5G時代,GaN RF芯片替代硅和砷化镕芯片,成為基站和射頻前端的主要RF主流,是技術革命性的投資機會GaN RF具有大功率、高頻率、高耐壓、帶寬大先天優勢,是5G時代的絕配,存在著大量的掘金機會;國外射頻芯片巨頭占據先發優勢,利用技術積累,開發出針對5G的氮化鑠射頻前端方案和GaN RF器件;技術領先型企業因先發優勢將獲得超額利潤,并獲得優先的產品迭代機會;在5G應用市場,GaN on Si將取代Si LDMOs,市場滲透率大;GaN on SiC應用于基站,衛星等大功率射頻,GaN on Si為低功率小型化器件,各有優勢,各有市場