顆粒硅+CCZ工藝或將有效提升拉晶產能。從使用端來看，顆粒硅形似球狀，2mm 左右粒徑的顆粒，具有良好的流動性、填充性，可以直接拉晶使用，能填補硅塊空隙， 提高坩堝裝填量，從而提高拉晶產出。同時，顆粒硅大小形狀比較均勻，熔化時對拉晶爐熱場擾動小，具有單次投料量多，熔化效率高，免破碎等多重優勢，是未來大規模應用CCZ技術（即連續直拉單晶硅技術）的必要條件，相較于目前傳統的 RCZ 單晶復投法，其拉晶效率更高。CCZ 的工藝特點是可以在單晶爐內實現進料－熔料－拉棒同步進行，從而節省晶棒冷卻及加料環節的時間。根據協鑫科技 2022 年年報的數據，公司 CCZ 單臺拉晶爐單產可達到 185 千克/天，已實現 200 兆瓦的中試產能。未來隨著 N 型單晶和大直徑單晶的規?；茝V， CCZ 的技術優勢或將會更加凸顯，顆粒硅應用場景將得到進一步優化。