第三代半導體的發展,促進了半導體行業的股票情況,下面是對第三代半導體材料龍頭概念股及碳化硅龍頭股的詳細介紹。
第三代半導體材料龍頭概念股
1、士蘭微
杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年,專業從事集成電路芯片設計以及半導體相關產品制造,2001年開始在杭州建了第一條5英寸芯片生產線,現已成為國內集成電路芯片設計與制造一體(IDM)企業。
2、耐威科技
7月5日,耐威科技公告稱,公司與青島市即墨區人民政府、青島城市建設投資(集團)有限責任公司在2018年國際集成電路產業投資(青島)峰會上簽署《合作框架協議書》,耐威科技發力第三代半導體材料,其氮化擦材料項目宣布簽約青島。

3、三安光電
美國加利福尼亞州森尼韋爾,
三安集成電路有限公司(簡稱三安集成),一個擁有化合物半導體晶圓鑄造先進技術平臺代工廠今日宣布,運用于最新高壓AC/DC和DC/AC電力電子領域的150mn硅基氮化擦(GaN)代工服務正式面向全球市場。三安集成的新G06P111是650V增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)GaN過程增加了公司的電力電子晶片鑄造組合的寬帶化合物半導體(銀行),包括100毫米和150毫米碳化硅(SiC)高壓肖特基勢壘二極管(作為)。憑借其多年在LED領域氮化嫁量產制造經驗的母公司三安光電股份有限公司,三安集成能夠補充與內部金屬的鑄造服務增長能力的高電壓、低泄漏硅基氮化外延晶片高—致性。
4、海特高新
海特高新在互動易平臺表示:海威華芯總投資約20億元左右,一期基建工作基本完成,目前正籌建二期工程項目,目前海威華芯一期產線處于工藝完善和良率提升試生產階段,二期建成達產時間請您關注公司后續進展公告。
5、瑞豐光電
公司獨立董事劉召軍博士及其團隊多項研究成果世界領先,其中包括世界首創氮化擦HEMT與Micro-LED同質集成技術。劉博士投入Mini/Micro-LED領域技術研究10余年。其團隊已經研發了11代Micro-LED技術,目前發表雜志及國際會議論文80余篇,申請美國專利12項,授權7項,申請中國專利80余項,授權20余項。
6、海陸重工
旗下江蘇能華微電子科技發展有限公有專業研發、生產以氮化嫁( GaN)為代表的復合半導體高性能晶圓,并用其做成功率器件。
7、聞泰科技
推出氮化掾效應晶體管(GanFET),該產品主要應用于工業電源、逆變器、轉換器、汽車牽引逆變器和車載充電器和轉換器等場景,車載GaN已經量產,全球最優質的氮化嫁供應商之一。
8、福滿電子
充電器主控芯片,與oppo合作研發過GaN的充電器。
9、華潤微
2017年12月,華潤微電子完成對中航(重慶)微電子有限公司的收購,擁有8英寸硅基氮化嫁生產線和國內首個8英寸600V/10A
GaN功率器件產品,用于電源管理。華潤微規劃建設的化合物半導體項目,判斷生產線主要是GaN工藝。該項目將分兩期實施。其中—期項目投資20億元,二期投資30億元。
10、亞光科技
5G通信的毫米波功率放大器已研制成功并小批量產;砷化擦/氮化擦射頻芯片關鍵技術在芯片制造領域與三安光電深度進行合作,打造完整的新型半導體射頻芯片產業鏈。亞光科技2017年年報披露,其與西安電子科技大學在合作研制第三代半導體項目。
11、巨化股份
巨化產品在半導體液晶面板氮化嫁系LED多晶硅太陽能電池生產中的應用取得重大突破,公司與日本昭和電工株式會設立合資公司浙江衢州巨化昭和電子化學材料有限公司,在國內發展高純氨業務。新公司08年11月開工建設,計劃在09年6月建成500噸/年的高純氨生產裝置,考慮到高純氨市場需求增長的趨勢。公司正考慮在09年底根據市場情況將裝置生產能力擴大到1000噸/年。新公司采用昭和電工的高純氨生產技術。高純氨作為電子工業中氮化膜的成膜氣體,已經在半導體、液晶面板、氮化掾系LED生產中得到廣泛應用,在多晶硅太陽能電池領域的應用也在不斷增加。
第三代半導體材料碳化硅龍頭股是哪個
1、楚江新材:在互動平臺表示,全資子公司頂立科技具備第三代半導體材料碳化硅單晶從裝備、材料到制品的一整套技術儲備和產業化能力。
2、天通股份:進行了第三代化合物半導體碳化硅襯底材料的布局。
3、露笑科技:擁有碳化硅長晶設備。近日公司公告,將發展重點轉向第三代半導體材料碳化硅領域。
4、揚杰科技:碳化硅芯片技術已達到國內領先水平。
5、揚杰科技:碳化硅芯片技術已達到國內領先水平。
6、露笑科技:擁有碳化硅長晶成套設備。
由此可見,第三代半導體概念龍頭股發展在逐漸上身,不僅應用領域廣泛,而且還更好的生產及制造。技術發展也更成熟。
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