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1、公 司 研 究 2024.03.03 1 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 三 安 光 電（600703）公 司 深 度 報 告 領航化合物半導體“芯”時代，打造平臺型龍頭 分析師 鄭震湘 登記編號：S1220523080004 佘凌星 登記編號：S1220523070005 劉嘉元 登記編號：S1220523080001 強 烈 推 薦(調 升)公 司 信 息 行業 LED 最新收盤價(人民幣/元)13.68 總市值(億)(元)682.50 52 周最高/最低價(元)22.72/11.01 歷 史 表 現 數據來源：wind 方正證券研究所 相 關 研 究 三安光電

2、：MLED、碳化硅加速爬坡，靜待拐點2022.08.27 三安光電：營收跨越百億，靜待產能擴張2022.04.27 三安光電：回購彰顯信心，長期投資價值再次凸顯2022.04.15 LEDLED 芯片龍頭，打造化合物半導體平臺。芯片龍頭，打造化合物半導體平臺。三安光電成立于 1993 年，于 2008年上市，主要從事化合物半導體材料與器件的研發、生產及銷售。三安集成電路主要提供化合物半導體晶圓代工服務，工藝能力涵蓋微波射頻、電力電子、光通訊和濾波器四個領域，深度布局 GaN 射頻、電力電子，GaAs 射頻，SiC 電力電子等產品，是集成四大板塊的平臺型、垂直產業布局的企業。LEDLED 行業逐

3、漸見底，行業逐漸見底，結構優化結構優化高端產品高端產品占比占比提升。提升。傳統照明 LED 芯片供需結構階段性失衡，產品價格下降。經過一段時間調整，中低端產品單價目前已相對穩定，且銷量有上升趨勢。公司持續優化產品結構，積極布局Mini/Micro LED、高光效 LED、車用 LED、紫外/紅外 LED 等新興應用領域，公司高端產品營業收入和結構占比有望提升。Mini LED 持續滲透，放量在即。持續滲透，放量在即。Mini LED 終端產品層出不窮，據高工產研 LED 研究所（GGII）不完全統計，2023 年上半年 Mini LED 背光新品超過 80 款，其中共 6 款大尺寸 Mini

4、LED 電視新品發布，大尺寸電視的發布有望進一步提升 Mini LED 終端應用的滲透速度。Mini LED 背光產品已成功在電視、車載顯示、平板電腦、筆電、顯示器等領域實現快速增長。隨著技術逐漸成熟，產業鏈日漸完善，滲透進程加快，Mini LED 市場空間有望快速擴張，LEDinside 預測 2024 年 Mini LED 市場規模有望達到 50-60 億美金。三安光電 2019 年建設首條 Mini/Micro LED 外延與芯片生產線。2021 年公司募資 79 億元，加碼湖北三安 Mini/Micro LED 項目建設。湖北三安 2023H1 營收 1.03 億元，同比增長 22.4

5、3%，凈利潤 0.14 億元，產量呈現逐月上升趨勢，未來將持續貢獻利潤。碳化硅：受益于新能源汽車發展，三安垂直產業鏈布局優勢顯著。碳化硅：受益于新能源汽車發展，三安垂直產業鏈布局優勢顯著。碳化硅器件主要需求來自電動汽車，目前碳化硅器件市場價值約為 20 億美元，預計到 2030 年將達到 110 億至 140 億美元。公司在長沙投資 160 億于 SiC 等化合物三代半垂直產業鏈。2023 年 7 月，意法半導體和三安光電宣布，雙方將合作在中國重慶建立一個新的 8 英寸碳化硅器件合資制造廠。三安光電是國內極少有的已形成碳化硅垂直產業鏈布局的廠商，目前已實現從碳化硅二極管到 MOS 的重大突破，

6、碳化硅業務有望迎來放量增長?；衔锇雽w快速起量，持續加碼布局?；衔锇雽w快速起量，持續加碼布局。1 1）氮化鎵：高頻高功率優勢顯）氮化鎵：高頻高功率優勢顯著，射頻與電子電力應用持續滲透。著，射頻與電子電力應用持續滲透。湖南三安氮化鎵技術平臺產品逐步完善，公司擁有硅基氮化鎵代工平臺，硅基氮化鎵產能 2000 片/月，650V 芯片代工平臺已在消費電子領域廣泛導入，高壓 900V 器件開發已完成，并已導入客戶產品設計及系統驗證。2 2）砷化鎵：射頻器件、光技術助推市）砷化鎵：射頻器件、光技術助推市場規模增長。場規模增長。隨著 5G、3D sensing 等帶來光通訊、VCSEL 快速增長，公司

7、光技術產品已進入國內主流手機供應鏈，車載雷達用 VCSEL 產品已在雷達客戶以及國內車廠處獲得定點，硅光領域大功率 DFB 芯片已小批量交付客戶。3 3）濾波器：）濾波器：公司濾波器主要發展 SAW 的技術路線，產品覆蓋國內外所需頻段濾波器、雙工器、多工器，雙工器小型化進度行業領先。投資建議：投資建議：我們預計公司在 2023/2024/2025 年分別實現營業收入144.40/180.44/219.45 億元，同比增長 9.2%/25.0%/21.6%，實現歸母凈利方 正 證 券 研 究 所 證 券 研 究 報 告-43%-31%-19%-7%5%17%23/3/323/6/223/9/12

8、3/12/124/3/1三安光電滬深300三安光電(600703)公司深度報告 2 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 潤 4.26/14.70/20.38 億元，同比增長-37.8%/244.8%/38.7%，公司 24/25 年PE 為 46.5/33.5X，上調至“強烈推薦”評級。風險提示：風險提示：LED 行業需求不及預期、化合物半導體業務進展不及預期、國際貿易紛爭風險。盈 利 預 測（人民幣）單位/百萬 2022A 2023E 2024E 2025E 營業總收入 13222 14440 18044 21945(+/-)%5.17 9.21 24.96 21.6

9、2 歸母凈利潤 685 426 1469 2037(+/-)%-47.83-37.80 244.77 38.68 EPS(元)0.15 0.09 0.29 0.41 ROE(%)1.81 1.11 3.83 5.04 PE 114.40 160.18 46.46 33.50 PB 2.26 1.78 1.78 1.69 數據來源：wind 方正證券研究所 注：EPS 預測值按照最新股本攤薄 三安光電(600703)公司深度報告 3 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 正文目錄 1 全球 LED 芯片龍頭，打造化合物半導體平臺.7 2 LED 行業短期承壓，新型顯示前景可

10、觀.10 2.1 LED 應用領域廣泛.10 2.2 Mini/Micro LED 展露頭角，芯片用量提升.12 2.2.1 Mini LED 進入大規模商用時代.12 2.2.2 Micro LED 邁入商業化關鍵節點.15 2.2.3 前瞻布局，三安光電 Mini/Micro LED 芯片項目進展順利.18 2.3 車用 LED 照明需求上行.19 3 碳化硅：降本、技術突破在即，國產應用空間廣闊.20 3.1 碳化硅器件相比于 Si 器件具有明顯的性能優勢和系統成本優勢.20 3.2 成本下降推動 SiC 產業化.22 3.3 新能源汽車是 SiC 器件市場需求最重要驅動力.28 3.4

11、 湖南三安：碳化硅斬獲 38 億訂單，一體化布局里程碑.32 4 氮化鎵：高頻高功率優勢顯著，射頻與電子電力應用持續滲透.34 4.1 射頻：5G 基站驅動射頻 GaN 量價齊升.36 4.2 電力電子：快充/適配器驅動功率 GaN 市場擴容.38 5 砷化鎵：電子行業中最主要的制造材料之一.41 5.1 射頻器件：智能手機通信技術迭代驅動射頻前端芯片需求.43 5.2 半導體激光芯片：光電子技術核心部件.44 6 濾波器：突破重圍、國產替代.46 7 盈利預測及投資建議.52 8 風險提示.53 三安光電(600703)公司深度報告 4 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條

12、 款 圖表目錄 圖表 1:三安光電產業布局情況.7 圖表 2:公司產品應用領域.8 圖表 3:公司股權結構.8 圖表 4:公司營收及同比（億元）.9 圖表 5:公司歸母凈利潤及同比（億元）.9 圖表 6:公司凈利率及毛利率情況.9 圖表 7:可比公司 LED 業務毛利率情況.9 圖表 8:公司費用率情況.10 圖表 9:研發費用及占比（億元）.10 圖表 10:中國 LED 照明應用領域分布情況.10 圖表 11:LED 照明產業鏈.11 圖表 12:全球 LED 照明市場規模（億美元）.11 圖表 13:全球 LED 芯片產值（億美元）.11 圖表 14:中國 LED 芯片市場規模（億元）.

13、12 圖表 15:2021 年中國 LED 芯片市場占比（以產能計）.12 圖表 16:Mini LED 工作原理.12 圖表 17:不同產品亮度水平對比趨勢圖（HDR）.13 圖表 18:MiniLED 顯示產品出貨情況.13 圖表 19:理想 L9 搭載車規級 Mini LED 安全駕駛交互屏 HUD.14 圖表 20:晶科電子 Mini LED COB 車載方案.14 圖表 21:鴻利智匯車載顯示屏產品.14 圖表 22:部分布局車載 Mini LED 廠商.14 圖表 23:奧拓電子租賃顯示方案.15 圖表 24:奧拓電子 XR 影視拍攝解決方案.15 圖表 25:不同顯示應用對 Mi

14、cro LED 顯示的需求.16 圖表 26:2023 年 Micro LED 相關產品動態(截至 6 月 7 日).16 圖表 27:2022-2027 年 Micro LED 市場產值分析（百萬美元）.18 圖表 28:2023 年 Micro LED 相關項目動態(截至 6 月 5 日).18 圖表 29:使用募集資金向全資子公司增資情況（單位：億元）.19 圖表 30:車用 LED 領域.19 圖表 31:半導體材料性能對比.20 圖表 32:功率半導體芯片發展歷程.20 圖表 33:碳化硅相較于硅的性能優勢.21 圖表 34:SiC 的應用場景.21 圖表 35:碳化硅材料及器件的特

15、點和優勢.22 圖表 36:碳化硅在系統層面上的優勢.22 圖表 37:基于 SiC 的設計可以減輕重量.22 圖表 38:基于 SiC 的設計可以降低系統成本.22 圖表 39:SiC 產業鏈.23 圖表 40:SiC 晶圓的器件市場競爭格局.23 圖表 41:全球主要廠商等效 6 寸 N 型襯底擴產規劃.24 圖表 42:碳化硅 MOSFET Die 成本拆分.24 圖表 43:襯底降本因子拆解.25 圖表 44:英飛凌冷切割技術.25 圖表 45:碳化硅單晶生長方法.25 三安光電(600703)公司深度報告 5 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表 46:導

16、電型 SiC 襯底價格趨勢（美元/片）.26 圖表 47:SiC 襯底開發時間表.26 圖表 48:Rhom 第二代和第三代的 SiC MOSFET 器件結構.27 圖表 49:第二代和第三代產品各項特性對比.27 圖表 50:PGC Consultancy SiC 成本預測模型.27 圖表 51:非垂直整合和垂直整合模式 6 英寸 SiC MOSFET 成本拆分.28 圖表 52:全球新能源車加速滲透.28 圖表 53:全球 SiC 功率器件市場規模.28 圖表 54:碳化硅在車載系統的優勢.29 圖表 55:碳化硅器件在新能源車中的應用.29 圖表 56:SiC 器件在電動車不同環節的價值

17、含量.29 圖表 57:BEV 和 SiC 的滲透率.30 圖表 58:SiC 在電動車中的價值量趨勢.30 圖表 59:使用碳化硅為 OEM 廠商節省了成本.30 圖表 60:汽車制造廠碳化硅主驅逆變器項目示意圖.31 圖表 61:電動車充電機系統層面 BOM 物料清單成本對比.31 圖表 62:碳化硅全鏈整合平臺.32 圖表 63:預計 2030 年中國是最大的碳化硅市場.32 圖表 64:中國 OEM 廠商傾向本地采購碳化硅.32 圖表 65:意法半導體與三安光電合資建廠.34 圖表 66:GaN 具有高可靠性、高能效與小尺寸優勢.34 圖表 67:氮化鎵行業產業鏈全景圖.35 圖表 6

18、8:GaN 工藝流程.35 圖表 69:GaN 襯底材料對比.36 圖表 70:GaN 不同襯底路徑布局概覽圖.36 圖表 71:電信基礎設施市場中各種射頻功率技術市場份額預測.36 圖表 72:2022-2028 年射頻氮化鎵市場規模預測.37 圖表 73:射頻氮化鎵競爭格局.37 圖表 74:GaN 在通信基站中的應用趨勢.38 圖表 75:氮化鎵提升了 5G 通信基礎設施的效率.38 圖表 76:預計 2028 年氮化鎵將占 PA 出貨量的 87%以上.38 圖表 77:2022-2028 年功率氮化鎵市場規模預測.39 圖表 78:充電器工作原理（紅框為氮化鎵材料）.39 圖表 79:

19、中國快充功率 GaN 市場規模（億元）.39 圖表 80:GaN 功率器件在新能源車中的應用.40 圖表 81:三安光電 GaN 技術圖譜.40 圖表 82:三安 GaN 技術平臺.41 圖表 83:三安 GaN 料號進展.41 圖表 84:砷化鎵襯底單晶制備工藝.42 圖表 85:砷化鎵器件工藝流程.42 圖表 86:砷化鎵元器件利潤按終端應用占比.43 圖表 87:中國射頻前端芯片市場規模.43 圖表 88:射頻前段產品價值量（單位：美元）.43 圖表 89:2022-2027 年 VCSEL 激光器市場規模（百萬美金）.44 圖表 90:光模塊結構示意圖.45 圖表 91:蘋果 iPho

20、ne X 使用了三顆 VCSEL 激光器芯片芯片.45 圖表 92:2017 年 VCSEL 市場格局.45 三安光電(600703)公司深度報告 6 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表 93:2021 年 VCSEL 市場格局.45 圖表 94:智能手機通信系統結構示意圖.46 圖表 95:射頻前端模組占比拆分.46 圖表 96:在 2.1GHz 左右，SAW 的插損較明顯.47 圖表 97:三安集成 HP SAW.48 圖表 98:三安集成同步推出 B25 雙工器.48 圖表 99:濾波器種類及頻率分布圖.48 圖表 100:2020 年全球 SAW 濾波器市

21、場格局.49 圖表 101:2020 年全球 BAW 濾波器市場格局.49 圖表 102:濾波器種類及頻率分布圖.50 圖表 103:不同型號智能手機射頻前端成本占比（按供應商）.51 圖表 104:主流智能手機廠商射頻前端及連接架構趨勢.51 圖表 105:三安光電分業務營收及毛利率預測.52 圖表 106:可比公司估值對比.53 三安光電(600703)公司深度報告 7 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 1 全球 LED 芯片龍頭，打造化合物半導體平臺 LEDLED 芯片龍頭，全球化布局的化合物半導體平臺企業。芯片龍頭，全球化布局的化合物半導體平臺企業。三安光電成

22、立于 1993 年，于 2008 年上市，主要從事化合物半導體材料與器件的研發、生產及銷售，憑借強大的企業實力，繼 2014 年擴大 LED 外延芯片研發與制造產業化規模、同時投資集成電路產業，建設砷化鎵高速半導體與氮化鎵高功率半導體項目之后，2018年三安光電在福建泉州南安高新技術產業園區，斥資 333 億元投資-族化合物半導體材料、LED 外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC 材料及器件、特種封裝等產業，實現化合物半導體平臺化建設及從襯底到成品的完整布局。立足中國，著眼世界，公司以成為世界級半導體領先企業戰略目標為指引，在中國、美國、日本、德國、英國等全球多個國家

23、建立分支機構。從從 LEDLED 到化合物半導體，產業鏈垂直整合布局。到化合物半導體，產業鏈垂直整合布局。公司從-族化合物半導體材料應用開始，以芯片為核心主業，拓展可見光、不可見光、通訊以及功率轉換等領域。一方面公司傳統的可見光業務迅速發展，LED 產能不斷擴張，并緊隨行業發展趨勢，積極布局新應用領域 Mini LED、Micro-LED 等新型顯示應用；另一方面公司積極推進不可見光業務布局，穩步推進砷化鎵 PA、氮化鎵/碳化硅電力電子集成芯片國內外客戶驗證，進一步推進光通訊和濾波器業務布局。傳統業務與新型業務齊頭并進，鞏固公司行業龍頭地位。圖表1:三安光電產業布局情況 資料來源：公司公告，公

24、司官網，方正證券研究所 三安光電(600703)公司深度報告 8 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表2:公司產品應用領域 產品范圍 材料 主要產品 產品系列 主要用途 LED 外延芯片 GaAs、GaN LED 外延片 紅色、黃色、橙色、黃綠色 LED 產業鏈上游產品，用于生產 LED 芯片。紫色、藍色、綠色 LED 芯片 紅色、黃色、橙色、黃綠色 提供給 LED 封裝廠商用于生產 LED 終端產品，可廣泛應用于照明、顯示、背光、農業、醫療等眾多領域。紫色、藍色、綠色 LED 應用品 GaAs、GaN LED 車燈 前燈、后尾燈、室內燈、標志燈、氛圍燈 LED 產

25、業下游產品，提供給汽車主機廠進行整車組裝。集成電路芯片 GaAs、GaN、LT/LN 射頻芯片 HBT、pHEMT、HEMT 終端、基站、無線局域網絡、智能穿戴、無人駕駛、機器人等領域。濾波器芯片 SAW、TC-SAW 4G、5G 無線通信、自動駕駛、物聯網等領域。GaN、SiC 電力電子 芯片 碳化硅二極管、碳化硅 MOSFET、硅基氮化鎵 在消費電子、工業應用、電力傳輸等領域廣泛應用，如新能源車、高鐵、工業電機、充電樁、數據中心等。GaAs、InP 光通訊 芯片 PD、VCSEL、DFB 光通訊類：主要適用于 5G 網絡、數據中心；消費類：主要用于 3D 識別、汽車無人駕駛、激光美容器等領

26、域。資料來源：公司公告，方正證券研究所 創始人即實控人，間接持股創始人即實控人，間接持股 29.34%，子公司各司其職。子公司各司其職。公司創始人林秀成先生持有福建三安集團 59.68%股權，以福建三安持股三安光電及三安電子間接持有三安光電 29.34%股權。子公司泉州三安主要生產高端 LED、微波射頻、電力電子、光通訊產品；湖北三安主要生產 Mini/Micro LED 外延和芯片產品；廈門三安、安徽三安、蕪湖安瑞、天津三安、福建晶安（藍寶石襯底）為 LED 產業基地；湖南三安主要負責碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發、設計、制造及服務；廈門三安集成電路主要研發及制造射頻、光技術、電力

27、電子化合物半導體；香港三安、北京三安為貿易主體；Luminus Inc.（朗明納斯）主要研發超大功率LED 器件。圖表3:公司股權結構 資料來源：企業預警通，Wind，方正證券研究所 三安光電(600703)公司深度報告 9 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 營收穩步提升，歸母凈利潤承壓。營收穩步提升，歸母凈利潤承壓。三安光電 2022 年實現營收 132.22 億元，同比增長 5.17%，2023 年 1-9 月實現營收 101.56 億元，同比增長 1.43%，在下游需求疲軟下，營收仍實現逆勢小幅增長。2022 年歸母凈利潤為 6.85 億元，同比下滑 47.83

28、%，2023 年 1-9 月實現歸母凈利潤 1.73 億元，同比下滑 82.51%，主要系公司 LED 芯片銷售量較上年同期增加，部分芯片售價環比有一定程度回升，但整體售價較上年同期相比有較大幅度下降，同時公司設備稼動率逐步恢復，部分產品生產成本上升。高端產品占比有所改善，但尚未達到預期，致公司營業成本同比上升，同時公司加大集成電路及 Mini/MicroLED 芯片、紅外/紫外 LED 等細分領域的研發投入，導致利潤承壓。圖表4:公司營收及同比（億元）圖表5:公司歸母凈利潤及同比（億元）資料來源：Wind，方正證券研究所 資料來源：Wind，方正證券研究所 毛利率水平行業領先，費用率較為穩定

29、。毛利率水平行業領先，費用率較為穩定。公司毛利率及凈利潤近年受行業庫存調整影響，呈現下降趨勢，2023 年 1-9 月公司毛利率與凈利率分別為 11.58%和1.7%，與可比公司相比，三安 LED 業務毛利率處于行業較領先地位。三安光電在技術、規模等方面具有優勢，議價能力較強，隨著 LED 產能出清，公司在 LED行業有望進一步鞏固其行業龍頭地位。公司綜合費用率較為穩定，其中銷售費用率近年均處于 2%以下，主要系公司銷售體系成熟，客戶較為穩定。圖表6:公司凈利率及毛利率情況 圖表7:可比公司 LED 業務毛利率情況 資料來源：Wind，方正證券研究所 資料來源：Wind，方正證券研究所 -20

30、%-10%0%10%20%30%40%50%60%020406080100120140201820192020202120222023 1-9月營業總收入同比(%)-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%051015202530201820192020202120222023 1-9月歸屬母公司股東的凈利潤同比(%)0%10%20%30%40%50%201820192020202120222023 1-9月銷售毛利率(%)銷售凈利率(%)-20%-10%0%10%20%30%20192020202120222023H1三安光電華燦光電乾照光電聚燦光電三安光電(600703)公

31、司深度報告 10 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 持續大力投入研發，持續大力投入研發，L LEDED 突破高端，加碼集成電路。突破高端，加碼集成電路。公司研發費用逐年增長，2022年研發費用 5.84 億元，同比上升 10.24%，占營收比重 4.42%，2023 年 1-9 月研發費用為 5.1 億元，營收占比 5.02%，2022 年研發人員數量達 2722 人。公司不斷加大研發，針對高端 LED 芯片及第三代半導體如碳化硅等持續進行突破，在保持市場地位的同時占據更多份額。圖表8:公司費用率情況 圖表9:研發費用及占比（億元）資料來源：Wind，方正證券研究所

32、資料來源：Wind，方正證券研究所 2 LED 行業短期承壓，新型顯示前景可觀 2.1 LED 應用領域廣泛 LEDLED 照明即發光二極管照明，是一種半導體固體發光器件。照明即發光二極管照明，是一種半導體固體發光器件。利用固體半導體芯片作為發光材料，在半導體中通過載流子發生復合放出過剩的能量而引起光子發射，直接發出紅、黃、藍、綠色的光，在此基礎上，利用三基色原理，添加熒光粉，可以發出任意顏色的光。從應用領域來看，可用于商業照明、家居照明、工業照明、汽車照明等多個細分領域，國內通用照明、景觀照明以及顯示屏占比較高。圖表10:中國 LED 照明應用領域分布情況 資料來源：華經情報網，方正證券研究

33、所 0%2%4%6%8%10%12%201820192020202120222023 1-9月銷售費用率管理費用率財務費用率綜合費用率0%1%2%3%4%5%6%01234567201820192020202120222023 1-9月研發費用研發費用率三安光電(600703)公司深度報告 11 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表11:LED 照明產業鏈 資料來源：中商情報網，方正證券研究所 高端照明逆勢上行。高端照明逆勢上行。據華經情報網數據，2022 年全球 LED 照明行業規模達到614 億美金，同比下降 5%，2016-2022 年全球 LED 照明市場以

34、年均復合增長率達 1.2%，市場規模從 563.8 億美元增長至 614 億美元。受益于全球健康節能照明產品需求激增及汽車智能照明逆勢上漲影響，2023 年全球 LED 市場有望恢復至 638 億美元，同比上升 4%。TrendForce 數據顯示，量價齊跌導致 2022年全球 LED 芯片市場產值年減 23%，僅 27.8 億美元。2023 年隨著 LED 產業復蘇，又以 LED 照明市場需求恢復最明顯，有望進一步帶動 LED 芯片產值回歸成長，預期可達 29.2 億美元。圖表12:全球 LED 照明市場規模（億美元）圖表13:全球 LED 芯片產值（億美元）資料來源：華經情報網，方正證券研

35、究所 資料來源：TrendForce，方正證券研究所 龍頭企業規模優勢凸顯，龍頭企業規模優勢凸顯，LED 市場集中度較高。市場集中度較高。伴隨落后產能淘汰及高端 LED芯片技術壁壘提升，市場份額逐漸向龍頭廠商集中，頭部聚集效應明顯。2021 年三安光電、華燦光電、兆馳股份三家企業分別占據中國 LED 芯片產能的 31.7%、14.3%、12.4%，合計近 60%，三安光電穩居第一。三安光電(600703)公司深度報告 12 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表14:中國 LED 芯片市場規模（億元）圖表15:2021 年中國 LED 芯片市場占比（以產能計）資料來源

36、：中商情報網，方正證券研究所 資料來源：中商情報網，方正證券研究所 2.2 Mini/Micro LED 展露頭角，芯片用量提升 2.2.1 Mini LED 進入大規模商用時代 畫質升級，畫質升級，MiniLED 為顯示技術新星為顯示技術新星。Mini LED 是一種結合了 LCD 與 OLED 優勢的新一代顯示技術，通過內置大量微小的 LED 燈珠，以分區域單獨調光的方式，達到最佳顯示效果。顯示屏幕分區越多，越能夠精細地控制背光區域的明滅，從而使得畫面明暗層次更加分明，最終呈現出更高的亮度、更高的對比度、更自然的色彩。具有與 OLED 匹敵的點控光優勢，又具有 OLED 所缺失的亮度高和壽

37、命長的優勢，從而被視作顯示技術的明日之星。圖表16:Mini LED 工作原理 資料來源：合明科技，方正證券研究所 立足技術和性能優勢，立足技術和性能優勢，Mini LED 有望進入千億民用市場。有望進入千億民用市場。Mini LED 應用于直接顯示和背光兩大場景，在直接顯示領域，Mini LED 作為小間距顯示屏的升級產品，對應的 LED 芯片尺寸在 0.08-0.20mm，可用于 RGB 顯示屏，逐漸替代超大尺寸顯示方案，未來市場空間廣闊。背光領域，采用 Mini LED 背光技術的 LCD顯示屏在亮度、對比度、色彩還原等方面遠優于普通 LED 做背光的 LCD 顯示屏，在平板、筆電、電視

38、等中大尺寸顯示方面有成本優勢，量產滲透率提升在即。三安光電(600703)公司深度報告 13 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表17:不同產品亮度水平對比趨勢圖（HDR）資料來源：LEDinside，方正證券研究所 Mini LED 新品層出不窮，應用場景廣闊。新品層出不窮，應用場景廣闊。2023 年 CES 大會上，三星推出兩款Neo QLED 電視，并發布了 4 款 MiniLED 顯示器，其中 Odyssey Neo G9 曲面顯示器尺寸達到了 57 英寸，曲率為 1000R，分辨率為 7680 x 2160，像素密度為 140PPI，對比度為 100 萬：

39、1，刷新率為 240Hz，響應時間為 1ms；華碩 ROG發布了新款 32 英寸顯示器，型號為 ROG Swift PG32UQXR，同時還發布了兩款MiniLED 筆記本；友達推出大尺寸 FIDM Plus 一體化車載顯示方案，搭載 55 英寸超大型曲面顯示器，采用自研 AmLED（AUO Adapative MiniLED）技術，具有高分辨力、高亮度、廣色域等特點，并可以低能耗在高強光環境下清晰顯示圖像。根據 TrendForce，2023 年，Mini LED 背光應用產品的出貨量將從 2022 年的 1700 萬臺左右增長至 2100 萬臺左右。圖表18:MiniLED 顯示產品出貨情

40、況 資料來源：TrendForce，方正證券研究所 汽車的電動化與智能化雙重驅動，汽車的電動化與智能化雙重驅動，Mini LED 顯示迎機遇。顯示迎機遇。車規級 Mini LED 背光光源應用范圍廣泛，包括車內儀表、中控導航、汽車內部氛圍、外部照明以及車外媒體顯示。隨著智能網聯汽車覆蓋率的逐步提升，車載顯示市場增速可觀。LCD+Mini LED 背光方案在可靠性、亮度及對比度上的優勢使其成為車載顯示的理想選擇，能夠同時滿足行車安全性和駕乘體驗的需求，未來發展前景廣闊。三安光電(600703)公司深度報告 14 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表19:理想 L9 搭

41、載車規級 Mini LED 安全駕駛交互屏 HUD 資料來源：艾邦 LED 網，方正證券研究所 2023 年多家廠商推出年多家廠商推出 Mini LED 上車解決方案。上車解決方案。第九屆上海國際汽車燈具展覽會上，國星光電、晶科電子、鴻利智匯、瑞豐光電等眾多 LED 企業相關廠商均攜相關產品展示。其中晶科電子 Mini LED COB 車載方案采用了 5760 顆 LED，具備 960 個 Local Dimming 分區控制技術，超百萬對比度，色域100%，鴻利智匯展示了兩款車載顯示屏產品，采用 Mini LED 背光源，峰值亮度可達 1400nit，分區高達 4000 多個，具備百萬級對比

42、度，色域 NTSC100 以上，具有高亮度、高清晰度等優勢，為智能座艙和車載交互系統不斷拓寬技術、產品和應用的邊界，給用戶提供智能、安全和舒適的駕駛體驗。圖表20:晶科電子 Mini LED COB 車載方案 圖表21:鴻利智匯車載顯示屏產品 資料來源：業績榜，方正證券研究所 資料來源：鴻利智匯，方正證券研究所 圖表22:部分布局車載 Mini LED 廠商 資料來源：艾邦 LED，方正證券研究所 三安光電(600703)公司深度報告 15 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 前景可觀，車載前景可觀，車載 Mini LED 市場規模不斷擴增。市場規模不斷擴增。Omdia

43、 預計 2023 年全球車載顯示市場規模將達到 95 億美元，2024 年將達到 105 億美元，2021 年全球車載顯示屏出貨量達 1.83 億片，預計到 2026 年全球出貨量達 2.53 億片。GGII 調研統計數據顯示，2022 年全球車用 LED 市場規模超過了 40 億美元，其中 Mini LED背光車載顯示屏出貨量超過了 12.5 萬片，車載 MiniLED 發展前景可觀。Mini RGB 與與 Mini LED 背光產品形成互補，商顯應用場景廣闊。背光產品形成互補，商顯應用場景廣闊。不同于 Mini LED背光，Mini RGB 是將 RGB LED 燈珠直接作為顯示像素點，以

44、此提供成像的基本單位，從而實現圖像顯示，具有自發光、很薄、色域較廣、對比度較高、壽命長、可靠性較高等特點。Mini RGB 直顯產品，在 110 英寸以上超大尺寸領域具有巨大的應用優勢，多應用于商顯市場，諸如電影院顯示、交通顯示控制大廳、租賃顯示、體育場館顯示以及公共顯示領域的拼接電視墻等場景，具有較大應用潛力，市場空間高于 Mini 背光市場，而 Mini LED 背光產品在 110 英寸以下占據優勢，Mini RGB 與 Mini LED 背光產品在商用領域形成良好的互補。圖表23:奧拓電子租賃顯示方案 圖表24:奧拓電子 XR 影視拍攝解決方案 資料來源：奧拓電子，方正證券研究所 資料來

45、源：奧拓電子，方正證券研究所 2.2.2 Micro LED 邁入商業化關鍵節點 Micro LED 是是 LCD 和和 OLED 之后的新一代顯示技術。之后的新一代顯示技術。Micro LED 是 LED 薄膜化、陣列化、微縮化技術的產物，較主流及同類顯示產品，Micro LED 顯示具有“自發光、高效率、低功耗、高集成、高穩定性、全天候工作等優良特性”，畫質與能耗優勢顯著，它更進一步將我們目前所見的 LED 尺寸微縮至 100m 以下，是原本 LED 的 1%，甚至未來有望達到 10um 以內，應用領域主要面向高清顯示，包括 P0.9、P0.6、P0.3 及以下高清顯示屏/電視，甚至 AR

46、/VR 等更高清晰度的顯示。未來商顯、消費電子及高密度集成半導體信息應用前景開闊，是下一代主流顯示技術的重要選擇，也被譽為是面向未來的“終極顯示技術”。三安光電(600703)公司深度報告 16 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表25:不同顯示應用對 Micro LED 顯示的需求 領域 尺寸（英寸）點間距/PPI 觀看距離 LED 芯片尺度（微米）小 中大 中 高 近眼 遠眼 微小 中大 VR/眼睛 23 PPI 15004500 幾厘米 25 手表 23 PPI 7001100 十幾厘米 810 手機 56 PPI 400900 十幾厘米 820 平板、筆記本

47、、車載 1015 P0.06P0.2 PPI 150450 四、五十厘米 2050 顯示器 2030 P0.1P0.2 四、五十厘米 3080 電視 55100 P0.3P0.6 兩米以上 50100 巨幕 100220 P0.3P1.3 四米以上 50100 資料來源：LED inside，方正證券研究所 產業鏈共振，上中下游齊頭并進。產業鏈共振，上中下游齊頭并進。2023H1，Micro LED 相關產品頻出，基本覆蓋Micro LED 產業重要環節，包括產業上中游的晶圓、芯片、器件、背板材料、驅動芯片、生產設備、微顯示器、微顯示模組，產業下游顯示屏、車燈、消費級電視、AR 眼睛等終端產品

48、，共計約 29 款，產業鏈共振并進，商業化進程加速。圖表26:2023 年 Micro LED 相關產品動態(截至 6 月 7 日)企業 產品類別 項目 時間 IQE 晶圓 發布 8 英寸紅、綠、藍色外延晶圓組合，用于 Micro LED 顯示器生產 5 月 Mojo Vision 晶圓 成功點亮首款 12 英寸藍色硅基氮化鎵 Micro LED 陣列晶圓 5 月 芯元基 芯片 薄膜 Micro LED 芯片，像素 pitch40m，分辨率 246*82，芯片亮度0.4lm/pixel1.95mA 5 月 MICLEDI 芯片 開發 AllnGaP 為原料的紅光 Micro LED，采用 CM

49、OS 平臺打造，不含砷化物芯片能夠在9nm 的極窄半高全寬(FWHM)內實現 653nm 波長 1 月 芯元基 芯片 0.39 英寸，單色 Micro LED 微顯示屏視頻顯示，像素間距 7.5m，分辨率1024*768 1 月 首爾偉傲世 芯片 基于 WICOP Pixel 技術的 Micro LED 顯示屏，亮度提高到 4000nits，號稱是單芯片顯示屏類別中的最高亮度水平 1 月 芯視元 顯示背板 0.39 英寸和 0.26 英寸，像素尺寸均為 4.5mx4.5m，PPI 均為 5645，分辨率分別為 1920 x1080、1280 x720 3 月 思坦科技 驅動芯片 面向 AR/X

50、R 的國產 Micro LED 硅基顯示驅動芯片 SMD013G1W002 5 月 lnZiv 設備 工業級 Micro LED 檢測系統 REL，每小時最高可對 Micro LED 晶圓上的 600萬個 LED 進行檢測 5 月 愛思強 設備 全自動 AsP 平臺，業界首個全自動生產流程，實現大批量 Micro LED 生產 1 月 鐳昱 微顯示器 0.11 英寸、0.22 英寸單片全彩微顯示屏，像素密度高達 7200PPI，全彩亮度超10 萬尼特，全彩分辨率 640*480 5 月 Porotech 微顯示器 0.26 英寸 AR 用單片全彩 Micro LED 微型顯示器，分辨率為 12

51、80*720。5 月 思坦科技 微顯示器 展示全球首款分辨率高達 1920*1080 的 0.45 英寸全高清 Micro LED 微顯示屏。5 月 Kopin 微顯示器 超 280 萬 nits 亮度單色 Micro LED 微顯示器，分辨率為 2k*2k 6 月 三安光電(600703)公司深度報告 17 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 歌爾光學 微顯示模組 Micro LED 單綠色衍射光波導顯示模組產品，FOV 為 30，入眼亮度高于1500nits 5 月 JBD 微顯示模組 重量 1.0 克，采用 R，G，B 三色 Micro LED 面板合光方案，可達

52、到 1677 萬色全真彩。5 月 晶能光電 顯示模組 宜布將發布帶驅動的三基色 Micro LED 顯示模組，像素密度為 1000PPI。2 月 辰顯光電 顯示模組 開發 4.78 英寸的 TFT 基 Micro LED 無邊框拼接顯示模組，點亮率為 100%。5 月 群創 顯示器 展示 28 英寸 Micro LED 車載顯示器。5 月 友達 面板、顯示器 14.6 英寸 Micro LED 折疊顯示屏，具有 202PPI 像素；Micro LED 高透明顯示結合 LCD 面板的儀表盤；全球最高分辨率 163PPI 的 13.5 英寸透明 Micro LED 面板；5 月 LG Displa

53、y 顯示器 展示 12 英寸可拉伸 Micro LED 顯示器觸摸屏版本，最多可進行 20%拉伸。6 月 SmartKem 顯示器 全球首款采用有機薄膜晶體管的單片式 Micro LED 顯示器，可降低制造成本 1 月 Q-Pixel 顯示屏 首款全彩、超高分辨率的 Micro LED 顯示屏，像素密度為每英寸 5000PPI 5 月 華碩 顯示屏 135 英寸 Micro LED 顯示屏-ProArtCinemaPQ07，4K 分辨率，200nits 峰值亮度、P0.78 像素間距，4 月 利亞德 顯示屏 發布 TXI 系列、MG 系列、戶外小間距 MGS 系列、VHC27 系列。智能 LE

54、D 一體機。4 月 Jupiter 顯示屏 21：9 倒裝共陰 COB Micro LED 顯示屏 Zavus XP，5K 分辨率、3840Hz 刷新率、100 萬：1 對比度。3 月 鴻利智匯 顯示屏 基于玻璃基和氧化物 TFT 驅動等關鍵技術的高分辨率 P0.4Micro LED 顯示產品。2 月 LG 電子 顯示屏 LBAF 系列顯示屏，用于虛擬拍攝，像素間距 1.56mm，像素密度409600pixels/m，最大亮度 1500nits，最大對比度達 100000：1 5 月 現代摩比斯 車燈 開發高清車燈照明系統采用 25,00 個 Micro LED。5 月 三星 電視 發布 89

55、 英寸 Micro LED 電視，可立控制兩干多萬顆微型 LED 芯片。4 月 雷鳥創新 AR 眼鏡 發布雷鳥 X2 新一代雙目全彩 Micro LED 光波導 AR 眼鏡。1677 萬色和100000：1 對比度。光波導鏡片耦出的圖像亮度高達 1000nits.1 月 資料來源：LED inside，方正證券研究所 技術持續突破，成本下降推動應用滲透。技術持續突破，成本下降推動應用滲透。受制于制造成本高、關鍵技術未突破等因素，Micro LED 暫未實現大規模量產，2023 年 Micro LED 市場產值的成長動能仍主要來自大型顯示屏，整體 Micro LED 市場規模有望從 2022 年

56、約 1,400 萬美元成長至約 3,200 萬美元，2024 年穿戴裝置將在開始量產后，成為推動 Micro LED 市場產值成長動能。展望 2026 年，隨著技術與成本進一步成熟，擴增實境、車用顯示有望進入發展的快車道，帶動 Micro LED 芯片需求增長。在成本顯著下降的基礎上，2027 年智能手機有望為 Micro LED 提供應用的機會。預估 2027 年整體 Micro LED 市場產值規?？蛇_ 12.44 億美元，年復合成長率達 146。Micro LED 道路寬闊，應用前景值得期待。三安光電(600703)公司深度報告 18 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責

57、條 款 圖表27:2022-2027 年 Micro LED 市場產值分析（百萬美元）資料來源：LED inside，Trendforce，拓璞，方正證券研究所 對對 Mini/Micro LED 的投資持續加大，的投資持續加大，開啟開啟 LED 下一個黃金十年下一個黃金十年。據高工 LED不完全統計，2022 年針對 Mini/Micro LED 的投資超過 700 億元規模，基本延續了 2020-2021 年的投融資熱潮。越來越多的面板企業和 TV 廠商入局 LED，并加大對新一代 LED 技術的投資布局力度，2023 年初開始，多個涉及 Micro LED 迎來新進度，并已相繼進入簽約、

58、開工、建設、開業等狀態，進一步為未來 Micro LED 的技術研究與產能做好儲備。其中深天馬的 Micro LED 全制程試驗線項目總投資 11 億元，目的是打造一條從巨量轉移到顯示模組的全制程 Micro LED 試驗線，重點研發基于 TFT 基板的巨量轉移相關技術，并以車載顯示作為重要應用方向之一。Mini/Micro LED 或將開啟 LED 行業下一個黃金十年。圖表28:2023 年 Micro LED 相關項目動態(截至 6 月 5 日)公司公司 項目項目 投資金額（億投資金額（億元）元）動態動態 時間時間 深天馬 Micro LED 全制程試驗線。11 建設中 5 月 隨銳科技

59、富媒體智能顯示終端項目簽約徐州高新區，將打造 10 條 Mini LED 生產線和 1 條 Micro LED 實驗線。/簽約 4 月 普加福 面向 Micro LED 和 OLED 器件開發量子點色轉換產品項目。/簽約 3 月 Porotech 在英國和中國臺灣設立新廠，Micro LED 業務再提速。/開業 3 月 新視通 新視通 LED 顯示屏核心生產基地項目，建設 P0.6-P2.5 Mini LED 屏生產線，自主研發芯片及 Micro LED 屏生產等。10 開工 2 月 華燦光電 Micro LED 晶圓制造和封裝測試基地項目 20 募資獲受理 2 月 資料來源：LED insi

60、de，方正證券研究所 2.2.3 前瞻布局，三安光電 Mini/Micro LED 芯片項目進展順利 三安光電加碼擴產三安光電加碼擴產 Mini/Micro LED 芯片，加速產業化。芯片，加速產業化。2019 年 4 月三安光電宣布成立全資子公司湖北三安，建設首條 Mini/Micro LED 外延與芯片生產線，湖北三安光電有限公司 Mini/Micro 顯示產業化項目總投入 120 億元，項目用地約756 畝，總建筑面積 47.77 萬平方米，主要生產 Mini/Micro LED 氮化鎵芯片、Mini/Micro LED 砷化鎵芯片、4K 顯示屏用封裝三大產品系列。2021 年 9 月，

61、公司宣布募資不超 79 億元，加碼湖北三安 Mini/Micro LED 項目建設，項目達產后，將新增氮化鎵 Mini/Micro LED 芯片 161 萬片/年、砷化鎵 Mini/Micro LED 芯片 75萬片/年（均以 4 英寸為當量片）和 4K 顯示屏用封裝產品 8.4 萬臺/年的生產能力，項目實際募資總額達 79 億元，其中 69 億用于湖北三安顯示項目，截止三安光電(600703)公司深度報告 19 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 2023H1，募集資金已投入 15.7 億元。當前該項目擁有產能 12.5 萬片/月，2023H1營業收入 1.03 億元

62、，同比增長 22.43%，凈利潤為 0.14 億元，產量呈現逐月上升趨勢，子公司已成為多家知名客戶的主要供應商。圖表29:使用募集資金向全資子公司增資情況（單位：億元）項目名稱項目名稱 項目投資總額項目投資總額 擬投入募集資金擬投入募集資金 已投入金額已投入金額 湖北三安光電 Mini/Micro顯示產業化項目 120 69 23.5 補充流動資金 10 10/合計 130 79/資料來源：公司公告，方正證券研究所（注：截止至 2023H1）Micro LEDMicro LED 研發項目進展順利。研發項目進展順利。公司 Micro LED 技術研發及產業化項目完成并導入量產，成功開發出新型外延

63、結構、取光技術、巨量轉移技術，實現芯片均勻性、一致性要求，實現高質量的 Micro LED 產品。6 寸 Micro 紅光外延與芯片技術開發項目已完成 MIP CHIP 導產，完成 4 寸、6 寸工藝結構定版，超小尺寸（5 微米以下）芯片正處開發中，未來項目全部完成將助力公司實現 Micro 超小尺寸紅光外延芯片先進制程工藝研發，助力保持國際領先地位。2.3 車用 LED 照明需求上行 車用車用 LEDLED 滲透率逐漸上升。滲透率逐漸上升。車用 LED 主要集中在頭燈、尾燈、標識燈、氛圍燈、格柵燈、車用顯示等，隨著汽車個性化、智能化發展，ADB 前照燈、多色氛圍燈、貫穿式尾燈，加上車載顯示屏

64、面積增長及數量增加，給汽車照明市場帶來新的增長動能，帶動車用 LED 滲透率的提升，其中新能源車 LED 滲透率更高。以頭燈為例，根據 TrendForce 分析，2022 年 LED 頭燈滲透率于全球乘用車達到 70%，其中電動車的 LED 頭燈滲透率更高達 92%，預計 2023 年將分別提升至 77%與94%。車用顯示先進技術推動下，2023 年全球車用 LED 市場規模預計達 33.07億美金。圖表30:車用 LED 領域 資料來源：LED inside，方正證券研究所 安瑞光電市場份額進一步提升。安瑞光電市場份額進一步提升。三安光電全資子公司安瑞光電主要負責車用產品的研發與銷售，20

65、23H1 實現銷售收入 10.69 億元，同比增長 21.85%，伴隨公司新品及量產進度的逐步推進，公司智能化車燈產品在新一代自動駕駛車中份額逐步提高，基于 Mini/Micro LED 的像素化照明的星環燈已完成設計開發并向市場三安光電(600703)公司深度報告 20 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 推廣；像素化矩陣前照燈已導入頂級車型上應用；迭代的 LED 前照燈、音樂律動后組合尾燈等多種明星產品獲得良好的業界口碑。且公司車規級 RS 系列技術開發項目主要目標的完成及量產的導入，提升紅光剎車燈、黃光轉向燈性能，產品競爭力進一步增強，有望提高市場占有率。3 碳化

66、硅：降本、技術突破在即，國產應用空間廣闊 3.1 碳化硅器件相比于 Si 器件具有明顯的性能優勢和系統成本優勢 半導體材料根據時間先后可以分為三代：第一代為鍺、硅等普通單質材料，一般多用于集成電路；第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導體，主要用于發光及通訊材料；第三代半導體主要包括碳化硅、氮化鎵等化合物半導體；目前第三代半導體憑借優秀的物理化學性質，碳化硅材料在功率、射頻器件領域逐漸開啟應用。圖表31:半導體材料性能對比 資料來源：Trendforce，方正證券研究所 圖表32:功率半導體芯片發展歷程 資料來源：中國中車，方正證券研究所 SiSiC C 高禁帶特性，高禁帶特性，與硅相比具有與硅相

67、比具有性能優勢。性能優勢。SiC 的禁帶寬度為 3eV，是 Si 的 3 倍，介電擊穿強度是 Si 的 10 倍。相較于 Si 材料，SiC 的電子飽和速度高 2 倍，另外禁帶越寬，在高溫下的漏電流就越小，效率也越高。SiC 的熱導率是 Si 的 3 倍，導熱系數越大，電流密度就越高。半導體類型半導體類型禁帶禁帶寬度寬度(eV)電子電子遷移率遷移率(cm/Vs)熱導率熱導率(W/cm)擊穿場擊穿場場強場強(V/cm)*106飽和漂移飽和漂移速率速率(cm/s)*107主要應用領域主要應用領域第一代Si（硅）1.113501.50.31邏輯IC、存儲器（低功率、低頻）第二代GaAs（砷化鎵）1.

68、485000.50.42光電、射頻器件InP（磷化銦）1.354000.70.51第三代SiC（碳化硅）3.29004.52.22功率、射頻、光電器件（大功率、高頻、高溫）GaN（氮化鎵）3.510001.33.22.5三安光電(600703)公司深度報告 21 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表33:碳化硅相較于硅的性能優勢 資料來源：Yole，EDN China，方正證券研究所 SiCSiC 在高電壓、高功率領域具有在高電壓、高功率領域具有明顯明顯性能優勢性能優勢。目前 SiC 已經實現了 600V、1200V、1700V 等不同電壓等級的商業化應用，而且有望

69、在未來滿足 3300V（三菱電機已經研制成功）和 6500V 級、更高電壓等級的需求。隨著 SiC 產品向高壓大容量方向發展，SiC 產品的應用領域將持續增長。但在 600V 及以下小容量換流器中，SiC 產品不僅要面對 Si MOSFET 的激烈競爭，還可能受到 GaN 器件的挑戰。圖表34:SiC 的應用場景 資料來源：Yole，方正證券研究所 從性能的角度分析，從性能的角度分析，SiC MOSFET 相比相比 Si IGBT 具有明顯優勢：具有明顯優勢：（1）受結構限制，IGBT 的內部沒有寄生二極管，電感突然斷電釋放的電容易燒壞回路中的IGBT；（2）SiC MOSFET 在 600V

70、 以上具有較強優勢，相較于傳統的 Si-IGBT體積縮小了 50%，效率提升了 2%，器件的使用壽命得到延長，并且在相同功率介電擊穿場強高介電擊穿場強高10倍倍電子飽和速度電子飽和速度高高2倍倍能帶隙能帶隙高高3倍倍熱導率熱導率高高3倍倍可以減小SiC/GaN的厚度降低電阻和熱阻=降低功率損耗可以實現更高的開關速度電子飽和速度=電子的最大速度在寬溫度范圍內提供穩定/低泄漏“自由”電子需要更高的能量SiC的高散熱導致較低的工作溫度和熱應力SiC可以更快地傳輸受激電子（熱量）三安光電(600703)公司深度報告 22 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 下損耗小，散熱需求低

71、，在電流密度、工作頻率、可靠性、漏電流等性能指標方面優勢明顯。圖表35:碳化硅材料及器件的特點和優勢 圖表36:碳化硅在系統層面上的優勢 資料來源：EDN China，方正證券研究所 資料來源：Rohm，方正證券研究所 從成本的角度分析，相同性能的從成本的角度分析，相同性能的 SiC MOSFETSiC MOSFET 相比相比 Si IGBTSi IGBT 同樣具有優勢：同樣具有優勢：根據Control and Topologies of Grid Connected Converters的研究，對 690V 電網中基于 Si 和 SiC 的兩種工業轉換器進行了設計比較，發現在給定的設計要求下

72、，與基于硅的設計相比，基于 SiC 的設計可以顯著減輕重量并降低 11%的系統成本，提高整體效率。圖表37:基于 SiC 的設計可以減輕重量 圖表38:基于 SiC 的設計可以降低系統成本 資料來源：Control and Topologies of Grid Connected Converters，方正證券研究所 資料來源：Control and Topologies of Grid Connected Converters，方正證券研究所 3.2 成本下降推動 SiC 產業化 SiCSiC 產業鏈主要包括襯底、外延、器件制造、應用等環節。產業鏈主要包括襯底、外延、器件制造、應用等環節。碳

73、化硅器件不可直接制作于襯底上，需先使用化學氣相沉積法在襯底表面生成所需薄膜材料，即形成外延片，再進一步制成器件。71 220 050100150200250300SiC-MOSFETconverterSi-IGBTconverterModulesCoolingDC-LinkLCL-Filter1575 378 1435 3240 0100020003000400050006000SiC-MOSconverterSi-IGBTconverterModulesGatedriver UnitCoolingDC-LinkLCL-Filter三安光電(600703)公司深度報告 23 敬 請 關 注 文

74、 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表39:SiC 產業鏈 資料來源：SiC Power，方正證券研究所 SiCSiC 市場高度市場高度集中集中。在 SiC 晶圓市場中，海外 Wolfspeed 和 Coherent 占據了 70%以上的市場份額；碳化硅器件市場中，CR3 的市場份額 69%。我們認為，未來國產替代空間較大。圖表40:SiC 晶圓的器件市場競爭格局 資料來源：McKinsey&Company，方正證券研究所 國際龍頭持續加大襯底產能的擴張。國際龍頭持續加大襯底產能的擴張。Wolfspeed、羅姆、II-VI（現更名 Coherent）等巨頭都有 5 倍以上的產能擴建規劃

75、。羅姆計劃從 2019 到 2025 年擴產 6 倍。II-VI 則在 2020 年提出計劃，5 年內產能將擴大 5-10 倍。Wolfspeed 在 2019 年推出了 5 年實現 30 倍擴產計劃。電網/軌道/電動車襯底材料原材料襯底材料外延材料芯片晶體生長切、磨、拋外延生長封裝系統應用前道工藝（芯片制程）后前道工藝系統集成上 游中 游下 游SiC粉體SiC晶錠SiC晶片SiC外延片裸片分立器件/功率模塊三安光電(600703)公司深度報告 24 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表41:全球主要廠商等效 6 寸 N 型襯底擴產規劃 資料來源：Yole，方正證券

76、研究所 成本是成本是 SiCSiC 技術產業化的核心變量技術產業化的核心變量，SiSiC C 襯底是高成本的主要原因襯底是高成本的主要原因。目前 SiC 大規模應用的阻礙仍在于 SiC 成本較高。截至 2021 年 9 月，100 安培分立式 SiC MOSFET（650V 和 1200V）的零售價幾乎是同等額定 Si IGBT 的 3 倍，盡管 SiC器件芯片減小了 3-4 倍。造成這種成本差異最大的原因是 SiC 襯底，與硅相比，其他成本也會導致碳化硅的價格較高，但與襯底成本相比影響較小。圖表42:碳化硅 MOSFET Die 成本拆分 資料來源：PGC，方正證券研究所 長晶速率和綜合良率

77、是襯底重要的降本因子。長晶速率和綜合良率是襯底重要的降本因子。長晶環節是襯底制造過程中壁壘最高的環節，直接材料中占比最大的耗材用于長晶環節，提高長晶良率和效率有助于降低成本。根據 CEMAC 測算，提高 30%的長晶速度，并降低 50%的切割損耗，可以降低 70%的襯底。三安光電(600703)公司深度報告 25 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表43:襯底降本因子拆解 資料來源：CEMAC，方正證券研究所 技術升級驅動襯底成本降低。技術升級驅動襯底成本降低。英飛凌在 2018 年收購了 SiC 晶圓切割領域的新銳公司 Siltectra，其冷切割（Cold Sp

78、lit）使得原材料損耗從傳統 50%減至 20%，每片晶圓的成本可以降低 35%。碳化硅單晶生長方法有物理氣相傳輸法（PVT法）、高溫化學氣相沉積法（HTCVD 法）和液相法（LPE 法）等。目前 PVT 方法是 SiC 單晶生長的主流技術，但該方法生長速度慢，擴晶難度較大。2023 年6 月，天岳先進攜 8 英寸碳化硅襯底最新技術動態亮相 Semicon China，采用液相法制備出了低缺陷的 8 英寸晶體。圖表44:英飛凌冷切割技術 圖表45:碳化硅單晶生長方法 資料來源：英飛凌，方正證券研究所 資料來源：SiC Power，方正證券研究所測算 根據 Yole，2023 年 6 寸導電型襯

79、底片的市場零售價 771 美元/片，預計未來會按照 5%的速度下降，進一步推動 SiC 器件的滲透率提升。三安光電(600703)公司深度報告 26 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表46:導電型 SiC 襯底價格趨勢（美元/片）資料來源：Yole，方正證券研究所 晶圓尺寸增加有助于推動晶圓尺寸增加有助于推動 SiCSiC 芯片芯片成本成本，目前全球，目前全球 SiSiC C 龍頭襯底尺寸正在向龍頭襯底尺寸正在向 8 8 英英寸發展。寸發展。當前 SiC 主流為 6 英寸，伴隨大直徑襯底占比不斷提高，襯底單位面積生長成本下降。圖表47:SiC 襯底開發時間表 資料

80、來源：Yole，方正證券研究所 溝槽型碳化硅溝槽型碳化硅 MOSFETMOSFET 在成本和性能上都具有較強優勢。在成本和性能上都具有較強優勢。碳化硅 MOSFET 主要分為平面結構和溝槽結構。目前 ROHM Gen3 結構（Gen1 Trench 結構）的芯片面積相當于是 Gen2（Plannar2）的 75%，同一芯片尺寸的導通電阻可降低 50%，還可以降低成本。0500100015002000250020212022202320242025E2026E2027EN-type4N-type6N-type8三安光電(600703)公司深度報告 27 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與

81、 免 責 條 款 圖表48:Rhom 第二代和第三代的 SiC MOSFET 器件結構 圖表49:第二代和第三代產品各項特性對比 資料來源：R 課堂，方正證券研究所 資料來源：R 課堂，方正證券研究所測算 未來未來 8 8 英寸襯底英寸襯底 SiCSiC 成本有望繼續下降。成本有望繼續下降。根據 PGC Consultancy SiC 成本預測模型結果，隨著 8 英寸襯底成本的加速下降和缺陷減少，到 2023 年使用 8 英寸襯底的 SiC 芯片成本會低于 6 英寸襯底，并且未來持續降低。圖表50:PGC Consultancy SiC 成本預測模型 資料來源：PGC，方正證券研究所 垂直整合

82、模式可提高利潤率。垂直整合模式可提高利潤率。根據 McKinsey&Company 研究，SiC 晶圓和器件制造的垂直整合可以提高良率 5 至 10 個百分點，利潤率提高 10 至 15 個百分點。三安光電(600703)公司深度報告 28 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表51:非垂直整合和垂直整合模式 6 英寸 SiC MOSFET 成本拆分 資料來源：McKinsey&Company，方正證券研究所 3.3 新能源汽車是 SiC 器件市場需求最重要驅動力 新能源汽車的高速發展為第三代半導體功率器件帶來廣闊應用空間。新能源汽車的高速發展為第三代半導體功率器件帶

83、來廣闊應用空間。根據麥肯錫研究結果，預計到 2024 年或 2025 年，電動汽車的總體擁有成（TCO）將在許多國家達到與內燃機汽車（ICE）持平的水平，2030 年電動汽車在全球輕型汽車市場中的份額將增長 3.5 倍達到 67%。目前 SiC 器件市場價值約為 20 億美元，預計到 2030 年將達到 110 億至 140 億美元，復合年增長率預計為 26%，預計70%的 SiC 需求將來自電動汽車，國內是電動汽車預期需求最高的國家，預計將占電動汽車生產中碳化硅總需求的 40%左右。圖表52:全球新能源車加速滲透 圖表53:全球 SiC 功率器件市場規模 資料來源：McKinsey&Comp

84、any，方正證券研究所 資料來源：McKinsey&Company，方正證券研究所 SiCSiC 器件新能源汽車應用中具有更大優勢。器件新能源汽車應用中具有更大優勢。IGBT 是雙極型器件，在關斷時存在拖尾電流，因此關斷損耗大。MOSFET 是單極器件，不存在拖尾電流，SiC MOSFET 的導通電阻、開關損耗大幅降低，整個功率器件具有高溫、高效和高頻特性，能夠提高能源轉換效率。三安光電(600703)公司深度報告 29 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表54:碳化硅在車載系統的優勢 資料來源：soitec，方正證券研究所 SiC 器件在新能源車中有四大應用，其中

85、逆變器部分價值量最高。器件在新能源車中有四大應用，其中逆變器部分價值量最高。SiC 器件在新能源汽車上有快充系統、車載系統、動力系統和交流/直流轉換器四大作用。SiC IGBT 具有導通壓降小、開關速度快的優勢，大量應用于新能源汽車的 OBC、DC/DC 和電機控制器中。目前，電動車逆變器的碳化硅器件價值量占到 90%。圖表55:碳化硅器件在新能源車中的應用 圖表56:SiC 器件在電動車不同環節的價值含量 資料來源：Wolfspeed，方正證券研究所 資料來源：Wolfspeed，方正證券研究所 碳化硅在新能源車的滲透率和價值量持續提升。碳化硅在新能源車的滲透率和價值量持續提升。根據 Wol

86、fspeed 預測，2027 年碳化硅在純電動車中的滲透率將達到 60%以上，電動車中碳化硅器件的價值量將以 33%的年復合增長率增長，2027 年達到 4986 美金。90%10%逆變器車載充電器三安光電(600703)公司深度報告 30 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表57:BEV 和 SiC 的滲透率 圖表58:SiC 在電動車中的價值量趨勢 資料來源：Wolfspeed，方正證券研究所 資料來源：Wolfspeed，方正證券研究所 電機驅動：電機驅動：SiC 行業龍頭 Wolfspeed 預測 SiC 逆變器能夠提升 5-10%的續航，節省 400-80

87、0 美元的電池成本（80kWh 電池、102 美元/kWh），與新增 200 美元的 SiC 器件成本抵消后，能夠實現至少 200 美元的單車成本下降。圖表59:使用碳化硅為 OEM 廠商節省了成本 資料來源：wolfspeed，方正證券研究所 碳化硅主驅逆變器持續滲透。碳化硅主驅逆變器持續滲透。目前幾乎所有的汽車制造商都在開發基于碳化硅的主驅逆變器，2022 年開始碳化硅在高端電動車的滲透率將加速提升。0%10%20%30%40%50%60%70%2022202420262027電動車SiC01,0002,0003,0004,0005,0006,000202220232024E2025E20

88、26E2027E三安光電(600703)公司深度報告 31 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表60:汽車制造廠碳化硅主驅逆變器項目示意圖 資料來源：Yole，方正證券研究所 電源轉換：電源轉換：車載 DC/DC 變換器的功能是將動力電池提供的高壓直流電轉換為適合不同系統的低壓直流電，從而為動力驅動、HVAC、車窗升降、內外照明、信息娛樂和一些傳感器等提供不同的電壓。采用 SiC 器件可以有效降低功率轉換的損耗，并縮小散熱部件的尺寸，從而實現變壓器的小型化。充電模塊：充電模塊：采用 SiC MOSFET，能夠顯著提升車載/非車載充電機功率密度、減少開關損耗，改善熱管

89、理。根據 Wolfspeed，汽車電池充電機采用 SiC MOSFET在系統層面的 BOM 成本將降低 15%圖表61:電動車充電機系統層面 BOM 物料清單成本對比 資料來源：Wolfspeed，方正證券研究所 8%11%8%13%8%11%24%22%14%13%19%13%10%8%10%8%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%SiliconSilicon CarbideTotem Pole PFCDC/DC PrimaryDC/DC SecondaryMagnetics DC/DCMagnetics DC/ACCapacitorsThermal MgmtE

90、nclosure三安光電(600703)公司深度報告 32 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 3.4 湖南三安：碳化硅斬獲 38 億訂單，一體化布局里程碑 湖南三安半導體成立于 2020 年 7 月，項目位于湖南長沙高新區，打造專門的碳化硅垂直整合產業鏈，覆蓋碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、封裝和測試服務，為客戶的設計提供及時高效的支持，加速產品向市場投放和迭代的周期。一期工程2022年已實現月產15000片碳化硅6寸晶圓。二期工程將于2023年底完工，達產后將達到 50 萬片 6 寸碳化硅晶圓的年產能。圖表62:碳化硅全鏈整合平臺 資料來源：三安官網，方正證券研究所

91、未來未來中國仍將是最大的中國仍將是最大的 SiCSiC 市場市場，本土供應商機遇大。，本土供應商機遇大。根據麥肯錫研究，國內市場中，大約有 1/3 是中國整車廠，2/3 外國整車廠，預計到 2030 年，中國整車廠和海外整車廠的比例將達到 1：1。目前，非中國 SiC 制造商供應中國 80%的晶圓市場和 95%以上的器件市場，出于地緣政治和供應鏈安全的考慮，中國整車廠更傾向于本地供應源，預計到 2030 年，中國 OEM 廠商本土采購率將從目前的約 15%增加到 60%左右。圖表63:預計 2030 年中國是最大的碳化硅市場 圖表64:中國 OEM 廠商傾向本地采購碳化硅 資料來源：McKin

92、sey&Company，方正證券研究所 資料來源：McKinsey&Company，方正證券研究所 三安集成實現國內三安集成實現國內 SiCSiC 產業鏈一體化產業鏈一體化意義重大意義重大。當前國內與海外碳化硅產業鏈在各環節仍有一定差距。海外廠商襯底正從 6 英寸向 8 英寸升級，國內仍處于 4 英寸至 6 英寸過渡階段；國內外延質量較國外仍有提升空間；SiC 二極管國內外發展均較成熟，但國內 MOSFET 進度較緩；封裝設備國產化率低；國內 SiC 車規級三安光電(600703)公司深度報告 33 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 產品可靠性驗證經驗欠缺；僅少數領域

93、應用開始滲透，未來批量應用空間更大。國外 SiC 產業鏈各環節形成閉環反饋，有利于加速研發及產品落地，三安集成的垂直產業鏈能力對于國內 SiC 產業鏈發展、公司技術研發及產品商業化具有重要意義。從二極管到從二極管到 MOSMOS 重大突破，三安重大突破，三安 SiCSiC 業務迎來放量增長。業務迎來放量增長。此前三安碳化硅產品主要集中于二極管，2021 年公司碳化硅二極管新開拓送樣客戶超過 500 家，出貨客戶超過 200 家，超過 60 種產品已進入量產階段。在服務器電源、通信電源、光伏逆變器、充電樁、車載充電機等細分應用市場標桿客戶實現穩定供貨。2022 年9 月初，三安光電子公司湖南三安

94、發布了最新 1200V 碳化硅 MOSFET 系列產品，包含 1200V 80m/1200V 20m/1200V 16m 三款新品，均來自湖南三安自主可靠的六寸全鏈整合平臺。公司進一步突破車用中 SiC 中價值量更高、盈利水平更高的 OBC 和主驅等的應用，不斷提升車規產品份額，SiC 業務有望迎來放量增長。深入綁定新能源車客戶，與理想成立合資公司。深入綁定新能源車客戶，與理想成立合資公司。2022 年 3 月 23 日，三安光電全資子公司湖南三安半導體與理想汽車的關聯公司北京車和家汽車科技有限公司，共同設立合資公司蘇州斯科半導體有限公司，主要從事汽車專用功率模塊及電力電子模組的研發導入、生產

95、制造和銷售。湖南三安以自有貨幣資金共計出資人民幣 9,000 萬元，持股比例 30.00%。斬獲斬獲 3838 億大訂單，主驅碳化硅芯片應用實現突破。億大訂單，主驅碳化硅芯片應用實現突破。2022 年 11 月 7 日，三安光電發布關于全資子公司簽署戰略采購意向協議的公告。子公司湖南三安與從事新能源汽車業務的需求方簽署戰略采購意向協議，協議約定湖南三安按照一定的價格向需方提供產品和服務，需方根據實際需求向供方下立采購訂單，基于2022 年市場價格感知，包含 2023 年產生的研發業務需求，至 2027 年預估協議含稅總金額 38 億元。需方承諾自 2024 年至 2027 年確保向湖南三安每年

96、采購碳化硅芯片，超出部分由雙方協商確定。本次向需方供應的碳化硅芯片將應用于新能源車主驅，有利于進一步提高公司產品市場占有率，提升公司知名度，為公司碳化硅業務的長遠發展奠定堅實基礎。公司與意法半導體合資建廠。公司與意法半導體合資建廠。2023 年 7 月，意法半導體和三安光電宣布，雙方已簽署協議，將在中國重慶建立一個新的 8 英寸碳化硅器件合資制造廠。新的SiC 制造廠計劃于 2025Q4 度開始生產，預計 2028 年全面落成，屆時將更好地支持中國的汽車電氣化、工業電力和能源等應用日益增長的需求。同時，三安光電將利用自有 SiC 襯底工藝，單獨建造和運營一個新的 8 英寸 SiC 襯底制造廠，

97、以滿足該合資廠的襯底需求。三安光電(600703)公司深度報告 34 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表65:意法半導體與三安光電合資建廠 資料來源：ST 官網，方正證券研究所 4 氮化鎵：高頻高功率優勢顯著，射頻與電子電力應用持續滲透 氮化鎵低功耗與高功率密度助力器件高可靠性、高能效和小尺寸。氮化鎵低功耗與高功率密度助力器件高可靠性、高能效和小尺寸。隨著科技和社會的發展，電力能源的需求和消耗將持續增加，為實現節能、環保、綠色發展，GaN 是一種突破 Si 理論極限的新型半導體材料，具有更低功耗、更高功率密度的優勢，在特定應用中 GaN 在更高的開關頻率下提供比硅

98、或碳化硅更高的效率，是未來功率半導體發展的重要方向。舉例來看，GaN 有望實現新的未來電力電子的100V-600V 中等功率/最高開關頻率中的應用。圖表66:GaN 具有高可靠性、高能效與小尺寸優勢 資料來源：三代半導體芯研究，英飛凌，方正證券研究所 GaNGaN 產業鏈按環節分為產業鏈按環節分為襯底（襯底（SiSi、GaNGaN 單晶襯底、單晶襯底、SiCSiC、藍寶石、藍寶石)、GaNGaN 材料外延、材料外延、設計、制造、封測以及應用。設計、制造、封測以及應用。在中游制造方面,最主要的工序即襯底和外延生長,也是材料技術的關鍵；在下游應用方面,氮化鎵一般用于器件/模塊的制造,最終形成半導體

99、產品應用于射頻、電力電子、光電子等各個領域。其中，2020 年 GaN光電器件的占比達到 65.22%，其次是 GaN 射頻器件，市場占比約為 29.89%，而GaN 電力電子器件占比為 4.89%。高可靠性高可靠性大禁帶寬度大禁帶寬度高導熱率高導熱率大絕緣破壞電場大絕緣破壞電場高電子飽和速度高電子飽和速度高載流子遷移率高載流子遷移率承載高溫承載高溫承載高能量密度承載高能量密度減小器件導通電阻減小器件導通電阻器件高速工作器件高速工作高放大器增益高放大器增益高能效高能效小尺寸小尺寸三安光電(600703)公司深度報告 35 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表67:氮

100、化鎵行業產業鏈全景圖 資料來源：第三代半導體產業技術戰略聯盟，方正證券研究所 GaN 場效應管工藝流程為 1）器件隔離：器件隔離是通過離子注入或形成平臺(去除通道層)來實現的；2）歐姆金屬化：歐姆金屬化產生源極和漏極。在氮化鎵中，歐姆金屬化必須在非常高的溫度下進行，比其他半導體要高得多；3）氮化鈍化：在漏極和源極形成后，對半導體進行鈍化，最常用的是使用氮化硅；4）氮化開口和柵極金屬沉積：在氮化硅中形成開口，金屬沉積在其上，從而形成柵極；5）額外的氮化物和金屬層：在沉積了幾層額外的氮化物和金屬層之后，這些層形成了源場板、互連和電容器。至此，基片變薄(通常為 100 微米)，基片底部金屬化，并創建

101、通孔(基片頂部和底部之間的短路徑)。圖表68:GaN 工藝流程 資料來源：Qorvo，方正證券研究所 GaGaN N 的襯底材料有硅、碳化硅、藍寶石以及氮化鎵等：的襯底材料有硅、碳化硅、藍寶石以及氮化鎵等：1）藍寶石：生產技術成熟、器件質量、穩定性都較好，能夠運用在高溫生長過程中，機械強度高，易于處理和清洗，由于襯底性能限制，無法應用到射頻和功率領域，廣泛應用于 LED 產業，主流為 4 英寸；2）碳化硅：碳化硅與 GaN 晶格失配較小、導電、熱導率高，在目前半導體照明芯片上占有優勢，但價格昂貴、折射率較大、缺陷密度高、熱失配也較大；3）硅：適用于小功率射頻，中小功率器件，硅的生長速度很快，硅

102、基上外延氮化鎵可以有效降低成本，制作大尺寸外延片；4）氮化鎵：成本高。射頻射頻外延外延襯底襯底設計設計封測封測應用應用電力電子電力電子光電子光電子上海鎵特科恒晶體鎵鋁光電制造制造聚能晶源英諾賽科能華微電子聚能晶源華功半導體華燦光電華為海思中興微電子遠創達三安集成海威華芯片長電科技華功半導體能華微電子英諾賽科三安集成海威華芯片長電科技芯合電子頂諾威電子方正微電子德潤豪達生長生長隔離隔離接觸接觸鈍化鈍化金屬鈍化金屬鈍化門門通孔通孔背部減薄背部減薄三安光電(600703)公司深度報告 36 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表69:GaN 襯底材料對比 資料來源：半導體材

103、料與工藝設備，方正證券研究所 圖表70:GaN 不同襯底路徑布局概覽圖 圖表71:電信基礎設施市場中各種射頻功率技術市場份額預測 資料來源：Yole，方正證券研究所 資料來源：Yole，方正證券研究所 4.1 射頻：5G 基站驅動射頻 GaN 量價齊升 射頻射頻 GaGaN N 市場規模有望在市場規模有望在 2 2028028 年達到年達到 2 27 7 億美元。億美元。GaN 在 5G 移動通信基站建設中十分重要，中國 5G 建設提速及技術逐漸成熟推動氮化射頻器件需求。我國工信部數據顯示，2023 年預計將新建開通 5G 基站 60 萬個，累計 5G 基站總數超過 90 萬個。中華人民共和國

104、無線電頻率劃分規定率先在全球將 6GHz 頻段劃分用于 5G/6G 系統，有利于推動 6G 產業研發和產業化進展。氮化射頻器件將受益于 6G 基站發展。根據 Yole，2022 年全球氮化射頻器件市場規模達 13 億美元，預計 2028 年將達 27 億美元，CAGR 為 12%。襯底材料襯底材料硅硅/Si碳化硅碳化硅/SiC 藍寶石藍寶石/Sapphire氮化鎵氮化鎵/GaN缺陷密度（cm-2）1E+095E+083E+081E+3-1E+5晶格失配（%）173.5-160熱導率（W/cm-k25）1.54.90.251.3熱膨脹系數（%）5425340斷路漏電流高高低低可靠性和量產低低低高

105、橫向/垂直結構橫向橫向橫向橫向或垂直集成性高中等中等-襯底尺寸（mm）30015010050襯底成本（相對）低高低非常高三安光電(600703)公司深度報告 37 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表72:2022-2028 年射頻氮化鎵市場規模預測 資料來源：Yole，方正證券研究所 射頻氮化鎵市場份額高度集中射頻氮化鎵市場份額高度集中，CR3 超超 50%。2022 年 SEDI、Wolfspeed、Qorvo和是射頻氮化鎵器件業務的主要參與者，分別占據了 22%/17%/15%的市場份額，CR3 達 54%，恩智浦在進入電信市場供應鏈后增長顯著，目前占據了 9

106、%的市場份額。在國防領域，雷神、諾斯洛普格魯門公司和中國電子科技集團正引領氮化鎵方案的推進，愛立信和諾基亞推動電信市場射頻氮化鎵器件開發。圖表73:射頻氮化鎵競爭格局 資料來源：Yole，方正證券研究所 GaN 在通信基站中具有高功率和高頻率的優勢，未來滲透空間廣闊。在通信基站中具有高功率和高頻率的優勢，未來滲透空間廣闊。電信基礎設施方面，高功率和高頻率性能的氮化鎵已滲透到各種基站中。隨著宏/微蜂窩從RRH 向 AAS 過渡，大規模 MIMO 基站需要更多 PA 單元。與 LDMOS 相比，氮化鎵在 3GHz 頻率以上有更高的 PAE 和寬帶能力。隨著 GaN 器件成本的下降和工藝的成熟，Ga

107、N 材料有望成為基站 PA 主流材料，根據 Yole，到 2028 年基于氮化鎵的電信基礎設施設備市場將占總市場的近 45%，氮化鎵將占 PA 出貨量的87%以上。三安光電(600703)公司深度報告 38 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表74:GaN 在通信基站中的應用趨勢 資料來源：三代半導體芯研究，方正證券研究所 圖表75:氮化鎵提升了 5G 通信基礎設施的效率 圖表76:預計 2028 年氮化鎵將占 PA 出貨量的 87%以上 資料來源：Yole，方正證券研究所 資料來源：Yole，方正證券研究所 4.2 電力電子：快充/適配器驅動功率 GaN 市場擴容

108、 快充、適配器引領功率快充、適配器引領功率 GaGaN N 市場擴容，市場擴容，2 2028028 年市場規模將超年市場規模將超 2 20 0 億美元。億美元。2022 年功率 GaN 市場規模為 1.8 億美元，預計 2028 年功率 GaN 市場規模將達 20.4 億美元，CAGR 為 49%，有望實現高速增長。功率提高（300W）和全氮化鎵充電器的出現提高了充電器的氮化鎵元件比例，智能手機中的過壓保護（OVP）等消費類應用也促進了功率 GaN 市場規模擴容。汽車領域中 ADAS 激光雷達、車載充電器（OBC）和 DC-DC 轉換器，數據通信等也都推動了功率 GaN 的應用。毫米波毫米波小

109、基站小基站波束形成波束形成MaasiveMIMO載波聚合載波聚合高頻高頻 高效高效高功率密度高功率密度陣列天線陣列天線寬寬禁帶禁帶小尺寸小尺寸GaN/GaAsGaN三安光電(600703)公司深度報告 39 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表77:2022-2028 年功率氮化鎵市場規模預測 資料來源：Yole，方正證券研究所 在快充中氮化鎵的應用已逐漸成為主流，在快充中氮化鎵的應用已逐漸成為主流，2 2026026 年中國快充年中國快充 GaGaN N 功率器件市場規功率器件市場規模有望超模有望超 7070 億元。億元。材料在充電器中主要存在于 PFC 開關管和

110、初級開關管里，2018 年 ANKER PowerPort Atom PD1 充電器率先采用氮化鎵，功率密度和充電性能出色，被消費者和廠商青睞，主流產品功率在 30W100W，氮化鎵充電器幾乎已經成了高性能充電器的代名詞。根據集微咨詢，2022 年中國快充 GaN 功率器件市場規模為 7.5 億元，預計至 2026 年將達 71.8 億元，2022-2026 年 CAGR達 76%，實現高速增長。圖表78:充電器工作原理（紅框為氮化鎵材料）圖表79:中國快充功率 GaN 市場規模（億元）資料來源：充電頭評測室，方正證券研究所 資料來源：集微咨詢，方正證券研究所 GaNGaN 功率器件功率器件在

111、新能源車中的應用范圍有望擴大，在新能源車中的應用范圍有望擴大，2 2028028 年全球規模預計達年全球規模預計達 5 5 億美億美元。元。在新能源汽車中，GaN 功率器件的主要應用于車載充電器 OBC 和 DC-DC，使得系統更高效，減少物理空間，降低能耗與系統工作溫度，在 650V 以下有優勢。根據與非網 eefocus，一輛電動汽車中氮化鎵芯片的總潛在市場空間超 250美元，其中，車載充電器 OBC 近 50 美元，DC-DC 逆變器約 15 美元，而主驅動接近 200 美元。根據 Yole，2022 年汽車 GaN 功率器件的全球市場規模為 600萬美元，2028 年有望達 5 億美元

112、，2022-2028 年 CAGR 達 110%。20222026E7.571.8三安光電(600703)公司深度報告 40 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表80:GaN 功率器件在新能源車中的應用 資料來源：集微咨詢，方正證券研究所 湖南三安氮化鎵技術平臺產品逐步完善，從消費電子拓展至工業與新能源車，應湖南三安氮化鎵技術平臺產品逐步完善，從消費電子拓展至工業與新能源車，應用領域不斷擴大。用領域不斷擴大。湖南三安氮化鎵技術平臺覆蓋 100/200V 低壓 E-Mode 器件，650V/900V E-Mode、D-Mode 器件、GaN IC 集成芯片，可用于 D

113、C-DC 轉化、適配器、消費快充、伺服電機等，逐漸從消費電子領域擴展至工業領域和新能源汽車等更高電流、更高電壓、更低電壓等的領域。公司擁有硅基氮化鎵代工平臺，硅基氮化鎵產能 2000 片/月，650V 芯片代工平臺已在消費電子領域廣泛導入，正開發擴展至高可靠度的大功率工業電機、服務器以及汽車車載充電器等，高壓900V 器件開發已完成，并已導入客戶產品設計及系統驗證。圖表81:三安光電 GaN 技術圖譜 資料來源：三安光電，方正證券研究所 三安光電(600703)公司深度報告 41 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表82:三安 GaN 技術平臺 圖表83:三安 Ga

114、N 料號進展 資料來源：湖南三安，方正證券研究所 資料來源：湖南三安，方正證券研究所 5 砷化鎵：電子行業中最主要的制造材料之一 使用砷化鎵襯底制造的半導體器件擁有高功率密度、低能耗、高發光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性。襯底的制造中分別需要經過多晶合成以及單晶合成等工藝。多晶合成：由于自然界中不存在天然的磷化銦、砷化鎵多晶，因此首先需要通過人工合成制備該等化合物多晶，將兩種高純度的單質元素按一定比例裝入熱解氮化硼（PBN）坩堝中，在高溫高壓環境下合成化合物多晶。單晶合成：單晶合成：化合物半導體單晶生長的制備方法有水平布里奇曼法（HB）、垂直布里奇曼法（VB）、液封切克勞斯基法（LEC）、垂直

115、梯度冷凝法（VGF）。單晶直徑上：單晶直徑上：目前 HB 法生長的單晶直徑最大一般為 3 英寸，LEC 法生長的單晶直徑最大可達 12 英寸，但 LEC 法的生長單晶晶體設備投入成本更高，且生長的晶體不均勻且位錯密度大。目前 VGF 與 VB 法生長的單晶直徑最大可達 8 英寸，生長的晶體較為均勻且位錯密度較低。單晶質量上：單晶質量上：相較其他方法 VGF 法生長的晶體位錯密度低且生產效率穩定。生產成本上：生產成本上：HB 的成本最低，LEC 的成本最高，VB 與 VGF 類似，但 VGF 取消了機械傳動結構，與 VB 相比能以更低成本穩定生產單晶。mA10015適配器:PFC/LLC1601

116、0適配器:PFC/LLC5030適配器:PFC/LLC（200-1000W）7520適配器:PFC/LLC（90-300W）3504QR適配器30W10015QR適配器65-120W17010QR適配器65W4003.5合封 with controller/driverSpec應用應用技術技術650V V1650V V2650V V2+料號料號版本版本VRRM（V）IF（A）xx封裝形式封裝形式y狀態狀態SMG065EOxxy11650515可提供SMG065EOxxy22650530驗證中SMG065EOxxy22200560驗證中SMG065EOxxy22100560驗證中SMG065EO

117、xxy336505100驗證中B:bare dieC:TO220-3LS:DFN8*8三安光電(600703)公司深度報告 42 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表84:砷化鎵襯底單晶制備工藝 資料來源：方正證券研究所整理 外延制造：外延制造：外延也被稱為磊晶，是在單晶襯底材料上淀積一層薄的單晶層的一種制備高純微電子復合材料的工藝過程。在襯底上新淀積的單晶層便被稱為外延層，而淀積有外延層的襯底材料則被叫做外延片。外延使用的技術主要為 MOCVD、MBE 以及 LPE。MOCVD（金屬有機物化學氣相淀積）是外延生長的一項技術，其利用特制的設備并以金屬有機物源（MO

118、源）作為原料，用氫氣或氮氣作為載氣，通入液體中攜帶出蒸汽，與 V 族的氫化物混合，再通入反應室，在加熱的襯底表面發生反應，外延生長化合物晶體薄膜。目前 MOCVD 是生產紅色和黃色LED 以及藍色、綠色和白色 LED 的主流方法之一。圖表85:砷化鎵器件工藝流程 資料來源：方正證券研究所整理 射頻器件、顯示與光電子技術助推砷化鎵市場規模增速。射頻器件、顯示與光電子技術助推砷化鎵市場規模增速。在 5G 通信、新一代顯示（Mini LED、Micro LED）、無人駕駛、人工智能、數據中心等新興市場需求的帶動下，未來砷化鎵元器件市場規模將逐步擴大。自 90 年以來，砷化鎵技術迅速發展，并逐漸成為最

119、成熟的半導體材料之一。二代半都具有電子遷移率高、光電性能好等特點，砷化鎵被廣泛應用于在通訊射頻、LED 以及半導體激光芯片等各個終端領域之中。三安光電(600703)公司深度報告 43 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 5.1 射頻器件：智能手機通信技術迭代驅動射頻前端芯片需求 中國砷化鎵器件市場規模近中國砷化鎵器件市場規模近 200 億人民幣。億人民幣。根據 Yole 預測，2023 年國內砷化鎵元器件行業利潤合計達約 190 億元，其中光電器件、射頻器件合計約 150 億元；中國射頻前端芯片市場規模在 2022 年達到了 914.4 億元，預計 2023 年全年規

120、模為 975.7 億元，同比增長 6.7%。射頻器件是實現信號發送和接收的關鍵器件，射頻器件主要包括功率放大器、射頻開關、濾波器、數模/模數轉換器等器件，其中，功率放大器是放大射頻信號的器件，其直接決定移動終端和基站的無線通信距離和信號質量，砷化鎵由于其高電子遷移率與高飽和電子速率等優勢，在功率放大器中占據主流地位。5G 帶動砷化鎵射頻器件需求增長。帶動砷化鎵射頻器件需求增長。砷化鎵射頻器件應用工作頻率可達 8Ghz，適用于 4G、5G 移動通信設備；氮化鎵射頻器件應用頻率則在 40Ghz 以內，但氮化鎵射頻器件功率密度要求較高，因此主要用于通信基站中。相比原有 4G 通信，5G 通信在頻率范

121、圍、頻段數量、頻道帶寬等方面都有較大的提升，并且技術應用也變得更為復雜，射頻前端芯片數量的大幅增加，5G 的單機價值量相較于 4G有約 67%-88%的漲幅，其中砷化鎵功率放大器的單機價值量從 3.3 增加至 7.5 美元。截止 2023 年上半年，三安光電擁有砷化鎵射頻產能為 1.5 萬片/每月。圖表86:砷化鎵元器件利潤按終端應用占比 圖表87:中國射頻前端芯片市場規模 資料來源：西安金融控股有限公司，方正證券研究所 資料來源：中商情報網，方正證券研究所 圖表88:射頻前段產品價值量（單位：美元）資料來源：頭豹研究院，方正證券研究所 光電與射頻,79%其他,21%0%10%20%30%40

122、%02004006008001,0001,200201820192020202120222023E市場規模（億元）同比（%）三安光電(600703)公司深度報告 44 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 5.2 半導體激光芯片：光電子技術核心部件 半導體激光芯片半導體激光芯片是光電子技術的核心部件，下游應用拓展迅速。是光電子技術的核心部件，下游應用拓展迅速。半導體激光芯片是采用半導體芯片制造工藝，以電激勵源方式，以半導體材料為增益介質，將注入電流的電能激發，從而實現諧振放大選模輸出激光、電光轉換。下游應用已從光模塊、光通信等通信類光電子技術，拓展到激光雷達、3D 空間以

123、及人臉檢測、工業等非通信類光電子技術應用。砷化鎵可作為砷化鎵可作為半導體激光芯片半導體激光芯片的的增益介質與襯底增益介質與襯底。半導體激光芯片是采用半導體芯片制造工藝，以電激勵源方式，以半導體材料為增益介質，將注入電流的電能激發，從而實現諧振放大選模輸出激光，實現電光轉換。其增益介質與襯底主要為摻雜 III-V 族化合物的半導體材料，如 GaAs（砷化鎵），InP（磷化銦）等。利用砷化鎵電子遷移率高、光電性能好的特點，使用砷化鎵襯底制造的紅外激光器、傳感器具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發光效率、高擊穿電壓等特點。半導體激光芯片根據諧振腔制造工藝的不同分為邊發射激光芯片（EEL：Edge E

124、mitting Lasers）和面發射激光芯片（VCSEL：Vertical Cavity Surface EmittingLaser）兩種。邊發射激光芯片是在芯片的兩側鍍光學膜形成諧振腔，沿平行于襯底表面發射激光，而面發射激光芯片是在芯片的上下兩面鍍光學膜，形成諧振腔，由于光學諧振腔與襯底垂直，能夠實現垂直于芯片表面發射激光。面發射激光芯片有低閾值電流、穩定單波長工作、可高頻調制、容易二維集成、沒有腔面閾值損傷、制造成本低等優點，但輸出功率及電光效率較邊發射激光芯片低，其主要使用砷化鎵襯底材料。V VCSEL:CSEL:受益受益 5 5G G、A AI I 及車載應用，應用市場規模持續提升。

125、及車載應用，應用市場規模持續提升。根據 Yole 預測，2022年全球 VCSEL 激光器市場規模約 16 億美金，預計到 2027 年將增長至 39 億美元，年復合增長率達到 19.2%。隨著 3D 傳感技術在各領域的深度應用，將持續推動VCSEL 激光器市場的快速發展，其中通信及基礎設施是增速最快的市場，由 2022年的 7.8 億美金，增長至 2027 年的 21 億美金，CAGR 22.2%。汽車領域，作為無人駕駛車輛、光纖數據傳輸和醫學成像的激光雷達引導，滲透率日趨增高。圖表89:2022-2027 年 VCSEL 激光器市場規模（百萬美金）資料來源：Yole，方正證券研究所 三安光

126、電(600703)公司深度報告 45 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表90:光模塊結構示意圖 圖表91:蘋果 iPhone X 使用了三顆 VCSEL 激光器芯片芯片 資料來源：海翎光電，方正證券研究所 資料來源：半導體工程師，方正證券研究所 市場生態變化，雙頭壟斷格局形成。市場生態變化，雙頭壟斷格局形成。2017 年，作為唯一一家獲得蘋果認證的 VCSEL供應商，Lumentum 主導 VCSEL 市場，市場占比達 41%，盡管其他家也占據較為重要份額，但相比之下，較為分散，隨著市場領導者并購動作的持續，如Coherent（原 II-VI）收購了 Finisa

127、r，最終形成雙頭壟斷格局，到 2022 年Lumentum 和 II-VI 合計占據 80%的市場份額。圖表92:2017 年 VCSEL 市場格局 圖表93:2021 年 VCSEL 市場格局 資料來源：Yole，方正證券研究所 資料來源：Yole，方正證券研究所 三安光電光技術產品應用于接入網、數據通信、電信傳輸、智能 AI、消費工業類（光感測、醫美、監控、加熱等）領域和車載激光雷達芯片市場，據公司 2023 年半年報，目前產能已達 2750 片/月。公司集成電路光芯片業務在數據通信類VCSEL 應用領域出貨占比最高，產品布局涵蓋 10G VCSEL 到 56G NRZ VCSEL，并深入

128、 WDM 和車載數通領域。在非數通類應用領域，已有產品進入頭部手機廠商供應鏈，在車載雷達領域獲得定點；在工業激光應用方面，正在與中科院合作開發領先的激光加熱解決方案，2023 年上半年，公司光技術業務合作客戶超 170 家，其中車載激光雷達和消費工業類領域新開發客戶達 40 多家，涵蓋國內外行業主要廠商。41%14%12%11%6%5%1%10%LumentiumII-VITrumpfFinisarBroadcomamsVertiliteOthers42%37%6%3%4%1%7%LumentiumII-VITrumpfFinisarBroadcomamsVertiliteOthers三安光電

129、(600703)公司深度報告 46 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 6 濾波器：突破重圍、國產替代 濾波器是射頻前端價值量最高部分。濾波器是射頻前端價值量最高部分。射頻前端芯片包括射頻開關、射頻低噪聲放大器、射頻功率放大器、雙工器、射頻濾波器等芯片。射頻濾波器是其中價值量最高的部分，濾波器即用來過濾波的裝置，其作用主要是過濾掉不需要的頻率成分并使特定的頻率成分通過，從而得到一個特定頻率的電源信號，而使不同頻段不同形式的無線通信設備才能得以不互相干擾。一款高端智能電子設備要對數十個頻段的 2G、3G 和 4G 無線信號的接收和發送進行濾波處理，Wi-Fi、藍牙和 GP

130、S 接收器的信號處理也需要濾波器，必須對各接收路徑的信號進行隔離使其互不干擾同時還必須要對其它各式不需要的外部信號進行抑制。圖表94:智能手機通信系統結構示意圖 圖表95:射頻前端模組占比拆分 資料來源：卓勝微招股說明書，方正證券研究所 資料來源：前瞻產業研究院，方正證券研究所 移動端的濾波器以采用半導體加工工藝的聲學濾波器為主，其中主要為表面聲波濾波器（SAW）和體聲波濾波器（BAW）。SAW 的聲波是在表面傳播，BAW 的聲波是縱向傳播。S SAWAW 主要用于低頻，主要用于低頻，BAWBAW 適用高頻。適用高頻。不同頻段由于使用的電磁波頻率不一樣，適用不同的濾波器。SAW 在 1.5GH

131、z 以上效果就較差，一般 2.1GHz 以上就需要使用BAW。因此，在 5G 時代的 Sub-6 GHz 及毫米波，濾波器新增需求主要會來自 BAW及更高端的產品上。53%33%7%3%2%2%濾波器功率放大器射頻開關雙工器低噪聲放大器其他三安光電(600703)公司深度報告 47 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表96:在 2.1GHz 左右，SAW 的插損較明顯 資料來源：Qorvo，方正證券研究所 在射頻前端市場驅動及國產替代趨勢下，單一均質壓電材料的聲表器件（普通 SAW，N-SAW）技術愈加成熟。普通 SAW 聲表器件的局限性也日益凸顯，即溫度穩定性表現

132、差、品質因素 Q 值低和器件散熱差而導致的最大輸入功率偏低這使得普通SAW 器件在性能和應用場景方面比較受限。TC SAWTC SAW 改善溫度性能。改善溫度性能。SAW 濾波器一般以鉭酸鋰、鈮酸鋰、二氧化硅等材料基片作為壓電襯底，蒸鍍一層金屬膜，然后經過光刻，在兩端各形成一堆叉指形電極組成。SAW 對溫度變化敏感，溫度升高性能變差，TC SAW 在 SAW 內部結構中增加了保護層，改善了溫度性能，成本較 SAW 高，但比 BAW 仍低一些。行業在 2018 年提出“不可思議高性能 SAW（I.H.P SAW）”器件的概念，著重提高諧振器的 Q 因子，使得 HP-SAW 的 Q 特性峰值在 1

133、.9GHz 頻段超過 3,000，超過了一般 BAW 器件的數值。另外，HP-SAW 在溫度特性上也做出了明顯的改善，可以表現出8 ppm/或更低的改進偏移。三安集成發布全自主三安集成發布全自主 HPHP-SAWSAW 產品產品 B8&B25B8&B25 雙工器，支持下一代雙工器，支持下一代 14111411 尺寸封裝尺寸封裝。三安集成作為射頻前端全方位解決方案提供商與制造平臺，將多年化合物半導體制造經驗延伸至濾波器領域，擁有濾波器全產業鏈的研發和制造能力。三安集成于近期提出可量產的 HP-SAW 解決方案。該產品在低邊帶可以達到 0ppm/的溫漂參數，高邊帶對比上一代 TC-SAW 產品，大

134、幅優化至-17ppm/，插損和隔離度特性也顯示出比前代工藝更明顯的優勢。綜合而言，HP-SAW 工藝可幫助客戶實現低插損、高隔離度的設計要求，并具備向小延伸至 1411 尺寸的超小型化可能性。同時三安集成也同步開發了 WLP 封裝以支持集成化要求更高的客戶。另外，為支持客戶在歐美市場業務拓展，三安集成同步推出 B25 雙工器，適配北美市場，采用相同的自主 HP-SAW 技術 三安光電(600703)公司深度報告 48 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表97:三安集成 HP SAW 圖表98:三安集成同步推出 B25 雙工器 資料來源：三安集成微信公眾號，方正證券研

135、究所 資料來源：三安集成微信公眾號，方正證券研究所 BAWBAW 濾波器尺寸濾波器尺寸隨隨頻率升高頻率升高而而減小，適合高頻應用，成本高。減小，適合高頻應用，成本高。BAW 具有插損小、溫度變化不敏感、衰減大等優點，在高頻具有性能優勢，此外 BAW 濾波器尺寸還隨著頻率升高而縮小，非常適合 4G/5G 應用。BAW 以石英晶體作為基板，利用石英基板上下兩面的金屬發出聲波，以形成駐波。其中，采用薄膜腔聲波諧振技術的稱為 FBAR，采用固體堆疊諧振技術稱為 SMR BAW。從技術路徑角度而言，博通主推 FBAR，Qorvo 主推 SMR BAW。BAW 的價格高于 SAW，BAW 器件所需制造工藝

136、步驟是 SAW 的 10 倍，但 BAW 是在更大晶圓上制造的，因此每片晶圓產出的 BAW 器件也多了約 4 倍，但 BAW 成本仍高于 SAW。圖表99:濾波器種類及頻率分布圖 資料來源：MicrowaveJournal，方正證券研究所 通訊技術升級，濾波器量價齊升。通訊技術升級，濾波器量價齊升。4G 手機所需要的濾波器數量多于 2G 及 3G 時代，隨著 4G 的不斷普及以及 5G 的引入，濾波器的需求量提升。此外，載波聚合和 MIMO 都是基于多頻譜技術，每個頻譜需要新增兩個濾波器，是濾波器數量增長的另一個推力。根據 Yole Development 對全球濾波器市場的預測，2017 年

137、濾波器市場規模達到 80 億美元，而至 2023 年全球濾波器市場規模將會達到 225 億美元，CAGR 18.8%。三安光電(600703)公司深度報告 49 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 美日壟斷全球濾波器市場，美國主導美日壟斷全球濾波器市場，美國主導 BAWBAW，日本掌控，日本掌控 S SAWAW。從濾波器的全球競爭格局上看，美國和日本基本壟斷了整個行業。在 SAW 濾波器領域，日本企業 Murata、TDK 和太陽誘電占據市場 80%以上的份額；在 BAW 濾波器領域，博通和 Qorvo 兩家廠商占據市場 90%以上的份額。國內 SAW 濾波器廠商有麥捷

138、科技、中電二十六所、中電德清華瑩、華遠微電和無錫好達電子，BAW 濾波器領域商業化進度有限。圖表100:2020 年全球 SAW 濾波器市場格局 圖表101:2020 年全球 BAW 濾波器市場格局 資料來源：華經情報網，方正證券研究所 資料來源：華經情報網，方正證券研究所 領先廠商通過兼并收購，技術優勢良性循環牢占市場。領先廠商通過兼并收購，技術優勢良性循環牢占市場。根據 Murata，公司連續近10 年占 SAW 濾波器市場近半市場份額；Avago 收購 Broadcom 成立新博通，掌控BAW 市場；TriQuint 與 RFMD 合并為 Qorvo，二者結合使得 Qorvo 不僅同時具

139、備BAW 與 SAW 研發生產能力，且具備了更完善的前端模塊生產能力；高通與 TDK 通過合資企業 RF360，實現二者無線通信技術上的互補（TDK 2008 年收購 EPCOS，獲得聲學濾波器生產技術，從而提供完整的射頻無源器件解決方案）；Skyworks收購松下濾波器部門，補全 SAW 技術。由于這些公司在射頻前端其他分立器件、PA 模組等環節都有布局，因此在濾波器模組化過程中再次占據領先優勢，良性循環牢牢把控市場地位。50.0%22.0%15.0%9.0%4.0%村田TDK太陽誘電SkyworksQorvo56.0%38.0%4.0%2.0%博通（Avago)Qorvo太陽誘電TDK三安

140、光電(600703)公司深度報告 50 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表102:濾波器種類及頻率分布圖 公司公司 濾波器領域兼并濾波器領域兼并/發展歷程發展歷程 Murata 連續多年全球 SAW 濾波器市占率近半成 博通 2015 年，Avago 以 370 億美元收購博通，進一步完善合并后公司在無線接入領域的統治地位 Qorvo 2014 年，TriQuint 與 RFMD 合并為 Qorvo。Qorvo 繼承了TriQuint 的 BAW-SMR 濾波器研發生產能力，以及 RFMD 的 SAW研發生產能力。同時二者的結合使得 Qorvo 具備了更完善的前端

141、模塊生產能力 RF360 2016 年，高通與 TDK 通過合資企業 RF360 實現二者無線通信技術上的互補（TDK 于 2008 年收購 EPCOS，獲取其完善的聲學濾波器生產技術，以提供完整的射頻無源器件解決方案），后合資公司被高通全資收購 Skyworks Skyworks 2014 年與松下成立合資企業；2016 年 Skyworks 完全收購該合資企業，完成對松下濾波器部門的收購，補全SAW 方面的技術 資料來源：方正證券研究所整理 模組化是目前射頻前端國際競爭主賽道。模組化是目前射頻前端國際競爭主賽道。5G 時代，智能終端天線數量增加帶來射頻元器件數量增加，但 5G 手機中射頻前

142、端 PCB 面積受限，因此對射頻前端高集成度模組化需求增加，聲學濾波器是前端模塊的重要一環以及很多公司的最后一環。近些年博通、Qorvo、Skyworks 等公司通過兼并整合，兼具生產獨立的濾波器和前端模塊的能力。日本企業如 TDK、村田、太陽誘電等目前仍主要生產分立濾波器元件，這些公司不僅對設備制造商直供集成式的濾波器，也向射頻前端模塊生產商提供濾波器元件生產外包服務。射頻前端模組化是目前國際業界積極布局的主賽道。高端手機注重模組化，分立器件仍在中低端市場占重要地位。高端手機注重模組化，分立器件仍在中低端市場占重要地位。根據 Yole 及SystemsPlus Consulting 對主流廠

143、商手機拆解發現，智能手機從低端到高端，模組成本占比逐步提升，蘋果、三星等高端機型中模組化程度非常高，射頻前端成本也較高。未來市場整體有射頻前端集成度提升趨勢，高端市場射頻前端集成度將持續提升，但考慮成本問題，國產安卓系廠商產品中，射頻前端仍將大量采用分立器件。三安光電(600703)公司深度報告 51 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 圖表103:不同型號智能手機射頻前端成本占比（按供應商）圖表104:主流智能手機廠商射頻前端及連接架構趨勢 資料來源：Yole，方正證券研究所 資料來源：Yole，方正證券研究所 近年來逐步有內資優秀廠商切入濾波器賽道，但技術仍與國際水

144、平有較大差距。近年來逐步有內資優秀廠商切入濾波器賽道，但技術仍與國際水平有較大差距。國內從事 SAW 濾波器布局的廠商包括三安、卓勝微，中電 26 所、中電 55 所（德清華瑩）、麥捷科技、信維通信、好達電子等，BAW 濾波器廠商包括中電 26 所、開元通信、天津諾斯等。技術方面，國內廠商起步晚，而濾波器的性能受設計與制造工藝影響大，高性能濾波器設計和制造工藝（專利）大多掌握在美日 IDM 廠商中，國內濾波器的代工工藝不夠成熟。模組化方面，掌握多種射頻前端芯片工藝是模組化前提，尤其是濾波器和 PA 的制造和集成。外資廠商通過并購整合方式占領射頻前端模塊市場，而國內廠商目前在濾波器等分立器件領域

145、技術以及先進封裝工藝的差距，使得國內模組化進展較為緩慢。三安日本設立研發中心，吸引人才儲備技術。三安日本設立研發中心，吸引人才儲備技術。依托日本在濾波器芯片設計、制造及應用方面的人才及技術優勢，三安 2017 年在日本設立濾波器研發中心，吸收日本研發人員，儲備日本在濾波器行業的技術資源，進行濾波器的研發配合射頻前端模組布局。南安投資南安投資 333333 億，包含射頻、濾波器產業化項目。億，包含射頻、濾波器產業化項目。2017 年 12 月，公司擬投資 333億元在泉州芯谷南安園區投資若干項目，其中包括射頻、濾波器的研發與制造產業化項目。2018 年，公司濾波器產品研發及可靠性驗證取得實質性進

146、展，進入客戶送樣階段，同時公司濾波器業務相關設備逐步到廠。2019 年上半年，濾波器產線設備到位并進入全面安裝調試階段，2019 年底，產線持續擴充備貨中。公司Band1+Band3 四工器性能達行業前沿水平，為國內首個能夠提供 PhaseVNR 架構所需的全套四工器和雙工器產品的企業，目前濾波器產能達 150KK/月。從晶體到封裝，垂直布局濾波器。從晶體到封裝，垂直布局濾波器。三安計劃垂直布局濾波器，福建晶安負責鉭酸鋰襯底片研發生產，三安集成與泉州三安為濾波器晶圓生產基地，未來公司將逐步完成從濾波器工藝技術，濾波器產品線，到先進封裝的布局。三安光電(600703)公司深度報告 52 敬 請

147、關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 7 盈利預測及投資建議 L LEDED 應用產品：應用產品：公司 LED 應用產品主要為 LED 車燈，受益于新能源車滲透率持續提升，車用 LED 滲透率持續提升，汽車智能化和個性化趨勢推動汽車照明各項新應用快速發展，ADB 前照燈、多色氛圍燈、貫穿式尾燈的不斷推廣應用，為汽車照明市場貢獻新的增量,我們預計公司 LED 應用產品業務在 2023-2025 年實現營收 25.45/34.35/41.22 億元，毛利率分別為 14.0%/15.0%/15.0%。L LEDED 芯片銷售：芯片銷售：公司 LED 芯片銷售業務主要包括 LED 外延片

148、和 LED 芯片。行業方面，LED 面板市場已經出現拐點，量價均在 2023 年 Q3 出現回暖，Mini/Micro LED的持續放量為主要的業務驅動因素，公司作為 LED 芯片龍頭，在新興領域率先布局，預計業績將更快兌現,我們預計公司 LED 芯片銷售業務在 2023-2025 年實現營收 54.36/59.79/65.77 億元，毛利率分別為 18.0%/18.0%/18.0%。集成電路芯片：集成電路芯片：公司集成電路芯片業務包括 1）GaAs、GaN、LT/LN；2）GaN、SiC；3）GaAs、InP。目前公司碳化硅處于產能爬坡階段，氮化硅在電子電力功率的重要性逐漸提高，我們預計公司

149、的集成電路業務將實現快速增長，2023-2025 年將實現營收 29.57/50.28/75.41 億元，預計毛利率為 16.0%/25.0%/27.0%。圖表105:三安光電分業務營收及毛利率預測 資料來源：Wind，方正證券研究所 三安光電(600703)公司深度報告 53 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 綜上所述，我們看好公司所具備的技術積累和優勢，公司市場開拓以及新品放量持續推進，LED 行業拐點已來，2023Q4 行業需求逐漸旺盛，公司稼動率漸升，且公司營收體量大，凈利率的小幅改善將帶來較為可觀的利潤提升，我們預計公司在 2023/2024/2025 年分

150、別實現營業收入 144.40/180.44/219.45 億元，同比增長9.2%/25.0%/21.6%，實現歸母凈利潤 4.26/14.70/20.38 億元，同比增長-37.8%/244.8%/38.7%，公司 24/25 年 PE 為 46.5/33.5X。我們選取聚燦光電、天岳先進、光訊科技等公司作為可比公司，基于以下考慮：聚燦光電、乾照光電與公司主營業務均為 LED 芯片及外延片的研發與銷售、天岳先進與公司均從事碳化硅襯底的研發與銷售，我們計算出 2024/2025 年可比公司平均 PE 分別為 86.2/43.5X，公司估值與可比公司相比具備較強的估值吸引力，維持“強烈推薦”評級。

151、圖表106:可比公司估值對比 資料來源：Wind，方正證券研究所；注：總市值選取 2024/3/5 收盤價，可比公司歸母凈利及 PE 選取 Wind 一致預測 8 風險提示 LEDLED 行業需求不及預期：行業需求不及預期：宏觀經濟包括房地產周期下行可能會影響 LED 芯片的整體需求，需求下降進而可能引發產業降價競爭，對公司毛利率及盈利能力產生壓力?；衔锇雽w業務進展不及預期：化合物半導體業務進展不及預期：化合物半導體研發及量產工藝難度大，碳化硅等功率器件車規級應用驗證周期長，公司化合物半導體研發、量產及客戶導入進度若不及預期，可能會對公司營收及盈利水平造成不利影響。國際貿易紛爭風險：國際貿

152、易紛爭風險：近年來隨著國際貿易保護主義抬頭，若公司半導體相關業務產能建設所需的設備材料等的獲得受到限制，則可能會對公司業務經營帶來負面影響。三安光電(600703)公司深度報告 54 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 附錄:公司財務預測表 單位：百萬元(人民幣)資產負債表資產負債表 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 利潤表利潤表 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E 流動資產流動資產 2213522135 2114521145 1935219352 20995209

153、95 營業總收入營業總收入 1322213222 1444014440 1804418044 2194521945 貨幣資金 9526 6671 2595 457 營業成本 10865 12428 14988 17896 應收票據 2177 2424 2992 3645 稅金及附加 164 176 218 268 應收賬款 3160 3411 4046 5116 銷售費用 167 191 226 281 其它應收款 149 121 184 218 管理費用 764 977 1101 1364 預付賬款 491 748 817 954 研發費用 584 751 812 988 存貨 5807 6

154、863 7789 9583 財務費用 377 343 292 421 其他 826 907 930 1022 資產減值損失-587 0 3 1 非流動資產非流動資產 3625536255 3994239942 4423244232 4714147141 公允價值變動收益 15 0 0 0 長期投資 439 544 685 780 投資收益 39 0 0 0 固定資產 22685 25700 29017 31688 營業利潤營業利潤 858858 465465 15801580 21572157 無形資產 4852 5330 5761 6197 營業外收入 33 67 40 47 其他 8278

155、 8367 8769 8476 營業外支出 37 59 67 54 資產總計資產總計 5838958389 6108761087 6358463584 6813668136 利潤總額利潤總額 854854 473473 15531553 21492149 流動負債流動負債 1168711687 1336013360 1611416114 1882918829 所得稅 169 47 84 112 短期借款 3981 5004 6258 7573 凈利潤凈利潤 685 426 1469 2037 應付賬款 3192 3300 4187 5003 少數股東損益 0 0 0 0 其他 4514 505

156、6 5669 6253 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 685685 426426 14691469 20372037 非流動負債非流動負債 87558755 93969396 90969096 88968896 EBITDA 4225 4121 5459 6728 長期借款 3350 4350 4050 3850 EPS（元）0.15 0.09 0.29 0.41 其他 5406 5046 5046 5046 負債合計負債合計 2044320443 2275622756 2521025210 2772527725 主要財務比率主要財務比率 2022A2022A 2023E2023E 202

157、4E2024E 2025E2025E 少數股東權益 0 0 0 0 成長能力成長能力(同比增長率同比增長率%)股本 4989 4989 4989 4989 營業總收入 5.17 9.21 24.96 21.62 資本公積 21221 21150 21150 21150 營業利潤-51.02-45.80 239.81 36.48 留存收益 12403 12829 14298 16335 歸屬母公司凈利潤-47.83-37.80 244.77 38.68 歸屬母公司股東權益 37947 38331 38374 40411 獲利能力獲利能力(%)%)負債和股東權益負債和股東權益 5838958389

158、 6108761087 6358463584 6813668136 毛利率 17.83 13.93 16.93 18.45 凈利率 5.18 2.95 8.14 9.28 現金流量表現金流量表 2022A2022A 2023E2023E 2024E2024E 2025E2025E ROE 1.81 1.11 3.83 5.04 經營活動現金流經營活動現金流 800800 25312531 47154715 42474247 ROIC 1.97 1.47 3.43 4.51 凈利潤 685 426 1469 2037 償債能力償債能力 折舊攤銷 3068 3304 3614 4157 資產負債率

159、(%)35.01 37.25 39.65 40.69 財務費用 347 360 426 473 凈負債比率(%)-1.03 12.60 25.69 32.45 投資損失-39 0 0 0 流動比率 1.89 1.58 1.20 1.12 營運資金變動-3800-1557-784-2380 速動比率 1.31 0.98 0.64 0.53 其他 539-2-10-40 營運能力營運能力 投資活動現金流投資活動現金流-41044104 -69926992 -78937893 -70277027 總資產周轉率 0.25 0.24 0.29 0.33 資本支出-4032-7082-7753-6931

160、應收賬款周轉率 4.69 4.40 4.84 4.79 長期投資-96-106-141-95 應付賬款周轉率 3.67 3.83 4.00 3.89 其他 24 196 0 0 每股指標每股指標(元元)籌資活動現金流籌資活動現金流 98849884 16061606 -897897 642642 每股收益 0.15 0.09 0.29 0.41 短期借款 1667 1023 1254 1315 每股經營現金 0.16 0.51 0.94 0.85 長期借款 750 1000-300-200 每股凈資產 7.61 7.68 7.69 8.10 普通股增加 510 0 0 0 估值比率估值比率 資

161、本公積增加 7389-71 0 0 P/E 114.40 160.18 46.46 33.50 其他-431-346-1851-473 P/B 2.26 1.78 1.78 1.69 現金凈增加額現金凈增加額 65986598 -28552855 -40764076 -21382138 EV/EBITDA 20.17 17.74 14.31 12.09 數據來源：wind 方正證券研究所 三安光電(600703)公司深度報告 55 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款分析師聲明分析師聲明 作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，保證報告所采用的數據和信息均來自公

162、開合規渠道，分析邏輯基于作者的職業理解，本報告清晰準確地反映了作者的研究觀點，力求獨立、客觀和公正，結論不受任何第三方的授意或影響。研究報告對所涉及的證券或發行人的評價是分析師本人通過財務分析預測、數量化方法、或行業比較分析所得出的結論，但使用以上信息和分析方法存在局限性。特此聲明。免責聲明免責聲明 本研究報告由方正證券制作及在中國（香港和澳門特別行政區、臺灣省除外）發布。根據證券期貨投資者適當性管理辦法，本報告內容僅供我公司適當性評級為 C3 及以上等級的投資者使用，本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。若您并非前述等級的投資者，為保證服務質量、控制風險，請勿訂閱本報告中的信

163、息，本資料難以設置訪問權限，若給您造成不便，敬請諒解。在任何情況下，本報告的內容不構成對任何人的投資建議，也沒有考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需求，方正證券不對任何人因使用本報告所載任何內容所引致的任何損失負任何責任，投資者需自行承擔風險。本報告版權僅為方正證券所有，本公司對本報告保留一切法律權利。未經本公司事先書面授權，任何機構或個人不得以任何形式復制、轉發或公開傳播本報告的全部或部分內容，不得將報告內容作為訴訟、仲裁、傳媒所引用之證明或依據，不得用于營利或用于未經允許的其它用途。如需引用、刊發或轉載本報告，需注明出處且不得進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。評級說明：評級說明：類

164、別類別 評級評級 說明說明 公司評級 強烈推薦 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數有20%以上的漲幅。推薦 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數有10%以上的漲幅。中性 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數在-10%和10%之間波動。減持 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數有10%以上的跌幅。行業評級 推薦 分析師預測未來12個月內行業表現強于同期基準指數。中性 分析師預測未來12個月內行業表現與同期基準指數持平。減持 分析師預測未來12個月內行業表現弱于同期基準指數?；鶞手笖嫡f明 A股市場以滬深300 指數為基準；香港市場以恒生指數為基準，美股市場以標普500指數為基準。方正證券研究所聯系方式：方正證券研究所聯系方式：北京：西城區展覽館路 48 號新聯寫字樓 6 層 上海：靜安區延平路71號延平大廈2樓 深圳：福田區竹子林紫竹七道光大銀行大廈31層 廣州：天河區興盛路12號樓雋峰苑2期3層方正證券 長沙：天心區湘江中路二段36號華遠國際中心37層 E-mail：