SiC 具有優秀的材料特性。碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，并和氮化稼（GaN）都具有寬禁帶的特性，被稱為第三代半導體材料。由于 SiC 具有寬禁帶寬度，從而導致其有高擊穿電場強度、低本征載流子濃度。受益于 SiC 的材料特性，SiC 功率器件具有耐高壓、體積小、功耗低、耐高溫等優勢。