《北方華創-公司研究報告-刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出打造平臺型設備龍頭-241231（37頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《北方華創-公司研究報告-刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出打造平臺型設備龍頭-241231（37頁）.pdf（37頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。北方華創 002371.SZ 公司研究|首次報告 國資背景平臺型設備龍頭，業績增長持續強勁國資背景平臺型設備龍頭，業績增長持續強勁。北方華創是目前國內集成電路高端工藝裝備的領軍企業，公司立足半導體基礎產品領域，深耕半導體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件等業務領域，致力于成為半導體基礎產品領域引領者。公司營業收入持續較快增長，從 2017 年的 22.2 億元增長至 2023 年的 220.8 億元。公司刻蝕、薄膜沉積、清洗和爐管等數十種核心工藝裝備逐

2、步得到市場認可，工藝覆蓋度及市場占有率均保持增長，業績增長持續強勁。半導體設備成長型行業需求樂觀，國產化空間廣闊。半導體設備成長型行業需求樂觀，國產化空間廣闊。半導體設備是半導體制造的基石和行業基礎，晶圓制造設備是半導體設備行業需求最大的領域。在人工智能、物聯網、智能汽車、云計算等新興應用領域強勁需求的帶動下，半導體設備中長期需求樂觀。根據國際半導體產業協會（SEMI）數據，2024 年半導體設備市場總規模投資將達到 1090 億美元，其中前道設備投資 980 億美元，占比高達 90%；預計2025 年全球半導體設備市場總規模將同比增長 16%至超過 1270 億美元，創下新的紀錄。全球半導體

3、產業向中國大陸轉移，中國 2024 年晶圓產能將以 13的增長率居全球之冠。半導體設備國產替代勢在必行，隨著國產半導體設備國產化率提升，國產設備廠商市場規模有望迅速提升，千億市場空間廣闊?？涛g設備和薄膜沉積設備國內先進，不斷開拓打造平臺化能力?？涛g設備和薄膜沉積設備國內先進，不斷開拓打造平臺化能力。公司刻蝕設備實現硅、金屬、介質刻蝕機全覆蓋，計劃推出 12 英寸雙大馬士革 CCP 介質刻蝕機，預計將拓展在存儲、CIS 和功率半導體等多個領域的新業務。薄膜沉積設備實現了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，成功實現功率半導體、三維集成和先進封裝、新型顯示、化合物半導體等多個領域的量產應用，12

4、 寸先進集成電路制程金屬化薄膜沉積設備實現量產突破。截至 2023 年底已推出 40 余款 PVD 設備，PVD設備與刻蝕設備累計出貨均超 3500 腔。公司致力于打造平臺化能力，清洗設備和熱處理設備板塊不斷拓展，并推出去膠機等新產品，產品品類不斷拓展。我們預測公司 24-26 年每股收益分別為 10.51/14.05/18.08 元，根據可比公司 25 年39 倍 PE 估值，對應目標價為 547.95 元，首次覆蓋給予買入評級。風險提示風險提示 國際和國內競爭加劇，技術迭代風險，下游需求不及預期風險，宏觀經濟波動風險，政策變化風險，假設條件變化影響測算結果。2022A 2023A 2024

5、E 2025E 2026E 營業收入(百萬元)14,688 22,079 29,858 38,345 47,972 同比增長(%)51.7%50.3%35.2%28.4%25.1%營業利潤(百萬元)2,867 4,448 6,843 9,410 12,242 同比增長(%)131.9%55.1%53.9%37.5%30.1%歸屬母公司凈利潤(百萬元)2,353 3,899 5,602 7,491 9,638 同比增長(%)118.4%65.7%43.7%33.7%28.7%每股收益（元）4.41 7.31 10.51 14.05 18.08 毛利率(%)43.8%41.1%44.0%44.6%

6、45.4%凈利率(%)16.0%17.7%18.8%19.5%20.1%凈資產收益率(%)12.8%17.7%20.6%22.3%23.3%市盈率 88.6 53.5 37.2 27.8 21.6 市凈率 10.6 8.6 6.9 5.6 4.5 資料來源：公司數據.東方證券研究所預測.每股收益使用最新股本全面攤薄計算.盈利預測與投資建議 核心觀點 公司主要財務信息 股價（2024年12月31日）391 元 目標價格 547.95 元 52 周最高價/最低價 490.03/222.12 元 總股本/流通 A 股（萬股）53,312/53,266 A 股市值（百萬元）208,451 國家/地區

7、中國 行業 電子 報告發布日期 2024 年 12 月 31 日 1 周 1 月 3 月 12 月 絕對表現%-4.28-5.94 6.84 59.52 相對表現%-3.06-6.41 8.9 44.84 滬深 300%-1.22 0.47-2.06 14.68 蒯劍 021-63325888*8514 執業證書編號：S0860514050005 香港證監會牌照：BPT856 韓瀟銳 執業證書編號：S0860523080004 薛宏偉 執業證書編號：S0860524110001 朱茜朱茜 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 買入 （首次）北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域

8、優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。2 目 錄 1 國資背景平臺型設備龍頭，業績增長持續強勁.5 1.1 股權結構集中，股權激勵彰顯信心.5 1.2 深度受益半導體設備國產替代趨勢，業績穩定增長.8 1.3 半導體設備多領域布局，募投支持項目建設.9 2.半導體設備行業：多重驅動加持，國產替代空間廣闊.11 2.1 半導體設備是半導體產業鏈的上游核心.11 2.2 半導體需求量提升驅動半導體設備市場增長.13 2.3 晶圓產能向大陸轉移，國內設備需求增長快.15

9、 2.4 半導體設備國產替代勢在必行.16 3.打造平臺核心優勢，多元布局快速成長.17 3.1 刻蝕設備實現硅、金屬、介質刻蝕機全覆蓋.17 3.2 薄膜沉積設備穩步增長.22 3.3 開拓設備板塊，打造平臺化能力.28 3.4 精密電子元器件業務積累深厚.29 盈利預測與投資建議.33 盈利預測.33 投資建議.34 風險提示.34 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。3 圖表目錄 圖 1：北方華創主要股東和子公司（截

10、止到 2024Q3）.6 圖 2：員工結構占比圖（2023 年）.6 圖 3：員工學歷占比圖（2023 年）.6 圖 4：2018-2023 年銷售、管理費用率.7 圖 5：2018-2023 年研發費用（億元）.7 圖 6：2017-2024 前三季度營業收入.8 圖 7：2017-2024 前三季度凈利率、毛利率.8 圖 8：2019-2023 年前五大供應商采購總額占比.8 圖 9：2019-2023 年前五大客戶營業收入占比.8 圖 10：2016-2023 年各業務營業收入（億元）.10 圖 11：半導體設備產業鏈示意圖.11 圖 12：芯片生產過程詳解.11 圖 13：半導體中長期

11、需求樂觀.12 圖 14：全球半導體設備市場規模.12 圖 15：全球半導體前道設備細分市場規模（十億美元）.12 圖 16：世界各地區半導體設備市場規模.13 圖 17：全球半導體設備市場分布情況.13 圖 18：各地區半導體設備競爭力（按公司總部所在地劃分）-2022.13 圖 19：半導體設備（光刻機-ASML）內部結構復雜.13 圖 20：全球新建晶圓廠預測.14 圖 21：全球晶圓產能增長預測.14 圖 22：半導體行業摩爾定律.14 圖 23：不同制程刻蝕次數（單位：次）.14 圖 24：每 5 萬片晶圓產能的設備投資（百萬美元）.15 圖 25：制造工藝升級提高產線設備投資額（十

12、億美元）.15 圖 26：國產半導體設備有望維持高增長.15 圖 27：全球半導體產業轉移歷程.16 圖 28：中國半導體設備市場國產化市場規模測算（億元）.17 圖 29：刻蝕技術分類.17 圖 30：CMOS 芯片的結構示意圖.18 圖 31：全球半導體刻蝕機市場規模.18 圖 32：全球各地區刻蝕設備增長速度（2022-2027）.19 圖 33：國內半導體設備銷售額變化趨勢（億美元）.19 圖 34：北方華創刻蝕設備領域關鍵時間節點.20 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請

13、與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。4 圖 35：北方華創 ICP 刻蝕機：NMC 612D 硅刻蝕機.21 圖 36：北方華創 CCP 刻蝕機：Accura LX 介質刻蝕機.21 圖 37：TSV 技術與傳統線鍵合（Wire Bonding）技術對比.21 圖 38：北方華創 ACE i300 去膠機.21 圖 39：薄膜沉積技術分類.23 圖 40：全球各地區 PVD 增長速度（2020-2025）.24 圖 41：PVD 設備市場領導者.24 圖 42：亞太地區 PVD 市場規模（十億美元）.24 圖 43：全球各地區 PVD 增長速度（2022-2027）.

14、25 圖 44：全球 CVD 和 ALD 前驅體市場規模.25 圖 45：電子元器件行業產業鏈結構圖.30 圖 46：全球物聯網終端連接數量發展趨勢圖.30 圖 47：北方華創電子元器件產品種類與用途.31 圖 48：電子元器件營業收入及占比.32 圖 49：電子元器件凈利潤.32 圖 50：可比公司估值表.34 表 1：北方華創公司發展歷程.5 表 2：北方華創股權激勵情況.7 表 3：2021 年北方華創募投項目情況.10 表 4：各類型刻蝕工藝對比.20 表 5：北方華創部分刻蝕設備.22 表 6：北方華創主要 PVD 產品.26 表 7：北方華創 CVD 產品及特點.27 表 8：北方

15、華創清洗設備.28 表 9：北方華創立式爐設備.29 表 10：兩次擴產項目概況.31 表 11：精密電子元器件品類新研發產品.31 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。5 1 國資背景平臺型設備龍頭，業績增長持續強勁國資背景平臺型設備龍頭，業績增長持續強勁 1.1 股權結構集中，股權激勵彰顯信心 北方華創成立于 2001年 9月，是目前國內集成電路高端工藝裝備的領軍企業。立足半導體基礎產品領域，深耕半導體裝備、真空及鋰電

16、裝備和精密電子元器件等業務領域，產品廣泛應用于集成電路、先進封裝、半導體照明、第三代半導體、新能源光伏、新型顯示、真空熱處理、新能源鋰電等領域，現有六大研發生產基地，營銷服務體系覆蓋歐、美、亞等全球主要國家和地區，致力于成為半導體基礎產品領域值得信賴的引領者。深耕電子領域，逐漸擴大規模優勢。深耕電子領域，逐漸擴大規模優勢。公司由北京七星華創電子股份有限公司（以下簡稱“七星電子”）和北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司（以下簡稱“北方微電子”）戰略重組而成。2010 年，七星電子在深交所上市；2016 年，在國家大基金主導下，七星電子與北方微電子通過戰略重組，形成中國規模較大、產品豐富

17、與應用領域廣泛的泛半導體工藝裝備提供商；2018 年，公司完成對美國 Akrion Systems LLC 公司資產及相關業務的收購，極大豐富了高端集成電路設備產品線；同年公司被納入國務院國資委國企改革“雙百企業”試點名單；2021 年 10月，公司首次進入全球電子百強企業榜單，2022 年 12 月營收規模首次邁入百億大關。成立二十余年來，公司通過內生外延打造泛半導體平臺，業務涵蓋 IC、LED、光伏和面板等泛半導體領域，行業龍頭地位顯著。表 1：北方華創公司發展歷程 時間時間 產品產品 2001 年 9 月 七星華創電子成立 2001 年 10 月 北方微電子成立 2010 年 3 月 七

18、星電子在深交所上市 2016 年 8 月 七星電子預備方位電子完成戰略重組，新增股份在深交所上市 2017 年 2 月 七星電子更名為北方華創 2018 年 1 月 北方華創收購美國 Akrion，豐富了高端集成電路設別產品線 2018 年 8 月 北方華創被國務院納入國企改革“雙百企業”試點名單 2019 年 12 月 北方華創非公開發行股票上市，募集資金總額 20 億元 2021 年 10 月 北方華創首次進入全球電子百強企業榜單，排名第 95 位 2022 年 12 月 北方華創銷售收入首次突破百億元 數據來源：公司官網、東方證券研究所 得到政策支持，股權結構集中。得到政策支持，股權結構

19、集中。截至公司 2024 三季報，公司實控人北京電控通過七星華電持有公司 33.43%股份，并直接持有 9.37%股份，合計 42.80%，大基金一二期持股 6.32%，北京國瑞持股 0.93%，股權結構較為集中，控股權較為穩定。公司通過北方華創微電子、北方華創真空技術和北方華創精密電子分別開展半導體設備、真空設備和電子元器件業務。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。6 圖 1：北方華創主要股東和子公司（截止到 2024Q

20、3）數據來源：公司公告、iFind、東方證券研究所 高管經驗豐富，技術團隊實力強勁。高管經驗豐富，技術團隊實力強勁。北方華創高管團隊長期深耕專業領域，擁有深厚的學術背景和產業經驗。公司積極自主培養本土科研團隊，截至 2023 年末，公司共有技術人員 5397 名，占公司員工總數的 44.9%，碩士及以上學歷的員工占比穩定增加。圖 2：員工結構占比圖（2023 年）圖 3：員工學歷占比圖（2023 年）數據來源：公司公告、東方證券研究所 數據來源：公司公告、東方證券研究所 研發費用保持較高水平，技術推動企業發展。研發費用保持較高水平，技術推動企業發展。2018-2023 年公司研發費用持續上升趨

21、勢，從 2018年的 3 億元增至 2023 年的 24 億元，CAGR高達 51%。而銷售費用率和管理費用率均呈現穩中有降的趨勢，可見公司持續推進降本增效工作，逐漸實現了規模經濟，提高了資源的使用效率。10.13%4.02%44.94%1.47%39.44%行政人員銷售人員技術人員財務人員生產人員37.74%34.86%27.40%?？粕究粕T士及以上 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。7 圖 4：2018-2023

22、 年銷售、管理費用率 圖 5：2018-2023 年研發費用（億元）數據來源：公司公告、東方證券研究所 數據來源：公司公告、東方證券研究所 注重股權激勵促進長遠發展。注重股權激勵促進長遠發展。公司上市以來實施多輪股權激勵，激發核心技術人員積極性。自上市以來，公司分別于 2018 年、2019 年、2022 年和 2024 實施四輪股權激勵。相比 2018 年、2019年，2022年與2024年推出的股權激勵計劃的規模更大，人員覆蓋范圍更廣，且營收增長、研發投入目標對準全球半導體設備大廠。通過將股權激勵覆蓋面不斷下沉，公司充分調動核心技術人員和管理骨干的工作積極性，創造更高業績成就，同時構筑堅實

23、人才基礎，鞏固公司在國內半導體設備廠商中的龍頭地位；而部分考核目標對標海外大廠，也充分彰顯出公司不斷夯實技術、著力企業中長期發展的決心和信心。表 2：北方華創股權激勵情況 時間時間 激勵規模激勵規模 激勵人員激勵人員 第一個行權期業績考核目標第一個行權期業績考核目標 費用均攤費用均攤 2018 授予 450 萬份股票期權，行權價格為35.36 元/份 275 名核心技術人員，66 名管理骨干 2019 年營業總收入基于 2017 年年均復合增長率25%（對應絕對值為 32.81 億元）、EOE12%，研發支出占營業總收入比例不低于 8%，且上述指標都對標企業 75 分位；2019 年專利申請不

24、低于 200 件 2018-2022：0.18/0.36/0.28/0.15/0.05 億元 2019 授予 450 萬份限制性股票，授予價格 34.6元/股 董事、高管、子公司高管及業務負責人共88 名 2020 年營業總收入基于 2018 年授予條件年均復合增長率25%（對應絕對值為 41.02 億元）、EOE12%，且上述指標都對標企業 75 分位；研發支出占營業總收入比例不低于8%，2020 年專利申請不低于 200 件 2020-2024：1.7/2.0/1.1/0.5/0.06 億元 2019 授予 450 萬份股票期權，授予價格 69.2元/份 284 名核心技術人員及 72 名

25、管理骨干 2020 年營業總收入基于 2018 年授予條件年均復合增長率25%（對應絕對值為 41.02 億元）、EOE12%，且上述指標都對標企業 75 分位；研發支出占營業總收入比例不低于8%，2020 年專利申請不低于 200 件 2020-2024：1.3/1.5/0.8/0.4/0.04 億元 2022 授予 1310 萬份股票期權，其中首次授予1050 萬份，首次授予價格 160.22 元/份 777 名核心技術人員及 63 名管理骨干，不包括公司董事和高級管理人員 2023 年營業收入增長率不低于對標企業算術平均增長率；2023 年研發投入占營業收入比例不低于對標企業算術平均比例

26、；2023 年專利申請量500 件；公司 2021-2023 年 EOE 算數平均值不低于 16%；公司 2021-2023 年利潤率算數平均值不低于 8%2022-2027：3.1/5.7/4.4/2.6/1.4/0.4 億元 2024 授予 915 萬份股票期權，行權價格為190.59 元/份 1767 名核心技術人員及 240 名管理骨干 2025 年營業收入增長率不低于對標企業算術平均增長率，2025 年研發投入占營業收入比例不低于對標企業算術平均比例，2025 年專利申請量500 件，2023-2025 年 EOE 算數平均值不低于 16%，2023-2025 年利潤率算數平均值不低

27、于 8%2024-2029:1.4/6.6/6.0/3.7/2.0/0.8 億元 數據來源：公司公告、東方證券研究所 0%2%4%6%8%10%12%14%16%201820192020202120222023銷售費用率管理費用率0%20%40%60%80%100%051015202530201820192020202120222023研發費用YoY 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。8 1.2 深度受益半導體設備國產替

28、代趨勢，業績穩定增長 營業收入總額高速增長，毛利率營業收入總額高速增長，毛利率/凈利率整體呈上升趨勢。凈利率整體呈上升趨勢。公司上市以來，營業收入實現持續較快增長，從 2017 年的 22.2 億元增長至 2023 年的 220.8 億元。2023 年收入同比增長 50%，歸母凈利潤 39.0 億元，同比增長 66%。受益泛半導體設備國產替代加速，公司半導體設備不斷放量，驅動收入、凈利潤規模持續擴張。在 23年行業景氣度下行周期中，公司刻蝕、薄膜沉積、清洗和爐管等數十種核心工藝裝備進一步得到市場認可，凈利率和毛利率整體呈上升趨勢，工藝覆蓋度及市場占有率顯著增長，凸顯公司優秀質地。圖 6：201

29、7-2024 前三季度營業收入 圖 7：2017-2024 前三季度凈利率、毛利率 數據來源：公司公告、Wind、東方證券研究所 數據來源：公司公告、Wind、東方證券研究所 對上下游頭部廠家依賴性弱，風險分散化。對上下游頭部廠家依賴性弱，風險分散化。北方華創具有多個供應商來源，供應鏈風險小。公司的客戶集中度相對稍高，對下游龍頭企業依賴度稍大，反映出公司擁有較強的市場定位和客戶關系管理能力，有利于形成穩定的業務合作關系。對比供應和銷售，公司在供應鏈管理上做得比較好，但在銷售和市場拓展方面可能還有提升空間?？赡苄枰紤]擴大市場覆蓋范圍，發展新的客戶群體，以進一步降低對現有大客戶的依賴。圖 8：2

30、019-2023 年前五大供應商采購總額占比 圖 9：2019-2023 年前五大客戶營業收入占比 數據來源：公司公告、東方證券研究所 數據來源：公司公告、東方證券研究所 010203040506070050100150200250營業收入（億元）同比（%）0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%銷售凈利率銷售毛利率0%20%40%60%80%100%20192020202120222023第一名第二名第三名第四名第五名其他0%20%40%60%80%100%20192020202120222023第一名第二名第三名第四名第五名其他 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領

31、域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。9 1.3 半導體設備多領域布局，募投支持項目建設 北方華創堅持以高水平創新構筑競爭優勢，持續在產品端發力。北方華創堅持以高水平創新構筑競爭優勢，持續在產品端發力。以研發技術推動，打造多元產品矩陣。公司立足半導體基礎以及相關產品領域，深耕半導體裝備、真空及鋰電裝備和精密電子元器件三大領域，三大產品線共同貢獻營收。在刻蝕設備方面，在刻蝕設備方面，北方華創作為國內領先的高端電子工藝裝備供應商，2023 年刻蝕設備收入近60 億元

32、，實現 12 英寸硅、金屬、介質刻蝕機全覆蓋，形成了更加完整的刻蝕解決方案，實現了介質刻蝕設備領域關鍵突破，發布了滿足客戶不同工藝需求的全系列等離子去膠產品：多晶硅及金屬刻蝕系列 ICP 設備實現規?；瘧?，截止到 2023 年累計出貨量超 3200 腔；CCP 介質刻蝕設備實現了邏輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，為國內主流客戶提供了穩定、高效的生產保障，截止到 2023 年累計出貨超 100 腔；TSV 刻蝕設備已廣泛應用于國內主流 Fab廠和先進封裝廠，是國內 TSV 量產線的主力機臺，市占率領先；自主設計開發了低損傷等離子源，克服了 O2、H2、NH3 等去膠的各種技術難點

33、，使客戶擁有更長的使用周期和更低的擁有成本、消耗成本，受到客戶廣泛認可，形成了批量銷售。在薄膜沉積設備方面，在薄膜沉積設備方面，北方華創作為國內相關技術的先行者，經過十余年的技術沉淀和創新突破，北方華創采用差異化路線攻克多項金屬薄膜與介質薄膜關鍵技術難題，精準定位市場需求，獲得關鍵客戶認可，實現批量銷售，截止到 2023 年年報披露薄膜沉積產品累計出貨超 5500腔，2023年該板塊收入超 60 億元。PVD 設備中的域銅（Cu）互連、鋁墊層（Al Pad）、金屬硬掩膜（Metal Hard Mask）、金屬柵（Metal Gate）、硅化物（Silicide）等工藝設備在客戶端實現穩定量產，

34、成為多家客戶的基線設備，累計出貨超 3500 腔；CVD已有 30 余款設備量產應用，實現金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數原子層沉積等工藝設備的全方位覆蓋，關鍵技術指標均達到業界領先水平，累計出貨超1000腔；外延設備實現在集成電路、功率半導體、硅材料、化合物半導體等領域工藝全覆蓋，“硅薄膜外延設備研發及產業化”項目于2023年獲評“北京市科學技術進步獎一等獎”。在清洗設備方面，在清洗設備方面，北方華創經過多年技術累積，先后突破了多項關鍵模塊設計、清洗工藝、氣流場/溫度場控制、反應源精密輸送、硅片表面熱場設計等技術，2023 年公司立式爐和清洗設備收入合計超 30億元。槽式清洗機實現

35、工藝全覆蓋，單片清洗機實現前段高端工藝新突破，為清洗業務板塊開拓了更廣闊的市場空間，截止到 2023 年累計出貨超 1200 臺。在熱處理技術方面，快速熱退火設備、立式爐原子層沉積設備等新產品層出不窮，截止到 2023 年累計出貨超 700 臺，為客戶提供全面解決方案的能力持續提升。在新能源光伏領域，在新能源光伏領域，北方華創在 PERC、TOPCon、HJT 等領域實現了擴散、氧化、退火類設備的全覆蓋，為光伏行業提供了更為專業、高效、先進、低成本的解決方案。截止到2023年年報披露，累計出貨超過 4000 臺，年收入近 20 億元，實現頭部客戶全覆蓋，并出口越南、泰國、新加坡、馬來西亞等地，

36、成為光伏行業領先的解決方案提供商。在真空及鋰電裝在真空及鋰電裝備領域，備領域，北方華創深耕高壓、高溫、高真空技術，為行業提供高效、節能、環保的真空及鋰電裝備工藝解決方案。公司緊跟新能源技術發展方向，結合客戶生產運行情況，針對性地開發真空和鋰電產品，推出了新一代復合集流體高速卷繞 PVD 鍍膜設備，打開了新能源電池領域未來增長預期；圍繞新一代陶瓷基復合材料的制備，研發了重結晶碳化硅結構件的 CVD工藝技術，開發碳化硅纖維增強、碳化硅復合材料的工業 CVD設備；連續石墨化爐在碳陶等領域已實現批量應用；主導制定了單晶爐能源消耗的行業標準，為客戶提供最優的能耗解決方案。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積

37、設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。10 在精密電子元器件領域在精密電子元器件領域，北方華創將現有工藝與半導體工藝相結合，研制新產品，拓展新應用。新開發的模擬鏈路產品具有產品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和高可靠等優勢，主要應用于通信、交通及電力等領域，在信號處理中有著無可替代的作用；新開發的硅電容器，采用半導體 MOS 工藝和微機電系統（MEMS）工藝相結合的技術，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應用于通信、射頻微波、2.5D/3D 先進封裝

38、、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優勢。圖 10：2016-2023 年各業務營業收入（億元）數據來源：公司公告、東方證券研究所 近年來，公司主營業務發展態勢良好，市場認可度不斷提高，應用于高端集成電路領域的刻蝕、薄膜、清洗和爐管等數十種工藝裝備實現技術突破和量產應用，工藝覆蓋度及市場占有率大幅提升；公司 2023 年新簽訂單超過 300 億元，其中集成電路領域占比超 70%，為中長期業績增長貢獻確定性。積極募集資金，助力研發擴產。積極募集資金，助力研發擴產。2021 年北方華創進行了大規模募投，共募集資金 850,000.00 萬元。除了補充流動資金以外，北方華創將資金投

39、入了三個項目的建設，包括：半導體裝備產業化基地擴產項目（四期）、高端半導體裝備研發項目以及高精密電子元器件產業化基地擴產項目（三期）。表 3：2021 年北方華創募投項目情況 項目項目 預計總投資額（萬元）預計總投資額（萬元）募集資金擬投入額（萬元）募集資金擬投入額（萬元）建設期建設期/投資周期投資周期 半導體裝備產業化基地擴產項目 381631 348339 2 年 高端半導體裝備研發項目 313581 241420 5 年 高精密電子元器件產業化基地擴產項目（三期）80000 73403.23 2 年 補充流動資金 186837.77 186837.77 數據來源：iFinD、東方證券研究

40、所 項目順利實施后，公司在半導體裝備和高精密電子元器件領域的技術實力將進一步提高，主營業務優勢將進一步凸顯，有利于進一步提升公司的市場影響力，提高公司未來整體盈利水平，符合公司長期發展需求及全體股東的利益。公司的資金實力將得到有效提升，總資產和凈資產規模增05010015020025020162017201820192020202120222023電子工藝裝備電子元器件 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。11 加，資產負

41、債率下降，資產結構更加合理，財務結構更加優化，有利于降低公司的財務風險并為公司的持續發展提供保障，具有良好的社會效益和經濟效益。2.半導體設備行業半導體設備行業：多重驅動加持，：多重驅動加持，國產替代空間廣國產替代空間廣闊闊 2.1 半導體設備是半導體產業鏈的上游核心 半導體設備是半導體產業半導體設備是半導體產業鏈的上游核心鏈的上游核心。半導體設備在芯片制造中發揮著重要作用，是半導體制造的基石和行業基礎。晶圓制造設備是半導體設備行業需求最大的領域，設備投資在晶圓廠的資本開支中占主要部分，光刻、刻蝕和薄膜沉積設備尤為重要。半導體生產流程中需要多種類半導體設備。半導體生產流程中需要多種類半導體設備

42、。在 IC 制造環節，晶圓制造包括硅片制造和晶圓加工，其中前者包括拉單晶、晶體加工、切片、研磨、倒角、拋光等一系列步驟，后者包括氧化、涂膠、光刻等一系列步驟、半導體設備就在這些相應的步驟中被使用。在 IC 制造環節后，內嵌集成電路尚未切割的晶圓片會進入 IC 封測環節，包括磨片、切割、貼片等一系列步驟，在各步驟中需使用相對應的半導體封裝和測試設備，最終得到芯片成品。圖 11：半導體設備產業鏈示意圖 圖 12：芯片生產過程詳解 數據來源：前瞻產業研究院、東方證券研究所 數據來源：東方證券研究所整理 全球全球半導體設備半導體設備市場有望反彈，成長型行業需求樂觀市場有望反彈，成長型行業需求樂觀。半導

43、體是周期型行業，更是成長型行業，技術升級、產品創新是半導體需求提升的直接驅動因素，在以5G、物聯網、智能汽車、云計算、大數據、醫療電子和安防電子等為主的新興應用領域強勁需求的帶動下，中長期需求樂觀。2023 年全球半導體設備銷售額小幅下降，到 25 年有望強勁反彈。根據國際半導體產業協會（SEMI）數據，2023 年全球半導體制造設備銷售額從 2022 年的 1075 億美元的歷史記錄小幅下降 1.3%，至 1063 億美元，SEMI 表示，2024 年半導體設備市場總規模投資達到 1090 億美元，其中前道設備投資 980 億美元，占比高達 90%，后道分倉和測試投資規模為 110 億美元，

44、占整體規模的 10%。預計 2025 年全球半導體設備市場總規模將出現 16%的增長，所有細分市場都將實現兩位數的增長，推動設備市場規模超過 1270 億美元，創下新的紀錄。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。12 圖 13：半導體中長期需求樂觀 圖 14：全球半導體設備市場規模 數據來源：SUMCO、SEMI、東方證券研究所 數據來源：SUMCO、SEMI、東方證券研究所 各細分市場保持增長，薄膜沉積和蝕刻設備占比最高。

45、各細分市場保持增長，薄膜沉積和蝕刻設備占比最高。預計 2025 年，全球半導體設備市場規?？蛇_到 1270 億美元，其中薄膜沉積設備和刻蝕設備占比最高，市場規模分別達到 274 億美元和269 億美元。圖 15：全球半導體前道設備細分市場規模（十億美元）數據來源：SEMI、東方證券研究所測算 中國市場全球最大，且保持高增長中國市場全球最大，且保持高增長。中國大陸是全球最大的半導體設備市場，且保持最快增速，占全球市場的比重持續提升且呈持續提升之勢。半導體產業向中國大陸擴散，設計、制造、設備等環節國產化配套空間廣闊?？v觀全球半導體產業的發展歷程，經歷了由美國向日本、向韓國和中國臺灣地區及中國大陸的

46、幾輪產業轉移。目前中國大陸正處于智能電動汽車、物聯網、人工智能等行業快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導體應用和消費市場。2023 年中國大陸半導體設備投資同比增加了 29%，達到 366 億美元，中國大陸占全球市場的比重上升到 34%。59871210261076106310901270-10%0%10%20%30%40%50%0200400600800100012001400201920202021202220232024E 2025E億美元億美元全球半導體設備市場規模同比13.8 19.9 20.9 20.6 22.6 26.9 13.2 19.9 20.8 21.5 23.1 27

47、.4 0.020.040.060.080.0100.0120.0140.020202021202220232024E2025E刻蝕清洗薄膜沉積設備光刻機量測檢測設備離子注入機擴散設備涂膠顯影設備CMP設備熱處理設備去膠設備其他 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。13 圖 16：世界各地區半導體設備市場規模 圖 17：全球半導體設備市場分布情況 數據來源：SEMI、頭豹研究院、東方證券研究所 數據來源：SEMI、頭豹研究院

48、、東方證券研究所 先進技術仍待突破先進技術仍待突破，技術和客戶驗證壁壘突出技術和客戶驗證壁壘突出。先進技術由美歐日等國主導，美國、荷蘭、日本在不同設備領域具有競爭優勢。其中美國的刻蝕設備、離子注入機、薄膜沉積設備、測試設備、程序控制、CMP 等設備的制造技術位于世界前列；荷蘭憑借 ASML 的高端光刻機在全球處于領先地位；日本則在刻蝕設備、清洗設備、測試設備等方面具有競爭優勢。半導體設備技術壁壘高，穩定運行要求高，客戶驗證壁壘高，驗證成本高周期長，標準嚴苛。由于設備本身和產線構成的復雜性，單設備的良率、穩定性會在整個體系內產生累積效應的影響，同時可能帶來巨額的潛在損失，因此晶圓制造廠商對于上游

49、設備的驗證、驗收有嚴苛的標準和流程。對于晶圓制造廠而言，配合上游設備驗證需要付出大量的人力（合作研發、調試）、物力（拿出其他設備配合驗證的機會成本損失、驗證過程中的物料損失），以及采用新設備供應商面臨的巨大潛在風險（批量晶圓報廢的風險、向客戶延遲交貨的風險）。圖 18：各地區半導體設備競爭力（按公司總部所在地劃分）-2022 圖 19：半導體設備（光刻機-ASML）內部結構復雜 數據來源：SEMI、前瞻產業研究院、CSET、VLSI Research、東方證券研究所 數據來源：ASML、東方證券研究所 2.2 半導體需求量提升驅動半導體設備市場增長 半導體設備市場持續增長的底層邏輯是科技產業發

50、展對半導體需求量的提升，直接驅動因素是下游晶圓制造廠商的擴產。全球晶圓產能保持增長，中國 2024 年晶圓產能將以 13的增長率居全球之冠。SEMI 報告顯示，繼 2023 年以 5.5%增長率至每月 2960 萬片晶圓之后，全球半導體產能366199196121796537283215268105846360050100150200250300350400中國大陸韓國中國臺灣北美日本歐洲其他地區億美元202320220%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023中國

51、大陸中國臺灣韓國北美日本歐洲其他地區(China)北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。14 預計 2024 年將增長 6.4%，突破每月 3000 萬片大關。在政府和其他激勵措施推動下，預期中國大陸地區將擴大在全球半導體產能中的占比，全年新投產 18 座新晶圓廠，產能增長率將從 2023年的 12%增至 2024 年的 13%，每月產能將從 760 萬片增長至 860 萬片。圖 20：全球新建晶圓廠預測 圖 21：全球晶圓

52、產能增長預測 數據來源：SEMI、Wind、IC Insights、頭豹研究院、東方證券研究所 數據來源：SEMI、Wind、IC Insights、頭豹研究院、東方證券研究所 技術升級驅動半導體設備行業擴容。技術升級驅動半導體設備行業擴容。摩爾定律推動產業發展，設備行業壁壘將持續提升，根據摩爾定律演進，每隔 18-24 個月芯片性能將提升一倍。先進制程 IC 產能具有強勁的增長勢頭，根據IC Insights 預測，2024 年先進制程（10 nm）的 IC 產能預計增長并在全球產能占比提升至 30%。每更新一代工藝制程，則需更新一代更為先進的制程設備，更加精密的制程帶來半導體設備難度直線上

53、升，行業壁壘不斷提高。隨著制程推進和工藝升級，單位產能下設備需求將進一步增加，先進工藝單位產能投資幾何級數提升。制程和工藝升級推動芯片復雜度提升，更復雜的結構需要更多的制造工序完成，各類設備的用量顯著增加。以刻蝕環節為例，14nm 制程所需使用的刻蝕步驟達到 64 次，7nm 所需刻蝕步驟達 140 次，較 14nm 提升 118%。圖 22：半導體行業摩爾定律 圖 23：不同制程刻蝕次數（單位：次）數據來源：ITIF、IC Insights、東方證券研究所 數據來源：ITIF、IC Insights、東方證券研究所 先進工藝單位產能投資幾何級數提升。先進工藝單位產能投資幾何級數提升。隨著技術

54、節點的不斷縮小，集成電路制造的設備投入呈大幅上升的趨勢，5nm 技術節點的投資成本高達 156 億美元，是 14nm 的兩倍以上。一條新建生產線最大的資本支出來自于半導體設備，新建產線資本支出中晶圓制造設備占比達 65%。02040608010012014016018065nm45nm28nm20nm14nm10nm7nm5nm不同工藝刻蝕次數 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。15 圖 24：每 5 萬片晶圓產能的設備

55、投資（百萬美元）圖 25：制造工藝升級提高產線設備投資額（十億美元）數據來源：頭豹研究院、SEMI、東方證券研究所 數據來源：頭豹研究院、SEMI、東方證券研究所 2.3 晶圓產能向大陸轉移，國內設備需求增長快 國內擴產更為激進，國產化率提升空間大國內擴產更為激進，國產化率提升空間大。大陸半導體設備的成長空間較大，國產化率有望加速。國產半導體設備進入生產線后，將推動其技術的不斷完善、進步和創新。目前國內晶圓廠積極擴產，極大拉動國內半導體設備需求，國產設備廠商將迎來增長機遇。國產半導體設備進入生產線后，在不同產線持續測試和應用，可以及時掌握晶圓廠的技術需求，有針對性地對設備進行研發、升級，推動其

56、技術的不斷完善、進步和創新。目前國內晶圓廠積極擴產，極大拉動國內半導體設備需求；終端半導體產品的不斷迭代推動晶圓廠開發新的工藝，隨著國內晶圓制造產業的迅速發展，國產半導體設備種類將不斷增加，性能也將不斷提升，國產設備廠商將迎來增長機遇，進入加速成長階段。圖 26：國產半導體設備有望維持高增長 數據來源：東方證券研究所整理 自 21 世紀以來，受益于 PC 和智能手機的普及，中國大陸成為全球電子制造中心，全球半導體產業向中國大陸轉移的趨勢加強。0500010000150002000025000每5萬片晶圓產能的設備投資（百萬美元）北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍

57、頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。16 圖 27：全球半導體產業轉移歷程 數據來源：前瞻產業研究院，公開資料整理，東方證券研究所 2.4 半導體設備國產替代勢在必行 國家支持力度大國家支持力度大，大基金三期已成立，大基金三期已成立。國家大力支持半導體設備產業的發展，2014 年 6 月，經國務院批準，工業和信息化部會同有關部門發布了國家集成電路產業發展推進綱要，明確設立國家集成電路產業投資基金，旨在通過資金投入，支持國內集成電路產業的研發、生產和應用，促進產業鏈上下游的協同發展，提升中

58、國在全球半導體產業中的競爭力，推動半導體產業的發展，提升國家在關鍵技術領域的自主能力。大基金一期重點投資集成電路芯片制造業，占比達到 67%；二期聚焦半導體設備材料等上游領域，芯片制造環節仍舊是大基金二期的主要投資對象；大基金三期已成立，注冊資本為 3440 億，高于一期 987.2 億和二期 2041.5 億的總和，有望為半導體產業鏈發展注入新動力。地緣政治不確定性風險高，國產替代勢在必行。地緣政治不確定性風險高，國產替代勢在必行。在當前復雜多變的國際形勢下，地緣政治因素對全球半導體產業的影響日益凸顯。貿易摩擦、技術封鎖等事件不斷發生，使得半導體供應鏈的穩定性面臨巨大挑戰。尤其是對于中國這樣

59、的半導體消費大國而言，過度依賴進口半導體設備和產品，不僅在經濟層面存在風險，更在國家戰略安全層面埋下隱患。目前中國半導體設備廠商已覆蓋多細分領域，國產化率有望提升。隨著國內對半導體產業的重視程度不斷提高，大量的資金、人才和政策資源紛紛涌入。中國的半導體設備廠商在刻蝕機、光刻機、薄膜沉積設備等多個關鍵細分領域持續發力，不斷取得技術突破。隨著國產半導體設備國產化率提升，國產設備廠商市場規模有望迅速提升。隨著半導體設備各細分領域國產化率持續提升，預計到2025年，刻蝕、清洗、薄膜沉積、熱處理和去膠設備國產化率有望超過 50%，其中刻蝕設備和薄膜沉積設備市場規模均超過 300 億元，國內半導體設備廠商

60、的市場空間有望過千億人民幣。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。17 圖 28：中國半導體設備市場國產化市場規模測算（億元）數據來源：拓荊公司公告、東方證券研究所 3.打造平臺核心優勢打造平臺核心優勢，多元布局快速成長多元布局快速成長 3.1 刻蝕設備實現硅、金屬、介質刻蝕機全覆蓋 3.1.1 刻蝕設備：驅動半導體制造的關鍵引擎 刻蝕技術是芯片制造的核心，半導體設備在這一過程中起著關鍵作用?？涛g技術是芯片制造的核心，半導體

61、設備在這一過程中起著關鍵作用。晶圓制造設備（包括刻蝕設備、沉積設備和光刻設備）是半導體設備行業中需求最大的領域之一。作為集成電路（IC）制造的核心技術，刻蝕技術的主要功能是通過離子轟擊去除多余的氧化層或其他薄膜層，并將電路圖形從光刻膠膜精確轉移到晶圓表面?？涛g機產業鏈可分為上游、中游和下游三部分?？涛g機產業鏈可分為上游、中游和下游三部分。上游包括真空室、刻蝕腔體、供氣系統和真空系統；中游涵蓋刻蝕機的制造；下游主要包括半導體器件和其他微機械制造。在這條產業鏈中，刻蝕設備的制造是最關鍵的環節。當前，許多半導體器件采用臺面型結構設計，而臺面形成和刻蝕設備的制造方法又可分為濕法刻蝕（wet etchi

62、ng）和干法刻蝕（dry etching）兩種方向。圖 29：刻蝕技術分類 數據來源：東方證券研究所繪制 干法刻蝕優勢顯著，占市場主導地位干法刻蝕優勢顯著，占市場主導地位。干法刻蝕是一種利用氣相中的化學或物理反應去除材料表面的刻蝕工藝，而濕法刻蝕則使用液體化學溶液來去除材料表面。盡管濕法刻蝕的反應速率較快，但干法刻蝕設備憑借其優異的各向異性、良好的均勻性和高重復性，占據了當前市場的 90%份額。根據刻蝕材料的不同，干法刻蝕可分為硅刻蝕、金屬刻蝕和介質刻蝕三大工藝。對于硅刻蝕和金50141190307641582563850200400600800100012002020202120222023

63、2024E2025E刻蝕清洗薄膜沉積設備光刻機量測檢測設備離子注入機擴散設備涂膠顯影設備CMP設備熱處理設備去膠設備其他 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。18 屬刻蝕，主要采用電感耦合等離子體（ICP）設備，而介質刻蝕則更多使用電容耦合等離子體（CCP）設備。圖 30：CMOS 芯片的結構示意圖 數據來源：SK 海力士，東方證券研究所 3.1.2 刻蝕設備國產替代趨勢顯現 刻蝕設備市場地位不斷提升，全球市場刻蝕設備市場

64、地位不斷提升，全球市場目前由目前由海外巨頭主導。海外巨頭主導。隨著集成電路線寬的不斷縮小和3D 集成電路技術的提升，刻蝕設備在集成電路設備市場中的地位日益重要，現已成為主要的采購設備類型之一。據 Business Research Insights 預測，2023 年全球半導體刻蝕機市場規模為207.4億美元，預計到2029年將達到277.9億美元，預測期內的年均復合增長率（CAGR）為 5.0%。由于國內刻蝕技術起步較晚，目前刻蝕設備市場主要由以泛林半導體為首的海外巨頭主導。圖 31：全球半導體刻蝕機市場規模 數據來源：Business Research Insights，東方證券研究所 北

65、方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。19 全球刻蝕機市場被三巨頭壟斷，國產替代浪潮興起。全球刻蝕機市場被三巨頭壟斷，國產替代浪潮興起。當前全球刻蝕機市場呈現壟斷格局，其中泛林半導體、東京電子和應用材料三家公司占據了超過 80%的市場份額。近年來，隨著國產替浪潮的興起，國內企業的市場份額不斷增加。2023 年，北方華創占據了 6%的市場份額。雖然國際巨頭仍占據主導地位，但國內企業在刻蝕設備市場的競爭力正在逐步增強。這一趨勢不僅

66、提升了國內企業的市場地位，也為全球市場帶來了更多的競爭與創新。圖 32：全球各地區刻蝕設備增長速度（2022-2027）數據來源：Mordor Intelligence、東方證券研究所 中國半導體設備出貨增長，國產設備市場前景光明中國半導體設備出貨增長，國產設備市場前景光明。根據 SEMI 報告顯示，2023 年全球半導體制造設備銷售額從2022年的1076億美元下降至1063億美元，而中國地區的出貨量增長至366億美元，成為全球最大的半導體設備市場。盡管當前蝕刻設備市場主要由海外寡頭主導，但作為國產替代占比最高的重要半導體設備之一，中國在半導體設備領域的崛起無疑為國產刻蝕設備市場創造了一個愈

67、加光明的前景。圖 33：國內半導體設備銷售額變化趨勢（億美元）數據來源：SEMI，東方證券研究所 AI 市場崛起，原子層刻蝕技術或成刻蝕設備企業突破關鍵。市場崛起，原子層刻蝕技術或成刻蝕設備企業突破關鍵。隨著 AI 服務市場的快速發展，芯片上晶體管數量的需求不斷增加。更多晶體管的使用意味著更復雜的運算能力、更高的數據處理速度和更先進的架構實現。隨著晶體管數量的增加，其尺寸也將不斷縮小，這對刻蝕的精準度提出了更高要求。根據硅晶圓廠 SUMCO 的預測，2024 年第二季度起，12 寸硅晶圓的需求將因人工34444965821311351872962833660501001502002503003

68、5040020132014201520162017201820192020202120222023 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。20 智能和存儲芯片的推動而逐步回升。因此，作為一種能夠針對微結構進行精確深度控制的技術，原子層刻蝕（ALE）的發展將成為國內刻蝕設備企業實現突破的關鍵機遇之一。3.1.3 北方華創刻蝕設備持續突破 北方華創刻蝕設備取得突破，持續拓展北方華創刻蝕設備取得突破，持續拓展多領域新業務。多領域新

69、業務。北方華創作為國內集成電路高端工藝設備的領先企業，在刻蝕機領域擁有 20 余年的深厚經驗。公司于 2005 年成功研發并交付了首臺國產干法刻蝕機，隨后在 2010 年后相繼開發出硅刻蝕機、金屬刻蝕機和介質刻蝕機。2023 年 6 月，北方華創正式發布了12英寸去膠機ACE i300，標志著12英寸刻蝕設備領域的新突破。2024年，公司計劃推出 12 英寸雙大馬士革 CCP 介質刻蝕機，預計將拓展在存儲、CIS（互補金屬氧化物半導體圖像傳感器）和功率半導體等多個領域的新業務。2023 年，公司刻蝕設備收入接近 60 億元，實現累計出貨 3500 腔，其核心技術涵蓋電感耦合等離子體刻蝕機（IC

70、P）、電容耦合等離子體（CCP）、硅通孔技術和干法去膠四個類別。圖 34：北方華創刻蝕設備領域關鍵時間節點 數據來源：北方華創，ifind，東方證券研究所 ICP 刻蝕機市場占有率高，國內外應用廣泛?？涛g機市場占有率高，國內外應用廣泛。在刻蝕技術領域，ICP(電感耦合等離子體)刻蝕機憑借其高等離子體密度、低壓生成以及水平和垂直電場獨立控制等優勢，被廣泛應用于硅和金屬的刻蝕。2023年，ICP設備在刻蝕機市場的占有率約為 53%。作為國內 ICP技術的主要供應商，公司自 2005 年至 2023 年底，累計出貨量已超過 3200 腔。公司 ICP刻蝕機在 12 英寸各技術節點上取得了顯著突破，不

71、僅在國內晶圓廠實現了批量應用，還成功打入海外市場，展現了全球競爭力。表 4：各類型刻蝕工藝對比 材質材質 刻蝕系統刻蝕系統 工作壓力工作壓力 刻蝕速率刻蝕速率 選擇比選擇比 介質刻蝕 氧化硅 反應離子刻蝕 小于 0.1 Torr 相對較慢 高 氮化硅 反應離子刻蝕 小于 0.1 Torr 較快 高 硅刻蝕 多晶硅 反應離子刻蝕 小于 0.1 Torr 較快（120nm/min）高 單晶硅 高密度等離子系統 小于 0.1 Torr 較快 低 金屬刻蝕 鋁 反應離子刻蝕 RIE系統 小于 0.1 Torr 快(大于 1000nm/min)高 鎢 反應離子刻蝕 RIE系統 -快(大于 1000nm/

72、min)高 數據來源：前瞻產業研究院，東方證券研究所 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。21 CCP 刻蝕機技術關鍵，覆蓋邏輯存儲等領域?？涛g機技術關鍵，覆蓋邏輯存儲等領域。CCP（電容耦合等離子體）設備作為刻蝕設備的重要組成部分，在介質刻蝕和后介質膜層圖形化工藝中具有不可替代的作用。公司自2021年起專注于介質刻蝕技術，并于 2022 年正式發布 CCP 介質刻蝕機。目前，公司已掌握等離子控制、腔室設計、低溫靜電卡盤和

73、高功率等離子饋入等多項關鍵技術。截至 2023 年底，公司 CCP 刻蝕設備的累計出貨量已超過 100 腔，廣泛應用于邏輯、存儲和功率半導體等多個領域。圖 35：北方華創 ICP 刻蝕機：NMC 612D 硅刻蝕機 圖 36：北方華創 CCP 刻蝕機：Accura LX 介質刻蝕機 數據來源：北方華創、東方證券研究所 數據來源：北方華創、東方證券研究所 TSV 刻蝕設備提升互連效率，北方華創成國內主力?？涛g設備提升互連效率，北方華創成國內主力。近年來，隨著 3D 集成技術在半導體行業中的重要性逐漸提升，硅通孔技術（TSV）作為一種新興的互連解決方案應運而生。TSV 通過在芯片和晶圓之間創建垂直

74、導通，實現了高效互連。與傳統技術相比，TSV 顯著提高了芯片的三維堆疊密度，并最小化了外形尺寸，從而有效降低信號延遲和芯片間的功耗。2020 年，北方華創推出了 12 英寸 TSV 刻蝕設備，該設備能夠在高深寬比硅通孔刻蝕中精確控制側壁形貌，實現無損傷的側壁和線寬的保持。目前，北方華創的 TSV刻蝕設備已廣泛應用于國內主流 Fab 廠和先進封裝廠，成為國內 TSV 量產線的主力設備。圖 37：TSV 技術與傳統線鍵合（Wire Bonding）技術對比 圖 38：北方華創 ACE i300 去膠機 數據來源：三星半導體、東方證券研究所 數據來源：北方華創、東方證券研究所 北方華創首次報告 刻蝕

75、和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。22 表 5：北方華創部分刻蝕設備 產品名稱產品名稱 晶圓尺寸（英寸）晶圓尺寸（英寸）適用材料適用材料 適用工藝適用工藝 適用領域適用領域 設備優勢設備優勢 NMC 508C/G 多晶硅刻蝕機 6/8 硅 多晶硅刻蝕、硅刻蝕、多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕等 化合物半導體、功率半導體 控制能力優、定制化配置、量產穩定、維護成本低等 NMC 508M 金屬刻蝕機 6/8 鋁、鉬、鎢等 頂層金屬刻蝕、中間層金屬刻蝕

76、等 功率半導體等 精確的離子能量控制、高MTBC 等 NMC 508RIE 介質刻蝕機 6/8 氧化硅等 鈍化層、硬掩膜、接觸孔、導線孔、側襯、自對準、回刻等刻蝕 化合物半導體、功率半導體、科研領域 全自動并行工藝、易維護、產能高、低成本 NMC 508Gt 深槽刻蝕機 6/8 硅 深硅刻蝕 功率半導體 形貌控制優、速率快、高均勻性等 NMC 612C 12 英寸硅刻蝕 12 硅 多晶硅柵極刻蝕、淺槽隔離刻蝕、側墻刻蝕 功率半導體 良好工藝調試手段、較高的刻蝕均勻性等 NMC 612D 12 英寸硅刻蝕機 12 硅 淺溝槽隔離刻蝕、柵極刻蝕、側墻刻蝕、雙重圖形曝光 集成電路 脈沖等離子體控制技

77、術、形貌控制優、表面處理能力強等 NMC 612M 12 英寸氮化鈦金屬硬掩膜刻蝕機 12 金屬 TiN HM 刻蝕、高 K 值介質刻蝕、金屬及其化合物刻蝕 集成電路 多區溫控靜電吸附卡盤、脈沖等離子體射頻技術等 NMC 612G 12 英寸金屬刻蝕機 12 鋁、硅、氧化物等 多晶硅刻蝕、介質刻蝕、金屬刻蝕 功率半導體、硅基微型顯示 高性能靜電卡盤、均勻性調節能力強等 PSE V300 深硅刻蝕機 8/12 硅、氧化硅等 TSV 刻蝕、深槽隔離/電容刻蝕、MEMS 刻蝕 先進封裝、功率半導體等 形貌控制穩定、多工藝覆蓋、均勻性好、快速進氣系統等 PSE V300Di 封裝鈍化層刻蝕機 12 氧

78、化硅、玻璃等 掩膜刻蝕、有機物刻蝕、大馬士革刻蝕等 先進封裝 鈍化層材料刻蝕、高刻蝕選擇比、低成本 HSE D300 等離子體切割刻蝕機 6/8/12 硅 深硅等離子切割 先進封裝 高切割效率、無損傷切割多工藝兼容等 HSE P300 深硅刻蝕機 8/12 硅、氧化硅等 深槽刻蝕、深孔刻蝕、扇出型封裝硅載體刻蝕、露銅刻蝕等 先進封裝 Cluster 結構布局，能夠減小占地，提升產能等 BMD P300 微波等離子體表面處理系統 8/12 PR,PI,PBO 等 等離子體表面處理、殘渣去除、金屬離子去除 先進封裝 雙片位 Twins 腔結構、均勻性優、水滴角處理能力強等 ACE i300 去膠機

79、 8/12 光刻膠 干法去膠 集成電路、功率半導體 高密度低損傷等離子體源系統、去膠速率快等 GSE V200 高精度刻蝕機 8 及以下 氮化鎵、氧化硅等 多種材料刻蝕工藝 化合物半導體、Micro LED、刻蝕均勻性好、顆?？刂颇芰?、寬工藝窗口等 ELEDE G380A/G380D 芯片刻蝕機 2/4/6 及特殊尺寸 氮化鎵、氧化硅等 電極、深槽隔離、DBR、紅黃光、鈍化層、金屬阻擋層等刻蝕 半導體照明、Mini LED 工藝窗口寬、高產能，均勻性佳、顆?？刂苾灥?ELEDE 380F PSS 刻蝕機 2/4/6 及特殊尺寸 藍寶石，氧化硅等 納米級/圖形化 PSS 刻蝕、復合襯底刻蝕 半

80、導體照明、Mini LED 工藝窗口寬、產能大、使用壽命長等 數據來源：公司官網、東方證券研究所 3.2 薄膜沉積設備穩步增長 3.2.1 薄膜沉積設備：半導體制造工藝中的關鍵環節 薄膜沉積設備是半導體制造工藝中的關鍵環節。薄膜沉積設備是半導體制造工藝中的關鍵環節。薄膜沉積設備約占集成電路裝備總資本開支的 22%，是半導體制造工藝中的關鍵環節。薄膜沉積的作用在于制造半導體器件疊層，即在晶圓表 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責

81、申明。23 面交替堆疊多層薄金屬（導電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復刻蝕工藝去除多余部分以形成三維結構。作為晶圓制造的核心設備之一，薄膜沉積設備主要用于在基底材料上生長、沉積或涂布極薄的膜層，這些膜層在芯片中扮演重要的角色。薄膜沉積總體上可分為物理氣相沉積（薄膜沉積總體上可分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（）和化學氣相沉積（CVD）兩類。）兩類。隨著薄膜沉積工藝的不斷演進，針對不同應用領域的發展，衍生出了多種技術，如 PECVD、濺射 PVD、ALD、LPCVD 等。CVD 主要應用于各種氮化物、碳化物、氧化物、硼化物、硅化物涂層的制備；PVD 主要應用于金屬涂層的制備；ALD

82、屬于新興領域，一般用于 45nm 以下制程芯片的制備，具備更好的膜厚均勻性，在高深寬比的器件制備方面更有優勢。根據 Gartner 發布的 22 年數據，PECVD 是薄膜設備中占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的 28%；管式 CVD 占比 13%，ALD 占比 13%，非管式 LPCVD 占比 10%。在整個薄膜沉積設備市場，屬于 PVD 的濺射 PVD 和電鍍 ECD 合計占有整體市場的 24%。圖 39：薄膜沉積技術分類 數據來源：北方華創集成電路專用設備-薄膜設備、東方證券研究所 PVD 是半導體行業中使用最廣泛的技術之一。是半導體行業中使用最廣泛的技術之一。據 Mordor

83、 Intelligence 預測，2023 年全球物理氣相沉積市場規模為 271.0 億美元，預計將從 2024 年的 294.1 億美元增長到 2032 年的 570.4 億美元，2024-2032 年期間復合年增長率為 8.6%。由于晶圓和光伏電池制造商在保持低成本的過程中增加研發投資，亞太地區預計將占據最大市場，中國、印度和日本等該地區的新興經濟體預計將推動市場的增長。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。24 圖 4

84、0：全球各地區 PVD 增長速度（2020-2025）數據來源：Mordor Intelligence、東方證券研究所 3.2.2 薄膜沉積設備市場空間廣闊 PVDPVD領域高度壟斷，應用材料一枝獨秀。領域高度壟斷，應用材料一枝獨秀。全球半導體薄膜沉積設備行業基本由國際巨頭壟斷，其中 PVD 領域應用材料一家獨大，CVD、ALD 領域為寡頭壟斷。目前 PVD 市場由亞太地區的少數參與者主導，其次是北美和歐洲的參與者，市場競爭激烈。圖 41：PVD 設備市場領導者 圖 42：亞太地區 PVD 市場規模（十億美元）數據來源：Mordor Intelligence、東方證券研究所 數據來源：Fort

85、une Business Insights、東方證券研究所 微電子和消費電子產品需求增加，推動微電子和消費電子產品需求增加，推動 CVD 設備市場增長。設備市場增長?；瘜W氣相沉積（CVD）工藝通常用于制造半導體和生產薄膜。據 Mordor Intelligence 預測，2024 年半導體 CVD 設備市場規模預計為 170.2 億美元，預計到 2029年將達到 227.2 億美元，在預測期內（2024-2029 年）復合年增長率為 5.95%。其中，亞太地區潛力巨大，預計該地區將在未來幾年占據半導體 CVD設備市場的最大市場份額。05101520253035 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積

86、設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。25 圖 43：全球各地區 PVD 增長速度（2022-2027）數據來源：Mordor Intelligence、東方證券研究所 CVD 領域呈現寡頭壟斷的市場格局，整體保持穩定。領域呈現寡頭壟斷的市場格局，整體保持穩定。2023 年 CVD 的市場規模為 101 億美元，應用材料、泛林半導體、ASMI 三家合計占有全球 81%市場份額，整體保持穩定。多因素推動多因素推動 CVD 和和 ALD 前驅體市場規模穩步增長

87、。前驅體市場規模穩步增長?；瘜W氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）是材料科學和納米技術領域兩種廣泛使用的薄膜沉積技術，兩種方法都依賴于前體的使用。據Business Research Insights 預測，2022 年全球 CVD 和 ALD 前驅體市場規模為 13.9 億美元，預計到 2029 年市場規模將達到 17.8 億美元。電子、半導體、太陽能和航空航天等各個行業對先進薄膜材料需求的不斷增長推動了對 CVD 和 ALD 前驅體的需求。圖 44：全球 CVD 和 ALD 前驅體市場規模 數據來源：Business Research Insights、東方證券研究所 3.2.3 北方

88、華創薄膜沉積設備蓬勃發展 北方華創業績快速增長，薄膜沉積設備收入創新高。北方華創業績快速增長，薄膜沉積設備收入創新高。2023 年北方華創營業收入 220.79 億元，同比增長 50%，其中薄膜沉積設備收入超 60 億元，與去年相比有顯著增長。歸屬母公司股東的凈利潤達到 39 億元，同比增長 66%。隨著集成電路制造的發展，芯片內部結構復雜性增加，所需薄膜層數和對薄膜材料的性能要求不斷提高。薄膜沉積設備的發展至關重要，支持集成電路工藝向更小制程的演進，提高生產效率和產品可靠性，推動半導體產業的持續進步 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本

89、報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。26 北方華創北方華創 PVDPVD 業務強勁增長。業務強勁增長。物理氣相沉積（PVD）主要用于金屬薄膜制備。這些金屬薄膜作為芯片中互連線的重要組成部分，對整個芯片的性能具有至關重要的影響。作為中國 PVD 工藝裝備技術的先行者，北方華創實現了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，成功實現功率半導體、三維集成和先進封裝、新型顯示、化合物半導體等多個領域的量產應用，12 英寸先進集成電路制程金屬化薄膜沉積(Mcta1 PVD)設備實現量產突破。截至 2023 年底，北方華創已推

90、出40 余款 PVD 設備，累計出貨超 3500 腔。技術創新推動，技術創新推動，CVDCVD 業務蓬勃發展。業務蓬勃發展。北方華創布局拓展 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品，實現金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數原子層沉積等工藝設備的全方位覆蓋，關鍵技術指標均達到業界領先水平。截至 2023 年底，北方華創已實現 30 余款 CVD 產品量產應用，累計出貨超 1000 腔。表 6：北方華創主要 PVD 產品 工藝 產品 主要特點 應用領域 PVD eVictor PVD Al金屬鋁薄膜物理氣相沉積系統 先進的磁控濺射系統，有效提高薄膜均勻性及靶材利用率；專業的加熱基座和高溫靜電卡

91、盤設計，具備良好的溫度均勻性；全新雙腔傳輸平臺，可配置性強，可支持 10 個工藝模塊；優秀的 Whisker Defect 解決方案，降低產品缺陷；大產能，低運營成本。集成電路、功率半導體、硅基微型顯示 eVictor Series8英寸物理氣相沉積系統 專業的加熱基座設計，具備良好的溫度均勻性，高溫厚鋁工藝連續作業無累溫；高溫鋁工藝具備高深寬比填充能力；背金工藝薄片傳輸及工藝，過程溫度實時監控，精確的溫度控制能力和良好應力；雙腔傳輸平臺，可支持 10 個工藝模塊；靶材利用率高，大產能，低運營成本。集成電路、功率半導體、科研領域、化合物半導體 Polaris Series硅通孔物理氣相沉積系統

92、 專業的磁控濺射源和腔室結構設計有效提高靶材利用率；高離化率的磁控濺射源設計帶來良好的臺階覆蓋率表現；針對先進封裝領域優化的穩定的傳輸系統，兼容多種類型的基片；專業的偏壓基座設計，良好的冷卻性能；優化的工藝流程帶來大產能表現，低運營成本。先進封裝 Polaris Series12 英寸背面金屬物理氣相沉積系統 專業的磁控濺射源和腔室結構的設計有效提高靶材利用率；靈活的腔室配置，優化的工藝流程帶來大產能表現，低運營成本；穩定的傳輸系統，兼容翹曲片、鍵合片、薄片等多種類型基片傳輸；良好的顆粒和應力控制能力。功率半導體、先進封裝 Polaris Series8/12 英寸通用物理氣相沉積系統 專業的

93、磁控濺射源和腔室結構的設計有效提高靶材利用率；靈活的腔室配置，8/12 英寸兼容；穩定的傳輸系統，兼容玻璃片、翹曲片、鍵合片等多種類型基片傳輸；穩定并且低的 Rc 表現，良好的顆粒和應力控制能力；優化的工藝流程帶來大產能表現，低運營成本。先進封裝、硅基微型顯示 iTops Series PVD ITO 濺射系統 采用托盤形式，可兼容 2/4/6 英寸晶圓；工藝溫度在 0700之間；結構簡單，操作簡便，維護方便；設備穩定，運營成本低。半導體照明 iTops Series PVD AlN 濺射系統 超高的加熱能力、精確的溫度控制、優秀的真空能力；高晶體質量的氮化鋁薄膜及良好的薄膜厚度均勻性；占地面

94、積小，結構簡單，操作靈活，維修方便；設備穩定，稼動率高，運營成本低。半導體照明 Polaris Series8英寸物理氣相沉積系統 多種材料膜層工藝能力，低損傷，高深寬比填充能力；獨立工藝腔室，可支持 6 個工藝模塊；良好的溫度和顆?？刂颇芰?；配置靈活、大產能、低運營成本?；衔锇雽w、半導體照明、硅基微型顯示、科研領域 數據來源：公司官網、東方證券研究所 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。27 表 7：北方華創 CVD

95、 產品及特點 工藝 產品 主要特點 應用領域 CVD EPEE i200 等離子體增強化學氣相沉積系統 先進的單腔雙片架構，兼具產能和性能優勢；高效傳輸系統，智能軟件調度算法；高效遠程等離子體清洗系統，良好的顆?？刂?；支持氣態硅烷和液態正硅酸乙酯兩類沉積工藝。集成電路、化合物半導體、功率半導體、LED、硅基微顯 Esther E320R 8 英寸單片減壓硅外延系統 專業的氣流場和溫度場設計，獲得良好的工藝性能；高精度的壓力控制系統，保證成膜質量；穩定的傳輸和電機升降系統，保證工藝結果一致性；友好的人機交互和全面的安全性設計，保障系統穩定、安全、高效；具有單腔和多腔兩種機型，可滿足不同客戶需求。

96、集成電路、功率半導體、襯底材料、科研領域 Eris E120R 8 英寸單片減壓硅外延系統 單工藝腔，占地面積小，操作簡單；專業的氣流場和溫度場設計，獲得良好的工藝性能；高精度的壓力控制系統，保證成膜質量；友好的人機交互和全面的安全性設計，保障系統穩定、安全、高效。集成電路、功率半導體、襯底材料、科研領域 Hesper E230A 12 英寸單片常壓硅外延系統 專業的氣流場和加熱場設計提供優良的工藝性能；高效傳輸設計可提高產能；單、雙、四腔兼容設計，可滿足不同客戶需求。功率半導體、襯底材料、科研領域 Esther E320A 8 英寸單片常壓硅外延系統 先進的紅外加熱控制技術和加熱模塊設計，有

97、效提高成膜質量；專業的傳輸系統和工藝模塊設計，可兼容多種工藝用途；友好的人機交互和安全性設計，保障系統穩定、安全、高效；具有單腔和多腔兩種機型，可滿足不同客戶需求。功率半導體、襯底材料、科研領域 Eris E120A 8 英寸單片常壓硅外延系統 占地面積小，操作簡單；五區氣流場和內外區輔助摻雜設計，獲得良好的工藝性能；多片槽冷卻位，有效提升 WPH 功率半導體、襯底材料、科研領域 SES Series 8 英寸多片硅外延系統 適用于 5-150 微米范圍的硅外延工藝；先進的感應加熱和氣流場技術提供了優良穩定的工藝性能；多片平板式設計，高容載量；自動化程度高、產能高、低運營成本 功率半導體、襯底

98、材料、科研領域 EPEE i800 等離子體增強化學氣相沉積系統 多站式旋轉沉積架構，兼具產能和均勻性優勢；良好的片內、片間薄膜均勻性控制；全自動晶圓傳輸系統，高效便捷；高效大功率在線清洗工藝及沉積顆粒度控制；集成多項人性化軟件操作功能?；衔锇雽w、半導體照明、科研領域 EPEE 550 等離子體增強化學氣相沉積系統 大容量載盤，兼容不同晶圓尺寸；良好的薄膜沉積均勻性；高功率在線清洗技術，清洗效率高；可選高、低頻電源配置，薄膜應力可調；低擁有成本、低運營成本。半導體顯示及照明、科研領域 MARS iCE115 碳化硅外延系統 薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩定性高；具備多層外延能力；專業的氣流場和

99、加熱場設計，工藝性能優；可靠的壓力控制系統，成膜質量均一性好?；衔锇雽w、襯底材料、科研領域 HORIC L200 臥式低壓化學氣相沉積系統 可根據客戶需求配置多工藝組合的機臺；高可靠性、穩定性；安全性能高，設備及所使用的元件符合國家和國際標準；可提供先進成熟的 MES 系統解決方案；良好的工藝技術支持?；衔锇雽w、襯底材料、科研領域 HORIS L12 管式低壓化學氣相沉積設備 多路進氣方式以及前后雙勻流設計保證高質量薄膜工藝均勻性；高強度石英舟結構和雙層密封反應腔室保障低運營成本，實現超高設備稼動率；超大承載機構設計以及專項升級的抓取機構；采用先進的閉環壓控系統，確保成膜速度和均勻性；

100、具備多種鍍膜技術，如多層復合膜、摻雜多晶硅技術。新能源光伏 HORIS P12 管式等離子體增強型化學氣相沉積設備 配備自動上下料系統，成熟的 MES 接口經驗；高精度控溫，在線工藝調整，工藝結果一致性和穩定性高；多預警功能，提升維護性和安全性；石墨舟預訂管理系統，實現舟精準管理；具備多種快速、高質量鍍膜技術，如多層復合膜/Poly 層等。新能源光伏 數據來源：公司官網、東方證券研究所 外延設備廣泛應用，覆蓋多領域。外延設備廣泛應用，覆蓋多領域。外延系列產品覆蓋集成電路、功率半導體、化合物半導體等領域應用需求。北方華創自主研發的 12 英寸常壓硅外延設備，實現了對邏輯芯片、存儲芯片、功率器件及

101、特色工藝的全覆蓋，且成功量產。截至 2023 年底，北方華創已發布 20 余款量產型外延設備，累計出貨超 1000 腔。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。28 3.3 開拓設備板塊，打造平臺化能力 清洗設備和熱處理設備板塊不斷拓展。清洗設備和熱處理設備板塊不斷拓展。立式爐和清洗設備分別約占集成電路裝備總資本開支的 5%，在集成電路工藝生產線上發揮著關鍵作用。立式爐主要包括立式氧化/退火爐、多片立式低壓化學氣相沉積設備（L

102、PCVD）和多片立式原子層沉積設備（ALD）。清洗設備主要包括單片清洗設備和槽式清洗設備。2023 年公司立式爐和清洗設備收入合計超 30 億元。在清洗設備領域，在清洗設備領域，槽式清洗機實現工藝全覆蓋，單片清洗機實現前段高端工藝新突破，為清洗業槽式清洗機實現工藝全覆蓋，單片清洗機實現前段高端工藝新突破，為清洗業務板塊開拓了更廣闊的市場空間。務板塊開拓了更廣闊的市場空間。北方華創經過多年的技術積累，先后突破了多項關鍵模塊設計技術和清洗工藝技術，包括伯努利卡盤和雙面工藝卡盤、高效率藥液回收系統、熱 SPM 工藝、熱磷酸工藝、低壓干燥工藝等，實現了槽式工藝全覆蓋，同時高端單片工藝實現突破。公司在集

103、成電路領域的工藝設備均已在客戶端實現量產。截至 2023 年底，公司清洗設備累計出貨超 1200 臺。表 8：北方華創清洗設備 產品名稱產品名稱 晶圓尺寸晶圓尺寸 適用材料適用材料 適用工藝適用工藝 應用領域應用領域 SC308012 英寸單片清洗設備 12 英寸 單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、介質膜、金屬膜 后段 Cu/Al 制程刻蝕后、Al Pad、背面清洗、背面刻蝕 先進封裝、功率半導體、硅基微型顯示 Pinnacle30012 英寸槽式清洗設備 12 英寸 光阻、單晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅、金屬膜、金屬氧化物 爐前、刻蝕/拋光后清洗、光阻、金屬氧化物、氮化物去除、控擋片回收 功率

104、半導體、硅基微型顯示、襯底材料 GAMA Series6/8 英寸全自動槽式清洗機 6、8 英寸 硅，碳化硅，硅基氮化鎵 預清洗、去膠清洗、氮化硅去除、金屬去除(Co,Ti)、Recycle 清洗、拋光 功率半導體、化合物半導體、襯底材料 Bpure Series 立式/臥式管舟清洗機 8、12 英寸 石英、碳化硅 石英管/舟、石英板、點火炮、基座等零部件浸泡式處理工藝 功率半導體、化合物半導體、科研領域 Pinnacle2008 英寸槽式清洗設備 8 英寸 光阻、單晶硅、氧化硅、氮化硅、介質膜、金屬膜、氮化鈦、硅化物 預清洗、去膠清洗、氮化硅、Co、Ti 去除、Recycle 清洗 功率半導

105、體、硅基微型顯示、襯底材料 EGC Series 面板清洗機-平板顯示及智能自動化 數據來源：公司官網、東方證券研究所 在立式爐領域，實現了立式爐系列化設備在邏輯和存儲工藝制程應用的全面覆蓋。在立式爐領域，實現了立式爐系列化設備在邏輯和存儲工藝制程應用的全面覆蓋。北方華創突破并掌握了氣流場/溫度場控制、反應源精密輸送、硅片表面熱場設計等關鍵技術，快速熱退火設備、立式爐原子層沉積設備等新產品層出不窮，為客戶提供全面解決方案的能力持續提升；多種立式爐、臥式爐設備均已成為國內主流客戶的量產設備，并持續獲得重復訂單。截至截至 2023 年底，公年底，公司立式爐累計出貨超司立式爐累計出貨超 700 臺。

106、臺。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。29 表 9：北方華創立式爐設備 產品名稱產品名稱 晶圓尺寸晶圓尺寸 適用材料適用材料 適用工藝適用工藝 應用領域應用領域 Hesper TO230R 12 英寸單片減壓原位濕法氧化系統 12 英寸 二氧化硅 濕法氧化、減壓 Spike 功率半導體、襯底材料 THEORIS A302 12 英寸立式低溫退火爐 12 英寸 硅 低溫常/低壓工藝、合金、金屬/非金屬退火、薄片退火 先進封

107、裝、功率半導體、硅基微型顯示 THEORIS A302C 12 英寸立式 PI 固化爐 12 英寸 硅 PI 膠固化 功率半導體 THEORIS HO302D 12 英寸立式低壓化學氣相沉積高溫氧化硅爐 12 英寸 硅 二氧化硅低壓化學氣相淀積 功率半導體、硅基微型顯示 THEORIS PY302U 12 英寸立式低壓化學氣相沉積非摻雜多晶硅爐 12 英寸 硅 多晶硅薄膜低壓化學氣相沉積 功率半導體、襯底材料 THEORIS SN302D 12 英寸立式低壓化學氣相沉積氮化硅爐 12 英寸 硅 氮化硅低壓化學氣相沉積 功率半導體 THEORIS X302H 12 英寸立式高溫氧化爐 12 英寸

108、 硅 高溫干/濕氧氧化、DCE 氧化、摻氮氧化、高溫退火 功率半導體、襯底材料 THEORIS X302P 12 英寸立式中溫氧化爐 12 英寸 硅 干氧氧化、濕氧氧化、DCE 氧化、摻氮氧化、退火 功率半導體、襯底材料 TENESIS X308P 12 英寸立式大產能中溫氧化爐 12 英寸 硅 干氧氧化、濕氧氧化、DCE 氧化 集成電路 FLOURIS A201 8 英寸立式低溫退火爐 8 英寸 硅、碳化硅 氮氣退火、合金 功率半導體、化合物半導體、硅基微型顯示 FLOURIS X201P 8 英寸立式中溫氧化爐 8 英寸 硅、碳化硅 干氧氧化、濕氧氧化、DCE 氧化、退火 功率半導體、化合

109、物半導體、科研領域 FLOURIS X201H 8 英寸立式高溫氧化爐 8 英寸 硅、碳化硅 高/中溫氧化、退火 功率半導體、化合物半導體、襯底材料 Booster SWA 單片退火系統 12 英寸 Sub 40nm BEOL 單片退火 集成電路 SUMERIS AP302C 8/12 英寸先進封裝立式 PI 固化爐 8/12 英寸兼容 硅、玻璃 PI 固化、烘烤去濕等 先進封裝 VERIC A6151A SiC 高溫退火爐 4/6 英寸兼容 碳化硅、氮化鋁 注入后激活、Ar 退火、Ar/H退火、溝槽平滑 化合物半導體，襯底材料，科研 VERIC O6151A SiC 高溫氧化爐 4/6 英寸

110、兼容 碳化硅 干氧氧化、濕氧、Ar/N 退火、NO/NO 退火、H 退火、DCE 清洗 化合物半導體、襯底材料、科研領域 HORIC D200 擴散/氧化系統 4、6、8 英寸 硅、碳化硅、硅基氮化鎵 磷擴散、硼擴散、氧化、退火、合金 化合物半導體、襯底材料、科研領域 數據來源：公司官網、東方證券研究所 北方華創發布北方華創發布 12 英寸去膠機，提升效率降低成本。英寸去膠機，提升效率降低成本。2023 年，公司發布了 12 英寸去膠機 ACE i300，實現了去膠工藝的全面覆蓋。干法去膠，也稱等離子去膠，其原理是在真空環境下，利用活性等離子體去除晶片表面的掩膜材料，并確保晶片材料不受損。北方

111、華創憑借多年的等離子技術積累，自主研發了低損傷等離子體元件，與傳統濕法去膠相比，不僅提高了效率，還降低了成本。此外，公司開發的真空和大氣雙配置傳輸平臺，使設備在保持高性能的同時，延長了使用壽命并降低了消耗成本。3.4 精密電子元器件業務積累深厚 電子元器件需求暫時波動，長期空間廣闊。電子元器件需求暫時波動，長期空間廣闊。2023 年，受全球經濟環境和行業周期等多方面因素的影響，元器件市場需求有所放緩，產品需求量出現波動。然而新一輪科技革命和產業變革蘊育出新的機遇，正成為我國經濟社會發展的重要支撐，一批代表“新質生產力”的戰略新興產業和未來產業為傳統產業注入前所未有的活力。智能制造、物聯網、算力

112、、新能源汽車等領域的飛速發展，促進了制造業向數字化、網絡化、智能化轉型，推動了元器件不斷向“小型化、集成化、高精密”方向發展，為精密電子元器件產業帶來了新的機遇。北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。30 圖 45：電子元器件行業產業鏈結構圖 數據來源：公司官網、東方證券研究所 5G5G 和物聯網技術推動電子元器件發展。和物聯網技術推動電子元器件發展。5G 和物聯網技術的發展將大大推動電子元器件的需求增長。5G 技術的高速度

113、、大帶寬、低時延特性將帶動智能終端、自動駕駛、視頻傳輸等應用的發展，從而增加對高性能處理器、高頻高速射頻器件、光電器件等電子元器件的需求。據 TDIA 預測，2020 年全球 5G 智能手機出貨量約為 2.5 億部，到 2024 年將增長至 8 億部以上。同時，物聯網技術的發展也將帶動智能家居、智能制造等領域對電子元器件的需求增長。據 GSMA 預測，到 2025 年，全球物聯網終端連接數量將達到 250 億，其中大部分將需要使用電子元器件進行數據處理和傳輸。華經產業研究院預計到 2025 年，全球納米電子元器件市場規模將以每年 10%的速度增長，達到數百億美元。圖 46：全球物聯網終端連接數

114、量發展趨勢圖 數據來源：GSMA Intelligence、東方證券研究所 深耕電子元器件深耕電子元器件 2323 年年。北方華創持續推動元器件向小型化、輕量化、高精密方向發展。公司前身之一的七星電子自 2001 年 9 月創立之初就深耕電子元器件領域，至今已有近 23 年；2017 年北方華創集團正式成立后，由其全資子公司北京七星華創精密電子科技有限責任公司承擔電子元器件業務。公司致力于精密電子元器件的研發、生產、銷售和技術服務，是國內重要的高精密電子元器件生產基地。公司研發的石英品體器件、石英微機電傳感器、高精密電阻器、但電容器、微波組件、模擬芯片、模塊電源等產品，可應用于高鐵、智能電網、

115、通信、醫療電子、精密儀器、自動控制等多個領域。50607080901001101104050607080100120140050100150200250300201820192020E2021E2022E2023E2024E2025E消費物聯網終端（億個）工業物聯網終端（億個）北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。31 圖 47：北方華創電子元器件產品種類與用途 數據來源：公司官網、東方證券研究所 業務規模不斷擴大，先后業務

116、規模不斷擴大，先后進行進行兩次擴產。兩次擴產。近年來電子元器件業務不斷發展，相關營業收入持續增加，為了進一步擴大電子元器件業務的規模，公司于 2019 年和 2021 年先后兩次通過非公開募集資金，開展高精密電子元器件產業化基地擴產項目。兩次擴產項目擴增了公司的相關產品產能，進一步提升了公司的市場競爭地位和產品市場占有率，樹立了公司技術實力強勁的品牌形象。表 10：兩次擴產項目概況 項目年份及名稱項目年份及名稱 投產時間投產時間 項目關鍵要素項目關鍵要素 項目關鍵要素內容項目關鍵要素內容 2019 年高精密電子元器件產業化基地擴產項目 2020 年 產品 模塊電源 投資規模 2.42 億元 產

117、能規模 年產模塊電源 5.8 萬只。2021 年高精密電子元器件產業化基地擴產項目（第三期）在建 產品 高精密石英晶體振蕩器和特種電阻 投資規模 8 億元 產能規模 形成量產 22 萬只高精密石英晶體振蕩器和 2000 萬只特種電阻的生產能力 數據來源：公司官網、東方證券研究所 持續拓展品類，推出模擬鏈路產品和持續拓展品類，推出模擬鏈路產品和硅電容器。硅電容器。2023 年北方華創新開發了模擬鏈路產品，采用國內先進半導體工藝制程，結合先進塑封技術和高可靠金屬陶瓷封裝技術，具有產品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和高可靠等特點，主要應用于通信、交通及電力等領域，在信號處理中有著無可替代的作用。

118、新開發的硅電容器，采用半號體 MOS 工藝和微機電系統(MEMS)工藝相結合的技術，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應用于通信、射頻微波、2.5D/3D 先進封裝、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優勢。表 11：精密電子元器件品類新研發產品 產品名稱產品名稱 優勢優勢 用途用途 模擬鏈路產品 品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和 高可靠等 通信、交通及電力等領域 硅電容器 采用半導體 MOS 工藝和微機電系統（MEMS）工藝相結合的技術，具有小型化、集成化、高精密的特點 通信、射頻微波、2.5D/3D 先進封裝、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優

119、勢 數據來源：公司官網、東方證券研究所 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。32 公司電子元器件業務公司電子元器件業務 19-22年快速增長，年快速增長，2023 年受元器件市場需求疲軟影響，營收和利潤有所下年受元器件市場需求疲軟影響，營收和利潤有所下滑?；?。2019 年至 2022 年，公司電子元器件業務營業收入從 8.47 億元上升至 25.7 億元，凈利潤從2.42 億元上升至 10.4 億元，但 2023 年凈利潤

120、有所下降，為 8.57 億元，同比下降 18%，凈利率為35%。2023年電子元器件市場需求疲軟，全球半導體銷售額共計5268億美元，同比下降8.2%，亞太（除日本外）地區降幅超過 14%，受此影響，公司電子元器件業務營收占比總體下降，從2019 年的 21%下降至 2023 年的 11%。圖 48：電子元器件營業收入及占比 圖 49：電子元器件凈利潤 數據來源：公司年報、東方證券研究所 數據來源：公司年報、東方證券研究所 -10%0%10%20%30%40%50%60%05101520253020192020202120222023營業收入（億元）YoY營收占比-40%-20%0%20%40

121、%60%80%0246810122019年2020年2021年2022年2023年凈利潤（億元）同比增速 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。33 盈利預測與投資建議盈利預測與投資建議 盈利預測 我們對公司 24-26 年盈利預測做如下假設：1)收入的大幅增長主要來自于電子工藝裝備出貨量快速增長。在半導體裝備業務板塊，北方華創的主要產品包括刻蝕、薄膜沉積、爐管、清洗、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應用于集成電路、功率半導體等

122、制造領域。在真空及鋰電裝備業務板塊，北方華創研發的單晶硅晶體生長設備、真空熱處理設備等在材料熱處理、真空電子等領域廣泛應用，為新材料、新工藝、新能源等綠色制造提供技術支持。我們預測公司 24-26 年電子裝備業務營收分別為27,504/35,867/45,361 百萬元。在精密電子元器件業務板塊，北方華創推動元器件向小型化、集成化、高精密方向發展，研發的精密電阻器、新型電容器等產品，廣泛應用于電力電子、軌道交通等領域，為客戶打造高端精密電子元器件技術、產品、服務一體化的專業解決方案。我們預測公司 24-26 年精密電子元器件業務營收分別為 2,311/2,426/2,548百萬元。2)公司 2

123、4-26 年毛利率分別為 44.0%/44.6%/45.4%，電子裝備業務下游景氣度改善，毛利率回升，有助于公司整體公司的毛利率保持小幅提升。3)我 們 預 測 公 司 24-26 年 銷 售 費 用 率 為 4.06%/3.81%/3.71%，管 理 費 用 率 為6.94%/6.54%/6.44%，研發費用率為 11.21%/10.51%/10.36%。費用率小幅下降主要考慮到股權激勵計劃對費用端的影響，以及銷售收入的增長對費用率有一定的攤薄影響。盈利預測核心假設 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 電子裝備電子裝備 銷售收入（百萬元）12,084.5 19,611

124、.5 27,504.2 35,866.7 45,361.3 增長率 52.0%62.3%40.2%30.4%26.5%毛利率 37.1%38.0%42.9%43.9%44.8%電子元器件電子元器件 銷售收入（百萬元）2,574.3 2,432.5 2,310.9 2,426.5 2,547.8 增長率 50.1%-5.5%-5.0%5.0%5.0%毛利率 72.5%65.6%56.0%56.0%56.0%其他業務其他業務 銷售收入（百萬元）29.4 35.5 42.9 51.9 62.8 增長率 47.6%20.8%21.0%21.0%21.0%毛利率 53.0%48.4%60.0%50.0%

125、50.0%合計合計 14,688.1 22,079.5 29,858.0 38,345.0 47,971.9 增長率 51.7%50.3%35.2%28.4%25.1%綜合毛利率綜合毛利率 43.3%41.1%44.0%44.6%45.4%資料來源：公司數據，東方證券研究所預測 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。34 投資建議 我們預測公司 24-26 年每股收益分別為 10.51/14.05/18.08 元，選取同為半

126、導體設備公司的中微公司（刻蝕設備、MOCVD 設備及薄膜沉積設備生產商）、拓荊科技（薄膜沉積設備生產商）、盛美上海（清洗及爐管設備生產商）、芯源微（涂膠顯影設備生產商），以及華海清科（半導體設備生產商）為可比公司，根據可比公司 25 年 39 倍 PE 估值，對應目標價為 547.95 元，首次覆蓋給予買入評級。圖 50：可比公司估值表 數據來源：Wind、東方證券研究所 風險提示風險提示 國內國內競爭加?。焊偁幖觿。簢鴥劝雽w設備行業不斷發展，新進入者和現有競爭對手的技術研發和市場拓展能力不斷提升，使北方華創面臨更激烈的競爭，可能影響其市場份額和盈利能力。技術技術迭代風險迭代風險：國內設備廠

127、商大力投入技術研發，國產替代進展加速，如果北方華創不能及時跟上技術發展的步伐，如研發項目可能無法按計劃完成、研發成果可能無法達到預期的技術指標或市場需求等，公司的市場競爭力和業績將受到負面影響。下下游需求游需求不及預期風險：不及預期風險：半導體行業的市場需求受到宏觀經濟環境、行業周期、技術發展等多種因素的影響，具有較大的波動性。如果下游客戶的擴產計劃不及預期或產能爬坡緩慢，將影響致北方華創的訂單獲取、產品交付和銷售收入確認，影響公司的業績。宏觀經濟波動宏觀經濟波動風險風險：宏觀經濟環境的變化可能影響半導體行業的整體需求和投資規模。如果全球經濟出現衰退或不穩定，將導致下游客戶的投資減少，對北方華

128、創的產品銷售產生不利影響。政策變化政策變化風險風險：半導體行業是國家重點支持的戰略性產業，政策的變化對行業的發展具有重要影響。如果國家的產業政策、稅收政策、補貼政策等發生不利變化，將可能影響北方華創的業務發展和盈利能力。假設條件變化影響測算結果假設條件變化影響測算結果：如果晶圓廠擴產不及預期或下游需求減少，可能導致整體測算結果與實際值有較大差異。公司公司代碼代碼最新價格(元)最新價格(元)2024/12/312023A2024E 2025E2026E2023A2024E2025E2026E中微公司688012189.162.872.904.075.3865.9265.2046.4235.17拓

129、荊科技688072153.672.382.503.715.0164.5561.4941.4530.66盛美上海688082100.002.082.673.584.5048.1937.5027.9722.22芯源微68803783.631.251.191.862.6667.0670.1745.0531.49華海清科688120162.993.064.275.616.9753.3138.2129.0423.39最大值67.0670.1746.4235.17最小值48.1937.5027.9722.22平均數59.8154.5137.9928.59調整后平均61.2654.9738.5228.51每

130、股收益（元）每股收益（元）市盈率市盈率 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研究報告最后一頁的免責申明。35 附表：財務報表預測與比率分析 資產負債表 利潤表 單位單位:百萬元百萬元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 單位單位:百萬元百萬元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 貨幣資金 10,435 12,451 14,863 18,380 23,797 營業收入營業收入 14,688 22,079

131、29,858 38,345 47,972 應收票據、賬款及款項融資 4,742 5,715 7,728 9,925 12,417 營業成本 8,250 13,005 16,733 21,228 26,210 預付賬款 1,551 1,480 2,001 2,570 3,215 銷售費用 802 1,084 1,213 1,461 1,780 存貨 13,041 16,992 20,079 25,474 31,452 管理費用 1,421 1,752 2,071 2,506 3,087 其他 1,350 1,588 1,711 1,846 1,998 研發費用 1,845 2,475 3,347

132、 4,030 4,970 流動資產合計流動資產合計 31,117 38,226 46,382 58,194 72,879 財務費用(83)(18)124 94 50 長期股權投資 2 3 4 4 4 資產、信用減值損失 103 100 206 161 162 固定資產 2,484 3,352 3,185 3,017 2,850 公允價值變動收益(3)(6)0 0 0 在建工程 1,223 2,027 3,385 4,598 5,812 投資凈收益 0 1 3 0 0 無形資產 2,003 2,547 2,315 2,084 1,852 其他 520 771 676 546 529 其他 5,7

133、22 7,468 8,933 9,897 10,861 營業利潤營業利潤 2,867 4,448 6,843 9,410 12,242 非流動資產合計非流動資產合計 11,434 15,399 17,822 19,601 21,380 營業外收入 14 22 14 17 18 資產總計資產總計 42,551 53,625 64,204 77,794 94,258 營業外支出 27 4 1 1 1 短期借款 227 23 23 23 23 利潤總額利潤總額 2,854 4,466 6,856 9,426 12,259 應付票據及應付賬款 5,889 7,858 10,111 12,827 15,

134、837 所得稅 313 433 960 1,414 1,839 其他 9,654 11,202 14,181 17,429 21,110 凈利潤凈利潤 2,541 4,033 5,896 8,012 10,420 流動負債合計流動負債合計 15,770 19,083 24,314 30,279 36,970 少數股東損益 188 134 295 521 781 長期借款 3,740 5,835 5,835 5,835 5,835 歸屬于母公司凈利潤歸屬于母公司凈利潤 2,353 3,899 5,602 7,491 9,638 應付債券 0 0 0 0 0 每股收益（元）4.41 7.31 10

135、.51 14.05 18.08 其他 3,057 3,882 3,229 3,403 3,504 非流動負債合計非流動負債合計 6,797 9,717 9,064 9,238 9,340 主要財務比率主要財務比率 負債合計負債合計 22,567 28,800 33,379 39,517 46,310 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 少數股東權益 238 458 753 1,273 2,055 成長能力成長能力 實收資本（或股本）529 530 533 533 533 營業收入 51.7%50.3%35.2%28.4%25.1%資本公積 13,977 14,926 1

136、5,449 15,449 15,449 營業利潤 131.9%55.1%53.9%37.5%30.1%留存收益 5,241 8,904 14,092 21,023 29,912 歸屬于母公司凈利潤 118.4%65.7%43.7%33.7%28.7%其他(0)7 0 0 0 獲利能力獲利能力 股東權益合計股東權益合計 19,984 24,825 30,826 38,278 47,948 毛利率 43.8%41.1%44.0%44.6%45.4%負債和股東權益總計負債和股東權益總計 42,551 53,625 64,204 77,794 94,258 凈利率 16.0%17.7%18.8%19.

137、5%20.1%ROE 12.8%17.7%20.6%22.3%23.3%現金流量表 ROIC 12.0%14.6%17.8%20.0%21.3%單位單位:百萬元百萬元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 償債能力償債能力 凈利潤 2,541 4,033 5,896 8,012 10,420 資產負債率 53.0%53.7%52.0%50.8%49.1%折舊攤銷 361 615 435 435 435 凈負債率 0.0%0.0%0.0%0.0%0.0%財務費用(83)(18)124 94 50 流動比率 1.97 2.00 1.91 1.92 1.97 投資損失(0)(1

138、)(3)0 0 速動比率 1.15 1.11 1.08 1.08 1.12 營運資金變動(3,363)(1,576)(520)(2,340)(2,588)營運能力營運能力 其它(183)(687)(653)184 113 應收賬款周轉率 6.0 6.5 6.7 6.6 6.5 經營活動現金流經營活動現金流(728)2,365 5,279 6,385 8,430 存貨周轉率 0.8 0.9 0.9 0.9 0.9 資本支出(1,081)(2,511)(1,357)(1,214)(1,214)總資產周轉率 0.4 0.5 0.5 0.5 0.6 長期投資(0)1(1)0 0 每股指標（元）每股指標

139、（元）其他(342)452(1,497)(1,000)(1,000)每股收益 4.41 7.31 10.51 14.05 18.08 投資活動現金流投資活動現金流(1,423)(2,058)(2,855)(2,214)(2,214)每股經營現金流-1.38 4.46 9.91 11.99 15.82 債權融資 3,965 2,059 0 0 0 每股凈資產 37.04 45.71 56.41 69.41 86.08 股權融資 600 951 525 0 0 估值比率估值比率 其他(1,221)(1,362)(537)(654)(799)市盈率 88.6 53.5 37.2 27.8 21.6

140、籌資活動現金流籌資活動現金流 3,345 1,647(12)(654)(799)市凈率 10.6 8.6 6.9 5.6 4.5 匯率變動影響 37 14-0-0-0 EV/EBITDA 64.3 40.1 27.3 20.3 15.9 現金凈增加額現金凈增加額 1,231 1,968 2,411 3,517 5,417 EV/EBIT 72.6 45.6 29.0 21.3 16.5 資料來源：東方證券研究所 北方華創首次報告 刻蝕和薄膜沉積設備領域優勢突出，打造平臺型設備龍頭 有關分析師的申明，見本報告最后部分。其他重要信息披露見分析師申明之后部分，或請與您的投資代表聯系。并請閱讀本證券研

141、究報告最后一頁的免責申明。36 分析師申明 每位負責撰寫本研究報告全部或部分內容的研究分析師在此作以下聲明：每位負責撰寫本研究報告全部或部分內容的研究分析師在此作以下聲明：分析師在本報告中對所提及的證券或發行人發表的任何建議和觀點均準確地反映了其個人對該證券或發行人的看法和判斷；分析師薪酬的任何組成部分無論是在過去、現在及將來，均與其在本研究報告中所表述的具體建議或觀點無任何直接或間接的關系。投資評級和相關定義 報告發布日后的 12個月內行業或公司的漲跌幅相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅為基準（A 股市場基準為滬深 300 指數，香港市場基準為恒生指數，美國市場基準為標普 500 指數）

142、；公司投資評級的量化標準公司投資評級的量化標準 買入：相對強于市場基準指數收益率 15%以上；增持：相對強于市場基準指數收益率 5%15%；中性：相對于市場基準指數收益率在-5%+5%之間波動；減持：相對弱于市場基準指數收益率在-5%以下。未評級 由于在報告發出之時該股票不在本公司研究覆蓋范圍內，分析師基于當時對該股票的研究狀況，未給予投資評級相關信息。暫停評級 根據監管制度及本公司相關規定，研究報告發布之時該投資對象可能與本公司存在潛在的利益沖突情形；亦或是研究報告發布當時該股票的價值和價格分析存在重大不確定性，缺乏足夠的研究依據支持分析師給出明確投資評級；分析師在上述情況下暫停對該股票給予

143、投資評級等信息，投資者需要注意在此報告發布之前曾給予該股票的投資評級、盈利預測及目標價格等信息不再有效。行業投資評級的量化標準行業投資評級的量化標準：看好：相對強于市場基準指數收益率 5%以上；中性：相對于市場基準指數收益率在-5%+5%之間波動；看淡：相對于市場基準指數收益率在-5%以下。未評級：由于在報告發出之時該行業不在本公司研究覆蓋范圍內，分析師基于當時對該行業的研究狀況，未給予投資評級等相關信息。暫停評級：由于研究報告發布當時該行業的投資價值分析存在重大不確定性，缺乏足夠的研究依據支持分析師給出明確行業投資評級；分析師在上述情況下暫停對該行業給予投資評級信息，投資者需要注意在此報告發

144、布之前曾給予該行業的投資評級信息不再有效。免責聲明 本證券研究報告（以下簡稱“本報告”）由東方證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）制作及發布。本報告僅供本公司的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本報告的全體接收人應當采取必要措施防止本報告被轉發給他人。本報告是基于本公司認為可靠的且目前已公開的信息撰寫，本公司力求但不保證該信息的準確性和完整性，客戶也不應該認為該信息是準確和完整的。同時，本公司不保證文中觀點或陳述不會發生任何變更，在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的證券研究報告。本公司會適時更新我們的研究，但可能會因某些規定而無法做到。除

145、了一些定期出版的證券研究報告之外，絕大多數證券研究報告是在分析師認為適當的時候不定期地發布。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議，也沒有考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需求?？蛻魬紤]本報告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況，若有必要應尋求專家意見。本報告所載的資料、工具、意見及推測只提供給客戶作參考之用，并非作為或被視為出售或購買證券或其他投資標的的邀請或向人作出邀請。本報告中提及的投資價格和價值以及這些投資帶來的收入可能會波動。過去的表現并不代表未來的表現，未來的回報也無法保證，投資者可能會損失本金。外匯匯率波動有可能對某些投資的價值或價格或來自這

146、一投資的收入產生不良影響。那些涉及期貨、期權及其它衍生工具的交易，因其包括重大的市場風險，因此并不適合所有投資者。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任，投資者自主作出投資決策并自行承擔投資風險，任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。本報告主要以電子版形式分發，間或也會輔以印刷品形式分發，所有報告版權均歸本公司所有。未經本公司事先書面協議授權，任何機構或個人不得以任何形式復制、轉發或公開傳播本報告的全部或部分內容。不得將報告內容作為訴訟、仲裁、傳媒所引用之證明或依據，不得用于營利或用于未經允許的其它用途。經本公司事先書

147、面協議授權刊載或轉發的，被授權機構承擔相關刊載或者轉發責任。不得對本報告進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。提示客戶及公眾投資者慎重使用未經授權刊載或者轉發的本公司證券研究報告，慎重使用公眾媒體刊載的證券研究報告。HeadertTable_Address東方證券研究所 地址：上海市中山南路 318 號東方國際金融廣場 26 樓 電話：傳真：021-63325888 021-63326786 東方證券股份有限公司經相關主管機關核準具備證券投資咨詢業務資格，據此開展發布證券研究報告業務。東方證券股份有限公司及其關聯機構在法律許可的范圍內正在或將要與本研究報告所分析的企業發展業務關系。因此，投資者應當考慮到本公司可能存在對報告的客觀性產生影響的利益沖突，不應視本證券研究報告為作出投資決策的唯一因素。