圖表19中國涉及GaN和SiC的單體相關專利IPC技術分布集創新活躍度 H01L21、H01L29 及 H01L33,中國前十 IPC 大組活躍度普遍高于 50%,而美國技術活躍度最高 50%。中國的熱點領域為 C30B29 及 C30B25,而美國的熱點領域為 H01S5 及 C23C16。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位