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1、證券研究報告|首次覆蓋報告 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 gszqdatemark 北方華創（北方華創（002371.SZ）國產半導體國產半導體裝備裝備脊梁脊梁，打造平臺型龍頭，打造平臺型龍頭 二十余載耕耘，國產二十余載耕耘，國產半導體半導體設備設備龍頭龍頭。北方華創成立于 2001 年 9 月，主營半導體裝備及精密電子元器件業務，公司在高端電子工藝裝備及精密電子元器件兩大主業板塊持續保持國內領先地位。公司營收業績近年來高速增長，規模效益凸顯，2024 年 Q1-Q3實現營業收入 204 億元，同比增長 39.5%，實現歸母凈利潤 45 億元，同比增長 54.7%，2019

2、-2023 年，公司營收及歸母凈利潤 CAGR 分別達 52.7%，88.5%。國內國內 PVD 工藝裝備技術先行者工藝裝備技術先行者，薄膜沉積產品矩陣完善薄膜沉積產品矩陣完善。薄膜沉積設備為芯片制造三大核心設備之一，我們測算 2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計達 239.6 億美元，國內市場規模有望超 82 億美元。當前市場主要由 AMAT、Lam，TEL 等國際知名企業壟斷，主要國產廠商本土市占率不足 20%。北方華創自 2008 年起開始 PVD 裝備研發，目前已實現對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋。截至 2023 年底，公司已推出40 余款 PVD 設備，累計出貨超 350

3、0 腔。同時公司布局拓展 CVD 領域，形成 DCVD 和MCVD 兩大系列產品，截至 2023 年底，已實現 30 余款 CVD 產品量產應用，為超過 50家客戶提供技術支持，累計出貨超 1000 腔。ICP 領域競爭優勢明確，拓展領域競爭優勢明確，拓展 CCP 領域布局領域布局?？涛g是半導體圖案化過程的核心工藝之一，全球范圍來看，LAM、AMAT、TEL 等企業占據刻蝕機市場的主導地位?？涛g設備市場需求受益于芯片制程演進及存儲芯片三維化發展。據國際半導體產業協會測算，7nm 制程所需刻蝕工序為 140 次，5nm 芯片生產需刻蝕工序達 160 次。北方華創深耕ICP 刻蝕技術二十余年，已實

4、現多個客戶端大批量量產并成為基線設備。截至 2023 年底，公司 ICP 刻蝕設備已累計出貨超 3200 腔。CCP 領域，公司目前已實現邏輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，截至 2023 年底，CCP 刻蝕設備已累計出貨超100 腔。此外公司 12 英寸深硅刻蝕機 PSE V300，已成為 TSV 量產生產線主力機臺，截至 24 年 3 月，設備裝機量已超百腔。產業鏈協同布局，核心零部件業務整合再出發。產業鏈協同布局，核心零部件業務整合再出發。高端精密電子元器件領域，公司主要產品為電源管理芯片、石英晶體器件、石英微機電傳感器、高精密電阻器、鉭電容器、微波組件等。2024 年，公司

5、成功完成北京七星華創流量計有限公司、北京七星華創集成電路裝備有限公司及北京北方華創微電子裝備有限公司射頻業務單元三大板塊業務重組，形成以“半導體核心零部件”為核心業務的全新實體北京華丞電子。同時，華丞電子零部件平臺研發及產業化總部基地建設項目正式開工，建成后將為公司氣體質量流量控制器、射頻電源等產品的研發和生產提供擴展空間。2024 年華丞電子在半導體領域營收持續增長，50 多款半導體產品成功通過驗證。盈利預測及盈利預測及投資建議：投資建議：我們預計公司 2024/2025/2026 年實現營收 297.0/395.2/485.5億元，實現歸母凈利潤 55.7/77.2/98.8 億元，實現毛

6、利率為 42.4%/42.7%/43.1%，實現歸母凈利率為 18.8%/19.5%/20.3%，對應 PE 為 36/26/20 x，具備估值優勢，首次覆蓋，給予“買入”評級。風風險提示：險提示：產品進展不及預期、下游需求不及預期、市場競爭激烈、數據滯后性風險。買入買入（首次首次）股票信息股票信息 行業 半導體 01 月 27 日收盤價（元）377.00 總市值（百萬元）201,255.15 總股本（百萬股）533.83 其中自由流通股（%）99.91 30 日日均成交量（百萬股）6.79 股價走勢股價走勢 作者作者 分析師分析師 鄭震湘鄭震湘 執業證書編號：S0680524120005 郵

7、箱： 分析師分析師 佘凌星佘凌星 執業證書編號：S0680525010004 郵箱： 分析師分析師 劉嘉元劉嘉元 執業證書編號：S0680525010002 郵箱： 相關研究相關研究 1、北方華創（002371.SZ）：國產化脊梁，三季度營收業績延續高增 2022-10-31 2、北方華創（002371.SZ）：營收業績連續高增，平臺型龍頭持續擴張 2022-09-01 3、北方華創（002371.SZ）：一季度高速增長，國產替代持續推進 2022-05-09 財務指標財務指標 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入（百萬元）14,688 22,079 29,69

8、7 39,516 48,553 增長率 yoy（%）51.7 50.3 34.5 33.1 22.9 歸母凈利潤（百萬元）2,353 3,899 5,571 7,715 9,877 增長率 yoy（%）118.4 65.7 42.9 38.5 28.0 EPS 最新攤?。ㄔ?股）4.41 7.30 10.44 14.45 18.50 凈資產收益率（%）11.9 16.0 19.0 21.2 21.8 P/E（倍）85.5 51.6 36.1 26.1 20.4 P/B（倍）10.2 8.3 6.8 5.5 4.4 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2025 年 01 月 27 日

9、收盤價 -10%14%38%62%86%110%2024-022024-062024-092025-01北方華創滬深3002025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 財務報表和主要財務比率財務報表和主要財務比率 資產負債表（資產負債表（百萬元）利潤表（利潤表（百萬元）會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 流動資產流動資產 31117 38226 57140 71734 88740 營業收入營業收入 1468

10、8 22079 29697 39516 48553 現金 10435 12451 19139 21907 30314 營業成本 8250 13005 17105 22639 27629 應收票據及應收賬款 4341 4712 8357 10411 12273 營業稅金及附加 135 167 273 331 388 其他應收款 66 65 113 148 169 營業費用 802 1084 1247 1581 1918 預付賬款 1551 1480 2360 3318 3668 管理費用 1421 1752 2138 2766 3350 存貨 13041 16992 24271 32496 38

11、321 研發費用 1845 2475 3415 4465 5389 其他流動資產 1684 2526 2900 3454 3995 財務費用-83-18-24-31-43 非流動資產非流動資產 11434 15399 14370 14384 14377 資產減值損失-18-21-23-17-19 長期投資 2 3 3 3 3 其他收益 667 941 980 1185 1505 固定資產 2484 3352 3352 3352 3352 公允價值變動收益-3-6-2-3-1 無形資產 2003 2547 2547 2547 2547 投資凈收益 0 1 1 2 2 其他非流動資產 6945 9

12、496 8467 8482 8474 資產處置收益-12-3-6-6-9 資產總計資產總計 42551 53625 71510 86119 103117 營業利潤營業利潤 2867 4448 6447 8889 11359 流動負債流動負債 15770 19083 29127 37181 43936 營業外收入 14 22 16 18 22 短期借款 227 23 134 79 201 營業外支出 27 4 10 12 14 應付票據及應付賬款 5889 7858 11434 14992 17820 利潤總額利潤總額 2854 4466 6453 8895 11367 其他流動負債 9654

13、11202 17558 22110 25915 所得稅 313 433 680 907 1137 非流動負債非流動負債 6797 9717 12330 11663 12665 凈利潤凈利潤 2541 4033 5773 7988 10230 長期借款 3740 5835 6714 6047 7049 少數股東損益 188 134 202 272 353 其他非流動負債 3057 3882 5615 5615 5615 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 2353 3899 5571 7715 9877 負債合計負債合計 22567 28800 41457 48843 56601 EBITDA 3

14、355 5161 6481 8932 11408 少數股東權益 238 458 660 932 1285 EPS（元/股）4.41 7.30 10.44 14.45 18.50 股本 529 530 530 530 530 資本公積 14067 14971 14971 14971 14971 主要財務比率主要財務比率 留存收益 5241 8904 13934 20884 29771 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 歸屬母公司股東權益 19746 24367 29394 36343 45231 成長能力成長能力 負債和股東權益負債和股東權益 4255

15、1 53625 71510 86119 103117 營業收入(%)51.7 50.3 34.5 33.1 22.9 營業利潤(%)131.9 55.1 44.9 37.9 27.8 歸屬母公司凈利潤(%)118.4 65.7 42.9 38.5 28.0 獲利能力獲利能力 毛利率(%)43.8 41.1 42.4 42.7 43.1 現金流量表（現金流量表（百萬元）凈利率(%)16.0 17.7 18.8 19.5 20.3 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E ROE(%)11.9 16.0 19.0 21.2 21.8 經營活動現金流經營活動現金流

16、-728 2365 3631 4458 8475 ROIC(%)10.4 13.0 15.5 18.3 18.9 凈利潤 2541 4033 5773 7988 10230 償債能力償債能力 折舊攤銷 552 730 51 68 84 資產負債率(%)53.0 53.7 58.0 56.7 54.9 財務費用 78 151 64 65 67 凈負債比率(%)-31.8-25.8-40.3-41.8-49.2 投資損失 0-1-1-2-2 流動比率 2.0 2.0 2.0 1.9 2.0 營運資金變動 -4149-2571-2296-3718-1966 速動比率 1.0 1.0 1.0 0.9

17、1.0 其他經營現金流 252 24 40 57 62 營運能力營運能力 投資活動現金流投資活動現金流-1423-2058 1003-84-75 總資產周轉率 0.4 0.5 0.5 0.5 0.5 資本支出-1408-1980 1005-86-78 應收賬款周轉率 6.0 6.5 6.3 6.0 5.9 長期投資-15-79 0 0 0 應付賬款周轉率 1.8 2.2 2.1 2.0 2.0 其他投資現金流 0 0-2 2 2 每股指標（元）每股指標（元）籌資活動現金流籌資活動現金流 3345 1647 2071-1606 8 每股收益(最新攤薄)4.41 7.30 10.44 14.45

18、18.50 短期借款 227-204 111-55 122 每股經營現金流(最新攤薄)-1.36 4.43 6.80 8.35 15.87 長期借款 3740 2095 879-667 1002 每股凈資產(最新攤薄)36.99 45.65 55.06 68.08 84.73 普通股增加 3 2 0 0 0 估值比率估值比率 資本公積增加 535 903 0 0 0 P/E 85.5 51.6 36.1 26.1 20.4 其他籌資現金流-1161-1149 1081-884-1116 P/B 10.2 8.3 6.8 5.5 4.4 現金凈增加額現金凈增加額 1231 1968 6688 2

19、767 8407 EV/EBITDA 33.6 24.0 29.2 20.8 15.6 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2025 年 01 月 27 日收盤價 2025 02 12年 月 日mX9UnZuXjZpOpN8OcM8OoMpPnPqNjMpPtRkPnMpM7NrRuNNZoNwPuOoOpM gszqdatemark P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 1、國產半導體設備龍頭，業績穩健增長.5 1.1 設備平臺化布局，產品覆蓋全面.5 1.2 高管產業經驗豐富，股權激勵彰顯長期發展信心.6 2、半導體設備市場空間廣闊，國產替

20、代加速滲透.11 2.1 薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一.13 2.2 刻蝕設備：國內廠商產品覆蓋度穩步提升.17 3、平臺化布局持續推進，產品矩陣日益豐富.22 3.1 ICP 領域競爭優勢明確，拓展 CCP 領域布局.22 3.2 薄膜沉積設備產品矩陣日益完善，平臺型龍頭地位彰顯.24 3.3 產業鏈協同布局，設備業務版圖逐步完善.26 3.3.1 半導體設備品類及應用領域拓寬.26 3.1.2 真空鍍膜設備再突破，打入氫能燃料電池市場.28 3.1.3 打造半導體零部件平臺，產業鏈協同發展.30 4、盈利預測及投資建議.33 5、風險提示.35 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：公司發

21、展歷程.5 圖表 2：公司股權結構.6 圖表 3：公司部分高管履歷.6 圖表 4：公司股權激勵行權業績考核目標.7 圖表 5：公司營收情況.8 圖表 6：公司歸母凈利潤情況.8 圖表 7：公司費率情況.8 圖表 8：公司毛利率及歸母凈利率情況.8 圖表 9：公司分產品營收（億元）.9 圖表 10：公司分產品毛利率.9 圖表 11：公司研發費用情況（億元）.9 圖表 12：公司合同負債及存貨情況（億元）.10 圖表 13：全球半導體設備市場規模及同比（億美元）.11 圖表 14：分地區半導體設備銷售額（十億美元）.11 圖表 15：全球半導體設備細分.11 圖表 16：2013 年到 2023

22、年半導體芯片前道設備年均增速.11 圖表 17：全球半導體晶圓產能（等效 8 英寸片，月產能）.12 圖表 18：半導體設備國產化率情況.13 圖表 19：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意圖.14 圖表 20：薄膜沉積設備分類.14 圖表 21：薄膜沉積設備細分占比.15 圖表 22：工藝升級帶動薄膜沉積工序數提升.15 圖表 23：ALD 在多重曝光中的應用.15 圖表 24：NAND 發展趨勢.16 圖表 25：2023 年薄膜沉積設備細分格局.16 圖表 26：刻蝕過程重點：移除不需要材料.17 圖表 27：刻蝕類別.18 圖表 28：按作用機理分各類刻蝕特征.18 圖表 29：按刻

23、蝕材料分各類刻蝕特征.18 圖表 30：2022 年干法刻蝕細分占比（百萬美元）.19 圖表 31：電感耦合等離子體刻蝕反應腔.19 圖表 32：ICP 等離子刻蝕機設備結構示意圖.19 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.4 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 33：電容性等離子體刻蝕反應腔.20 圖表 34：2022 年全球刻蝕機企業競爭格局.20 圖表 35：不同制程集成電路生產所需刻蝕工序次數.21 圖表 36：10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕.21 圖表 37：存儲器件從 2D 到 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工

24、步驟.21 圖表 38：公司 Accura LX 設備.22 圖表 39：公司 PSE V300 設備.23 圖表 40：公司 ACE i300 去膠機設備.24 圖表 41：公司 Scaler HK430 設備.25 圖表 42：公司 Cygnus 系列設備.25 圖表 43：淺溝槽絕緣介質填充工藝.26 圖表 44：北方華創立式爐 ALD 設備.27 圖表 45：北方華創 IC 領域部分清洗設備.28 圖表 46：北方華創 RRAM 設備解決方案.28 圖表 47：北方華創 eMeridian RR-M 系列磁控濺射卷繞鍍膜設備.29 圖表 48：GISETCH 氣體離子刻蝕去除工件表面氧

25、化層示意圖.30 圖表 49：公司電子元器件營收及同比（億元）.31 圖表 50：華丞電子部分零部件產品.32 圖表 51：北方華創分業務收入毛利拆分.33 圖表 52：可比公司估值.34 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1、國產半導體設備龍頭，業績穩健增長、國產半導體設備龍頭，業績穩健增長 1.1 設備平臺化布局，產品覆蓋全面設備平臺化布局，產品覆蓋全面 二十余載耕耘，二十余載耕耘，國產設備中軍國產設備中軍。北方華創成立于 2001 年 9 月，主營半導體裝備及精密電子元器件業務，并于 2010 年在深圳證券

26、交易所上市。2016 年，公司實現與北方微電子的戰略重組，成為中國具備較大規模、豐富的產品體系、多領域高端半導體工藝設備供應商，并成功引進國家集成電路產業基金、京國瑞基金等戰略投資者。2018 年，北方華創收購美國 Akrion Systems LLC 公司，進一步豐富了高端集成電路設備產品線，2022年銷售收入首次突破百億元。圖表1：公司發展歷程 資料來源：公司官網，國盛證券研究所 北方華創主要北方華創主要業務業務為電子工藝裝備和電子元器件。為電子工藝裝備和電子元器件。北方華創在高端電子工藝裝備及精密電子元器件兩大主業板塊持續保持國內領先地位。電子工藝裝備包括半導體裝備、真空及新能源鋰電裝備

27、，電子元器件包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。1）精密電子元器件精密電子元器件：北方華創推動元器件向小型化、集成化、高精密方向發展，產品包括精密電阻器、新型電容器、石英晶體器件、石英微機電傳感器、模擬芯片、模塊電源、微波組件等，廣泛應用于電力電子、軌道交通、智能電網、精密儀器、自動控制等領域。2）半導體裝備半導體裝備：公司產品覆蓋刻蝕、薄膜沉積、立式爐、清洗設備，其中薄膜沉積及刻蝕設備產品工藝覆蓋全面，實力均為國內領先。3）真空及新能源鋰電裝備真空及新能源鋰電裝備：主要產品包括單晶硅晶體生長設備、真空熱處理設備、氣氛保護熱處理設備、連續式熱處理設備、磁控濺射鍍膜設備、多弧離子鍍膜

28、設備等，廣泛應用于材料熱處理、真空電子、新能源光伏、半導體材料、磁性材料、新能源汽車等領域，為新材料、新工藝、新能源等綠色制造提供技術支持。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.6 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.2 高管產業經驗豐富，股權激勵彰顯長期發展信心高管產業經驗豐富，股權激勵彰顯長期發展信心 背靠國資，國產半導體裝備佼佼者背靠國資，國產半導體裝備佼佼者。北京市國資委通過其全資子公司北京電子控股有限責任公司對北方華創實現控股。北京電子控股有限責任公司直接持有公司股份 9.37%，其全資子公司北京七星華電科技集團有限公司間接持股 33.42%

29、，合計持股 42.79%，為公司控股股東，其實控人為北京市國資委。香港中央結算有限公司持股 6.35%，為公司第三大股東。國家集成電路產業投資基金持股 5.39%，為公司第四大股東。圖表2：公司股權結構 資料來源：Wind，國盛證券研究所（數據截至 2024 年 9 月30 日）高管產業經驗豐富，高管產業經驗豐富，前瞻前瞻把握把握行業行業發展趨勢發展趨勢。北方華創管理層具有深厚的行業背景和豐富的管理經驗。董事長趙晉榮產業經驗豐富，有卓越的技術和管理背景，行業底蘊深厚。陶海虹總經理同樣在半導體領域深耕多年，洞悉行業發展趨勢，引領公司實現更好發展。圖表3：公司部分高管履歷 資料來源：Wind，國盛

30、證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.7 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 股權激勵股權激勵彰顯發展信心彰顯發展信心。2024 年 8 月，公司第八屆董事會第十五次會議、第八屆監事會第十次會議審議通過了 關于及其摘要的議案、關于的議案等有關股權激勵的議案文件，公司 2024 年股權激勵第一個行權期考核目標為 2025 年營收增長率不低于對標企業（Gartner 公布的相應年度全球半導體設備廠商銷售額排名前五位公司）算術平均增長率，彰顯公司發展信心。圖表4：公司股權激勵行權業績考核目標 行權期行權期 行權比例行權比例 業績考核目標業績考核目標

31、第一個行權期 25%2025 年營業收入增長率不低于對標企業算術平均增長率；2025 年研發投入占營業收入比例不低于對標企業算術平均比例；2025 年專利申請量500 件；2023-2025 年 EOE 算數平均值不低于 16%；2023-2025 年利潤率算術平均值不低于 8%。第二個行權期 25%2026 年營業收入增長率不低于對標企業算術平均增長率；2026 年研發投入占營業收入比例不低于對標企業算術平均比例；2026 年專利申請量500 件；2024-2026 年 EOE 算術平均值不低于 16%；2024-2026 年利潤率算術平均值不低于 8%。第三個行權期 25%2027 年營業

32、收入增長率不低于對標企業算術平均增長率；2027 年研發投入占營業收入比例不低于對標企業算術平均比例；2027 年專利申請量500 件；2025-2027 年 EOE 算術平均值不低于 16%；2025-2027 年利潤率算術平均值不低于 8%。第四個行權期 25%2028 年營業收入增長率不低于對標企業算術平均增長率；2028 年研發投入占營業收入比例不低于對標企業算術平均比例；2028 年專利申請量500 件；2026-2028 年 EOE 算術平均值不低于 16%；2026-2028 年利潤率算術平均值不低于 8%。資料來源：公司公告，國盛證券研究所 1.3 業績高速增長，盈利能力持續優

33、化業績高速增長，盈利能力持續優化 業績高速增長，規模效益凸顯。業績高速增長，規模效益凸顯。北方華創 2024 年 Q1-Q3 實現營業收入 204 億元，同比增長 39.5%，主要系電子工藝裝備收入同比增長 46.96%。2024 年 Q1-Q3 實現歸母凈利潤 45 億元，同比增長 54.7%，主要系電子工藝備收入高速增長疊加費用率下降。2019-2023 年，公司營收及歸母凈利潤 CAGR 分別達 52.7%，88.5%，實現業績高速發展。根據公司 2024 年度業績預告，公司預計 2024 年實現營收 276.0-317.8 億元，同比增長25.0%-43.9%，預計實現歸母凈利潤 51

34、.7-59.5 億元，同比增長 32.6%-52.6%。單季度來看，24Q4 預計實現營收中值為 93.4 億元，環比增長 16.5%，同比增長 24.6%，預計實現歸母凈利潤中值 11.0 億元，環比下降 34.8%，同比增長 8.1%。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.8 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表5：公司營收情況 圖表6：公司歸母凈利潤情況 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 費率管控能力持續費率管控能力持續加強加強，凈利率逐步提升。，凈利率逐步提升。自 2019 年以來，公司三費合計從 22.1

35、%降至 2024 年 Q1-Q3 的 10.8%。同時，公司歸母凈利率持續提升，由 2018 年 7%提升至24 年前三季度的 21.9%。圖表7：公司費率情況 圖表8：公司毛利率及歸母凈利率情況 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 電子工藝設備為電子工藝設備為公司目前公司目前主要營收構成主要營收構成。從產品營收占比來看，電子工藝設備占比高，24H1 公司電子工藝裝備的營收占比達 92.4%，電子元器件的營收占比為 7.5%。從毛利率來看，電子元件毛利率較高，電子工藝設備毛利率也在逐步提升，主要系設備銷售規?；癸@同時產品結構持續優化。細分電子工藝設備來

36、看，2023 年公司刻蝕設備收入近 60 億元，薄膜沉積設備收入超 60 億元，立式爐和清洗設備收入合計超 30 億元，新能源光伏領域設備收入近 20 億元。0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%70.0%0.050.0100.0150.0200.0250.0營收（億元）yoy0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0%140.0%0.05.010.015.020.025.030.035.040.045.050.0歸母凈利潤（億元）yoy5.1%5.9%5.8%5.3%5.5%4.9%3.9%1.4%2.4%-0.7%-0.5%-0.6

37、%-0.1%0.3%15.1%13.8%14.1%12.3%9.7%7.9%6.6%21.7%22.1%19.2%17.1%14.6%12.8%10.8%-5.0%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%25.0%20182019202020212022202324Q1-Q3銷售費用率財務費用率管理費用率三費合計38.4%40.5%36.7%39.4%43.8%41.1%44.2%7.0%7.6%8.9%11.1%16.0%17.7%21.9%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%25.0%30.0%35.0%40.0%45.0%50.0%20182019202020212022

38、202324Q1-Q3毛利率歸母凈利率2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.9 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表9：公司分產品營收（億元）圖表10：公司分產品毛利率 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 持續持續加大研發，加大研發，夯實核心競爭力夯實核心競爭力。公司持續加大研發力度，研發費用自 2018 年 4 億元提升到 2023 年 25 億元，CAGR 達 47.8%。24Q1-Q3 研發費用達 22 億元，同比提升57.8%。且公司研發團隊不斷擴大，由 2018 年 1170 人增長到 2023 年 365

39、6 人。截至24H1，公司累計申請專利已超過 8300 余件，獲得授權專利超過 4900 余件。圖表11：公司研發費用情況（億元）資料來源：Wind，國盛證券研究所 在手在手訂單訂單飽滿飽滿。合同負債可作為訂單前瞻參考指標，2024 年 Q1-Q3，公司合同負債達到78 億元，存貨達到 232 億元。2020 年至 2023 年，北方華創合同負債從 30 億元上升至83 億元，CAGR 達 39.7%；存貨從 49 億元上升至 170 億元，備貨充足支持產品交付，同時飽滿的的訂單支撐公司后續營收業績的進一步增長。050100150200250202020212022202324H1電子工藝裝備

40、電子元件其他0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%70.0%80.0%202020212022202324H1電子工藝裝備電子元件0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%70.0%80.0%90.0%100.0%0.05.010.015.020.025.030.020182019202020212022202324Q1-Q3研發費用yoy研發費用率2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.10 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表12：公司合同負債及存貨情況（億元）資料來源：Wind，國盛證券研究所

41、 0.050.0100.0150.0200.0250.020182019202020212022202324Q1-Q3合同負債（億元）存貨（億元）2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.11 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2、半導體設備市場空間廣闊半導體設備市場空間廣闊，國產替代，國產替代加速滲透加速滲透 增勢強勁，增勢強勁，2025 年全球半導體設備市場規模有望達年全球半導體設備市場規模有望達 1210 億美元億美元。半導體設備是集成電路和廣泛應用的半導體微觀器件產業的基石，隨著微觀器件的尺寸不斷縮小，結構日益復雜，其重要性愈發凸顯。2023 年全球

42、半導體設備市場出貨金額為 1063 億美金，同比-1.3%，伴隨周期低點過去，終端市場需求回暖及各大晶圓廠擴產動作持續，SEMI 預計 2024 年全球半導體設備市場將達到 1130 億美金新高，同比+6.4%。展望未來，SEMI預計 2025 年全球半導體設備市場規模將達 1210 億美元，同比+7.1%，2026 年市場規模有望延續增長至 1390 億美元。受益于國內晶圓廠持續擴產，中國大陸半導體設備全球份額逐步提升，2020-2023 年份額居全球首位，根據 wind 數據，2024Q1-Q3 中國大陸半導體設備全球份額達到 45%，銷售額達 376.6 億美元，引領全球半導體設備市場。

43、圖表13：全球半導體設備市場規模及同比（億美元）圖表14：分地區半導體設備銷售額（十億美元）資料來源：Wind，SEMI，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 晶圓制造設備占半導體設備市場約晶圓制造設備占半導體設備市場約 90%。半導體設備分為晶圓制造設備及封裝、測試設備，根據SEMI數據，2023年晶圓制造設備銷售額約占總體半導體設備銷售額的90%，其中薄膜沉積設備、光刻設備、刻蝕設備共同構成芯片制造三大核心設備，薄膜沉積設備及刻蝕設備年平均增長速度高于其他種類的設備，2023 年在晶圓制造設備中占比均達22%。圖表15：全球半導體設備細分 圖表16：2013 年到 2023

44、年半導體芯片前道設備年均增速 資料來源：SEMI，拓荊科技公告，國盛證券研究所 資料來源：Gartner，中微公司公告，國盛證券研究所 -100%-50%0%50%100%150%200%0200400600800100012001400160020052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024E2025E2026E半導體設備市場規模（億美金）yoy0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%02040608010012020052006200720082009201

45、0201120122013201420152016201720182019202020212022202324Q1-Q3中國大陸中國臺灣北美日本歐洲韓國其他中國大陸占比2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.12 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 晶圓廠擴產拉動設備需求，中國大陸擴產動能較強。晶圓廠擴產拉動設備需求，中國大陸擴產動能較強。根據 SEMI 數據，全球半導體晶圓制造產能預計將在 2024 年增長 6%，并在 2025 年實現 7%的增長，達到每月晶圓產能3370 萬片（8 英寸當量）。分地區來看，中國大陸預計將保持兩位數的產能增長，在 2024

46、年增長 15%至 885 萬（wpm）后，2025 年將增長 14%至 1010 萬（wpm）。預計 2025年中國臺灣地區的產能將以 580 萬（wpm）的位居第二，增長率為 4%，韓國預計 2025年將位居第三，在 2024 年首次突破 500 萬（wpm）的大關后，產能將增長 7%至 540萬（wpm）。圖表17：全球半導體晶圓產能（等效 8 英寸片，月產能）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 全球半導體設備市場呈現多元化競爭格局，但整體被少數幾家頭部企業壟斷。全球半導體設備市場呈現多元化競爭格局，但整體被少數幾家頭部企業壟斷。美國在薄膜沉積、離子注入、量測等領域占據壟斷地位，如應用材料

47、在物理氣相沉積（PVD）、化學機械拋光（CMP）、離子注入等方面的全球市場占有率較高，泛林在刻蝕、電鍍設備領域占比較大，科磊在量檢測領域有較高的市占率。日本企業在涂膠顯影、清洗設備方面具有較強優勢，其中，東京電子在涂膠顯影設備市占率達 89%，迪恩士（DNS）的清洗設備市占率為 40%。光刻設備方面，荷蘭的 ASML 是光刻機領域龍頭。當前當前部分環節設備國產部分環節設備國產化化率率仍然仍然較低。較低。根據全球半導體觀察及 SEMI 數據，目前中國大陸設備基本可以覆蓋半導體制造流程的各階段所需（除光刻機外），中國半導體設備的國產化比例從 2021 年的 21%迅速提升至 2023 年的 35%

48、。中國在去膠、清洗、刻蝕設備方面國產化率較高，在 CMP、熱處理、薄膜沉積上近幾年國產化突破明顯，而在量測、涂膠顯影、光刻、離子注入等設備上，仍較為薄弱。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.13 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表18：半導體設備國產化率情況 設備種類設備種類 國產化率國產化率 中國大陸廠商中國大陸廠商 國外廠商國外廠商 去膠 80%屹唐半導體、浙江宇謙、上海稷以等 Hitachi High-Technologies（日）、Lam Research（美）等 清洗 50-60%北方華創、中國電科、盛美上海、至純科技、芯源微等 迪恩士

49、SCREEN、Tokyo Electron Limited（日）、Lam Research（美）等 刻蝕 55%-65%中微公司、北方華創、嘉芯半導體、屹唐半導體、中國電科、嘉芯閔揚等 Applied Materials（美）、Lam Research（美）、Tokyo Electron Limited（日）等 熱處理 30%-40%北方華創、盛美上海、嘉芯半導體、嘉芯閔揚等 ASM International（荷蘭）、Applied Materials（美）、Lam Research（美）、Tokyo Electron Limited（日）等 PVD 10%-20%北方華創、嘉芯半導體等 A

50、SM International（荷蘭）、Applied Materials（美）、Lam Research（美）、Tokyo Electron Limited（日）等 CVDALD 5%-10%北方華創、晶盛機電、中微公司、盛美上海、拓荊科技、嘉芯半導體等 ASM International（荷蘭）、Applied Materials（美）、Lam Research（美）、Tokyo Electron Limited（日）等 CMP 30%-40%盛美上海、華海清科、中國電科、鼎龍控股、爍科精微等 DuPont（美）、Thimas west Inc（美）、JSR（日）等 涂膠顯影 5%-10

51、%盛美上海、芯源微等 Dow Chwmical（美）、JSR（日）、TOK America（美）等 離子注入 10%-20%凱世通、中國電科、爍科中科信等 Applied Materials（美）、Axcelis Technologies（美）等 量測 1%-10%上海微電子、中科飛測、精測電子等 KLA（美）、Santec Holdings Corporation（日）等 光刻 0%-1%上海微電子、中國電科等 ASML（荷蘭）、Canon 佳能（日）、Nikon 尼康（日）等 資料來源：全球半導體觀察，國盛證券研究所 2.1 薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一薄膜沉積設備：芯片制造三大

52、核心設備之一 按工藝原理不同，薄膜沉積設備可分為按工藝原理不同，薄膜沉積設備可分為 PVD、CVD 和和 ALD。薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜，再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行，就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層，而且每一層都具有設計好的線路圖案。沉積薄膜材料包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，按工藝原理不同，可分為 CVD（化學氣相沉積）設備、PVD（物理氣相沉積）設備/電鍍設備和 ALD（原子層沉積）設備。1）PVD：在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通

53、過低壓氣體（或等離子體），在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD 鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。PVD 技術生長機理簡單，沉積速率高，但一般只適用于平面的膜層制備。2）CVD：通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在基體表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。按照薄膜材料，CVD 分為介質化學氣相沉積（DCVD）和金屬化學2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.14 請仔

54、細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 氣相沉積（MCVD）兩大類。DCVD 主要包括等離子增強型化學氣相沉積（PECVD）、次常壓化學氣相沉積（SACVD）、介質原子層沉積（DALD）等。MCVD 主要包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）、有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）和金屬原子層沉積（MALD）等。3）ALD：原子層沉積可以將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面。從原理上說，ALD 是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質量上都與傳統的 CVD 不同。相對于傳統的沉積工藝而言，ALD 工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具

55、有均勻的厚度和優異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長。ALD 設備沉積的薄膜具有非常精確的膜厚控制和非常優越的臺階覆蓋率，在 28nm 以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應用，其沉積的 Spacer 材料的寬度決定了 Fin 的寬度，是制約邏輯芯片制程先進程度的核心因素之一，除此之外，ALD 設備在高 k 材料、金屬柵、STI、BSI 等工藝中均存在大量應用，廣泛應用于 CMOS 器件、存儲芯片、TSV 封裝等半導體制造領域。圖表19：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意圖 資料來源：拓荊科技招股說明書，國盛證券研究所 圖表20：薄膜沉積設備分類 資料來源：微

56、導納米招股說明書，國盛證券研究所 CVD 領域領域 PECVD 設備占比較高設備占比較高，PVD領域主要為濺射領域主要為濺射 PVD設備設備。常壓化學氣相沉積（APCVD）是最早的 CVD 設備，結構簡單、沉積速率高，廣泛應用于工業生產中。低壓化學氣相沉積（LPCVD）是在 APCVD 的基礎上發展起來的。等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD）在從亞微米發展到 90nm 的 IC 制造技術過程中，扮演了重要的角色，由于等離子體的作用，化學反應溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，是2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.15 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱

57、讀本報告末頁聲明 當前應用最為廣泛的 CVD 設備，在薄膜沉積設備中占比達 33%。次常壓化學氣相沉積（SACVD）主要應用于溝槽填充工藝。在 PVD 設備中，濺射設備占主要份額。圖表21：薄膜沉積設備細分占比 資料來源：拓荊科技公告，SEMI，國盛證券研究所 芯片制程及工藝升級拉動薄膜設備需求。芯片制程及工藝升級拉動薄膜設備需求。90nmCMOS 芯片工藝中大約需要 40 道薄膜沉積工序，FinFET 工藝產線需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級。且在芯片工藝技術持續進步的趨勢下，當難以通過光刻直接形成先進工藝

58、的情況下，可以結合薄膜沉積設備（主要為ALD 設備）與刻蝕設備相配合，采用自對準多重成像技術，實現更小尺寸的工藝，這將進一步促進 ALD 設備及相關設備的重要性及需求量的提升。圖表22：工藝升級帶動薄膜沉積工序數提升 圖表23：ALD 在多重曝光中的應用 資料來源：拓荊科技公告，國盛證券研究所 資料來源：拓荊科技公告，國盛證券研究所 NAND 垂直垂直化化發展，薄膜沉積設備需求發展，薄膜沉積設備需求獲獲進一步進一步帶動帶動。隨著 3D NAND 芯片的堆疊層數不斷增高，逐步向更多層及更先進工藝發展，堆疊過程中刻蝕及薄膜沉積使用步驟數大幅提升，2024年SK海力士官方公布正式開始量產全球首款 3

59、21層NAND，2025 年NAND層數有望達 4xx 層，薄膜沉積及刻蝕設備重要性凸顯。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.16 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表24：NAND 發展趨勢 資料來源：SK hynix，國盛證券研究所 2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計達年全球薄膜沉積設備市場規模預計達 239.6 億美元。億美元。根據 SEMI 數據，2025 年全球半導體設備市場規模預計為 1210 億美元，以晶圓制造設備占比 90%及薄膜沉積設備占比 22%測算，2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計為 239.6 億美元。國內光刻設

60、備受限情況下，引用多重圖形化技術，通過反復的薄膜工藝、刻蝕工藝及化學機械平坦化工藝以使芯片達到相應精度，拉動薄膜設備需求，薄膜沉積設備重要性進一步凸顯，以 34.5%（2023 年中國大陸半導體設備銷售額占全球半導體設備銷售額比例）計，預計預計2025 年國內薄膜沉積設備市場規模超年國內薄膜沉積設備市場規模超 82 億美元億美元。從全球市場份額來看，薄膜沉積設備行業呈現出高度壟斷的競爭局面，行業基本由美國的應用材料（AMAT）和泛林半導體（Lam），日本的東京電子（TEL）等為代表的國際知名企業壟斷。國際巨頭經過幾十年發展，憑借資金、技術、客戶資源、品牌等方面的優勢，占據了薄膜沉積設備市場的大

61、部分份額。在 PVD 市場，AMAT 是龍頭；在 CVD 市場，AMAT、LAM、TEL 三家主導，占據約 70%份額；在 ALD 市場，主要為 TEL 和 ASMI。圖表25：2023 年薄膜沉積設備細分格局 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 國產廠商份額提升空間國產廠商份額提升空間廣闊廣闊。當前國內主要薄膜沉積設備廠商包括北方華創、中微公司、拓荊科技、微導納米等，且不同公司工藝路線有差異。1）北方華創）北方華創：PVD 實現了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，CVD 布局拓展了 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品，HDPCVD、高介電常數原子層沉積實現穩定量產。2）拓荊科技）拓荊

62、科技：形成了覆蓋全系列 PECVD薄膜材料的設備，PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽填充 CVD 等薄膜2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.17 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 設備產品系列均已在客戶端實現產業化應用。3）中微公司）中微公司：CVD 鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現場驗證，滿足金屬互聯鎢制程各項性能指標，并開發 HAR（高深寬比）鎢設備，已通過關鍵存儲客戶端現場驗證。4）微導納米：）微導納米：國內首家成功將量產型 High-k 原子層沉積（ALD）設備應用于集成電路制造前道生產線的國產設備廠商，目前產品已經覆蓋

63、HfO、AlO3、ZrO、TiO、LaO3、ZnO、SiO、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、無定形碳、SiGe 等多種薄膜材料。從營收端來看，2023 年北方華創薄膜沉積設備營收 60 億元以上，拓荊科技薄膜沉積設備營收 25.7 億元，微導納米半導體領域設備營收 1.2 億元，測算 2023 年中國薄膜沉積設備市場規模達72.8億美元，以7.2匯率計，可測算主要國產廠商本土市占率不足20%，份額提升空間廣闊。2.2 刻蝕設備：刻蝕設備：國內廠商產品覆蓋度穩步提升國內廠商產品覆蓋度穩步提升 刻蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機被視為半導體制造三大核心設備之一刻

64、蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機被視為半導體制造三大核心設備之一?？涛g通過物理及化學的方法，在晶圓表面襯底及其他材料上，雕刻出集成電路所需的立體微觀結構，將前道掩模上的圖形轉移到晶圓表面。在刻蝕新形成的結構上，可以進行 SiO2、SiN 介質薄膜沉積或金屬 Al，Cu，W 薄膜沉積，也可以進行多重曝光或下一刻蝕步驟，最終在各個層形成正確圖形，并使得不同層級之間適當連通，形成完整的集成電路。圖表26：刻蝕過程重點：移除不需要材料 資料來源：SK hynix，國盛證券研究所 按工藝劃分，刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。按工藝劃分，刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。隨著集成電路制程的升級，及

65、芯片結構尺寸的不斷縮小，濕法刻蝕在線寬控制，刻蝕方向性方面的局限性漸漸顯現，濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，逐步被干法刻蝕取代。目前應用主要以干法刻蝕為主，市場占比 90%以上。濕法刻蝕主要用于工藝尺寸較大的應用及干法刻蝕后殘留物的清洗。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.18 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表27：刻蝕類別 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 根據作用機理，干法刻蝕主要分為等離子刻蝕，離子濺射刻蝕，反應離子刻蝕三種，運用在不同的工藝步驟中，根據被刻蝕的材料類型，干法刻蝕則可分為金屬刻蝕、介質刻蝕與硅

66、刻蝕。其中，介質刻蝕和硅刻蝕市場規?？傉急瘸?90%，兩者廣泛應用于邏輯、存儲器等芯片制造中。圖表28：按作用機理分各類刻蝕特征 資料來源：中關村集成電路產業聯盟，國盛證券研究所 圖表29：按刻蝕材料分各類刻蝕特征 資料來源：中關村集成電路產業聯盟，國盛證券研究所 干法刻蝕按照刻蝕原理可以分為物理性刻蝕和化學性刻蝕。干法刻蝕按照刻蝕原理可以分為物理性刻蝕和化學性刻蝕。物理性刻蝕是利用輝光放電將氬氣解離為帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，使其轟擊在刻蝕的物體表面，將2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.19 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 原子擊出，完

67、成刻蝕，在整個刻蝕過程中只發生了物理碰撞。物理性刻蝕具有各向異性刻蝕的特點，可以獲得接近垂直的刻蝕輪廓，但由于被擊飛的物質并不具有可揮發性，導致這些物質再次沉積于被刻蝕的物體表面，因此極少用于超大規模集成電路的制造?；瘜W性刻蝕又稱為等離子刻蝕，通過射頻將刻蝕工藝氣體離子化來增強其活性，使刻蝕氣體與待刻蝕部分發生化學反應形成可揮發的副產物，然后將氣態副產物抽離工藝室完成刻蝕制程，根據等離子產生的原理不同，可以分為 ICP 與 CCP 刻蝕設備，根據 Gartner數據，2022 年 ICP 占干法刻蝕市場 47.9%，CCP 占干法刻蝕市場 47.5%。圖表30：2022 年干法刻蝕細分占比（百

68、萬美元）資料來源：Gartner，中微公司公告，國盛證券研究所 1）電感耦合等離子體電感耦合等離子體（ICP）刻蝕：）刻蝕：射頻電源將射頻電流導入線圈中，射頻電流通過線圈時會產生一個電磁場，引導腔體內部的電子加速運動，加速運動的電子與刻蝕工藝氣體的分子產生碰撞產生等離子體。ICP 主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。圖表31：電感耦合等離子體刻蝕反應腔 圖表32：ICP 等離子刻蝕機設備結構示意圖 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 資料來源：納恩科技，國盛證券研究所 2）電容性等離子體電容性等離子體（CCP）刻蝕刻蝕：射頻電源在兩側裝有電極板的腔室內導入交流電

69、，當交流電壓為正周期時，左電極板為負極，右電極板為正極，反應室內電子會朝右側移動，正電離子朝左側移動；反之，電子向左側移動，正電離子朝右側移動。射頻電源通過高頻的周期變化頻率使兩種相反帶電粒子在兩塊電極板之間高速振蕩。帶電粒子高速振蕩后在腔室內導入工藝氣體，使兩種帶電粒子不停撞擊工2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.20 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 藝氣體粒子并激發出等離子體。CCP 主要是以高能離子在較硬的介質材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結構。圖表33：電容性等離子體刻蝕反應腔 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 刻蝕設備市場海外

70、壟斷，國產廠商份額逐步提升?？涛g設備市場海外壟斷，國產廠商份額逐步提升。全球范圍來看，LAM、應用材料、東京電子等企業占據了刻蝕機市場的主導地位，2022 年 LAM RESEARCH 占比達 46.7%。在中國，北方華創、中微公司等企業在刻蝕機領域具有較強的競爭力，成為國內刻蝕機行業的領軍企業，2023 年北方華創刻蝕設備營收近 60 億元，中微公司刻蝕設備營收超47 億元。圖表34：2022 年全球刻蝕機企業競爭格局 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 7nm集成電路生產所需刻蝕工序為集成電路生產所需刻蝕工序為 140次，相較次，相較 28nm生產所需的生產所需的 40次增加次增加

71、2.5倍。倍。先進芯片制程從 7-5 納米階段向更先進工藝的方向發展，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。根據國際半導體產業協會測算，7nm 集成電路生產所需刻蝕工序為 140 次，相較 28nm 生產所需的 40 次增加 2.5 倍，5nm 芯片生產需刻蝕工序達 160 次。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.21 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表35：不同制程集成電路生產所需刻蝕工序次數 圖表36：10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕

72、資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數?？涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上，加工 40：1 到 60：1 甚至更高的極深孔或極深的溝槽。3D NAND 層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大的需求比例進一步加大。圖表37：存儲器件從 2D 到 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqda

73、temark P.22 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3、平臺化布局持續推進，產品矩陣日益豐富、平臺化布局持續推進，產品矩陣日益豐富 3.1 ICP 領域競爭優勢明確，拓展領域競爭優勢明確，拓展 CCP 領域布局領域布局 深耕深耕 ICP 領域，出貨量領域，出貨量高速增長。高速增長。北方華創深耕 ICP 刻蝕技術二十余年，先后攻克了電感耦合脈沖等離子體源、多溫區靜電卡盤、雙層結構防護涂層和反應腔原位涂層等技術難題，實現了 12 英寸各技術節點的突破。公司多晶硅及金屬刻蝕系列 ICP 設備實現規?；瘧?，完成了淺溝槽隔離刻蝕、柵極掩膜刻蝕等多道核心工藝開發和驗證，助力國內主流

74、客戶技術通線，已實現多個客戶端大批量量產并成為基線設備。截至 2023 年底，北方華創 ICP 刻蝕設備已累計出貨超 3200 腔，較 2022 年底超 2000 腔增長近 1200 腔。發力發力 CCP，完善刻蝕設備產品矩陣。，完善刻蝕設備產品矩陣。2021 年，公司開始著力進行介質刻蝕設備研發，致力于攻克 12 英寸關鍵介質刻蝕工藝應用，支撐客戶持續創新。憑借多年積累的核心技術以及對刻蝕領域的深刻理解，公司先后突破了 CCP 領域等離子體產生與控制、腔室設計與仿真模擬、低溫靜電卡盤、高功率等離子饋入等多項關鍵技術，建立起核心技術優勢。目前，北方華創集成電路領域 CCP 介質刻蝕設備實現了邏

75、輯、存儲、功率半導體等領域多個關鍵制程的覆蓋，為國內主流客戶提供了穩定、高效的生產保障，贏得客戶信賴和認可。截至 2023 年底，北方華創 CCP 刻蝕設備已累計出貨超 100 腔。Accura LX 設備開拓全新產品市場領域設備開拓全新產品市場領域。公司 24 年 3 月推出 12 英寸電容耦合等離子體介質刻蝕機 Accura LX，主要覆蓋邏輯領域多個技術節點中以 AIO（雙大馬士革刻蝕工藝）、Contact（接觸孔）為代表的關鍵介質刻蝕制程，并可擴展到存儲領域的 CMOS（互補金屬氧化物半導體）相關制程，適用于 Low-K（低介電常數）介質及常規介質材料的刻蝕工藝，工藝性能已優于當前行業

76、指標：通過連續等離子體設定及傳送流程優化，可在保證產品良率的同時實現更高產能，通過進氣硅電極高密度開孔率設計，可實現優異的產品均勻性及降低設備 Fatal arcing 風險，為公司開拓了一個全新的產品市場領域，能夠與現有的 12 英寸硅、金屬刻蝕機形成完整的刻蝕工藝解決方案。同時，Accura LX所搭建的 12 英寸 CCP 刻蝕機硬件架構和技術平臺，可以用于存儲、CIS、功率半導體等多個領域，應用前景廣闊。圖表38：公司 Accura LX 設備 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.23 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱

77、讀本報告末頁聲明 攻破攻破 TSV 刻蝕，刻蝕，布局先進封裝領域。布局先進封裝領域。2.5D 和 3D 封裝技術革新了芯片互聯方式，成為突破集成電路發展制程瓶頸的關鍵。TSV 技術作為先進互聯方式，在 3DIC 封裝如 HBM 以及 2.5D 封裝技術如 CoWoS 中起著至關重要的作用，推動了集成電路產業發展。北方華創推出的 12 英寸深硅刻蝕機 PSE V300，歷經迭代，已獲得國內多家 12 英寸先進集成電路廠商的認可，成為 TSV 量產生產線主力機臺，并擴展至功率器件、CIS 等領域，全面應用于國內各大 12 英寸主流 Fab 廠。PSE V300 機臺采用快速氣體和射頻切換控制系統結

78、合的方式，能在大于 50:1 高深寬比深硅刻蝕中精準控制側壁形貌，實現側壁無損傷和線寬無損傷，其工藝性能優于當前行業指標，刻蝕均勻性、選擇比更佳。在結構系統方面，PSE V300 采用每腔單片設計，具有更好的氣流場均勻性和真圓度工藝表現，確保半導體器件制造工藝質量和穩定性更優。機臺可同時配置 6 個腔室，產能、性能優異。此外，通過優化機臺晶圓邊緣保護裝置，提高產品良率，效果優于當前行業產品指標。截至 24 年 3 月，設備裝機量已超百腔，市占率逐年提升，深受客戶認可。圖表39：公司 PSE V300 設備 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 去膠機：具備低成本及技術領先優勢。去膠機：具備

79、低成本及技術領先優勢。干法去膠又稱等離子去膠，其工作原理是在真空狀態下，通過活性等離子體去除晶片表面的掩膜材料，而不允許晶片材料受損。隨著集成電路器件結構不斷演進，高介電常數（High-K）、低介電常數（Low-K）等新材料的引入使得干法去膠的技術難度不斷增加。公司憑借深厚的等離子源開發及應用經驗，自主設計開發了低損傷等離子源，克服了 O2、H2、NH3 等去膠的各種技術難點，在高劑量離子注入后的去膠、新型材料去膠、高深寬比聚合物去除等方面取得了技術領先優勢。同時，優化了干法去膠設備在維護、量產方面的性能，開發了真空和大氣雙配置傳輸平臺，在保證技術領先的同時，使客戶擁有更長的使用周期及更低的擁

80、有成本、消耗成本，受到客戶廣泛認可，形成了批量銷售。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.24 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表40：公司 ACE i300 去膠機設備 資料來源：北方華創官網，國盛證券研究所 3.2 薄膜沉積設備產品矩陣薄膜沉積設備產品矩陣日益完善日益完善，平臺型平臺型龍頭地位彰顯龍頭地位彰顯 國內國內 PVD 工藝裝備技術先行者工藝裝備技術先行者。公司自 2008 年起開始 PVD 裝備研發，經過十余年的技術沉淀與創新突破，先后突破了磁控濺射源設計、等離子體產生及控制、腔室設計與仿真模擬、顆?？刂?、軟件控制等多項核心技術，實現了

81、對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋。截至 2023 年底，集成電路領域銅（Cu）互連、鋁墊層（AlPad）、金屬硬掩膜（Metal Hard Mask）、金屬柵（Metal Gate）、硅化物（Silicide）等工藝設備在客戶端實現穩定量產，成為多家客戶的基線設備，并廣泛應用在邏輯、存儲等主流產線，同時也成功實現功率半導體、三維集成和先進封裝、新型顯示、化合物半導體等多個領域的量產應用。截至 2023 年底，公司已推出 40 余款 PVD 設備，累計出貨超 3500 腔。CVD 領域：布局領域：布局拓展拓展 DCVD 和和 MCVD 兩大系列產品兩大系列產品，高端新品頻出。，高端新品頻出

82、。按照薄膜材料，CVD 分為介質化學氣相沉積（DCVD）和金屬化學氣相沉積（MCVD）兩大類。DCVD 主要包括 PECVD、SACVD、DALD 等。MCVD 主要包括 LPCVD、MOCVD 和 MALD 等。北方華創基于十余年沉積工藝技術的豐富經驗，布局拓展了 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品。針對介質和金屬化學氣相沉積關鍵技術需求，攻克了進氣系統均勻性控制、壓力精確平衡、雙頻驅動的容性等離子體控制、多站位射頻功率均分控制等多項技術難題，實現金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、高介電常數原子層沉積等工藝設備的全方位覆蓋，關鍵技術指標均達到業界領先水平，贏得客戶高度評價。截至 2023 年

83、底，公司已實現 30余款 CVD 產品量產應用，為超過 50 家客戶提供技術支持，累計出貨超 1000 腔。12 英寸高介電常數原子層沉積設備英寸高介電常數原子層沉積設備 Scaler HK430 實現穩定量產，實現穩定量產，高端設備賽道注入高端設備賽道注入新動力。新動力。為了突破晶體管尺寸微縮的工藝瓶頸，業界采用新型 High-K 材料 HfO2（氧化鉿）作為柵介質層，結合金屬柵極技術，研發出 HKMG 工藝，工藝在 45nm 及以下節點占據核心地位。公司推出 12 英寸高介電常數原子層沉積設備 Scaler HK430，是國內 HiK量產生產線的主力機臺，采用橫流的進氣方式，能夠實現更好的

84、工藝穩定性控制，運用旋轉 Heater 結構設計，能夠達成更好的薄膜沉積均勻性及優異的顆?？刂票憩F；在結構系統方面，采用每腔單片式設計，在氣流場均勻性、溫度控制等方面表現優異，單片工藝結果一致性大幅提高；此外，相較于同類型產品具備更好的顆?？刂颇芰?；在軟件方2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.25 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 面，通過全自動流程及相關數據監控、安全互鎖設定等為實現穩定量產提供更好的運行環境，與同類型產品相比，具備更高的安全性及穩定性。圖表41：公司 Scaler HK430 設備 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 Cygn

85、us 系列產品亮相，系列產品亮相，PECVD 高端設備再添新軍。高端設備再添新軍。公司深耕 PECVD 設備領域多年，2012 年推出應用于 LED 領域介質薄膜制備的 EPEE 550 系列 PECVD 設備，2022 年推出應用于集成電路領域的Lyra系列12英寸介質薄膜生長PECVD設備。2024年交付Cygnus系列 12 英寸 PECVD 設備，用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多種高品質介質薄膜，可滿足邏輯、存儲和先進封裝對鈍化層、隔離層、抗反射層、刻蝕停止層等多樣化的應用需求。Cygnus 采用多站位多步沉積工藝方式可實現高均勻性、高產能，工藝一致性更好、可靠

86、性更高，不僅滿足現有邏輯、存儲領域對介質薄膜生長的工藝要求，同時解決了大翹曲硅片的傳輸和工藝均勻性難題，可適用于 2.5D/3D三維器件工藝的介質薄膜生長。圖表42：公司 Cygnus 系列設備 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.26 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 絕緣介質填充工藝技術再獲突破。絕緣介質填充工藝技術再獲突破。2024 年 1 月公司自主研發的 12 英寸 HDPCVD 設備OrionProxima 正式進入客戶端驗證。這標志著北方華創在絕緣介質填充工藝技術上實現了新的突破，Orion Pr

87、oxima 作為公司推出的國產自研高密度等離子體化學氣相沉積設備，主要應用于 12 英寸集成電路芯片的淺溝槽絕緣介質填充工藝，通過沉積-刻蝕-沉積的工藝方式可以有效完成對高深寬比溝槽間隔的絕緣介質填充，借助北方華創在刻蝕技術上的積累，發揮其高沉積速率、優異的填孔能力和低溫下進行反應得到高致密的介質薄膜的優勢，已經成為介質薄膜沉積工藝的重要設備。圖表43：淺溝槽絕緣介質填充工藝 資料來源：北方華創官網，國盛證券研究所 外延設備外延設備逐步拓寬逐步拓寬覆蓋。覆蓋。外延（EPI）設備是材料生長的關鍵設備，廣泛應用于集成電路、功率半導體、化合物半導體等領域。經過十余年的技術沉淀與創新突破，北方華創已形

88、成具有核心技術優勢、品類齊全、應用廣泛的外延系列化產品，具備單晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等多種材料外延生長技術能力，覆蓋集成電路、功率半導體、化合物半導體等領域應用需求。截至 2023 年底，已發布 20 余款量產型外延設備，累計出貨超 1000 腔。公司自主研發的 12 英寸常壓硅外延設備，實現了對邏輯芯片、存儲芯片、功率器件及特色工藝的全覆蓋，且已全部成功量產，成為客戶的基線產品。3.3 產業鏈協同布局，設備業務版圖產業鏈協同布局，設備業務版圖逐步完善逐步完善 3.3.1 半導體設備品類及應用領域拓寬半導體設備品類及應用領域拓寬 立式爐設備：立式爐設備：邏輯邏輯及及存

89、儲工藝制程應用全面覆蓋存儲工藝制程應用全面覆蓋。立式爐作為集成電路制造的關鍵設備，主要用于前道氧化、擴散和退火等熱處理工藝，直接影響了半導體器件的性能。同時，立式爐可批量處理晶圓，提高生產效率，在當前集成電路生產中占據越來越重要的位置。據 SEMI 數據，2024 年立式爐全球市場規模已達 32 億美元，預計未來幾年將繼續保持穩健增長。在立式爐領域，北方華創突破并掌握了氣流場/溫度場控制、反應源精密輸送、硅片表面熱場設計等關鍵技術，實現了立式爐系列化設備在邏輯和存儲工藝制程應用的全面覆蓋。截至 2025 年 1 月 6 號，公司立式爐累計出貨達 1000 臺，自 2010 年首臺交付，2023

90、 年 6 月，第 500 臺立式爐交付，公司交付速度逐步加快。立式爐高端產品不斷推出，技術積累深厚立式爐高端產品不斷推出，技術積累深厚。北方華創發布等離子體增強氮化硅原子層沉積立式爐（型號：DEMAX SN302P）、低介電常數（Low-K）原子層沉積立式爐（產品型號：DEMAX CON302X）、間隙填充氧化硅原子層沉積立式爐（型號：DEMAX SN302T）。1）SN302P：突破了射頻等離子體產生和系統控制、原位清洗、腔室流場設計、爐體溫控以及電氣軟件交互快速響應控制等一系列關鍵技術。廣泛應用于極大規模先進集成電路存儲和邏輯工藝器件阻擋層（ALD Si3N4/HRP）、側壁絕緣層和摻雜薄

91、膜沉積（SiCN、SiBN）工藝，已斬獲多家邏輯和存儲領域頭部客戶訂單，裝機量和重復訂單量快速攀升。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.27 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2）CON302X：突破了液態源供應控制、排氣快速切換控制、原位清洗以及多元素工藝調控等新技術，降低了硅源薄膜的介電常數。設備主要應用于 12 英寸極大規模集成電路的柵極側壁薄膜沉積工藝，以獲得低介電常數、提升薄膜耐腐蝕性，工藝指標優于同類產品，滿足大規模集成電路對高性能絕緣層的需求。3）SN302T：突破了器件高深寬比成膜填充和高品質自由基氧化膜沉積技術，優化了腔室流場和進氣管

92、設計，顯著提高了晶圓間成膜均勻性，并獲得了良好的薄膜絕緣性能和器件高深寬比填充效果。設備主要應用于存儲領域氧化硅絕緣層和介質填充層，尤其在 3D-NAND（閃存）先進技術節點絕緣介質間隙氧化硅填充工藝中廣泛應用。在存儲陣列中，該氧化硅薄膜對與其相關的前后道膜層功能發揮著關鍵作用，是立式爐在該領域工藝制程中的骨干設備，市場前景廣闊。圖表44：北方華創立式爐 ALD 設備 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 清洗設備：多項關鍵技術實現突破，截至清洗設備：多項關鍵技術實現突破，截至 2023 年年累計出貨超累計出貨超 1200 臺臺。清洗設備主要包括單片清洗設備和槽式清洗設備，在清洗設備領域，

93、北方華創經過多年的技術積累，先后突破了多項關鍵模塊設計技術和清洗工藝技術，包括伯努利卡盤和雙面工藝卡盤、高效率藥液回收系統、熱 SPM 工藝、熱磷酸工藝、低壓干燥工藝等，實現了槽式工藝全覆蓋，同時高端單片工藝實現突破。公司在集成電路領域的工藝設備均已在客戶端實現量產，當前公司可提供多種類型的單片清洗設備和槽式清洗設備，已廣泛應用于集成電路、半導體照明、先進封裝、微機電系統、化合物和功率器件等領域，截至 2023 年底，公司清洗設備累計出貨超 1200 臺。2023 年公司立式爐和清洗設備收入合計超 30 億元。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.28 請仔細閱讀本報告

94、末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表45：北方華創 IC 領域部分清洗設備 資料來源：北方華創官網，國盛證券研究所 領域拓展，新能源光伏領域拓展，新能源光伏等應用多等應用多領域開花。領域開花。在新能源光伏領域，公司晶硅電池制造設備實現了多項技術突破，建立了行業領先的技術優勢。擴散設備工藝性能表現突出，具有高產出、高效能、高穩定性的特點；PECVD 設備覆蓋多種電池技術；LPCVD 設備實現了大尺寸硅片兼容和高載片量的突破。目前，公司在 PERC、TOPCon、HJT 等領域實現了擴散、氧化、退火類設備的全覆蓋，為光伏行業提供了更為專業、高效、先進、低成本的解決方案。截至 2023 年底，公司

95、光伏領域設備累計出貨超過 4000 臺，實現頭部客戶全覆蓋，并出口越南、泰國、新加坡、馬來西亞等地，成為光伏行業領先的解決方案提供商，2023 年公司新能源光伏領域設備收入近 20 億元。薄膜沉積薄膜沉積+刻蝕設備協同賦能全球首顆嵌入式刻蝕設備協同賦能全球首顆嵌入式 RRAM 顯示驅動芯片。顯示驅動芯片。2024 年 8 月，全球首顆采用嵌入式 RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲器）存儲技術AMOLED 顯示驅動芯片完成開發和認證。該新型嵌入式 RRAM 顯示驅動芯片由存儲器設計公司?？莆㈦娮犹峁┘夹g支持，由北方華創提供刻蝕和薄膜設備及工藝解決方案

96、。嵌入式 RRAM 顯示驅動芯片，突破了內置 SRAM+外置 NOR Flash 的傳統方案，顯著提高補償參數讀取速度，降低成本和功耗，并優化空間利用，解決了顯示驅動芯片行業中長期存在的生產成本高、效率低、面積大的痛點問題，為 AMOLED 顯示/觸控以及更先進顯示技術提供更為高效和經濟的解決方案，有望在智能化時代迎廣泛應用。公司提供了包含刻蝕、薄膜在內的關鍵 RRAM 設備及工藝解決方案，eVictor 系列薄膜沉積系統及NMC612 系列刻蝕設備為 RRAM 產品研發與生產提供了堅實的技術支撐。圖表46：北方華創 RRAM 設備解決方案 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 3.1.2

97、 真空鍍膜設備再突破，真空鍍膜設備再突破，打入氫能燃料電池市場打入氫能燃料電池市場 真空裝備作為基礎材料制造業的工業母機，在多個領域發揮著重要作用。公司深耕高壓、高溫、高真空技術，研發的真空熱處理、氣氛保護熱處理、連續式熱處理、磁控濺射鍍2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.29 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 膜、多弧離子鍍膜、硅單晶生長等高端熱處理工藝裝備，廣泛應用于真空電子、半導體材料、儲能材料、磁性材料、碳碳復材、碳陶材料等領域為行業提供高效、節能、環保的真空及鋰電裝備工藝解決方案。1）真空爐真空爐：公司圍繞先進陶瓷領域，根據氮化鋁、氮化硅、碳

98、化硼、高純氧化鋁等先進陶瓷制備工藝需求，針對性開發了產業鏈相關的 13 種工藝設備，豐富了公司真空產品線。真空熱處理工藝設備在半導體行業的關鍵零部件、分立器件等制造領域均實現廣泛應用，其中氣淬爐已通過客戶工藝驗證，高純 SiC 部件用滲硅爐、重結晶爐通過客戶工藝驗證并實現銷售，AMB 基覆銅板釬焊爐及氧化鋁HTCC 燒結爐已實現批量銷售。此外，結合客戶需求，公司開發了應用于光伏行業高溫材料制備的連續石墨化爐，目前在碳碳、碳陶等領域已實現批量應用。2）單晶爐單晶爐：針對光伏行業低成本、大產能需求，公司研發了連續拉晶系統（CCZ），可有效減小加料和熔料時間，顯著降低單晶圓棒非硅成本，同時具有晶棒電

99、阻率范圍窄且可控的優點。結合客戶實際生產運行情況，北方華創開發了不同尺寸的硅單晶生長爐，在行業頭部客戶累計銷售硅單晶爐超過 5000 臺。3）工業鍍膜設備工業鍍膜設備：工業鍍膜設備包括工業PVD 鍍膜設備和工業 CVD 鍍膜設備。公司圍繞新能源電池新型材料，設計開發了新一代復合集流體高速卷繞 PVD 鍍膜設備，解決鋰電池下一代復合集流體的批量制備難題。針對氫燃料電池領域，采用多弧技術，開發了雙極板連續立式 PVD 鍍膜設備；針對各種 PVD 工藝的測試與客戶工藝驗證，開發了多弧、蒸鍍、磁控濺射為一體的多功能工藝測試平臺，為各類功能涂層制備奠定了基礎。同時，圍繞半導體設備關鍵零部件的制備，公司研

100、發了重結晶碳化硅結構件的 CVD 工藝技術，開發碳化硅纖維增強、碳化硅復合材料的工業 CVD 設備，為新一代陶瓷基復合材料領域提供解決方案。復合集流體量產躍遷復合集流體量產躍遷，賦能鋰電企業降本增效賦能鋰電企業降本增效。對比傳統的銅鋁箔方案，復合集流體因其高安全、高效能、低成本等特性成為下一代量產的高分子材料，以銅箔為例，復合集流體比傳統銅箔節省材料成本近 40%，重量減輕近 60%，契合集流體領域提質增效的趨勢，公司依托其在真空鍍膜領域多年的技術積淀推出一系列產品設備矩陣，其中包括eMeridian RR-M/RR-R/RR-E 系列真空卷繞鍍膜設備，eHorizon HL 系列磁控濺射臥式

101、連續鍍膜設備，eVorizon VL 系列磁控濺射立式連續鍍膜設備，eArctic 系列單體式設備AS500 系列、AS600 系列、AS700 系列、AS14G 系列、AS1100 系列、EP1350 系列等，幫助企業能源技術的革新，進而高效賦能鋰電企業降本增效。也為復合集流體的生產制造打下堅實的基礎。目前公司真空復合集流體相關設備已獲得多家頭部客戶訂單。圖表47：北方華創 eMeridian RR-M 系列磁控濺射卷繞鍍膜設備 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.30 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 eA

102、rctic 系列陰極電弧復合磁控濺射鍍膜設備實現穩定量產系列陰極電弧復合磁控濺射鍍膜設備實現穩定量產，新能源領域持續發力新能源領域持續發力。公司定位氫能燃料電池領域大規模生產應用，通過開發非貴金屬材料涂層工藝，研發出高效穩定運行的氫能燃料電池雙極板 eArctic AS-MAG 系列單體式鍍膜設備及 eVerizon VL系列連續式鍍膜設備。兩型設備憑借自研的 GISETCH 氣體離子刻蝕及輔助沉積技術、4G-CAE 第四代陰極電弧技術及泰坦涂層工藝技術，在涂層性能顯著提高的同時，有效降低生產成本。GISETCH 氣體離子刻蝕及輔助沉積技術通過活化工件表面的氧化層，使鍍制膜層更加致密和光滑，膜

103、基結合力提升 30%，極大減少了因膜層缺陷導致的氫能燃料電池耐久性下降的問題，4G-CAE 第四代陰極電弧技術在涂層綜合性能顯著提升的情況下，促使靶材成本下降超 30%，泰坦涂層工藝技術將雙極板使用壽命延長 30%。圖表48：GISETCH 氣體離子刻蝕去除工件表面氧化層示意圖 資料來源：北方華創公眾號，國盛證券研究所 3.1.3 打造打造半導體零部件半導體零部件平臺平臺，產業鏈協同發，產業鏈協同發展展 公司以流量計平臺為基礎，布局氣體質量流量計、射頻電源、自動化系統等重點零部件，打造高端半導體零部件平臺，半導體零部件營收自 2020 年 11.65 億元提升至 2023 年24.33 億元，

104、CAGR 達 27.8%，24H1 公司半導體零部件實現營收 9.23 億元，同比減少12.8%，主要受全球行業景氣度影響，伴隨公司擴產項目推進及新品推出，后續有望重回增長。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.31 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表49：公司電子元器件營收及同比（億元）資料來源：Wind，國盛證券研究所 技術實力雄厚，技術實力雄厚，產品布局多元。產品布局多元。在高端精密電子元器件領域，公司主要產品為電源管理芯片、石英晶體器件、石英微機電傳感器、高精密電阻器、鉭電容器、微波組件等。同時公司將現有工藝與半導體工藝相結合研制新產品，新開

105、發的模擬鏈路產品，采用國內先進半導體工藝制程，結合先進塑封技術和高可靠金屬陶瓷封裝技術，具有產品種類覆蓋寬、適用面廣、寬溫度適應性和高可靠等優勢，應用于通信、交通及電力等領域，在信號處理中有著無可替代的作用。新開發的硅電容器，采用半導體 MOS 工藝和微機電系統工藝相結合技術，具有小型化、集成化、高精密的特點，主要應用于通信、射頻微波、2.5D/3D 先進封裝、汽車電子等領域，在天線匹配、射頻濾波等電路中具有突出優勢。整合整合華丞電子華丞電子，專注核心零部件業務。，專注核心零部件業務。2024 年，公司成功完成了北京七星華創流量計有限公司、北京七星華創集成電路裝備有限公司及北京北方華創微電子裝

106、備有限公司射頻業務單元的三大板塊業務重組，形成了以“半導體核心零部件”為核心業務的全新實體北京華丞電子有限公司，同時，華丞電子零部件平臺研發及產業化總部基地建設項目正式開工，建成后將為公司氣體質量流量控制器、射頻電源等產品的研發和生產提供擴展空間。2024 年華丞電子在半導體領域營收持續增長，50 多款半導體產品成功通過驗證。-0.2-0.100.10.20.30.40.50.6051015202530202020212022202324H1電子元器件營收yoy2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.32 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表50：華丞電

107、子部分零部件產品 資料來源：cntronics，國盛證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.33 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 4、盈利預測及投資建議、盈利預測及投資建議 基于以上分析，我們分業務對公司營收及毛利率做出如下預測：電子工藝設備：電子工藝設備：大陸晶圓廠較為強勁的擴產動能+國產替代持續加速打開國產廠商市場空間，公司作為國內半導體設備龍頭廠商，設備品類逐步完善，平臺化布局，伴隨公司先進制程產品持續推出，客戶覆蓋度及客戶份額提升，刻蝕及薄膜沉積領銜下，公司電子工藝設備營收有望進一步攀高，預計該業務 2024/2025/2026 年實

108、現營收275.0/371.0/459.7 億元，實現毛利率 41.4%/42.1%/42.7%。電子元件：電子元件：公司整合零部件平臺華丞電子，多款半導體產品成功通過驗證，且在半導體零部件領域，公司技術實力雄厚，在海外可能斷供風險下，公司通過產業鏈布局，有望帶動電子元件業務發展，預計該業務2024/2025/2026年實現營收21.5/23.7/25.3億元，實現毛利率 55%/52%/50%。綜上，預計公司 2024/2025/2026 年實現營收 297.0/395.2/485.5 億元，實現歸母凈利潤55.7/77.2/98.8 億元，實現毛利率為 42.4%/42.7%/43.1%，實

109、現歸母凈利率為18.8%/19.5%/20.3%。圖表51：北方華創分業務收入毛利拆分 單位：百萬元單位：百萬元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入營業收入 14,688.11 22,079.46 29,696.69 39,515.86 48,552.62 yoy 50.32%34.50%33.06%22.87%營業成本營業成本 8,249.62 13,004.76 17,104.75 22,638.84 27,628.56 yoy 57.64%31.53%32.35%22.04%綜合毛利率綜合毛利率 43.8%41.1%42.40%42.71%43.10%y

110、oy -2.7%1.3%0.3%0.4%歸母凈利歸母凈利 2,352.73 3,899.07 5,571.02 7,715.40 9,876.85 歸母凈利率歸母凈利率 17.7%18.8%19.5%20.3%yoy 65.7%42.9%38.5%28.0%分業務分業務 電子工藝裝備電子工藝裝備 12,084.49 19,611.47 27,503.12 37,101.71 45,969.02 yoy 52.0%62.3%40.2%34.9%23.9%占比 82.3%88.8%92.6%93.9%94.7%毛利率 37.7%38.0%41.4%42.1%42.7%yoy 0.3%3.4%0.7

111、%0.6%電子元件電子元件 2,574.27 2,432.54 2,152.80 2,368.08 2,533.84 yoy 50.1%-5.5%-11.5%10.0%7.0%占比 17.5%11.0%7.2%6.0%5.2%毛利率 72.5%65.7%55.0%52.0%50.0%yoy -6.9%-10.7%-3.0%-2.0%其他其他 29.35 35.45 40.77 46.07 49.75 yoy 47.6%20.8%15.0%13.0%8.0%占比 0.2%0.2%0.1%0.1%0.1%毛利率 53.0%48.4%53.0%56.0%57.0%yoy -4.5%4.6%3.0%1

112、.0%資料來源：Wind，國盛證券研究所 2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.34 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 我們選取主業同樣為半導體設備的中微公司、盛美上海、華海清科、拓荊科技作為可比公司，可比公司 2024/2025/2026 年平均 PE 為 49/35/27x，北方華創 2024/2025/2026年 PE 為 36/26/20 x，具備估值優勢，首次覆蓋，給予“買入”評級。圖表52：可比公司估值 代碼代碼 證券簡稱證券簡稱 市值（億元）市值（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PE 2024E 2025E 2026E 2024E

113、 2025E 2026E 688012.SH 中微公司 1,120.81 17.67 25.05 33.34 63.44 44.75 33.62 688082.SH 盛美上海 429.09 11.74 15.69 19.68 36.54 27.35 21.80 688072.SH 拓荊科技 399.03 6.83 10.24 13.90 58.43 38.97 28.71 688120.SH 華海清科 374.97 10.12 13.31 16.52 37.07 28.18 22.70 平均值平均值 11.59 16.07 20.86 48.87 34.81 26.71 002371.SZ 北

114、方華創 2,009.87 55.71 77.15 98.77 36.13 26.08 20.38 資料來源：Wind，國盛證券研究所（注：數據截止至 2025.1.27，可比公司數據來自 Wind 一致預期）2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.35 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 5、風險提示風險提示 產品進展不及預期：高端設備產品研發難度較大，進展情況存在不確定性。下游需求不及預期：晶圓廠擴產為設備需求主要來源，若晶圓廠擴產節奏變動，力度較弱，可能導致下游需求不及預期風險。市場競爭激烈：多廠商布局半導體設備賽道，競爭日益激烈。數據滯后性風險：部分數

115、據存在滯后性風險。2025 02 12年 月 日 gszqdatemark P.36 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 免責聲明免責聲明 國盛證券有限責任公司（以下簡稱“本公司”）具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格。本報告僅供本公司的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告的信息均來源于本公司認為可信的公開資料，但本公司及其研究人員對該等信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告中的資料、意見及預測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，可能會隨時調整。在不同時期，本公司可發出與

116、本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息及資料保持在最新狀態，對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。本公司力求報告內容客觀、公正，但本報告所載的資料、工具、意見、信息及推測只提供給客戶作參考之用，不構成任何投資、法律、會計或稅務的最終操作建議，本公司不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。投資者應注意，在法律許可的情況下，本公司及其本公司的關聯機構可能會持

117、有本報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，也可能為這些公司正在提供或爭取提供投資銀行、財務顧問和金融產品等各種金融服務。本報告版權歸“國盛證券有限責任公司”所有。未經事先本公司書面授權，任何機構或個人不得對本報告進行任何形式的發布、復制。任何機構或個人如引用、刊發本報告，需注明出處為“國盛證券研究所”，且不得對本報告進行有悖原意的刪節或修改。分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師在此聲明：我們具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，本報告所表述的任何觀點均精準地反映了我們對標的證券和發行人的個人看法，結論不受任何第三方的授意或影響。我們所得報酬的任何部分無論是在過去

118、、現在及將來均不會與本報告中的具體投資建議或觀點有直接或間接聯系。投資評級說明投資評級說明 投資建議的評級標準投資建議的評級標準 評級評級 說明說明 評級標準為報告發布日后的 6 個月內公司股價（或行業指數）相對同期基準指數的相對市場表現。其中 A 股市場以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準，美股市場以標普 500 指數或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入 相對同期基準指數漲幅在 15%以上 增持 相對同期基準指數漲幅在 5%15%之間 持有 相對同期基準指數漲幅在-5%+5%之間

119、減持 相對同期基準指數跌幅在 5%以上 行業評級 增持 相對同期基準指數漲幅在 10%以上 中性 相對同期基準指數漲幅在-10%+10%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 10%以上 國盛證券研究所國盛證券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市東城區永定門西濱河路 8 號院 7 樓中海地產廣場東塔 7 層 地址：上海市浦東新區南洋涇路 555 號陸家嘴金融街區 22棟 郵編：100077 郵編：200120 郵箱： 電話：021-38124100 郵箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市紅谷灘新區鳳凰中大道 1115 號北京銀行大廈 地址：深圳市福田區福華三路 100 號鼎和大廈 24 樓 郵編：330038 郵編：518033 傳真：0791-86281485 郵箱： 郵箱： 2025 02 12年 月 日