CCz 連續拉晶降本提效，使得單晶硅棒電阻率均勻分布。（1）單晶硅拉制與加料同時進行，省去化料與晶棒冷卻時間，理論上單產可以提升 15%-20%；（2）坩堝內硅熔體體積恒定且較小，晶體生長具備穩定的熱場環境，利于大尺寸高品質單晶硅制備；（3）傳統 RCZ 拉晶液面高度變動，拉制環境中熱動力環境不穩定，金屬分凝原理引起金屬雜質容易在硅棒頭尾富集，進而造成硅棒頭尾電阻率不均衡，而 Ccz 拉晶維持硅溶液液面恒定不變，進而使得頭尾電阻率均衡。