《微導納米-公司研究報告-微導納米：深耕ALD用于光伏半導體步步為營推出CVD設備-240805（32頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《微導納米-公司研究報告-微導納米：深耕ALD用于光伏半導體步步為營推出CVD設備-240805（32頁）.pdf（32頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 Table_Info1 微導納米微導納米(688147)電力設備電力設備 Table_Date 發布時間：發布時間：2024-08-05 Table_Invest 買入買入 上次評級：買入 股票數據 2024/08/02 6 個月目標價（元）收盤價（元）24.34 12 個月股價區間（元）22.6551.06 總市值（百萬元）11,139.89 總股本（百萬股）458 A 股（百萬股）458 B 股/H 股（百萬股）0/0 日均成交量（百萬股）1 Table_PicQuote 歷史收益率曲線 Table_Trend 漲跌幅（%）1M

2、3M 12M 絕對收益 4%-23%-49%相對收益 6%-17%-34%Table_Report 相關報告 康普化學：全球銅萃取劑領先企業，有望受益于銅價上漲-2024.05.14 云路股份：盈利能力穩步增長，非晶電機前景廣闊-2023.11.20 Table_Author 證券分析師：證券分析師：趙麗明趙麗明 執業證書編號：S0550521100004 010-63210892 證券分析師：證券分析師：趙宇天趙宇天 執業證書編號：S0550524020002 010-63210892 證券分析師證券分析師：李玖李玖 執業證書編號：S0550522030001 17796350403 Tab

3、le_Title 證券研究報告/公司深度報告 微導納米：深耕微導納米：深耕 ALD 用于光伏半導體，步步為營推出用于光伏半導體，步步為營推出 CVD 設備設備 報告摘要：報告摘要：Table_Summary 公司公司是一家面向全球的半導體、泛半導體高端微納裝備制造商。是一家面向全球的半導體、泛半導體高端微納裝備制造商。公司形成了以原子層沉積（ALD）技術為核心，CVD 等多種真空薄膜技術梯次發展的產品體系，專注于先進微米級、納米級薄膜設備的研發、生產與應用，已開發出適用于光伏、半導體等應用領域的多款薄膜沉積設備，涵蓋 ALD、PEALD 二合一、PECVD 系列產品，并提供配套產品及服務。AL

4、D 技術廣泛適用于不同環境下的薄膜沉積。技術廣泛適用于不同環境下的薄膜沉積。CVD 與 PVD 工藝存在厚度控制和膜層均勻性的問題，生成的膜很難突破 10nm 以下的厚度極限。此外，在深寬比達到 10:1 以上時，CVD 與 PVD 工藝無法保證下游工藝需要的近 100%覆蓋率的技術要求。與之相比，由于 ALD 技術的表面化學反應具有自限性，因此擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，在光伏、半導體、柔性電子等新型顯示、MEMS、催化及光學器件等諸多高精尖領域均擁有良好的產業化前景。薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的關鍵設備，其制備的薄膜直接薄膜沉積設備是太陽能電池片

5、制造環節的關鍵設備，其制備的薄膜直接影響電池片的光電轉換效率。影響電池片的光電轉換效率。TOPCon、HJT 等 N 型電池進入規?；茝V應用階段，根據電池不同工藝和所需的薄膜性質，所采用的薄膜沉積設備會有所不同。TOPCon 電池生產線除原鈍化和減反膜的沉積需求外，還增加了隧穿層和摻雜多晶硅層鍍膜需求。HJT 電池制造環節中的非晶硅沉積設備和透明導電薄膜設備均需要用到薄膜沉積設備。未來，隨著N 型電池技術的不斷成熟，將會催生出更多的設備需求，薄膜沉積設備在 N 型電池產線建設中的投資比重也有望增加。晶圓制造環節中，薄膜沉積設備制備的各類薄膜發揮著導電、絕緣、阻晶圓制造環節中，薄膜沉積設備制備

6、的各類薄膜發揮著導電、絕緣、阻擋污染物等重要作用，直接影響半導體器件性能。擋污染物等重要作用，直接影響半導體器件性能。公司半導體設備在新型存儲和硅基 OLED 領域已取得開創性進展，客戶類型涵蓋了邏輯、存儲、化合物半導體、硅基 OLED 等。未來，制程的不斷提高以及存儲技術、新型半導體材料制備技術和多重曝光技術的快速發展，將對薄膜沉積設備產生更多的需求。盈利預測與投資評級：盈利預測與投資評級：預計 2024-2026 年公司營業收入分別為39.99/50.17/57.15 億元，歸母凈利潤分別為 5.86/7.71/9.86 億元。公司新簽訂單快速增長，半導體設備持續突破，盈利能力有望提升，給

7、予公司“買入”評級。風險提示：風險提示：產品驗證進度不及預期的風險；產品需求不及預期的風險；市場競爭激烈導致產品價格下降的風險；業績預測和估值判斷不及預期的風險。Table_Finance 財務摘要（百萬元）財務摘要（百萬元）2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入營業收入 685 1,680 3,999 5,017 5,715(+/-)%59.96%145.39%138.08%25.45%13.91%歸屬母公司歸屬母公司凈利潤凈利潤 54 270 586 771 986(+/-)%17.43%399.33%116.80%31.54%27.85%每股收益（元）每股收

8、益（元）0.13 0.60 1.28 1.68 2.15 市盈率市盈率 192.92 64.98 19.00 14.45 11.30 市凈率市凈率 5.81 7.56 3.89 3.16 2.55 凈資產收益率凈資產收益率(%)5.95%12.60%20.48%21.89%22.57%股息收益率股息收益率(%)0.00%0.35%0.76%0.99%1.27%總股本總股本(百萬股百萬股)454 454 458 458 458-60%-50%-40%-30%-20%-10%0%10%2023/8 2023/11 2024/22024/5微導納米滬深300 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正

9、文后的聲明及說明 2/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 目目 錄錄 1.公司概況公司概況.4 2.三類薄膜沉積技術各有所長，公司產品以三類薄膜沉積技術各有所長，公司產品以 ALD 設備為主設備為主.8 2.1.薄膜沉積技術分為 PVD、CVD、ALD 三類.8 2.2.ALD 技術廣泛適用于不同環境下的薄膜沉積.11 2.3.從光伏到半導體，從 ALD 到 CVD.13 3.薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的關鍵設備薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的關鍵設備.17 4.薄膜沉積設備是晶圓制造三大主設備之一薄膜沉積設備是晶圓制造三大主設備之一.21 4.1.細分應用領域眾多.21 4

10、.2.薄膜沉積設備市場規模有望持續增長.25 5.盈利預測與投資評級盈利預測與投資評級.28 6.風險提示風險提示.29 bUbUaYbZaVfYcWdX8ObP7NoMpPmOqMjMrRuMlOoOsNaQmMzQNZnPqQMYnPuN 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 3/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖表目錄圖表目錄 圖圖 1：公司發展歷程：公司發展歷程.4 圖圖 2：公司股權結構：公司股權結構.4 圖圖 3：2019-2024Q1 公司營業收入公司營業收入.7 圖圖 4：2019-2024Q1 公司歸母凈利潤公司歸母凈利潤.7 圖圖 5：2023

11、 年公司營業收入構成年公司營業收入構成.8 圖圖 6：2019-2023 年公司各產品毛利率及綜合毛利率年公司各產品毛利率及綜合毛利率.8 圖圖 7：薄膜沉積設備技術分類：薄膜沉積設備技術分類.9 圖圖 8：PVD、CVD、ALD 薄膜沉積效果示意圖薄膜沉積效果示意圖.10 圖圖 9：ALD 技術沉積技術沉積 Al2O3 薄膜步驟薄膜步驟.11 圖圖 10：ALD 技技術沉積術沉積 Al2O3 薄膜示意圖薄膜示意圖.12 圖圖 11：ALD 技術應用領域技術應用領域.13 圖圖 12：TOPCon3.0 工藝整線示意圖工藝整線示意圖.15 圖圖 13：半導體薄膜技術發展格局及公司布局：半導體薄

12、膜技術發展格局及公司布局.16 圖圖 14：2019-2023 年公司前五大客戶銷售收入占比年公司前五大客戶銷售收入占比.17 圖圖 15：光伏產業鏈：光伏產業鏈.17 圖圖 16：2019-2024H1 中國光伏新增裝機容量中國光伏新增裝機容量.18 圖圖 17：2019-2023 年中國光伏電池片產量年中國光伏電池片產量.18 圖圖 18：2023-2030 年不同電池技術路線市場占比年不同電池技術路線市場占比.19 圖圖 19：PERC 電池和電池和 PE-TOPCon 電池工藝流程及對應設備電池工藝流程及對應設備.20 圖圖 20：半導體產業鏈：半導體產業鏈.22 圖圖 21：2010

13、-2023 年全球半導體銷售額年全球半導體銷售額.22 圖圖 22：公司半導體設備細分應用領域：公司半導體設備細分應用領域.23 圖圖 23：不同制程下晶體管結構：不同制程下晶體管結構.23 圖圖 24：FeRAM 結構示意圖結構示意圖.24 圖圖 25：基于銦鎵鋅氧化物（：基于銦鎵鋅氧化物（IGZO）材料的薄膜晶體管（）材料的薄膜晶體管（TFT）結構示意圖）結構示意圖.25 圖圖 26：多重曝光技術示意圖：多重曝光技術示意圖.25 圖圖 27：2010-2023 年全球半導體設備銷售額年全球半導體設備銷售額.26 圖圖 28：2010-2023 年中國大陸半導體設備銷售額年中國大陸半導體設備

14、銷售額.26 圖圖 29：晶圓廠投資構成：晶圓廠投資構成.26 圖圖 30：2019-2023 年全球半導體薄膜沉積設備市場規模年全球半導體薄膜沉積設備市場規模.27 表表 1：公司核心技術人員：公司核心技術人員.5 表表 2：公司主要產品：公司主要產品.5 表表 3：PVD、CVD、ALD 技術對比及主要應用領域技術對比及主要應用領域.10 表表 4：公司核心技術：公司核心技術.13 表表 5：公司光伏設備具體情況：公司光伏設備具體情況.15 表表 6：公司主營業務成本（萬元）及占比：公司主營業務成本（萬元）及占比.16 表表 7：2022 年年 3 月月末至末至 2024 年年 3 月末公

15、司在手訂單（億元）月末公司在手訂單（億元）.17 表表 8：主要光伏企業：主要光伏企業 N 型電池產能布局型電池產能布局.18 表表 9：公司光伏設備競爭對手：公司光伏設備競爭對手.21 表表 10：公司半導體設備競爭對手：公司半導體設備競爭對手.28 表表 11：盈利預測：盈利預測.29 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 4/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 1.公司概況公司概況 微導納米前身微導有限成立于 2015 年。2016-2017 年，公司一代機 KF4000 研制成功，全球首創將 ALD 技術規?；瘧糜诠夥I域。2017-2018 年，KF600

16、0 成功在通威太陽能完成量產驗證，公司研發以臭氧工藝為核心工藝的 KF10000S 機型。2018年，夸父（KF）系列在各大光伏頭部企業產線開始量產爬坡，公司啟動半導體領域與柔性電子領域機型的研發工作。2019-2020 年，公司推出祝融（ZR）系列PEALD+PECVD 二合一設備并成功應用于光伏領域，半導體領域 ALD 鍍膜設備研發成功并獲得訂單。2020-2022 年，公司高端光伏裝備獲得多家重要光伏客戶訂單并向新型高效電池技術延伸，公司正式進軍邏輯芯片、先進存儲、3D-IC 等鍍膜制造領域。2022 年 12 月，公司在科創板上市。2024 年，公司披露向不特定對象發行可轉換公司債券的

17、預案，擬募集不超過 11.7 億元用于半導體薄膜沉積設備智能化工廠建設項目、研發實驗室擴建項目和補充流動資金。圖圖 1：公司發展歷程：公司發展歷程 數據來源：東北證券，微導納米官網，公司公告 截至 2024 年 6 月 13 日，公司總股本 45767.81 萬股。王燕清、倪亞蘭、王磊組成的家族通過萬海盈投資、聚海盈管理、德厚盈投資間接控制公司 60.18%的股份，同時王磊擔任公司董事長、倪亞蘭擔任公司董事。王燕清、倪亞蘭系夫妻關系，王磊系王燕清、倪亞蘭之子，王燕清、倪亞蘭、王磊系公司的實際控制人。LI WEI MIN 擔任公司副董事長和首席技術官，持有公司 9.36%的股份；LI XIANG

18、 擔任公司董事和副總經理，持有公司 4.4%的股份；胡彬擔任公司副總經理，持有公司 2.75%的股份；潘景偉擔任公司監事會主席，持有公司 1.97%的股份。圖圖 2：公司：公司股權結構股權結構 數據來源：東北證券，Wind 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 5/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 公司現有核心技術人員包括 LI WEI MIN、LI XIANG、許所昌和吳興華，在 ALD 技術及其應用、半導體器件及制造工藝、半導體薄膜工藝、高效率電池技術等方面具有豐富的研究經歷。目前，LI WEI MIN 和 LI XIANG 直接持有公司 9.36%和 4.4%

19、的股份，許所昌和吳興華通過聚海盈管理間接持有公司股份。表表 1：公司核心技術人員：公司核心技術人員 姓名姓名 職務職務 學歷學歷 研究經歷研究經歷 研發工作研發工作 LI WEI MIN 副董事長、首席技術官、核心技術人員 芬蘭赫爾辛基大學無機化學專業博士研究生 擁有 25 年以上原子層沉積（ALD）技術的研發和產業化經驗，掌握國際領先的原子層沉積技術，是最早開始研究 ALD 技術的華人之一，在國際 ALD 技術領域享有較高聲譽。負責產品和技術研發戰略規劃與方向決策、研發體系搭建、先進設備產品的開發和產業化 LI XIANG 董事、副總經理、聯席 CTO、核心技術人員 新加坡南洋理工大學電氣與

20、電子工程專業博士研究生 半導體器件及制造工藝技術專家，曾從事新型半導體器件制造工藝和整合的研發工作，積累了豐富的原子層沉積 ALD 工藝技術研發和量產導入經驗，對于 ALD 工藝在微納器件上的應用有著深刻的理解。負責開發 ALD 技術的前沿工藝和在多個重點工業領域的產業化應用 許所昌許所昌 核心技術人員 中國科學院大連化學物理研究所物理化學專業博士研究生 多年半導體行業薄膜工藝研發經歷，致力于先進半導體工藝和技術開發。負責公司半導體事業部工藝部門組建及半導體相關原子層沉積工藝技術攻關和產業化 吳興華吳興華 核心技術人員 中山大學物理專業碩士研究生 擁有 15 年以上高效率太陽能電池設備與高效電

21、池技術研發經驗，曾任中國臺灣工業技術研究院高級工程師，長期致力于高效率電池技術開發與產業化研究，在 N 型高效電池制造領域積累了豐富的經驗。負責光伏事業部的業務與產品戰略發展規劃，推動研發團隊進行新型高效電池設備開發與產業化驗證 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書，公司公告 公司形成了以原子層沉積（ALD）技術為核心，CVD 等多種真空薄膜技術梯次發展的產品體系，專注于先進微米級、納米級薄膜設備的研發、生產與應用，是一家面向全球的半導體、泛半導體高端微納裝備制造商。目前，公司已開發出適用于光伏、半導體等應用領域的多款薄膜沉積設備，涵蓋 ALD、PEALD 二合一、PECVD 系列產品，并提

22、供配套產品及服務。表表 2：公司主要產品：公司主要產品 應用領域應用領域 產品系列產品系列 產品圖示產品圖示 產品說明產品說明 光伏光伏 夸父（KF）系列批量式ALD 系統 采用微導原創的反應腔體設計和先進的薄膜沉積技術及自動化集成技術，可為高效晶硅太陽能電池表面鈍化提供高質量超薄鈍化膜的制備，確保電池光電轉換效率的進一步提升。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 6/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 祝融（ZR）系列管式PEALD/PECVD 系統 管式 PECVD 系統突破性解決傳統管式PECVD 的產能瓶頸，確保 PERC、TOPCon、XBC等 高 效 電

23、池 生 產。管 式PEALD/PECVD 集成系統利用行業創新的PEALD/PECVD 同管技術，實現了超高產能的批量型 PEALD 鍍膜以及氮化硅正膜、氧化鋁/背膜、氧化硅/多晶硅鈍化膜一站式完成。羲和（XH）系列高溫低壓系統 采用原創設計的高溫熱場控制技術，真正實現了兼容磷、硼兩種擴散工藝，其中硼擴散工藝又兼容 BBr3 和 BCl3 兩種工藝源。后羿（HY）系列板式ALD 系統 采用自主知識產權的真空腔內溫場和流場設計，實現空間型原子層沉積鍍膜工藝方式，為鈣鈦礦薄膜太陽能電池組件產線提供高質量氧化物功能薄膜材料，以確保量產組件的高效率和長壽命。半導體半導體 iTomic 系列原子層沉積鍍

24、膜系統 適用于高介電常數（High-k）柵氧層、MIM電容器絕緣層、TSV 介質層等薄膜工藝需求?？蔀檫壿嬓酒?、存儲芯片提供介質層等關鍵工藝解決方案，技術和設備指標達到國內一流、國際先進水平。iTomic MW 系列批量式原子層沉積鍍膜系統 采用創新的批量型（mini-batch）腔體設計，可一次處理 25 片 12 英寸晶圓，可為存儲芯片以及 Micro-OLED 顯示器、MEMS 等提供定制化量產的解決方案。iTomic Lite 系列輕型原子層沉積鍍膜系統 產品采用原創設計開發的自動化平臺與模塊化 ALD 反應腔相結合，可以按需配置PEALD 或 Thermal ALD 等工藝需求，可廣

25、泛應用于 MEMS、光電器件等泛半導體器件領域。iTomic PE 系列等離子體增強原子層沉積鍍膜系統 產品可根據不同溫度要求制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等薄膜制備工藝及應用，可為邏輯芯片、存儲芯片、先進封裝等提供客制化掩膜層、介質層、圖案化等關鍵工藝解決方案。iTronix 系列化學氣相沉積鍍膜系統 產品采用自主研發的反應腔室和電氣軟件集成化服務，在邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件等芯片制造領域具有廣泛應用。Trancendor 系列晶圓真空傳輸系統 公司獨立研發的、適用于高產能半導體制程設備的晶圓傳輸系統，可根據客戶工藝需要，靈活掛載一至多個工藝腔體在真空環境下進行快速高效晶圓傳輸。請務必閱

26、讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 7/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 其他其他 iSparol 系列卷對卷 ALD系統 基于自主研發，結合超大空間型 ALD 鍍膜技術與真空卷對卷技術，開發大型卷對卷原子層沉積鍍膜平臺，實現在超大寬幅柔性基材上制備高阻隔膜的整體解決方案。數據來源：東北證券，公司公告 2019-2023 年，公司營業收入由 2.16 億元快速增長至 16.8 億元；2024 年一季度，公司實現營業收入 1.71 億元，同比增長 125.27%。2019-2022 年，公司歸母凈利潤在4500-6000 萬元區間窄幅波動；2023 年，公司實現歸母凈利潤

27、2.7 億元，同比增長399.33%；2024 年一季度，公司實現歸母凈利潤 357.34 萬元，同比增長 428.12%。近年來，公司營業收入保持高速增長，主要原因為公司持續研發推出符合市場需求的高性能產品，主要產品在光伏領域、半導體領域的銷量大幅增長，在手訂單金額不斷增加并陸續實現收入轉化。但由于公司 PECVD 產品、PEALD 二合一產品開發完成后在 PERC 電池領域進行推廣，該技術路線上不同設備競爭態勢導致上述設備毛利率較低，從而使公司綜合毛利率自 2021 年出現下降，影響公司歸母凈利潤增速。2023 年，公司綜合毛利率小幅回升，費用率大幅下降，歸母凈利潤爆發式增長。圖圖 3：2

28、019-2024Q1 公司營業收入公司營業收入 圖圖 4：2019-2024Q1 公司歸母凈利潤公司歸母凈利潤 數據來源：東北證券，公司公告 數據來源：東北證券，公司公告 2023 年，公司光伏設備產品營業收入占比為 89.15%，是公司最主要的收入來源；半導體設備產品占營業收入的比重為 7.26%，營收占比持續提升；配套產品及服務、其他主營業務和其他業務的營業收入占比分別為 3%、0.51%和 0.08%。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 8/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 5：2023 年公司營業收入構成年公司營業收入構成 數據來源：東北證券，公司公

29、告 2019-2023 年，由于公司新產品開發完成后在競爭較為激烈的 PERC 電池領域進行推廣，導致 2021 年公司光伏設備毛利率大幅下滑，此后毛利率逐步回升至 2023 年的 43.81%。2021 年，公司首臺半導體領域設備實現銷售，此后由于的原因，半導體設備毛利率由 2021 年的 52.2%下滑至 2023 年的 27.24%。2019-2023 年，公司配套產品及服務毛利率在 67%-78%區間波動，整體保持在較高水平?？紤]到光伏設備產品營業收入占比較高，光伏設備毛利率的下降使公司綜合毛利率整體呈下滑趨勢。圖圖 6：2019-2023 年公司各產品毛利率及綜合毛利率年公司各產品毛

30、利率及綜合毛利率 數據來源：東北證券，公司公告 2.三類薄膜沉積技術各有所長，公司產品以三類薄膜沉積技術各有所長，公司產品以 ALD 設備為主設備為主 2.1.薄膜沉積技術分為 PVD、CVD、ALD 三類 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 9/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。薄膜沉積設備的設計制造涉及化學、物理、工程等多門學科的跨界綜合運用，按工藝原理的不同可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）設備，按設備形態的不同可分為批量式（管式）和空間型（

31、板式）兩種技術路線。物理氣相沉積（PVD）技術是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等離子體）過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD 鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜?；瘜W氣相沉積（CVD）是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在基體表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。原子層沉積（ALD）技術是一種特殊的真空薄膜

32、沉積方法，具有較高的技術壁壘。通過 ALD 鍍膜設備可以將物質以單原子層的形式一層一層沉積在基底表面，每鍍膜一次/層為一個原子層，根據原子特性，鍍膜 10 次/層約為 1nm。由于 ALD 技術表面化學反應具有自限性，因此擁有多項獨特的薄膜沉積特性：（1）三維共形性，廣泛適用于不同形狀的基底；（2）大面積成膜的均勻性，且致密、無針孔；（3）可實現亞納米級的薄膜厚度控制。PVD 為物理過程，CVD 為化學過程，兩種具有顯著的區別。從原理上說，ALD 是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質量上都與傳統的CVD不同。在傳統CVD工藝過程中，化學氣體不斷通入真空室內

33、，因此該沉積過程是連續的，沉積薄膜的厚度與溫度、壓力、氣體流量以及流動的均勻性、時間等多種因素有關。在 ALD 工藝過程中，則是將不同的反應前驅物以氣體脈沖的形式交替送入反應室中，因此并非一個連續的工藝過程。圖圖 7：薄膜沉積薄膜沉積設備技術分類設備技術分類 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 PVD、CVD、ALD 技術各有自己的技術特點和技術難點，經過多年的發展，亦分別發展出諸多應用領域。相比于 ALD 技術，PVD 技術生長機理簡單，沉積速率高，但一般只適用于平面的膜層制備；CVD 技術的重復性和臺階覆蓋性比 PVD 略好，但是工藝過程中影響因素較多，成膜的均勻性較差，并且難以精確控

34、制薄膜厚度。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 10/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 8：PVD、CVD、ALD 薄膜沉積效果示意圖薄膜沉積效果示意圖 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 表表 3：PVD、CVD、ALD 技術對比及主要應用領域技術對比及主要應用領域 PVD CVD ALD 優勢與劣勢優勢與劣勢（1）沉積速率較快；（2）薄膜厚度較厚，對于納米級的膜厚精度控制差；（3）鍍膜具有單一方向性；（4）厚度均勻性差；（5）階梯覆蓋率差（1）沉積速率一般（微米/分鐘）；（2）中等的薄膜厚度（依賴于反應循環次數）；（3）鍍膜具有單一方向性；（4）階梯

35、覆蓋率一般（1）沉積速率較慢（納米/分鐘）；（2）原子層級的薄膜厚度；（3）大面積薄膜厚度均勻性好；（4）階梯覆蓋率最好；（5）薄膜致密無針孔 主要應用領域主要應用領域（1）HJT 光伏電池透明電極；（2）柔性電子金屬化、觸碰面板透明電極；（3）半導體金屬化（1）PERC 電池背面鈍化層、PERC 電池減反層；（2）TOPCon電池接觸鈍化層、減反層；（3）HJT 電池接觸鈍化層；（4）柔性電子介質層、柔性電子封裝層；（5）半導體介質層（低介電常數）、半導體封裝層（1）PERC 電池背面鈍化層；（2）TOPCon 電池隧穿層、接觸鈍化層、減反層；（3）柔性電子介質層、柔性電子封裝層；（4）半導

36、體高 k 介質層、金屬柵極、金屬互聯阻擋層、多重曝光技術 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 在上述三種技術中，ALD 與 CVD 技術之間既存在明顯的區分度，又在部分常規應用場景中存在可替代性。在 PERC 電池背鈍化 Al2O3 的沉積工藝中，ALD 技術與 PECVD 技術存在互相替代的關系。在 2016 年之前，PECVD 在 PERC 電池背面鈍化的應用被迅速推廣，原因是在常規單晶電池制造工藝流程中，僅電池正面需要用 PECVD 鍍 SiNx，因此電池廠商選擇 PERC 電池背面沉積 Al2O3 的方法時，PECVD 技術被優先用于 Al2O3 的沉積。而當時的 ALD 技術在國

37、外主要應用于半導體領域，大多屬于單片式反應器類型，這種反應器雖然鍍膜精度高，但產能較低。為了克服上述限制，2017 年起包括公司在內的國內 ALD 設備制造商陸續推出創新解決方案，打破制約 ALD 技術應用于光伏領域的產能限制，成為行業主流鍍膜方案之一。因此，在硅片背面沉積Al2O3 的工藝中，ALD 技術與 PECVD 技術對于 Al2O3 的沉積存在互相替代的關系。在 TOPCon 電池隧穿層即氧化硅層的沉積工藝中，ALD 技術更具優勢。在氧化硅隧穿層的制備中，目前較常見的有高溫熱氧化法、等離子體氧化法和 PEALD 技術。高溫熱氧化法能獲得高質量的氧化硅層、較低的界面缺陷態密度，但其存在

38、大尺寸硅片下容易受熱不均勻、成膜反應速度慢等問題；等離子體技術結合 N2O 雖然也被 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 11/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 嘗試用于氧化硅隧穿層的制備，采用等離子體轟擊 N2O 使其解離產生游離 O 從而氧化硅片表面，但采用該方法生長的氧化硅厚度較厚，對于 1-3nm 的厚度而言，該方法難以控制厚度，因此尚未實現在氧化硅隧穿層的產業化應用。ALD 技術在半導體領域 28nm 及以下先進制程、存儲器件中的典型應用中發揮舉足輕重的作用。近年來，晶圓制造的復雜度和工序量大大提升，以邏輯芯片為例，隨著 90nm 以下制程的產線數量增多

39、，尤其是 28nm 及以下工藝的產線對鍍膜厚度和精度控制的要求更高，特別是引入多重曝光技術后，工序數和設備數均大幅提高；在存儲芯片領域，主流制造工藝已由 2D NAND 發展為 3D NAND 結構，內部層數不斷增高；元器件逐步呈現高密度、高深寬比結構。由于 ALD 獨特的技術優勢，在每個周期中生長的薄膜厚度是一定的，擁有精確的膜厚控制和優越的臺階覆蓋率，因此能夠較好的滿足器件尺寸不斷縮小和結構 3D 立體化對于薄膜沉積工序中薄膜的厚度、三維共形性等方面的更高要求。ALD 技術愈發體現出舉足輕重的作用。2.2.ALD 技術廣泛適用于不同環境下的薄膜沉積 ALD 技術通過將氣相前驅體脈沖交替地通

40、入反應室并在沉積基底上發生表面飽和化學反應形成薄膜。典型的熱原子層沉積（TALD）技術是利用加熱為薄膜沉積過程中的化學吸附提供活化能。以三甲基鋁（TMA）為金屬鋁源、水蒸氣為氧源，沉積Al2O3 薄膜的反應為例，每一個單位循環分為四個步驟，重復步驟以形成所需厚度的 Al2O3 薄膜。圖圖 9：ALD 技術沉積技術沉積 Al2O3 薄膜步驟薄膜步驟 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 12/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 10：ALD 技術沉積技術沉積 Al2O3 薄膜薄膜示意圖示意圖 數據來源：東北證券，微導納米招股

41、說明書 在傳統工藝中，由于存在厚度控制和膜層均勻性的問題，通過 CVD 與 PVD 工藝所生成的膜很難突破 10nm 以下的厚度極限。此外，在深寬比達到 10:1 以上時，CVD與 PVD 工藝無法保證下游工藝需要的近 100%覆蓋率的技術要求。與之相比，由于ALD 技術的表面化學反應具有自限性，因此擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，廣泛適用于不同環境下的薄膜沉積，在光伏、半導體、柔性電子等新型顯示、MEMS、催化及光學器件等諸多高精尖領域均擁有良好的產業化前景。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 13/32 微導納米微導納米/公司深度公司深

42、度 圖圖 11：ALD 技術應用領域技術應用領域 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 2.3.從光伏到半導體，從 ALD 到 CVD 公司目前產品主要以批量式（管式）ALD 設備為主，同時包括空間型（板式）ALD設備、CVD 設備等。受益于完整的 ALD 和 CVD 設備布局，公司核心技術持續突破，產品升級快速迭代，產品種類不斷豐富。目前，公司核心技術在原有七大技術基礎上進行了進一步的升級和拓展，原“原子層沉積反應器設計技術”升級為“薄膜沉積反應器設計技術”，并新增“柔性材料制備技術”、“薄膜封裝技術”和“高效電池整線工藝技術”，形成十大核心技術。表表 4：公司核心技術公司核心技術 核心技

43、術核心技術 說明說明 薄膜沉積反應器設計技術薄膜沉積反應器設計技術 該項核心技術涵蓋多種薄膜沉積設備架構，在基于 ALD 設備腔體的構架基礎上，考慮多種類型基底的薄膜沉積反應需求，利用多種能量來源，實施原子層氣相沉積（ALD）、化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）方案，解決針對不同基底所需薄膜沉積工藝進行的真空環境及各式工藝腔室的設計問題。高產能真空鍍膜技術高產能真空鍍膜技術 該技術使得公司產品具有出色量產性能，同時針對性的解決了反應環境控制、在線工藝監測、機械運動保護、顆粒度控制、薄膜均勻性等關鍵技術難題，提升了產品的量產性能和安全性能。真空鍍膜設備工藝反應氣體控制技術真空鍍膜設備

44、工藝反應氣體控制技術 公司形成了獨特的噴淋板-勻流板配套設計技術，解決了真空狀態反應氣體在高阻力條件下的氣體分布均勻性的問題，解決了大批量基底裝載中普遍存在的反應氣體分布導致的工藝均勻性不佳的問題，能夠有效保障鍍膜的工藝質量。納米疊層薄膜沉積技術納米疊層薄膜沉積技術 該技術能夠使公司產品具備制備復雜材料納米疊層薄膜工藝的能力，為晶圓制造以及高效電池制造提供了重要的納米疊層材料，薄膜沉積裝備可以根據不同的鍍膜需求，在同一平臺實現不同鍍膜工藝。高質量薄膜制造技術高質量薄膜制造技術 利用等離子體增強技術，能在不影響薄膜其他的性能的基礎上，有效降低薄膜沉積反應所需溫度，并能有效拓寬沉積工藝中化學源的選

45、擇性，同時有效改善薄膜均勻性。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 14/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 工藝設備能量控制技術工藝設備能量控制技術 采用等離子體作為能量控制手段，可以有效降低反應溫度，實現多種材料的低溫沉積工藝。在薄膜沉積過程進行的同時，利用輝光、電弧、射頻、微波等手段促使反應氣體放電產生等離子體，從而對反應沉積過程施加影響，工藝腔室內的粒子相互作用可很快獲得高能態、高化學活性和高反應能力?；谠訉映练e的高效電池技術基于原子層沉積的高效電池技術 發行人基于 ALD 技術與發行人產品的特點，開發出包含 Al2O3、SiO2、SiN 及各類疊層薄膜等

46、沉積技術，在制備 PERC 電池與TOPCon 電池鈍化膜的基礎上，也可進行其他類型高效電池的薄膜制備，并實現阻止離子擴散、提高電池抗 PID（電勢誘導衰減）等特性。柔性材料制備技術柔性材料制備技術 隨著“高阻隔膜產業化技術研發”項目的不斷深入，“柔性材料制備技術”從“高產能真空鍍膜技術”中分離出來，相關產品iSparol 系列卷對卷產品已經出貨國內知名 FPD 面板制造商。薄膜封裝技術薄膜封裝技術“薄膜封裝技術”主要指的是顯示芯片的薄膜封裝（TFE）以及半導體芯片的先進封裝工藝及相關技術。有效的 TFE 對防止 FPD中的芯片材料被濕氣與顆粒降解非常關鍵。先進封裝技術是將不同系統集成到同一封

47、裝內以實現更高效系統效率的封裝技術，能夠實現芯片整體性能（包括傳輸速度、運算速度等）的提升。高效電池整線工藝技術高效電池整線工藝技術 隨著“整線”相關業務的不斷發展，“高效電池整線工藝技術”從“基于原子層沉積的高效電池技術”中分離出來，該技術是針對光伏電池電池片生產環節中的各工藝及設備進行編組和工藝流程設計，從而提升相應電池工藝的技術水平、產能，以及光電轉化效率。數據來源：東北證券，微導納米招股說明書，公司公告 公司產品率先用于光伏電池片生產過程中的薄膜沉積環節，在成功將 ALD 技術應用于光伏領域后，公司開發了對技術水平和工藝要求更高的半導體薄膜沉積設備，已先后獲得國內多家知名半導體公司的商

48、業訂單。在光伏領域，公司 ALD 設備的市場占有率保持領先，產品矩陣不斷豐富，可為客戶提供 ALD、PECVD、PEALD、擴散退火等多種定制化產品和 TOPCon 整線工藝解決方案，實現了對 TOPCon 產線真空類設備的全覆蓋，產品種類、價值量顯著提高。同時，公司依托強大的研究開發能力助力下一代新型高效電池技術升級，在 TOPCon、XBC、HJT、鈣鈦礦、鈣鈦礦疊層等電池技術領域均有產品儲備、布局和出貨。2023年，公司應用于 TOPCon 電池的 ALD 設備市場占有率位居第一梯隊并進一步大幅度的提升，PE-Tox+PE-Poly 設備（隧穿氧化及摻雜多晶硅層設備）受到行業的認可市場占

49、有率快速增加，PE-TOPCon 工藝整線獲得數十 GW 量產訂單；應用于 XBC電池的專用設備順利獲得客戶驗收，且在愛旭、隆基已投產和擬投產的 XBC 電池生產線中，公司 ALD 產品占比保持領先；在鈣鈦礦電池領域，首臺應用于鈣鈦礦晶硅疊層電池管式 ALD 量產設備取得客戶驗收，應用于鈣鈦礦電池的板式 ALD 設備獲得行業頭部客戶百兆瓦級量產設備訂單。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 15/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 12：TOPCon3.0 工藝整線示意圖工藝整線示意圖 數據來源：東北證券，公司公告 表表 5：公司：公司光伏設備具體情況光伏設備具

50、體情況 產品系列產品系列 設備類型設備類型 鍍膜工藝鍍膜工藝 應用領域應用領域 產業化階段產業化階段 夸父（夸父（KF）系列）系列批量式批量式 ALD 系統系統 TALD Al2O3 等工藝 PERC 電池背面鈍化層、TOPCon 電池正面鈍化層、XBC 電池正背面鈍化層 產業化應用 鈣鈦礦/異質結疊層電池等高效晶硅太陽能電池鈍化 產業化應用 祝融（祝融（ZR）管式）管式PECVD 系統系統 PECVD SiNx 等工藝 PERC 電池減反層、TOPCon 電池背面減反層 產業化應用 祝融（祝融（ZR）管式）管式PEALD/PECVD集成系統集成系統 PEALD 和PECVD Al2O3、Si

51、Nx 等工藝 PERC 電池背面鈍化層、減反層 產業化應用 Al2O3、SiNx 等工藝 TOPCon 電池正面鈍化層、減反層 產業化應用 隧穿氧化硅、摻雜多晶硅等工藝 TOPCon 電池隧穿層、摻雜多晶硅層 產業化應用 羲和（羲和（XH）高溫）高溫低壓系統低壓系統 爐管設備 非晶硅晶化及摻雜、擴散 TOPCon 電池擴散、退火 產業化應用 后羿（后羿（HY）系列）系列板式板式 ALD 系統系統 ALD/PEALD/PECVD 非晶/微晶硅基摻雜薄膜、阻水阻氧保護層等 鈣鈦礦、鈣鈦礦/異質結疊層電池 產業化驗證 數據來源：東北證券，公司公告 在半導體領域，ALD 與 CVD 兩類設備均是半導體

52、薄膜沉積工藝中具有重要地位的關鍵設備，為滿足客戶在各技術節點和各工藝環節對薄膜沉積設備的需求，在保持核心產品 ALD 設備銷售領先優勢的同時，公司成功推出了具有市場競爭力的 CVD設備，進一步擴大產品工藝覆蓋度和市場空間。公司進入產業化驗證階段的 ALD 和CVD 工藝種類不斷增加，目前已開發工藝包括了 HKMG 技術、柱狀電容器、金屬化薄膜沉積技術及高深寬比 3D DRAM、TSV 技術等，并還在持續開發客戶需求的IGZO、Nb2O5 等新工藝。2023 年，公司 iTomic 系列 ALD 設備繼續保持行業領先優勢，在邏輯、存儲領域內均新增行業重要客戶的訂單，尤其在新型存儲領域已取得批量重

53、復訂單；iTronix 系列 CVD 設備加速推廣，已獲得半導體集成電路行業內重要客戶的批量重復訂單，并加速拓展開發客戶需求的工藝設備；iTomic MW 設備和 iTomic Lite 設備在存儲、新型顯示（硅基 OLED）和化合物半導體領域進入產業化應用階段。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 16/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 13：半導體薄膜技術發展格局及公司布局：半導體薄膜技術發展格局及公司布局 數據來源：東北證券，公司公告 公司主營業務成本包括直接材料、人工成本和制造費用，2021-2023 年，隨著業務規模的不斷擴大，主營業務成本不斷增加，

54、但各成本項占比整體較為穩定。其中，直接材料主要包括真空系統類、特殊氣體系統類、電器類、氣動控制傳動類、機械一體類、石墨石英類、儀器儀表類、五金耗材類等部件，成本占比始終保持較高水平，2021-2023 年分別為 84.14%、85.93%和 83.78%。表表 6：公司主營業務成本（萬元）及占比：公司主營業務成本（萬元）及占比 成本項成本項 2021 2022 2023 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 直接材料直接材料 19485.25 84.14%33932.28 85.93%79313.04 83.78%人工成本人工成本 1763.31 7.62%3754.17

55、 9.51%11230.23 11.86%制造費用制造費用 1908.8 8.24%1803.74 4.57%4125.89 4.36%合計合計 23157.37 100%39490.19 100%94669.17 100%數據來源：東北證券，微導納米招股說明書，公司公告 目前，公司光伏設備已覆蓋包括通威太陽能、隆基股份、晶澳太陽能、阿特斯、天合光能等在內的多家知名太陽能電池片生產商，半導體設備已先后獲得國內多家知名半導體公司的商業訂單。2019-2023 年，公司前五大客戶銷售收入占比整體處于較高水平，分別為 61.28%、95.66%、84.18%、66.85%和 77.67%。近年來，公

56、司在手訂單持續高增長，截至 2024 年 3 月末，公司在手訂單 81.91 億元，其中光伏設備在手訂單 70.26 億元，半導體設備在手訂單 11.15 億元，其他設備在手訂單 0.5 億元。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 17/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 14：2019-2023 年年公司前五大客戶銷售收入占比公司前五大客戶銷售收入占比 數據來源：東北證券，公司公告 表表 7：2022 年年 3 月末至月末至 2024 年年 3 月末月末公司在手訂單公司在手訂單（億元）（億元）應用領域應用領域 2022 年年 3 月末月末 2022 年年 12

57、 月末月末 2024 年年 3 月末月末 光伏光伏 8.75 19.67 70.26 半導體半導體 1.14 2.57 11.15 其他其他 0.82 0.69 0.5 合計合計 10.71 22.93 81.91 數據來源：東北證券，公司公告 3.薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的關鍵設備薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的關鍵設備 光伏產業鏈從上到下依次為：晶體硅料的生產和硅棒、硅錠、硅片的加工制作；光伏電池片的生產加工；光伏電池組件的制作；光伏應用（包括電站項目開發、電站系統的集成和運營）。圖圖 15：光伏產業鏈光伏產業鏈 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 請務必閱讀正文后的聲明

58、及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 18/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 在全球氣候變暖及化石能源日益枯竭的大背景下，世界各國高度重視光伏行業的發展，中國光伏產業在全球占據絕對主導地位。2019-2023 年，中國光伏新增裝機容量持續高增，由 30.11GW 增長至 216.88GW；2024 年上半年，中國光伏新增裝機容量102.48GW，同比增長 30.68%。中國光伏電池片的產業規模也隨之擴大，2019-2023年，中國光伏電池片產量由 110.3GW 增長至 545GW。圖圖 16：2019-2024H1 中國光伏新增裝機容量中國光伏新增裝機容量 圖圖 17：2019-202

59、3 年中國光伏電池片產量年中國光伏電池片產量 數據來源：東北證券，國家能源局 數據來源：東北證券，CPIA 光伏電池片是光伏發電的核心部件，其技術路線和工藝水平直接影響光伏組件的發電效率和使用壽命。光伏電池片按照硅片性質可分為 P 型電池和 N 型電池。P 型電池原材料為 P 型硅片（摻雜硼元素），主要包括 BSF 電池和 PERC 電池。N 型電池原材料為 N 型硅片（摻雜磷元素），主要包括 TOPCon 電池、HJT 電池和 XBC 電池。目前，隨著光伏電池片技術的不斷進步，TOPCon、HJT 等 N 型電池進入規?；茝V應用階段，各大光伏企業紛紛布局 N 型電池產能。表表 8：主要主要

60、光伏光伏企業企業 N 型型電池產能布局電池產能布局 主要企業主要企業 N 型電池產能布局型電池產能布局 晶科能源晶科能源 2023 年底形成 85GW 硅片、90GW 電池和 110GW 組件產能，N 型產能預計占比 75%。2023年，晶科能源在山西規劃 56GW 硅棒、56GW 硅片、56GW 電池和 56GW 組件一體化項目，項目分四期建設，第一、二、三期項目預計分別于 2024 年第一、二、三季度投產。晶澳科技晶澳科技 2023 年組件產能達到 95GW，硅片和電池產能分別達到組件產能的 90%以上，N 型電池產能相對總產能的占比攀升至 67%。2024 年，晶澳科技在越南基地有 5G

61、W 電池項目在建，在鄂爾多斯基地有 30GW 拉晶、30GW 切片、30GW 電池和 10GW 組件一體化項目在建。通威股份通威股份 基于 N 型 TOPCon 技術路線，通威股份推出了 TNC 電池片產品，規劃中的雙流 25GW TNC項目和眉山 16GW TNC 項目預計將于 2024 年上半年建成投產，屆時通威股份 TNC 電池產能規模將達到 66GW。天合光能天合光能 2023 年底硅片、電池片、組件產能分別達 50GW、75GW、95GW，其中 N 型 i-TOPCon 電池片產能將達到 40GW。一道新能一道新能 新晉一線組件廠商，2023 年擁有 30GW 的 TOPCon 電池

62、和組件產能。一道新能已啟動 IPO，擬融資 25 億元用于年產 14GW N 型 TOPCon 電池和 20GW 組件項目。阿特斯阿特斯 阿特斯 N 型 TOPCon 電池片產能 30GW，其中宿遷基地 8GW，揚州基地 14GW，泰國基地8GW。此外其 HJT 中試線已量產。阿特斯規劃在江蘇淮安建設年產 14GW 切片、14GW 電池、14GW 組件新能源產業園項目，一期項目 8GW 硅片和電池預計 2024 年 10 月建成投產。隆基綠能隆基綠能 鄂爾多斯隆基光伏 30GW TOPCon 單晶電池項目已于 2023 年 8 月投產。未來隆基綠能的大量產品會采用 BC 類電池技術路線，現有

63、HPBC 電池產能約 35GW。正泰新能正泰新能 2023 年底累計建成 53GW 電池產能、55GW 組件產能，TOPCon 產能占比 81%。預計 2024年電池產能超過 65GW，組件產能超過 75GW，TOPCon 產能占比 85%。預計 2025 年電池產能超過 90GW，組件產能超過 100GW，TOPCon 產能占比 90%以上。數據來源：東北證券，各公司公告，百度 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 19/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 2023 年，新投產的量產產線以 N 型電池片產線為主。隨著 N 型電池片產能陸續釋放，PERC 電池片市場占

64、比被壓縮至 73%。N 型電池片占比合計達到約 26.5%，其中 N 型 TOPCon 電池片市場占比約 23%，異質結電池片市場占比約 2.6%，XBC 電池片約 0.9%，相較 2022 年都有大幅提升。未來，隨著 N 型電池技術的不斷成熟和初始投資成本的下降，其市場占比將快速提升。圖圖 18：2023-2030 年不同電池技術路線市場占比年不同電池技術路線市場占比 數據來源：東北證券，CPIA 按照光伏電池產業鏈，可將光伏設備分為硅片設備、電池片設備、組件設備，其中電池片設備主要包括清洗制絨設備、擴散爐、刻蝕設備、鍍膜設備、激光開槽設備、絲網印刷機等。薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的

65、關鍵設備之一，其制備的薄膜直接影響電池片的光電轉換效率，目前光伏領域中薄膜沉積技術以 PECVD 和ALD 為主。目前，公司為太陽能電池片廠商提供鍍膜設備，用于在電池片正面或背面鍍 Al2O3、SiNx 等薄膜。Al2O3 薄膜可實現良好的鈍化效果，鈍化工序就是通過降低硅片表面電子空穴的復合來降低缺陷帶來的影響，從而保證電池的光電轉換效率。當光線照射在晶硅太陽能電池上表面且被吸收，具有足夠能量的光子能夠在 P 型硅和 N 型硅中將電子激發，從而產生電子空穴對。電子和空穴在復合之前，將形成一個向外的可測試的電壓。硅片表面的雜質和缺陷會對晶硅太陽能電池片的性能造成負面影響，導致電子空穴復合。Al2

66、O3 由于具備較高的負電荷密度，可以對 P 型半導體如 PERC 電池背面和 TOPCon 電池的正面提供良好的場效應鈍化，即在近表面處增加一層具有高度穩定電荷的介質膜在表面附近造一個梯度電場，減少表面電子濃度從而降低表面電子空穴的復合速率，以達到更高的光電轉化水平。在 PERC 電池背面，SiNx 依靠其化學穩定性，主要用于背部鈍化膜的保護，避免后續金屬化燒結過程鋁漿對 Al2O3 鈍化膜的破壞。在 PERC 電池正面，由于 SiNx 富含氫原子，可以在熱處理過程中對表面和體內的缺陷進行化學鈍化，從而降低表面電子的復合。同時由于 SiNx 的光學特性，還可以實現 PERC 電池正面和背面減反

67、效果。根據電池不同工藝和所需的薄膜性質，所采用的薄膜沉積設備會有所不同。針對PERC 電池生產技術，薄膜沉積設備主要用于 PERC 電池的鈍化和減反膜的制備。對于 TOPCon 電池和 HJT 電池等新型高效電池來說，其對于薄膜沉積的需求更高。TOPCon電池生產線可以由PERC電池生產線升級改造實現，除原薄膜沉積需求外，還增加了隧穿層和摻雜多晶硅層鍍膜需求。HJT 電池整體結構變化較大，其制造環節只需四大類設備，分別是制絨清洗設備（投資占比 10%）、非晶硅沉積設備（投資占比 50%）、透明導電薄膜設備（投資占比 25%）和印刷設備（投資占比 15%），其 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必

68、閱讀正文后的聲明及說明 20/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 中非晶硅沉積設備、透明導電薄膜設備均需要用到薄膜沉積設備。未來，隨著 N 型電池技術的不斷發展，將會催生出更多的設備需求，薄膜沉積設備在 N 型電池產線建設中的投資比重也有望增加。圖圖 19：PERC 電池和電池和 PE-TOPCon 電池工藝流程及對應設備電池工藝流程及對應設備 數據來源：東北證券，公司公告 目前，國內光伏設備已基本實現國產替代，并在國際競爭中處于優勢地位。公司光伏領域薄膜沉積設備的競爭對手包括主要采用 ALD 技術的無錫松煜、理想晶延，以及主要采用 PECVD 技術的捷佳偉創、北方華創、紅太陽、拉普拉斯

69、、Centrotherm（商先創）等。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 21/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 表表 9：公司光伏設備競爭對手：公司光伏設備競爭對手 競爭對手競爭對手 成立時間成立時間 簡介簡介 無錫松煜無錫松煜 2017 年 主要產品包括 ALD（原子層沉積設備）、管式PECVD（等離子體增強化學氣相沉積設備）、LPCVD（低壓化學氣相沉積設備）、三合一PECVD 沉積系統等產品。理想晶延理想晶延 2013 年 國內主要從事光伏 ALD 設備的企業之一，主要產品包括 ALD（原子層沉積設備）、PECVD（等離子體增強化學氣相沉積設備）等系列。捷

70、佳偉創捷佳偉創 2007 年 國內主要的太陽能電池設備企業之一，產品涵蓋原生多晶硅料生產設備、硅片加工設備、晶體硅電池生產設備等。北方華創北方華創 2001 年 由七星電子與北方微電子完成并購重組而成，國內主要的電子工藝裝備（半導體設備、真空設備、鋰電設備）和電子元器件企業之一，其PECVD 產品已在光伏領域實現批量銷售。紅太陽紅太陽 2009 年 中國電子科技集團控股子公司，國內主要從事光伏 PECVD 設備的企業之一，主要產品包括PECVD、LPCVD、ALD、擴散爐、氧化爐等。拉普拉斯拉普拉斯 2016 年 主營光伏領域設備，包括擴散系統、LPCVD、PECVD 等設備。Centroth

71、erm 1976 年 德國企業，長期從事熱解決方案的創新開發，并提供光伏、集成電路與微電子工業的生產解決方案。其中，光伏技術的生產設備包括管式低壓擴散爐、PECVD 系統、LPCVD 系統、快速燒結爐、再生爐等。數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 4.薄膜沉積設備薄膜沉積設備是是晶圓制造三大主設備晶圓制造三大主設備之一之一 4.1.細分應用領域眾多 半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。按照產品來劃分，半導體產品可分為集成電路、分立器件、光電器件和傳感器，其中集成電路占 80%以上份額，是絕大多數電子設備的核心組成部分，也是現代信息產業的基礎，下游應用最為廣泛。半導體產業鏈可按

72、照主要生產過程進行劃分，整體可分為上游半導體支撐產業、中游晶圓制造產業、下游半導體應用產業。上游半導體材料、設備產業為中游晶圓制造產業提供必要的原材料與生產設備。半導體產品下游應用廣泛，涉及通訊技術、消費電子、工業電子、汽車電子、人工智能、物聯網、醫療、新能源、大數據等多個領域。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 22/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 20：半導體產業鏈半導體產業鏈 數據來源：東北證券，拓荊科技招股說明書 根據美國半導體行業協會的數據，2010-2023 年，全球半導體銷售額由 2953.2 億美元增長至 5197.2 億美元。2023 年

73、，全球半導體銷售額同比下降 10.89%。半導體行業周期性顯著，近年全球半導體銷售額同比數據呈現較為明顯的“兩年上行，兩年下行”的周期。圖圖 21：2010-2023 年全球半導體銷售額年全球半導體銷售額 數據來源：東北證券，Wind 半導體行業細分領域眾多，公司半導體設備在新型存儲和硅基 OLED 領域已取得開創性進展。目前，公司半導體設備客戶類型涵蓋了邏輯、存儲、化合物半導體、硅基 OLED 等，其中超過 75%的增量訂單來自存儲領域（新型存儲、3D NAND 和DRAM）。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 23/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 22

74、：公司半導體設備細分應用領域：公司半導體設備細分應用領域 數據來源：東北證券，公司公告 制程提高催生 ALD 設備需求。晶體管是構成邏輯電路、微處理器及記憶元件的基本單元，漏電一直是影響其良率、性能和功耗的重要影響因素。在半導體制程進入45nm 特別是 28nm 之后，傳統的 SiO2 柵介質層薄膜材料厚度需縮小至 1nm 以下，將產生明顯的量子隧穿效應和多晶硅耗盡效應，導致漏電流急劇增加、器件性能急劇惡化，業界提出了用高 k 材料來替代 SiO2 改善器件性能。HfO2 作為柵介質層得到了廣泛應用，柵介質層要求厚度原子級別的精確控制及高覆蓋率和薄膜均勻性，所以需要 ALD 技術來進行薄膜沉積

75、。此外，在半導體制程進入 28nm 后，由于器件不斷微縮且過渡到 FinFET、GAA 等三維結構，PVD 和 CVD 難以達到沉積效果，需要全方位的 ALD 解決方案。圖圖 23：不同制程下晶體管結構：不同制程下晶體管結構 數據來源：東北證券，公司公告 ALD 技術在存儲芯片 DRAM、3D NAND 需求越來越大。隨著 DRAM 存儲器容量不斷增大，其內部的電容器數量隨之劇增，而單個電容器的尺寸將進一步減小，器 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 24/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 件內部溝槽以及深孔的深寬比也越來越大，深溝槽將需要更高的薄膜表面積，ALD

76、技術能夠很好地滿足這些要求。3D NAND 結構內部層數不斷增高，元器件逐步呈現高密度、高深寬比結構，PVD 和 CVD 難以達到沉積效果，ALD 則可以實現高深寬比特征下的均勻鍍膜。未來存儲器的技術迭代包括進一步發展功耗低、速度快、容量大、記憶時間長的各類新型存儲器，如鐵電存儲器（FeRAM）、阻變存儲器（RRAM）等其所具有的特殊材料和存儲結構可在多方面提升存儲器性能，也相應的需要更為尖端的薄膜沉積工藝作為支撐。圖圖 24：FeRAM 結構示意圖結構示意圖 數據來源：東北證券，公司公告 ALD 技術在銦鎵鋅氧化物（IGZO）等新型半導體材料制備的應用增加。以銦鎵鋅氧化物（IGZO）作為代表

77、的寬禁帶半導體材料，可以有效抑制關態漏電流，具有理想的遷移率、低熱預算等優點，在三維堆疊存儲器、單片三維集成中具有重要的應用潛力，有助于提高晶體管的集成密度。另外，在顯示應用領域，相比傳統非晶硅和低溫多晶硅晶體管，OGZO薄膜晶體管很好地兼備了高遷移率、大面積成膜均一、低成本且工藝兼容的優勢，被大規模地應用在新一代顯示驅動領域。制備 IGZO 的關鍵是精確控制元素配比和含氧量，通過 ALD 技術可以獲得到具有精確厚度、較低氧缺陷的高性能 IGZO 薄膜。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 25/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 25：基于銦鎵鋅氧化物基于銦鎵

78、鋅氧化物（IGZO）材料的薄膜晶體管材料的薄膜晶體管（TFT）結構示意圖結構示意圖 數據來源：東北證券，公司公告 器件微縮采用的多重曝光技術需要 ALD 技術。多重曝光技術是指在現有的光刻機精度下，依次使用不同的掩膜版，分別進行兩次及以上的曝光，將一次曝光留下的介質層作為二次曝光的部分遮擋層。在此過程中，由于多重曝光增加了多道薄膜沉積工序，需要薄膜技術具有接近 100%的保型性、薄膜厚度控制精準，因此 ALD 技術被迅速推廣應用。圖圖 26：多重曝光技術多重曝光技術示意圖示意圖 數據來源：東北證券，公司公告 4.2.薄膜沉積設備市場規模有望持續增長 半導體設備通?？煞譃榍暗拦に囋O備（晶圓制造）

79、和后道工藝設備（封裝測試）兩類，其中晶圓制造設備的市場規模占設備整體市場規模的 80%以上。在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴散、光刻、刻蝕、薄膜生長、離子注入、清洗與拋光、金屬化，所對應的設備主要包括氧化/擴散設備、光刻設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備、離子注入設備、清洗設備、機械拋光設備等。全球半導體行業的快速發展衍生出巨大的半導體設備市場，半導體設備需求快速增長。2010-2023 年，全球半導體設備銷售額由 399.29 億美元增長至 1062.46 億美元。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 26/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 目前，中國

80、已成為全球半導體產業市場規模最大的地區，半導體設備行業也在下游行業快速發展的推動下，保持快速增長。2010-2023 年，中國半導體設備銷售額由36.8 億美元增長至 365.97 億美元。圖圖 27：2010-2023 年年全球半導體設備銷售額全球半導體設備銷售額 圖圖 28：2010-2023 年年中國大陸半導體設備銷售額中國大陸半導體設備銷售額 數據來源：東北證券，Wind 數據來源：東北證券，Wind 晶圓制造環節中，薄膜沉積設備制備的各類薄膜發揮著導電、絕緣、阻擋污染物等重要作用，直接影響半導體器件性能，其與刻蝕設備、光刻設備是集成電路前道生產工藝中最重要的三類設備。從晶圓廠的投資構

81、成來看，薄膜沉積設備投資額占晶圓廠投資總額的 16%，占晶圓制造設備投資總額的 21%。圖圖 29：晶圓廠投資構成晶圓廠投資構成 數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 根據 Maximize Market Research 的統計數據，2019-2022 年，全球半導體薄膜沉積設備市場規模由 155 億美元逐年增長至 232.7 億美元，預計 2023 年市場規模為 260 億美元。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 27/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 圖圖 30：2019-2023 年全球半導體薄膜沉積設備市場規模年全球半導體薄膜沉積設備市場規模 數據來源

82、：東北證券，Maximize Market Research 在半導體領域設備制造商以國外企業為主，東京電子（TEL）、先晶半導體（ASM）、泛林半導體（LAM）、應用材料（AMAT）、日本國際電氣（KE）均為全球知名的設備制造商，產品線涵蓋薄膜沉積設備。國內企業中，主營業務涵蓋半導體薄膜沉積設備的主要有北方華創、拓荊科技和中微公司三家。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 28/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 表表 10：公司半導體設備競爭對手：公司半導體設備競爭對手 競爭對手競爭對手 成立時間成立時間 簡介簡介 TEL 1963 年 TEL 總部位于日本，是世

83、界主要的半導體制造設備、液晶顯示器制造設備制造商之一。在半導體 ALD 設備全球市場占比 31%。ASM 1968 年 ASM 總部位于荷蘭，產品涵蓋了晶圓加工技術的重要方面，包括光刻，沉積，離子注入和單晶圓外延。其中ALD 設備較為突出，全球市場占比僅低于 TEL。LAM 1980 年 LAM 總部位于美國，是世界半導體產業提供晶圓制造設備和服務的主要供應商之一。該公司產品線涵蓋薄膜沉積、刻蝕、剝離和清洗等多個類型。AMAT 1967 年 AMAT 總部位于美國，是世界上最大的半導體裝備供應商，提供泛半導體裝備包含半導體及封裝、太陽能、LED 等領域，在全部的前道工藝上除光刻機以外都有全系列

84、的專用裝備提供。KE 1949 年 KE 總部位于日本，以成膜技術為核心，生產高品質的半導體制造設備，該公司產品線包含 ALD 設備。北方華創北方華創 2001 年 國內領先的半導體設備供應商，其刻蝕機、PVD、CVD、ALD、氧化/擴散爐、退火爐等產品在集成電路及泛半導體領域實現量產應用。拓荊科技拓荊科技 2010 年 拓荊科技產品涵蓋 PECVD、ALD、SACVD 三類半導體薄膜沉積設備，是國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD、SACVD 設備廠商。中微公司中微公司 2004 年 中微公司主要為集成電路、LED 芯片、MEMS 等半導體產品的制造企業提供刻蝕設備、MOCVD 設備。

85、其 2020年非公開發行股票的募投項目中，包括了半導體領域LPCVD、ALD 等設備的開發及工藝應用開發。數據來源：東北證券，微導納米招股說明書 5.盈利預測與投資評級盈利預測與投資評級 公司是一家面向全球的半導體、泛半導體高端微納裝備制造商。公司形成了以原子層沉積（ALD）技術為核心，CVD 等多種真空薄膜技術梯次發展的產品體系，專注于先進微米級、納米級薄膜設備的研發、生產與應用，已開發出適用于光伏、半導體等應用領域的多款薄膜沉積設備，涵蓋 ALD、PEALD 二合一、PECVD 系列產品，并提供配套產品及服務。ALD 技術廣泛適用于不同環境下的薄膜沉積。CVD 與 PVD 工藝存在厚度控制

86、和膜層均勻性的問題，生成的膜很難突破 10nm 以下的厚度極限。此外，在深寬比達到10:1 以上時，CVD 與 PVD 工藝無法保證下游工藝需要的近 100%覆蓋率的技術要求。與之相比，由于 ALD 技術的表面化學反應具有自限性，因此擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確的膜厚控制等特點，在光伏、半導體、柔性電子等新型顯示、MEMS、催化及光學器件等諸多高精尖領域均擁有良好的產業化前景。薄膜沉積設備是太陽能電池片制造環節的關鍵設備，其制備的薄膜直接影響電池片的光電轉換效率。TOPCon、HJT 等 N 型電池進入規?；茝V應用階段，根據電池不同工藝和所需的薄膜性質，所采用的薄膜沉積設備

87、會有所不同。TOPCon 電池生產線除原鈍化和減反膜的沉積需求外，還增加了隧穿層和摻雜多晶硅層鍍膜需求。HJT 電池制造環節中的非晶硅沉積設備和透明導電薄膜設備均需要用到薄膜沉積設備。未來，隨著 N 型電池技術的不斷成熟，將會催生出更多的設備需求，薄膜沉積設備在 N 型電池產線建設中的投資比重也有望增加。晶圓制造環節中，薄膜沉積設備制備的各類薄膜發揮著導電、絕緣、阻擋污染物等重要作用，直接影響半導體器件性能。公司半導體設備在新型存儲和硅基 OLED 領 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 29/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 域已取得開創性進展，客戶類型涵蓋了邏

88、輯、存儲、化合物半導體、硅基 OLED 等。未來，制程的不斷提高以及存儲技術、新型半導體材料制備技術和多重曝光技術的快速發展，將對薄膜沉積設備產生更多的需求。綜上所述，預計 2024-2026 年公司營業收入分別為 39.99/50.17/57.15 億元，歸母凈利潤分別為 5.86/7.71/9.86 億元。公司新簽訂單快速增長，半導體設備持續突破，盈利能力有望提升，給予公司“買入”評級。表表 11：盈利預測：盈利預測 2023A 2024E 2025E 2026E 光伏光伏 收入（萬元）149747 344417 396080 415884 毛利率 43.81%38%36%35%毛利（萬元

89、）65604 130879 142589 145559 半導體半導體 收入（萬元）12194 48775 97551 146326 毛利率 27.24%35%37%40%毛利（萬元）3322 17071 36094 58530 配套產品及服務配套產品及服務 收入（萬元）5033 6543 7852 9030 毛利率 71.42%70%70%70%毛利（萬元）3595 4580 5496 6321 其他業務其他業務 收入（萬元）142 170 204 245 毛利率 75.24%70%70%70%毛利（萬元）107 119 143 171 合計合計 收入（萬元）167115 399906 501

90、687 571484 毛利率 43.46%38.17%36.74%36.85%毛利（萬元）72627 152649 184322 210582 數據來源：東北證券 6.風險提示風險提示 產品驗證進度不及預期的風險；產品需求不及預期的風險；市場競爭激烈導致產品價格下降的風險；業績預測和估值判斷不及預期的風險。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 30/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 附表：財務報表預測摘要及指標附表：財務報表預測摘要及指標 Table_Forcast 資產負債表（百萬元）資產負債表（百萬元）2023A 2024E 2025E 2026E 現金流量表（

91、百萬元）現金流量表（百萬元）2023A 2024E 2025E 2026E 貨幣資金 1,154 2,004 2,854 3,916 凈利潤凈利潤 270 586 771 986 交易性金融資產 10 70 110 140 資產減值準備 119 0 0 0 應收款項 635 855 1,017 1,095 折舊及攤銷 41 59 77 103 存貨 3,217 3,434 3,967 4,010 公允價值變動損失 0 0 0 0 其他流動資產 1,409 1,359 1,239 1,039 財務費用 18 28 37 41 流動資產合計流動資產合計 6,816 8,364 9,933 10,9

92、77 投資損失-28-40-50-57 可供出售金融資產 0 0 0 0 運營資本變動-277-2 190 321 長期投資凈額 0 0 0 0 其他-50-2-4-4 固定資產 233 261 294 330 經營活動經營活動凈凈現金流現金流量量 93 629 1,022 1,391 無形資產 7 6 6 5 投資活動投資活動凈凈現金流現金流量量-1,163-168-179-212 商譽 0 0 0 0 融資活動融資活動凈凈現金流現金流量量 218 387 7-117 非非流動資產合計流動資產合計 766 856 972 1,111 企業自由現金流企業自由現金流-726 398 817 1,

93、133 資產總計資產總計 7,582 9,220 10,905 12,088 短期借款 544 1,044 1,224 1,324 應付款項 2,033 1,923 2,248 2,306 財務與估值指標財務與估值指標 2023A 2024E 2025E 2026E 預收款項 0 0 0 0 每股指標每股指標 一年內到期的非流動負債 25 25 25 25 每股收益（元）0.60 1.28 1.68 2.15 流動負債合計流動負債合計 4,967 6,102 7,152 7,526 每股凈資產（元）5.16 6.25 7.70 9.54 長期借款 0 0 0 0 每股經營性現金流量（元）0.2

94、1 1.37 2.23 3.04 其他長期負債 271 255 230 195 成長性指標成長性指標 長期負債合計長期負債合計 271 255 230 195 營業收入增長率 145.4%138.1%25.5%13.9%負債合計負債合計 5,238 6,357 7,382 7,721 凈利潤增長率 399.3%116.8%31.5%27.8%歸屬于母公司股東權益合計 2,344 2,863 3,523 4,367 盈利能力指標盈利能力指標 少數股東權益 0 0 0 0 毛利率 43.6%38.2%36.7%36.8%負債和股東權益總計負債和股東權益總計 7,582 9,220 10,905 1

95、2,088 凈利潤率 16.1%14.7%15.4%17.3%運營效率指標運營效率指標 利潤表（百萬元）利潤表（百萬元）2023A 2024E 2025E 2026E 應收賬款周轉天數 65.26 39.39 39.44 39.37 營業收入營業收入 1,680 3,999 5,017 5,715 存貨周轉天數 797.19 484.22 419.77 397.86 營業成本 947 2,473 3,174 3,609 償債能力指標償債能力指標 營業稅金及附加 10 22 32 37 資產負債率 69.1%69.0%67.7%63.9%資產減值損失-80 0 0 0 流動比率 1.37 1.3

96、7 1.39 1.46 銷售費用 84 176 201 206 速動比率 0.38 0.53 0.60 0.73 管理費用 163 376 457 503 費用率指標費用率指標 財務費用 1 5-3-16 銷售費用率 5.0%4.4%4.0%3.6%公允價值變動凈收益 0 0 0 0 管理費用率 9.7%9.4%9.1%8.8%投資凈收益 28 40 50 57 財務費用率 0.0%0.1%-0.1%-0.3%營業利潤營業利潤 289 628 827 1,057 分紅指標分紅指標 營業外收支凈額 2 2 3 3 股息收益率 0.3%0.8%1.0%1.3%利潤總額利潤總額 292 630 82

97、9 1,060 估值指標估值指標 所得稅 21 44 58 74 P/E（倍）64.98 19.00 14.45 11.30 凈利潤 270 586 771 986 P/B（倍）7.56 3.89 3.16 2.55 歸屬于母公司凈利潤歸屬于母公司凈利潤 270 586 771 986 P/S（倍）10.55 2.79 2.22 1.95 少數股東損益 0 0 0 0 凈資產收益率 12.6%20.5%21.9%22.6%資料來源：東北證券 股息收益率=（除權后年度每股現金紅利總和/報告首頁收盤價）*100%。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 31/32 微導納米微導納

98、米/公司深度公司深度 研究團隊簡介：研究團隊簡介：Table_Introduction 趙麗明：北京科技大學材料學博士，現任東北證券鋼鐵行業首席分析師，有多年鋼鐵生產、市場和設備實業經驗。曾在新時代證券、宏源證券、四川信托投資部、中航基金和華夏久盈先后擔任研究員和投資經理，2008 年以來具有 15 年證券研究從業經歷。趙宇天：上海財經大學本科，澳大利亞國立大學碩士，2022 年加入東北證券，現任鋼鐵新材料組證券分析師。分析師聲明分析師聲明 作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，并在中國證券業協會注冊登記為證券分析師。本報告遵循合規、客觀、專業、審慎的制作原則，所采用數據、資料的來

99、源合法合規，文字闡述反映了作者的真實觀點，報告結論未受任何第三方的授意或影響，特此聲明。投資投資評級說明評級說明 股票 投資 評級 說明 買入 未來 6 個月內，股價漲幅超越市場基準 15%以上。投資評級中所涉及的市場基準：A 股市場以滬深 300 指數為市場基準，新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為市場基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為市場基準；美國市場以納斯達克綜合指數或標普 500指數為市場基準。增持 未來 6 個月內，股價漲幅超越市場基準 5%至 15%之間。中性 未來 6 個月內，股價漲幅介于市場基準-5%至 5%之間。減持 未來 6 個月內

100、，股價漲幅落后市場基準 5%至 15%之間。賣出 未來 6 個月內，股價漲幅落后市場基準 15%以上。行業 投資 評級 說明 優于大勢 未來 6 個月內，行業指數的收益超越市場基準。同步大勢 未來 6 個月內，行業指數的收益與市場基準持平。落后大勢 未來 6 個月內，行業指數的收益落后于市場基準。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 32/32 微導納米微導納米/公司深度公司深度 重要聲明重要聲明 本報告由東北證券股份有限公司（以下稱“本公司”）制作并僅向本公司客戶發布，本公司不會因任何機構或個人接收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本公司具有中國證監會核準的證券投資咨詢業

101、務資格。本報告中的信息均來源于公開資料，本公司對這些信息的準確性和完整性不作任何保證。報告中的內容和意見僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，不保證所包含的內容和意見不發生變化。本報告僅供參考，并不構成對所述證券買賣的出價或征價。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的證券買賣建議。本公司及其雇員不承諾投資者一定獲利，不與投資者分享投資收益，在任何情況下，我公司及其雇員對任何人使用本報告及其內容所引發的任何直接或間接損失概不負責。本公司或其關聯機構可能會持有本報告中涉及到的公司所發行的證券頭寸并進行交易，并在法律許可的情況下不進行披露；可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行業務

102、、財務顧問等相關服務。本報告版權歸本公司所有。未經本公司書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制、發表或引用。如征得本公司同意進行引用、刊發的，須在本公司允許的范圍內使用，并注明本報告的發布人和發布日期，提示使用本報告的風險。若本公司客戶（以下稱“該客戶”）向第三方發送本報告，則由該客戶獨自為此發送行為負責。提醒通過此途徑獲得本報告的投資者注意，本公司不對通過此種途徑獲得本報告所引起的任何損失承擔任何責任。東北證券股份有限公司東北證券股份有限公司 地址地址 郵編郵編 中國吉林省長春市生態大街 6666 號 130119 中國北京市西城區錦什坊街 28 號恒奧中心 D 座 100033 中國上海市浦東新區楊高南路 799 號 200127 中國深圳市福田區福中三路 1006 號諾德中心 34D 518038 中國廣東省廣州市天河區冼村街道黃埔大道西 122 號之二星輝中心 15 樓 510630