【研報】半導體行業系列專題：存儲60年觀歷史聊興衰-210402（43頁）.pdf

《【研報】半導體行業系列專題：存儲60年觀歷史聊興衰-210402（43頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《【研報】半導體行業系列專題：存儲60年觀歷史聊興衰-210402（43頁）.pdf（41頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、1970 年代后期，Mostek 擊敗 Intel，成為 DRAM 市場最大廠商。1973 年美國其他廠商例如德州儀器、Mostek(由德州儀器的前員工于 1969 年創立)、日本廠商 NEC 等先后進入 DRAM 市場，德州儀器推出成本更低的 4K DRAM，Mostek推出針腳更少的 4K DRAM，均成為 Intel 的強勁對手。1976 年，Mostek 推出的 MK4116 采用了 POLY-II(雙層多晶硅柵工藝)，容量達 16K，大獲成功，占領 75%的 DRAM 市場。而后繼續持續推出新產品，進一步獲得市場份額，在 70 年代后期，一度占據 DRAM 市場 85%份額。但后來為

2、應對來自資本市場的惡意收購，導致股權結構大幅變動，經營戰略發生調整，管理層動蕩及技術人員流失，公司發展遭遇較大障礙。1978 年四個 Mostek 的離職技術人員創立了另一個未來的存儲巨頭-鎂光?；仡檨砜?，Intel 由于多線作戰焦點分散、技術路徑選擇及市場預判失誤，喪失了 DRAM 的技術先發優勢，DRAM 市場份額呈現較快下降。Intel 的存儲一度風光無限，而后逐步喪失領先，令人唏噓，以后有機會再詳細展開。1980 年代，日本DRAM 廠商后發先至，進入增長爆發期舉國體制，日本 VLSI 聯合研發成功，日本半導體產業技術快速進步。1976 年日本 VLSI 聯合研發體成立，設立了 6 個

3、實驗室，從高精度加工技術、硅結晶技術、工藝處理技術、監測評價技術、裝置設計技術等方向入手，成功攻克了包括電子束光刻機、干式蝕刻裝置等半導體核心加工設備，以及領先的制程工藝和半導體設計能力。在VLSI 項目的推動下，日企1977 年研制成功64K DRAM，已成功趕上美企 DRAM 研發進度。隨后日本 DRAM 產業進入增長爆發期。1983 年日本 DRAM 內存在美國市場大獲成功，當時主流提供 256K 內存公司中，日本企業有富士通、日立、三菱、 NEC、東芝等多家，而美企僅有摩托羅拉，而僅 NEC 九州工廠的 256K DRAM月產量，就高達 300 萬塊。1984 年，日立生產的 DRAM 內存已開始采用 1.5um生產工藝，三菱甚至公開 4M DRAM 關鍵技術。到 1986 年，僅東芝一家，每月 1M DRAM 產量就超過 100 萬塊。