華海清科-國產CMP設備龍頭營收業績放量高增-220817（33頁）.pdf

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1、 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 證券研究報告|首次覆蓋報告 2022 年 08 月 17 日 華海清科華海清科（688120.SH）國產國產 CMP 設備龍頭，設備龍頭，營收業績放量高增營收業績放量高增 國產國產 CMP 設備龍頭，打破海外壟斷。設備龍頭，打破海外壟斷。華海清科于 2013 年 4 月成立，主要產品為先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環節必需的化學機械拋光（CMP）設備，是目前國內唯一一家為集成電路制造商提供 12 英寸 CMP 商業機型的高端半導體設備制造商。公司的CMP設備總體技術性能已達到國內領先水平，在邏輯芯片、3D NAND、DRAM 制造等領域

2、的工藝技術水平已分別突破至 14nm、128 層、1X/1Ynm，均為當前國內大生產線的最高水平。公司研制的 CMP 設備集先進拋光、終點檢測、超潔凈清洗、精確傳送系統等關鍵功能模塊于一體，所產主流機型已成功填補國內空白，打破了國際巨頭數十年壟斷。2021 年全球半導體設備市場規模創年全球半導體設備市場規模創 1026 億美元新高。億美元新高。根據 SEMI，2021 年半導體設備銷售額 1026 億美元，同比激增 44%，創歷史新高。大陸設備市場在 2013 年之前占全球比重低于 10%，20142017 年提升至 1020%，2018 年之后保持在 20%以上，份額呈逐年上行。2020-2

3、021 年，國內晶圓廠投建、半導體行業加大投入，大陸半導體設備市場規模首次排市場全球首位，占比 28.9%，2021 年達到 296.2 億美元，同比增長 58%。展望 2022 年，存儲需求復蘇，韓國預計將領跑全球，但大陸設備市場規模有望保持較高比重。全球領先的晶圓代工廠將在全球領先的晶圓代工廠將在 20212023 年之間進行大規模的半導體設備投資，當年之間進行大規模的半導體設備投資，當前的行業熱潮有望成為新一輪產業躍升的開端。前的行業熱潮有望成為新一輪產業躍升的開端。根據 IC Insights，全球代工廠資本開支約占半導體總體的 35%，頭部代工廠 2022 年資本開支規劃進一步提升。

4、臺積電 2021 年 CapEx 300 億美金（用于 N3/N5/N7 的資本開支占 80%），預計 2022年資本開支將提升至 400-440 億美金；聯電 2021 年 CapEx 18 億美金，預計 2022年翻倍達到 36 億美金（其中 90%將用于 12 英寸晶圓）；中芯國際 2021 年資本開支維持高位，達到 45 億美金（大部分用于擴成熟制程，尤其是 8 寸數量擴 4.5 萬片/月），預計 2022 年達到 50 億美金。中國大陸中國大陸 CMP 設備市場規模第一，海外設備市場規模第一，海外應材、荏原應材、荏原合計占比超合計占比超 90%。2018 年全球 CMP 設備市場規模

5、約 18.4 億美元 2013-2018 年 CAGR 20.1%。2019 年受全球半導體景氣度下滑影響，全球 CMP 設備市場規模略有下滑，2020 年市場規模迅速回升至 15.8 億美元，同比增長 5.8%。其中中國大陸市場規模已躍升至全球第一，達到 4.3 億美元，市場份額 27%。從市場格局來看，應材、日本荏原在全球占主導地位，2020 年兩家合計市占率超過 93%。華海清科華海清科 CMP 設備設備加速導入客戶，逐步放量。加速導入客戶，逐步放量。根據招標網數據統計，華虹無錫 2022年上半年招標化學機械拋光設備 15 臺，其中應用材料中標 12 臺，華海清科中標 3臺。長江存儲截至

6、 2021 年底共招標化學機械拋光設備 112 臺，其中華海清科中標34 臺，應用材料中標 73 臺。華海清科加速導入客戶，國產化率仍有較大提升空間。我們預計公司將在 2022 年至 2024 年實現收入 18.6/28.2/33.8 億元，歸母凈利潤4.1/6.8/8.7 億元，對應當前估值 89.1/52.8/41.7x，首次覆蓋給予“買入”評級。風險提示風險提示：國產替代進展不及預期、全球貿易紛爭影響、下游需求不確定性 財務財務指標指標 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 營業收入（百萬元）386 805 1,858 2,817 3,383 增長率 yoy（%）8

7、3.0 108.6 130.9 51.6 20.1 歸母凈利潤（百萬元）98 198 405 683 865 增長率 yoy（%）163.4 102.8 104.1 68.8 26.6 EPS 最新攤?。ㄔ?股）0.92 1.86 3.79 6.40 8.11 凈資產收益率（%）16.1 24.5 33.4 36.0 31.3 P/E（倍）368.7 181.8 89.1 52.8 41.7 P/B（倍）59.3 44.6 29.7 19.0 13.1 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2022 年 8 月 16 日收盤價 買入買入（首次首次）股票信息股票信息 行業 半導體 8

8、月 16 日收盤價(元)338.00 總市值(百萬元)36,053.34 總股本(百萬股)106.67 其中自由流通股(%)22.40 30 日日均成交量(百萬股)1.27 股價走勢股價走勢 作者作者 分析師分析師 鄭震湘鄭震湘 執業證書編號：S0680518120002 郵箱： 分析師分析師 佘凌星佘凌星 執業證書編號：S0680520010001 郵箱： 研究助理研究助理 劉嘉元劉嘉元 執業證書編號：S0680120120006 郵箱： 相關研究相關研究 1、N 華海（688120.SH）：國產 CMP 設備龍頭，加速替代進程2022-06-08 -27%-14%0%14%27%41%55

9、%2022-06華海清科 滬深300 2022 年 08 月 17 日 P.2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 財務報表和主要財務比率財務報表和主要財務比率 資產負債表（資產負債表（百萬元）利潤表利潤表（百萬元）會計會計年度年度 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 會計年度會計年度 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 流動資產流動資產 1092 2460 5868 7448 8891 營業收入營業收入 386 805 1858 2817 3383 現金 331 617 2097 3179 3818 營業成本 239 445 10

10、02 1466 1711 應收票據及應收賬款 146 97 464 387 635 營業稅金及附加 1 2 9 11 14 其他應收款 2 4 11 11 15 營業費用 37 67 123 169 203 預付賬款 9 38 69 93 102 管理費用 36 67 130 177 203 存貨 511 1476 2998 3549 4092 研發費用 51 114 269 366 423 其他流動資產 93 229 229 229 229 財務費用 7-2 22 98 100 非流動資產非流動資產 391 568 1204 1776 1995 資產減值損失-4-4-15-25-29 長期投

11、資 0 0 0 0 0 其他收益 82 88 85 125 150 固定資產 53 432 927 1371 1541 公允價值變動收益 0 0 0 0 0 無形資產 85 84 90 93 98 投資凈收益 5 8 3 4 5 其他非流動資產 253 51 188 312 356 資產處臵收益 0 0 0 0 0 資產資產總計總計 1483 3028 7073 9224 10886 營業利潤營業利潤 98 204 405 683 913 流動負債流動負債 620 1633 5078 6415 7321 營業外收入 0 0 0 0 0 短期借款 44 0 2316 3467 3860 營業外支

12、出 0 9 2 3 3 應付票據及應付賬款 286 665 1477 1657 2001 利潤總額利潤總額 98 196 403 680 910 其他流動負債 289 969 1285 1291 1461 所得稅 0-2-1-3 46 非流動非流動負債負債 255 586 756 886 777 凈利潤凈利潤 98 198 405 683 865 長期借款 88 259 428 559 450 少數股東損益 0 0 0 0 0 其他非流動負債 167 328 328 328 328 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 98 198 405 683 865 負債合計負債合計 875 2220 58

13、33 7301 8099 EBITDA 115 224 506 896 1179 少數股東權益 0 0 0 0 0 EPS（元/股）0.92 1.86 3.79 6.40 8.11 股本 80 80 107 107 107 資本公積 422 423 423 423 423 主要主要財務比率財務比率 留存收益 107 305 710 1392 2257 會計會計年度年度 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 歸屬母公司股東權益 608 808 1240 1922 2787 成長能力成長能力 負債負債和股東權益和股東權益 1483 3028 7073 9224 10886 營

14、業收入（%）83.0 108.6 130.9 51.6 20.1 營業利潤（%）163.4 108.9 98.5 68.4 33.8 歸屬母公司凈利潤（%）163.4 102.8 104.1 68.8 26.6 獲利獲利能力能力 毛利率（%）38.2 44.7 46.1 47.9 49.4 現金現金流量流量表表（百萬元）凈利率（%）25.3 24.6 21.8 24.2 25.6 會計年度會計年度 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E ROE（%）16.1 24.5 33.4 36.0 31.3 經營活動現金流經營活動現金流 159 390-383 509 789 ROI

15、C（%）10.8 14.1 10.2 12.5 13.2 凈利潤 98 198 405 683 865 償債償債能力能力 折舊攤銷 18 29 62 103 135 資產負債率（%）59.0 73.3 82.5 79.2 74.4 財務費用 7-2 22 98 100 凈負債比率（%）-8.2-4.1 85.9 68.6 34.8 投資損失-5-8-3-4-5 流動比率 1.8 1.5 1.2 1.2 1.2 營運資金變動 30 167-869-371-305 速動比率 0.9 0.6 0.5 0.6 0.6 其他經營現金流 10 5 0 0 0 營運能力營運能力 投資活動投資活動現金流現金流

16、-253-276-696-670-349 總資產周轉率 0.4 0.4 0.4 0.3 0.3 資本支出 158 174 637 571 219 應收賬款周轉率 4.0 6.6 6.6 6.6 6.6 長期投資-100-110 0 0 0 應付賬款周轉率 1.3 0.9 0.9 0.9 0.9 其他投資現金流-195-212-59-99-130 每股指標（元）每股指標（元）籌資籌資活動現金流活動現金流 342 156 243 92-195 每股收益（最新攤?。?.92 1.86 3.79 6.40 8.11 短期借款 9-44 0 0 0 每股經營現金流（最新攤?。?.49 3.65-3.59

17、 4.77 7.40 長期借款 88 171 169 131-109 每股凈資產（最新攤?。?.70 7.58 11.37 17.77 25.88 普通股增加-35 0 27 0 0 估值估值比率比率 資本公積增加 205 2 0 0 0 P/E 368.7 181.8 89.1 52.8 41.7 其他籌資現金流 75 29 48-39-86 P/B 59.3 44.6 29.7 19.0 13.1 現金凈增加額現金凈增加額 248 270-836-69 246 EV/EBITDA 312.7 160.2 72.9 41.5 31.2 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2022

18、 年 8 月 16 日收盤價 yWnWbWnVKXpPmMoRaQdNbRpNnNoMsQjMoOxPjMpOuMbRpPvMMYtPqMwMoPmM 2022 年 08 月 17 日 P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 一、半導體 CMP 設備領軍者，打破海外壟斷.5 1.1 填補國內 CMP 設備空白，產品廣泛應用于國內外大生產線.5 1.2 核心團隊成員系業內領軍人物.7 1.3 業績持續高增，規模效應拉動毛利水平持續提升.8 二、半導體設備市場創新高，全局納米級平坦化 CMP 不可或缺.12 2.1 全球設備市場創新高，受益于資本開支提升、制程節

19、點進步.12 2.2 CMP：全局納米級平坦化.19 三、國產設備廠商訂單導入、逐步放量.25 四、研發實力強勁，募投支持產品和業務延伸.26 4.1 核心技術積累深厚，持續精進工藝，研發成果轉化高效.26 4.2 募資加碼晶圓再生加大產業協同，提前布局先進制程打開成長空間.29 五、盈利預測及投資建議.31 六、風險提示.32 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：華海清科發展歷程.5 圖表 2：華海清科主要產品情況.6 圖表 3：華海清科股權結構.8 圖表 4：華海清科營收情況（億元）.9 圖表 5：華海清科歸母凈利潤（億元）.9 圖表 6：華海清科營收結構（億元）.9 圖表 7：華海清科 CMP

20、設備營收結構.9 圖表 8：華海清科 2019-2021 年對主要客戶產品銷售情況和全部設備出貨情況統計（臺）.10 圖表 9：華海清科綜合毛利率情況.10 圖表 10：華海清科分業務毛利率情況.10 圖表 11：華海清科與同業研發費用率對比.11 圖表 12：華海清科銷售費用率、管理費用率、財務費用率.11 圖表 13：華海清科研發人員情況（人，%）.11 圖表 14：華海清科員工學歷情況（人，%）.11 圖表 15：全球半導體設備季度銷售額（億美元）.12 圖表 16：全球半導體設備分地域季度銷售額（億美元）.13 圖表 17：中國大陸半導體設備市場規模（億美元）.13 圖表 18：中國半

21、導體設備市場維持高速增長.13 圖表 19：北美半導體設備月銷售額（億美元）.14 圖表 20：全球半導體月度銷售額（億美元）.14 圖表 21：全球半導體銷售規模.14 圖表 22：各機構預測 2022 年全球半導體市場增速.14 圖表 23：半導體設備市場增速周期性.14 圖表 24：全球半導體資本開支（億美金）.15 圖表 25：全球晶圓廠前道設備支出（億美金）.15 圖表 26：半導體資本開支集中度持續提升.15 圖表 27：2022 年資本開支增速較快的廠商.15 圖表 28：2021 年全球代工行業營收份額.16 2022 年 08 月 17 日 P.4 請仔細閱讀本報告末頁聲明請

22、仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 29：七家晶圓代工企業資本開支（億美元）.16 圖表 30：全球 12 英寸晶圓制程結構.18 圖表 31：100K 產能對應投資額要求（億美元）.18 圖表 32：全球半導體設備廠商排名（億美金）.18 圖表 33：海外半導體設備龍頭季度營收跟蹤（億美元）.19 圖表 34：海外半導體設備龍頭季度營收同比增速跟蹤.19 圖表 35：CMP 設備在芯片制造前道工藝中的環節.19 圖表 36：CMP 拋光去除速率對比.20 圖表 37：CMP 平坦化效果圖（CMOS 結構剖面圖）.20 圖表 38：CMP 拋光模塊示意圖.21 圖表 39：CMP 拋光作業原理圖.2

23、1 圖表 40：9-11 層金屬結構 Cu CMP 的示意圖.21 圖表 41：三個不同尺寸和制程的晶圓產線項目每萬片月產能對應的設備數量需求.22 圖表 42：CMP 工藝應用到研磨頭、研磨墊、研磨液.22 圖表 43：CMP 設備的相關配套組成.22 圖表 44：2020 年全球 CMP 設備市場區域結構.23 圖表 45：2020 年全球 CMP 設備競爭格局.23 圖表 46：華海清科與海外競爭對手比較.23 圖表 47：公司在下游大客戶的銷售收入快速增長（萬元）.24 圖表 48：華虹無錫 2022 年上半年化學機械拋光設備采購情況（臺）.25 圖表 49：長江存儲化學機械拋光設備采

24、購情況（臺）.25 圖表 50：集成電路制造流程中 CMP 設備必不可缺且需要循環使用.26 圖表 51：公司產品已在集成電路制造及相關領域實現產業深度融合.26 圖表 52：華海清科在研項目情況（萬元）.28 圖表 53：華海清科募投資金使用計劃（萬元）.29 圖表 54：國內晶圓再生產線規劃情況.30 圖表 55：華海清科盈利預測（百萬元）.31 圖表 56：可比公司估值（2022 年 8 月 16 日收盤價，可比公司歸母凈利潤預測取萬得一致預期，億元）.32 2022 年 08 月 17 日 P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 一、半導體一、半導體 CMP 設備領軍

25、者，打破海外壟斷設備領軍者，打破海外壟斷 1.1 填補國內填補國內 CMP 設備空白，產品廣泛應用于國內外大生產線設備空白，產品廣泛應用于國內外大生產線 華海清科于華海清科于 2013 年年 4 月成立，主要產品為先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環月成立，主要產品為先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環節必需的化學機械拋光（節必需的化學機械拋光（CMP）設備，）設備，是目前國內唯一一家為集成電路制造商提供 12英寸 CMP 商業機型的高端半導體設備制造商。公司的 CMP 設備總體技術性能已達到國內領先水平，已實現在國內外知名客戶先進大生產線的產業化應用，在邏輯芯片、3D NAND、DRAM

26、 制造等領域的工藝技術水平已分別突破至 14nm、128 層、1X/1Ynm，均為當前國內大生產線的最高水平。公司研制的 CMP 設備集先進拋光系統、終點檢測系統、超潔凈清洗系統、精確傳送系統等關鍵功能模塊于一體，其內部高度集成的關鍵核心技術數十項，所產主流機型已成功填補國內空白，打破了國際巨頭在此領域數十年的壟斷。華海清科技術積淀自清華大華海清科技術積淀自清華大學摩擦學國家重點實驗室，系多年科技成果轉化為產業級應學摩擦學國家重點實驗室，系多年科技成果轉化為產業級應用。用。清華大學摩擦學國家重點實驗室自 2000 年起持續開展拋光原理研究和關鍵技術攻關，掌握了多項 CMP 設備核心技術。201

27、3 年 4 月，清華大學與天津市政府合資成立了華海清科，將所掌握的 30 項專利或技術以科技成果轉化的形式出資注入公司，并將其余 70 項 CMP 相關專利或技術授權公司使用。此后公司在原實驗室核心團隊成員的基礎上持續擴充團隊，進一步實現系統架構設計、關鍵技術升級、控制軟件開發、工藝開發等方面核心技術的突破，并于 2015 年后獨立承擔了國家科技 02 重大專項，逐步推出300 Plus、300 Dual 等技術升級的商業化機型，進一步為國產芯片制造提供關鍵裝備支撐。圖表 1：華海清科發展歷程 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 2022 年 08 月 17 日 P.6 請仔細閱讀本

28、報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 8 英寸、英寸、12 英寸系列英寸系列 CMP 設備設備均已實現產業化應用。均已實現產業化應用。公司 12 英寸系列 CMP 設備（Universal 300 型、Universal 300 Plus 型、Universal300 Dual型、Universal-300X型）在國內已投產的 12 英寸大生產線上實現了產業化應用，截至 2021 年底累計已量產晶圓超1,300萬片；8英寸系列CMP設備（Universal-200型、Universal-200 Plus 型）已在國內集成電路制造商中實現了產業化應用，主要用于晶圓制造、MEMS制造及科研攻關等領

29、域?！把b備“裝備+服務”雙輪驅動發展服務”雙輪驅動發展，晶圓再生產線規模量產，進一步完善產業鏈。，晶圓再生產線規模量產，進一步完善產業鏈。以自主研發的 CMP 工藝和設備為基礎，公司已完成多項再生晶圓關鍵核心技術積累。晶圓再生是將集成電路制造廠商在制造芯片的過程中使用過的控片、擋片回收，將其工藝薄膜、金屬顆粒殘留等雜質去除，使其達到再次使用的標準，CMP 工藝和技術是晶圓再生工藝流程的核心和難點。華海清科已為晶圓再生業務配備了專業標準的晶圓再生生產車間、完備的工藝設備及全面的量測設備，12 英寸再生晶圓產品累計出貨量已突破 10 萬片，客戶已預定 2022 年產能超 50 萬片。華海清科華海清

30、科 CMP 設備設備產品已進入產品已進入國內外國內外主流集成電路制造商主流集成電路制造商的的國內大生產線國內大生產線。公司 CMP設備已累計出貨超 140 臺，未發出產品的在手訂單超 70 臺，設備已廣泛應用于中芯國際、長江存儲、華虹集團、英特爾、長鑫存儲、廈門聯芯、廣州粵芯、上海積塔等國內外先進集成電路制造商的大生產線中。目前，公司針對 28nm 及以上成熟制程的產品已成功實現產業化應用，高端工藝技術水平 14nm 制程也處于客戶驗證階段。圖表 2：華海清科主要產品情況 產品類別產品類別 圖示圖示 應用領域應用領域 300 系列系列 12 英寸英寸 CMP 設備設備 Universal-30

31、0 Universal-300 是擁有完全自主知識產權的國產首臺國產首臺 12 英寸英寸 CMP 設設備備，適用于集成電路制造、晶圓基片生產、CMP 研磨材料研發和相關的科學研究，可以滿足 65130nm Oxide/STI/Poly/Cu/W CMP等各種工藝需求。Universal-300 Plus Universal-300 Plus 是根據市場需求研發的新型 12 英寸 CMP 設備，具有四個拋光單元和單套清洗單元有四個拋光單元和單套清洗單元，集成多種終點檢測技術，可以滿足45130nm Oxide/STI/Poly/Cu/W CMP 等各種工藝需求。2016.6開始正式投產首臺 30

32、0 Plus，2017.2 完成公司內部測試并發貨，2017.12 通過 SMIC 工藝驗收并實現銷售。Universal-300 Dual Universal-300 Dual 是根據中高端市場需求開發的先進 12 英寸 CMP 設備，具有四個拋光單元和雙清洗單元有四個拋光單元和雙清洗單元，可滿足 2865nm 邏輯芯片及邏輯芯片及2xnm 存儲芯片存儲芯片 Oxide/SiN/STI/Poly/Cu/W CMP 等各種工藝需求。2017.11 首臺正式投產，2018.10 完成公司內部測試并發貨，入駐長江存儲產線驗證，另一臺于 2019.9 在長存完成工藝驗收實現銷售。Universal-

33、300 X Universal-300 X 是為了面向 14nm 及 128 層 NAND 等更先進制程的更高平坦度要求開發的先進 12 英寸 CMP 設備。拋光頭具有 8 個獨立氣個獨立氣壓分區壓分區，用于實現晶片更加優異的全局更加優異的全局平坦化，結合先進的多種終點平坦化，結合先進的多種終點檢 測 技 術檢 測 技 術，可 以 滿 足 1445nm 邏 輯 廠 及邏 輯 廠 及 1xnm 存 儲 廠存 儲 廠Oxide/SiN/STI/Poly/Cu/W CMP 等各種工藝需求。2020.2 正式投產，2020.6 完成了公司內部測試并發貨，進入長江存儲進行產線驗證，2020.9 已通過工

34、藝驗收實現銷售。Universal-300 T Universal-300 T 是在300X機型基礎上搭載了更先進的組合清洗技術搭載了更先進的組合清洗技術，展現更卓越的清洗效果，可以滿足 28nm 以下邏輯廠及以下邏輯廠及 1xnm 存儲工存儲工 2022 年 08 月 17 日 P.7 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 廠廠 Oxide/SiN/STI/Poly/Cu/W CMP 等各種工藝需求。200 系列系列 8 英寸英寸 CMP 設備設備 Universal-200 Universal-200 是一套獨立控制的 8 英寸 CMP 拋光單元系統，可兼容4-8 英寸多種材料

35、的化學機械拋光英寸多種材料的化學機械拋光。該單體機沿用了華海清科拋光設備的成熟技術和功能，適用于 MEMS 制造、第三代半導體制造制造、第三代半導體制造、科研院所、實驗研發機構。Universal-200 Plus Universal-200 Plus 是根據市場需求，采用 Universal-300 Plus 的成熟經驗設計，擁有完全自主知識產權的新型 8 英寸 CMP 設備，集成多種終集成多種終點檢測技術，點檢測技術，4 個拋光單元和單套清洗單元個拋光單元和單套清洗單元，具備技術水平高、產量高、性能穩定、多工藝靈活組合等優點，可滿足 Oxide/STI/Poly/Cu/W CMP 等各種工

36、藝需求等各種工藝需求。2020.1 完成公司內部測試并發貨，2020.6 已通過上海新微工藝驗收實現銷售。12 英寸英寸 減薄拋光一體機減薄拋光一體機 Versatile-GP 300 Versatile-GP 300 是公司新研制的用于用于 3D IC 制造的制造的 12 英寸晶圓減薄英寸晶圓減薄拋光一體機拋光一體機，通過新型整機布局集成超精密磨削、CMP 及后清洗工藝，配臵先進的厚度偏差與表面缺陷控制技術，提供多種系統功能擴展選項，具有高精度、高剛性、工藝開發靈活高精度、高剛性、工藝開發靈活等優點?？苫?Versatile-GP300拓展和研發多種配臵，滿足 3DIC 制造、先進封裝等領

37、域的晶圓減薄技術需求。資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 1.2 核心團隊成員系業內領軍人物核心團隊成員系業內領軍人物 清華控股無償劃轉股權，四川省國資委成為實際控制人。清華控股無償劃轉股權，四川省國資委成為實際控制人。公司實際控制人清華大學擬無償劃轉公司間接控股股東清華控股股權，本次無償劃轉最終完成后，華海清科的實際控制人將由清華大學變為四川省國資委。公司第二大股東合計持股占公司 12.22%，系由公司出于穩定核心團隊和業務骨干的目的所設立的三家員工持股平臺，即清津厚德與清津立德、清津立言。2022 年 08 月 17 日 P.8 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明

38、圖表 3：華海清科股權結構 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 公司高管公司高管行業行業積累積累豐富豐富，多人擁有數十項專利授權，多人擁有數十項專利授權。公司現任董事長路新春先生深耕CMP 技術領域超過 20 年，曾獲國家自然科學二等獎、國家科技進步二等獎，所著CMP相關論文引用數位居全球前三名，作為專利發明人所得授權位居全球CMP設備技術發明人第一名。公司核心研發團隊大部分擁有清華大學摩擦學國家重點實驗室的工作經驗，核心技術人員均具有多年專業技術領域研究經驗，公司成立以來也高度重視技術人才的挖掘和培養，先后承擔、聯合承擔了兩項國家科技重大專項（02 專項）及三項國家級重大項目課題。

39、經驗豐富的研發管理團隊為公司 CMP 整機量產落地及 CMP 技術、工藝、設計的不斷改進優化做出了不可替代的貢獻。1.3 業績持續高增，規模效應拉動毛利水平持續提升業績持續高增，規模效應拉動毛利水平持續提升 規模效應逐步顯現，規模效應逐步顯現，公司業績高增。公司業績高增。華海清科設備 2015 年起陸續進入驗證階段，并于 2018 年開始逐步取得批量采購訂單，規模效應逐步顯露，2021 年公司實現營收 8.05 億元，同比增長 108.58%。截至 2021 年末，公司已發出未驗收結算的 CMP設備 69 臺，未發出產品的在手訂單超過 70 臺，已遠超公司 2019-2021 年累計確認收入設

40、備的總數 67 臺，未來特技增長動能明確。公司 2020 年起扭虧為盈，2021 年歸母凈利潤再度大幅增長，全年共實現歸母凈利潤 1.98 億元，同比增速102.0%。公司上半年實現營收 7.17 億元，yoy+144.3%，歸母凈利潤 1.86 億元，yoy+163.3%，扣非歸母凈利潤 1.44 億元，yoy+315.9%。上半年綜合毛利率 47.0%，同比+5.5%，凈利率 25.9%，同比+1.9%。公司 22Q2 單季度營收 3.69 億元，yoy+111.2%，qoq+5.9%；歸母凈利潤 0.94 2022 年 08 月 17 日 P.9 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告

41、末頁聲明 億元，yoy+221.6%，qoq+3.6%；單季度毛利率 46.7%，凈利率 25.6%。圖表 4：華海清科營收情況（億元）圖表 5：華海清科歸母凈利潤（億元）資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 300系列系列CMP設備銷售占比連續多年超設備銷售占比連續多年超80%。公司設備從2018年開始實現量產，2021年營收 8.05 億元中 CMP 設備銷售收入占比 86.19%，其中 300 系列銷售收入占比達到84.75%。2021 年公司 300 系列產品產量達 87 臺，取得客戶驗收、達到收入確認條件的機臺數量為 35 臺，產量和銷量分別同比增長

42、 171.88%和 94.44%。2021 年公司 200系列產品產量為 6 臺，較 2020 年增加 3 臺，取得客戶驗收、達到收入確認條件的機臺數量為 1 臺。圖表 6：華海清科營收結構（億元）圖表 7：華海清科 CMP 設備營收結構 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 Fab 廠擴產帶來批量采購訂單，廠擴產帶來批量采購訂單，主流晶圓廠主流晶圓廠貢獻公司多數銷售收入貢獻公司多數銷售收入。2019-2021 年間，長江存儲、華虹集團、中芯國際均系公司前三大客戶，2021 年所貢獻的營收占比分別達到 66.37%、14.92%、6.43%

43、，報告期內公司向上述三家廠商發出的 300 系列 CMP 設備分別為 53 臺、30 臺和 37 臺。公司同國內主流晶圓廠有多年合作歷史，對長江存儲、華虹集團、中芯國際發出首臺 CMP 設備的時間分別為 2015 年 8 月、2018 年 1 月，和2018 年 7 月，在設備通過了工藝測試完成驗收確認后，公司向上述客戶銷售的 CMP 設備數量逐年增長，客戶產能擴展計劃明朗，公司有望持續從下游晶圓廠擴產計劃中受益。目前公司還逐步開拓了大連英特爾、廈門聯芯、長鑫存儲、廣州粵芯、上海積塔等國內外先進集成電路制造商客戶，持續拓展國內外客戶及業務范圍。50%60%70%80%90%100%110%12

44、0%130%140%150%01234567892019202020212022H1營業收入 yoy-2-1.5-1-0.500.511.522.52019202020212022H1歸母凈利潤 012345678920172018201920202021配套材料及技術服務 CMP設備 91%92%93%94%95%96%97%98%99%100%20172018201920202021200系列 300系列 2022 年 08 月 17 日 P.10 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 8：華海清科 2019-2021 年對主要客戶產品銷售情況和全部設備出貨情況統計（臺）

45、資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 規模效應帶來毛利率穩健上升。規模效應帶來毛利率穩健上升。2019-2021 年公司 CMP 設備毛利率分別為 30.16%、36.75%和 42.78%，綜合毛利率呈穩健上升趨勢。此前公司對新客戶銷售 300 系列首臺和 300plus 系列首臺設備時曾采取低價策略，而公司 CMP 設備順利獲得多個客戶驗收認可后進入量產階段帶動公司設備出貨價格變動，2021 年度公司 300 系列和 200 系列設備平均單價分別為 1947.07 萬元和 1155.00 萬元，同比變動幅度分別為-2.69%和+13.44%。公司生產規模擴大后加大了固定成本及研發費

46、用的分攤，同時優化選型令直接材料的成本逐步降低。圖表 9：華海清科綜合毛利率情況 圖表 10：華海清科分業務毛利率情況 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 收入放量，費用率顯著改善。收入放量，費用率顯著改善。隨著公司收入規模大幅增長，費用率顯著改善。管理費用方面，公司職工薪酬占管理費用比重逐年上升，2021 年為 50.45%，系管理費用的主要構成部分。對入職核心員工的股份支付也是管理費用的一大來源，其中 2019 年公司共主要客戶名稱主要客戶名稱產品類型產品類型2021年2021年2020年2020年2019年2019年CMP設備數量654300 Plus

47、524300 Dual-3300 X1CMP設備數量221300 Plus11300 Dual21CMP設備數量1200 Plus1CMP設備數量2355300 Plus-1300 Dual114300 X224CMP設備數量11300 Plus11CMP設備數量1200 Plus1CMP設備數量361912300 Plus848300 Dual394300 X244300 B1200 Plus11總計華虹集團中芯國際上海新微長江存儲粵芯半導體上海積塔20%25%30%35%40%45%50%2019202020212022H1毛利率 毛利率 0102030405060702017201820

48、1920202021CMP設備(%)配套材料及技術服務(%)2022 年 08 月 17 日 P.11 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 支付股份 13112.66 萬元，占當年管理費用的 82.69%。財務費用方面，費用率改善得益于財務費用大幅減少，公司 2020 年和 2021 年銷售回款情況較好，償還短期借款后利息費用大幅下降，現金管理所得利息收入較高，總體財務費用大幅減少。圖表 11：華海清科與同業研發費用率對比 圖表 12：華海清科銷售費用率、管理費用率、財務費用率 資料來源：Wind，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 堅持大力投入研發。堅持大力投入

49、研發。CMP 設備的研發難度較大，公司始終堅持高強度的研發投入保持工藝和設備精進，研發費用金額較大。2020 年前，公司研發費用率遠高于同業，主要原因系公司尚處在發展前期階段，營業收入規模較小，2020 年后公司收入規模大幅增長，研發費用率隨之下降。2019-2021年間公司研發費用分別為4,496.99萬元、5,055.03萬元、11,407.16 萬元，研發投入占營業收入比例分別為 21.32%、15.12%、14.82%，目前已經逐步與業內平均水平趨于一致。公司重視公司重視研發技術研發技術團隊建設，研發人員占比團隊建設，研發人員占比高高。公司重視研發投入和人才體系建設，近三年累計研發投入

50、金額為 22,264.11 萬元，占三年累計營業收入的 15.88%。截止 2021年，公司共有 692 名員工，其中研發人員共 224 名，占總人數的 32.37%。公司研發團隊實力過硬，核心技術團隊大部分擁有清華大學摩擦學國家重點實驗室的工作經驗，核心技術人員均具有多年專業技術領域研究經驗。研發團隊先后承擔了兩項“國家科技重大專項（02 專項）”的主要課題及三項國家級重大項目/課題，具備優秀的研發能力，是公司未來業績產品不斷迭代、技術不斷突破的重要支撐。圖表 13：華海清科研發人員情況（人，%）圖表 14：華海清科員工學歷情況（人，%）資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 資料來源

51、：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20172018201920202021中微公司 北方華創 芯源微 盛美上海 華海清科-2%0%2%4%6%8%10%12%14%2019202020212022H1銷售費用率 管理費用率 財務費用率 224,16%193,14%145,11%130,9%692,50%研發人員 生產人員 銷售及技術人員 管理人員 合 計 9,1%134,10%285,20%264,19%692,50%博士 碩士 大學本科 ?？萍耙韵?合 計 2022 年 08 月 17 日 P.12 請仔細閱讀本報告末頁聲

52、明請仔細閱讀本報告末頁聲明 持續推進新品研發，裝機量不斷累積，耗材利潤可觀。持續推進新品研發，裝機量不斷累積，耗材利潤可觀。華海清科 2022 年上半年研發投入 8458.8 萬元，同比增長 100.9%，占營收比 11.8%。用于先進封裝和硅片的 CMP 設備已發往客戶大生產線，面向化合物半導體的 CMP 設備已在 SiC、GaN、LN、LT 等領域實現市場應用。應用于 3D IC 的 12 寸減薄拋光一體機在客戶端驗證進展順利，封裝用12寸超精密減薄機研發按計劃推進。截至2022年6月底，公司客戶端維護機臺超 200 臺，隨著裝機量不斷累加，耗材需求隨之增長，耗材及服務毛利水平較高利潤可觀

53、。二、半導體設備市場創新高，全局納米級平坦化二、半導體設備市場創新高，全局納米級平坦化 CMP 不可或不可或缺缺 2.1 全球設備市場全球設備市場創新高，受益于資本開支提升、制程節點進步創新高，受益于資本開支提升、制程節點進步 2021 年年全球半導體設備市場規模全球半導體設備市場規模創創 1026 億美元新高億美元新高，大陸，大陸首次占比全球第一。首次占比全球第一。根據SEMI，2021 年半導體設備銷售額 1026 億美元，同比激增 44%，全年銷售額創歷史新高。大陸設備市場在2013年之前占全球比重為10%以內，20142017年提升至1020%，2018 年之后保持在 20%以上，份額

54、呈逐年上行趨勢。2020-2021 年，國內晶圓廠投建、半導體行業加大投入，大陸半導體設備市場規模首次在市場全球排首位，2021達到296.2億美元，同比增長 58%，占比 28.9%。展望 2022 年，存儲需求復蘇，韓國預計將領跑全球，但大陸設備市場規模有望保持較高比重。圖表 15：全球半導體設備季度銷售額（億美元）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 -30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%0501001502002503002016-032016-122017-092018-062019-032019-122020-092021-062022-03全球半導體

55、設備銷售額 全球半導體設備銷售額yoy 大陸占比 2022 年 08 月 17 日 P.13 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 16：全球半導體設備分地域季度銷售額（億美元）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 圖表 17：中國大陸半導體設備市場規模（億美元）圖表 18：中國半導體設備市場維持高速增長 資料來源：日本半導體制造裝臵協會，國盛證券研究所 資料來源：日本半導體制造裝臵協會，國盛證券研究所 北美半導體設備廠商月銷售北美半導體設備廠商月銷售額額 2021 年以來穩站年以來穩站 30 億億+美金美金。通過復盤半導體行業景氣周期歷史，我們認為北美半導體設備廠商月銷售額對

56、于全球半導體行業景氣度分析具有重要意義，北美半導體設備銷售額水平通常領先全球半導體銷售額一個季度。2021 年1 月，北美半導體設備廠商月銷售額首次突破了 30 億美金關口，創歷史新高，達到了30.4 億美金。此后月度銷售額逐季創新高，至 12 月份銷售額達到 39.2 億美金，同比增長 46%。與此同時我們看到全球半導體銷售市場自 2021 年 4 月以來連續 12 個月同比增速超過 20%，2022 年 3 月，全球半導體銷售額達到 505.8 億美金，同比增長 23.0%，展望 2022 全年，從各機構當前預測平均值來看，預計 2022 年全球半導體市場仍將保持10%以上同比增長。050

57、100150200250300其他 歐洲 韓國 中國臺灣 日本 北美 中國大陸-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%0501001502002503003502005 2007 2009 2011 2013 2015 2017 2019 2021中國大陸半導體設備市場 yoy-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%中國半導體設備增速 全球半導體設備增速 2022 年 08 月 17 日 P.14 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 19：北美半導體設備月銷售額（億美元）圖表 20：全球半導體月度銷售額

58、（億美元）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 圖表 21：全球半導體銷售規模 圖表 22：各機構預測 2022 年全球半導體市場增速 資料來源：SIA，國盛證券研究所 資料來源：各機構官網，國盛證券研究所 半導體設備行業呈現明顯的周期性，受下游廠商資本開支節奏變化較為明顯。半導體設備行業呈現明顯的周期性，受下游廠商資本開支節奏變化較為明顯。2021 年全球半導體設備市場增速 44%，海外設備龍頭應用材料、泛林集團等均預計 2022 年全球設備市場規模將進一步增長，因此我們有望看到本輪周期至少持續 3 年。圖表 23：半導體設備市場增速周期性 資料來源：Win

59、d，國盛證券研究所-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%0510152025303540452017-01 2017-09 2018-05 2019-01 2019-09 2020-05 2021-01 2021-09北美半導體設備制造商出貨額 yoy-25%-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%01002003004005006002017-01 2017-12 2018-11 2019-10 2020-09 2021-08全球半導體月度銷售額 yoy-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%010002000

60、3000400050006000201120122013201420152016201720182019202020212022Q1全球半導體銷售規模（億美金）yoy8.8%10.4%11.0%13.6%15.0%0%2%4%6%8%10%12%14%16%SIA 2022.2WSTS 2022.3IC Insights 2022.1Gartner 2022.4SemiconductorIntelligence 2022.2 2022 年 08 月 17 日 P.15 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 未來兩年全球晶圓廠設備開支持續未來兩年全球晶圓廠設備開支持續增長增長。疫情對

61、全球半導體行業帶來深遠影響。需求端，居家及遠程辦公帶來筆電等消費電子需求激增，此外全球正步入第四輪硅含量提升周期，服務器、汽車、工業、物聯網等需求大規模提升。供給端，全球晶圓廠 2015-2019 年產能投資（不含存儲）尤其是成熟制程擴產不足，疫情短期導致供應鏈中斷，及地緣政治不確定性加劇供需失衡。2020 年開始，全球領先的晶圓廠紛紛加速擴產提升資本開支，根據 IC Insights，2021 年全球半導體資本開支增速達到 36%，預計 2022 年將繼續增長24%，2020-2022年將會成為自 1993-1995年以來的首次 CapEx 連續三年增速超過 20%。半導體設備作為晶圓廠擴產

62、的重要開支部分，根據 SEMI，2021 年全球晶圓廠前道設備支出增速達到 42%，預計 2022 年將進一步增長 18%。圖表 24：全球半導體資本開支（億美金）圖表 25：全球晶圓廠前道設備支出（億美金）資料來源：IC Insights，國盛證券研究所 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 全球半導體資本開支集中度持續提升。全球半導體資本開支集中度持續提升。從前五大半導體廠商資本開支占全球比來看，2021 年已經達到 70%，資本開支集中度持續提升，我們認為體現了半導體行業的規模效應，以及隨著制程節點的持續升級，晶圓廠投資開支大幅提升。圖表 26：半導體資本開支集中度持續提升 圖表 27：2

63、022 年資本開支增速較快的廠商 資料來源：IC Insights，國盛證券研究所 資料來源：IC Insights，國盛證券研究所 -60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%020040060080010001200140016001800200020082010201220142016201820202022F資本開支 yoy-20%-10%0%10%20%30%40%50%020040060080010001200晶圓廠前道設備支出 yoy20%30%40%50%60%70%80%19951997199920012003200520072009201120132

64、015201720192021全球前五大半導體廠商資本開支集中度 2022 年 08 月 17 日 P.16 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 臺積電、中芯國際紛紛增加資本開支臺積電、中芯國際紛紛增加資本開支，Capex 進入上行期。進入上行期。根據 IC Insights，全球代工廠資本開支約占半導體總體的 35%，根據頭部代工廠的資本開支規劃來看，2022 年代工領域資本開支將進一步提升。臺積電從 2020 年 170 億美金增長到 2021 年的 300 億美金（用于 N3/N5/N7 的資本開支占 80%），公司 2021 年 4 月 1 日公布未來三年資本開支 100

65、0 億美金，預計 2022 年資本開支將進一步提升至 400-440 億美金；聯電 2021 年CapEx 18 億美金，預計 2022 年翻倍達到 36 億美金（其中 90%將用于 12 英寸晶圓）；GlobalFoundries 于 2021 年 IPO 后資本開支大幅提升用于擴產，公司 2020 年 CapEx 4.5億美金，2021 年提升至 16.6 億美金，預計 2022 年超過 40 億美金；中芯國際 2021 年資本開支維持高位，達到 45 億美金（大部分用于擴成熟制程，尤其是 8 寸數量擴 4.5萬片/月），預計 2022 年達到 50 億美金。圖表 28：2021 年全球代

66、工行業營收份額 資料來源：TrendForce，國盛證券研究所 圖表 29：七家晶圓代工企業資本開支（億美元）資料來源：彭博，各公司公告，國盛證券研究所 TSMC,53%UMC,7%PSMC,2%VIS,1%Samsung,18%DBHiTeK,1%SMIC,5%HH Group,2%Nexchip,1%GF,6%Tower,1%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%0100200300400500600700201120122013201420152016201720182019202020212022E高塔 世界 華虹 格芯 聯電 中芯國際 臺積電 資本開支合計yoy 2

67、022 年 08 月 17 日 P.17 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 存儲廠商存儲廠商：三星三星 22Q1 資本支出為 7.9 萬億韓元，其中用于半導體的投資為 6.7 萬億韓元，用于顯示的投資為 0.7 萬億韓元。對存儲的投資集中在 P3 晶圓廠的投資建設，及華城、平澤和西安工廠的工藝轉換，重點開發 5nm 以下先進工藝的制造能力。平澤 P3 晶圓廠系三星全球建設的園區最大的晶圓廠，用于生產存儲和邏輯芯片，建成后陸續將有 NAND FLASH、DRAM 芯片投產，其后也將采用 3nm 工藝為其他廠商進行晶圓代工；海力士海力士 22Q1 資本支出為 4 萬億韓元，預計 2

68、023 年資本支出將繼續增長。海力士22Q1 支出的 4 萬億韓元主要用于對大連、利川、M15 工廠的投資建設。海力士資本開支通常集中在上半年，從而有利于推動全年位元的成長。但公司在 22Q1 法說會上稱今年由于設備交付時間的延長，公司會在全年各季度更均勻的進行資本支出。此外，Solidigm 的資本支出也將計入公司總資本開支中，故 23 年的合計資本支出將繼續增加；美光美光一季度資本支出 26 億美元，全年資本開支指引保持在 110-120 億美元。美光預計 22H2 與 22H1 資本支出將基本持平。此外，美光表示雖然 22Q1 資本支出受制于設備交付周期的延長，但其對全年的供應前景仍保持

69、信心。隨著 1-alphaDRAM 和176 層 NAND 產品在終端市場的快速增長，公司將持續加強在上述工藝技術上的投資布局，鞏固先發地位。下游汽車、工控需求持續增長驅動，下游汽車、工控需求持續增長驅動，IDM 廠商廠商同樣大幅擴產。同樣大幅擴產。英特爾英特爾 22Q1 資本開支 46 億美金，并預計將在下半年加大資本支出力度。公司俄亥俄州新工廠即將投產，并將在愛爾蘭、以色列和德國投建新工廠，以滿足 IFS 業務和 IDM 業務的雙重需求，以滿足在 24-25 年放量的代工客戶需求，公司預計 2022年 capex 達到 270 億美金 英飛凌英飛凌表示將會繼續加大在 40 至 130nm

70、級別的資本支出，推進氮化鎵和碳化硅制造的需求增長，盡快滿足包括 CMD 和其他業務在內的需求放量，預計 2022 年 capex達到 24 億美金；意法半導體意法半導體 22Q1 資本支出 8.4 億美金，受益汽車、工業市場明確的需求提升，公司預計 22 年資本開支總額 35-36 億美金用于擴產，包括在意大利阿格拉特的 300毫米晶圓廠建設新產線；德州儀器德州儀器 21 年面臨半導體制造的供不應求情況，且預計各系統中的半導體含量都將在未來五年中持續提升，公司將繼續重點投資模擬和嵌入式產品，以工業汽車應用為重心，投資擴張 12 英寸晶圓廠，包括德州理查森的 RFAB2 和猶他州的 LFAB，預

71、計 2022 年資本支出 35 億美金；恩智浦恩智浦打造的汽車首款專用 16nm 成像雷達處理器 NXP S32R45 已投入量產，公司22 年資本支出額將超過長期計劃，主要為了保證晶圓供應，滿足客戶穩定的訂單需求，公司與代工伙伴簽訂了長期采購協議，投資重點圍繞混合信號和模擬工藝；索尼索尼 2018-2020 年實際資本支出共 91.7 億美金，將 2021 年至 2023 年預計資本支出自 114.6 億美金提高至 130 億美金?！靶竟拯c”、新制程、新產能推動需求“芯拐點”、新制程、新產能推動需求。我們判斷本輪反轉首先來自于全球“芯”拐點，行業向上；其次，先進制程帶來的資本開支越來越重，7

72、nm 投資在 100 億美元，研發30 億美元；53nm 投資在 200 億美元；7nm 單位面積生產成本跳升，較 14nm 直接翻倍；并且，大陸晶圓廠投建帶動更多設備投資需求。2022 年 08 月 17 日 P.18 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 30：全球 12 英寸晶圓制程結構 圖表 31：100K 產能對應投資額要求（億美元）資料來源：SUMCO（2021Q3），國盛證券研究所 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 全球全球設備五強設備五強占市場主導角色占市場主導角色。全球設備競爭格局，主要前道工藝（刻蝕、沉積、涂膠、熱處理、清洗等）整合成三強 AMAT、LA

73、M、TEL。另外，光刻機龍頭 ASML 市占率 80%+；過程控制龍頭 KLA 市占率 50%。根據 SEMI，ASML、AMAT、LAM Research、TEL、KLA五大廠商 2021 年收入合計 788 億美元，占全球市場約 77%。圖表 32：全球半導體設備廠商排名（億美金）資料來源：各公司公告、國盛證券研究所 外設備廠商外設備廠商當前當前在手訂單飽滿，在手訂單飽滿，供應鏈限制延續，設備大廠積極擴產。供應鏈限制延續，設備大廠積極擴產。1）供給高度緊張：ASML 22Q1 營收 yoy-19%，下滑主要系部分訂單確認延遲；毛利率同比-5pt，承壓主要系材料、供應鏈、運輸等成本上升；庫存

74、周轉率降低。泛林毛利率同比-1.7pt，主要系成本壓力（原材料、物流、通脹等）。2）訂單依舊強勁：ASML 新增在手訂單約 70億歐元，環比持平。KLA：當前在手訂單交期總體 56 個月，部分產品 78 月。愛德萬客戶訂單提前量增加，由于系半導體等材料和零件短缺，交期延長。3）積極擴產：ASML預計2030年產能至少翻番，2025年年產能增加到約90套0.33孔徑EUV和600套DUV。泰瑞達預計 2023 研發費用 1900 億日元，yoy+20.1%；資本開支 750 億日元，yoy+31.1%，規劃金額皆較往年有大幅提升。2022 下半年展望樂觀，全年需求強勁將有訂單遞延至明年。下半年展

75、望樂觀，全年需求強勁將有訂單遞延至明年。泛林 2022Q2 毛利率指引中樞仍略降，持續成本和供應壓力影響持續，二季度訂單積壓不斷增加。隨產能落地、產品競爭力效益顯現及部分訂單延遲多數企業對 H2 展望樂觀。ASML 預計 2022H2 表現強勁，毛利率約 54%，高于全年 52%指引，主要由 EUV 和 DPV 出貨及安裝基礎管理業務利潤率提升驅動。Q4 部分 EUV 系統收入將遞延到 2023 年。泛林預計 2022 WFE 需求將超 1000 億美元，未滿足的設備需求將遞延至明年。泰瑞達積極建立庫存及擴產，預 2022 年 08 月 17 日 P.19 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本

76、報告末頁聲明 計 H2 出貨有更大增量及靈活性，預計 Q2 實現增長，僅高端產品出貨受限。圖表 33：海外半導體設備龍頭季度營收跟蹤（億美元）圖表 34：海外半導體設備龍頭季度營收同比增速跟蹤 資料來源：彭博，國盛證券研究所 資料來源：彭博，國盛證券研究所 2.2 CMP：全局納米級平坦化全局納米級平坦化 CMP 設備工藝復雜、研制難度大設備工藝復雜、研制難度大，為集成電路工藝流程為集成電路工藝流程中使用中使用的主要設備之一。的主要設備之一。芯片制造主要包括光刻、CMP、刻蝕、薄膜和摻雜等關鍵工藝技術，其中 CMP 是在芯片制造制程和工藝演進到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續推進

77、之時才誕生的一項新技術。CMP 設備主要用于單晶硅片制造和芯片制造前道工藝，依托 CMP 技術的化學-機械動態耦合作用原理，通過化學腐蝕與機械研磨的協同配合作用，實現晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化全局平整落差 5nm 以內的超高平整度，CMP 設備集摩擦學、表/界面力學、分子動力學、精密制造、化學/化工、智能控制等多領城最先進技術于一體，工藝復雜。圖表 35：CMP 設備在芯片制造前道工藝中的環節 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 050100150200250Q1 2019 Q3 2019 Q1 2020 Q3 2020 Q1 2021 Q3 2021 Q1 202

78、2 KLAC TEL-Semiconductor Production Equipment LRCX AMAT-Semicondu Systems ASML-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%Q12018Q32018Q12019Q32019Q12020Q32020Q12021Q32021Q12022ASMLAMAT-Semicondu SystemsLRCXTEL-Semiconductor Production EquipmentKLAC 2022 年 08 月 17 日 P.20 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 CMP 設備結合機械拋光和化學拋光長

79、處，在超大規模集成電路中有廣泛應用。設備結合機械拋光和化學拋光長處，在超大規模集成電路中有廣泛應用。CMP 的主要檢測參數包括研磨速率、研磨均勻性和缺陷量。研磨均勻性又分為圓片內研磨均勻性和圓片間研磨均勻性。對于 CMP 而言，主要的缺陷包括直接影響產品的成品率的表面顆粒、表面刮傷、研磨劑殘留等。傳統的機械拋光和化學拋光去除速率均低至無法滿足先進芯片量產需求，CMP 技術利用了磨損中的“軟磨硬”原理，綜合兩者優勢，避免了由單純機械拋光造成的表面損傷，即用較軟的材料來進行拋光以實現高質量的表面拋光，將化學腐蝕和機械研磨作用達到一種平衡，最終實現晶圓表面的超高平整度。未經加工的原料晶圓裸片的表面凹

80、凸不平，無法直接在上面印制電路圖形。因此，需要先通過研磨和化學刻蝕工藝去除表面瑕疵，然后通過拋光形成光潔的表面，再通過清洗去除殘留污染物，即可獲得表面整潔的成品晶圓。因而，CMP 技術為后續重復進行光刻、刻蝕、薄膜和摻雜等關鍵工藝提供了重要的基礎。圖表 36：CMP 拋光去除速率對比 圖表 37：CMP 平坦化效果圖（CMOS 結構剖面圖）資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 CMP 設備功能的實現需要設備功能的實現需要拋光、清洗、傳送三大模塊拋光、清洗、傳送三大模塊組合作業。組合作業。10nm 的全局平整度要求，相當于 44 萬平方米面積

81、中任意兩點的高低差不超過 0.03 毫米、表面粗糙度小于0.5nm，作業過程中，拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，借助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現全局平坦化。拋光盤帶動拋光墊旋轉，通過先進的終點檢測系統對不同材質和厚度的膜層實現 310nm 分辨率的實時厚度測量防止過拋。拋光頭用于全局分區施壓，其在限定的空間內對晶圓全局的多個環狀區域實現超精密可控單向加壓，從而可以響應拋光盤測量的膜厚數據調節壓力控制晶圓拋光形貌，使晶圓拋光后表面達到超高平整度的控制。制程線寬不斷縮減、拋光液配方愈加復雜均加大了清洗的難度，對清洗后的顆粒物數量要求也指數級降低，需要 CMP 設備中清洗單元

82、在滿足清潔效果的同時保證晶圓表面極限化微縮的特征結構不被破壞。2022 年 08 月 17 日 P.21 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 38：CMP 拋光模塊示意圖 圖表 39：CMP 拋光作業原理圖 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 集成電路工藝技術的每一次精進，都伴隨著集成電路工藝技術的每一次精進，都伴隨著 CMP 技術的不斷深入。技術的不斷深入。隨著摩爾定律的延續，當制造工藝不斷向先進制程節點發展時對 CMP 技術的要求相應提高、步驟也會不斷增加，CMP 設備首先應用于 1988 年 IBM 公司 4M

83、DRAM 芯片的制造，此后隨器件特征尺寸（CD）微細化、多層布線和新型材料出現，CMP 技術的重要性不斷凸顯，首先用于后道工藝金屬間絕緣介質（IMD）層的平坦化，之后用于金屬鉤（W）的平坦化，近年來又用于淺溝槽隔離（STI）和銅（Cu）的平坦化。研磨研磨材料更加豐富，材料更加豐富，CMP 設備升級需求增加設備升級需求增加。9065nm 節點，隨著銅互連技術和絕緣材料低 k 介質的廣泛采用，CMP 的研磨對象主要是銅互連層、絕緣膜和淺溝槽隔離。28nm 后，邏輯器件的晶體管中引入高 k 金屬柵結構（HKMG），從而推動了虛擬柵開口 CMP 工藝和替代金屬柵 CMP 工藝兩種關鍵平坦化工藝的發展。

84、在 22nm 開始出現的 FinFET 晶體管增加了虛擬柵平坦化工藝，也是實現后續 3D 結構刻蝕的關鍵技術。先進的制程節點發展至 7nm 以下時，芯片制造過程中 CMP 的應用在最初的氧化硅 CMP 和鎢 CMP 基礎上新增了包含氮化硅 CMP、鰭式多晶硅 CMP、鎢金屬柵極 CMP 等先進 CMP 技術，所需的拋光步驟也增加至 30 余步，大幅增加了集成電路制造過程中對 CMP 設備的采購和升級需求。圖表 40：9-11 層金屬結構 Cu CMP 的示意圖 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 2022 年 08 月 17 日 P.22 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁

85、聲明 晶圓尺寸增加，制程節點升級提升對晶圓尺寸增加，制程節點升級提升對 CMP 設備數量需求。設備數量需求。按工藝流程分類，典型的產線上前道、封裝、測試三類設備分別占 85%、6%、9%。不同的晶圓尺寸和制程的 IC 制造產線所需的設備數量不同。以每 1 萬片/月產能計算，8 英寸產線、12 英寸成熟制程產線、12 英寸先進制程產線所使用的設備數量依次增加。如以中芯國際天津 T2 8 英寸線、中芯國際天津 T3 90nm 12 英寸線、臺積電南京一期 16nm 12 寸線為例，每萬片月產能平均所需的 CMP 設備臺數分別為 3.7 臺、12 臺、17.5 臺，產線制程的精進將對CMP 產生成倍

86、的增量需求。圖表 41：三個不同尺寸和制程的晶圓產線項目每萬片月產能對應的設備數量需求 每每 1 萬片萬片月月產能的設備需求產能的設備需求 中芯國際天津中芯國際天津 T2 8 英寸線英寸線 中芯國際天津中芯國際天津 T3 90nm 12 英寸線英寸線 臺積電南京一期臺積電南京一期 16nm 12 英寸英寸線線 化學機械拋光機 3.7 12 17.5 CVD 9.9 42 30.5 光刻機 4.3 8 7.5 刻蝕設備 10.2 25 59.5 離子注入機 3.4 13 9 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 拋光、清洗模塊有定期維護更換需求，帶動拋光、清洗模塊有定期維護更換需求，帶動

87、 CMP 設備廠商技術服務收入不斷提升。設備廠商技術服務收入不斷提升。CMP設備屬于集成電路設備中使用耗材較多、核心部件有定期維保更新需求的制造設備之一。CMP 利用機械力作用于圓片表面，由研磨液中的化學物質與圓片表面材料發生化學反應來增加其研磨速率，首先讓研磨液填充在研磨墊的空隙中，圓片在研磨頭帶動下高速旋轉，與研磨墊和研磨液中的研磨顆粒發生作用，此時需要控制研磨頭下壓力等其他參數。CMP 工藝中最重要的兩大組成部分是研磨液和研磨墊。晶圓廠需要更換設備外部的拋光液、拋光墊等，同時需要對設備內部長時間運行磨損的拋光頭、清洗等單元進行定期維保更新，且設備配套服務需求會隨著廠商銷售設備數量的增加而

88、快速增長。因此 CMP 設備廠商在設備出貨后，將向客戶提供專用耗材銷售和關鍵耗材維保等技術服務，隨之實現有長期穩定和高盈利能力的服務收入。圖表 42：CMP 工藝應用到研磨頭、研磨墊、研磨液 圖表 43：CMP 設備的相關配套組成 資料來源：集成電路產業全書，國盛證券研究所 資料來源：集成電路產業全書，國盛證券研究所 中國大陸中國大陸 CMP 設備市場規模第一，海外設備市場規模第一，海外兩家兩家龍頭龍頭合計占比超合計占比超 90%。2018 年全球 CMP 設備市場規模約 18.4 億美元 2013-2018 年 CAGR 20.1%。2019 年受全球半導體景氣度下滑影響，全球 CMP 設備

89、市場規模略有下滑，2020 年市場規模迅速回升至 15.8 億美元，同比增長 5.8%。其中中國大陸市場規模已躍升至全球第一，達到 4.3 億美元，市場份額 27%。從市場格局來看，應材、日本荏原在全球占主導地位，2020 年兩家合計市占率超過 93%。2022 年 08 月 17 日 P.23 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 44：2020 年全球 CMP 設備市場區域結構 圖表 45：2020 年全球 CMP 設備競爭格局 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 資料來源：Gartner，國盛證券研究所 華海清科系華海清科系國內唯一一家量產國內唯一一家量產 12 英寸英

90、寸 CMP 商業機型的設備商商業機型的設備商，填補國產空白。填補國產空白。12英寸設備較 8 英寸設備直徑增加 50%、面積擴大 125%，其精度要求更高，需要更先進的拋光頭超精密分區壓力控制技術和更先進的終點檢測技術，這也是業界衡量 CMP 設備研發技術水平的標桿。通過持續關鍵技術自主攻關，華海清科研發的 CMP 設備集先進拋光系統、終點檢測系統、超潔凈清洗系統、精確傳送系統等關鍵功能模塊于一體，其內部高度集成的關鍵核心技術超過數十項，填補了國內集成電路用 12 英寸 CMP 商業化產品的空白。圖表 46：華海清科與海外競爭對手比較 項目項目 華海清科華海清科 應用材料應用材料 日本荏原日本

91、荏原 主要產品或服務主要產品或服務 CMP 設備及相關耗材銷售、維保、晶圓再生服務 泛半導體設備及解決方案，包括半導體系統、半導體廠商全球服務、顯示及相關業務 各類流體機械及系統，環境工程和精密機械，其中 CMP 設備業務屬于精密機械業務板塊 經營規模經營規模 經營規模較小，但處于快速成長階段，2021 年營業收入8.05 億元 全球最大半導體設備供應商之一，2021 財年實現營收230.6 億美元，凈利潤 58.9 億美元，市值超 1,398 億美元 超過百年歷史的機械制造商，東京交易所上市公司，2021 年實現營收 52.2 億美元，凈利潤 5.3億美元，市值約 51 億美元 市場地位市場

92、地位 國內唯一一家12英寸CMP商業機型制造商，處于快速成長階段，主要在中國大陸地區銷售產品，目前國際市場占有率較小 全球半導體設備行業龍頭企業，為客戶提供半導體芯片制造所需的各種主要設備、軟件和解決方案，在離子注入、CMP、沉積、刻蝕等領域均處于業內領先地位 除應用材料以外的全球 CMP 設備主要提供商，主要在亞洲地區銷售 應用制程工藝水平應用制程工藝水平 已實現 28nm 制程的成熟產業化應用，14nm 制程工藝技術正處于驗證中 應用于最先進 5nm 制程工藝 應用于部分材質 5nm 制程工藝 最大晶圓尺寸最大晶圓尺寸 12 英寸 12 英寸 12 英寸 拋光頭技術拋光頭技術 7 分區拋光

93、頭 7 分區拋光頭 7 分區拋光頭 產品技術特點產品技術特點 直驅式拋光驅動技術；歸一化拋光終點識別技術；VRM 豎直干燥技術 皮帶傳動或直驅驅動技術；電機電流終點檢測技術；提拉干燥技術 皮帶傳動或直驅驅動技術；電機電流終點檢測技術；水平刷洗技術 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 中國大陸,27%中國臺灣,25%韓國,23%北美,8%日本,8%歐洲,6%其他地區,3%應用材料,64.1%日本荏原,29.1%韓國KC Tech,4.3%東京精密,2.4%2022 年 08 月 17 日 P.24 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 華海清科商業化機型已成功實現進口替代，

94、華海清科商業化機型已成功實現進口替代，打入打入國內外先進制造商大生產線。國內外先進制造商大生產線。2019 年中國大陸地區的 CMP 設備市場規模達 4.6 億美元，其中絕大部分高端 CMP 設備仍依賴于進口，而華海清科作為目前國內唯一實現量產 12 英寸系列 CMP 設備并被各大集成電路廠商大生產線驗證、采購的高端半導體裝備供應商打破了國外廠商壟斷。據中國國際招標網中標數據，2019 年江存儲、華虹無錫、上海華力一二期項目、上海積塔采購有 38臺 CMP 設備，其中華海清科中標 8 臺，占比 21.1%；2020 年 1-9 月上述企業共招標采購 68 臺 CMP 設備，其中華海清科中標 2

95、8 臺，占比 41.2%；12 英寸 CMP 設備的其余市場份額由美國應用材料、日本荏原取得。華海清科已具備在先進大生產線設備采購上與國際巨頭開展角力的實力，在半導體專用設備的國產化需求愈發迫切且增長迅速的背景下，華海清科有望受益于集成電路行業國產化的進程加速，進一步打破國外廠商的壟斷。圖表 47：公司在下游大客戶的銷售收入快速增長（萬元）資料來源：華海清科招股書，國盛證券研究所 05000100001500020000250003000035000400004500050000對長江存儲設備銷售 對長江存儲配套服務 對華虹集團設備銷售 對華虹集團配套服務 201920202021 2022

96、年 08 月 17 日 P.25 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 三、國產設備廠商訂單導入、逐步放量三、國產設備廠商訂單導入、逐步放量 根據招標網的數據統計，華虹無錫 2022 年上半年招標化學機械拋光設備 15 臺，其中應用材料中標 12 臺，華海清科中標 3 臺。應用材料中標的 10 臺具體為銅金屬層化學機械拋光設備 7 臺，淺溝槽絕緣氧化膜化學機械拋光設備 2 臺，多晶硅膜化學機械拋光設備2 臺，硅化學機械拋光設備 1 臺；華海清科分別中標銅金屬層化學機械拋光設備 2 臺，鎢金屬層化學機械拋光設備 1 臺。圖表 48：華虹無錫 2022 年上半年化學機械拋光設備采購情況

97、（臺）資料來源：中國國際招標網，國盛證券研究所 積塔半導體 2022 年 1-5 月招標的化學機械拋光設備總共 6 臺，其中華海清科 5 臺，應用材料 1 臺。華海清科中標的 4 臺為鎢金屬層化學機械拋光設備，1 臺為二氧化硅化學機械拋光設備。應用材料中標了 1 臺銅金屬層化學劑型拋光設備。長江存儲截至 2021 年底共招標化學機械拋光設備 112 臺，其中華海清科中標 34 臺，應用材料中標 73 臺。分具體產品來看，華海清科中標的設備中，氧化硅化學機械拋光機 9臺，層間介質層化學機械拋光機 6 臺，晶圓硅面化學機械拋光機 6 臺。應用材料中標的設備包括銅化學機械拋光機 23 臺，前段鎢化學

98、機械拋光機 16 臺等。圖表 49：長江存儲化學機械拋光設備采購情況（臺）華海清科華海清科 應用材料應用材料 氧化硅化學機械拋光機 9 3 層間介質層化學機械拋光機 6 2 晶圓硅面化學機械拋光機 6 2 拋光機（未分類）13 18 多晶硅化學機械拋光機 4 銅化學機械拋光機 23 前段鎢化學機械拋光機 16 后段鎢化學機械拋光機 2 淺槽隔離化學機械拋光機 3 合計 34 73 資料來源：中國國際招標網，國盛證券研究所 02468101214應用材料 華海清科 鎢金屬層CMP 硅CMP 多晶硅膜CMP 淺溝槽絕緣氧化膜CMP 銅金屬層CMP 2022 年 08 月 17 日 P.26 請仔細

99、閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 四、研發實力強勁，募投支持產品和業務延伸四、研發實力強勁，募投支持產品和業務延伸 4.1 核心技術積累深厚，持續精進工藝，研發成果轉化高效核心技術積累深厚，持續精進工藝，研發成果轉化高效 制造工藝不斷突破制造工藝不斷突破新新納米節點，納米節點，CMP 設備的平坦化關鍵作用愈加凸顯。設備的平坦化關鍵作用愈加凸顯。CMP 設備在芯片制造中起到愈發關鍵的作用，以數字芯片為例，邏輯芯片、3D NAND 閃存芯片、DRAM 內存芯片都要求每層制造表面必須保持納米級全局平坦化，以使下一層微電路結構的加工制造成為可能。在集成電路制造流程中，CMP 設備必不可缺且需

100、要循環使用，通常每片芯片制造完成需經過幾十道拋光工藝，CMP 設備的平坦化應用機會愈加凸顯。圖表 50：集成電路制造流程中 CMP 設備必不可缺且需要循環使用 資料來源：國盛證券研究所 公司公司 CMP 設備均勻性高，設備均勻性高，能能滿足客戶經濟性需求。滿足客戶經濟性需求。公司 CMP 產品采用了單頭單盤直線運動式模塊化布局，具有更高的拋光均勻性、一致性及靈活定制開發能力，相比競爭對手具有更高的可升級性和迭代柔性優勢。公司自主研發的直驅式拋光驅動技術、多區壓力調控技術、歸一化拋光終點識別技術，具有更高的片內均勻性與片間均勻性；高產能設備架構技術、拋光裝備運行參數智能監測與調控技術，保證 CM

101、P 機臺具備更高水平的設備產出率和機臺穩定運行時間，滿足客戶對集成電路設備經濟性指標的要求。公司研發的 CMP 設備系列化產品已在集成電路制造及相關領域實現產業深度融合，得到了產業化應用。圖表 51：公司產品已在集成電路制造及相關領域實現產業深度融合 應用領域應用領域 應用節點應用節點 產業應用情況產業應用情況 邏輯芯片制造 150-28nm 產業化應用 14nm 產線驗證 3D NAND 制造 128/64/32 層 產業化應用 DRAM 制造 1X/1Y nm 產業化應用 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 2022 年 08 月 17 日 P.27 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔

102、細閱讀本報告末頁聲明 公司與清華大學共有多項專利發明，自有專利占比不斷提升。公司與清華大學共有多項專利發明，自有專利占比不斷提升。清華大學已將其獨有的公司生產經大學已將其獨有的公司生產經營所需的 48 項 CMP 相關專利或專利技術以獨占許可的方式許可公司使用。截至 2021 年 12 月 31 日，公司單獨或與他人共有的已授權境內外專利共 209 項。已授權實用新型專利 95 項。核心技術產品收入占核心技術產品收入占公司公司營業收入比重超營業收入比重超 9 成，技術成，技術實例實例轉化轉化為產品為產品收益回報豐厚。收益回報豐厚。公司在納米級拋光、納米精度膜厚在線檢測、納米顆粒超潔凈清洗、大數

103、據分析及智能化控制和超精密減薄等領域研發的核心技術達到了國內領先的水平。隨著晶圓尺寸增長、技術節點進步隨著晶圓尺寸增長、技術節點進步，特定模塊技術特定模塊技術需要需要優化。優化。例如采用更先進的分區壓力控制技術和更先進的終點檢測技術制造出12 英寸CMP 設備來應用于主流的12 英寸晶圓大生產線，高端 12 英寸 CMP 設備中采用 7 分區拋光頭技術，在先進制程領域的鰭式場效應晶體管（FinFET）及硅通孔（TSV）先進封裝等工藝中要求 CMP 設備也需具備更好的平坦化效果、控制精度、系統集成度和后清洗技術。CMP 設備在較長時間內不存在技術迭代周期，設備在較長時間內不存在技術迭代周期，CM

104、P 設備也在不斷升級其自身的技術設備也在不斷升級其自身的技術。目前全球主流的高端 CMP 設備均為帶 7 分區拋光頭的 12 英寸 CMP 設備。應用于28nm 和 14nm 的 CMP 設備沒有顯著的差異，但隨著芯片技術節點的持續下降，CMP 設備也將向著拋光頭分區精細化、工藝控制智能化、清洗單元多能量組合化、預防性維設備也將向著拋光頭分區精細化、工藝控制智能化、清洗單元多能量組合化、預防性維護精益化的方向發展。護精益化的方向發展。1)CMP 設備拋光頭分區精細化設備拋光頭分區精細化 為了提高集成度，邏輯芯片特征線寬已經降到 10 nm 甚至 3nm 以下，臺積電預計將于2022 年達到 3

105、nm 工藝制程。存儲芯片的堆疊層數也從 64 層發展到 128 層以上。芯片集成度的提升對拋光的均勻性提出了更高的要求，全局均勻性的控制要求從幾十納米提高到幾納米。為了滿足拋光均勻性的要求，需要將拋光頭設臵更加合理、精細的分區，并配合智能算法解決多分區相互耦合的問題，大幅提升拋光頭壓力控制的精準度。2)CMP 設備工藝控制智能化設備工藝控制智能化 CMP 是一個受多因素影響的工藝過程。拋光盤的轉動、承載頭的轉動、修整器的擺動、承載頭各分區的載荷、保持環壓力、拋光墊磨損、拋光液供給、拋光液溫度等因素的微小變化都會影響拋光結果的變化。CMP 設備可以充分考慮設備運行的多種過程參數對拋光結果的影響，

106、提升智能化工藝控制水平，提高工藝一致性與產品良率。3)清洗單元多能量組合化清洗單元多能量組合化 當特征尺寸降至 14nm 以下后，線寬不斷接近物理基礎尺寸，納米級的顆粒污染都有可能會對芯片的性能和可靠性產生重要影響。因此，隨著互連線寬特征尺寸的不斷減小，對表面污染物殘留的控制更加嚴苛。簡單的清洗方式組合難以有效去除納米級的細微污染物。CMP 設備中的清洗單元需綜合考慮兆聲振動、機械柔性刷洗、表面張力等多種能量，并采取科學合理組合，同時借助科學的化學清洗劑形成有效的保護和輔助，提高清洗效果。4)預防性維護精益化預防性維護精益化 CMP 設備配臵部件狀態監測裝臵，實時監控易損易耗部件如保持環、拋光

107、墊、清洗刷等的使用狀態。公司產品與公司產品與海外海外行業龍頭企業產品相比，主要在拋光盤驅動方式、終點檢測手段、后清行業龍頭企業產品相比，主要在拋光盤驅動方式、終點檢測手段、后清洗干燥技術等技術方案方面有所差異。洗干燥技術等技術方案方面有所差異。（1）就拋光盤驅動方式而言，應用材料和荏原的產品定型于上世紀 90 年代，近期隨客 2022 年 08 月 17 日 P.28 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 戶要求提高和電機技術發展而在高端機型上采用了直驅方案。公司產品定型較晚，采用了直接耦合負載實現驅動的直驅方案；（2）終點檢測方面，公司進入 CMP 領域時在電機電流檢測領域技術積

108、累落后于競爭對手且行業對檢測準確性有了更高需求，創造性地提出了歸一化拋光終點識別技術，其思路在于引入修整器位臵等其他變量來消除電機電流噪聲，使檢測更準確；（3）干燥方面，公司的 VRM 單元是將晶圓豎直旋轉來實現馬蘭戈尼干燥，應用材料將晶圓向上直線提拉實現馬蘭戈尼干燥，荏原水平刷洗后旋轉來實現馬蘭戈尼干燥，均能滿足平坦化過程中的干燥要求。公司持續優化來達到集成電路制造客戶所需公司持續優化來達到集成電路制造客戶所需的工藝效果，正在進行或擬進行的主要研發的工藝效果，正在進行或擬進行的主要研發項目如下：項目如下：圖表 52：華海清科在研項目情況（萬元）項目名稱項目名稱 擬達到目標擬達到目標 預計總預

109、計總 投資規模投資規模 進展或進展或 階段性成果階段性成果 具體應用前景具體應用前景 先進制程 3D NAND CMP 工藝研究項目 研發先進制程3D NAND CMP設備與成套工藝，滿足量產要求 8,700 產線量產 128 層 3D NAND 芯片制造 減薄設備研發項目 研發先進制程 IC 后道工序中的晶圓背面超精密減薄設備并建立減薄工藝體系，滿足量產要求 8,550 產線驗證 3D IC 晶圓制造 先進制程 DRAM CMP工藝研究項目 研制出先進制程 DRAM CMP 裝備，開發出與之相匹配的 CMP 成套工藝，滿足量產要求 9,150 產線量產 1X/1Y DRAM 芯片制造 關鍵節

110、點金屬 CMP 機臺研制及工藝開發 突破關鍵核心技術，研制滿足先進制程及工藝節點金屬 CMP 機臺及工藝 10,090 產線量產 28-14nm 邏輯芯片制造 關鍵零部件項目 研制出集成電路設 備相關核心零部件，滿足產業化應用要求 21,400 產業化應用 集成電路設備 先進拋光裝備項目 研制先進半導體領 域專用的拋光設備，滿足量產要求 3,890 工藝驗證 第三代化合物半導體 先進零部件項目 研制納米級量測零部件，通過集成驗證與應用滿足 IC 制造精密量測需求 8,400 工藝驗證 集成電路設備 先進 CMP 工藝項目 突破先進制程 CMP 材料及工藝技術，具備先進制程 CMP 工藝整體解決

111、方案的能力 2,600 開發階段 14nm 邏輯芯片制造 3D NAND 芯片制造 Oxide CMP 裝備研發 研制 3D NAND Oxide CMP 裝備，滿足量產要求 1,360 產業化應用 128 層 3D NAND 芯片制造 基于機器學習算法的 SAPC 系統研發 開發先進制程 SAPC 系統，提高 CMP設備整體工藝性能 1,571 開發階段 14-7nm 集 成 電 路CMP 設備 高可靠性刷洗模塊研發及適用性驗證 研發高可靠性刷洗模塊及配套工藝，滿足不同制程要求 670 產業化應用 14-7nm 集 成 電 路CMP 設備 先進濕法設備項目 研制半導體濕法設備并滿足量產要求

112、1,045 開發階段 邏輯芯片、存儲芯片 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 2022 年 08 月 17 日 P.29 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 4.2 募資加碼晶圓再生加大產業協同，提前布局先進制程打開成長空間募資加碼晶圓再生加大產業協同，提前布局先進制程打開成長空間 公司已在公司已在 CMP 市場扎穩扎牢，市場扎穩扎牢，客戶主要為國內大型集成電路制造商客戶主要為國內大型集成電路制造商，但產品仍存有進，但產品仍存有進一步改善空間一步改善空間。公司近年來持續加強研發投入，取得了多項核心專利成果，且作為目前國內唯一能提供 12 英寸 CMP 設備的半導體設備廠商，公司憑

113、借自身的產品實力獲得了長存、華虹等公司的批量采購訂單。但由于國內缺乏更先進制程的驗證條件、工藝數據積累不足以及研發投入積累不足，公司產品在 CMP 后清洗模塊效率、顆粒物殘留率控制以及晶圓形貌智能化精益控制方面與行業龍頭公司產品的技術相比存在一定差距，仍需要大量資金投入產品研發。公司擬募投十億元，用于建設化學機械拋光機等高端半導體設備研發項目和晶圓再生等公司擬募投十億元，用于建設化學機械拋光機等高端半導體設備研發項目和晶圓再生等項目。項目。其中高端半導體裝備（化學機械拋光機）產業化項目，主要系進一步擴大公司現有 CMP 設備等產品的生產能力，滿足外部客戶需求和晶圓再生業務自產設備需求，保證再生

114、業務的基礎設施需求。高端半導體裝備研發項目主要系在現有面向 28nm 及以上制程的 CMP 設備基礎上，進一步研發面向 14nm 及以下制程的 CMP、減薄的關鍵技術及產品，其中面向 14nm 及以下制程的 CMP 技術及產品研發成功后，將為公司開展更先進制程節點領域的晶圓再生業務提供技術支持。圖表 53：華海清科募投資金使用計劃（萬元）序號序號 項目名稱項目名稱 投資總額投資總額 擬投入募集資金擬投入募集資金 1 高端半導體裝備（化學機械拋光機）產業化項目 54,044 35,000 2 高端半導體裝備研發項目 31,185 20,000 3 晶圓再生項目 35,790 15,000 4 補

115、充流動資金 30,000 30,000 合計 151,019 100,000 資料來源：華海清科招股說明書，國盛證券研究所 （一）高端半導體裝備（化學機械拋光機）產業化項目（一）高端半導體裝備（化學機械拋光機）產業化項目 項目計劃總投資 5.4 億元，設計產能為年產 100 臺化學機械拋光機（包括減薄設備）。項目 2020 年 3 月取得施工許可證并開工，建設期預計為 15 個月，現已建設完工并開始生產活動。（二）高端半導體裝備研發項目（二）高端半導體裝備研發項目 項目計劃總投資 3.1 億元，研發面向 14nm 及以下制程先進半導體制造 CMP、減薄多項關鍵技術及系統，并研發相應的成套先進工

116、藝。公司產品公司產品已已滿足滿足 14nm 以上制程的客戶端生產需求，但在以上制程的客戶端生產需求，但在 14nm 以下制程工藝方面與以下制程工藝方面與行業龍頭公司產品尚存在一定技術差距。行業龍頭公司產品尚存在一定技術差距。更先進制程的技術應用存在一定差距不同應用領域對芯片制程和技術參數的要求差異較大，如高端智能手機、高性能計算設備等往往需要使用 14nm 及以下先進制程的芯片，而物聯網、醫療設備、手機基站等則使用 28nm 及以上的成熟工藝芯片?，F階段公司量產應用的 CMP 設備主要可滿足 28nm 及以上制程芯片制造過程中的非金屬介質、金屬薄膜、硅等介質的應用，14nm 制程高端工藝技術仍

117、處于驗證階段，在先進制程的技術方面與國際先進CMP 設備廠商仍存在一定差距。公司公司目前目前面向面向 14nm 及以下制程及以下制程 CMP 研發進展順利，主要集中于針對現有研發進展順利，主要集中于針對現有 28-14nm CMP 設備（設備（Universal 300X 和和 300T）的關鍵模塊）的關鍵模塊/核心技術進行優化研發核心技術進行優化研發，已開展的相關研發工作主要包括：2022 年 08 月 17 日 P.30 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.先進拋光系統研發：該研究工作目前主要集中于直驅式拋光驅動、多區壓力調控拋光、自適應承載頭、預適應保持環等納米級拋光技

118、術的優化研發，并且已取得針對不同工藝的 7 區拋光頭技術等系列重要成果；2.先進終點檢測系統研發：該研究工作目前主要集中于金屬納米精度膜厚在線檢測、非金屬納米精度膜厚在線檢測、晶圓形貌實時調控等關鍵技術的優化研發，已實現晶圓邊緣控制能力的顯著提升；3.先進超潔凈清洗系統研發：該研究工作主要集中于馬蘭戈尼干燥、智能清洗以及清洗單元多能量組合等關鍵技術的優化研發，目前最新研制的 MDS 清洗模塊已通過多條產線驗證，滿足 128L 3D NAND 制造 CMP 工藝要求；4.精確傳送系統研發：該研究工作主要集中于高產能設備架構、拋光裝備運行參數智能監測與調控、基于智能控制的拋光技術等關鍵技術的優化研

119、發，且已取得顯著的產能提升與可靠性提升等系列重要成果。（三）晶圓再生項目（三）晶圓再生項目 本項目以公司自主研發生產的高端 CMP 設備為平臺，配合已開發并成熟應用的 CMP 工藝，同時搭配新型的單片清洗設備，搭建更大規模生產線用于晶圓再生業務。項目計劃總投資 3.6 億元，建設周期為 15 個月，項目建成后具備月加工 10 萬片 12 英寸再生晶圓的生產能力。公司已打通整套晶圓再生工藝流程，并于 2020 年起開始規?；a，客戶反響良好。精拋為晶圓再生最關鍵工藝，需要大量投入精拋為晶圓再生最關鍵工藝，需要大量投入 CMP 設備作為支撐。設備作為支撐。晶圓再生業務具有一定的技術難度和進入門檻

120、，技術難點主要在于對再生晶圓表面平整度、缺陷和晶圓表面的納米級顆粒殘留、金屬離子殘留的控制要求極高，需要對控擋片進行去膜、粗拋、精拋、清洗、檢測等工序處理。其中精拋及部分清洗是通過 CMP 設備完成的，CMP 設備起到高精度修復前段工藝留下的不平整晶圓表面，保證晶圓表面平整度和缺陷控制指標的作用。因此 CMP 工藝和技術是晶圓再生工藝流程的核心和難點，CMP 設備也是晶圓再生工藝產線中資金投入最大的設備。晶圓再生市場海外對手產能完善市占率高，大陸地區尚處在產能晶圓再生市場海外對手產能完善市占率高，大陸地區尚處在產能鋪設鋪設階段。階段。當前全球再生晶圓市場和產能高度集中于日本和中國臺灣，日本 R

121、S Technologies、Hamada Heavy 公司、Mimasu 公司 3 家公司市場占有率合計達到 60%左右，中國臺灣中砂、辛耘、升陽 3 家中國臺灣的公司市場占有率達到 30%左右。在中國大陸地區，除公司已開展少量晶圓再生業務外，至純科技、協鑫集成均公告新進入晶圓再生業務。圖表 54：國內晶圓再生產線規劃情況 公司公司 產線情況產線情況 預計產能預計產能 至純科技 12 寸一期 7 萬片/月 12 寸二期 14 萬片/月 協鑫集成 8 寸 5 萬片/月 12 寸 25 萬片/月 華海清科 12 寸 10 萬片/月（可擴至 20 萬片/月）資料來源：華海清科官網，華海清科招股說明

122、書，國盛證券研究所 公司作為公司作為 CMP 設備專業制造商，在晶圓再生業務方面具有多年積累的設備專業制造商，在晶圓再生業務方面具有多年積累的 CMP 工藝技術工藝技術 2022 年 08 月 17 日 P.31 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 優勢和自產設備成本優勢。優勢和自產設備成本優勢。晶圓再生服務屬于地域屬性很強的專業服務，為降低不必要的損耗以及減少運輸時間，晶圓廠通常優先選擇本地服務商。晶圓再生客戶主要是集成電路制造廠，與公司現有 CMP 設備業務的客戶群高度重合。因此，能受益于公司多年積累的 CMP 工藝技術優勢、自產設備成本優勢及同客戶群的市場拓展優勢。同時，公

123、司在 CMP 技術的最新研究成果也可以及時提升晶圓再生生產線的技術升級，晶圓再生業務與公司現有 CMP 設備業務在市場和技術方面具有高協同性。全球晶圓再生市場爆發成長，看好華海清科順利填補國產市場空白。全球晶圓再生市場爆發成長，看好華海清科順利填補國產市場空白。SEMI 數據顯示 2 2021 年全球 8 寸、12 寸硅片正片的市場需求將分別達到 650 萬片/月和 680 萬片/月，2021 年全球再生晶圓市場需求有望超過 200 萬片/月。隨著我國集成電路產業快速發展，不斷提升的晶圓產能及不斷上漲的晶圓價格將持續推動我國晶圓再生市場規模增加。未來我國集成電路產業國產化程度進一步提升的同時，

124、國內廠商晶圓再生服務水平也將逐步提升，我國晶圓再生專業代工服務市場有望填補空白、實現爆發性增長，市場前景廣闊。五、盈利預測及投資建議五、盈利預測及投資建議 華海清科 2022 年上半年新簽訂單金額同比增長 133%達到 20.2 億元，截至 6 月底合同負債 10.0 億元。公司加速客戶導入，國產化率仍有較大提升空間。裝機量不斷累積，耗材利潤可觀。CMP 設備硅膠軟墊、保持環等更換周期較短，需要定期更換，公司 2021 年耗材收入千萬級別，隨著裝機量不斷累加，耗材需求隨之增長，耗材毛利水平較高利潤可觀。公司晶圓再生業務客戶拓展順利，當前已實現雙線運行，并通過多家客戶驗證，產能已經達到 50K/

125、月，獲得多家大生產線批量訂單并實現長期穩定供貨。我們預計公司將在 2022 年至 2024 年實現收入 18.6/28.2/33.8 億元，歸母凈利潤 4.1/6.8/8.7 億元，對應當前估值 89.1/52.8/41.7x。圖表 55：華海清科盈利預測（百萬元）2019 2020 2021 2022E 2023E 2024E CMP 設備營收 194.9 353.3 693.7 1691.4 2550.0 2850.0 yoy 513.9%81.3%96.4%143.8%50.8%11.8%CMP 設備毛利率 30.2%36.8%42.8%45.0%47.0%48.0%配套材料及技術服務營

126、收 16.0 32.6 111.2 166.7 266.8 533.6 yoy 309.3%103.2%240.9%50.0%60.0%100.0%總營收 210.9 385.9 804.9 1858.1 2816.8 3383.6 yoy 491.4%83.0%108.6%130.9%51.6%20.1%綜合毛利率 31.3%38.2%44.7%46.1%47.9%49.4%資料來源：Wind，國盛電子測算，國盛證券研究所 估值方面，我們選擇了北方華創、芯源微、中微公司、盛美上海這幾家同樣從事半導體設備的廠商進行估值對比?？梢钥吹焦?PE 估值低于可比公司。北方華創深耕刻蝕、薄膜沉積領域近

127、 20 年，近兩年公司 12 英寸硅刻蝕機、金屬 PVD、立式氧化/退火爐、濕法清洗機等多款高端半導體設備相繼量產，已成為國內領先的半導體裝備一站式解決方案供應商；芯源微主營涂膠顯影設備和單片式濕法設備，正逐步從后道向技術難度更 2022 年 08 月 17 日 P.32 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 高的前道設備拓展；中微公司作為介質刻蝕、MOCVD 龍頭，研發投入力度領先，內生外延打造設備平臺；盛美上海在半導體清洗設備領域國內領先，并逐步布局半導體電鍍設備和先進封裝濕法設備等，豐富產品組合。華海清科主營的 CMP 設備長期由海外龍頭壟斷，公司是目前國內唯一一家產業化應用

128、 12 英寸 CMP 設備的供應商，考慮到公司當前賽道選擇及自身產品在國內的稀缺性，未來具備高成長性，首次覆蓋，予以“買入”評級。圖表 56：可比公司估值（2022 年 8 月 16 日收盤價，可比公司歸母凈利潤預測取萬得一致預期，億元）名稱名稱 市值市值 歸母凈利潤歸母凈利潤 PE（x）2022E 2023E 2024E 2022E 2023E 2024E 北方華創 1,655.3 17.6 24.4 32.0 94.0 67.8 51.7 芯源微 203.9 1.4 2.1 3.1 143.3 96.3 65.8 中微公司 854.7 11.0 14.0 17.7 77.8 60.8 48

129、.3 盛美上海 531.3 4.6 6.5 8.5 115.4 81.2 62.4 平均 107.6 76.5 57.1 華海清科 360.5 4.1 6.8 8.7 92.9 59.3 41.7 資料來源：Wind，國盛電子測算，國盛證券研究所 六、六、風險提示風險提示 國產替代進展不及預期：國產替代進展不及預期：半導體設備新技術難度較高，驗證周期較長，具有一定的不確定性，若國產替代進度不及預期，則可能對公司營收業績造成不利影響。全球貿易紛爭影響：全球貿易紛爭影響：全球貿易紛爭存在不確定性，尤其是科技領域競爭激烈，導致科技產業鏈具有不穩定性。下游需求不確定性：下游需求不確定性：全球經濟受疫情

130、影響，下游需求存在不確定性，若下游擴產進度不及預期，則可能對公司營收業績增速造成不利影響 2022 年 08 月 17 日 P.33 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 免責聲明免責聲明 國盛證券有限責任公司（以下簡稱“本公司”）具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格。本報告僅供本公司的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告的信息均來源于本公司認為可信的公開資料，但本公司及其研究人員對該等信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告中的資料、意見及預測僅反映本公司于發布本報告當日的

131、判斷，可能會隨時調整。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息及資料保持在最新狀態，對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。本公司力求報告內容客觀、公正，但本報告所載的資料、工具、意見、信息及推測只提供給客戶作參考之用，不構成任何投資、法律、會計或稅務的最終操作建議,本公司不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。投資者應注意，在法律

132、許可的情況下，本公司及其本公司的關聯機構可能會持有本報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，也可能為這些公司正在提供或爭取提供投資銀行、財務顧問和金融產品等各種金融服務。本報告版權歸“國盛證券有限責任公司”所有。未經事先本公司書面授權，任何機構或個人不得對本報告進行任何形式的發布、復制。任何機構或個人如引用、刊發本報告，需注明出處為“國盛證券研究所”，且不得對本報告進行有悖原意的刪節或修改。分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師在此聲明：我們具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，本報告所表述的任何觀點均精準地反映了我們對標的證券和發行人的個人看法，結論不受任何第三方

133、的授意或影響。我們所得報酬的任何部分無論是在過去、現在及將來均不會與本報告中的具體投資建議或觀點有直接或間接聯系。投資評級說明投資評級說明 投資建議的評級標準投資建議的評級標準 評級評級 說明說明 評級標準為報告發布日后的 6 個月內公司股價（或行業指數）相對同期基準指數的相對市場表現。其中 A 股市場以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準，美股市場以標普 500 指數或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入 相對同期基準指數漲幅在 15%以上 增持 相對同期基準指數漲幅在 5%15%之間

134、 持有 相對同期基準指數漲幅在-5%+5%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 5%以上 行業評級 增持 相對同期基準指數漲幅在 10%以上 中性 相對同期基準指數漲幅在-10%+10%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 10%以上 國盛證券研究所國盛證券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市西城區平安里西大街 26 號樓 3 層 郵編：100032 傳真：010-57671718 郵箱： 地址：上海市浦明路 868 號保利 One56 1 號樓 10 層 郵編：200120 電話：021-38124100 郵箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市紅谷灘新區鳳凰中大道 1115 號北京銀行大廈 郵編：330038 傳真：0791-86281485 郵箱： 地址：深圳市福田區福華三路 100 號鼎和大廈 24 樓 郵編：518033 郵箱：