微導納米-公司研究報告-光伏與半導體設備系列報告：先進薄膜設備供應商光伏半導體齊開花-230613（50頁）.pdf

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1、 本報告由中信建投證券股份有限公司在中華人民共和國（僅為本報告目的，不包括香港、澳門、臺灣）提供。在遵守適用的法律法規情況下，本報告亦可能由中信建投（國際）證券有限公司在香港提供。同時請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明。證券研究報告證券研究報告A A 股公司深度股公司深度 光伏設備光伏設備 先進薄膜先進薄膜設備供應商設備供應商，光伏光伏半導體半導體齊開花齊開花 光伏與光伏與半導體半導體設備系列報告設備系列報告 核心觀點核心觀點 公司形成了以原子層沉積（ALD）技術為核心，CVD 等多種真空薄膜技術梯次發展的產品體系，產品覆蓋半導體、光伏、新型顯示等多個領域。光伏領域光伏領域：公司是光伏 ALD

2、 設備龍頭，并全力推進工藝整線策略提升產品覆蓋價值量，有望充分受益于 TOPCon 電池大擴產實現訂單的快速增長。半導體領半導體領域域：公司實現了國產 ALD 設備在 28nm 集成電路制造關鍵工藝（高介電常數柵氧層材料沉積環節）中的突破，并基于客戶關鍵工藝開發的戰略需求拓展 CVD 設備打開市場空間，彰顯了公司在半導體薄膜沉積設備領域平臺化拓展的能力。在國產化進程加速以及先進制程發展的趨勢下，薄膜沉積設備重要性將持續提升，公司憑借技術和工藝積累，有望實現訂單和業績的快速增長。摘要摘要 先進薄膜沉積設備供應商先進薄膜沉積設備供應商，研發驅動，研發驅動產品產品多元布局多元布局 微導納米是一家面向

3、全球的半導體、泛半導體高端微納裝備制造商，形成了以原子層沉積（ALD）技術為核心，CVD 等多種真空薄膜技術梯次發展的產品體系。目前已開發出多款薄膜沉積設備，涵蓋 ALD、PEALD 二合一、PECVD 等系列產品，下游應用領域包括半導體、光伏、新型顯示、微機電等領域。公司高度重視研發，研發支出從 2018 年的 0.35 億元大幅提升至 2022 年的 1.38 億元，年復合增速達到 41.34%。核心技術人員具有堅實的研發背景和多年技術研發經驗，帶領公司不斷打破技術壁壘、實現突破，并積極推動成果在光伏、半導體等領域實現產業化應用。首席技術官 LI WEI MIN 博士擁有 25年以上原子層

4、沉積技術的研發和產業化經驗，是最早開始研究ALD 技術的華人之一，指導實現了公司 ALD 技術在光伏領域的產業化，并推廣至半導體等其他領域。薄膜沉積技術應用廣泛，薄膜沉積技術應用廣泛，ALD 工藝鍍膜效果優異工藝鍍膜效果優異 薄膜沉積設備按照工藝原理不同可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三種工藝，滿足不同材料的鍍膜要求?；?ALD 技術表面反應具有自限性的特點，其擁有多項獨特的薄膜沉積特性：三維共形性，廣泛適用于不同形狀的基底；大面積成膜的均勻性，且致密、無針孔；可實現亞納米級的薄膜厚度控制，因此 ALD 技術在諸多高精尖領域均擁有良好的產業化前景。首

5、次評級首次評級 增持增持 呂娟呂娟 021-68821610 SAC 編號:s1440519080001 SFC 編號:BOU764 研究助理：籍星博研究助理：籍星博 研究助理：陳宣霖研究助理：陳宣霖 發布日期：2023 年 06 月 13 日 當前股價：49.66 元 主要數據主要數據 股票價格絕對股票價格絕對/相對市場表現（相對市場表現（%）1 個月 3 個月 12 個月 9.99/12.43 41.93/41.96/12 月最高/最低價（元）54.80/25.08 總股本（萬股）45,445.54 流通 A 股（萬股）3,758.91 總市值（億元）225.68 流通市值（億元）18.6

6、7 近 3 月日均成交量（萬）376.63 主要股東 無錫萬海盈投資合伙企業(有限合伙)51.18%股價表現股價表現 -9%11%31%51%71%91%111%微導納米上證指數微導納米微導納米(688147.SH)(688147.SH)A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 光伏設備：光伏設備：ALD 設備設備龍頭充分受益于龍頭充分受益于 TOPCon 擴產，豐富產品矩陣打開成長空間擴產，豐富產品矩陣打開成長空間 目前光伏行業正處于 N 型電池逐步替代 P 型電池的技術變革期，以 TOPCon 為主的新型高效電池需求將持續推動光伏薄膜沉積設備市場空間提升。公司作為 A

7、LD 設備龍頭，在氧化鋁鍍膜環節保持較高市占率，并積極推進工藝整線策略，原子層沉積技術 GW 級 TOPCon 整線項目已通過客戶驗收。我們預計 2023 年TOPCon 擴產超過 300GW，目前單 GW 設備價值量約 1.6 億元，公司產品（ALD 設備、PECVD 設備、PEALD二合一平臺、擴散爐、退火爐等）可覆蓋近 50%價值量，推算市場空間達到 240 億元，公司有望充分享受下游擴產紅利實現訂單的快速增長。半導體設備：先進制程趨勢下薄膜沉積設備大有可為，公司有望受益國產替代浪潮實現快速突破半導體設備：先進制程趨勢下薄膜沉積設備大有可為，公司有望受益國產替代浪潮實現快速突破 半導體薄

8、膜沉積設備國產化率低，美日荷等外部制裁升級有望助推半導體設備國產化進程加速。根據 SEMI數據，薄膜沉積設備作為半導體前道核心工藝設備之一，在晶圓制造設備中價值量占比約為 22%（2022年），我們估算2022年中國大陸薄膜沉積設備市場空間約53.5億美元。在先進制程和工藝進步的大趨勢下，薄膜要求提高衍生更高性能沉積設備需求，ALD 設備占比有望提升，CVD 設備占比仍將保持較高水平。目前公司已實現了國產 ALD 設備在 28nm 集成電路制造關鍵工藝（高介電常數柵氧層材料沉積環節）中的突破，已與多家國內主流半導體廠商及驗證平臺簽署了保密協議并開展產品技術驗證等工作，并基于客戶關鍵工藝開發的戰

9、略需求拓展 CVD 設備，打開了長期市場空間，也進一步彰顯了公司在半導體薄膜沉積設備領域平臺化拓展的能力。投資建議投資建議：我們預計 2023-2025 年公司實現營收 15.04、35.61、45.14 億元，同比分別增長 119.73%、136.73%、26.77%；歸母凈利潤分別為 1.20、3.57、5.37 億元，同比分別增長 121.66%、197.45%、50.51%，當前市值對應PE 分別為 188.02、63.21、42.00 倍，首次覆蓋給予“增持”評級。風險提示風險提示：技術迭代及新產品開發風險，新產品驗證進度及市場發展不及預期的風險，盈利預測假設不成立風險。OZpZjX

10、dYnVSXvZbWnV8OaObRtRqQoMpMlOrRqOiNpOtPbRmMyRvPsPnMxNrNxO A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 目錄目錄 一、先進薄膜沉積設備供應商，研發驅動產品多元布局.1 1.1 ALD 技術為基、CVD 等技術梯次發展，積極布局泛半導體領域鍍膜設備.1 1.2 自主研發驅動成長，深耕泛半導體領域真空薄膜沉積設備.3 1.3 業務規模高速增長，收入結構逐步走向多元化.6 1.4 股權結構相對集中，股權激勵彰顯未來增長信心.9 二、薄膜沉積技術應用廣泛，ALD 工藝鍍膜效果優異.12 2.1 薄膜沉積可分為 PVD、CVD 和

11、 ALD 工藝，工藝原理各有不同.12 2.2 ALD 技術具有自限制性特點，成膜效果好適用于高性能要求的薄膜沉積.14 三、光伏設備：ALD 設備龍頭充分受益于 TOPCon 擴產，豐富產品矩陣打開成長空間.17 3.1 光伏行業蓬勃發展，N 型高效電池發展趨勢需求明確.17 3.2 光伏鍍膜設備空間廣闊，2023 年微導 TOPCon 設備市場規模約 240 億元.18 3.3 光伏薄膜沉積設備已基本實現國產化，公司 ALD 設備性能領先.21 3.4 微導 ALD 設備保持龍頭地位，全力推進工藝整線產品策略.22 四、半導體設備：先進制程趨勢下薄膜沉積設備大有可為，公司有望受益國產化浪潮

12、實現快速突破.25 4.1 半導體行業持續發展，薄膜沉積設備應用市場空間廣闊.25 4.2 半導體薄膜設備國產化率低，外部制裁升級將進一步加速設備國產化進程.27 4.2.1 半導體薄膜沉積設備基本由國際巨頭壟斷，近年來整體國產化率提升較快.27 4.2.2 半導體設備國產化勢不可擋，外部制裁升級進一步加速國產化進程.30 4.3 AI 需求有望推動先進制程市占率持續提升，薄膜沉積設備重要性增強.31 4.3.1 AI 發展浪潮有望推動先進制程市占率持續提升.31 4.3.2 制程和工藝進步趨勢下，ALD 設備占比有望提升，CVD 設備占比仍將保持較高水平.33 4.4 微導實現 ALD 設備

13、在半導體關鍵工藝突破，拓展 CVD 產品打開成長空間.36 五、IPO 募集資金 11 億元，擴產與研發齊頭并進.40 六、盈利預測及投資建議.41 6.1 盈利預測.41 6.2 投資建議.43 七、風險分析.44 報表預測.45 1 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 一、一、先進薄膜沉積設備供應商，先進薄膜沉積設備供應商，研發驅動研發驅動產品產品多元布局多元布局 1.1 ALD 技術為基、技術為基、CVD 等技術梯次發展等技術梯次發展，積極布局泛半導體領域，積極布局泛半導體領域鍍膜鍍膜設備設備 微導納米是一家以微導納米是一家以 ALD 技術為核心的薄膜沉積設備

14、技術為核心的薄膜沉積設備供應供應商。商。公司是一家面向全球的半導體、泛半導體高端微納裝備制造商，目前公司形成了以原子層沉積（ALD）技術為核心，CVD 等多種真空薄膜技術梯次發展的產品體系，專注于先進微米級、納米級薄膜設備的研發、生產與銷售，向下游客戶提供先進薄膜設備、配套產品及服務。公司產品廣泛應用于光伏、半導體等多個應用領域。公司產品廣泛應用于光伏、半導體等多個應用領域。公司目前已開發出多款薄膜沉積設備，涵蓋 ALD、PEALD 二合一、PECVD 等系列產品，下游應用領域包括半導體、光伏、新型顯示、微機電（MEMS）、高功率及高頻率器件、催化及生物醫藥等，其中半導體、光伏領域產品矩陣更為

15、豐富，貢獻公司主要收入及訂單來源。圖表圖表1：微導納米產品微導納米產品主要包括應用于光伏、半導體主要包括應用于光伏、半導體等等領域的多款薄膜沉積設備領域的多款薄膜沉積設備 資料來源：公司2022年年報，中信建投；注：產業化應用是指已實現銷售，產業化驗證是指已簽署合同并正在履行，開發實現是指已形成研發樣機，雖未與客戶簽署銷售合同但已發往客戶處進行試樣驗證 2 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 公司的發公司的發展歷程主要分為五個階段展歷程主要分為五個階段，目前正處于戰略升級發展階段。，目前正處于戰略升級發展階段。首臺產品研發驗證階段（首臺產品研發驗證階段（2015 年

16、年 12 月月-2017 年年 7 月）：月）：公司成立之初即開始原型機研發，于 2016 年底形成原型機 KF1000 主機（夸父 KF 系列原子層沉積系統，主要運用 ALD 技術，對晶硅太陽能電池表面 Al2O3鈍化膜進行制備，下同），并持續進行工藝調試。該原型機僅為單腔體主機，未包含材料傳輸結構，尚不具備產業化生產能力。公司一代量產機型 KF4000 于 2017 年初開始工藝驗證，于 2017 年中開始試量產。下游龍頭客戶攻堅階段（下游龍頭客戶攻堅階段（2017 年年 8 月月-2018 年年 5 月）：月）：憑借工藝驗證的初步結果，公司集中拜訪國內電池片行業龍頭企業，陸續與光伏下游行

17、業龍頭企業簽訂樣機試用協議。通過產品與客戶產線的磨合，推進公司產品在 PERC 電池鈍化工藝上的突破。公司 2017 年下半年開始進行 KF6000 機型和以臭氧工藝為核心工藝的KF10000S 機型的研發事宜，2018 年中 KF6000 機型進行量產驗證。市場與產品突破階段（市場與產品突破階段（2018 年年 5 月月-2018 年年 12 月）：月）：隨著 KF6000 機型在下游頭部企業開始量產爬坡，由于產品的示范作用和帶頭效應，公司產品在行業內知名度進一步提升。同時，公司積極推進產品線的拓寬計劃，啟動半導體領域與柔性電子領域機型的研發工作。加速發展階段（加速發展階段（2019 年年

18、1 月月-2020 年年 12 月）：月）：公司臭氧工藝與等離子體技術陸續取得突破，KF10000S 機型與 ZR40002 機型（祝融 ZR 管式 PEALD 系統，集成 PEALD 與 PECVD 技術，同一臺設備可完成 PERC 電池或 TOPCon 電池 Al2O3膜和 SiNx膜，或 TOPCon 電池超薄 SiOx隧穿層和摻雜多晶硅薄膜的制備）先后研制成功，公司產品得到有效推廣，在光伏領域的知名度進一步提升。半導體領域半導體領域，鳳凰系列樣機（鳳凰 P 系列原子層沉積鍍膜系統，運用 ALD 技術，主要用于單片型 12 寸及8 寸晶圓生產中的氧化物、氮化物及金屬鍍膜工藝）于 2019

19、 年初搭建完成并進行工藝調試。公司在此平臺上開發了 Al2O3、HfO2、ZrO2、TiO2、SiO2等單片鍍膜工藝。公司于 2020 年初進行了麒麟（麒麟 QL 系列原子層沉積鍍膜系統，采用 ALD 技術，用于批量型 12 寸及 8 寸晶圓生產中氧化物、氮化物及金屬鍍膜工藝）、鳳凰系列新機型和龍系列團簇平臺（龍 Dragon 系列真空傳輸系統，用于半導體先進制程的晶圓真空傳輸系統）的立項啟動工作，并著手建立產業化應用中心，配備更高級別的潔凈室與半導體級檢測設備。戰略升級發展階段（戰略升級發展階段（2020 年年 12 月月-至今）：在光伏領域至今）：在光伏領域，公司 ZR50002 批量型

20、PEALD 鍍膜系統以及KF10000S、KF15000 等高端光伏裝備陸續獲得包括阿特斯、隆基股份、愛旭股份、晶科能源等多家重要光伏客戶訂單，并在通威太陽能、無錫尚德等 N 型 TOPCon 高效電池生產線上開展應用；在半導體領域在半導體領域，公司首套用于 300mm（12 英寸）晶圓的 High-k 柵氧層薄膜沉積的 ALD 設備已實現銷售，實現國產半導體 ALD 設備在 28nm集成電路制造關鍵工藝（高介電常數柵氧層材料沉積環節）中的突破。針對國內半導體薄膜沉積各細分應用領域研發試制新型 ALD 設備陸續取得進展；在其他應用領域在其他應用領域，公司自主開發的 FG 系列卷對卷設備能夠在大

21、幅寬的材料表面沉積阻隔層，實現較低的水汽滲透率，具備良好的阻水阻氧能力，已實現產業化應用。3 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表2：公司已進入戰略升級發展階段，光伏、半導體公司已進入戰略升級發展階段，光伏、半導體等等領域領域不不斷斷取得突破取得突破 資料來源：公司官方公眾號，公司招股說明書，中信建投 1.2 自主研發驅動成長自主研發驅動成長，深耕深耕泛半導體領域泛半導體領域真空薄膜沉積真空薄膜沉積設備設備 自主研發驅動發展，持續加大研發投入。自主研發驅動發展，持續加大研發投入。隨著技術和應用領域的不斷發展，下游客戶對薄膜沉積設備工藝路線、材料類型、技術指標

22、等要求也不斷變化，公司緊跟行業技術發展趨勢，持續推進新產品、新工藝研發，研發投入金額保持快速增長。公司研發支出（均為費用化開支）從 2018 年的 0.35 億元大幅提升至 2022 年的 1.38億元，年復合增速達到 41.34%，2022 年研發費用占營收比重為 20.22%，維持在較高的水準。研發人員快速增長，研發人員快速增長，團隊規模逐漸壯大團隊規模逐漸壯大。公司高度重視自主研發，以海內外專家為核心，積極引入和培養一批經驗豐富的電氣、工藝、機械、軟件等領域工程師，2022 年末研發人員達到 241 人，占比達到 23.08%，較2018 年 62 人快速增長，研發團隊的構建將不斷助力公

23、司下游應用領域關鍵產品和技術的攻關與突破。圖表圖表3：公司持續加大研發投入公司持續加大研發投入 圖表圖表4：公司研發技術人員數量逐年增長公司研發技術人員數量逐年增長 資料來源：公司招股說明書，公司2022年年報，中信建投 資料來源：公司招股說明書，公司2022年年報，中信建投 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%02040608010012014016020182019202020212022研發支出合計研發支出/營業收入（右軸）(百萬元)0%5%10%15%20%25%30%35%40%05010015020025030020182019202020212022研發人員

24、數量占比（右軸）(人)4 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 核心核心技術技術人員人員積累深厚，掌握積累深厚，掌握 ALD 核心技術，帶領公司不斷實現突破。核心技術，帶領公司不斷實現突破。公司核心技術人員 LI WEI MIN、LI XIANG、許所昌和吳興華具有堅實的研發背景和多年技術研發經驗。帶領公司不斷打破技術壁壘、實現突破，并積極推動成果在光伏、半導體等領域實現產業化應用，助力公司快速發展。LI WEI MIN 博士博士擁有 25 年以上原子層沉積（ALD）技術的研發和產業化經驗，掌握國際領先的原子層沉積技術，是最早開始研究 ALD 技術的華人之一，負責公司

25、和技術研發戰略規劃與方向決策、研發體系搭建、先進設備產品的開發和產業化，指導實現了公司 ALD 技術在光伏領域的產業化，并推廣至半導體等其他領域。LI XIANG 博士博士是半導體器件及制造工藝技術專家，曾從事新型半導體器件制造工藝和整合的研發工作，積累了豐富的原子層沉積 ALD 工藝技術研發和量產導入經驗，對于 ALD 工藝在微納器件上的應用有著深刻的理解，負責開發 ALD 技術的前沿工藝和在多個重點工業領域的產業化應用。許所昌博士許所昌博士擁有多年半導體行業薄膜工藝研發經歷，致力于先進半導體工藝和技術開發；在 28nm 及以下先進制程中原子層沉積技術應用方面積累了大量經驗，曾就職于中芯國際

26、集成電路制造（上海）有限公司擔任研發工程師；在公司內負責半導體事業部工藝部門組建及半導體相關原子層沉積工藝技術攻關和產業化。吳興華吳興華擁有 15 年以上高效率太陽能電池設備與高效電池技術研發經驗，曾任中國臺灣工業技術研究院高級工程師，長期致力于高效率電池技術開發與產業化研究，在 N 型高效電池制造領域積累了豐富的經驗。目前負責光伏事業部的業務與產品戰略發展規劃，推動研發團隊進行新型高效電池設備開發與產業化驗證。圖表圖表5：公司核心技術人員簡介公司核心技術人員簡介 姓名姓名 職務職務 學歷學歷 研究經歷、科研成果及榮譽研究經歷、科研成果及榮譽 主要負責的研發工作、對公司的具體貢獻主要負責的研發

27、工作、對公司的具體貢獻 LI WEI MIN 公司首席技術官 芬蘭赫爾辛基大學無機化學專業博士研究生 LI WEI MIN博士擁有25年以上原子層沉積（ALD）技術的研發和產業化經驗，掌握國際領先的原子層沉積技術，是最早開始研究 ALD 技術的華人之一，在國際 ALD 技術領域享有較高聲譽；在國際主流雜志及專業會議發表論文 50 多篇，承擔國內外政府科技項目共 8 項，長期致力于 ALD 技術的國際合作和在中國的推廣；獲 2021 年國家級人才、2020年江蘇省“雙創團隊”帶頭人、2019 年無錫市太湖創新領軍型團隊帶頭人、2016 年江蘇省“雙創人才”榮譽，是江蘇省產業教授、SEMI 光伏標

28、委會核心委員、第三代半導體人才發展委員會委員。負責產品和技術研發戰略規劃與方向決策、研發體系搭建、先進設備產品的開發和產業化；主導公司核心項目研發，形成了多個擁有自主知識產權的原子層沉積設備及鍍膜技術；指導實現了公司 ALD技術在光伏領域的產業化，并推廣至半導體等其他領域，打破國外壟斷；在公司業務、技術領域的拓展、核心技術問題突破以及客戶產線驗證等方面發揮了領導作用；為公司 48 項授權專利（其中發明專利 9 項）的發明人，39 項在申請發明專利的發明人。LI XIANG 副總經理，兼任產業化應用中心、新材料等事業部 CEO 新加坡南洋理工大學電氣與電子工程專業博士研究生 LI XIANG 博

29、士是半導體器件及制造工藝技術專家，曾從事新型半導體器件制造工藝和整合的研發工作，積累了豐富的原子層沉積 ALD 工藝技術研發和量產導入經驗，對于 ALD 工藝在微納器件上的應用有著深刻的理解；在國內外核心期刊發表論文 35 篇；獲 2020 年江蘇省“雙創團隊”核心成員、2019 年無錫市太湖創新領軍型團隊核心成員、2018年江蘇省“雙創人才”、2018 年無錫市太湖創新領軍人才、2016 年江蘇省“雙創博士”。負責開發 ALD 技術的前沿工藝和在多個重點工業領域的產業化應用；主持公司江蘇省原子層沉積技術工程技術研究中心和江蘇省研究生工作站，作為項目研發負責人主持并參加多個省級研發項目；指導實

30、現公司在光伏、集成電路、新型存儲器等多個領域產業化項目中形成重大技術突破；承擔研發團隊管理工作，逐步為公司培育出一個以 ALD 工藝、應用和產業化為特色的研發團隊；為公司 35 項授權專利（其中發明專利 8 項）的發明人，33 項在申 5 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 姓名姓名 職務職務 學歷學歷 研究經歷、科研成果及榮譽研究經歷、科研成果及榮譽 主要負責的研發工作、對公司的具體貢獻主要負責的研發工作、對公司的具體貢獻 請發明專利的發明人。許所昌許所昌 半導體事業部工藝副總監 中國科學院大連化學物理研究所物理化學專業博士研究生 許所昌博士擁有多年半導體行業薄膜

31、工藝研發經歷，致力于先進半導體工藝和技術開發；在 28nm及以下先進制程中原子層沉積技術應用方面積累了大量經驗，參與政府科技項目共 4 項；獲 2021年江蘇省“雙創人才”、2021 年無錫市“太湖人才計劃”創新領軍人才、2020 年江蘇省“雙創團隊”核心成員、2019 年江蘇省“雙創博士”。2016 年 6月至 2018 年 9 月曾就職于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司擔任研發工程師。負責公司半導體事業部工藝部門組建及半導體相關原子層沉積工藝技術攻關和產業化；主導公司首臺用于邏輯芯片 28nm HfO2柵氧原子層沉積工藝開發并通過客戶產線驗收，打破國外技術壟斷，推動先進薄膜沉積技術的發

32、展；為公司 17 項授權專利（其中發明專利 1 項）的發明人，11 項在申請發明專利的發明人。吳興華吳興華 光伏事業部副總經理 中山大學物理專業碩士研究生 吳興華擁有 15 年以上高效率太陽能電池設備與高效電池技術研發經驗，曾任中國臺灣工業技術研究院高級工程師，長期致力于高效率電池技術開發與產業化研究，在 N 型高效電池制造領域積累了豐富的經驗；發表論文 6 篇；榮獲工研院杰出金牌研究獎。2016 年 9 月至 2019 年 12 月，曾就職于泰州中來光電科技有限公司，任研發經理、生產廠長。負責光伏事業部的業務與產品戰略發展規劃，推動研發團隊進行新型高效電池設備開發與產業化驗證；指導打破技術壁

33、壘，形成新型高效電池整體薄膜沉積方案并促成下游企業進行技術升級，帶動公司產品和技術發展，提高核心競爭優勢；為公司 9項授權專利的發明人，5 項在申請發明專利的發明人。資料來源：公司招股說明書，中信建投 公司核心技術公司核心技術依靠依靠自主研發，在光伏及半導體領域實現自主研發，在光伏及半導體領域實現了了產業化應用。產業化應用。公司自主研發的多項原子層沉積及真空鍍膜相關技術在較短時間內實現了產品與工藝的突破升級，核心技術主要來源于自主研發。多項核心技術獲得發明專利，且已在光伏及半導體領域實現了產業化應用，構筑了公司技術方面的競爭優勢。2022 年公司新增專利申請及授權數量再創新高，各類型國家專利授

34、權共計 16 項，累計達到 102 項。圖表圖表6：公司核心技術公司核心技術概況及應用情況概況及應用情況 技術名稱技術名稱 技術來源技術來源 技術來源技術來源 光伏領域應用情況光伏領域應用情況 半導體領域應用情況半導體領域應用情況 原子層沉積反應器設計技術 自主研發 授權發明專利 4 項 已產業化應用 已產業化應用 高產能真空鍍膜技術 自主研發 授權發明專利 3 項 已產業化應用 已產業化應用 真空鍍膜設備工藝反應氣體控制技術 自主研發 授權發明專利 3 項 已產業化應用 已產業化應用 納米疊層薄膜沉積技術 自主研發 授權發明專利 5 項 已產業化應用 已產業化應用 高質量薄膜制造技術 自主研

35、發 授權發明專利 1 項 已產業化應用 已產業化應用 工藝設備能量控制技術 自主研發 授權發明專利 1 項 已產業化應用 已產業化應用 基于原子層沉積的高效電池技術 自主研發 授權發明專利 7 項 已產業化應用-資料來源：公司2022年年報，中信建投 公司持續推進光伏及半導體領域技術研發，并逐步延伸至新能源、柔性電子、新型顯示等領域。公司持續推進光伏及半導體領域技術研發，并逐步延伸至新能源、柔性電子、新型顯示等領域。公司繼續深化開發薄膜沉積技術在下一代光伏電池、半導體各細分應用、柔性電子等應用領域的技術和產品儲備，并已在下游行業多家知名公司進行產品驗證。2022 年公司研發投入 1.38 億元

36、，其中半導體領域研發投入占比約為55.19%，投向包括邏輯、存儲、新型顯示器、化合物半導體等項目；光伏領域研發投入占比約為 37.47%，投向包括公司 TOPCon、XBC、鈣鈦礦/異質結疊層電池等新一代高效電池技術等項目。6 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表7：公司主要研發項目及進展公司主要研發項目及進展 應用領域應用領域 在研技術名稱在研技術名稱 預計總投資規模（萬元）預計總投資規模（萬元）所處階段及進展所處階段及進展 光伏 TOPCon 整線技術的開發 4,515.00 產業化應用，并持續開發中 大尺寸硅片 PEALD/PECVD 設備 3,800

37、.00 產業化應用，并持續開發中 高效太陽能晶硅電池接觸鈍化技術的研究與產業化 600.00 產業化應用，并持續開發中 疊層電池技術研發 1,000.00 產業化驗證，并持續開發中 半導體等 半導體制造 ALD 設備平臺 6,359.00 產業化應用，并持續開發中 RD 13 5,000.00 產業化驗證，并持續開發中 基于300mm晶圓半導體制造高產能自動化真空傳輸技術的研究與產業化 1,200.00 產業化應用，并持續開發中 RD 15 800.00 產業化應用，并持續開發中 超大集成電路尖端制造設備/批量型集成電路 ALD 系統研發 2,000.00 開發實現階段 新能源 應用于新能源電

38、池的 ALD 鍍膜設備的研發及產業化 1,532.00 開發實現階段 柔性電子 高阻隔膜產業化技術研發 800.00 產業化應用，并持續開發中 新型顯示 新一代化合物半導體mini-LED顯示技術關鍵工藝技術研發及產業化 300.00 產業化驗證，并持續開發中 化合物半導體和微機電 先進化合物半導體及微機電關鍵工藝及產業化應用 500.00 產業化驗證，并持續開發中 合計合計 28,406.00 資料來源：公司2022年年報，中信建投 1.3 業務規模高速增長，業務規模高速增長，收入結構逐步收入結構逐步走向走向多元多元化化 營業收入高速增長，營業收入高速增長，2018-2022 年收入年收入

39、CAGR 達到達到 101%。公司專注于薄膜沉積設備領域，持續拓展下游應用領域。近年來受益于光伏行業的快速發展，公司持續推出符合市場需求的高性能產品，銷售規模實現了高速增長，2018-2022 年公司營業收入從 0.42 億元增長至 6.85 億元，CAGR 為 101.03%；歸母凈利潤于 2019 年扭虧實現盈利 0.55 億元后保持穩定，2022 年歸母凈利潤為 0.54 億元，2020 年起公司加大人才引入力度和產品應用領域拓展，費用金額快速上升，導致最終凈利潤水平有所波動。2022 年公司主要產品在光伏 PERC 及 TOPCon等新型高效電池技術領域、半導體領域的銷量大幅增長，帶動

40、收入規?？焖僭鲩L，全年實現營收 6.85 億元，同比增長 59.96%，歸母凈利潤 0.54 億元，同比增長 17.43%。受下游擴產以及產品驗收節奏影響，2023Q1 公司實現營收 0.76 億元，同比下降 42.65%，歸母凈利潤為-0.01 億元，同比下降 141.75%。新簽訂單大幅增長，未來業績增長有保障。新簽訂單大幅增長，未來業績增長有保障。截至 2022 年 12 月底，公司在手專用設備訂單 22.93 億元，其中光伏設備、半導體設備、其他設備訂單分別為 19.67 億元、2.57 億、6881 萬元。2023 年 1 月初至年報披露日，公司新增專用設備訂單 22.74 億元，其

41、中光伏設備、半導體設備、其他設備新增訂單分別為 20.16 億元、2.42 億元、1580 萬元。2022 年下半年以來 TOPCon 電池大擴產趨勢明確，公司受益于此實現了光伏設備訂單的快速增長；與此同時，公司積極推進半導體設備驗證，訂單量持續攀升貢獻增量。我們認為，隨著銷售規模的持續擴大，各項費用成本或將攤薄，公司業績表現有望穩中向好。7 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表8：2022 年年公司公司營業收入營業收入 6.85 億元，同比億元，同比+59.96%圖表圖表9：2022 年年公司公司歸母凈利潤歸母凈利潤 0.54 億元，同比億元，同比+17.

42、43%資料來源：Wind，中信建投 資料來源：Wind，中信建投 收入收入構成逐漸多元化構成逐漸多元化，產品拓展成效逐步顯現。，產品拓展成效逐步顯現。從公司收入的產品構成來看，光伏 ALD 設備貢獻公司主要的收入來源，2019-2020 年公司專用設備收入均為光伏 ALD 設備，2021 年 ALD 設備銷售收入占專用設備收入比例為 45.32%，2022H1 進一步降低至 44.18%。公司 PECVD 設備、PEALD 二合一設備于 2020 年開發完成，而后產品取得了相應訂單并于 2021 年開始實現銷售，2021 年光伏 PECVD 設備、PEALD 二合一設備、半導體ALD 設備均實

43、現了收入確認，為收入增長帶來增量，整體產品結構多元化程度實現了較大的提升。此外，隨著TOPCon 等新型高效電池技術路線確定、成熟度提高，下游客戶新型高效電池擴產計劃加速，公司 2022 年 ALD設備的訂單數量大幅增長。此外，設備改造業務主要受光伏電池硅片大尺寸化趨勢、公司臭氧工藝的推廣以及新工藝開發及應用情況等因素影響，預計設備改造業務規模會隨著設備累計銷量增加而持續增長。圖表圖表10：2019 年年-2022H1 公司公司設備產品設備產品銷量及單價銷量及單價 應用領域應用領域 類型類型 項目項目 2019 年年 2020 年年 2021 年年 2022H1 光伏設備光伏設備 ALD 設備

44、設備 銷量（臺）38 59 22 11 銷售均價（萬元/臺）531.44 507.06 618.95 593.16 銷售收入（百萬元）201.95 299.17 136.17 65.25 PECVD 設備設備 銷量（臺）-19 8 銷售均價（萬元/臺）-374.90 373.89 銷售收入（百萬元）-71.23 29.91 PEALD 二合一設備二合一設備 銷量（臺）-17 12 銷售均價（萬元/臺）-399.27 398.23 銷售收入（百萬元）-67.88 47.79 合計合計 銷售收入（萬元）銷售收入（萬元）201.95 299.17 275.27 142.95 半導體設備半導體設備 A

45、LD 設備設備 銷量（套）-1-銷售均價（萬元/套）-2520.00-銷售收入（百萬元）-25.20-真空傳輸系統真空傳輸系統 銷量（臺）-1 銷售均價（萬元/臺）-475.00 銷售收入（百萬元）-4.75 合計合計 銷售收入（銷售收入（百百萬元）萬元）-25.20 4.75-100%0%100%200%300%400%500%0100200300400500600700800201820192020202120222023Q1營業收入同比(右軸)(百萬元)-200%-150%-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%-40-30-20-1001020304

46、0506070201820192020202120222023Q1歸母凈利潤同比(右軸)(百萬元)8 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 設備改造設備改造 工藝工藝改造改造 銷售收入（百萬元）-72.65 4.48 尺寸尺寸改造改造 銷售收入（百萬元）0.21 2.05 49.88-其他設備改造其他設備改造 銷售收入（百萬元）-0.20-合計合計 銷售收入（銷售收入（百百萬元）萬元）0.21 2.24 122.54 4.48 資料來源：公司招股說明書，中信建投；注：公司產品均價根據當期確認收入的主機臺數量測算，為不含稅價格 產品結構變動影響近年來毛利率產品結構變動影

47、響近年來毛利率有所下降。有所下降。從毛利率的絕對數值來看，公司整體毛利率保持在 40%以上的較高水平，體現出公司產品的市場競爭力強勁。從變化趨勢來看，2018-2020 年公司毛利率穩定保持在 52%左右的水平，2021 年毛利率同比下滑 6.13pct 至 45.77%，主要由于新推出的 PECVD 設備和 PEALD 二合一平臺設備毛利率偏低所致；相關產品開發完成時，新型高效電池的具體技術路線尚未成為行業共識，設備產品在新型高效電池產業化應用的成熟度也有待提高，因此公司首先將其在 PERC 電池領域進行推廣，而相關產品于 PERC技術路線的應用在市場上已存在成熟的競爭方案，參考市場水平定價

48、，毛利率偏低。2022 年下半年以來 TOPCon電池大擴產的趨勢逐步明確，公司應用于新型高效電池的設備有望更充分地發揮出產品潛力，毛利率有望提升，帶動整體盈利能力實現優化。圖表圖表11：公司毛凈利率變動情況公司毛凈利率變動情況 圖表圖表12：公司公司各業務各業務毛利率變動情況毛利率變動情況 資料來源：Wind，中信建投 資料來源：Wind，中信建投 費用投入持續增加，研發費用比例維持高位。費用投入持續增加，研發費用比例維持高位。2018-2022 年公司整體費用率處于較高水平，主要由于公司正處于業務拓展期，加大人才引入力度和產品應用領域拓展，導致投入增加、費用上升。2022 年公司期間費用率

49、為 34.05%，同比下降 3.01pct，其中銷售、管理、研發、財務費用率分別為 6.63%、7.29%、20.22%、-0.09%，同比分別-1.22pct、+1.27pct、-2.46pct、-0.60pct。隨著公司收入規模的逐漸增長，各項費用有望攤薄，整體費用率水平有望不斷下降。-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%201820192020202120222023Q1毛利率凈利率0%20%40%60%80%100%20182019202020212022光伏設備半導體設備配套產品及服務其他主營業務 9 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲

50、明 圖表圖表13：2019 年以來公司期間費用持續增長年以來公司期間費用持續增長 資料來源：Wind，中信建投 1.4 股權結構相對集中，股權結構相對集中，股權激勵彰顯未來增長信心股權激勵彰顯未來增長信心 公司公司股權結構股權結構相對集中，董事長王磊、其父王燕清、其母倪亞蘭為公司實控人。相對集中，董事長王磊、其父王燕清、其母倪亞蘭為公司實控人。截至 2023Q1 末，公司控股股東為萬海盈投資，直接持股比例為 51.18%。公司股權集中度相對較高，董事長王磊、其父王燕清、其母倪亞蘭組成的家族通過萬海盈投資、聚海盈管理、德厚盈投資間接控制公司 60.60%的股份，三人系公司實控人。王磊擔任公司董事

51、長、倪亞蘭擔任公司董事；王燕清于 2011 年 12 月至今任先導智能董事長、總經理，王磊于2018 年 2 月至今任先導智能董事。此外，公司首席技術官 LI WEI MIN（中文名黎微明）直接持股 9.42%，副總經理、核心技術人員 LI XIANG 直接持股 4.44%，也體現出公司對于核心技術人員的高度重視。圖表圖表14：微導納米股權結構示意圖（截至微導納米股權結構示意圖（截至 2023 年一季度末）年一季度末）資料來源：公司公告，Wind，中信建投-20%0%20%40%60%80%100%120%140%201820192020202120222023Q1銷售費用率管理費用率財務費用

52、率研發費用率期間費用率合計 10 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 2023 年發布限制性股權激勵計劃，進一步實現核心團隊與公司的利益協同。年發布限制性股權激勵計劃，進一步實現核心團隊與公司的利益協同。2023 年 3 月，公司發布2023年限制性股票激勵計劃（草案），該激勵計劃擬向激勵對象授予 1782.10 萬股限制性股票，約占該激勵計劃草案公告時公司股本總額的 3.92%；其中，首次授予 1425.68 萬股，預留 356.42 萬股。根據公司 2023 年 3 月 30 日發布的關于向激勵對象首次授予限制性股票的公告，公司首次授予 322 名激勵對象限制性

53、股票 1425.68 萬股，約占公司股本總額的 3.14%，其中以 5.22 元/股的授予價格向符合授予條件的2 名 A 類激勵對象授予 530.20 萬股限制性股票；以 17.40 元/股的授予價格向符合授予條件的 320 名 B、C 類激勵對象授予 895.48 萬股限制性股票。A 類激勵對象之一為公司總經理 ZHOU REN，其自 2021 年 7 月 1 日于公司任職，其曾先后任職于半導體退火設備公司 AG Associates、半導體薄膜沉積公司 Novellus System、私募股權及投資咨詢公司 CVC Inc、半導體刻蝕沉積清洗等設備公司 Lam、半導體刻蝕設備公司中微半導體

54、設備（上海）、半導體前道檢測設備公司 KLA Tencor、MOCVD 核心設備廠商光達光電設備科技（嘉興）、半導體薄膜沉積設備公司拓荊科技，具有豐富的行業經驗。圖表圖表15：限制性股權限制性股權激勵對象名單及首次授予情況激勵對象名單及首次授予情況 姓名姓名 國籍國籍 職務職務 獲授的限制性股票數量獲授的限制性股票數量（萬股）（萬股）占本激勵計劃授出權益占本激勵計劃授出權益數量的比例數量的比例 占首次授予時公司股占首次授予時公司股本總額的比例本總額的比例 一、一、A 類激勵對象：高級管理人員、核心管理人員（類激勵對象：高級管理人員、核心管理人員（2 人）人）ZHOU REN（周仁）美國 總經理

55、 378.71 21.25%0.83%外籍人員（1 人）151.49 8.50%0.33%二、二、B 類激勵對象：核心骨干人員（類激勵對象：核心骨干人員（1 人）人）核心骨干人員 113.61 6.38%0.25%三、三、C 類激勵對象：高級管理人員、核心技術人員、核心骨干人員、中層管理人員及公司董事會認為需要激勵的其他人員（類激勵對象：高級管理人員、核心技術人員、核心骨干人員、中層管理人員及公司董事會認為需要激勵的其他人員（319 人）人）龍文 中國 董事會秘書 17.24 0.97%0.04%俞瀟瑩 中國 財務負責人 11.49 0.64%0.03%吳興華 中國臺灣 核心技術人員 11.7

56、8 0.66%0.03%許所昌 中國 核心技術人員 4.60 0.26%0.01%外籍人員（2 人）21.55 1.21%0.05%核心骨干人員、中層管理人員及公司董事會認為需要激勵的其他人員（313 人）715.21 40.13%1.57%首次授予限制性股票數量合計首次授予限制性股票數量合計 1,425.68 80.00%3.14%預留部分 356.42 20.00%0.78%合合 計計 1,782.10 100.00%3.92%資料來源：關于向激勵對象首次授予限制性股票的公告，中信建投 股權激勵授予目標彰顯股權激勵授予目標彰顯管理層發展信心管理層發展信心。對于此次股權激勵限制性股票的歸屬條

57、件，公司制定了業績層面的考核要求。A、B 類激勵對象首次授予部分的考核年度為 2023-2027 年，五期考核目標分別為以 2022 年營業收入為基數，2023-2027 年營業收入增長率分別不低于 35%、82%、146%、232%、348%，對應營業收入分別為9.24、12.46、16.84、22.73、30.67 億元；若預留授予的限制性股票在 2023 年三季報披露前授出，則預留部分業績考核年度及各考核年度的考核安排同首次授予部分一致；若預留授予的限制性股票在 2023 年三季報披露后授出，A、B 類激勵對象預留授予限制性股票的考核年度為 2024-2028 年，五期考核目標為以 20

58、22 年營業收入為基數，2024-2028 年營業收入增長率分別不低于 82%、146%、232%、348%、505%，對應營業收入分別為 12.46、11 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 16.84、22.73、30.67、41.41 億元。C 類激勵對象考核年度及考核目標為對應條件下 A、B 類激勵對象的前四年指標。圖表圖表16：2023 年股權激勵年股權激勵公司層面業績考核要求公司層面業績考核要求 首次首次授予授予的的限制性股票限制性股票、預留授予的限制性股票預留授予的限制性股票（在在 2023 年三季報披露前授出年三季報披露前授出）激勵對象類型激勵對象類

59、型 考核目標（以考核目標（以 2022 年營業收入為基數）年營業收入為基數）2023 年年 2024 年年 2025 年年 2026 年年 2027 年年 2028 年年 A、B 類激勵對象 目標年份營業收入增長率 35%82%146%232%348%-目標年份營業收入（億元）9.24 12.46 16.84 22.73 30.67-C 類激勵對象 目標年份營業收入增長率 35%82%146%232%-目標年份營業收入（億元）9.24 12.46 16.84 22.73-預留授予的限制性股票預留授予的限制性股票（2023 年三季報披露后授出年三季報披露后授出）激勵對象類型激勵對象類型 考核目標

60、（以考核目標（以 2022 年營業收入為基數）年營業收入為基數）2023 年年 2024 年年 2025 年年 2026 年年 2027 年年 2028 年年 A、B 類激勵對象 目標年份營業收入增長率-82%146%232%348%505%目標年份營業收入（億元）-12.46 16.84 22.73 30.67 41.41 C 類激勵對象 目標年份營業收入增長率-82%146%232%348%-目標年份營業收入（億元）-12.46 16.84 22.73 30.67-資料來源：2023年限制性股票激勵計劃（草案），中信建投 12 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明

61、 二、二、薄膜沉積技術應用廣泛，薄膜沉積技術應用廣泛，ALD 工藝工藝鍍膜鍍膜效果優異效果優異 2.1 薄膜沉積可分為薄膜沉積可分為 PVD、CVD 和和 ALD 工藝，工藝原理各有不同工藝，工藝原理各有不同 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。薄膜沉積設備通常用于在基底上沉積導體、絕緣體或者半導體等材料膜層，使之具備一定的特殊性能，廣泛應用于光伏、半導體等領域的生產制造環節。薄膜沉積設備薄膜沉積設備按照工藝原理不同按照工藝原理不同可分為可分為 PVD、CVD 及及 ALD

62、設備設備，分別對應分別對應物理氣相沉積（物理氣相沉積（PVD）、化學）、化學氣相沉積（氣相沉積（CVD）和原子層沉積（）和原子層沉積（ALD）三種工藝原理。三種工藝原理。PVD（Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積，物理氣相沉積）：PVD 技術是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD 鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。PVD 沉積通常用于沉積金屬薄膜。CVD（Chemical Vapor Deposi

63、tion，化學氣相沉積化學氣相沉積）：CVD 是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在基體表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積?；瘜W氣相沉積法需要精準控制氣體流量并送入反應腔室。常見的 CVD 技術包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）等。ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積，原子層沉積）：ALD 技術通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應室并在沉積基底上發生表面飽和化學反

64、應形成薄膜。通過 ALD 鍍膜設備可以將物質以單原子層的形式一層一層沉積在基底表面，每鍍膜一次/層為一個原子層，根據原子特性，鍍膜 10 次/層約為 1nm。圖表圖表17：薄膜沉積設備技術分類薄膜沉積設備技術分類 資料來源：公司招股說明書，中信建投 13 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 ALD 技術鍍膜均勻性、階梯覆蓋率較好，但是沉積速率相對較慢。技術鍍膜均勻性、階梯覆蓋率較好，但是沉積速率相對較慢。相比于 ALD 技術，PVD 技術生長機理簡單，沉積速率高，但一般只適用于平面的膜層制備；CVD 技術的重復性和臺階覆蓋性比 PVD 略好，但是工藝過程中影響因素較

65、多，成膜的均勻性較差，并且難以精確控制薄膜厚度；ALD 技術具有大面積薄膜厚度均勻性好、薄膜致密無針孔、階梯覆蓋率好等優勢，但是其沉積速率較慢，為納米/分鐘級別。ALD 與與 CVD 均均采用采用化學反應化學反應方式方式沉積，但反應原理及工藝存在區別。沉積，但反應原理及工藝存在區別。在 CVD 工藝過程中，化學蒸氣不斷地通入真空室內，因此該沉積過程是連續的，沉積薄膜的厚度與溫度、壓力、氣體流量以及流動的均勻性、時間等多種因素有關；原子層沉積可以將物質以單原子層形式一層一層地鍍在基底表面，在 ALD 工藝過程中，不同的反應物（前驅體）是以氣體脈沖的形式交替送入反應室中，使得在基底表面以單個原子層

66、為單位一層一層地實現鍍膜，因此并非一個連續的工藝過程。圖表圖表18：薄膜沉積優劣勢及應用場景薄膜沉積優劣勢及應用場景對比對比 項目項目 PVD 技術技術 CVD 技術技術 ALD 技術技術 沉積速率沉積速率 較快 一般（微米/分鐘）較慢（納米/分鐘）薄膜厚度薄膜厚度 薄膜厚度較厚，對于納米級的膜厚精度控制差 中等薄膜厚度（依賴反應循環次數）原子層級的薄膜厚度 薄膜質量薄膜質量 鍍膜具有單一方向性 厚度均勻性差 鍍膜具有單一方向性 大面積薄膜厚度均勻性好 薄膜致密無針孔 階梯覆蓋率階梯覆蓋率 差 一般 好 主要主要應用應用領域領域 HJT 光伏電池透明電極 柔性電子金屬化、觸碰面板透明電極 半導

67、體金屬化 PERC 電池背面鈍化層、PERC 電池減反層 TOPCon 電池接觸鈍化層、減反層 HJT 電池接觸鈍化層 柔性電子介質層、柔性電子封裝層 半導體介質層（低介電常數）、半導體封裝層 PERC 電池背面鈍化層 TOPCon 電池隧穿層、接觸鈍化層、減反層 柔性電子介質層、柔性電子封裝層 半導體高 k 介質層、金屬柵極、金屬互聯阻擋層、多重曝光技術 效果圖效果圖 資料來源：微導納米招股說明書，拓荊科技招股說明書，中信建投 由于技術原理的不同，目前幾大主流薄膜沉積技術適用于不同的工藝與沉積薄膜類型。由于技術原理的不同，目前幾大主流薄膜沉積技術適用于不同的工藝與沉積薄膜類型。（1）PVD

68、主要用于沉積金屬材料，其中濺射法還可以沉積部分介質材料，通常用于沉積阻擋層金屬、金屬填充層、金屬互聯等。（2）CVD 主要用于沉積介質材料和半導體材料，細分技術路線來看：LPCVD：主要用于沉積阻擋層和刻蝕終止層、用于應力釋放的薄膜間襯墊層、高溫沉積層（包括氧化物、氮化硅、多晶硅、鎢）等。14 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 PECVD：主要用于沉積金屬上的絕緣體、氮化物鈍化層、低 k 介質、pMOS 柵電極鈍化、源/漏注入終止、金屬前介質、用于縫隙填充和大馬士革互聯的金屬層間介質等。（3）ALD 主要用于沉積間隙填充介電材料、側壁和掩膜圖案化、適形襯墊、刻蝕截

69、止層、鎢插塞、接觸孔和通孔填充、3D NAND 字線、低應力復合互聯、用于通孔和接觸孔金屬化的阻擋膜等。2.2 ALD 技術技術具有自具有自限制限制性特點性特點，成膜效果好成膜效果好適用于高性能要求的薄膜沉積適用于高性能要求的薄膜沉積 ALD 技術通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應室并在沉積基底上發生表面飽和化學反應形成薄膜。技術通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應室并在沉積基底上發生表面飽和化學反應形成薄膜。我們以三甲基鋁（TMA）為金屬鋁源、水蒸氣為氧源，沉積 Al2O3薄膜的反應為例，介紹 ALD 的工藝原理，每一個單位循環分為四步，而后循環操作。前驅體脈沖：前驅體脈沖：TMA 蒸氣脈沖進

70、入反應室，在暴露的襯底或膜表面發生化學吸附反應；惰性氣體沖洗：惰性氣體沖洗：清洗氣體（通常為惰性氣體）將多余的 TMA 蒸氣和反應副產物甲烷帶出反應室；氧化物脈沖：氧化物脈沖：水蒸氣脈沖進入反應室和 TMA 前驅體吸附的表面繼續進行表面化學反應；惰性氣體沖洗：惰性氣體沖洗：清洗氣體把多余的水蒸氣和反應副產物甲烷帶出反應室。接著循環上述步驟，形成所需厚度的 Al2O3薄膜；循環生長形成薄膜：循環生長形成薄膜：循環上述步驟，形成所需厚度的 Al2O3薄膜。圖表圖表19：原子層沉積技術原理示意圖原子層沉積技術原理示意圖 資料來源：公司招股說明書，中信建投 自限制性是自限制性是 ALD 技術的顯著特點

71、。技術的顯著特點。原子層沉積反應過程中，通入第一類前驅體時，前驅體只能吸附在暴露的區域，一旦全部被覆蓋，反應隨即停止，此外，通入第二類前驅體時，一旦第一類前驅體耗盡，反應即停止，因此原子層沉積反應具有序貫性和自限制性。根據沉積前驅體和基體材料的不同，根據沉積前驅體和基體材料的不同，ALD 有兩種不同的自限制機制，即化學吸附自限制（有兩種不同的自限制機制，即化學吸附自限制（CS-ALD）和順）和順 15 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 次反應自限制（次反應自限制（RS-ALD）過程）過程：化學吸附自限制沉積化學吸附自限制沉積過程中，第一種前驅體輸入到基體材料表面并

72、通過化學吸附保持在表面，當第二種前驅體通入反應器，就會與已吸附于基體材料表面的第一前驅體發生置換反應并產生相應的副產物，直到表面的第一前驅體完全消耗，反應會自動停止并形成需要的原子層；順次反應自限制沉順次反應自限制沉積積是一種活性前驅體物質與活性基體材料表面的化學反應，首先通過活化劑活化基體材料表面，再注入活性前驅體物質，在活化的基體材料表面反應形成吸附中間體，隨后將另一種沉積反應前驅體注入反應器，與吸附中間體反應，生成沉積原子層。圖表圖表20：化學吸附自限制化學吸附自限制反應原理反應原理 圖表圖表21：順次反應自限制順次反應自限制反應原理反應原理 資料來源：拉普拉斯裝備公眾號，中信建投 資料

73、來源：拉普拉斯裝備公眾號，中信建投 ALD 技術技術可實現復雜可實現復雜 3D 結構表面的均勻度鍍膜，結構表面的均勻度鍍膜，具有近具有近 100%的臺階覆蓋能力的臺階覆蓋能力。自限制性保證了第一類前驅體的表面吸附或與基體反應形成的吸附中間體在數量上都是一定的，因此在每一個脈沖周期階段，反應消耗的第二類前驅體的量也是一定的，并且剛好能飽和覆蓋基底表面，因此，基于該機理，該技術可克服現有蒸鍍、濺射、化學氣相沉積等方法的缺陷，實現針對復雜 3D 結構表面的均勻鍍膜，具有近 100%的臺階覆蓋能力。ALD 反應具有沉積溫度低、薄膜均勻性好、高保形性、成膜質量高，適用于各類單層薄膜或疊層復合薄膜沉積等特

74、點。但相應地，由于 ALD 技術需要交替通入氣相前驅體脈沖，整體循環速率較慢，因此 ALD 沉積薄膜也存在著沉積速率相對較低的缺點，每分鐘僅能沉積幾納米的膜厚，同時厚度也取決于循環次數。圖表圖表22：ALD 技術具有近技術具有近 100%的臺階覆蓋能力，在各類薄膜沉積技術中成膜效果最好的臺階覆蓋能力，在各類薄膜沉積技術中成膜效果最好 資料來源：公司招股說明書，中信建投 16 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 基于基于 ALD 技術表面反應具有自限性的特點，因此其擁有多項獨特的薄膜沉積特性：三維共形性，廣泛技術表面反應具有自限性的特點，因此其擁有多項獨特的薄膜沉積特

75、性：三維共形性，廣泛適用于不同形狀的基底；大面積成膜的均勻性，且致密、無針孔；可實現亞納米級的薄膜厚度控制。適用于不同形狀的基底；大面積成膜的均勻性，且致密、無針孔；可實現亞納米級的薄膜厚度控制?；谏鲜鎏匦?，基于上述特性，ALD 技術廣泛適用于不同場景下的薄膜沉積，在光伏、半導體、柔性電子等新型顯示、技術廣泛適用于不同場景下的薄膜沉積，在光伏、半導體、柔性電子等新型顯示、MEMS、催化及光學器件等諸多高精尖領域均擁有良好的產業化前景。、催化及光學器件等諸多高精尖領域均擁有良好的產業化前景。公司在成功實現 ALD 技術應用于光伏領域后，先后開發出對技術水平和工藝要求更高的半導體和柔性電子薄膜沉

76、積設備，并逐步拓展應用領域。在在光伏光伏領域領域，在 PERC 電池背鈍化 Al2O3的沉積工藝中，由于 ALD 量產設備鍍膜速率持續提升已打破產能限制因素，因此在該工藝中，ALD 技術與 PECVD 技術存在互相替代的關系；在 TOPCon 電池隧穿層即氧化硅層的沉積工藝中，ALD 技術更具優勢，連續完成 TOPCon 電池的背膜結構鍍膜的同時，還可以獲得超?。?nm）、大面積均勻性、致密性好、無針孔的氧化硅層。在半導體領域，在半導體領域，ALD 技術在半導體領域 28nm 及以下先進制程、存儲器件中的典型應用中發揮舉足輕重的作用，能夠較好的滿足器件尺寸不斷縮小和結構 3D 立體化對于薄膜沉

77、積工序中薄膜的厚度、三維共形性等方面的更高要求。圖表圖表23：公司公司依托依托 ALD 核心技術在光伏、半導體等諸多領域持續拓展核心技術在光伏、半導體等諸多領域持續拓展 資料來源：公司2022年年報，中信建投 17 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 三、光伏三、光伏設設備：備：ALD 設備龍頭設備龍頭充分充分受益受益于于 TOPCon 擴產，擴產，豐富產品豐富產品矩陣矩陣打開打開成長空間成長空間 3.1 光伏行業蓬勃發展，光伏行業蓬勃發展，N 型高效電池型高效電池發展趨勢發展趨勢需求明確需求明確 雙碳背景下光伏行業有望持續蓬勃發展。雙碳背景下光伏行業有望持續蓬勃發

78、展。全球已有多個國家提出了“零碳”或“碳中和”的氣候目標，發展以光伏為代表的可再生能源已成為全球共識，光伏行業持續降本增效，自身市場競爭力逐步提升，預計全球光伏市場將持續增長。根據 CPIA 數據，2022 年全球光伏新增裝機預計或將達到 230GW，創歷史新高。未來，在光伏發電成本持續下降和全球綠色復蘇等有利因素的推動下，全球光伏新增裝機仍將快速增長。圖表圖表24：全球光伏新增裝機量及展望全球光伏新增裝機量及展望 圖表圖表25：中國光伏新增裝機量及展望中國光伏新增裝機量及展望 資料來源：中國光伏產業發展路線圖（2022-2023年），中信建投 資料來源：中國光伏產業發展路線圖（2022-20

79、23年），中信建投 N 型型電池電池滲透率快速提升，市場前景向好。滲透率快速提升，市場前景向好。目前光伏行業正處于 N 型電池逐步替代 P 型電池的技術變革期。根據CPIA數據，2022年PERC電池片市場占比下降至88%，N型電池片占比合計達到約9.1%，其中N型TOPCon電池片市場占比約 8.3%。隨著產能的陸續投放，未來預計 TOPCon、HJT 等 N 型電池占比將持續提升。相比于PERC 電池，TOPCon、HJT 電池實現了更優化的表面鈍化效果，對于薄膜沉積質量也有著更高的要求。圖表圖表26：晶硅太陽能電池進入晶硅太陽能電池進入 N 型量產時代型量產時代 圖表圖表27：ALD/P

80、EALD/PECVD 技術在高效電池應用前景廣闊技術在高效電池應用前景廣闊 資料來源：CPIA，中信建投 資料來源：公司官方公眾號，中信建投 01002003004005006002011201220132014201520162017201820192020202120222023E2024E2025E2027E2030E保守情況樂觀情況（GW）0204060801001201401602011201220132014201520162017201820192020202120222023E2024E2025E2027E2030E保守情況樂觀情況（GW）0%10%20%30%40%50%60

81、%70%80%90%100%20222023E2024E2025E2027E2030EPERCTOPConHJTXBC其他 18 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 3.2 光伏光伏鍍膜鍍膜設備設備空間空間廣闊，廣闊，2023 年微導年微導 TOPCon 設備市場規模約設備市場規模約 240 億元億元 薄膜沉積設備在高效電池薄膜沉積設備在高效電池中應用前景廣闊中應用前景廣闊。光伏薄膜沉積設備主要應用于太陽能晶硅電池片的制造環節，根據電池不同工藝和所需的薄膜性質，所采用的薄膜沉積設備會有所不同。PERC 電池電池：薄膜沉積設備主要用于 PERC 電池的鈍化和減反膜的制

82、備，其中 ALD 設備主要用于沉積Al2O3薄膜，PECVD 主要用于沉積 SiNx薄膜，此外也可使用 PEALD 二合一設備在同一設備中先后完成兩層薄膜的制備；TOPCon 電池電池：TOPCon 電池生產線可以由 PERC 電池生產線升級改造實現，除原薄膜沉積需求外，還增加了隧穿層和摻雜多晶硅層鍍膜需求；HJT 電池電池：整體結構變化較大，其制造環節只需 4 大類設備，分別是制絨清洗設備、非晶硅沉積設備、透明導電薄膜設備和印刷設備，其中非晶硅沉積設備、透明導電薄膜設備均需要用到薄膜沉積設備。以以 TOPCon 為主的新型高效電池為主的新型高效電池擴產擴產需求將持續推動光伏薄膜沉積設備市場空

83、間提升。需求將持續推動光伏薄膜沉積設備市場空間提升。圖表圖表28：PERC、TOPCon 電池制備工藝流程及各環節主要設備電池制備工藝流程及各環節主要設備 資料來源：公司招股說明書，中信建投 19 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 TOPCon產線中薄膜沉積設備價值量相比產線中薄膜沉積設備價值量相比PERC產線顯著提升產線顯著提升。由于TOPCon電池生產線可以由現有PERC電池生產線升級改造完成，而且目前 TOPCon 電池生產線單位投資規模和運營成本低于 HJT 電池生產線，因此TOPCon 電池生產線在 N 型電池線建設中進展顯著。根據上市公司披露的項目投資

84、明細，TOPCon 產線每 GW平均投資規模高于 PERC 產線，其中薄膜沉積相關設備在薄膜沉積相關設備在 PERC 產線建設中的投資占比為產線建設中的投資占比為 24.71%-26.73%，在，在TOPCon 產線建設中的投資比重上升至產線建設中的投資比重上升至 36.43%-39.12%。圖表圖表29：上市公司電池片項目投資明細上市公司電池片項目投資明細 上市公司上市公司 時間時間 項目項目 電池類型及規模電池類型及規模 設備投資總設備投資總額（億元）額（億元）單單 GW 投資投資額（億元）額（億元）薄膜沉積薄膜沉積相相關關設備占比設備占比 通威太陽能 2020.8 年產 7.5GW 高效

85、晶硅太陽能電池智能互聯工廠項目 PERC 電池 7.5GW 18.72 2.50 24.85%通威太陽能 2020.8 年產 7.5GW 高效晶硅太陽能電池智能工廠項目 PERC 電池 7.5GW 17.78 2.37 26.17%天合光能 2020.12 年產 10GW 高效太陽能電池項目（宿遷二期 5GW）PERC 電池 5GW 16.99 3.40 26.73%天合光能 2020.12 鹽城年產 16GW 高效太陽能電池項目 PERC 電池 16GW 54.21 3.39 24.71%天合光能 2020.12 宿遷（三期）年產 8GW 高效太陽能電池項目 TOPCon 電池 8GW 31

86、.41 3.93 39.12%中來股份 2021.5 年產 16GW 高效單晶電池智能工廠項目（一期）TOPCon 電池 8GW 20.25 2.53 36.43%資料來源：各公司公告，公司招股說明書，中信建投 TOPCon 電池電池大擴產趨勢明確，大擴產趨勢明確，預計預計 2023 年擴產規模超過年擴產規模超過 300GW。2022 年 TOPCon 電池在諸多新老玩家入局后，無論是擴產規模還是降本增效均超出預期，而龍頭玩家的良好示范效應也進一步加速行業發展，2023Q1以來 TOPCon 大擴產趨勢更為明確，根據我們的不完全統計，目前現有在建及規劃 TOPCon 電池項目豐富，總量達到 6

87、00GW 以上，考慮到項目落地節奏，我們預計 2023 年 TOPCon 電池擴產規模將達到 300GW 以上，較2022 年 120GW 的擴產規模實現翻倍以上增長。預計預計2023年公司年公司TOPCon設備所觸及市場空間約設備所觸及市場空間約240億元。億元。我們判斷2023年TOPCon電池擴產超過300GW，按照目前 1.6 億元/GW 的設備價值量計算，TOPCon 設備的市場空間為 480 億元；其中微導納米可提供 ALD 設備、PEALD 二合一平臺、PECVD 設備、擴散爐、退火爐等，合計價值量占比接近 50%，由此測算預計 2023年公司 TOPCon 設備整體市場空間約為

88、 240 億元。圖表圖表30：新型高效電池快速擴產新型高效電池快速擴產 圖表圖表31：預計預計 2023 年年 TOPCon 電池擴產占比最高電池擴產占比最高 資料來源：各公司公告，中信建投 資料來源：各公司公告，中信建投 050100150200250300350PERCTOPConHJTxBC20212022E2023E（GW）TOPCon78.9%HJT15.8%xBC5.3%20 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表32：TOPCon 電池在建及規劃項目豐富電池在建及規劃項目豐富 企業企業 項目項目 產能規劃產能規劃（GW）目前狀態目前狀態 企業企業

89、 項目項目 產能規劃產能規劃（GW）目前狀態目前狀態 晶科能源晶科能源 越南項目 8 建設中 弘元綠能弘元綠能 徐州二期 14 規劃中 玉環項目 10 建設中 徐州三期 10 規劃中 山西一期 14 規劃中 順風光電順風光電 常州項目 10 建設中 山西二期 14 規劃中 林洋能源林洋能源 南通一期 12 建設中 中來股份中來股份 山西二期 8 建設中 南通二期 8 規劃中 九江一期 4.5 建設中 橫店東磁橫店東磁 宜賓一期 6 建設中 九江二期 9 規劃中 宜賓二期 6 規劃中 一道新能源一道新能源 內蒙古項目 5 規劃中 棒杰股份棒杰股份 揚州項目 10 規劃中 天合光能天合光能 鹽城項

90、目 10 建設中 江山一期 16 規劃中 淮安項目 10 規劃中 仕凈科技仕凈科技 宣城寧國一期 18 建設中 揚州一期 10 規劃中 宣城寧國二期 6 規劃中 通威股份通威股份 眉山一期 16 建設中 明牌珠寶明牌珠寶 紹興一期 10 規劃中 眉山二期 16 規劃中 紹興二期 6 規劃中 鈞達股份鈞達股份 淮安二期 13 建設中 正泰新能正泰新能 海寧項目 8 建設中 晶澳科技晶澳科技 揚州項目 10 建設中 江蘇瑞晶江蘇瑞晶 池州項目 10 規劃中 曲靖項目 10 建設中 隆基綠能隆基綠能 鄂爾多斯項目 30 建設中 石家莊項目 10 建設中 向日葵向日葵 紹興項目（一期）5 規劃中 東臺

91、項目 10 建設中 紹興項目（二期）5 規劃中 聆達股份聆達股份 金寨嘉悅二期 5 規劃中 羲和羲和 上猶項目 10 規劃中 銅陵一期 10 規劃中 華東重機華東重機 沛縣項目 3.5 規劃中 銅陵二期 5 規劃中 安穩資本安穩資本 懷寧項目 20 規劃中 海源復材海源復材 全椒項目一期 10 規劃中 TCL 中環中環 工業4.0智慧工廠項目 25 規劃中 沐邦高科沐邦高科 梧州項目 10 建設中 阿特斯阿特斯 揚州項目 14 規劃中 皇氏集團皇氏集團 阜陽一期 13 建設中 清云能源清云能源 揚州項目 10 規劃中 阜陽二期 7 規劃中 中清國投中清國投 克拉瑪依項目 12 規劃中 賽拉弗賽

92、拉弗 蚌埠項目 5 建設中 友華科技友華科技 鹽城項目 20 規劃中 泰恒新能源泰恒新能源 宜賓項目 5 建設中 智通能源智通能源 睢寧項目 6 規劃中 億晶光電億晶光電 滁州項目 10 建設中 伏圖拉伏圖拉 淮安項目 10 規劃中 協鑫集成協鑫集成 蕪湖一期 10 建設中 海泰新能海泰新能 鹽城一期 5 規劃中 蕪湖二期 10 規劃中 鹽城二期 5 規劃中 樂山一期 5 規劃中 正奇控股正奇控股 馬鞍山一期 5 建設中 樂山二期 5 規劃中 馬鞍山二期&三期 15 規劃中 合計合計 648GW 資料來源：各公司公告，各公司官方公眾號，中信建投；注：根據公告、公眾號等公開信息進行整理，如有出入

93、請以公司官方口徑為準；未將暫未明確電池技術路線的項目納入統計 21 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 3.3 光伏薄膜沉積設備光伏薄膜沉積設備已基本實現國產化，公司已基本實現國產化，公司 ALD 設備性能領先設備性能領先 光伏薄膜沉積設備已基本國產化，國產廠商技術路線覆蓋全面。光伏薄膜沉積設備已基本國產化，國產廠商技術路線覆蓋全面。國內光伏設備已基本實現國產替代，并在國際競爭中處于優勢地位，光伏領域薄膜沉積設備市場的參與者包括主要采用 ALD 技術的微導納米、無錫松煜、理想晶延，以及主要采用 PECVD 技術的捷佳偉創、北方華創、紅太陽、拉普拉斯、Centroth

94、erm（商先創）等，ALD、PECVD、LPCVD 等主要薄膜沉積技術路線均有企業布局。圖表圖表33：光伏薄膜沉積設備主要制造商光伏薄膜沉積設備主要制造商 企業名稱企業名稱 成立時間成立時間 企業簡介企業簡介 薄膜設備路線薄膜設備路線 微導納米 2015 年 國內主要從事光伏 ALD 設備的企業之一，專注于先進微米級、納米級薄膜沉積設備的研發、生產與銷售，產品類型以管式 ALD 設備為主，并拓展 PECVD、PEALD 二合一設備。管式 ALD、PECVD+PEALD 無錫松煜 2017 年 專業從事光伏及半導體真空熱工設備研發、生產、銷售為一體的智能裝備制造企業，主要產品包括 ALD、管式

95、PECVD、LPCVD、三合一 PECVD 沉積系統等產品。ALD、管式 PECVD、LPCVD 理想晶延 2013 年 國內主要從事光伏 ALD 設備的企業之一，產品類型以板式 ALD 設備為主，主要產品包括ALD、PECVD 等系列。板式 ALD、管式 PECVD 捷佳偉創 2007 年 國內主要的太陽能電池設備企業之一，主營 PECVD 及擴散爐等光伏設備，產品涵蓋原生多晶硅料生產設備、硅片加工設備、晶體硅電池生產設備等。PECVD、RPD 北方華創 2001 年 國內主要的電子工藝裝備（半導體設備、真空設備、鋰電設備）和電子元器件企業之一，由七星電子與北方微電子完成并購重組而成，其 P

96、ECVD 產品已在光伏領域實現批量銷售。PECVD 紅太陽 2009 年 國內主要從事光伏 PECVD 設備的企業之一，中國電子科技集團控股子公司，主要產品包括 PECVD、LPCVD、擴散爐、氧化爐等。管式 PECVD、LPCVD 拉普拉斯 2016 年 主營光伏領域設備，產品包括擴散系統、LPCVD、PECVD 等設備，主要產品 LPCVD 設備用于 TOPCon 多晶硅摻雜。LPCVD、PECVD、PEALD Centrotherm 1976 年 較早從事光伏設備制造的國外廠商，長期從事熱解決方案的創新開發，并提供光伏、集成電路與微電子工業的生產解決方案，生產設備包括管式低壓擴散爐、PE

97、CVD 系統、LPCVD系統、快速燒結爐、再生爐等。PECVD、LPCVD 資料來源：微導納米招股說明書，各公司官網，中信建投 從產能指標角度看，公司從產能指標角度看，公司 Al2O3鍍膜鍍膜 ALD 設備性能具有領先性。設備性能具有領先性。從產業化生產常用的 Al2O3鍍膜設備產能指標（年產能數據按166mm硅片尺寸計算）來看，公司ALD鍍膜設備產能達1萬片/小時，對應年產能約480MW，與同樣采用 ALD 技術的理想晶延及采用 PECVD 技術的捷佳偉創、Centrotherm 等相比有較大領先。圖表圖表34：產業化產業化 Al2O3鍍膜設備產能指標鍍膜設備產能指標 公司名稱公司名稱 技術

98、類型技術類型 產能（片產能（片/小時）小時）產能（產能（MW/年）年）微導納米 ALD 10,000 480 理想晶延 ALD 7,200 345 捷佳偉創 PECVD 6,450 310 Centrotherm PECVD 6,000 290 資料來源：中國光伏行業協會2021-2022 年中國光伏產業年度報告，公司招股說明書，中信建投 從關鍵性能指標角從關鍵性能指標角度看，公司度看，公司 Al2O3鍍膜鍍膜 ALD 設備在生產效率、穩定性及質量方面具有較強競爭力。設備在生產效率、穩定性及質量方面具有較強競爭力。以目前產業發展最為成熟的 PERC 電池為例，從應用于 PERC 背面沉積 Al

99、2O3薄膜設備關鍵性能指標進行對比，公 22 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 司設備相較于行業主流設備在生產效率和穩定性、沉積薄膜質量方面均有較強的優勢：生產效率和穩定性方生產效率和穩定性方面，面，公司 KF10000S 設備產能超 1 萬片/小時，近同行 PECVD 設備產能的兩倍，與目前市場主流 ALD 設備產能相近；機臺穩定運行時間超 98%，與同行業水平相近；碎片率低于 0.03%，處于同行業較低水平。沉積薄膜沉積薄膜的的質量方面，質量方面，公司 KF10000S 設備片內、片間、批間均勻性均在 3%以內，均勻性方面較同行業有一定優勢。圖表圖表35：部分

100、廠商部分廠商 PERC 背面沉積背面沉積 Al2O3薄膜設備關鍵性能指標薄膜設備關鍵性能指標對比對比 產品關鍵性能參數產品關鍵性能參數 捷佳偉創捷佳偉創（PD-520）紅太陽紅太陽（M82300-8/UM）無錫松煜無錫松煜（ALD12000+)微導納米微導納米（KF10000S）技術路線 PECVD PECVD ALD ALD 產能（片/小時）5890 3880-5100 12000 10000 機臺穩定運行時間（Uptime）/98%98%98%碎片率（Breakage）/0.03%片內均勻性 5%6%3%3%片間均勻性 5%6%3%3%批間均勻性 4%5%3%3%資料來源：各公司官網，各公

101、司公眾號，捷佳偉創招股說明書，微導納米招股說明書，中信建投 3.4 微導微導 ALD 設備設備保持保持龍頭龍頭地位地位，全力推進工藝整線產品策略全力推進工藝整線產品策略 在光伏領域公司構建了豐富的產品矩陣在光伏領域公司構建了豐富的產品矩陣，產品供應給多家龍頭客戶。，產品供應給多家龍頭客戶。在光伏領域，公司推出了夸父、祝融、羲和、后羿等系列產品，產品類型包含 ALD、PECVD、PEALD 二合一、爐管設備等，覆蓋 Al2O3、SiNX、隧穿層和摻雜多晶硅層等多道工藝，可應用于 PERC、TOPCon、XBC、鈣鈦礦/異質結疊層等多種高效電池的薄膜制備環節。多款產品已在 PERC 及 TOPCo

102、n 電池上形成產業化應用，已覆蓋包括通威太陽能、隆基股份、晶澳太陽能、阿特斯、天合光能等在內的多家知名太陽能電池片生產商。圖表圖表36：公司設備在光伏產品生產中的具體鍍膜工藝、應用領域和產業化階段情況公司設備在光伏產品生產中的具體鍍膜工藝、應用領域和產業化階段情況 產品系列產品系列 設備類型設備類型 鍍膜工藝鍍膜工藝 目前應用領域目前應用領域 產業化階段產業化階段 夸父（KF）系列原子層沉積（ALD）系統 TALD Al2O3等工藝 PERC 電池背面鈍化層 TOPCon 電池正面鈍化層 產業化應用 XBC、鈣鈦礦/異質結疊層 電池等高效晶硅太陽能電池鈍化 產業化驗證 祝融（ZR）管式 PEC

103、VD 系統 PECVD SiNX等工藝 PERC 電池減反層 TOPCon 電池背面減反層 產業化應用 祝融（ZR）管式 PEALD 系統 PEALD 和 PECVD Al2O3和 SiNX等工藝 PERC 電池背面鈍化層、減反層 產業化應用 PEALD 和 PECVD Al2O3和 SiNX等工藝 TOPCon 電池正面鈍化層、減反層 產業化應用 PEALD 和 PECVD 隧穿層和摻雜多晶硅層等工藝 TOPCon 電池隧穿層、摻雜多晶硅層 產業化應用 羲和（XH）低壓擴散爐系統 爐管設備 非晶硅晶化及摻雜、擴散 TOPCon 電池擴散、退火 產業化應用 后羿（HY）系列 ALD/PEALD

104、/PECVD 薄膜沉積系統 ALD/PEALD/PECVD 非晶/微晶硅基參雜薄膜、阻水阻氣保護層等 鈣鈦礦/異質結疊層電池 開發實現 資料來源：公司2022年年報，中信建投 23 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 ALD 技術在技術在 TOPCon 電池中得到較好應用電池中得到較好應用，相比其他工藝具有一定的優勢，相比其他工藝具有一定的優勢。正面氧化鋁沉積工藝：在正面氧化鋁沉積工藝：在 PERC 電池背面氧化鋁鍍膜工藝中，ALD 技術與 PECVD 技術存在相互替代關系，電池背面相對平坦，對鍍膜工藝保形性要求不高。而 TOPCon 氧化鋁鍍膜工藝放在電池正面來做

105、，使用 ALD設備進行鈍化工藝處理可以保證鍍膜質量與保形性。TOPCon 氧化硅隧穿層制備氧化硅隧穿層制備工藝：工藝：常見方法有高溫熱氧化法、等離子體氧化法、LPCVD 和 PEALD 技術。但高溫熱氧化法存在大尺寸硅片下容易受熱不均勻、成膜反映速度慢等問題，而采用等離子體氧化法生長的氧化硅厚度較厚，難以控制厚度，尚未形成產業化應用。LPCVD 則為較早的技術路線，缺點為繞鍍嚴重、成膜速率低，需二次摻雜過程繁瑣、后期運營成本高等。微導創新性的將 ALD 技術應用于氧化硅層制備工藝，開發出PEALD 二合一平臺，集成了 PEALD 和 PEVCD 兩種工藝，分別用于制備隧穿層和多晶硅層，可以得到

106、超薄、大面積均勻性、致密性好、無針孔的氧化硅層，彌補了 LPVCD 技術存在的不足，具有一定技術優勢。圖表圖表37：公司多個設備可應用于公司多個設備可應用于 TOPCon 電池的生產制造環節電池的生產制造環節 資料來源：公司官方公眾號，中信建投 公司光伏公司光伏 ALD 設備龍頭地位穩固。設備龍頭地位穩固。根據公司 2022 年年報，微導納米是首家將 ALD 技術規?；瘧糜趪鴥裙夥姵厣a的企業，已成為行業內高效電池技術領軍者之一。公司公司 ALD 產品連續多年在營收規模、訂單總產品連續多年在營收規模、訂單總量和市場占有率方面位居國內同類企業第一。量和市場占有率方面位居國內同類企業第一。全力

107、推進工藝整線策略全力推進工藝整線策略，原子層沉積技術，原子層沉積技術 GW 級級 TOPCon 整線項目已通過驗收整線項目已通過驗收。在光伏領域內，公司不斷完善產品矩陣，提供 ALD、PECVD、PEALD、擴散等多種產品，并前瞻性地以 AEP（ALD Enabled Photovoltaics）技術為核心，提出了 TOPCon 電池的全新工藝路線，推出原子層沉積技術 GW 級 TOPCon 整線項目，目前項目已通過客戶驗收，實現產業化應用。TOPCon 電池工藝整線策略可以提高公司產品在客戶產線投資占比，提供更為完整、高效、經濟的薄膜沉積解決方案，進一步打開公司產品的市場空間。24 A 股公

108、司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表38：以以 ALD 為核心的為核心的 TOPCon 工藝整線策略工藝整線策略 資料來源：公司2022年年報，中信建投 在手訂單產品結在手訂單產品結構豐富，構豐富，多產品布局多產品布局卓有成效。卓有成效。從公司 2022 年年報披露的合同數據來看，公司已取得多個重大銷售合同，其中包括多個 ALD 設備訂單，印證了公司在光伏 ALD 設備領域的重要地位；此外，合同中不乏有 PEPoly 設備、管式擴散爐等多種設備產品，體現出公司多產品布局已取得了顯著的成效。圖表圖表39：已簽訂的重大銷售合同截至已簽訂的重大銷售合同截至 2022 年年

109、末末的履行情況的履行情況 合同標的合同標的 對方當事人對方當事人 合同總金額合同總金額（元）（元）合計已履行金合計已履行金額（元）額（元）本報告期履行本報告期履行金額（元）金額（元）待履行金額待履行金額（元）（元）是否正常履行是否正常履行 PEPoly 設備、PEPoly 鍍舟機設備、管式 ALD 鈍化設備 單位 1 163,580,000-163,580,000 是 背膜二合一設備、正膜設備 單位 2 175,600,000 175,600,000 87,800,000-是 管式擴散爐、管式氧化退火爐、PEALD 鍍膜系統、PECVD 鍍膜系統等 單位 3 199,500,000 100,7

110、50,000 100,750,000 98,750,000 是 ALD 鈍化設備 單位 4 319,500,000-319,500,000 是 管式擴散爐、PEALD 多晶硅鍍膜系統、管式氧化退火爐、全自動 ALD 鈍化設備 單位 5 134,300,000-134,300,000 是 資料來源：公司2022年年報，中信建投 25 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 四、半導體設備：四、半導體設備：先進制程先進制程趨勢下趨勢下薄膜沉積設備大有可為，薄膜沉積設備大有可為，公司公司有望有望受益國產受益國產化化浪潮浪潮實現快速突破實現快速突破 4.1 半導體行業持續發展，

111、薄膜沉積設備半導體行業持續發展，薄膜沉積設備應用應用市場空間廣闊市場空間廣闊 半導體行業是電子信息產業的基礎支撐，半導體行業是電子信息產業的基礎支撐，具有重要的戰略地位。具有重要的戰略地位。半導體行業主要分為集成電路、分立器件、傳感器和光電子器件等四大類，廣泛應用于 5G 通信、計算機、云計算、大數據、物聯網等下游終端應用市場，是現代經濟社會中的戰略性、基礎性和先導性產業。自半導體核心元器件晶體管誕生以來，半導體行業遵循著摩爾定律快速發展。公司設備適用于先進制程半導體的制造前道工序中的薄膜沉積環節，下游半導體行業的技術革新和產能擴張為薄膜沉積設備提供了廣闊的市場空間。圖表圖表40：半導體產業鏈

112、概況半導體產業鏈概況 資料來源：公司招股說明書，中信建投 2022 年全球半導體設備出貨金額達到年全球半導體設備出貨金額達到 1076 億美元億美元，再創歷史新高。，再創歷史新高。美國加州時間 2023 年 4 月 12 日，SEMI在其發布的全球半導體設備市場報告中宣布，2022 年全球半導體制造設備出貨金額相較 2021 年的 1026 億美元增長 5%，創下 1076 億美元的歷史新高。半導體產業努力增加晶圓廠產能，以支持包括高性能計算和汽車在內的關鍵終端市場的發展，帶動全球半導體設備銷售額創歷史新高，其中 2022 年全球晶圓加工設備銷售額增長 8%。中國大陸連續第三年成為全球最大的半

113、導體設備市場中國大陸連續第三年成為全球最大的半導體設備市場。2022 年中國大陸的投資同比放緩 5%，為 283 億美元，連續第三年成為全球最大的半導體設備市場；中國臺灣地區是第二大設備支出地區，2022 年達到 268 億元，同比增長 8%，連續第四年實現增長；第三大半導體設備市場為韓國，2022 年銷售額達到 215 億美元，同比下降 14%。此外，歐美半導體設備投資快速增長，歐洲年度投資增長 93%，北美增長 38%。26 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表41：2022 年年全球半導體設備出貨金額達到全球半導體設備出貨金額達到 1076 億美元億美

114、元，中國大陸，中國大陸連連續第三年成為全球最大的半導體設備市場續第三年成為全球最大的半導體設備市場 資料來源：SEMI，SEAJ，中信建投 薄膜沉積設備是集成薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中的三大核心設備之一電路前道生產工藝中的三大核心設備之一，在晶圓制造產線中的價值量占比約為，在晶圓制造產線中的價值量占比約為 22%。根據 SEMI 預測數據，2022 年新建晶圓廠設備投資中，晶圓制造相關設備投資額占比約為總體設備投資的 86%，其中三大核心設備包括薄膜沉積設備、刻蝕設備、光刻設備，決定了芯片制造工藝的先進程度。根據 SEMI 數據，2022 年全球薄膜沉積設備、刻蝕設備和光刻設備分別占

115、晶圓制造設備價值量約 22%、22%和 17%。晶圓制造工藝日漸精密化，薄膜設備技術要求逐漸提升。晶圓制造工藝日漸精密化，薄膜設備技術要求逐漸提升。在晶圓制造過程中，薄膜起到產生導電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質滲透、提高吸光率、臨時阻擋刻蝕等重要作用。隨著集成電路的持續發展，晶圓制造工藝不斷走向精密化，芯片結構的復雜度也不斷提高，需要在更微小的線寬上制造，制造商要求制備的薄膜品種隨之增加，最終用戶對薄膜性能的要求也日益提高。這一趨勢對薄膜沉積設備產生了更高的技術要求，市場對于高性能薄膜設備的依賴逐漸增加。圖表圖表42：薄膜沉積設備是晶圓制造中的核心設備之一薄膜沉積設備是晶圓制造中的核心設備之一

116、 資料來源：SEMI，拓荊科技2022年年報，中信建投 050100150200250300350中國大陸 中國臺灣韓國北美日本歐洲其他地區20212022（億美元）測試、封裝等14%刻蝕22%薄膜沉積22%光刻17%其他39%晶圓制造86%27 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 全球半導體薄膜沉積設備市場規模穩步提升，全球半導體薄膜沉積設備市場規模穩步提升，PECVD、PVD、ALD設備價值占比較高。設備價值占比較高。根據Maximize Market Research 預測數據，全球半導體薄膜沉積設備市場規模有望從 2017 年的 125 億美元增長至 202

117、5 年的 340 億美元，年均復合增速達到 13.32%。此外，根據 SEMI 數據，晶圓設備中薄膜沉積設備價值量占比達到 22%，結合2022 年中國大陸的半導體設備投資達 283 億美元，由此估算 2022 年中國大陸的半導體薄膜沉積設備市場規模約為 53.5 億美元。隨著產線逐步升級，在實現相同芯片制造產能情況下，薄膜沉積設備的需求會進一步提升。根據 SEMI 公布的 2022 年半導體薄膜沉積市場格局數據，不同技術路線中，CVD 是目前的主流技術，占比最高，約 57%；PVD 是另一大主流技術路線，占比為 25%；ALD 技術市場規?？焖僭鲩L，近年來受到廣泛關注，占比為 11%。圖表圖

118、表43：2017-2025 年全球半導體薄膜沉積設備市場規模年全球半導體薄膜沉積設備市場規模 圖表圖表44：半導體薄膜沉積半導體薄膜沉積技術技術市場市場構成構成（2022 年）年）資料來源：Maximize Market Research，中信建投 資料來源：SEMI，中信建投 4.2 半導體半導體薄膜薄膜設備國產化率低，設備國產化率低，外部制裁升級外部制裁升級將將進一步加速進一步加速設備設備國產化進程國產化進程 4.2.1 半導體薄膜沉積設備基本由國際巨頭壟斷，近年來整體國產化率提升較快 半導體薄膜沉積設備主要由國際巨頭壟斷，國產廠商積極布局。半導體薄膜沉積設備主要由國際巨頭壟斷，國產廠商積

119、極布局。半導體薄膜沉積設備行業基本由 AMAT、TEL、Lam、ASM 等國際巨頭壟斷。產品線涵蓋薄膜沉積設備的全球知名半導體設備制造商包括應用材料（AMAT）、東京電子（TEL）、泛林半導體（Lam）、先晶半導體（ASM）、日本國際電氣（KE）。近年來隨著國家對半導體產業的持續投入及部分民營企業的興起，我國半導體制造體系和產業生態得以建立和完善，國內企業中，主營業務涵蓋半導體薄膜沉積設備的主要有北方華創、拓荊科技、中微公司、微導納米等。圖表圖表45：半導體薄膜沉積設備行業主要參與者半導體薄膜沉積設備行業主要參與者 企業企業名稱名稱 成立時間成立時間 企業簡介企業簡介 營業營業收入（收入（20

120、22 財財年年）海外企業海外企業 AMAT 1967 年 AMAT 總部位于美國，提供泛半導體裝備包含半導體及封裝、太陽能、LED等領域，產品橫跨 ALD、CVD、PVD、刻蝕、CMP、RTP 等除光刻機外的幾乎所有半導體設備。257.85 億美元 TEL 1963 年 TEL 總部位于日本，是日本最大的半導體成膜、刻蝕設備公司。該公司產品線中包含 ALD 設備，在半導體 ALD 設備全球市場占比 31%。162.81 億美元 1251451551721902202602803400501001502002503003504002017 2018 2019 2020 2021 2022 202

121、3E2024E2025E全球半導體薄膜沉積設備市場規模（億美元）CVD,57%PVD,25%ALD,11%其他,7%28 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 企業企業名稱名稱 成立時間成立時間 企業簡介企業簡介 營業營業收入（收入（2022 財財年年）Lam 1980 年 Lam 總部位于美國，是世界半導體產業提供晶圓制造設備和服務的主要供應商之一。該公司產品線涵蓋薄膜沉積、刻蝕、剝離和清洗等多個類型。172.27 億美元 ASM 1968 年 ASM 總部位于荷蘭，產品涵蓋了晶圓加工技術的重要方面，包括光刻，沉積，離子注入和單晶圓外延，公司 ALD 設備較為突出，

122、全球市場占比僅低于 TEL。29.00 億美元 KE 1949 年 KE 總部位于日本，以成膜技術為核心，生產高品質的半導體制造設備，該公司產品線包含 ALD 設備。18.02 億美元 國內企業國內企業 北方華創 2001 年 國內領先的半導體設備供應商，其刻蝕機、PVD、CVD、ALD、氧化/擴散爐、退火爐等產品在集成電路及泛半導體領域實現量產應用。146.88 億元 中微公司 2004 年 中微公司主要為集成電路、LED 芯片、MEMS 等半導體產品的制造企業提供刻蝕設備、MOCVD 設備。其 2020 年非公開發行股票的募投項目中，包括了半導體領域 LPCVD、ALD 等設備的開發及工藝

123、應用開發。47.40 億元 拓荊科技 2010 年 拓荊科技產品涵蓋 PECVD、ALD、SACVD 三類半導體薄膜沉積設備，是國內唯一一家產業化應用的集成電路 PECVD、SACVD 設備廠商。17.06 億元 微導納米 2015 年 微導納米半導體薄膜沉積設備主要為原子層沉積設備，目前在半導體原子層沉積設備上已取得重大突破，并獲得下游客戶重復訂單。6.85 億元 資料來源：公司招股說明書，各公司財報，中信建投；注：由于海外公司財年口徑不一，統一采用2022財年營業收入按照歷史匯率計算 全球全球薄膜沉積設備呈現薄膜沉積設備呈現出出由國際巨頭由國際巨頭高度壟斷的競爭格局。高度壟斷的競爭格局。全

124、球半導體薄膜沉積設備行業基本由國際巨頭壟斷，其中 PVD 領域應用材料一家獨大，CVD、ALD 領域為寡頭壟斷。PVD：應用材料一枝獨秀，2020 年市場份額達 87%，處于絕對龍頭地位；CVD：2020 年應用材料、泛林半導體、東京電子三家合計占有全球 70%市場份額，整體保持穩定；ALD：2020 年先晶半導體、東京電子合計占全球 75%市場份額。圖表圖表46：2020 年全球年全球半導體半導體 PVD 競爭格局競爭格局 圖表圖表47：2020 年全球年全球半導體半導體 CVD 競爭格局競爭格局 資料來源：Gartner，中信建投 資料來源：Gartner，中信建投 應用材料87%其他13

125、%應用材料28%泛林半導體25%東京電子17%其他30%29 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表48：2020 年全球年全球半導體半導體 ALD 競爭格局競爭格局 資料來源：Gartner，中信建投 近年來包括近年來包括薄膜沉積設備在內的晶圓制造關鍵裝備國產化率提升顯著。薄膜沉積設備在內的晶圓制造關鍵裝備國產化率提升顯著。我們以華虹宏力、華虹無錫、上海先進積塔、福建晉華、上海新晟等 5 家主流 Fab 廠 2022 年以來招投標數據統計設備的國產化率情況。截至 2023年 6 月 11 日，晶圓制造的三大主設備中，刻蝕設備國產化率 53.2%，薄膜沉積設備

126、國產化率 38.0%，光刻設備國產化率相對較低，為 4.8%?？梢钥吹奖M管部分環節國產化率絕對值相對較低，但較 2020 年已有較大幅提升，我們認為外部加大對中國芯片產業鏈封鎖，并將限制范圍逐步從芯片制造轉移至上游設備，倒逼關鍵設備國產化率快速提升。圖表圖表49：近年來晶圓制造關鍵裝備國產化率持續推進近年來晶圓制造關鍵裝備國產化率持續推進（統計區間為（統計區間為 2022 年年 1 月月 1 日至日至 2023 年年 6 月月 11 日）日）設備種類設備種類 光刻設備光刻設備 刻蝕設備刻蝕設備 薄膜沉積設備薄膜沉積設備 華虹宏力華虹宏力 招標設備總量 1 3 1 國產設備量 0 1 1 國產化

127、率 0.0%33.3%100.0%華虹無錫華虹無錫 招標設備總量 8 60 70 國產設備量 0 19 6 國產化率 0.0%31.7%8.6%上海先進積塔上海先進積塔 招標設備總量 12 55 93 國產設備量 1 45 58 國產化率 8.3%81.8%62.4%福建晉華福建晉華 招標設備總量-2 7 國產設備量-0 2 國產化率-0.0%28.6%上海新晟上海新晟 招標設備總量-4 8 國產設備量-1 1 先晶半導體46%東京電子29%其他25%30 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 設備種類設備種類 光刻設備光刻設備 刻蝕設備刻蝕設備 薄膜沉積設備薄膜沉積

128、設備 國產化率-25.0%12.5%合計合計 招標設備總量 21 124 179 國產設備量 1 66 68 國產化率 4.8%53.2%38.0%資料來源：機電產品招投標平臺，中信建投；注：各廠商的設備采購還有非公開招標方式，且部分頭部晶圓廠未納入計算范疇，因此各設備國產化率與真實國產化率之間可能會存在誤差，僅供參考 4.2.2 半導體設備國產化勢不可擋，外部制裁升級進一步加速國產化進程 中美貿易摩擦背景下，美國加大對中國芯片產業鏈封鎖，并將限制范圍逐步從芯片制造轉移至上游設備。中美貿易摩擦背景下，美國加大對中國芯片產業鏈封鎖，并將限制范圍逐步從芯片制造轉移至上游設備。2018 年美國發起貿

129、易戰，并對國內以華為為代表的高新技術公司進行制裁，隨后將制裁范圍上移至芯片制造領域，對中芯國際發起制裁，并開始對設備產業鏈開啟部分制裁。2021 年 1 月，中微公司被美國商務部列入實體清單（后撤回）；2022 年 2 月，上海微電子裝備被列入 UVL 清單；均反映出美國制裁范圍擴大以及向上游延伸。14nm 以下同等芯片制程領域實施進一步封鎖。以下同等芯片制程領域實施進一步封鎖。2022 年 10 月 7 日，美國商務部發布對中國技術出口的新限制，即美國供應商若向中國本土芯片制造商出售尖端生產設備，生產 18 納米或以下的 DRAM 芯片、128 層或以上的 NAND 閃存芯片、14 納米或以

130、下的邏輯芯片，必須申請許可證并將受到嚴格審查。2023 年年 1 月，荷蘭月，荷蘭和日本政府最終確認加入美國對華的出口限制。和日本政府最終確認加入美國對華的出口限制。圖表圖表50：美國多次制裁中國芯片制造領域美國多次制裁中國芯片制造領域相關公司，對“軟硬件”相關公司，對“軟硬件”+“上下游”實施全方位封鎖“上下游”實施全方位封鎖 資料來源：美國商務部，美國財政部，美國國防部，美國政府，中信建投 日本政府宣布將實施半導體設備出口管制，日本政府宣布將實施半導體設備出口管制，預計預計針對設備或僅限于先進制程領域。針對設備或僅限于先進制程領域。日本經濟產業省在 2023年 5 月 23 日正式出臺半導

131、體制造設備出口管制措施，主要針對用于芯片制造的 6 類（23 項）設備，具體包括 3項清洗設備、11 項薄膜沉積設備、1 項熱處理設備、4 項光刻設備、3 項刻蝕設備、1 項測試設備，并且中國大陸地區不在 42 個“友好國家及地區”范疇，該出口管制措施將于 7 月 23 日起實施。因此日本半導體設備企業需要申請許可證才能向中國大陸出口相關設備。同時我們結合東京電子、迪恩士公司的 2022 日歷年數據，兩家日企的中國大陸地區收入占比分別排名第一（22%）、第二（21%），表明大陸市場是日本半導體設備企業最重要的海外市場之一，因此我們認為日本政府為了降低本次出口管制對本土設備企業的影響，出口受限的

132、設備制程應該不會超出美國 2022 年 10 月出臺的芯片法案限制范圍。ASML 發布最新聲明，出口受限設備或僅限于“最先進的光刻機”。發布最新聲明，出口受限設備或僅限于“最先進的光刻機”。2023 年 3 月 8 日，ASML 官網發布聲 31 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 明，夏季出臺的半導體設備出口管制或只針對“最先進的光刻機設備”。ASML 的 TWINSCAN NXT 系列產品主要包括 1980Di、2000i 和 2050i 等型號，而“最先進的光刻機設備”僅包含 2000i 和 2050i，1980Di 及其他 DUV產品（主要用于成熟制程）可能

133、不受荷蘭出口管控；不久后，ASML 全球總裁溫寧克主動訪華，3 月 28 日與我國商務部部長王文濤就 ASML 在華發展等議題進行了深入交流，表明了 ASML 公司對中國市場的高度重視，結合以上信息我們判斷用于先進制程的光刻機或將徹底對華斷供，但成熟制程光刻機仍有望出口國內。隨著日荷加入美國對隨著日荷加入美國對華出口限制，全球半導體先進設備基本對華斷供，但也加速了半導體設備的國產化進華出口限制，全球半導體先進設備基本對華斷供，但也加速了半導體設備的國產化進程。程。日本代表的半導體設備企業主要包括東京電子、迪恩士、愛德萬測試、尼康及佳能，其中東京電子核心設備為涂膠顯影設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備

134、、熱處理設備、清洗設備以及量測設備，產品覆蓋率接近美國應用材料；迪恩士核心設備為清洗設備、退火設備；愛德萬測試以后道測試設備見長；尼康&索尼主要供應 DUV光刻機。荷蘭代表企業主要為 ASML、ASMI，前者為全球晶圓廠供給 EUV、DUV 光刻機，后者在 ALD 領域優勢顯著。日荷兩國半導體設備企業在晶圓制造各環節基本實現全面覆蓋（日荷未覆蓋的離子注入&CMP 設備由美企占據全球主要份額），隨著日荷兩國加入美國對華出口限制，意味著我國晶圓廠在先進制程領域尋求海外“替美”設備愈發艱難，但也將加速國內半導體設備及零部件的國產化進程。圖表圖表51：日本、荷蘭半導體設備企業的核心產品覆蓋率日本、荷蘭

135、半導體設備企業的核心產品覆蓋率 公司公司 光刻光刻 刻蝕刻蝕 薄膜沉積薄膜沉積 熱處熱處理理 離子離子注入注入 CMP 清洗清洗 量測量測 后道后道封測封測 光刻光刻曝光曝光 涂膠涂膠顯影顯影 去膠去膠 ICP CCP ALE CVD PVD ALD ASML ASMI 東京電子 迪恩士 愛德萬測試 尼康 佳能 資料來源：各公司官網，中信建投 4.3 AI 需求有望推動先進制程市占率持續需求有望推動先進制程市占率持續提升提升，薄膜沉積設備重要性，薄膜沉積設備重要性增強增強 4.3.1 AI 發展浪潮有望推動先進制程市占率持續提升 AI 芯片對算力提出更高要求。芯片對算力提出更高要求。AI 芯片

136、是針對人工智能算法做了特殊加速設計的芯片，也被稱為 AI 加速器或計算卡，專門用于處理人工智能應用中的大量計算任務的模塊。AI 芯片有兩個突出特點：一是算法與芯片的高度契合，面向終端、云端和邊緣端不同需求提升計算能力；二是專門面向細分應用場景的智能芯片，如語音識別芯片、圖像識別芯片、視頻監控芯片等。算力和帶寬為 AI 芯片的核心指標，算力決定其計算與處理數據的速度，而帶寬決定其單位時間能夠訪問的數據量。隨著 AI 大模型的復雜程度持續提升，對于 AI 芯片的算力也提出了更高的要求。全球全球 AI 芯片市場規模有望持續高速增長，年均復合增速約芯片市場規模有望持續高速增長，年均復合增速約 29.7

137、2%。根據 Precedence Research 數據，2022年全球 AI 芯片市場規模為 168.6 億美元，2032 年有望增長至 2274.8 億美元，年均復合增速約 29.72%。AI 算力 32 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 提升拉動 AI 芯片市場需求，AI 芯片市場規模有望保持高增長。圖表圖表52：AI 大模型復雜程度提升對算力提出更高的要求大模型復雜程度提升對算力提出更高的要求 圖表圖表53：全球全球 AI 芯片市場規模有望持續高速增長芯片市場規模有望持續高速增長 資料來源：Language Models are Few-Shot Lear

138、ers，中信建投 資料來源：Precedence Research，中信建投 先進制程能夠為先進制程能夠為 AI 芯片提供更高的算力與更低的功耗。芯片提供更高的算力與更低的功耗。晶體管中柵極的寬度越窄，晶體管就越小，電流通過時的損耗越低，性能也越高，制造工藝也更復雜。目前，業界普遍認為 28nm 是成熟制程與先進制程的分界線，28nm 及以上的制程工藝被稱為成熟制程，28nm 以下的制程工藝被稱為先進制程。AI 芯片需要先進制程工藝，目前一般選擇 10 納米以下，先進制程可以提供更高的集成度以實現更高的計算密度和更多的功能；此外，先進制程還可以提供更高的計算性能和更低的功耗，美國 AI 芯片設

139、計公司的產品多在臺積電、三星或英特爾制造，制程以 7nm、10nm 和 16nm 為主。AI 需求有望推動先進制程市占率持續提升。需求有望推動先進制程市占率持續提升。根據 IC Insights 預測數據，20nm 以下先進制程市占率從 2019年的 43.2%有望提升至 2024 年的 56.1%，主要先進制程供應商 Samsung、Micron、SK Hynix、TSMS 四家產能市占率約 85%。先進制程過去多用于智能手機、個人電腦等領域，消費電子市場相對低迷，AI 芯片市場規模持續增長有望對消費電子市場形成對沖，推動先進制程產能擴張。圖表圖表54：各制程建成產能市場份額預測各制程建成產

140、能市場份額預測 圖表圖表55：2022 年底先進制程產能結構年底先進制程產能結構 資料來源：IC Insights，中信建投 資料來源：Knometa Research，中信建投 168.6218.7283.7368.0477.4619.3803.41042.11351.81753.62274.805001000150020002500AI芯片市場規模（億美元）4.4%10.0%16.0%22.6%26.9%29.9%38.8%38.4%35.5%31.3%28.6%26.2%13.4%10.8%9.4%7.9%7.2%6.7%19.8%18.7%18.6%18.4%18.3%18.5%23.

141、7%22.1%20.6%19.8%19.0%18.6%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20192020F2021F2022F2023F2024F10nm20nm-10nm40nm-20nm0.18-40nm0.18Samsung32%Micron25%SK Hynix19%TSMC9%Kioxia/WD5%Others10%33 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 4.3.2 制程和工藝進步趨勢下，ALD 設備占比有望提升，CVD 設備占比仍將保持較高水平 三大薄膜沉積技術工藝方案各異，材料制備各有不同。三大薄膜沉積技術工藝方案各異

142、，材料制備各有不同。常見的半導體領域中薄膜類型主要分為半導體、介質、金屬/金屬化合物薄膜三大類。半導體領域薄膜的沉積材料與應用場景復雜多樣，伴隨制程的演變材料需求增加，推動薄膜沉積工藝和設備的進步。薄膜制備依據的基礎原理不同，因此薄膜沉積設備的工藝存在不同的技術路線。PVD、CVD、ALD 三類薄膜沉積技術均為目前半導體領域的主流技術路線，依靠各自技術特點拓展適合的應用領域，材料制備上相互補充。僅從通用薄膜厚度適用性的角度來評估僅從通用薄膜厚度適用性的角度來評估，PVD 一般用于較厚的金屬及導電類的平面膜層制備；CVD 一般適用中等以上厚度的膜層制備、應用范圍廣；ALD 可以一個原子的厚度（約

143、0.1nm）為精度進行薄膜沉積，更適用于超薄膜厚度控制以及三維、超高深寬比結構器件的應用。薄膜要求提高衍生更高性能沉積設備需求，薄膜要求提高衍生更高性能沉積設備需求，ALD 設備應用占比有望提升。設備應用占比有望提升。ALD 技術相較于 CVD 技術和PVD 技術，產業化應用起步時間較晚，在 45nm 以上等成熟制程、2D 平面結構器件中應用較少，2007 年 Intel公司才首次在 45nm 技術節點上開始應用 ALD 技術進行薄膜制備，主要由于在先進制程節點下，原來用于成熟制程的濺射 PVD、PECVD 等工藝無法滿足部分工序要求，因此需要引入 ALD 工藝。ALD 技術憑借其原子層級沉積

144、特點，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、臺階覆蓋率極高、溝槽填充性能極佳等優勢，特別適合在對薄膜質量和臺階覆蓋率有較高要求的領域應用，在 45nm 以下節點以及 3D 結構等先進半導體薄膜沉積環節具有較好的應用前景。圖表圖表56：半導體制程演進與薄膜沉積技術對應情況半導體制程演進與薄膜沉積技術對應情況 資料來源：臺積電官網，中信建投 ALD 技術在技術在 28nm 以下邏輯芯片先進制程、以下邏輯芯片先進制程、DRAM、3D NAND、新型存儲器等重要領域的技術優勢明顯，、新型存儲器等重要領域的技術優勢明顯，應用迅速擴大。應用迅速擴大。28nm 制程以下的制程以下的 High-k 柵介質層沉積需要

145、應用柵介質層沉積需要應用 ALD 技術。技術。晶圓制造 65nm 制程及以上中，集成電路主要通過沉積 SiO2薄膜形成柵極介質，但進入 45nm 制程特別是 28nm 之后，傳統的 SiO2柵介質層薄膜材料厚度需縮小至 1 納米以下，將產生明顯的量子隧穿效應和多晶硅耗盡效應，導致漏電流急劇增加、器件性能急劇惡化，此時用高 K 材料替代 SiO2可優化器件性能。常見的高 K 材料包括 TiO2、HfO2、Al2O3、ZrO2、Ta2O5等。34 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 其中 HfO2的介電常數為 25，具有適合的禁帶寬度（5.8eV），因此 HfO2作為柵

146、介質層得到了業內廣泛的應用。高 K 材料的沉積要求原子級別的精確控制及沉積高覆蓋率和薄膜的均勻性，需要應用 ALD 技術。先進制程多重曝光技術的需要應用先進制程多重曝光技術的需要應用 ALD 技技術術。隨著芯片集成度不斷提升，晶體管結構也在接近物理尺寸的極限。自 2011 年開始，代工廠開始采用效率更高、功耗更低的 22nm/16nm/14nmFinFET 晶體管結構，但由于當光罩線寬接近光源波長時將會發生明顯的衍射效應，會導致光刻工序的失效。在 EUV 技術普及之前，目前主流的 ArF DUV 光刻機（波長 193nm）通過浸潤、相移掩模、多重曝光等方法，滿足 28nm 以下 7nm 以上的

147、制程工藝。多重曝光技術是指在現有的光刻機精度下，依次使用不同的掩膜版，分別進行兩次及以上的曝光，將一次曝光留下的介質層作為二次曝光的部分遮擋層。在此過程中，由于多重曝光增加了多道薄膜沉積工序，需要薄膜技術具有接近 100%的保型性、薄膜厚度控制精準，因此 ALD 技術被迅速推廣應用。圖表圖表57：多重曝光技術多重曝光技術示意圖示意圖 資料來源：微導納米2022年年報，中信建投 存儲芯片存儲芯片 DRAM、3D NAND、新型存儲器、新型存儲器等等結構對結構對 ALD 技術的需求技術的需求不斷不斷增長。增長。隨著 DRAM 存儲器容量不斷增大，其內部的電容器數量隨之劇增，而單個電容器的尺寸將進一

148、步減小，電容器內部溝槽的深寬比也越來越大。深溝槽將需要更高的薄膜表面積，例如在 45nm 制程中，溝槽結構深寬比達到 100：1，所沉積薄膜的有效面積大約是器件本身表面積的 23 倍。這些給沉積技術提出了更高的要求。同樣地，得益于薄膜以單原子層為量級生長所帶來的大面積均勻性、高臺階覆蓋率和對膜厚的精確控制，ALD技術能夠很好地滿足這些要求。在 3D NAND 結構中，內部層數不斷增高，元器件逐步呈現高密度、高深寬比結構，PVD 和 CVD 難以達到沉積效果，ALD 則可以實現高深寬比特征下的均勻鍍膜。以最具挑戰性的向字線中填充導電鎢為例：3D NAND交替堆疊氧化物和氮化物介電層，目前層數多達

149、 96 層。密集排列且具有高深寬比的孔滲透至這些層中，按照高深寬比通道將排列分為字線。為了創建存儲單元，必須移除氮化物層并以鎢進行替換。這種鎢必須通過深（垂直深度 50:1）通道引入，然后橫向擴散，從而以無孔洞的超共形沉積方式填充（之前的）氮化物水平面（橫向比約 10:1）。原子層沉積能夠一次沉積一個薄層，這就確保了均勻填充，并防止因堵塞而產生的空隙。35 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表58：存儲芯片高深寬比結構示意圖存儲芯片高深寬比結構示意圖 圖表圖表59：3D NAND 結構示意圖結構示意圖 資料來源：微導納米2022年年報，中信建投 資料來源：L

150、am Research，微導納米2022年年報，中信建投 先進晶體管結構需要全方位的先進晶體管結構需要全方位的 ALD 解決方案。解決方案。晶體管是構成邏輯電路、微處理器及記憶元件的基本單元，漏電一直是影響其良率、性能和功耗的重要影響因素。在晶體管縮小的基礎上，為了進一步提升器件性能，晶體管結構也在發生變化。與平面晶體管相比，FinFET 是一種具有高架溝道的三維晶體管，柵極環繞該溝道，制備難度更大。在標準平面替換閘極技術中，金屬柵極堆疊由 ALD、PVD 以及 CVD 多種技術沉積金屬層結合組成，但器件過渡到 FinFET、GAA 等三維結構，PVD 和 CVD 則難以達到沉積效果，需要全方

151、位的 ALD 解決方案。ALD 所沉積的 Spacer 材料的寬度即決定了 Fin 的寬度，是制約邏輯芯片制程先進程度的核心因素之一。圖表圖表60：不同制程下晶體管結構不同制程下晶體管結構 資料來源：Lam Research，微導納米2022年年報，中信建投 先進制程器件結構縮小且更為先進制程器件結構縮小且更為 3D 立體化，驅動高性能鍍膜要求不斷提高，立體化，驅動高性能鍍膜要求不斷提高，ALD 技術市占率有望持續提升。技術市占率有望持續提升。半導體制程進入 28nm 后，由于器件結構不斷縮小且更為 3D 立體化，生產過程中需要實現厚度更薄的膜層，以及在更為立體的器件表面均勻鍍膜。在此背景下，

152、ALD 技術憑借優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，技術優勢愈加明顯，在半導體薄膜沉積環節的市場占有率也將持續提高。國產國產 ALD 設備廠商在大規模量產方面尚未形成突破，國產化進程加快的背景下國內廠商迎來發展機遇。設備廠商在大規模量產方面尚未形成突破，國產化進程加快的背景下國內廠商迎來發展機遇。目前，在半導體行業的薄膜沉積設備中，ALD 設備作為先進制程所必須的工藝設備，在大規模量產方面國內廠商尚未形成突破。當技術節點向 14nm 甚至更小的方向升級時，與 PVD 設備和 CVD 設備相比，ALD 設備的必要性更加凸顯。目前，基于供應鏈安全考慮，國內設備制造商正面臨更

153、多的機會。面對半導體設備向高精度化與高集成化方向發展的趨勢，以及國產化進程加快的背景下，國產半導體 ALD 設備迎來重要的發展契機。36 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 CVD 等傳統薄膜沉積技術仍具有十分廣泛的應用和市場空間等傳統薄膜沉積技術仍具有十分廣泛的應用和市場空間。芯片的制造過程中，涉及數十乃至百余種不同要求的薄膜材料，各類電性能、機械性能不同的薄膜構成了芯片 3D 結構體中不同的功能，不同種類的薄膜沉積設備適用于不同工藝節點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等不同要求，CVD 等傳統薄膜沉積設備仍廣泛應用于半導體薄膜沉積的各環節，并占據一定的市場空間

154、。根據 SEMI 和北京歐立信數據顯示，2021 年全球各類薄膜沉積設備市場中，PECVD、LPCVD 等 CVD 技術仍是薄膜設備中占比最高的設備類型，PECVD、LPCVD 設備分別占比達到 33%、11%。由于等離子體的作用，PECVD 可以在相對較低的反應溫度下形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實現更快的薄膜沉積速度，是芯片制造薄膜沉積工藝中運用最廣泛的設備之一。LPCVD 設備具有沉積速率快，產能高等特點，且不需要載子氣體，大大降低了顆粒污染源，被廣泛地應用在芯片制造過程中。PECVD、LPCVD 等 CVD 設備適用于不同工藝節點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽

155、填充能力等的不同要求，相關設備覆蓋的工藝范圍廣，應用場景也較多。國內半導體行業發展較為迅速，且目前 CVD 的國產化率水平還處于較低水平，國內 CVD 設備廠商仍具有充足的成長潛力。CVD 仍為半導體薄膜沉積主流工藝，仍為半導體薄膜沉積主流工藝，ALD 有望保持較快增速。有望保持較快增速。根據 SEMI 行業統計數據，目前在半導體薄膜技術領域，ALD 約占 11%市場份額，而 CVD 約占 57%市場份額，約為 ALD 的五倍，CVD 仍為市場主流工藝，國產 CVD 設備發展空間廣闊。從成長性角度來看，SEMI 預計 2020 年-2025 年全球 ALD 設備市場規模年復合增長率將達到 26

156、.3%，在各類關鍵晶圓生產設備中增速最快，高于 CVD 的 8.9%和 PVD 的 8.5%，說明ALD 設備在半導體薄膜沉積設備中的市場占比有望持續提升，再次印證了行業發展趨勢。圖表圖表61：半導體半導體薄膜沉積設備中薄膜沉積設備中 CVD 占比最高，占比最高，ALD 增速最高增速最高 數據來源：SEMI，公司2022年年報，中信建投 4.4 微導微導實現實現 ALD 設備在設備在半導體半導體關鍵工藝突破，關鍵工藝突破，拓展拓展 CVD 產品打開產品打開成長空間成長空間 公司是半導體公司是半導體 ALD 設備極少數國產廠商代表之一，實現了國產設備極少數國產廠商代表之一，實現了國產 ALD 設

157、備在設備在 28nm 集成電路制造關鍵工藝集成電路制造關鍵工藝中的突破。中的突破。半導體 ALD 設備目前基本由境外廠商壟斷，微導納米是行業內極少數的新進入者和國產廠商代表之一，先后獲得多家知名半導體公司的商業訂單，并已實現了國產 ALD 設備在 28nm 集成電路制造關鍵工藝（高介電常數柵氧層材料沉積環節）中的突破。此外，公司已與多家國內主流半導體廠商及驗證平臺簽署了保密協議并開展產品技術驗證等工作，針對國內半導體各細分應用領域研發試制新型 ALD 設備和 CVD 設備等，但公 37 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 司目前占半導體設備整體市場份額的比例仍較低。

158、在半導體領域，公司不斷豐富產品線，推出了 iTomic 系列原子層沉積鍍膜系統、iTomic MW 系列批量式原子層沉積鍍膜系統、iTomic Lite 系列輕型原子層沉積鍍膜系統、iTomic PE 系列等離子體增強原子層沉積鍍膜系統、Irancendor 晶圓真空傳輸系統、iTronix 系列 CVD 系統等系列產品，工藝類型主要包括 ALD、CVD 工藝，產品覆蓋邏輯、存儲、化合物半導體、新型顯示等細分應用領域。圖表圖表62：微導納米微導納米半導體領域主要產品半導體領域主要產品 產品系列產品系列 產品圖示產品圖示 產品說明產品說明 產業化階段產業化階段 iTomic 系列原子層沉積鍍膜系

159、統 適用于高介電常數(High-k)柵氧層 MIM 電容器絕緣層、TSV 介質層金屬、金屬氮化物等薄膜工藝需求。產品憑借原子級別的精確控制、高覆蓋盜薄膜沉積和極高的工藝均勻性等優勢，可為邏輯芯片、存儲芯片、微納制造以及先進封裝提供介質層等關鍵工藝解決方案。產業化應用 iTomic MW 系列批量式原子層沉積鍍膜系統 采用創新的批量型(mini-batch)腔體設計，可一次處理 25片 12 英寸晶圓，適用于成膜鍍盜低，厚度要求高，以及產能要求高的關鍵工藝及應用。產品利用特有的流場設計，具有成膜速度快，占地面積小，產能高、使用成本低等優勢，為存儲芯片以及 Micro-OLED 顯示器、MEMS

160、等提供定制化量產的解決方案。產業化驗證 iTomic Lite 系列輕型原子層沉積鍍膜系統 采用原創設計開發的自動化平臺與模塊化 ALD 反應腔相結合，可以按需配置 PEALD 或 Thermal ALD 等工藝需求。iTomic Lite 系列設備具有強大的兼容性，其硬件配置在保持量產機型強大功能的前提下，可滿足冬類晶圓尺寸(6、8 英寸)量產工藝需求，同時也可滿足客戶高端研發和新工藝試量產需求。iTomic Lite 系列可廣泛應用于 MEMS、光電器件等泛半導體器件領域。產業化驗證 iTomic PE 系列等離子體增強原子層沉積鍍膜系統 可根據不同溫度要求制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄

161、膜制備工藝及應用，通過精準快速控制成膜速度、超低反應溫度、材料配比等技術，完美實現材料厚度均勻性、膜應力，熱過程，以及階梯覆蓋率等極具挑戰的工藝需求，技術達到國際先進水平。Iomic PE 系列設備可為邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝等提供客制化掩膜層、介質層、圖案化等關鍵工藝解決方案。產業化驗證 38 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 Trancendor 晶圓真空傳輸系統 Trancendor 平臺系列是微導納米獨立研發的、適用于高產能半導體制程設備的晶圓傳輸系統。該系統可根據客戶工藝需要，靈活掛載一至多個工藝腔體(每個工藝腔體可配備一至多個工作站)在真空環境下進

162、行快速高效晶圓傳輸。產業化應用 iTronix 系列 CVD 系統 iTronix 系列 CVD 系統是公司根據下游客戶需求，獨立開發或合作開發的多款 CVD 產品系列，應用于 CVD 技術不同鍍膜領域，適用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶碳、非晶硅、摻雜非晶硅、錯硅等不同種類薄膜，可應用于邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件以及化合物半導體等領域芯片制造。開發實現 資料來源：公司2022年年報，中信建投；注：產業化應用是指已實現銷售，產業化驗證是指已簽署合同并正在履行，開發實現是指已形成研發樣機，雖未與客戶簽署銷售合同但已發往客戶處進行試樣驗證 公司半導體公司半導體 ALD 設備的應用場景均代

163、表國內半導體各細分領域的先進工藝發展方向，在邏輯芯片、存儲設備的應用場景均代表國內半導體各細分領域的先進工藝發展方向，在邏輯芯片、存儲芯片、新型顯示芯片、化合物半導體領域均有設備訂單，并已在客戶段驗收或客戶驗證芯片、新型顯示芯片、化合物半導體領域均有設備訂單，并已在客戶段驗收或客戶驗證。邏輯芯片領域邏輯芯片領域：已開發的 28nm 邏輯芯片中高 K 柵介質層是國內集成電路突破 28nm 先進制程節點要求最高的工藝之一。公司 ALD 設備憑借原子級別的精確控制及沉積高覆蓋率和薄膜的均勻性，制備的高 K 材料HfO2較好的滿足了 28nm 邏輯器件制造過程的需要，相關設備已取得客戶驗收，實現產業化

164、應用，并已獲得重復訂單。同時，公司還在邏輯芯片領域陸續開發新的設備工藝和材料應用。存儲芯片領域存儲芯片領域：ALD 設備在高 K 柵電容介質層、介質覆蓋層、電極、阻擋層等工藝中的優勢使其被廣泛應用于 DRAM、3D-NAND、新型存儲器等半導體制造領域，未來其在薄膜沉積環節的市場占有率將持續提高。公司應用于該領域的設備已進入產業化驗證階段，其中單片型 ALD 設備已獲得多種工藝設備的重復訂單；批量型 ALD 設備也已獲得客戶訂單，且為行業首臺批量型 ALD 設備在存儲芯片制造領域的應用。新型顯示芯片領域新型顯示芯片領域：硅基微型顯示芯片的阻水阻氧保護層應用于硅基 OLED 微型顯示芯片，該類顯

165、示芯片采用集成電路 CMOS 工藝，作為半導體和 OLED 結合的一種新型顯示技術，具有較大發展前景。公司應用于該領域的批量型 ALD 設備產品已獲得多個客戶訂單，處于產業化驗證階段?；衔锇雽w領域化合物半導體領域：第三代化合物半導體的鈍化層和過渡層應用第三代化合物半導體功率器件，具有廣闊的市場前景。例如，氮化鎵器件相對于硅基器件有高頻高壓的特點，其柵極結構逐漸被 V 型或深溝槽型結構取代，氮化鎵器件的漏電問題也日益突出。ALD 技術適合于生長超薄 Al2O3、AlN 等薄膜作為鈍化層和過渡層，可以起到更好的器件漏電抑制效果，保證器件具有良好的漏電和擊穿性能。39 A 股公司深度報告 微導納

166、米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 圖表圖表63：公司半導體設備發展思路公司半導體設備發展思路 數據來源：公司官方公眾號，中信建投 公司用于高公司用于高 K 柵介質層的柵介質層的 TALD 設備總體性能已達到國際同類設備水平，具備國際競爭力。設備總體性能已達到國際同類設備水平，具備國際競爭力。采用衡量半導體鍍膜設備的核心關鍵指標將公司設備與國際直接競爭的同類設備進行對比：生產性能方面，生產性能方面，公司設備產能、平均故障間隔時間、平均破片率和平均修復時間等指標均達到國際設備水平，機臺穩定運行時間85%，超過國際同類水平（80%）；成膜性能方面，成膜性能方面，薄膜片內均勻性、薄膜片間均勻性、薄

167、膜顆?？刂坪徒饘傥廴究刂频戎笜司_國際同類設備水平。圖表圖表64：公司設備與國際同類設備水平對比公司設備與國際同類設備水平對比 產品關鍵性能參數產品關鍵性能參數 國際同類設備水平國際同類設備水平 微導納米設備水平微導納米設備水平 設備產能（片/小時）12 12 反應源（鍍膜原材料）2 個（溫度可控 RT-200），2 個反應氣體源 4 個（溫度可控 RT-250），2 個反應氣體源 機臺穩定運行時間（Uptime）80%85%平均故障間隔時間（MTBF）200 小時 200 小時 平均破片率（MWBB）1100,000 1100,000 平均修復時間（MTTR）6 小時 6 小時 薄膜片內均勻

168、性（1sigma,3mmEE）1.2%1.2%薄膜片間均勻性（1sigma,3mmEE）0.5%0.5%薄膜顆?？刂?Adders560nm Adders560nm 金屬污染控制 2E10（原子/平方厘米）2E10（原子/平方厘米）資料來源：公司招股說明書，中信建投 基于客戶關鍵工藝開發的戰略需求，基于客戶關鍵工藝開發的戰略需求，公司拓展公司拓展 CVD 設備打開成長空間設備打開成長空間。PECVD、LPCVD 等 CVD 產品具有較為廣闊的市場空間，且目前國產化率水平還處于較低水平。公司基于客戶關鍵工藝開發的戰略需求，以 CVD的硬掩模工藝為切入點，依托產業化應用中心強大的前瞻工藝開發能力及

169、國際化的研發團隊，和公司所具有的半導體設備設計制造能力，解決關鍵工藝卡脖子問題，進行差異化策略，開發 CVD 領域具有市場前景和競爭力的關鍵設備。相關產品可應用于芯片制造硬掩膜與高級圖案化、鈍化層、擴散阻擋層、介電層、電容覆蓋層等領域。目前該系列部分產品已發往客戶處進行試樣驗證。在半導體薄膜沉積設備中，CVD 設備占比最高，市場規模約為 ALD 設備的五倍，公司切入 CVD 領域有望打開長期市場空間貢獻增長點，同時這也進一步彰顯了公司在半導體薄膜沉積設備領域平臺化拓展的能力。40 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 五五、IPO 募集資金募集資金 11 億元，擴產與

170、研發齊頭并進億元，擴產與研發齊頭并進 2022 年年 12 月公司成功上市，月公司成功上市，IPO 募資募資 11 億元。億元。2022 年 12 月 23 日，公司成功上市，IPO 發行 4544.5536萬股，占發行后總股本的 10%，每股發行價格 24.21 元，規劃募集資金總額 11.00 億元，扣除發行費用（不含增值稅）人民幣 0.77 億元，實際募集資金凈額 10.23 億元。IPO 募集資金主要用于以下項目：募集資金主要用于以下項目：基于原子層沉積技術的光伏及柔性電子設備擴產升級項目：基于原子層沉積技術的光伏及柔性電子設備擴產升級項目：項目總投資 2.64 億元，擬使用募集資金

171、2.50億元，基于公司現有 ALD 設備產線進行升級擴產，開發適用于光伏、柔性電子的 ALD 設備，新增年產 120 臺ALD 設備產能，項目建設期為 2 年；基于原子層沉積技術的基于原子層沉積技術的半導體配套設備半導體配套設備擴產升級項目：擴產升級項目：項目總投資6.33億元，擬使用募集資金5.00億元，基于公司現有 ALD 設備產線進行升級擴產，開發適用于半導體的 ALD 設備，新增年產 40 套 ALD 設備產能，項目建設期為 3 年；集成電路高端裝備產業化應用中心項目：集成電路高端裝備產業化應用中心項目：項目總投資 1.18 億元，擬使用募集資金 1.00 億元，通過建設集成電路高端裝

172、備產業化應用中心，推動基于ALD技術的集成電路高端制造裝備產業化應用，項目建設期為2年；補充流動資金：補充流動資金：項目總投資 1.50 億元，擬使用募集資金 1.50 億元，有效提高公司的償債能力，降低公司流動性風險，并對公司研發投入和人才隊伍建設給予有力的支持。擴產與研發齊頭并進，募投項目有望助力公司快速發展。擴產與研發齊頭并進，募投項目有望助力公司快速發展。隨著 120 臺光伏及柔性電子 ALD 設備、40 套半導體 ALD 設備產能逐步落地，公司能夠通過生產能力提升促進產銷規?？焖贁U張，以應對較為旺盛的市場需求；同時公司積極推進半導體 ALD 設備研發，后續產品性能等方面有望取得進一步

173、突破。圖表圖表65：公司公司 IPO 募投募投項目明細（單位：萬元）項目明細（單位：萬元）序號序號 項目名稱項目名稱 項目總投資額項目總投資額 募集資金投資額募集資金投資額 1 基于原子層沉積技術的光伏及柔性電子設備擴產升級項目 26,421.02 25,000.00 2 基于原子層沉積技術的半導體配套設備擴產升級項目 63,310.80 50,000.00 3 集成電路高端裝備產業化應用中心項目 11,811.74 10,000.00 4 補充流動資金 15,000.00 15,000.00 合計合計 116,543.56 100,000.00 資料來源：公司招股說明書，中信建投 41 A

174、股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 六、六、盈利預測及盈利預測及投資建議投資建議 6.1 盈利預測盈利預測 光伏設備業務：光伏設備業務：公司有望充分受益于 TOPCon 電池大擴產實現訂單的快速增長，并且全力推進工藝整線策略提升產品覆蓋價值量，預計 2023-2025 年公司光伏設備業務營收同比分別增長 130%、150%、15%。隨著 2022年下半年以來 TOPCon 電池大擴產趨勢明確，公司應用于新型高效電池的設備有望更充分地發揮出產品潛力，毛利率有望提升，帶動整體盈利能力實現優化，2023-2025 年毛利率分別為 37.50%、38.50%、39.00%。半導

175、體設備業務：半導體設備業務：在國產化進程加速以及先進制程進步的趨勢下，薄膜沉積設備重要性將持續提升，ALD設備占比有望提升，公司憑借技術和工藝積累，有望受益實現訂單和業績的快速增長，此外公司積極布局 CVD設備，有望貢獻訂單和業績增量。預計 2023-2025 年公司半導體設備業務營收同比增速分別為 150%、120%、120%。此外，由于新產品推出，產品結構變動導致 2022 年半導體設備毛利率同比下降 14.95%，預計隨著公司產品銷售規模的擴大及新產品推出，盈利能力能夠逐步修復，預計 2023-2025 年毛利率分別為 49.00%、50.00%、50.00%。其他主營業務：其他主營業務

176、：預計 2023-2025 年公司其他主營業務營收同比增速分別為 150%、80%、50%，預計其他主營業務 2023-2025 年毛利率維持在 65.00%。配套產品及服務：配套產品及服務：公司配套產品及服務主要包括設備改造、備品備件及其他，預計 2023-2025 年公司配套產品及服務營收同比增速分別為 60%、80%、50%，公司配套產品及服務業務毛利率較高，設備改造業務以相對于整體更換設備較低的價格對客戶現有設備進行改造，使其在尺寸、工藝方面能夠緊跟市場變化，大幅降低了客戶的設備更新成本，附加值較高；公司備品備件主要為專用設備配件，均為定制化產品，下游客戶需向公司采購并進行更換，公司擁

177、有一定的定價權，從而導致銷售毛利率較高。預計配套產品及服務 2023-2025 年毛利率維持在 68.00%。其他業務：其他業務：公司其他業務收入主要為出售廢品廢料收入，預計 2023-2025 年公司其他業務營收同比增速分別為 60%、55%、50%，預計其他業務 2023-2025 年毛利率維持在 100%。圖表圖表66：公司盈利預測拆分（百萬元）公司盈利預測拆分（百萬元）2020 2021 2022 2023E 2024E 2025E 營業收入 312.55 427.92 684.51 1,504.09 3,560.58 4,513.58 同比增長 44.82%36.91%59.96%1

178、19.73%136.73%26.77%營業成本 150.35 232.07 394.90 856.01 2,037.47 2,510.06 毛利 162.20 195.85 289.61 648.07 1,523.11 2,003.52 毛利率 51.90%45.77%42.31%43.09%42.78%44.39%光伏設備光伏設備 收入 299.17 275.27 500.94 1152.16 2880.41 3312.47 同比增長 48.14%-7.99%81.98%130.00%150.00%15.00%成本 147.10 184.82 320.83 720.10 1771.45 20

179、20.61 毛利 152.07 90.46 180.11 432.06 1108.96 1291.86 42 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 2020 2021 2022 2023E 2024E 2025E 毛利率 50.83%32.86%35.95%37.50%38.50%39.00%半導體設備半導體設備 收入 25.20 46.98 117.44 258.37 568.41 同比增長 86.41%150.00%120.00%120.00%成本 12.05 29.48 59.89 129.18 284.21 毛利 13.15 17.49 57.55 129.1

180、8 284.21 毛利率 52.18%37.24%49.00%50.00%50.00%其他其他 收入 17.70 44.25 79.65 119.47 同比增長 150.00%80.00%50.00%成本 6.42 15.49 27.88 41.81 毛利 11.28 28.76 51.77 77.65 毛利率 63.75%65.00%65.00%65.00%配套產品及服務配套產品及服務 收入 13.31 127.03 118.22 189.15 340.47 510.71 同比增長-3.72%854.06%-6.94%60.00%80.00%50.00%成本 3.25 34.70 38.17

181、 60.53 108.95 163.43 毛利 10.06 92.33 80.05 128.62 231.52 347.28 毛利率 75.59%72.68%67.71%68.00%68.00%68.00%其他業務其他業務 收入 0.07 0.41 0.67 1.08 1.67 2.51 同比增長 78.72%475.19%64.30%60.00%55.00%50.00%成本 0.00 0.50 0.00 0.00 0.00 0.00 毛利 0.07-0.09 0.67 1.08 1.67 2.51 毛利率 100.00%-21.31%100.00%100.00%100.00%100.00%資

182、料來源：微導納米招股說明書，微導納米2022年年報，中信建投 43 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 6.2 投資建議投資建議 我們預計 2023-2025 年公司實現營收 15.04、35.61、45.14 億元，同比分別增長 119.73%、136.73%、26.77%；歸母凈利潤分別為 1.20、3.57、5.37 億元，同比分別增長 121.66%、197.45%、50.51%，當前市值對應 PE 分別為 188.02、63.21、42.00 倍，首次覆蓋給予“增持”評級。重要財務指標重要財務指標 2021 2022 2023E 2024E 2025E 營

183、業收入(百萬元)427.92 684.51 1,504.09 3,560.58 4,513.58 YoY(%)36.91 59.96 119.73 136.73 26.77 凈利潤(百萬元)46.11 54.15 120.03 357.02 537.35 YoY(%)-19.12 17.43 121.66 197.45 50.51 毛利率(%)45.77 42.31 43.09 42.78 44.39 凈利率(%)10.78 7.91 7.98 10.03 11.91 ROE(%)5.22 2.76 5.76 14.63 18.05 EPS(攤薄/元)0.10 0.12 0.26 0.79 1

184、.18 P/E(倍)489.40 416.77 188.02 63.21 42.00 P/B(倍)25.54 11.50 10.84 9.25 7.58 資料來源：iFinD，中信建投 44 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 七、七、風險分析風險分析 技術迭代及新產品開發風險：技術迭代及新產品開發風險：隨著技術和應用領域的不斷發展，下游客戶對薄膜沉積設備工藝路線、材料類型、技術指標等要求也不斷變化，若公司未能準確理解下游客戶的產線設備及工藝技術演進需求，或者技術創新產品不能契合客戶需求，如無法持續提供滿足電池降本增效需求的產品、無法響應新型高效電池或半導體制造工藝

185、制程繼續提高等新的應用需求，可能導致公司設備無法滿足下游生產制造商的需要，從而對公司業績造成不利影響。新產品驗證進度及市場發展不及預期的風險：新產品驗證進度及市場發展不及預期的風險：公司薄膜沉積設備是下游光伏、半導體客戶產線的關鍵工藝設備?？蛻魧拘庐a品的驗證要求較高、驗證周期較長，公司用于新型高效電池和半導體各細分領域的新產品存在驗證進度不及預期的風險。盈利預測假設不成立風險：盈利預測假設不成立風險：綜合毛利率是未來盈利預測及估值模型的重要假設，公司毛利率變動主要受產品銷售價格、原材料采購價格、市場競爭程度、技術更新換代及政策變動等因素的影響。同時，隨著公司產品種類增加，不同產品的售價及成

186、本存在一定差異，不同產品銷售收入占比的結構性變化也會對公司毛利率產生較大影響。如公司無法較好應對上述因素，則毛利率將會受到不利影響。若公司毛利率不及預期，相對應公司未來的盈利預測均存在下滑風險。我們對毛利率預期變化對公司盈利敏感性影響測算如下表所示。在當前預期情景下，我們預計公司 2023 年至 2025 年毛利率分別為 43.09%、42.78%、44.39%，相應歸母凈利潤分別為1.20、3.57、5.37 億元。如果公司未來三年毛利率小幅低于預期，較預期毛利率下降 1%時，2023-2025 年公司歸母凈利潤分別為 1.05、3.21、4.92 億元，業績較預期分別下降 12.55%、1

187、0.00%、8.44%。如果公司未來三年毛利率大幅低于預期，較預期毛利率下降 2%時，2023-2025 年公司歸母凈利潤分別為 0.90、2.86、4.47 億元，業績較預期分別下降 25.11%、20.01%、16.89%。如果公司未來三年毛利率極端低于預期，較預期毛利率下降 3%時，2023-2025 年公司歸母凈利潤分別為 0.75、2.50、4.01 億元，業績較預期分別下降 37.66%、30.01%、25.33%。圖表圖表67：未來毛利率預測變化對公司絕對估值敏感性分析未來毛利率預測變化對公司絕對估值敏感性分析 情景假設情景假設 毛利率預測毛利率預測 歸母凈利潤歸母凈利潤（百萬元

188、）（百萬元）業績較預期值變化業績較預期值變化 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 當前預期值 43.09%42.78%44.39%120.03 357.02 537.35/小幅低于預期 42.09%41.78%43.39%104.96 321.31 491.97-12.55%-10.00%-8.44%大幅低于預期 41.09%40.78%42.39%89.89 285.59 446.60-25.11%-20.01%-16.89%極端情況 40.09%39.78%41.39%74.82 249.87 401.22-37.66

189、%-30.01%-25.33%資料來源：中信建投 45 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 報表預測報表預測 資產負債表（百萬元）資產負債表（百萬元）利潤表（百萬元）利潤表（百萬元）會計年度會計年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 會計年度會計年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 流動資產流動資產 1,276.32 3,699.38 4,302.83 7,821.95 9,704.90 營業收入營業收入 427.92 684.51 1,504.09 3,560.58 4,513.58 現金 120.06 1,7

190、57.30 1,273.57 1,188.68 1,615.59 營業成本 232.07 394.90 856.01 2,037.47 2,510.06 應收票據及應收賬款合 209.87 578.40 865.36 1,843.70 2,262.97 營業稅金及附加 2.33 4.72 10.84 25.65 32.52 其他應收款 5.55 12.39 16.61 39.33 49.85 銷售費用 33.58 45.36 94.76 213.63 266.30 預付賬款 9.59 74.38 74.99 146.33 160.76 管理費用 25.78 49.93 105.29 238.5

191、6 297.90 存貨 402.97 975.38 1,477.50 3,209.71 3,851.05 研發費用 97.04 138.40 263.22 569.69 713.15 其他流動資產 528.29 301.52 594.79 1,394.21 1,764.68 財務費用 2.19-0.60 1.05-4.34-4.95 非流動資產非流動資產 80.59 120.37 111.41 102.46 93.88 資產減值損失-12.95-32.01-57.16-99.70-121.87 長期投資 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 信用減值損失-13.36-19.60-3

192、3.09-60.53-76.73 固定資產 49.15 46.23 38.99 31.75 24.50 其他收益 20.56 28.69 24.14 24.14 24.14 無形資產 8.21 8.03 6.70 5.36 4.02 公允價值變動收益 0.57 0.35 0.00 0.00 0.00 其他非流動資產 23.23 66.10 65.73 65.36 65.36 投資凈收益 10.74 13.96 12.00 12.00 12.00 資產總計資產總計 1,356.91 3,819.74 4,414.24 7,924.41 9,798.78 資產處置收益 0.00 0.37 0.12

193、 0.12 0.12 流動負債流動負債 446.24 1,821.22 2,296.08 5,449.54 6,786.76 營業利潤營業利潤 40.49 43.56 118.95 355.95 536.28 短期借款 66.54 292.36 0.00 0.00 0.00 營業外收入 0.27 2.83 1.18 1.18 1.18 應付票據及應付賬款合 196.84 753.28 1,208.51 2,876.48 3,543.68 營業外支出 0.17 0.14 0.10 0.10 0.10 其他流動負債 182.86 775.59 1,087.57 2,573.06 3,243.09

194、利潤總額 40.59 46.25 120.03 357.02 537.35 非流動負債非流動負債 27.17 35.73 35.34 35.03 34.82 所得稅-5.53-7.90 0.00 0.00 0.00 長期借款 9.88 0.00-0.39-0.69-0.91 凈利潤凈利潤 46.11 54.15 120.03 357.02 537.35 其他非流動負債 17.29 35.73 35.73 35.73 35.73 少數股東損益 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 負債合計負債合計 473.41 1,856.95 2,331.42 5,484.57 6,821.58

195、歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 46.11 54.15 120.03 357.02 537.35 少數股東權益 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00 EBITDA 58.59 68.14 130.03 361.64 540.99 股本 409.01 454.46 454.46 454.46 454.46 EPS（元）0.10 0.12 0.26 0.79 1.18 資本公積 353.80 1,333.49 1,333.49 1,333.49 1,333.49 留存收益 120.69 174.84 294.87 651.90 1,189.25 主要財務比率主要財務比率 歸屬母公司股

196、東權益 883.50 1,962.79 2,082.82 2,439.84 2,977.19 會計年度會計年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 負債和股東權益負債和股東權益 1,356.91 3,819.74 4,414.24 7,924.41 9,798.78 成長能力成長能力 營業收入(%)36.91 59.96 119.73 136.73 26.77 營業利潤(%)-32.66 7.59 173.07 199.23 50.66 歸屬于母公司凈利潤-19.12 17.43 121.66 197.45 50.51 獲利能力獲利能力 毛利率(%)45.77 42.3

197、1 43.09 42.78 44.39 凈利率(%)10.78 7.91 7.98 10.03 11.91 ROE(%)5.22 2.76 5.76 14.63 18.05 現金流量表（百萬元）現金流量表（百萬元）ROIC(%)21.82 7.83 21.71 37.14 33.33 會計年度會計年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 償債能力償債能力 經營活動現金流經營活動現金流-76.31 168.50-195.21-74.57 451.46 資產負債率(%)34.89 48.61 52.82 69.21 69.62 凈利潤 46.11 54.15 120.03

198、357.02 537.35 凈負債比率(%)-4.94 -74.64 -61.17 -48.75 -54.30 折舊攤銷 15.82 22.49 8.95 8.95 8.58 流動比率 2.86 2.03 1.87 1.44 1.43 財務費用 2.19-0.60 1.05-4.34-4.95 速動比率 1.31 1.29 0.94 0.57 0.58 投資損失-10.74-13.96-12.00-12.00-12.00 營運能力營運能力 營運資金變動-147.74 73.94-319.97-450.56-118.81 總資產周轉率 0.32 0.18 0.34 0.45 0.46 其他經營現

199、金流 18.05 32.48 6.72 26.35 41.28 應收賬款周轉率 3.09 1.47 2.35 2.70 2.81 投資活動現金流投資活動現金流-511.69 206.50 5.28-14.35-29.28 應付賬款周轉率 1.93 0.79 1.05 1.05 1.05 資本支出 15.78 28.90 0.00 0.00 0.00 每股指標（元）每股指標（元）長期投資-495.00 245.00 0.00 0.00 0.00 每股收益(最新攤薄)0.10 0.12 0.26 0.79 1.18 其他投資現金流-32.48-67.40 5.28-14.35-29.28 每股經營

200、現金流(最新-0.17 0.37 -0.43 -0.16 0.99 籌資活動現金流籌資活動現金流 232.01 1,233.00-293.79 4.03 4.73 每股凈資產(最新攤薄)1.94 4.32 4.58 5.37 6.55 短期借款 26.54 225.82-292.36 0.00 0.00 估值比率估值比率 長期借款 9.88-9.88-0.39-0.31-0.22 P/E 489.40 416.77 188.02 63.21 42.00 其他籌資現金流 195.59 1,017.06-1.05 4.34 4.95 P/B 25.54 11.50 10.84 9.25 7.58

201、現金凈增加額現金凈增加額-356.00 1,608.59-483.73-84.89 426.91 EV/EBITDA 380.85 -20.70 164.82 60.06 39.54 資料來源：公司公告，iFinD，中信建投 46 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 分析師介紹分析師介紹 呂娟呂娟 董事總經理，高端制造組組長，機械&建材首席分析師。復旦大學經濟學碩士，法國 EDHEC 商學院金融工程交換生，河海大學機械工程及自動化學士，2007.07-2016.12 曾就職于國泰君安證券研究所，2017.01-2019.07 曾就職于方正證券研究所。曾獲新財富、金牛

202、、IAMAC、水晶球、第一財經、WIND 最佳分析師第一名。研究助理研究助理 籍星博籍星博 陳宣霖陳宣霖 47 A 股公司深度報告 微導納米微導納米 請參閱最后一頁的重要聲明 評級說明評級說明 投資評級標準 評級 說明 報告中投資建議涉及的評級標準為報告發布日后6個月內的相對市場表現，也即報告發布日后的 6 個月內公司股價（或行業指數）相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅作為基準。A 股市場以滬深300指數作為基準；新三板市場以三板成指為基準；香港市場以恒生指數作為基準；美國市場以標普500 指數為基準。股票評級 買入 相對漲幅 15以上 增持 相對漲幅 5%15 中性 相對漲幅-5%5之間

203、 減持 相對跌幅 5%15 賣出 相對跌幅 15以上 行業評級 強于大市 相對漲幅 10%以上 中性 相對漲幅-10-10%之間 弱于大市 相對跌幅 10%以上 分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師在此聲明：（i）以勤勉的職業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告,結論不受任何第三方的授意或影響。（ii）本人不曾因，不因，也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收到任何形式的補償。法律主體說明法律主體說明 本報告由中信建投證券股份有限公司及/或其附屬機構（以下合稱“中信建投”）制作，由中信建投證券股份有限公司在中華人民共和國（僅為本報告目的，不包括香港

204、、澳門、臺灣）提供。中信建投證券股份有限公司具有中國證監會許可的投資咨詢業務資格，本報告署名分析師所持中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格證書編號已披露在報告首頁。在遵守適用的法律法規情況下，本報告亦可能由中信建投（國際）證券有限公司在香港提供。本報告作者所持香港證監會牌照的中央編號已披露在報告首頁。一般性聲明一般性聲明 本報告由中信建投制作。發送本報告不構成任何合同或承諾的基礎，不因接收者收到本報告而視其為中信建投客戶。本報告的信息均來源于中信建投認為可靠的公開資料，但中信建投對這些信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告所載觀點、評估和預測僅反映本報告出具日該分析師的判斷，該等觀點、評

205、估和預測可能在不發出通知的情況下有所變更，亦有可能因使用不同假設和標準或者采用不同分析方法而與中信建投其他部門、人員口頭或書面表達的意見不同或相反。本報告所引證券或其他金融工具的過往業績不代表其未來表現。報告中所含任何具有預測性質的內容皆基于相應的假設條件，而任何假設條件都可能隨時發生變化并影響實際投資收益。中信建投不承諾、不保證本報告所含具有預測性質的內容必然得以實現。本報告內容的全部或部分均不構成投資建議。本報告所包含的觀點、建議并未考慮報告接收人在財務狀況、投資目的、風險偏好等方面的具體情況，報告接收者應當獨立評估本報告所含信息，基于自身投資目標、需求、市場機會、風險及其他因素自主做出決

206、策并自行承擔投資風險。中信建投建議所有投資者應就任何潛在投資向其稅務、會計或法律顧問咨詢。不論報告接收者是否根據本報告做出投資決策，中信建投都不對該等投資決策提供任何形式的擔保，亦不以任何形式分享投資收益或者分擔投資損失。中信建投不對使用本報告所產生的任何直接或間接損失承擔責任。在法律法規及監管規定允許的范圍內，中信建投可能持有并交易本報告中所提公司的股份或其他財產權益，也可能在過去 12 個月、目前或者將來為本報告中所提公司提供或者爭取為其提供投資銀行、做市交易、財務顧問或其他金融服務。本報告內容真實、準確、完整地反映了署名分析師的觀點，分析師的薪酬無論過去、現在或未來都不會直接或間接與其所

207、撰寫報告中的具體觀點相聯系，分析師亦不會因撰寫本報告而獲取不當利益。本報告為中信建投所有。未經中信建投事先書面許可，任何機構和/或個人不得以任何形式轉發、翻版、復制、發布或引用本報告全部或部分內容，亦不得從未經中信建投書面授權的任何機構、個人或其運營的媒體平臺接收、翻版、復制或引用本報告全部或部分內容。版權所有，違者必究。中信建投證券研究發展部中信建投證券研究發展部 中信建投（國際）中信建投（國際）北京 上海 深圳 香港 東城區朝內大街2號凱恒中心B座 12 層 上海浦東新區浦東南路 528 號南塔 2103 室 福田區福中三路與鵬程一路交匯處廣電金融中心 35 樓 中環交易廣場 2 期 18 樓 電話：（8610）8513-0588 電話：（8621）6882-1600 電話：（86755）8252-1369 電話：（852）3465-5600 聯系人：李祉瑤 聯系人：翁起帆 聯系人：曹瑩 聯系人：劉泓麟 郵箱： 郵箱： 郵箱： 郵箱：charleneliucsci.hk