《中微公司-公司深度報告：刻蝕設備國產替代領軍者內生外延驅動穩健成長 -230829（39頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《中微公司-公司深度報告：刻蝕設備國產替代領軍者內生外延驅動穩健成長 -230829（39頁）.pdf（39頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、證券研究報告|公司深度|半導體 1/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 中微公司(688012)報告日期：2023 年 08 月 29 日 刻蝕設備國產替代領軍者，內生外延驅動穩健成長刻蝕設備國產替代領軍者，內生外延驅動穩健成長 中微公司中微公司深度報告深度報告 投資要點投資要點 中國中國刻蝕設備和刻蝕設備和 MOCVD 設備龍頭，設備龍頭，逐步拓展薄膜沉積、逐步拓展薄膜沉積、Epi 設備設備。公司是國內領先的半導體刻蝕設備及 MOCVD 設備制造商，逐步向薄膜沉積設備、Epi設備延展。隨著國產替代推進及公司產品力提升，公司營收利潤快速增長，2022 年公司營業收入 47.4 億元，同比增

2、長 53%，2017-2022 年 CAGR 為37%；實現歸母凈利潤 11.7 億元，同比增長 16%，2017-2022 年 CAGR 為108%。產品端，公司刻蝕設備已廣泛應用于 65 nm到 5 nm邏輯和 64 層、128層 3D NAND 量產線；MOCVD 設備在全球氮化鎵基 LED 設備占據龍頭地位，二代 Mini LED、Micro LED、功率器件設備積極研發推進；薄膜沉積設備方面，公司已推出用于鎢沉積的 CVD 和 ALD 設備，并積極推進硅鍺外延 EPI設備研發。2022 年公司新簽訂單 63.2億元，同比增加 53%。產品線的不斷延展，推進公司市場空間持續拓展。自主可

3、控驅動國產化率提升，刻蝕設備龍頭引領先進制程突破自主可控驅動國產化率提升，刻蝕設備龍頭引領先進制程突破?？涛g設備是集成電路三大核心設備之一，2022 年全球市場 220億美元，占總設備市場的 22%。我們預計 2022-2025 年中國大陸刻蝕設備市場空間平均約 377 億元/年。存儲器件 3D化、邏輯芯片制程縮小，刻蝕設備需求量及要求大幅提升。公司在刻蝕設備領域深耕多年，CCP 設備行業領先，ICP 設備持續突破。CCP設備方面，公司市占率不斷提升，2022 年付運 CCP 刻蝕設備 475腔，同比增長59%。公司 CCP 產品已覆蓋 28nm及以上的絕大部分和 28nm以下的大部分刻蝕。邏

4、輯端針對 28nm及以下大馬士革刻蝕已經入驗證階段，存儲端高深寬比刻蝕已在客戶端驗證具有刻蝕60:1 深寬比結構的能力。截至 2023年二季度，公司累計生產付運 2500個 CCP 刻蝕反應臺。ICP 設備方面，公司 Primo nanova 系列產品自推出以來市場迅速擴大，截至 2022年底出貨量已達到 297 臺，同時 ICP 設備產品種類不斷豐富，分別推出 VE、UE、LUX 用于高深寬比結構刻蝕和高均勻性刻蝕。立足優勢藍光立足優勢藍光 LED 領域，發力高端領域，發力高端 LED、功率器件市場。、功率器件市場。MOCVD 常用于制造 LED、激光器、功率器件、射頻器件等，其中 LED

5、為第一大應用。Mini/Micro LED 產業化與功率器件市場的發展帶動 MOCVD 設備需求提升。公司氮化鎵基 LED 設備處于全球龍頭地位。2021 年針對 Mini LED 市場推出量產 MOCVD 設備，截至 2022年底累計出貨量已超 120 腔。在功率器件市場方面，公司已推出氮化鎵功率器件 MOCVD 設備并獲得先進客戶重復訂單，目前碳化硅、二代氮化硅功率器件的設備積極研發中。內生外延協同發展，積極推進平臺化布局內生外延協同發展，積極推進平臺化布局。公司持續穩步推進三維發展戰略，在保持刻蝕設備和 MOCVD 設備競爭優勢的同時，向半導體薄膜沉積、檢測設備延伸，并積極擴展 MEMS

6、、功率器件、太陽能領域等泛半導體設備，探索環保及醫療健康設備等市場機會。內生方面，公司布局薄膜沉積設備領域，成功推出鎢 LPCVD、ALD 設備并在客戶端進行量產驗證，積極推進 ALD 氮化鈦設備和鍺硅外延 EPI 設備研發。外延方面，公司積極進行投資與并購，投資睿勵儀器（量測設備）和拓荊科技（薄膜沉積）等，通過外延式成長途徑擴大產品和市場覆蓋，平臺化布局不斷完善。盈利預測與估值盈利預測與估值：我們預計 2023-2025 年公司營業收入分別為 63.86、79.63、102.62億元，同比增長 34.7%、24.7%、28.9%；歸母凈利潤分別為 17.62、18.64、24.49億元，同比

7、增長 50.7%、5.79%、31.3%；對應 PE 分別為 46、43、33倍，給予“買入”評級。風險提示風險提示 晶圓廠擴產不及預期、設備國產化進度不及預期、外部制裁加劇風險。投資評級投資評級:買入買入(首次首次)分析師：邱世梁分析師：邱世梁 執業證書號：S1230520050001 分析師：王華君分析師：王華君 執業證書號：S1230520080005 分析師：蔣高振分析師：蔣高振 執業證書號：S1230520050002 分析師：厲秋迪分析師：厲秋迪 執業證書號：S1230523020001 研究助理：王一帆研究助理：王一帆 基本數據基本數據 收盤價￥138.80 總市值(百萬元)85

8、,805.95 總股本(百萬股)618.20 股票走勢圖股票走勢圖 相關報告相關報告 1 日本管制+存儲安全，中微公司盡顯 2023.04.05 2 中微公司：如何看待中微公司市值成長空間？2022.05.09 -36%-18%0%18%36%54%22/0822/1022/1122/1223/0123/0223/0323/0423/0523/0623/0723/08中微公司上證指數中微公司(688012)公司深度 2/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 財務摘要財務摘要 Table_Forcast(百萬元)2022A 2023E 2024E 2025E 營業收入 4,740 6,386

9、7,963 10,262 (+/-)(%)52.50%34.74%24.69%28.86%歸母凈利潤 1,170 1,762 1,864 2,449 (+/-)(%)15.66%50.66%5.79%31.33%每股收益(元)1.89 2.85 3.02 3.96 P/E 68.99 45.79 43.29 32.96 資料來源：浙商證券研究所 8XnMzQvMsReZbRdNbRnPqQmOnOlOrRzRkPsRqRaQnNuMwMsOvNxNmNqR中微公司(688012)公司深度 3/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 投資案件投資案件 盈利預測、估值與目標價、評級盈利預測、估值與

10、目標價、評級 我們預計 2023-2025 年公司營業收入分別為 63.86、79.63、102.62 億元，同比增長34.7%、24.7%、28.9%；歸母凈利潤分別為 17.62、18.64、24.49 億元，同比增長50.7%、5.79%、31.3%；對應 PE 分別為 46、43、33倍，給予“買入”評級。關鍵假設關鍵假設 1）國內晶圓廠產能持續擴張；2）半導體設備國產化加速，公司刻蝕設備市占率不斷提升。3）Mini LED 促進 MOCVD 設備需求，Micro LED 與功率器件領域的發展帶動MOCVD 設備接續放量。我們與市場觀點的差異我們與市場觀點的差異 1）市場擔心公司刻蝕設

11、備市占率提升面臨困難。我們認為公司自主創新水平高，CCP、ICP 刻蝕技術已打破國際壟斷，被廣泛應用于國內外一線客戶從 65 納米到 5納米的先進工藝。加之國內晶圓廠擴產與芯片制程升級帶動刻蝕設備需求提升，自主可控驅動設備國產化加速，公司作為刻蝕設備國產替代引領者，市占率有望迅速提升。2）市場擔心公司產品結構固定，長期增長動力不足。我們認為公司在深耕刻蝕設備的同時不斷進行三維發展，目前公司已成功開發出 12英寸 LPCVD、ALD設備，進軍薄膜沉積設備領域；同時投資睿勵儀器（檢測設備）和拓荊科技（薄膜沉積）等公司擴大產品和市場覆蓋，自主研發+外延生長的發展方式為公司持續健康發展提供了強勁支撐。

12、股價上漲的催化因素股價上漲的催化因素 下游客戶招標；設備國產化加速推進；核心卡脖子設備獲得客戶驗證。風險提示風險提示 晶圓廠擴產不及預期；刻蝕設備國產化進度不及預期；外部制裁風險。中微公司(688012)公司深度 4/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 正文目錄正文目錄 1 中國刻蝕和中國刻蝕和 MOCVD 設備龍頭，研發創新驅動公司高速成長設備龍頭，研發創新驅動公司高速成長.7 1.1 國內刻蝕設備和 MOCVD 設備龍頭，內生外延驅動成長.7 1.2 管理層行業經驗豐富，全員股權激勵充分綁定人才.9 1.3 自主創新能力強，研發投入不斷提高.11 1.4 營收利潤高速增長，訂單充足為未

13、來業績提供保障.12 2 國產替代加速與先進制程升級共振，刻蝕設備市場空間廣闊國產替代加速與先進制程升級共振，刻蝕設備市場空間廣闊.14 2.1 全球半導體設備千億美元市場，中國大陸是全球最大市場.14 2.2 晶圓廠擴產疊加地緣政治因素，設備國產化勢在必行.16 2.3 芯片制程升級+結構復雜化，拉動刻蝕設備需求.19 2.4 公司刻蝕設備打破海外壟斷，產品矩陣不斷豐富.22 3 Mini LED 帶動帶動 MOCVD 設備新需求，設備新需求，Micro LED、功率器件有望接力發展、功率器件有望接力發展.26 3.1 MOCVD 是化合物半導體外延制造核心技術，預計 2026 年市場達 4

14、4億元.26 3.2 MOCVD 設備是 LED 外延片生產的關鍵設備，價值量占比超 50%.27 3.3 Mini LED 商業化開啟，帶動 MOCVD 設備需求提升.28 3.4 公司 MOCVD 設備布局行業前沿，在氮化鎵基 LED 領域市場份額第一.30 4 定增加碼持續擴產，內生外延平臺化布局加速推進定增加碼持續擴產，內生外延平臺化布局加速推進.31 4.1 對比全球刻蝕設備龍頭泛林,中微公司具有相似成長路徑.31 4.2 布局薄膜沉積設備和檢測設備領域，三維戰略持續推進.33 5 盈利預測與投資建議盈利預測與投資建議.35 5.1 盈利預測.35 5.2 估值分析.36 6 風險提

15、示風險提示.37 中微公司(688012)公司深度 5/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 圖表目錄圖表目錄 圖 1：公司深耕于半導體設備行業，引領國內半導體設備技術發展.7 圖 2：2022 年專用設備累計裝機臺數同比增長 40%.9 圖 3：公司下游客戶包括眾多國內外知名企業.9 圖 4：公司前兩大股東合計持股約 30%.9 圖 5：2022 年研發投入營收占比達 19.59%.11 圖 6：公司研發投入占營收比重遠超科創板半導體公司均值.11 圖 7：公司累計申請專利 2259 項（截至 2022 年底）.11 圖 8：發明專利累計申請占比高達 86%（截至 2022 年底）.11

16、圖 9：2022 年研發人員占比 42.93%.12 圖 10：研發人員約 90%以上擁有本科及以上學歷.12 圖 11：公司 2022 年營收 47.4 億元，yoy53%.12 圖 12：公司 2022 年歸母凈利潤 11.7 億元，yoy16%.12 圖 13：刻蝕設備和 MOCVD 設備是公司營業收入的主要來源.13 圖 14：2022 年刻蝕和 MOCVD 設備合計占公司營收 81%.13 圖 15：2022 年公司毛利率為 45.7%，凈利率為 24.6%.13 圖 16：刻蝕設備毛利率穩定維持在 45%左右.13 圖 17：2022 年合同負債同比增長 59.99%.14 圖 1

17、8：2022 年末存貨達 34.02 億元.14 圖 19：全球半導體市場具有周期性波動的特點，總體呈上升態勢.14 圖 20：半導體設備是數字經濟的基石.15 圖 21：全球半導體設備市場呈現出與半導體市場相似的波動性.15 圖 22：晶圓制造設備占半導體設備市場比重最大（十億美元）.15 圖 23：中國大陸連續三年成為全球最大的半導體設備市場.16 圖 24：2022 年中國大陸半導體設備銷售額占全球 26.3%.16 圖 25：2021-2023年中國大陸新建晶圓廠數量最多（單位：座）.16 圖 26：2023 年全球 AI 芯片市場規模同比+35.73%.19 圖 27：2023 年中

18、國 AI 芯片市場規模同比+41.88%.19 圖 28：光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝.19 圖 29：通過刻蝕把光刻膠上圖形轉移到待刻蝕的薄膜上.19 圖 30：2022 年刻蝕設備占晶圓制造設備價值量約 22%，占比最大.20 圖 31：CCP 主要用于刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結構.20 圖 32：ICP 主要用于刻蝕較軟和較薄的材料.20 圖 33：芯片線寬縮小使得刻蝕步驟數大幅增加.21 圖 34：采用多重模板技術以滿足 14 納米以下尺寸需求.21 圖 35：相比 2D NAND,3D NAND 對刻蝕深寬比提出更高要求.21 圖 36：3D NAND 下，刻蝕

19、設備占設備采購比重提升至 40%左右.21 圖 37：全球前三大刻蝕設備廠商市占率合計達 90%以上.23 圖 38：大馬士革刻蝕工藝技術要求最高、市占率最大.23 圖 39：公司 CCP 刻蝕機可刻蝕 60:1 極高深寬比.23 圖 40：公司 CCP 刻蝕產品系列在大馬士革刻蝕和極高深寬比刻蝕方面取得進展.24 圖 41：Primo Nanova 系列產品出貨量已達到 297 臺.24 圖 42：公司 ICP 刻蝕設備產品系列及發展路線.24 中微公司(688012)公司深度 6/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 圖 43：先進邏輯器件領域，公司 CCP 和 ICP 刻蝕設備近期目標

20、市占率分別提升至 60%和 75%.25 圖 44：先進存儲器件領域，公司 CCP 和 ICP 刻蝕設備國內市場近期目標市占率分別提升至 85%和 65%.25 圖 45：MOCVD 常用于形成 III-V 族化合物膜層.26 圖 46：2020-2026年 MOCVD 設備在下游應用領域的占比.27 圖 47：預計 2026 年全球 MOCVD 設備市場 630百萬美元.27 圖 48：襯底加工、外延片生產、芯片制造、封裝和應用是 LED 產業鏈的五個主要環節.27 圖 49：外延片生產通過 MOCVD 單種設備實現.27 圖 50：2022 年通用照明占 LED 下游應用市場約 46%.2

21、8 圖 51：LED 照明市場增速放緩.28 圖 52：Mini LED 尺寸介于 Micro LED 和小間距顯示之間.28 圖 53：背光和直接顯示是 Mini LED 的兩大應用場景.29 圖 54：2023 年 Mini LED 背光面板出貨量預計達到 2210 萬片，同比+17%.29 圖 55：2020 年 MOCVD 設備銷售額中微公司位列全球第二.30 圖 56：公司氮化鎵基 LED MOCVD 設備打破國際壟斷.30 圖 57：公司 MOCVD 設備 2022 年累計付運臺數超過 500腔，2017-2022年 CAGR 35%.31 圖 58：公司穩步推進三維發展戰略.33

22、 圖 59：公司推出 12英寸 LPCVD 設備.34 圖 60：公司預計可覆蓋超 50 億美元薄膜沉積設備市場.34 圖 61：公司已全面覆蓋刻蝕設備及部分薄膜沉積設備，并通過投資布局了光學檢測設備.34 表 1：公司設備包括刻蝕、MOCVD、LPCVD 等，種類不斷豐富.8 表 2：公司董事長及核心技術人員行業經驗豐富.9 表 3：全員股權激勵深度綁定人才，彰顯公司未來發展信心.10 表 4：中國大陸晶圓廠 8英寸擴產規劃.16 表 5：中國大陸晶圓廠 12英寸擴產規劃.17 表 6：美日荷聯合封鎖進一步強化半導體設備國產替代邏輯.18 表 7：國家政策支出半導體行業發展.18 表 8：預

23、計 2022-2025 年中國大陸刻蝕設備市場空間平均每年約 377億元.22 表 9：公司 CCP、ICP 刻蝕設備產品覆蓋范圍不斷擴大，產品矩陣持續豐富.25 表 10：公司已推出五款 MOCVD 設備，在研兩款 MOCVD 設備；LED 領域處于領先地位，發力功率器件領域.30 表 11：Lam Research 通過自主研發+外延并購成長為國際半導體設備龍頭.32 表 12：泛林已形成沉積、刻蝕、清洗多種產品系列.32 表 13：定增加碼提升產能水平和研發水平.33 表 14：營業收入預測（單位：百萬元）.35 表 15：半導體設備板塊估值表（2023 年 8月 29 日）.36 表附

24、錄：三大報表預測值.38 中微公司(688012)公司深度 7/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 1 中國中國刻蝕和刻蝕和 MOCVD 設備龍頭，研發創新驅動公司高速成長設備龍頭，研發創新驅動公司高速成長 1.1 國內刻蝕設備和國內刻蝕設備和 MOCVD 設備設備龍頭，內生外延驅動成長龍頭，內生外延驅動成長 中國半導體刻蝕、中國半導體刻蝕、MOCVD設備龍頭，設備龍頭，設備類型不斷拓展設備類型不斷拓展。公司于 2004年成立，從刻蝕設備起步，逐步拓展至MOCVD、VOC、LPCVD等設備，下游包括集成電路、LED 外延片、先進封裝、MEMS 等半導體產品制造公司，客戶遍布中國大陸和臺灣、

25、新加坡、韓國、德國、意大利、俄羅斯等國家和地區，是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設備公司。圖1：公司深耕于半導體設備行業，引領國內半導體設備技術發展 資料來源：公司招股說明書，公司 2021年年報，浙商證券研究所 公司公司目前主要營收來源為刻蝕目前主要營收來源為刻蝕和和 MOCVD 設備，設備，發力發力 LPCVD、ALD、Epi 等半導體等半導體設備設備。公司的等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國內外一線客戶從 65 nm到 14nm、7nm和 5nm 及其他先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線上。截至 2022 年底，公司共有 3311 多個反應臺在 86 家客戶的 106條

26、生產線上實現全面量產。1）CCP 刻蝕設備?？涛g設備。在邏輯器件方面，公司 CCP 刻蝕設備在 5 nm及以下芯片生產線實現批量銷售。在存儲器件方面，公司 CCP 刻蝕設備在 3D NAND 生產線被廣泛應用，通過了多個動態存儲器的工藝驗證并取得重復訂單。2022 年，公司共付運 475個 CCP 刻蝕設備反應腔，同比增長 59%。2）ICP 刻蝕設備?？涛g設備。公司的 ICP 刻蝕設備涵蓋 7nm及以下的邏輯芯片、17nm及以下的DRAM 芯片和 3D NAND 存儲芯片的刻蝕應用，已在超過 20 家客戶的生產線上進行了 100多個工藝驗證。8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設備在晶圓級先進封裝

27、、2.5 維封裝和微機電系統芯片生產線等市場取得重復訂單。300mm的 3D 芯片的硅通孔刻蝕設備已驗證。3）MOCVD 設備。設備。公司產品可應用于制造藍光 LED、深紫外光 LED、Mini LED、GaN功率器件，用于碳化硅功率器件和 Micro-LED的 MOCVD設備處于開發中。截至 2022年公司 MOCVD 累計付運已超過 500 腔。4）LPCVD 設備設備。2023 年公司推出 12 英寸低壓化學氣相沉積設備 Preforma Uniflex CW，可滿足先進邏輯器件、DRAM 和 3D NAND 中接觸孔以及金屬鎢線的填充應用需求。中微公司(688012)公司深度 8/39

28、 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 表1：公司設備包括刻蝕、MOCVD、LPCVD等，種類不斷豐富 產品類別產品類別 圖示圖示 應用領域應用領域 應用進展應用進展 產品型號產品型號 CCP IC 制造中氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等電介質材料的刻蝕 涵蓋 5nm 及以下邏輯芯片及 200 層以上 3D NAND 存儲芯片的刻蝕應用 Primo D-RIE Primo AD-RIE Primo SD-RIE Primo HD-RIE Primo UD-RIE ICP IC 制造中單晶硅、多晶硅及多種介質等材料的刻蝕 涵蓋 7nm 及以下邏輯芯片、17nm 及以下 DRAM 芯片和 3D NAN

29、D 存儲芯片的刻蝕應用 Primo nanova SE Primo Twinstar 深硅刻蝕，主要應用于 CMOS 圖像傳感 器、MEMS 芯片、2.5D 芯 片、3D 芯片等通孔及溝槽的 刻蝕 12 英寸的 3D 芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶新建的12 英寸微機電系統芯片產線上獲得認證的機會 Primo TSV 200E Primo TSV 300E MOCVD LED、Mini LED、GaN 基功率器件 氮化鎵基 LED 領域全球龍頭，Mini LED 設備批量出貨，GaN 功率器件領域設備已出貨驗證 Prismo D-BLUE Prismo A7 Prismo H

30、iT3 Prismo Unimax Prismo PD5 LPVCD 先進邏輯器件、DRAM 和 3D NAND 中接觸孔以及金屬鎢線的填充 2023 年新推出，樣機已通過關鍵客戶的工藝驗證，目前處于量產驗證中 Preforma Uniflex CW VOC 平板顯示生產線等工業用的空氣凈化 廣泛應用于國內 IC、面板顯示等行業 資料來源：公司公告，公司官網，浙商證券研究所 公司公司下游客戶涵蓋國內外一線企業，累計裝機數快速增長下游客戶涵蓋國內外一線企業，累計裝機數快速增長。截至 2022年底，公司由超過3311個反應臺在86家客戶106條產線全面量產，2022年同比增長40%?？涛g設備方面，

31、公司產品已成功進入知名芯片制造商的供應鏈體系，主要客戶有臺積電、中芯國際、聯華電子、華力微電子、海力士、長江存儲、華邦電子、晶方科技、格羅方德、博世、意法半導體等；MOCVD 設備方面，公司產品在客戶端不斷得到驗證，主要客戶包括兆馳股份、三安光電、璨揚光電、華燦光電、乾照光電等行業領先 LED 供應商。中微公司(688012)公司深度 9/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 圖2：2022年專用設備累計裝機臺數同比增長 40%圖3：公司下游客戶包括眾多國內外知名企業 資料來源：公司公告，浙商證券研究所 資料來源：公司招股書，浙商證券研究所 1.2 管理層行業經驗豐富，管理層行業經驗豐富，全

32、員全員股權激勵股權激勵充分綁定充分綁定人才人才 公司股權結構較為分散，無控股股東和實際控制人。公司股權結構較為分散，無控股股東和實際控制人。截至 2022 年底，公司第一大股東上海創投的持股比例為 15.64%，第二大股東巽鑫投資的持股比例為 15.15%，二者持股比例接近。公司無控股股東和實際控制人，重要事項由各方共同參與決策。國家集成電路產業投資基金（大基金）通過巽鑫投資持有公司 15.15%的股權，通過大基金二期持有公司 3.97%的股權，累計持有 19.12%的股權。前十大股東中，嘉興智微和中微亞洲為員工持股平臺，合計占比 6.24%。圖4：公司前兩大股東合計持股約 30%資料來源：W

33、ind，浙商證券研究所 管理團隊技術背景深厚，擁有豐富的行業經驗。管理團隊技術背景深厚，擁有豐富的行業經驗。公司創始人、董事長及總經理尹志堯博士有近 40 年半導體行業經驗，在創辦公司之前在英特爾、泛林半導體從事核心技術開發工作、在應用材料擔任高級管理職務，是 89 項美國專利和 200 多項其他海內外專利的主要發明人。公司核心技術人員大部分具有國際知名半導體設備公司如泛林半導體、應用材料或知名 Fab 廠工作經歷，擁有豐富經驗和國際視野，是行業內資深的技術專家和管理專家。表2：公司董事長及核心技術人員行業經驗豐富 姓名姓名 職務職務 學歷學歷 工作經歷工作經歷 尹志堯 董事長 總經理 加州大

34、學洛杉磯分校博士 1984 年至 1986 年，就職于英特爾中心技術開發部，擔任工藝工程師；1986 年至1991 年，就職于泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991 年至2004 年，就職于應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官 倪圖強 核心技術人員 美國德州大學博士、博士后 1995 年至 2004 年，擔任泛林半導體技術總監 中微公司(688012)公司深度 10/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 楊偉 核心技術人員 西安交通大學碩士 1993 年至 1995 年，擔任智群科技股份有限公司項目經

35、理；1995 年至 2004 年，擔任應用材料軟件部資深總監 叢海 核心技術人員 新加坡國立大學碩士 1967 年出生，新加坡國籍。1995 年至 2002 年，擔任新加坡特許半導體蝕刻資深工程師；2002 年至 2003 年，擔任美國臺積電海外廠蝕刻資深工程師；2003 年至2018 年，擔任新加坡 GlobalFoundries 蝕刻部技術總監；2020 年加入中微公司，現任中微公司董事、副總裁、刻蝕產品部總經理。陶珩 核心技術人員 上海交通大學碩士 1975 年出生，中國國籍。1997 年至 2002 年，擔任武漢理工大學校辦工廠機械工程師；2002 年至 2003 年擔任捷銳氣壓設備機

36、械工程師；2003 年至 2005 年擔任精技機電機械工程師。2005 加入中微公司，現任公司董事、集團副總裁、LPCVD 產品部和公共平臺工程部總經理。姜勇 核心技術人員 上海交通大學碩士 1974 年出生，中國國籍。2005 年加入中微公司，現任 MOCVD 產品部副總經理 陳煌琳 核心技術人員 臺灣工業技術學院學士 1970 年出生，中國臺灣籍。2000 年至 2018 年，就職于泛林半導體，任資深客戶服務經理；2018 年加入中微公司，現任中微公司副總裁、ICP 產品部總經理。劉志強 核心技術人員 清華大學碩士 1977 年出生，新加坡國籍。2002 年至 2004 年，就職于中芯國際

37、擔任蝕刻工藝工程師；2004 年至 2008 年，擔任新加坡特許半導體蝕刻主任工程師。2008 年加入中微公司，現任中微公司副總裁、CCP 刻蝕部總經理。何偉業 核心技術人員 南京大學碩士 1982 年出生，中國國籍，2007 年至 2010 年，就職于中芯國際邏輯技術研發部，擔任工藝工程師；2011 年至 2021 年，就職于應用材料歷任技術主管、產品經理；2021 年加入中微公司，現任中微 LPCVD 產品部總經理。資料來源：公司公告，浙商證券研究所（核心技術人員名單截至 2023年中報）實行全員實行全員股權激勵股權激勵政策，政策，深度綁定人才深度綁定人才提高提高凝聚力凝聚力。公司于 20

38、20 年、2022 年、2023年連續推出限制性股票激勵計劃。2023 年 3 月 30 日，公司發布股票激勵計劃，擬向 1390名激勵對象授予 50 元/股的限制性股票，占公司員工總數的 99.43%。全員持股有利于激發員工的主觀能動性和創新創造力，進一步穩定和激勵員工，為公司持續健康發展注入動力。表3：全員股權激勵深度綁定人才，彰顯公司未來發展信心 20202020 年限制性股票激勵計劃年限制性股票激勵計劃 授予價格授予價格 授予對象授予對象 行權條件行權條件 預計攤銷預計攤銷 人數人數 占比占比 歸屬期歸屬期 對應考核年度對應考核年度 業績考核目標及對應公司層面歸屬比例業績考核目標及對應

39、公司層面歸屬比例 年份年份 預計會計成本預計會計成本（萬元）（萬元）150 元/股 700 人 91.86%第一個歸屬期 2020 X255%時，公司層面歸屬 100%200%X255%時，公司層面歸屬 80%X200%時，公司層面歸屬 0%2020 年 12191.55 第二個歸屬期 2021 X460%時，公司層面歸屬 100%370%X460%時，公司層面歸屬 80%X370%時，公司層面歸屬 0%2021 年 18331.89 第三個歸屬期 2022 X700%時，公司層面歸屬 100%560%X700%時，公司層面歸屬 80%X560%時，公司層面歸屬 0%2022 年 9648.6

40、8 第四個歸屬期 2023 X980%時，公司層面歸屬 100%800%X980%時，公司層面歸屬 80%X800%時，公司層面歸屬 0%2023 年 4819.37 考核方式：以 2016-2018 年度的營業收入均值為基礎，根據各考核年度的營業收入累計值（通過 2019 年至當個考核年度營業收入之和計算得出，如 2021 考核年度營業收入累計值為 2019-2021 年營業收入累計值）定比 2016-2018 年度營業收入均值的年度累計營業收入增長率，據此確定每個考核年度的實際營業收入增長率 X，并確定公司層面歸屬比例。2024 年 1446.21 合計 46437.7 20222022

41、年限制性股票激勵計劃年限制性股票激勵計劃 授予價格授予價格 授予對象授予對象 行權條件行權條件 預計攤銷預計攤銷 人數人數 占比占比 歸屬期歸屬期 對應考核年度對應考核年度 業績考核目標及對應公司層面歸屬比例業績考核目標及對應公司層面歸屬比例 年份年份 預計會計成本預計會計成本（萬元）（萬元）50 元/股 1104 人 99.37%第一個歸屬期 2022 X20%時，公司層面歸屬 100%15%X20%時，公司層面歸屬 80%X15%時，公司層面歸屬 0%2022 年 10341.98 第二個歸屬期 2023 X45%時，公司層面歸屬 100%35%X45%時，公司層面歸屬 80%X35%時，

42、公司層面歸屬 0%2023 年 8886.22 第三個歸屬期 2024 X70%時，公司層面歸屬 100%50%X70%時，公司層面歸屬 80%X50%時，公司層面歸屬 0%2024 年 4851.78 中微公司(688012)公司深度 11/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 第四個歸屬期 2025 X100%時，公司層面歸屬 100%75%X100%時，公司層面歸屬 80%X75%時，公司層面歸屬 0%2025 年 2327.16 考核方式：以 2021 年度的營業收入為基數，根據各考核年度的營業收入定比 2021 年度營業收入的營業收入增長率計算出 X，確定各年度的業績考核目標對應的

43、歸屬期及公司層面歸屬比例。2026 年 432.86 合計 26840 20232023 年限制性股票激勵計劃年限制性股票激勵計劃 授予價格授予價格 授予對象授予對象 行權條件行權條件 預計攤銷預計攤銷 人數人數 占比占比 歸屬期歸屬期 對應考核年度對應考核年度 業績考核目標及對應公司層面歸屬比例業績考核目標及對應公司層面歸屬比例 年份年份 預計會計成本預計會計成本（萬元）（萬元）50 元/股 1361 人 99.43%第一個歸屬期 2023 X對標企業算術平均增長率時，公司層面歸屬 100%。對標企業算術平均增長率*0.8X對標企業算術平均增長率時，公司層面歸屬 80%。X對標企業算術平均增

44、長率*0.8 時，公司層面歸屬 0%。2023 年 16399.09 第二個歸屬期 2024 2024 年 22064.97 第三個歸屬期 2025 2025 年 11794.06 第四個歸屬期 2026 2026 年 5903.29 考核方式：以公司 2022 年度的營業收入為基數，根據各考核年度的營業收入累計值定比基數的年度累計營業收入增長率 X，確定各年度的業績考核目標對應的公司層面歸屬比例。（注：對標企業指 Gartner 公布的相應年度全球半導體設備廠商銷售額排名前五位的公司，對標企業算數平均增長率=各對標企業各考核年度的營業收入累計值定比 2022 年度的累計營業收入增長率之和除以

45、五）。2027 年 1671.09 合計 57832.5 資料來源：公司公告，浙商證券研究所 1.3 自主創新能力強，研發投入不斷提高自主創新能力強，研發投入不斷提高 高度高度重視研發，重視研發，2022 年研發投入占營收比重達年研發投入占營收比重達 20%。公司高度重視核心技術的創新，投入大量研發費用開發、設計和制造刻蝕設備、薄膜沉積設備、MOCVD 設備等。近年來公司研發投入不斷提升，2022年研發投入 9.3 億元，占營收比重約 20%。公司保持高研發投入且不斷增加，研發投入占比遠超科創板半導體公司均值。圖5：2022年研發投入營收占比達 19.59%圖6：公司研發投入占營收比重遠超科創

46、板半導體公司均值 資料來源：Wind，浙商證券研究所 資料來源：Wind，浙商證券研究所 公司擁有公司擁有多項知識產權和發明專利，自主創新水平高。多項知識產權和發明專利，自主創新水平高。公司高度重視核心技術的創新，在刻蝕設備和 MOCVD 等設備的開發、設計和制造過程中始終強調創新和差異化。截至 2022 年年底，公司已申請 2259 項專利，其中發明專利 1938 項，占比 86%；已獲授權專利 1,266 項，其中發明專利 1,097 項，占比 87%。公司技術儲備深厚、研發實力強，為產品和服務不斷進步提供保證。圖7：公司累計申請專利 2259項（截至 2022年底）圖8：發明專利累計申請

47、占比高達 86%（截至 2022年底）0%10%20%30%40%0246810201720182019202020212022研發投入（億元）營收占比0%5%10%15%20%25%30%35%40%201720182019202020212022中微公司科創板均值科創板半導體公司中微公司(688012)公司深度 12/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：公司 2022年年報，浙商證券研究所 資料來源：公司 2022年年報，浙商證券研究所 研發研發人員學歷高，占比不斷提升。人員學歷高，占比不斷提升。公司研發人員數量不斷增加，2022 年末研發人員數量為 592 人，占公司員工總

48、數的 42.93%。研發人員中有約 90%擁有本科及以上學歷，其中有 16.05%擁有博士學歷，有 30.07%擁有碩士學歷。圖9：2022年研發人員占比 42.93%圖10：研發人員約 90%以上擁有本科及以上學歷 資料來源：公司公告，浙商證券研究所 資料來源：公司公告，浙商證券研究所 1.4 營收營收利潤利潤高速增長，訂單高速增長，訂單充足充足為未來業績提供保障為未來業績提供保障 公司公司營收營收和和凈凈利潤增長迅速利潤增長迅速，過去五年復合增長率分別為過去五年復合增長率分別為 37%、108%。公司核心技術不斷突破，受益于芯片復雜化及設備國產化，公司與國內外一線客戶合作更加緊密，產品的市

49、場占有率穩步提升，營收利潤實現高速增長。2022 年，公司營業收入大幅增長至47.4 億元，同比增長 53%，2017-2022年 CAGR 為 37%；實現歸母凈利潤 11.7 億元，同比增長 16%，2017-2022 年 CAGR 為 108%。圖11：公司 2022年營收 47.4億元，yoy53%圖12：公司 2022年歸母凈利潤 11.7億元，yoy16%11141206130014981805201222590%5%10%15%20%25%050010001500200025002016201720182019202020212022累計申請專利（項）yoy發明專利86%實用新型

50、專利13%其他1%35.00%37.00%39.00%41.00%43.00%45.00%010020030040050060070020182019202020212022研發人員數量(人)研發人員占比博士16.05%碩士30.07%本科42.74%?？?.09%高中及以下4.05%中微公司(688012)公司深度 13/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：Wind，浙商證券研究所 資料來源：Wind，浙商證券研究所 刻蝕設備和刻蝕設備和 MOCVD 設備設備為為公司營業收入公司營業收入主要來源。主要來源。公司業務以專用設備銷售為主，刻蝕設備和 MOCVD 設備的銷售是公司營業

51、收入的主要來源，2022 年刻蝕設備實現營業收入 31.5 億元，占比 66%，MOCVD 設備實現營業收入 7 億元，占比 15%，兩者合計占公司營業收入的 81%。圖13：刻蝕設備和 MOCVD設備是公司營業收入的主要來源 圖14：2022年刻蝕和 MOCVD設備合計占公司營收 81%資料來源：Wind，浙商證券研究所 資料來源：Wind，浙商證券研究所 銷售毛利率近三年不斷提高，刻蝕設備毛利率銷售毛利率近三年不斷提高，刻蝕設備毛利率維持在較高水平。維持在較高水平。近年來近年來公司毛利率不斷提升，由 2019年的 34.9%提升至 2022年的 45.7%。2020年以來，刻蝕設備毛利率穩

52、定在45%左右，2022年提升至 47%；MOCVD設備毛利率不斷提升，由 2020年的 18.65%上升至2022 年的 37.01%，主要由于公司應用于 Mini LED 的新產品 Prismo UniMax 性能良好，客戶接受程度高，帶動 MOCVD 設備毛利率顯著增加。2022 年凈利率下降，主要系計入非經常性損益的政府補助收益和因股權投資產生的公允價值變動收益和處置收益較上年同期減少所致。圖15：2022年公司毛利率為 45.7%，凈利率為 24.6%圖16：刻蝕設備毛利率穩定維持在 45%左右 0%20%40%60%80%010203040502017201820192020202

53、12022營業收入(億元）yoy0%50%100%150%200%250%02468101214201720182019202020212022歸母凈利潤(億元）yoy0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%201720182019202020212022刻蝕設備MOCVD設備備品備件其他業務刻蝕設備66.39%MOCVD設備 14.77%備品備件17.62%其他業務1.22%中微公司(688012)公司深度 14/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：Wind，浙商證券研究所 資料來源：Wind，浙商證券研究所 合同負債合同負債及存貨及存貨大幅增長大幅增

54、長，訂單充裕保障未來業績，訂單充裕保障未來業績。2022 年，公司合同負債為 22 億元，同比增長 60%；存貨達 34億元，同比增長 93%，公司大量備貨以及時滿足下游客戶需求。公司在手訂單充裕，2022年新簽訂單金額達 63.2 億元，同比增長 53%，新簽訂單大幅增長，為公司未來業績高增長注入動力。圖17：2022年合同負債同比增長 59.99%圖18：2022年末存貨達 34.02億元 資料來源：Wind，浙商證券研究所 資料來源：Wind，浙商證券研究所 2 國產替代加速與先進制程升級共振，刻蝕設備市場空間廣闊國產替代加速與先進制程升級共振，刻蝕設備市場空間廣闊 2.1 全球半導體設

55、備千億美元市場，全球半導體設備千億美元市場，中國大陸是全球最大市場中國大陸是全球最大市場 全球全球半導體行業呈現半導體行業呈現周期性波動，周期性波動，預計預計 2024 年有望觸底反彈年有望觸底反彈。近年來，5G、物聯網、大數據、汽車電子以及 AI 等新技術和新產品不斷發展，經濟數字化趨勢不斷催生新一輪半導體需求。根據 SIA發布的統計數據，2022 年，全球半導體市場銷售額總計 5740 億美元，同比增長 3.3%，增速較 2021年放緩；中國半導體市場銷售額為 1803 億美元，占全球約 31%。2023年半導體行業處于下行狀態，預計 2024年隨著需求復蘇有望實現回升并達到新高。圖19：

56、全球半導體市場具有周期性波動的特點，總體呈上升態勢 0%10%20%30%40%50%201720182019202020212022毛利率凈利率0%10%20%30%40%50%60%201720182019202020212022刻蝕設備毛利率MOCVD設備毛利率備品備件毛利率-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%140%05101520252017201820192020202120222023Q1合同負債（億元）同比增長率-20%0%20%40%60%80%100%05101520253035402017201820192020202120222023Q1存貨（億

57、元）同比增長率中微公司(688012)公司深度 15/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：WSTS，浙商證券研究所 半導體設備是半導體設備是半導體行業的半導體行業的基石基石。半導體設備行業屬于整個半導體產業鏈的上游，是上游核心環節之一。一般情況下半導體產品制造要超前電子系統開發新一代工藝，半導體設備要超前半導體產品制造開發新一代產品，也即“一代設備，一代工藝，一代產品”。圖20：半導體設備是數字經濟的基石 資料來源：公司 2022年業績說明會，浙商證券研究所 全球半導體設備市場呈現出與半導體市場相似的周期性波動，全球半導體設備市場呈現出與半導體市場相似的周期性波動，2024 年有

58、望開啟新一輪年有望開啟新一輪周期上行。周期上行。據 SEMI 統計，2022 年全球半導體設備銷售額為 1074億美元，同比+5%，連續三年創下新高，預計 2023年全球半導體設備銷售額將下滑至 874億美元，2024 年在前后端的共同推動下有望復蘇至 1000 億美元。圖21：全球半導體設備市場呈現出與半導體市場相似的波動性 圖22：晶圓制造設備占半導體設備市場比重最大（十億美元）-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%02004006008001000120020122013201420152016201720182019202020212022 2023E 2024E全

59、球半導體設備銷售額（億美元）yoy020406080100120202120222023E2024E封裝設備測試設備晶圓制造設備中微公司(688012)公司深度 16/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：SEMI，浙商證券研究所 資料來源：SEMI，浙商證券研究所 中國大陸半導體設備市場發展迅速，已連續三年成為全球最大的半導體設備市場。中國大陸半導體設備市場發展迅速，已連續三年成為全球最大的半導體設備市場。據SEMI 統計，中國大陸 2022年半導體設備銷售額為 283億美元，全球占比達到 26%，2020-2022 年已連續三年成為全球最大的半導體設備市場。中國大陸半導體設備市

60、場發展迅速，2012-2022 年實現 CAGR 27%。圖23：中國大陸連續三年成為全球最大的半導體設備市場 圖24：2022年中國大陸半導體設備銷售額占全球 26.3%資料來源：SEMI，浙商證券研究所 資料來源：國家發改委，浙商證券研究所 2.2 晶圓廠擴產疊加地緣政治因素，設備國產化勢在必行晶圓廠擴產疊加地緣政治因素，設備國產化勢在必行 國內晶圓廠國內晶圓廠積極積極擴產，加快新建產能擴產，加快新建產能。據 SEMI 統計，2021-2023 年全球共 84座晶圓廠處于新建或規劃建設狀態，其中中國大陸新建及規劃建設晶圓廠有 20座，數量居于世界首位。圖25：2021-2023年中國大陸新

61、建晶圓廠數量最多（單位：座）資料來源：SEMI，浙商證券研究所 下游晶圓廠產能擴張，下游晶圓廠產能擴張，半導體設備半導體設備長期長期需求需求廣闊廣闊。國內晶圓廠逆周期擴產，擴產潮持續高漲，中芯國際、長江存儲、華虹集團等國內晶圓廠紛紛投資擴產。根據 SEMI 的預測，到 2024 年，中國 12 寸晶圓產能將占全球約 20%。大量晶圓廠的擴建、投產，將提升對上游半導體設備端的需求，有望為國產設備打開更大發展空間。表4：中國大陸晶圓廠 8英寸擴產規劃 編號編號 廠商廠商 主體主體 工廠代碼工廠代碼 地點地點 晶圓尺寸晶圓尺寸 20212021 年底產能年底產能 （萬片（萬片/月）月）規劃產能規劃產

62、能 （萬片（萬片/月）月）26%29%26%0%5%10%15%20%25%30%35%0501001502002503003502012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022中國半導體設備銷售額（億美元）全球占比中國大陸26.3%中國臺灣24.9%韓國20.0%北美9.7%日本 7.8%歐洲5.8%其他地區5.5%20181714360510152025中國大陸美洲歐洲&中東中國臺灣韓國日本&東南亞中微公司(688012)公司深度 17/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 1 中芯國際 中芯上海 S1(FAB1、2、3)上海

63、8 英寸 11.5 13.5 2 中芯深圳 Fab15 深圳 8 英寸 4.4 7 3 中芯天津 Fab7P2 天津 8 英寸 9.5 18 4 中芯紹興 紹興 8 英寸 4.3 10 5 中芯寧波 N1 寧波 8 英寸 1.5 1.5 6 中芯寧波 N2 寧波 8 英寸 0 2.8 7 華虹集團 華虹半導體 Fab1-3 上海 8 英寸 17.8 18 8 芯恩 芯恩 青島 8 英寸 3 8 9 燕東微電子 燕東微電子 北京 8 英寸 3 5 10 士蘭微 士蘭集昕 Fab2 杭州 8 英寸 3.6 4 11 士蘭集昕 Fab1 杭州 8 英寸 3.5 4 12 賽萊克斯 賽萊克斯 北京 8

64、 英寸 0.5 3 13 海辰半導體 海辰半導體 無錫 8 英寸 1 10.5 合計（萬片/月）63.6 105.3 預計未來新增產能（萬片預計未來新增產能（萬片/月）月）41.7 41.7 資料來源：ittbank，公開信息整理，浙商證券研究所 表5：中國大陸晶圓廠 12英寸擴產規劃 編號編號 廠商廠商 主體主體 工廠代碼工廠代碼 地點地點 晶圓尺寸晶圓尺寸 20212021 年底產能年底產能 （萬片（萬片/月）月）規劃產能規劃產能 （萬片（萬片/月）月）1 中芯國際 中芯南方 SN1 上海 12 英寸 1.5 3.5 2 中芯南方 SN2 上海 12 英寸 0 3.5 3 中芯北京 B1(

65、Fab4、6)北京 12 英寸 5.2 6 4 中芯北方 B2 北京 12 英寸 6.2 10 5 中芯京城 B3P1 北京 12 英寸 0 5 6 中芯京城 B3P2 北京 12 英寸 0 5 7 中芯京城 B3P3 北京 12 英寸 0 5 8 中芯京城 B3P4 北京 12 英寸 0 5 9 中芯西青 天津 12 英寸 0 10 10 中芯東方 上海臨港 12 英寸 0 10 11 中芯深圳 Fab16A/B 深圳 12 英寸 0 4 12 華虹集團 上海華力 F5 上海 12 英寸 3.5 3.5 13 上海華力 F6 上海 12 英寸 3 4 14 華虹半導體 Fab7 無錫 12

66、英寸 2.5 8 15 上海華力 Fab8 上海 12 英寸 0 4 16 華虹半導體 Fab9 無錫 12 英寸 0 8 17 長江存儲 長江存儲 Fab1 武漢 12 英寸 5 10 18 長江存儲 Fab2 武漢 12 英寸 0 10 19 長江存儲 Fab3 武漢 12 英寸 0 10 20 武漢新芯 武漢新芯 Fab1 武漢 12 英寸 2.5 2.5 21 武漢新芯 Fab2 武漢 12 英寸 2.5 11.5 22 紫光集團 紫光集團 CD 成都 12 英寸 0 30 23 合肥長鑫 合肥長鑫 Fab1 合肥 12 英寸 4 12.5 24 合肥長鑫 Fab2 合肥 12 英寸

67、0 12.5 25 合肥長鑫 Fab3 合肥 12 英寸 0 12.5 26 晶合集成 晶合集成 N1 合肥 12 英寸 4 4 27 晶合集成 N2 合肥 12 英寸 0 4 28 晶合集成 N3 合肥 12 英寸 0 4 29 晶合集成 N4 合肥 12 英寸 0 4 30 廣州粵芯 廣州粵芯 廣州 12 英寸 2 4 中微公司(688012)公司深度 18/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 31 芯恩 芯恩 青島 12 英寸 0.3 4 32 華潤微電子 華潤微電子 重慶 12 英寸-33 士蘭微 士蘭集科 Fab1 廈門 12 英寸 4 8 34 士蘭集科 Fab2 廈門 12

68、英寸-8 35 積塔半導體 積塔半導體 上海 12 英寸 5 5 36 臺積電 臺積電 NJFab16 南京 12 英寸 2 2 37 矽力杰 矽力杰 青島 12 英寸 4 4 38 時代芯存 時代芯存 淮安 12 英寸-0.83 39 福建晉華 福建晉華 F1-F2 泉州 12 英寸-6 40 萬國半導體 萬國半導體 CQ 重慶 12 英寸 3 7 合計（萬片/月）60.2 270.8 預計未來新增產能（萬片預計未來新增產能（萬片/月）月）210.6 210.6 資料來源：ittbank，公開信息整理，浙商證券研究所 美日荷對華先進制程美日荷對華先進制程封鎖，設備國產替代邏輯進一步加強。封鎖

69、，設備國產替代邏輯進一步加強。2022年 10月 7 日，美國進一步收緊對中國半導體產業的出口管制，對 18納米及以下 DRAM、128層及以上 NAND閃存、16納米或 14納米及以下邏輯芯片設備出口進行管控。2023 年 3月，荷蘭、日本相繼加入美國對華芯片出口管制陣營。2023年 6月 30日，荷蘭政府頒布半導體設備管制新規，規定從 2023 年 9 月 1日開始特定先進半導體設備的出口需先申請出口許可，涉及ASML 的 2000i及后續推出的浸潤式光刻機。美日荷管制趨緊大環境下，國產設備廠商為實現設備自主可控不斷努力，國內晶圓廠對國產設備驗證意愿也不斷增強，國際限制因素使得設備國產化邏

70、輯進一步增強。表6：美日荷聯合封鎖進一步強化半導體設備國產替代邏輯 時間時間 國家國家 主要管制內容主要管制內容 2022.10.07 美國 對 128 層及以上 3D NAND 芯片、18nm 及以下 DRAM 內存芯片、16nm 或 14nm 及以下非平面晶體管結構邏輯芯片相關設備進一步管控。在沒有獲得美國政府許可的情況下，美國國籍公民禁止在中國從事芯片開發或制造工作，包括美國設備的售后服務人員。2023.03.31 日本 制定出口管制清單擬對包括 11 種薄膜沉積設備、4 種光刻設備、3 種刻蝕設備、3 種清洗設備、1 種退火設備、1種量測設備在內的六大類 23 種先進半導體制造設備追加

71、出口管制。按線寬來看，均為 10-14nm 以下的先進制程制造設備。此次新增的 23 種半導體制造設備及技術在從日本對外出口時均會觸發出口許可證要求。2023.06.30 荷蘭 從 2023 年 9 月 1 日開始，特定先進半導體設備的出口需先申請出口許可，涉及 ASML 的浸潤式 DUV 系統TWINSCAN NXT：2000i 及后續推出的浸潤式光刻機。資料來源:芯智訊，經濟觀察報，半導體行業觀察，浙商證券研究所 國家出臺多項政策國家出臺多項政策，新型舉國體制多方位支持半導體產業發展。，新型舉國體制多方位支持半導體產業發展。2023 年 3 月 2 日，國務院副總理劉鶴調研集成電路企業并主

72、持召開座談會，強調必須發揮新型舉國體制優勢，用好政府和市場兩方面力量來發展集成電路產業。2023 年 4 月 6 日，國資委黨委書記、主任張玉卓在調研華大九天時指出國資委將進一步精準施策，加大對人才、資金等方面的政策支持力度，完善配套措施，更好促進集成電路產業高質量發展。國家不斷出臺政策支持半導體產業發展，政策端驅動力加強，半導體自主可控戰略意義不斷凸顯。表7：國家政策支出半導體行業發展 時間時間 事件事件 相關核心內容相關核心內容 2014.06 工信部國家集成電路產業發展推進綱要 著力發展集成電路設計業;加速發展集成電路制造業；提升先進封裝測試業發展水平；突破集成電路關鍵裝備和材料;并從成

73、立國家集成電路產業發展領導小組、設立國家產業投資基金等八個方面配備了相應的保障措施。2017.09 國務院辦公廳關于進一步激發民間有效投資活力促進經濟持續健康發展的指導意見 發揮財政性資金帶動作用，通過投資補助、資本金注入、設立基金等多種方式，廣泛吸納各類社會資本，支持企業加大技術改造力度，加大對集成電路等關鍵領域和薄弱環節重點項目的投入。中微公司(688012)公司深度 19/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 2020.08 國務院新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策 聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術、集成電路關鍵材料、集成電路設計工具、基礎軟件、工業軟件、應用軟件

74、的關鍵核心技術研發。2022.03 國務院政府工作報告 加快發展工業互聯網，培育壯大集成電路、人工智能等數字產業。2023.03 國務院副總理劉鶴調研集成電路企業并主持召開座談會 集成電路是現代化產業體系的核心樞紐，關系國家安全和中國式現代化進程。發展集成電路產業必須發揮新型舉國體制優勢，用好政府和市場兩方面力量。政府要制定符合國情和新形勢的集成電路產業政策，設定務實的發展目標和發展思路，幫助企業協調和解決困難，在市場失靈的領域發揮好組織作用。2023.04 全國集成電路標準化技術委員會成立 集成電路標委會要全面實施國家標準化發展綱要，加強組織建設，建立完善工作制度。加快建設與時俱進的集成電路

75、標準體系，增強產業鏈上、中、下游的有效溝通，支持企業深度參與全球產業分工協作和國際標準制定，推動標準的實施應用。2023.04 國資委黨委書記、主任張玉卓調研華大九天 國資委將進一步精準施策，在人才、資金等方面加大政策支持力度，完善配套措施，支持中央企業在集成電路產業鏈發展的完整性、先進性上攻堅克難、勇往直前，更好促進集成電路產業高質量發展。要補上短板、緊跟前沿，不斷提高企業核心競爭力、增強核心功能。資料來源：公司招股說明書，政府公開信息，浙商證券研究所 AI 大模型熱潮掀起，算力需求提升帶動相關芯片需求大幅增加，大模型熱潮掀起，算力需求提升帶動相關芯片需求大幅增加，半導體設備作為各類半導體設

76、備作為各類芯片的底層芯片的底層支撐有望承接支撐有望承接 AI 發展熱度。發展熱度。ChatGPT 引發 AI 大模型熱潮，數百億、千億乃至萬億級參數規模的人工智能大模型相繼涌現。參數量越高意味著需要消耗越多的算力資源，由此帶來的算力需求使得人工智能相關芯片市場規模持續擴大。圖26：2023年全球 AI 芯片市場規模同比+35.73%圖27：2023年中國 AI 芯片市場規模同比+41.88%資料來源：Frost&Sullivan，浙商證券研究所 資料來源：深圳市人工智能行業協會，浙商證券研究所 2.3 芯片制程升級芯片制程升級+結構復雜化結構復雜化，拉動刻蝕設備需求，拉動刻蝕設備需求 光刻、刻

77、蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝，刻蝕設備是半導體制造最重要的光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝，刻蝕設備是半導體制造最重要的設備之一。設備之一。集成電路制造工藝復雜，包括薄膜沉積、勻膠、光刻、顯影、刻蝕等多種工藝，其中光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造的三大核心工藝。通過薄膜沉積工藝在晶圓上沉積一層待處理的薄膜用以后續加工，通過勻膠工藝把光刻膠涂抹在薄膜上，通過光刻和顯影工藝把光罩上的圖形轉移到光刻膠，為刻蝕做準備，通過刻蝕工藝把光刻膠上圖形轉移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉移。制造芯片所需要的數十層光罩主要通過薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝循環，把所有光罩的圖形

78、逐層轉移到晶圓上。圖28：光刻、刻蝕和薄膜沉積是半導體制造三大核心工藝 圖29：通過刻蝕把光刻膠上圖形轉移到待刻蝕的薄膜上 0%10%20%30%40%50%0100200300400500600202020212022E2023E全球AI芯片市場規模（億美元）yoy0%20%40%60%80%100%120%140%0200400600800100012001400202020212022E2023E中國AI芯片市場規模（億元）yoy中微公司(688012)公司深度 20/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：公司招股說明書，浙商證券研究所 資料來源：公司招股說明書，浙商證券研究

79、所 刻蝕、薄膜沉積、光刻設備是集成電路刻蝕、薄膜沉積、光刻設備是集成電路制造三大核心設備制造三大核心設備。據 Gartner 統計，2022 年，全球刻蝕設備、薄膜沉積和光刻設備分別占晶圓制造設備價值量約 22%、22%、17%，是占比最大的三類設備，其中刻蝕設備和薄膜沉積設備價值量占比最大。等離子體干法刻蝕是當前主導的刻蝕技術。等離子體干法刻蝕是當前主導的刻蝕技術?？涛g可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕，濕法刻蝕主要是用液體化學試劑以化學的方式去除硅片表面的材料，其各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕，導致刻蝕后圖形的分辨率下降，造成刻蝕偏差，應用場景較少，常用于工藝尺寸較大的應用或干法刻蝕后清洗殘留

80、物等。干法刻蝕主要是通過等離子體與硅片發生物理或化學反應從而將表面材料去除，其各向異性好于濕法刻蝕，是當前的主流刻蝕技術，其中以等離子體干法刻蝕為主導。根據產生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕（根據產生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕（CCP）和電）和電感性等離子體刻蝕（感性等離子體刻蝕（ICP），這兩種刻蝕設備涵蓋了主要的刻蝕應用。），這兩種刻蝕設備涵蓋了主要的刻蝕應用。等離子體刻蝕設備的工作原理是利用等離子體放電產生的帶化學活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發生化學反應，產生可揮發的氣體，從而在表面材料上加工出微觀結構。根據產生等離子體方法

81、的不同，干法刻蝕可分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕。其中 CCP 刻蝕主要是介質刻蝕，即高能離子在較硬的介質材料上刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結構；而 ICP 刻蝕主要是硅刻蝕和金屬刻蝕，即以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。ICP、CCP 在整個刻蝕設備市場占比接近，據 Gartner 數據顯示，2022年 ICP、CCP 占刻蝕設備市場分別為 47.9%、47.5%，二者合計占比約 95%，幾乎占據了整個刻蝕設備市場全部份額。圖31：CCP 主要用于刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結構 圖32：ICP 主要用于刻蝕較軟和較薄的材料 圖30：2022年刻蝕設備

82、占晶圓制造設備價值量約 22%，占比最大 資料來源：Gartner，浙商證券研究所 刻蝕設備22%薄膜沉積22%光刻設備17%其他39%中微公司(688012)公司深度 21/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：公司招股說明書，浙商證券研究所 資料來源：公司招股說明書，浙商證券研究所 在邏輯在邏輯器件器件領域，芯片線寬縮小使得工序步驟大幅增加，需采用多重模板工藝來滿足領域，芯片線寬縮小使得工序步驟大幅增加，需采用多重模板工藝來滿足尺寸要求。尺寸要求。國際上高端芯片制程從 7-5 nm 向 3nm、2nm 更小方向升級，當前沉浸式光刻機受光波長的限制，關鍵尺寸無法滿足要求，需要采用

83、多重模板技術，重復多次薄膜沉積和刻蝕工序以實現更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數顯著增加，相關設備重要性也進一步提升。據公司 2020 年業績說明會，20 nm 工藝大約需要 55 次刻蝕，而 10 納米及以下尺寸所需刻蝕步驟則超過 100次。工序步驟的大幅增加帶動刻蝕設備需求相應增加。圖33：芯片線寬縮小使得刻蝕步驟數大幅增加 圖34：采用多重模板技術以滿足 14納米以下尺寸需求 資料來源：公司 2020年業績說明會，浙商證券研究所 資料來源：公司 2020年業績說明會，浙商證券研究所 在存儲在存儲器件器件領域，領域，3D NAND 堆疊層數增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比。堆疊層數增加要求

84、刻蝕技術實現更高的深寬比。集成電路 2D 存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND 閃存已進入 3D 時代。3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數。目前 128 層 3D NAND 閃存已進入大生產，192 層閃存已處于批量生產階段，256 層正在開發?？涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上，加工 40：1 到 60：1的極深孔或極深溝槽。3D NAND 層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，為刻蝕設備提出了新的應用方向；同時由于每層均需要經過刻蝕工藝步驟，催生出更多的刻蝕設備需求。圖35：相比 2D NAND,3D NAND對刻蝕深寬比提出更高要求

85、 圖36：3D NAND下，刻蝕設備占設備采購比重提升至 40%左右 中微公司(688012)公司深度 22/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 資料來源：公司招股說明書，浙商證券研究所 資料來源：公司 2021年業績說明會，浙商證券研究所 我們我們預計預計 2022-2025 年年中國大陸刻蝕設中國大陸刻蝕設備市場空備市場空間平均每年約間平均每年約 377 億元。億元。測算假設：1）據公開信息整理，國內 8 英寸產能缺口約 41.7 萬片/月，12 英寸產能缺口約 210.6 萬片/月（詳見表 3、表 4）；2）根據中芯紹興公開資料，中芯紹興年產 51萬片（4.25 萬片/月）8 英寸晶

86、圓投資額為 58.8 億元，根據中芯國際公告，中芯深圳 4 萬片/月 12 英寸晶圓投資額為 23.5 億美元，折合人民幣為 151.6 億元（按擴產協議簽訂年份 2021 年平均匯率 1美元=6.4515 人民幣進行折算），據此假設 8英寸每萬片/月投資額為 13.8 億元，12 英寸每萬片/月投資額為 37.9億元。由此測算，中國大陸產能擴張與新建帶來的總投資額約 8559 億元；3）假設半導體設備占整體投資總額的 80%，可得中國大陸產能新建與擴張帶來的半導體設備投資總額約 6847億元；4）據 Gartner 統計，2022 年全球刻蝕設備占晶圓制造設備價值量約 22%，則中國大陸刻蝕

87、設備投資總額約 1506 億元。假設現有產能規劃下的刻蝕設備需求將在 2025 年之前逐步釋放，我們預計 2022-2025 年中國大陸刻蝕設備市場空間平均每年約 377億元。表8：預計 2022-2025年中國大陸刻蝕設備市場空間平均每年約 377 億元 8 英寸產能缺口（萬片/月）41.7 12 英寸產能缺口（萬片/月）210.6 8 英寸每萬片/月投資額（億元）13.8 12 英寸每萬片/月投資額（億元）37.9 投資總額（億元）8559 半導體設備投資總額（億元）6847 刻蝕設備投資總額（億元）1506 2022-2025 年中國大陸刻蝕設備年均市場空間（億元）377 資料來源：中芯

88、國際公告，Gartner，公開資料整理，浙商證券研究所 2.4 公司刻蝕設備打破海外壟斷，公司刻蝕設備打破海外壟斷，產品矩陣不斷豐富產品矩陣不斷豐富 全球半導體刻蝕設備市場由美日廠商主導，呈現寡全球半導體刻蝕設備市場由美日廠商主導，呈現寡頭壟斷格局。頭壟斷格局?？涛g設備市場長期以來由國際巨頭主導，據Gartner統計，全球前三大刻蝕設備廠商泛林半導體（Lam Research）、東京電子（TEL）、應用材料（AMAT）的市場占有率合計達 90%以上。其中，泛林半導體占比居于首位，達到 47%，遠高于其他廠商；東京電子和應用材料分別列居二、三位，占比分別為 27%和 17%。中微公司(68801

89、2)公司深度 23/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 公司打破海外壟斷，公司打破海外壟斷，CCP 刻蝕設備不斷升級?？涛g設備不斷升級。Primo AD-RIE、Primo HD-RIE 等 CCP刻蝕產品已廣泛應用于國內外一線客戶的集成電路加工制造生產線。在邏輯器件方面，公司的雙反應臺刻蝕機在國際最先進的 5 納米及以下芯片生產線上實現了多次批量銷售。在存儲器件方面，公司的刻蝕設備不僅被廣泛應用于 3D NAND 生產線，還成功通過了多個動態存儲器的工藝驗證并取得重復訂單。邏輯器件領域邏輯器件領域，公司公司大馬士革刻蝕大馬士革刻蝕工藝取得進展。工藝取得進展。在 28nm及以下邏輯器件領域

90、，作為市占率最大的刻蝕工藝之一，大馬士革工藝對技術的要求極高，需一次性完成通孔和溝槽的刻蝕。針對一體化大馬士革工藝，公司推出了可調節電極間距的刻蝕機，反應腔的極板間距在刻蝕過程中可動態調節，從而同時滿足對于通孔和溝槽刻蝕的不同工藝要求。存儲器件領域存儲器件領域，公司公司極高深比刻蝕機不斷突破。極高深比刻蝕機不斷突破。在存儲器件領域，極高深寬比刻蝕指在多種膜結構上刻蝕出深寬比極高（40：1）的深槽，是最關鍵、最難突破的工藝。公司自主開發的極高深比刻蝕機用 400KHz 取代 2MHz作為偏壓射頻源，以獲得更高的離子入射能量和準直性，使得深槽刻蝕關鍵尺寸的大小符合規格。2014 年以來，公司的 C

91、CP 刻蝕機所能刻蝕已從刻蝕 20:1高深寬比發展進步至刻蝕 60:1極高深寬比。圖38：大馬士革刻蝕工藝技術要求最高、市占率最大 圖39：公司 CCP 刻蝕機可刻蝕 60:1極高深寬比 資料來源：公司 2022年年報，浙商證券研究所 資料來源：公司 2022年年報，浙商證券研究所 圖37：全球前三大刻蝕設備廠商市占率合計達 90%以上 資料來源：Gartner，中商情報網，浙商證券研究所 泛林半導體47%東京電子27%應用材料17%其他9%中微公司(688012)公司深度 24/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 ICP 刻蝕設備性能和工藝覆蓋度不斷增強，產品種類不斷豐富?？涛g設備性能和

92、工藝覆蓋度不斷增強，產品種類不斷豐富。公司 ICP 刻蝕設備產品以 Primo nanova 系列為主，截至 2022 年底，Primo Nanova 系列產品出貨量已達到 297 臺。公司 ICP 產品種類不斷豐富，在原有的單臺機 ICP 刻蝕設備 Primo nanova 家族的 Nanova SE 的基礎上，公司先后推出了用于高深寬比結構刻蝕的 Nanova VE 和用于高均勻性刻蝕的 Nanova UE 兩種 ICP 設備，在全面滿足 55nm、40nm 和 28 nm邏輯芯片制造中的ICP 刻蝕工藝的基礎上，拓展了在 DRAM、3D NAND 存儲芯片和特色器件等芯片制造中的可刻蝕應

93、用范圍。同時，公司在原有的雙臺機 ICP 刻蝕設備 Primo Twin-Star 基礎上，推出了 Twin-Star SE 產品：Nanova VE：用于高深寬比結構刻蝕。用于高深寬比結構刻蝕。配備了雙偏壓射頻發生器和獨有的晶圓邊緣阻抗動態調節功能，能有效地增加離子的能量，提高刻蝕形貌的垂直度，消除晶圓邊緣的傾斜度，并提高刻蝕速度和單位時間的產能。Nanova UE：用于高均勻性刻蝕。：用于高均勻性刻蝕。配備了多區域溫控靜電吸盤，可對晶圓的局部溫度進行微調，從而實現局部關鍵尺寸（Critical Dimension，CD）的調節，極大地提高晶圓內 CD 的均勻性；配備了多脈沖射頻發生器，能形

94、成脈沖波形，調節電子溫度和方向，提高待刻蝕材料和掩膜的刻蝕選擇比。Twin-Star SE：通過研發晶圓邊緣保護功能和低頻偏壓系統推出：通過研發晶圓邊緣保護功能和低頻偏壓系統推出。拓展了公司雙臺機 ICP 刻蝕設備在功率器件、Micro-LED、Meta Lens 等特色器件刻蝕市場的應用，也讓客戶在不同芯片種類的各種刻蝕應用上有了高產出、高性價比的雙臺機 ICP 設備可供選擇。圖41：Primo Nanova系列產品出貨量已達到 297 臺 圖42：公司 ICP 刻蝕設備產品系列及發展路線 資料來源：公司 2022年年報，浙商證券研究所 資料來源：公司公告，浙商證券研究所 圖40：公司 CC

95、P 刻蝕產品系列在大馬士革刻蝕和極高深寬比刻蝕方面取得進展 資料來源：公司公告，浙商證券研究所 中微公司(688012)公司深度 25/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 表9：公司 CCP、ICP 刻蝕設備產品覆蓋范圍不斷擴大，產品矩陣持續豐富 產品類別產品類別 產品型號產品型號 發布時間發布時間 應用場景應用場景 產品進展產品進展 CCP刻蝕設備 Primo D-RIE 2007 65nm到 16nm刻蝕 已在國際主流芯片生產線上投入量產 Primo AD-RIE 2011 40nm到 7nm刻蝕 已被廣泛應用于 40到 14納米后段制程 Primo SSC AD-RIE 2013 2

96、6nm到 5nm及以下刻蝕 已在主流客戶 16納米芯片生產線上穩定量產 Primo iDEA 2014 整合刻蝕和光刻膠移除 已在主要客戶生產線上量產 Primo HD-RIE 2015 NAND和 DRAM刻蝕 已在一些關鍵制程上實現量產 ICP刻蝕設備 Primo TSV 2010 深硅刻蝕 在國內 TSV/MEMS成為主流設備，并進入歐洲 MEMES生產線實現量產 Primo nanova 2016 1Xnm及以下邏輯和存儲刻蝕 不斷在客戶端完成驗證，2022年安裝腔體數達到 297臺，2022年推出了用于高深寬比結構刻蝕的 Nanova VE 和用于高均勻性刻蝕的 Nanova UE

97、Primo Twin-star 2021 1Xnm及以下邏輯和存儲刻蝕 在海內外多個客戶的產線上實現量產，并取得重復訂單，2022年推出具有高輸出低成本特點的 Twin-Star SE 資料來源：公司官網，公司 20222年年報，浙商證券研究所 刻刻蝕設備蝕設備領軍者，目標市占率快速提升。領軍者，目標市占率快速提升。公司部分技術水平和應用領域已達到國際同類產品的標準。在先進邏輯芯片方面，公司已成功取得 5 納米及以下邏輯電路產線的重復訂單；在存儲芯片方面，公司的刻蝕設備在 64 層及 128 層 3D NAND 的生產線上得到廣泛應用。據公司 2022 年業績說明會，公司刻蝕設備在國內最先進的

98、邏輯和存儲市場的目標市占率大幅提升，預計經過一年時間在國內最先進的邏輯市場和存儲市場市占率都將達到 60%以上，尤其是在國內先進存儲領域，公司預計一年后 CCP 刻蝕設備市占率將從原來的 1/3提升至 85%。圖43：先進邏輯器件領域，公司 CCP 和 ICP 刻蝕設備近期目標市占率分別提升至 60%和 75%資料來源：公司 2022年業績說明會，浙商證券研究所 圖44：先進存儲器件領域，公司 CCP 和 ICP 刻蝕設備國內市場近期目標市占率分別提升至 85%和 65%中微公司(688012)公司深度 26/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 3 Mini LED帶動帶動 MOCVD 設

99、備新設備新需求，需求，Micro LED、功率器件、功率器件有望接力發展有望接力發展 3.1 MOCVD 是化合物半導體外延制造核心技術，是化合物半導體外延制造核心技術，預計預計 2026 年年市場市場達達 44 億億元元 金屬機化學氣相沉積（金屬機化學氣相沉積（MOCVD）是一種在半導體晶圓上沉積薄膜的工藝，是最重要的制造 III-V 族化合物半導體的工藝。MOCVD 反應原理是 III、II 族元素的有機化合物和V、VI 族元素的氫化物作為沉積源反應原材料，以熱分解方式在襯底上形成外延薄層，生長各種 III-V 族、II-VI 族化合物半導體外延層。圖45：MOCVD常用于形成 III-V

100、族化合物膜層 資料來源：愛思強，浙商證券研究所 MOCVD 常用于制造發光二極管（常用于制造發光二極管（LED）、激光器、功率器件、射頻器件等，）、激光器、功率器件、射頻器件等，其中其中LED 為第一大應用為第一大應用。與集成電路需要多種設備、多步循環的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要靠 MOCVD 設備實現，且設備大部分市場在中國大陸。2020 年全球 MOCVD設備市場規模為 4.19 億美元，Yole預計將以 7.0%的復合年增長率增長的 2026 年至 6.3億美元（約合 44億人民幣）。資料來源：公司 2022年業績說明會，浙商證券研究所 中微公司(688012)公司深度 27

101、/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 圖46：2020-2026年 MOCVD設備在下游應用領域的占比 圖47：預計 2026年全球 MOCVD設備市場 630百萬美元 資料來源：Yole，浙商證券研究所 資料來源：Yole，浙商證券研究所 3.2 MOCVD 設備是設備是 LED外延片生產外延片生產的的關鍵設備關鍵設備，價值量占比超，價值量占比超 50%LED 產業鏈產業鏈包括五大主要環節，其中外延片生產與芯片制造是全產業鏈的關鍵環節。包括五大主要環節，其中外延片生產與芯片制造是全產業鏈的關鍵環節。LED 產業鏈主要由襯底加工、外延片生產、芯片制造、器件封裝和應用五個環節組成，其中，底加

102、工、外延片生產、芯片制造是 LED 產業的上游，器件封裝是產業的中游，照明、背光、顯示器等應用屬于產業的下游。LED 產業鏈中的外延片生產環節通過產業鏈中的外延片生產環節通過 MOCVD 單種設備實現，單種設備實現，MOCVD 設備是設備是 LED制造中最重要的設備。制造中最重要的設備。LED產業鏈中主要涉及的設備包括用于襯底加工的單晶爐、多線切割機；用于外延片制造的 MOCVD 設備；制造芯片所需要的光刻、刻蝕、清洗、檢測設備和封裝所需要的貼片機、固晶機、焊線臺和灌膠機等。外延片生產是 LED 產業鏈上的重要環節，其制備主要通過 MOCVD 單種設備實現，目前外延片生產的主流技術是金屬有機化

103、學氣相淀積法。據公司招股說明書，MOCVD 設備采購金額一般占 LED 生產線設備總投入的 50%以上，是 LED 產業鏈所涉及的設備中價值占比最高的設備。LED,54.8%激光器,18.8%功率器件,19.0%射頻器件,4.7%圖48：襯底加工、外延片生產、芯片制造、封裝和應用是 LED產業鏈的五個主要環節 資料來源：聚燦光電向特定對象發行股票募集說明書，浙商證券研究所 圖49：外延片生產通過 MOCVD單種設備實現 中微公司(688012)公司深度 28/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 傳統傳統 LED 應用照明市場規模趨于飽和，應用照明市場規模趨于飽和，Mini/Micro LE

104、D 等等有望帶動有望帶動 MOCVD 設備設備市場新一輪增長。市場新一輪增長。照明市場是目前 LED 行業最大的下游應用市場，2022 年，通用照明市場占 LED 下游應用市場的比重約 46%，LED 照明市場規模為 6813 億元，同比增長 4%。近年來，照明行業進入成熟期，市場接近飽和，增速整體比較平緩，與此同時，諸多新興領域如功率器件，深紫外 LED 殺菌，特別是用于高端顯示的 Mini LED 和 Micro LED 的興起，有利于 MOVCD 設備市場形成新的發展高潮。圖50：2022年通用照明占 LED下游應用市場約 46%圖51：LED照明市場增速放緩 資料來源：CSA，前瞻產業

105、研究院，浙商證券研究所 資料來源：中商產業研究院，浙商證券研究所 3.3 Mini LED 商業化開啟，商業化開啟，帶動帶動 MOCVD 設備需求設備需求提升提升 Mini LED 即次毫米發光二極管，顯示效果顯著優于傳統即次毫米發光二極管，顯示效果顯著優于傳統 LED 背光面板。背光面板。Mini LED 將傳統 LED 背光燈珠縮小至 100-300 微米，以此達到精銳的局部控光的效果，使得亮度、對比度和視覺感觀得以提升。Mini LED本質上還是 LCD，但顯示效果顯著好于用傳統 LED作背光的面板。Mini LED 是一個過渡性產品，是顯示技術從小間距向 Micro LED 演進的過渡

106、階段。通用照明46%顯示屏15%背光應用8%其他31%-10%-5%0%5%10%15%02000400060008000201720182019202020212022市場規模（億元）yoy 資料來源：公司招股說明書，浙商證券研究所 圖52：Mini LED尺寸介于 Micro LED 和小間距顯示之間 資料來源：TrendForce，浙商證券研究所 中微公司(688012)公司深度 29/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 Mini LED 可分為背光和直接顯示兩大應用場景?？煞譃楸彻夂椭苯语@示兩大應用場景。Mini LED 直顯是把 Mini LED 芯片直接作為顯示像素點來實現圖像

107、顯示，是小間距顯示屏的升級替代產品，可以提升可靠性和像素密度，主要應用于大尺寸顯示如辦公室智慧大屏、室外大屏、指揮中心大屏等領域。Mini LED 背光是把 Mini LED 作為 LCD 面板的背光源，通過在背光模組設置大量芯片來實現畫面顯示。采用 Mini LED 背光的 LCD，可以大幅提升現有的液晶畫面效果，使得超高對比度、超高亮度、超高色域得以實現，同時成本相對比較容易控制，有望成為市場的主流。Mini LED 背光商業化啟動背光商業化啟動，終端廠商終端廠商紛紛導入紛紛導入 Mini LED 背光產品背光產品。2021 年被稱為 Mini LED 元年，隨著 Mini LED 技術的

108、逐步成熟、Mini LED 芯片價格下降，使得采用 Mini LED 背光的顯示器成本下降，終端廠商紛紛導入 Mini LED 背光產品。近兩年 Mini LED 熱度不斷升級，據 LED inside 統計，截至 2023年 5 月 12日，2023 年已有 42款 Mini LED 背光產品發布，涉及蘋果、三星、TCL等多個品牌，覆蓋電視、顯示器、筆記本電腦、平板等各種消費及商用電子終端。LED 廠商加大在廠商加大在 Mini LED 領域的布局領域的布局，Mini LED 新型顯示使得新型顯示使得 LED 外延片需求量外延片需求量增長，從而增長，從而拉動拉動 MOCVD 設備需求。設備需

109、求。據 LED inside 統計，2022 年全年約有 23個Mini/Micro LED 相關項目立項。2022 年 3月，中國最大的 LED 外延片和芯片制造商三安光電非公開發行募資 79億元用于湖北三安光電 Mini/Micro LED 芯片項目獲證監會審核通過，2022年 12 月，該項目定增落地。據 Omdia 預計，2023 年 Mini LED 背光面板出貨量將從 2022年的 1890萬片增長至 2210 萬片。隨著 Mini LED 在產品端的滲透率提升，Mini LED 新型顯示帶來的 LED 外延片需求量將快速增長，LED 芯片廠商紛紛布局 Mini LED 領域，MO

110、CVD 設備廠商有望受益。圖53：背光和直接顯示是 Mini LED 的兩大應用場景 資料來源：LED Inside，浙商證券研究所 圖54：2023年 Mini LED 背光面板出貨量預計達到 2210萬片，同比+17%中微公司(688012)公司深度 30/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 3.4 公司公司 MOCVD 設備布局行業前沿，在氮化鎵基設備布局行業前沿，在氮化鎵基 LED 領域市場份額第一領域市場份額第一 全球全球 MOCVD 設備三強設備三強占據近占據近 90%份額，公司打破壟斷份額，公司打破壟斷成為成為 LED MOCVD 龍頭龍頭。全球 MOCVD 設備市場長期以來

111、由德國愛思強、美國維易科壟斷。愛思強設備主要應用領域為功率器件、激光、特殊 LED 和射頻器件，維易科設備銷售主要應用于 GaN、GaAs 基的LED。2017年公司推出高性能 MOCVD 設備 Prismo A7，打破了兩者壟斷格局，成為全球氮化鎵基 LED 市場份額最大的 MOCVD 設備商，2018 年下半年市場占有率達到 60%以上，并持續在行業內保持領先地位。圖55：2020年 MOCVD設備銷售額中微公司位列全球第二 圖56：公司氮化鎵基 LED MOCVD設備打破國際壟斷 資料來源：Yole，浙商證券研究所 資料來源：IHS Markit,公司 2020年業績說明會，浙商證券研究

112、所 立足優勢藍光立足優勢藍光 LED 領域，發力高端領域，發力高端 LED、功率器件市場。功率器件市場。自 2013年公司推出第一款應用于藍光 LED的 MOCVD 設備以來，于 2017、2020、2021 年、2022 年持續推出應用于藍光 LED、深紫外 LED、Mini LED 和 GaN 功率器件的 MOCVD 設備。公司藍光 LED MOCVD 設備處于全球領先地位，同時積極研發 Micro LED、SiC 功率器件 MOCVD 設備，持續拓展新業務增長極。公司緊跟市場發展趨勢，針對 Micro-LED 應用的專用MOCVD 設備正開發中。隨著電動汽車、光伏儲能、軌道交通等應用的快

113、速發展，市場對碳化硅功率器件的需求呈現爆發式增長，公司應用于碳化硅功率器件外延生產設備 2023 年將交付樣機至客戶端開展生產驗證，進一步豐富公司的產品線。表10：公司已推出五款 MOCVD設備，在研兩款 MOCVD設備；LED 領域處于領先地位，發力功率器件領域 應用應用領域領域 2022 全球市場全球市場 設備型號設備型號 推出時間推出時間 細分細分領域領域 設備介紹設備介紹 應用進展應用進展 愛思強,54%中微公司,18%維易科,14%紐富來,1%太陽日酸,5%其他,7%資料來源：Omdia，浙商證券研究所 16.218.922.124.329.10%5%10%15%20%25%0510

114、1520253035202120222023E2024E2025EMini LED 背光面板出貨量（百萬片）yoy中微公司(688012)公司深度 31/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 LED 2.23 億美元 Prismo D-BLUE 2013 年 藍光 LED 可配置 4 個反應腔，同時加工 232 片 2 英寸晶片或 56 片 4 英寸晶片，可延伸到 6 英寸及 8 英寸。全球領先 Prismo A7 2017 年 藍光 LED 可配置 4 個反應腔，同時加工 136 片 4 英寸晶片或 56 片 6 英寸晶片，工藝可延伸到 8英寸。每腔產能是前一代 D-BLUE 的 2 倍多

115、。全球領先 Prismo HiT3 2020 年 深紫外 LED 用于高質量氮化鋁和高鋁組分材料生長，可生長 18 片 2 英寸外延片，并可延伸到 4 英寸晶片。已在行業領先客戶端用于深紫外 LED 的生產驗證并獲得重復訂單 Prismo UniMax 2021 年 Mini LED 可配置 4 個反應腔，同時加工 108 片 4 英寸或 40 片 6 英寸高性能氮化鎵基藍綠光 Mini LED 外延晶片，或同時加工 164 片 4 英寸或72 片 6 英寸外延晶片，工藝可延展到 8 英寸。2021 年 6 月起累計出貨量已超過 120 腔，處于國際領先地位。Micro-led 外延設備 開發

116、中 MicroLED 功率器件 2.47 億美元 Prismo PD5 2022 年 GaN 功率器件 可配置 4 個反應腔，工藝覆蓋 6 英寸和 8 英寸 已交付國內外領先客戶進行生產驗證，并取得了重復訂單 SiC 外延設備 開發中 SiC 功率器件 2023 年將交付樣機至客戶端開展生產驗證 資料來源：公司官網，公司公眾號，Yole，浙商證券研究所（應用進展截至 2023年 8月）2017-2022 年公司年公司 MOCVD 設備累計付運設備累計付運 CAGR 達達 35%，2022 年超過年超過 500 腔腔。2017年公司氮化鎵基 Prismo A7 大獲成功，出貨量大幅增長，逐步占據

117、國際領先地位。2021 年公司推出 Mini LED 的 MOCVD 設備，為全球 LED 芯片制造商提供極具競爭力的 Mini-LED 量產解決方案，憑借高產量、高波長均勻性、高良率等優點，受到下游客戶的廣泛認可，截至 2022年底累計出貨量已超 120腔。圖57：公司 MOCVD設備 2022年累計付運臺數超過 500腔，2017-2022年 CAGR 35%資料來源：公司 2022年業績交流會，浙商證券研究所 4 定增加碼持續擴產，定增加碼持續擴產，內生外延內生外延平臺化布局加速推進平臺化布局加速推進 4.1 對比全球刻蝕設備龍頭泛林對比全球刻蝕設備龍頭泛林,中微公司具有相似成長路徑中微

118、公司具有相似成長路徑 復盤國際半導體設備龍頭復盤國際半導體設備龍頭泛林泛林發展路徑：發展路徑：泛林泛林以刻蝕以刻蝕設備起家，通過自主研發和外延并購成長為國際半導體設備龍頭。設備起家，通過自主研發和外延并購成長為國際半導體設備龍頭。泛林成立于 1980 年，于 1984 年在納斯達克上市。公司深耕于刻蝕設備，同時通過自主研發和外3681211624933137343253101002003004005006002013201420152016201720182019202020212022MOCVD累計付運腔數中微公司(688012)公司深度 32/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 延并購

119、的方式，向沉積設備、清洗機、檢測、去膠等領域擴展。公司已形成刻蝕、清洗、沉積三類半導體設備的協同效應，是國際半導體設備龍頭。表11：Lam Research 通過自主研發+外延并購成長為國際半導體設備龍頭 年份年份 事件事件 1980 年 公司成立 1981 年 推出首款產品 AutoEtch480 1985 年 推出首款氫化物刻蝕設備 AutoEtch590 1987 年 推出首款 MSSD 系統Concept One PEVCD，進軍 VCD 領域 1988 年 發明單片旋轉清潔技術，開始向清洗領域探索 1990 年 推出 SP 系列旋轉清洗機，進軍清洗機市場 1992 年 推出首款電容耦

120、合等離子體刻蝕機 1995 年 推出首款雙頻介質刻蝕機，拓展介質刻蝕領域 1996 年 推出 SPEED HDP-CVD 系統 1997 年 收購 CMP 設備制造商 OnTrak Systems,Inc.，布局拋光環節 1998 年 發布 SABRE ECD 系統，打入檢測設備市場 2004 年 發布第一代 Kiyo 和 Flex 刻蝕機 發布可用于鎢塞和 TSV 工藝的 ALTUS CVD 設備 2005 年 發布 SOLA UVTP 膜處理系統 2006 年 收購腔室零部件商 Silfex 公司(原 Bullen 半導體)，向產業鏈上游延伸 2007 年 發布首款用于深硅刻蝕的 Synd

121、ion 系統 推出 DV-Prime 濕法清洗/去膠/刻蝕設備 發布 Coronus 等離子清洗機 2008 年 推出 GAMMA GxT 和 GAMMA G400 干法去膠設備 收購清潔設備制造商 SEZ AG 公司，賦能公司清潔業務 2010 年 發布用于 TSV 及晶圓級封裝的 SABRE 3D ECD 設備 2012 年 收購芯片制造商 Novellus Systems，向下游延伸 2014 年 發布用于 3D NAND 的 ALTUS Max ICEFill W-CVD，VECTOR Strata PECVD，Flex F 系列導體刻蝕機 發布首款可量產原子層刻蝕機 Kiyo F 系

122、列，探索新型刻蝕設備 2017 年 收購半導體工藝技術、MEMS 及物聯網(loT)仿真和建模解決方案全球領先供應商 Conventor 2020 年 發布 Sense.i 等離子刻蝕機 資料來源：Lam Research官網，浙商證券研究所 泛林泛林主要經營沉積、刻蝕和清洗設備。主要經營沉積、刻蝕和清洗設備。泛林產品涵蓋金屬薄膜沉積、電介質薄膜沉積、顯影、金屬刻蝕、介質刻蝕、硅刻蝕、清洗和檢測等工藝流程，產品系列豐富多樣。表12：泛林已形成沉積、刻蝕、清洗多種產品系列 領域領域 工藝流程工藝流程 技術技術 產品產品 沉積 金屬沉積 電化學沉積（ECD）SABRE 系列 化學氣相沉積（CVD）

123、ALTUS 系列 原子層沉積（ALD）ALTUS 系列 電介質薄膜 等離子增強化學氣相沉積（PECVD）VECTOR 系列 原子層沉積（ALD）Striker 系列 中微公司(688012)公司深度 33/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 高密度等離子體化學氣相沉積（HDP-CVD）SPEED 系列 顯影 紫外線熱處理（ULTP）SOLA 系列 刻蝕 金屬刻蝕 反應離子刻蝕 Kiyo,Versys 系列 介質刻蝕 反應離子刻蝕 Flex 系列 硅刻蝕 深度反應離子刻蝕 Syndion 系列 清洗 硅片清洗 濕法清洗 EOS,DV-Prime,Da Vinci,SP 系列 斜面清洗 干法等

124、離子清洗 Coronus 系列 資料來源：Lam Research 2022年年報，浙商證券研究所 中微公司從刻蝕設備向前后端延伸，中微公司從刻蝕設備向前后端延伸，具有與具有與泛林泛林相似的成長邏輯相似的成長邏輯。公司起家于刻蝕設備，是國內高端刻蝕設備領軍企業，依托自主研發創新，突破 CCP、ICP 技術，用十余年時間走過了泛林四十余年歷程。同泛林,公司通過自主研發與外延生長相結合的方式，以刻蝕設備為基不斷向其他半導體設備延伸，切入薄膜沉積設備和檢測設備領域，積極打造半導體設備平臺型公司。4.2 布局薄膜沉積設備和檢測設備領域，三維戰略持續推進布局薄膜沉積設備和檢測設備領域，三維戰略持續推進

125、定增加碼提升研發水平，促進產能擴張。定增加碼提升研發水平，促進產能擴張。2021 年，公司完成定增再融資 80 億元用于南昌產業化基地（14萬平方米）、臨港產業化基地（18萬平方米）、臨港研發中心暨總部大樓（10萬平方米）三大項目建設。一方面用于擴充現有產品的產能，通過建設先進生產基地進一步提高生產規模和生產效率；另一方面，通過建設研發中心助力公司產品線的擴張，進一步豐富公司在半導體設備領域產品系列，并提升公司研發投入能力。南昌產業化基地于 2023年 7月 7 日正式建成并投入使用，臨港產業化基地和臨港研發中心暨總部大樓也在順利建設中。表13：定增加碼提升產能水平和研發水平 項目名稱項目名稱

126、 計劃總投資計劃總投資(萬元萬元)項目簡介項目簡介 中微產業化基地建設項目 317,732.66 主要包括臨港和南昌兩大產業化基地。其中，臨港產業化基地將主要承擔公司現有產品的改進升級、新產品的開發生產以及產能擴充，南昌產業化基地主要承擔較為成熟產品的大規模量產及部分產品的研發升級工作。中微產業化基地建設項目擬擴充和升級的產品類別為等離子體刻蝕設備、MOCVD 設備、熱化學 CVD 設備等新設備、環境保護設備，相應產品的產能規劃情況分別約為 630 腔/年、120 腔/年、220 腔/年、180 腔/年。中微臨港總部和研發中心項目 375,582.35 用于新產品的研發工作，除等離子體刻蝕設備

127、、薄膜沉積設備等優勢產品研發及產業化外，還將開展前瞻性技術研究、推動集成電路生產設備及零部件國產化、推進泛半導體設備產品的研發及產業化等?？萍純滟Y金 308,000.00 用于滿足公司研發項目發展需要、公司持續推出新產品需要以及公司產業擴張需求等，根據公司具體項目或產品進展情況適時投入。資料來源：公司 2020度年向特定對象發行 A股股票預案，浙商證券研究所 持續穩步推進三維發展戰略。持續穩步推進三維發展戰略。公司既深耕集成電路關鍵設備領域，在保持刻蝕設備和MOCVD 設備競爭優勢的同時，向薄膜沉積、檢測設備延伸，又積極擴展 MEMS、功率器件、太陽能領域等泛半導體關鍵設備，同時不斷探索在集

128、成電路及泛半導體設備生產線上相關的環保設備及醫療健康智能設備等新興科技領域的市場機會。三維發展戰略一方面有利于熨平半導體設備行業的周期性波動，另一方面可不斷為公司提供新的業績增長點。圖58：公司穩步推進三維發展戰略 中微公司(688012)公司深度 34/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 進行進行 LPCVD、ALD、EPI 設備研發，布局薄膜沉積設備領域。設備研發，布局薄膜沉積設備領域。2023年 5月，公司推出 12 英寸低壓化學氣相沉積（LPCVD）設備 Preforma Uniflex CW。該設備可靈活配置多達五個雙反應臺反應腔，每個反應腔可同時加工兩片晶圓，在保證較低化學品消

129、耗的同時實現更高的生產效率。同時，該設備具備優異的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進邏輯器件接觸孔填充應用，以及 64 層和 128 層 3D NAND 中的多個關鍵應用。目前，該款LPCVD 設備已導入客戶端進行生產線核準。除 LPCVD 設備外，公司開發的應用于高端存儲和邏輯器件的 ALD 氮化鈦設備也在穩步推進，已經進入實驗室測試階段。此外，公司組件團隊研發的鍺硅外延 EPI設備也取得進展，已進入樣機的設計、制造和調試階段。圖59：公司推出 12英寸 LPCVD 設備 圖60：公司預計可覆蓋超 50億美元薄膜沉積設備市場 資料來源：公司官方公眾號，浙商證券研究所 資料來源：公司 2022

130、年業績說明會，浙商證券研究所 積極進行投資與并購，積極進行投資與并購，實現外延式發展。實現外延式發展?？涛g、薄膜沉積、光刻、檢測設備是價值量最高的四類半導體設備，通過對睿勵儀器進行投資（持股比例占 34.75%），公司切入第四大半導體設備市場光學檢測設備。公司自上市以來投資了 20多家產業鏈上下游企業，2022 年以來，子公司中微惠創（凈化設備）取得良好進展，參股投資的拓荊科技（薄膜沉積設備）、天岳先進（碳化硅襯底）、德龍激光（精密激光設備）、晶升股份（晶體生長裝備）在科創板掛牌上市，對睿勵儀器（光學檢測設備）、理想萬里暉（太陽能電池設備）進行新一輪融資增資。公司通過外延式成長途徑擴大產品和市

131、場覆蓋，積極打造平臺型公司。資料來源：公司 2022年業績說明會，浙商證券研究所 圖61：公司已全面覆蓋刻蝕設備及部分薄膜沉積設備，并通過投資布局了光學檢測設備 中微公司(688012)公司深度 35/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 5 盈利預測與投資建議盈利預測與投資建議 5.1 盈利預測盈利預測 刻蝕設備：刻蝕設備：刻蝕設備是公司目前最核心的業務，營收占比最大?？紤]到 1）半導體行業下游晶圓廠積極產能擴張；2）半導體設備國產化率逐漸提升；3）公司 CCP 和 ICP 刻蝕設備技術行業領先，可不斷滿足芯片制程升級對設備技術的要求，公司刻蝕設備市場份額有望快速提升。預計 2023-20

132、25 年公司刻蝕設備營業收入分別為 44.3、55.6、73.4億元，同比增長 40.8%、25.4%、32.0%。隨著公司刻蝕設備市占率持續擴大，預計公司毛利率維持穩定，2023-2025 年刻蝕設備毛利率分別為 46.2%、45.9%、45.5%。MOCVD 設備：設備：公司 MOCVD 設備目前在氮化鎵基 LED 領域已經處于領先地位。傳統 LED 照明市場趨于飽和，但受益于下游 Mini LED 的發展，MOCVD 設備重新迎來需求高潮。同時，公司新推出了用于氮化鎵功率器件生產的 MOCVD 設備，并啟動了用于碳化硅功率器件的 MOCVD 設備的研發，以滿足市場對兩種功率器件的需求。預

133、計 2023-2025年公司 MOCVD 設備收入分別為 8.71、11.1、13.2 億元，同比增長 24.6%、26.3%、20.0%?？紤]到用于 Mini LED 的 MOCVD 設備占比逐漸上升，預計 2023-2025 年毛利率有望分別提升至 38.0%、38.5%、39.0%。備品備件備品備件：隨著公司營收規模不斷擴大，預計備品備件的銷售收入將保持穩定增長，預計 2023-2025 年備品備件收入分別為 10.1、12.0、14.7 億元，同比增長 20.7%、19.0%、22.8%。毛利率也將維持相對穩定，預計 2023-2025 年毛利率為 47%。設備維護：設備維護：隨著公司

134、產品持續導入客戶端，帶動下游客戶設備維護需求增長，預計2023-2025 年設備維護收入 0.77、1.06、1.33 億元，同比增長 34.0%、37.8%、25.6%，毛利率預計維持在 65%。綜上，我們預計 2023-2025 年公司營業收入分別為 63.86、79.63、102.62億元，同比增長 34.7%、24.7%、28.9%，預計 2023-2025 年公司整體毛利率分別為 45.5%、45.3%、45.1%。表14：營業收入預測（單位：百萬元）2021 2022 2023E 2024E 2025E 刻蝕設備刻蝕設備 銷售收入 2,004.00 3,147.00 4,429.9

135、8 5,557.24 7,335.29 yoy 55.47%57.0%57.04%25.4%25.45%資料來源：公司 2022年年報，浙商證券研究所 中微公司(688012)公司深度 36/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 毛利率 44.3%47.0%46.2%45.9%45.5%MOCVD 設備設備 銷售收入 503.00 700.00 872.10 1,101.60 1,321.92 yoy 1.41%39.2%39.17%26.3%26.32%毛利率 33.8%37.0%38.0%38.5%39.0%備品備件備品備件 銷售收入 555.63 834.93 1,007.40 1,1

136、98.59 1,471.73 yoy 25.79%50.3%50.27%19.0%18.98%毛利率 46.9%46.9%47.0%47.0%47.0%設備維護設備維護 銷售收入 45.29 57.43 76.95 106.04 133.18 yoy 38.53%26.8%26.82%37.8%37.81%毛利率 63.6%66.5%65.0%65.0%65.0%合計合計 銷售收入 3108.13 4739.83 6386.43 7963.47 10262.11 yoy 36.7%52.5%34.7%24.7%28.9%毛利率 37.7%45.7%45.5%45.3%45.1%資料來源：Win

137、d，浙商證券研究所測算 5.2 估值分析估值分析 我們選取主營業務主要集中在前道半導體設備的北方華創、拓荊科技、盛美上海、華海清科、芯源微、中科飛測代表半導體設備板塊。2023年 8月 29日，板塊 2023-2025 年PE分別為 59.4、41.1、31.4 倍，PS 分別為 14.1、10.2、7.8 倍。預計公司 2023-2025 年營業收入分別為 63.86、79.63、102.62 億元，歸母凈利潤分別為 17.62、18.64、24.49 億元，對應 8月 29日 PE為 48.7、46.0、35.0 倍，PS為 13.4、10.8、8.4 倍。公司刻蝕設備不斷驗證新工藝，可滿

138、足 5nm及以下邏輯芯片及 200層以上 3D NAND存儲芯片的刻蝕需求，市占率不斷提升。另一方面，公司不斷擴充業務產品線，薄膜沉積領域取得新突破，推出 12英寸 LPCVD、ALD 設備，賦能公司業績多元化增長。隨著半導體產業鏈向中國轉移、設備國產化加速及芯片制程升級，公司作為半導體國產設備龍頭有望核心受益。此外，由 mini LED 商業化開啟所帶動的 MOCVD 設備需求回暖，有望進一步打開公司成長空間?？紤]到公司在刻蝕、MOCVD 設備的優勢，以及內生外延發展的不斷突破，我們在行業平均估值基礎上給予公司 20%的估值溢價，給予公司 2023年 17 倍PS。我們預計 2023-202

139、5 年公司營業收入分別為 63.86、79.63、102.62億元，同比增長34.7%、24.7%、28.9%；歸母凈利潤分別為 17.62、18.64、24.49億元，同比增長 50.7%、5.79%、31.3%。給予公司 2023年 17倍 PS，對應目標價 175元、市值 1084 億元，當前市值具有 26%空間，給予“買入”評級。表15：半導體設備板塊估值表（2023年 8月 29日）總市值總市值（億元）（億元）營業收入營業收入 歸母凈利潤歸母凈利潤 PE PS 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 2023E 2024E 2025E 2023E 20

140、24E 2025E 北方華創 1,385 203 262 329 35 47 60 39.4 29.4 23.1 6.8 5.3 4.2 拓荊科技 429 29 41 54 5.4 8.1 11.0 79.4 52.9 39.0 14.8 10.5 8.0 盛美上海 463 39 50 62 8.4 10.5 13.2 55.3 44.1 35.0 11.8 9.2 7.5 中微公司(688012)公司深度 37/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 華海清科 313 27 36 46 7.4 10.0 13.0 42.0 31.3 24.0 11.6 8.6 6.7 芯源微 178 20

141、28 38 2.7 4.0 5.7 65.0 44.8 31.5 8.9 6.4 4.7 中科飛測 233 8 11 15 0.5 1.0 1.8 75.3 44.3 35.5 30.9 21.4 15.7 平均 59.4 41.1 31.4 14.1 10.2 7.8 中微公司 858 64 80 103 17.6 18.6 24.5 48.7 46.0 35.0 13.4 10.8 8.4 資料來源：wind，浙商證券研究所（注：中微公司數據來自浙商預測，其余公司數據來自 wind 一致預期）6 風險提示風險提示 晶圓廠擴產不及預期晶圓廠擴產不及預期：若下游晶圓廠縮減資本支出，未能按預期進

142、行擴產，將對公司收入及利潤產生不利影響?？涛g設備國產化進度不及預期：刻蝕設備國產化進度不及預期：公司未來發展受益于刻蝕設備國產化率的提升，若國產化進度不及預期，將不利于公司刻蝕設備業務的收入。Mini LED 需求不及預期：需求不及預期：若 Mini LED 在需求端驗證不及預期，將導致 MOCVD 設備需求不及預期，影響公司收入和利潤。中微公司(688012)公司深度 38/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 Table_ThreeForcast 表附表附錄：三大報表預測值錄：三大報表預測值 資產負債表 利潤表 (百萬元)2022 2023E 2024E 2025E (百萬元)2022

143、2023E 2024E 2025E 流動資產流動資產 14,655 17,254 19,842 23,530 營業收入營業收入 4,740 6,386 7,963 10,262 現金 7,326 8,897 9,913 11,796 營業成本 2,572 3,483 4,359 5,633 交易性金融資產 2,939 2,939 2,939 2,939 營業稅金及附加 15 19 24 31 應收賬項 713 1,091 1,266 1,683 營業費用 409 511 621 770 其它應收款 27 36 45 58 管理費用 236 287 342 421 預付賬款 35 44 57 7

144、2 研發費用 605 798 980 1,231 存貨 3,402 4,027 5,375 6,711 財務費用(151)(127)(158)(178)其他 214 220 248 271 資產減值損失(20)(20)(20)(20)非流動資產非流動資產 5,380 6,367 6,963 7,569 公允價值變動損益 63 0 0 0 金融資產類 1,186 1,222 1,222 1,222 投資凈收益 74 383 18 103 長期投資 979 979 979 979 其他經營收益 102 128 159 205 固定資產 336 589 878 1,188 營業利潤營業利潤 1,26

145、3 1,895 2,005 2,633 無形資產 590 741 825 942 營業外收支(4)0 0 0 在建工程 1,000 1,280 1,504 1,683 利潤總額利潤總額 1,259 1,895 2,005 2,633 其他 1,289 1,555 1,555 1,555 所得稅 91 133 140 184 資產總計資產總計 20,035 23,620 26,805 31,100 凈利潤凈利潤 1,168 1,762 1,864 2,449 流動負債流動負債 3,919 5,447 6,768 8,613 少數股東損益(2)0 0 0 短期借款 0 0 0 0 歸屬母公司凈利潤

146、歸屬母公司凈利潤 1,170 1,762 1,864 2,449 應付款項 960 1,377 1,675 2,196 EBITDA 1,123 1,911 2,016 2,644 預收賬款 0 0 0 0 EPS（最新攤?。?.89 2.85 3.02 3.96 其他 2,959 4,070 5,093 6,418 非流動負債非流動負債 633 602 602 602 主要財務比率 長期借款 500 500 500 500 2022 2023E 2024E 2025E 其他 133 102 102 102 成長能力成長能力 負債合計負債合計 4,552 6,049 7,370 9,216 營

147、業收入 52.50%34.74%24.69%28.86%少數股東權益(1)(1)(1)(1)營業利潤 11.44%50.05%5.79%31.33%歸屬母公司股東權益 15,484 17,573 19,437 21,885 歸屬母公司凈利潤 15.66%50.66%5.79%31.33%負債和股東權益負債和股東權益 20,035 23,620 26,805 31,100 獲利能力獲利能力 毛利率 45.74%45.46%45.27%45.11%現金流量表 凈利率 24.68%27.60%23.41%23.86%(百萬元)2022 2023E 2024E 2025E ROE 7.55%10.03

148、%9.59%11.19%經營活動現金流經營活動現金流 618 1,768 1,722 2,597 ROIC 5.69%8.97%8.50%10.08%凈利潤 1,168 1,762 1,864 2,449 償債能力償債能力 折舊攤銷 142 143 170 190 資產負債率 22.72%25.61%27.49%29.63%財務費用(119)20 20 20 凈負債比率 29.40%34.43%37.92%42.11%投資損失(74)(383)(80)(103)流動比率 3.74 3.17 2.93 2.73 營運資金變動(409)223(282)11 速動比率 2.81 2.38 2.09

149、1.91 其它(90)3 30 30 營運能力營運能力 投資活動現金流投資活動現金流(2,887)(728)(686)(694)總資產周轉率 0.26 0.29 0.32 0.35 資本支出(1,504)(872)(766)(796)應收賬款周轉率 8.41 8.25 7.90 8.14 長期投資(425)0 0 0 應付賬款周轉率 3.04 2.98 2.86 2.91 其他(958)144 80 103 每股指標每股指標(元元)籌資活動現金流籌資活動現金流 482 503(20)(20)每股收益 1.89 2.85 3.02 3.96 短期借款 0 0 0 0 每股經營現金 1.00 2.

150、86 2.79 4.20 長期借款 500 0 0 0 每股凈資產 25.05 28.43 31.44 35.40 其他(18)503(20)(20)估值比率估值比率 現金凈增加額現金凈增加額(1,718)1,571 1,016 1,883 P/E 73.35 48.69 46.02 35.04 P/B 5.54 4.88 4.41 3.92 EV/EBITDA 47.74 40.65 38.02 28.28 資料來源：浙商證券研究所 中微公司(688012)公司深度 39/39 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 股票投資評級說明股票投資評級說明 以報告日后的 6 個月內，證券相對于滬深 30

151、0指數的漲跌幅為標準，定義如下：1.買 入：相對于滬深 300 指數表現20以上；2.增 持：相對于滬深 300 指數表現1020；3.中 性：相對于滬深 300 指數表現1010之間波動；4.減 持：相對于滬深 300 指數表現10以下。行業的投資評級：行業的投資評級：以報告日后的 6 個月內，行業指數相對于滬深 300 指數的漲跌幅為標準，定義如下：1.看 好：行業指數相對于滬深 300 指數表現10%以上；2.中 性：行業指數相對于滬深 300 指數表現10%10%以上；3.看 淡：行業指數相對于滬深 300 指數表現10%以下。我們在此提醒您，不同證券研究機構采用不同的評級術語及評級標

152、準。我們采用的是相對評級體系，表示投資的相對比重。建議：投資者買入或者賣出證券的決定取決于個人的實際情況，比如當前的持倉結構以及其他需要考慮的因素。投資者不應僅僅依靠投資評級來推斷結論。法律聲明及風險提示法律聲明及風險提示 本報告由浙商證券股份有限公司（已具備中國證監會批復的證券投資咨詢業務資格，經營許可證編號為：Z39833000）制作。本報告中的信息均來源于我們認為可靠的已公開資料，但浙商證券股份有限公司及其關聯機構（以下統稱“本公司”）對這些信息的真實性、準確性及完整性不作任何保證，也不保證所包含的信息和建議不發生任何變更。本公司沒有將變更的信息和建議向報告所有接收者進行更新的義務。本報

153、告僅供本公司的客戶作參考之用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本報告僅反映報告作者的出具日的觀點和判斷，在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議，投資者應當對本報告中的信息和意見進行獨立評估，并應同時考量各自的投資目的、財務狀況和特定需求。對依據或者使用本報告所造成的一切后果，本公司及/或其關聯人員均不承擔任何法律責任。本公司的交易人員以及其他專業人士可能會依據不同假設和標準、采用不同的分析方法而口頭或書面發表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。本公司沒有將此意見及建議向報告所有接收者進行更新的義務。本公司的資產管理公司、自營部門

154、以及其他投資業務部門可能獨立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。本報告版權均歸本公司所有，未經本公司事先書面授權，任何機構或個人不得以任何形式復制、發布、傳播本報告的全部或部分內容。經授權刊載、轉發本報告或者摘要的，應當注明本報告發布人和發布日期，并提示使用本報告的風險。未經授權或未按要求刊載、轉發本報告的，應當承擔相應的法律責任。本公司將保留向其追究法律責任的權利。浙商證券研究所浙商證券研究所 上?？偛康刂罚簵罡吣下?729 號陸家嘴世紀金融廣場 1 號樓 25 層 北京地址：北京市東城區朝陽門北大街 8 號富華大廈 E 座 4 層 深圳地址：廣東省深圳市福田區廣電金融中心 33 層 上?？偛苦]政編碼：200127 上?？偛侩娫挘?8621)80108518 上?？偛總髡妫?8621)80106010