中微公司-首次覆蓋報告：內生外延促成長中國版泛林初具雛形-220506（34頁）.pdf

1、公司深度研究 | 中微公司 1 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 內生外延促成長，中國版泛林初具雛形 中微公司（688012.SH）首次覆蓋報告 公司深度研究公司深度研究 | 中微公司中微公司 公司評級 買入 股票代碼 688012 前次評級 評級變動 首次 當前價格 104.25 近一年股價走勢近一年股價走勢 分析師分析師 賀茂飛賀茂飛 S0800521110001 18217567458 相關研究相關研究 -25%-8%9%26%43%60%77%2021-052021-092022-012022-05中微公司半導體滬深300 核心結論核心結論 國內刻蝕設備龍頭，平臺化布局四大產品線國

2、內刻蝕設備龍頭，平臺化布局四大產品線。公司成立于 2004 年，專注于半導體介質刻蝕設備研發及產業化，公司立足介質刻蝕設備并積極進行多元化產品布局，目前主要產品包括半導體刻蝕設備、MOCVD 設備、薄膜沉積設備（CVD）以及環保設備，產品型號接近20 余款，下游客戶覆蓋包括臺積電、三星、華虹等在內的國內外一線邏輯、存儲和功率晶圓廠商。公司 2021 年營業收入同比增長 36.7%達 31.08 億元，20172021 年營業收入年均復合增速達 34.0%。 刻蝕設備：公司核心產品，覆蓋刻蝕設備：公司核心產品，覆蓋 80%以上前道晶圓以上前道晶圓制程制程工藝工藝。公司深耕刻蝕設備近 20 年，形

3、成完整的產品系列，是全球邏輯、存儲晶圓廠商先進制程工藝刻蝕設備核心供應商。隨著集成電路尺寸及線寬縮小、 產品結構立體化和制程工藝復雜化趨勢， 公司刻蝕產品逐步豐富，高端產品市占率將繼續提升。 薄膜薄膜設備設備： 公司主力產品，公司主力產品， 新產品持續放量。新產品持續放量。 MiniLED 賽道前景廣闊，增長迅速，公司推出用于 MiniLED 的 MOCVD 設備，半年之內獲得超 100 腔訂單，并積極布局 MicroLED、功率器件及第三代半導體用MOCVD 設備，高價值新品布局及放量有望成為后續一大亮點。自主研發鎢填充 CVD 設備和 EPI 設備進展順利，有望在未來一到兩年形成收入。 投

4、 資 建 議投 資 建 議 ： 預 計 公 司20222024年 歸 母 凈 利 潤 分 別 為10.72/13.06/17.09 億元，同比+6.0%/+21.8%/+30.9%?？紤]到公司設備處于放量階階段，平臺化發展成效顯著，給予公司 2022 年 18倍 PS，對應目標價 132.8 元/股，首次覆蓋，給予“買入”評級。 風險提示：下游客戶驗證不及預風險；競爭加劇風險；部分關鍵零部件卡脖子風險。 核心數據核心數據 2020 2021 2022E 2023E 2024E 營業收入（百萬元） 2,273 3,108 4,545 6,272 8,426 增長率 16.8% 36.7% 46.

5、2% 38.0% 34.3% 歸母凈利潤 (百萬元) 492 1,011 1,072 1,306 1,709 增長率 161.0% 105.5% 6.0% 21.8% 30.9% 每股收益（EPS） 0.80 1.64 1.74 2.12 2.77 市盈率（P/E） 133.5 65.0 61.3 50.3 38.5 市凈率（P/B） 13.1 4.7 4.4 4.0 3.6 數據來源：公司財務報表，西部證券研發中心 證券研究報告證券研究報告 2022 年 05 月 06 日 公司深度研究 | 中微公司 2 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 0

6、6 日日 索引 內容目錄 投資要點 . 5 關鍵假設 . 5 區別于市場的觀點 . 5 股價上漲催化劑 . 5 估值與目標價 . 5 中微公司核心指標概覽. 6 一、國產刻蝕設備龍頭，內生外延拓展奠定營收增長新動力. 7 1.1 國內刻蝕設備龍頭，加速平臺化布局 . 7 1.2 受益技術突破及行業高景氣驅動，公司營收和訂單快速增長 . 12 1.3 高研發投入保證產品領先優勢，自主核心技術持續加強 . 15 1.4 定增募資落地，用于先進工藝設備研發及高端設備產業化項目 . 17 二、晶圓廠持續擴產，半導體設備景氣度持續高漲 . 18 2.1 全球半導體設備持續高景氣度，中國設備市場規模穩居首

7、位 . 18 2.2 晶圓廠擴產積極，資本支出持續增加 . 20 2.3 國產設備廠商訂單增長迅速，產能擴張進行時 . 22 三、內部自研+外延并購，平臺化布局初見成效 . 23 3.1 介質+導體刻蝕雙布局，進一步打開刻蝕設備成長空間 . 23 3.2 內生外延拓展薄膜沉積設備，開拓新增長曲線 . 26 3.3 MiniLED 成長期成長驅動力，第三代半導體助力成長加速 . 28 四、盈利預測與估值 . 30 4.1 盈利預測 . 30 4.2 相對估值 . 31 五、風險提示 . 32 圖表目錄 圖 1：公司核心指標概覽 . 6 圖 2：公司發展歷程 . 7 圖 3：公司主要產品演變 .

8、7 圖 4：公司股權結構（截至 2021 年末） . 8 圖 5：2021 年中微公司主營業務結構及客戶分布 . 9 圖 6：中微公司產品布局市場空間測算(單位：億美元) . 9 圖 7：20162021 年公司營收及增速（單位：百萬元） . 12 圖 8：20162021 年公司歸母凈利潤及增速（單位：百萬元） . 12 MBaXmUlUgVmUmYpYmUaQdNbRpNpPtRoMfQpPqNeRrRrO6MqQuNNZtRrPuOtQnO 公司深度研究 | 中微公司 3 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 圖 9：201620

9、21 年公司扣非歸母凈利潤及增速（單位：百萬元） . 13 圖 10：20162021 年公司刻蝕設備營收（單位：百萬元） . 13 圖 11：20162021 年公司 MOCVD 設備營收（單位：百萬元） . 13 圖 12：20162021 年公司主營業務結構 . 13 圖 13：20162021 年主營業務結構細分 . 13 圖 14：20162021 年公司存貨（單位：億元） . 14 圖 15：20162021 年公司合同負債（單位：億元） . 14 圖 16：20162021 年公司分業務毛利率 . 15 圖 17：20162021 年公司整體毛利率和凈利率 . 15 圖 18：2

10、0162021 年公司期間費用率 . 15 圖 19：20162021 年可比公司毛利率 . 15 圖 20：2021 年公司公司人員構成（截至 2021 年末） . 16 圖 21：2021 年公司研發人員學歷分布（截至 2021 年末） . 16 圖 22：20162021 年公司研發投入及營收占比 . 16 圖 23：20162021 年可比公司研發投入對比. 16 圖 24：全球半導體設備市場規模（單位：億美元） . 19 圖 25：全球半導體設備季度出貨額度（單位：億美元） . 19 圖 26：北美半導體設備月度出貨額（單位：億美元） . 19 圖 27：半導體設備季度出貨額度及地區

11、分布（單位：億美元） . 20 圖 28：中國大陸半導體設備市場份額占比（單位：億美元） . 20 圖 29：2021 年 19 月中國大陸半導體制造設備進口情況及同比增速 . 20 圖 30：全球半導體晶圓廠資本開支（單位：十億美元） . 21 圖 31：20Q121Q4 國內半導體設備季度營收（單位：億元） . 22 圖 32：20Q121Q4 國內設備廠商季度合同負債（單位：億元） . 22 圖 33：20Q121Q4 國內設備廠商季度存貨（單位：億元） . 23 圖 34：20182020 前道晶圓設備占比 . 24 圖 35：CCP 刻蝕和 ICP 刻蝕設備市場占比 . 24 圖 3

12、6：2020 年刻蝕設備市場競爭格局 . 24 圖 37：公司刻蝕設備演進 . 25 圖 38：臺積電 2020 和 2021 營收結構 . 26 圖 39：2021 年中芯國際營收結構 . 26 圖 40：全球 DRAM 領域資本支出（單位：十億美元） . 26 圖 41：全球 Flash 領域資本支出（單位：十億美元） . 26 圖 42：20182024 年全球 CVD 設備市場規模（單位：億美元） . 27 圖 43：20182023 年中國 CVD 設備市場規模（單位：億美元） . 27 圖 44：全球 ALD 市場規模（單位：億美元） . 27 圖 45：中國 MiniLED 市場

13、規模及預測（單位:億元） . 29 圖 46：MiniLED/MicroLED 市場規模預測（單位：億美元） . 29 圖 47：全球碳化硅器件市場份額（單位：億美元） . 29 公司深度研究 | 中微公司 4 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 圖 48：中微公司 PE-bands（截至 2022 年 05 月 06 號） . 31 圖 49：中微公司 PS-bands（截至 2022 年 5 月 06 號） . 32 表 1：公司 CCP 等離子刻蝕設備 . 10 表 2：公司 ICP 等離子刻蝕設備 . 10 表 3：公司薄膜沉

14、積設備 . 11 表 4：公司 CCP 刻蝕設備核心技術 . 16 表 5：公司承擔重大科研項目情況 . 16 表 6：公司募投項目情況（單位:萬元） . 17 表 7：募集資金研發投入情況 . 17 表 8：全年主要晶圓廠資本開支（單位：百萬美元） . 21 表 9：國內 8/12 晶圓產線擴產情況 . 21 表 10：國內半導體設備廠商募投項目概況 . 23 表 11：干法刻蝕設備分類 . 24 表 12：拓荊科技薄膜沉積設備布局 . 28 表 13：中微公司營業收入預測 . 30 表 14：可比公司估值表（PE，數據更新到 2022 年 05 月 06 日收盤） . 31 表 15：可比

15、公司估值（PS，數據更新到 2022 年 05 月 06 日收盤價） . 31 公司深度研究 | 中微公司 5 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 投資要點投資要點 關鍵假設關鍵假設 刻蝕設備：刻蝕設備：公司布局刻蝕設備近 20 年，覆蓋 80%以上刻蝕制程工藝，其中 CCP 刻蝕設備市占率不斷提升，高階應用持續推進，ICP 刻蝕設備放量突破，有望形成協同效應，繼續保持行業領先優勢，持續看好公司未來刻蝕設備業務發展，假設 20222024 年公司刻蝕設備收入同比分別為+55.0%/+40.0%/+35.0%，毛利率分別是 44.0%/

16、44.5%/43.0%。 MOCVD 設 備：設 備： 公司原有 MOCVD 設備以 LED 照明 領域為 主，新產 品瞄準MiniLED/MicroLED、功率器件以及第三代半導體等高階應用領域，隨著品系持續擴充及市場需求驅動，量價齊升將成為未來業績亮點，假設 20222024 年收入同比+50.0%/+40.0%/+35.0%，毛利率分別是 34.0%/37.0%/36.5%。 薄膜沉積設備：薄膜沉積設備：公司鎢填充 CVD 設備產線驗證進展順利，按照設備正常驗證和驗收周期初步估算，有望在 2022 年形成收入并在 2023 年開始放量，EPI 設備有望在 2023 年形成收入，假設 20

17、222024 年收入分別為 1800 萬元/6500 萬元/1.3 億元，毛利率分別為30.0%/33.0%/37.0%。 其他業務：其他業務：其他業務主要包括備品備件業務、設備服務費用以及環保設備等，隨著國內晶圓廠持續擴產及公司設備付運規模高速增長，備品備件業務及環保設備營收將持續增長，假設 20222024 年收入同比+100.0%/+60.0%/+40.0%，毛利率 50.0%/52.0%/55.0%。 區別于市場的觀點區別于市場的觀點 市場關注點：市場關注點：市場關注點主要集中于公司刻蝕設備在先進工藝制程的應用以及高階MOCVD 設備的進展。 我們認為：我們認為：1）公司先進制程刻蝕設

18、備是是公司面向未來的巨大驅動力，但當前我們更關注市場缺芯帶來的成熟制程設備的滲透率， 公司在 28nm 及以上成熟設備市場滲透率同樣值得關注；2）參考應材和泛林的發展歷程，我們認為隨著公司業務規模增長，公司在高毛利備品備件及設備服務方面也大有可為，公司相應業務規模營收占比會逐漸顯現；3）我們關注到公司對外投資注重產品差異化（拓荊科技的薄膜沉積設備注重制程差異化）和產業協同效應（睿勵儀器的檢測設備） ，后續將為公司營收一步增加助力。 股價上漲催化劑股價上漲催化劑 公司持續拓展新應用，高性能新產品接力上市，營收持續增長，盈利能力持續優化。 估值與目標價估值與目標價 我 們 預 計 公 司 2022

19、2024 年 營 業 收 入 分 別 為 45.45/62.72/84.26 億 元 ， 同 比+46.2%/+38.0%/+34.3% ， 歸 母 凈 利 潤 分 別 為10.72/13.06/17.09億 元 ， 同 比+6.0%/+21.8%/+30.9%。公司作為國內半導體刻蝕設備龍頭，平臺化拓展，有望持續受益于進口替代，給予公司 2022 年 18 倍 PS，對應股價為 132.8 元/股。 公司深度研究 | 中微公司 6 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 中微公司中微公司核心指標概覽核心指標概覽 圖 1：公司核心指標概覽

20、 資料來源：公司官網，wind，西部證券研發中心 公司深度研究 | 中微公司 7 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 一、一、國產刻蝕設備龍頭，內生外延拓展國產刻蝕設備龍頭，內生外延拓展奠定營收增長新動奠定營收增長新動力力 1.1 國內刻蝕設備龍頭，加速平臺化布局國內刻蝕設備龍頭，加速平臺化布局 中微公司中微公司系國家“系國家“02 專項專項”首批項目承擔單位，是國內老牌刻蝕設備龍頭首批項目承擔單位，是國內老牌刻蝕設備龍頭。公司于 2004年在上海張江科技園成立；2007 年首臺 12 英寸甚高頻去耦合等離子體刻蝕設備 Primo D

21、-RIE 研發成功并交付客戶，正式進入半導體前道裝備領域；2008 年入選國家科技重大專項 （02 專項） 首批項目承擔單位， 獲批承擔國家 6545nm 介質刻蝕機研發與產業化項目；2010 年首臺深硅刻蝕設備研發成功，切入先進封裝領域；2013 年公司投資睿勵儀器，布局檢測設備領域；2016 年首臺 MOCVD 設備 Primo D-Blue 研發成功，成功拓展LED 領域；2016 年首臺 VOC 設備的成功研發代表公司進入環保領域。公司多次承擔介質刻蝕領域國家重大專項以及上海市重大科技項目，驅動公司創新能力顯著提升，進一步拓寬國際化競爭視野，相關系列裝備的研發和產業化加速落地。近年來，

22、公司通過一系列外延方式逐漸拓展至薄膜沉積、泛半導體設備、環保、健康及生態互連等領域，加速平臺化布局。 圖 2：公司發展歷程 資料來源：公司官網，西部證券研發中心 圖 3：公司主要產品演變 資料來源：公司招股書，公司公告，西部證券研發中心 公司深度研究 | 中微公司 8 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 海歸派海歸派高管具有豐富的半導體設備研發高管具有豐富的半導體設備研發實力及實力及行業從業經驗。行業從業經驗。 公司技術團隊皆畢業于美國名校并擁有公司創始人及董事長尹志堯博士，畢業于加州大學洛杉磯分校，曾分別任職于英特爾、泛林半導體、應

23、用材料等公司，專業從事半導體刻蝕裝備研發，曾歷任應用材料等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官等職位。核心技術人員杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義、楊偉、李天笑都擁有豐富的國外半導體公司如英特爾、索尼、應用材料及泛林半導體工作經歷，從業經驗豐富。 背靠上海市政府和國家大基金二期， 公司無控股股東和實際控制人。背靠上海市政府和國家大基金二期， 公司無控股股東和實際控制人。 公司前身為中微有限，由中微亞洲出資設立，為外商獨資企業，2018 年轉為股份制有限公司，后經一系列股權變更后上海創投和巽鑫投資 （大基金一期） 分別位列第一大和第二大股東，

24、 分別持股 21.42%和 20.74%。2019 年公司科創版上市，上市后前兩大股東上海創投和巽鑫投資持股比例降為 18.02%和 17.45%。目前公司前五大股東分別為上海創投、巽鑫投資、嘉興智微企業管理合伙企業(有限合伙) 、中微亞洲、國家集成電路產業投資基金二期，持股比例合計占比43.76%，公司無控股股東和實際控制人。 圖 4：公司股權結構（截至 2021 年末） 資料來源：公司財報，西部證券研發中心 公司公司主營主營業務包括業務包括三三部分：部分：專用設備、備品備件專用設備、備品備件及及設備維護設備維護（主要為（主要為配件銷售及設備支持配件銷售及設備支持服務等服務等） 。公司公司以

25、以介質刻蝕設備起家，逐步拓展至金屬介質刻蝕設備起家，逐步拓展至金屬刻蝕刻蝕、硅刻蝕、薄膜沉積以及環保、硅刻蝕、薄膜沉積以及環保設備領域。設備領域。公司產品包括 CCP 刻蝕設備、ICP 刻蝕設備、TSV 深硅刻蝕設備、MOCVD設備以及環保設備， 可分別用于 8/12 英寸前道邏輯晶圓加工、 先進存儲及先進封裝工藝、化合物和 LED 制造以及環境保護等領域，客戶主要為臺積電、中芯國際、華虹集團等邏輯晶圓廠商；三星、SK 海力士、長江存儲、長鑫存儲等先進存儲廠商；華天科技、長電科技、日月光、通富微電等封測廠商以及化合物、功率半導體等特色工藝廠商。公司的各類等離子體刻蝕設備和薄膜設備已有超過 23

26、00 個反應腔在中國大陸、亞洲和歐洲等 70 多條集成電路和微器件生產線實現大規模量產。公司在介質刻蝕設備領域擁有近 20 年深厚技術積累，并積極向薄膜沉積、環保設備以及檢測設備等領域拓展，進入更廣闊的半導體及泛半導體設備市場。 公司深度研究 | 中微公司 9 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 圖 5：2021 年中微公司主營業務結構及客戶分布 資料來源：公司財報，西部證券研發中心 圖 6：中微公司產品布局市場空間測算(單位：億美元) 資料來源：SEMI，公司公告，公司財報，西部證券研發中心（以 2021 年市場份額進行測算） 刻蝕

27、設備：刻蝕設備：中微擁有全系列刻蝕機，包括高能等離子體（中微擁有全系列刻蝕機，包括高能等離子體（CCP） 、低能等離子體（） 、低能等離子體（ICP） 、單臺機（傳統） 、雙臺機單臺機（傳統） 、雙臺機（新機型）（新機型） ，可以涵蓋，可以涵蓋 80%以上以上的刻蝕工藝。的刻蝕工藝。 CCP 刻蝕刻蝕設備設備：CCP 刻蝕設備性能指標比肩國際一線廠商，國內晶圓產線設備市占率快速提升并成功打入國外頭部晶圓廠先進制程產線。公司 CCP 等離子體刻蝕設備主要應用于 8/12 英寸邏輯晶圓前道工藝、3D NAND 及 DRAM 等存儲工藝中氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料刻蝕，工藝制程

28、覆蓋 90nm5nm 邏輯工藝、128 層及 公司深度研究 | 中微公司 10 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 以下 3D NAND 存儲工藝。 CCP 等離子體刻蝕設備產品競爭優勢明顯， 已成功進入國內外一線客戶的邏輯和存儲芯片制造生產線，包括先進的 5nm 芯片生產線和下一代的 3nm 試生產線，在部分關鍵客戶市場占有率已進入前三位甚至前二位，CCP 刻蝕設備市占率持續提升。 表 1：公司 CCP 等離子刻蝕設備 產品類別 工藝應用 制程 圖片 Primo D-RIE Primo D-RIE 刻蝕設備可用于加工包括氧化硅、氮化

29、硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料 12 英寸/65-16nm 芯片 Primo AD-RIE 系列 Primo AD-RIE 可用于加工包括氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等所有的電介質材料 12 寸應用于 40-7nm 后段制程以及 10nm 前段制程 Primo AD-RIE-e Primo AD-IE-cr PrimoAD-RIE 200/300 Primo iDEA 雙反應臺刻蝕除膠一體機 Primo SSC AD-RIE 有利于處理多層薄膜刻蝕的微負載問題、極端邊緣形貌問題以及接觸孔刻蝕的終端控制問題 12 英寸/26-10nm 芯片 Primo HD-RIE 系列 Primo H

30、D-RIE 為NAND和DRAM芯片制造提供創新的刻蝕解決方；定位于為中高深寬比刻蝕提供綜合解決方案 3D NAND/DRAM 資料來源：公司招股說明書，西部證券研發中心 ICP 刻蝕設備：刻蝕設備：ICP 刻蝕設備快速崛起，應用領域刻蝕設備快速崛起，應用領域逐漸逐漸豐富。豐富。公司 ICP 等離子體刻蝕設備主要應用于 12 英寸 1Xnm 及以下的邏輯和存儲器件刻蝕、各種尺寸和深度的硅結構刻蝕以及邏輯和存儲芯片的多種導體和介質薄膜刻蝕等領域。ICP 刻蝕設備已通過諸多客戶的工藝認證并獲得重復訂單，已經在超過 15 家客戶的生產線上進行 100 多個 ICP 刻蝕工藝的驗證，合計付運腔室已超

31、200 臺。同時公司積極布局 3D 封裝、5nm 以下邏輯、1Xnm以下 DRAM 和 3D NAND 存儲芯片等下一代制程工藝。 表 2：公司 ICP 等離子刻蝕設備 產品類別 工藝應用 制程 圖片 Primo TSV 硅通孔技術已經成為先進封裝應用的關鍵技術，應用于 CMOS 圖像傳感器、2.5D、三維芯片和芯片切割等領域 8 英寸和 12 英寸硅通孔刻蝕 Primo nanova 1Xnm 及以下邏輯和存儲器件刻蝕應用 12 英寸 1Xnm 及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用 Primo Twin-Star 適用于各種尺寸和深度的硅結構刻蝕以及邏輯和存儲芯片的多種導體和介質薄膜刻蝕 12

32、英寸導體和電介質刻蝕 資料來源：公司招股說明書，西部證券研發中心 公司深度研究 | 中微公司 11 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 TSV 深硅刻蝕：深硅刻蝕： 公司 ICP 深硅刻蝕設備主要應用于 8 英寸和 12 英寸 CMOS 圖像傳感器、2.5D、 三維芯片和芯片切割等領域以及 3D 封裝、 2.5D 封裝和微機電系中的硅通孔刻蝕工藝，刻蝕孔徑從低至 1 微米以下到幾百微米、深度可達幾百微米的孔洞，并具有優秀的工藝協調性，可根據客戶的需求生產不同的刻蝕形狀（例如垂直、圓錐形和錐形等） ，目前已成功進入日月光、長電先進、通富

33、微電等國內外先進封裝大廠。 薄膜沉積設備：薄膜沉積設備：MOCVD 設備獨占鰲頭，設備獨占鰲頭，MiniLED 成為長期增長驅動力成為長期增長驅動力，CVD 設備驗證設備驗證順利，順利，EPI（外延生長設備）（外延生長設備）設備設備取得積極進展。取得積極進展。 MOCVD 設備：設備：LED 及功率器件外延用 MOCVD 設備市場成熟，切入 MiniLED/MicroLED及第三代半導體領域，未來 MOCVD 設備有望突破成長天花板。公司 MOCVD 設備主要應用于國內外主流 LED 生產線大批量 LED/深紫外 LED（主要為氮化鎵基及砷化鎵基） 、功率器件外延片以及高質量氮化鋁和高鋁組分材

34、料生長等工藝，憑借優異的產品性能，奠定了國內外 MOCVD 領域龍頭地位，目前公司 MOCVD 設備在全球增量市場市中占比第一。公司瞄準 MiniLED/MicroLED 以及第三代半導體 GaN/SiC 市場，2021 年 6 月成功推出MiniLED用MOCVD設備并獲得客戶批量重復訂單超100臺， GaN功率器件用MOCVD已交付國內外領先客戶驗證，進一步鞏固公司 MOCVD 設備市場領先地位。 CVD 設備設備：鎢填充 CVD 設備客戶產線驗證獲得積極進展，設備性能已能夠滿足客戶工藝驗證的需求，產品正與關鍵客戶對接驗證?；阪u填充 CVD 設備，公司進一步布局 CVD和 ALD（原子層

35、沉積）設備，以期實現更高深寬比和更小關鍵尺寸結構的填充，滿足高端邏輯器件和先進存儲芯片的需求。 EPI 設備設備：公司 EPI 設備已進入 Demo 機裝調階段，可滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。 表 3：公司薄膜沉積設備 產品類別 工藝應用 制程 圖片 Prismo D-BLUE 被主流LED生產線采用并進行大批量LED和功率器件外延片生產 同時加工 232 片 2 英寸晶片或 56 片 4 英寸晶片，工藝能力還能延展到生長 6 英寸和 8 英寸外延晶片 Prismo A7 用于 LED 外延片大規模量產 加工 136 片 4 英寸晶片或 56 片 6 英寸晶片，工藝能

36、力還能延展到生長 8 英寸外延晶片 Prismo HiT3 深紫外 LED 外延片量產,高質量氮化鋁和高鋁組分材料生長 單爐可生長 18 片 2 英寸外延片， 并可延伸到 4 英寸晶片 Prismo UniMax 高端顯示應用所需的Mini LED大規模生產 加工 108 片 4 英寸或 40 片 6 英寸高性能氮化鎵基藍綠光 Mini LED 外延晶片,可擴展至同時加工 164片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延晶片， 其工藝能力還可延展到生長 8 英寸外延晶片 資料來源：公司公告，公司官網，西部證券研發中心 環保環保設備設備及其他領域及其他領域：公司聚焦核心業務集成電路設備的同時積極探索

37、布局環保、健康、生態互連等領域在內的新業績增長點，成效顯著。 公司深度研究 | 中微公司 12 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 VOC 設備：設備：公司在國內率先開發制造了工業用大型 VOC 凈化設備，并與德國 DAS 環境專家有限公司簽訂戰略合作協議，雙方在半導體行業尾氣處理設備領域展開緊密的合作，共同推動環?？萍夹袠I的發展。 工業互聯：工業互聯：子公司中微匯鏈打造的去中心化分布式工業互聯網平臺 We-Linkin，應用場景數量已超 30 個，可訂閱微服務超 300 個，高研發投入助力產品矩陣不斷完善。 檢測設備：檢測設備：公司

38、增資睿勵儀器，全面布局集成電路檢測領域，進一步形成產業鏈協同。 公司積極布局產業鏈上下游，有效形成產業鏈協同。公司積極布局產業鏈上下游，有效形成產業鏈協同。公司主要零部件如機械手傳輸系統、噴嘴 ShowerHead、石英、陶瓷等物料此前主要采購自國外，近年來公司逐步參股上游產業鏈如志橙半導體、靖江先鋒、新美光半導體等企業，以降低成本并確保零部件的穩定供應。同時公司通過入股下游半導體晶圓制造企業，以期形成產品的協同開發及驗證，加速新產品產業化應用。 1.2 受益技術突破及行業高景氣驅動，公司營收和訂單受益技術突破及行業高景氣驅動，公司營收和訂單快速增長快速增長 2017 年之前，公司設備處于市場

39、開拓階段，營收體量較小年之前，公司設備處于市場開拓階段，營收體量較小，2017 年以來隨著行業景氣度年以來隨著行業景氣度提升疊加國產替代加速， 設備出貨和驗收取得突破性進展， 營收大幅增長。提升疊加國產替代加速， 設備出貨和驗收取得突破性進展， 營收大幅增長。 2017 年之前，公司主營設備為 CCP 等離子體刻蝕設備和 MOCVD 設備，部分設備處于研發和市場驗證階段，整體營收規模較小。近年來隨著公司技術突破，工藝指標逐漸滿足先進制程工藝需求， 公司陸續獲得臺積電、 SK 海力士等國際一線晶圓廠訂單并成功進入 7nm/5nm 工藝生產線及 3nm 工藝試生產線，疊加行業高景氣度及國內晶圓擴產

40、高峰和國產替代需求，公司設備持續放量，陸續獲得中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲等邏輯、存儲晶圓廠的重復訂單，憑借設備優異性能，產線市占率逐步提高。自 2017 年公司凈利潤由負轉正之后，每年以翻倍速率增長。2021 年公司全年實現營收 31.08 億元，同比增長 36.7%；歸母凈利潤 10.11 億元，同比大增 105.5%，一方面得益于行業高景氣驅動，公司產能利用率滿載，另一方面得益于公司產品線的豐富及產品結構優化。 圖 7：20162021 年公司營收及增速（單位：百萬元） 圖 8： 20162021 年公司歸母凈利潤及增速 （單位： 百萬元） 資料來源：Wind，西部證券研發中心

41、 資料來源：Wind，西部證券研發中心 609.5971.91639.319472273.33108.159.45%68.66%18.77%16.76%36.72%0%20%40%60%80%0500100015002000250030003500201620172018201920202021營業收入（單位：億元）營業收入yoy112.50%203.70%107.50%161%105.50%0%50%100%150%200%250%-400-200020040060080010001200201620172018201920202021歸母凈利潤（單位：億元）歸母凈利潤yoy 公司深度研究

42、| 中微公司 13 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 圖 9：20162021 年公司扣非歸母凈利潤及增速（單位：百萬元） 資料來源：Wind，西部證券研發中心 公司主要設備銷量波動較大，設備單價隨公司主要設備銷量波動較大，設備單價隨高高價值價值設備設備放量放量逐步走高。逐步走高。分產品看，分產品看，公司刻蝕設備銷量逐年走高，一方面系行業景氣度提升，國內晶圓廠擴產加速，另一方面隨著刻蝕設備制程工藝的延伸及產品多元化布局， 客戶及制程應用逐步多元化。 公司 MOCVD 設備主要受產品類別、客戶擴產節奏、行業周期及客戶端驗收節奏等影響，

43、波動較大，隨著MOCVD 設備逐步從傳統 LED 領域切入 MiniLED 領域，設備迎來量價齊升。 圖 10：20162021 年公司刻蝕設備營收（單位：百萬元） 圖 11：20162021 年公司 MOCVD 設備營收（單位：百萬元） 資料來源：wind，公司財報，西部證券研發中心 資料來源：wind，公司財報，西部證券研發中心 圖 12：20162021 年公司主營業務結構 圖 13：20162021 年主營業務結構細分 資料來源：wind，公司財報，西部證券研發中心 資料來源：wind，公司財報，西部證券研發中心 -233.1-69.4104.3147.5233.2324.470.20

44、%250.10%41.20%-84.20%1291.10%-200%0%200%400%600%800%1000%1200%1400%-300-200-1000100200300400201620172018201920202021扣非歸母凈利潤（單位：億元）扣非歸母凈利潤yoy470.4289565.6923128920040500100015002000250020162017201820192020202115.57530832664.649650301002003004005006007008009002016201720182019202020210%20%40%60%80%100%

45、120%201620172018201920202021專用設備備品備件其他業務0%20%40%60%80%100%120%201620172018201920202021刻蝕設備MOCVD其他業務 公司深度研究 | 中微公司 14 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 公司在手訂單飽滿，定增擴產落地，設備持續放量，展望后續，公司營收有望保持高速增公司在手訂單飽滿，定增擴產落地，設備持續放量，展望后續，公司營收有望保持高速增長長。 1）存貨和合同負債高增，在手訂單飽滿。存貨和合同負債高增，在手訂單飽滿。根據公司公告，2021 年公司存貨

46、和合同負債均大幅增長，2020 年公司存貨和合同負債分別為 10.6 億元、5.9 億元，截至 2021 年末，分別增至 17.6 億元和 13.7 億元，同比分別+66.0%/+132.0%。2021 全年新簽訂單金額同比增長 90.5%達 41.3 億元，創歷史新高。公司在手訂單飽滿，保證業績持續高增長。 2）定增落地保障產能定增落地保障產能：公司合同負債主要由客戶預付款組成，新簽訂單、合同負債雙雙增長，表明公司在手訂單飽滿。根據公司公告，2021 年產品付運腔體數由 2020 年的 295腔增長 66.4%達 491 腔， 公司于 2021 年 6 月向特定對象發行股票， 募集資金總額為

47、 82.06億元， 公司在江西省南昌、 上海市臨港分別建設 14 萬平方米和 18 萬平方米研發生產基地以及 10 萬平方米總部大樓，積極提升產能，夯實未來發展基礎。 3）刻蝕設備持續放量，市場刻蝕設備持續放量，市場持續擴大持續擴大：公司 2021 年共付運 CCP 刻蝕設備 298 腔，同比增長 40%。在先進邏輯電路方面，成功取得 5nm 及以下邏輯電路產線的重復訂單。在存儲電路方面，公司的刻蝕設備在 64 層及 128 層 3D NAND 的生產線得到廣泛應用。公司 2021 年 ICP 刻蝕機付運超過 130 腔，同比增長超過 230%。8/12 英寸深硅刻蝕設備 Primo TSV2

48、00E、Primo TSV300E 成功應用于先進系統封裝、2.5D 封裝和微機電系統并且在 3D 封裝領域驗證進展順利。高性能 Mini LED 用 MOCVD 設備 Prismo UniMax訂單成功超 100 腔并進一步拓展至 MicroLED 領域。 圖 14：20Q121Q4 年公司存貨（單位：億元） 圖 15：20162022Q1 年公司合同負債（單位：億元） 資料來源：wind，公司財報，西部證券研發中心 資料來源：wind，公司財報，西部證券研發中心 公司刻蝕設備毛利率穩定，公司刻蝕設備毛利率穩定，MOCVD 設備毛利率波動較大設備毛利率波動較大。公司半導體刻蝕設備毛利率長期穩

49、定在 44%左右，MOCVD 設備毛利率波動較大。20172019 年公司 MOCVD 設備營收占比較高，公司整體毛利率從 38.59%降至 34.93%。2020 年受 LED 行業不景氣影響，MOCVD 設備毛利率達處于低位，受益于刻蝕設備營收占比提高，公司整體毛利率逐步提升至 37.67%。2021 年受行業高景氣度及高端設備逐步放量影響，公司半導體設備量價齊升，公司毛利率逐步恢復至高位 43.36%。 期間費用率逐步下降，盈利能力逐年增強。期間費用率逐步下降，盈利能力逐年增強。20162019 年間公司期間費用率逐步下降，隨后保持在 14.0%左右。得益于期間費用率逐步降低和公司高毛利

50、率設備占比逐步提升，公司凈利率持續走高。與國內外同行業可比公司相比，近些年公司毛利率水平處于國際一線水平，前期毛利率較低，主要系低毛利的 MOCVD 設備營收占比較大。 0510152020Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4024681012141620Q1 20Q2 20Q3 20Q4 21Q1 21Q2 21Q3 21Q4 公司深度研究 | 中微公司 15 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 06 日日 圖 16：20162021 年公司分業務毛利率 圖 17：20162021 年公司整體毛利率和凈利率