CCZ在拉晶效率上領先 理論上來說,顆粒硅的產品特性更適合使用 CCZ 工藝生產 N 型硅片,目前顆粒硅仍存在氫跳、硅粉表面積大易吸附雜質等問題:由于顆粒硅表面存在懸掛鍵,氫與懸掛鍵結合,熔化時釋放氫氣進而發生跳料。若能通過工藝升級解決這些問題,則 N 型片與 P型價差收窄,HIT 性價比進一步超越 P-Perc。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位