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圖表19中國涉及GaN和SiC的單體相關專利IPC技術分布集創新活躍度-行業數據

圖表19中國涉及GaN和SiC的單體相關專利IPC技術分布集創新活躍度
圖表19中國涉及GaN和SiC的單體相關專利IPC技術分布集創新活躍度
H01L21、H01L29 及 H01L33，中國前十 IPC 大組活躍度普遍高于 50%，而美國技術活躍度最高 50%。中國的熱點領域為 C30B29 及 C30B25，而美國的熱點領域為 H01S5 及 C23C16。
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