥品精確化學藥品精確供給及回收技供給及回收技術術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：達到國際先進水平；集成電路后道先進集成電路前道晶圓加工領域：達到國際先進水平；集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水封裝領域：達到國際先進水平；化合物、平；化合物、MEMSME

30、MS、LEDLED 芯片制造等領域：達到國際先進水平。芯片制造等領域：達到國際先進水平。內部微環境精內部微環境精確控制技術確控制技術 自主研發自主研發 集成電路前道晶圓加工領域：達到國際先進水平；集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水集成電路前道晶圓加工領域：達到國際先進水平；集成電路后道先進封裝領域：達到國際先進水平；化合物、平；化合物、MEMSMEMS、LEDLED 芯片制造等領域：達到國際先進水平。芯片制造等領域：達到國際先進水平。不同尺寸晶圓不同尺寸晶圓兼容高效能浸兼容高效能浸泡單元技術泡單元技術 自主研發自主研發 集成電路后道先進封裝領域：部分領先于國際知名企業，如多種尺寸晶圓兼容

31、技術。集成電路后道先進封裝領域：部分領先于國際知名企業，如多種尺寸晶圓兼容技術。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 8 公司持續投入研發，在前道涂膠顯影設備、高端封裝涂膠顯影設備、單片式濕公司持續投入研發，在前道涂膠顯影設備、高端封裝涂膠顯影設備、單片式濕法設備以及核心零部件技術研發在多項關鍵技術方面取得突破。法設備以及核心零部件技術研發在多項關鍵技術方面取得突破。在前道涂膠顯影設備領域成功掌握了超高溫度與超高精度烘烤固化技術、自動光學缺陷檢測技術等核心技術，可滿足更高等級的工藝需求；在前道物理清洗領域，公司新一代高產能物理清洗機可搭載 12 個工藝腔體，通過

32、優化晶圓傳送系統大幅提升了設備產能，第二代清洗噴嘴在實現更高等級顆粒去除能力的同時可降低氮氣消耗并減少結構沖擊；在后道先進封裝領域，化學藥品精確供給及回收等技術已達到國際先進水平；在化合物、MEMS、LED 芯片制造等領域，高產能架構等技術已達到國際先進水平。公司在研項目預計總投資規模超四億元，其中 2022 年投入金額已逾 1.5 億元。表 2 芯源微研發投入（元）項目名稱項目名稱 預計總投資規模預計總投資規模 20202 22 2 年投入年投入金額金額 累計投入金累計投入金額額 進展或進展或階段性階段性成果成果 擬達到目標擬達到目標 技術技術水平水平 具體應用前具體應用前景景 前道涂膠前道

33、涂膠顯影設備顯影設備及核心單及核心單元研發和元研發和產業化產業化 173,980,614173,980,614 56,388,46456,388,464 117,130,983117,130,983 持續研持續研發階段發階段 研究解決環境溫濕度控制、晶圓傳研究解決環境溫濕度控制、晶圓傳送等關鍵技術，制作單元樣機進行送等關鍵技術，制作單元樣機進行工藝驗證，進一步優化單元和整機工藝驗證，進一步優化單元和整機設計，提高產品的可靠性、穩定設計，提高產品的可靠性、穩定性，進一步提升產品的技術等級和性，進一步提升產品的技術等級和應用范圍，研究高產能傳送單元及應用范圍，研究高產能傳送單元及控制系統解決方案控

34、制系統解決方案 弱于弱于國際國際知名知名企業企業 可應用于集可應用于集成電路前道成電路前道晶圓加工領晶圓加工領域域 高端封裝高端封裝涂膠顯影涂膠顯影設備研制設備研制 23,925,00023,925,000 1,474,9711,474,971 7,354,0587,354,058 持續研持續研發階段發階段 研究解決高端封裝涂膠顯影設備及研究解決高端封裝涂膠顯影設備及化合物芯片疊層設備關鍵技術，制化合物芯片疊層設備關鍵技術，制作樣機進行工藝驗證，進一步優化作樣機進行工藝驗證，進一步優化單元和整機設計，提高產品的可靠單元和整機設計，提高產品的可靠性、穩定性，進一步提升產品的技性、穩定性，進一步提

35、升產品的技術等級和應用范圍術等級和應用范圍 部分部分等同等同國際國際知名知名企業企業 可應用于集可應用于集成電路后道成電路后道先進封裝領先進封裝領域域 單片式濕單片式濕法設備研法設備研制制 79,258,59679,258,596 23,128,79123,128,791 36,830,46036,830,460 持續研持續研發階段發階段 研究解決濕法設備關鍵技術，制作研究解決濕法設備關鍵技術，制作樣機進行工藝驗證，進一步優化單樣機進行工藝驗證，進一步優化單元和整機設計，提高產品的可靠元和整機設計，提高產品的可靠性、穩定性，進一步提升產品的技性、穩定性，進一步提升產品的技術等級和應用范圍；研究

36、解決提高術等級和應用范圍；研究解決提高清洗設備產能，研發新一代高產能清洗設備產能，研發新一代高產能清洗機。研究開發化學清洗關鍵技清洗機。研究開發化學清洗關鍵技術，進一步優化單元和整機設計術，進一步優化單元和整機設計 部分部分等同等同國際國際知名知名企業企業 可應用于集可應用于集成電路前道成電路前道晶圓加工及晶圓加工及后道先進封后道先進封裝領域裝領域 核心零部核心零部件技術研件技術研發發 130,497,027130,497,027 71,143,33671,143,336 114,342,491114,342,491 持續研持續研發階段發階段 研究解決晶圓溫度控制、運動控研究解決晶圓溫度控制、

37、運動控制、自動控制、視覺檢測、平臺優制、自動控制、視覺檢測、平臺優化等關鍵技術，制作單元樣機進行化等關鍵技術，制作單元樣機進行工藝驗證，進一步優化單元設計工藝驗證，進一步優化單元設計 部分部分等同等同國際國際知名知名企業企業 可應用于集可應用于集成電路前道成電路前道晶圓加工及晶圓加工及后道先進封后道先進封裝領域裝領域 合合 計計 407,661,238407,661,238 152,135,564152,135,564 275,657,993275,657,993 /證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 9 1.2.1.2.日本出口管制政策落地，芯源微日本出口管

38、制政策落地，芯源微有望重點獲益有望重點獲益 2023 年 5 月 23 日，日本經濟產業省正式公布了外匯法的法令修正案，將尖端半導體制造設備等 23 個品類列入出口管理限制對象名單，并將于7 月 23 日正式施行。根據參考消息的報道，雖然修正后并未把中國等特定國家和地區指定為限制對象，但追加的 23 個品類除了向友好國等 42 個國家和地區出口外，均需要單獨得到批準。此前美國已嚴格限制對中國出口尖端半導體制造設備，此次日本半導體設備出口管制政策落地表明日本將與美國保持步調一致。據芯智訊統計，被新增列入出口管制設備品類包括：3 項清洗設備、11 項薄膜沉積設備、1 項熱處理設備、4 項光刻設備、

39、3 項蝕刻設備、1 項測試設備，其中就包其中就包括芯源微的主要產品光刻工序涂膠顯影設備。括芯源微的主要產品光刻工序涂膠顯影設備。據芯智訊的信息顯示，此次出口限制的光刻設備主要是 45nm 以下工藝制程的光刻機，以及用于 EUV 光刻機的涂膠顯影設備。目前國內涂膠顯影設備市場仍然被日本東京電子高度壟斷。根據中商產業研究院估算，2022 年，東京電子 TEL 在中國大陸的市占率高達 91%，其次為 DNS，占比接近 5%。日本企業涂膠顯影設備大陸市場占比高達 96%，而涂膠顯影設備國產廠商市場占比僅有 4%，其均為芯源微產品。在國內涂膠顯影設備廠商中，芯源微優勢明顯。根據公司年報，芯源微在國內涂膠

40、顯影設備廠商中，芯源微優勢明顯。根據公司年報，芯源微是國內是國內唯一可以提供量產型前道涂膠顯影機的設備商。唯一可以提供量產型前道涂膠顯影機的設備商。2022 年，公司光刻工序涂膠顯影設備營業收入達到 7.57 億元，占年營業總收入的一半以上。同年芯源微首臺浸沒式高產能涂膠顯影機業已實現驗收，標志著公司前道涂膠顯影設備已完成在晶圓加工環節28nm 及以上工藝節點的全覆蓋，并持續向更高工藝等級迭代。我們認為，日本半導體設備限令我們認為，日本半導體設備限令有望助力有望助力芯源微芯源微加快發展加快發展。盡管此次日本出口管制政策僅針對用于 EUV 光刻機的涂膠顯影設備，但是隨著國際貿易的不確定性增強，無

41、法排除進一步限制設備出口的可能性。我們認為在成熟制程工藝領域，芯源微憑借更具性價比的設備，已有一定實力與日本廠家競爭，逐步打破壟斷、搶占市場份額，在禁令之下，更多的下游客戶會更加重視國產設備，利于芯源微繼續加快發展。圖 7 2022 年中國大陸涂膠顯影設備市場占比 91%5%4%TELDNS芯源微 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 10 1.3.1.3.在手訂單充足，在手訂單充足，產能與需求產能與需求疊加增長疊加增長 根據芯源微近三年年報顯示，公司合同負債較前兩年大幅度增加。根據芯源微近三年年報顯示，公司合同負債較前兩年大幅度增加。從 2020 年底的 1.

42、32 億元增長至 2021 年底的 3.52 億元，到 2022 年底，芯源微已有約 5.84 億元合同負債，在公司產能近乎維持滿產情況下，合同負債大幅增加表明公司在手訂單量充足。根據公司公告，2022 年芯源微新簽訂單 22 億元，下游需求不斷增加，建設新廠、擴充產能勢在必行。圖 8 芯源微近三年合同負債持續增加（萬元）下游主要客戶擴產意愿不減，半導體設備需求旺盛，芯源微持續受益。下游主要客戶擴產意愿不減，半導體設備需求旺盛，芯源微持續受益。其中除其中除了存儲邏輯的客戶，我們認為了存儲邏輯的客戶，我們認為后道封裝后道封裝客戶的訂單客戶的訂單也也是是值得關注的值得關注的部分。部分。在未來重點的

43、技術如 Chiplet 等，芯源微也已有布局鍵合等技術。根據芯源微年報，在后道先進封裝領域，公司作為行業龍頭持續提升機臺各項技術指標，全新的BHP 盤體平衡壓技術可應用于 Chiplet 等新興先進封裝領域，在更高工藝等級下實現了產品良率的提升；化學藥液管控技術實現了對強揮發性、強腐蝕性化學藥液揮發物的精準管控，達到了更高標準的機臺耐腐蝕等級和產品工藝效果；新開發的激光解鍵合去膠清洗技術，實現了在同一機臺內完成激光解鍵合-RL 層清洗-TB 膠層清洗等多種工藝，可有效提升客戶生產效率。2022 年，公司在多項工藝能力上達到了更高水平，力爭為客戶提供更具價值的產品解決方案，同時積極定義下一代產品

44、。芯源微已與封測客戶建立緊密聯系。根據芯源微年報，2022 年，公司后道先進封裝領域用涂膠顯影設備、單片式濕法設備實現批量銷售超百臺套，近年來已作為主流機型批量應用于臺積電、長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、中芯紹興、中芯寧波等國內一線大廠，已經成為客戶端的主力量產設備。2022 年，公司加深與盛合晶微、長電紹興、上海易卜等國內新興封裝勢力的合作關系，成功批量導入各類設備。公司在后道先進封裝及化合物等小尺寸領域，公司作為行業龍頭持續提升機臺各項技術指標，鞏固市場領先優勢?；诠驹谌S封裝工藝已有多年的技術儲備和前期應用，將快速切入到新興的 Chiplet 大市場。13,237.7235

45、,269.5058,478.71010,00020,00030,00040,00050,00060,000202020212022 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 11 根據長電科技官網信息顯示，長電科技為全球第三、中國大陸第一的芯片成品制造企業。據無錫日報報道，2022 年 7 月 29 日，長電微電子晶圓級微系統集成高端制造項目開工。項目總投資 100 億元，是我國集成電路封測和芯片成品制造行業生產技術水平最高、單體投資規模最大的大型智能制造項目。長電微電子晶圓級微系統集成高端制造項目一期建成后，可達年產 60 億顆高端先進封裝芯片的生產能力。產品將集

46、中在高密度晶圓級技術和高密度倒裝技術相結合的微系統集成應用，支持 5G、人工智能、物聯網、汽車電子等終端應用，代表著全球封測行業未來的主要發展方向。根據長電科技公告，根據長電科技公告，項目預計兩年左右時間完工，而長電科技項目預計兩年左右時間完工，而長電科技 20232023 年計劃資本支出年計劃資本支出6565 億億。我們認為，該項目有望于我們認為，該項目有望于 2424-2525 年完工，對設備需求量較大年完工，對設備需求量較大，一般都會，一般都會提前進提前進行采購行采購。芯源微作為國內涂膠顯影設備龍頭，后道先進封裝領域用涂膠顯影設備、單片式濕法設備近年來已作為主流機型批量應用于長電科技，后

47、者的擴產有望加深雙方合作，進一步導入各類設備。封測領域另一家廠商華天科技也在積極擴產，根據華天科技公告，同意全資子公司華天科技（江蘇）有限公司投資 28.58 億元進行“高密度高可靠性先進封測研發及產業化”項目的建設。新建廠房及配套設施約 17 萬 m2，購置主要生產工藝設備儀器476 臺（套）。項目建成投產后形成 Bumping 84 萬片、WLCSP 48 萬片、超高密度扇出 UHDFO 2.6 萬片的晶圓級集成電路年封測能力。我們認為，下游廠商持續擴產有利于芯源微獲得持續批量訂單，外加在手訂單我們認為，下游廠商持續擴產有利于芯源微獲得持續批量訂單，外加在手訂單充足，公司產線能夠繼續維持滿

48、產狀態。充足，公司產線能夠繼續維持滿產狀態。根據公司投關活動記錄表顯示，目前芯源微共有三大廠區，包括沈陽飛云路廠區、彩云路廠區以及上海臨港廠區。其中飛云路廠區、彩云路廠區均已投入生產，基本達到了滿產狀態，上海臨港廠區正在加快建設當中。2022 年，芯源微上海廠區在臨港新片區重裝備產業區全面開工，園區占地 45 畝、規劃總建筑面積約 5.4 萬平方米。上海芯源微力求打造更高技術節點半導體設備，主要開展 28nm 及以下高端工藝技術節點的集成電路光刻工藝涂膠顯影設備、化學清洗設備及其核心零部件研發及產業化，建成后將加速高端半導體設備國產替代進程。根據公司公告顯示，2023 年初，芯源微上海臨港研發

49、及產業化項目主體結構已經順利封頂。根據公司官網顯示，上海臨港廠區將于 2023 年第四季度竣工。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 12 圖 9 芯源微上海臨港新廠區 根據公司投關活動記錄表，公司在 2024 年能夠保障 40-50 億元的產能。公司現有的產能儲備較為充沛，未來也將根據簽單情況合理布局新一輪擴產計劃。我們認為，屆時公司產能將大幅提高我們認為，屆時公司產能將大幅提高，外加下游廠商設備需求量旺盛，在手訂外加下游廠商設備需求量旺盛，在手訂單及新簽訂單將實現快速放量，營業收入有望同步放量增長。單及新簽訂單將實現快速放量，營業收入有望同步放量增長。證券研

50、究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 13 2.2.涂膠顯影引領增長，單片濕法設備穩步上升涂膠顯影引領增長，單片濕法設備穩步上升 公司主要為下游集成電路、公司主要為下游集成電路、LED LED 芯片等半導體產品制造企業提供光刻工序涂膠芯片等半導體產品制造企業提供光刻工序涂膠顯影設備或單片式濕法設備等產品。顯影設備或單片式濕法設備等產品。公司主要從事半導體專用設備的研發、生產和銷售，產品包括光刻工序涂膠顯影設備（涂膠/顯影機、噴膠機）和單片式濕法設備（清洗機、去膠機、濕法刻蝕機），可用于 8/12 英寸單晶圓處理（如集成電路制造前道晶圓加工及后道先進封裝環節）及 6 英

51、寸及以下單晶圓處理（如化合物、MEMS、LED 芯片制造等環節）。圖 10 公司產品覆蓋領域主要工序 半導體被稱為制造業皇冠上的明珠，半導體產業是信息技術產業的核心，是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業，其技術水平和發展規模已成為衡量一個國家產業競爭力和綜合國力的重要標志之一。作為“工業糧食”,半導體芯片被廣泛地應用于計算機、消費類電子、網絡通信、汽車電子、物聯網等產業，是絕大多數電子設備的核心組成部分。從全球半導體設備行業來看，隨著下游電子、汽車、通信等行業需求的穩步增從全球半導體設備行業來看，隨著下游電子、汽車、通信等行業需求的穩步增長，以及物聯網、長，以及物聯網、

52、AIAI、云計算及大數據等新興領域的快速發展，集成電路產業面臨、云計算及大數據等新興領域的快速發展，集成電路產業面臨著新型芯片帶來的產能擴張需求，為半導體著新型芯片帶來的產能擴張需求，為半導體設備行業帶來廣闊的市場空間。設備行業帶來廣闊的市場空間。根據SEMI 數據，半導體制造設備全球總銷售額在 2022 年創下 1085 億美元的新高，連續三年創紀錄，較 2021 創下的 1025 億美元行業紀錄增長 5.9%。預計 2023 年全球半導體制造設備市場總額將收縮至 912 億美元，2024 年將在前道和后道市場的推動下反彈。2022 年全球晶圓廠前道設備領域投資達到 948 億美元的新行業紀

53、錄，同比增長8.3%。SEMI 預計，2023 年受全球半導體庫存調整等因素影響，晶圓廠前道設備投資將收縮 16.8%至 760 億美元，并將在汽車和計算領域以及一系列新興應用驅動下在2024 年反彈 17.2%至 920 億美元。在后道封裝設備領域，2022 年全球市場規模達到61.1 億美元。SEMI 預計，2023 年后道設備銷售額將降低至 52.9 億美元，2024 年復蘇至 65.7 億美元。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 14 圖 11 晶圓制造設備及封裝設備全球銷售額預測（億美元）資料來源：SEMI 報告，華西證券研究所 從我國半導體設備行業

54、來看，集成電路產業國際產能不斷向我國大陸地區轉移。從我國半導體設備行業來看，集成電路產業國際產能不斷向我國大陸地區轉移。據 SEMI 統計，2016-2021 年，我國大陸的半導體設備市場規模從 64.60 億美元增長至 296 億美元，年均復合增長率超過 35%，遠高于全球市場增速。中國大陸占全球半導體設備的比例從 2015 年的 13.41%上升到 2021 年的 28.86%。2022 年下半年受多重因素交疊影響，國內晶圓廠擴產增速進入放緩階段。2022 年，中國大陸半導體設備銷售額為 282.7 億美元，同比下降 4.6%。中國大陸連續三年保持全球半導體設備的第一大市場。8759487

55、8892471.761.152.965.78.3%-16.8%17.2%-14.8%-13.4%24.2%-20.0%-15.0%-10.0%-5.0%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%25.0%30.0%020040060080010001200202120222023E2024E晶圓制造設備銷售額(億美元)封裝設備銷售額(億美元)晶圓制造設備同比變化封裝設備同比變化 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 15 圖 12 2022 年全球半導體設備市場中國大陸占約 26.3%的份額 半導體設備國產化率持續快速提升。半導體設備國產化率持續快速提升。根

56、據芯謀研究數據顯示，2022 年國產半導體設備銷售額約 43 億美元左右，國產化率首次突破 10%，達到 12%。預計 2023 年國產半導體設備銷售額將達到 62 億美元，國產化率上升至 16%。近來來在國家科技重大專項和集成電路產業投資基金的支持下，我國半導體產業鏈不斷完善，特別是國內半導體設備制造業技術水平不斷提高。未來半導體的國產化勢必向著設備國產化方向傳導，國產設備進口替代趨勢將越趨明顯，國產替代空間巨大。此外隨著我國半導體產業發展階段逐步走向成熟，很多半導體廠商開始考慮在設備上節約成本，此時，采用產品性價比高、能滿足特定類型產品個性化需求并能夠提供及時、快速售后服務的國產半導體設備

57、已成為各大半導體廠商的重要選擇。26.3%24.9%20.0%9.7%7.8%5.8%5.5%合計1076.5億美元中國大陸中國臺灣韓國北美日本歐洲其他地區 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 16 圖 13 半導體設備國產化率持續快速提升 156244316328122543627.2%9.3%12.0%15.9%0.0%2.0%4.0%6.0%8.0%10.0%12.0%14.0%16.0%18.0%0501001502002503003502020202120222023E進口設備總額（億美元）國產設備總額（億美元）國產化率 證券研究報告|公司深度研究報

58、告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 17 2.1.2.1.涂膠顯影國內唯一，持續迭代突破壟斷涂膠顯影國內唯一，持續迭代突破壟斷 根據芯源微年報信息，根據芯源微年報信息，光刻工序涂膠顯影設備系集成電路制造過程中不可或缺光刻工序涂膠顯影設備系集成電路制造過程中不可或缺的關鍵處理設備，主要與芯片生產線上最龐大、最精密復雜、難度最大、價格最昂的關鍵處理設備，主要與芯片生產線上最龐大、最精密復雜、難度最大、價格最昂貴的設備貴的設備光刻機配合進行作業，通過機械手使晶圓在各系統間傳輸和處理，從光刻機配合進行作業，通過機械手使晶圓在各系統間傳輸和處理，從而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅膜等工藝過程

59、。而完成晶圓的光刻膠涂覆、固化、顯影、堅膜等工藝過程。作為光刻機的輸入（曝光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影），涂膠顯影機的性能不僅直接影響到細微曝光圖案的形成，其顯影工藝的圖形質量和缺陷控制對后續諸多工藝（諸如蝕刻、離子注入等）中圖形轉移的結果也有著深刻的影響。我們認為我們認為涂膠顯影設備需要與光刻工序緊密配合，在研發與產線不斷配合下完涂膠顯影設備需要與光刻工序緊密配合，在研發與產線不斷配合下完善產品，芯源微作為國內領先的供應商，通過研發調試與客戶配合所形成的技術經善產品，芯源微作為國內領先的供應商，通過研發調試與客戶配合所形成的技術經驗將形成一定的競爭壁壘，在未來的國產化替代中有望持

60、續保持龍頭地位。驗將形成一定的競爭壁壘，在未來的國產化替代中有望持續保持龍頭地位。在半導體制造過程中，光刻工序是集成電路的核心工序，其將掩膜版上的電路圖形轉移到硅片，八個環節分別為脫水烘烤、旋轉涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查。根據55nm 工藝中涂膠顯影機造成的缺陷及解決方案的研究的研究顯示，涂膠顯影機負責光刻工藝除曝光以外所有的工藝步驟，其包含 60-70 個工藝單元，正因為如此，在涂膠顯影機內發生的缺陷，相較光刻機更難鎖定具體的工藝單元，整個分析的過程就需要更多的時間以及相關經驗的累積。涂膠顯影設備由四部分構成，第一部分為晶圓的工作站，該部分裝著晶圓盒，依靠機械手臂

61、進行傳送至后續的第二部分，也就是涂膠顯影機的主體部分-工藝處理部分。主要的工藝單元都安裝在工藝處理部分如增粘模塊、冷熱板、涂膠單元、顯影單元等。接著也是依靠機械手臂將晶圓傳送至第三部分（為浸沒式光刻的配套單元），圖 14 光刻工藝流程示意圖 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 18 其中包括晶圓的沖洗及背清洗單元等，第四部分是與光刻機進行連接的模塊，包括儲存晶圓的緩沖盒、與光刻機交換晶圓的接口等。根據55nm 工藝中涂膠顯影機造成的缺陷及解決方案的研究的研究顯示，在處于 55 nm 量產階段的工廠中，約 80%的缺陷是由于設備的原因造成的。涂膠顯影機所造成的三

62、種典型缺陷：刮傷缺陷、線性缺陷、邊緣缺陷。（1）刮傷缺陷是由于易變形部件在工作中變形導致組件之間的刮擦引起的。（2）線性缺陷通過實驗，確認是由于防反射層涂膠機工作中掉落顆粒經過后續的旋轉成膜而造成的。（3）邊緣缺陷是由于在顯影過程中有液體掉落在硅片表面而造成的。我們認為涂膠顯影設備實際上需要兼顧多個環節的精細要求，并且溫度、速度、精度的差異也直接影響到涂膠顯影設備的性能表現，對指標的要求相關高。同時因為需要配合產線使用，所積累的經驗也是非重要，因此還是存在相當高的壁壘，芯源微作為國內領頭羊兼突圍者，充分展現了其在涂膠顯影領域的技術實力。圖 15 涂膠工藝單元的工作示意圖 資料來源：55nm 工

63、藝中涂膠顯影機造成的缺陷及解決方案的研究，華西證券研究所 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 19 表 3 芯源微涂膠顯影設備 產品產品 圖示圖示 產品特點產品特點 產品優勢產品優勢 前道前道8/128/12 寸寸涂膠顯影涂膠顯影機機 該系列堆疊式高產能該系列堆疊式高產能前道涂膠顯影機，為自主研發前道涂膠顯影機，為自主研發的突破晶圓前道的突破晶圓前道 28nm28nm 工藝節點及以上工藝制程，適工藝節點及以上工藝制程，適用于用于 ArFArF、KrFKrF、I I-LineLine、PIPI、BARCBARC，SOCSOC，SODSOD，SOGSOG 等多種材

64、料涂覆顯影工藝的高端機臺。支持與等多種材料涂覆顯影工藝的高端機臺。支持與光刻機聯機作業。該系列機臺通過各種行業認證，光刻機聯機作業。該系列機臺通過各種行業認證，占地面積小、可靠性高、易于維護，滿足各種功能占地面積小、可靠性高、易于維護，滿足各種功能芯片制程需求。芯片制程需求。堆疊式高產能架構，占地面積小?？啥询B式高產能架構，占地面積小?？膳c光刻機聯機，滿足工廠自動化需與光刻機聯機，滿足工廠自動化需求。配備多段回吸的多腔體共用供膠求。配備多段回吸的多腔體共用供膠系統，有效節省光刻膠的用量。選配系統，有效節省光刻膠的用量。選配高精度熱板、高精度熱板、WEEWEE、AOIAOI 等單元部等單元部件，

65、滿足更高標準工藝需求。核心單件，滿足更高標準工藝需求。核心單元模塊化設計，組合方式靈活多變元模塊化設計，組合方式靈活多變，最大限度客制化。最大限度客制化。1212 寸集束寸集束型涂膠顯型涂膠顯影機影機 該設備可用于高端封裝、該設備可用于高端封裝、MEMSMEMS、OLEDOLED 等領域的涂覆等領域的涂覆顯影制程，每小時可加工顯影制程，每小時可加工 180180 片晶片，同時產品可兼片晶片，同時產品可兼容不同材質的晶片如硅、玻璃片、鍵合片、化合物容不同材質的晶片如硅、玻璃片、鍵合片、化合物等。產品可應用于邏輯類、存儲類芯片、攝像頭芯等。產品可應用于邏輯類、存儲類芯片、攝像頭芯片、功率器件芯片、

66、片、功率器件芯片、OLEDOLED 制造等領域。高端國產化制造等領域。高端國產化集成電路設備的成功應用為客戶節約了大量成本。集成電路設備的成功應用為客戶節約了大量成本。適合超薄晶圓處理，超厚膠涂敷、顯適合超薄晶圓處理，超厚膠涂敷、顯影、烘焙工藝。涂膠單元特殊設計，影、烘焙工藝。涂膠單元特殊設計，避免高黏度膠離心涂敷時產生的“棉避免高黏度膠離心涂敷時產生的“棉花糖”現象。機臺為全封閉模塊化結花糖”現象。機臺為全封閉模塊化結構，工藝單元靈活選配。占地面積構，工藝單元靈活選配。占地面積小，產能高。工藝上可實小，產能高。工藝上可實現現 5mm5mm 以下以下晶圓翹曲片的傳送加工，熱板采用漸晶圓翹曲片的

67、傳送加工，熱板采用漸進式烘焙?？蓾M足工廠自動化需求，進式烘焙?？蓾M足工廠自動化需求，無人值守。無人值守。1212 寸星型寸星型涂膠顯影涂膠顯影機機 該設備可用于高端封裝、該設備可用于高端封裝、MEMSMEMS、OLEDOLED 等領域的涂膠等領域的涂膠顯影制程，每小時可加工顯影制程，每小時可加工 100100 片晶片，同時產品可兼片晶片，同時產品可兼容不同材質的晶片如硅、玻璃片、鍵合片、化合物容不同材質的晶片如硅、玻璃片、鍵合片、化合物等。產品可應用于邏輯類、存儲類芯片、攝像頭芯等。產品可應用于邏輯類、存儲類芯片、攝像頭芯片、功率器件芯片、片、功率器件芯片、OLEDOLED 制造等領域。制造等

68、領域。適合超薄晶圓處理，超厚膠涂敷、顯適合超薄晶圓處理，超厚膠涂敷、顯影、烘焙工藝。涂膠單元特殊設計，影、烘焙工藝。涂膠單元特殊設計，避免高黏度膠離心涂敷時產生的“棉避免高黏度膠離心涂敷時產生的“棉花糖”現象。機臺為全封閉模塊化結花糖”現象。機臺為全封閉模塊化結構，工藝單元靈活選配。占地面積構，工藝單元靈活選配。占地面積小，產能高。工藝上可實現小，產能高。工藝上可實現 5mm5mm 以下以下晶圓翹曲片的傳送加工，熱板采用漸晶圓翹曲片的傳送加工，熱板采用漸進式烘焙?？蓾M足工廠自動化需求，進式烘焙?？蓾M足工廠自動化需求，無人值守。無人值守。星型全自星型全自動涂膠顯動涂膠顯影機影機 該設備用于該設備

69、用于 LEDLED-PSSPSS 工藝的涂膠顯影制程及化合物半工藝的涂膠顯影制程及化合物半導體的涂膠顯影等制程?？杉嫒菟{寶石、砷化鎵和碳導體的涂膠顯影等制程?？杉嫒菟{寶石、砷化鎵和碳化硅等材質的晶圓，產品涉及多個應用領域，涂膠機化硅等材質的晶圓，產品涉及多個應用領域，涂膠機產能大于產能大于 190190 片片/小時。小時。占地小、穩定性高、操作與維護方占地小、穩定性高、操作與維護方便。產能高，涂膠機產能大于便。產能高，涂膠機產能大于 190190 片片/小時。光刻膠用量小，小時。光刻膠用量小，4 4 寸用量寸用量0.6ml0.6ml。優異的流場設計，涂膠均勻性。優異的流場設計，涂膠均勻性好。好

70、。1212 寸噴霧寸噴霧式涂膠機式涂膠機 該設備通過超聲波將光阻霧化為微小顆粒，適用于在該設備通過超聲波將光阻霧化為微小顆粒，適用于在大深寬比的圖形表面以高分辨率均勻地涂敷光刻膠，大深寬比的圖形表面以高分辨率均勻地涂敷光刻膠，可以有效覆蓋溝槽的側壁和邊緣，避免溝槽堆積，節可以有效覆蓋溝槽的側壁和邊緣，避免溝槽堆積，節省光刻膠；同時針對輕薄易碎的襯底，承片臺靜態噴省光刻膠；同時針對輕薄易碎的襯底，承片臺靜態噴霧式涂膠可以避免襯底在高速旋轉時碎裂的風險。產霧式涂膠可以避免襯底在高速旋轉時碎裂的風險。產品可應用于高端封裝、微機電系統制造等領域。品可應用于高端封裝、微機電系統制造等領域。旋流式錐形霧化

71、可均勻覆蓋高深寬比旋流式錐形霧化可均勻覆蓋高深寬比臺階的邊緣和底部。旋轉加熱式承片臺階的邊緣和底部。旋轉加熱式承片臺有效臺有效節省光刻膠。承片臺靜態噴涂節省光刻膠。承片臺靜態噴涂規避輕薄襯底碎片風險。噴嘴具備內規避輕薄襯底碎片風險。噴嘴具備內外自動清洗功能。外自動清洗功能。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 20 中國半導體需求增大，帶動涂膠顯影設備市場規模增長。中國半導體需求增大，帶動涂膠顯影設備市場規模增長。根據華經產業研究院統計，2020 年中國前道和后道涂膠攝影設備市場規模分別為 7.55 億美元、0.59 億美元，全球份額保持在 40%左右，中國大區

72、是全球最重要的行業增長來源。至 2023 年，中國前道涂膠顯影設備市場規模將達到 10.26 億美元，同時后道市場規模也將增長至0.81 億美元，需求量持續擴張。圖 16 2016-2023 年中國涂膠顯影設備行業市場規模情況 注：統計數據包含中國臺灣地區 20222022 年，芯源微生產的前道涂膠顯影設備在多項關鍵技術方面取得突破。年，芯源微生產的前道涂膠顯影設備在多項關鍵技術方面取得突破。公司成功掌握了超高溫度與超高精度烘烤固化技術、自動光學缺陷檢測技術等核心技術，可滿足更高等級的工藝需求；在 WEE 邊緣曝光技術、邊緣旋涂技術方面實現了工藝突破，可實現核心腔體小型化并為客戶節省光刻膠。此

73、外，公司在 NTD 負顯影技術方面也取得良好進展，為下一代高端工藝提供更豐富和先進的解決方案。與此同時，芯源微前道涂膠顯影機簽單實現了快速放量，其中與此同時，芯源微前道涂膠顯影機簽單實現了快速放量，其中 offlineoffline、I I-lineline、KrFKrF 機臺均實現批量銷售。機臺均實現批量銷售。浸沒式機臺已陸續獲得國內多家知名廠商訂單，超高溫Barc 機臺也成功實現了客戶導入。2022 年第四季度，公司首臺浸沒式高產能涂膠顯影機在國內知名客戶處完成驗證，已順利實現驗收。浸沒式機臺的推出，標志著公司前道涂膠顯影設備已完成在晶圓加工環節 28nm 及以上工藝節點全覆蓋，并可持續向

74、更高工藝等級迭代。8.57 8.96 7.55 9.35 10.25 10.26 0.450.610.590.730.820.810246810122016201820202021E2022E2023E前道市場規模（億美元）后道市場規模（億美元）證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 21 2.2.2.2.單片式濕法設備單片式濕法設備 濕法設備是一種集合了流體力學、化學工程、材料科學、精密加工、電子控制、計算機軟件等多學科的高科技產品，是集成電路制造過程中使用比例最高的核心生產設備。濕法設備可分為槽式濕法設備與單片式濕法設備，隨著集成電路線寬的不斷縮小，對顆粒大小

75、及數量、刻蝕速率及均勻性、金屬污染控制、表面粗糙度、圓片單面工藝等的要求越來越嚴格，單片式濕法設備正越來越多地使用到集成電路的制造中來。芯源微生產的單片式濕法設備主要由清洗機、去膠機和濕法刻蝕機構成。表 4 芯源微單片式濕法設備 產品產品 圖示圖示 產品特點產品特點 競爭優勢競爭優勢 全自動全自動SCRUBBERSCRUBBER 清清洗機洗機 用于對晶圓表面，背面及晶圓邊緣的清洗，通過創新用于對晶圓表面，背面及晶圓邊緣的清洗，通過創新研發的二流體噴嘴技術可將附著在晶圓表面的細微顆研發的二流體噴嘴技術可將附著在晶圓表面的細微顆粒污染物去除，實現高效去除。通過大量仿真與工藝粒污染物去除，實現高效去

76、除。通過大量仿真與工藝試驗相結合，優化出最佳的清洗工藝參數，確保不損試驗相結合，優化出最佳的清洗工藝參數，確保不損傷晶圓表面的圖形；對于微米級別大顆粒，采用特殊傷晶圓表面的圖形；對于微米級別大顆粒，采用特殊材料的毛刷或高壓噴淋對晶圓進行擦洗去除。配合特材料的毛刷或高壓噴淋對晶圓進行擦洗去除。配合特有的晶圓翻轉裝置和夾持式承片臺，可在同一臺設備有的晶圓翻轉裝置和夾持式承片臺，可在同一臺設備中實現對晶圓的正反兩面進行清洗。中實現對晶圓的正反兩面進行清洗。機臺可采用防靜電管路，防止水中靜電機臺可采用防靜電管路，防止水中靜電荷到達晶圓表面，對圖形造成破壞。翻荷到達晶圓表面，對圖形造成破壞。翻轉單元接觸

77、點少，減小了與晶圓的接觸轉單元接觸點少，減小了與晶圓的接觸面積。所有表都為數字顯示，數據上傳面積。所有表都為數字顯示，數據上傳工控機方便追溯。機臺優化傳輸路徑，工控機方便追溯。機臺優化傳輸路徑，產能大幅提升。軟件客制化，界面友產能大幅提升。軟件客制化，界面友好，可按照客戶要求更改。更高效的好，可按照客戶要求更改。更高效的FFUFFU。支持工廠自動化。支持工廠自動化。單片清洗機單片清洗機 用于晶圓級封裝及用于晶圓級封裝及OLEDOLED 中的清洗工藝，配合清洗化學中的清洗工藝，配合清洗化學藥液、高壓水清洗、常壓水清洗、兆聲波清洗、二流藥液、高壓水清洗、常壓水清洗、兆聲波清洗、二流體水清洗、毛刷和

78、噴灑清洗劑等手段，可有效去除晶體水清洗、毛刷和噴灑清洗劑等手段，可有效去除晶圓表面顆粒、有機物、金屬離子等雜質，同時適用于圓表面顆粒、有機物、金屬離子等雜質，同時適用于TSVTSV 后深孔內含氟聚合物的清洗。后深孔內含氟聚合物的清洗。該機臺可以提供持續穩定的液體壓力輸該機臺可以提供持續穩定的液體壓力輸出，以保證工藝效果和產能。在不損傷出，以保證工藝效果和產能。在不損傷圖形的前提下，提供較強的兆聲波能圖形的前提下，提供較強的兆聲波能量，加速液體分子沖擊力，以去除深量，加速液體分子沖擊力，以去除深孔、深溝槽內的污染物。液體流量、壓孔、深溝槽內的污染物。液體流量、壓力以及溫度等參數控制的穩定性，為產

79、力以及溫度等參數控制的穩定性，為產品的一致性提供了有力支撐。品的一致性提供了有力支撐。星型去膠機星型去膠機 適用于半導體及適用于半導體及 LEDLED 芯片制造領域中的光刻膠去除、芯片制造領域中的光刻膠去除、金屬剝離等工藝制程。金屬剝離等工藝制程?？杉嫒萏幚砜杉嫒萏幚? 4 英寸及英寸及6 6 英寸晶圓且配置英寸晶圓且配置靈活。支持兩種去膠液擺臂靈活。支持兩種去膠液擺臂,變速掃描功變速掃描功能。采用“干進干出”的晶圓加工模能。采用“干進干出”的晶圓加工模式?；瘜W液循環再利用、金屬回收、多式?；瘜W液循環再利用、金屬回收、多種藥液分類排放。種藥液分類排放。單片濕法單片濕法去膠機去膠機 用于先進封裝

80、工藝過程中的晶圓去膠制程和金屬剝離用于先進封裝工藝過程中的晶圓去膠制程和金屬剝離制程。設備可搭載槽式浸泡單元、高壓噴淋或二流體制程。設備可搭載槽式浸泡單元、高壓噴淋或二流體噴淋去膠單元、清洗及干燥單元等工藝模塊，滿足各噴淋去膠單元、清洗及干燥單元等工藝模塊，滿足各種品牌型號、各種厚度的正負性光阻去除及金屬剝離種品牌型號、各種厚度的正負性光阻去除及金屬剝離等工藝。具有藥液回收循環過濾再使用、金屬高效率等工藝。具有藥液回收循環過濾再使用、金屬高效率回收等功能?；厥盏裙δ?。槽式浸泡與單片旋轉噴淋方式相結合，槽式浸泡與單片旋轉噴淋方式相結合，提高產能。高壓或二流體噴淋可徹底除提高產能。高壓或二流體噴淋

81、可徹底除去光刻膠?；蛇M濕傳干出。去膠液去光刻膠?；蛇M濕傳干出。去膠液回收、循環過濾再使用，降低用戶成回收、循環過濾再使用，降低用戶成本。貴重金屬回收。本。貴重金屬回收。去膠機去膠機 用于高端封裝領域中的光阻去除工藝，掩膜版清洗，用于高端封裝領域中的光阻去除工藝，掩膜版清洗，OLEDOLED 領域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝及化領域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝及化合物半導體領域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工合物半導體領域中的光阻去除及蒸鍍后金屬剝離等工藝。藝。自主自主 IPIP 的雙真空雙夾持四手高速機械的雙真空雙夾持四手高速機械手，產能高，干濕分離無交叉污染。具手，產能高

82、，干濕分離無交叉污染。具有有 AWCAWC 高效圖像對中功能。采用可多片高效圖像對中功能。采用可多片兼容不同尺寸、不同角度的浸泡系統。兼容不同尺寸、不同角度的浸泡系統。閉環控制高壓管路系統，可實現目標值閉環控制高壓管路系統，可實現目標值0.2MPa0.2MPa 的控壓精度。自主的控壓精度。自主IPIP 的耐高的耐高壓在線式加熱器，可達到國際加熱器同壓在線式加熱器，可達到國際加熱器同等控溫。工藝單元采用主動夾持等控溫。工藝單元采用主動夾持ChuckChuck，可避免晶背劃傷及晶圓側翻。去，可避免晶背劃傷及晶圓側翻。去膠液可自動回收，循環使用。膠液可自動回收，循環使用。證券研究報告|公司深度研究報

83、告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 22 單片濕法刻單片濕法刻蝕機蝕機 滿足半導體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于滿足半導體制造中濕法刻蝕工藝，單片加工，適用于SiO2SiO2，SiNSiN，PolysiliconPolysilicon 和各種金屬層的刻蝕，清洗和各種金屬層的刻蝕，清洗等工藝流程。等工藝流程。利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學利用位置、速度可控的擺臂噴灑化學液，可以有效的提高刻蝕均勻性。分層液，可以有效的提高刻蝕均勻性。分層式反應腔體設計，可以在同一腔體中噴式反應腔體設計，可以在同一腔體中噴灑多種化學液，并能有效回收，節約化灑多種化學液，并能有效回收，節約化學液。疊層控

84、制，占地面積小，最多可學液。疊層控制，占地面積小，最多可配置配置 4 4 個刻蝕單元。個刻蝕單元。2.2.1.2.2.1.物理清洗行業領先，化學清洗尋求突破物理清洗行業領先，化學清洗尋求突破 清洗機是將晶圓表面上產生的顆粒、有機物、自然氧化層、金屬雜質等污染物去除，以獲得所需潔凈表面的工藝設備。從工藝應用上來說，清洗機目前已廣泛應用于集成電路制造工藝中的成膜前/成膜后清洗、等離子刻蝕后清洗、離子注入后清洗、化學機械拋光后的清洗和金屬沉積后清洗等各個環節。圖 17 清洗原理示意圖 目前晶圓清洗技術大致可分為濕式與干式兩大類，仍以濕式清洗法為主流。濕法清洗是針對不同的工藝需求，采用特定的化學藥液和

85、去離子水，對晶圓表面進行無損傷清洗，以去除晶圓制造過程中的顆粒、自然氧化層、有機物、金屬污染、犧牲層、拋光殘留物等物質，可同時采用超聲波、加熱、真空等輔助技術手段。在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設備主要包括單片清洗設備、槽式清洗設備、組合式清洗設備和批式旋轉噴淋清洗設備等，其中單片清洗設備市場份額占比超 90%。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設備存在先進程度的區分，主要體現在可清洗顆粒大小，金屬污染，腐蝕均一性以及干燥技術等標準。目前行業內先進單片式顆粒清洗技術主要集中在高壓噴淋、多流體噴嘴和兆聲波清洗方面。芯源微目前生產的清洗機為單片式物理清洗機，可搭載高壓噴嘴、超/兆聲波噴嘴、二流體噴

86、嘴、化學品噴嘴、毛刷等多種清洗方式，能夠滿足集成電路制造前道晶圓加工環節 28nm 及以上工藝制程的清洗要求以及后道先進封裝環節絕大部分清洗工藝的要求。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 23 目前全球半導體清洗設備市場仍由日本企業主導。目前全球半導體清洗設備市場仍由日本企業主導。據中商產業研究院統計，2022 年，兩家日本企業 DNS 和 TEL 全球清洗設備市場份額占比達到 77%。其次分別為美韓企業 Lam 和 SEMES，占比分別為 12%、5%。全球半導體清洗設備市場被國外廠商高度壟斷，國內廠商市場份額較低。圖 18 2022 年全球清洗設備市場份額

87、占比情況 隨著整個半導體投資加速，半導體設備市場高速增長的驅動下，半導體清洗設備行業市場規模高速增長，2020 年大幅增長至 67.92 億元，2021 年達到了 106.09 億元，2022 年我國半導體清洗設備行業市場規模達到 150 億元。圖 19 2017-2022 年中國半導體清洗設備市場規模 50%27%12%5%3%3%DNSTELLAMSEMES盛美其他 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 24 芯源微前道物理清洗機自 2018 年發布以來，憑借其高產能、高顆粒去除能力、高性價比等優勢受到下游客戶的廣泛認可，產品發布后迅速打破國外壟斷，并確立了

88、市場領先優勢。目前已廣泛應用于中芯國際、上海華力等一線大廠，已成為國內晶圓廠 baseline 產品。根據公司年報，2022 年芯源微前道物理清洗機實現批量銷售近百臺套。公司生產的前道物理清洗設備較為成熟，產品在高產能清洗架構、顆粒去除能力等工藝上實現了進一步的提升，產品競爭力不斷增強，國內市占率穩步上升。芯源微當前清洗設備均為單片物理式清洗機,公司前道 Spin Scrubber 清洗機也是國內半導體制造廠商物理清洗設備的首選產品。然而前道市場化學清洗占主流，根據公司招股書與 VLSI 數據顯示，0.13m 及以上物理清洗僅不到 10%。芯源微嘗試拓展高端產品線，在化學清洗品類尋求突破。公司

89、化學清洗機目前正處于驗證階段，未來將提供市場占比更大、清洗效果更好、覆蓋工藝環節更為高級的化學清洗設備。圖 20 2020-2023 年全球前道物理清洗及單片式清洗設備市場空間（億美元）注：前道物理清洗全球市場指 0.13m 及以上工藝節點 1.241.451.511.4318.3822.1723.7223.1405101520252020202120222023前道物理清洗前道單片式清洗 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 25 2.2.2.2.2.2.去膠機去膠機 在半導體制造工藝中，光刻膠只是起到圖形轉移的媒介作用，因此在完成圖形轉移后，需要將光刻膠完全

90、去除，以避免殘留的光刻膠影響后續工藝質量。去膠機主要用于圓片刻蝕后其表面作為阻擋層的光刻膠的去除，適用于 50-300mm 圓片的處理。圖 21 去膠原理示意圖 芯源微生產的單片式去膠機，主要應用于集成電路制造后道先進封裝 Bumping、OLED 等領域，同時也可用于 LED 芯片制造中蒸鍍工藝后的金屬剝離及回收等工藝，設備主要采用高溫、高壓化學液噴淋的方式，適用于膜厚 1-130m 各種品牌型號的正負性光刻膠的去除，具備化學品噴嘴變速掃描、去膠液回收循環過濾再使用、金屬回收等功能。為了配合厚膠的去除，單片處理機臺一般也配有浸泡單元，可以同時將多個圓片同時浸泡，以提高設備產能。證券研究報告|

91、公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 26 2.2.3.2.2.3.濕法刻蝕機濕法刻蝕機 刻蝕是半導體制造工藝中相當重要的步驟，是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。濕法刻蝕主要是利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。濕法刻蝕機是濕法刻蝕工序運用的主要設備，其質量狀況直接關系到刻蝕的效果。圖 22 刻蝕原理示意圖 芯源微生產的單片式濕法刻蝕機，主要應用于集成電路制造后道先進封裝Bumping、MEMS、OLED 等領域的刻蝕制程，可對 50-300mm 尺寸晶圓中的凸塊下金屬（UBM）及扇出式再分布層（RDL）等圖形進行處理，刻蝕

92、目標材料包括銅（Cu）、鈦（Ti）、鎢化鈦（TiW）、銀（Ag）、鋁（Al）、鉬（Mo）、氧化銦錫（ITO）、氧化銦鎵鋅（IGZO）等，具備化學品噴嘴變速掃描、刻蝕液回收循環過濾再使用等功能，刻蝕均勻性優于 3%，側蝕可小于 0.75m。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 27 3.3.投資建議投資建議 我們認為涂膠顯影和清洗設備將為芯源微未來主要的營收增長點。公司在涂膠顯影市場擁有強大的競爭力，當前國內市場被日系廠商占據絕大部分市場，未來芯源微有充分替代空間。清洗設備進軍更廣闊的化學清洗市場，有望實現放量增長。1.涂膠顯影設備 根據公司年報，2019-202

93、2 年公司光刻工序涂膠顯影設備營收復合增長高達 89%，我們認為芯源微本身具備國內領先的涂膠顯影技術水平并不斷提升，國內擁有大量的替代空間，看好營收持續快速增長。2.清洗設備 根據公司年報，2019-2022 年公司單片式濕法設備營收復合增長高達 79%，其中清洗設備為重要的一部分。我們認為芯源微在單片式物理清洗設備已經取得一定成績，在拓展化學清洗市場后，有望實現更快的增長。預計公司 2023 年-2025 年分別實現收入為 18.99 億元、28.14 億元和 38.81 億元，分別實現歸母凈利潤為 2.68 億元、3.94 億元和 5.23 億元，對應 EPS 分別為 2.88 元、4.2

94、4 元和 5.63 元，對應 2023 年 6 月 05 日收盤價 289.40 元/股，2023 年-2025 年 PE分別為 100 倍、68 倍、51 倍，首次覆蓋，給予公司“增持”評級。表 5 公司收入結構 2021A2021A 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 營業收入（百萬元）營業收入（百萬元）829829 1,3851,385 1,899 1,899 2,814 2,814 3,881 3,881 單片式濕法設備單片式濕法設備 290 290 550 550 743 743 1,103 1,103 1,577 1,577 光刻

95、工序涂膠顯影設備光刻工序涂膠顯影設備 506 506 757 757 1,073 1,073 1,623 1,623 2,215 2,215 其它設備其它設備 18 18 53 53 5 58 8 64 64 64 64 其他業務其他業務 15 15 25 25 25 25 25 25 25 25 營業成本（百萬元）營業成本（百萬元）513 513 853 853 1,1731,173 1,7241,724 2,3832,383 單片式濕法設備單片式濕法設備 187 187 335 335 448 448 660 660 943 943 光刻工序涂膠顯影設備光刻工序涂膠顯影設備 314 314

96、 495 495 691 691 1,028 1,028 1,403 1,403 其它設備其它設備 8 8 16 16 26 26 29 29 29 29 其他業務其他業務 4 4 8 8 8 8 8 8 8 8 毛利率毛利率 38.1%38.1%38.4%38.4%38.38.2 2%38.38.7 7%38.38.6 6%單片式濕法設備單片式濕法設備 35.5%35.5%39.2%39.2%39.7%39.7%40.2%40.2%40.2%40.2%光刻工序涂膠顯影設備光刻工序涂膠顯影設備 37.9%37.9%34.7%34.7%35.7%35.7%36.7%36.7%36.7%36.7%

97、其它設備其它設備 55.0%55.0%69.8%69.8%55.0%55.0%55.0%55.0%55.0%55.0%其他業務其他業務 74.3%74.3%68.6%68.6%68.6%68.6%68.6%68.6%68.6%68.6%證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 28 表 6 可比公司估值表 股票代碼股票代碼 股票簡稱股票簡稱 EPSEPS（元）（元）PEPE 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 688082688

98、082 盛美上海盛美上海 1.541.54 1.791.79 2.262.26 2.822.82 51.8251.82 68.1668.16 54.0554.05 43.3443.34 603690603690 至純科技至純科技 0.880.88 1.341.34 1.341.34 1.341.34 42.8942.89 25.0525.05 19.0419.04 15.3615.36 688037688037 芯源微芯源微 2.272.27 2.89 2.89 4.26 4.26 5.64 5.64 108.80108.80 100.37100.37 68.2068.20 51.4151.4

99、1 4.4.風險提示風險提示 國際貿易摩擦加??；下游需求不及預期；公司技術研發不及預期；行業競爭加??；半導體行業周期性波動風險。證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 29 財務報表和主要財務比率 Table_Finance 利潤表（百萬元）利潤表（百萬元）2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 現金流量表（百萬元）現金流量表（百萬元）2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 營業總收入 1,385 1,899 2,814 3,881 凈利潤 200 268 394 52

100、3 YoY(%)67.1%37.1%48.2%37.9%折舊和攤銷 26 79 94 98 營業成本 853 1,173 1,724 2,383 營運資金變動-33-316-434-329 營業稅金及附加 11 14 19 26 經營活動現金流 193-29-13 216 銷售費用 104 141 208 287 資本開支-207-197-97 3 管理費用 142 194 285 394 投資-50 0 0 0 財務費用 4 0 0 0 投資活動現金流-246-183-76 32 研發費用 152 208 306 422 股權募資 1,006 0 0 0 資產減值損失-2 0 0 0 債務募

101、資-80 0 0 0 投資收益 10 14 21 29 籌資活動現金流 897 0 0 0 營業利潤 176 251 391 534 現金凈流量 844-212-89 248 營業外收支 46 46 46 46 主要財務指標主要財務指標 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 利潤總額 222 297 437 580 成長能力成長能力 所得稅 22 29 43 58 營業收入增長率 67.1%37.1%48.2%37.9%凈利潤 200 268 394 523 凈利潤增長率 158.8%33.8%47.2%32.6%歸屬于母公司凈利潤 200 2

102、68 394 523 盈利能力盈利能力 YoY(%)158.8%33.8%47.2%32.6%毛利率 38.4%38.2%38.7%38.6%每股收益 2.27 2.88 4.24 5.63 凈利潤率 14.5%14.1%14.0%13.5%資產負債表（百萬元）資產負債表（百萬元）2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 總資產收益率 ROA 5.7%6.3%7.3%7.7%貨幣資金 1,098 886 798 1,046 凈資產收益率 ROE 9.5%11.3%14.2%15.9%預付款項 73 100 147 204 償債能力償債能力 存貨 1

103、,213 1,736 2,601 3,393 流動比率 2.22 1.94 1.80 1.77 其他流動資產 473 725 991 1,326 速動比率 1.10 0.79 0.60 0.60 流動資產合計 2,857 3,447 4,537 5,968 現金比率 0.85 0.50 0.32 0.31 長期股權投資 0 0 0 0 資產負債率 39.7%44.1%48.6%51.3%固定資產 395 544 578 508 經營效率經營效率 無形資產 72 87 102 116 總資產周轉率 0.51 0.49 0.58 0.64 非流動資產合計 639 803 852 797 每股指標（

104、元）每股指標（元）資產合計 3,496 4,250 5,389 6,765 每股收益 2.27 2.88 4.24 5.63 短期借款 136 136 136 136 每股凈資產 22.74 25.57 29.81 35.44 應付賬款及票據 486 731 1,059 1,414 每股經營現金流 2.08-0.31-0.14 2.33 其他流動負債 665 906 1,323 1,821 每股股利 0.40 0.00 0.00 0.00 流動負債合計 1,287 1,772 2,517 3,371 估值分析估值分析 長期借款 0 0 0 0 PE 127.49 100.37 68.20 51

105、.41 其他長期負債 103 103 103 103 PB 6.88 11.32 9.71 8.17 非流動負債合計 103 103 103 103 負債合計 1,390 1,876 2,620 3,474 股本 93 93 93 93 少數股東權益 0 0 0 0 股東權益合計 2,107 2,374 2,768 3,291 負債和股東權益合計 3,496 4,250 5,389 6,765 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 30 Table_AuthorTable_AuthorInfoInfo 分析師與研究助理簡介分析師與研究助理簡介劉奕司：美國德克薩斯

106、州立大學達拉斯分校工學碩士，模擬射頻集成電路設計方向。曾就職于歌爾股份、紫光國微。21年加入華西證券。卜燦華：北京大學碩士，管理學、金融學背景，三年管理咨詢經驗，2022年加入華西證券研究所。分析師承諾分析師承諾 作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，保證報告所采用的數據均來自合規渠道，分析邏輯基于作者的職業理解，通過合理判斷并得出結論，力求客觀、公正，結論不受任何第三方的授意、影響，特此聲明。評級說明評級說明 公司評級標準公司評級標準 投資投資評級評級 說明說明 以報告發布日后的 6 個月內公司股價相對上證指數的漲跌幅為基準。買入 分析師預測在此期間股價相對強

107、于上證指數達到或超過 15%增持 分析師預測在此期間股價相對強于上證指數在 5%15%之間 中性 分析師預測在此期間股價相對上證指數在-5%5%之間 減持 分析師預測在此期間股價相對弱于上證指數 5%15%之間 賣出 分析師預測在此期間股價相對弱于上證指數達到或超過 15%行業評級標準行業評級標準 以報告發布日后的 6 個月內行業指數的漲跌幅為基準。推薦 分析師預測在此期間行業指數相對強于上證指數達到或超過 10%中性 分析師預測在此期間行業指數相對上證指數在-10%10%之間 回避 分析師預測在此期間行業指數相對弱于上證指數達到或超過 10%華西證券研究所：華西證券研究所：地址：北京市西城區

108、太平橋大街豐匯園 11 號豐匯時代大廈南座 5 層 證券研究報告|公司深度研究報告 請仔細閱讀在本報告尾部的重要法律聲明 31 華西證券免責聲明華西證券免責聲明 華西證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）具備證券投資咨詢業務資格。本報告僅供本公司簽約客戶使用。本公司不會因接收人收到或者經由其他渠道轉發收到本報告而直接視其為本公司客戶。本報告基于本公司研究所及其研究人員認為的已經公開的資料或者研究人員的實地調研資料，但本公司對該等信息的準確性、完整性或可靠性不作任何保證。本報告所載資料、意見以及推測僅于本報告發布當日的判斷，且這種判斷受到研究方法、研究依據等多方面的制約。在不同時期，本公司可發出

109、與本報告所載資料、意見及預測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息始終保持在最新狀態。同時，本公司對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者需自行關注相應更新或修改。在任何情況下，本報告僅提供給簽約客戶參考使用，任何信息或所表述的意見絕不構成對任何人的投資建議。市場有風險，投資需謹慎。投資者不應將本報告視為做出投資決策的惟一參考因素，亦不應認為本報告可以取代自己的判斷。在任何情況下，本報告均未考慮到個別客戶的特殊投資目標、財務狀況或需求，不能作為客戶進行客戶買賣、認購證券或者其他金融工具的保證或邀請。在任何情況下，本公司、本公司員工或者其他關聯方均不承諾投資者一定獲利，不與投資者

110、分享投資收益，也不對任何人因使用本報告而導致的任何可能損失負有任何責任。投資者因使用本公司研究報告做出的任何投資決策均是獨立行為，與本公司、本公司員工及其他關聯方無關。本公司建立起信息隔離墻制度、跨墻制度來規范管理跨部門、跨關聯機構之間的信息流動。務請投資者注意，在法律許可的前提下，本公司及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券或期權并進行證券或期權交易，也可能為這些公司提供或者爭取提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等相關服務。在法律許可的前提下，本公司的董事、高級職員或員工可能擔任本報告所提到的公司的董事。所有報告版權均歸本公司所有。未經本公司事先書面授權，任何機構或個人不得以任何形式復制、轉發或公開傳播本報告的全部或部分內容，如需引用、刊發或轉載本報告，需注明出處為華西證券研究所，且不得對本報告進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。