過電壓保護（OVP）單元可在輸入電壓超過指定值時，切斷電源以保護主系統。隨著電源適配器的充電功率越來越高，過電壓保護電路需求有望隨之上升，催化電子設備電源接口逐步采納 OTG 和反向充電等新應用?？紤]到 GaN 性能優越，手機廠商可在電路設計時將 OVP 中的 2 顆 Si MOSFET 替換為 1 顆 GaN 器件，降低 OVP 整體成本和尺寸。 OPPO 在 Find X8/X8 pro 系列手機主板充電過壓保護和 50W 無線充產品中，采用了公司的 40V 雙向導通芯片 VGaN，一顆替代兩顆背靠背的 Si MOSFET，大大簡化內部空間，使產品設計更加輕薄。同時，VGaN 具備雙向導通或關斷的特性，能在手機充電過程中對電池進行主動保護，增強了安全性和使用壽命。充電側的超級閃充則采用了公司的高壓GaN，該芯片采用 TO-252 封裝，阻抗更低，散熱更強，效率更高。根據 OPPO 官方數據對比，采用公司的高壓 GaN 的 80W 超級閃充與此前標配的 80W 適配器相比，體積減小約 18%，隨身攜帶更方便。OPPO 已有多個系列產品(包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充)的主板和充電器均采用了公司的 AllGaN技術，實現了產品性能與競爭力的領先。