理論上來說，顆粒硅的產品特性更適合使用 CCZ 工藝生產 N 型硅片，目前顆粒硅仍存在氫跳、硅粉表面積大易吸附雜質等問題：由于顆粒硅表面存在懸掛鍵，氫與懸掛鍵結合，熔化時釋放氫氣進而發生跳料。若能通過工藝升級解決這些問題，則 N 型片與 P型價差收窄，HIT 性價比進一步超越 P-Perc。