CMP 設備主要用于晶圓的全局平坦化處理，是半導體制造的關鍵設備之一。CMP 主要通過化學腐蝕與機械研磨相結合的方法，去除晶圓表面多余材料，以實現納米級的全局平坦化效果。在芯片制造過程中，每一層電路都需要通過 CMP 工藝確保表面平整，以保障后續的刻蝕或沉積工藝的順利進行。根據應用端需求，可分為 8 英寸 CMP 設備、12英寸 CMP 設備和 6/8 英寸兼容 CMP 設備。