2022年全球sic襯底龍頭企業梳理

新能源汽車的快速發展，對半導體襯底材料提出了更高的需求，sic襯底由于耐高溫、散熱好等特性，是當前新能源汽車重點選擇的襯底材料。本文將梳理當前全球sic襯底龍頭企業。

1.美國 Wolfspeed(CREE)

業務從材料涵蓋到器件制造、封裝，是目前行業中少數實現SiC完整垂直產業鏈布局的公司。SiC襯底預計2022年產能折合6英寸達到85.2萬片/年。產品包括SiC MOS和SiC SBD;紐約的全球第一座8英寸SiC晶圓廠預計在2022年第三季度量產。

2.日本 羅姆

SiC襯底業務來自于2009年收購德國SiC襯底和外延片供應商SiCrystal，實現了SiC從材料到封裝的全產業鏈布局。在2025年擴產SiC襯底產能至30-40萬片。計劃到2025年投資850億日元，使產能提升16倍。2021年1月，羅姆新廠房竣工，可滿足SiC功率元器件中長期增長需求，預計2022投產。

3.美國 II-VI

主要業務涉及光通信、光電元件、siC襯底材料等，預計到2027年將達到折合每年100萬片6英寸襯底的產能，8英寸襯底2024年量產。計劃5年內6英寸晶圓產能擴張5-10倍，同時擴大運用差異化的材料技術的8寸晶圓產能。還在中國福州的亞洲區總部建立了一條用于導電sic襯底的后端加工線，可進行邊緣研磨拋光等。

4.日本 昭和電工

具備6英寸SiC襯底和外延生產能力，與羅姆簽訂了長期SiC外延合同，與英飛凌簽訂了長期siC材料供貨合同。2021年進行公募增資，第三者配額增資籌措約1100億日元資金，其中約700億日元將用于擴增SiC晶圓等半導體材料產能。

5.中國 天科合達

是國內最早實現siC襯底產業化的企業，率先在國內研制出6英寸SiC襯底，以導電型SiC襯底為主。2021年6月，深圳市重投天科半導體公司(天科合達持有其25%股權)將建設碳化硅單晶和外延生產線等，總投資約22億元。

6.中國 天岳先進

國內SiC襯底龍頭，掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環節的核心技術，具備不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備能力。計劃2026年新增碳化硅襯底材料產能約30萬片/年。其在上海建siC半導體材料項目，計劃于2022年試生產，2026年100%達產。

延伸閱讀：SiC襯底制備工藝流程

SiC襯底的制備一般采用成熟的物理氣相傳輸法(PVT 法)，流程主要包括7步，依次是：原料合成、晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光和拋光片清洗，每一步流程中都需要進行相應參數、性能的檢測，SiC襯底制備完成后，還需要在上面生長外延層，進而制備SiC器件(如 SiC MOSFET)以及SiC模組，最終應用到電動車、充電樁等下游應用中。

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