《電子行業深度報告：碳化硅車型密集發布關注國產襯底廠商擴產、器件廠商上車進展-231121（42頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《電子行業深度報告：碳化硅車型密集發布關注國產襯底廠商擴產、器件廠商上車進展-231121（42頁）.pdf（42頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、證券研究報告行業深度報告電子 東吳證券研究所東吳證券研究所 1/42 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 電子行業深度報告 碳化硅碳化硅車型密集發布車型密集發布，關注國產襯底廠商擴，關注國產襯底廠商擴產、器件廠商產、器件廠商上車進展上車進展 2023 年年 11 月月 21 日日 證券分析師證券分析師 馬天翼馬天翼 執業證書：S0600522090001 研究助理研究助理 李璐彤李璐彤 執業證書：S0600122080016 行業走勢行業走勢 相關研究相關研究 華為賦能自動駕駛，國內智駕產業發展加速 2023-11-08 庫存去化與 AI PC 浪潮加速PC 行業

2、復蘇，華為 PC 份額提升趨勢明顯 2023-10-29 增持（維持）Table_Tag 關鍵詞：關鍵詞：#新產品、新技術、新客戶新產品、新技術、新客戶#稀缺資產稀缺資產 Table_Summary 投資要點投資要點 800V 車型密集發布車型密集發布，碳化硅是碳化硅是 800V 高壓快充標配高壓快充標配。碳化硅耐高壓特性適配 800V 高壓快充車型，同時 SiC 方案可實現新能源汽車三電系統降本、增效。23 年有小鵬 G6、極氪 X、智己 LS6 等多款 20-25 萬元價格段的標配碳化硅車型上市，可見新勢力車企的高性能策略已強勢拉動碳化硅滲透，未來仍將有同價格段車型如極氪 007 等上市。

3、碳化硅市場未來將由新能源汽車主導拉動，預計 2028 年全球市場規模有望達到 66 億美元，22-28 年 CAGR 高達 32%襯底端，襯底端，國產產能釋放拉動降本，重視各廠商產能實際交付能力國產產能釋放拉動降本，重視各廠商產能實際交付能力。1）SiC 價格較高限制應用放量，21 年襯底占成本比例約 46%、是產業鏈的核心降本環節，24-25 年國產襯底廠商市場釋放是產業鏈降本、打開需求空間的關鍵時點。2）根據 Yole 數據，2022 年全球碳化硅襯底市場中，Wolfspeed、-和 SICrystal 三家合計占據約 72%市場份額，國產廠商天科合達、天岳先進加速追趕，22 年導電型襯底

4、合計實現營收 1.04億美元，合計占比 15%，同比+5pct。3）盡管各國產廠商規劃產能增速極高，但由于碳化硅襯底存在降低缺陷密度等技術門檻，因此并非所有規劃產能均能如期實際交付，部分廠商未來可能出現技術落后將導致盈利能力不佳，從而放緩擴產節奏，尾部廠商將主動或被動完成產能出清。器件端，器件端，國產廠商研發、國產廠商研發、擴產擴產并舉，并舉，24 年年有望有望成為國產化元年成為國產化元年。1）根據 Yole 數據，2021 年 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業，合計占據 93%的市場份額，其中意法半導體依靠與特斯拉的合作占據全球 40%的市場份額。2）國產設計廠商持續推出導通電阻更低、

5、性能更優的碳化硅芯片產品，同時傳統設計公司已開始涉足碳化硅晶圓制造產線建設，擬完成碳化硅 IDM 能力構建。國產代工廠商持續提升工藝平臺能力、擴建產能。3）可比國產 IGBT 上車歷史，憑借供應本土化優勢，國產碳化硅模塊廠商有望加速上車，24 年有望成為器件國產化元年。投資建議投資建議：碳化硅市場高增長趨勢吸引業界激進投資，遠期規劃產能合計數已超遠期需求，未來供過于求將導致尾部廠商被出清，技術（降本能力）、產能（有效產能）、客戶關系為決定競爭格局的關鍵要素。建議建議關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商，推薦天岳先進（襯底龍頭擴推薦天岳先進（襯底龍頭擴產、拓客

6、并舉，業績拐點將至），建議關注晶升股份（長晶爐）、中芯集產、拓客并舉，業績拐點將至），建議關注晶升股份（長晶爐）、中芯集成（代工廠）、斯達半導（器件）等。成（代工廠）、斯達半導（器件）等。風險提示：風險提示：碳化硅在車端、樁端滲透不及預期風險；國產化進度不及預期風險；擴產進程不及預期風險；價格戰的風險。-10%-8%-6%-4%-2%0%2%4%6%8%10%12%14%2022/11/212023/3/222023/7/212023/11/19電子滬深300 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 2/42 內容目錄內容目

7、錄 1.解決里程焦慮，碳化硅是新能源汽車解決里程焦慮，碳化硅是新能源汽車 800V 高壓快充標配高壓快充標配.5 1.1.新能源汽車：特斯拉引領主驅搭載碳化硅，其他主流廠商上車潮漸進.6 1.2.充電樁：800V 車型滲透，樁端升壓、提效需求拉動碳化硅應用.10 1.3.光伏：應用碳化硅可提升光伏逆變器轉換效率，二極管率先開啟滲透.12 2.產業鏈各環節邁向國產化，技術、產能、客戶三要素制勝產業鏈各環節邁向國產化，技術、產能、客戶三要素制勝.14 2.1.襯底：國產襯底產能釋放拉動降本，重視各廠商產能實際交付能力.15 2.2.長晶爐：受益于國內襯底廠商擴產潮，碳化硅長晶爐需求高增長.20 2

8、.3.外延：外延爐逐步國產化，上游襯底、下游代工廠商均向外延環節延伸.23 2.4.器件：國產廠商技術研發、產能擴建并舉，24 年有望成為國產化元年.25 3.海外大廠風向標海外大廠風向標.28 3.1.擴產：海外大廠積極擴建碳化硅產能，產業鏈上下游合作、收購頻發.28 3.2.技術：8 英寸普及尚需時日，平面與溝槽器件結構共存.31 3.3.襯底龍頭 Wolfspeed 穩中向好，海外大廠均積極看待行業前景.33 4.投資建議：關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商投資建議：關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商.35 4.1.天岳先進：國產碳化硅襯底龍頭擴產、拓客并舉，業績拐點將至.35 4.

9、2.晶升股份：國產碳化硅長晶爐龍頭，受益三安、F 等大客戶擴產.37 4.3.中芯集成：國產車規級代工龍頭，擴產碳化硅、功率 IC 打開長期空間.38 4.4.斯達半導：國產 IGBT 模塊龍頭，自主芯片的碳化硅主驅模塊小批量.39 5.風險提示風險提示.41 4UcVqUrXfWpZuXlYoYNAbRcMaQoMqQmOnOjMoPpOeRtRtQbRqRrPuOqNpPuOnPoO 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 3/42 圖表目錄圖表目錄 圖 1：碳化硅器件分應用領域市場規模預測（單位：億美元）.6 圖 2：

10、SiC 器件和 Si 器件能量損耗對比.6 圖 3：SiC 器件的應用可減小主驅系統體積.6 圖 4：碳化硅滲透率預測.9 圖 5：碳化硅車型銷量預測（單位：萬輛）.9 圖 6：SiC 器件適配高功率充電模塊需求.10 圖 7：采用 Vienna PFC 轉換器拓撲的純電動車三級充電樁.11 圖 8：采用 SiC 二極管替代 Si 二極管有望使效率提升 0.3%.13 圖 9：SiC MOSFET 可以改善光伏逆變器性能.13 圖 10：SiC 的主要替代方案.13 圖 11：碳化硅產業鏈各環節現狀.15 圖 12：碳化硅產業鏈.15 圖 13：碳化硅襯底制造的主要難點.16 圖 14：202

11、1 年碳化硅功率器件成本結構.16 圖 15：21-22 年全球 SiC 襯底市場格局.16 圖 16：襯底晶體缺陷圖示.17 圖 17：襯底晶體缺陷會延伸至外延層.17 圖 18：8 英寸 SiC 襯底提高芯片產出.17 圖 19：公司 D 碳化硅業務營收及凈利率.20 圖 20：公司 L 碳化硅業務營收及凈利率.20 圖 21：天岳先進前五大客戶營收占比.20 圖 22：天岳先進客戶資源優質.20 圖 23：國內襯底廠商梯隊圖.22 圖 24：國內主流襯底廠商凈利潤情況（單位：百萬元）.22 圖 25：2020 年 SiC 外延片競爭格局.24 圖 26：重投天科年產 10 萬片碳化硅外延

12、項目公示.25 圖 27：2021 年全球 SiC 功率器件競爭格局.25 圖 28：海外大廠 2022 年擴產投資額（單位：億元）.28 圖 29：全球企業 8 英寸 SiC 晶圓進展.32 圖 30：降低晶圓成本的多種途徑.32 圖 31：平面型與溝槽型 SiC MOSFET 結構示意圖.33 圖 32：兩種結構的 SiC MOSFET 性能目前沒有顯著差異.33 圖 33：Wolfspeed 營收及毛利率情況.34 圖 34：天岳先進營收情況.36 圖 35：天岳先進扣非后歸母凈利潤情況.36 圖 36：天岳先進期間費用率情況.36 圖 37：天岳先進毛利率、凈利率情況.36 圖 38：

13、天岳先進分業務營收情況（單位：億元）.37 圖 39：天岳先進分業務毛利率情況.37 圖 40：晶升股份營收情況.37 圖 41：晶升股份歸母凈利潤情況.37 圖 42：晶升股份分產品營業收入（單位：億元）.38 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 4/42 圖 43：晶升股份分產品毛利率.38 圖 44：中芯集成營收情況.38 圖 45：中芯集成歸母凈利潤情況.38 圖 46：中芯集成期間費用率情況.39 圖 47：中芯集成毛利率、歸母凈利率情況.39 圖 48：中芯集成產能及產能利用率情況.39 圖 49：中芯集成分

14、產品產能情況（截至 23 年中報）.39 圖 50：斯達半導營收情況.40 圖 51：斯達半導分應用領域營收占比.40 圖 52：斯達半導主營業務分產品營收占比.40 圖 53：斯達半導主營業務分地區營收占比.40 表 1：三代半導體性能指標對比.5 表 2：碳化硅在汽車主驅、OBC、DC/DC 的應用情況.7 表 3：主流車企已上市及待上市碳化硅車型一覽.7 表 4：主流碳化硅車型一覽（紅底為 23H2/24 年上市車型）.8 表 5：全球新能源汽車 SiC 器件市場規模預測.10 表 6：充電樁 SiC 器件應用進展.11 表 7：全球充電樁 SiC 器件市場規模預測.12 表 8：光伏逆

15、變器 SiC 器件應用進展.14 表 9：全球光伏 SiC 器件市場規模預測.14 表 10：不同碳化硅器件對襯底的品質要求.17 表 11：各廠商 8 英寸 SiC 襯底研發成功及量產時間.17 表 12：碳化硅長晶方式對比.18 表 13：發展液相法的碳化硅襯底廠商情況.19 表 14：國內主要碳化硅材料廠商擴產規劃（萬片/年）.19 表 15：23-26 年碳化硅單晶爐市場總空間測算.20 表 16：國內外碳化硅單晶爐廠商競爭格局.21 表 17：國內主要半導體硅片廠商計劃自產或在研晶體生長設備情況.21 表 18：各類晶體生長設備的共性基礎技術.22 表 19：SiC 外延分為異質/同

16、質兩種類型.23 表 20：SiC 外延常見的缺陷類型.23 表 21：國內外碳化硅外延廠商產品/產能布局.24 表 22：國產廠商碳化硅器件設計&研發進展.26 表 23：國產廠商碳化硅產線建設進展.26 表 24：中國新能源乘用車功率模塊裝機量（單位：萬套）.27 表 25：2022 年國外 SiC 項目進展概況.28 表 26：今年以來海外大廠合作事件.29 表 27：2019 年至今全球 SiC 企業并購案件.31 表 28：SiC 龍頭企業產線情況及產能規劃.34 表 29：SiC 龍頭企業業績預期及重大合作/訂單.35 表 30：斯達半導 SiC 相關產能規劃.41 請務必閱讀正文

17、之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 5/42 1.解決里程焦慮，碳化硅是解決里程焦慮，碳化硅是新能源汽車新能源汽車 800V 高壓快充標配高壓快充標配 SiC 屬于第三代半導體，性能參數優異。屬于第三代半導體，性能參數優異。以碳化硅為代表的第三代半導體材料具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速率高、熱導率高、擊穿電場強度高等優勢：1）更大的禁帶寬度可以保證材料在高溫下，電子不易發生躍遷，本征激發弱，從而耐受更高的工作溫度。碳化硅的禁帶寬度約為硅的 3 倍，理論工作溫度可達 400以上。2）飽和電子漂移速率指電子在半導體材料中的最大定向移動速度

18、，決定器件的開關頻率。碳化硅的飽和電子漂移速率是硅的兩倍，有助于提高工作頻率，將器件小型化。3）高溫是影響器件壽命的主要原因之一，熱導率代表了材料的導熱能力，碳化硅的高熱導率可以有效傳導熱量，降低器件溫度，維持正常工作。4）臨界擊穿場強指材料發生電擊穿的電場強度，一旦超過該數值，材料將失去絕緣性能，進而決定了材料的耐壓性能。碳化硅的臨界擊穿場強約為硅的 10 倍，能夠耐受更高的電壓，更適用于高電壓器件。表表1：三代半導體性能指標對比三代半導體性能指標對比 指標參數指標參數 硅（第一代）硅（第一代）砷化鎵（第二代）砷化鎵（第二代）碳化硅（第三代）碳化硅（第三代）氮化鎵（第三代）氮化鎵（第三代）禁

19、帶寬度（eV）1.12 1.42 3.26 3.42 飽和電子漂移速率（1E7cm/s）1.0 2.0 2.7 2.7 熱導率（Wcm-1K-1）1.5 0.46 4.9 1.3 擊穿電場強度（MV/cm）0.3 0.4 2.8 3 數據來源：天岳先進招股書，東吳證券研究所 碳化硅器件旨在為碳化硅器件旨在為應用系統“增效應用系統“增效+降本”降本”，新能源汽車，新能源汽車貢獻主要市場貢獻主要市場。根據 Yole 的數據，2022 年碳化硅功率器件市場規模為 18 億美元，2028 年有望達到 89 億美元，22-28 年 CAGR 高達 31%。碳化硅功率器件可應用于汽車、能源、交通、工業等多

20、個領域，其中汽車占據主導地位，市場規模占比超過七成，2022 年市場規模為 13 億美元，2028年有望達到 66 億美元，22-28 年 CAGR 高達 32%。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 6/42 圖圖1：碳化硅器件分碳化硅器件分應用領域市場應用領域市場規模預測（單位：億美元）規模預測（單位：億美元）數據來源：Yole，東吳證券研究所 1.1.新能源汽車：特斯拉引領主驅搭載碳化硅，其他主流廠商上車潮漸進新能源汽車：特斯拉引領主驅搭載碳化硅，其他主流廠商上車潮漸進 SiC 方案方案可實現可實現新能源汽車三電系統

21、降本、增效新能源汽車三電系統降本、增效。碳化硅憑借高效率、高功率密度等優異特性，為應用系統“降本+增效”。以新能源汽車主驅為例，根據 ST 測算，碳化硅逆變器效率比 IGBT 逆變器高 3.4%，可以有效提升續航、節省電池成本。此外，由于碳化硅逆變器體積較小，還可搭載成本更低的冷卻系統，從而降低整車成本。因此新能源汽車主驅逆變器、車載 OBC、DC/DC 轉換器已率先開啟 SiC SBD、SiC MOS 的滲透。圖圖2：SiC 器件和器件和 Si 器件能量損耗對比器件能量損耗對比 圖圖3：SiC 器件器件的應用可的應用可減小減小主驅系統主驅系統體積體積 數據 來 源：Replacing Si

22、to SiC:Opportunities and challenges，東吳證券研究所 數據來源：博世，東吳證券研究所 SiC 在汽車主驅、在汽車主驅、OBC、DC/DC 系統中系統中均均已開啟滲透已開啟滲透。1）主驅：）主驅：SiC 在純電動車、混動車主驅上都有應用。2018 年，特斯拉率先將 SiC 應用于 Model 3，開啟主驅逆變 SiC 器件的大規模商業化應用，Model 3 全車搭載 24 個 SiC0%5%10%15%20%25%30%35%010203040506070汽車能源交通工業其它20222028E22-28年CAGR 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之

23、后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 7/42 模塊，拆開封裝每顆有 2 個 SiC 裸晶（Die），共計搭載 48 顆 SiC MOSFET。后續有比亞迪、蔚小理、吉利等車企跟進。2）OBC、DC/DC：相比 SiC 主驅逆變器，OBC、DC/DC 所使用的 SiC MOS 允許更高的導通電阻，技術成熟度更高，比亞迪于 18 年就開始在 OBC 中應用碳化硅器件。表表2：碳化硅在汽車主驅、碳化硅在汽車主驅、OBC、DC/DC 的的應用情況應用情況 模塊模塊 SiC 器件類型器件類型 可替換硅基器件可替換硅基器件 相比硅基優勢相比硅基優勢 代表車型代表車型 主驅 MOS

24、FET Si-IGBT 提升能量轉化效率、減小系統體積、提高開關頻率 特斯拉 Model 3/Y、蔚來 ET5/ET7 OBC MOSFET Si-IGBT/Si-MOSFET 提升能量轉化效率、減小系統體積 比亞迪海豹、豐田 bZ4X SBD PFC Si-SBD 提升整流效率 DC/DC MOSFET Si-IGBT/Si-MOSFET 提升能量轉化效率、減小系統體積 SBD 前后兩級 Si-SBD 提升整流效率 數據來源：葫蘆電子社區，瑞森半導體，國際電子商情，東吳證券研究所 主流主流車企車企加速加速推出搭載推出搭載碳化硅碳化硅的車型的車型。據統計，全球大部分主流車企均已有碳化硅車型上市

25、，暫未上市的廠商也有概念車或合作消息公布，如標致的 Inception EV 概念車、寶馬與安森美簽訂供貨協議等，說明碳化硅的應用方案已經得到終端車企的廣泛認可。表表3：主流主流車企已上市及待上市車企已上市及待上市碳化硅車型碳化硅車型一覽一覽 車企車企 車型車型 新勢力車企新勢力車企 特斯拉特斯拉 已上市車型：Model 3、Model Y、Model X Plaid、Model S Plaid 蔚來蔚來 已上市車型：ES8、ES6、EC6、ET7、ET5、ES7、EC7、ET5T 理想理想 待上市車型：待上市車型：MEGA 小鵬小鵬 已上市車型：G9、G6 極氪極氪 已上市車型：極氪 001

26、、極氪 009、極氪 X、極氪 001 FR 待上市車型：待上市車型：極氪極氪 CS1E、極氪、極氪 007 跨界造車跨界造車 華為華為 已上市車型：智界 S7、阿維塔 12 待上市車型：待上市車型：問界問界 M9 小米小米 待上市車型：待上市車型：SU7 國產國產傳統主機廠傳統主機廠 比亞迪比亞迪 已上市車型：唐 EV、漢 EV、海豹、仰望 U8 待上市車型：待上市車型：方程豹豹方程豹豹 5、仰望、仰望 U9 上汽上汽 已上市車型：智己 LS6 海外傳統主機廠海外傳統主機廠 現代現代 已上市車型：Genesis GV60、Genesis G8、IONIQ 5、Genesis GV70 EV、

27、IONIQ 6、待上市車型：待上市車型：IONIQ 7、Genesis X 起亞起亞 已上市車型：起亞 EV6 待上市車型：待上市車型：起亞起亞 EV9 大眾大眾 已上市車型：保時捷 Taycan、奧迪 e-tron GT 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 8/42 待上市車型：待上市車型：保時捷保時捷 Macan、奧迪、奧迪 RS6（2025 年改版）年改版）奔馳奔馳 已上市車型：smart 精靈#1 豐田豐田 已上市車型：Prius、MIRAI、bZ4X、雷克薩斯 RZ 福特福特 已上市車型：野馬 Mach-E 路

28、特斯路特斯 已上市車型：ELETRE 待上市車型：待上市車型：EMEYA 數據來源：新出行，蓋世汽車網，東吳證券研究所整理 23 年已有多款年已有多款 20-25 萬元價格段的標配碳化硅車型上市萬元價格段的標配碳化硅車型上市，助力碳化硅加速滲透。，助力碳化硅加速滲透。根據汽車之家數據，23 年有小鵬 G6、極氪 X、智己 LS6 等多款 20-25 萬元價格段的標配碳化硅車型上市，可見新勢力車企的高性能策略已強勢拉動碳化硅滲透，未來仍將有同價格段車型如極氪 007 等上市。表表4：主流碳化硅車型一覽（紅底為主流碳化硅車型一覽（紅底為 23H2/24 年上市車型）年上市車型）車企車企 車型車型

29、上市時間上市時間 價格段（萬元）價格段（萬元）型號型號 是否是否800V 是否搭載是否搭載 碳化硅碳化硅 新勢力車企新勢力車企 特斯拉特斯拉 Model 3 2018 年 25.99-29.74 B 級轎車/純電 否 標配 Model Y 2020 年 26.39-36.39 B 級 SUV/純電 否 標配 Model X Plaid 2021 年 83.89 B 級 SUV/純電 否 標配 Model S Plaid 2021 年 82.89 B 級轎車/純電 否 標配 蔚來蔚來 ES8 2017 年 49.6-65.6 C 級 SUV/純電 否 標配 ES6 2018 年 33.8-39.

30、6 B 級 SUV/純電 否 標配 EC6 2020 年 35.8-55.4 B 級 SUV/純電 否 標配 ET7 2021 年 42.8-50.6 C 級轎車/純電 否 標配 ET5 2021 年 29.8-35.6 B 級轎車/純電 否 標配 ES7 2022 年 43.8-51.8 C 級 SUV/純電 否 標配 EC7 2022 年 45.8-54.8 C 級 SUV/純電 否 標配 ET5T 2023 年 6 月 29.8-35.6 B 級轎車/純電 否 標配 理想理想 MEGA 2024 年 2 月 50 MPV/純電 是 標配 小鵬小鵬 G9 2022 年 26.39-41.9

31、9 C 級 SUV/純電 是 標配 G6 2023 年 6 月 20.99-27.69 B 級 SUV/純電 是 標配 跨界造車跨界造車 華為華為 智界 S7 2023 年 11 月 25.80-35.80 B 級轎車/純電 是 標配 阿維塔 12 2023 年 11 月 30.08-40.08 B 級轎車/純電 是 標配 問界 M9 2023 年 12 月 50-60 D 級 SUV/純電&混動 是 標配 小米小米 SU7 2024 年 暫無報價 C 級轎車/純電 是 標配 傳統主機廠傳統主機廠 比亞迪比亞迪 唐 EV 2019 年 24.98-34.28 B 級 SUV/純電 類 800V

32、 選配 漢 EV 2020 年 18.98-33.18 B 級轎車/純電 類 800V 選配 海豹 2022 年 16.68-27.98 B 級轎車/純電&混動 類 800V 選配 仰望 U8 2023 年 9 月 109.8 越野 SUV/混動 是 標配 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 9/42 方程豹豹 5 2023 年 11 月 28.98-35.28 越野 SUV/混動 類 800V 標配 仰望 U9 2024 年 暫無報價 超跑/純電 是 標配 吉利吉利 極氪 001 2021 年 26.9-34.9 C

33、級 SUV/純電 否 選配 smart 精靈#1 2022 年 17.9-28.49 A0 級 SUV/純電 否 選配 極氪 009 2022 年 49.9-58.8 C 級 MPV/純電 否 標配 極氪 X 2023 年 4 月 18.98-22.98 A 型 SUV/純電 否 標配 極氪 001 FR 2023 年 10 月 76.9 C 級超跑/純電 是 標配 極越 01 2023 年 11 月 24.99-33.99 C 級 SUV/純電 否 標配 極氪 CS1E 2023 年底 暫無報價 B 級轎車/純電 是 標配 上汽上汽 智己 LS6 2023 年 10 月 22.99-29.1

34、9 C 級 SUV/純電 是 標配 數據來源：汽車之家，東吳證券研究所整理 特斯拉引領、其他車企跟進搭載碳化硅，特斯拉引領、其他車企跟進搭載碳化硅，23 年年 1-8 月其他車企已貢獻月其他車企已貢獻 25%碳化硅碳化硅車型銷量車型銷量。特斯拉作為行業中首個大規模應用碳化硅的車企，旗下 Model 3、Model Y 車型銷量火爆，近年來在國內外造車新勢力的共同努力下，市場結構逐漸走向多元化。根據我們的測算，其他車企在碳化硅車型中的銷量占比 2023 年 1-8 月已達到 25%，其他車企碳化硅滲透率已達 8%，未來滲透率有望逐年提升，與特斯拉共同拉動碳化硅滲透。圖圖4：碳化硅滲透率預測碳化硅

35、滲透率預測 圖圖5：碳化硅車型銷量預測（單位：萬輛）碳化硅車型銷量預測（單位：萬輛）數據來源：Wolfspeed，東吳證券研究所測算 數據來源：Wolfspeed，東吳證券研究所測算 基于以下核心假設：1）電動車滲透率逐年提升；2）純電動車的 SiC 器件主要應用于主驅、OBC、DC/DC；3）伴隨碳化硅國產襯底產能釋放、國產器件實現技術追趕，器件平均價格有望每年降低 15%，從而拉動碳化硅在純電車中滲透。我們預測我們預測 25 年年全球全球新能源汽車新能源汽車 SiC 器件器件市場規模有望達到市場規模有望達到 194 億元，億元，23-25 年年 CAGR 達達 50%。0%20%40%60

36、%202120222023E2024E2025E碳化硅總滲透率(%)碳化硅在非特斯拉車型滲透率(%)02004006008001000202120222023E2024E2025E非特斯拉碳化硅車型銷量特斯拉碳化硅車型銷量 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 10/42 表表5：全球全球新能源汽車新能源汽車SiC器件市場器件市場規模預測規模預測 2021 2022 2023E 2024E 2025E 全球汽車總銷量（萬輛）5640 5749 5800 5800 5800 純電動汽車滲透率 8%13%18%23%28%純電

37、動汽車銷量（萬輛）468 747 1044 1334 1624 碳化硅滲透率 23%22%25%38%50%標配碳化硅新能源汽車銷量（萬輛）108 163 261 507 812 碳化硅平均單車價值量（元/輛）3300 2805 2384 車載碳化硅市場規模（億元）車載碳化硅市場規模（億元）86 142 194 數據來源：EVTank，產業鏈調研，東吳證券研究所測算 1.2.充電樁：充電樁：800V 車型滲透，樁端升壓、提效需求拉動碳化硅應用車型滲透，樁端升壓、提效需求拉動碳化硅應用 SiC 器件器件的的耐高壓、高頻特性耐高壓、高頻特性適配適配直流快充直流快充樁樁需求需求。要滿足新能源汽車快充

38、需求，直流快充樁電壓需要提升到 800-1000V，所用功率器件耐壓必須提高到 1200V 以上，適合應用碳化硅。同時，使用碳化硅器件還可降低拓撲復雜度，減少驅動配套電路數量與功率器件用量，從而降低充電樁體積及系統成本。此外，對于運營商而言，應用 SiC 器件還可以減少開關損耗，提升轉換效率，提高營業利潤。圖圖6：SiC 器件適配高功率充電模塊需求器件適配高功率充電模塊需求 數據來源：電子發燒友，行家說三代半，東吳證券研究所 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 11/42 圖圖7：采用采用 Vienna PFC 轉換器拓

39、撲的純電動車三級充電樁轉換器拓撲的純電動車三級充電樁 數據來源：安森美，東吳證券研究所 充電模塊功率提升充電模塊功率提升，國內外，國內外樁端廠商樁端廠商積極布局積極布局搭載碳化硅的產品搭載碳化硅的產品。南方電網、巨灣技研、FreeWire、Rhombus 等國內外多廠商均已發布碳化硅技術為核心的充電樁項目，據中關村天河寬禁帶半導體技術創新聯盟介紹，采用碳化硅充電模塊的功率可以達到60kW 以上，而采用 IGBT 單管的設計僅達到 15-30kW 水平。未來伴隨直流充電樁功率提高，碳化硅滲透率有望快速提升。表表6：充電充電樁樁 SiC 器件應用器件應用進展進展 廠商廠商/項目項目 產品產品 Si

40、C 應用情應用情況況 歐陸通歐陸通 充電模塊 采用 SiC 技術的 75KW 液冷超充電源模塊，寬電壓輸出 200-1000V、寬電壓輸入260Vac-530V，可實現半載 97%，滿載 96.5%的高效率 優優綠能優優綠能 充電模塊 已推出 40kW、60kW SiC 液冷充電模塊產品，其中 40KW SiC 模塊最高轉換效率可達 97%盛弘股份盛弘股份 充電模塊 SiC MOS 的 50kW 充電模塊，最高效率超過 97%，支持最大 133.3A 電流穩定輸出，支持 50-1000V 超寬電壓輸出范圍 鈦芯電子鈦芯電子 充電模塊 SiCtron功率器件的應用，可以將充電樁充電效率提高到 9

41、6%。以 160KW 充電樁為例，使用碳化硅器件其體積重量可降低 30%，充電時間可縮短 50%，約 30 分鐘可以完成一臺新能源汽車的充電需求 南方電網南方電網 充電樁 采用 SiC 技術，其充電樁充電峰值效率達 96%，充電場站能耗下降 11%，平均 20個樁可節省 2.5 萬度電/年 巨灣技研巨灣技研 充電樁 采用碳化硅充電樁技術，項目總體規劃產能為 8Gwh/年，具備為 12 萬輛新能源汽車實現配套的能力。項目預計 2023 年三季度試產，2025 年全面建成 威勝威勝 充電樁 威勝聯手三安通過研究碳化硅有序充電模塊，打造了碳化硅充電樁，項目已完成試點。以 120kW 充電樁為例，普通

42、充電樁充電效率為 93%，占地面積為 0.4m，碳化硅充電樁充電效率可達 97%，占地面積減少至 0.3m 數據來源：各公司官網，東吳證券研究所 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 12/42 基于以下核心假設：1）汽車留存率隨時間推移而下降；2）國內公用車樁比逐年下降，直流樁占比逐年提升；3）海外公用車樁比逐年下降，直流樁占比與中國保持一致；4）由于 SiC 二極管應用方案較為成熟，而 SiC 模塊需要等待 800V 車型滲透率進一步提高才能大規模應用，因此假設 SiC 二極管滲透率勻速提升，SiC 模塊滲透率加速提升

43、；5）SiC 二極管價格保持穩定，SiC 模塊由于替代元件存在先后順序，每千瓦價值量將逐年提升，直至全面替代。我們預測我們預測 2025 年年全球充電樁全球充電樁 SiC 器件器件市場規模有望達到市場規模有望達到 74 億億元，元，22-25 年年 CAGR 高達高達 330%，高增速，高增速主要主要來自來自 SiC 模塊的模塊的加速加速滲透滲透。表表7：全球充電樁全球充電樁 SiC 器件市場器件市場規模預測規模預測 2021 2022 2023E 2024E 2025E 全球新能源乘用車銷量（萬輛）650 1009 1373 1868 2542 中國新能源乘用車銷量（萬輛）352 689 8

44、93 1157 1500 汽車留存率 88%79%89%85%82%國內新能源車保有量（萬輛）784 1310 2061 2917 3881 國內公用充電樁保有量（萬臺）115 180 290 423 579 其中：直流樁保有量（萬臺）47 76 125 186 261 國內公用車樁比 6.8 7.3 7.1 6.9 6.7 直流樁占比 41%42%43%44%45%國內新增公用充電樁（萬臺）34 65 111 133 157 其中：直流樁新增量（萬臺）16 29 49 61 75 海外新能源乘用車保有量（萬輛）764 926 1306 1826 2533 海外公用充電樁保有量（萬臺）63 8

45、8 131 192 281 其中：直流樁保有量（萬臺）26 37 56 85 127 海外公用車樁比 12.0 10.5 10 9.5 9 海外新增公用充電樁（萬臺）18 25 42 62 89 其中：直流樁新增量（萬臺）9 11 19 28 42 全球新增直流樁（萬臺）25 40 68 90 117 直流樁平均功率（千瓦）138 144 159 174 189 全球直流樁總功率（百萬千瓦）34 58 107 156 220 SiC 二極管滲透率 17%20%30%50%70%SiC 模塊滲透率 0%0.5%1%10%20%SiC 二極管價值量（元/千瓦）5 5 5 5 5 SiC 模塊價值量

46、（元/千瓦）110 120 130 140 150 全球充電樁全球充電樁 SiC 器件市場規模預測（億元）器件市場規模預測（億元）0.4 0.9 3.0 25.7 73.8 數據來源：EVTank，中國汽車工業協會，公安部，充電聯盟，IEA，中商產業研究院，中國汽車產業發展年報 2021，CASA，觀研天下，產業鏈調研，東吳證券研究所測算 1.3.光光伏伏：應用碳化硅可應用碳化硅可提升光伏逆變器轉換效率提升光伏逆變器轉換效率，二極管率先開啟滲透，二極管率先開啟滲透 SiC 器件物理特性優良，器件物理特性優良，顯著顯著提升光伏逆變器轉換效率。提升光伏逆變器轉換效率。根據 Simon Wall 等

47、人在High-efficiency PV inverter with SiC的研究中，在 50KW 的組串式逆變器中，Si 二極管被 SiC 二極管替代后有望實現 0.3%的系統效率提升。根據天科合達招股說明書，使用全 SiC MOSFET 或 SiC MOSFET 與 SiC SBD 結合的功率模塊的光伏逆變器，轉換效 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 13/42 率可從 96%提升至 99%以上，能量損耗降低 50%以上，設備循環壽命提升 50 倍。圖圖8：采用采用 SiC 二極管替代二極管替代 Si 二極管有望使

48、效率提升二極管有望使效率提升 0.3%圖圖9：SiC MOSFET 可以改善可以改善光伏逆變器性能光伏逆變器性能 數據來源：High-efficiency PV inverter with SiC technology，東吳證券研究所 數據來源：天科合達招股說明書（申報稿），東吳證券研究所 根據英飛凌，目前在光伏逆變器的 DC/DC 升壓電路、DC/AC 逆變電路中均有碳化硅器件的替代方案，考慮經濟因素，主要有 IGBT+SiC SBD 和 SiC MOSFET 兩類方案，應用端、功率器件及光伏逆變器廠商都積極推出相關產品。圖圖10：SiC 的的主要主要替代方案替代方案 數據來源：英飛凌，東吳

49、證券研究所 注：紅圈為 SiC SBD，黑框為 Si IGBT，紅框為 SiC MOSFET DF80R12W2H3F_B11FS3L30R07W2H3F_B11DC/DC升壓電路混合升壓電路混合方案方案硅硅IGBT+碳化硅碳化硅SBD升壓升壓模塊模塊DC/AC逆變電路混合逆變電路混合方案方案硅硅IGBT+碳化硅碳化硅SBD逆變逆變模塊模塊DC/AC逆變電路碳化硅逆變電路碳化硅MOS方案方案碳化碳化硅硅MOS逆變逆變模塊模塊FF23MR12W1M1_B11 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 14/42 表表8：光伏逆變

50、器光伏逆變器 SiC 器件器件應用進展應用進展 公司公司 推出年份推出年份 SiC 應用情應用情況況 英飛凌英飛凌 2012 適用于光伏逆變器的耐壓為 1200V 的 SiC 型“CoolSiC 產品群”產品投產 富士電機富士電機 2014 積極推進 SiC MOSFET 的實用化，2014 年 8 月開始量產輸出功率為 1000kW 光伏逆變器 田淵電機田淵電機 2014 采用 SiC 二極管的逆變器通過減少開關損耗和導通損耗，大幅降低了轉換損失 三菱電機三菱電機 2014“全 SiC-IPMT”電源調整器產品，只使用一個逆變器，可支持 4.4kW 的輸出功率，將直流電力轉換成交流電力的轉換

51、效率為 98.0%陽光電源陽光電源 2014 組串逆變器采用了 SiC MOS 器件，并于 2017 年在組串式逆變器中實現規?；瘧?西門子西門子 2020 推出額定輸出功率分別為 155kW 和 165kW 的用于光伏項目的組串式逆變器，均采用了 SiC晶體管設計。與傳統逆變器相比，采用 SiC 晶體管的逆變器具有更高的功率密度，更少的冷卻需求和更低的整體系統成本 安森美半導體安森美半導體 2020 推出了適用于太陽能逆變器應用的全 SiC 功率模塊，已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其 M70A 三相光伏組串逆變器，產品能實現高達 98.8%的峰值能量轉換能效 德國德

52、國 Fraunhofer ISE 2021 研發了一款 250KW 的 SiC 逆變器，可用于連接中壓系統的公用事業規模的光伏項目，其運行轉換效率為 98.4%，可以節省高達 40%的體積 數據來源：各公司公告，東吳證券研究所 基于以下核心假設：1）分布式光伏占比逐年提高；2）SiC 器件只應用于分布式光伏，不應用于集中式光伏；3）由于光伏產品成熟度高，對全新方案的接受度較低，因此假設 SiC 二極管滲透率快速增長，SiC 模塊的滲透率緩慢提升。我們預測我們預測 2025 年年全球全球光伏光伏 SiC 器件器件市場規模有望達到市場規模有望達到 5 億元，億元，22-25 年年 CAGR 達達

53、54%。表表9：全球光伏全球光伏 SiC 器件市場器件市場規模預測規模預測 2021 2022 2023E 2024E 2025E 全球光伏新增裝機量（GW）170 240 275 300 330 其中：分布式（GW）80 115 135 150 168 集中式（GW）90 125 140 150 162 分布式占比 47%48%49%50%51%SiC 二極管滲透率 10%20%30%40%50%SiC 模塊滲透率 0.2%0.4%0.6%0.8%1%SiC 二極管價值量（元/千瓦）5 5 5 5 5 SiC 模塊價值量（元/千瓦）30 30 30 30 30 全球全球光伏光伏 SiC 器件

54、市場規模（億元）器件市場規模（億元）0.4 1.3 2.3 3.4 4.7 數據來源：中國光伏行業協會（CPIA），IEA-PVPS，天科合達招股書，產業鏈調研，東吳證券研究所測算 2.產業鏈產業鏈各環節邁向國產化，技術、產能、客戶三要素制勝各環節邁向國產化，技術、產能、客戶三要素制勝 技術（降本能力）、產能（有效產能）、客戶關系為決定競爭格局的關鍵要素。技術（降本能力）、產能（有效產能）、客戶關系為決定競爭格局的關鍵要素。碳化硅產業鏈自上而下包括襯底、外延、器件設計、晶圓制造、模塊封裝等環節，其中，襯底端為當前的有效產能瓶頸、降本瓶頸環節，器件端國產化、IDM 是大趨勢，技術、產能、客戶關系

55、為決定各環節競爭格局的關鍵要素，建議關注國產襯底廠商擴產、國產器件廠商量產節奏。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 15/42 圖圖11：碳化硅產業鏈碳化硅產業鏈各環節現狀各環節現狀 數據來源：各公司公告，產業鏈調研，東吳證券研究所整理 2.1.襯底：襯底：國產襯底國產襯底產能釋放拉動降本產能釋放拉動降本，重視各廠商產能實際交付能力，重視各廠商產能實際交付能力 SiC 襯底位于產業鏈上游，根據電學性能不同可分為半絕緣型、導電型襯底。襯底位于產業鏈上游，根據電學性能不同可分為半絕緣型、導電型襯底。為滿足下游應用市場對于不同

56、功能芯片的需求，需要制備不同電學性能的碳化硅襯底。根據工信部文件，一類是具有高電阻率（電阻率105cm）的半絕緣型碳化硅襯底，該類襯底采用氮化鎵外延，制成射頻器件，應用于信息通訊、無線電探測等領域；另一類是低電阻率（電阻率區間為 1530mcm）的導電型碳化硅襯底，該類襯底采用碳化硅外延，制成功率器件，應用于新能源汽車、光伏&儲能逆變器、新能源汽車充電樁等領域。圖圖12：碳化硅產業鏈碳化硅產業鏈 數據來源：天岳先進招股書，東吳證券研究所 SiC 價格較高限制應用放量，襯底是產業鏈的核心降本環節。價格較高限制應用放量，襯底是產業鏈的核心降本環節。碳化硅材料具有高熔點、高硬度屬性，制造所需的工藝難

57、度遠高于硅基材料，且由于碳化硅晶體生長速率慢、產品良率低，碳化硅襯底的生產周期遠大于傳統硅基。根據芯八哥數據，2021 年碳化硅 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 16/42 器件制造成本結構中，襯底成本占比約 46%，未來，襯底逐步降本有望打開碳化硅市場天花板。圖圖13：碳化硅襯底制造的主要難點碳化硅襯底制造的主要難點 圖圖14：2021 年碳化硅功率器件成本結構年碳化硅功率器件成本結構 數據來源：恒普科技，東吳證券研究所 數據來源：芯八哥，東吳證券研究所 供給端，海外廠商在供給端，海外廠商在 SiC 襯底襯底賽道具

58、備先發優勢賽道具備先發優勢，國產廠商加速釋放產能，國產廠商加速釋放產能。根據Yole 數據，2022 年全球碳化硅襯底市場中，美國 Wolfspeed、美國-和日本 Rohm（收購德國 SICrystal）三家企業合計占據全球約 72%的市場份額。中國公司天科合達、天岳先進努力追趕，22 年導電型襯底合計實現營收 1.04 億美元，合計占比 15%，同比+5pct。圖圖15：21-22 年全球年全球 SiC 襯底市場格局襯底市場格局 數據來源：Yole，東吳證券研究所 技術端，技術端，SiC 襯底環節尚存多條襯底環節尚存多條技術技術升級、升級、迭代路徑迭代路徑，國產廠商加碼研發。，國產廠商加碼

59、研發。目前全球各大廠商量產的 SiC 襯底均以 PVT 法制造的 6 英寸產品為主，海外龍頭研發歷史久遠、技術積累豐富，在長晶速度、缺陷密度等方面領先，國產廠商正在加速追趕，公司已進入全球第一梯隊。性能參數優化方面，降低位錯缺陷、微管缺陷為關鍵技術方向性能參數優化方面，降低位錯缺陷、微管缺陷為關鍵技術方向 碳化硅器件制造在襯底外延生長的外延層上實現，碳化硅晶體關鍵技術指標包括位錯缺陷（TD）、微管缺陷（MP），會延伸至外延層、從而影響器件品質。降低襯底缺陷襯底,46%外延,23%芯片及模組,22%封測,9%wolfspeed,47%-,13%SiCrystal,16%天科合達,9%SK sil

60、tron css,10%天岳先進,1%其他,3%21年全球年全球SiC襯底市場規模襯底市場規模$4億億wolfspeed,42%-,16%SiCrystal,14%天科合達,13%SK siltron css,8%天岳先進,2%其他,5%22年全球年全球SIC襯底市場規模襯底市場規模$6.9億億 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 17/42 是襯底廠商積累 know-how 的關鍵技術方向，一方面，SiC MOS 對晶體材料的品質要求高于 SiC SBD，對晶體缺陷指標要求更高；另一方面，降低襯底晶體缺陷指標能夠提升器

61、件制造良率、品質，從而降低器件制造成本。圖圖16：襯底晶體缺陷圖示襯底晶體缺陷圖示 圖圖17：襯底晶體缺陷會延伸至外延層襯底晶體缺陷會延伸至外延層 數據來源：人工晶體學報，東吳證券研究所 數據來源：基本半導體官網，東吳證券研究所 表表10：不同碳化硅器件對襯底的品質要求不同碳化硅器件對襯底的品質要求 產品類型產品類型 晶體螺旋位錯（晶體螺旋位錯（TSD）基面位錯（基面位錯（BPD）微管缺陷（微管缺陷（MP）碳化硅二極管 500 個/cm 3000 個/cm 達到 0.5 個/cm 碳化硅 MOSFET 300 個/cm 10001500 個/cm 達到 0.2 個/cm 數據來源：晶升股份，東

62、吳證券研究所 襯底尺寸方面，襯底尺寸方面，8 英寸襯底有待規?；慨a英寸襯底有待規?；慨a Wolfspeed 是全球首家推出8 英寸 SiC 襯底的廠商，目前已實現量產，根據 Wolfspeed數據，對于 32 平方毫米的芯片（Die），一張 8 英寸晶圓可提高約 90%的芯片產出，將單位綜合成本降低 50%，因此 8 英寸乃至更高英寸是未來關鍵技術方向。根據行家說三代半數據，除 Wolfspeed 外，其他國際 SiC 大廠預計將于 2-3 年內量產 8 英寸 SiC 襯底，同時 22 年以來，以天岳先進為代表的國產襯底廠商均已成功研發 8 英寸 SiC 襯底樣片，且天岳先進已于 23H1

63、 實現小批量銷售。圖圖18：8 英寸英寸 SiC 襯底提高芯片產出襯底提高芯片產出 表表11：各廠商各廠商 8 英寸英寸 SiC 襯底研發成功及量產時間襯底研發成功及量產時間 公司公司 成功研發時間成功研發時間 預計量產時間預計量產時間 Wolfspeed 2015 2022（已量產）ROHM 2015 2023-2015 2024 onsemi 2021.09 2023 ST 2021.06 2025 爍科晶體 2022.03-soitec 2022.05-晶盛機電 2022.08-天岳先進 2022.09 2023（已小批量銷售）刃型位錯基平面位錯螺旋位錯螺旋位錯微管 請務必閱讀正文之后的

64、免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 18/42 數據來源：Wolfspeed 官網，東吳證券研究所 數據來源：行家說三代半，東吳證券研究所 長晶方式方面，液相法（長晶方式方面，液相法（LPE）技術有待進一步突破）技術有待進一步突破 物理氣相傳輸法（物理氣相傳輸法（PVT）為國際主流大規模應用的生產方法。）為國際主流大規模應用的生產方法。目前碳化硅單晶的制備方法主要有：物理氣相傳輸法（PVT）、頂部籽晶溶液生長法（TSSG）、高溫化學氣相沉積法（HT-CVD）。其中，PVT 法具有設備簡單，操作容易控制，設備價格以及運行成本低等優點，成為工業

65、生產所采用的主要方法。液相法（液相法（LPE）在長晶成本、品質方面具備優勢，技術有待進一步突破。）在長晶成本、品質方面具備優勢，技術有待進一步突破。液相法（LPE）可解決 PVT 法缺陷密度高、擴徑困難、晶體生長過程不可監測等制約碳化硅發展的關鍵問題，同時具備以下多方面優勢，1）生長成本低：相較于 PVT 法長晶，LPE 法省去了制備高純碳化硅晶體粉末的需要，從原料上可節省部分成本，同時 LPE 法溫度更低，整個過程相對比較穩定，重復性和可靠性相對較好，良率有望得到提升，進而降低成本；2）缺陷密度低：受益于液體環境的生長過程，螺位錯、刃位錯可以轉移，可通過橫向傳導排出位錯；3）適合 P 型晶體

66、生長：受益于液相法溫度較低，可以直接在溶液里做元素摻雜，較易實現 P 型晶體的制備，P 型碳化硅襯底更加適配軌道交通、特高壓輸電等高壓場景。表表12：碳化硅長晶方式對比碳化硅長晶方式對比 長晶方式長晶方式 物理氣相傳輸（物理氣相傳輸（PVT）高溫化學氣相沉淀（高溫化學氣相沉淀（HTCVD）液相法（液相法（LPE）示意圖 工藝 在高溫區（2000）將 SiC 粉末升華，將 SiC 氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部 SiC 晶凝聚為晶體 將 SiH4、C2H4 等反應氣體通過載氣從反應器的底部通入，在中部熱區發生反應并形成 SiC 簇，升華至反應器頂端籽晶處生長，工藝溫度 為 1800-2300

67、 在 1800的溫度下碳硅溶液共溶，從過冷飽和溶液中析出 SiC晶體 優點 設備成本低，結構簡單，是目前主流的晶體生長方法 缺陷少，純度高，摻雜方便 生長成本低，缺陷密度低 缺點 缺陷較難控制，可監控生長參數少 成本較高，設備穩定性低 對材料要求高，金屬雜質難以控制 數據來源：招股說明書，寬禁帶半導體技術創新聯盟，東吳證券研究所 晶錠籽晶石墨坩堝RF線圈SIC粉末熱絕緣體低溫高溫籽晶生長層石墨坩堝斷熱材線圈氣體C2H4SiH4Ar 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 19/42 表表13：發展液相法的碳化硅襯底廠商情況發

68、展液相法的碳化硅襯底廠商情況 公司名稱公司名稱 現狀現狀 未來布局未來布局 天岳先進 采用液相法制備出低缺陷的 8 英寸晶體 持續布局研發 日本住友 研發出 6 英寸 SiC 襯底，可用面積達到 99%以上，長晶速度提高 5倍左右，無基面位錯，晶體螺旋位錯減少到 100 個或更少 預計 2025 年實現月產 1 萬片 SiC 襯底 常州臻晶 采用液相法生長的 P 型襯底，良率可從 50%提高到 75%，長晶效率可提升 2-5 倍，大幅降低碳化硅襯底成本 將在 2025 年推出 8 英寸 SiC 晶格領域 與中科院物理所合作擴建中試線，項目已建成 4-6 英寸液相法碳化硅襯底試驗線，具備 540

69、0 片碳化硅襯底年產能 研發更高質量的 8 英寸碳化硅襯底 數據來源：各公司公告，行家說三代半，化合物半導體雜志，東吳證券研究所 產能端，產能端，國產國產 SiC 襯底廠商產能快速擴張。襯底廠商產能快速擴張。根據各公司公告，國產碳化硅襯底廠商2022 年產能約為 61 萬片/年，預計至 2026 年總產能有望達到 600 萬片/年-650 萬片/年，22-26 年產能 CAGR 超 70%，國產 SiC 襯底廠商積極擴產、把握碳化硅市場窗口期。表表14：國內主要碳化硅材料廠商擴產規劃（萬片國內主要碳化硅材料廠商擴產規劃（萬片/年）年）公司名稱公司名稱 22 年年 現有產能現有產能 26 年年

70、規劃產能規劃產能 公司名稱公司名稱 22 年年 現有產能現有產能 26 年年 規劃產能規劃產能 天岳先進 7.1 108 三安光電 7.2 84 天科合達 10 55 東尼電子 8 50 河北同光 10 70 山西爍科 9.6 30 露笑科技 6 30 中電化合物半導體有限公司 2 7 晶盛機電/40 北京世紀金光半導體有限公司/22 廣州南砂晶圓半導體 技術有限公司/20 浙江博藍特半導體 科技股份有限公司/15 安徽微芯長江半導體 材料有限公司/15 河北天達晶陽半導體 技術股份有限公司 1.2 12 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司/10 蘇州優晶光電科技有限公司/10 國宏

71、中宇科技發展有限公司/10 江蘇晶能半導體材料有限公司/10 中鴻新晶科技有限公司/8 連云港亮晶新材料科技有限公司/8 中科鋼研節能科技有限公司/5.5 江蘇超芯星半導體有限公司/30-50 浙江晶越/1.20 數據來源：招股說明書，各公司公告，電子發燒友，東吳證券研究所 劣等產能將被市場出清，重視國產劣等產能將被市場出清，重視國產廠商產能實際交付能力廠商產能實際交付能力。盡管各國產廠商規劃產能增速極高，但由于碳化硅襯底存在降低缺陷密度等技術門檻，因此并非所有規劃產能均能如期實際交付，以公司 D、公司 L 為例，其 23 年營收增幅有限、盈利能力承壓，因此部分廠商未來可能出現技術落后將導致盈

72、利能力不佳，從而放緩擴產節奏，最終尾部廠商將主動或被動完成產能出清。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 20/42 圖圖19：公司公司 D 碳化硅業務營收及凈利率碳化硅業務營收及凈利率 圖圖20：公司公司 L 碳化硅業務營收及凈利率碳化硅業務營收及凈利率 數據來源：公司公告，東吳證券研究所 數據來源：公司公告，東吳證券研究所 客戶端，以天岳為代表的頭部國產襯底廠商已成功出海至客戶端，以天岳為代表的頭部國產襯底廠商已成功出海至英飛凌、博世等國際大廠英飛凌、博世等國際大廠。21 年及之前，天岳先進主要向以客戶 A、客戶 B

73、為主的無線電探測、信息通信行業廠商供應半絕緣型 SiC 襯底，22 年公司實現將部分產能轉移至導電型襯底后，陸續與國家電網、客戶 A、客戶 B、客戶 E、客戶 F 等建立合作關系，并與英飛凌、博世集團等海外大廠簽訂長期合作協議，至 23H1，公司前五大客戶營收占比已下降至 52%。圖圖21：天岳先進前五大客戶營收占比天岳先進前五大客戶營收占比 圖圖22：天岳先進客戶資源優質天岳先進客戶資源優質 數據來源：公司公告，東吳證券研究所 數據來源：公司公告，東吳證券研究所 2.2.長晶爐：長晶爐：受益受益于于國內襯底廠商擴產國內襯底廠商擴產潮潮，碳化硅長晶爐需求高增長，碳化硅長晶爐需求高增長 結合碳化

74、硅單晶爐年產量、價格等數據進行測算，結合碳化硅單晶爐年產量、價格等數據進行測算，23-26 年國內碳化硅單晶爐市場年國內碳化硅單晶爐市場總空間約總空間約 88 億元，設備需求預計將于未來四年內陸續釋放。億元，設備需求預計將于未來四年內陸續釋放。表表15：23-26 年碳化硅單晶爐市場總空間測算年碳化硅單晶爐市場總空間測算 碳化硅單晶爐空間測算碳化硅單晶爐空間測算 國內產能增量（萬片/年）500 單臺設備產量水平（片/年）400 長晶爐新增規模（臺數）12500 設備單價（萬元）70 23-26 年碳化硅單晶硅爐市場空間（億元）87.5 數據來源：SEMI，晶升股份招股書，東吳證券研究所 注：國

75、內產能增量數據來自表 14 測算-100%-80%-60%-40%-20%0%020406080100120202223H1營收（百萬）凈利率（%）-10000%-8000%-6000%-4000%-2000%0%050100150200250202223H1營收（百萬）凈利率（%）0%20%40%60%80%100%201820192020202120222023H1前五大客戶營收占比（%）請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 21/42 本土設備廠商快速成長，已占據國內碳化硅單晶爐主要市場份額。本土設備廠商快速成長，已

76、占據國內碳化硅單晶爐主要市場份額。國內碳化硅晶體生長設備主流廠商包括北方華創、晶升裝備等，北方華創主要供應天岳先進等多家碳化硅襯底廠商，占國內碳化硅廠商采購份額的比重約 50%以上；公司主要面向三安光電、東尼電子、浙江晶越等多家客戶，市占率約 27.47%-29.01%。寧波恒普、沈陽中科漢達、科友半導體、山東力冠微等其他國內公司尚處于小批量供應或樣機開發及驗證階段。表表16：國內外碳化硅單晶爐廠商競爭格局國內外碳化硅單晶爐廠商競爭格局 公司名稱公司名稱 對應客戶對應客戶 主要應用領域主要應用領域 碳化硅單晶爐出貨情況碳化硅單晶爐出貨情況 碳化硅單晶爐市占率碳化硅單晶爐市占率 北方華創 天岳先

77、進等 4-6 英寸半絕緣型碳化硅襯底 已累計出貨千余臺，預計 2022 年出貨 將超 500 臺 約 50%以上 晶升裝備 三安光電、東尼電子、浙江晶越等 6 英寸導電型 碳化硅襯底及器件 2021 年及 2022 年 1-6 月產量分別為 228 臺和 55 臺，公司預計 2022 年可實現 220 臺至240 臺碳化硅單晶爐銷售，累計可實現 480 臺至 500 臺產品銷售 約 27.47%-29.01%數據來源：招股說明書，東吳證券研究所 表表17：國內主要半導體硅片廠商計劃自產或在研晶體生長設備情況國內主要半導體硅片廠商計劃自產或在研晶體生長設備情況 名稱名稱 是否自產是否自產/在研晶

78、在研晶體生長設備體生長設備 自產自產/在研晶體生長設備基本情況在研晶體生長設備基本情況 采購設備情況采購設備情況 三安光電 否/主要采購自晶升裝備和北方華創 天岳先進 是 天岳先進的晶體生長設備以對外采購的方式為主，目前其在研項目“寬禁帶碳化硅單晶智能化生長裝備研發及產業化項目”正在對 6 英寸碳化硅生長爐進行研發 主要采購自北方華創和晶升裝備 天科合達 是 天科合達的晶體生長設備主要用于滿足其自身碳化硅襯底產能擴張需求，少量設備向下游企業和科研院所進行銷售-東尼電子 否/主要采購自晶升裝備 河北同光半導體股份有限公司 是 河北同光半導體股份有限公司晶體生長設備主要用于自身碳化硅襯底的生產制造

79、-山西爍科新材料有限公司 是 山西爍科晶體有限公司晶體生長設備主要用于自身碳化硅襯底的生產制造-露笑科技 是 露笑科技晶體生長設備主要用于自身碳化硅襯底的生產制造，對外銷售設備規模較小-數據來源：招股說明書，各公司公告，東吳證券研究所 我們判斷，碳化硅長晶設備開發壁壘介于藍寶石、半導體級硅基材料之間，且短期我們判斷，碳化硅長晶設備開發壁壘介于藍寶石、半導體級硅基材料之間，且短期內由于襯底廠商利用外購設備、加速搶占市場入口，長期來看，碳化硅長晶內由于襯底廠商利用外購設備、加速搶占市場入口，長期來看，碳化硅長晶爐標準未定，爐標準未定，襯底廠商應維持一定比例長晶爐外購，以保障技術迭代的靈活性，因此碳

80、化硅襯底廠商襯底廠商應維持一定比例長晶爐外購，以保障技術迭代的靈活性，因此碳化硅襯底廠商自研自研/外購設備將長期共存。未來，碳化硅單晶爐供應商的分化將伴隨技術能力分化而出外購設備將長期共存。未來，碳化硅單晶爐供應商的分化將伴隨技術能力分化而出現，材料廠商、設備廠商均需持續推進新技術研發、共現，材料廠商、設備廠商均需持續推進新技術研發、共逐逐技術護城河。技術護城河。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 22/42 1）短期：設備研發存在較長周期，襯底廠商利用外購設備、加速搶占市場入口）短期：設備研發存在較長周期，襯底廠商利用

81、外購設備、加速搶占市場入口 下游襯底環節行業格局未定，襯底廠商處于搶占襯底市場入口階段。下游襯底環節行業格局未定，襯底廠商處于搶占襯底市場入口階段。由于進入碳化硅襯底市場需要長期的技術積累，目前碳化硅襯底市場主要由美歐日廠商主導，2021 年Wolfspeed、-、SiCrystal、SK Siltron 合計占據全球超 90%市場份額，國內第一梯隊廠商包括天岳先進、天科合達等，其余中小襯底廠商數量已超 30 余家，大量廠商處于搶占襯底市場入口階段，短期內盈利波動使得國內中小襯底廠商難以兼顧設備研發及生產，因此通過外購設備、快速搶占市場入口。圖圖23：國內襯底廠商梯隊圖國內襯底廠商梯隊圖 圖圖

82、24：國內主流襯底廠商凈利潤情況（單位：百萬元）國內主流襯底廠商凈利潤情況（單位：百萬元）數據來源：電子發燒友，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 碳化硅單晶爐開發周期較長，設備廠商基于技術同源性、快速響應客戶需求。碳化硅單晶爐開發周期較長，設備廠商基于技術同源性、快速響應客戶需求。碳化硅單晶爐開發周期分為設計環節和生產環節，設計環節需根據客戶需求確定相應的設計方案，生產環節中需根據設計方案生產系統部裝、整機調試等，根據環球晶圓，碳化硅長晶爐開發周期長達 2 年。設備廠商基于技術同源性、可快速響應客戶需求，以晶升裝備為例，藍寶石、半導體級、碳化硅三類設備均運用設備設計、數值建模

83、及仿真、熱場設計與模擬、晶體生長控制、工藝開發等核心技術，具有一定的共通價值及關聯性。表表18：各類晶體生長設備的共性基礎技術各類晶體生長設備的共性基礎技術 共性基礎技術共性基礎技術 各類晶體生長設備技術關聯性各類晶體生長設備技術關聯性 晶體生長設備設計技術 高溫真空設備設計及技術運用目標均為實現設備結構強度、真空密封性、冷卻性能等技術參數要求，在設計及技術原理、方法等方面具有共通價值及關聯性 熱場的設計與模擬技術 高溫真空設備熱場的基礎物理場均主要為傳熱場和對流場，在熱場設計理念、溫度梯度的構建方式、熱場材料、熱場穩定性及解決方案等方面具有共通價值及關聯性 低速超高精度傳動機構設計技術 高溫

84、真空設備均包含多個運動輔助機構，通過協同運動實現晶體生長，對運動輔助機構的運轉速度、精度及連續穩定性均具有較高要求，在運動輔助機構設計及技術原理、方法等方面具有共通價值及關聯性 數據來源：招股說明書，東吳證券研究所 2）長期：碳化硅單晶爐標準未定，襯底廠商自研、外購設備將長期共存）長期：碳化硅單晶爐標準未定，襯底廠商自研、外購設備將長期共存 碳化硅單晶爐目前標準未定，仍存在性能參數優化、襯底尺寸擴大等技術升級迭代第一梯隊第二梯隊第三梯隊天岳先進、天科合達山西爍科、河北同光、東尼電子露笑科技、三安光電、穩晟材料、超芯星、世紀金光、同光晶體、中電化合物、乾晶半導體等二十余家廠商-1200-1000

85、-800-600-400-2000200東尼電子露笑科技天岳先進2018201920202021 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 23/42 空間，因此襯底廠商應維持一定比例長晶爐外購，以保障技術迭代的靈活性。2.3.外延：外延：外延爐逐步國產化外延爐逐步國產化，上游襯底、下游代，上游襯底、下游代工廠商均向外延環節延伸工廠商均向外延環節延伸 外延工藝必不可少。外延工藝必不可少。與傳統硅器件不同，碳化硅器件不能直接制作在襯底上，需要在襯底上生長一層晶相同、質量更高的單晶薄膜(外延層)，再制作器件。外延可分為同質外延：在

86、導電型 SiC 襯底生長 SiC，常用于低功率器件/射頻器件/光電器件；異質外延：在半絕緣 Sic 襯底生長 GaN，常用于高功率器件。外延晶體更優質可控，層厚越大，耐壓越高。外延晶體更優質可控，層厚越大，耐壓越高。碳化硅晶體生長的過程中會不可避免地產生缺陷、引入雜質，導致質量和性能不足，而外延層的生長可以消除襯底中的某些缺陷，使晶格排列整齊。外延厚度越大（難度越大），能承受的電壓越高，一般 100V 電壓需要 1m 厚度外延，600V 需要 6m，1200-1700V 需要 10-15m，15000V 則需要上百微米（約 150m）。表表19：SiC 外延分為異質外延分為異質/同質兩種類型同

87、質兩種類型 外延類型外延類型 襯底襯底 電阻率電阻率 尺寸尺寸 外延層外延層 器件器件 應用領域應用領域 同質外延 導電型 15-30mcm 6 寸為主，向 8 寸發展 碳化硅 SiC 低功率器件/射頻器件/光電器件 新能源汽車、軌道交通以及大功率輸電變電 異質外延 半絕緣 105cm 4 寸為主，向 6 寸發展 氮化鎵 GaN 高功率器件（650V）信息通訊、無線電探測 數據來源：電子發燒友，東吳證券研究所 SiC 外延需嚴格控制缺陷，工藝難度大。外延需嚴格控制缺陷，工藝難度大。SiC 外延會復制襯底的晶體結構，因此外延層缺陷包括來自襯底的缺陷（如微管、貫穿螺型位錯 TSD、貫穿刃型位錯 T

88、ED、基平面位錯 BPD），以及生長過程的位錯以及宏觀缺陷（如掉落物、三角形缺陷、胡蘿卜缺陷/彗星型缺陷、淺坑、生長的堆垛層錯）。掉落物、三角形缺陷等屬于致命性缺陷。掉落物、三角形缺陷等屬于致命性缺陷。襯底缺陷的 TSD 和 TED 基本不影響碳化硅器件性能，只有 BPD 會引發器件性能的退化。而生長過程的掉落物、三角形缺陷等是致命性缺陷，一旦出現，會導致器件測試失?。〒舸╇妷?VB 降低 20%90%），良率大幅降低。低缺陷低缺陷&厚外延是主要趨勢：厚外延是主要趨勢：隨著器件耐壓等級的提高，外延厚度從過去幾微米發展到幾十甚至上百微米。Wolfspeed（Cree）的 N/P 型碳化硅外延厚度

89、均可達到 200m，國內存在一定差距，瀚天天成 N 型碳化硅外延厚度達 40m，東莞天域 N 型碳化硅外延厚度做到 30m。表表20：SiC 外延常見的缺陷類型外延常見的缺陷類型 類型類型 缺陷缺陷/器件器件 SBD MOSFET，JFET PIN，BJT，晶閘管，晶閘管，IGBT 襯底缺陷 貫穿螺型位錯 TSD（無蝕坑）無 無 無，但會引發局部載流子壽命降低 貫穿刃型位錯 TED（無蝕無 無 無，但會引發局部載流子壽命降低 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 24/42 坑）基平面位錯 BPD（包括界面位錯、半環陣列）

90、無，但會引發 MPS 二極管退化 無，但會引發二極管退化 雙級退化（導通電阻及漏電流增加）生長缺陷 內生堆垛層錯 VB 降低（20-50%）VB 降低（20-50%）VB 降低（20-50%）胡蘿卜缺陷、三角形缺陷 VB 降低（30-70%）VB 降低（30-70%）VB 降低（30-70%）掉落物缺陷 VB 降低（50-90%）VB 降低（50-90%）VB 降低（50-90%）數據來源：基本半導體，DT 新材料，東吳證券研究所 受限進口外延爐供貨短缺，碳化硅外延產能短期具有壟斷性。受限進口外延爐供貨短缺，碳化硅外延產能短期具有壟斷性。2020 年 Wolfspeed 與昭和電工分別占據全球

91、碳化硅導電型外延片市場 52%和 43%的市場份額，合計高達 95%，形成雙寡頭壟斷，2022 年國產廠商產能中瀚天天成、東莞天域 CR2 超 80%。圖圖25：2020 年年 SiC 外延片競爭格局外延片競爭格局 數據來源：Yole，東吳證券研究所 表表21：國內外碳化硅外延廠商產品國內外碳化硅外延廠商產品/產能布局產能布局 廠商廠商 外延片尺寸外延片尺寸 產能產能/規劃規劃 外延設備供應商外延設備供應商 國外 Wolfspeed 6 寸為主，25 年供 8 寸 22 年產約 230 萬片 超 100 臺，Aixtron/LPE 為主 昭和電工 6 寸/8 寸 22 年產約 190 萬片 超

92、 100 臺，Nuflare 為主 SK Siltron 6 寸/8 寸 Qorvo 與 SK Siltron 簽訂一項 SiC 襯底和外延片多年供貨協議-Coherent 8 寸 22 年 3 月宣布擴產 6 英寸和 8 英寸 SiC 襯底和外延片（廠房近 30 萬平方英尺）-國內 瀚天天成 6 寸為主，8 寸已突破 22 年產 12 萬片；23 年產 40 萬片；25 年年產 140 萬片 80 臺，LPE 為主 東莞天域 6 寸為主，8 寸研發中 22 年產 8 萬片，100 萬片產能項目啟動 60 臺，LPE/深圳納設 南京百識 6 寸為主 21 年正式投產，23 年銷售 5 萬片 N

93、uFlare/芯三代為主 中電化合物 6 寸為主 21 年正式投產，23 年銷售 5 萬片 NuFlare、LPE 為主 三安光電 8 寸 公司與意法半導體擬 32 億美元(228 億元)合建 8 英寸碳化硅外延/芯片代工廠 北方華創等 數據來源：芯世相，芯智訊，集邦半導體，東吳證券研究所 52%43%5%wolfspeedshowa Denko其他 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 25/42 上游襯底、下游代工廠商均向外延環節延伸，純外延廠商盈利空間受限。上游襯底、下游代工廠商均向外延環節延伸，純外延廠商盈利空間受

94、限。相較純外延廠商，碳化硅襯底廠商向下游延伸具有更強的客戶優勢，即可為客戶直接供貨外延產品，碳化硅代工廠商向上游延伸具有更強的驗證優勢，即外延產品直接在自有晶圓制造產線驗證可縮短驗證周期，未來純碳化硅襯底廠商盈利空間可能受到擠壓。圖圖26：重投天科年產重投天科年產 10 萬片碳化硅外延項目公示萬片碳化硅外延項目公示 數據來源：重投天科官網，東吳證券研究所 2.4.器件：器件：國產廠商技術研發、產能擴建并舉，國產廠商技術研發、產能擴建并舉，24 年年有望有望成為國產化元年成為國產化元年 供給端，歐美日廠商引領全球碳化硅市場。供給端，歐美日廠商引領全球碳化硅市場。根據 Yole 數據，2021 年

95、 SiC 市場份額前五廠家均為歐美日企業，合計占據 93%的市場份額，其中意法半導體依靠與特斯拉的合作占據全球 40%的市場份額。海外廠商起步較早，在全產業鏈進行布局，尤其在碳化硅襯底、器件環節具有豐富量產經驗和深厚技術積累，形成先發優勢。圖圖27：2021 年全球年全球 SiC 功率器件競爭格局功率器件競爭格局 數據來源：Yole，東吳證券研究所 國產廠商器件設計工藝、代工產能擴建并舉。國產廠商器件設計工藝、代工產能擴建并舉。以斯達半導為代表的設計廠商持續推出導通電阻更低、性能更優的碳化硅芯片產品，同時傳統設計公司已開始涉足碳化硅晶圓制造產線建設，擬完成碳化硅 IDM 能力構建。以中芯集成為

96、代表的代工廠商持續提升工藝平臺能力、擴建產能。意法半導體40%英飛凌22%Wolf speed14%羅姆10%安森美7%三菱2%其他5%請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 26/42 表表22：國產廠商碳化硅器件設計國產廠商碳化硅器件設計&研發進展研發進展 公司公司 車規級碳化硅進度車規級碳化硅進度 斯達半導 SiC MOS：應用于乘用車主控制器的車規級 SiC MOSFET 模塊持續放量，同時使用公司自主芯片的車規級 SiC MOSFET 模塊在主電機控制器客戶完成驗證并開始小批量出貨。士蘭微 SiC MOS：截至 2

97、3 年 6 月，已完成第二代平面柵 SiC-MOSFET 技術的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平?；诠咀灾餮邪l的代 SiC-MOSFET 芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊，已通過部分客戶測試，預計在 23Q3 實現批量生產和交付。時代電氣 截至 23 年 6 月，公司開發了高性能、高可靠的 750-3300V 的 SiC 器件，新能源車用 SiC 產品處于持續驗證階段。揚杰科技 SiC MOS：1200V 17-240mohm、650V 20-120mohm SiC MOSFET 產品于 22 年開發上市，產品性能對標國際標桿 SiC MOS 平面柵企業的第三代水平，1200V

98、 MOS 平臺的比導通電阻（RSP）做到 3.5m.cm以下，FOM值達到 3300m.nC 以下。車載模塊：自主開發的 HPD 以及 DCM 全碳化硅主驅模塊將在 23 年完成 A 樣試制，已獲得多家 Tier1 和終端車企的測試及合作意向，計劃 2025 年完成全國產主驅碳化硅模塊的批量上車。在新能源汽車控制器方面，重點解決了低電感封裝、多芯片均流、銅線互連、銀燒結等關鍵技術，研制了 750V/820A IGBT、750V/400A SiC 三相橋大電流、高可靠功率模塊。東微半導 SiC MOS：截至 23 年 6 月，SiC MOSFET 產品已通過客戶驗證達到批量出貨狀態。應用領域包括

99、新能源汽車車載充電機、光伏逆變及儲能、高效率通信電源、數據中心服務器高效率電源等，實現了對采用傳統技術路線的 SiC MOSFET 的替代。新潔能 SiC MOS：截至 23 年 6 月，已開發完成 1200V 23-62mohm SiC MOSFET 系列產品，新開發 650V SiC MOSFET 工藝平臺，用于新能源汽車 OBC、光伏儲能、工業及自動化等行業，相關產品通過客戶驗證并實現小規模銷售。宏微科技 SiC MOS：截至 23 年 6 月，新能源汽車碳化硅模塊設計電壓 1200V、電流 300-600A，一款整機客戶端認證中，一款設計開發階段。SiC 二極管：SiC 二極管研發成功

100、并實現小批量供貨。華潤微 SiC MOS：截至 23 年 6 月，SiC MOS 系列比導通電阻達到 5m.cm，產品電參數達到國際標桿水平。車規級 SiC MOS 完成首輪 MPW 流片，芯片參數已達到對標水平。SiC 二極管：JBS 系列擁有優異的導通壓降 Vf、Qc 及漏電，系統性能達到國際一線品牌水準。聞泰科技 SiC 二極管：截至 23 年 6 月，公司推出專為需要超高性能、低損耗和高效率的電源應用設計的 650V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。中瓷電子 SiC 功率模塊：收購國聯萬眾，其 SiC 功率模塊覆蓋 650-1700V，已向比亞迪、智旋等重要客戶供貨。瞻芯電子 SiC M

101、OS：IV2Q12040T4Z(1200V 40m SiC MOSFET)于 2023 年 8 月獲得了 AEC-Q101 車規級可靠性認證證書，而且通過了新能源行業頭部企業的導入測試。數據來源：各公司公告，東吳證券研究所 表表23：國產廠商碳化硅產線建設進展國產廠商碳化硅產線建設進展 公司公司 經營模式經營模式 碳化硅產線建設情況碳化硅產線建設情況 中芯集成 代工 截至 23 年 6 月，車規級 SiC（MOS）產能 2000 片/月，預計 23 年底 SiC（MOS&二極管）產能將達到 5000 片/月。揚杰科技 IDM 目前正在建設 5000 片/月的 6 英寸 SiC 芯片生產線，預計

102、 24 年底建成。士蘭微 IDM 截至 23 年 6 月，士蘭明鎵已具備 3,000 片/月產能 6 英寸 SiC 芯片的生產能力，預計 23 年底將形成增至 6,000 片/月（SiC MOSFET 和 SiC SBD）的生產能力。預計 2026 年該產線達產后將形成SiC MOSFET 芯片 12 萬片/年、SiC SBD 芯片 2.4 萬片/年的產能。三安光電 IDM 晶圓制造：截至 23 年 6 月，湖南三安的碳化硅產能已爬坡到 1.5 萬片/月，二期擴產工程預計2023 年底達產后將實現產能 6 寸碳化硅晶圓 50 萬片/年。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲

103、明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 27/42 封裝：湖南三安與理想合資成立蘇州斯科半導體，規劃年產 240 萬只碳化硅半橋功率模塊，該項目基礎建設已完成，設備正陸續入廠，已進入安裝調試階段，待產線通線后進入試生產。燕東微 代工 21 年 12 月，公司已建成月產能 1,000 片的 6 英寸 SiC 晶圓生產線，6 英寸多款 SiC-SBD 產品已提供客戶通過驗證，正在小批量交付。積塔半導體 IDM 截至 23 年 9 月，積塔半導體硅已建在建合計 6 英寸碳化硅產能 3 萬片/月。瞻芯電子 IDM&設計 截至 22 年 7 月，瞻芯電子 6 英寸碳化硅芯片車規級工廠投片，一

104、期設計產能為 30 萬片 6 英寸碳化硅晶圓，已正式投片生產。23 年 8 月瞻芯電子 IV2Q12040T4Z(1200V 40m SiC MOSFET)通過了新能源行業頭部企業的導入測試，正式開啟量產交付?；景雽w IDM 截至23年4月，基本半導體車規級碳化硅芯片產線通線，該產線主要產品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，達產后每年可保障約 50 萬輛新能源汽車的相關芯片需求。芯粵能 代工 公司一期項目規劃 24 年年底 6 吋 SiC 晶圓芯片達產 24 萬片/年，二期項目 26 年 8 吋 SiC 晶圓芯片達產 24 萬片/年，同時啟動三期項目，29 年達產。清芯半導體 設計 截至

105、22 年 4 月，清芯半導體位于廣東東莞的 6 英寸碳化硅功率器件中試生產線建設完成。長飛先進 代工 23 年 9 月，長飛先進半導體項目開工，一期可產 36 萬片/年 SiC MOSFET 晶圓，預計 2025 年建設完成。數據來源：各公司公告，東吳證券研究所 可比國產可比國產 IGBT 上車歷史，上車歷史，24 年年有望有望成為碳化硅器件國產化元年成為碳化硅器件國產化元年。根據 NE 時代數據，中國新能源乘用車功率模塊裝機量中，23H1 前五大國產廠商份額已提升至 54%，可比國產 IGBT 上車歷史，憑借供應本土化優勢，國產碳化硅模塊廠商也有望加速上車，24 年有望成為碳化硅器件國產化元

106、年。表表24：中國新能源乘用車中國新能源乘用車功率模塊裝機量功率模塊裝機量（單位：萬套）（單位：萬套）裝機量裝機量 份額份額 廠商廠商 2021 2022 23H1 2021 2022 23H1 英飛凌 85 128 43 31.4%25.0%12.7%BYD 半導半導 32 117 106 11.8%22.9%31.4%斯達半導斯達半導 52 76 18 19.1%14.9%5.3%時代電氣時代電氣 20 63 38 7.3%12.4%11.4%ST 31 44 29 11.5%8.6%8.7%安森美 19 30 12 7.0%5.9%3.6%博世 19 24 18 7.1%4.6%5.4%

107、富士電機 2 10 6 0.9%2.0%1.9%博格華納 4 7 1.5%1.4%日立 3 4 1.2%0.9%士蘭微士蘭微 12 3.5%中芯集成中芯集成 7 2.0%其他 3 8 47 1.1%1.5%14.1%數據來源：NE 時代，東吳證券研究所 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 28/42 3.海外大廠風向標海外大廠風向標 3.1.擴產：海外大廠積極擴建碳化硅產能，產業鏈上下游合作、收購頻發擴產：海外大廠積極擴建碳化硅產能，產業鏈上下游合作、收購頻發 疫情疫情結束加速結束加速全球全球 SiC 擴產進程。擴產進程

108、。自 2018 年特斯拉 Model 3 發布以來，SiC 企業普遍認為市場需求即將爆發，將擴產安排提上日程，然而新冠疫情的肆虐使得擴產進程不及預期。以 SiC 頭部企業羅姆為例，羅姆于 2018 年 6 月宣布將在日本筑后市新建一座工廠以擴大 SiC 產能，從 2019 年 2 月開始施工，預期于 2020 年底竣工，但由于新冠疫情因素，該工廠直至 2022 年 6 月才正式投產。如今疫情已是過去時，無論是因疫情停滯的老項目，還是等待時機的新項目，都紛紛啟動建設進程。根據2022 碳化硅（SiC）產業調研白皮書，2022 年國外有 30 個碳化硅相關項目擴產或投產，總投資金額超過800億人民

109、幣，新增襯底產能超過250萬片。圖圖28：海外大廠海外大廠 2022 年擴產投資額（單位：億元）年擴產投資額（單位：億元）數據來源：行家說 Research，東吳證券研究所 表表25：2022 年國外年國外 SiC 項目進展概況項目進展概況 企業企業 時間時間 概況概況 投資額投資額 年產能年產能 廠址廠址 Senic 2022 年 1 月 正式建設 SiC 襯底項目 韓國 富士電機 2022 年 1 月 擴大子公司津輕半導體 SiC 器件產能 700 億日元 日本 TOREX 2022 年 2 月 宣布啟動 6 英寸碳化硅器件線，并將在 2022 年推出SiC MOSFET 日本 東芝 20

110、22 年 2 月 功率器件擴產，其中包括建設 8 英寸的 SiC、GaN 產線 1000 億日元 日本 2022 年 3 月 宣布開始在內部生產 SiC 外延片 日本 SK Siltron 2022 年 2 月 擴建龜尾 2 廠，以生產 SiC 晶圓后段工藝 1900 億韓元 韓國 2022 年 9 月 SiC 襯底新工廠正式建成投產 6 億美元 50 萬片 美國 博世 2022 年 2 月 追加投資 2.5 億歐元，進一步擴大 SiC 等產能，預計2025 年投產 2.5 億歐元 數億顆 德國 2022 年 7 月 SiC 工廠按計劃擴建中 4 億歐元 德國 iA 集團 2022 年 3 月

111、 子公司 TRinno Technology 計劃建設 SiC 項目 900 億韓元 韓國 020406080100120140160英飛凌Wolfspeed Coherent東芝ST富士電機安森美博世日立 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 29/42 Soitec 2022 年 3 月 Bernin 4 SiC 襯底工廠奠基，預計 2024 年量產 3.3 億歐元 50 萬片 法國 Coherent 2022 年 3 月 SiC 襯底和外延工廠進行大規模擴建，產能增加 6 倍 10 億美元 100 萬片 美國 Hal

112、o Industries 2022 年 3 月 計劃提高 SiC 晶圓激光切割產能 1.2 萬片 美國 Wolfspeed 2022 年 4 月 SiC 工廠正式開業，投資 10 億美元，產能擴大 30 倍 10 億美元 美國 2022 年 9 月 投資新建世界上最大的 8 英寸 SiC 襯底工廠，將產能增加 10 倍以上 13 億美元 美國 丹佛斯 2022 年 4 月 與賀利式開設 Die Top System 生產線，生產電動機電源模塊，于 2023 年建設第二條生產線 德國 意法半導體 2022 年 5 月 擴大 SiC 模塊產量，潔凈室面積擴大了 30%2.44 億美元 摩洛哥 20

113、22 年 10 月 新建 SiC 襯底工廠，2023 年 1 月開始量產 7.3 億歐元 37 萬片 意大利 OXIDE 2022 年 5 月 建設 8 英寸 SiC 襯底廠，基于名古屋大學液相法 4 億日元 日本 羅姆 2022 年 6 月 SiC 半導體工廠開業，2025 年投資擴大至 1700 億日元 200 億日元 日本 安森美 2022 年 7 月 SiC 研究中心及制造工廠奠基，產能擴大至 10 倍以上 10 億美元 100 萬片 韓國 2022 年 8 月 GTAT SiC 新工廠完成擴建，產能擴充 5 倍 美國 2022 年 9 月 擴建 SiC 外延廠，產能將提高 16 倍

114、4.5 億美元 捷克 英飛凌 2022 年 7 月 寬禁帶半導體第三個廠區正式奠基 20 億歐元 馬來西亞 西格里 2022 年 8 月 石墨產品產能擴展，2 年內完成 數百萬歐元 德國 住友金屬 2022 年 9 月 開建 8 英寸 SiC 復合生產線，預計 2024 年完工 12 萬片 日本 KISAB 2022 年 9 月 完成 750 萬歐元融資，用于擴大 SiC 襯底生產 750 萬歐元 瑞典 恒諾微 2022 年 10 月 子公司 Power Master 將建設 Si 和 SiC 電源管理器件生產線，2022 年底-2023 年初投產 0.65 億美元 韓國 東部高科 2022

115、年 10 月 訂購 GaN 和 SiC 生產設備，推進項目量產商業化 韓國 日立 2022 年 10 月 投資擴產，至 2026 年將 SiC 功率半導體產能提高 3倍 數百億日元 日本 數據來源：2022 碳化硅（SiC）產業調研白皮書，第三代半導體風向，行家說三代半，東吳證券研究所 海外大廠海外大廠積極推動上下游合作。積極推動上下游合作。根據我們的統計，23 年以來海外大廠已宣布 20 余項合作。海外大廠對上下游合作青睞有加，主要有以下原因：1）大廠存在技術先進、供應鏈穩定、規模效應等多種競爭優勢，更容易在同行中脫穎而出；2）大廠規模較大，近年又普遍開展擴產計劃，對未來業務的穩定性有更高要

116、求；3）通過上下游的強強聯合，有利于雙方保持競爭優勢，在未來極端情況下可能出現的供給側出清中搶占先機。表表26：今年以來海外大廠合作事件今年以來海外大廠合作事件 海外大廠海外大廠 時間時間 合作內容合作內容 英飛凌 2023 年 3 月 英飛凌與 Resonac Corporation 簽署了全新的多年期供應和合作協議，將深化雙方在 SiC 材料領域的長期合作伙伴關系。英飛凌未來十年的 SiC 材料約 10%將由 Resonac 供給，前期以 6 英寸材料為主，后期提供 8 英寸材料 2023 年 5 月 英飛凌與天科合達、天岳先進簽訂晶圓和晶錠供應協議，兩家公司都將為英飛凌提供 150 毫米

117、 SiC晶圓和晶錠，每家供應量都約為 10%2023 年 5 月 英飛凌與 Schweizer 擴大在芯片嵌入式領域的合作，旨在將英飛凌的 1200V CoolSiC 芯片直接嵌入 PCB 板 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 30/42 2023 年 5 月 英飛凌與鴻海集團簽訂合作備忘錄，將在電動車領域建立長期合作關系。雙方將聚焦于 SiC 技術在電動車大功率應用的導入，并計劃在中國臺灣共同設立系統應用中心 2023 年 10 月 英飛凌與現代、起亞簽署了 SiC 和 Si 功率半導體的多年供應協議，協議有效期至

118、2030 年 Wolfspeed 2023 年 1 月 Wolfspeed 與梅賽德斯-奔馳達成供應合作協議，梅賽德斯-奔馳部分汽車線的新一代動力總成系統將采用 Wolfspeed 半導體 2023 年 2 月 Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯合研發中心。此外，采埃孚還將投資 Wolfspeed 的下一代 8 英寸碳化硅晶圓工廠 2023 年 3 月 Wolfspeed 將與 NC A&T 建立聯合研發機構，以進一步推進 SiC 技術創新 2023 年 6 月 Wolfspeed 與欣銳科技達成合作意向協議，擬共同推進 SiC MOSFET 在新能源汽車及充電樁領域的應用 2023

119、年 7 月 Wolfspeed 與盛弘股份合作，向盛弘股份供應 Wolfspeed WolfPACK 碳化硅功率模塊，用于盛弘股份新一代電能質量解決方案的 APF 和 SVG 產品 2023 年 7 月 Wolfspeed 與瑞薩電子簽署十年期 SiC 晶圓供應協議，將從 2025 年開始向瑞薩電子提供 6 英寸 SiC襯底和外延片，并在查塔姆工廠全面運作后提供 8 英寸 SiC 襯底和外延片 安森美 2023 年 1 月 安森美與 Ampt 展開合作，Ampt 在直流組串優化器中使用了安森美的 EliteSiC 系列 SiC 技術 2023 年 1 月 安森美與大眾簽署戰略協議，為大眾的下一

120、代平臺系列提供模塊和半導體器件，將首先交付EliteSiC 1200V 主驅逆變器電源模塊 2023 年 3 月 安森美與寶馬簽訂了長期供貨協議，未來將為寶馬 400V 直流母線動力傳動系統提供 EliteSiC 技術解決方案 2023 年 4 月 安森美與極氪簽署長期供應協議，極氪將采用安森美的 M3E 1200V EliteSiC MOSFET 2023 年 5 月 安森美與緯湃科技簽署價值 17.5 億歐元的十年期 SiC 產品供應協議，緯湃科技將向安森美提供2.3 億歐元投資，用于采購 SiC 晶錠生長、晶圓生產和外延的新設備 2023 年 7 月 安森美與博格華納簽署總價值超過 10

121、 億美元的 SiC 供貨協議，博格華納計劃把安森美 EliteSiC 1200V 和 750V 功率器件集成到 VIPER 功率模塊中 2023 年 7 月 安森美與麥格納達成長期供貨協議，麥格納將在電驅動系統中集成安森美的 EliteSiC 智能電源方案，還將投資 4000 萬美元用于安森美新設備采購，以保證未來供應 意法半導體 2023 年 4 月 意法半導體與采埃孚簽署 SiC 器件長期供應協議，意法半導體將從 2025 年起向采埃孚提供超過一千萬個第三代 SiC MOSFET 模塊 2023 年 6 月 意法半導體與三安光電聯合投資 32 億美元建廠，進行 8 英寸 SiC 器件大規模

122、量產，預計于 2025年完成階段性建設并投產，2028 年達產 2023 年 8 月 意法半導體與博格華納合作，為博格華納的 Viper 電源模塊提供 SiC 功率 MOSFET，將應用于沃爾沃純電動汽車 Coherent 2023 年 5 月 Coherent 與三菱電機簽署合作協議，將為三菱電機提供 8 英寸 n 型 4H SiC 襯底 2023 年 10 月 Coherent 與 DENSO 和三菱電機簽訂長期供應協議，以滿足兩家公司對 6 英寸和 8 英寸襯底和外延片需求。此外，DENSO 和三菱電機各投資 5 億美元，共計獲得 Coherent SiC 業務 25%股權 羅姆 202

123、3 年 6 月 羅姆與緯湃科技簽署 SiC 功率元器件長期供貨合作協議，緯湃科技計劃最早從 2024 年開始供應采用羅姆 SiC 芯片的先進逆變器 數據來源：各公司官網，東吳證券研究所 海外海外大廠大廠加速并購加速并購，以實現產業鏈垂直整合以實現產業鏈垂直整合。如果說企業合作是一種間接的產業鏈整合，那么并購就是直接的產業鏈整合，二者互為補充、互相促進。根據 Evertiq 的數據，近年來 SiC 行業內并購數量明顯增加，以美國為例，2006-2022 年間共發生 9 起 SiC企業并購案件，其中 7 起發生于 2018 年及以后。根據我們的統計，2019 年至今全球共 請務必閱讀正文之后的免責

124、聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 31/42 發生 16 起 SiC 企業并購案件，SiC 產業鏈正在海外大廠的推動下快速整合。表表27：2019 年至今全球年至今全球 SiC 企業并購案件企業并購案件 時間時間 收購方收購方 被收購方被收購方 目標業務目標業務 2019 年 意法半導體 Norstel AB SiC 晶圓制造 SK Siltron 杜邦公司的晶圓部門 SiC 襯底 2020 年 Coherent INNOViON 離子注入技術 Coherent Ascatron AB SiC 外延工藝 2021 年 安森美 GTAT SiC

125、 晶錠工藝 Qorvo UnitedSiC SiC 功率器件設計 Soitec NOVASiC SiC 晶圓拋光技術 SK Siltron Yes Power SiC 器件設計與制造 LX Semicon LG Innotek 的半導體業務 SiC 功率設備制造 2022 年 Navitas GeneSiC SiC 設備設計 ASM LPE SiC 外延設備 Advantest CREATES 半導體測試 2023 年 2 月 Veeco Epiluvac AB SiC 外延設備 待完成 博世 TSI SiC 芯片制造 羅姆 東芝 SiC 功率器件制造 羅姆 Solar Frontier 的國

126、富工廠 擴大 SiC 產能 數據來源：Evertiq，各公司官網，東吳證券研究所 3.2.技術：技術：8 英寸普及尚需時日，平面與溝槽器件結構共存英寸普及尚需時日，平面與溝槽器件結構共存 8 英寸英寸 SiC 晶圓晶圓量產已經成為現實。量產已經成為現實。2022 年 4 月，Wolfspeed 位于紐約的莫霍克谷SiC 制造工廠正式開業，成為全行業首個實現 8 英寸 SiC 晶圓量產的企業。目前全球企業都積極布局 8 英寸 SiC 晶圓產線，根據 Yole 的數據，國內外已有十余家企業將 8 英寸 SiC 晶圓量產提上日程，但大部分還處于樣品或小規模量產的階段。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分

127、請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 32/42 圖圖29：全球企業全球企業 8 英寸英寸 SiC 晶圓晶圓進展進展 數據來源：Yole Intelligence，東吳證券研究所 8 英寸并英寸并非非降降低低成本的唯一途徑。成本的唯一途徑。盡管提升晶圓尺寸可以降低 SiC 晶圓的單價，但SiC 晶圓價格高企的主要原因并不在于尺寸，而在于良率低、長晶速度慢等問題。以國產 SiC 襯底龍頭天岳先進為例，盡管持續提升工藝水平，但直至 2021 年 6 月晶棒良率也僅有 50%，襯底良率為 75%，而傳統硅器件整體良率可高達 99%。此外，SiC 晶圓生長約需要

128、 10 天，而硅棒拉晶只需要 2 天半。為此，業內公司極為重視技術創新，從多角度出發共同尋找降低成本的途徑。圖圖30：降低晶圓成本的多種途徑降低晶圓成本的多種途徑 數據來源：Yole Development，東吳證券研究所 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 33/42 SiC MOSFET 可分為可分為平面結構平面結構與與溝槽結構，溝槽結構，兩兩種工藝各有優劣。種工藝各有優劣。平面結構的優點在于工藝簡單，單元一致性較好，雪崩能量較高；缺點在于存在 JFET 效應，從而增加通態電阻，寄生電容也較大。溝槽結構的優點在于沒有

129、 JFET 效應，寄生電容小，開關速度快，開關損耗低；缺點在于工藝復雜，單元一致性較差。海外大廠技術路線差異大海外大廠技術路線差異大，兩種結構共存，兩種結構共存。意法半導體與 Wolfspeed 的產品目前為平面結構，同時也在研究溝槽結構方案；英飛凌的產品專注于溝槽結構，采用的半包溝槽結構性能較好；羅姆的產品自 2015 年從平面結構轉型為溝槽結構，此后一直沿用；安森美的產品雖然是平面結構，但在溝槽結構已積累 20 份有關專利。圖圖31：平面型與溝槽型平面型與溝槽型 SiC MOSFET 結構示意圖結構示意圖 圖圖32：兩種結構的兩種結構的 SiC MOSFET 性能目前沒有顯著差異性能目前沒

130、有顯著差異 數據來源：中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟，東吳證券研究所 數據來源：中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟，東吳證券研究所 3.3.襯底龍頭襯底龍頭 Wolfspeed 穩中向好，海外大廠均積極看待行業前景穩中向好，海外大廠均積極看待行業前景 襯底龍頭企業襯底龍頭企業 Wolfspeed 發展穩中向好。發展穩中向好。過去 SiC 產能不足主要受制于襯底，行業擴產也主要圍繞襯底展開，我們考察了襯底龍頭企業 Wolfspeed 的經營情況，公司近三年的發展可總結為以下兩階段：1）FY21Q2-FY23Q1：受益于電動車快速放量、疫情趨緩等多重因素，公司營收持續增長，毛利也始終維持在 3

131、0%-35%的區間內。2）FY23Q2-FY24Q1：盡管下游需求保持旺盛，但受限于設備備件短缺和新廠建設延遲，公司產能不及預期，營收總體穩定，毛利率有所下降。莫霍克谷工廠未充分利用的成本使 FY24Q1 毛利率下降了 17.4%，如果不考慮該因素，公司 FY24Q1 毛利率相較FY23Q4 上升了 3pct。未來伴隨擴產進度加快，營收、毛利率均有望迎來修復式增長。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 34/42 圖圖33：Wolfspeed 營收及毛利率情況營收及毛利率情況 數據來源：公司官網，東吳證券研究所 注：FY

132、比 CY 早兩個季度，FY24Q1 相當于 CY23Q3，依此類推 龍頭企業積極看待行業前景。龍頭企業積極看待行業前景。近年來行業加速擴產，市場上普遍存在疑慮：碳化硅行業是否會出現產能過剩，甚至全行業虧損的最壞情況，我們認為海外龍頭的經營策略最具指導意義。為此，我們對龍頭企業從產線、資本支出、產能規劃、營收規劃等多方面進行綜合考察，結果顯示，前五大廠商均對行業前景抱有較積極態度。表表28：SiC 龍頭企業產線情況龍頭企業產線情況及產能規劃及產能規劃 企業企業 產線產線 產出產出 資本支出資本支出 產能規劃產能規劃 自有襯底產能規劃自有襯底產能規劃 英飛凌 菲拉赫工廠 8 英寸晶圓 16 億歐元

133、 居林工廠計劃于 24 年投產，預計 2030 年晶圓總產能達 2023 年的 15 倍 居林工廠 8 英寸晶圓 70 億歐元 ST 卡塔尼亞工廠 6&8 英寸晶圓 7.3 億歐元 襯底產線預計 23 年投產 24 年自供 40%襯底 新加坡工廠 6&8 英寸晶圓 重慶工廠 8 英寸晶圓 32 億美元 預計 25Q4 投產，滿產年產能 52 萬片 8 英寸晶圓 摩洛哥工廠 封測 2.44 億美元 深圳工廠 封測 Wolfspeed 查塔姆工廠 8 英寸襯底 一期 13 億美元 一期預計 24 年完成，滿產將使碳化硅襯底產能增加至現在的 10 倍以上 22/24/26 年公司預計生產等效 6 英

134、寸襯底88/127/167萬 片，100%自供襯底 德國工廠 8 英寸晶圓 30 億美元 莫霍克谷工廠 8 英寸晶圓 10 億美元 24 年 7 月產能利用率達到 20%，27 年滿產 達勒姆工廠 6 英寸晶圓 已滿產 羅姆 Lapis 宮崎工廠 6 英寸晶圓 預計 25 年晶圓產量達 21 年 6.5 倍，2030年晶圓產量達 21 年 35 倍 筑后工廠 6&8 英寸晶圓 200 億日元 國富工廠 8 英寸晶圓 安森美 哈德遜工廠 8 英寸襯底 4.15 億美元 襯底產能提升 5 倍 自 供 比 例 已 超 過50%，2030 年目標80%富川工廠 6&8 英寸晶圓 10 億美元 25 年

135、晶圓產能擴大十倍，滿產 100 萬片 8英寸碳化硅晶圓 捷克工廠 6 英寸晶圓 4.5 億美元 將該廠的晶圓產能提高 16 倍 數據來源：各公司官網，東吳證券研究所 0%5%10%15%20%25%30%35%00.511.522.5FY21Q2 FY21Q3 FY21Q4 FY22Q1 FY22Q2 FY22Q3 FY22Q4 FY23Q1 FY23Q2 FY23Q3 FY23Q4 FY24Q1營業收入（億美元）毛利率 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 35/42 表表29：SiC 龍頭企業龍頭企業業績業績預期預期及

136、及重大重大合作合作/訂單訂單 企業企業 業績業績預期預期 重大合作重大合作/訂單訂單 補充補充信息信息 英飛凌 23 年 5 億歐元；25 年 10 億歐元；30 年 70 億歐元，其中汽車、工業各占一半，市占率 30%公司擴產得到了客戶約 50 億歐元的 design win 以及約 10 億歐元的預付款支持 ST 23 年 12 億美元；25 年 20 億美元，市占率 30%；30 年 50 億美元 公司與三安光電聯合投資32億美元建設重慶工廠，三安光電還將單獨建造一個 8 英寸 SiC襯底廠以供應重慶工廠 為實現營收目標，公司會在 2030年前再建一個碳化硅工廠 Wolfspeed 27

137、 年 40 億美元 公司與瑞薩電子簽署十年期 SiC 晶圓供應協議，瑞薩電子支付 20 億美元定金支持公司擴產 羅姆 25 年 1300 億日元，市占率 30%；27 年 2700 億日元 公司與緯湃科技簽署長期供貨合作協議，24-30 年交易額超過 1300 億日元 安森美 23 年市占率 25%，毛利率將達到公司平均水平；27 年 SiC 汽車芯片市占率 40%公司與緯湃科技、博格華納、麥格納等客戶簽署長期合作協議，未來一年內有 57 億美元的LTSA 承諾 公司考慮投入 20 億美元擴建已有工廠，具體擴建哪個工廠尚未確定 數據來源：各公司官網，東吳證券研究所 4.投資建議投資建議：關注具

138、備技術、客戶先發優勢的關注具備技術、客戶先發優勢的國產廠商國產廠商 碳化硅市場高增長趨勢吸引業界激進投資，碳化硅市場高增長趨勢吸引業界激進投資，遠期遠期規劃產能規劃產能合計數已超遠期需求合計數已超遠期需求，未未來供過于求將導致尾部廠商被出清，技術（降本能力）、產能（有效產能）、客戶關系為來供過于求將導致尾部廠商被出清，技術（降本能力）、產能（有效產能）、客戶關系為決定競爭格局的關鍵要素，決定競爭格局的關鍵要素，建議關注建議關注下述具備技術、客戶先發優勢的國產廠商。下述具備技術、客戶先發優勢的國產廠商。4.1.天岳先進：天岳先進：國產碳化硅襯底龍頭擴產、拓客并舉，國產碳化硅襯底龍頭擴產、拓客并舉

139、，業績拐點將至業績拐點將至 22 年業績受產能調整影響出現下滑，年業績受產能調整影響出現下滑，23 年已見邊際改善拐點。年已見邊際改善拐點。18-21 年，通信基站、無線電探測等市場拉動公司半絕緣型襯底營收快速增長，盡管 19、20 年因實施股權激勵確認高額股份支付費用，導致管理費用大幅增加，扣除非經常性損益后，公司 19-21 年均已實現盈利。22 年，一方面，疫情封控對公司上下游供應鏈產生較大影響；另一方面，因疫情導致臨港新工廠產能建設滯后，公司戰略性的將濟南工廠部分產能轉向導電型襯底，因此產生的臨時性產能下滑影響公司 22 年業績。截至 23 年中報，濟南工廠已轉型為導電型產品為主，產品

140、結構調整影響單位成本的不利因素逐步消除，臨港新工廠完成第一階段的機電安裝，23H1 公司營收恢復高增長、毛利率及凈利率回升，伴隨臨港新工廠產能逐步爬坡，公司業績拐點將至。請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 36/42 圖圖34：天岳先進營收情況天岳先進營收情況 圖圖35：天岳先進扣非后歸母凈利潤情況天岳先進扣非后歸母凈利潤情況 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 圖圖36：天岳先進期間費用率情況天岳先進期間費用率情況 圖圖37：天岳先進毛利率、凈利率情況天岳先進毛利率、凈利率情況 數據

141、來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 分業務看，分業務看，22 年碳化硅襯底產能調整已完成，營收、盈利能力雙拐點將至。年碳化硅襯底產能調整已完成，營收、盈利能力雙拐點將至。1）碳化硅襯底：碳化硅襯底：包括導電型襯底、半絕緣型襯底兩類產品，2020 年及之前，公司業務核心聚焦半絕緣型碳化硅襯底，營收受通信基站、無線電探測等市場拉動，毛利率伴隨良率提升而提升。22 年濟南工廠產能調整導致營收、毛利率均受到一定負面影響，預計伴隨臨港新工廠產能逐步爬坡，公司碳化硅襯底業務將有望迎來營收、盈利能力雙拐點。2）其他業務：其他業務：其他業務主要為生產過程中無法達到半導體級要求的

142、晶棒、不合格襯底等產品的銷售，其他業務營收占比已由 2018 年的 38%降低至 23H1 年的15%，說明公司擴大碳化硅襯底產量的同時，產品不合格率逐漸下降。-50%0%50%100%150%200%250%02468102018201920202021202223Q1-3營業收入（億元，左軸）YoY（%，右軸）-3-2.5-2-1.5-1-0.500.52018201920202021202223Q1-3扣非歸母凈利潤（億元）-40%0%40%80%120%160%200%2018201920202021202223Q1-3銷售費用率管理費用率研發費用率財務費用率-150%-100%-50

143、%0%50%2018201920202021202223Q1-3毛利率凈利率扣非歸母凈利率 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 37/42 圖圖38：天岳先進分業務營收情況（單位：億元）天岳先進分業務營收情況（單位：億元）圖圖39：天岳先進分業務毛利率情況天岳先進分業務毛利率情況 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 風險提示：風險提示：下游需求不及預期的風險；產能、產量提升不及預期的風險；市場競爭加劇的風險；技術迭代不及預期的風險；供應商和客戶集中度較高的風險。4.2.晶升股份：晶升股

144、份：國產碳化硅長晶爐龍頭，受益三安、國產碳化硅長晶爐龍頭，受益三安、F 等大客戶擴產等大客戶擴產 受益下游受益下游碳化硅襯底廠商擴產碳化硅襯底廠商擴產，業績業績快速增長?？焖僭鲩L。受益下游碳化硅襯底廠商擴產，公司業績呈現快速增長趨勢。23Q1-3，公司實現營收 2.4 億元，同比+82%，歸母凈利潤 0.4億元，同比+127%，伴隨產能擴建、大客戶訂單放量，公司業績有望延續快速增長趨勢。圖圖40：晶升股份晶升股份營收情況營收情況 圖圖41：晶升股份晶升股份歸母凈利潤情況歸母凈利潤情況 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 碳化硅碳化硅長晶爐貢獻六成營收長晶爐貢

145、獻六成營收，規模效應有望拉動毛利率回升。，規模效應有望拉動毛利率回升。22 年公司碳化硅、半導體級長晶爐營收分別為 1.46 億元、0.66 億元，營收占比為 66%、30%。毛利率方面，未來伴隨規模效應帶來成本攤薄，公司碳化硅長晶爐毛利率有望回升。0123456201820192020202120222023H1其他業務收入碳化硅襯底收入-40%-20%0%20%40%60%80%201820192020202120222023H1碳化硅襯底其他業務0%100%200%300%400%500%00.511.522.5320192020202120222023Q1-3營業收入（億元，左軸）YO

146、Y（%，右軸）-100%0%100%200%300%400%-0.2-0.100.10.20.30.40.520192020202120222023Q1-3歸母凈利潤（億元，左軸）YOY（%，右軸）請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 38/42 圖圖42：晶升股份分產品營業收入（單位：億元）晶升股份分產品營業收入（單位：億元）圖圖43：晶升股份分產品毛利率晶升股份分產品毛利率 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 風險提示：風險提示：下游行業發展不及預期；市場競爭加劇風險；主要客戶流失風

147、險；產業發展處于起步階段及經營規模較??；毛利率水平波動的風險。4.3.中芯集成：中芯集成：國產車規級代工龍頭，擴產碳化硅、功率國產車規級代工龍頭，擴產碳化硅、功率 IC 打開長期空間打開長期空間 營收持續快速增長，利潤短期受產線建設產生大量折舊拖累。營收持續快速增長，利潤短期受產線建設產生大量折舊拖累。營收端，伴隨銷售晶圓數量增加，及產品結構優化帶動價格提升，公司營收持續快速增長，23Q1-3 公司營業收入、主營業務收入分別同比+22%、+46%，達到 38.32 億元、37.5 億元。利潤端，由于產線建設產生大量折舊，公司近年利潤尚未轉正，但伴隨營收快速增長、期間費用攤薄，毛利率、凈利率整體

148、呈現提升趨勢。圖圖44：中芯集成營收情況中芯集成營收情況 圖圖45：中芯集成歸母凈利潤情況中芯集成歸母凈利潤情況 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 00.511.522.5201920202021202223H1終端產品銷售及配套技術服務其他晶體生長設備藍寶石單晶爐半導體級單晶硅爐碳化硅單晶生長爐0%15%30%45%60%2019年2020年2021年2022年半導體級單晶硅爐毛利率碳化硅單晶爐毛利率0%40%80%120%160%200%01020304050201920202021202223Q1-3營業收入（億元，左軸）YOY（%，右軸）-100%

149、-75%-50%-25%0%25%-16-12-8-40201920202021202223Q1-3歸母凈利潤（億元，左軸）YOY（%，右軸）請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 39/42 圖圖46：中芯集成期間費用率情況中芯集成期間費用率情況 圖圖47：中芯集成中芯集成毛利率、歸母凈利率情況毛利率、歸母凈利率情況 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 產能持續高增長，產能利用率維持高水平。產能持續高增長，產能利用率維持高水平。公司 21、22 年產能分別為 90 萬片、139萬片，同比

150、+119%、+54%，產能利用率均維持在 90%以上的高水平。截至 23 年中報，公司應用于車載、工控領域核心芯片的 IGBT 產能達到 8 萬片/月，其產能利用率超過95%；SiC 新建產能 2000 片/月，產能利用率超過 90%，此外公司還擁有 MOSFET 產能6.5 萬片/月、MEMS 產能 1.1 萬片/月、HVIC 產能 5000 片/月。圖圖48：中芯集成產能及產能利用率情況中芯集成產能及產能利用率情況 圖圖49：中芯集成分產品產能情況（截中芯集成分產品產能情況（截至至 23 年中報）年中報）數據來源：中芯集成公告，東吳證券研究所 數據來源：中芯集成公告，東吳證券研究所 風險提

151、示：風險提示：下游需求不及預期的風險；產能、產量提升不及預期的風險；市場競爭加劇的風險。4.4.斯達半導：國產斯達半導：國產 IGBT 模塊龍頭，自主芯片的碳化硅主驅模塊小批量模塊龍頭，自主芯片的碳化硅主驅模塊小批量 新能源新能源領域推動營收高增，積極開拓海外市場領域推動營收高增，積極開拓海外市場。截至 23H1，公司新能源領域營收占比已提升至 59%，成為營收增長主要驅動力。公司 22 年/23Q1-3 分別實現營收 27 億元/26 億元，同比+59%/+40%。公司重視海外市場，早在 2014 年就于瑞士創立子公司斯達歐洲，負責國際市場業務開拓和發展，并在德國紐倫堡設有研發中心，近幾年亞

152、洲以外地區營收呈爆發式增長，20-22 年 CAGR 高達 99%，預計未來仍將保持高增速。0%20%40%60%80%201920202021202223Q1-3銷售費用率管理費用率研發費用率財務費用率-300%-200%-100%0%201920202021202223Q1-3毛利率凈利率70%75%80%85%90%95%04080120160202020212022產能（萬片，左軸）產能利用率（%，右軸）49%40%7%3%1%IGBTMOSFETMEMSHVICSiC 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 40/

153、42 圖圖50：斯達半導營收情況斯達半導營收情況 圖圖51：斯達半導分應用領域營收占比斯達半導分應用領域營收占比 數據來源：Wind，東吳證券研究所 數據來源：Wind，東吳證券研究所 圖圖52：斯達半導主營業務分產品營收占比斯達半導主營業務分產品營收占比 圖圖53：斯達半導主營業務分地區營收占比斯達半導主營業務分地區營收占比 數據來源：Wind，東吳證券研究所 注：2022 年其他產品占比大幅上升系光伏逆變器 IGBT單管銷售收入增加導致 數據來源：Wind，東吳證券研究所 芯片端，芯片端，公司實施 SiC 芯片研發及產業化項目后，將形成年產 6 萬片 6 英寸 SiC芯片生產能力，擁有自主

154、的車規級 SiC MOSFET 芯片，有助于公司加速 SiC 芯片技術迭代升級，提高車規級 SiC 模塊的產品競爭力，加強供應鏈的穩定性。截至 2023 年上半年，該項目累計投資額度已經達到 4.24 億元，占預計投資總額的 21.22%。模塊端，模塊端，公司建設全 SiC 功率模塊產線，將形成年產 8 萬顆車規級全碳化硅功率模組生產能力，進一步提高公司在車規級 SiC 模塊的供貨保障能力，助力公司抓住 SiC 市場爆發機遇，快速提高市占率。0%20%40%60%80%100%051015202530201720182019202020212022 2023Q3營業收入（億元）YOY（右軸）0

155、%20%40%60%80%100%201820192020202120222023H1工控及電源行業新能源行業變頻白電及其他0%20%40%60%80%100%2019202020212022其他產品IGBT模塊0%20%40%60%80%100%2019202020212022其他地區亞洲地區 請務必閱讀正文之后的免責聲明部分請務必閱讀正文之后的免責聲明部分 東吳證券研究所東吳證券研究所 行業深度報告 41/42 表表30：斯達半導斯達半導 SiC 相關產能相關產能規劃規劃 募集資金方式募集資金方式 擴產項目擴產項目 投資金額投資金額 投產時間投產時間 項目具體情況項目具體情況 自有資金 全

156、碳化硅功率模組產業化項目 2.3 億元 2022 年 利用現有廠房投資建設，形成年產 8 萬顆車規級全碳化硅功率模組的生產能力 2021 年非公開發行 SiC 芯片研發及產業化項目 5 億元 預計 2024 年 11 月 新建廠房、倉庫，購置新設備，形成年產 6 萬片 6 英寸車規級 SiC MOSFET 芯片的生產能力 數據來源：斯達半導公告，東吳證券研究所 風險提示：風險提示：新能源需求不及預期，產線建設不及預期等。5.風險提示風險提示 碳化硅在車端、樁端滲透不及預期風險：碳化硅在車端、樁端滲透不及預期風險：目前碳化硅下游應用以新能源汽車為主，同時直流充電樁為高增長細分領域，如果碳化硅在車

157、端、樁端滲透不及預期，則碳化硅產業鏈各環節廠商的營收與盈利能力或將受到影響；國產化進度不及預期風險：國產化進度不及預期風險：海外大廠在碳化硅產業鏈布局較早，國內廠商在良率、器件性能等方面與海外大廠存在差距，如果國內廠商研發進度不及預期，則在全球擴產的背景下可能處于被動地位，不利于公司發展；擴產進程不及預期風險：擴產進程不及預期風險：目前全球碳化硅企業都在積極擴產以應對需求增長，如果擴產進程不及預期，或將制約碳化硅產業鏈的營收與盈利能力；價格戰的風險：價格戰的風險：國內外各廠商看見碳化硅市場發展風口后，均積極投入資金、籌劃建設產能，若市場需求增長不及產業擴產速度，則將導致碳化硅產業鏈各環節產能供

158、過于求，則可能導致行業出現價格戰，影響市場參與者盈利。免責及評級說明部分 免責聲明免責聲明 東吳證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本研究報告僅供東吳證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議，本公司及作者不對任何人因使用本報告中的內容所導致的任何后果負任何責任。任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。在法律許可的情況下，東吳證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公

159、司提供投資銀行服務或其他服務。市場有風險，投資需謹慎。本報告是基于本公司分析師認為可靠且已公開的信息，本公司力求但不保證這些信息的準確性和完整性，也不保證文中觀點或陳述不會發生任何變更，在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本報告的版權歸本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布。經授權刊載、轉發本報告或者摘要的，應當注明出處為東吳證券研究所，并注明本報告發布人和發布日期，提示使用本報告的風險，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改。未經授權或未按要求刊載、轉發本報告的，應當承擔相應的法律責任。本公司將保留向其追究法律責任的權利。東

160、吳證券投資評級標準東吳證券投資評級標準 投資評級基于分析師對報告發布日后 6 至 12 個月內行業或公司回報潛力相對基準表現的預期（A 股市場基準為滬深 300 指數，香港市場基準為恒生指數，美國市場基準為標普 500 指數，新三板基準指數為三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的），具體如下：公司投資評級：買入：預期未來 6 個月個股漲跌幅相對基準在 15%以上；增持：預期未來 6 個月個股漲跌幅相對基準介于 5%與 15%之間；中性：預期未來 6 個月個股漲跌幅相對基準介于-5%與 5%之間；減持：預期未來 6 個月個股漲跌幅相對基準介于-15%與-5%之間；賣出：預期

161、未來 6 個月個股漲跌幅相對基準在-15%以下。行業投資評級：增持：預期未來 6 個月內，行業指數相對強于基準 5%以上；中性：預期未來 6 個月內，行業指數相對基準-5%與 5%；減持：預期未來 6 個月內，行業指數相對弱于基準 5%以上。我們在此提醒您，不同證券研究機構采用不同的評級術語及評級標準。我們采用的是相對評級體系，表示投資的相對比重建議。投資者買入或者賣出證券的決定應當充分考慮自身特定狀況，如具體投資目的、財務狀況以及特定需求等，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。東吳證券研究所 蘇州工業園區星陽街?5 號 郵政編碼：215021 傳真：（0512）62938527