元腦服務器的 GaN 鈦金電源方案與傳統服務器鉑金電源存在顯著差異。傳統服務器鉑金電源依賴 Si MOSFET 器件，受限于材料物理特性，存在高頻開關損耗與發熱等問題。與之相比，GaN 材料優勢明顯，其電子遷移率是 Si 的 10 倍，可支持 MHz 級高頻開關，能使動態損耗降低 70% ；相同功率下擁有超低導通電阻（僅為硅基器件的 1/5），可讓發熱量減少 50%；擊穿電場強度達 3.3MV/cm，憑借出色的耐高壓耐高溫特性，支持高壓直連架構，能夠消除多級轉換損耗。