3) 第三代半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）、金剛石（C）為代表。因具有大禁帶寬度、高電導率、高熱導率、高抗輻射能力等優點，更適合在高壓、高頻、高功率、高溫以及高可靠性領域中應用，例如射頻通信、雷達、電源管理、汽車電子、電力電子等。