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1、中微公司中微公司(688012)(688012)深度報告：深度報告：刻蝕設備領軍企業，內生外延打造平臺型公司刻蝕設備領軍企業，內生外延打造平臺型公司評級：買入(維持)證券研究報告2024年12月30日半導體姚丹丹(證券分析師)鄭奇(證券分析師)李惠(聯系人)S0350524060002S0350524030006S 相對滬深300表現表現1M3M12M中微公司-10.8%20.7%29.2%滬深3002.1%-0.5%16.6%最近一年走勢相關報告中微公司（688012）2024年中報點評：2024H1簽單高增，平臺化布局加速（買入）2024-08-26-35%-15%4%23%43%62%2

2、023/12/27中微公司滬深300市場數據2024/12/30當前價格（元）198.0052周價格區間（元）104.92-256.99總市值（百萬）123,228.02流通市值（百萬）123,228.02總股本（萬股）62,236.37流通股本（萬股）62,236.37日均成交額（百萬）1,686.87 pUtWrUxVoPnPoN8O8QaQpNpPmOnRiNpOnPkPsRnM7NnNwPvPsOtMuOnQqR請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明3核心提要核心提要u 刻蝕刻蝕設備設備領軍企業，多領域布局打開成長空間。領軍企業，多領域布局打開成長空間。中微公司主營刻蝕、薄膜沉積等半

3、導體設備，下游涵蓋集成電路、先進封裝、LED外延片等領域，其半導體設備已被廣泛應用于國際一線客戶從65nm到5nm及更先進的芯片加工工藝。u CCPCCP刻蝕國產龍頭，刻蝕國產龍頭，ICPICP刻蝕穩步突破刻蝕穩步突破。公司已對28nm以上的絕大部分CCP刻蝕應用和28nm及以下的大部分CCP刻蝕應用形成較為全面的覆蓋，ICP刻蝕設備也已在邏輯、DRAM、3D NAND、功率和電源管理以及微電機系統等芯片和器件的60多條客戶的生產線上量產，并持續進行更多刻蝕應用的驗證。u 薄膜沉積設備順利推進，量測檢測設備持續布局。薄膜沉積設備順利推進，量測檢測設備持續布局。根據公司2023年報，公司近兩年開

4、發的LPCVD及ALD設備已有四款進入市場，其他十多種導體薄膜沉積設備也將陸續進入市場；此外公司通過投資布局了光學檢測設備板塊，并計劃開發電子束檢測設備，未來將不斷擴大對多種檢測設備的覆蓋。u 投資建議：投資建議：預計公司2024-2026年營收分別為87億元、116億元、150億元，同比增速分別為40%、32%、29%，歸母凈利潤分別為18億元、25億元、32億元，同比增速分別為1%、37%、30%，對應當前市值的PE分別為68倍、50倍、38倍。公司是國產刻蝕設備龍頭，在刻蝕、薄膜沉積及量測檢測設備領域均有布局。我們維持公司“買入”評級。u 風險提示：風險提示：下游晶圓廠擴產不及預期、新設

5、備驗證進度不及預期、行業競爭程度超預期、毛利率提升不及預期、海外上游零部件斷供風險、匯率波動風險。請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明41 1、刻蝕設備領軍企業，內生外延三維發展、刻蝕設備領軍企業，內生外延三維發展 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明5資料來源：公司官網、公司公告、國海證券研究所u公司于公司于20042004年開始運營，隨后開啟了產品品類的持續擴張之路：年開始運營，隨后開啟了產品品類的持續擴張之路：公司于2007、2010、2012、2016、2017年分別研制成功了首臺CCP刻蝕設備、首臺TSV設備、首臺MOCVD設備、首臺VOC設備、首臺雙反應臺ICP刻蝕設備；同

6、時公司對刻蝕設備進行持續迭代，于2011、2013和2016年分別研制成功了45nm、22nm和7nm介質刻蝕設備，于2017年成功進入國際先進7nm產線，2021年順利付運首臺8英寸CCP刻蝕設備；此外，公司在沉積設備領域持續發力，2022年首臺CVD鎢設備付運客戶，2024年新產品LPCVD設備實現首臺銷售。u在投融資方面，公司于2014年成為第一家“大基金”投資的企業，2015年完成對拓荊的投資，最終于2019年成為科創板首批上市公司。1.1 1.1 國產刻蝕設備領軍者，產品品類持續擴張國產刻蝕設備領軍者，產品品類持續擴張圖表：公司圖表：公司發展歷程發展歷程20042004首臺首臺CCP

7、CCP刻蝕設刻蝕設備研制成功備研制成功2007200745nm45nm介質刻蝕介質刻蝕設備研制設備研制成功成功2010201020112011首臺首臺MOCVDMOCVD設設備研制成功備研制成功201420142012201220162016首臺首臺TSVTSV設備研設備研制成功制成功2024202422nm22nm介質刻蝕介質刻蝕設備研制成功設備研制成功首臺首臺8 8英寸英寸CCPCCP刻刻蝕設備蝕設備順利付運順利付運首臺首臺CVDCVD鎢設備鎢設備付運客戶付運客戶公司啟動公司啟動運營運營201320132015201520212021201720172019201920222022獲得獲得

8、“大基金大基金”投資投資投資拓荊投資拓荊7nm7nm介質刻蝕設介質刻蝕設備研制成功備研制成功首臺雙反應臺首臺雙反應臺ICPICP刻蝕設備研制成功刻蝕設備研制成功科創板上市科創板上市新產品新產品LPCVDLPCVD實現首臺銷售實現首臺銷售 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明6u公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備相關業務，產品包括等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備和公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備相關業務，產品包括等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備和MOCVDMOCVD設備等設備等：半導體設備半導體設備：公司主打產品為等離子體刻蝕設備，此外公司還布局了薄膜設備（主要為化學薄膜和外研設備

9、）和檢測設備；泛半導體設備泛半導體設備：產品以MOCVD設備為主，主要應用于發光二極管、氮化鎵和碳化硅功率器件等三五族化合物半導體器件的生產；非半導體設備非半導體設備：公司積極探索環境保護、健康領域等新業績增長點，子公司中微惠創、中微匯鏈、芯匯康及公司參與投資的標的公司在各自細分領域均取得了進展。1.21.2 內在創新內在創新+外延擴張，三維發展打開成長空間外延擴張，三維發展打開成長空間資料來源：公司公告、國海證券研究所圖表：公司主要產品及下游應用領域（截至圖表：公司主要產品及下游應用領域（截至20242024年半年報）年半年報）產品類別產品類別應用領域應用領域刻蝕設備刻蝕設備CCP刻蝕設備主

10、要應用于集成電路制造中氧化硅、氮化硅，低介電常數模和各種模板層等介質材料的刻蝕ICP刻蝕設備主要應用于在集成電路制造中單晶硅、多晶硅以及多種介質等材料的刻蝕深硅刻蝕設備主要應用于CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、2.5D芯片、3D芯片等通孔及溝槽的刻蝕薄膜沉積設備薄膜沉積設備CVD設備滿足先進邏輯器件、DRAM和3D NAND中接觸孔以及金屬鎢線的填充應用需求ALD設備存儲器件關鍵應用填充MOCVDMOCVD設備設備MOCVD設備 藍綠光及紫外LED外延片和功率器件的生產其他設備其他設備VOC設備平板顯示生產線等工業用的空氣凈化圖表：公司三維發展戰略圖表：公司三維發展戰略資料來源：公司公告 請

11、務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明71.2 1.2 公司創始人資歷深厚公司創始人資歷深厚，激勵，激勵計劃增強人才穩定性計劃增強人才穩定性圖表：公司股權架構（截至圖表：公司股權架構（截至20242024年三季報）年三季報）資料來源：wind、企業預警通、國海證券研究所u公司股權結構較為分散。公司股權結構較為分散。截至2024年三季報，上海國資旗下的上海創業投資有限公司持有公司15.05%的股份，為公司第一大股東，此外國家集成電路產業投資基金及其二期分別持有公司13.04%和3.93%的股份。u創始人技術背景深厚，激勵計劃增強人才穩定性。創始人技術背景深厚，激勵計劃增強人才穩定性。公司創始人兼

12、董事長尹志堯博士曾先后擔任泛林半導體研發部資深工程師、研發部資深經理，以及應用材料等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官等，從業經驗豐富，是公司核心技術人員之一；同時，公司上市后多次發布限制性股票激勵計劃，其中2024年限制性股票激勵計劃激勵對象總人數達到了全體職工的99.72%，預計將有效增強人才團隊的穩定性。15.05%中微半導體設備(上海)股份有限公司巽鑫(上海)投資有限公司13.04%其他48.84%超微半導體設備(上海)有限公司睿勵科學儀器(上海)有限公司江蘇先鋒精密科技股份有限公司60%36.49%1.45%香港中央結算有限公司5.47%華夏上證科創板50成份ETF4.84%國家集成電

13、路產業投資基金二期3.93%上海創業投資有限公司易方達上證科創板50成份ETF3.28%華夏國證半導體芯片ETF1.63%上證50ETF1.45%諾安成長1.27%國家集成電路產業投資基金100%拓荊科技股份有限公司7.37%華泰柏瑞滬深300ETF1.20%請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明8資料來源：wind、國海證券研究所u公司產品持續獲得國內外客戶認可公司產品持續獲得國內外客戶認可，2019-20232019-2023年年經營業績經營業績持續高增持續高增。2019-2023年，公司營收由19.47億元增長至62.64億元，復合增長率達到33.93%，歸母凈利潤由1.89億元增長至

14、17.86億元，實現了75.43%的復合增長率；u2024年前三季度，公司營收同比增長36.27%至55.07億元，其中公司主力產品刻蝕設備收入為44.13億元，同比增速高達53.77%；歸母凈利潤同比下降21.28%，一方面是研發費用同比增長較多，另一方面，2023年同期公司出售持有的部分拓荊科技股票產生股權處置收益，導致2023年歸母凈利潤基數較高。1.3 1.3 新簽訂單新簽訂單持續提升持續提升，2019-20232019-2023年公司業績快速增長年公司業績快速增長資料來源：wind、國海證券研究所圖表：圖表：2019-20242019-2024年前三季度公司年前三季度公司營收情況營收

15、情況圖表：圖表：2019-20242019-2024年前三季度公司年前三季度公司歸母凈利潤情況歸母凈利潤情況 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明9u公司加大研發力度，為持續增長奠定基礎。公司加大研發力度，為持續增長奠定基礎。隨著公司營收規模的持續增長，2019-2024年前三季度公司銷售、管理、研發費用率呈現下降趨勢；研發費用方面，公司重視創新，2019-2023年研發費用率基本維持在13%上下；2024年公司新設備需求快速增長，研發支出增加較多，前三季度研發費用率達到16.6%。u公司公司新簽訂單新簽訂單持續提升。持續提升。2020-2023年，公司新簽訂單由21.68億元提升至83.

16、6億元，復合增長率為56.82%，2024年前三季度新增訂單為76.4億元，同比增長約52%，其中刻蝕設備新增訂單62.5億元，同比增長約54.7%，新產品LPCVD新增訂單3億元，開始啟動放量。1.3 1.3 新簽訂單新簽訂單持續提升持續提升，公司業績快速增長公司業績快速增長資料來源：wind、國海證券研究所資料來源：公司公告、國海證券研究所圖表：圖表：2019-20242019-2024年前三季度公司期間費用率情況年前三季度公司期間費用率情況圖表：圖表：2020-20242020-2024年前三季度公司新簽訂單情況年前三季度公司新簽訂單情況 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明102

17、2、CCPCCP刻蝕國產龍頭，刻蝕國產龍頭，ICPICP刻蝕穩步突破刻蝕穩步突破 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明11u刻蝕是芯片制造的重要工序之一，按照工藝可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種?？涛g是芯片制造的重要工序之一，按照工藝可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。濕法刻蝕主要利用腐蝕劑進行刻蝕，在線寬控制以及刻蝕方向性等方面存在局限性，3m之后的工藝大多采用干法刻蝕，根據華經產業研究院數據，2021年全球干法刻蝕市場規模占比在90%以上，是當前主流技術。u干法刻蝕按照刻蝕的材料不同可以分為介質刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕干法刻蝕按照刻蝕的材料不同可以分為介質刻蝕、硅刻蝕和金屬刻蝕。針對不同材料的

18、刻蝕設備，其市場占比會隨著工藝技術的發展出現此消彼長的情況，例如30nm之后的工藝中出現的多重圖形技術使得硅刻蝕的占比快速增加。根據智研咨詢數據，2022年中國刻蝕設備市場中，介質刻蝕和硅刻蝕占比分別為50.6%和45.6%，應用較為廣泛。2 2.1.1 刻蝕刻蝕為芯片制造重要工序，干法刻蝕為行業主流為芯片制造重要工序，干法刻蝕為行業主流資料來源：中微公司招股書圖表：刻蝕的目的是將圖形從光刻膠轉移到待刻蝕的薄膜上圖表：刻蝕的目的是將圖形從光刻膠轉移到待刻蝕的薄膜上圖表：圖表：干法刻蝕按所刻蝕材料分類情況干法刻蝕按所刻蝕材料分類情況資料來源：中微公司招股書、智研咨詢、國海證券研究所工藝工藝分類分

19、類刻蝕材料刻蝕材料20222022年市場占比年市場占比干法刻蝕介質刻蝕氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等50.6%硅刻蝕單晶硅、多晶硅、硅化物等45.6%金屬刻蝕鋁、鎢等3.8%請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明12u根據控制技術的不同，干法刻蝕主要包括根據控制技術的不同，干法刻蝕主要包括ICPICP（電感耦合等離子體）刻蝕和（電感耦合等離子體）刻蝕和CCPCCP（電容耦合等離子體）刻蝕等類型。（電容耦合等離子體）刻蝕等類型。干法刻蝕是指利用氣態化學刻蝕劑與晶圓上的材料發生反應，進而刻蝕掉需要去除的部分并形成可揮發性的反應生成物，然后將其抽離反應腔的過程?？涛g劑通常產生于等離子氣體，因此

20、干法刻蝕也稱為等離子體刻蝕，而根據等離子體產生和控制技術的不同又可以大致分為ICP（電感耦合等離子體）刻蝕和CCP（電容耦合等離子體）刻蝕等類型。uICP刻蝕主要通過較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟、較薄的硅和金屬等材料，而CCP刻蝕主要通過高能離子刻蝕較硬的電介質材料。根據Gartner數據，2022年ICP刻蝕和CCP刻蝕設備在全球刻蝕設備價值量中的占比分別為47.9%和47.5%，是應用最廣泛的兩類刻蝕設備。2 2.1 1 刻蝕刻蝕為芯片制造重要工序，干法刻蝕為行業主流為芯片制造重要工序，干法刻蝕為行業主流資料來源：集成電路產業全書王陽元等、中微公司招股書、國海證券研究所資料來源

21、：Gartner、中微公司公告、國海證券研究所分類分類刻蝕材料刻蝕材料具體示例具體示例反應腔示意圖反應腔示意圖ICP刻蝕硅和金屬等材料硅淺溝槽(STI)、鍺(Ge)、多晶硅柵、金屬導線等CCP刻蝕電介質材料硬掩膜刻蝕、接觸孔刻蝕等圖表：圖表：ICPICP刻蝕和刻蝕和CCPCCP刻蝕的對比刻蝕的對比圖表：圖表：20222022年全球年全球干法刻蝕設備市場結構干法刻蝕設備市場結構 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明13u由于刻蝕工藝較為復雜，技術壁壘較高，海外巨頭泛林半導體、東京電子、應用材料等占據了市場的主要份額，根據華經產業研究院的數據，2020年三者合計市占率為90.25%，市場集中度

22、較高。國產廠商北方華創、中微公司在刻蝕設備領域均有所突破，目前已在國內晶圓廠產線上實現規?；瘧?。u全球半導體刻蝕設備市場規模預計將實現穩健增長全球半導體刻蝕設備市場規模預計將實現穩健增長。根據Business Research Insights的數據，全球刻蝕設備市場規模將由2023年的207.4億美元增長至2032年的321.7億美元，年均復合增速為5%。2.22.2 海外巨頭壟斷市場海外巨頭壟斷市場，國產廠商嶄露頭角國產廠商嶄露頭角資料來源：華經產業研究院、國海證券研究所資料來源：Business Research Insights圖表：圖表：20202020年全球刻蝕設備市場份額年全球

23、刻蝕設備市場份額圖表：圖表：全球刻蝕設備市場規模（十億美元）全球刻蝕設備市場規模（十億美元）請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明14u先進制程芯片的多重曝光需求使得刻蝕設備的重要性進一步提升。先進制程芯片的多重曝光需求使得刻蝕設備的重要性進一步提升。隨著國際上先進芯片制程從7-5nm階段向更先進工藝方向發展，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝進行曝光，利用刻蝕工藝實現更小的尺寸；uNANDNAND進入進入3D3D時代，其層數增加要求刻蝕技術實現更高深寬比，帶動刻蝕設備需求進一步加大時代，其層數增加要求刻蝕技術實現更高深寬比，帶動刻蝕設備需求進一步加大。3D

24、NAND增加集成度主要是通過增加堆疊層數，因此刻蝕要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上加工40:1到60:1甚至更高的極深孔或極深的溝槽。2.3 2.3 芯片制造技術持續迭代，帶動刻蝕需求增長芯片制造技術持續迭代，帶動刻蝕需求增長資料來源：公司公告圖表：圖表：10nm10nm多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕圖表：存儲器件由圖表：存儲器件由2D2D向向3D3D結構轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵加工步驟結構轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵加工步驟資料來源：公司公告 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明15uCCPCCP刻蝕方面，公司已對刻蝕方面，公司已對28nm28nm以上

25、的絕大部分以上的絕大部分CCPCCP刻蝕應用和刻蝕應用和28nm28nm及以下的大部分及以下的大部分CCPCCP刻蝕應用形成較為全面的覆蓋?？涛g應用形成較為全面的覆蓋。根據公司2024年半年報，DRIE、AD-RIE可以滿足絕大多數28nm以上CCP刻蝕需求，2024H1付運數量超過2023年全年；AD-RIE-e除了持續付運用于最先進邏輯芯片生產線，還取得了先進存儲生產線的重復訂單，2024H1付運量為2023年全年的2倍以上；SD-RIE在首家先進邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕工藝的驗證已進入良率測試階段，并進入第二家客戶進行現場驗證；UD-RIE已經在存儲器件生產線驗證出具有刻

26、蝕60:1深寬比結構的量產能力。uICPICP刻蝕方面，公司設備在涵蓋邏輯、刻蝕方面，公司設備在涵蓋邏輯、DRAMDRAM、3D NAND3D NAND、功率和電源管理以及微電機系統等芯片和器件的、功率和電源管理以及微電機系統等芯片和器件的6060多條客戶的生產線上量產，多條客戶的生產線上量產，并持續進行更多刻蝕應用的驗證。并持續進行更多刻蝕應用的驗證。截至2024年上半年，公司ICP刻蝕設備中的Nanova系列產品在客戶端安裝腔體數近三年實現70%的年均復合增長，8英寸和12英寸深硅刻蝕設備在晶圓級先進封裝、2.5D封裝和微機電系統芯片生產線等成熟市場繼續獲得重復訂單的同時，在12英寸的3D

27、芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證。2.4 2.4 公司公司CCPCCP刻蝕技術領先，刻蝕技術領先，ICPICP刻蝕進展可觀刻蝕進展可觀圖表：圖表：中微公司中微公司CCPCCP刻蝕產品系列及發展路線刻蝕產品系列及發展路線圖表：圖表：中微公司中微公司ICPICP刻蝕產品研發歷史和產品系列刻蝕產品研發歷史和產品系列資料來源：公司公告資料來源：公司公告 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明163 3、薄膜沉積設備順利推進，量測檢測設備持續布局、薄膜沉積設備順利推進，量測檢測設備持續布局 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明17u薄膜薄膜沉積是指沉積是指采用物理或化學方法在襯底材料上沉積一層待

28、處理的薄膜采用物理或化學方法在襯底材料上沉積一層待處理的薄膜材料，根據工作原理不同可分為物理氣相沉積（材料，根據工作原理不同可分為物理氣相沉積（PVDPVD）、化學氣相沉積、化學氣相沉積（CVDCVD）和原子層沉積（和原子層沉積（ALDALD）等：）等：物理氣相沉積（物理氣相沉積（PVDPVD）：是指利用物理方法，如真空蒸發、濺射鍍膜等方式在晶圓表面形成薄膜。在超大規模集成電路產業中，使用最廣泛的是濺射鍍膜，其在高度真空下，將稀有氣體在外加電場作用下電離成離子，在高電壓下轟擊靶材，撞出靶材的分子或原子并使其抵達晶圓表面形成薄膜，主要應用于集成電路的電極和金屬互聯。根據Gartner數據，202

29、0年PVD設備市場占比約為19%，隨著集成電路集成度不斷提高，多層金屬布線的層數越來越多，PVD工藝的應用也將更為廣泛?；瘜W氣相沉積（化學氣相沉積（CVDCVD）：是指不同分壓的多種氣相狀態反應物在一定溫度和氣壓下發生化學反應，生成的固態物質沉積在襯底材料表面從而獲得薄膜。根據Gartner數據，2020年CVD設備市場占比約為66%。原子層沉積（原子層沉積（ALDALD）：）：是指通過單原子膜逐層生長的方式，將原子逐層沉淀在襯底材料上，反應過程中會周期性地在反應腔通入反應前驅物，形成周期性的薄膜沉積，因此擁有非常精準的膜厚控制和優越的臺階覆蓋率，在28nm以下先進制程取得了越來越廣泛的應用。

30、根據Gartner數據，2020年ALD設備市場占比約為11%。3 3.1.1 薄膜沉積為芯片制造核心工序之一，技術路線具備多樣性薄膜沉積為芯片制造核心工序之一，技術路線具備多樣性資料來源：集成電路產業全書王陽元等、國海證券研究所圖表：圖表：薄膜沉積設備分類情況薄膜沉積設備分類情況資料來源：微導納米招股書、Gartner、華經產業研究院、國海證券研究所PVDPVD工藝示意圖工藝示意圖CVDCVD工藝示意圖工藝示意圖分類分類20202020年占比年占比PVD熱蒸發沉積19%等離子體濺射沉積CVD低壓型(LPCVD)66%常壓型(APCVD)金屬有機化合物型(MOCVD)等離子體增強型(PECVD

31、)ALD熱原子層沉積(TALD)11%等離子體增強原子層沉積(PEALD)空間原子層沉積(SALD)電化學原子層沉積(ECALD)大氣壓原子層沉積(AP-ALD)流床式原子層沉積其他4%圖表：圖表：PVDPVD及及CVDCVD工藝示意圖工藝示意圖 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明18u不同沉積工藝各有特長，應用場景有所不同。不同沉積工藝各有特長，應用場景有所不同。PVD技術生長機理簡單，沉積速率高，一般適用于平面的膜層制備；CVD技術的重復性和臺階覆蓋性比PVD略好，但是沉積速度稍慢，通常用于絕緣介質薄膜（如SiO2、SiON等）及金屬薄膜（如W等）的生長；ALD技術沉積速率更為緩慢，

32、但憑借其較好的臺階覆蓋能力和溝槽填充均勻性，能良好適用于柵極側墻介質的制備以及較大高寬比的通孔和溝槽中的薄膜制備。3 3.1.1 薄膜沉積為芯片制造核心工序之一，技術路線具備多樣性薄膜沉積為芯片制造核心工序之一，技術路線具備多樣性資料來源：微導納米招股書圖表：圖表：PVDPVD、CVDCVD、ALDALD成膜效果示意圖成膜效果示意圖圖表：圖表：PVDPVD、CVDCVD、ALDALD技術的對比技術的對比資料來源：集成電路產業全書王陽元等、微導納米招股書、國海證券研究所項目項目PVDPVDCVDCVDALDALD沉積速度較快一般（微米/分鐘）慢（納米/分鐘）鍍膜厚度較厚，均勻性稍差中等厚度原子層

33、級厚度，均勻性好階梯覆蓋能力弱中強適用領域電極和金屬互聯絕緣介質薄膜（如SiO2、SiON等）及金屬薄膜（如W等）高k介質層、金 屬柵極、金屬互聯阻擋層、多重曝光技術 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明193.3.2 2 海外廠商占據優勢份額海外廠商占據優勢份額，國內廠商多領域破局國內廠商多領域破局u根據前瞻產業研究院引用Gartner的數據，三大細分市場均由海外廠商主導，其中應用材料基本壟斷了PVD市場，2019年市場份額為85%；CVD市場中，應用材料、泛林半導體和TEL三足鼎立，2019年市場份額分別為30%、21%和19%；ALD市場則主要由TEL和ASM主導，2019年市場份額

34、分別為31%和29%。u全球薄膜沉積設備市場規模預計穩步提升。全球薄膜沉積設備市場規模預計穩步提升。根據觀研報告網的數據，2025年全球薄膜沉積設備市場規模將達到340億美元，同比增速預計為21.4%。資料來源：Gartner、前瞻產業研究院、國海證券研究所資料來源：觀研報告網、國海證券研究所圖表：圖表：20192019年全球薄膜沉積設備市場份額年全球薄膜沉積設備市場份額圖表：圖表：全球薄膜沉積設備市場規模全球薄膜沉積設備市場規模CVDCVD市場市場PVDPVD市場市場ALDALD市場市場 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明20uMOCVDMOCVD設備方面，公司在全球氮化鎵基設備方面，

35、公司在全球氮化鎵基LED MOCVDLED MOCVD設備市場占據領先地位，并持續拓展其他應用領域。設備市場占據領先地位，并持續拓展其他應用領域。根據公司2023年報，公司用于藍光照明、深紫外LED和Mini-LED顯示的MOCVD產品持續服務客戶，此外公司開發的用于氮化鎵功率器件生產的MOCVD設備，已交付多家國內外領先客戶進行驗證并取得了重復訂單，并且公司也啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產設備的開發，已取得較大的技術進展；u薄膜沉積方面，根據公司薄膜沉積方面，根據公司20232023年報，公司近兩年開發的年報，公司近兩年開發的LPCVDLPCVD及及ALDALD設備已有四款進入市場，其他

36、十多種導體薄膜沉積設備也將陸續進入設備已有四款進入市場，其他十多種導體薄膜沉積設備也將陸續進入市場。市場。公司開發的 CVD鎢設備以及具備三維填充能力的ALD鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現場驗證，并獲得客戶重復量產訂單，應用于高端存儲和邏輯器件的 ALD氮化鈦設備也在穩步推進。2024年前三季度，公司LPCVD新增訂單3億元，新產品開始啟動放量。3.3 MOCVD3.3 MOCVD設備技術領先，設備技術領先，LPCVDLPCVD及及ALDALD設備增長迅速設備增長迅速圖表：圖表：公司公司MOCVDMOCVD產品概覽產品概覽圖表：圖表：公司已有公司已有4 4款款LPCVD-ALDLPCVD-ALD

37、導體導體薄膜沉積設備進入市場薄膜沉積設備進入市場資料來源：公司官網、國海證券研究所資料來源：公司公告設備型號設備型號加工尺寸加工尺寸產品介紹產品介紹PRISMO D-BLUE2/4/6/8英寸首臺被主流LED生產線采用并進行大批量LED外延片生產的國產MOCVD設備PRISMO A74/6/8英寸用于LED外延片大規模量產的MOCVD設備PRISMO HiT32/4英寸用于深紫外LED外延片量產的MOCVD設備PRISMO UniMax4/6/8英寸為高端顯示應用所需的Mini LED大規模生產提供的MOCVD外延解決方案 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明21u應用于前道制程和先進封裝

38、的質量控制根據工藝可細分為量測和檢測兩大環節。應用于前道制程和先進封裝的質量控制根據工藝可細分為量測和檢測兩大環節。量測指對被觀測的晶圓電路上的結構尺寸和材料特性做出的量化描述，如薄膜厚度、關鍵尺寸、刻蝕深度、表面形貌等物理性參數的量測；檢測指在晶圓表面上或電路結構中，檢測其是否出現異質情況，如顆粒污染、表面劃傷、開短路等對芯片工藝性能具有不良影響的特征性結構缺陷。u從技術路線原理上看，檢測和量測包括光學檢測技術、電子束檢測技術和從技術路線原理上看，檢測和量測包括光學檢測技術、電子束檢測技術和X X光量測技術等。光量測技術等。根據中科飛測招股書轉引VLSI Research和QY Resear

39、ch的數據，2020年全球半導體檢測和量測設備市場中，應用光學檢測技術、電子束檢測技術及X光量測技術的設備市場份額占比分別為75.2%、18.7%及2.2%，應用光學檢測技術的設備占比具有領先優勢，電子束檢測技術亦具有一定的市場份額。3.4 3.4 量測檢測設備重要性顯著，公司積極布局光學及電子束檢測量測檢測設備重要性顯著，公司積極布局光學及電子束檢測資料來源：中科飛測招股書圖表：半導體檢測與量測技術圖表：半導體檢測與量測技術圖表：量測和檢測技術分類圖表：量測和檢測技術分類資料來源：中科飛測招股書、國海證券研究所注：根據公開信息一般將28nm作為成熟制程和先進制程的分界線技術名稱技術名稱 光學

40、檢測技術光學檢測技術電子束檢測技術電子束檢測技術X X光量測技術光量測技術主要內容主要內容 基于光學原理，通過對光信號進行計算分析以獲得檢測結果，具有速度快、精度高，無損傷的特點 通過聚焦電子束掃描樣片表面產生樣品圖像以獲得檢測結果，具有精度高、速度較慢的特點，通常用于部分線下抽樣測量部分關鍵區域 基于X光的穿透力強及無損傷特性進行特定場景的測量先進制程先進制程工藝應用工藝應用情況情況應用于28nm及以下的全部先進制程。光學檢測技術因其特點，目前廣泛應用于晶圓制造環節應用于 28nm 及以下的全部先進制程。電子束檢測技術因其具有精度高但速度慢特點，所以基于電子束檢測技術的設備一部分應用于研發環

41、節，一部分應用在部分關鍵區域抽檢或尺寸量測等生產環節，例如納米量級尺度缺陷的復查、部分關鍵區域的表面尺度量測以及部分關鍵區域的抽檢等應用于28nm及以下的全部先進制程，但鑒于X光具有穿透性強、無損傷特性，所以主要應用于特定的場景，如檢測特定金屬成分未來發展未來發展方向方向通過提高光學分辨率，并結合圖像信號處理算法，進一步提高檢測精度提升檢測速度，提高吞吐量，由單一電子束向多通道電子束技術發展基于X光的穿透性特性，擴大應用的場景范圍 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明223.4 3.4 量測檢測設備重要性顯著，公司積極布局光學及電子束檢測量測檢測設備重要性顯著，公司積極布局光學及電子束檢測

42、u根據中科飛測招股書轉引根據中科飛測招股書轉引VLSI ResearchVLSI Research的統計，的統計，20202020年全球半導體檢測和量測設備市場規模為年全球半導體檢測和量測設備市場規模為76.576.5億美元。億美元。其中檢測設備占比為62.6%，包括無圖形晶圓缺陷檢測設備、圖形晶圓缺陷檢測設備、掩膜檢測設備等；量測設備占比為33.5%，包括三維形貌量測設備、薄膜膜厚量測設備、套刻精度量測設備、關鍵尺寸量測設備、掩膜量測設備等；u全球量測檢測設備市場也呈現海外企業壟斷的格局。全球量測檢測設備市場也呈現海外企業壟斷的格局。全球范圍內主要企業包括科磊半導體、應用材料、日立等，科磊半

43、導體一家獨大，根據中科飛測招股書轉引VLSI Research的統計，其在檢測與量測設備的合計市場份額占比為50.8%，中國量測檢測設備國產化率較低，未來國產化空間較大。u公司通過投資布局了光學檢測設備板塊，并計劃開發電子束檢測設備，將不斷擴大對多種檢測設備的覆蓋。公司通過投資布局了光學檢測設備板塊，并計劃開發電子束檢測設備，將不斷擴大對多種檢測設備的覆蓋。資料來源：VLSI Research、QY Research、中科飛測招股書、國海證券研究所圖表：圖表：20202020年全球半導體檢測和量測設備市場結構年全球半導體檢測和量測設備市場結構資料來源：VLSI Research、QY Rese

44、arch、中科飛測招股書、國海證券研究所圖表：圖表：20202020年全球半導體檢測和量測設備市場格局情況年全球半導體檢測和量測設備市場格局情況設備類型設備類型銷售額（億美元）銷售額（億美元）占全球總銷售額比例占全球總銷售額比例納米圖形晶圓缺陷檢測設備18.9 24.7%掩膜版缺陷檢測設備8.6 11.3%關鍵尺寸量測設備7.8 10.2%無圖形晶圓缺陷檢測設備7.4 9.7%電子束關鍵尺寸量測設備6.2 8.1%套刻精度量測設備5.6 7.3%圖形晶圓缺陷檢測設備4.8 6.3%電子束缺陷檢測設備4.4 5.7%電子束缺陷復查設備3.8 4.9%晶圓介質薄膜量測設備2.3 3.0%X光量測設

45、備1.7 2.2%掩膜版關鍵尺寸量測設備1.0 1.3%三維形貌量測設備0.7 0.9%晶圓金屬薄膜量測設備0.4 0.5%其他2.9 3.9%合計合計76.5 76.5 100.0%100.0%請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明234 4、投資建議及風險提示投資建議及風險提示 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明24u專用設備：專用設備：公司是國內刻蝕設備領軍企業，同時積極拓展薄膜沉積、量測檢測等多類設備，未來增長空間可觀，我們預計公司2024-2026年專用設備業務營收增速分別為46%、36%、32%；考慮到規模效應對利潤率的拉動，我們預計公司2024-2026年專用設備業務毛利

46、率分別為45.3%、45.5%、45.7%。u備品備件：備品備件：隨著公司設備累計銷售數量的增加，零部件的更換預計將帶動備品備件收入穩步增長，我們預計公司2024-2026年備品備件業務營收增速將維持在10%左右，預計毛利率將維持在48%左右。4.14.1 投資建議投資建議圖表：分業務盈利預測圖表：分業務盈利預測單位：百萬元單位：百萬元2021A2021A2022A2022A2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E營業總收入3108.13 4739.83 6263.51 8740.58 11566.34 14970.02 同比36.72%52.50%32

47、.15%39.55%32.33%29.43%毛利率43.36%45.74%45.83%45.70%45.81%45.94%專用設備2507.22 3847.46 5165.54 7541.68 10256.69 13538.83 同比39.39%53.46%34.26%46.00%36.00%32.00%毛利率42.20%45.18%45.17%45.30%45.50%45.70%備品備件555.63 834.93 971.17 1068.29 1175.12 1292.63 同比25.79%50.27%16.32%10.00%10.00%10.00%毛利率46.92%46.88%48.30%

48、48.00%48.00%48.00%其他業務45.29 57.43 126.80 130.61 134.53 138.56 同比37.90%26.82%120.78%3.00%3.00%3.00%毛利率63.64%66.48%53.68%50.00%50.00%50.00%資料來源：wind、公司公告、國海證券研究所 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明25u我們預計公司2024-2026年營收分別為87億元、116億元、150億元，同比增速分別為40%、32%、29%，歸母凈利潤分別為18億元、25億元、32億元，同比增速分別為1%、37%、30%，對應當前市值的PE分別為68倍、50倍

49、、38倍。公司是國產刻蝕設備龍頭，在刻蝕、薄膜沉積及量測檢測設備領域均有布局。我們維持公司“買入”評級。4.14.1 投資建議投資建議預測指標預測指標2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E營業收入（百萬元）626487411156614970增長率(%)32403229歸母凈利潤（百萬元）1786180624683211增長率(%)5313730攤薄每股收益（元）2.872.903.975.16ROE(%)1091113P/E53.1568.2249.9438.38P/B5.346.225.645.03P/S15.1914.1010.658.23EV/

50、EBITDA59.6554.0440.6831.53資料來源：wind、國海證券研究所圖表：圖表：盈利預測盈利預測資料來源：wind、國海證券研究所注：以上數據為2024/12/30日收盤數據，可比公司2024-2026年盈利預測取自wind一致預期圖表：可比公司估值圖表：可比公司估值證券代碼證券代碼公司名稱公司名稱PEPE2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E002371.SZ北方華創36.68 37.46 27.87 21.67 688072.SH拓荊科技108.27 64.17 43.26 32.00 688361.SH中科飛測210.39 29

51、7.37 102.38 56.65 平均值118.45 133.00 57.84 36.77 688012.SH中微公司53.15 68.22 49.94 38.38 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明26u 1 1、下游晶圓廠擴產不及預期。、下游晶圓廠擴產不及預期。半導體設備作為晶圓制造的上游產業環節，其設備銷售會受到下游晶圓廠客戶擴產節奏的影響，一旦下游晶圓廠因資金限制、美國加強關鍵設備出口限制等因素推遲擴產，公司的業績也會受到影響。u 2 2、新設備驗證進度不及預期。、新設備驗證進度不及預期。公司近年來在刻蝕設備、薄膜沉積設備等領域持續投入研發，并將新設備送往客戶端驗證，一旦驗證進

52、度不及預期，公司未來業績表現將會受到影響。u 3 3、行業競爭程度超預期。、行業競爭程度超預期。受益于國家政策支持，當前國內從事半導體設備業務的公司正逐漸增加，一旦未來行業競爭過于激烈，產品降價嚴重，公司盈利能力預計將受到影響。u 4 4、毛利率提升不及預期。、毛利率提升不及預期。公司營收體量增長預計將產生規模效應，對整體毛利率提升有正向作用，一旦公司規模效應未順利體現，公司毛利率預計將受到影響。u 5 5、海外上游零部件斷供風險。、海外上游零部件斷供風險。公司部分零部件需要對外采購，一旦因中美摩擦等外部因素導致公司無法順利采購零部件，公司產品生產預計將受到影響。u 6 6、匯率波動風險。、匯

53、率波動風險。公司部分收入來自海外，因此匯率波動會對公司業績產生一定影響。4.4.2 2 風險提示風險提示 請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明27資產負債表（百萬元）資產負債表（百萬元）2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E現金及現金等價物8959820775227061應收款項1213206427313535存貨凈額426085691131814612其他流動資產65581410411329流動資產合計流動資產合計1508715087196551965522611226112653726537固定資產1988222023432455在建工程849

54、759784804無形資產及其他2582336534343572長期股權投資1020121814391592資產總計資產總計2152621526272172721730611306113496034960短期借款0000應付款項1305263734824496合同負債772323434703743其他流動負債1547115314231747流動負債合計流動負債合計36243624702470248375837599869986長期借款及應付債券0250250333其他長期負債79146148150長期負債合計長期負債合計7979396396398398483483負債合計負債合計3702370

55、274197419877387731046910469股本619622622622股東權益17823197982183824491負債和股東權益總計負債和股東權益總計2152621526272172721730611306113496034960利潤表（百萬元）利潤表（百萬元）2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E營業收入營業收入626462648741874111566115661497014970營業成本3393474662688093營業稅金及附加12313849銷售費用492446544689管理費用344507648823財務費用-87-10

56、0-127-115其他費用/（-收入）817140717472231營業利潤營業利潤19801980199419942726272635513551營業外凈收支30111515利潤總額利潤總額20102010200520052741274135663566所得稅費用226201274357凈利潤凈利潤1784180524673209少數股東損益-2-2-1-1歸屬于母公司凈利潤歸屬于母公司凈利潤17861786180618062468246832113211現金流量表（百萬元）現金流量表（百萬元）2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E經營活動現金流經營

57、活動現金流-977-977202202349349605605凈利潤17861786180618062468246832113211少數股東損益-2-2-1-1折舊攤銷176251268285公允價值變動203-100-10-6營運資金變動-2238-1673-2291-2775投資活動現金流投資活動現金流1827-291-609-588資本支出-867-867-905-905-467-467-539-539長期投資2202802-221-153其他492-18879104籌資活動現金流籌資活動現金流223244-435-484債務融資0 00 03 38585權益融資37249000其它-1

58、50-245-438-569現金凈增加額現金凈增加額1085148-695-466每股指標與估值每股指標與估值2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E每股指標每股指標EPS2.892.903.975.16BVPS28.7931.8235.1039.36估值估值P/E53.168.249.938.4P/B5.36.25.65.0P/S15.214.110.78.2財務指標財務指標2023A2023A2024E2024E2025E2025E2026E2026E盈利能力盈利能力ROE10%9%11%13%毛利率46%46%46%46%期間費率12%10%9%9

59、%銷售凈利率29%21%21%21%成長能力成長能力收入增長率32%40%32%29%利潤增長率53%1%37%30%營運能力營運能力總資產周轉率0.300.360.400.46應收賬款周轉率7.025.635.135.08存貨周轉率0.890.740.630.62償債能力償債能力資產負債率17%27%29%30%流動比4.162.802.702.66速動比2.811.461.231.06盈利預測表盈利預測表證券代碼：證券代碼：688012688012股價：股價：198.00198.00投資評級：投資評級：買入買入(維持維持)日期：日期：2024123020241230 請務必閱讀報告附注中的

60、風險提示和免責聲明28研究小組介紹研究小組介紹姚丹丹,鄭奇,本報告中的分析師均具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格并注冊為證券分析師，以勤勉的職業態度，獨立，客觀的出具本報告。本報告清晰準確的反映了分析師本人的研究觀點。分析師本人不曾因，不因，也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收取到任何形式的補償。分析分析師承師承諾諾行業投資評級行業投資評級國海證券投資評級標準國海證券投資評級標準推薦：行業基本面向好，行業指數領先滬深300指數；中性：行業基本面穩定，行業指數跟隨滬深300指數；回避：行業基本面向淡，行業指數落后滬深300指數。股票投資評級股票投資評級買入：相對滬深30

61、0 指數漲幅20%以上；增持：相對滬深300 指數漲幅介于10%20%之間；中性：相對滬深300 指數漲幅介于-10%10%之間；賣出：相對滬深300 指數跌幅10%以上。電子小組介紹電子小組介紹姚丹丹，電子首席分析師，復旦大學金融碩士，8年證券從業經驗，6年電子行業研究經驗，曾是“新財富”、“水晶球”、“金麒麟”團隊重要核心成員，關注產業趨勢，研究發掘價值。作為核心成員，曾獲得2022年新浪“金麒麟”最佳分析師（半導體第四名/消費電子第六名），2021年“新財富最佳分析師”第四名，2021年“賣方分析師水晶球獎”第三名，2021年新浪“金麒麟”最佳分析師第三名等。鄭奇，電子行業分析師，北京理

62、工大學工學碩士，7年實業經驗，3年證券研究經驗。高力洋，電子行業分析師，福特漢姆大學碩士，加州大學圣巴巴拉分校學士，3年證券研究經驗。李明明，電子行業研究助理，紐約大學碩士，加州大學圣地亞哥分校學士，2年證券研究經驗。李惠，電子行業研究助理，復旦大學碩士，2年電子行業研究經驗。傅麒丞，電子行業分析師，謝菲爾德大學金融碩士、國際商務管理碩士，2022、2023年所在團隊新財富最佳分析師入圍，2年證券研究經驗。李曉康，電子行業研究助理，中國科學技術大學碩士，1年證券研究經驗。請務必閱讀報告附注中的風險提示和免責聲明29免責聲明和風險提示免責聲明和風險提示免責聲明免責聲明本報告的風險等級定級為R4，

63、僅供符合國海證券股份有限公司（簡稱“本公司”）投資者適當性管理要求的客戶（簡稱“客戶”）使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶?？蛻艏?或投資者應當認識到有關本報告的短信提示、電話推薦等只是研究觀點的簡要溝通，需以本公司的完整報告為準，本公司接受客戶的后續問詢。本公司具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格。本報告中的信息均來源于公開資料及合法獲得的相關內部外部報告資料，本公司對這些信息的準確性及完整性不作任何保證，不保證其中的信息已做最新變更，也不保證相關的建議不會發生任何變更。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投

64、資收入可能會波動。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。報告中的內容和意見僅供參考，在任何情況下，本報告中所表達的意見并不構成對所述證券買賣的出價和征價。本公司及其本公司員工對使用本報告及其內容所引發的任何直接或間接損失概不負責。本公司或關聯機構可能會持有報告中所提到的公司所發行的證券頭寸并進行交易，還可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等服務。本公司在知曉范圍內依法合規地履行披露義務。市場有風險，投資需謹慎。投資者不應將本報告為作出投資決策的唯一參考因素，亦不應認為本報告可以取代自己的判斷。在決定投資前，如有需要，投資者務必向本公司或其他專業

65、人士咨詢并謹慎決策。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議。投資者務必注意，其據此做出的任何投資決策與本公司、本公司員工或者關聯機構無關。若本公司以外的其他機構（以下簡稱“該機構”）發送本報告，則由該機構獨自為此發送行為負責。通過此途徑獲得本報告的投資者應自行聯系該機構以要求獲悉更詳細信息。本報告不構成本公司向該機構之客戶提供的投資建議。任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。本公司、本公司員工或者關聯機構亦不為該機構之客戶因使用本報告或報告所載內容引起的任何損失承擔任何責任。風險提示風險提示本報告版權歸國海證券所有。未經本公司的明

66、確書面特別授權或協議約定，除法律規定的情況外，任何人不得對本報告的任何內容進行發布、復制、編輯、改編、轉載、播放、展示或以其他任何方式非法使用本報告的部分或者全部內容，否則均構成對本公司版權的侵害，本公司有權依法追究其法律責任。鄭重聲明鄭重聲明 心懷家國，洞悉四海國海研究深圳國海研究深圳深圳市福田區竹子林四路光大銀行大廈28F郵編：518041電話：0755-83706353國海研究上海國海研究上海上海市黃浦區綠地外灘中心C1棟國海證券大廈郵編：200023電話：021-61981300國海研究北京國海研究北京北京市海淀區西直門外大街168號騰達大廈25F郵編：100044電話：010-88576597國海證券研究所電子研究團隊國海證券研究所電子研究團隊