半導體潔凈室對生產環境微粒粒徑控制最為嚴格。潔凈技術的核心環節是減少室內誘入、產生及滯留的懸浮粒子，受控粒子的粒徑大小取決于生產產品的精密程度。隨著芯片制程的不斷縮小，芯片生產環境對空氣中受控粒子的粒徑要求也從0.3-0.5μm 發展到納米級甚至更小。根據實踐經驗，當前潔凈室的控制塵粒粒徑與線寬（制程）的關系通常為 1:2，即 28nm 工藝大致需要控制粒徑大于等于 14nm的微粒。芯片制造的核心生產環境（光刻、半導體加工）潔凈度等級需要達到 IOS1-2 級，控制粒徑 0.01-0.1μm 甚至更小。