電子行業半導體設備系列：刻蝕主賽道有望加速導入國產設備-210706（21頁）.pdf

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1、刻蝕是用化學、物理、化學物理結合的方法有選擇的去除(光刻膠)開口下方的材料。被刻蝕的材料包括硅、介質材料、金屬材料、光刻膠?？涛g是與光刻相聯系的圖形化處理工藝?？涛g就是利用光刻膠等材料作為掩蔽層，通過物理、化學方法將下層材料中沒有被上層遮蔽層材料遮蔽的地方去掉，從而在下層材料上獲得與掩膜板圖形對應的圖形?？涛g設備市場超過 130 億美元，是晶圓設備占比最高的市場。2011 年以來，刻蝕在晶圓設備的占比從 11%逐漸提升到 20%以上，2017 年起成為全球晶圓設備中占比最高的裝備類別，重要性不斷提升?？涛g設備市場基本是干法刻蝕設備，2020 年全球干法刻蝕設備市場約 137 億美元，其中介質刻

2、蝕(Dielectric Etch)60 億美元，導體刻蝕(Conductor Etch)76 億美元?？涛g由海外龍頭主導，國內公司保持快速增長。根據 Gartner 數據，全球刻蝕企業前三大分別是 Lam Research、TEL、AMAT，全球市占率合計 91%。國內刻蝕業務前三大企業分別為中微公司、北方華創、屹唐半導體。根據三方數據，2020 年國內的刻蝕龍頭企業中微公司、北方華創的刻蝕業務都取得較高收入增長，并在規模體量逐步接近全球前五大廠商。國內刻蝕廠商加速導入。跟蹤國內晶圓廠主要招投標數據，刻蝕設備需求工藝類別較多，絕大多數由海外龍頭廠商供應，國內龍頭公司北方華創、中微公司、屹唐半

3、導體處于加速導入過程。以長江存儲、華虹無錫、華力集成的招投標數據進行分析，這三家晶圓廠的刻蝕環節上，國內設備產線的國產化率(以機臺數量計算)平均約為 2030%。北方華創 ICP 刻蝕機領域國內領先，累計交付突破 1000 腔，12 英寸突破 28nm 以下制程。北方華創 2005 年第一臺 8 英寸 ICP 刻蝕機在客戶端商顯， 12 英寸刻蝕機在客戶端 28nm 實現國產替代，2020 年 12 月，北方華創 ICP 刻蝕機交付突破 1000 腔，標志著國產刻蝕機得到客戶廣泛認可。中微公司刻蝕產品線逐步成熟，從 CCP 向 ICP 快速開拓。中微公司 CCP 刻蝕設備應用于國際一線客戶從 65nm 到 5nm、64 層及 128 層 3D NAND 晶圓產線及先進封裝生產線，中微公司 ICP 刻蝕設備已經趨于成熟。中微公司已有較高裝機存量反應臺在客戶端工作;中微公司的 ICP 設備 Nanova 已經累計交付 100 臺反應腔，在領先的邏輯芯片、DRAM 和 Nand 廠商產線實現大規模量產。屹唐股份刻蝕產品處于國際先進、國內領先地位。屹唐股份擁有干法刻蝕設備 paradigmE 系列，采用專有的法拉第屏蔽電感耦合等離子 (ICP) 源與蝕刻偏臵控制相結合，設備采取雙晶圓反應腔、雙反應腔產品平臺設計。