NAND 光刻需求：以 ArFi、ArF、KrF、I-line 為主，價值量對疊層增加敏感度較小。延展到制造工藝端，3D NAND 微縮主要體現在垂直方向的堆疊，因此，相對于其他存儲和邏輯，其對光刻要求更加寬松，主要以 ArFi 和 ArF、KrF、I-line 等干法光刻設備為主。根據 ASML的測算，隨著堆疊層數逐步迭代，NAND 所需光刻設備投資增速約為 10%，相較邏輯/DRAM 的30%/20%，變化較小。